JP2003163159A - Method of supplying purge gas, exposure apparatus, and method of manufacturing devices - Google Patents

Method of supplying purge gas, exposure apparatus, and method of manufacturing devices

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JP2003163159A
JP2003163159A JP2001364631A JP2001364631A JP2003163159A JP 2003163159 A JP2003163159 A JP 2003163159A JP 2001364631 A JP2001364631 A JP 2001364631A JP 2001364631 A JP2001364631 A JP 2001364631A JP 2003163159 A JP2003163159 A JP 2003163159A
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JP
Japan
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purge gas
projection
compartments
supply
gas supply
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JP2001364631A
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Japanese (ja)
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Takayuki Mizutani
剛之 水谷
Takashi Aoki
貴史 青木
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of supplying purge gas efficiently in an appropriate quantity as required, an exposure apparatus, and a method of manufacturing devices efficiently. <P>SOLUTION: Purge gas supply pipes 62-67 communicating a main supply pipe 61 and each projection sealed chamber 45a-45c are provided. A ratio of values raised to the fourth power of respective inner diameters α2-α4 of initial purge gas supply pipes 62-64 is set as a ratio of inner capacities of respective projection sealed chambers. A ratio of values raised to the fourth power of respective inner diameters α5-α7 of the maintaining purge gas supply pipes 65-67 is set as a ratio of respective inner surface areas of the respective projection sealed chambers 45a-45c. Switching valves 62a-67a are provided to the respective purge gas supply pipes 62-67 for switching the communication and shut-off of the purge gas. At initial purging, the switching valves 62a-64a are opened exclusively, and at the time of maintaining purging the switching valves 65a-67a are opened exclusively. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、撮像素子、液晶表示素子、あるいは薄膜磁気ヘッド
等のデバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフ
ィ工程において用いられる露光装置の筐体へのパージガ
スの供給方法に関するものである。また、本発明は、同
工程で使用される露光装置、及び前記デバイスの製造方
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of supplying a purge gas to a housing of an exposure apparatus used in a photolithography process in a process of manufacturing a device such as a semiconductor device, an image pickup device, a liquid crystal display device, or a thin film magnetic head. It is about. The present invention also relates to an exposure apparatus used in the same process, and a method for manufacturing the device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】この種の露光装置としては、例えば所定
の波長の露光光を出射する光源と、その露光光をマスク
上に照射する照明光学系と、その照明光学系の照明に基
づいてマスク上に形成された回路パターンの像を基板上
に投影する投影光学系とを備えたものが知られている。
これらの照明光学系、及び投影光学系内は、それぞれ複
数のレンズ、ミラー、フィルタ、平行平板ガラス等の光
学素子を有し、これら光学素子は鏡筒内に収納されてい
る。2. Description of the Related Art As an exposure apparatus of this type, for example, a light source that emits exposure light of a predetermined wavelength, an illumination optical system that irradiates the exposure light onto a mask, and a mask based on the illumination of the illumination optical system are used. It is known that a projection optical system for projecting an image of a circuit pattern formed on a substrate is projected.
The illumination optical system and the projection optical system each have optical elements such as a plurality of lenses, mirrors, filters, and parallel plate glass, and these optical elements are housed in a lens barrel.

【０００３】ところで、こうした露光装置は一般にクリ
ーンルーム内に設置されるが、クリーンルームといえど
も、その雰囲気中には極微量の、例えばアンモニウムイ
オン、硝酸イオン、硫酸イオン等のイオン性物質が浮遊
している。また、露光装置の内部においても、前記光学
素子やマスク、基板を駆動するための各種駆動部品があ
り、これら駆動部品に電力や信号を送るために多くの被
覆線が使用されている。この被覆線の被覆材からは、極
微量ながら有機物質が揮散している。さらに、基板上に
塗布された感光材料の飛沫が、露光装置内に浮遊してい
ることもある。これらイオン性物質、被覆材からの揮散
物、感光材料の飛沫等は、前記光学素子に付着する汚染
物質となり、その付着によって光学素子の曇りを招き、
ひいてはデバイスの製造効率を低下させるようになる。
こうした曇りの発生を抑制するために、鏡筒内を前記汚
染物質を取り除いた空気等で置換することにより、鏡筒
内から汚染物質を排出（パージ）するようにした露光装
置も開発されてきている。By the way, such an exposure apparatus is generally installed in a clean room, and even in a clean room, an extremely small amount of ionic substances such as ammonium ions, nitrate ions and sulfate ions are suspended in the atmosphere. There is. Further, even inside the exposure apparatus, there are various driving components for driving the optical element, the mask, and the substrate, and many covered wires are used to send power and signals to these driving components. From the coating material of the coated wire, an organic substance is volatilized in a very small amount. Further, the droplets of the photosensitive material applied on the substrate may float in the exposure device. These ionic substances, volatilized substances from the coating material, splashes of the photosensitive material, and the like become pollutants that adhere to the optical element, which causes fogging of the optical element,
As a result, the manufacturing efficiency of the device is reduced.
In order to suppress the occurrence of such fogging, an exposure apparatus has been developed in which the inside of the lens barrel is replaced with air from which the above-mentioned contaminants have been removed, so that the contaminants are discharged (purged) from the inside of the lens barrel. There is.

【０００４】ところで、こうした露光装置のなかでも、
特に半導体素子の製造に用いられる露光装置では、近年
における半導体素子の著しい高度集積化に対応すべく、
その解像度の向上要求がさらに高まってきている。この
ような要求に対応するために、露光に供する露光光の短
波長化が進んでおり、例えばＡｒＦエキシマレーザ（波
長λ＝１９３ｎｍ）や、Ｆ2レーザ（λ＝１５７ｎｍ）
といった真空紫外光を使用する露光装置も開発されてき
ている。By the way, among such exposure apparatuses,
In particular, in the exposure apparatus used for manufacturing semiconductor elements, in order to cope with the remarkable high integration of semiconductor elements in recent years,
The demand for improvement in the resolution is increasing further. In order to meet such demands, the wavelength of exposure light used for exposure has been shortened, for example, ArF excimer laser (wavelength λ = 193 nm) and F 2 laser (λ = 157 nm).
Such an exposure apparatus that uses vacuum ultraviolet light has also been developed.

【０００５】露光光として真空紫外光を使用することに
より高解像度が得られるようになる。ところが、この真
空紫外光は、その光路中にある酸素や、水、炭酸ガス、
有機物、ハロゲン化合物などといった物質（吸光物質）
に吸収されやすい。なかでも、前記Ｆ2レーザは、酸素
が存在する雰囲気を通過することにより大きく減衰し
て、デバイスの製造効率が著しく低下する。このため、
露光光として前記真空紫外光を用いる露光装置にあって
は、基板上における安定した露光エネルギー量を確保す
るために、前記鏡筒内を例えば窒素ガス等の不活性ガス
で置換し、前記吸光物質を鏡筒外にパージすることが提
案されている。A high resolution can be obtained by using vacuum ultraviolet light as the exposure light. However, this vacuum ultraviolet light emits oxygen, water, carbon dioxide,
Substances such as organic substances and halogen compounds (light absorbing substances)
Easily absorbed by. Above all, the F 2 laser is greatly attenuated by passing through an atmosphere in which oxygen is present, and the manufacturing efficiency of the device is significantly reduced. For this reason,
In the exposure apparatus using the vacuum ultraviolet light as the exposure light, in order to secure a stable exposure energy amount on the substrate, the inside of the lens barrel is replaced with an inert gas such as nitrogen gas, and the light-absorbing substance is used. It is proposed to purge the outside of the lens barrel.

【０００６】そして、前記汚染物質を取り除いた空気や
不活性ガス等といったパージガスにより鏡筒内を置換す
る露光装置として、その鏡筒内がいくつかの空間に区画
されるとともに、それら区画された空間（区画室）に対
して各別にパージガスが供給されるような装置も開発さ
れている。Then, as an exposure apparatus which replaces the inside of the lens barrel with a purge gas such as air from which the contaminants have been removed or an inert gas, the inside of the lens barrel is divided into a number of spaces and the divided spaces. An apparatus has been developed in which a purge gas is separately supplied to each (compartment).

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の露
光装置にあっては、各区画室に供給するパージガスの流
量を一律に必要かつ十分な量に設定していた。これは、
各区画室へのパージガス流量が過剰になるとパージガス
の消費量を不要に増大させる要因となり、露光装置のラ
ンニングコストの増大を、ひいてはデバイスの製造コス
トの増大を招く一因となっていた。一方、各区画室への
パージガス流量が過少である場合には、例えば鏡筒内の
空気をパージするような初期パージにおいて、各区画室
毎にパージ状態が異なり、全ての区画室のパージが完了
するまでに多大な時間を要することがある。このため、
露光装置の停止時間の増大を招き、露光装置のスループ
ットの低下を招く一因となっていた。However, in the above-mentioned conventional exposure apparatus, the flow rate of the purge gas supplied to each compartment is uniformly set to a necessary and sufficient amount. this is,
When the flow rate of the purge gas to each compartment becomes excessive, it becomes a factor that unnecessarily increases the consumption amount of the purge gas, which is one of the factors leading to the increase of the running cost of the exposure apparatus and the increase of the manufacturing cost of the device. On the other hand, when the flow rate of the purge gas to each compartment is too small, for example, in the initial purging such as purging the air in the lens barrel, the purging state is different for each compartment and the purging of all compartments is completed. Can take a significant amount of time. For this reason,
This has been a cause of increasing the stop time of the exposure apparatus and lowering the throughput of the exposure apparatus.

【０００８】本発明は、このような従来の技術に存在す
る問題点に着目してなされたものである。その目的とし
ては、必要に見合った量のパージガスを効率よく供給す
ることのできるパージガスの供給方法を提供することに
ある。また、この供給方法を採用してデバイスを効率よ
く製造することのできる露光装置及びデバイスの製造方
法を提供することにある。The present invention has been made by paying attention to the problems existing in such conventional techniques. An object of the invention is to provide a purge gas supply method capable of efficiently supplying an amount of purge gas commensurate with the necessity. Another object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a device manufacturing method capable of manufacturing the device efficiently by adopting this supply method.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本願請求項１に記載の発明は、内部を所定の光が通
過するとともに、内部に所定の空間が形成されるように
区画された複数の区画室を有する筐体内へのパージガス
の供給方法において、前記各区画室の形成条件に応じ
て、その各区画室毎にパージガスの供給条件を設定する
ことを特徴とするものである。In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 of the present application is partitioned such that a predetermined light passes through the inside and a predetermined space is formed inside. In the method of supplying the purge gas into the housing having a plurality of compartments, the supply condition of the purge gas is set for each compartment according to the formation condition of each compartment.

【００１０】この本願請求項１に記載の発明では、複数
の区画室に対するパージガスの供給条件を、それぞれの
区画室の形成条件に応じて各別に設定することが可能に
なる。これにより、必要に見合った量のパージガスを効
率よく供給することができる。According to the first aspect of the present invention, it becomes possible to set the conditions for supplying the purge gas to the plurality of compartments separately according to the conditions for forming the compartments. This makes it possible to efficiently supply the purge gas in an amount commensurate with the need.

【００１１】また、本願請求項２に記載の発明は、前記
請求項１に記載のパージガスの供給方法において、前記
各区画室毎のパージガスの供給条件を、各区画室の内容
積及び内表面積の少なくとも一方に応じて設定すること
を特徴とするものである。Further, in the invention according to claim 2 of the present application, in the method of supplying purge gas according to claim 1, the purge gas supply condition for each of the compartments is set to at least one of the inner volume and the inner surface area of each compartment. It is characterized by setting according to.

【００１２】区画室内のガスをパージガスに置換するた
めに必要なパージガスの量は、内容積に応じて、各区画
室で異なる。一方、区画室の壁面からの汚染物質や吸光
物質の脱離量は、内表面積に応じて、各区画室で異な
る。そして、これらの脱離成分をパージするために必要
なパージガスの量は、各区画室の内表面積に応じて異な
る。これに対し、この本願請求項２に記載の発明では、
各区画室に対するパージガスの供給条件が、こうした内
容積や内表面積に応じて各別に設定される。これによ
り、各区画室への効率的なパージガスの供給が可能にな
る。The amount of purge gas required to replace the gas in the compartments with the purge gas differs in each compartment depending on the internal volume. On the other hand, the amount of desorption of pollutants and light-absorbing substances from the wall surface of the compartment differs depending on the inner surface area. The amount of purge gas required to purge these desorbed components differs depending on the inner surface area of each compartment. On the other hand, in the invention described in claim 2 of the present application,
The conditions for supplying the purge gas to each compartment are individually set according to the internal volume and the internal surface area. This enables efficient supply of purge gas to each compartment.

【００１３】また、本願請求項３に記載の発明は、前記
請求項１または請求項２に記載のパージガスの供給方法
において、前記供給条件は、前記各区画室内へのパージ
ガスの供給流量、及び同パージガスの供給圧力のうち少
なくとも一方を含むことを特徴とするものである。The invention according to claim 3 of the present application is the method of supplying purge gas according to claim 1 or 2, wherein the supply conditions are a supply flow rate of purge gas into each of the compartments, and It is characterized in that at least one of the supply pressures of the purge gas is included.

【００１４】この本願請求項３に記載の発明では、パー
ジガスの供給流量や、供給圧力を調整することで、パー
ジガスの供給条件を容易に制御することが可能になる。
また、本願請求項４に記載の発明は、前記請求項１〜請
求項３のうちいずれか一項に記載のパージガスの供給方
法において、前記供給条件は、前記各区画室内へのパー
ジガスの供給流量を少なくとも含み、同供給流量は、各
区画室に接続されるパージガス供給管におけるその軸線
と交差する断面における開口面積の合計値に基づいて設
定されることを特徴とするものである。According to the third aspect of the present invention, by adjusting the supply flow rate and supply pressure of the purge gas, the supply condition of the purge gas can be easily controlled.
The invention according to claim 4 of the present application is the method for supplying the purge gas according to any one of claims 1 to 3, wherein the supply condition is a supply flow rate of the purge gas into each of the compartments. At least, and the supply flow rate is set based on the total value of the opening areas in the cross section of the purge gas supply pipe connected to each compartment intersecting the axis thereof.

【００１５】この本願請求項４に記載の発明では、パー
ジガス供給管の開口面積の合計値を各区画室毎に各別に
設定することで、パージガスの供給流量を、各区画室そ
れぞれに適した量に設定することが可能になる。According to the fourth aspect of the present invention, by setting the total value of the opening area of the purge gas supply pipe separately for each compartment, the supply flow rate of the purge gas is set to an amount suitable for each compartment. It becomes possible to do.

【００１６】また、本願請求項５に記載の発明は、前記
請求項４に記載のパージガスの供給方法において、前記
各区画室内へのパージガスの供給流量を、各区画室に接
続されるパージガス供給管の数に基づいて設定すること
を特徴とするものである。Further, in the invention according to claim 5 of the present application, in the purge gas supply method according to claim 4, the flow rate of the purge gas supplied to each of the compartments is determined by the purge gas supply pipe connected to each compartment. It is characterized by setting based on the number.

【００１７】この本願請求項５に記載の発明では、例え
ば同じ開口面積のパージガス供給管を用い、各区画室毎
に同パージガス供給管の接続される本数を各別に設定す
る。これにより、パージガス供給管の開口面積の合計値
を各区画室それぞれに適した値に設定することができ
る。In the invention according to claim 5 of the present application, for example, purge gas supply pipes having the same opening area are used, and the number of connected purge gas supply pipes is set separately for each compartment. Thereby, the total value of the opening areas of the purge gas supply pipes can be set to a value suitable for each compartment.

