JP2003188458A

JP2003188458A - 光モジュール

Info

Publication number: JP2003188458A
Application number: JP2001386450A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Irie; 剛入江
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2001-12-19
Filing date: 2001-12-19
Publication date: 2003-07-04
Anticipated expiration: 2021-12-19
Also published as: EP1324089A3; JP3797214B2; US6824315B2; US20030138222A1; CA2414853A1; EP1324089A2

Abstract

(57)【要約】【課題】シールド部材の帯電を低減することができる
光モジュールを提供する。【解決手段】光モジュール１は、アセンブリ部６およ
びシールド部材４を備える。アセンブリ部６は、受光デ
バイス、電子素子、回路基板、および複数の端子６ｃを
有する。受光デバイスは半導体光素子を含む。半導体光
素子は、光コネクタと光学的に結合されるように設けら
れている。電子素子は、半導体光素子に電気的に接続さ
れている。回路基板は、電子素子を搭載している。複数
の端子６ｃは、回路基板に電気的に接続されている。ま
た、シールド部材４は、基準電位線に接続されるように
設けられた基準端子４ａを有しアセンブリ部６をシール
ドする。光モジュール１において、アセンブリ部６は、
シールド部材４を複数の端子６ｃの少なくとも１つに接
続するように設けられた導電部６ｄを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光モジュールに関
する。

【０００２】

【従来の技術】光モジュールには、光受信モジュール、
光送信モジュール、および光送受信モジュールがある。
光受信モジュールは、受光素子を含み、光信号を電気信
号に変換する。光送信モジュールは発光素子を含み、電
気信号を光信号に変換する。光送受信モジュールは、受
信アセンブリおよび送信アセンブリを有する。受信アセ
ンブリは、受光素子を含み、光信号を電気信号に変換す
る。送信アセンブリは発光素子を含み、電気信号を光信
号に変換する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような光モジュー
ルの中には、電気的な動作を安定させるために金属カバ
ーを備えているものもある。発明者は、このような構造
の受信アセンブリおよび光受信モジュールに対して受信
感度の向上に関する研究に携わっている。その研究にお
いて、発明者は、受信感度の向上のために様々な実験を
行った。その結果、発明者は、金属カバーが帯電してい
るために受信感度が低下していることを発見した。そこ
で、発明者は、金属カバーの帯電を除去するために接地
端子を増加するための構造について検討を行った。

【０００４】しかしながら、所定の規格が光モジュール
に関してピン配置および接地端子の位置を規定してい
る。故に、この規格を満たすように光モジュールを形成
する場合、接地端子を増加させることが困難なことが多
い。光モジュールのための規格として、例えば、光送受
信モジュールに対してはＳＦＦ(Small Form Factor)規
格がある。

【０００５】そこで、本発明の目的は、シールド部材の
帯電を低減することができる光モジュールを提供するこ
ととした。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係わる光モジュ
ールは、アセンブリ部およびシールド部材を備える。ア
センブリ部は、光学デバイス、電子素子、回路基板、お
よび複数の端子を有する。光学デバイスは半導体光素子
を含む。半導体光素子は、光コネクタと光学的に結合さ
れるように設けられている。電子素子は、半導体光素子
に電気的に接続されている。回路基板は、電子素子を搭
載している。複数の端子は、回路基板に電気的に接続さ
れている。また、シールド部材は、基準電位線に接続さ
れるように設けられた基準電位端子を有しアセンブリ部
をシールドする。この光モジュールにおいて、アセンブ
リ部は、シールド部材を複数の端子の少なくとも１つに
接続するように設けられた導電部を有する。

【０００７】この光モジュールでは、アセンブリ部の導
電部が、シールド部材を複数の端子の少なくとも１つに
接続している。このため、端子を増やすことなく、シー
ルド部材がアセンブリ部の端子に電気的に接続される。

【０００８】本発明に係わる光モジュールでは、アセン
ブリ部はリードフレーム部材を有するようにしてもよ
い。リードフレーム部材は、アイランド、第１のリー
ド、および第２のリードを有する。アイランドには回路
基板が搭載あれている。第１のリードは上記の複数の端
子を構成する。第２のリードは上記の導電部を構成す
る。導電部をリードフレーム部材に含まれるように設け
れば、光モジュールは導電部を別個の部材として含む必
要がない。

