JP2003173166A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素内の素子の数が増えることにより、歩留
り低下やコストアップが懸念される。 【解決手段】 参照電流を流す部分を表示装置の周辺部
に基準回路１００として備え複数の画素１１０で共用す
る。データ線Ｄａｔａに輝度データに応じた電圧が印加
されると、トランジスタＴｒ４およびトランジスタＴｒ
５にはそれぞれにゲート電圧に応じ電流が流れる。走査
線ＧＬがハイになるとトランジスタＴｒ３がオンとな
り、トランジスタＴｒ２のゲート電圧とトランジスタＴ
ｒ１のゲート電圧は同一になる。その結果、トランジス
タＴｒ２にはトランジスタＴｒ１の駆動能力比に応じた
電流が流れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に関し、特
にアクティブマトリックス型表示装置の画素の光強度を
改善する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＴ革命と称されるコンピュータ関連技
術の普及が急激に進んだ。利便性の向上と相まって、厳
しさを増すビジネス環境が、省スペース、省エネルギを
要求するようになっている。

【０００３】コンピュータ本体を別とすると、その省ス
ペース、省エネルギが求められているのがディスプレイ
である。これらの要望をかなえるのが、液晶ディスプレ
イであり、今後期待されているのが有機ＥＬ（Electro
Luminescence）ディスプレイである。これらディスプレ
イの表示方法として中心に位置するのがアクティブマト
リックス駆動方式である。この方式を用いたディスプレ
イは、アクティブマトリックス型ディスプレイと呼ば
れ、画素は縦横に多数配置されマトリックス形状を示
す。

【０００４】アクティブマトリックス型表示装置の画素
回路は様々提案されている。近年有機ＥＬ（Electro Lu
minescence）表示装置が注目を集める中で、光強度の不
安定さ解消のための様々な回路が提案されている。例え
ば特開２００１−１４７６５９号公報では、カレントミ
ラー回路を画素内に備える回路の例が示されている。

【０００５】この画素の回路を図１２に示す。この画素
は、４個の薄膜トランジスタ（ThinFilm Transistor；
以下単にＴＦＴと略す）であるトランジスタＴｒ１１、
Ｔｒ１２、Ｔｒ１３、Ｔｒ１４と、光学素子である有機
発光ダイオードＯＬＥＤ、第１走査線ＧＬ１、第２走査
線ＧＬ２、データ線Ｄａｔａ、電源線Ｖｄｄを備える。
トランジスタＴｒ１１はｎチャネル型トランジスタであ
り、トランジスタＴｒ１２、Ｔｒ１３、Ｔｒ１４はｐチ
ャネル型トランジスタである。またトランジスタＴｒ１
１とトランジスタＴｒ１４はスイッチとして機能する。
トランジスタＴｒ１２は駆動用トランジスタとして、ト
ランジスタＴｒ１３は信号電流変換用トランジスタとし
て機能する。

【０００６】トランジスタＴｒ１１のゲート電極は第１
走査線ＧＬ１に、ドレイン電極はデータ線Ｄａｔａに接
続される。トランジスタＴｒ１１のソース電極とトラン
ジスタＴｒ１３のドレイン電極はトランジスタＴｒ１４
の一方の電極に接続される。トランジスタＴｒ１４のも
う一方の電極とトランジスタＴｒ１３のゲート電極は、
トランジスタＴｒ１２のゲート電極に接続される。トラ
ンジスタＴｒ１３のソース電極とトランジスタＴｒ１２
のソース電極は電源線Ｖｄｄに接続される。トランジス
タＴｒ１２のドレイン電極と有機発光ダイオードＯＬＥ
Ｄのアノードが接続され、有機発光ダイオードＯＬＥＤ
のカソードは接地される。

