JP2003191082A - Device and method of laser marking - Google Patents

Device and method of laser marking

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JP2003191082A
JP2003191082A JP2001389631A JP2001389631A JP2003191082A JP 2003191082 A JP2003191082 A JP 2003191082A JP 2001389631 A JP2001389631 A JP 2001389631A JP 2001389631 A JP2001389631 A JP 2001389631A JP 2003191082 A JP2003191082 A JP 2003191082A
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laser
marking
marking device
semiconductor substrate
laser marking
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Toru Yamaguchi
徹 山口
Masaharu Hama
正治 濱
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number

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  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the lowering of product yield caused by foreign maters occurring at a marking process. <P>SOLUTION: A conductive plate 20 is arranged in the vicinity of a location which is irradiated with a laser 12 in a marking region of a silicone wafer 100. The conductive plate 20 has a slit 21 over which the laser 12 passes without coming to a contact and is arranged in a way that the silicone wafer 100 is irradiated with the laser 12 through the slit 21. A potential difference supplying part 30 is provided with a power source 31 and a conductive stage 32, and the power source 31 applies a potential difference V between the stage 32 and the conductive plate 20. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はレーザマーキング
装置及びレーザマーキング方法に関し、レーザ照射によ
り発生するマーキング異物に起因した製品歩留まりの低
下を改善するための技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser marking device and a laser marking method, and more particularly to a technique for improving a reduction in product yield caused by marking foreign matter generated by laser irradiation.

【０００２】[0002]

【従来の技術】図１２及び図１３に、半導体デバイスの
生産に用いられている従来のレーザマーキング装置及び
レーザマーキング方法を説明するための模式図及び模式
的な断面図を示す。図１２に示すように、従来のレーザ
マーキング装置では、レーザ１２が可動ミラー１３で反
射されてシリコンウェーハ１００に照射され、これによ
りシリコンウェーハ１００にマーキングドット１０３
（図１３参照）が形成される。複数のマーキングドット
１０３の配列によって文字やコードが形成される。2. Description of the Related Art FIGS. 12 and 13 are a schematic view and a schematic sectional view for explaining a conventional laser marking apparatus and laser marking method used in the production of semiconductor devices. As shown in FIG. 12, in the conventional laser marking device, the laser 12 is reflected by the movable mirror 13 and is applied to the silicon wafer 100, whereby the marking dots 103 are applied to the silicon wafer 100.
(See FIG. 13) is formed. Characters and codes are formed by the arrangement of the plurality of marking dots 103.

【０００３】図１３に示すように、シリコンウェーハ１
００においてレーザ１２が照射されている部分では、シ
リコンが熱せられて溶融する。溶融したシリコンは膨張
するため周囲に広がり、その結果、レーザ１２が照射さ
れた部分では、中央が窪み、その周囲が盛り上がる。こ
のようにしてマーキングドット１０３が形成される。こ
のとき、レーザ１２のパワーが大きいほど、又、照射回
数が多いほど、視認性の良い深いマーキングドット１０
３を形成することができる。As shown in FIG. 13, a silicon wafer 1
In the area where the laser 12 is irradiated at 00, the silicon is heated and melted. The melted silicon expands and spreads to the periphery, and as a result, in the portion irradiated with the laser 12, the center is depressed and the periphery is raised. In this way, the marking dots 103 are formed. At this time, the greater the power of the laser 12 and the greater the number of irradiations, the better the visibility of the deep marking dot 10.
3 can be formed.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
１２のパワーを大きくすると、レーザ照射時にマーキン
グドット１０３からシリコンの滴が飛散してマーキング
異物（以下、単に「異物」とも呼ぶ）１０４が発生する
（図１３参照）。このシリコンの滴が飛散して異物１０
４がシリコンウェーハ１００の半導体チップ（製品チッ
プ）の形成領域へ進入すると、異物１０４によって半導
体チップが傷付けられて断線や穴等の不具合が生じてし
まう。つまり、製品歩留まりが低下してしまう。However, when the power of the laser 12 is increased, a droplet of silicon scatters from the marking dot 103 at the time of laser irradiation to generate a marking foreign matter (hereinafter, also simply referred to as "foreign matter") 104 (hereinafter referred to as "foreign matter"). (See FIG. 13). This silicon droplet is scattered and foreign matter 10
When 4 enters the area where the semiconductor chip (product chip) is formed on the silicon wafer 100, the semiconductor chip is scratched by the foreign matter 104, causing defects such as disconnection and holes. That is, the product yield is reduced.

【０００５】なお、半導体チップ形成領域への異物１０
４の進入はレーザ照射時のみならず、照射後においても
起こりうる。すなわち、上記シリコンの滴が半導体チッ
プ形成領域にまで飛散しなくても、該滴から成る異物１
０４が表面研磨などの後の工程において半導体チップ形
成領域へ移動する場合もある。Incidentally, the foreign matter 10 to the semiconductor chip forming region
The entry of 4 can occur not only during laser irradiation but also after laser irradiation. That is, even if the above-mentioned droplets of silicon do not scatter to the semiconductor chip formation region, the foreign matter 1 composed of the droplets 1
There is also a case where 04 moves to the semiconductor chip forming region in a subsequent process such as surface polishing.

【０００６】ところで、マーキング異物１０４はシリコ
ンを基体とするが、その表面は周辺雰囲気中の酸素によ
り酸化されてシリコン酸化物から成る。なお、異物１０
４となるシリコンの滴はレーザ１２のエネルギーによっ
て一度溶融し、高温状態で酸化する。シリコン酸化物は
シリコンよりも硬度が高いので、異物１０４が生じた場
合には上述の不具合は顕著に発生しうる。By the way, the marking foreign matter 104 is made of silicon as a base, and its surface is made of silicon oxide by being oxidized by oxygen in the surrounding atmosphere. The foreign matter 10
The droplet of silicon that becomes 4 is once melted by the energy of the laser 12 and is oxidized at a high temperature. Since the hardness of silicon oxide is higher than that of silicon, when the foreign matter 104 is generated, the above-mentioned problem can occur remarkably.

【０００７】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、マーキング異物に起因した製品歩留まりの低下
を改善しうるレーザマーキング装置及びレーザマーキン
グ方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a laser marking apparatus and a laser marking method capable of improving the reduction in product yield due to marking foreign matter.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項１に記載のレーザ
マーキング装置は、半導体基板のマーキング領域にレー
ザによりマーキングを行うレーザマーキング装置であっ
て、レーザ発振器を含み、前記レーザ発振器から出力さ
れたレーザを前記マーキング領域に照射するレーザ部
と、前記マーキング領域内において前記レーザが照射さ
れるレーザ照射位置の近傍に配置される導電性部材と、
前記導電性部材と前記半導体基板との間に電位差を与え
る電位差供給部と、を備える。A laser marking apparatus according to claim 1 is a laser marking apparatus for marking a marking area of a semiconductor substrate with a laser, including a laser oscillator, and outputting from the laser oscillator. A laser unit for irradiating the marking region with a laser, and a conductive member arranged in the marking region in the vicinity of a laser irradiation position where the laser is irradiated,
A potential difference supply unit that applies a potential difference between the conductive member and the semiconductor substrate.

【０００９】請求項２に記載のレーザマーキング装置
は、請求項１に記載のレーザマーキング装置であって、
前記導電性部材は、前記レーザが接触することなく通過
可能なレーザ通過孔を少なくとも１つ有しており、前記
少なくとも１つのレーザ通過孔を通して前記レーザが前
記マーキング領域に照射可能に配置される。A laser marking device according to a second aspect is the laser marking device according to the first aspect,
The conductive member has at least one laser passage hole through which the laser can pass without contact, and the laser is arranged so that the laser can be irradiated to the marking area through the at least one laser passage hole.

【００１０】請求項３に記載のレーザマーキング装置
は、請求項２に記載のレーザマーキング装置であって、
前記少なくとも１つのレーザ通過孔は、前記レーザ照射
位置の移動ピッチと同じピッチで並ぶ複数のレーザ通過
孔を含む。A laser marking device according to a third aspect is the laser marking device according to the second aspect,
The at least one laser passage hole includes a plurality of laser passage holes arranged at the same pitch as the movement pitch of the laser irradiation position.