【００１８】また、請求項６に記載の発明は、前記請求
項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載のパージガス
の供給方法において、前記形成条件は、前記各区画室内
に保持される保持部材の形状を含むことを特徴とするも
のである。The invention according to a sixth aspect is the method for supplying a purge gas according to any one of the first to fifth aspects, wherein the forming condition is held in each of the compartments. It is characterized by including the shape of the holding member.

【００１９】この本願請求項６に記載の発明では、各区
画室へのパージガスの供給条件の設定に際し、各区画室
内に保持される保持部材の形状を併せて加味すること
で、区画室内に被置換ガスの淀みが生じやすいような部
分がある場合にも、より好適な供給条件の設定が可能に
なる。In the invention according to claim 6 of the present application, when the conditions for supplying the purge gas to each of the compartments are set, the shape of the holding member held in each of the compartments is also taken into consideration, so that the compartment to be replaced is replaced. Even when there is a portion where gas stagnation is likely to occur, more suitable supply conditions can be set.

【００２０】また、請求項７に記載の発明は、前記請求
項１〜請求項６のうちいずれか一項に記載のパージガス
の供給方法において、前記複数の区画室は、それらの各
内壁を形成する壁部のうち少なくとも一部が光学素子の
表面により構成されてなることを特徴とするものであ
る。The invention according to claim 7 is the method for supplying a purge gas according to any one of claims 1 to 6, wherein the plurality of compartments form respective inner walls thereof. At least a part of the wall portion is formed by the surface of the optical element.

【００２１】この本願請求項７に記載の発明では、光学
素子表面がパージガスの流れにさらされるため、その光
学素子への汚染物質の付着を、より効果的に抑制するこ
とができる。In the invention according to claim 7 of the present application, the surface of the optical element is exposed to the flow of the purge gas, so that the adherence of contaminants to the optical element can be suppressed more effectively.

【００２２】また、請求項８に記載の発明は、マスク上
に形成されたパターンの像を基板上に投影する露光装置
において、所定の光源から出射され前記マスクを介して
基板上に照射される露光光の光路を取り囲むように設け
られる筐体と、その筐体の内部に区画形成される複数の
区画室と、その各区画室内に所定のパージガスを供給す
る供給装置とを備え、その供給装置によるパージガスの
供給条件を、前記各区画室の形成条件に応じて前記各区
画室毎に設定するようにしたことを特徴とするものであ
る。Further, in the invention as set forth in claim 8, in an exposure apparatus for projecting an image of a pattern formed on a mask onto a substrate, the light is emitted from a predetermined light source and irradiated onto the substrate through the mask. A housing provided so as to surround the optical path of the exposure light, a plurality of compartments formed inside the housing, and a supply device for supplying a predetermined purge gas into each of the compartments. The supply condition of the purge gas by the above is set for each of the compartments according to the formation condition of the compartments.

【００２３】この本願請求項８に記載の発明では、複数
の区画室それぞれに対する効率的なパージを行いつつ、
汚染物質の付着による光学素子の曇りや、吸光物質によ
る吸収に伴う露光光の過度の減衰を効果的に抑制するこ
とができる。In the invention according to claim 8 of the present application, while efficiently purging each of the plurality of compartments,
It is possible to effectively suppress fogging of the optical element due to adhesion of contaminants and excessive attenuation of exposure light due to absorption by the light absorbing substance.

【００２４】また、請求項９に記載の発明は、リソグラ
フィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソ
グラフィ工程で請求項８に記載の露光装置を用いて露光
を行うことを特徴とするものである。According to a ninth aspect of the present invention, in a device manufacturing method including a lithography step, exposure is performed in the lithography step using the exposure apparatus according to the eighth aspect. .

【００２５】この本願請求項９に記載の発明では、デバ
イスの製造に際し、露光光の光路をなす鏡筒内の内部に
必要に見合った量のパージガスを効率よく供給して、真
空紫外域の露光光を用いることが可能となり、解像力の
向上及び露光制御を精度よく行うことが可能になる。According to the ninth aspect of the present invention, when manufacturing a device, a purging gas of an amount commensurate with the necessity is efficiently supplied to the inside of the lens barrel forming the optical path of the exposure light to expose in the vacuum ultraviolet region. Since light can be used, it is possible to improve the resolution and control the exposure with high accuracy.

【００２６】次に、前記各請求項の発明にさらに含まれ
る技術的思想について、それらの作用とともに以下に記
載する。 （１） 前記形成条件として各区画室内におけるパージ
ガスの流路内に狭小部及び屈曲部の少なくとも一方が存
在する場合には、同区画室へのパージガスの供給条件を
変更することを特徴とする請求項６または請求項７に記
載のパージガスの供給方法。Next, the technical ideas further included in the inventions of the respective claims will be described below together with their actions. (1) As the forming condition, when at least one of a narrow portion and a bent portion exists in a purge gas flow path in each compartment, the purge gas supply condition to the compartment is changed. Item 6. The purge gas supply method according to Item 6 or 7.

【００２７】このようにすれば、狭小部や屈曲部といっ
たパージガスが到達し難い部分がパージガスの流路内に
存在する場合、それに応じてパージガスの供給条件を変
更することが可能になる。これにより、区画室からの汚
染物質や吸光物質のパージに際し、狭小部や屈曲部の存
在によるパージガスの淀みを効果的に解消することがで
きる。In this way, when there is a portion such as a narrow portion or a bent portion where the purge gas is hard to reach in the flow path of the purge gas, the supply condition of the purge gas can be changed accordingly. Thereby, when purging pollutants or light-absorbing substances from the compartments, it is possible to effectively eliminate the stagnation of the purge gas due to the presence of the narrowed portions and the bent portions.

【００２８】（２） 前記パージガスの比重が、そのパ
ージガスにより置換される前記区画室内の被置換ガスの
比重に比べて小さく、前記形成条件として各区画室の底
部に重力方向下側に凹状をなす凹陥部が存在する場合に
は、同区画室へのパージガスの供給条件を変更すること
を特徴とする請求項６、請求項７及び前記（１）のうち
いずれか一項に記載のパージガスの供給方法。(2) The specific gravity of the purge gas is smaller than the specific gravity of the gas to be replaced in the compartments, which is replaced by the purge gas, and the formation condition is that the bottoms of the compartments are recessed downward in the gravity direction. The method for supplying the purge gas according to any one of claims 6, 7 and (1), characterized in that the condition for supplying the purge gas to the same compartment is changed when the part exists. .

【００２９】このようにすれば、区画室内に凹陥部が形
成される場合において、この凹陥部における被置換ガス
の滞留を抑えるべく、パージガスの供給条件を設定する
ことが可能になる。With this configuration, when a recess is formed in the compartment, it is possible to set the purge gas supply conditions so as to suppress the retention gas to be retained in the recess.

【００３０】（３） 前記パージガスの比重が、そのパ
ージガスにより置換される前記区画室内の被置換ガスの
比重に比べて大きく、前記形成条件として各区画室の天
井部に重力方向上側に凹状をなす蓋部が存在する場合に
は、同区画室へのパージガスの供給条件を変更すること
を特徴とする請求項６、請求項７及び前記（１）のうち
いずれか一項に記載のパージガスの供給方法。(3) The specific gravity of the purge gas is larger than the specific gravity of the gas to be replaced in the compartments, which is replaced by the purge gas, and as the forming condition, the ceiling of each of the compartments has a concave upper side in the gravity direction. The method for supplying the purge gas according to any one of claims 6, 7 and (1), characterized in that the condition for supplying the purge gas to the same compartment is changed when the part exists. .

【００３１】このようにすれば、区画室内に重力方向上
側に凹状をなす蓋部が形成される場合において、この蓋
部における被置換ガスの滞留を抑えるべく、パージガス
の供給条件を設定することが可能になる。In this way, when a lid having a concave shape is formed in the upper part in the direction of gravity in the compartment, the purge gas supply conditions can be set in order to prevent the gas to be replaced from accumulating in the lid. It will be possible.

【００３２】（４） 前記パージガスを各区画室内に供
給する際に、前記各区画室の内容積に応じて設定した各
区画室毎のパージガスの供給条件により各区画室内にパ
ージガスを供給し、前記各区画室内が所定のガスの状態
となった後、前記各区画室の内表面積に応じて設定した
各区画室毎のパージガスの供給条件により各区画室内に
パージガスを供給することを特徴とする請求項１〜請求
項７及び前記（１）〜（３）のうちいずれか一項に記載
のパージガスの供給方法。(4) When the purge gas is supplied into each compartment, the purge gas is supplied to each compartment according to the purge gas supply condition for each compartment set according to the inner volume of each compartment. The purge gas is supplied into each compartment according to the purge gas supply condition for each compartment set according to the inner surface area of each compartment after the interior of the compartment is in a predetermined gas state. Item 7. The purge gas supply method according to any one of Items 7 and (1) to (3).

【００３３】大気状態にある区画室内を所定のガスの状
態にまで置換するために必要なパージガスの量は、内容
積に応じて各区画室で異なる。一方、一旦区画室内が所
定のガスの状態となり初期パージが完了した後において
は、その壁面からの脱離により各区画室内に汚染物質や
吸光物質が存在するようになる。この場合、この脱離成
分をパージして区画室内を所定のガスの状態に維持する
ための「維持パージ」に必要なパージガスの供給流量
は、内表面積に応じて各区画室で異なる。これに対し、
この（４）に記載の発明では、こうした大気状態からの
初期パージ、及びその後の維持パージにおいて、効率的
なパージガスの供給が併せて図られるようになる。The amount of purge gas required for replacing the compartments in the atmospheric state with a predetermined gas state varies depending on the internal volume of each compartment. On the other hand, after the compartments are once in a predetermined gas state and the initial purging is completed, desorption from the wall surface causes contaminants and light-absorbing substances to exist in the compartments. In this case, the supply flow rate of the purge gas required for the "maintenance purge" for purging the desorbed components and maintaining the state of the predetermined gas in the compartments differs depending on the inner surface area. In contrast,
In the invention described in (4), efficient supply of the purge gas can be achieved at the same time in the initial purging from the atmospheric state and the subsequent maintenance purging.

【００３４】（５） 前記区画室には、その内部のガス
の状態を検出するガス状態検出装置が設けられ、そのガ
ス状態検出装置の検出結果に基づいて前記各区画室毎の
パージガスの供給条件を変更することを特徴とする請求
項１〜請求項７及び前記（１）〜（４）のうちいずれか
一項に記載のパージガスの供給方法。(5) A gas state detection device for detecting the state of the gas inside is provided in the compartment, and the purge gas supply condition for each compartment is determined based on the detection result of the gas state detection device. It changes, The supply method of the purge gas as described in any one of Claims 1-7 and said (1)-(4).

【００３５】このようにすれば、区画室内へのパージガ
スの供給に際し、区画室内の実際のパージガスの状態に
応じて供給条件を変更することができ、パージガスの供
給を精度よく制御することが可能になる。また、各区画
室の内部が所定のガス状態になったことを確認した上で
露光光を導くことができ、露光光の効率低下をより確実
に抑制することが可能になる。With this configuration, when the purge gas is supplied into the compartment, the supply condition can be changed according to the actual state of the purge gas in the compartment, and the supply of the purge gas can be controlled with high accuracy. Become. Further, it is possible to guide the exposure light after confirming that the inside of each compartment is in a predetermined gas state, and it is possible to more reliably suppress a decrease in efficiency of the exposure light.

【００３６】（６） 前記パージガスにより置換される
前記区画室内の被置換ガスが空気であり、前記ガス状態
検出装置が酸素センサからなることを特徴とする前記
（５）に記載のパージガスの供給方法。(6) The method of supplying purge gas according to (5), wherein the gas to be replaced in the compartment, which is replaced by the purge gas, is air, and the gas state detection device is an oxygen sensor. .

【００３７】このようにすれば、区画室中におけるパー
ジ状態を、検出の感度が高く空気中における存在割合が
大きい酸素を指標として、酸素センサによる酸素濃度の
検出を通じて監視することができる。このため、各区画
室のパージ状態を精度よく検出することができ、パージ
ガスの供給を一層精度よく制御することが可能になる。In this way, the purged state in the compartment can be monitored through the detection of the oxygen concentration by the oxygen sensor, with oxygen having a high detection sensitivity and a high abundance in the air as an index. Therefore, the purged state of each compartment can be detected with high precision, and the supply of purge gas can be controlled with higher precision.

【００３８】（７） 前記各区画室毎のパージガスの供
給条件を、各区画室の密閉度に応じて設定することを特
徴とする請求項１〜請求項７及び前記（１）〜（６）の
うちいずれか一項に記載のパージガス供給方法。(7) The conditions for supplying the purge gas for each of the compartments are set according to the degree of sealing of each compartment, among the above-mentioned (1) to (7) and (1) to (6). The purge gas supply method according to any one of claims.

【００３９】例えば、複数の区画室のうちのいくつかが
その内外の間で交換される交換部材を収容する収容室で
構成される等、各区画室間においてその密閉度に差が生
じる構成では、区画室内のガスを効率よくパージガスに
置換するために必要なパージガスの量が、この密閉度に
応じて異なる。これに対して、前記（７）に記載の発明
では、各区画室に対するパージガスの供給条件が、こう
した密閉度に応じて設定される。これにより、複数の区
画室それぞれへの効率的なパージガスの供給が可能にな
る。For example, in a configuration in which some of the plurality of compartments are configured as accommodating chambers for accommodating exchange members that are exchanged between the inside and the outside of the compartments, a difference occurs in the degree of sealing between the compartments. The amount of purge gas required to efficiently replace the gas in the compartment with the purge gas varies depending on the degree of sealing. On the other hand, in the invention described in (7) above, the conditions for supplying the purge gas to the respective compartments are set according to the degree of sealing. As a result, it becomes possible to efficiently supply the purge gas to each of the plurality of compartments.

【００４０】（８） 少なくとも一部の前記区画室が、
その内部を通過する所定の光に曝されるとともに、その
区画室の内外の間で交換される交換部材を収容する収容
室であり、その収容室及び外部の空間に断続可能に接続
されるとともに前記パージガスが供給される予備室を介
して、前記交換部材を交換することを特徴とする請求項
８に記載の露光装置。(8) At least a part of the compartments
A storage chamber that is exposed to a predetermined light passing through the interior thereof and stores an exchange member that is exchanged between the inside and outside of the compartment, and is intermittently connected to the storage chamber and an external space. 9. The exposure apparatus according to claim 8, wherein the replacement member is replaced via a preliminary chamber to which the purge gas is supplied.

【００４１】このようにすれば、交換部材の交換に際
し、区画室内が筐体の外部に直接開放されることがな
く、外部から区画室内への汚染物質や吸光物質の流入を
さらに抑制することができる。これにより、その流入に
基づく区画室内におけるこれら両物質の濃度の上昇が抑
制され、その区画室内を所定のガス状態に戻すために必
要なパージガスの供給時間を短縮することが可能にな
る。With this configuration, when the exchange member is replaced, the compartment is not directly opened to the outside of the housing, and the inflow of contaminants or light absorbing substances from the outside into the compartment can be further suppressed. it can. This suppresses an increase in the concentration of both substances in the compartment due to the inflow, and it is possible to shorten the supply time of the purge gas required to return the compartment to the predetermined gas state.