【０００７】この回路による画素の動作を簡単に説明す
る。輝度データ書込みのため第１走査線ＧＬ１がハイ、
第２走査線ＧＬ２がローとなる。トランジスタＴｒ１１
がオンとなりそこに輝度データに応じた電流が流れる。
トランジスタＴｒ１３のゲート電極とドレイン電極は電
気的に短絡されているのでトランジスタＴｒ１３は不飽
和領域で作動し、そのゲート電圧とトランジスタＴｒ１
２のゲート電圧が同一になる。これにより、トランジス
タＴｒ１２にはデータ線Ｄａｔａの信号レベルに応じた
電流が流れる。

【０００８】つづいて、第１走査線ＧＬ１がロー、第２
走査線ＧＬ２がハイになると、トランジスタＴｒ１４が
電気的に遮断されるので、トランジスタＴｒ１２のゲー
ト電圧は保持され、トランジスタＴｒ１２に流れる電流
の値も保持される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】カレントミラー回路を
用い参照電流を入力する方式を採用することで、トラン
ジスタや光学素子の閾値電圧のばらつきから生じる光強
度の不安定さを解消できるが、一画素内の素子の数が増
えることにより、歩留り低下やコストアップが懸念され
る。

【００１０】本発明はこうした状況に鑑みなされたもの
であり、その目的は画素の回路構成を簡素化する新たな
カレントミラー回路を提案するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明のある態様は、複
数の画素を含む表示装置に関する。この表示装置は、光
学素子に流す電流をそれぞれ指定するための参照電流用
素子を複数の画素にそれぞれ含まれる複数の光学素子に
ついて共通化する。

【００１２】参照電流用素子は、複数の光学素子がそれ
ぞれ含まれる画素部分とは異なる周辺領域に設けてもよ
い。複数の光学素子のいずれかにデータが書込まれると
き、参照電流用素子をオン状態に保ってよい。参照電流
用素子は、スイッチ用トランジスタと、互いに並列に設
けられた複数の参照電流設定用トランジスタとを含んで
よく、スイッチ用トランジスタがオンのとき、複数の参
照電流設定用トランジスタに輝度データに対応する目的
の電流が流れるようにしてよい。

【００１３】本発明の別の態様もまた表示装置に関す
る。この表示装置は、光学素子とその駆動回路を含む電
流プログラム型の表示装置であって、電流をプログラム
するための参照電流を流す素子を複数の光学素子につい
て共通化する。

【００１４】本発明のまた別の態様も、表示装置に関す
る。この装置は、画素の光強度を制御するためにその画
素を駆動する駆動回路を設け、駆動回路はカレントミラ
ー回路を含み、カレントミラー回路は、与えられた輝度
情報に応じた光強度を実現するための駆動電流を流す第
１の経路と、その駆動電流を決める参照電流を流す第２
の経路を含み、第２の経路を複数の画素で共用する。

【００１５】カレントミラー回路をすべての画素にひと
つずつ備えず、参照電流を流す経路を画素から切り離
し、外部に基準回路として設け、これを複数の画素で共
用してもよい。

【００１６】本発明のまた別の態様も表示装置に関す
る。カレントミラー回路を含む電流プログラム型の表示
装置において、カレントミラー回路のふたつの電流経路
のうち一方は各画素を駆動する第１の経路として画素ご
とに設け、他方は画素の駆動電流を決める参照電流のた
めの第２の経路として複数の画素に共用して設ける。こ
こで、駆動電流と参照電流は同一とは限らず、既知の関
係にあればよい。

【００１７】また、画素の光学素子は第１の経路上に設
けられるとともに、その光学素子による影響を相殺する
ためのダミー素子が第２の経路上に設けられてもよい。
このダミー素子は光学素子でもよく、表示の影響を考
え、覆いにより外部に光が漏れるのを防ぐ構成にしても
よい。

【００１８】なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本
発明の表現を方法、装置、システム、などの間で変換し
たものもまた、本発明の態様として有効である。

