JP2003177402A - Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents
Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、外部から液晶層を
透過してきた光を再び外部へ反射する反射板を有する反
射型液晶表示装置、及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device having a reflection plate that reflects the light transmitted from the outside through a liquid crystal layer to the outside again, and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】反射型液晶表示装置は、透過型液晶表示
装置よりも低消費電力化、薄型化、軽量化が達成できる
ため、主に携帯端末用として利用されている。その理由
は、外部から入射した光を装置内部の反射板で反射させ
ることにより表示光源として利用できるので、バックラ
イトが不要になるからである。2. Description of the Related Art Reflective liquid crystal display devices are mainly used for portable terminals because they can achieve lower power consumption, thinner and lighter weight than transmissive liquid crystal display devices. The reason is that light reflected from the outside can be used as a display light source by being reflected by a reflection plate inside the device, so that no backlight is required.
【０００３】現在の反射型液晶表示装置の基本構造は、
ＴＮ（ツイステッドネマテッィク）方式、一枚偏光板方
式、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマテッィク）方
式、ＧＨ（ゲストホスト）方式、ＰＤＬＣ（高分子分
散）方式、コレステリック方式等を用いた液晶と、これ
を駆動するためのスイッチング素子と、液晶セル内部又
は外部に設けた反射板とから構成されている。これらの
一般的な反射型液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）又は金属／絶縁膜／金属構造ダイオード（ＭＩ
Ｍ）をスイッチング素子として用いて高精細及び高画質
を実現できるアクティブマトリクス駆動方式が採用さ
れ、これに反射板が付随した構造となっている。The basic structure of the current reflective liquid crystal display device is
Liquid crystal using TN (twisted nematic) system, single polarizing plate system, STN (super twisted nematic) system, GH (guest host) system, PDLC (polymer dispersion) system, cholesteric system, etc. It is composed of a switching element for driving the liquid crystal display and a reflector provided inside or outside the liquid crystal cell. These general reflection type liquid crystal display devices use thin film transistors (T
FT) or metal / insulating film / metal structure diode (MI
M) is used as a switching element to adopt an active matrix driving method capable of realizing high definition and high image quality, and a structure in which a reflector is attached to this is adopted.
【０００４】図１９は、従来の一枚偏光板方式の反射型
液晶表示装置を示す断面図である。以下、この図面に基
づき説明する。FIG. 19 is a sectional view showing a conventional single-polarizing plate type reflection type liquid crystal display device. Hereinafter, description will be given with reference to this drawing.
【０００５】対向側基板１は、偏光板２、位相差板３、
ガラス基板４、カラーフィルタ５、透明電極６等から構
成されている。下部側基板７は、ガラス基板８、ガラス
基板８上に形成されたスイッチング素子である逆スタガ
ー構造の薄膜トランジスタ９、凹凸構造のベースとなる
第一の絶縁層からなる凸形状１０、その上に形成された
第二の絶縁層であるポリイミド膜１１、薄膜トランジス
タ９のソース電極１２に接続されるとともに反射板兼画
素電極として機能する反射電極１３等から構成されてい
る。対向側基板１と下部側基板７との間に、液晶層１４
が位置する。The counter substrate 1 includes a polarizing plate 2, a retardation plate 3,
It is composed of a glass substrate 4, a color filter 5, a transparent electrode 6 and the like. The lower side substrate 7 is formed on a glass substrate 8, a thin film transistor 9 having an inverted stagger structure, which is a switching element formed on the glass substrate 8, a convex shape 10 made of a first insulating layer serving as a base of a concave-convex structure, and formed thereon. It is composed of a polyimide film 11 which is a second insulating layer, a reflection electrode 13 which is connected to the source electrode 12 of the thin film transistor 9 and functions as a reflection plate and a pixel electrode. The liquid crystal layer 14 is provided between the counter substrate 1 and the lower substrate 7.
Is located.
【０００６】光源は反射光１６を利用する。反射光１６
は、外部からの入射光１５が、偏光板２、位相差板３、
ガラス基板４、カラーフィルタ５、透明電極６、液晶層
１４を通過し、反射電極１３で反射されるものである。The light source uses the reflected light 16. Reflected light 16
Means that the incident light 15 from the outside is the polarizing plate 2, the phase difference plate 3,
It passes through the glass substrate 4, the color filter 5, the transparent electrode 6, and the liquid crystal layer 14, and is reflected by the reflective electrode 13.
【０００７】この反射型液晶表示装置の表示性能には、
液晶透過状態のときに明るくかつ白い表示を呈すること
が要求される。この表示性能の実現には、様々な方位か
らの入射光１５を効率的に前方へ出射させる必要があ
る。それゆえ、ポリイミド膜１１に凹凸構造を形成する
ことで、その上に位置する反射電極１３に散乱機能を持
たせることができる。したがって、反射電極１３の凹凸
構造の制御が、反射型液晶表示装置の表示性能を決める
のに重要となる。The display performance of this reflective liquid crystal display device is
A bright and white display is required in the liquid crystal transmission state. In order to realize this display performance, it is necessary to efficiently emit incident light 15 from various directions to the front. Therefore, by forming the concavo-convex structure on the polyimide film 11, the reflecting electrode 13 located thereon can have a scattering function. Therefore, control of the concavo-convex structure of the reflective electrode 13 is important for determining the display performance of the reflective liquid crystal display device.
【０００８】図２０及び図２１は、従来の反射型液晶表
示装置における反射電極の製造方法を示す断面図であ
る。以下、この図面に基づき説明する。20 and 21 are sectional views showing a method of manufacturing a reflective electrode in a conventional reflective liquid crystal display device. Hereinafter, description will be given with reference to this drawing.
【０００９】薄膜トランジスタ製造工程では、まずガラ
ス基板２０上にゲート電極２１を形成する（図２０
［ａ］）。続いて、ゲート絶縁膜２２、半導体層２３、
ドーピング層２４を成膜する（図２０［ｂ］）。続い
て、半導体層２３及びドーピング層２４のアイランド２
５を形成し（図２０［ｃ］）、ソース電極２６、ドレイ
ン電極２７を形成する（図２０［ｄ］）。その後、反射
電極の製造工程に移る。In the thin film transistor manufacturing process, first, the gate electrode 21 is formed on the glass substrate 20 (FIG. 20).
[A]). Then, the gate insulating film 22, the semiconductor layer 23,
A doping layer 24 is formed (FIG. 20 [b]). Subsequently, the island 2 of the semiconductor layer 23 and the doping layer 24
5 is formed (FIG. 20 [c]), and the source electrode 26 and the drain electrode 27 are formed (FIG. 20 [d]). Then, the manufacturing process of the reflective electrode is performed.
【００１０】反射電極の製造工程では、まず感光性を有
する有機系絶縁膜２８を形成する（図２０［ｅ］）。続
いて、フォトリソグラフィを施すことにより反射電極形
成領域に凸部２９を形成し（図２０［ｆ］）、加熱によ
り凸部２９をメルトさせて滑らかな凸形状３０に変換す
る（図２１［ｇ］）。続いて、この上部を有機系絶縁膜
３１で覆うことにより、より滑らかな凹凸面３２を形成
する（図２１［ｈ］）。続いて、薄膜トランジスタのソ
ース電極に反射電極を電気的に接続するためのコンタク
ト部３３を形成し（図２１［ｉ］）、その後に反射電極
３４を形成する（図２１［ｊ］）。この反射電極の製造
方法は、例えば特公昭６１−６３９０号公報、又はプロ
シーディングス・オブ・エスアイディー（Tohru koizum
i and Tatsuo Uchida, Proceedings of the SID, Vol.2
9,157,1988）に開示されている。In the manufacturing process of the reflective electrode, first, the photosensitive organic insulating film 28 is formed (FIG. 20 [e]). Then, the convex portion 29 is formed in the reflective electrode forming region by performing photolithography (FIG. 20 [f]), and the convex portion 29 is melted by heating to be converted into a smooth convex shape 30 (FIG. 21 [g]. ]). Subsequently, the upper surface is covered with an organic insulating film 31 to form a smoother uneven surface 32 (FIG. 21 [h]). Subsequently, a contact portion 33 for electrically connecting the reflective electrode to the source electrode of the thin film transistor is formed (FIG. 21 [i]), and then the reflective electrode 34 is formed (FIG. 21 [j]). The method for manufacturing the reflective electrode is described in, for example, Japanese Examined Patent Publication No. 61-6390, or Tohru koizum.
i and Tatsuo Uchida, Proceedings of the SID, Vol.2
9,157,1988).
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】図２２は、図２０
［ｆ］の工程における凸部２９のパターンを示す平面図
である。以下、この図面に基づき説明する。22 is shown in FIG.
It is a top view which shows the pattern of the convex part 29 in the process of [f]. Hereinafter, description will be given with reference to this drawing.
【００１２】凸部２９は、一つ一つがどれとも接してい
ない、すなわち孤立している。凸部２９の大きさは、直
径が１〜２０μｍ程度、高さが０．５〜５μｍ程度と、
極めて微細である。そのため、その後のプロセスである
基板洗浄工程中又は熱プロセス若しくは成膜プロセス中
に、下地と凸部２９との密着性が劣化し、凸部２９が剥
れてしまうという問題があった。The projections 29 are not in contact with each other, that is, are isolated. Regarding the size of the convex portion 29, the diameter is about 1 to 20 μm and the height is about 0.5 to 5 μm.
It is extremely fine. Therefore, there is a problem that the adhesion between the base and the convex portion 29 is deteriorated and the convex portion 29 is peeled off during a subsequent substrate cleaning step or a thermal process or a film forming process.
【００１３】したがって、所望の凹凸構造を反射電極領
域に形成できなくなるので、反射電極の所望の光学特性
が得られなくなる。すなわち、このような反射電極を用
いた反射型液晶表示装置は、表示が暗くなったり、輝度
むらが生じたりする。Therefore, it becomes impossible to form a desired concavo-convex structure in the reflective electrode region, and the desired optical characteristics of the reflective electrode cannot be obtained. That is, in the reflective liquid crystal display device using such a reflective electrode, the display becomes dark and the brightness unevenness occurs.
【００１４】また、凸部の剥れを防止するには、凸部下
に密着性を改善するためのカップリング材を塗布するこ
とが考えられる。しかし、凸部下には薄膜トランジス
タ、配線等が配置されているので、これらにカップリン
グ材が悪影響を及ぼすことにより、スイッチング素子特
性の信頼性低下を引き起こす。したがって、カップリン
グ材を使用することは難しい。Further, in order to prevent peeling of the convex portion, it may be considered to apply a coupling material under the convex portion to improve adhesion. However, since the thin film transistor, the wiring, and the like are arranged under the convex portion, the coupling material exerts an adverse effect on them, and thus the reliability of the switching element characteristics deteriorates. Therefore, it is difficult to use the coupling material.
【００１５】[0015]
【発明の目的】本発明の目的は、反射電極の凹凸構造の
ベースとなる凸部の剥れを防止することにより、所望の
凹凸構造を有する反射電極を形成でき、これにより高輝
度及び高品位表示性能を達成した反射型液晶表示装置及
びその製造方法を提供することにある。It is an object of the present invention to prevent peeling of the convex portion which is the base of the concavo-convex structure of the reflective electrode, so that a reflective electrode having a desired concavo-convex structure can be formed, which results in high brightness and high quality. An object of the present invention is to provide a reflective liquid crystal display device that achieves display performance and a manufacturing method thereof.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明に係る反射型液晶
表示装置は、透明な第一の基板と、この第一の基板上に
設けられた透明電極と、第二の基板と、この第二の基板
上に設けられるとともに表面に凹凸構造が形成された絶
縁膜と、この絶縁膜上に前記凹凸構造を反映させた形状
で設けられた反射電極と、前記第一の基板の前記透明電
極側と前記第二の基板の前記反射電極側とで挟み込まれ
た液晶層とを備えた反射型液晶表示装置において、 前
記絶縁膜は、全体が網状に繋がった凸部とこの凹部によ
って囲まれて孤立した膜厚の無い部分からなる多数の凹
部とが不規則に配置された第一の絶縁層と、この第一の
絶縁層の全体を覆う第二の絶縁層とを備えている。ここ
で、凹部とは、実質的に膜厚の無い部分であり、開口
部、貫通孔等と言い換えることができる。A reflective liquid crystal display device according to the present invention includes a transparent first substrate, a transparent electrode provided on the first substrate, a second substrate, and a second substrate. An insulating film provided on the second substrate and having a concavo-convex structure formed on the surface thereof, a reflective electrode provided on the insulating film in a shape reflecting the concavo-convex structure, and the transparent electrode of the first substrate. Side and the liquid crystal layer sandwiched between the reflective electrode side of the second substrate, the insulating film, the insulating film is entirely surrounded by a convex portion and this concave portion is surrounded by It is provided with a first insulating layer in which a large number of isolated concave portions having no film thickness are irregularly arranged, and a second insulating layer covering the entire first insulating layer. Here, the concave portion is a portion having substantially no film thickness, and can be restated as an opening portion, a through hole, or the like.