【００４２】（９） 前記パージガスの供給条件を、前
記各区画室毎の密閉度に応じて前記区画室毎に設定する
ようにしたことを特徴とする請求項８または前記（８）
に記載の露光装置。(9) The purge gas supply condition is set for each of the compartments according to the degree of sealing of each of the compartments.
The exposure apparatus according to.

【００４３】このようにすれば、密閉度の違いに起因し
て、複数の区画室間において生じる必要なパージガスの
量の差異を好適に補償することが可能になる。これによ
り、露光光の過度の減衰をより効果的に抑制することが
できる。In this way, it is possible to preferably compensate for the difference in the required amount of purge gas between the plurality of compartments due to the difference in the degree of sealing. Thereby, the excessive attenuation of the exposure light can be suppressed more effectively.

【００４４】[0044]

【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下に、本発明
を、半導体素子製造用の露光装置、及び同露光装置内へ
のパージガスの供給方法、及び半導体素子の製造方法に
具体化した第１実施形態について、図１及び図２に基づ
いて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (First Embodiment) The present invention is embodied below in an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element, a method of supplying a purge gas into the exposure apparatus, and a method of manufacturing a semiconductor element. The first embodiment will be described based on FIGS. 1 and 2.

【００４５】図１に示すように、前記露光装置は、所定
の光源としての露光光源２１と露光装置本体２２とビー
ム・マッチング・ユニット（以下、「ＢＭＵ」とい
う。）２３とから構成されている。前記露光光源２１
は、所定の光及び露光光ＥＬとして、例えばＦ2レーザ
光（λ＝１５７ｎｍ）を出射するレーザ光源となってい
る。前記ＢＭＵ２３は複数の光学素子で構成され、これ
ら複数の光学素子はＢＭＵ室３９に収容される。このＢ
ＭＵ２３は、前記露光光源２１と露光装置本体２２とを
光学的に接続し、このＢＭＵ２３を介して露光光源２１
から出射された露光光ＥＬが露光装置本体２２内に導か
れるようになっている。As shown in FIG. 1, the exposure apparatus comprises an exposure light source 21 as a predetermined light source, an exposure apparatus main body 22, and a beam matching unit (hereinafter referred to as "BMU") 23. . The exposure light source 21
Is a laser light source that emits F 2 laser light (λ = 157 nm) as predetermined light and exposure light EL, for example. The BMU 23 is composed of a plurality of optical elements, and the plurality of optical elements are housed in the BMU chamber 39. This B
The MU 23 optically connects the exposure light source 21 and the exposure apparatus main body 22, and the exposure light source 21 is connected via the BMU 23.
The exposure light EL emitted from is guided into the exposure apparatus main body 22.

【００４６】前記露光装置本体２２は、前記露光光ＥＬ
の照射によりマスクとしてのレチクルＲ上に形成された
パターンの像を基板としてのウエハＷ上に転写するもの
であり、以下に露光装置本体２２の概略構成について説
明する。The exposure apparatus main body 22 includes the exposure light EL
Is used to transfer the image of the pattern formed on the reticle R as a mask onto the wafer W as a substrate. The schematic configuration of the exposure apparatus main body 22 will be described below.

【００４７】露光装置本体２２のチャンバ２５内には、
照明系鏡筒２６、レチクル室２７、投影系鏡筒２８、及
びウエハ室２９が、前記ＢＭＵ２３を介して導入された
露光光ＥＬの光軸方向に順次配置されている。なお、前
記ＢＭＵ室３９、照明系鏡筒２６、レチクル室２７、投
影系鏡筒２８、及びウエハ室２９が、前記露光光ＥＬを
取り囲む筐体を構成する。このチャンバ２５は図示しな
い空調装置を備えており、露光装置全体の動作を制御す
る主制御系３０の制御の下で、このチャンバ２５の内部
が所定の温度及び湿度に保たれるようになっている。In the chamber 25 of the exposure apparatus main body 22,
The illumination system barrel 26, the reticle chamber 27, the projection system barrel 28, and the wafer chamber 29 are sequentially arranged in the optical axis direction of the exposure light EL introduced through the BMU 23. The BMU chamber 39, the illumination system lens barrel 26, the reticle chamber 27, the projection system lens barrel 28, and the wafer chamber 29 form a casing that surrounds the exposure light EL. The chamber 25 is provided with an air conditioner (not shown), and the inside of the chamber 25 is kept at a predetermined temperature and humidity under the control of the main control system 30 that controls the operation of the entire exposure apparatus. There is.

【００４８】区画室をなす前記レチクル室２７には、レ
チクルステージＲＳＴが配置されている。このレチクル
ステージＲＳＴにより、所定のパターンが形成されたレ
チクルＲが、前記露光光ＥＬの光軸と直交するように保
持されるようになっている。また、区画室をなす前記ウ
エハ室２９には、ウエハステージＷＳＴが配置されてい
る。そして、このウエハステージＷＳＴにより、前記露
光光ＥＬに対して感光性を有するフォトレジストが塗布
された前記ウエハＷが、その露光光ＥＬの光軸と直交す
る面内において移動可能、かつその光軸に沿って微動可
能に保持されるようになっている。A reticle stage RST is arranged in the reticle chamber 27 forming a compartment. The reticle stage RST holds the reticle R on which a predetermined pattern is formed so as to be orthogonal to the optical axis of the exposure light EL. A wafer stage WST is arranged in the wafer chamber 29 that forms a compartment. Then, the wafer W coated with a photoresist having photosensitivity to the exposure light EL is movable by the wafer stage WST in a plane orthogonal to the optical axis of the exposure light EL, and the optical axis of the wafer W is movable. It is designed so that it can be finely moved along.

【００４９】前記照明系鏡筒２６内には、前記レチクル
Ｒを照明するための照明光学系３１が収容されている。
この照明光学系３１は、複数のミラー３２、オプティカ
ルインテグレータをなすフライアイレンズ（ロッドイン
テグレータでもよい）３３、リレー光学系３４、コンデ
ンサレンズ３５等の光学素子からなっている。前記フラ
イアイレンズ３３は、前記露光光源２１からの露光光Ｅ
Ｌの入射により、その後方面に前記レチクルＲを均一な
照度分布で照明する多数の二次光源を形成する。前記リ
レー光学系３４の後方には、前記露光光ＥＬの形状を整
形するためのレチクルブラインド３６が配置されてい
る。An illumination optical system 31 for illuminating the reticle R is housed in the illumination system barrel 26.
The illumination optical system 31 includes optical elements such as a plurality of mirrors 32, a fly-eye lens (which may be a rod integrator) 33 forming an optical integrator, a relay optical system 34, and a condenser lens 35. The fly-eye lens 33 receives the exposure light E from the exposure light source 21.
By the incidence of L, a large number of secondary light sources that illuminate the reticle R with a uniform illuminance distribution are formed on the rear surface thereof. A reticle blind 36 for shaping the shape of the exposure light EL is arranged behind the relay optical system 34.

【００５０】前記照明系鏡筒２６の両端におけるＢＭＵ
側開口部３７ａ及びマスク側開口部３７ｂには、照明光
学系３１の一部の光学素子として円板状の平行平板３８
が配置されている。この平行平板３８は、露光光ＥＬを
透過する物質（合成石英、蛍石など）により形成されて
いる。BMUs at both ends of the illumination system barrel 26
In the side opening 37a and the mask side opening 37b, a disk-shaped parallel plate 38 is provided as an optical element of a part of the illumination optical system 31.
Are arranged. The parallel plate 38 is formed of a substance (synthetic quartz, fluorite, etc.) that transmits the exposure light EL.

【００５１】前記ＢＭＵ側開口部３７ａに配置された平
行平板３８によって、前記ＢＭＵ室３９の内部空間と、
照明系鏡筒２６の内部空間とが分離される。また、前記
照明系鏡筒２６は、前記平行平板３８を介して区画室を
なす複数の照明気密室４０に区画されている。そして、
各照明気密室４０には、前記ミラー３２、前記フライア
イレンズ３３、前記リレー光学系３４、及びコンデンサ
レンズ３５の各光学素子や、前記レチクルブラインド３
６が単独であるいはいくつか組み合わされて収容されて
いる。By the parallel plate 38 arranged in the BMU side opening 37a, the internal space of the BMU chamber 39,
The internal space of the illumination system barrel 26 is separated. Further, the illumination system barrel 26 is divided into a plurality of illumination airtight chambers 40 that form divided chambers via the parallel plate 38. And
Each illumination airtight chamber 40 has optical elements such as the mirror 32, the fly-eye lens 33, the relay optical system 34, and a condenser lens 35, and the reticle blind 3.
6 are stored alone or in combination.

【００５２】前記投影系鏡筒２８内には、前記照明光学
系３１によって照明されるレチクルＲ上のパターンの像
を前記ウエハＷ上に投影するための投影光学系４１が収
容されている。この投影光学系４１は、該投影光学系４
１を構成する光学素子としての複数のレンズエレメント
４２からなっている。そして、その投影系鏡筒２８の内
部には、前記投影系鏡筒２８の内壁、前記レンズエレメ
ント４２、及び同レンズエレメント４２を保持する保持
部材４３によって、複数の区画室としての投影気密室４
５ａ，４５ｂ，４５ｃが区画形成されている（図２参
照）。A projection optical system 41 for projecting an image of the pattern on the reticle R illuminated by the illumination optical system 31 onto the wafer W is housed in the projection system barrel 28. The projection optical system 41 includes the projection optical system 4
1 is composed of a plurality of lens elements 42 as optical elements. Then, inside the projection system lens barrel 28, the projection hermetic chamber 4 as a plurality of compartments is provided by the inner wall of the projection system lens barrel 28, the lens element 42, and the holding member 43 that holds the lens element 42.
5a, 45b, and 45c are sectioned (see FIG. 2).

【００５３】前記ＢＭＵ室３９、前記照明気密室４０、
前記レチクル室２７、各投影気密室４５ａ〜４５ｃ及び
ウエハ室２９には、パージガスの供給装置としてのパー
ジガス供給系４８が接続されている。このパージガス供
給系４８を介して、前記ＢＭＵ室３９及び各室２７，２
９，４０，４５ａ〜４５ｃに対して、マイクロデバイス
工場のユーティリティプラント内のタンク４９より、不
活性ガスからなるパージガスが供給されるようになって
いる。ここで、前記不活性ガスとは、窒素、ヘリウム、
ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等の
中から選択された単体のガス、あるいはその混合ガスで
ある。The BMU chamber 39, the lighting hermetic chamber 40,
A purge gas supply system 48 as a purge gas supply device is connected to the reticle chamber 27, the projection hermetic chambers 45a to 45c, and the wafer chamber 29. Through the purge gas supply system 48, the BMU chamber 39 and each chamber 27, 2
A purge gas composed of an inert gas is supplied to the tanks 9, 40, 45a to 45c from the tank 49 in the utility plant of the microdevice factory. Here, the inert gas is nitrogen, helium,
It is a single gas selected from neon, argon, krypton, xenon, radon, etc., or a mixed gas thereof.

【００５４】前記パージガス供給系４８の給気配管５０
中には、パージガス中に含まれる不純物を除去するため
のフィルタ５１及びパージガスを所定の温度に調整する
とともにパージガス中の水分を除去する温調乾燥器５２
が介装されている。そして、前記ＢＭＵ室３９及び各室
２７，２９，４０，４５ａ〜４５ｃは、パージガス排出
管５３を介して半導体素子製造工場の排気ダクト５４に
接続されている。また、前記チャンバ２５も同排気ダク
ト５４に接続されている。これにより、前記ＢＭＵ室３
９、各室２７，２９，４０，４５ａ〜４５ｃ内に供給さ
れたパージガスは、前記排気ダクト５４を介して、工場
の外部に排出されるようになっている。Air supply pipe 50 of the purge gas supply system 48
Inside, a filter 51 for removing impurities contained in the purge gas and a temperature control dryer 52 for adjusting the purge gas to a predetermined temperature and removing water in the purge gas.
Is installed. The BMU chamber 39 and the chambers 27, 29, 40, 45a to 45c are connected to an exhaust duct 54 of a semiconductor device manufacturing factory via a purge gas exhaust pipe 53. The chamber 25 is also connected to the exhaust duct 54. As a result, the BMU room 3
9. The purge gas supplied into each of the chambers 27, 29, 40, 45a to 45c is exhausted to the outside of the factory through the exhaust duct 54.

【００５５】なお、前記パージガス中に含まれる不純物
には、前記ミラー３２，フライアイレンズ３３、リレー
光学系３４、コンデンサレンズ３５、平行平板３８及び
レンズエレメント４２等の光学素子の表面上に、露光光
ＥＬの照射下で堆積して曇り現象を生じせしめる汚染物
質、あるいはＦ2レーザ光を強く吸収する酸素等の吸光
物質が含まれる。また、前記汚染物質としては、例えば
有機ケイ素化合物、アンモニウム塩、硫酸塩、ウエハＷ
上のレジストからの揮散物、駆動部を有する構成部品に
使用される摺動性改善剤からの揮散物、チャンバ２５内
の電気部品に給電あるいは信号供給するための配線の被
覆層からの揮散物等がある。The impurities contained in the purge gas are exposed on the surfaces of optical elements such as the mirror 32, the fly-eye lens 33, the relay optical system 34, the condenser lens 35, the parallel plate 38, and the lens element 42. A pollutant that accumulates under the irradiation of the light EL to cause a clouding phenomenon, or a light absorbing material such as oxygen that strongly absorbs the F 2 laser light is included. The contaminants include, for example, organosilicon compounds, ammonium salts, sulfates, and wafers W.
Volatilized matter from the above resist, volatilized matter from the slidability improving agent used for the component having the drive section, volatilized matter from the coating layer of the wiring for supplying power or supplying signals to the electric components in the chamber 25. Etc.

【００５６】次に、前記パージガス供給系４８及びパー
ジガス排出管５３の、前記投影系鏡筒２８内の各投影気
密室４５ａ〜４５ｃへの接続構造を説明する。ここで、
本実施形態の露光装置では、例えば露光装置の稼動直後
等のパージガスの供給の開始初期において、各投影気密
室４５ａ〜４５ｃ内の不純物を多く含むガスをパージガ
スに置換するための「初期パージ」が行われる。そし
て、この初期パージを効率的に行うためには、各投影気
密室４５ａ〜４５ｃ内に存在する不純物を多く含むガス
の量、すなわち各投影気密室４５ａ〜４５ｃの内容積に
応じた量のパージガスを、各投影気密室４５ａ〜４５ｃ
に毎に供給することが望ましい。Next, the connection structure of the purge gas supply system 48 and the purge gas discharge pipe 53 to the projection hermetic chambers 45a to 45c in the projection system lens barrel 28 will be described. here,
In the exposure apparatus of the present embodiment, an “initial purge” for replacing the gas containing a large amount of impurities in each of the projection hermetic chambers 45a to 45c with the purge gas at the beginning of the supply of the purge gas immediately after the exposure apparatus starts operating, for example. Done. In order to efficiently perform the initial purging, the amount of the gas containing a large amount of impurities existing in each of the projection hermetic chambers 45a to 45c, that is, the amount of the purge gas according to the inner volume of each of the projection hermetic chambers 45a to 45c. The projection airtight chambers 45a to 45c
It is desirable to supply every time.