【００１９】

【発明の実施の形態】前述のように、光学素子の光強度
を制御するためにカレントミラー回路を組み込む場合、
一画素に含まれる素子数が多くなるため歩留りの低下や
コストアップを招く傾向がある。以下の第１の実施の形
態では、有機ＥＬ表示装置においてカレントミラー回路
の参照電流を流す部分を表示装置の周辺部に基準回路と
して備え、複数の画素で共用する。一画素あたりの素子
数を少なくし回路をシンプルにすることで、前述の課題
を克服する。さらに画素に含まれる素子の数を減らすこ
とにより画素の開口率を大きくし光学素子の占有率を大
きくすることで、明るい表示画面を実現できる。

【００２０】図１は本発明の第１の実施の形態に係る表
示装置の回路を示したものである。図２は、図１と同じ
回路であるが、図１の回路の理解を容易にするために表
現方法を変えたものであり、また一部省略をしている。
この表示装置は、走査線ＧＬと、電源線ＶＡと、データ
線Ｄａｔａと制御電圧線Ｖｃｎｔと、画素１１０と、画
素１１０の外部に備えられた基準回路１００とを備え
る。この基準回路１００は同一列の画素１１０で共用す
る。ここで、画素１１０の回路は全て同じなので、ひと
つの画素１１０のみ、その回路の詳細を示している。

【００２１】画素１１０は、スイッチとして機能するＴ
ＦＴであるトランジスタＴｒ３と、駆動用ＴＦＴである
トランジスタＴｒ２と、光学素子である有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤを備える。トランジスタＴｒ３とトランジ
スタＴｒ２はｎチャネル型ＴＦＴである。

【００２２】トランジスタＴｒ３のゲート電極は走査線
ＧＬに、ドレイン電極は制御電圧線Ｖｃｎｔに接続さ
れ、またトランジスタＴｒ３のドレイン電極とトランジ
スタＴｒ２のゲート電極が接続される。トランジスタＴ
ｒ２のソース電極は接地される。トランジスタＴｒ２の
ドレイン電極と有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソード
は接続され、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードは
電源線ＶＡに接続される。

【００２３】基準回路１００は、参照電流を設定するＴ
ＦＴであるトランジスタＴｒ１と、輝度データを設定す
るＴＦＴであるトランジスタＴｒ４およびトランジスタ
Ｔｒ５と、スイッチとして機能するＴＦＴであるトラン
ジスタＴｒ６と、電源Ｐ１と電源Ｐ２を備える。トラン
ジスタＴｒ１とトランジスタＴｒ６はｎチャネル型ＴＦ
Ｔであり、トランジスタＴｒ４とトランジスタＴｒ５は
ｐチャネル型ＴＦＴである。

【００２４】電源Ｐ１から制御電圧線Ｖｃｎｔが画素１
１０に延びており、制御電圧線Ｖｃｎｔには電源Ｐ１か
ら順に、トランジスタＴｒ４、Ｔｒ１、Ｔｒ６が接続さ
れている。トランジスタＴｒ４およびトランジスタＴｒ
６は直列に制御電圧線Ｖｃｎｔに接続されている。トラ
ンジスタＴｒ１のゲート電極とドレイン電極が制御電圧
線Ｖｃｎｔに接続されており、ソース電極は接地されて
いる。したがって、トランジスタＴｒ１のゲート電極と
ドレイン電極は電気的に短絡されている。

【００２５】さらに、電源Ｐ１から電源線ＶＡにライン
が延びており、そのライン上にはトランジスタＴｒ５が
直列に接続される。トランジスタＴｒ４およびトランジ
スタＴｒ５のゲート電極は輝度データを保持するデータ
線Ｄａｔａに接続される。制御電圧線Ｖｃｎｔにはトラ
ンジスタＴｒ１に流れる参照電流のデータが送られる。

【００２６】以上の回路による動作を説明する。ある行
の輝度データの書込みになると、トランジスタＴｒ６が
オンになり、同一行の画素１１０の輝度データの書込み
が終了するまでオンの状態が保持される。

【００２７】データ線Ｄａｔａに輝度データに応じた電
圧が印加されると、トランジスタＴｒ４およびトランジ
スタＴｒ５にはそれぞれにゲート電圧に応じドレイン電
流が流れる。