【００１１】請求項４に記載のレーザマーキング装置
は、請求項３に記載のレーザマーキング装置であって、
前記導電性部材は、前記複数のレーザ通過孔に対応した
複数のメッシュ開口を有するメッシュ状導電性部材を含
む。A laser marking apparatus according to a fourth aspect is the laser marking apparatus according to the third aspect,
The conductive member includes a mesh-shaped conductive member having a plurality of mesh openings corresponding to the plurality of laser passage holes.

【００１２】請求項５に記載のレーザマーキング装置
は、請求項２に記載のレーザマーキング装置であって、
前記レーザ照射位置の移動に連動して前記少なくとも１
つのレーザ通過孔が移動するように前記導電性部材を移
動させる移動制御部をさらに備える。A laser marking apparatus according to a fifth aspect is the laser marking apparatus according to the second aspect,
The at least 1 is interlocked with the movement of the laser irradiation position.
The apparatus further includes a movement controller that moves the conductive member so that the two laser passage holes move.

【００１３】請求項６に記載のレーザマーキング装置
は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のレーザマ
ーキング装置であって、前記電位差供給部は、導電性部
分を有しており、前記導電性部分を前記半導体基板に接
触させて前記半導体基板を支持するステージと、前記ス
テージの前記導電性部分及び前記導電性部材に電気的に
接続された電源と、を含む。A laser marking apparatus according to a sixth aspect is the laser marking apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the potential difference supply section has a conductive portion. The stage includes a stage that supports the semiconductor substrate by bringing a conductive portion into contact with the semiconductor substrate, and a power source electrically connected to the conductive portion of the stage and the conductive member.

【００１４】請求項７に記載のレーザマーキング装置
は、半導体基板のマーキング領域にレーザによりマーキ
ングを行うレーザマーキング装置であって、前記半導体
基板を収納可能な容器と、前記容器に繋がれており、前
記容器内を大気よりも低酸素雰囲気に調整する雰囲気調
整部と、を備える。A laser marking apparatus according to a seventh aspect is a laser marking apparatus for marking a marking area of a semiconductor substrate with a laser, the container being capable of accommodating the semiconductor substrate, and the container being connected to the container. An atmosphere adjustment unit that adjusts the inside of the container to an oxygen atmosphere lower than the atmosphere.

【００１５】請求項８に記載のレーザマーキング装置
は、請求項７に記載のレーザマーキング装置であって、
前記雰囲気調整部は、真空排気設備を含む。A laser marking apparatus according to claim 8 is the laser marking apparatus according to claim 7,
The atmosphere adjusting unit includes a vacuum exhaust facility.

【００１６】請求項９に記載のレーザマーキング装置
は、請求項７に記載のレーザマーキング装置であって、
前記雰囲気調整部は、前記容器内に不活性ガスを供給す
る不活性ガス供給設備を含む。A laser marking apparatus according to a ninth aspect is the laser marking apparatus according to the seventh aspect,
The atmosphere adjusting unit includes an inert gas supply facility that supplies an inert gas into the container.

【００１７】請求項１０に記載のレーザマーキング装置
は、請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のレーザマ
ーキング装置であって、前記容器は、少なくとも前記レ
ーザが照射されるレーザ照射位置の近傍に導電性部分を
含み、前記レーザマーキング装置は、前記導電性部分と
前記半導体基板との間に電位差を与える電位差供給部を
さらに備える。The laser marking device according to claim 10 is the laser marking device according to any one of claims 7 to 9, wherein the container is at least near a laser irradiation position at which the laser is irradiated. And a conductive portion, and the laser marking device further includes a potential difference supply unit that applies a potential difference between the conductive portion and the semiconductor substrate.

【００１８】請求項１１に記載のレーザマーキング方法
は、半導体基板のマーキング領域にレーザによりマーキ
ングを行うレーザマーキング方法であって、前記マーキ
ング領域内において前記レーザが照射されるレーザ照射
位置の近傍に導電性部材を配置し、前記導電性部材と前
記半導体基板との間に電位差を与えた状態で前記レーザ
を前記マーキング領域に照射する。The laser marking method according to claim 11 is a laser marking method for marking a marking area of a semiconductor substrate with a laser, wherein the marking is conducted in the vicinity of a laser irradiation position where the laser is irradiated in the marking area. A conductive member, and irradiating the marking region with the laser while a potential difference is applied between the conductive member and the semiconductor substrate.

【００１９】請求項１２に記載のレーザマーキング方法
は、半導体基板のマーキング領域にレーザによりマーキ
ングを行うレーザマーキング方法であって、少なくとも
前記マーキング領域付近を大気よりも低酸素雰囲気にし
た状態で前記レーザを前記マーキング領域に照射する。A laser marking method according to a twelfth aspect is a laser marking method for marking a marking area of a semiconductor substrate with a laser, wherein the laser is applied in a state where at least the vicinity of the marking area is in an oxygen atmosphere lower than atmospheric air. To the marking area.

【００２０】[0020]

【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞図１に実施の形
態１に係るレーザマーキング装置１及びレーザマーキン
グ方法を説明するための模式図を示し、図２及び図３に
当該装置１及びマーキング方法を説明するための模式的
な断面図を示す。レーザマーキング装置１は、レーザ部
１０、導電性プレート（ないしは導電性部材）２０、及
び、電位差供給部３０を備えている。なお、説明のた
め、図１等にはシリコンウェーハ（ないしは半導体基
板）１００がセッティングされた状態を図示している。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <First Preferred Embodiment> FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a laser marking apparatus 1 and a laser marking method according to a first preferred embodiment, and FIGS. The schematic sectional drawing for demonstrating a marking method is shown. The laser marking device 1 includes a laser unit 10, a conductive plate (or a conductive member) 20, and a potential difference supply unit 30. For the sake of explanation, FIG. 1 and the like show a state in which a silicon wafer (or a semiconductor substrate) 100 is set.

【００２１】レーザ部１０は、レーザ（レーザ光）１２
を連続的に出力可能なレーザ発振器１１を備えており、
レーザ発振器１１から出力されたレーザ１２をシリコン
ウェーハ１００のマーキング領域１０１（図３参照）に
照射するための光学系及び機構を備えている。このた
め、レーザ部１０は上記レーザ発振器１１の他に、角度
を任意に動かせる可動ミラー１３及び照射位置制御部１
４を備えており、さらに不図示のシャッタ、パワーモニ
タ、レンズ、ミラー等を備えている。照射位置制御部１
４は可動ミラー１３の角度を制御してレーザ１２の出射
方向、すなわちシリコンウェーハ１００上におけるレー
ザ照射位置１０２（図３参照）を制御する。なお、シャ
ッタの開閉によりレーザ１２はパルス状にシリコンウェ
ーハ１００に照射される。The laser unit 10 includes a laser (laser light) 12
Equipped with a laser oscillator 11 capable of continuously outputting
An optical system and a mechanism for irradiating the marking region 101 (see FIG. 3) of the silicon wafer 100 with the laser 12 output from the laser oscillator 11 are provided. Therefore, in addition to the laser oscillator 11 described above, the laser unit 10 includes a movable mirror 13 and an irradiation position control unit 1 that can move the angle arbitrarily.
4 and further includes a shutter, a power monitor, a lens, a mirror, and the like, which are not shown. Irradiation position controller 1
Reference numeral 4 controls the angle of the movable mirror 13 to control the emission direction of the laser 12, that is, the laser irradiation position 102 (see FIG. 3) on the silicon wafer 100. The laser 12 is applied to the silicon wafer 100 in a pulsed manner by opening and closing the shutter.