【００５７】また、各投影気密室４５ａ〜４５ｃの壁面
からは、前記初期パージによって各投影気密室４５ａ〜
４５ｃ内のガスがパージガスに十分に置換された後にお
いても、若干であるとはいえ不純物が揮散していること
がある。こうした壁面から離脱する不純物によって、各
投影気密室４５ａ〜４５ｃ内の不純物濃度が上昇するお
それがある。そこで、本実施形態の露光装置では、前記
初期パージが実行された後に、各投影気密室４５ａ〜４
５ｃを所定のガス状態に維持するための「維持パージ」
が行われる。そして、この維持パージを効率的に行うた
めには、離脱成分が離脱する壁面の総面積、すなわち前
記投影系鏡筒２８の内壁、レンズエレメント４２、及び
保持部材４３によって区画形成される各投影気密室４５
ａ〜４５ｃの内表面積に応じた量のパージガスを、各投
影気密室４５ａ〜４５ｃ毎に供給することが望ましい。From the wall surfaces of the projection hermetic chambers 45a to 45c, the initial purging causes the projection hermetic chambers 45a to 45c.
Even after the gas in 45c is sufficiently replaced with the purge gas, impurities may be volatilized, albeit in a small amount. Due to the impurities separated from the wall surface, the impurity concentration in each of the projection hermetic chambers 45a to 45c may increase. Therefore, in the exposure apparatus of the present embodiment, after the initial purge is performed, the projection hermetic chambers 45a to 45a-4
"Maintenance Purge" for maintaining 5c in a prescribed gas state
Is done. In order to efficiently perform this maintenance purge, the total area of the wall surface from which the separation component is separated, that is, the inner wall of the projection system lens barrel 28, the lens element 42, and each projection gas defined by the holding member 43 are defined. Closed room 45
It is desirable to supply the amount of purge gas according to the inner surface area of a to 45c to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c.

【００５８】そこで、本実施形態の露光装置では、前記
各投影気密室４５ａ〜４５ｃに対するパージガスの供給
条件を、各投影気密室４５ａ〜４５ｃの形成条件に応じ
て、各投影気密室４５ａ〜４５ｃ毎に設定するようにし
ている。具体的には、各投影気密室４５ａ〜４５ｃに接
続されるパージガス供給系４８を構成する各管は、その
軸線と直交する断面における開口面積が、各投影気密室
４５ａ〜４５ｃの内容積や内表面積に応じて各別に設定
されている。Therefore, in the exposure apparatus of this embodiment, the conditions for supplying the purge gas to the projection hermetic chambers 45a to 45c are set in accordance with the formation conditions of the projection hermetic chambers 45a to 45c. Is set to. Specifically, each of the pipes constituting the purge gas supply system 48 connected to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c has an opening area in a cross section orthogonal to the axis thereof in the inner volume and the inside of each of the projection hermetic chambers 45a to 45c. It is set separately for each surface area.

【００５９】図２に示すように、前記パージガス供給系
４８は、主供給管６１と、前記初期パージに用いられる
初期用パージガス供給管６２〜６４と、前記維持パージ
に用いられる維持用パージガス供給管６５〜６７とから
構成されている。前記主供給管６１は、各パージガス供
給管６２〜６４，６５〜６７の開口面積に対して開口面
積が大きく、且つ前記各投影気密室４５ａ，４５ｂ，４
５ｃの近傍まで延びている。前記初期用パージガス供給
管６２及び維持用パージガス供給管６５は、この主供給
管６１と前記投影気密室４５ａとを連通している。前記
初期用パージガス供給管６３及び維持用パージガス供給
管６６は、主供給管６１と投影気密室４５ｂとを連通し
ている。前記初期用パージガス供給管６４及び維持用パ
ージガス供給管６７は、主供給管６１と投影気密室４５
ｃとを連通している。また、この主供給管６１には、ほ
ぼ一定の圧力のパージガスが供給されている。前記各パ
ージガス供給管６２〜６７には、主供給管６１と各投影
気密室４５ａ〜４５ｃとの連通及びその遮断を切替可能
な切替弁６２ａ〜６７ａがそれぞれ設けられている。As shown in FIG. 2, the purge gas supply system 48 includes a main supply pipe 61, initial purge gas supply pipes 62 to 64 used for the initial purge, and a maintenance purge gas supply pipe used for the maintenance purge. 65-67. The main supply pipe 61 has an opening area larger than the opening areas of the purge gas supply pipes 62 to 64, 65 to 67, and the projection hermetic chambers 45a, 45b, 4 are also provided.
It extends to the vicinity of 5c. The initial purge gas supply pipe 62 and the maintenance purge gas supply pipe 65 connect the main supply pipe 61 and the projection hermetic chamber 45a. The initial purge gas supply pipe 63 and the maintenance purge gas supply pipe 66 connect the main supply pipe 61 and the projection hermetic chamber 45b. The initial purge gas supply pipe 64 and the maintenance purge gas supply pipe 67 are composed of the main supply pipe 61 and the projection hermetic chamber 45.
It communicates with c. Further, the purge gas having a substantially constant pressure is supplied to the main supply pipe 61. The purge gas supply pipes 62 to 67 are respectively provided with switching valves 62a to 67a capable of switching the communication between the main supply pipe 61 and the projection hermetic chambers 45a to 45c and the shutoff thereof.

【００６０】ここで、主供給管６１にほぼ一定の圧力で
パージガスを供給したときにおける各投影気密室４５ａ
〜４５ｃへのパージガス供給における圧力損失を考え
る。なぜならば、各パージガス供給管６２〜６７の入口
付近における圧力が大きく変動すると、各投影気密室４
５ａ〜４５ｃへのパージガスの供給流量の制御が困難に
なるためである。Here, each projection hermetic chamber 45a when the purge gas is supplied to the main supply pipe 61 at a substantially constant pressure
Consider the pressure loss in the purge gas supply to ~ 45c. This is because when the pressure near the inlets of the purge gas supply pipes 62 to 67 fluctuates significantly, the projection hermetic chambers 4
This is because it becomes difficult to control the supply flow rate of the purge gas to 5a to 45c.

【００６１】一般に、管路のコンダクタンスをＣ、同管
路の入口と出口との圧力差をΔＰとすると、同管路内を
流れる流体の流量ΔＱは、次の（１）式により定まる。 ΔＱ＝Ｃ×ΔＰ …（１） このコンダクタンスＣは、流体が粘性流である場合に
は、管路の断面開口の直径を４乗した値に比例して変化
する。Generally, when the conductance of the pipeline is C and the pressure difference between the inlet and the outlet of the pipeline is ΔP, the flow rate ΔQ of the fluid flowing in the pipeline is determined by the following equation (1). ΔQ = C × ΔP (1) When the fluid is a viscous flow, the conductance C changes in proportion to the value obtained by raising the diameter of the cross-sectional opening of the conduit to the fourth power.

【００６２】ここで、前記主供給管６１の軸線との直交
断面における開口の直径（内径）をα１とし、各パージ
ガス供給管６２〜６７のうちで最も開口面積の大きくな
る（圧力損失を大きくする）初期用パージガス供給管６
２の内径をα２とする。そして、層流条件下で前記圧力
損失が１％以内であれば、その圧力損失は無視できる。
このように、圧力損失を１％以下に抑えるためには、主
供給管６１側のコンダクタンスＣ１を、初期用パージガ
ス供給管６２側のコンダクタンスＣ２の１００倍以上に
すればよい。ここで、前述のようにコンダクタンスは、
管径の４乗に比例することから、この関係を満たす主供
給管６１と初期用パージガス供給管６２との管径の比を
求めると、次の（２）式のようになる。 α１：α２ ≒ ３．１６：１ …（２） そこで、本実施形態の主供給管６１は、初期用パージガ
ス供給管６２の約３倍の管径を有するように設定されて
いる。これにより、前記各パージガス供給管６２〜６７
の入口には、ほぼ一定の圧力のパージガスが供給される
ようになっている。Here, the diameter (inner diameter) of the opening in the cross section orthogonal to the axis of the main supply pipe 61 is α1, and the opening area is the largest among the purge gas supply pipes 62 to 67 (the pressure loss is increased). ) Initial purge gas supply pipe 6
The inner diameter of 2 is α2. If the pressure loss is 1% or less under the laminar flow condition, the pressure loss can be ignored.
As described above, in order to suppress the pressure loss to 1% or less, the conductance C1 on the main supply pipe 61 side may be set to 100 times or more the conductance C2 on the initial purge gas supply pipe 62 side. Here, as mentioned above, the conductance is
Since it is proportional to the fourth power of the pipe diameter, the ratio of the pipe diameters of the main supply pipe 61 and the initial purge gas supply pipe 62 satisfying this relationship can be calculated by the following equation (2). α1: α2 ≉3.16: 1 (2) Therefore, the main supply pipe 61 of the present embodiment is set to have a pipe diameter about three times as large as the initial purge gas supply pipe 62. Thereby, the purge gas supply pipes 62 to 67 are provided.
The purge gas having a substantially constant pressure is supplied to the inlet of the.

【００６３】そして、前記初期パージを行うときには、
前記各切替弁６２ａ，６３ａ，６４ａが開弁されるとと
もに、各切替弁６５ａ，６６ａ，６７ａが閉弁される。
これにより、主供給管６１と各投影気密室４５ａ，４５
ｂ，４５ｃとが、それぞれ初期用パージガス供給管６
２，６３，６４を通じて連通される。When performing the initial purge,
The switching valves 62a, 63a, 64a are opened, and the switching valves 65a, 66a, 67a are closed.
Thereby, the main supply pipe 61 and the projection hermetic chambers 45a, 45
b and 45c are respectively the initial purge gas supply pipe 6
It is connected through 2, 63 and 64.

【００６４】ここで、各投影気密室４５ａ，４５ｂ，４
５ｃの内容積をＸ，Ｙ，Ｚとすると、前記初期パージ時
において最低限必要な各投影気密室４５ａ，４５ｂ，４
５ｃに対するパージガスの供給流量の比が、ほぼこれら
内容積の比「Ｘ：Ｙ：Ｚ」になることが発明者によって
確認されている。Here, each projection hermetic chamber 45a, 45b, 4
Assuming that the internal volume of 5c is X, Y, and Z, the projection hermetic chambers 45a, 45b, and 4 required at the time of the initial purge are the minimum required.
It has been confirmed by the inventor that the ratio of the supply flow rate of the purge gas to 5c is approximately "X: Y: Z" of these internal volumes.

【００６５】また、前記（１）式の関係により、前記圧
力差ΔＰ及び管路長が一定の条件の下では、管路の直径
を設定することで、コンダクタンスＣが定まり、これに
より同管路内を流れる流体の流量を設定することができ
る。Further, according to the relation of the above equation (1), under the condition that the pressure difference ΔP and the pipeline length are constant, the conductance C is determined by setting the diameter of the pipeline, whereby the pipeline C is determined. The flow rate of the fluid flowing inside can be set.

【００６６】そこで、本実施形態の装置では、前記各初
期用パージガス供給管６２，６３，６４は、その内径を
それぞれα２，α３，α４として、次の（３）式を満た
すように設定されている。 「（α２の４乗）：（α３の４乗）：（α４の４乗）」 ＝ 「Ｘ：Ｙ：Ｚ」 …（３） また、この装置では、各初期用パージガス供給管６２，
６３，６４は、所定の時間内において最低限必要な量の
パージガスを各投影気密室４５ａ〜４５ｃに対して供給
可能なようにその内径α２，α３，α４が設定されてい
る。例えば、各投影気密室４５ａ，４５ｂ，４５ｃの内
容積比が「８１：１６：１」であるような場合には、各
初期用パージガス供給管６２，６３，６４の内径比を
「３：２：１」に設定すればよい。Therefore, in the apparatus of this embodiment, the initial purge gas supply pipes 62, 63 and 64 are set so that their inner diameters are α2, α3 and α4, respectively, and are set so as to satisfy the following equation (3). There is. “(Α2 to the fourth power) :( α3 to the fourth power) :( α4 to the fourth power)” = “X: Y: Z” (3) In this device, the initial purge gas supply pipes 62,
The inner diameters α2, α3, and α4 of 63 and 64 are set so that the minimum necessary amount of purge gas can be supplied to the projection hermetic chambers 45a to 45c within a predetermined time. For example, when the inner volume ratio of the projection hermetic chambers 45a, 45b, 45c is "81: 16: 1", the inner diameter ratio of the initial purge gas supply pipes 62, 63, 64 is "3: 2". : 1 ”.

【００６７】一方、前記維持パージを行うときには、前
記各切替弁６５ａ，６６ａ，６７ａが開弁されるととも
に、各切替弁６２ａ，６３ａ，６４ａが閉弁される。こ
れにより、主供給管６１と各投影気密室４５ａ，４５
ｂ，４５ｃとが、それぞれ維持用パージガス供給管６
５，６６，６７を通じて連通される。On the other hand, when the maintenance purge is performed, the switching valves 65a, 66a, 67a are opened and the switching valves 62a, 63a, 64a are closed. Thereby, the main supply pipe 61 and the projection hermetic chambers 45a, 45
b and 45c are the purge gas supply pipe 6 for maintenance, respectively.
Communication is made through 5, 66, 67.

【００６８】ここで、各投影気密室４５ａ，４５ｂ，４
５ｃの内表面積をＡ，Ｂ，Ｃとして、前記維持パージ時
における各投影気密室４５ａ，４５ｂ，４５ｃに対して
それぞれ最低限必要なパージガスの供給流量の比が、ほ
ぼこれら内表面積の比「Ａ：Ｂ：Ｃ」になることが発明
者によって確認されている。Here, each projection hermetic chamber 45a, 45b, 4
With the internal surface area of 5c as A, B, and C, the minimum required ratio of the purge gas supply flow rate to each of the projection hermetic chambers 45a, 45b, and 45c at the time of the above-described purge is approximately "A". It has been confirmed by the inventor that ": B: C".

【００６９】そこで、本実施形態の装置では、前記各維
持用パージガス供給管６５，６６，６７は、その内径を
それぞれα５，α６，α７として、次の（４）式を満た
すように設定されている。 「（α５の４乗）：（α６の４乗）：（α７の４乗）」 ＝ 「Ａ：Ｂ：Ｃ」 …（４） また、この装置では、各パージガス供給管６５，６６，
６７は、その内径α５，α６，α７が、前記維持パージ
時においてそれぞれ最低限必要な量のパージガスを各投
影気密室４５ａ〜４５ｃに対して供給可能なように設定
されている。例えば、各投影気密室４５ａ，４５ｂ，４
５ｃの内表面積比が「８１：１６：１」であるような場
合には、各維持用パージガス供給管６５，６６，６７の
内径比を「３：２：１」に設定すればよい。Therefore, in the apparatus of this embodiment, the maintenance purge gas supply pipes 65, 66 and 67 are set so that their inner diameters are α5, α6 and α7, respectively, and are set so as to satisfy the following equation (4). There is. “(Α5 to the fourth power) :( α6 to the fourth power) :( α7 to the fourth power)” = “A: B: C” (4) Further, in this device, each purge gas supply pipe 65, 66,
The inner diameters α5, α6, α7 of 67 are set so that the minimum required amount of purge gas can be supplied to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c at the time of the maintenance purge. For example, the projection hermetic chambers 45a, 45b, 4
When the inner surface area ratio of 5c is "81: 16: 1", the inner diameter ratio of each of the maintenance purge gas supply pipes 65, 66, 67 may be set to "3: 2: 1".