【００２８】走査線ＧＬが選択されハイになるとトラン
ジスタＴｒ３がオンとなり、トランジスタＴｒ２のゲー
ト電圧とトランジスタＴｒ１のゲート電圧は同一にな
る。その結果、トランジスタＴｒ２にドレイン電流が流
れる。この電流はトランジスタＴｒ１とトランジスタＴ
ｒ２の駆動能力により決まり、例えば駆動能力が１：２
であれば、流れる電流も１：２となる。

【００２９】図３に示すように、画素１１０において有
機発光ダイオードＯＬＥＤとトランジスタＴｒ２の接続
の順を逆にし有機発光ダイオードＯＬＥＤを接地側に設
けてもよい。図３は画素１１０のみ示し、基準回路１０
０は図５の回路を使用する。

【００３０】図４に基準回路１００の別形態を示す。基
準回路１００にも光学素子を設け、画素１１０の回路と
バランスをとることで、図１および図２に示した回路と
比べより動作の安定性が増す。画素１１０は図１の回路
を使用する。この回路では、図１および図２に示した基
準回路１００のトランジスタＴｒ４とトランジスタＴｒ
１の間に直列にダミー素子として第２光学素子である有
機発光ダイオードＯＬＥＤ２を設ける。したがって、有
機発光ダイオードＯＬＥＤ２のカソードはトランジスタ
Ｔｒ１のドレイン電極およびゲート電極とに接続され
る。有機発光ダイオードＯＬＥＤ２のアノードはトラン
ジスタＴｒ４のドレイン電極に接続される。有機発光ダ
イオードＯＬＥＤ２は表示装置の外周付近に設けられる
ため画面表示に対する影響は少ないが、有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤ２に覆いを被せ外部に光が漏れないように
してもよい。

【００３１】図５は、図４に示した有機発光ダイオード
ＯＬＥＤ２を設けた基準回路１００の別形態であり、有
機発光ダイオードＯＬＥＤ２の位置をトランジスタＴｒ
１と接地の間に設けたものであり、有機発光ダイオード
ＯＬＥＤ２のアノードはトランジスタＴｒ１のソース電
極と接続され、カソードは接地される。画素１１０は図
３の回路を使用する。

【００３２】以上の実施の形態によれば、有機ＥＬ表示
装置において、光学素子の光強度を正確にするために各
画素内に設けられていた回路の一部を画素の外部に移す
ことで、画素の内の回路が簡素化される。これにより、
製造時の歩留り低下やコストアップを抑えることができ
る。さらに、ひとつの画素あたりの開口率を大きくする
ことができ、その結果、光学素子の専有面積を大きくし
表示装置を明るくすることができる。

【００３３】以上の第１の実施の形態では、基準回路が
同一列の画素に対し共用された。これに限らず、例えば
図６に示すように、基準回路はＲＧＢの画素の行で共用
されてもよい。図６では下の行からＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）を表示する画素の列である。ただし、
輝度データの書込は３個のトランジスタＴｒ６Ｒ、Ｔｒ
６Ｇ、Ｔｒ６Ｂにより時分割にて行われる。

【００３４】図７は、本発明の第２の実施の形態に係る
表示装置の一部である回路２００を示す。回路２００
は、第１画素２１０、第２画素２２０、データ線Ｄａｔ
ａ、および電源線ＶＡを含む。

【００３５】第１画素２１０は、ＴＦＴであるトランジ
スタＴｒ１１１、Ｔｒ１１２、Ｔｒ１１３、Ｔｒ１１
４、光学素子である有機発光ダイオードＯＬＥＤ、第１
走査線ＧＬ１０、および共有走査線ＣＧＬを含む。トラ
ンジスタＴｒ１１１およびトランジスタＴｒ１１４はｎ
チャネル型ＴＦＴ、トランジスタＴｒ１１２およびトラ
ンジスタＴｒ１１３はｐチャネル型ＴＦＴである。第２
画素２２０は、ＴＦＴであるトランジスタＴｒ２１２お
よびＴｒ２１４、光学素子である有機発光ダイオードＯ
ＬＥＤ、第２走査線ＧＬ２０を含む。トランジスタＴｒ
２１２はｐチャネル型ＴＦＴ、トランジスタＴｒ２１４
はｎチャネル型ＴＦＴである。