【００２２】導電性プレート２０は、シリコンウェーハ
１００のマーキング領域１０１内においてレーザ１２が
照射されるレーザ照射位置１０２の近傍に、シリコンウ
ェーハ１００には接触しないように、配置される。より
具体的には、導電性プレート２０はレーザ１２が接触す
ることなく通過可能なスリット（ないしはレーザ通過
孔）２１を有した平板部材であり、導電性を有する種々
の材料で形成可能である。導電性プレート２０は、レー
ザ１２がスリット２１を通してシリコンウェーハ１００
に照射可能に配置される。なお、スリット２１はシリコ
ンウェーハ１００のマーキング領域１０１と大略同じ形
状・大きさを有しており、マーキング領域１０１に対し
て固定的に配置されている。The conductive plate 20 is arranged in the marking area 101 of the silicon wafer 100 in the vicinity of the laser irradiation position 102 where the laser 12 is irradiated so as not to contact the silicon wafer 100. More specifically, the conductive plate 20 is a flat plate member having a slit (or a laser passage hole) 21 through which the laser 12 can pass without contact, and can be formed of various conductive materials. In the conductive plate 20, the laser 12 passes through the slit 21 and the silicon wafer 100.
It is arranged so that it can be irradiated. The slit 21 has substantially the same shape and size as the marking area 101 of the silicon wafer 100, and is fixedly arranged with respect to the marking area 101.

【００２３】電位差供給部３０は電源３１及び導電性を
有するステージ３２を備えている。ステージ３２はシリ
コンウェーハ１００の裏面に接してこれを支持する。電
源３１はステージ３２と導電性プレート２０とに接続さ
れており、これらの間に（直流）電位差Ｖを与える。The potential difference supply unit 30 includes a power source 31 and a conductive stage 32. The stage 32 contacts the back surface of the silicon wafer 100 and supports it. The power supply 31 is connected to the stage 32 and the conductive plate 20, and provides a (DC) potential difference V between them.

【００２４】なお、導電性プレート２０に接続された導
電性のアーム２９に電源３１を接続することにより、該
アーム２０を介して電源３１と導電性プレート２０とを
電気的に接続しても構わない。By connecting a power source 31 to the conductive arm 29 connected to the conductive plate 20, the power source 31 and the conductive plate 20 may be electrically connected via the arm 20. Absent.

【００２５】また、ステージ３２を介して電源３１とシ
リコンウェーハ１００とを電気的に接続可能であれば、
ステージ３２の全体が導電性を有する必要はない。すな
わち、ステージ３２の少なくとも一部に導電性部分を設
けて当該導電性部分をシリコンウェーハ１００に接触さ
せてウェーハ１００を支持するようにステージ３２を構
成し、この導電性部分に電源３１を接続することによっ
て、電源３１とシリコンウェーハ１００とを電気的に接
続可能である。もちろん、ステージ３２を利用せずに別
途の部材によってシリコンウェーハ１００に電源３１を
接続することもできる。但し、ステージ３２を利用する
ことによりレーザマーキング装置１の構成を簡略化する
ことができる。If the power supply 31 and the silicon wafer 100 can be electrically connected via the stage 32,
The entire stage 32 need not be electrically conductive. That is, the stage 32 is configured so that at least a part of the stage 32 is provided with a conductive portion, the conductive portion is brought into contact with the silicon wafer 100 to support the wafer 100, and the power source 31 is connected to the conductive portion. As a result, the power supply 31 and the silicon wafer 100 can be electrically connected. Of course, the power supply 31 can be connected to the silicon wafer 100 by a separate member without using the stage 32. However, by using the stage 32, the configuration of the laser marking device 1 can be simplified.

【００２６】なお、図示化は省略するが、レーザマーキ
ング装置１は、ステージ３２を移動させるための機構
や、シリコンウェーハ１００をステージ３２に搬送する
ための機構を備えている。Although illustration is omitted, the laser marking apparatus 1 is provided with a mechanism for moving the stage 32 and a mechanism for transporting the silicon wafer 100 to the stage 32.

【００２７】レーザマーキング装置１では、導電性プレ
ート２０のスリット２１を通してシリコンウェーハ１０
０のマーキング領域１０１にレーザ１２を照射してマー
キングを行う。このとき、パルス状に出力されるレーザ
１２に対応して、マーキング領域１０１内のレーザ照射
領域１０２にマーキングドット１０３が形成される。レ
ーザマーキング装置１は複数のマーキングドット１０３
を例えばドットマトリクス的に組み合わせて文字や記号
や情報コードや更には絵等をマーキングする。In the laser marking device 1, the silicon wafer 10 is passed through the slit 21 of the conductive plate 20.
The marking area 101 of 0 is irradiated with the laser 12 for marking. At this time, marking dots 103 are formed in the laser irradiation area 102 in the marking area 101, corresponding to the laser 12 that is output in pulses. The laser marking device 1 has a plurality of marking dots 103
Are combined in a dot matrix, for example, to mark characters, symbols, information codes, and further pictures.

【００２８】レーザマーキング装置１及びこれによるレ
ーザマーキング方法によれば、導電性プレート２０とシ
リコンウェーハ１００との間に電位差Ｖを与えた状態で
マーキング領域１０１にレーザ１０２を照射するので、
マーキング異物１０４を導電性プレートとは異なる電位
に帯電させることができる。このため、図３に示すよう
に、マーキング異物１０４を静電気力によって導電性プ
レート２０に付着させることができる（異物付着除去作
用）。従って、上記異物１０４がシリコンウェーハ１０
０の半導体装置（半導体チップ）の形成領域へ進入する
（レーザ照射時に又はその後に進入する）のを防ぐこと
ができ、その結果、視認性の良い深いマーキングドット
１０３を形成する場合であっても、該異物１０４に起因
した製品歩留まりの低下を改善することができる。According to the laser marking apparatus 1 and the laser marking method using the laser marking apparatus 1, the marking area 101 is irradiated with the laser 102 while the potential difference V is applied between the conductive plate 20 and the silicon wafer 100.
The marking foreign matter 104 can be charged to a potential different from that of the conductive plate. Therefore, as shown in FIG. 3, the marking foreign matter 104 can be adhered to the conductive plate 20 by the electrostatic force (foreign matter adhesion removing action). Therefore, the foreign matter 104 is not
It is possible to prevent the semiconductor device (semiconductor chip) of No. 0 from entering the formation area (entering during or after laser irradiation), and as a result, even when the deep marking dot 103 with good visibility is formed. Therefore, the decrease in product yield due to the foreign matter 104 can be improved.

【００２９】なお、導電性プレート２０とシリコンウェ
ーハ１００とのいずれが高電位でも良く、導電性プレー
ト２０の電位とシリコンウェーハ１００の電位（従って
異物１０４の電位）とが異なっていれば上述の作用・効
果は得られる。It should be noted that either the conductive plate 20 or the silicon wafer 100 may have a high potential, and if the potential of the conductive plate 20 and the potential of the silicon wafer 100 (thus the potential of the foreign matter 104) are different, the above-mentioned operation is performed.・ Effect can be obtained.

【００３０】ところで、導電性プレート２０の外側面を
レーザ照射位置１０２近傍に配置することによっても、
上述の異物付着作用を得ることは可能である。但し、導
電性プレート２０のスリット２１を利用することによ
り、少なくともレーザ１２ないしはレーザ照射位置１０
２を挟んだ両側に異物を付着させる面を設けることがで
きるので、導電性プレート２０の外側面を用いるよりも
異物付着面をより広くすることができる。By disposing the outer surface of the conductive plate 20 near the laser irradiation position 102,
It is possible to obtain the above-mentioned foreign substance adhesion action. However, by using the slit 21 of the conductive plate 20, at least the laser 12 or the laser irradiation position 10
Since the surfaces on which the foreign matter is attached can be provided on both sides sandwiching 2, the foreign matter-attached surface can be made wider than the case where the outer surface of the conductive plate 20 is used.

【００３１】＜実施の形態２＞図４に実施の形態２に係
るレーザマーキング装置１Ｂ及びレーザマーキング方法
を説明するための模式図を示し、図５及び図６に当該装
置１Ｂ及びマーキング方法を説明するための模式的な断
面図を示す。レーザマーキング装置１Ｂは、既述のレー
ザマーキング装置１において導電性プレート２０を導電
性プレート２２に変えた構成を有している。レーザマー
キング装置１Ｂのその他の構成はレーザマーキング装置
１と同様である。<Second Embodiment> FIG. 4 shows a schematic diagram for explaining a laser marking apparatus 1B and a laser marking method according to a second embodiment, and FIGS. 5 and 6 show the apparatus 1B and a marking method. The schematic sectional drawing for doing is shown. The laser marking device 1B has a configuration in which the conductive plate 20 in the laser marking device 1 described above is replaced with a conductive plate 22. The other configuration of the laser marking device 1B is the same as that of the laser marking device 1.