【００７０】こうした構成により、初期パージ時には、
前記各投影気密室４５ａ〜４５ｃの内容積に応じて各投
影気密室４５ａ〜４５ｃ毎に設定された流量のパージガ
スが、各投影気密室４５ａ〜４５ｃに供給される。ま
た、前記維持パージ時には、前記各投影気密室４５ａ〜
４５ｃの内表面積に応じて各投影気密室４５ａ〜４５ｃ
毎に設定された流量のパージガスが、各投影気密室４５
ａ〜４５ｃに供給される。With this configuration, during the initial purge,
The purge gas having a flow rate set for each of the projection hermetic chambers 45a to 45c according to the inner volume of each of the projection hermetic chambers 45a to 45c is supplied to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c. Further, at the time of the maintenance purge, each of the projection hermetic chambers 45a ...
Each of the projection hermetic chambers 45a to 45c according to the inner surface area of 45c
The flow rate of purge gas set for each of the projection gas tight chambers 45
a to 45c.

【００７１】なお、前記各パージガス供給管６２〜６７
の前記開口面積は、維持用パージガス供給管６５〜６７
よりも初期用パージガス供給管６２〜６４の方が大きく
なるように設定される。すなわち、初期パージが行われ
るときには、維持パージが行われるときに比べて、多量
のパージガスが各投影気密室４５ａ〜４５ｃに供給され
るようになっている。The purge gas supply pipes 62 to 67 are used.
The opening area of the maintenance purge gas supply pipes 65 to 67 is
The initial purge gas supply pipes 62 to 64 are set to be larger than the above. That is, when the initial purge is performed, a larger amount of purge gas is supplied to the projection hermetic chambers 45a to 45c than when the maintenance purge is performed.

【００７２】従って、本実施形態によれば、以下のよう
な効果を得ることができる。 （イ） この露光装置では、投影系鏡筒２８の各投影気
密室４５ａ〜４５ｃに対するパージガスの供給流量が、
各投影気密室４５ａ〜４５ｃの形成条件に応じて各別に
設定されている。これにより、必要に見合った量のパー
ジガスを各投影気密室４５ａ〜４５ｃに効率よく供給す
ることができる。Therefore, according to this embodiment, the following effects can be obtained. (A) In this exposure apparatus, the supply flow rate of the purge gas to the projection hermetic chambers 45a to 45c of the projection system barrel 28 is
The projection hermetic chambers 45a to 45c are individually set according to the forming conditions. This makes it possible to efficiently supply an amount of purge gas that is commensurate with the projection gas tight chambers 45a to 45c.

【００７３】（ロ） この露光装置では、各投影気密室
４５ａ〜４５ｃに接続されるパージガス供給管６２〜６
７について、その内径α２〜α４，α５〜α７が各投影
気密室４５ａ〜４５ｃ毎に各別に設定されている。これ
により、パージガスの供給流量を、各投影気密室４５ａ
〜４５ｃそれぞれに適した量に設定することができる。(B) In this exposure apparatus, the purge gas supply pipes 62 to 6 connected to the projection hermetic chambers 45a to 45c are used.
7, the inner diameters α2 to α4 and α5 to α7 are individually set for the respective projection hermetic chambers 45a to 45c. Thus, the supply flow rate of the purge gas is set to the projection airtight chamber 45a.
It can be set to an amount suitable for each of the .about.45c.

【００７４】（ハ） 初期パージに必要なパージガスの
供給流量は、内容積に応じて、各投影気密室４５ａ〜４
５ｃ毎に異なる。一方、前記維持パージに必要なパージ
ガスの供給流量は、各投影気密室４５ａ〜４５ｃの内表
面積に応じて異なる。これに対して、この露光装置で
は、各パージガス供給管６２〜６７についてその内径α
２〜α４，α５〜α７が、各投影気密室４５ａ〜４５ｃ
間における内容積の比「Ｘ：Ｙ：Ｚ」や内表面積の比
「Ａ：Ｂ：Ｃ」に基づいて、各投影気密室４５ａ〜４５
ｃ毎に設定されている。このため、各投影気密室４５ａ
〜４５ｃに対するパージガスの供給流量を初期パージや
維持パージに適した量に設定することが可能になり、パ
ージガスを各投影気密室４５ａ〜４５ｃに対して効率的
に供給することができる。(C) The supply flow rate of the purge gas required for the initial purging depends on the internal volume of each of the projection hermetic chambers 45a-4.
It differs every 5c. On the other hand, the supply flow rate of the purge gas required for the maintenance purge differs depending on the inner surface area of each of the projection hermetic chambers 45a to 45c. On the other hand, in this exposure apparatus, the inner diameter α of each of the purge gas supply pipes 62 to 67 is
2 to α4 and α5 to α7 are the projection hermetic chambers 45a to 45c, respectively.
Based on the internal volume ratio “X: Y: Z” and the internal surface area ratio “A: B: C” between the projection hermetic chambers 45a to 45a.
It is set for each c. Therefore, each projection hermetic chamber 45a
It is possible to set the supply flow rate of the purge gas to the -45c to an amount suitable for the initial purge and the maintenance purge, and the purge gas can be efficiently supplied to the projection hermetic chambers 45a to 45c.

【００７５】（ニ） この露光装置では、各投影気密室
４５ａ〜４５ｃの内壁の一部がレンズエレメント４２の
表面により構成されている。このため、各レンズエレメ
ント４２がパージガスにさらされた状態となり、露光装
置の露光性能に大きな影響を与えるレンズエレメント４
２への汚染物質の付着を効果的に抑制することができ
る。(D) In this exposure apparatus, a part of the inner wall of each of the projection hermetic chambers 45a to 45c is formed by the surface of the lens element 42. For this reason, each lens element 42 is exposed to the purge gas, and the lens element 4 that greatly affects the exposure performance of the exposure apparatus.
Adhesion of pollutants to 2 can be effectively suppressed.

【００７６】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態について、前記第１実施形態と異なる部分を中心に
説明する。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described focusing on the points different from the first embodiment.

【００７７】この第２実施形態においては、図３に示す
ように、そのパージガス供給系７０が、主供給管７１及
び同主供給管７１と各投影気密室４５ａ〜４５ｃとを連
通する複数のパージガス供給管７２等により構成されて
いる。複数のパージガス供給管７２としては、同じ管
材、すなわちその軸線と直交する断面における開口面積
が等しい管材が用いられる。そして、前記主供給管７１
と各投影気密室４５ａ〜４５ｃとを連通するパージガス
供給管７２の本数が、各投影気密室４５ａ〜４５ｃ毎に
設定されている。さらに、１つの投影気密室４５ａ〜４
５ｃについても、初期パージと維持パージとで使用され
るパージガス供給管７２の本数が変更されるようになっ
ている。In the second embodiment, as shown in FIG. 3, the purge gas supply system 70 has a main supply pipe 71 and a plurality of purge gases for communicating the main supply pipe 71 with the projection hermetic chambers 45a to 45c. It is composed of a supply pipe 72 and the like. As the plurality of purge gas supply pipes 72, the same pipe material, that is, a pipe material having the same opening area in a cross section orthogonal to its axis is used. And the main supply pipe 71
And the number of purge gas supply pipes 72 that connect the projection airtight chambers 45a to 45c to each other are set for each of the projection airtight chambers 45a to 45c. Furthermore, one projection hermetic chamber 45a-4
Also for 5c, the number of purge gas supply pipes 72 used in the initial purge and the maintenance purge is changed.

【００７８】すなわち、初期パージ時には、各投影気密
室４５ａ〜４５ｃに接続されるパージガス供給管７２の
本数は、その比、換言すれば、その本数分の前記開口面
積を加算した合計値の比が前記各投影気密室４５ａ〜４
５ｃ間における内容積の比「Ｘ：Ｙ：Ｚ」となるように
設定されている。That is, at the time of initial purging, the number of purge gas supply pipes 72 connected to the projection hermetic chambers 45a to 45c is the ratio thereof, in other words, the ratio of the total value obtained by adding the opening areas corresponding to the number. Each of the projection hermetic chambers 45a-4
It is set so that the ratio of the internal volume between 5c is "X: Y: Z".

【００７９】一方、維持パージ時には、各投影気密室４
５ａ〜４５ｃに接続されるパージガス供給管７２の本数
は、その比が前記各投影気密室４５ａ〜４５ｃ間におけ
る内表面積の比「Ａ：Ｂ：Ｃ」となるように設定されて
いる。すなわち、任意のパージガス供給管７２に、主供
給管７１と各投影気密室４５ａ〜４５ｃとの連通及びそ
の遮断を切替える切替弁（図示略）を設け、その切替弁
の開閉を切替えるようになっている。On the other hand, at the time of maintenance purging, each projection hermetic chamber 4
The number of the purge gas supply pipes 72 connected to 5a to 45c is set so that the ratio becomes the ratio "A: B: C" of the inner surface area between the projection hermetic chambers 45a to 45c. That is, the purge gas supply pipe 72 is provided with a switching valve (not shown) for switching the communication between the main supply pipe 71 and each of the projection hermetic chambers 45a to 45c and the interruption thereof, and the opening / closing of the switching valve is switched. There is.

【００８０】このようにすることで、例えば前記本数の
比を、切替弁を開けた時には前記内容積の比「Ｘ：Ｙ：
Ｚ」に設定するとともに、切替弁の閉弁時には前記内表
面積の比「Ａ：Ｂ：Ｃ」に設定することができる。これ
により、各投影気密室４５ａ〜４５ｃに接続されるパー
ジガス供給管７２の前記開口面積の合計値の比が、各投
影気密室４５ａ〜４５ｃそれぞれに適した比に設定され
る。また、各投影気密室４５ａ〜４５ｃについての前記
開口面積の合計値は、前記各パージ時において最低限必
要な流量でパージガスを各投影気密室４５ａ〜４５ｃに
供給可能なように設定されている。By doing so, for example, when the switching valve is opened, the ratio of the above-mentioned numbers is "X: Y:
In addition to being set to "Z", the ratio of the internal surface area can be set to "A: B: C" when the switching valve is closed. Thus, the ratio of the total values of the opening areas of the purge gas supply pipes 72 connected to the projection hermetic chambers 45a to 45c is set to a ratio suitable for the projection hermetic chambers 45a to 45c. In addition, the total value of the opening areas of the projection hermetic chambers 45a to 45c is set so that the purge gas can be supplied to the projection hermetic chambers 45a to 45c at the minimum required flow rate during the purging.

【００８１】従って、この第２の実施形態においても、
前記第１実施形態における（イ）及び（ニ）に記載の効
果とほぼ同様の効果に加えて、以下に記載するような効
果を得ることができる。Therefore, also in this second embodiment,
In addition to the effects substantially similar to the effects (i) and (iv) in the first embodiment, the effects described below can be obtained.

【００８２】（ホ） パージガス供給管７２として同じ
管材が用いられるとともに、同パージガス供給管７２が
接続される本数が各投影気密室４５ａ〜４５ｃ毎に設定
されている。これにより、パージガス供給管７２につい
ての軸線と直交する断面における開口面積の合計値を各
投影気密室４５ａ〜４５ｃそれぞれに適した値に設定す
ることができる。(E) The same pipe material is used as the purge gas supply pipe 72, and the number of connected purge gas supply pipes 72 is set for each of the projection hermetic chambers 45a to 45c. Thereby, the total value of the opening areas of the purge gas supply pipe 72 in the cross section orthogonal to the axis can be set to a value suitable for each of the projection hermetic chambers 45a to 45c.

【００８３】（ヘ） 特に、各投影気密室４５ａ〜４５
ｃに接続されるパージガス供給管７２についての開口面
積の合計値の比が、初期パージ時には、各投影気密室４
５ａ〜４５ｃ間における内容積の比「Ｘ：Ｙ：Ｚ」に設
定されている。また、維持パージ時には、その開口面積
の合計値の比が、各投影気密室４５ａ〜４５ｃ間におけ
る内表面積の比「Ａ：Ｂ：Ｃ」に設定されている。この
ため、各パージ時における各投影気密室４５ａ〜４５ｃ
への効率的なパージガスの供給を図ることができる。(F) In particular, the projection hermetic chambers 45a to 45
The ratio of the total value of the opening areas of the purge gas supply pipe 72 connected to c is such that the projection hermetic chambers 4 are
The internal volume ratio between 5a and 45c is set to "X: Y: Z". Further, at the time of maintenance purging, the ratio of the total value of the opening areas is set to the ratio “A: B: C” of the internal surface areas between the projection hermetic chambers 45a to 45c. Therefore, the projection hermetic chambers 45a to 45c at the time of each purging
It is possible to efficiently supply the purge gas to the gas.

【００８４】（第３実施形態）次に、本発明の第３実施
形態について、前記第１実施形態と異なる部分を中心に
説明する。(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described focusing on the points different from the first embodiment.

【００８５】この第３実施形態においては、図４に示す
ように、そのパージガス供給系８０が、主供給管８１及
びその主供給管８１と各投影気密室４５ａ〜４５ｃとを
連通するパージガス供給管８２，８３，８４等により構
成されている。各パージガス供給管８２，８３，８４の
途中には、後述する電子制御装置８５からの駆動信号に
基づき同パージガス供給管８２，８３，８４の通路面積
を可変とする流量制御弁８２ａ，８３ａ，８４ａが設け
られている。また、その流量制御弁８２ａ，８３ａ，８
４ａの下流側には、各パージガス供給管８２，８３，８
４内を通過するパージガスの流量に応じた信号を出力す
る流量センサ８２ｂ，８３ｂ，８４ｂが設けられてい
る。In the third embodiment, as shown in FIG. 4, the purge gas supply system 80 connects the main supply pipe 81 and the main supply pipe 81 with the projection gas tight chambers 45a to 45c. 82, 83, 84 and the like. In the middle of the purge gas supply pipes 82, 83, 84, flow rate control valves 82a, 83a, 84a for varying the passage area of the purge gas supply pipes 82, 83, 84 based on a drive signal from an electronic control unit 85 described later. Is provided. Further, the flow rate control valves 82a, 83a, 8
The purge gas supply pipes 82, 83, 8 are provided on the downstream side of 4a.
Flow rate sensors 82b, 83b, 84b for outputting a signal corresponding to the flow rate of the purge gas passing through the inside of the No. 4 are provided.

【００８６】また、この露光装置は、例えばマイクロコ
ンピュータ等により構成される電子制御装置８５を備え
ている。そして、この電子制御装置８５は、前記流量セ
ンサ８２ｂ，８３ｂ，８４ｂの出力信号を取り込むとと
もに、それら出力信号に基づいて前記各流量制御弁８２
ａ，８３ａ，８４ａに駆動信号を出力する。これによ
り、各投影気密室４５ａ〜４５ｃへのパージガスの供給
流量が、それぞれ所望の流量に調節される。Further, this exposure apparatus is provided with an electronic control unit 85 composed of, for example, a microcomputer. The electronic control unit 85 takes in the output signals of the flow rate sensors 82b, 83b, 84b, and based on these output signals, the flow rate control valves 82.
The drive signal is output to a, 83a, and 84a. Thereby, the flow rate of the purge gas supplied to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c is adjusted to a desired flow rate.

【００８７】なお、前記初期パージ時における前記各投
影気密室４５ａ〜４５ｃへのパージガスの供給流量は、
その比が同各投影気密室４５ａ〜４５ｃ間における内容
積の比「Ｘ：Ｙ：Ｚ」となるように設定されている。ま
た、これら供給流量は、初期パージ時において最低限必
要な量のパージガスを各投影気密室４５ａ〜４５ｃに対
して所定時間内において供給可能な流量に設定されてい
る。The flow rate of the purge gas supplied to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c at the time of the initial purge is
The ratio is set to be the ratio "X: Y: Z" of the internal volumes between the projection hermetic chambers 45a to 45c. Further, these supply flow rates are set to flow rates capable of supplying the minimum required amount of purge gas to the projection hermetic chambers 45a to 45c within a predetermined time during the initial purge.