【０００９】本発明に係わる光モジュールは、電子素子
と導電部との間に電気的に接続された誘導性素子を更に
備えるようにしてもよい。この誘導性素子は、導電部を
伝わる高周波成分が電子素子に与える影響を低減する。
また、この誘導性素子は、搭載基板上に配置されたフェ
ライトビーズインダクタを含むようにしてもよい。この
形態は、追加される誘導性素子によって光モジュールの
体積が増大することを抑えるために有効である。

【００１０】本発明に係わる光モジュールでは、回路基
板は一対の面、およびこの一対の面の一方の面上に設け
られた導電層を有するようにしてもよい。電子素子は一
対の面の他方の面上に搭載されている。アイランドは、
絶縁部材を介して回路基板を搭載している。

【００１１】絶縁部材は回路基板をアイランドと電気的
に絶縁するので、アイランドは誘導性素子を介して回路
基板に電気的に接続される。

【００１２】本発明に係わる光モジュールは、以下の形
態を有することができる。回路基板は所定の軸に沿って
伸びる一対の辺を有する。回路基板の一対の辺の一方に
沿って、上記の複数の端子が配置されている。シールド
部材は、回路基板の一対の辺の他方に対面するように配
置されている。導電部は、一対の辺の一方から他方へ伸
びるように設けられシールド部材に達している。

【００１３】この形態では、回路基板は、シールド部材
と複数の端子との間に配置されている。導電部は、回路
基板の一対の辺を横切って設けられている。このため、
導電部は、複数の端子が配列されている位置と異なる位
置においてシールド部材に電気的に接続されている。

【００１４】本発明に係わる光モジュールでは、半導体
光学素子は半導体受光素子であり、光学デバイスおよび
回路基板は所定の軸に沿って配置されているようにして
もよい。光信号を受ける方向と異なる方向において、導
電部とシールド部材との接続が行われる。

【００１５】本発明に係わる光モジュールは、追加のア
センブリ部およびハウジングを更に備えるようにしても
よい。追加のアセンブリ部は、発光デバイス、追加の回
路基板および複数の端子を有する。発光デバイスは半導
体発光素子を含み、この半導体発光素子は、光コネクタ
と光学的に結合されるように設けられている。追加の回
路基板は、半導体発光素子に電気的に接続された追加の
電子素子を搭載する。複数の端子は、追加の回路基板に
電気的に接続されている。ハウジングは、保持部および
レセプタクル部を有する。保持部は、アセンブリ部およ
び追加のアセンブリ部を保持する。レセプタクル部は、
光コネクタを受け入れるように設けられている。

【００１６】追加の回路基板は所定の軸に沿って伸びる
一対の辺を有する。追加のアセンブリ部の複数の端子
は、追加の回路基板の一対の辺の一方に沿って配置され
ている。シールド部材は、回路基板の一対の辺の他方に
対面するように配置されている。シールド部材は、追加
のアセンブリ部をシールドしている。この光モジュール
では、アセンブリ部および追加のアセンブリ部は、光信
号の送受信を実現でき、導電部に接続されたシールド部
材によりシールドされている。

【００１７】本発明に係わる光モジュールでは、アセン
ブリ部および別のアセンブリ部は所定の平面に沿って配
置されている。この形態を採用すると、光モジュールは
一対のアセンブリ部を備えると共に、シールド部材に電
気的に接続された導電部を備えることができる。

【００１８】本発明に係わる光モジュールは、アセンブ
リ部を封止する樹脂部材を更に備えるようにしてもよ
い。導電部の端部は、この樹脂部材から突出している。
この形態を採用すると、樹脂部材により電子素子が保護
された状態で、導電部がシールド部材に電気的に接続さ
れる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の上記の目的および他の目
的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められ
る本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述からよ
り明らかになる。本発明の知見は、例示として示される
添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することに
よって容易に理解することができる。可能な場合には、
同一の部分には同一の符号を付する。

【００２０】図１は、本実施の形態の光モジュールの分
解斜視図を示す。光モジュール１は、ハウジング２と、
シールド部材４と、受信アセンブリ６と、送信アセンブ
リ８とを備える。受信アセンブリ６および送信アセンブ
リ８は、それぞれ半導体光素子を含む。