【００３６】トランジスタＴｒ１１１、トランジスタＴ
ｒ１１４、およびトランジスタＴｒ２１４はスイッチと
して機能する。トランジスタＴｒ１１２およびトランジ
スタＴｒ２１２は駆動用トランジスタとして、トランジ
スタＴｒ１１３は信号電流変換用トランジスタとしてそ
れぞれ機能する。ここで、第１画素２１０のトランジス
タＴｒ１１１およびトランジスタＴｒ１１３は、第２画
素２２０に共通化される。

【００３７】トランジスタＴｒ１１１において、ゲート
電極は共有走査線ＣＧＬに、ドレイン電極はデータ線Ｄ
ａｔａにそれぞれ接続される。トランジスタＴｒ１１１
のソース電極はトランジスタＴｒ１１３のドレイン電極
およびゲート電極、トランジスタＴｒ１１４のドレイン
電極、並びにトランジスタＴｒ２１４のドレイン電極に
接続される。

【００３８】トランジスタＴｒ１１２において、ゲート
電極はトランジスタＴｒ１１４のソース電極に、ソース
電極は電源線ＶＡに、ドレイン電極は有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤのアノードにそれぞれ接続される。有機発光
ダイオードＯＬＥＤのカソードは接地される。トランジ
スタＴｒ１１３において、ソース電極は電源線ＶＡに接
続される。トランジスタＴｒ１１４において、ゲート電
極は第１走査線ＧＬ１０に接続される。

【００３９】トランジスタＴｒ２１２において、ゲート
電極はトランジスタＴｒ２１４のソース電極に、ソース
電極は電源線ＶＡに、ドレイン電極は有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤのアノードにそれぞれ接続される。有機発光
ダイオードＯＬＥＤのカソードは接地される。トランジ
スタＴｒ２１４において、ゲート電極は第２走査線ＧＬ
２０に接続される。

【００４０】次に、この回路２００による動作を説明す
る。輝度データ書込みのため共有走査線ＣＧＬおよび第
１走査線ＧＬ１０をハイにする。その結果、トランジス
タＴｒ１１１がオンとなり、トランジスタＴｒ１１１に
輝度データに応じた電流が流れる。また同時に、トラン
ジスタＴｒ１１４がオンとなり、トランジスタＴｒ１１
３のゲート電圧とトランジスタＴｒ１１２のゲート電圧
が同一になる。これにより、トランジスタＴｒ１１２に
はデータ線Ｄａｔａの信号レベルに応じた電流が流れ
る。

【００４１】つづいて、第１走査線ＧＬ１０をローにす
ると、トランジスタＴｒ１１４が電気的に遮断されるの
で、トランジスタＴｒ１１２のゲート電圧は保持され、
トランジスタＴｒ１１２に流れる電流の値も保持され
る。

【００４２】また、第１走査線ＧＬ１０をローにするの
と同時に第２走査線ＧＬ２０をハイにすると、トランジ
スタＴｒ２１４がオンとなる。このとき、トランジスタ
Ｔｒ２１２のゲート電圧はトランジスタＴｒ１１３のゲ
ート電圧と同一になる。これにより、トランジスタＴｒ
２１２にはデータ線Ｄａｔａの信号レベルに応じた電流
が流れる。

【００４３】図８は、第１走査線ＧＬ１０、第２走査線
ＧＬ２０および共有走査線ＣＧＬへの制御クロックを示
す図である。参照電流用素子であるトランジスタＴｒ１
１１およびトランジスタＴｒ１１３により流れる電流が
プログラムされるトランジスタＴｒ１１２およびトラン
ジスタＴｒ２１２のいずれかにデータが書込まれると
き、参照電流用素子がオン状態に保たれる。本実施の形
態において、トランジスタＴｒ１１１、トランジスタＴ
ｒ１１４およびトランジスタＴｒ２１４のいずれもがｎ
チャネル型トランジスタであるので、共有走査線ＣＧＬ
には、第１走査線ＧＬ１０又は第２走査線ＧＬ２０のい
ずれか一方にハイの信号が供給される間中、ハイの信号
が供給される。