【００８８】一方、前記維持パージ時における前記各投
影気密室４５ａ〜４５ｃへのパージガスの供給流量は、
その比が前記各投影気密室４５ａ〜４５ｃ間における内
表面積の比「Ａ：Ｂ：Ｃ」となるように設定されてい
る。また、これら供給流量は、維持パージ時において最
低限必要な量のパージガスを各投影気密室４５ａ〜４５
ｃに対して供給可能な流量に設定されている。On the other hand, the flow rate of the purge gas supplied to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c during the maintenance purge is
The ratio is set to be the ratio "A: B: C" of the inner surface area between the projection hermetic chambers 45a to 45c. The supply flow rates are such that the minimum required amount of purge gas at the time of the maintenance purge is set in each of the projection hermetic chambers 45 a to 45
It is set to a flow rate that can be supplied to c.

【００８９】従って、この第３の実施形態においても、
前記第１実施形態における（イ）及び（ニ）に記載の効
果とほぼ同様の効果に加えて、以下のような効果を得る
ことができる。Therefore, also in the third embodiment,
In addition to the effects substantially similar to the effects (i) and (iv) in the first embodiment, the following effects can be obtained.

【００９０】（ト） 初期パージ時において、流量制御
弁８２ａ〜８４ａの開度調整により各投影気密室４５ａ
〜４５ｃに供給されるパージガスの流量の比が、各投影
気密室４５ａ〜４５ｃ間における内容積の比「Ｘ：Ｙ：
Ｚ」となるように設定されている。一方、維持パージ時
において、流量制御弁８２ａ〜８４ａの開度調整により
各投影気密室４５ａ〜４５ｃに供給されるパージガスの
流量の比は、各投影気密室４５ａ〜４５ｃ間における内
表面積の比「Ａ：Ｂ：Ｃ」となるように設定されてい
る。これにより、各投影気密室４５ａ〜４５ｃに対し
て、初期パージや維持パージに適した量のパージガスを
供給することが可能になり、パージガスを各投影気密室
４５ａ〜４５ｃに対して効率的に供給することができ
る。(G) During the initial purge, the projection airtight chambers 45a are adjusted by adjusting the openings of the flow rate control valves 82a to 84a.
The ratio of the flow rate of the purge gas supplied to each of the projection airtight chambers 45c to 45c is the ratio of the internal volume between the projection hermetic chambers 45a to 45c "X: Y:
Z ”is set. On the other hand, during the maintenance purge, the flow rate ratio of the purge gas supplied to the projection hermetic chambers 45a to 45c by adjusting the opening degree of the flow rate control valves 82a to 84a is the inner surface area ratio between the projection hermetic chambers 45a to 45c. A: B: C ”. This makes it possible to supply the amount of purge gas suitable for the initial purge and the maintenance purge to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c, and efficiently supply the purge gas to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c. can do.

【００９１】（変形例）なお、本発明の各実施形態は、
以下のように変形してもよい。 ・ 前記第１実施形態の装置は、各投影気密室４５ａ〜
４５ｃについて、初期パージに適した内径の初期用パー
ジガス供給管６２〜６４と、維持パージに適した内径の
維持用パージガス供給管６５〜６７と、それらパージガ
ス供給管６２〜６７に設けられる切替弁６２ａ〜６７ａ
とを備えている。そして、これら切替弁６２ａ〜６７ａ
の開弁及び閉弁を切替えることにより、初期用パージガ
ス供給管６２〜６４または維持用パージガス供給管６５
〜６７を通じて主供給管６１と各投影気密室４５ａ〜４
５ｃとを各別に連通させる。これにより、各投影気密室
４５ａ〜４５ｃに対するパージガスの供給流量を初期パ
ージ時と維持パージ時とで切替えるようにした。(Modification) Each embodiment of the present invention is
It may be modified as follows. -The apparatus of the said 1st Embodiment is each projection airtight chamber 45a-.
For 45c, an initial purge gas supply pipes 62 to 64 having an inner diameter suitable for initial purging, a purge gas supply pipes 65 to 67 having an inner diameter suitable for maintenance purging, and a switching valve 62a provided on the purge gas supply pipes 62 to 67. ~ 67a
It has and. And these switching valves 62a-67a
By switching the open valve and the close valve of the above, the initial purge gas supply pipes 62 to 64 or the maintenance purge gas supply pipe 65
Through 67 through the main supply pipe 61 and the respective projection hermetic chambers 45a-4
Separately communicate with 5c. As a result, the flow rate of the purge gas supplied to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c is switched between the initial purge and the maintenance purge.

【００９２】これに代えて、いずれか一方のパージガス
供給管のみに切替弁を設けるとともに、この切替弁の開
弁及び閉弁を、初期パージ時と維持パージ時とで切替え
るようにしてもよい。こうした構成によっても、パージ
ガスの流量が適宜の量となるように各パージガス供給管
の内径を設定することで、より簡易な構成によって前記
第１実施形態と同様の効果を得ることができる。Instead of this, a switching valve may be provided in only one of the purge gas supply pipes, and the opening and closing of this switching valve may be switched between the initial purge and the maintenance purge. With such a configuration as well, by setting the inner diameter of each purge gas supply pipe so that the flow rate of the purge gas is an appropriate amount, the same effect as in the first embodiment can be obtained with a simpler configuration.

【００９３】・ 前記第１実施形態では、パージガス供
給管６２〜６７として、その軸線と直交する断面におけ
る開口の形状が円形の管材を用いるようにしたが、これ
に限られない。要は、内部を通過するパージガスの流量
を好適に設定することができる材料であれば、どのよう
な開口形状の材料を用いるようにしてもよい。In the first embodiment, as the purge gas supply pipes 62 to 67, pipe members having a circular opening in a cross section orthogonal to their axes are used, but the present invention is not limited to this. In short, any material having an opening shape may be used as long as the material can appropriately set the flow rate of the purge gas passing through the inside.

【００９４】・ 前記第３実施形態では、流量センサ８
２ｂ〜８４ｂを設け、それらの検出信号に基づいて各流
量制御弁８２ａ〜８４ａの駆動を制御するようにした
が、それら流量センサ８２ｂ〜８４ｂを省略するように
してもよい。こうした構成によっても、各流量制御弁８
２ａ〜８４ａに出力する駆動信号を、予め実験などによ
り求めた必要量に応じた値に設定しておくことで、若干
精度が低下するとはいえ、必要量に応じたパージガスの
供給流量を各投影気密室４５ａ〜４５ｃ毎に設定するこ
とができる。すなわち、より簡易な構成により、前記第
３実施形態とほぼ同様の効果を得ることができる。In the third embodiment, the flow rate sensor 8
Although 2b to 84b are provided and the drive of each of the flow rate control valves 82a to 84a is controlled based on the detection signals thereof, the flow rate sensors 82b to 84b may be omitted. Even with such a configuration, each flow control valve 8
By setting the drive signal output to 2a to 84a to a value according to the required amount obtained in advance by experiments or the like, although the accuracy may be slightly lowered, the supply flow rate of the purge gas according to the required amount is set to each projection amount. It can be set for each of the airtight chambers 45a to 45c. That is, with a simpler configuration, it is possible to obtain substantially the same effect as that of the third embodiment.

【００９５】・ また、より精度の高い制御を実行すべ
く、各投影気密室４５ａ〜４５ｃ内の酸素濃度に応じた
信号を出力する酸素センサを設け、その検出信号に基づ
いて各流量制御弁８２ａ〜８４ａの駆動を制御するよう
にしてもよい。こうした構成によれば、各投影気密室４
５ａ〜４５ｃ内におけるパージ状態を、検出の感度が高
く空気中における存在割合が大きい酸素を指標として、
酸素センサによる酸素濃度の検出を通じてより精度よく
監視することができる。これにより、各投影気密室４５
ａ〜４５ｃへのパージガスの供給に際し、各投影気密室
４５ａ〜４５ｃ内の実際のパージガスの状態に応じて流
量制御弁８２ａ〜８４ａの駆動信号を制御することがで
きる。そして、パージガスの供給を、精度よく制御する
ことができる。また、各投影気密室４５ａ〜４５ｃの内
部が所定のガス状態になったことを確認した上で各投影
気密室４５ａ〜４５ｃ内に露光光ＥＬを導くことがで
き、露光光ＥＬの効率低下をより確実に抑制することも
できる。Further, in order to perform more accurate control, an oxygen sensor that outputs a signal corresponding to the oxygen concentration in each of the projection hermetic chambers 45a to 45c is provided, and each flow rate control valve 82a is based on the detection signal. You may make it control the drive of -84a. According to this configuration, each projection hermetic chamber 4
The purged state in 5a to 45c is determined by using oxygen, which has a high detection sensitivity and a large abundance in the air, as an index.
It is possible to monitor more accurately by detecting the oxygen concentration by the oxygen sensor. Thereby, each projection hermetic chamber 45
When the purge gas is supplied to the a to 45c, the drive signals of the flow rate control valves 82a to 84a can be controlled according to the actual state of the purge gas in the projection hermetic chambers 45a to 45c. Then, the supply of the purge gas can be accurately controlled. Further, after confirming that the inside of each of the projection hermetic chambers 45a to 45c is in a predetermined gas state, the exposure light EL can be guided into each of the projection hermetic chambers 45a to 45c, and the efficiency of the exposure light EL is reduced. It can be suppressed more reliably.

【００９６】・ また、酸素センサに限らず、各投影気
密室４５ａ〜４５ｃ内におけるガスの状態を好適に監視
することのできるセンサであれば、どのようなセンサを
用いるようにしてもよい。Not limited to the oxygen sensor, any sensor may be used as long as it can suitably monitor the gas state in each of the projection hermetic chambers 45a to 45c.

【００９７】・ 前記各実施形態では、初期パージ時に
おける各投影気密室４５ａ〜４５ｃへのパージガスの供
給流量が、その比が同各投影気密室４５ａ〜４５ｃ間に
おける内容積の比「Ｘ：Ｙ：Ｚ」となるように設定され
る。また、維持パージ時における前記各投影気密室４５
ａ〜４５ｃへのパージガスの供給流量が、その比が各投
影気密室４５ａ〜４５ｃ間における内表面積の比「Ａ：
Ｂ：Ｃ」となるように設定される。In each of the above-described embodiments, the supply flow rate of the purge gas to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c at the time of the initial purging has the same ratio “X: Y” in the internal volume between the projection hermetic chambers 45a to 45c. : Z ”. In addition, each of the projection hermetic chambers 45 at the time of maintenance purging
The flow rate of the purge gas supplied to a to 45c is such that the ratio is "A: the ratio of the inner surface area between the projection hermetic chambers 45a to 45c".
B: C ”.

【００９８】これに代えて、初期パージ時における各投
影気密室４５ａ〜４５ｃへのパージガスの供給流量を、
その比が同各投影気密室４５ａ〜４５ｃ間における内表
面積の比「Ａ：Ｂ：Ｃ」となるように設定するととも
に、維持パージ時における前記各投影気密室４５ａ〜４
５ｃへのパージガスの供給流量を、その比が各投影気密
室４５ａ〜４５ｃ間における内容積の比「Ｘ：Ｙ：Ｚ」
となるように設定してもよい。要は、各投影気密室４５
ａ〜４５ｃに対して、必要に見合った量のパージガスを
効率よく供給することができればよい。また、各投影気
密室４５ａ〜４５ｃの形成条件によっては、上記内表面
積の比「Ａ：Ｂ：Ｃ」と上記内容積の比「Ｘ：Ｙ：Ｚ」
とが等しくなることも想定される。Instead of this, the flow rate of the purge gas supplied to the projection hermetic chambers 45a to 45c at the time of the initial purge is
The projection airtight chambers 45a to 45c are set such that the ratio becomes the ratio "A: B: C" of the inner surface areas, and the projection airtight chambers 45a to 45c at the time of the maintenance purge.
The supply flow rate of the purge gas to 5c is the ratio "X: Y: Z" of the internal volume between the projection hermetic chambers 45a to 45c.
You may set so that it becomes. In short, each projection hermetic chamber 45
It suffices that the amount of purge gas commensurate with the requirement can be efficiently supplied to a to 45c. Further, depending on the formation conditions of the projection hermetic chambers 45a to 45c, the ratio of the internal surface area "A: B: C" and the ratio of the internal volume "X: Y: Z".
It is also assumed that and are equal.

【００９９】・ 前記各実施形態では、主供給管６１，
７１，８１内におけるパージガスの圧力、すなわちパー
ジガスの供給圧力を一定の圧力としたが、これを可変と
してもよい。パージガスの供給圧力を変更することによ
っても、各投影気密室４５ａ〜４５ｃへのパージガスの
供給流量を可変とすることができる。これにより、露光
装置としての自由度、及びその制御の自由度を高めるこ
とが可能になる。具体的には、例えばパージガスの供給
圧力を前記初期パージ時と維持パージ時とで可変とする
ことで、供給圧力を可変とする機構が新たに必要になる
とはいえ、切替弁や流量制御弁を設けることなく、初期
パージ時と維持パージ時とにおけるパージガスの供給流
量の切替えが可能になる。In the above embodiments, the main supply pipe 61,
Although the pressure of the purge gas in 71 and 81, that is, the supply pressure of the purge gas is constant, it may be variable. By changing the supply pressure of the purge gas, the supply flow rate of the purge gas to each of the projection hermetic chambers 45a to 45c can be made variable. This makes it possible to increase the degree of freedom as an exposure apparatus and the degree of freedom in its control. Specifically, for example, by changing the supply pressure of the purge gas between the initial purge and the maintenance purge, a mechanism for changing the supply pressure is newly required, but a switching valve and a flow control valve are required. It is possible to switch the supply flow rate of the purge gas between the initial purge and the maintenance purge without providing the purge gas.

【０１００】・ 前記各実施形態において、例えば図５
に示すレンズエレメント９１〜９４間のように、各投影
気密室９５ａ〜９５ｄ内に狭小部９６，９７が形成され
ている場合には、それら狭小部９６，９７の形状に応じ
て、パージガス供給管９８ｂ〜９８ｄの内径や、その開
口面積の合計値等といったパージガスの供給条件を変更
するようにしてもよい。例えば、狭小部９６，９７の存
在する各投影気密室９５ｂ，９５ｄには、内径の大きな
パージガス供給管９８ｂ，９８ｄを通じて、あるいは、
パージガス供給管９８ｂ，９８ｄの開口面積の合計値を
大きくして、パージガスを供給する。In each of the above embodiments, for example, FIG.
When the narrow portions 96 and 97 are formed in each of the projection hermetic chambers 95a to 95d, such as between the lens elements 91 to 94 shown in FIG. 1, the purge gas supply pipe is formed according to the shape of the narrow portions 96 and 97. The purge gas supply conditions such as the inner diameter of 98b to 98d and the total value of the opening areas may be changed. For example, in each of the projection hermetic chambers 95b and 95d where the narrow portions 96 and 97 exist, through the purge gas supply pipes 98b and 98d having a large inner diameter, or
The purge gas is supplied by increasing the total value of the opening areas of the purge gas supply pipes 98b and 98d.