【００３２】詳細には、導電性プレート２２は、既述の
導電性プレート２０のスリット２１にメッシュ状導電性
部材（ないしは導電性部材）２０Ｂが設けられた構造を
有している。メッシュ状導電性部材２０Ｂの複数のメッ
シュ開口（ないしは複数のレーザ通過孔）２１Ｂはそれ
ぞれレーザ１２が接触することなく通過可能な大きさに
設定されており、特に、図６に示すように、メッシュ開
口２１Ｂの配列ピッチｐ２１Ｂとレーザ照射位置１０２
の移動ピッチｐ１０２（換言すればレーザ１２の移動ピ
ッチｐ１２）とは同じのピッチに設定されている。More specifically, the conductive plate 22 has a structure in which the mesh-shaped conductive member (or conductive member) 20B is provided in the slit 21 of the conductive plate 20 described above. A plurality of mesh openings (or a plurality of laser passage holes) 21B of the mesh-shaped conductive member 20B are set to have a size that allows the laser 12 to pass through without contacting each other. In particular, as shown in FIG. Arrangement pitch p21B of openings 21B and laser irradiation position 102
The moving pitch p102 (in other words, the moving pitch p12 of the laser 12) is set to the same pitch.

【００３３】そして、メッシュ状導電性部材２０Ｂは、
シリコンウェーハ１００に接触しないように又レーザ１
２がメッシュ開口２１Ｂを通してシリコンウェーハ１０
０に照射可能に配置される。The mesh-shaped conductive member 20B is
Laser 1 so that it does not touch the silicon wafer 100
2 through the mesh opening 21B through the silicon wafer 10
It is arranged so that it can be irradiated with 0.

【００３４】なお、図４及び図５ではメッシュ状導電性
部材２０Ｂを支持する枠体を成している導電性プレート
２０に電源３１が接続される場合を図示しているが、メ
ッシュ状導電性部材２０Ｂに直接、電源３１を接続して
も構わない。Although FIG. 4 and FIG. 5 show the case where the power source 31 is connected to the conductive plate 20 forming a frame for supporting the mesh-shaped conductive member 20B, the mesh-shaped conductive material is used. The power source 31 may be directly connected to the member 20B.

【００３５】レーザマーキング装置１Ｂ及びこれによる
レーザマーキング方法によれば、既述のレーザマーキン
グ装置１と同様の効果が得られる。According to the laser marking device 1B and the laser marking method using the same, the same effect as that of the laser marking device 1 described above can be obtained.

【００３６】さらに、メッシュ状導電性部材２０Ｂはマ
ーキング領域１０１を覆うように設けられるので、図１
のスリット２１のようにマーキング領域１０１の外縁に
沿った形状よりも上述の異物付着除去作用を向上させる
ことができる。具体的には、マーキング領域１０１の中
央付近にレーザ１２を照射する場合、メッシュ状導電性
部材２０Ｂの方がスリット２１を有する導電性プレート
２０よりも異物１０４の発生箇所の近くに設けることが
可能である。しかも、メッシュ開口２１Ｂの配列ピッチ
ｐ２１Ｂとレーザ照射位置１０２の移動ピッチｐ１０２
とが同じであるので、ドットマトリクスで文字等をマー
キングする場合に、メッシュ状導電性部材２０Ｂによっ
て遮られることなくレーザ１２の照射を行うことができ
る。Furthermore, since the mesh-shaped conductive member 20B is provided so as to cover the marking area 101,
It is possible to improve the above-mentioned foreign matter attachment / removal action more than the shape along the outer edge of the marking area 101 like the slit 21 of FIG. Specifically, when the laser 12 is irradiated near the center of the marking area 101, the mesh-shaped conductive member 20B can be provided closer to the generation position of the foreign matter 104 than the conductive plate 20 having the slit 21. Is. Moreover, the arrangement pitch p21B of the mesh openings 21B and the movement pitch p102 of the laser irradiation position 102 are set.
Therefore, when marking a character or the like with a dot matrix, the laser 12 can be irradiated without being blocked by the mesh-shaped conductive member 20B.

【００３７】なお、例えばメッシュ開口２１Ｂと同様の
孔を導電性平板部材に形成し、この平板部材をメッシュ
状導電性部材２０Ｂに変えて利用することも可能であ
る。但し、メッシュ状導電性部材２０Ｂによれば、平板
部材に上記孔を形成する必要もなく、レーザ照射位置１
０２の移動ピッチｐ１０２と同じピッチで並ぶ複数のレ
ーザ通過孔を容易に提供することができる。It is also possible to form a hole similar to the mesh opening 21B in a conductive flat plate member and use this flat plate member in place of the mesh-shaped conductive member 20B. However, according to the mesh-shaped conductive member 20B, it is not necessary to form the hole in the flat plate member, and the laser irradiation position 1
It is possible to easily provide a plurality of laser passage holes arranged at the same pitch as the movement pitch p102 of 02.

【００３８】＜実施の形態３＞図７に実施の形態３に係
るレーザマーキング装置１Ｃ及びレーザマーキング方法
を説明するための模式図を示し、図８及び図９に当該装
置１Ｃ及びマーキング方法を説明するための模式的な断
面図を示す。レーザマーキング装置１Ｃは、既述のレー
ザマーキング装置１において導電性プレート２０を導電
性プレート（ないしは導電性部材）２０Ｃに変えた構成
を有している。<Third Embodiment> FIG. 7 shows a schematic diagram for explaining a laser marking apparatus 1C and a laser marking method according to a third embodiment, and FIGS. 8 and 9 show the apparatus 1C and a marking method. The schematic sectional drawing for doing is shown. The laser marking device 1C has a configuration in which the conductive plate 20 in the above-described laser marking device 1 is replaced with a conductive plate (or a conductive member) 20C.

【００３９】詳細には、導電性プレート２０Ｃは、既述
の導電性プレート２０においてスリット２１をホール
（ないしはレーザ通過孔）２１Ｃに変えた構造を有して
いる。このホール２１Ｃは、レーザ１２が接触すること
なく通過可能な最小限の大きさに設定されており、マー
キング領域１０１よりも小さい（狭い）。More specifically, the conductive plate 20C has a structure in which the slit 21 in the above-described conductive plate 20 is replaced with a hole (or a laser passage hole) 21C. The hole 21C is set to have a minimum size that allows the laser 12 to pass therethrough without making contact, and is smaller (narrower) than the marking area 101.

【００４０】そして、レーザマーキング装置１Ｃは、導
電性プレート２０Ｃの位置を制御する移動制御部４０を
さらに備えている。この移動制御部４０は照射位置制御
部１４に連動しており、レーザ照射位置１０２の移動に
合わせてホール２１Ｃが移動するように導電性プレート
２０Ｃを移動させる。これにより、レーザ照射位置１０
２が移動してもレーザ１２はホール２１を通してシリコ
ンウェーハ１００に照射される。すなわち、導電性プレ
ート２０Ｃのホール２１Ｃはレーザ１２の照射方向ない
しはレーザ照射位置１０２に対して固定的に配置され
る。The laser marking device 1C further comprises a movement control section 40 for controlling the position of the conductive plate 20C. The movement control unit 40 is interlocked with the irradiation position control unit 14, and moves the conductive plate 20C so that the hole 21C moves in accordance with the movement of the laser irradiation position 102. As a result, the laser irradiation position 10
Even if 2 moves, the laser 12 is irradiated onto the silicon wafer 100 through the hole 21. That is, the hole 21C of the conductive plate 20C is fixedly arranged with respect to the irradiation direction of the laser 12 or the laser irradiation position 102.

【００４１】なお、レーザマーキング装置１Ｃのその他
の構成はレーザマーキング装置１と同様である。The other structure of the laser marking device 1C is the same as that of the laser marking device 1.

