JP2003151925A - ウェーハエッジ研磨処理装置 - Google Patents
ウェーハエッジ研磨処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】装置の占有面積の低減化が図れる。
【解決手段】２階建て部３の１階部１にはウェーハエッ
ジ研磨装置１０と乾燥装置３０とを並設し、２階部２に
は第１及び第２の洗浄装置２０Ａ、２０Ｂとを並設し、
２階建て部３の前方には、第１及び第２の搬送装置５０
Ａ、５０Ｂを配設し、第１及び第２の洗浄装置２０Ａ、
２０Ｂ間には、第３の搬送装置６０を配設し、第１及び
第２の搬送装置５０Ａ、５０Ｂの手前には、ウェーハ５
を収納したカセット４１、４２を配設するローダ部４０
Ａとウェーハ５を収納するカセット４１，４２を配設す
るアンローダ部４０Ｂとを有している。
ジ研磨装置１０と乾燥装置３０とを並設し、２階部２に
は第１及び第２の洗浄装置２０Ａ、２０Ｂとを並設し、
２階建て部３の前方には、第１及び第２の搬送装置５０
Ａ、５０Ｂを配設し、第１及び第２の洗浄装置２０Ａ、
２０Ｂ間には、第３の搬送装置６０を配設し、第１及び
第２の搬送装置５０Ａ、５０Ｂの手前には、ウェーハ５
を収納したカセット４１、４２を配設するローダ部４０
Ａとウェーハ５を収納するカセット４１，４２を配設す
るアンローダ部４０Ｂとを有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハエッジ研
磨処理装置に関する。
磨処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェーハは、エッジ部のチッピング防止
やエピタキシャル成長時のクラウン防止等のため、ダイ
ヤモンド砥石でエッジ部の面取り加工が施される。そし
て、この面取り加工後に残った加工歪み層をエッチング
により除去している。このエッチング処理した表面は波
状やうろこ状の凹凸になって汚れが残り易い。そこで、
ウェーハの面取り加工したエッジ部を平滑化するための
エッジ研磨が行なわれている。エッジ研磨したウェーハ
には研磨スラリが付着しているため、洗浄により除去
し、その後に乾燥させている。即ち、エッジ研磨工程、
洗浄工程、乾燥工程が行なわれる。前記洗浄工程には、
酸化液洗浄工程とアルカリ液洗浄工程とがある。なお、
この種のウェーハエッジ研磨処理装置に関連するものと
して、例えば特開平１０−３０９６６６号公報が挙げら
れる。
やエピタキシャル成長時のクラウン防止等のため、ダイ
ヤモンド砥石でエッジ部の面取り加工が施される。そし
て、この面取り加工後に残った加工歪み層をエッチング
により除去している。このエッチング処理した表面は波
状やうろこ状の凹凸になって汚れが残り易い。そこで、
ウェーハの面取り加工したエッジ部を平滑化するための
エッジ研磨が行なわれている。エッジ研磨したウェーハ
には研磨スラリが付着しているため、洗浄により除去
し、その後に乾燥させている。即ち、エッジ研磨工程、
洗浄工程、乾燥工程が行なわれる。前記洗浄工程には、
酸化液洗浄工程とアルカリ液洗浄工程とがある。なお、
この種のウェーハエッジ研磨処理装置に関連するものと
して、例えば特開平１０−３０９６６６号公報が挙げら
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、前記した各工程
は、各工程の各装置を平面的に配置し、各装置間に搬送
装置を配置している。このため、装置の占有面積が増大
し、全体装置が大型化するという問題があった。
は、各工程の各装置を平面的に配置し、各装置間に搬送
装置を配置している。このため、装置の占有面積が増大
し、全体装置が大型化するという問題があった。
【０００４】本発明の課題は、装置の占有面積の低減化
が図れるウェーハエッジ研磨処理装置を提供することに
ある。
が図れるウェーハエッジ研磨処理装置を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第１の手段は、２階建て部を有し、該２階建