【０１０１】こうした構成によれば、狭小部９６，９７
が形成され、パージガスが到達し難い部分が各投影気密
室９５ａ〜９５ｄ内に存在する場合であっても、それに
応じてパージガスの供給条件を変更することができるよ
うになる。これにより、各投影気密室９５ａ〜９５ｄか
らの汚染物質や吸光物質のパージに際し、狭小部９６，
９７の存在によるパージガスの淀みを効果的に解消する
ことが可能になる。According to this structure, the narrow portions 96, 97
Even when there is a portion where the purge gas is hard to reach in each of the projection hermetic chambers 95a to 95d, the supply conditions of the purge gas can be changed accordingly. As a result, when purging contaminants or light-absorbing substances from the projection hermetic chambers 95a to 95d, the narrow portion 96,
It becomes possible to effectively eliminate the stagnation of the purge gas due to the presence of 97.

【０１０２】・ また、狭小部に限らず、各投影気密室
内に屈曲部が形成されている場合にも、その形状に応じ
て、パージガスの供給条件を変更するようにしてもよ
い。 ・ 前記各実施形態において、例えばパージガスとして
ヘリウムを用いて空気をパージするような場合では、パ
ージガスの比重が同パージガスによりパージされる各投
影気密室内のガスの比重と比べて小さくなる。このよう
な条件下で、例えば図６に示すように、投影気密室１０
３ｃの底部に重力方向下側に凹状をなす凹陥部１０４が
存在する場合には、同投影気密室１０３ｃへのパージガ
スの供給条件を変更するようにしてもよい。例えば、投
影気密室１０３ｃにパージガスを供給するパージガス供
給管１０５ｃを、そのパージガスの流量が他の投影気密
室１０３ａ，１０３ｂにパージガスを供給するパージガ
ス供給管１０５ａ，１０５ｂに比べて大きくなるように
形成してもよい。このようにすれば、凹陥部１０４にお
ける被置換ガスの滞留を抑えるべく、パージガスの供給
条件を設定することが可能になる。In addition to the narrowed portion, when the bent portion is formed in each projection hermetic chamber, the purge gas supply condition may be changed according to the shape. In each of the above embodiments, for example, when air is purged using helium as the purge gas, the specific gravity of the purge gas becomes smaller than the specific gravity of the gas in each projection hermetic chamber that is purged by the purge gas. Under such conditions, as shown in FIG. 6, for example, the projection hermetic chamber 10
When a concave portion 104 having a concave shape on the bottom side in the direction of gravity exists at the bottom of 3c, the supply condition of the purge gas to the projection hermetic chamber 103c may be changed. For example, the purge gas supply pipe 105c for supplying the purge gas to the projection hermetic chamber 103c is formed so that the flow rate of the purge gas is larger than that of the purge gas supply pipes 105a, 105b for supplying the purge gas to the other projection hermetic chambers 103a, 103b. May be. In this way, it becomes possible to set the supply conditions of the purge gas in order to suppress the staying of the gas to be replaced in the recess 104.

【０１０３】・ また、これとは逆に、例えばパージガ
スとしてアルゴンを用いて空気をパージするような場合
では、パージガスの比重が同パージガスによりパージさ
れる各投影気密室内のガスの比重と比べて大きくなる。
このような条件下で、投影気密室の天井部に重力方向上
側に凹状をなす蓋部が存在する場合には、同投影気密室
へのパージガスの供給条件を変更するようにしてもよ
い。これにより、この蓋部における被置換ガスの滞留を
抑えるべくパージガスの供給条件を設定することが可能
になる。On the contrary, in the case of purging air using argon as the purge gas, the specific gravity of the purge gas is larger than the specific gravity of the gas in each of the projection hermetic chambers to be purged by the purge gas. Become.
Under such a condition, when the ceiling portion of the projection hermetic chamber has a concave lid upward in the direction of gravity, the purge gas supply condition to the projection hermetic chamber may be changed. This makes it possible to set the purge gas supply conditions so as to suppress the retention of the gas to be replaced in the lid portion.

【０１０４】・ また、各投影気密室へのパージガスの
供給条件を、例えば各投影気密室内においてレンズエレ
メントを保持する部材等、投影気密室内に設けられる保
持部材の形状に応じて変更するようにしてもよい。これ
により、保持部材の影響により被置換ガスの淀みが生じ
やすい部分がある場合にも、より好適な供給条件の設定
が可能になる。Further, the supply condition of the purge gas to each projection hermetic chamber is changed according to the shape of the holding member provided in the projection hermetic chamber such as a member for holding the lens element in each projection hermetic chamber. Good. This makes it possible to set more suitable supply conditions even when there is a portion where stagnation of the gas to be replaced is likely to occur due to the influence of the holding member.

【０１０５】・ パージガスの供給条件として、パージ
ガスの供給圧力を用いるようにしてもよい。例えば、各
パージガス供給管へのパージガスの供給圧力を各パージ
ガス供給管毎に設定することで、各投影気密室へのパー
ジガスの供給流量を各投影気密室毎に設定することがで
きる。The supply pressure of the purge gas may be used as the supply condition of the purge gas. For example, by setting the supply pressure of the purge gas to each purge gas supply pipe for each purge gas supply pipe, the supply flow rate of the purge gas to each projection airtight chamber can be set for each projection airtight chamber.

【０１０６】・ 前記各実施形態では、投影系鏡筒２８
内に区画形成される各投影気密室へのパージガスの供給
条件を各別に設定するようにした。これに対して、例え
ば照明系鏡筒２６内に区画形成される各照明気密室４０
や、レチクル室２７、ウエハ室２９等、内部を露光光Ｅ
Ｌが通過するとともにパージガスが供給される空間につ
いても同様に、パージガスの供給条件を設定することが
できる。In each of the above embodiments, the projection system barrel 28
The conditions for supplying the purge gas to the respective projection hermetic chambers formed inside are set separately. On the other hand, for example, the respective illumination airtight chambers 40 that are partitioned and formed in the illumination system barrel 26
, The reticle chamber 27, the wafer chamber 29, etc.
Similarly, the purge gas supply condition can be set for the space through which L passes and the purge gas is supplied.

【０１０７】・ また、こうした構成において、各区画
室へのパージガスの供給条件を、各区画室の密閉度に応
じて設定するようにしてもよい。一般に、各照明気密室
４０や、各投影気密室４５ａ〜４５ｃは、その密閉度が
比較的高く設定される。一方、レチクル室２７やウエハ
室２９は、その内外の間でレチクルＲやウエハＷといっ
た交換部材の交換が必要であるために、その密閉度が低
くなり易い。そして、各区画室間においてその密閉度に
差が生じる構成では、区画室内のガスを効率よくパージ
ガスに置換するために必要とされるパージガスの量が、
密閉度が低い区画室ほど多くなる。Further, in such a configuration, the purge gas supply condition to each compartment may be set according to the degree of sealing of each compartment. In general, each of the illumination airtight chambers 40 and the projection airtight chambers 45a to 45c are set to have a relatively high degree of sealing. On the other hand, the reticle chamber 27 and the wafer chamber 29 need to be replaced with exchange members such as the reticle R and the wafer W between the inside and outside of the reticle chamber 27 and the wafer chamber 29. Then, in the configuration in which the degree of sealing is different between the compartments, the amount of purge gas required to efficiently replace the gas in the compartments with the purge gas is
The number of compartments with a low degree of sealing increases.

【０１０８】従って、こうした各区画室の密閉度に応じ
てパージガスの供給条件を設定することで、密閉度の違
いに起因する複数の区画室間での必要なパージガスの量
の差異を、好適に補償することが可能になる。これによ
り、各区画室それぞれへの効率的なパージガスの供給が
可能になり、ひいては露光光ＥＬの過度の減衰をより効
果的に抑制することができる。Therefore, by setting the supply conditions of the purge gas according to the degree of tightness of each compartment, it is possible to suitably compensate for the difference in the required amount of purge gas between the plurality of compartments due to the difference in degree of tightness. It becomes possible to do. As a result, it is possible to efficiently supply the purge gas to each of the compartments, and it is possible to more effectively suppress the excessive attenuation of the exposure light EL.

【０１０９】・ 前記各実施形態において、レチクル室
２７との連通及びその遮断を切替可能であり、且つ露光
装置の外部との連通及びその遮断を切替可能な予備室を
設けるとともに、この予備室にパージガス供給系及びパ
ージガス排出管を接続するようにしてもよい。また、ウ
エハ室２９との連通及びその遮断を切替可能であり、且
つ露光装置の外部との連通及びその遮断を切替可能な予
備室を設けるとともに、この予備室にパージガス供給系
及びパージガス排出管を接続するようにしてもよい。In each of the above-described embodiments, a spare chamber capable of switching between communication with the reticle chamber 27 and blocking of the reticle chamber 27 and switching between communication with the outside of the exposure apparatus and blocking thereof can be provided in the spare chamber. The purge gas supply system and the purge gas discharge pipe may be connected. In addition, a spare chamber that can switch between communication with the wafer chamber 29 and disconnection thereof and switching between communication with the outside of the exposure apparatus and disconnection thereof is provided, and a purge gas supply system and a purge gas discharge pipe are provided in this spare chamber. You may make it connect.

【０１１０】これにより、レチクル室２７内のレチクル
Ｒ、及びウエハ室２９内のウエハＷのうちの少なくとも
一方を、パージガスが供給される予備室を介して交換す
ることが可能になる。このため、レチクル室２７やウエ
ハ室２９を外部に直接開放することなく、レチクルＲや
ウエハＷを交換することが可能になり、これら両室２
７，２９への汚染物質や吸光物質の流入を好適に抑制す
ることができる。これにより、その流入に基づく各投影
気密室４５ａ〜４５ｃ内におけるこれら両物質の濃度の
上昇が抑制される。そして、各投影気密室４５ａ〜４５
ｃ内を所定のガス状態に戻すために必要なパージガスの
供給時間を短縮することが可能になり、ひいては、製品
ウエハの製造効率の低下の抑制を図ることができる。As a result, at least one of the reticle R in the reticle chamber 27 and the wafer W in the wafer chamber 29 can be exchanged via the preliminary chamber to which the purge gas is supplied. Therefore, the reticle R and the wafer W can be exchanged without directly opening the reticle chamber 27 and the wafer chamber 29 to the outside.
The inflow of pollutants and light-absorbing substances into 7, 29 can be suitably suppressed. As a result, the increase in the concentration of both substances in each of the projection hermetic chambers 45a to 45c due to the inflow is suppressed. Then, the projection hermetic chambers 45a to 45
It is possible to shorten the supply time of the purge gas required for returning the inside of c to a predetermined gas state, and consequently to suppress the decrease in the production efficiency of the product wafer.

【０１１１】・ 半導体素子の製造に用いられる露光装
置だけでなく、ＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる
露光装置、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプ
レイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレ
ート上へ転写する露光装置、及び薄膜磁気ヘッド等の製
造に用いられてデバイスパターンをセラミックウエハ等
へ転写する露光装置などにも本発明を適用することがで
きる。A device pattern is used not only for an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor element but also for an exposure apparatus used for manufacturing an imaging element such as a CCD and a display including a liquid crystal display element (LCD). The present invention can also be applied to an exposure apparatus for transferring onto a plate, an exposure apparatus for transferring a device pattern onto a ceramic wafer or the like, which is used for manufacturing a thin film magnetic head or the like.

【０１１２】・ また、露光装置の光源としては、例え
ばＫｒＦエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ）や、ＡｒＦ
エキシマレーザ（λ＝１９３ｎｍ）、Ｋｒ2レーザ（λ
＝１４６ｎｍ）、Ａｒ2レーザ（λ＝１２６ｎｍ）等を
用いてもよい。また、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイ
バレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波
長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムと
イッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプ
で増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換し
た高調波を用いてもよい。The light source of the exposure apparatus is, for example, a KrF excimer laser (λ = 248 nm) or ArF.
Excimer laser (λ = 193 nm), Kr 2 laser (λ
= 146 nm), Ar 2 laser (λ = 126 nm), or the like may be used. Further, a single-wavelength laser light in the infrared range or visible range emitted from a DFB semiconductor laser or a fiber laser is amplified by a fiber amplifier doped with, for example, erbium (or both erbium and ytterbium) to obtain a nonlinear optical crystal. It is also possible to use a harmonic wave whose wavelength is converted to ultraviolet light.

【０１１３】なお、前記各実施形態の露光装置は、例え
ば次のように製造される。すなわち、まず、照明光学系
３１、投影光学系４１を構成する複数のレンズ、ミラー
及び平行平板３８等の光学素子の少なくとも一部を保持
部材４３，１０２で保持し、この照明光学系３１及び投
影光学系４１を露光装置本体２２に組み込み、光学調整
を行う。次いで、多数の機械部品からなるウエハステー
ジＷＳＴ（スキャンタイプの露光装置の場合は、レチク
ルステージＲＳＴも含む）を露光装置本体２２に取り付
けて配線を接続する。そして、露光光ＥＬの光路内にパ
ージガスを供給するパージガス供給系４８の配管を接続
した上で、さらに総合調整（電気調整、動作確認など）
を行う。The exposure apparatus of each of the above embodiments is manufactured, for example, as follows. That is, first, at least a part of the optical elements such as the plurality of lenses, the mirror, and the parallel plate 38 that form the illumination optical system 31 and the projection optical system 41 are held by the holding members 43 and 102. The optical system 41 is incorporated in the exposure apparatus main body 22 to perform optical adjustment. Then, wafer stage WST (including a reticle stage RST in the case of a scan type exposure apparatus) including a large number of mechanical parts is attached to exposure apparatus main body 22 and wiring is connected. Then, after connecting the pipe of the purge gas supply system 48 for supplying the purge gas into the optical path of the exposure light EL, further comprehensive adjustment (electrical adjustment, operation confirmation, etc.) is performed.
I do.

【０１１４】ここで、前記保持部材４３，１０２及びそ
の周辺部材を構成する各部品は、超音波洗浄などによ
り、加工油や、金属物質などの不純物を落としたうえ
で、組み上げられる。なお、露光装置の製造は、温度、
湿度や気圧が制御され、かつクリーン度が調整されたク
リーンルーム内で行うことが望ましい。Here, the respective parts constituting the holding members 43 and 102 and the peripheral members thereof are assembled by removing the processing oil and impurities such as metal substances by ultrasonic cleaning or the like. In addition, the manufacturing of the exposure apparatus
It is desirable to carry out in a clean room where the humidity and atmospheric pressure are controlled and the cleanliness is adjusted.

【０１１５】次に、上述した露光装置をリソグラフィ工
程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説
明する。図７は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体素
子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを
示す図である。図７に示すように、まず、ステップＳ２
０１（設計ステップ）において、デバイス（マイクロデ
バイス）の機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの
回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパター
ン設計を行う。引き続き、ステップＳ２０２（マスク製
作ステップ）において、設計した回路パターンを形成し
たマスク（レチクルＲ等）を製作する。一方、ステップ
Ｓ２０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガ
ラスプレート等の材料を用いて基板（シリコン材料を用
いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus in a lithography process will be described. FIG. 7 is a diagram showing a flowchart of a manufacturing example of devices (semiconductor elements such as IC and LSI, liquid crystal display elements, image pickup elements (CCD, etc.), thin film magnetic heads, micromachines, etc.). As shown in FIG. 7, first, step S2
In 01 (design step), function / performance design of a device (microdevice) (for example, circuit design of a semiconductor device) is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S202 (mask manufacturing step), a mask (reticle R or the like) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S203 (substrate manufacturing step), a substrate (wafer W when a silicon material is used) is manufactured using a material such as silicon or a glass plate.