【００４２】レーザマーキング装置１Ｃ及びこれによる
レーザマーキング方法によれば、既述のレーザマーキン
グ装置１と同様の効果が得られる。さらに、レーザ照射
位置１０２の移動に連動してホール２１Ｃを移動可能な
ので、メッシュ状導電性部材２０Ｂとは異なりレーザ通
過孔は１つで済むし、しかもスリット２１よりもレーザ
通過孔を狭めることができる（さらにはレーザ１２が通
過するのに最小限の大きさにすることができる）。この
ようなスリット２１よりも狭いホール２１Ｃによれば、
異物付着面をレーザ照射位置１０２により近接させるこ
とができるし、又、レーザ照射位置１０２を取り囲むこ
とができるので、上述の異物付着除去作用をいっそう向
上させることができる。According to the laser marking device 1C and the laser marking method using the same, the same effects as those of the laser marking device 1 described above can be obtained. Further, since the hole 21C can be moved in association with the movement of the laser irradiation position 102, only one laser passage hole is required unlike the mesh-shaped conductive member 20B, and the laser passage hole can be narrower than the slit 21. Yes (and can be minimally sized for the laser 12 to pass through). According to the hole 21C narrower than the slit 21,
Since the foreign matter adhesion surface can be brought closer to the laser irradiation position 102 and the laser irradiation position 102 can be surrounded, the above-mentioned foreign matter adhesion removal action can be further improved.

【００４３】＜実施の形態４＞図１０に実施の形態４に
係るレーザマーキング装置１Ｄ及びレーザマーキング方
法を説明するための模式図を示す。レーザマーキング装
置１Ｄは、レーザ部１０、気密性の容器５０、ステージ
３２Ｂ、及び、真空排気設備（ないしは雰囲気調整部）
６０を備えている。なお、図１０では容器５０内を透視
して図示している。レーザ部１０は既述のレーザマーキ
ング装置１のそれと同様である。<Fourth Embodiment> FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a laser marking apparatus 1D and a laser marking method according to a fourth embodiment. The laser marking device 1D includes a laser unit 10, an airtight container 50, a stage 32B, and a vacuum exhaust facility (or an atmosphere adjusting unit).
Equipped with 60. In FIG. 10, the inside of the container 50 is seen through. The laser unit 10 is similar to that of the laser marking device 1 described above.

【００４４】容器５０はシリコンウェーハ１００を収納
可能な形状・寸法を有しており、容器５０内にステージ
３２Ｂが配置されている。そして、容器５０には、収納
されたシリコンウェーハ１００のマーキング領域１０１
（図３等参照）に対面するように、レーザ１２を導入可
能な透光性材質から成る窓５１が設けられている。な
お、容器５０は、シリコンウェーハ１００を搬入・搬出
するために扉５２を有している。ステージ３２Ｂはシリ
コンウェーハ１００を支持する。The container 50 has a shape and size capable of accommodating the silicon wafer 100, and the stage 32B is arranged in the container 50. Then, in the container 50, the marking area 101 of the stored silicon wafer 100 is provided.
A window 51 made of a translucent material into which the laser 12 can be introduced is provided so as to face (see FIG. 3 etc.). The container 50 has a door 52 for loading and unloading the silicon wafer 100. The stage 32B supports the silicon wafer 100.

【００４５】なお、図示化は省略するが、レーザマーキ
ング装置１Ｄは、ステージ３２Ｂを移動させるための機
構や、シリコンウェーハ１００をステージ３２Ｂに搬送
するための機構を備えている。Although illustration is omitted, the laser marking device 1D has a mechanism for moving the stage 32B and a mechanism for transporting the silicon wafer 100 to the stage 32B.

【００４６】特に、レーザマーキング装置１Ｄの容器５
０には真空排気設備６０が取り付けられている。具体的
には、真空排気設備６０は、真空排気ポンプ６１、排気
管６２、バルブ（図示せず）等を含んでおり、真空排気
ポンプ６１が排気管６２を介して容器５０に接続されて
いる。このため、真空排気設備６０で以て容器５０内を
真空排気することにより、容器５０内を大気よりも又は
容器５０の外側よりも低酸素雰囲気に調整することがで
きる。In particular, the container 5 of the laser marking device 1D
At 0, a vacuum exhaust equipment 60 is attached. Specifically, the vacuum exhaust equipment 60 includes a vacuum exhaust pump 61, an exhaust pipe 62, a valve (not shown), and the like, and the vacuum exhaust pump 61 is connected to the container 50 via the exhaust pipe 62. . Therefore, by evacuating the inside of the container 50 by using the vacuum evacuation facility 60, the inside of the container 50 can be adjusted to a lower oxygen atmosphere than the atmosphere or the outside of the container 50.

【００４７】レーザマーキング装置１Ｄ及びこれによる
レーザマーキング方法によれば、低酸素雰囲気中におい
てシリコンウェーハ１００のマーキング領域１０１にレ
ーザ１２を照射することができるので、マーキング異物
１０４（の表面）がレーザ照射時に酸化するのを防ぐこ
とができる（異物酸化防止作用）。換言すれば、レーザ
照射時に異物１０４が酸化しないレベルの酸素濃度にな
るまで容器５０内を真空排気する。従って、シリコンよ
りも硬いシリコン酸化物の異物１０４の発生を抑制する
ことができる。その結果、硬い異物に起因した製品歩留
まりの低下を改善することができる。According to the laser marking apparatus 1D and the laser marking method using the laser marking apparatus 1D, the marking region 101 of the silicon wafer 100 can be irradiated with the laser 12 in a low oxygen atmosphere. Sometimes it can be prevented from oxidizing (foreign body oxidation prevention effect). In other words, the inside of the container 50 is evacuated until the concentration of oxygen is such that the foreign matter 104 is not oxidized during laser irradiation. Therefore, it is possible to suppress the generation of the foreign matter 104 of silicon oxide that is harder than silicon. As a result, it is possible to improve the reduction in product yield due to the hard foreign matter.

【００４８】なお、シリコンウェーハ１００を容器５０
から搬出した後に異物１０４が自然酸化する場合もある
が、そのような自然酸化膜はレーザ照射時よりも大幅に
低い室温程度で形成されるので、レーザ照射時の高温状
態で形成された酸化物よりも高度は低い。このため、レ
ーザマーキング装置１Ｄ及びこれによるレーザマーキン
グ方法によれば、既述の従来のマーキング方法に比べて
十分な歩留まり改善を図ることができる。The silicon wafer 100 is placed in the container 50.
There is a case where the foreign matter 104 is naturally oxidized after being carried out from the outside, but such a natural oxide film is formed at a room temperature which is significantly lower than that at the time of laser irradiation. Lower altitude than. Therefore, according to the laser marking device 1D and the laser marking method using the same, it is possible to achieve a sufficient yield improvement as compared with the conventional marking method described above.

【００４９】＜実施の形態５＞図１１に実施の形態５に
係るレーザマーキング装置１Ｅ及びレーザマーキング方
法を説明するための模式図を示す。レーザマーキング装
置１Ｅは、既述の図１０のレーザマーキング装置１Ｄに
おいて真空排気設備６０を不活性ガス供給設備（ないし
は雰囲気調整部）７０に変えた構成を有している。な
お、レーザマーキング装置１Ｅのその他の構成はレーザ
マーキング装置１Ｄと同様である。<Fifth Embodiment> FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a laser marking apparatus 1E and a laser marking method according to a fifth embodiment. The laser marking device 1E has a configuration in which the vacuum exhaust facility 60 in the laser marking device 1D of FIG. 10 described above is replaced with an inert gas supply facility (or an atmosphere adjusting unit) 70. The other configuration of the laser marking device 1E is the same as that of the laser marking device 1D.