【００２１】受信アセンブリ６は、樹脂部材６ａと、ス
リーブ６ｂと、複数のリード端子６ｃと、導電部６ｄと
を有する。スリーブ６ｂは、所定の軸に沿って樹脂部材
６ａから突出している。スリーブ６ｂの他端には、半導
体光素子として半導体受光素子(図示せず)が配置されて
いる。半導体受光素子の光軸は、所定の軸に沿うように
合わされている。複数のリード端子６ｃは、樹脂部材６
ａの一対の辺の一辺に沿って配置されており、その各々
は光軸に交差する方向に向けて配置されている。導電部
６ｄは、樹脂部材６ａの一対の辺の他辺に配置されてお
り、光軸に交差する方向に向けて配置されている。送信
アセンブリ８は、樹脂部材８ａと、スリーブ８ｂと、複
数のリード端子８ｃとを有する。スリーブ８ｂは、所定
の軸に沿って樹脂部材８ａから突出している。スリーブ
８ｂの他端には、半導体光素子として半導体発光素子
(図示せず)が配置されている。半導体発光素子の光軸
は、所定の軸に沿うように合わされている。複数のリー
ド端子８ｃは、この光軸に交差する方向に向けて配置さ
れている。

【００２２】ハウジング２は、筐体１０と、レセプタク
ルシールド１２と、アセンブリシールド１４とを有す
る。筐体１０は、樹脂製の本体１０ａおよび後壁１０ｂ
を矢印Ａのように組合せることによって得られる。ま
た、筐体１０は、所定の軸に沿って配置されるレセプタ
クル部１０ｃおよびアセンブリ収容部１０ｄを有する。
レセプタクル部１０ｃは、所定の軸に沿ってアセンブリ
収容部１０ｄまで伸びる一対の受容孔１０ｅ、１０ｆを
有し、一対の受容孔１０ｅ、１０ｆは光コネクタを受け
入れ可能なように設けられている。アセンブリ収容部１
０ｄは、所定に軸に沿って伸びる隔壁１０ｇによって分
離されている。受信アセンブリ６および送信アセンブリ
８は、矢印Ｂ、Ｃのように受容孔１０ｅ、１０ｆに挿入
される。これによって、隔壁１０ｇを挟んで、受信アセ
ンブリ６および送信アセンブリ８が配置される。

【００２３】レセプタクルシールド１２は、矢印Ｄのよ
うにレセプタクル部１０ｃに填め合わされる。これによ
って、レセプタクルシールド１２は、所定の軸に沿って
伸びるレセプタクル部１０ｃの３つの外壁上に配置さ
れ、受容孔１０ｅ、１０ｆ内の受信アセンブリ６および
送信アセンブリ８だけでなく光コネクタもまたシールド
する。

【００２４】アセンブリシールド１４は、隔壁部１４ａ
を有し、矢印Ｅのように隔壁１０ｇに沿って配置され
る。隔壁部１４ａは受信アセンブリ６と送信アセンブリ
８とを電気的にシールドする。また、アセンブリシール
ド１４は、レセプタクル部１０ｃの底部上に配置される
底面部１４ｂと、この底面部１４ｂの一対の辺からそれ
ぞれ伸びる一対の腕部１４ｃとを有する。一対の腕部１
４ｃは、レセプタクル部１０ｃの側壁に沿って配置さ
れ、矢印Ｅ、Ｆのようにレセプタクル部１０ｃの上部に
填め合わされる。

【００２５】シールド部材４は導電性部材からなる。シ
ールド部材４は、アセンブリ収容部１０ｄを覆う。これ
によって、受信アセンブリ６および送信アセンブリ８が
ハウジング１０に配置された状態で、アセンブリ収容部
１０ｄのアセンブリ６、８を電気的にシールドできる。
シールド部材４は、受信アセンブリ６または送信アセン
ブリ８のリード端子と同じ方向に伸びる複数の端子４ａ
を有する。複数の端子４ａは、光モジュール１がプリン
ト回路基板に配置されるとき、この基板と電気的に接続
される。また、シールド部材４は、上板部に設けられた
接続孔４ｂと、接続孔４ｂ内に設けられた接続突起４ｃ
とを有し、接続突起４ｃは受信モジュール６の導電部６
ｄに電気的に接続される。これによって、追加のリード
端子を設けることなく、シールド部材４がリード端子６
ｃに電気的に接続されることを可能にする。また、導電
部６ｄは接続突起４ｃに半田で接続されていてもよい。