て部の１階部には第１の処理装置と第４の処理装置とを
並設し、２階部には第２の処理装置と第３の処理装置と
を並設し、２階建て部の前方には、第１及び第２の処理
装置に対応して第１の搬送装置を、第３及び第４の処理
装置に対応して第２の搬送装置を配設し、前記第１及び
第２の搬送装置のいずれか一方はウェーハエッジ研磨装
置であり、前記２階部の第２の処理装置と第４の処理装
置間には、第２の処理装置からウェーハを取り出して第
３の処理装置に供給する第３の搬送装置を配設し、前記
第１及び第２の搬送装置の手前には、それぞれウェーハ
を収納したカセットを配設するローダ部とウェーハを収
納するカセットを配設するアンローダ部とを有し、前記
第１の搬送装置は、ローダ部のカセットよりウェーハを
取り出して前記第１の処理装置に供給し、第１の処理装
置による処理済のウェーハを取り出して第２の処理装置
に供給し、前記第２の搬送装置は、第３の処理装置によ
る処理済のウェーハを取り出して第４の処理装置に供給
し、第４の処理装置による処理済のウェーハを取り出し
て前記アンローダ部のカセットに収納することを特徴と
する。
の本発明の第１の手段は、２階建て部を有し、該２階建
て部の１階部には第１の処理装置と第４の処理装置とを
並設し、２階部には第２の処理装置と第３の処理装置と
を並設し、２階建て部の前方には、第１及び第２の処理
装置に対応して第１の搬送装置を、第３及び第４の処理
装置に対応して第２の搬送装置を配設し、前記第１及び
第２の搬送装置のいずれか一方はウェーハエッジ研磨装
置であり、前記２階部の第２の処理装置と第４の処理装
置間には、第２の処理装置からウェーハを取り出して第
３の処理装置に供給する第３の搬送装置を配設し、前記
第１及び第２の搬送装置の手前には、それぞれウェーハ
を収納したカセットを配設するローダ部とウェーハを収
納するカセットを配設するアンローダ部とを有し、前記
第１の搬送装置は、ローダ部のカセットよりウェーハを
取り出して前記第１の処理装置に供給し、第１の処理装
置による処理済のウェーハを取り出して第２の処理装置
に供給し、前記第２の搬送装置は、第３の処理装置によ
る処理済のウェーハを取り出して第４の処理装置に供給
し、第４の処理装置による処理済のウェーハを取り出し
て前記アンローダ部のカセットに収納することを特徴と
する。
【０００６】上記課題を解決するための本発明の第２の
手段は、上記第１の手段において、前記第１の搬送装置
は、前記ローダ部のカセットよりウェーハを取り出して
前記第１の処理装置に供給する第１のバンドと、前記第
１の処理装置よりウェーハを取り出して前記第２の処理
装置に供給する第２のバンドとを有し、前記第２の処理
装置は、前記第３の処理装置よりウェーハを取り出して
前記第４の処理装置に供給する第１のバンドと、前記第
４の処理装置よりウェーハを取り出して前記アンローダ
部のカセットに収納する第２のバンドとを有することを
特徴とする。
手段は、上記第１の手段において、前記第１の搬送装置
は、前記ローダ部のカセットよりウェーハを取り出して
前記第１の処理装置に供給する第１のバンドと、前記第
１の処理装置よりウェーハを取り出して前記第２の処理
装置に供給する第２のバンドとを有し、前記第２の処理
装置は、前記第３の処理装置よりウェーハを取り出して
前記第４の処理装置に供給する第１のバンドと、前記第
４の処理装置よりウェーハを取り出して前記アンローダ
部のカセットに収納する第２のバンドとを有することを
特徴とする。
【０００７】上記課題を解決するための本発明の第３の
手段は、上記第１の手段において、前記第１の処理装置
はウェーハエッジ研磨装置で、前記第２の処理装置は第
１の洗浄装置で、前記第３の処理装置は第２の洗浄装置
で、前記第４の処理装置は乾燥装置であることを特徴と
する。
手段は、上記第１の手段において、前記第１の処理装置