【００４４】以上のように、ひとつの参照電流用素子を
複数の画素にそれぞれ含まれる複数の光学画素について
共通化すれば、参照電流用素子の性能のばらつきによる
各画素における発光特性のばらつきを低減することがで
きる。また、発光素子に流す電流をプログラムすること
により均一な発光強度を保つことができるという電流プ
ログラム型の表示装置におけるメリットを実現しつつ、
一画素内の素子数が増えることによる歩留まり低下やコ
ストアップが懸念されるという問題点をも解消すること
ができる。

【００４５】図９は、図７に示した回路の他の例を示
す。この回路においては、第１画素２１０のトランジス
タＴｒ１１１およびトランジスタＴｒ１１３を第１画素
２１０および第２画素２２０に加えて、第３画素２３０
および第４画素２４０についても共通化した点で図７に
示した例と異なる。

【００４６】第３画素２３０は、ＴＦＴであるトランジ
スタＴｒ３１２およびＴｒ３１４、有機発光ダイオード
ＯＬＥＤ、第３走査線ＧＬ３０を含む。トランジスタＴ
ｒ３１４は、トランジスタＴｒ３１２へのデータの書込
みのオンオフを切替えるスイッチとして機能する。トラ
ンジスタＴｒ３１４において、ゲート電極は第３走査線
ＧＬ３０に、ドレイン電極はトランジスタＴｒ１１１の
ソース電極にそれぞれ接続される。

【００４７】同様に、第４画素２４０は、ＴＦＴである
トランジスタＴｒ４１２およびＴｒ４１４、有機発光ダ
イオードＯＬＥＤ、第４走査線ＧＬ４０を含む。トラン
ジスタＴｒ４１４は、トランジスタＴｒ４１２へのデー
タの書込みのオンオフを切替えるスイッチとして機能す
る。トランジスタＴｒ４１４において、ゲート電極は第
４走査線ＧＬ４０に、ドレイン電極はトランジスタＴｒ
１１１のソース電極にそれぞれ接続される。トランジス
タＴｒ３１２およびトランジスタＴｒ４１２はｐチャネ
ル型ＴＦＴ、トランジスタＴｒ３１４およびトランジス
タＴｒ４１４はｎチャネル型ＴＦＴである。

【００４８】図１０は、第１走査線ＧＬ１０、第２走査
線ＧＬ２０、第３走査線ＧＬ３０、第４走査線ＧＬ４０
および共有走査線ＣＧＬへの制御クロックを示す図であ
る。参照電流用素子であるトランジスタＴｒ１１１およ
びトランジスタＴｒ１１３により流れる電流がプログラ
ムされるトランジスタＴｒ１１２、トランジスタＴｒ２
１２、トランジスタＴｒ３１２、トランジスタＴｒ４１
２のいずれかにデータが書込まれるとき、参照電流用素
子がオン状態に保たれる。本実施の形態において、トラ
ンジスタＴｒ１１１、トランジスタＴｒ１１４、トラン
ジスタＴｒ２１４、トランジスタＴｒ３１４およびトラ
ンジスタＴｒ４１４のいずれもがｎチャネル型トランジ
スタであるので、共有走査線ＣＧＬには、第１走査線Ｇ
Ｌ１０〜第４走査線ＧＬ４０のいずれかにハイの信号が
供給される間中、ハイの信号が供給される。