【００１７】従来技術における第一の絶縁層の凸部は、
一つ一つがどれとも接していない、すなわち孤立してい
た。そのため、全体の凸部のうちの一部分において下地
との密着力が弱まると、その部分は簡単に剥れやすい。
これに対し、本願発明における第一の絶縁層の凸部は、
全体が網状に繋がっている。そのため、全体の凸部のう
ちの一部分において下地との密着力が弱まっても、その
部分は周囲の凸部によって支持される。したがって、凸
部の剥れが防止される。The protrusion of the first insulating layer in the prior art is
Each one had no contact with it, that is, it was isolated. For this reason, when the adhesion strength with the base is weakened in a part of the entire convex portion, that part is easily peeled off.
On the other hand, the convex portion of the first insulating layer in the present invention is
The whole is connected like a net. Therefore, even if the adhesion strength with the base is weakened in a part of the entire convex portion, that portion is supported by the peripheral convex portions. Therefore, peeling of the convex portion is prevented.
【００１８】換言すると、本発明における第一の絶縁層
の凸部は、孤立した凹パターンが不規則に配置されたも
のである。従来技術における第一の絶縁層の凸部は、柱
状の孤立した凸パターンが不規則に配置されたものであ
るため、その後の製造プロセス中に剥れやすかった。こ
れに対し、本発明では、孤立した凹パターンが不規則に
配置されることで、凸部と下地膜との接触面積を増加さ
せることができるので、凸部はその後の製造プロセスに
おいても剥れにくい。In other words, the convex portions of the first insulating layer according to the present invention have isolated concave patterns arranged irregularly. Since the protrusions of the first insulating layer in the conventional technique are formed by irregularly arranging columnar isolated protrusion patterns, they were easily peeled off during the subsequent manufacturing process. On the other hand, in the present invention, the isolated concave pattern is irregularly arranged, so that the contact area between the convex portion and the underlying film can be increased, so that the convex portion is peeled off in the subsequent manufacturing process. Hateful.
【００１９】また、前記凸部は、線状の凸パターンが不
規則に配置されたものとしてもよい。この場合において
も、凸部は、線状の凸パターンが不規則に配置されてい
ることから、従来の柱状の凸パターンよりも下地膜との
接触面積が増加するので、密着性が改善される。Further, the convex portions may have linear convex patterns arranged irregularly. Even in this case, since the convex portions have the linear convex patterns arranged irregularly, the contact area with the base film is larger than that of the conventional columnar convex pattern, so that the adhesion is improved. .
【００２０】また、前記凹凸構造は、１画素単位又は２
以上の画素単位の不規則な凹凸形状が反射電極全領域で
繰り返し形成されたものでもよい。これにより、反射特
性の干渉現象を抑制することができるため、この反射電
極を用いて作成した反射型液晶表示装置は、光源による
波長依存性もなく、色特性の劣化もない、明るく高品位
な表示性能が得られる。The concavo-convex structure has one pixel unit or two pixels.
The irregular concavo-convex shape in the pixel unit described above may be repeatedly formed in the entire area of the reflective electrode. As a result, the interference phenomenon of the reflection characteristics can be suppressed. Therefore, the reflection type liquid crystal display device produced by using this reflection electrode has neither wavelength dependence due to the light source nor deterioration of the color characteristics, and is bright and of high quality. Display performance is obtained.
【００２１】また、前記凸部は、これを溶融させること
で、滑らかな断面形状に変換してもよい。その後この凸
部を覆うように第二の絶縁層を形成して凹凸構造を得、
この凹凸構造上に形成した反射電極は、良好な反射光学
特性を示し、更にこの反射電極を液晶セル内部に有する
反射型液晶表示装置は明るい表示を実現できる。The convex portion may be converted into a smooth cross-sectional shape by melting the convex portion. After that, a second insulating layer is formed so as to cover this convex portion to obtain an uneven structure,
The reflective electrode formed on the concavo-convex structure exhibits good reflective optical characteristics, and the reflective liquid crystal display device having the reflective electrode inside the liquid crystal cell can realize bright display.
【００２２】また、前記第一又は第二の絶縁層が、スイ
ッチング素子の保護膜を兼ねることで、スイッチング素
子の外部からの汚染を防ぐことができるため、安定した
スイッチング動作を実現できる。Further, since the first or second insulating layer also serves as a protective film for the switching element, contamination of the switching element from the outside can be prevented, so that stable switching operation can be realized.
【００２３】また、前記第一及び第二の絶縁層のいずれ
か一方又は両方が、配線（ドレイン配線及びゲート配線
のいずれか一方又は両方）を覆うことで、配線と反射電
極とで発生する寄生容量を小さくすることができ、これ
により反射型液晶表示装置のクロストーク等の発生を抑
制することができる。Further, one or both of the first and second insulating layers cover the wiring (either one or both of the drain wiring and the gate wiring), so that the parasitic generated in the wiring and the reflective electrode. It is possible to reduce the capacitance, and thus it is possible to suppress the occurrence of crosstalk and the like in the reflective liquid crystal display device.
【００２４】また、前記第一の及び第二の絶縁層のいず
れか一方又は両方が光吸収性を有することで、隣接する
反射電極間から入射した光を、前記光吸収体で吸収する
ことができる。これにより、スイッチング素子への光照
射を防げるため、良好なスイッチング素子特性を得るこ
とができ、その結果、高コントラストかつ高輝度表示特
性を有する反射型液晶表示装置を実現できる。Further, since one or both of the first and second insulating layers have a light absorbing property, the light absorber can absorb the light incident between the adjacent reflecting electrodes. it can. This prevents the switching element from being irradiated with light, so that good switching element characteristics can be obtained, and as a result, a reflective liquid crystal display device having high contrast and high luminance display characteristics can be realized.
【００２５】また、前記第一及び第二の絶縁層のいずれ
か一方又両方に、その上の反射電極とその下のスイッチ
ング素子とを電気的に接続するためのコンタクトホール
を形成してもよい。この場合は、画素の最上部に反射電
極を設けることができるため、反射電極の面積を大きく
することで高開口率化を達成でき、それゆえ、明るい表
示性能を有する反射型液晶表示装置を実現できる。Further, one or both of the first and second insulating layers may be provided with a contact hole for electrically connecting the reflective electrode thereabove and the switching element thereunder. . In this case, since the reflective electrode can be provided on the uppermost part of the pixel, it is possible to achieve a high aperture ratio by increasing the area of the reflective electrode, and thus realize a reflective liquid crystal display device having a bright display performance. it can.
【００２６】また、感光性を有する有機系材料又は無機
系材料を前記凸部に用いることで、凸部を形成するため
のパターンニング工程を短縮できる。更に、感光性を有
する有機系材料又は無機系材料を前記第二の絶縁層に用
いることで、コンタクトパターンを形成するためのパタ
ーンニング工程を短縮でき、これによりプロセスの簡略
化が図れるので、反射型液晶表示装置の低コスト化が実
現できる。Further, by using a photosensitive organic material or inorganic material for the convex portion, the patterning process for forming the convex portion can be shortened. Furthermore, by using a photosensitive organic material or inorganic material for the second insulating layer, the patterning step for forming the contact pattern can be shortened, which simplifies the process, and Type liquid crystal display device can be realized at low cost.
【００２７】更に、前記凹凸構造を形成する方法におい
て、前記第一の絶縁層を形成する工程と、前記第一の絶
縁層上にレジストパターンを形成するフォトリソ工程
と、前記第一の絶縁層にエッチングを行う工程と、前記
第一の絶縁層上に残ったレジスト膜を剥離する工程と、
エッチング後の前記第一の絶縁層を熱処理によりメルト
させることにより前記凹凸構造を滑らかにする工程と、
メルト後の前記第一の絶縁層上に前記第二の絶縁層を形
成する工程とを備えたものとしてもよい。これにより、
滑らかで連続した凹凸構造を製造することができるの
で、凸部の膜剥れのない、均一な凹凸面を有する反射電
極を実現できる。Further, in the method of forming the concavo-convex structure, a step of forming the first insulating layer, a photolithography step of forming a resist pattern on the first insulating layer, and a step of forming the first insulating layer on the first insulating layer. A step of performing etching, and a step of peeling the resist film remaining on the first insulating layer,
A step of smoothing the concavo-convex structure by melting the first insulating layer after etching by heat treatment;
And a step of forming the second insulating layer on the first insulating layer after the melting. This allows
Since it is possible to manufacture a smooth and continuous uneven structure, it is possible to realize a reflective electrode having a uniform uneven surface without film peeling of the convex portion.
【００２８】また、前記凹凸構造を形成する方法におい
て、感光性能を有する有機系絶縁材料又は無機系絶縁材
料を用いて前記第一の絶縁層を形成する工程と、前記第
一の絶縁層に凹凸パターンを形成するための露光工程
と、前記第一の絶縁層にエッチング現像を行う現像工程
と、エッチング現像後の前記第一の絶縁層を熱処理によ
りメルトさせることにより前記凹凸構造を滑らかにする
メルト工程と、メルト後の前記第一の絶縁層上に前記第
二の絶縁層を形成する工程とを備えたものとしてもよ
い。これにより、滑らかで連続した凹凸構造を製造する
ことができるので、凸部の膜剥れのない、均一な凹凸面
を有する反射電極を実現できる。In the method of forming the uneven structure, a step of forming the first insulating layer using an organic insulating material or an inorganic insulating material having photosensitivity, and a step of forming unevenness on the first insulating layer An exposure step for forming a pattern, a developing step for etching and developing the first insulating layer, and a melt for smoothing the uneven structure by melting the first insulating layer after etching and developing by heat treatment. The method may include a step and a step of forming the second insulating layer on the first insulating layer after melting. This makes it possible to manufacture a smooth and continuous uneven structure, so that it is possible to realize a reflective electrode having a uniform uneven surface with no film peeling of the convex portion.
【００２９】また、透明性電極を備えた絶縁性基板と、
凹凸構造を有する絶縁膜上に形成された反射板を備えた
絶縁性基板とで、液晶層を挟み込んだ構造よりなる反射
型液晶表示装置において、前記第１の絶縁膜に形成され
る凹凸段差部は、該絶縁膜として感光性能を有する有機
系絶縁膜又は無機系絶縁膜を形成する工程と、凹凸パタ
ーンを形成するための露光工程と、エッチングを行う現
像工程と、その後、前記凹凸段差部を熱処理によりメル
トさせるメルト工程と、さらにその上部に第２の絶縁膜
を形成する工程により、滑らかで、且つ連続した凹凸構
造が製造されることで、凹凸段差部のパターンニングに
おいて、レジストプロセスにおけるレジスト塗布、剥
離、エッチング工程を省くことができるため、プロセス
の簡略化がはかれ、反射型液晶表示装置の低コスト化が
実現できる。An insulating substrate having a transparent electrode,
A reflection type liquid crystal display device having a structure in which a liquid crystal layer is sandwiched between an insulating substrate having a reflection plate formed on an insulating film having an uneven structure, and an uneven step portion formed on the first insulating film. Is a step of forming an organic insulating film or an inorganic insulating film having photosensitivity as the insulating film, an exposing step for forming a concave-convex pattern, a developing step of performing etching, and then the concave-convex step portion. A smooth and continuous concavo-convex structure is manufactured by a melt process of melting by heat treatment and a process of forming a second insulating film on the upper part of the melt process. Since the coating, peeling and etching steps can be omitted, the process can be simplified and the cost of the reflective liquid crystal display device can be reduced.
【００３０】また、前記コンタクトホールを形成する方
法において、感光性能を有する有機系絶縁材料又は無機
系絶縁材料を用いて前記第二の絶縁層を形成する工程
と、前記コンタクトホールを前記第二の絶縁層に形成す
るためのパターンを形成する露光工程と、前記第二の絶
縁層に対してエッチング現像を行うことにより前記コン
タクトホールを形成する現像工程とを備えたものとして
もよい。これにより、コンタクトパターンのパターンニ
ングにおいて、レジストプロセスにおけるレジスト塗
布、剥離、エッチング工程を省くことができるため、プ
ロセスの簡略化が図れるので、反射型液晶表示装置の低
コスト化が実現できる。In the method of forming the contact hole, a step of forming the second insulating layer using an organic insulating material or an inorganic insulating material having photosensitivity, and forming the contact hole in the second insulating layer An exposure step of forming a pattern for forming an insulating layer and a developing step of forming the contact hole by etching and developing the second insulating layer may be provided. Thereby, in the patterning of the contact pattern, the resist coating, stripping and etching steps in the resist process can be omitted, so that the process can be simplified and the cost of the reflective liquid crystal display device can be reduced.
