JP2003197716A - 基板支持装置及び半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リフトピンとクランプリングとの機械的接触
により生ずるパーティクルが半導体ウェハ上に付着する
事態を防止できる基板支持装置手段を提供すること。 【解決手段】 本発明の基板支持装置２２は、基板支持
体２４に支持された半導体ウェハＷを下方に押圧するク
ランプリング３４と、ウェハを基板支持体に対して上下
させるリフト装置３８とを備える。また、リフト装置
は、ウェハの外周縁部の下面を支承する平坦部４８と、
平坦部４８の外側に設けられ、平坦部に対するウェハの
位置決めを行う第１の位置決め部５０と、その外側に設
けられ、リフト装置に対するクランプリングの位置決め
を行う第２の位置決め部５６とを有している。リフト装
置が上昇したとき、平坦部から離れた第２の位置決め部
のみでクランプリングと接するので、パーティクルはウ
ェハ上に付着し難いものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング装
置のような半導体製造装置やその他の基板取扱い装置に
おける基板支持装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来一般の枚葉式のスパッタリング装置
は、処理チャンバの上部に配置された成膜材料を含むタ
ーゲットを備えており、処理チャンバ内で生成されたプ
ラズマ中のイオンをターゲットに衝突させ、そこからは
じき出されるターゲット粒子をターゲットの下方に配置
された半導体ウェハ上に堆積させて成膜を行うよう構成
されている（図１参照）。

【０００３】半導体ウェハは、スパッタリング処理が行
われる処理位置と、その下方の非処理位置との間で上下
動可能となっている円盤状の基板支持体の上面にて支持
される。

【０００４】また、図６に示すように、基板支持体１の
上方にクランプリング２を備えるスパッタリング装置も
従来から知られている。従来一般のクランプリング２
は、基板支持体１が半導体ウェハＷを支持した状態で処
理位置に配置された際、基板支持体１の外周縁から突出
している半導体ウェハＷの外周縁部を自重で押さえて固
定するものである。このクランプリング２は、基板支持
体１が非処理位置に下げられた状態では、処理チャンバ
内のシールド３にて支持される。

【０００５】基板支持体１上に半導体ウェハＷを載置す
る場合、当該スパッタリング装置に隣接配置された搬送
ロボット（図６には示さず）を用いて行われる。すなわ
ち、搬送ロボットを操作し、そのブレード上に載せた半
導体ウェハＷを非処理位置の基板支持体１の上方に配置
する。次いで、基板支持体１の下方から複数本のリフト
ピン４を上昇させて、リフトピン４の上端面に半導体ウ
ェハＷを移す。リフトピン４の上端面の外側には上方に
延びる延長部５が設けられており、この延長部５の内側
の傾斜面６によって半導体ウェハＷが位置決めされ、基
板支持体１と半導体ウェハＷとが実質的に同軸に整列さ
れる。更に、リフトピン４を上昇させると、リフトピン
４の延長部５がクランプリング２の下面に設けられた凹
部７に嵌合し、クランプリング２はリフトピン４に対し
て位置決めされ、従って基板支持体１及び半導体ウェハ
Ｗと実質的に同軸となると共に、リフトピン４と共に上
昇してシールド３から持ち上げられる（図６の状態）。
この状態で基板支持体１を処理位置まで上昇させること
で、半導体ウェハＷは基板支持体１上に載置され且つク
ランプリング２によりその外周縁部がクランプされる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
スパッタリング装置においては、リフトピン４の延長部
５とクランプリング２とが機械的に接触するため、摩耗
によるパーティクルが、極く僅かであるが発生する。こ
のパーティクルの発生箇所は、主として、延長部５の傾
斜面６とクランプリング２の凹部５とが接する箇所であ
り、この箇所はリフトピン４の上端面に隣接している。
よって、発生したパーティクルがそのまま落下すると、
リフトピン４の上端面に載置された半導体ウェハＷ上に
付着する可能性がある。

【０００７】このような問題は、スパッタリング装置に
限られず、半導体ウェハ等の基板の外周縁部を支持して
上下させるリフトピンと、基板の外周縁部をクランプす
るクランプリングとを有する基板支持装置が設けられた
その他の半導体製造装置等においても同様に存するもの
と考えられる。