【００４９】図１１は、図７に示した回路の他の例を示
す。この回路においては、第１画素２１０は、トランジ
スタＴｒ１１３に並列に設けられたトランジスタＴｒ１
１５をさらに含むという点で図７の例と異なる。トラン
ジスタＴｒ１１３およびトランジスタＴｒ１１５は参照
電流設定用のトランジスタとして機能する。トランジス
タＴｒ１１５において、ゲート電極およびドレイン電極
はトランジスタＴｒ１１１のソース電極に、ソース電極
は電源線ＶＡに接続される。トランジスタＴｒ１１５
は、トランジスタＴｒ１１３と同様、ｐチャネル型ＴＦ
Ｔである。

【００５０】ここで、共有走査線ＣＧＬがハイのとき、
トランジスタＴｒ１１１がオンとなり、トランジスタＴ
ｒ１１１には輝度データに応じた電流が流れる。その結
果、トランジスタＴｒ１１３およびトランジスタＴｒ１
１５にはそれぞれ、トランジスタＴｒ１１１に流れる電
流に応じたゲート電圧が生じる。このとき、第１走査線
ＧＬ１０をもハイにしておくと、トランジスタＴｒ１１
２のゲート電圧はトランジスタＴｒ１１３とトランジス
タＴｒ１１５のゲート電圧の和と同一になる。つまり、
トランジスタＴｒ１１３の駆動能力とトランジスタＴｒ
１１５の駆動能力を等しくしておけば、理論的には、こ
の２つのトランジスタによりプログラムされた電流は、
データ線Ｄａｔａから供給される輝度データの２倍にな
る。従って、この回路において、有機発光ダイオードＯ
ＬＥＤに流したい電流の半分のデータを輝度データとし
てデータ線Ｄａｔａから供給すれば、有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤには所望の電流が流れる。このように、複数
のトランジスタにより、参照電流を設定することによ
り、各トランジスタの性能のばらつきを補償することが
できる。

【００５１】例えば、多数の画素を含むマトリックス型
表示装置においては、表示装置全体に複数の参照用素子
を設け、各参照用素子により複数の光学素子に流す電流
をプログラムしてもよい。このような場合に、各参照用
素子におけるトランジスタの性能のばらつきを補償する
ことは、特に効果的である。

【００５２】以上、本発明を実施の形態をもとに説明し
た。これらの実施の形態は例示であり、それら各構成要
素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能
なこと、またそうした変形例も本発明の範囲であること
は当業者に理解されるところである。そうした変形例を
以下に挙げる。

【００５３】第２の実施の形態において説明した構成の
回路においても、第１の実施の形態と同様に、参照電流
用素子を光学素子が含まれる画素部分とは異なる周辺領
域に設けてもよい。参照電流用素子を周辺部に設けるこ
とにより、画素ごとの面積を縮小できる、また各画素の
回路構成を同じにでき、設計上シンプルになると言うメ
リットも有する。

【００５４】実施の形態で、ｎチャネル型ＴＦＴまたは
ｐチャネル型ＴＦＴとして説明したトランジスタは、特
に型に限定されず、ｎチャネル型またはｐチャネル型の
いずれであってもよい。この場合の回路構成は適宜設定
されるものとする。

【００５５】また、多数の画素を含む表示装置におい
て、実装段階で、複数の画素をグループ化してグループ
ごとに参照電流用素子を設け、全体として発光特性が均
一になるようにしてもよい。

【００５６】

【発明の効果】本発明によれば、表示装置の画素の回路
を簡素化できると共に、トランジスタの特性のばらつき
を補償して複数の画素の発光特性を均一にすることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１の実施の形態に係る表示装置の回路を示
した図である。