【００３１】[0031]
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る反射型液晶
表示装置の第一実施形態を示す断面図である。以下、こ
の図面に基づき説明する。1 is a sectional view showing a first embodiment of a reflective liquid crystal display device according to the present invention. Hereinafter, description will be given with reference to this drawing.
【００３２】本実施形態の反射型液晶表示装置は、透明
な第一の基板としてのガラス基板５８１と、ガラス基板
５８１上に設けられた透明電極６０と、第二の基板とし
てのガラス基板５８２と、ガラス基板５８２上に設けら
れるとともに表面に凹凸構造５０が形成された絶縁膜４
４と、絶縁膜４４上に凹凸構造５０を反映させた形状で
設けられた反射電極５１と、ガラス基板５８１の透明電
極６０側とガラス基板５８２の反射電極５１側とで挟み
込まれた液晶層６１とを備えたものである。そして、絶
縁膜４４は、周囲を凸部４７によって囲まれて孤立した
多数の凹部４６が不規則に配置された第一の絶縁層４５
と、絶縁層４５の全体を覆う第二の絶縁層４９とを備え
ている。The reflective liquid crystal display device of this embodiment includes a transparent glass substrate 581 as a first substrate, a transparent electrode 60 provided on the glass substrate 581, and a glass substrate 582 as a second substrate. The insulating film 4 provided on the glass substrate 582 and having the uneven structure 50 formed on the surface thereof.
4, the reflective electrode 51 provided on the insulating film 44 in a shape reflecting the concavo-convex structure 50, the liquid crystal layer 61 sandwiched between the transparent electrode 60 side of the glass substrate 581 and the reflective electrode 51 side of the glass substrate 582. It is equipped with and. The insulating film 44 has a first insulating layer 45 in which a large number of isolated concave portions 46 surrounded by convex portions 47 are irregularly arranged.
And a second insulating layer 49 that covers the entire insulating layer 45.
【００３３】凸部４７は、全体が網状に繋がっている。
そのため、全体の凸部４７のうちの一部分において下地
との密着力が弱まっても、その部分は周囲の凸部４７に
よって支持される。したがって、凸部４７の剥れが防止
される。The convex portions 47 are connected in a net shape as a whole.
Therefore, even if a part of the entire convex portion 47 has a weak adhesion to the base, that portion is supported by the peripheral convex portion 47. Therefore, peeling of the convex portion 47 is prevented.
【００３４】本実施形態では、互いに対向する下部側基
板７と対向側基板１との間に、液晶層６１が設けられて
いる。下部側基板７は、ガラス基板５８２上に形成され
たスイッチング素子としての逆スタガー構造の薄膜トラ
ンジスタ４０と、表面に凹凸構造５０を有する絶縁膜４
４と、絶縁膜４４上を覆うように形成された高反射効率
金属からなる反射電極５１とを有する。In this embodiment, the liquid crystal layer 61 is provided between the lower substrate 7 and the opposite substrate 1 which face each other. The lower substrate 7 is a thin film transistor 40 having an inverted stagger structure as a switching element formed on a glass substrate 582, and an insulating film 4 having an uneven structure 50 on its surface.
4 and a reflection electrode 51 made of a metal with high reflection efficiency and formed so as to cover the insulating film 44.
【００３５】薄膜トランジスタ４０は、金属層４１、絶
縁層４２、半導体層４３等を成膜し、これらの膜に対し
てフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程を施す
ことにより形成された、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半
導体膜、ソース電極、ドレイン電極より構成されてい
る。また、薄膜トランジスタ４０上に、有機系絶縁膜又
は無機系絶縁膜を材料に用いた第一の絶縁層４５が位置
している。絶縁層４５には、孤立した凹部４６及び連続
した凸部４７が形成されている。凹部４６及び凸部４７
は不規則に配置されている。第二の絶縁層４９は、凹部
４６及び凸部４７上を覆うことにより、その表面に凹凸
構造５０が形成されている。凹凸構造５０上に反射率の
高い金属を形成することで、高反射効率を有する反射電
極５１が形成されている。The thin film transistor 40 is formed by depositing a metal layer 41, an insulating layer 42, a semiconductor layer 43, and the like, and subjecting these films to a photolithography process and an etching process, a gate electrode and a gate insulating film. , A semiconductor film, a source electrode, and a drain electrode. A first insulating layer 45 using an organic insulating film or an inorganic insulating film as a material is located on the thin film transistor 40. The insulating layer 45 is provided with an isolated concave portion 46 and a continuous convex portion 47. Concave portion 46 and convex portion 47
Are arranged irregularly. The second insulating layer 49 covers the concave portions 46 and the convex portions 47 to form the concave-convex structure 50 on the surface thereof. By forming a metal having a high reflectance on the uneven structure 50, the reflection electrode 51 having a high reflection efficiency is formed.
【００３６】反射電極５１表面は凹凸構造５０が反映さ
れ、反射電極５１表面の凹凸傾斜角度の構成が反射光の
光学特性を決定することとなる。それゆえ、凹凸構造５
０の傾斜角度は所望の反射光学特性が得られるように設
計される。なお、このとき、凹凸構造５０は、凸ピッ
チ、凹ピッチ、凸高さ、凹深さのいずれかについて、異
なる２種以上の値で構成されていればよい。The surface of the reflective electrode 51 reflects the concavo-convex structure 50, and the configuration of the concavo-convex inclination angle on the surface of the reflective electrode 51 determines the optical characteristics of the reflected light. Therefore, the uneven structure 5
A tilt angle of 0 is designed to obtain the desired reflective optical properties. At this time, the concavo-convex structure 50 may be configured with two or more different values for any of the convex pitch, the concave pitch, the convex height, and the concave depth.
【００３７】反射電極５１は、絶縁膜４４に形成された
コンタクトホール５２を介して、薄膜トランジスタ４０
のソース電極５３と電気的に接続されているので、画素
電極としての機能も有している。The reflective electrode 51 is provided with the thin film transistor 40 through the contact hole 52 formed in the insulating film 44.
Since it is electrically connected to the source electrode 53 of, it also has a function as a pixel electrode.
【００３８】次に、本実施形態の反射型液晶表示装置の
動作について説明する。Next, the operation of the reflective liquid crystal display device of this embodiment will be described.
【００３９】白状態では、対向側基板１の外側から入射
した入射光５５が、偏光板５６、位相差板５７、ガラス
基板５８１、カラーフィルタ５９、透明電極６０、液晶
層６１を通過して、反射電極５１の凹凸面６２の形状を
反映した指向性に従って反射され、再び液晶層６１、透
明電極６０、カラーフィルタ５９、ガラス基板５８１、
位相差板５７、偏光板５６を通過して、外側へ表示光６
３として戻される。一方、黒状態では、対向側基板１の
外側から入射した入射光５５が、白状態のときと同じよ
うに反射電極５１で反射されるものの、偏光板５６で遮
断されることにより外側に出射されない。これにより光
のＯＮ／ＯＦＦ動作が可能となる。In the white state, the incident light 55 incident from the outside of the counter substrate 1 passes through the polarizing plate 56, the retardation plate 57, the glass substrate 581, the color filter 59, the transparent electrode 60 and the liquid crystal layer 61, The liquid crystal layer 61, the transparent electrode 60, the color filter 59, the glass substrate 581 are reflected again according to the directivity that reflects the shape of the uneven surface 62 of the reflective electrode 51.
The display light 6 passes through the retardation plate 57 and the polarizing plate 56 to the outside.
Returned as 3. On the other hand, in the black state, the incident light 55 incident from the outside of the counter substrate 1 is reflected by the reflective electrode 51 as in the white state, but is not emitted outside because it is blocked by the polarizing plate 56. . This enables ON / OFF operation of light.
【００４０】次に、本実施形態の反射型液晶表示装置の
変形例について説明する。Next, a modification of the reflective liquid crystal display device of this embodiment will be described.
【００４１】絶縁層４５，４９の両方又はいずれか一方
に、その上の反射電極５１とその下の薄膜トランジスタ
４０とを電気的に接続するためのコンタクトホール５２
を形成することで、画素の最上部に反射電極５１を設け
ることができる。そのため、反射電極５１の面積を大き
くすることで高開口率化が達成でき、それゆえ、明るい
表示性能を実現できる。A contact hole 52 for electrically connecting the reflective electrode 51 thereabove and the thin film transistor 40 thereunder to both or one of the insulating layers 45 and 49.
By forming the above, the reflective electrode 51 can be provided on the uppermost part of the pixel. Therefore, by increasing the area of the reflective electrode 51, it is possible to achieve a high aperture ratio, and thus to realize bright display performance.
【００４２】また、凸部４７は、感光性を有する有機系
材料又は無機系材料を用いてもよい。これにより、凸部
４７を形成するためのパターンニング工程を短縮でき
る。具体的には、感光性樹脂の形成、露光、現像エッチ
ングの工程で凸部４７の形成が完了するので、従来のレ
ジストプロセスを用いた場合に比べ、レジスト塗布、膜
エッチング、レジスト剥離の工程を省略できる。The convex portion 47 may be made of a photosensitive organic material or inorganic material. Thereby, the patterning process for forming the convex portion 47 can be shortened. Specifically, since the formation of the convex portion 47 is completed in the steps of forming the photosensitive resin, exposing, and developing and etching, the steps of resist coating, film etching, and resist stripping are performed as compared with the case of using the conventional resist process. It can be omitted.
【００４３】更に、絶縁層４９は、感光性を有する有機
系材料又は無機系材料としてもよい。これにより、コン
タクトパターンを形成するためのパターンニング工程に
おいても、従来のレジストプロセスに比べて短縮化でき
ることから、プロセスの簡略化が図れる。Further, the insulating layer 49 may be made of a photosensitive organic material or inorganic material. As a result, the patterning step for forming the contact pattern can be shortened as compared with the conventional resist process, so that the process can be simplified.
【００４４】このような感光性樹脂膜としては、東京応
化工業株式会社製の商品名「ＯＦＰＲ８００」、日本合
成ゴム株式会社製の商品名「ＰＣ３３９」等のアクリル
系樹脂等がある。また、感光性絶縁材料は、これに限定
されず、その他の有機系樹脂、又は無機系樹脂でもよ
い。Examples of such a photosensitive resin film include acrylic resins such as "OFPR800" manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. and "PC339" manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. The photosensitive insulating material is not limited to this, and may be other organic resin or inorganic resin.
【００４５】図２は本実施形態の反射型液晶表示装置に
おける一画素分の第一の絶縁層を示す平面図であり、図
２［１］が第一例、図２［２］が第二例である。以下、
この図面に基づき説明する。FIG. 2 is a plan view showing a first insulating layer for one pixel in the reflective liquid crystal display device of this embodiment. FIG. 2 [1] is a first example and FIG. 2 [2] is a second example. Here is an example. Less than,
A description will be given based on this drawing.
【００４６】図２［１］の第一例では、周囲を凸部４７
１によって囲まれて孤立した多数の凹部４６１が、不規
則に配置されている。凹部４６１は、四角状に窪んでい
る。図２［２］の第二例では、周囲を凸部４７２によっ
て囲まれて孤立した多数の凹部４６２が、不規則に配置
されている。凹部４６２は、不規則に配置された多数の
線状の凸部４７２によって囲まれた部分からなる。In the first example of FIG. 2 [1], the convex portion 47 is formed around the periphery.
A large number of isolated concave portions 461 surrounded by 1 are arranged irregularly. The recess 461 is recessed in a square shape. In the second example of FIG. 2 [2], a large number of isolated concave portions 462 surrounded by convex portions 472 are irregularly arranged. The concave portions 462 are formed by a portion surrounded by a large number of linear convex portions 472 arranged irregularly.
【００４７】本実施形態では、凸部４７１，４７２と下
地との接触面積を大きくできることから、下地膜との密
着性を向上できるので、膜剥れのない良好な凸部４７
１，４７２を実現できる。In this embodiment, since the contact area between the convex portions 471 and 472 and the base can be increased, the adhesion with the base film can be improved, and thus the good convex portion 47 without film peeling can be obtained.
1,472 can be realized.
【００４８】図３は、本発明に係る反射型液晶表示装置
の第二実施形態を示す説明図である。以下、この図面に
基づき説明する。FIG. 3 is an explanatory view showing a second embodiment of the reflection type liquid crystal display device according to the present invention. Hereinafter, description will be given with reference to this drawing.
【００４９】本実施形態における凹凸パターンは、反射
型液晶表示装置の１画素単位以上の範囲で不規則であれ
ばよく、例えばＲＧＢ又はＲＧＧＢ等の３画素単位又は
４画素単位の領域で不規則でもよい。更に、それ以上の
画素数の領域で不規則な凹凸パターン６５とし、これを
繰り返して、パネル表示部全面に位置する反射板領域へ
凹凸を構成してもよい。この場合、反射板パネル全面を
完全な不規則パターンで形成した場合と同様の明るい反
射板を得ることができる。The concavo-convex pattern in the present embodiment may be irregular within a range of one pixel unit or more of the reflection type liquid crystal display device, and may be irregular in an area of three pixel units or four pixel units such as RGB or RGGB. Good. Further, an irregular concavo-convex pattern 65 may be formed in a region having a larger number of pixels, and this may be repeated to form concavo-convex in the reflector region located on the entire surface of the panel display portion. In this case, it is possible to obtain a bright reflector similar to the case where the entire reflector panel is formed in a completely irregular pattern.