【０１１６】次に、ステップＳ２０４（基板処理ステッ
プ）において、ステップＳ２０１〜Ｓ２０３で用意した
マスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフ
ィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次
いで、ステップＳ２０５（デバイス組立ステップ）にお
いて、ステップＳ２０４で処理された基板を用いてデバ
イス組立を行う。このステップＳ２０５には、ダイシン
グ工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程
（チップ封入等）等の工程が必要に応じて含まれる。Next, in step S204 (substrate processing step), using the mask and the substrate prepared in steps S201 to S203, an actual circuit or the like is formed on the substrate by a lithography technique or the like, as described later. Next, in step S205 (device assembly step), device assembly is performed using the substrate processed in step S204. This step S205 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation, etc.) as necessary.

【０１１７】最後に、ステップＳ２０６（検査ステッ
プ）において、ステップＳ２０５で作製されたデバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こう
した工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷され
る。Finally, in step S206 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the device manufactured in step S205 are performed. After these steps, the device is completed and shipped.

【０１１８】図８は、半導体デバイスの場合における、
図７のステップＳ２０４の詳細なフローの一例を示す図
である。図８において、ステップＳ２１１（酸化ステッ
プ）では、ウエハＷの表面を酸化させる。ステップＳ２
１２（ＣＶＤステップ）では、ウエハＷ表面に絶縁膜を
形成する。ステップＳ２１３（電極形成ステップ）で
は、ウエハＷ上に電極を蒸着によって形成する。ステッ
プＳ２１４（イオン打込みステップ）では、ウエハＷに
イオンを打ち込む。以上のステップＳ２１１〜Ｓ２１４
のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成
しており、各段階において必要な処理に応じて選択され
て実行される。FIG. 8 shows the case of a semiconductor device.
It is a figure which shows an example of the detailed flow of step S204 of FIG. In FIG. 8, in step S211 (oxidation step), the surface of the wafer W is oxidized. Step S2
In 12 (CVD step), an insulating film is formed on the surface of the wafer W. In step S213 (electrode forming step), electrodes are formed on the wafer W by vapor deposition. In step S214 (ion implantation step), ions are implanted in the wafer W. Steps S211 to S214 above
Each of which constitutes a pretreatment process in each stage of wafer processing, and is selected and executed in accordance with a required process in each stage.

【０１１９】ウエハプロセスの各段階において、上述の
前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程
が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ
２１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハＷに
感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２１６（露光
ステップ）において、先に説明したリソグラフィシステ
ム（露光装置）によってマスク（レチクルＲ）の回路パ
ターンをウエハＷ上に転写する。次に、ステップＳ２１
７（現像ステップ）では露光されたウエハＷを現像し、
ステップＳ２１８（エッチングステップ）において、レ
ジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッ
チングにより取り去る。そして、ステップＳ２１９（レ
ジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不
要となったレジストを取り除く。At each stage of the wafer process, when the above-mentioned pretreatment process is completed, the posttreatment process is executed as follows. In this post-processing step, first, step S
At 215 (resist forming step), a photosensitive agent is applied to the wafer W. Subsequently, in step S216 (exposure step), the circuit pattern of the mask (reticle R) is transferred onto the wafer W by the lithography system (exposure apparatus) described above. Next, step S21.
In 7 (development step), the exposed wafer W is developed,
In step S218 (etching step), the exposed member other than the portion where the resist remains is removed by etching. Then, in step S219 (resist removing step), the resist that has become unnecessary after etching is removed.

【０１２０】これらの前処理工程と後処理工程とを繰り
返し行うことによって、ウエハＷ上に多重に回路パター
ンが形成される。以上説明した本実施形態のデバイス製
造方法を用いれば、露光工程（ステップＳ２１６）にお
いて上記の露光装置が用いられ、露光光ＥＬの光路をな
す鏡筒に必要に見合った量のパージガスを効率よく供給
することができる。これにより、真空紫外域の露光光Ｅ
Ｌによる解像力の向上が可能となり、しかも露光量制御
を高精度に行うことができる。従って、結果的に最小線
幅が０．１μｍ程度の高集積度のデバイスを歩留まりよ
く生産することができる。つまり、デバイスの製造効率
を向上させることができる。By repeating these pre-processing and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer W. According to the device manufacturing method of the present embodiment described above, the above-described exposure apparatus is used in the exposure step (step S216), and the amount of purge gas that is commensurate with the necessity is efficiently supplied to the lens barrel forming the optical path of the exposure light EL. can do. Thereby, the exposure light E in the vacuum ultraviolet region
The resolution can be improved by L, and the exposure amount can be controlled with high accuracy. Therefore, as a result, a highly integrated device having a minimum line width of about 0.1 μm can be produced with high yield. That is, the device manufacturing efficiency can be improved.

【０１２１】[0121]

【発明の効果】以上詳述したように、本願請求項１に記
載の発明によれば、複数の区画室に対するパージガスの
供給条件を、それぞれの区画室の形成条件に応じて各別
に設定することが可能になり、必要に見合った量のパー
ジガスを効率よく供給することができる。As described in detail above, according to the first aspect of the present invention, the conditions for supplying the purge gas to the plurality of compartments are individually set according to the formation conditions of the respective compartments. This makes it possible to efficiently supply the purge gas in an amount commensurate with the necessity.

【０１２２】また、本願請求項２に記載の発明によれ
ば、前記請求項１に記載の発明の効果に加えて、各区画
室へのパージガスの供給条件を好適に設定することがで
きる。また、本願請求項３に記載の発明によれば、前記
請求項１または請求項２に記載の発明の効果に加えて、
パージガスの供給条件を容易に制御することが可能にな
る。According to the invention described in claim 2 of the present application, in addition to the effect of the invention described in claim 1, the conditions for supplying the purge gas to each compartment can be set appropriately. According to the invention of claim 3 of the present application, in addition to the effects of the invention of claim 1 or 2,
It becomes possible to easily control the supply conditions of the purge gas.

【０１２３】また、本願請求項４に記載の発明によれ
ば、前記請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載
の発明の効果を簡単な構成で実現することができる。ま
た、本願請求項５に記載の発明によれば、前記請求項４
に記載の発明の効果を簡単な構成で実現することができ
る。According to the invention of claim 4 of the present application, the effects of the invention of any one of claims 1 to 3 can be realized with a simple structure. According to the invention of claim 5 of the present application, said claim 4
The effect of the invention described in (1) can be realized with a simple configuration.

【０１２４】また、本願請求項６に記載の発明によれ
ば、前記請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載
の発明の効果をより効果的に実現することができる。ま
た、本願請求項７に記載の発明によれば、前記請求項１
〜請求項６のうちいずれか一項に記載の発明の効果に加
えて、光学素子への汚染物質の付着をより効果的に抑制
することができる。According to the invention described in claim 6, the effect of the invention described in any one of claims 1 to 5 can be more effectively realized. According to the invention of claim 7 of the present application, said claim 1
In addition to the effect of the invention described in any one of claims 6 to 6, adhesion of contaminants to the optical element can be suppressed more effectively.

【０１２５】また、本願請求項８に記載の発明によれ
ば、複数の区画室それぞれに対する効率的なパージを行
いつつ、汚染物質の付着による光学素子の曇りや、吸光
物質による吸収に伴う露光光の過度の減衰を効果的に抑
制できる。According to the eighth aspect of the present invention, while efficiently purging each of the plurality of compartments, the exposure light accompanying the fogging of the optical element due to the adherence of the contaminants and the absorption by the light absorbing substances is carried out. It is possible to effectively suppress the excessive attenuation of.

【０１２６】また、本願請求項９に記載の発明によれ
ば、デバイスの製造に際し、高集積度のデバイスを歩留
まりよく生産できて、デバイスの製造効率を向上させる
ことができる。Further, according to the ninth aspect of the present invention, when manufacturing a device, a highly integrated device can be manufactured with a high yield, and the device manufacturing efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 本発明の露光装置の第１実施形態を示す概略
構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of an exposure apparatus of the present invention.

【図２】 図１の投影光学系の要部を示す概略構成図。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a main part of the projection optical system in FIG.

【図３】 第２実施形態の投影光学系の要部を示す概略
構成図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection optical system according to a second embodiment.

【図４】 第３実施形態の投影光学系の要部を示す概略
構成図。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection optical system according to a third embodiment.

【図５】 変形例の投影光学系の要部を示す概略構成
図。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection optical system of a modified example.

【図６】 変形例の投影光学系の要部を示す概略構成
図。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection optical system of a modified example.

【図７】 デバイスの製造工程を示すフローチャート。FIG. 7 is a flowchart showing a device manufacturing process.

【図８】 半導体素子の製造工程を示すフローチャー
ト。FIG. 8 is a flowchart showing manufacturing steps of a semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２１…所定の光源としての露光光源、２７…区画室とし
てのレチクル室、２８…筐体としての投影系鏡筒、２９
…区画室としてのウエハ室、３１…筐体としての照明系
鏡筒、３２…光学素子としてのミラー、３３…光学素子
としてのフライアイレンズ、３４…光学素子としてのリ
レー光学系、３５…光学素子としてのコンデンサレン
ズ、３８…光学素子としての平行平板、４０…区画室と
しての照明気密室、４２，９１〜９４，１０１…光学素
子としてのレンズエレメント、４３，１０２…保持部
材、４５ａ〜４５ｃ，９５ａ〜９５ｄ，１０３ａ〜１０
３ｃ…区画室としての投影気密室、４８，７０，８０…
パージガス供給装置としてのパージガス供給系、６２〜
６４…初期用パージガス供給管、６５〜６７…維持用パ
ージガス供給管、７２，８２〜８３，９８ｂ〜９８ｄ…
パージガス供給管、ＥＬ…露光光、Ｒ…マスク及び交換
部材としてのレチクル、Ｗ…基板及び交換部材としての
ウエハ。21 ... Exposure light source as predetermined light source, 27 ... Reticle chamber as compartment, 28 ... Projection system barrel as casing, 29
... Wafer chamber as compartment, 31 ... Illumination system barrel as casing, 32 ... Mirror as optical element, 33 ... Fly-eye lens as optical element, 34 ... Relay optical system as optical element, 35 ... Optics Condenser lens as element, 38 ... Parallel plate as optical element, 40 ... Illumination airtight chamber as compartment, 42, 91-94, 101 ... Lens element as optical element, 43, 102 ... Holding member, 45a-45c , 95a to 95d, 103a to 10
3c ... Projection airtight chamber as a compartment, 48, 70, 80 ...
Purge gas supply system as a purge gas supply device, 62-
64 ... Initial purge gas supply pipe, 65-67 ... Maintenance purge gas supply pipe, 72, 82-83, 98b-98d ...
Purge gas supply pipe, EL ... Exposure light, R ... Mask and reticle as exchange member, W ... Substrate and wafer as exchange member.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H087 KA21 LA01 NA04 NA17 UA09 5F046 AA22 BA03 CA04 CA08 CB20 CB23 CB24 DA27 DB03    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2H087 KA21 LA01 NA04 NA17 UA09                 5F046 AA22 BA03 CA04 CA08 CB20                       CB23 CB24 DA27 DB03

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 内部を所定の光が通過するとともに、内
部に所定の空間が形成されるように区画された複数の区
画室を有する筐体内へのパージガスの供給方法におい
て、 前記各区画室の形成条件に応じて、その各区画室毎にパ
ージガスの供給条件を設定することを特徴とするパージ
ガスの供給方法。1. A method for supplying a purge gas into a housing having a plurality of compartments partitioned so that a predetermined light passes through the interior and a predetermined space is formed inside the compartments. A purge gas supply method, characterized in that a purge gas supply condition is set for each of the compartments according to the conditions. 【請求項２】 前記各区画室毎のパージガスの供給条件
を、各区画室の内容積及び内表面積の少なくとも一方に
応じて設定することを特徴とする請求項１に記載のパー
ジガスの供給方法。2. The purge gas supply method according to claim 1, wherein the purge gas supply conditions for each of the compartments are set according to at least one of the internal volume and the inner surface area of each compartment. 【請求項３】 前記供給条件は、前記各区画室内へのパ
ージガスの供給流量、及び同パージガスの供給圧力のう
ち少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１また
は請求項２に記載のパージガスの供給方法。3. The purge gas according to claim 1 or 2, wherein the supply condition includes at least one of a supply flow rate of the purge gas into each of the compartments and a supply pressure of the purge gas. Supply method. 【請求項４】 前記供給条件は、前記各区画室内へのパ
ージガスの供給流量を少なくとも含み、同供給流量は、
各区画室に接続されるパージガス供給管におけるその軸
線と交差する断面における開口面積の合計値に基づいて
設定されることを特徴とする請求項１〜請求項３のうち
いずれか一項に記載のパージガスの供給方法。4. The supply condition includes at least a supply flow rate of the purge gas into each of the compartments, and the supply flow rate is
The purge gas according to any one of claims 1 to 3, wherein the purge gas is set based on a total value of opening areas in a cross section of the purge gas supply pipe connected to each of the compartments, the cross section intersecting the axis of the purge gas supply pipe. Supply method. 【請求項５】 前記各区画室内へのパージガスの供給流
量を、各区画室に接続されるパージガス供給管の数に基
づいて設定することを特徴とする請求項４に記載のパー
ジガスの供給方法。5. The purge gas supply method according to claim 4, wherein the flow rate of the purge gas supplied to each of the compartments is set based on the number of purge gas supply pipes connected to each of the compartments. 【請求項６】 前記形成条件は、前記各区画室内に保持
される保持部材の形状を含むことを特徴とする請求項１
〜請求項５のうちいずれか一項に記載のパージガスの供
給方法。6. The formation condition includes a shape of a holding member held in each of the compartments.
~ The method for supplying a purge gas according to claim 5. 【請求項７】 前記複数の区画室は、それらの各内壁を
形成する壁部のうち少なくとも一部が光学素子の表面に
より構成されてなることを特徴とする請求項１〜請求項
６のうちいずれか一項に記載のパージガスの供給方法。7. The plurality of compartments are characterized in that at least a part of wall portions forming respective inner walls thereof is constituted by a surface of an optical element. The method for supplying a purge gas according to any one of items. 【請求項８】 マスク上に形成されたパターンの像を基
板上に投影する露光装置において、所定の光源から出射
され前記マスクを介して基板上に照射される露光光の光
路 を取り囲むように設けられる筐体と、その筐体の内部に
区画形成される複数の区画室と、その各区画室内に所定
のパージガスを供給する供給装置とを備え、その供給装
置によるパージガスの供給条件を、前記各区画室の形成
条件に応じて前記各区画室毎に設定するようにしたこと
を特徴とする露光装置。8. An exposure apparatus for projecting an image of a pattern formed on a mask onto a substrate, provided so as to surround an optical path of exposure light emitted from a predetermined light source and irradiated onto the substrate through the mask. An enclosure, a plurality of compartments formed inside the enclosure, and a supply device that supplies a predetermined purge gas into each compartment, and the supply conditions of the purge gas by the supply device are described in each of the compartments. An exposure apparatus, which is set for each of the compartments according to the formation conditions of the compartment. 【請求項９】 リソグラフィ工程を含むデバイスの製造
方法において、 前記リソグラフィ工程で請求項８に記載の露光装置を用
いて露光を行うことを特徴とするデバイスの製造方法。9. A method of manufacturing a device, which includes a lithography step, wherein exposure is performed by using the exposure apparatus according to claim 8 in the lithography step.
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