【００２６】図２(ａ)は、光モジュール１とプリント回
路基板１６とを示す斜視図である。プリント回路基板１
６は、受信アセンブリ６のリード端子６ａのためのスル
ーホール１６ａ、送信アセンブリ８のリード端子８ａの
ためのスルーホール１６ｂ、およびシールド部材４の端
子４ａのためのスルーホール１６ｃを備える。光モジュ
ール１は、プリント回路基板１６に搭載された状態で、
矢印Ｈ方向から挿入される光コネクタを受け入れる。

【００２７】図２(ｂ)は、シールド部材４の接続孔４ｂ
近傍の拡大図を示す。受信アセンブリ６の導電片６ｄ
は、導電性だけでなく弾性も有するので、この弾性力に
よって、導電片６ｄは、シールド部材４の接続突起４ｃ
の２面において支持される。故に、導電片６ｄは、確実
に、シールド部材４と電気的に接続される。

【００２８】次いで、受信アセンブリ６について説明す
る。図３(ａ)は、受信アセンブリ６のためのリードフレ
ーム３０を示す。リードフレーム３０には、アイランド
３２と受光デバイス配置部３８とが所定の軸に沿って配
置されている。リードフレーム３０は、その上に回路基
板(図４の４０)および半導体受光素子を備える受光デバ
イス(図５の５２)が配置された後に、リードフレーム３
０の主要部が残されるように切断されると、リードフレ
ーム部材３０ａになる。

【００２９】図３(ｂ)は、リードフレーム３０の主要部
からなるリードフレーム部材３０ａを示す。リードフレ
ーム３０の主要部は、アイランド３２と、リード端子３
４と、導電部３６とを含む。リードフレーム部材が樹脂
部材により樹脂封止されたときでも、リード端子３４の
アウタリード３４ａおよび導電部３６の導電片３６ｂは
樹脂部材に覆われることなく、受光アセンブリ６の外観
に現れる。

【００３０】図３(ａ)および図３(ｂ)を参照すると、複
数のリード端子３４は、所定の軸１００に沿って配列さ
れている。各リード端子３４は、所定の軸１００と交差
する方向に伸び、内部リード部３４ａおよび外部リード
部３４ｂを有する。複数のリード端子３４の内の１つ
は、導電部３６に接続されている。導電部３６は、ある
内部リード３４ａから、アイランド３２から隔置される
ように所定の軸１００と交差する方向に伸びる接続リー
ド３６ａと、接続リード３６ａの一端に設けられた導電
片３６ｂとを有する。図３(ａ)および図３(ｂ)におい
て、破線は、回路基板(図４の４０)が配置される位置を
示している。

【００３１】図４は、受信アセンブリ６のための回路基
板４０を示す。回路基板４０は、例えば、熱膨張係数１
２ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下であり、ガラス転
移点１７３℃以上１８３℃以下を有する。回路基板４０
としては、好ましくは、ガラスエポキシ基板が採用され
る。回路基板４０は、電子素子が搭載される素子搭載面
(図５の４０ａ)と、アイランド３２の搭載面(図３の３
２ａ)と対面する接触面４０ｂとを有する。図４は、接
触面４０ｂを示している。接触面４０ｂ上には、基準電
位層４２が設けられている。また、回路基板４０は、一
対の辺４０ｃ、４０ｄを有し、その一方の辺４０ｃに
は、回路基板４０の導電層を内部リード３４ｂの各々と
接続するために複数の電極部４６ａ、４６ｂが設けられ
ている。

【００３２】接触面４０ｂ上には、絶縁性部材４４が設
けられている。絶縁層４４は、アイランド３２が基準電
位層４２に電気的に接続されるように、開口部４４ａを
有している。しかしながら、絶縁層４４は、導電部３６
ａが基準電位層４２に電気的に接続されないように、開
口部４４ａ以外の面に形成されている。