はウェーハエッジ研磨装置で、前記第２の処理装置は第
１の洗浄装置で、前記第３の処理装置は第２の洗浄装置
で、前記第４の処理装置は乾燥装置であることを特徴と
する。
【０００８】上記課題を解決するための本発明の第４の
手段は、上記第１の手段において、前記第１の処理装置
はウェーハ表面に親水性の酸化膜を形成する装置で、前
記第２の処理装置はウェーハエッジ研磨装置で、前記第
３の処理装置は洗浄装置で、前記第４の処理装置は乾燥
装置であることを特徴とする。
手段は、上記第１の手段において、前記第１の処理装置
はウェーハ表面に親水性の酸化膜を形成する装置で、前
記第２の処理装置はウェーハエッジ研磨装置で、前記第
３の処理装置は洗浄装置で、前記第４の処理装置は乾燥
装置であることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図により
説明する。図１は正面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図
で１階部１を示し、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図で２階
部２を示し、図４は図１のＣ−Ｃ線断面図で１階部１と
２階部２とからなる２階建て部３を示す。即ち、奥側が
２階建て部３となっている。図５は図３のＤ−Ｄ線断面
図である。
説明する。図１は正面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図
で１階部１を示し、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図で２階
部２を示し、図４は図１のＣ−Ｃ線断面図で１階部１と
２階部２とからなる２階建て部３を示す。即ち、奥側が
２階建て部３となっている。図５は図３のＤ−Ｄ線断面
図である。
【００１０】１階部１には、図２に示すように、第１の
処理装置であるウェーハエッジ研磨装置１０と第４の処
理装置である乾燥装置３０とが並設されている。２階部
２には、図３に示すように、第２の処理装置である第１
の洗浄装置２０Ａと第３の処理装置である第２の洗浄装
置２０Ｂとが並設されている。本実施の形態は、ウェー
ハエッジ研磨装置１０、第１及び第２の洗浄装置２０
Ａ、２０Ｂ、乾燥装置３０の配置に特徴があり、各装置
１０、２０Ａ、２０Ｂ、３０の構造自体には特徴はな
い。即ち、各装置１０、２０Ａ、２０Ｂ、３０は公知の
装置であってもよいので、以下、簡単に説明する。
処理装置であるウェーハエッジ研磨装置１０と第４の処
理装置である乾燥装置３０とが並設されている。２階部
２には、図３に示すように、第２の処理装置である第１
の洗浄装置２０Ａと第３の処理装置である第２の洗浄装
置２０Ｂとが並設されている。本実施の形態は、ウェー
ハエッジ研磨装置１０、第１及び第２の洗浄装置２０
Ａ、２０Ｂ、乾燥装置３０の配置に特徴があり、各装置
１０、２０Ａ、２０Ｂ、３０の構造自体には特徴はな
い。即ち、各装置１０、２０Ａ、２０Ｂ、３０は公知の
装置であってもよいので、以下、簡単に説明する。
【００１１】ウェーハエッジ研磨装置１０は、図２に示
すように、図示しないスピンドルにチャックされたウェ
ーハ５の周囲に３台設置されている。各ウェーハエッジ
研磨装置１０の各研磨ドラム１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃの
外周には、図６及び図７に示すように、圧縮性のある柔
軟な研磨パッド１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃが貼り付けられ
ており、ウェーハ５のエッジ部に研磨パッド１２Ａ、１
２Ｂ、１２Ｃを押し付けて研磨している。研磨ドラム１
１Ａは、ウェーハ５と角度θ１（４５°）で接触して上
面エッジ５ａを研磨し、研磨ドラム１１Ｂは、ウェーハ
５と角度θ２（９０°）で接触して側面エッジ５ｂを研