【００５０】詳細には、不活性ガス供給設備７０は、不
活性ガス供給源７１（例えばガスボンベ）、排気管７
２、給気管７３、バルブ（図示せず）等を含んでいる。
そして、不活性ガス供給源７１が給気管７３を介して容
器５０に接続されており、また、容器５０には排気管７
２が接続されている。このため、不活性ガス供給設備７
０で以て容器５０内の雰囲気を不活性ガスで置換するこ
とにより、容器５０内を大気よりも又は容器５０の外側
よりも低酸素雰囲気に調整することができる。Specifically, the inert gas supply equipment 70 includes an inert gas supply source 71 (for example, a gas cylinder) and an exhaust pipe 7.
2, an air supply pipe 73, a valve (not shown) and the like are included.
An inert gas supply source 71 is connected to the container 50 via an air supply pipe 73, and the container 50 has an exhaust pipe 7 connected thereto.
2 is connected. Therefore, the inert gas supply facility 7
By replacing the atmosphere in the container 50 with an inert gas with a value of 0, the inside of the container 50 can be adjusted to a lower oxygen atmosphere than the atmosphere or the outside of the container 50.

【００５１】レーザマーキング装置１Ｅ及びこれによる
レーザマーキング方法によれば、レーザ照射時に異物１
０４が酸化しないレベルの酸素濃度になるまで容器５０
内を不活性ガスで置換することにより、上述のレーザマ
ーキング装置１Ｄと同様の効果を得ることができる。According to the laser marking device 1E and the laser marking method using the laser marking device 1E, the foreign matter 1 is irradiated during laser irradiation.
Container 50 until the oxygen concentration of 04 does not oxidize
By replacing the inside with an inert gas, the same effect as that of the above laser marking device 1D can be obtained.

【００５２】なお、レーザマーキング装置１Ｅでは、排
気管７２を閉状態にすることにより容器５０内に不活性
ガスを充填した状態でレーザ１２を照射することも可能
であるし、また、排気管７２を開状態にすることにより
容器５０内に不活性ガスを流しながらレーザ１２を照射
することも可能である。In the laser marking apparatus 1E, it is possible to irradiate the laser 12 with the inert gas filled in the container 50 by closing the exhaust pipe 72, or the exhaust pipe 72. It is also possible to irradiate the laser 12 while flowing an inert gas in the container 50 by opening the container.

【００５３】＜実施の形態１〜５の変形例＞さて、レー
ザマーキング装置１，１Ｂ，１Ｃとレーザマーキング装
置１Ｄ，１Ｅとを種々に組み合わせることも可能であ
る。例えば、図１０のレーザマーキング装置１Ｄにおい
て、ステージ３２Ｂをステージ３２に変え、導電性プレ
ート２０を容器５０内に設け、電源３１を設けても良
い。このとき、容器５０に導電性プレート２０等の役割
を担わせることも可能である。具体的には、容器５０に
おいて少なくともレーザ照射位置１０２の近傍を導電性
材料で形成し、当該導電性部分とシリコンウェーハ１０
０との間に電源３１を電気的に接続する。これらの構成
によれば異物付着除去作用及び異物酸化防止作用の両方
が得られ、よりいっそう歩留まりを向上することができ
る。<Modifications of Embodiments 1 to 5> The laser marking devices 1, 1B, 1C and the laser marking devices 1D, 1E can be combined in various ways. For example, in the laser marking device 1D of FIG. 10, the stage 32B may be changed to the stage 32, the conductive plate 20 may be provided in the container 50, and the power supply 31 may be provided. At this time, the container 50 can be made to play the role of the conductive plate 20 or the like. Specifically, at least the vicinity of the laser irradiation position 102 in the container 50 is formed of a conductive material, and the conductive portion and the silicon wafer 10 are
The power source 31 is electrically connected to the zero. According to these configurations, both the foreign substance adhesion removing action and the foreign substance oxidation preventing action can be obtained, and the yield can be further improved.

【００５４】また、上述の説明ではレーザ１２をパルス
状に照射する場合を述べたが、レーザ１２を照射しつつ
レーザ照射位置１０２を連続的に移動させることによ
り、ドット形状以外に連続形状のマーキングが可能であ
る。In the above description, the case where the laser 12 is irradiated in a pulse shape has been described. However, by continuously moving the laser irradiation position 102 while irradiating the laser 12, marking of a continuous shape other than the dot shape is performed. Is possible.

【００５５】なお、マーキング対象の半導体基板は上述
のウェーハ形状に限られず、例えばダイシング後の半導
体チップであっても良いことは言うまでもない。Needless to say, the semiconductor substrate to be marked is not limited to the above-mentioned wafer shape and may be, for example, a semiconductor chip after dicing.

【００５６】[0056]

【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、導電性部
材と半導体基板との間に電位差を与えた状態で半導体基
板のマーキング領域にレーザを照射することができるの
で、レーザ照射により発生したマーキング異物を導電性
部材とは異なる電位に帯電させることができる。このた
め、マーキング異物を静電気力によって導電性部材に付
着させることができる（異物付着除去作用）。従って、
上記異物が半導体基板の半導体装置（半導体チップ）の
形成領域へ進入する（レーザ照射時に又はその後に進入
する）のを防ぐことができ、その結果、該異物に起因し
た製品歩留まりの低下を改善することができる。According to the first aspect of the present invention, since it is possible to irradiate a laser on the marking area of the semiconductor substrate in a state where a potential difference is applied between the conductive member and the semiconductor substrate, it is possible to generate by the laser irradiation. The marking foreign matter can be charged to a potential different from that of the conductive member. Therefore, the marking foreign matter can be attached to the conductive member by the electrostatic force (foreign matter attachment / removal action). Therefore,
It is possible to prevent the foreign matter from entering the semiconductor substrate (semiconductor chip) forming region of the semiconductor substrate (entering at the time of laser irradiation or thereafter), and as a result, the reduction in product yield due to the foreign matter is improved. be able to.

【００５７】請求項２に係る発明によれば、導電性部材
の外側面を用いるよりも広い異物付着面をレーザ照射位
置の近傍に設けることができる。According to the second aspect of the invention, it is possible to provide a foreign matter adhering surface wider than the outer surface of the conductive member in the vicinity of the laser irradiation position.

【００５８】請求項３に係る発明によれば、マーキング
領域を覆うように導電性部材を設けることができるの
で、マーキング領域の外縁に沿って導電性部材を設ける
場合よりも上述の異物付着除去作用を向上させることが
できる。しかも、ドットマトリクスで文字等をマーキン
グする場合に、導電性部材によって遮られることなくレ
ーザの照射を行うことができる。According to the third aspect of the present invention, since the conductive member can be provided so as to cover the marking area, the above-mentioned foreign matter attachment / removal action can be obtained as compared with the case where the conductive member is provided along the outer edge of the marking area. Can be improved. Moreover, when a character or the like is marked with the dot matrix, laser irradiation can be performed without being blocked by the conductive member.

【００５９】請求項４に係る発明によれば、レーザ照射
位置の移動ピッチと同じピッチで並ぶ複数のレーザ通過
孔を容易に提供することができる。According to the invention of claim 4, it is possible to easily provide a plurality of laser passage holes arranged at the same pitch as the movement pitch of the laser irradiation position.

【００６０】請求項５に係る発明によれば、レーザ照射
位置の移動に連動してレーザ通過孔を移動可能なので、
レーザ通過孔を１つにすると共に該１つのレーザ通過孔
を狭めることができる（さらには最小限の大きさにする
ことができる）。そのような狭いレーザ通過孔によれ
ば、異物付着面をレーザ照射位置により近接させること
ができるし、又、レーザ照射位置を取り囲むことができ
るので、上述の異物付着除去作用をいっそう向上させる
ことができる。According to the invention of claim 5, since the laser passage hole can be moved in association with the movement of the laser irradiation position,
One laser passage hole can be provided and the one laser passage hole can be narrowed (and can be made to have a minimum size). With such a narrow laser passage hole, the foreign matter adhesion surface can be brought closer to the laser irradiation position, and the laser irradiation position can be surrounded, so that the above-mentioned foreign matter adhesion removing action can be further improved. it can.

【００６１】請求項６に係る発明によれば、ステージを
利用して半導体基板を所定電位に設定することができ
る。このため、別途の部材を用いて半導体基板を所定電
位に設定するよりも、レーザマーキング装置の構成を簡
略化することができる。According to the invention of claim 6, the semiconductor substrate can be set to a predetermined potential by utilizing the stage. Therefore, the configuration of the laser marking device can be simplified as compared with the case where the semiconductor substrate is set to a predetermined potential by using a separate member.