【００３３】図４においては破線で示されるように、リ
ードフレーム部材の導電部３６は絶縁層４４に接触しな
がら、開口部４４ａを避けるように、回路基板４０の一
対の辺４０ｃ、４０ｄの一方から他方へ通過する。一対
の辺４０ｃ上においては、導電部３６は電極４６ｂの位
置を通過する。故に、導電部３６は、電極４６ｂを介し
て回路基板４０と電気的に接続される。

【００３４】図５(ａ)は、受信アセンブリ６のための中
間生産物を示している。中間生産物５０は、リードフレ
ーム３０、回路基板４０、および受光デバイス５２を有
する。受光デバイス搭載部３８には、受光デバイス５２
が配置されている。リードフレーム３０のアイランド３
２上には、回路基板の端子４６ａがリード３４に接続で
きるように、回路基板４０が搭載されている。回路基板
４０には、フェライトビーズインダクタといった誘導性
素子５４および電子素子５８が配置されている。受光デ
バイス５２では、金属製のスリーブ５２ａ、半導体受光
素子５２ｂ、およびレンズ５２ｃが所定の軸に沿って配
置されている。ＲＯＳＡ用パッケージ５２ｅは、スリー
ブ５２ａ、レンズ５２ｃ、および半導体受光素子５２ｂ
を収容している。また、パッケージ５２ｅには、半導体
受光素子５２ｂに電気的に接続されたプリアンプを備え
ることができる。パッケージ５２ｅは、例えばＴＯ型パ
ッケージであることができ、所定に軸の方向に沿って設
けられたリードピン５２ｄを有する。リードピン５２ｄ
は、ボンディングワイヤ５６を介して、回路基板４０の
搭載面４０ａ上に設けられたパッド４０ｃに電気的に接
続されている。このために、リードピン５２ｄは、その
端部が搭載面４０ａと同一の平面に含まれるように屈曲
されている。この屈曲は、ＧＮＤリードが最短になるよ
うに行われている。リードフレーム３０、回路基板４
０、および受光デバイス５２は、電気的な接続が完了し
た後に、封止用樹脂部材６ａによって封止される。樹脂
部材６ａによって封止された後にリードフレーム３０は
切断され、その主要部からなるリードフレーム部材が形
成される。

【００３５】図５(ｂ)は、リードフレーム３０と回路基
板４０との接続部分を示している。内部リード３４ａ
は、半田バンプといった導電性部材５０を介して回路基
板４０の電極４６ｂと接続されている。

【００３６】図６は、送信アセンブリ８のための中間生
産物の平面図を示す。中間生産物５１は、リードフレー
ム３１、回路基板４１、および発光デバイス５３を有す
る。発光デバイス搭載部３９には、発光デバイス５３が
配置されている。リードフレーム３１のアイランド上に
は、回路基板の端子４７ａがリード３５に接続できるよ
うに、回路基板４１が搭載されている。回路基板４１に
は、電子素子５９が配置されている。発光デバイス５３
では、金属製のスリーブ５３ａ、半導体発光素子５３
ｂ、およびレンズ５３ｃが所定の軸に沿って配置されて
いる。ＴＯＳＡ用パッケージ５３ｅは、スリーブ５３
ａ、レンズ５３ｃ、および半導体発光素子５３ｂを収容
している。また、パッケージ５３ｅは、例えばＴＯ型パ
ッケージであることができ、所定に軸方向に沿って設け
られたリードピン５３ｄを有する。リードピン５３ｄ
は、ボンディングワイヤ５７を介して、回路基板４１の
搭載面４１ａ上に設けられたパッド４１ｃに電気的に接
続されている。このために、リードピン５３ｄは、その
端部が搭載面４１ａと同一の平面に含まれるように屈曲
されている。リードフレーム３１、回路基板４１、およ
び発光デバイス５３は、電気的な接続が完了した後に、
封止用樹脂部材(図１の８ａ)によって封止される。樹脂
部材８ａによって封止された後にリードフレーム３１は
切断され、その主要部からなるリードフレーム部材が形
成される。これまでの説明から、送信モジュール８は受
信アセンブリ６とほぼ同様の構造を備えるので、更なる
説明を省略する。

【００３７】図７は、受信アセンブリ６の等価回路図を
示す。等価回路図には、受光アセンブリ６の主要な構成
要素、つまり、リード端子６ｃと、リードフレーム部材
３０ａと、ＴＯ型キャンパッケージといった受光デバイ
ス用ハウジング５２ｅと、フォトダイオードといった半
導体受光素子５２ｂと、信号処理集積回路といった電子
素子５８とが示されている。これらは、シールド部材４
によって電気的に遮蔽されている。