【００５０】図３［ａ］は、１画素単位で全面表示領域
に不規則配置パターンを繰り返した例である。図３
［ｂ］は、２画素以上の単位で全面表示領域に不規則配
置パターンを繰り返した例である。図３［ｂ］の方が、
不規則配置パターンを効率良く繰り返すことができるの
で、より望ましい。なお、本実施形態では孤立凹パター
ンについて実施したが、これに限定されない。例えば、
前述した線状パターン等においても同様の効果が実現で
きる。FIG. 3A is an example in which the irregular arrangement pattern is repeated in the entire display area in units of one pixel. Figure 3
[B] is an example in which the irregular arrangement pattern is repeated in the entire display area in units of 2 pixels or more. In FIG. 3 [b],
It is more desirable because the irregular arrangement pattern can be efficiently repeated. In addition, in this embodiment, although it implemented about the isolated recessed pattern, it is not limited to this. For example,
The same effect can be realized with the above-mentioned linear pattern and the like.
【００５１】図４［１］は、本発明に係る反射型液晶表
示装置の第三実施形態を示す断面図である。以下、この
図面に基づき説明する。FIG. 4 [1] is a sectional view showing a third embodiment of the reflection type liquid crystal display device according to the present invention. Hereinafter, description will be given with reference to this drawing.
【００５２】本実施形態では、凸部形成後に熱処理を施
して、凹凸形状を変化させることで、滑らかな凸部６６
としたものである。これにより、反射電極表面に形成さ
れる凹凸形状が、より滑らかとなることで、反射光学特
性が良好となる。なお、滑らかで連続した凸部を形成す
る方法は、本実施形態で述べた熱処理に限られるもので
はなく、例えば凸部の材料に対して溶融性又は膨潤性を
呈する溶液に、凸部を曝すようにしてもよい。In the present embodiment, heat treatment is applied after the formation of the protrusions to change the shape of the protrusions and recesses, so that the smooth protrusions 66 are formed.
It is what As a result, the concave-convex shape formed on the surface of the reflective electrode becomes smoother, and the reflective optical characteristics are improved. Note that the method for forming smooth and continuous convex portions is not limited to the heat treatment described in the present embodiment, and the convex portions are exposed to, for example, a solution exhibiting meltability or swelling property with respect to the material of the convex portions. You may do it.
【００５３】図４［２］は、本発明に係る反射型液晶表
示装置の第四実施形態を示す断面図である。以下、この
図面に基づき説明する。FIG. 4 [2] is a sectional view showing a fourth embodiment of the reflective liquid crystal display device according to the present invention. Hereinafter, description will be given with reference to this drawing.
【００５４】薄膜トランジスタ４０、配線６７、ソース
電極５３、ドレイン電極５４等を覆うように、絶縁層４
５，４９が形成されている。薄膜トランジスタ４０とコ
ンタクトホール５２を介して電気的に接続された反射電
極５１が、絶縁層４９を介して層間分離された構造とな
っている。絶縁層４５，４９は、保護膜としての機能を
備えている。また、絶縁層４５，４９は、薄膜トランジ
スタ４０に直接、接することで、薄膜トランジスタ４０
のパッシベーション膜として使用されている。なお、絶
縁層４５，４９と薄膜トランジスタ４０との間に、従来
から薄膜トランジスタの保護膜として用いられている、
シリコン窒化膜（ＳｉＮ）又はシリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ）を挿入してもよい。The insulating layer 4 covers the thin film transistor 40, the wiring 67, the source electrode 53, the drain electrode 54 and the like.
5, 49 are formed. The reflective electrode 51, which is electrically connected to the thin film transistor 40 through the contact hole 52, has a structure in which an interlayer is separated through an insulating layer 49. The insulating layers 45 and 49 have a function as a protective film. Further, the insulating layers 45 and 49 are in direct contact with the thin film transistor 40, so that the thin film transistor 40
Is used as a passivation film. In addition, between the insulating layers 45 and 49 and the thin film transistor 40, it is conventionally used as a protective film of the thin film transistor.
Silicon nitride film (SiN) or silicon oxide film (Si
O) may be inserted.
【００５５】図５は、本発明に係る反射型液晶表示装置
の第五実施形態を示す断面図である。以下、この図面に
基づき説明する。FIG. 5 is a sectional view showing a fifth embodiment of the reflection type liquid crystal display device according to the present invention. Hereinafter, description will be given with reference to this drawing.
【００５６】図５［ａ］に示す従来構造では、反射電極
５１と配線６７との間の間隔が小さいため、両者の間で
発生する寄生容量が大きい。これに対して、図５［ｂ］
に示す本実施形態の場合、絶縁層４５，４９のいずれか
一方又は両方が、配線６７（ドレイン配線及びゲート配
線のいずれか一方又はその両方）上を覆うように配置さ
れている。すなわち、反射電極５１と配線６７との間に
位置する絶縁膜に、絶縁層４５，４９を使えることか
ら、１〜５μｍ程度の厚さにできる。これにより、反射
電極５１と配線６７との間で発生する寄生容量を小さく
することができるので、反射型液晶表示装置のクロスト
ーク等の発生を抑制できる。In the conventional structure shown in FIG. 5A, since the distance between the reflective electrode 51 and the wiring 67 is small, the parasitic capacitance generated between them is large. On the other hand, FIG. 5 [b]
In the case of the present embodiment shown in FIG. 3, either or both of the insulating layers 45 and 49 are arranged so as to cover the wiring 67 (either or both of the drain wiring and the gate wiring). That is, since the insulating layers 45 and 49 can be used for the insulating film located between the reflective electrode 51 and the wiring 67, the thickness can be about 1 to 5 μm. Thereby, the parasitic capacitance generated between the reflective electrode 51 and the wiring 67 can be reduced, so that the occurrence of crosstalk or the like in the reflective liquid crystal display device can be suppressed.
【００５７】更に、図５［ｃ］に示すように、配線６７
と反射電極５１とをオーバラップさせることにより、１
画素当たりの反射電極５１の面積をより大きくできるの
で、明るい表示性能を実現できる。なお、絶縁層４５，
４９は、ゲート配線又はドレイン配線上に配置されるこ
とに限定されず、例えば薄膜トランジスタ又はその電極
上に配置されてもよい。Further, as shown in FIG. 5C, wiring 67
By overlapping the reflective electrode 51 with the reflective electrode 51,
Since the area of the reflective electrode 51 per pixel can be increased, bright display performance can be realized. The insulating layer 45,
49 is not limited to being arranged on the gate wiring or the drain wiring, and may be arranged on the thin film transistor or its electrode, for example.
【００５８】図６は、本発明に係る反射型液晶表示装置
の第六実施形態を示す断面図である。以下、この図面に
基づき説明する。FIG. 6 is a sectional view showing a sixth embodiment of the reflection type liquid crystal display device according to the present invention. Hereinafter, description will be given with reference to this drawing.
【００５９】第二の絶縁層８１は、絶縁性能を有するも
のであれば有機系樹脂又は無機系樹脂でもよく、さらに
透明性、着色性、光吸収性を有していてもよい。特に、
絶縁層８１が光吸収性を有する場合、隣接する反射電極
５１間から入射する光８０を完全に絶縁層８１で吸収で
きる。これにより、薄膜トランジスタ４０への光入射を
防ぐことができることにより、薄膜トランジスタ４０特
性の光オフリークを防止できるため、良好なスイッチン
グ特性を有する反射型液晶表示装置を実現できる。The second insulating layer 81 may be an organic resin or an inorganic resin as long as it has an insulating property, and may have transparency, colorability and light absorption. In particular,
When the insulating layer 81 has a light absorbing property, the light 80 incident from between the adjacent reflective electrodes 51 can be completely absorbed by the insulating layer 81. As a result, light can be prevented from entering the thin film transistor 40, and light off-leakage that is characteristic of the thin film transistor 40 can be prevented, so that a reflective liquid crystal display device having good switching characteristics can be realized.
【００６０】このときの光吸収性を有する絶縁層８１
は、凹凸構造を形成する絶縁膜に用いればよく、光が薄
膜トランジスタ４０へ照射されることを防ぐように配置
されていれば同様な効果が得られることから、図示の位
置に特に限定されるものではない。Insulating layer 81 having a light absorbing property at this time
Can be used for the insulating film that forms the concavo-convex structure, and similar effects can be obtained if the thin film transistor 40 is arranged so as not to be irradiated with light. is not.
【００６１】ただし、反射電極５１下に形成される滑ら
かな凹凸膜に感光性の光吸収層を用いれば、プロセスの
簡略化が図れる。これらの材料として、東京応化工業株
式会社製の商品名「ブラックレジスト」、「ＣＦＰ
Ｒ」、「ＢＫ−７４８Ｓ」、「ＢＫ−４３０Ｓ」等を使
用すれば、良好な光吸収層の形成、及び良好な凹凸構造
の形成ができる。また、その他のブラック樹脂材料とし
ても同様の効果が得られる。さらに、光吸収層として
は、光吸収性、光反射性の膜でもよく、金属材料、又は
光を透過しない絶縁物若しくは無機化合膜でもよい。However, if the photosensitive light absorbing layer is used for the smooth uneven film formed under the reflection electrode 51, the process can be simplified. As these materials, trade names “black resist” and “CFP” manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. are used.
By using “R”, “BK-748S”, “BK-430S” or the like, it is possible to form a good light absorbing layer and a good uneven structure. Similar effects can be obtained with other black resin materials. Further, the light absorbing layer may be a light absorbing or light reflecting film, a metal material, or an insulator or an inorganic compound film that does not transmit light.
【００６２】図７及び図８は、本発明に係る反射型液晶
表示装置の製造方法の第一実施形態を示す断面図であ
る。以下、これらの図面に基づき説明する。7 and 8 are sectional views showing a first embodiment of a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to the present invention. Hereinafter, description will be given with reference to these drawings.
【００６３】これらの図は、スイッチング素子基板側の
製造工程を示している。なお、本実施形態では、スイッ
チング素子として逆スタガー構造の薄膜トランジスタを
使用している。These figures show the manufacturing process on the switching element substrate side. In this embodiment, a thin film transistor having an inverted stagger structure is used as the switching element.
【００６４】本実施形態におけるＴＦＴ基板の製造工程
は、［ａ］電極材の形成、［ｂ］ゲート電極９０の形
成、［ｃ］ゲート絶縁膜９１、半導体層９２、ドーピン
グ層９３の形成、［ｄ］アイランド９４の形成、［ｅ］
電極材の形成、［ｆ］ソース電極９５、ドレイン電極９
６の形成、［ｇ］第一の絶縁層９７の形成、［ｈ］凸部
９８の形成、［ｉ］表面形状変換プロセス処理、［ｊ］
第二の絶縁層９９の形成、［ｋ］コンタクトホール１０
０の形成、［ｌ］反射電極１０１の形成からなる。In the manufacturing process of the TFT substrate in this embodiment, [a] electrode material formation, [b] gate electrode 90 formation, [c] gate insulation film 91, semiconductor layer 92, doping layer 93 formation, d] Formation of island 94, [e]
Formation of electrode material, [f] source electrode 95, drain electrode 9
6, formation of [g] first insulating layer 97, formation of [h] convex portion 98, [i] surface shape conversion process treatment, [j]
Formation of second insulating layer 99, [k] contact hole 10
0, and the [l] reflective electrode 101 is formed.
【００６５】更に、工程［ｈ］は、絶縁層９７上への
（１）レジスト形成、（２）凹凸用レジストパターン形
成、（３）凸部９８形成、（４）レジスト剥離、の各工
程処理からなる。このときの凸部９８の段差は、工程
［ｇ］における絶縁層９７の膜厚で制御できる。それゆ
え、凹凸段差は、所望とする反射板光学特性に必要な高
さにより決定すればよく、０．４〜５μｍの範囲であれ
ば良好な反射光学特性が得られる。Further, in the process [h], each process of (1) resist formation on the insulating layer 97, (2) concave / convex resist pattern formation, (3) convex portion 98 formation, (4) resist peeling is performed. Consists of. The step of the convex portion 98 at this time can be controlled by the film thickness of the insulating layer 97 in the step [g]. Therefore, the unevenness may be determined by the height required for the desired reflection plate optical characteristics, and good reflection optical characteristics can be obtained in the range of 0.4 to 5 μm.