【０００８】そこで、本発明の目的は、リフトピンとク
ランプリングとの機械的接触により生ずるパーティクル
が基板上に落下、付着する事態を防止ないしは低減する
ことのできる基板支持装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による基板支持装置は、上面にて基板を支持
する基板支持体と、基板支持体に支持された基板の外周
縁部を下方に押圧するクランプリングと、基板を支承し
て基板支持体に対して基板の受け渡しを行う上下動可能
なリフト手段とを備える基板支持装置において、リフト
手段が、基板の外周縁部の下面を支承する平坦部と、平
坦部の外側に設けられ、基板の外周縁と係合して平坦部
に対する基板の位置決めを行う第１の位置決め部と、第
１の位置決め部の外側に設けられ、クランプリングの下
面の所定部分と係合してリフト手段に対するクランプリ
ングの位置決めを行う第２の位置決め部とを有してお
り、リフト手段が上昇した場合に、第２の位置決め部の
みで前記クランプリングと係合するよう構成されている
ことを特徴としている。ここで、本明細書で云う「外
側」及び「内側」は、基板支持体の中心点から離れる方
向の側を「外側」、その逆方向の側を「内側」としてい
る。

【００１０】従来においては、リフトピンの延長部が、
基板支持体に対する基板の位置決め手段と、基板支持体
に対する基板の位置決め手段とを兼ねていたが、本発明
では、これらの位置決め手段を別個に設けて、外側の位
置決め手段、すなわち第２の位置決め部のみがクランプ
リフトに接するよう構成している。基板に近い第１の位
置決め部がクランプリフトで接しないため、パーティク
ルが基板に落下する可能性が大幅に低減される。

【００１１】また、クランプリングに、第２の位置決め
部がクランプリングと係合した際に第１の位置決め部よ
りも外側に位置すると共に第２の位置決め部よりも内側
に位置する環状壁部を設けることが好適である。この環
状壁部は、第２の位置決め部とクランプリフトとの係合
により発生するパーティクルの基板への拡散を防ぐこと
ができる。特に、環状壁部の下端を、第２の位置決め部
がクランプリングと係合した際に平坦部よりも下方に位
置するようにした場合、平坦部で支承される基板の上面
は環状壁部の最下端よりも上方に位置しているので、基
板上のパーティクル汚染は実質的に防止される。

【００１２】リフト手段としては、上下動可能なリフト
プレートと、リフトプレートに立設された複数本の第１
のリフトピンと、第１のリフトピンよりも外側に位置に
てリフトプレートに立設された複数本の第２のリフトピ
ンとからなるものが考えられる。この場合、第１のリフ
トピンは、前記平坦部としての上端面と、この上端面の
外側部分から上方に延びる、第１の位置決め部としての
延長部とを有し、また、第２のリフトピンは、第２の位
置決め部としての上端部を有することとなる。そして、
クランプリングの下面には、確実な位置決めを行うた
め、第２のリフトピンの上端部が嵌合される凹部が前記
所定部分として形成されることが好ましい。

【００１３】更に、本発明は、上記の基板支持装置が設
けられた半導体製造装置にも係るものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態について詳細に説明する。図１は、本発明
による基板支持装置が適用された半導体製造装置たるス
パッタリング装置を示す縦断面図であり、図２は、図１
のII−II線に沿っての断面図である。図示のスパッタリ
ング装置１０は、基本的な構成は従来から知られたもの
であり、処理チャンバ１２の上部に、成膜材料を含むタ
ーゲット１４が配置されている。図示のスパッタリング
装置１０では、ターゲット１４は導電性のバックプレー
ト１６の下面に貼着されている。また、バックプレート
１６のフランジ部は、チャンバ側壁１８の上部環状部１
９に絶縁リング２０を介して載置されている。

【００１５】処理チャンバ１２の内部には、基板支持装
置２２の一構成要素である基板支持体２４がターゲット
１４と同軸に配設されている。基板支持体２４はペディ
スタルとも呼ばれ、その上面が基板である半導体ウェハ
Ｗを支持する円形の水平面となっている。基板支持体２
４の上面の直径は半導体ウェハＷの直径よりも僅かに小
さく、半導体ウェハＷを基板支持体２４上に同軸に載置
した場合、基板支持体２４の外周縁から半導体ウェハＷ
の外周縁部が一定量だけ僅かに突出するようになってい
る。

【００１６】また、基板支持体２４は、処理チャンバ１
２の下側に配置された上下駆動装置２６により、成膜処
理が行われる処理位置と、その下方の非処理位置（図１
におい実線で示す位置）との間で上下動可能となってい
る。また、本実施形態では、基板支持体２４内にはヒー
タ（図示しない）が設けられている。