【００６２】請求項７に係る発明によれば、低酸素雰囲
気中において半導体基板のマーキング領域にレーザを照
射することができるので、レーザ照射により発生したマ
ーキング異物（の表面）がレーザ照射時に酸化するのを
防ぐことができる（異物酸化防止作用）。例えば半導体
基板（のマーキング領域）がシリコンを含む場合、酸化
した異物、すなわちシリコン酸化物はシリコンよりも硬
いので、本発明によればそのような硬い異物の発生を抑
制することができる。その結果、上記硬い異物に起因し
た製品歩留まりの低下を改善することができる。According to the invention of claim 7, the marking area of the semiconductor substrate can be irradiated with the laser in the low oxygen atmosphere, and therefore the marking foreign matter (the surface) generated by the laser irradiation is oxidized during the laser irradiation. Can be prevented (foreign substance oxidation prevention function). For example, when (the marking area of) the semiconductor substrate contains silicon, the oxidized foreign matter, that is, silicon oxide is harder than silicon, so that the present invention can suppress the generation of such hard foreign matter. As a result, it is possible to improve the reduction in product yield due to the hard foreign matter.

【００６３】請求項８に係る発明によれば、真空排気設
備で以て上記容器内を大気よりも低酸素雰囲気に調整す
ることができるので、雰囲気調整部を具現化することが
できる。According to the invention of claim 8, since the inside of the container can be adjusted to a lower oxygen atmosphere than the atmosphere by the vacuum exhaust equipment, the atmosphere adjusting section can be embodied.

【００６４】請求項９に係る発明によれば、不活性ガス
供給設備で以て上記容器内を大気よりも低酸素雰囲気に
調整することができるので、雰囲気調整部を具現化する
ことができる。According to the ninth aspect of the invention, since the inside of the container can be adjusted to a lower oxygen atmosphere than the atmosphere by the inert gas supply facility, the atmosphere adjusting unit can be embodied.

【００６５】請求項１０に係る発明によれば、導電性部
分と半導体基板との間に電位差を与えた状態で半導体基
板のマーキング領域にレーザを照射することができるの
で、レーザ照射により発生したマーキング異物を導電性
部分とは異なる電位に帯電させることができる。このた
め、マーキング異物を静電気力によって導電性部分に付
着させることができる（異物付着除去作用）。従って、
上記異物が半導体基板の半導体装置（半導体チップ）の
形成領域へ進入する（レーザ照射時に又はその後に進入
する）のを防ぐことができ、その結果、該異物に起因し
た製品歩留まりの低下を改善することができる。According to the tenth aspect of the present invention, the marking area of the semiconductor substrate can be irradiated with the laser in a state where a potential difference is applied between the conductive portion and the semiconductor substrate. The foreign matter can be charged to a potential different from that of the conductive portion. Therefore, the marking foreign matter can be attached to the conductive portion by the electrostatic force (foreign matter attachment / removal action). Therefore,
It is possible to prevent the foreign matter from entering the semiconductor substrate (semiconductor chip) forming region of the semiconductor substrate (entering at the time of laser irradiation or thereafter), and as a result, the reduction in product yield due to the foreign matter is improved. be able to.

【００６６】請求項１１に係る発明によれば、導電性部
材と半導体基板との間に電位差を与えた状態で半導体基
板のマーキング領域にレーザを照射するので、レーザ照
射により発生したマーキング異物を導電性部材とは異な
る電位に帯電させることができる。このため、マーキン
グ異物を静電気力によって導電性部材に付着させること
ができる（異物付着除去作用）。従って、上記異物が半
導体基板の半導体装置（半導体チップ）の形成領域へ進
入する（レーザ照射時に又はその後に進入する）のを防
ぐことができ、その結果、該異物に起因した製品歩留ま
りの低下を改善することができる。According to the eleventh aspect of the present invention, the marking area of the semiconductor substrate is irradiated with the laser while a potential difference is applied between the conductive member and the semiconductor substrate, so that the marking foreign matter generated by the laser irradiation is electrically conductive. It can be charged to a potential different from that of the elastic member. Therefore, the marking foreign matter can be attached to the conductive member by the electrostatic force (foreign matter attachment / removal action). Therefore, it is possible to prevent the foreign matter from entering the formation region of the semiconductor device (semiconductor chip) of the semiconductor substrate (entering at the time of laser irradiation or thereafter), and as a result, the product yield is reduced due to the foreign matter. Can be improved.

【００６７】請求項１２に係る発明によれば、低酸素雰
囲気中において半導体基板のマーキング領域にレーザを
照射するので、レーザ照射により発生したマーキング異
物（の表面）がレーザ照射時に酸化するのを防ぐことが
できる（異物酸化防止作用）。例えば半導体基板（のマ
ーキング領域）がシリコンを含む場合、酸化した異物、
すなわちシリコン酸化物はシリコンよりも硬いので、本
発明によればそのような硬い異物の発生を抑制すること
ができる。その結果、上記硬い異物に起因した製品歩留
まりの低下を改善することができる。According to the twelfth aspect of the invention, since the laser is applied to the marking area of the semiconductor substrate in the low oxygen atmosphere, the marking foreign matter (the surface) generated by the laser irradiation is prevented from being oxidized during the laser irradiation. It is possible (foreign body oxidation prevention effect). For example, when the semiconductor substrate (the marking area of the semiconductor substrate) contains silicon, the oxidized foreign matter,
That is, since silicon oxide is harder than silicon, according to the present invention, generation of such hard foreign matter can be suppressed. As a result, it is possible to improve the reduction in product yield due to the hard foreign matter.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 実施の形態１に係るレーザマーキング装置及
びレーザマーキング方法を説明するための模式図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a laser marking device and a laser marking method according to a first embodiment.

【図２】 実施の形態１に係るレーザマーキング装置及
びレーザマーキング方法を説明するための模式的な断面
図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a laser marking device and a laser marking method according to the first embodiment.

【図３】 実施の形態１に係るレーザマーキング装置及
びレーザマーキング方法を説明するための模式的な断面
図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the laser marking device and the laser marking method according to the first embodiment.

【図４】 実施の形態２に係るレーザマーキング装置及
びレーザマーキング方法を説明するための模式図であ
る。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a laser marking device and a laser marking method according to a second embodiment.

【図５】 実施の形態２に係るレーザマーキング装置及
びレーザマーキング方法を説明するための模式的な断面
図である。FIG. 5 is a schematic sectional view for explaining a laser marking device and a laser marking method according to a second embodiment.

【図６】 実施の形態２に係るレーザマーキング装置及
びレーザマーキング方法を説明するための模式的な断面
図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining a laser marking device and a laser marking method according to a second embodiment.

【図７】 実施の形態３に係るレーザマーキング装置及
びレーザマーキング方法を説明するための模式図であ
る。FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a laser marking device and a laser marking method according to a third embodiment.

【図８】 実施の形態３に係るレーザマーキング装置及
びレーザマーキング方法を説明するための模式的な断面
図である。FIG. 8 is a schematic sectional view for explaining a laser marking device and a laser marking method according to a third embodiment.

【図９】 実施の形態３に係るレーザマーキング装置及
びレーザマーキング方法を説明するための模式的な断面
図である。FIG. 9 is a schematic sectional view for explaining a laser marking device and a laser marking method according to a third embodiment.

【図１０】 実施の形態４に係るレーザマーキング装置
及びレーザマーキング方法を説明するための模式図であ
る。FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a laser marking device and a laser marking method according to a fourth embodiment.

【図１１】 実施の形態５に係るレーザマーキング装置
及びレーザマーキング方法を説明するための模式図であ
る。FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a laser marking device and a laser marking method according to a fifth embodiment.

【図１２】 従来のレーザマーキング装置及びレーザマ
ーキング方法を説明するための模式図である。FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a conventional laser marking device and laser marking method.