磨し、研磨ドラム１１Ｃは、ウェーハ５と角度θ３（１
３５°）で接触して下面エッジ５ｃを研磨する。このエ
ッジ研磨時には、図示しないノズルより研磨スラリが供
給される。
すように、図示しないスピンドルにチャックされたウェ
ーハ５の周囲に３台設置されている。各ウェーハエッジ
研磨装置１０の各研磨ドラム１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃの
外周には、図６及び図７に示すように、圧縮性のある柔
軟な研磨パッド１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃが貼り付けられ
ており、ウェーハ５のエッジ部に研磨パッド１２Ａ、１
２Ｂ、１２Ｃを押し付けて研磨している。研磨ドラム１
１Ａは、ウェーハ５と角度θ１（４５°）で接触して上
面エッジ５ａを研磨し、研磨ドラム１１Ｂは、ウェーハ
５と角度θ２（９０°）で接触して側面エッジ５ｂを研
磨し、研磨ドラム１１Ｃは、ウェーハ５と角度θ３（１
３５°）で接触して下面エッジ５ｃを研磨する。このエ
ッジ研磨時には、図示しないノズルより研磨スラリが供
給される。
【００１２】第１の洗浄装置２０Ａと第２の洗浄装置２
０Ｂは全く同じ構造となっている。図３乃至図５に示す
ように、ウェーハ５は、４個の支持を兼ねた駆動部材２
１によって支持されて回転駆動される。ウェーハ５の表
面側及び裏面側にはそれぞれ上下動可能で回転駆動され
るスポンジよりなるブラシ２２、２３が配設されてい
る。またウェーハ５の表面及び裏面に洗浄液を吹き付け
るノズル２４、２５が配設されている。ここで、第１の
洗浄装置２０Ａのノズル２４、２５には酸性洗浄液が供
給され、第２の洗浄装置２０Ｂのノズル２４、２５には
アルカリ性洗浄液が供給されるようになっている。そこ
で、ウェーハ５は、回転駆動させられながらノズル２
４、２５より洗浄液が供給され、ブラシ２２、２３によ
ってウェーハ５に付着した研磨スラリ等の不純物が洗浄
される。
０Ｂは全く同じ構造となっている。図３乃至図５に示す
ように、ウェーハ５は、４個の支持を兼ねた駆動部材２
１によって支持されて回転駆動される。ウェーハ５の表
面側及び裏面側にはそれぞれ上下動可能で回転駆動され
るスポンジよりなるブラシ２２、２３が配設されてい
る。またウェーハ５の表面及び裏面に洗浄液を吹き付け
るノズル２４、２５が配設されている。ここで、第１の
洗浄装置２０Ａのノズル２４、２５には酸性洗浄液が供
給され、第２の洗浄装置２０Ｂのノズル２４、２５には
アルカリ性洗浄液が供給されるようになっている。そこ
で、ウェーハ５は、回転駆動させられながらノズル２
４、２５より洗浄液が供給され、ブラシ２２、２３によ
ってウェーハ５に付着した研磨スラリ等の不純物が洗浄
される。
【００１３】乾燥装置３０は、図２に示すように、回転
駆動されるウェーハ５の表面及び裏面にそれぞれ純水を
吹き付けるノズルアーム３１、３２が設けられている。
そこで、ウェーハ５を回転させながらウェーハ５の表面
及び裏面に純水を一定時間吹き付けた後に純水の吹き付
けを停止させ、更にウェーハ５を高速回転させる。これ
により、ウェーハ５に付着した前記第１の洗浄装置２０
Ａ及び第２の洗浄装置２０Ｂの洗浄液及び純水が遠心力
によって飛散され、乾燥状態となる。
駆動されるウェーハ５の表面及び裏面にそれぞれ純水を
吹き付けるノズルアーム３１、３２が設けられている。
そこで、ウェーハ５を回転させながらウェーハ５の表面
及び裏面に純水を一定時間吹き付けた後に純水の吹き付
けを停止させ、更にウェーハ５を高速回転させる。これ
により、ウェーハ５に付着した前記第１の洗浄装置２０
Ａ及び第２の洗浄装置２０Ｂの洗浄液及び純水が遠心力
によって飛散され、乾燥状態となる。
【００１４】ウェーハエッジ研磨装置１０及び乾燥装置
３０の手前の下方には、後記する第１及び第２の搬送装
置５０Ａ、５０Ｂを間に挟んで、図２に示すようにロー
ダ部４０Ａ及びアンローダ部４０Ｂとなっている。ロー