【００１７】処理チャンバ１２の内部には、更に、チャ
ンバ内面にターゲット粒子が付着するのを防止するため
のシールド３０が設けられている。シールド３０は、チ
ャンバ側壁１８の上部環状部１９の下面から下方に延び
る外周部分３０ａと、この外周部分３０ａから処理チャ
ンバ１２の中心側に延びる略水平部分３０ｂと、略水平
部分３０ｂの内周縁から上方に立ち上がる内周部分３０
ｃとから構成されている。内周部分３０ｃは、処理位置
に配された基板支持体２４の外周面を囲む位置に置かれ
ている。

【００１８】シールド３０の内周部分３０ｃの上端縁に
は、図１に示すように、基板支持体２４が非処理位置に
ある状態では、クランプリング３４が係支されるように
なっている。クランプリング３４は、基板支持装置２２
の構成要素の一つであり、基板支持体２４が処理位置に
上昇されたときに、その内周縁部の下面が半導体ウェハ
Ｗの外周縁部の上面と接し、基板支持体２４及び半導体
ウェハＷと共に上昇し、半導体ウェハＷをその重みで押
え付けることができるよう構成されている。クランプリ
ング３４の下面には、全周にわたって延びる環状壁部３
６が一体的に形成されている。この環状壁部３６は、基
板支持体２４上の半導体ウェハＷをクランプリング３４
でクランプした状態において、半導体ウェハＷの外周縁
に隣接する位置にあり、処理チャンバ１２内のパーティ
クルに対するシールドとして機能するものである。

【００１９】基板支持装置２２は、半導体ウェハＷを基
板支持体２４の上面に載置したり、そこから持ち上げた
りするためのリフト装置（リフト手段）３８を更に備え
ている。図示のリフト装置３８は、基板支持体２４の上
面よりも下方に配置されたリフトプレート４０を有して
いる。リフトプレート４０は、基板支持体２４と同軸に
配置される環状部分４０ａと、この環状部分４０ａから
外方に突出する突出部分４０ｂとから構成されている。
突出部分４０ｂには、処理チャンバ１２の下側に配設さ
れた上下駆動装置４２から垂直上方に延びる上下動可能
なリフトロッド４４の上端部が接続されている。

【００２０】リフトプレート４０の環状部分４０ａに
は、複数本、図示実施形態では４本の第１のリフトピン
４６が立設されている。これらのリフトピン４６は、図
３に明示するように、その上端面（平坦部）４８が水平
な平坦面となっており、半導体ウェハＷの外周縁部を支
承することができるようになっている。

【００２１】図示実施形態では、第１のリフトピン４６
は水平断面が矩形であり、矩形断面の長手方向中心線が
リフトプレート４０の環状部分４０ａの中心軸線、すな
わち基板支持体２４の中心軸線と交差する向きとなるよ
うに環状部分４０ａに固定されている。また、第１のリ
フトピン４６の上端面４８の外側部分からは延長部（第
１の位置決め部）５０が上方に延びている。この延長部
５０は、上端面４８に載置された半導体ウェハＷが脱落
するのを防止するための押さえである。また、延長部４
８の内側の面は上方ほど外方に傾斜する傾斜面５２とな
っており、また、この傾斜面５２の最下端では、環状部
分４０ａの中心軸線からの距離が半導体ウェハＷの半径
と実質的に同一とされている。従って、この傾斜面５２
に沿わせることで半導体ウェハＷはリフトピン４６の上
端面４８にて支承された際、環状部分４０ａ、ひいては
基板支持体２４と同軸に位置決めされる。

【００２２】第１のリフトピン４６は、基板支持体２４
の外周部分に形成されたスリット５４内に隙間をもって
配置されており、リフトプレート４０を上下駆動装置４
２によって上下させた際、或いは、基板支持体２４を上
下駆動装置２６によって上下させた際、第１のリフトピ
ン４６の上端面４８が基板支持体２４の上面を相対的に
横切るようになっている。従って、第１のリフトピン４
６の上端面４８にて支持されている半導体ウェハＷは、
基板支持体２４の上昇によって基板支持体２４の上面に
移載される。