【図２】 第１の実施の形態に係る表示装置の回路を示
した図である。

【図３】 画素の回路の変形例を示した図である。

【図４】 基準回路の変形例を示した図である。

【図５】 基準回路の変形例を示した図である。

【図６】 基準回路の共用の別の例を示した図である。

【図７】 第２の実施の形態に係る表示装置の一部であ
る回路を示す図である。

【図８】 各走査線への制御クロックを示す図である。

【図９】 図７に示した回路の他の例を示す図である。

【図１０】 各走査線への制御クロックを示す図であ
る。

【図１１】 図７に示した回路の他の例を示す図であ
る。

【図１２】 従来技術の表示装置のカレントミラー回路
を示した図である。

【符号の説明】

１００・・基準回路、 １１０・・画素、 ＯＬＥＤ，
ＯＬＥＤ２・・有機発光ダイオード、 Ｔｒ１，Ｔｒ
２，Ｔｒ３，Ｔｒ４，Ｔｒ５，Ｔｒ６，Ｔｒ６Ｒ，Ｔｒ
６Ｇ，Ｔｒ６Ｂ・・トランジスタ、２１０・・第１画
素、２２０・・第２画素、２３０・・第３画素、２４０
・・第４画素、Ｔｒ１１１，Ｔｒ１１２，Ｔｒ１１３，
Ｔｒ１１４，Ｔｒ１１５，Ｔｒ２１２，Ｔｒ２１４，Ｔ
ｒ３１２，Ｔｒ３１４，Ｔｒ４１２，Ｔｒ４１４・・ト
ランジスタ、ＧＬ１０・・第１走査線、ＧＬ２０・・第
２走査線、ＧＬ３０・・第３走査線、ＧＬ４０・・第４
走査線、ＣＧＬ・・共有走査線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１２ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１２Ｆ ６２３ ６２３Ｂ ６４１ ６４１Ｄ // Ｇ０２Ｆ 1/133 ５５０ Ｇ０２Ｆ 1/133 ５５０ Ｆターム(参考） 2H092 GA59 JA24 JB13 JB38 JB43 2H093 NC13 NC22 NC23 NC26 NC34 ND43 ND48 ND49 ND53 ND54 5C080 AA06 BB05 DD05 DD22 DD27 EE29 FF11 JJ03 JJ04 5C094 AA42 AA43 AA44 BA03 BA23 BA27 CA19

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の画素を含む表示装置であって、 光学素子に流す電流をそれぞれ指定するための参照電流
   用素子を複数の画素にそれぞれ含まれる複数の光学素子
   について共通化したことを特徴とする表示装置。
2. 【請求項２】 前記参照電流用素子を、前記複数の光学
   素子がそれぞれ含まれる画素部分とは異なる周辺領域に
   設けたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 【請求項３】 前記複数の光学素子のいずれかに輝度デ
   ータが書込まれる間、前記参照電流用素子をオン状態に
   保つことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装
   置。
4. 【請求項４】 前記参照電流用素子は、スイッチ用トラ
   ンジスタと、並列に設けられた複数の参照電流設定用ト
   ランジスタとを含み、 スイッチ用トランジスタがオンのとき、前記複数の参照
   電流設定用トランジスタに輝度データに対応する目的の
   電流が流れるよう構成されたことを特徴とする請求項１
   から３のいずれかに記載の表示装置。
5. 【請求項５】 光学素子とその駆動回路を含む電流プロ
   グラム型の表示装置であって、 電流をプログラムするための参照電流を流す素子を複数
   の光学素子について共通化したことを特徴とする表示装
   置。
6. 【請求項６】 画素の光強度を制御するためにその画素
   を駆動する駆動回路を設け、 前記駆動回路はカレントミラー回路を含み、 前記カレントミラー回路は、与えられた輝度情報に応じ
   た光強度を実現するための駆動電流を流す第１の経路
   と、その駆動電流を決める参照電流を流す第２の経路を
   含み、 前記第２の経路を複数の画素で共用したことを特徴とす
   る表示装置。
7. 【請求項７】 カレントミラー回路を含む電流プログラ
   ム型の表示装置において、 前記カレントミラー回路のふたつの電流経路のうち一方
   は各画素を駆動する第１の経路として画素ごとに設け、
   他方は画素の駆動電流を決める参照電流のための第２の
   経路として複数の画素に共用して設けたことを特徴とす
   る表示装置。
8. 【請求項８】 画素の光学素子は前記第１の経路上に設
   けられるとともに、その光学素子による影響を相殺する
   ためのダミー素子が前記第２の経路上に設けられたこと
   を特徴とする請求項６または７に記載の表示装置。