【００３８】複数のリード端子６ｃとしては、Ｖｅｅ端
子、ＲＤ端子、ＲＤＢ端子、ＳＤ端子、Ｖｃｃ端子、お
よびＶｐｄ端子が設けられている。Ｖｐｄ端子は、受光
デバイス５２ｅ内の半導体受光素子５２ｂのカソードに
接続されている。半導体受光素子５２ｂのアノードはプ
リアンプ５２ｆの入力に接続されている。プリアンプ５
２ｆのＶｄｄ端子は、Ｖｃｃ端子に接続されている。プ
リアンプ５２ｆのＶｓｓ端子は、Ｖｅｅピンに接続され
ている。プリアンプ５２ｆの相補出力ＯＵＴ、ＯＵＴＢ
は、カップリングキャパシタＣ１、Ｃ２を介して信号処
理集積回路５８の信号入力Ｄ、ＤＢに接続されている。
信号処理集積回路５８のいくつかのＶｅｅピンは、リー
ドフレーム部材３０ａの基準電位線に接続されている。
信号処理集積回路５８のＶｃｃピンは、Ｖｃｃ端子に接
続されている。信号処理集積回路５８は、入力信号の有
無を識別する機能を有し、この識別結果を示す信号検出
信号ＳＤ(signal detection)を生成すると共に、データ
信号ＲＤを出力する。信号検出信号ＳＤはＳＤ端子に提
供され、データ信号ＲＤは相補信号としてＲＤ端子およ
びＲＤＢ端子に提供される。

【００３９】受光デバイスにおいて、ＶｅｅピンはＴＯ
型キャンパッケージに接続され、Ｖｅｅピンは内部Ｖｅ
ｅ電位線に接続されている。内部Ｖｅｅ電位線は、誘導
性素子５４を介してＶｅｅ端子に接続されている。リー
ドフレーム部材３０ａの基準電位線およびＴＯ型キャン
パッケージも、内部Ｖｅｅ電位線に接続されている。Ｖ
ｃｃ端子と内部Ｖｅｅ電位線との間には、キャパシタＣ
が接続されている。Ｖｅｅ端子は、プリント回路基板の
基準電位線に接続される。

【００４０】また、Ｖｅｅ端子は、リードフレーム部材
３０ａの導電部３６を介してシールド部材４にも接続さ
れている。シールド部材４は、光モジュール１の動作中
に帯電することがある。シールド部材４は導電部３６を
介してＶｅｅ端子に接続されているので、シールド部材
４に帯電した電荷はプリント回路基板のＶｅｅ電位線に
逃がされる。このため、シールド部材の帯電を低減でき
る。加えて、Ｖｅｅ端子は、誘導性素子５４を介して内
部Ｖｅｅ電位線に接続されているので、電荷を逃がす際
にＶｅｅ端子に生じることがある高周波ノイズが内部Ｖ
ｅｅ電位線に伝搬し難い。

【００４１】これまで説明してきた光モジュールにおけ
る最小受光感度に関する実験結果を示す。導電部３６による接続がある場合送信アセンブリが動作中：−２２．９８ｄＢｍ送信アセンブリが停止中：−２４．４９ｄＢｍクロストークにより劣化：１．５１ｄＢ導電部３６による接続がない場合送信アセンブリが動作中：−２１．８４ｄＢｍ送信アセンブリが停止中：−２４．２３ｄＢｍクロストークにより劣化：２．３９ｄＢとなった。クロストークにより劣化の点において、感度
改善量を見積もると０．８８ｄＢとなる。

【００４２】以上説明したように、本実施の形態に係わ
る光モジュールでは、カバー部材はリードフレーム部材
の導電部を介してグランドに電気的に接続されている。
この導電部によって、カバー部材とグランド電位線との
間の高周波的なインピーダンスが低減された。このた
め、電荷が送信アセンブリから放出されても、カバー部
材に蓄積されることなく、受信アセンブリの導電部を通
して放出される。