【００２３】また、リフトプレート４０の環状部分４０
ａには、第１のリフトピン４６が取り付けられた位置よ
りも外側の位置であって、好ましくは第１のリフトピン
４６から周方向において隔てられた位置に、複数本、図
示実施形態では３本の第２のリフトピン５６が立設され
ている。第２のリフトピン５６の上端部（第２の位置決
め部）の中心は、環状部分４０ａの中心軸線から等距離
の位置にある。この第２のリフトピン５６は、図４に明
示するように、リフトプレート４０と共に上昇される
と、その半球状の上端部がクランプリング３４の下面に
当接する。

【００２４】第２のリフトピン５６の上端部が接するク
ランプリング３４の位置には半球状の凹部５８が形成さ
れており、よって第２のリフトピン５６の上端部はこの
凹部５８に嵌合される。各凹部５８はクランプリング３
４の中心軸線から等距離に設けられているため、第２の
リフトピン５６の上端部が嵌合されることによって、ク
ランプリング３４は、リフトプレート４０の環状部分４
０ａと同軸に、従って基板支持体２４と同軸に配置され
ることになる。また、各凹部５８は環状壁部３６よりも
外側に配置されている。

【００２５】なお、リフトプレート４０を上昇させた
際、第２のリフトピン５６のみがクランプリング３４と
接するよう、第１のリフトピン４６及びクランプリング
３４は構成されている。すなわち、図示実施形態では、
第１のリフトピン４６の延長部５０の上方にクランプリ
ング３４の環状壁部３６が位置するが、この環状壁部３
６と第１のリフトピン４６の延長部５０とが接すること
がないよう、延長部５０を短くする、環状壁部３６の当
該部位に比較的浅い凹部６０を形成する、第１のリフト
ピン４６自体を短する、或いは、これらの手段を組み合
わせる、等の手段が採られている（図３及び図４の二点
鎖線を参照）。

【００２６】また、図示実施形態のスパッタリング装置
１０におけるチャンバ側壁１８には、半導体ウェハＷの
搬入・搬出用の開口部６２が形成されている。この開口
部６２は、成膜プロセス時には、スリットバルブ（図示
しない）により閉じらる。また、半導体ウェハＷの搬入
・搬出は、当該スパッタリング装置１０の外部に隣接配
置された搬送ロボット６４によって行われる。搬送ロボ
ット６４は、半導体ウェハＷが載置されるブレード６６
と称される略矩形のプレートを備えており、このブレー
ド６６を水平方向に移動させることで、スパッタリング
装置１０の処理チャンバ１２に対して半導体ウェハＷを
出し入れすることが可能となっている。ブレード６６
は、開口部６２を通して処理チャンバ１２内に挿入され
ると、図１及び図２の二点鎖線で示すように、非処理位
置の基板支持体２４とシールド３０との間に配置され、
ブレード６６上に載置された半導体ウェハＷは基板支持
体２４と概ね同軸に配置される。なお、図２から理解さ
れるであろうが、ブレード６６の幅は半導体ウェハＷの
直径よりも小さく、その先端には切欠き６８が設けられ
ている。ブレード６６のこの形状と、リフト装置３８に
おける第１及び第２のリフトピン４６，５６の取付位置
とによって、ブレード６６とリフトピン４６，５６とが
干渉することはない。

【００２７】次に、このような構成において、半導体ウ
ェハＷをスパッタリング装置１０の処理チャンバ１２内
に搬入し、処理位置に配置する手順について説明する。

【００２８】まず、搬送ロボット６４を操作し、搬送ロ
ボット６４のブレード６６に載置されたウェハＷを、非
処理位置にある基板支持体２４とシールド３０との間に
配置する。次いで、上下駆動装置４２を制御してリフト
プレート４０を上昇させる。この時、第１のリフトピン
４６は基板支持体２４の外周部のスリット５４を通り、
また、第１及び第２のリフトピン４６，５６はブレード
６６とは干渉しない位置に設けられているので、リフト
プレート４０の上昇を妨げることはない。リフトプレー
ト４０が上昇し、第１のリフトピン４６の上端面４８が
ブレード６６の上面よりも高い位置まで上昇すると、半
導体ウェハＷはブレード６６から第１のリフトピン４６
の上端面４８に載り移る。この際、第１のリフトピン４
６の延長部５０の内側傾斜面５２に沿って半導体ウェハ
Ｗは案内されるため、半導体ウェハＷは上端面４８に載
置された時にはリフトプレート４０の環状部分４０ａ、
ひいては基板支持体２４と同軸となる。