【００６６】また、工程［ｉ］の表面形状変換プロセス
処理では、１５０〜３００℃程度の熱処理を行うこと
で、パターン形成後の凸部９８表面をメルトさせ、滑ら
かな形状に変換させる。なお、表面形状変換プロセス処
理では熱処理に限定されず、その他の処理、例えば、薬
品による溶融処理等を用いてもよい。In the surface shape conversion process of step [i], heat treatment at about 150 to 300 ° C. is performed to melt the surface of the convex portion 98 after pattern formation and convert it to a smooth shape. The surface shape conversion process treatment is not limited to the heat treatment, and other treatments such as melting treatment with a chemical may be used.
【００６７】また、反射電極１０１としては、高効率金
属であるＡｌ材を用いたが、銀材、又は銀合金を用いれ
ば、更に高い反射効率が得られるため、明るい反射性能
が実現できる。なお、スイッチング素子としては、順ス
タガー構造薄膜トランジスタ又はＭＩＭダイオード等を
用いてもよい。また、逆スタガー構造薄膜トランジスタ
においても本実施形態で示した構造に限定されるもので
はなく、これ以外の構造を有したものでもよい。また、
スイッチング素子を有する下部側基板と対向側基板にガ
ラス基板を使用したが、これに限定されず、これ以外の
基板、例えばプラスチック基板、セラミクス基板、半導
体基板等でもよい。Further, although the Al material, which is a high efficiency metal, is used for the reflecting electrode 101, if a silver material or a silver alloy is used, a higher reflecting efficiency can be obtained, so that a bright reflecting performance can be realized. As the switching element, a forward staggered thin film transistor, an MIM diode, or the like may be used. Further, the inverted staggered thin film transistor is not limited to the structure shown in this embodiment and may have a structure other than this. Also,
Although glass substrates are used for the lower side substrate having the switching element and the opposite side substrate, the present invention is not limited to this, and other substrates such as a plastic substrate, a ceramics substrate, and a semiconductor substrate may be used.
【００６８】次に、本発明に係る反射型液晶表示装置の
製造方法の第二実施形態を説明する。Next, a second embodiment of the method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device according to the present invention will be described.
【００６９】本実施形態では、第一及び第二の絶縁層に
感光性能を有している材料を用いたことによりレジスト
プロセスが不要になる点を除き、図７及び図８の第一実
施形態と同一である。In this embodiment, the first and second embodiments shown in FIGS. 7 and 8 are used, except that the resist process is not required because the materials having photosensitivity are used for the first and second insulating layers. Is the same as
【００７０】本実施の形態において、第一の絶縁層９７
に感光性樹脂を用いることで、凸部９８の形成を行うに
あたり、感光性樹脂を直接、露光、現像によりパターン
加工ができることから、レジスト塗布、剥離工程を簡略
化できる。更に、第二の絶縁層９９に感光性樹脂を用い
ることで、コンタクトホール１００の形成を行うにあた
り、同様にパターン形成工程の簡略化できる。それゆ
え、図７及び図８の第一実施形態に示した製造工程数よ
りも大幅な短縮化ができ、その結果、反射型液晶表示装
置を低コストで提供することができる。In this embodiment, the first insulating layer 97
By using a photosensitive resin for forming the convex portions 98, the photosensitive resin can be directly subjected to patterning by exposure and development, so that the resist coating and peeling steps can be simplified. Further, by using a photosensitive resin for the second insulating layer 99, when forming the contact hole 100, the pattern forming process can be similarly simplified. Therefore, the number of manufacturing steps can be significantly shortened compared to the first embodiment shown in FIGS. 7 and 8, and as a result, the reflective liquid crystal display device can be provided at low cost.
【００７１】[0071]
【実施例】（実施例１）図９及び図１０は、本発明に係
る反射型液晶表示装置の実施例１を示す断面図である。
以下、これらの図面に基づき説明する。(Embodiment 1) FIGS. 9 and 10 are sectional views showing Embodiment 1 of a reflective liquid crystal display device according to the present invention.
Hereinafter, description will be given with reference to these drawings.
【００７２】本実施例では、スイッチング素子として順
スタガー構造の薄膜トランジスタを採用した。本実施例
の反射型液晶表示装置製造は、以下の工程に従って製造
される。［ａ］ガラス基板上にＣｒをスパッタリング法
により５０ｎｍ形成。［ｂ］ソース電極２００、ドレイ
ン電極２０１の形成（１ＰＲ）。ＰＲとは、フォトレジ
ストの略である。［ｃ］ドーピング層２０２を１００ｎ
ｍ、半導体層２０３を１００ｎｍ、絶縁膜２０４を５０
ｎｍ、プラズマＣＶＤにより成膜。［ｄ］アイランド２
０５形成（２ＰＲ）。［ｅ］ゲート絶縁膜２０４を３５
０ｎｍプラズマＣＶＤにより成膜。［ｆ］Ｃｒ２０６を
スパッタリング法により５０ｎｍ形成。［ｇ］ゲート電
極２０７の形成。［ｈ］第１の有機絶縁膜２０８（３μ
ｍ）の形成。［ｉ］凸部２０９のパターン形成（３Ｐ
Ｒ）。［ｊ］第２の有機絶縁膜２１０（１μｍ）の形
成。［ｋ］コンタクトホール２１１の形成（４ＰＲ）。
［ｌ］アルミニウムをスパッタリング法により３００ｎ
ｍ形成。［ｍ］反射画素電極板２１２の形成（５Ｐ
Ｒ）。In this embodiment, a thin film transistor having a forward stagger structure is used as the switching element. The reflective liquid crystal display device of this embodiment is manufactured according to the following steps. [A] Cr is formed to 50 nm on a glass substrate by a sputtering method. [B] Formation of source electrode 200 and drain electrode 201 (1PR). PR is an abbreviation for photoresist. [C] 100 n of doping layer 202
m, the semiconductor layer 203 is 100 nm, and the insulating film 204 is 50 nm.
nm, formed by plasma CVD. [D] Island 2
05 formation (2PR). [E] 35 as the gate insulating film 204
Deposition by 0 nm plasma CVD. [F] Cr206 is formed to a thickness of 50 nm by a sputtering method. [G] Formation of gate electrode 207. [H] First organic insulating film 208 (3 μm
m) formation. [I] Patterning of convex portion 209 (3P
R). [J] Formation of second organic insulating film 210 (1 μm). [K] Formation of contact hole 211 (4PR).
[L] Aluminum is sputtered to 300 n
m formation. [M] Formation of reflective pixel electrode plate 212 (5P
R).
【００７３】なお、工程［ｃ］において、本実施例で使
用したゲート絶縁膜にはシリコン窒化膜、半導体層には
アモルファスシリコン膜、ドーピング層にはｎ型化アモ
ルファスシリコン膜を使用した。これらのプラズマＣＶ
Ｄ条件は、以下に示すように設定した。シリコン酸化膜
の場合、反応ガスにシランと酸素ガスを用い、ガス流量
比（シラン／酸素）０．１〜０．５程度、成膜温度２０
０〜３００℃、圧力１３３Ｐａ、プラズマパワー２００
Ｗとした。シリコン窒化膜の場合、反応ガスにシランと
アンモニアガスを用い、ガス流量比（シラン／アンモニ
ア）０．１〜０．８、成膜温度２５０℃、圧力１３３Ｐ
ａ、プラズマパワー２００Ｗとした。アモルファスシリ
コン膜の場合、反応ガスにシランと水素ガスを用い、ガ
ス流量比（シラン／水素）０．２５〜２、成膜温度２０
０〜２５０℃、圧力１３３Ｐａ、プラズマパワー５０Ｗ
とした。ｎ型化アモルファスシリコン膜の場合、反応ガ
スにシランとホスフィンを用い、ガス流量比（シラン／
フォスフィン）１〜２、成膜温度２００〜２５０℃、圧
力１３３Ｐａ、プラズマパワー５０Ｗとした。In the step [c], a silicon nitride film was used for the gate insulating film, an amorphous silicon film was used for the semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon film was used for the doping layer. These plasma CV
The D condition was set as shown below. In the case of a silicon oxide film, silane and oxygen gas are used as reaction gases, the gas flow rate ratio (silane / oxygen) is about 0.1 to 0.5, and the film forming temperature is 20.
0 ~ 300 ℃, pressure 133Pa, plasma power 200
W. In the case of a silicon nitride film, silane and ammonia gas are used as reaction gases, a gas flow rate ratio (silane / ammonia) of 0.1 to 0.8, a film forming temperature of 250 ° C., a pressure of 133P.
a, plasma power was 200W. In the case of an amorphous silicon film, silane and hydrogen gas are used as reaction gases, the gas flow rate ratio (silane / hydrogen) is 0.25 to 2, and the film formation temperature is 20.
0 ~ 250 ℃, pressure 133Pa, plasma power 50W
And In the case of the n-type amorphous silicon film, silane and phosphine are used as the reaction gas, and the gas flow rate ratio (silane /
Phosphine) 1-2, film formation temperature 200-250 ° C., pressure 133 Pa, and plasma power 50 W.
【００７４】また、工程［ｄ］のアイランド形成では、
シリコン窒化膜及びアモルファスシリコン層には、ドラ
イエッチングを採用した。工程［ｇ］のゲート電極の形
成の際、Ｃｒ層のエッチングには、過塩化水素酸と硝酸
第２セリウムアンモニウムの混合水溶液を用いた。ま
た、シリコン窒化膜のエッチングには、エッチングガス
に四塩化フッ素と酸素ガスを用い、反応圧力０．６６５
〜３９．９Ｐａ、プラズマパワー１００〜３００Ｗとし
た。また、アモルファスシリコン層のエッチングには、
塩素と水素ガスを用い、反応圧力０．６６５〜３９．９
Ｐａ、プラズマパワー５０〜２００Ｗとした。また、フ
ォトリソ工程では、全て通常のレジストプロセスを用い
た。In the step [d] island formation,
Dry etching was adopted for the silicon nitride film and the amorphous silicon layer. When forming the gate electrode in the step [g], a mixed aqueous solution of perhydrochloric acid and ceric ammonium nitrate was used for etching the Cr layer. Further, in etching the silicon nitride film, fluorine tetrachloride and oxygen gas are used as etching gas, and the reaction pressure is 0.665.
˜39.9 Pa and plasma power 100˜300 W. Also, for etching the amorphous silicon layer,
Using chlorine and hydrogen gas, reaction pressure 0.665 to 39.9
Pa and plasma power were 50 to 200 W. In addition, in the photolithography process, a usual resist process was used.
【００７５】本実施例においては、ソース電極及びドレ
イン電極にＣｒ、ゲート電極にＣｒ金属を用いたが、各
電極材料はこれらに限定されない。これ以外の電極材と
して、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴ
Ｏ、ＺｎＯ、ＳｎＯ等の単層膜、又はこれらの電極の組
み合わせによる積層膜を採用してもよい。In this embodiment, Cr is used for the source electrode and the drain electrode and Cr metal is used for the gate electrode, but the material for each electrode is not limited to these. Other electrode materials include Ti, W, Mo, Ta, Cu, Al, Ag, and IT.
A single layer film of O, ZnO, SnO or the like, or a laminated film formed by combining these electrodes may be adopted.
【００７６】本実施例では、反射板下部に形成される凹
凸は、工程［ｉ］［ｊ］で作り込まれる。このときの形
成方法を示す。In this embodiment, the unevenness formed on the lower part of the reflector is formed in the steps [i] [j]. A forming method at this time will be described.
【００７７】工程［ｈ］で形成した第一の有機絶縁膜２
０８上に、レジスト膜２μｍを形成し、露光及び現像プ
ロセスにより、連続した線状のパターンが不規則に配置
されたレジストパターンを形成する。続いて、有機絶縁
膜２０８をエッチング処理し、レジスト剥離することに
より凸部２０９を形成できる。図１１に、パネル表示領
域のパターン、及びその拡大図を示す。図１１におい
て、符号２１５は連続した線状の凸部、符号２１６は孤
立した凹部である。First organic insulating film 2 formed in step [h]
A resist film of 2 μm is formed on 08, and a resist pattern in which continuous linear patterns are irregularly arranged is formed by an exposure and development process. Then, the organic insulating film 208 is etched and the resist is peeled off, whereby the convex portion 209 can be formed. FIG. 11 shows a pattern of the panel display area and its enlarged view. In FIG. 11, reference numeral 215 is a continuous linear convex portion, and reference numeral 216 is an isolated concave portion.