【００４３】また、導電部と回路基板のＶｅｅ電位線と
の間にフェライトビーズインダクタを挿入すれば、導電
部とＶｅｅ電位線との間を高周波的に分離できる。故
に、導電部から受信回路部へノイズが伝わることを低減
できる。

【００４４】好適な実施の形態において本発明の原理を
図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から
逸脱することなく配置および詳細において変更されるこ
とができることは、当業者によって認識される。例え
ば、光モジュールが受信アセンブリおよび送信アセンブ
リを備える場合について説明したけれども、光モジュー
ルが複数の受信アセンブリを備える場合、光モジュール
が複数の送信アセンブリを備える場合にも変更されるこ
とができる。また、受信アセンブリが導電片を備える場
合について説明したが、送信アセンブリ用リードフレー
ムに導電片を追加するようにしてもよい。したがって、
特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修
正および変更に権利を請求する。

【００４５】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
わる光モジュールでは、アセンブリ部の導電部が、シー
ルド部材を複数の端子の少なくとも１つに接続してい
る。このため、端子を増やすことなく、シールド部材が
アセンブリ部の端子に電気的に接続される。したがっ
て、シールド部材の帯電を低減することができる光モジ
ュールが提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本実施の形態に係わる光モジュールの
分解斜視図である。

【図２】図２(ａ)は、本実施の形態に係わる光モジュー
ルとプリント回路基板とを示す斜視図である。図２(ｂ)
は、導電片とシールド部材との接触部の拡大図である。

【図３】図３(ａ)は、リードフレームを示す平面図であ
る。図３(ｂ)は、リードフレーム部材を示す平面図であ
る。

【図４】図４は、回路基板の裏面を示す平面図である。

【図５】図５(ａ)は、受信アセンブリの中間生産物を示
す平面図である。図５(ｂ)は、リード端子と回路基板と
の接続部を示す拡大図である。

【図６】図６は、送信アセンブリの中間生産物を示す平
面図である。

【図７】図７は、受信アセンブリの等価回路図である。

【符号の説明】

１…光モジュール、２…ハウジング、４…シールド部
材、４ｂ…接続孔、４ｃ…接続突起、６…受信アセンブ
リ、６ａ…樹脂部材、６ｂ…スリーブ、６ｃ…複数のリ
ード端子、８…送信アセンブリ、１０…筐体、１２…レ
セプタクルシールド、１４…アセンブリシールド、１６
…プリント回路基板、３０…リードフレーム、３６…導
電部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光コネクタと光学的に結合されるように
設けられた半導体光素子を含む光学デバイス、前記半導
体光素子に電気的に接続された電子素子、前記電子素子
を搭載する回路基板、並びに前記回路基板に電気的に接
続された複数の端子を有するアセンブリ部と、基準電位線に接続されるように設けられた基準電位端子
を有し前記アセンブリ部をシールドするシールド部材
と、を備え、前記アセンブリ部は、前記シールド部材を前記複数の端
子の少なくとも１つに接続するように設けられた導電部
を有する、光モジュール。
【請求項２】前記アセンブリ部は、前記回路基板を搭
載するアイランド、前記複数の端子を構成する第１のリ
ード、および前記導電部を構成する第２のリードを有す
るリードフレーム部材を有する、請求項１に記載の光モ
ジュール。
【請求項３】前記回路基板は、一対の面、および前記
一対の面の一方の面上に設けられた導電層を有し、前記電子素子は前記一対の面の他方の面上に搭載され、
前記アイランドは絶縁部材を介して前記回路基板を搭
載している、請求項２に記載の光モジュール。
【請求項４】前記回路基板は所定の軸に沿って伸びる
一対の辺を有し、前記複数の端子は前記回路基板の前記
一対の辺の一方に沿って配置され、前記シールド部材は
前記回路基板の一対の辺の他方に対面するように配置さ
れ、前記導電部は前記一対の辺の一方から他方へ伸びる
ように設けられ前記シールド部材に達している、請求項
１〜請求項３のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項５】前記半導体光素子は半導体受光素子であ
り、前記半導体受光素子および前記回路基板は前記所定
の軸に沿って配置されている、請求項４に記載の光モジ
ュール。
【請求項６】前記アセンブリ部を封止する樹脂部材を
更に備え、前記導電部の端部は前記樹脂部材から突出している、請
求項１〜請求項５のいずれかに記載の光モジュール。