【００２９】更にリフトプレート４０の上昇を続ける
と、第２のリフトピン５６の上端部がクランプリング３
４の凹部５８に嵌合し、クランプリング３４をシールド
３０より上方に持ち上げる。この際、凹部５８と第２の
リフトピン５６との位置関係から、クランプリング３４
の中心軸線はリフトプレート４０の環状部分４０ａ及び
基板支持体２４の中心軸線と一致する。

【００３０】また、第１のリフトピン４６はクランプリ
ング３４とは接触しないため、機械的な接触は凹部５８
の内面と第２のリングピン５６の上端部との間のみであ
る（図３及び図４の状態）。従って、この接触部分にて
摩耗によるパーティクルが極く微量であるが発生する可
能性はあるものの、当該接触部分が第１のリフトピン４
６の上端面４８から径方向に離隔されているため、その
パーティクルが上端面４８上の半導体ウェハＷの外周縁
部に付着する可能性は極めて少ない。しかも、第１のリ
フトピン４６の上端面４８と第２のリフトピン５６との
間には環状壁部３６があり、且つまた、環状壁部３６の
下端が、上端面４８で支持されている半導体ウェハＷの
上面よりも下に位置しているので、第２のリフトピン５
６とクランプリング３４との接触により生じたパーティ
クルが半導体ウェハＷの上面に落下することは実質的に
なく、半導体ウェハＷの表面が汚染されることはない。

【００３１】この後、リフトプレート４０の上昇を停止
し、ブレード６６を処理チャンバ１２から外部に移動さ
せる。そして、基板支持体２４を上昇させると、半導体
ウェハＷは第１のリフトピン４６から基板支持体２４に
移載される。基板支持体２４の上昇を続けると、半導体
ウェハＷの外周縁部がクランプリング３４の内周縁部に
当接され、クランプリング３４を持ち上げて、基板支持
体２４が処理位置に達した時には、半導体ウェハＷの外
周縁部はクランプリング３４により押さえ付けられた状
態となり、基板支持体２４の上面に密着する。この状態
で成膜プロセスが開始される。

【００３２】ここで、成膜プロセスについて簡単に述べ
る。例えばターゲット１４をＴｉから形成して、半導体
ウェハＷの表面にＴｉＮ膜を反応性スパッタ法により成
膜する場合、まず、処理チャンバ１２内を所定の真空度
まで減圧した後、ＡｒガスとＮ₂ガスの混合ガスを処理
チャンバ１２内に導入する。また、上述したようにして
半導体ウェハＷを基板支持体２４に支持し、処理位置に
配置する。そして、チャンバ側壁１８とバックプレート
１６との間の直流電源７０を投入すると、処理チャンバ
１２内にプラズマが発生し、プラズマ中の正のＡｒイオ
ンが、陰極であるターゲット１４を衝撃する。Ａｒイオ
ンがターゲット１４に衝突すると、ターゲット１４から
ターゲット粒子、この例ではＴｉ粒子がはじき出され
る。このＴｉは処理チャンバ１２内のＮ₂と反応してＴ
ｉＮとなり、半導体ウェハＷ上に堆積されＴｉＮ膜を形
成するのである。なお、基板支持体２４が処理位置にあ
るとき、半導体ウェハＷはクランプリング３４により押
さえ付けられているので、半導体ウェハＷの裏面は基板
支持体２４の上面に密着し、基板支持体２４内部のヒー
タからの熱が半導体ウェハＷに均等に伝えられて、反応
が半導体ウェハＷの表面で一様に行われ均質な膜が形成
されるという効果がある。

【００３３】成膜プロセスが終了したならば、上述とは
逆の手順で基板支持体２４上の半導体ウェハＷを搬送ロ
ボット６４のブレード６６に載せ換えて、開口部６２か
らスパッタリング装置１０の外部に搬出する。

【００３４】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない
ことは云うまでもない。

【００３５】例えば、上記実施形態では第１のリフトピ
ン４６と第２のリフトピン５６とが別個のものとなって
いるが、図５に示すように一体としてもよい。この場
合、前記の延長部５０に相当する第１の位置決め部１５
０と、前記の第２のリフトピン５６の上端部に相当する
第２の位置決め部１５６との間に溝１００を形成し、こ
の溝１００に、前記環状壁部３６とは別個に設けたクラ
ンプリング３４の環状壁部１０２を間隙をもって配置す
るようにすることが、パーティクル防止のための好まし
い。なお、図５において、図１〜図４と同一又は相当部
分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。