【００７８】工程［ｈ］の有機系絶縁膜２０８には、本
実施例の場合、ポリイミド膜（日産化学工業株式会社製
の商品名「ＲＮ−８１２」）を使用した。塗布条件は、
スピン回転数１２００ｒｐｍ、仮焼成温度９０℃かつ仮
焼成時間１０分間とし、本焼成温度２５０℃かつ本焼成
時間１時間とした。一方、このパターン形成に使用した
前記レジストの場合、スピン回転数１０００ｒｐｍ、仮
焼成温度９０℃かつ仮焼成５分間、その後、露光、現像
によりパターン形成後、ポストベーク９０℃かつ３０分
間処理した。該レジストパターンをマスク層として行っ
た該ポリイミド膜のドライエッチング条件は、エッチン
グガスに四塩化フッ素と酸素ガスを用い、ガス流量比
（四塩化フッ素／酸素）０．５〜１．５、反応圧力０．
６６５〜３９．９Ｐａ、プラズマパワー１００〜３００
Ｗとした。なお、フォトリソ工程は、全て通常のレジス
トプロセスを用いた。For the organic insulating film 208 in the step [h], a polyimide film (trade name “RN-812” manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was used in this example. The coating conditions are
The spin speed was 1200 rpm, the calcination temperature was 90 ° C., the calcination time was 10 minutes, and the main calcination temperature was 250 ° C. and the main calcination time was 1 hour. On the other hand, in the case of the resist used for this pattern formation, the spin rotation speed was 1000 rpm, the calcination temperature was 90 ° C. and the calcination was 5 minutes, after which the pattern was formed by exposure and development, and post-baking was performed at 90 ° C. for 30 minutes. The dry etching conditions of the polyimide film performed using the resist pattern as a mask layer are as follows: fluorine tetrachloride and oxygen gas are used as etching gas, gas flow ratio (fluorine tetrachloride / oxygen) 0.5 to 1.5, reaction pressure 0.
665 to 39.9 Pa, plasma power 100 to 300
W. In addition, all the photolithography processes used the normal resist process.
【００７９】工程［ｋ］のコンタクトホール２１１形成
においては、レジストプロセスを用いて、パターン形成
を行った。なお、このとき、コンタクトホール２１１形
成のために、第２の有機絶縁膜２１０であるポリイミド
膜とゲート絶縁膜２０４であるシリコン窒化膜とを、ド
ライエッチングプロセスによりエッチングした。In forming the contact hole 211 in step [k], pattern formation was performed using a resist process. At this time, in order to form the contact hole 211, the polyimide film as the second organic insulating film 210 and the silicon nitride film as the gate insulating film 204 were etched by a dry etching process.
【００８０】また、第１の有機絶縁膜２０８と第２の有
機絶縁膜２１０に同一の有機樹脂材料を用いたが、異な
る材料を用いても同様に凹凸絶縁層を形成できる。第１
の有機絶縁膜と第２の有機絶縁膜に、アクリル樹脂とポ
リイミド樹脂、シリコン窒化膜とアクリル樹脂、シリコ
ン酸化膜とポリイミド樹脂などの、無機系樹脂と有機系
樹脂の組み合わせ、又はその逆の組み合わせを用いても
実現できた。Further, although the same organic resin material is used for the first organic insulating film 208 and the second organic insulating film 210, the uneven insulating layer can be similarly formed by using different materials. First
Of the organic insulating film and the second organic insulating film, such as acrylic resin and polyimide resin, silicon nitride film and acrylic resin, silicon oxide film and polyimide resin, a combination of inorganic resin and organic resin, or vice versa. Could be realized by using.
【００８１】本実施例では、その後、反射効率の高く、
ＴＦＴプロセスとの整合性がよいアルミニウム金属を形
成し、これをパターン形成することで、画素電極兼反射
板としての反射電極２１２を形成した。このときのアル
ミニウムにはウェットエッチング処理を行い、エッチン
グ液には６０℃に加熱したリン酸、酢酸及び硝酸からな
る混合液を使用した。In this embodiment, thereafter, the reflection efficiency is high,
An aluminum metal having good compatibility with the TFT process was formed and patterned to form a reflective electrode 212 serving as a pixel electrode and a reflective plate. At this time, the aluminum was wet-etched, and the etching solution used was a mixed solution of phosphoric acid, acetic acid, and nitric acid heated to 60 ° C.
【００８２】なお、反射電極２１２表面の凹凸最大段差
は１μｍ程度で、凹凸の平面形状はランダムな形状にな
っている。その後、上記ＴＦＴ基板と、透明導電膜のＩ
ＴＯで形成された透明電極を有する対向基板とを、各々
の膜面が対向するようにして重ね合わせた。なお、ＴＦ
Ｔ基板及び対向基板は、配向処理が施され、プラスチッ
ク粒子等のスペーサを介して、パネル周辺部にエポキシ
系の接着剤を塗ることにより張り合わされた。その後液
晶を注入し液晶層とすることで、反射型液晶表示装置を
製造した。The maximum unevenness of the surface of the reflective electrode 212 is about 1 μm, and the unevenness has a random planar shape. After that, the TFT substrate and the transparent conductive film I
A counter substrate having a transparent electrode formed of TO was superposed so that the respective film surfaces face each other. In addition, TF
The T substrate and the counter substrate were subjected to an alignment treatment, and laminated by applying an epoxy adhesive to the peripheral portion of the panel via a spacer such as plastic particles. After that, a liquid crystal was injected to form a liquid crystal layer to manufacture a reflective liquid crystal display device.
【００８３】反射電極２１２は、凸部２０９の剥れもな
いことから、均一で、光散乱性のよい反射性能を有して
いる。したがって、反射電極２１２を用いた反射型液晶
表示装置の表示性能は、新聞紙よりも明るい白表示を有
するモノクロ反射型パネルを実現することができた。ま
た、対向基板側に、ＲＧＢカラーフィルタを設置した場
合、明るいカラー反射型パネルを実現した。Since the convex portion 209 is not peeled off, the reflective electrode 212 has a uniform and good light scattering property. Therefore, as for the display performance of the reflective liquid crystal display device using the reflective electrode 212, it was possible to realize a monochrome reflective panel having a white display brighter than newspaper. Further, when an RGB color filter is installed on the counter substrate side, a bright color reflective panel is realized.
【００８４】また、本実施例の凹凸の高低差（凸部２０
９の高さ）は、上記に限定されるものではない。該凹凸
の高低差は、広い範囲で変えることができるため、本発
明の凹凸構造を用いることで、反射板性能の指向性を大
きく変えた反射型液晶表示装置を提供できる。Further, the difference in height of the unevenness of the present embodiment (the convex portion 20
The height of 9) is not limited to the above. Since the height difference of the unevenness can be changed in a wide range, by using the unevenness structure of the present invention, it is possible to provide a reflective liquid crystal display device in which the directivity of the performance of the reflector is greatly changed.
【００８５】また、本実施例では、第１の有機絶縁膜２
０８に形成されるパターンに線状パターンが用いられた
が、これに限定されない。図１２に示す孤立した凹部の
パターンを用いても、同様の表示性能を有する反射型液
晶表示装置が実現できた。Further, in this embodiment, the first organic insulating film 2
Although a linear pattern is used as the pattern formed in No. 08, it is not limited to this. A reflective liquid crystal display device having similar display performance could be realized by using the pattern of isolated recesses shown in FIG.
【００８６】（実施例２）図１３及び図１４は、本発明
に係る反射型液晶表示装置の実施例２を示す断面図であ
る。以下、これらの図面に基づき説明する。(Embodiment 2) FIGS. 13 and 14 are sectional views showing Embodiment 2 of the reflection type liquid crystal display device according to the present invention. Hereinafter, description will be given with reference to these drawings.
【００８７】本実施例におけるスイッチング素子には逆
スタガー構造の薄膜トランジスタを採用した。本実施例
の反射型液晶表示装置製造は、以下の工程に従って製造
される。［ａ］ガラス基板２３０の上に、Ｃｒをスパッ
タリング法により５０ｎｍ形成。［ｂ］ゲート電極２３
１の形成（１ＰＲ）。［ｃ］ゲート絶縁膜２３２を４０
０ｎｍ、半導体層２３３を１００ｎｍ、ドーピング層２
３４を１００ｎｍ、プラズマＣＶＤにより成膜。［ｄ］
アイランド形成２３５（２ＰＲ目）［ｅ］Ｃｒ、ＩＴＯ
層をスパッタリング法によりそれぞれ５０ｎｍ形成。
［ｆ］ソース電極２３６、ドレイン電極２３７の形成
（３ＰＲ目）。［ｇ］第１の有機絶縁膜２３８（３μ
ｍ）の形成。［ｈ］凸部２３９の形成（４ＰＲ）。
［ｉ］第２の有機絶縁膜２４０（１μｍ）の形成。
［ｊ］コンタクトホール２４１の形成（５ＰＲ）。
［ｋ］アルミニウム２４２をスパッタリング法により３
００ｎｍ形成。［ｌ］反射電極２４３の形成（６ＰＲ
目）。［ｍ］ゲート線端子だし（７ＰＲ目）。A thin film transistor having an inverted stagger structure is used as the switching element in this embodiment. The reflective liquid crystal display device of this embodiment is manufactured according to the following steps. [A] Cr is formed to 50 nm on the glass substrate 230 by a sputtering method. [B] Gate electrode 23
Formation of 1 (1 PR). [C] 40 for the gate insulating film 232.
0 nm, the semiconductor layer 233 is 100 nm, the doping layer 2
34 is deposited to 100 nm by plasma CVD. [D]
Island formation 235 (second PR) [e] Cr, ITO
Each layer is formed to a thickness of 50 nm by a sputtering method.
[F] Formation of source electrode 236 and drain electrode 237 (3rd PR). [G] First organic insulating film 238 (3 μm
m) formation. [H] Formation of convex portion 239 (4PR).
[I] Formation of second organic insulating film 240 (1 μm).
[J] Formation of contact hole 241 (5PR).
[K] Aluminum 242 is formed by sputtering method 3
00 nm formation. [L] Formation of reflective electrode 243 (6PR
Eye). [M] Gate line terminal (7th PR).
【００８８】本実施例における凸部２３９は、工程
［ｈ］で形成される。このときの形成方法は実施例１と
同一条件とした。本実施例においては、トランジスタ構
造に逆スタガー構造を採用したため、実施例１に対して
工程数が増加している。The convex portion 239 in this embodiment is formed in the step [h]. The forming method at this time was the same as that in Example 1. In this embodiment, the number of steps is increased as compared with the first embodiment because the reverse stagger structure is adopted as the transistor structure.
【００８９】なお、本実施例における反射電極２４３の
開口率は、８６％で製造した。その後、上記ＴＦＴ基板
と、透明導電膜のＩＴＯで形成された透明電極を有する
対向基板とを、各々の膜面が対向するようにして重ね合
わせた。なお、ＴＦＴ基板と対向基板とにはそれぞれ配
向処理が施され、両基板はプラスチック粒子等のスペー
サを介して、パネル周辺部にエポキシ系の接着剤を塗る
ことにより、張り合わされた。その後、液晶を注入する
ことで、反射型液晶表示装置を製造した。The aperture ratio of the reflective electrode 243 in this example was 86%. After that, the TFT substrate and the counter substrate having a transparent electrode made of a transparent conductive film of ITO were laminated so that their respective film surfaces face each other. The TFT substrate and the counter substrate were each subjected to an alignment treatment, and the two substrates were bonded together by applying an epoxy adhesive to the peripheral portion of the panel via a spacer such as plastic particles. Then, by injecting liquid crystal, a reflective liquid crystal display device was manufactured.
【００９０】本実施例における反射型液晶表示装置の場
合においても、実施例１の場合と同様にスイッチング素
子にプロセスダメージを与えることがなく、これにより
良好な素子特性を得ることができ、且つ所望の凹凸反射
板構造を得ることができた。その結果、本実施例で製造
されたカラー反射型パネルは、明るい高品位表示を有し
た。Also in the case of the reflection type liquid crystal display device of the present embodiment, similar to the case of the first embodiment, the process damage is not given to the switching element, whereby good element characteristics can be obtained and desired. It was possible to obtain the uneven reflector structure. As a result, the color reflective panel manufactured in this example had a bright, high-quality display.
【００９１】（実施例３）図１５及び図１６は、本発明
に係る反射型液晶表示装置の実施例３を示す断面図であ
る。以下、これらの図面に基づき説明する。(Embodiment 3) FIGS. 15 and 16 are sectional views showing Embodiment 3 of the reflection type liquid crystal display device according to the present invention. Hereinafter, description will be given with reference to these drawings.
【００９２】本実施例の特徴は、反射電極下に位置する
凸部が滑らかな凹凸形状で形成されている点にある。本
実施例の製造方法では、反射電極下に位置する凹凸を滑
らかな形状に変換するプロセスが付加される以外は、実
施例１又は実施例２と全く同一である。つまり、実施例
１における工程［ｉ］又は実施例２における工程［ｈ］
の凹凸パターン形成後に、熱処理工程が加わる。The feature of this embodiment is that the convex portion located under the reflective electrode is formed in a smooth uneven shape. The manufacturing method of this embodiment is exactly the same as that of the first or second embodiment except that a process for converting the unevenness located under the reflective electrode into a smooth shape is added. That is, the step [i] in Example 1 or the step [h] in Example 2
After the uneven pattern is formed, a heat treatment step is added.