【図１３】 従来のレーザマーキング装置及びレーザマ
ーキング方法を説明するための模式的な断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for explaining a conventional laser marking device and laser marking method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，１Ｂ〜１Ｅ レーザマーキング装置、１０ レーザ
部、１１ レーザ発振器、１２ レーザ、２０，２０Ｃ
導電性プレート（導電性部材）、２０Ｂ メッシュ状
導電性部材（導電性部材）、２１ スリット（レーザ通
過孔）、２１Ｂメッシュ開口（レーザ通過孔）、２１Ｃ
ホール（レーザ通過孔）、３０ 電位差供給部、３１
電源、３２ ステージ、４０ 移動制御部、５０ 容
器、６０ 真空排気設備（雰囲気調整部）、７０ 不活
性ガス供給設備（雰囲気調整部）、１００ シリコンウ
ェーハ（半導体基板）、１０１ マーキング領域、１０
２ レーザ照射位置、Ｖ 電位差、ｐ１２，ｐ２１Ｂ，
ｐ１０２ ピッチ。1, 1B to 1E Laser marking device, 10 laser unit, 11 laser oscillator, 12 laser, 20, 20C
Conductive plate (conductive member), 20B mesh-shaped conductive member (conductive member), 21 slit (laser passage hole), 21B mesh opening (laser passage hole), 21C
Hole (laser passage hole), 30 Potential difference supply unit, 31
Power supply, 32 stages, 40 movement control unit, 50 container, 60 vacuum evacuation facility (atmosphere adjusting unit), 70 inert gas supply facility (atmosphere adjusting unit), 100 silicon wafer (semiconductor substrate), 101 marking area, 10
2 laser irradiation position, V potential difference, p12, p21B,
p102 pitch.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:40 Ｂ２３Ｋ 101:40 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) // B23K 101: 40 B23K 101: 40

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 半導体基板のマーキング領域にレーザに
よりマーキングを行うレーザマーキング装置であって、 レーザ発振器を含み、前記レーザ発振器から出力された
レーザを前記マーキング領域に照射するレーザ部と、 前記マーキング領域内において前記レーザが照射される
レーザ照射位置の近傍に配置される導電性部材と、 前記導電性部材と前記半導体基板との間に電位差を与え
る電位差供給部と、を備える、レーザマーキング装置。1. A laser marking device for marking a marking area of a semiconductor substrate with a laser, comprising: a laser oscillator, and a laser section for irradiating the marking area with a laser output from the laser oscillator; A laser marking device, comprising: a conductive member disposed in the vicinity of a laser irradiation position where the laser is irradiated; and a potential difference supply unit that applies a potential difference between the conductive member and the semiconductor substrate. 【請求項２】 請求項１に記載のレーザマーキング装置
であって、 前記導電性部材は、前記レーザが接触することなく通過
可能なレーザ通過孔を少なくとも１つ有しており、前記
少なくとも１つのレーザ通過孔を通して前記レーザが前
記マーキング領域に照射可能に配置される、レーザマー
キング装置。2. The laser marking device according to claim 1, wherein the conductive member has at least one laser passage hole through which the laser can pass without coming into contact with the at least one laser passage hole. A laser marking device in which the laser is disposed so that it can irradiate the marking area through a laser passage hole. 【請求項３】 請求項２に記載のレーザマーキング装置
であって、 前記少なくとも１つのレーザ通過孔は、前記レーザ照射
位置の移動ピッチと同じピッチで並ぶ複数のレーザ通過
孔を含む、レーザマーキング装置。3. The laser marking device according to claim 2, wherein the at least one laser passage hole includes a plurality of laser passage holes arranged at the same pitch as the movement pitch of the laser irradiation position. . 【請求項４】 請求項３に記載のレーザマーキング装置
であって、 前記導電性部材は、前記複数のレーザ通過孔に対応した
複数のメッシュ開口を有するメッシュ状導電性部材を含
む、レーザマーキング装置。4. The laser marking device according to claim 3, wherein the conductive member includes a mesh-shaped conductive member having a plurality of mesh openings corresponding to the plurality of laser passage holes. . 【請求項５】 請求項２に記載のレーザマーキング装置
であって、 前記レーザ照射位置の移動に連動して前記少なくとも１
つのレーザ通過孔が移動するように前記導電性部材を移
動させる移動制御部をさらに備える、レーザマーキング
装置。5. The laser marking device according to claim 2, wherein the at least one laser beam is interlocked with the movement of the laser irradiation position.
The laser marking device further comprising a movement controller that moves the conductive member so that the two laser passage holes move. 【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載
のレーザマーキング装置であって、 前記電位差供給部は、 導電性部分を有しており、前記導電性部分を前記半導体
基板に接触させて前記半導体基板を支持するステージ
と、 前記ステージの前記導電性部分及び前記導電性部材に電
気的に接続された電源と、を含む、レーザマーキング装
置。6. The laser marking device according to claim 1, wherein the potential difference supply unit has a conductive portion, and the conductive portion contacts the semiconductor substrate. A laser marking device comprising: a stage for supporting the semiconductor substrate; and a power source electrically connected to the conductive portion of the stage and the conductive member. 【請求項７】 半導体基板のマーキング領域にレーザに
よりマーキングを行うレーザマーキング装置であって、 前記半導体基板を収納可能な容器と、 前記容器に繋がれており、前記容器内を大気よりも低酸
素雰囲気に調整する雰囲気調整部と、を備える、レーザ
マーキング装置。7. A laser marking device for marking a marking area of a semiconductor substrate with a laser, comprising: a container capable of accommodating the semiconductor substrate; and a container connected to the container, wherein the inside of the container is lower in oxygen than the atmosphere. A laser marking device comprising: an atmosphere adjusting unit for adjusting the atmosphere. 【請求項８】 請求項７に記載のレーザマーキング装置
であって、 前記雰囲気調整部は、真空排気設備を含む、レーザマー
キング装置。8. The laser marking device according to claim 7, wherein the atmosphere adjusting unit includes a vacuum exhaust facility. 【請求項９】 請求項７に記載のレーザマーキング装置
であって、 前記雰囲気調整部は、前記容器内に不活性ガスを供給す
る不活性ガス供給設備を含む、レーザマーキング装置。9. The laser marking device according to claim 7, wherein the atmosphere adjusting unit includes an inert gas supply facility that supplies an inert gas into the container. 【請求項１０】 請求項７乃至請求項９のいずれかに記
載のレーザマーキング装置であって、 前記容器は、少なくとも前記レーザが照射されるレーザ
照射位置の近傍に導電性部分を含み、 前記レーザマーキング装置は、 前記導電性部分と前記半導体基板との間に電位差を与え
る電位差供給部をさらに備える、レーザマーキング装
置。10. The laser marking device according to claim 7, wherein the container includes a conductive portion at least near a laser irradiation position at which the laser is irradiated, The marking device is a laser marking device further including a potential difference supply unit that applies a potential difference between the conductive portion and the semiconductor substrate. 【請求項１１】 半導体基板のマーキング領域にレーザ
によりマーキングを行うレーザマーキング方法であっ
て、 前記マーキング領域内において前記レーザが照射される
レーザ照射位置の近傍に導電性部材を配置し、 前記導電性部材と前記半導体基板との間に電位差を与え
た状態で前記レーザを前記マーキング領域に照射する、
レーザマーキング方法。11. A laser marking method for marking a marking area of a semiconductor substrate with a laser, wherein a conductive member is disposed in the marking area in the vicinity of a laser irradiation position where the laser is irradiated. Irradiating the marking region with the laser in a state where a potential difference is applied between the member and the semiconductor substrate,
Laser marking method. 【請求項１２】 半導体基板のマーキング領域にレーザ
によりマーキングを行うレーザマーキング方法であっ
て、 少なくとも前記マーキング領域付近を大気よりも低酸素
雰囲気にした状態で前記レーザを前記マーキング領域に
照射する、レーザマーキング方法。12. A laser marking method for marking a marking area of a semiconductor substrate with a laser, wherein the laser is applied to the marking area in a state where at least the vicinity of the marking area is in an oxygen atmosphere lower than the atmosphere. Marking method.
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