【００３６】また、上記実施形態はスパッタリング装置
１０に本発明の基板支持装置２２を適用したものである
が、本発明の基板支持装置２２は他の半導体製造装置
や、その他の基板取扱い装置にも適用可能なものであ
る。

【００３７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ク
ランプリングとリフトピン等のリフト手段との接触によ
りパーティクルが発生しても、半導体ウェハ等の基板に
そのパーティクルが付着することを防止し、或いは大幅
に低減することができる。従って、基板の完成品である
半導体デバイス等の性能が向上し、またその歩留まりも
向上するという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板支持装置が適用されたスパッタリ
ング装置を示す縦断面図である。

【図２】図１のII−II線に沿っての断面図である。

【図３】図２のIII−III線に沿っての断面図であり、第
２のリフトピンによってクラングリングを持ち上げた時
の状態を示す図である。

【図４】図２のIV−IV線に沿っての断面図であり、第２
のリフトピンによってクラングリングを持ち上げた時の
状態を示す図である。

【図５】本発明による基板支持装置の変形形態を示す図
３又は図４と同様な断面図である。

【図６】従来の基板支持装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１０…スパッタリング装置（半導体製造装置）、１２…
処理チャンバ、１４…ターゲット、２２…基板支持装
置、２４…基板支持体、３４…クランプリング、３６…
環状壁部、３８…リフト装置（リフト手段）、４０…リ
フトプレート、４０ａ…環状部分、４２…上下駆動装
置、４６…第１のリフトピン、４８…上端面（平坦
部）、５０…延長部（第１の位置決め部）、５２…傾斜
面、５６…第２のリフトピン（第２の位置決め手段）、
５８…凹部、６０…凹部、１００…溝、１０２…環状壁
部、１５０…第１の位置決め部、１５６…第２の位置決
め部、Ｗ…半導体ウェハ（基板）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高浜 宏行 千葉県成田市新泉14ー３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 HA25 HA28 HA29 HA33 HA37 HA58 KA03 KA11 KA20 MA29 PA23

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上面にて基板を支持する基板支持体と、 前記基板支持体に支持された基板の外周縁部を下方に押
   圧するクランプリングと、 基板を支承して前記基板支持体に対して基板の受け渡し
   を行う上下動可能なリフト手段とを備える基板支持装置
   であって、 前記リフト手段が、基板の外周縁部の下面を支承する平
   坦部と、前記平坦部の外側に設けられ、基板の外周縁と
   係合して前記平坦部に対する基板の位置決めを行う第１
   の位置決め部と、前記第１の位置決め部の外側に設けら
   れ、前記クランプリングの下面の所定部分と係合して前
   記リフト手段に対する前記クランプリングの位置決めを
   行う第２の位置決め部とを有しており、 前記リフト手段が上昇した場合に、前記第２の位置決め
   部のみで前記クランプリングと係合するよう構成されて
   いることを特徴とする基板支持装置。
2. 【請求項２】 前記クランプリングには、前記第２の位
   置決め部が前記クランプリングと係合した際に前記第１
   の位置決め部よりも外側に位置すると共に前記第２の位
   置決め部よりも内側に位置する環状壁部が設けられてい
   ることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
3. 【請求項３】 前記環状壁部の下端は、前記第２の位置
   決め部が前記クランプリングと係合した際に前記平坦部
   よりも下方に位置することを特徴とする請求項２に記載
   の基板支持装置。
4. 【請求項４】 前記リフト手段が、上下動可能なリフト
   プレートと、前記リフトプレートに立設された複数本の
   第１のリフトピンと、前記第１のリフトピンよりも外側
   に位置にて前記リフトプレートに立設された複数本の第
   ２のリフトピンとを備え、 前記第１のリフトピンは、前記平坦部としての上端面
   と、該上端面の外側部分から上方に延びる、前記第１の
   位置決め部としての延長部とを有し、 前記第２のリフトピンは、前記第２の位置決め部として
   の上端部を有し、 前記クランプリングの下面の前記所定部分には、前記第
   ２のリフトピンの前記上端部が嵌合される凹部が形成さ
   れていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項
   に記載の基板支持装置。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の基
   板支持装置を処理チャンバ内に備えることを特徴とする
   半導体製造装置。