【００９３】本実施例では、凹凸形成後の熱処理工程と
して、窒素雰囲気中でオーブンにより２６０℃かつ１時
間の処理を行った。これにより、凹凸の傾斜角度は、熱
処理前に６０〜８０度程度であったものが、熱処理後１
０〜４０度程度まで変化した。得られた凹凸形状は、矩
形状からサインカーブ状の滑らかな凸部２５０に変換さ
れた。なお、本実施例における反射型液晶表示装置の場
合、凹凸表面の凹凸傾斜角度の平均値は８度程度となる
ように設定された。また、前記熱処理工程のベーク温度
を変化させることで、凹凸傾斜角度を制御できる。In this example, as the heat treatment process after the formation of the concavities and convexities, the treatment was carried out at 260 ° C. for 1 hour in an oven in a nitrogen atmosphere. Thereby, the inclination angle of the unevenness was about 60 to 80 degrees before the heat treatment,
It changed from 0 to 40 degrees. The obtained concavo-convex shape was converted from a rectangular shape into a sine curve-shaped smooth convex portion 250. In the case of the reflective liquid crystal display device in this example, the average value of the uneven inclination angle of the uneven surface was set to about 8 degrees. Further, the uneven inclination angle can be controlled by changing the baking temperature in the heat treatment step.
【００９４】また、最終的に反射電極表面に形成される
凹凸の高低差は、実施例１及び実施例２と同様に１μｍ
に設定した。ただし、凹凸の高低差を更に大きくするこ
とで、得られる反射電極の光学特性は散乱性の非常に強
いものが得られる。この場合、特に大きな画面サイズを
有するものに適用することで、パネル表示特性の明るさ
に対する視野依存性が小さいため、見やすい反射型液晶
表示装置を得ることができる。また、凹凸の高低差を小
さくすることで、反射電極の光学特性は指向性の強いも
のが得られる。この場合、比較的画面サイズの小さい携
帯情報機器用の反射型液晶表示装置に適用することで、
より明るい表示特性を実現できる。このように、使用目
的又はパネル表示面積に応じて、凹凸表面構造を自由に
制御できる。The level difference of the unevenness finally formed on the surface of the reflective electrode is 1 μm as in the first and second embodiments.
Set to. However, by further increasing the height difference of the concavities and convexities, the optical characteristics of the obtained reflective electrode can be very strong. In this case, by applying to a device having a particularly large screen size, the viewing characteristic dependency of the panel display characteristics on the brightness is small, so that a reflective liquid crystal display device that is easy to see can be obtained. Further, by reducing the height difference of the unevenness, it is possible to obtain the optical characteristics of the reflective electrode having a strong directivity. In this case, by applying to a reflective liquid crystal display device for portable information equipment with a relatively small screen size,
Brighter display characteristics can be realized. Thus, the uneven surface structure can be freely controlled according to the purpose of use or the panel display area.
【００９５】また、本実施例の絶縁膜は、その上に位置
する反射電極と、その下に位置するスイッチング素子と
の間にあることで、スイッチング素子の保護膜として機
能している。Further, the insulating film of this embodiment functions as a protective film for the switching element because it is located between the reflective electrode located thereabove and the switching element located below it.
【００９６】（実施例４）本実施例の特徴は、反射電極
下に位置する絶縁層に感光性能を有する有機系絶縁膜を
用いた点である。本実施例における反射型液晶表示装置
の製造プロセスは、反射電極下の絶縁層に感光性樹脂
（本実施例では感光性アクリル樹脂）が使用される以外
は、実施例１又は実施例２と全く同一である。すなわ
ち、異なる点は、実施例１では工程［ｈ］［ｊ］、実施
例２では工程［ｇ］［ｉ］において形成される絶縁層
に、感光性膜を使用するところにある。(Embodiment 4) The feature of this embodiment is that an organic insulating film having photosensitivity is used for the insulating layer located under the reflective electrode. The manufacturing process of the reflective liquid crystal display device in this example is exactly the same as that of Example 1 or Example 2 except that a photosensitive resin (photosensitive acrylic resin in this example) is used for the insulating layer below the reflective electrode. It is the same. That is, the difference is that a photosensitive film is used for the insulating layer formed in the process [h] [j] in the first embodiment and in the process [g] [i] in the second embodiment.
【００９７】感光性膜の工程を加えるだけで、凹凸形成
工程は、感光性膜の形成工程、感光成膜への直接露光工
程、エッチング現像工程、及び熱処理によるメルト工程
となる。これにより、実施例１、２、３で行われた凹凸
形成工程に比べて、レジスト塗布、レジスト現像、レジ
スト剥離工程の必要性が全くないことから、プロセスの
簡略化ができる。By only adding the step of forming the photosensitive film, the unevenness forming step becomes the step of forming the photosensitive film, the step of directly exposing the photosensitive film, the step of etching and developing, and the step of melting by heat treatment. As a result, there is no need for the resist coating, resist development, and resist stripping steps, as compared with the concavo-convex forming step performed in Examples 1, 2, and 3, so the process can be simplified.
【００９８】本実施例では、感光性材料として、感光性
アクリル樹脂を使用したが、これに限定されることはな
い。その他の感光性材料、例えば、感光性有機樹脂、感
光性無機膜等でも同様の効果が実現できた。なお、感光
性材料としては、東京応化工業株式会社製の商品名「Ｏ
ＦＰＲ８００」、シプレー社製の商品名「ＬＣ１００、
日本合成ゴム株式会社製の商品名「オプトマーシリー
ズ」、日産化学工業株式会社製の商品名「感光性ポリイ
ミド」等を使用しても同様の凹凸絶縁層が得られた。In this embodiment, a photosensitive acrylic resin is used as the photosensitive material, but the photosensitive material is not limited to this. Similar effects could be realized with other photosensitive materials such as a photosensitive organic resin and a photosensitive inorganic film. As the photosensitive material, the trade name "O" manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
FPR800 ", trade name" LC100, "manufactured by Shipley
The same concavo-convex insulating layer was obtained also by using the trade name "Optomer series" manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd., the trade name "Photosensitive Polyimide" manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., and the like.
【００９９】（実施例５）本実施例では、スイッチング
素子として逆スタガー構造の薄膜トランジスタを採用し
た。本実施例における基本製造プロセスは、第１の絶縁
層と第２の絶縁層とに感光性樹脂膜を用いる点、並びに
凸部及びコンタクトホールの形成の際にレジストプロセ
スが省かれる点以外は、図１５及び図１６と同じであ
る。本実施例の反射型液晶表示装置は、以下の工程に従
って製造される。(Embodiment 5) In this embodiment, an inverse stagger structure thin film transistor is used as a switching element. The basic manufacturing process in the present embodiment is different from the point that a photosensitive resin film is used for the first insulating layer and the second insulating layer, and that the resist process is omitted when forming the convex portion and the contact hole. This is the same as FIG. 15 and FIG. The reflective liquid crystal display device of this embodiment is manufactured according to the following steps.
【０１００】［ａ］ガラス基板上にＣｒをスパッタリン
グ法により５０ｎｍ形成。［ｂ］ゲート電極の形成（１
ＰＲ）。［ｃ］ゲート絶縁膜を４００ｎｍ、半導体層を
１００ｎｍ、ドーピング層を１００ｎｍ、それぞれプラ
ズマＣＶＤにより成膜。［ｄ］アイランド形成（２ＰＲ
目）。［ｅ］Ｃｒ、ＩＴＯ層をスパッタリング法により
それぞれ５０ｎｍ形成。［ｆ］ソース電極、ドレイン電
極、凹凸形成用電極の形成（３ＰＲ目）。［ｇ］感光性
アクリル樹脂（３μｍ）の形成。［ｈ］感光性アクリル
樹脂への凹凸パターン露光（４ＰＲ）。［ｉ］現像エッ
チング工程による凹凸の形成。［ｊ］感光性アクリル樹
脂へのコンタクトパターン露光（５ＰＲ）。［ｋ］現像
エッチング工程によるコンタクトの形成。［ｌ］アルミ
ニウムをスパッタリング法により３００ｎｍ形成。
［ｍ］反射画素電極板の形成（６ＰＲ目）。［ｎ］ゲー
ト線端子だし（７ＰＲ目）。[A] Cr was formed to 50 nm on a glass substrate by a sputtering method. [B] Formation of gate electrode (1
PR). [C] A gate insulating film having a thickness of 400 nm, a semiconductor layer having a thickness of 100 nm, and a doping layer having a thickness of 100 nm are formed by plasma CVD. [D] Island formation (2PR
Eye). [E] Cr and ITO layers are formed to a thickness of 50 nm by sputtering. [F] Formation of source electrode, drain electrode, and electrode for forming irregularities (3rd PR). [G] Formation of photosensitive acrylic resin (3 μm). [H] Convex pattern exposure (4PR) on the photosensitive acrylic resin. [I] Formation of irregularities by a development etching process. [J] Contact pattern exposure (5PR) on the photosensitive acrylic resin. [K] Formation of contacts by development etching process. [L] Aluminum is formed to a thickness of 300 nm by a sputtering method.
[M] Formation of reflective pixel electrode plate (6th PR). [N] Gate line terminal (7th PR).
【０１０１】その後、対向基板を重ね合わせることで反
射型液晶表示装置を製造した。得られた反射型液晶表示
装置は、明るい高品位カラー表示を実現することができ
た。After that, a reflective liquid crystal display device was manufactured by stacking opposite substrates. The obtained reflective liquid crystal display device was able to realize bright high-quality color display.
【０１０２】工程［ｈ］において、その凸部形成に使用
したパターンを図１７に示す。連続した線状パターンを
使用し、ゲート配線及びドレイン配線上を覆うように、
第１の絶縁層と第２の絶縁層とをパターン形成した。こ
れにより、反射電極と配線との間で発生する寄生容量を
小さくできるので、良好なパネル表示性能が得られた。
また、図１８に示す孤立した凹パターンを使用した場合
にも、同様の表示性能を有する反射型液晶表示装置が得
られた。なお、図１７及び図１８において、符号２１５
は連続した線状の凸部、符号２１６は孤立した凹部、符
号２６０は配線上の線状の凸部、符号２６１はゲート配
線上の線状の凸部、符号２６２はドレイン配線上の線状
の凸部である。FIG. 17 shows a pattern used for forming the convex portion in the step [h]. Use a continuous linear pattern to cover the gate wiring and drain wiring,
The first insulating layer and the second insulating layer were patterned. As a result, the parasitic capacitance generated between the reflective electrode and the wiring can be reduced, so that good panel display performance was obtained.
Also, when the isolated concave pattern shown in FIG. 18 was used, a reflective liquid crystal display device having similar display performance was obtained. 17 and 18, reference numeral 215
Is a continuous linear convex portion, reference numeral 216 is an isolated concave portion, reference numeral 260 is a linear convex portion on the wiring, reference numeral 261 is a linear convex portion on the gate wiring, and reference numeral 262 is a linear shape on the drain wiring. Is the convex part of.
【０１０３】なお、全図面において、同一部分には同一
符号を付すことにより重複説明を省略した。In all the drawings, the same parts are designated by the same reference numerals to omit redundant description.
【０１０４】[0104]
【発明の効果】本発明に係る反射型液晶表示装置及びそ
の製造方法によれば、反射電極下の絶縁膜の凸部全体が
網状に繋がっていることにより、全体の凸部のうちの一
部分で下地との密着力が弱まっても、その一部分が周囲
の凸部によって支持されるので、凸部の剥れを防止でき
る。According to the reflective liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the present invention, since the entire convex portion of the insulating film under the reflective electrode is connected in a net shape, a part of the entire convex portion is formed. Even if the adhesiveness to the base is weakened, a part of it is supported by the surrounding convex portions, so that the convex portions can be prevented from peeling off.
【０１０５】換言すると、第一の絶縁層に形成される凸
部は、孤立した凹部又は連続した線状の平面パターンで
構成されていることから、凸部と下地との接触面積を大
きくできるので、下地膜との密着性を向上できる。した
がって、膜剥れのない良好な凸部を実現できる。また、
この凸部の上に形成された反射電極を用いて製造される
反射型液晶表示装置は、均一で所望の反射光学特性を有
する高品位表示を実現することができる。In other words, since the convex portion formed on the first insulating layer is composed of an isolated concave portion or a continuous linear plane pattern, the contact area between the convex portion and the base can be increased. The adhesion with the base film can be improved. Therefore, it is possible to realize a good convex portion without film peeling. Also,
The reflective liquid crystal display device manufactured using the reflective electrode formed on the convex portion can realize high-quality display having uniform and desired reflective optical characteristics.
【図１】 本発明に係る反射型液晶表示装置の第一実施
形態を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a reflective liquid crystal display device according to the present invention.
【図２】 本実施形態の反射型液晶表示装置における一
画素分の第一の絶縁層を示す平面図であり、図２［１］
が第一例、図２［２］が第二例である。2 is a plan view showing a first insulating layer for one pixel in the reflective liquid crystal display device of the present embodiment, and FIG.
Is the first example, and FIG. 2 [2] is the second example.
【図３】 本発明に係る反射型液晶表示装置の第二実施
形態を示す説明図であり、図３［ａ］が第一例、図３
［ｂ］が第二例である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a second embodiment of a reflective liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 3 [a] being a first example and FIG.
[B] is a second example.
【図４】 本発明に係る反射型液晶表示装置の第三及び
第四実施形態を示す断面図であり、図４［１］は第三実
施形態、図４［２］は第四実施形態である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing third and fourth embodiments of a reflective liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 4 [1] shows the third embodiment, and FIG. 4 [2] shows the fourth embodiment. is there.
【図５】 本発明に係る反射型液晶表示装置の第五実施
形態を示す断面図であり、図５［ａ］は比較例、図５
［ｂ］は第一例、図５［ｃ］は第二例である。5 is a cross-sectional view showing a fifth embodiment of a reflective liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 5 [a] is a comparative example, and FIG.
[B] is a first example, and FIG. 5 [c] is a second example.
【図６】 本発明に係る反射型液晶表示装置の第六実施
形態を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a sixth embodiment of a reflective liquid crystal display device according to the present invention.
【図７】 本発明に係る反射型液晶表示装置の製造方法
の第一実施形態を示す断面図であり、図７［ａ］〜図７
［ｇ］の順に工程が進行する。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to the present invention, and FIGS.
The steps proceed in the order of [g].
【図８】 本発明に係る反射型液晶表示装置の製造方法
の第一実施形態を示す断面図であり、図８［ｈ］〜図８
［ｌ］の順に工程が進行する。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to the present invention, and FIGS.
The steps proceed in the order of [l].
【図９】 本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例１
を示す断面図であり、図９［ａ］〜図９［ｈ］の順に工
程が進行する。FIG. 9 is a first embodiment of a reflective liquid crystal display device according to the present invention.
9A to 9H, and the process proceeds in the order of FIGS. 9A to 9H.
【図１０】 本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例
１を示す断面図であり、図１０［ｉ］〜図１０［ｍ］の
順に工程が進行する。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a reflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and the process proceeds in the order of FIGS. 10 [i] to 10 [m].
【図１１】 実施例１における凸部のパターンの第一例
を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a first example of a pattern of convex portions in the first embodiment.
【図１２】 実施例１における凸部のパターンの第二例
を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing a second example of a pattern of a convex portion in the first embodiment.
【図１３】 本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例
２を示す断面図であり、図１３［ａ］〜図１３［ｇ］の
順に工程が進行する。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a reflective liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and the process proceeds in the order of FIGS. 13 [a] to 13 [g].
【図１４】 本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例
２を示す断面図であり、図１４［ｈ］〜図１４［ｌ］の
順に工程が進行する。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a reflective liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, in which the steps proceed in the order of FIGS. 14 [h] to 14 [l].
【図１５】 本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例
３を示す断面図であり、図１５［ａ］〜図１５［ｇ］の
順に工程が進行する。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a reflective liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, in which the steps proceed in the order of FIGS. 15 [a] to 15 [g].
【図１６】 本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例
２を示す断面図であり、図１６［ｈ］〜図１６［ｌ］の
順に工程が進行する。FIG. 16 is a cross-sectional view showing a reflective liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and the process proceeds in the order of FIGS. 16 [h] to 16 [l].
【図１７】 実施例５における凸部のパターンの第一例
を示す平面図である。FIG. 17 is a plan view showing a first example of a pattern of convex portions in the fifth embodiment.
【図１８】 実施例５における凸部のパターンの第二例
を示す平面図である。FIG. 18 is a plan view showing a second example of a pattern of convex portions in the fifth embodiment.
【図１９】 従来の反射型液晶表示装置を示す断面図で
ある。FIG. 19 is a cross-sectional view showing a conventional reflective liquid crystal display device.
【図２０】 従来の反射型液晶表示装置の製造方法を示
す断面図であり、図２０［ａ］〜図２０［ｆ］の順に工
程が進行する。FIG. 20 is a cross-sectional view showing a conventional method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, in which the steps proceed in the order of FIGS. 20 [a] to 20 [f].
【図２１】 従来の反射型液晶表示装置の製造方法を示
す断面図であり、図２１［ｇ］〜図２１［ｊ］の順に工
程が進行する。FIG. 21 is a cross-sectional view showing the conventional method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, in which the steps proceed in the order of FIG. 21 [g] to FIG. 21 [j].
【図２２】 従来の反射型液晶表示装置における凸部の
パターンを示す平面図である。FIG. 22 is a plan view showing a pattern of convex portions in a conventional reflective liquid crystal display device.
４４ 絶縁膜 ４５ 絶縁層 ４６ 凹部 ４７ 凸部 ４９ 第二の絶縁層 ５０ 凹凸構造 ５１ 反射電極 ５８１ ガラス基板（第一の基板） ５８２ ガラス基板（第二の基板） ６０ 透明電極 ６１ 液晶層 44 insulating film 45 insulating layer 46 recess 47 convex 49 Second insulating layer 50 uneven structure 51 reflective electrode 581 glass substrate (first substrate) 582 glass substrate (second substrate) 60 transparent electrode 61 liquid crystal layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 照晃 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 吉川 周憲 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA16Y FC10 FC26 FC29 FC30 FD04 FD13 FD23 GA13 LA03 LA11 LA12 LA18 2H092 HA05 JA26 KA05 MA12 MA35 MA37 NA01 NA25 NA27 PA12 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Teruaki Suzuki 5-7 Shiba 5-1, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation Inside the company (72) Inventor Shuken Yoshikawa 5-7 Shiba 5-1, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation Inside the company F term (reference) 2H091 FA16Y FC10 FC26 FC29 FC30 FD04 FD13 FD23 GA13 LA03 LA11 LA12 LA18 2H092 HA05 JA26 KA05 MA12 MA35 MA37 NA01 NA25 NA27 PA12
Claims (13)
に設けられた透明電極と、第二の基板と、この第二の基
板上に設けられるとともに表面に凹凸構造が形成された
絶縁膜と、この絶縁膜上に前記凹凸構造を反映させた形
状で設けられた反射電極と、前記第一の基板の前記透明
電極側と前記第二の基板の前記反射電極側とで挟み込ま
れた液晶層とを備えた反射型液晶表示装置において、 前記絶縁膜は、全体が網状に繋がった凸部とこの凹部に
よって囲まれて孤立した膜厚の無い部分からなる多数の
凹部とが不規則に配置された第一の絶縁層と、 この第一の絶縁層の全体を覆う第二の絶縁層とを備え
た、ことを特徴とする反射型液晶表示装置。1. A transparent first substrate, a transparent electrode provided on the first substrate, a second substrate, and a second substrate on which a concavo-convex structure is formed on the surface. And an insulating film, a reflective electrode provided on the insulating film in a shape reflecting the concavo-convex structure, and sandwiched between the transparent electrode side of the first substrate and the reflective electrode side of the second substrate. In the reflection-type liquid crystal display device including a liquid crystal layer, the insulating film has a plurality of convex portions connected in a net shape and a large number of concave portions each of which is surrounded by the concave portions and has no film thickness. A reflective liquid crystal display device comprising: a first insulating layer arranged regularly; and a second insulating layer covering the entire first insulating layer.
線状の凸部によって囲まれた部分からなる、 請求項１記載の反射型液晶表示装置。2. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the concave portion is a portion surrounded by a large number of linear convex portions that are randomly arranged.
画素単位の不規則な凹凸形状の繰り返しからなる、 請求項１又は２記載の反射型液晶表示装置。3. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the concavo-convex structure is formed by repeating irregular concavo-convex shapes in units of one pixel or in units of two or more pixels.
成された滑らかな断面形状を有する、 請求項１，２又は３記載の反射型液晶表示装置。4. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the concave portion and the convex portion have a smooth cross-sectional shape formed by melting.
チング素子が設けられ、前記絶縁膜が前記スイッチング
素子の保護膜を兼ねた、 請求項１，２，３又は４記載の反射型液晶表示装置。5. The reflective liquid crystal according to claim 1, wherein a switching element for driving a liquid crystal is provided on the second substrate, and the insulating film also serves as a protective film for the switching element. Display device.
方又は両方が、前記スイッチング素子のドレイン配線及
びゲート配線のいずれか一方又は両方を覆った、請求項
５記載の反射型液晶表示装置。6. The reflective liquid crystal display according to claim 5, wherein one or both of the first and second insulating layers cover one or both of a drain wiring and a gate wiring of the switching element. apparatus.
方又は両方が光吸収性を有する、 請求項１，２，３，４，５又は６記載の反射型液晶表示
装置。7. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein one or both of the first and second insulating layers have a light absorbing property.
チング素子が設けられ、このスイッチング素子と前記反
射電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールが
前記絶縁膜に形成されている、 請求項１，２，３，４，５，６又は７記載の反射型液晶
表示装置。8. A switching element for driving a liquid crystal is provided on the second substrate, and a contact hole for electrically connecting the switching element and the reflective electrode is formed in the insulating film. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, 2, 3, 4, 5, 6 or 7.
機樹脂又は無機樹脂からなる、 請求項１，２，３，４，５，６，７又は８記載の反射型
液晶表示装置。9. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first insulating layer is made of an organic resin or an inorganic resin having photosensitivity.
有機樹脂又は無機樹脂からなる、 請求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９記載の反
射型液晶表示装置。10. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second insulating layer is made of an organic resin or an inorganic resin having photosensitivity. .
８，９又は１０記載の反射型液晶表示装置における前記
凹凸構造を形成する方法であって、 前記第一の絶縁層を形成する工程と、前記第一の絶縁層
上にレジストパターンを形成するフォトリソ工程と、前
記第一の絶縁層にエッチングを行う工程と、前記第一の
絶縁層上に残ったレジスト膜を剥離する工程と、エッチ
ング後の前記第一の絶縁層を熱処理によりメルトさせる
ことにより前記凹凸構造を滑らかにする工程と、メルト
後の前記第一の絶縁層上に前記第二の絶縁層を形成する
工程とを備えた、 反射型液晶表示装置の製造方法。11. Claims 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
11. A method for forming the concavo-convex structure in the reflective liquid crystal display device according to 8, 9, or 10, which comprises a step of forming the first insulating layer, and a photolithography method of forming a resist pattern on the first insulating layer. A step, a step of etching the first insulating layer, a step of removing the resist film remaining on the first insulating layer, and a heat treatment to melt the first insulating layer after etching. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, comprising: a step of smoothing the uneven structure; and a step of forming the second insulating layer on the first insulating layer after melting.
８，９又は１０記載の反射型液晶表示装置における前記
凹凸構造を形成する方法であって、 感光性能を有する有機系絶縁材料又は無機系絶縁材料を
用いて前記第一の絶縁層を形成する工程と、前記第一の
絶縁層に凹凸パターンを形成するための露光工程と、前
記第一の絶縁層にエッチング現像を行う現像工程と、エ
ッチング現像後の前記第一の絶縁層を熱処理によりメル
トさせることにより前記凹凸構造を滑らかにするメルト
工程と、メルト後の前記第一の絶縁層上に前記第二の絶
縁層を形成する工程とを備えた、 反射型液晶表示装置の製造方法。12. The method according to claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
A method of forming the concavo-convex structure in the reflective liquid crystal display device according to 8, 9, or 10, wherein the first insulating layer is formed using an organic insulating material or an inorganic insulating material having photosensitivity. And an exposure step for forming a concavo-convex pattern on the first insulating layer, a developing step for etching and developing the first insulating layer, and a heat treatment to melt the first insulating layer after etching and developing. A method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device, comprising: a melt step for smoothing the uneven structure, and a step of forming the second insulating layer on the first insulating layer after melting.
おける前記コンタクトホールを形成する方法であって、
感光性能を有する有機系絶縁材料又は無機系絶縁材料を
用いて前記第二の絶縁層を形成する工程と、前記コンタ
クトホールを前記第二の絶縁層に形成するためのパター
ンを形成する露光工程と、前記第二の絶縁層に対してエ
ッチング現像を行うことにより前記コンタクトホールを
形成する現像工程とを備えた、 反射型液晶表示装置の製造方法。13. A method of forming the contact hole in the reflective liquid crystal display device according to claim 8,
A step of forming the second insulating layer using an organic insulating material or an inorganic insulating material having photosensitivity, and an exposure step of forming a pattern for forming the contact hole in the second insulating layer And a developing step of forming the contact hole by performing etching development on the second insulating layer.
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|---|---|---|---|---|
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- 2002-09-27 JP JP2002284185A patent/JP3654281B2/en not_active Expired - Lifetime
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