ダ部４０Ａ及びアンローダ部４０Ｂには、それぞれ２個
のカセット４１、４２が配設されている。カセット４
１、４２はウェーハ５を上下に一定ピッチで収納するよ
うになっており、ローダ部４０Ａのカセット４１、４２
には、処理されるウェーハ５が収納されており、アンロ
ーダ部４０Ｂのカセット４１、４２には、処理済のウェ
ーハ５が収納される。ここで、ローダ部４０Ａ及びアン
ローダ部４０Ｂにそれぞれ２個のカセット４１、４２を
配設したのは、ローダ部４０Ａの一方、例えばカセット
４１が空になった時は、他方のカセット４２よりウェー
ハ５を取り出すようにし、アンローダ部４０Ｂの一方、
例えばカセット４１が満杯になった時は、他方のカセッ
ト４２にウェーハ５を収納するようにし、カセット交換
時におけるロスタイムを無くするようにしている。
３０の手前の下方には、後記する第１及び第２の搬送装
置５０Ａ、５０Ｂを間に挟んで、図２に示すようにロー
ダ部４０Ａ及びアンローダ部４０Ｂとなっている。ロー
ダ部４０Ａ及びアンローダ部４０Ｂには、それぞれ２個
のカセット４１、４２が配設されている。カセット４
１、４２はウェーハ５を上下に一定ピッチで収納するよ
うになっており、ローダ部４０Ａのカセット４１、４２
には、処理されるウェーハ５が収納されており、アンロ
ーダ部４０Ｂのカセット４１、４２には、処理済のウェ
ーハ５が収納される。ここで、ローダ部４０Ａ及びアン
ローダ部４０Ｂにそれぞれ２個のカセット４１、４２を
配設したのは、ローダ部４０Ａの一方、例えばカセット
４１が空になった時は、他方のカセット４２よりウェー
ハ５を取り出すようにし、アンローダ部４０Ｂの一方、
例えばカセット４１が満杯になった時は、他方のカセッ
ト４２にウェーハ５を収納するようにし、カセット交換
時におけるロスタイムを無くするようにしている。
【００１５】第１及び第２の搬送装置５０Ａ、５０Ｂは
全く同じ構造よりなっており、図２乃至図５に示すよう
に、第１の搬送装置５０Ａは、ウェーハエッジ研磨装置
１０と第１の洗浄装置２０Ａに対応して配設され、第２
の搬送装置５０Ｂは、乾燥装置３０と第２の洗浄装置２
０Ｂに対応して配設されている。第１及び第２の搬送装
置５０Ａ、５０Ｂは、それぞれウェーハ５を保持するた
めの２個の第１及び第２のバンド５１、５２を有し、こ
の第１及び第２のバンド５１、５２を平面上のＸＹ軸方
向と上下方向のＺ軸方向に駆動するロボット本体５３を
有している。ロボット本体５３は、上下スライド機構５
４によって第１及び第２のバンド５１、５２が１階部１
と２階部２に対応するように上下駆動される。
全く同じ構造よりなっており、図２乃至図５に示すよう
に、第１の搬送装置５０Ａは、ウェーハエッジ研磨装置
１０と第１の洗浄装置２０Ａに対応して配設され、第２
の搬送装置５０Ｂは、乾燥装置３０と第２の洗浄装置２
０Ｂに対応して配設されている。第１及び第２の搬送装
置５０Ａ、５０Ｂは、それぞれウェーハ５を保持するた
めの２個の第１及び第２のバンド５１、５２を有し、こ
の第１及び第２のバンド５１、５２を平面上のＸＹ軸方
向と上下方向のＺ軸方向に駆動するロボット本体５３を
有している。ロボット本体５３は、上下スライド機構５
４によって第１及び第２のバンド５１、５２が１階部１
と２階部２に対応するように上下駆動される。
【００１６】第１の搬送装置５０Ａの第１のバンド５１
は、ローダ部４０Ａのカセット４１、４２内のウェーハ
５を取り出してウェーハエッジ研磨装置１０に供給する
ものである。第１の搬送装置５０Ａの第２のバンド５２
は、ウェーハエッジ研磨装置１０よりエッジ研磨済のウ
ェーハ５を取り出し、上下スライド機構５４により第１
の洗浄装置２０Ａに対応するように上昇させられた後に
ウェーハ５を第１の洗浄装置２０Ａに供給するものであ
る。第２の搬送装置５０Ｂの第１のバンド５１は、第２
の洗浄装置２０Ｂより洗浄済のウェーハ５を取り出し、
上下スライド機構５４により乾燥装置３０に対応するよ
うに下降させられた後にウェーハ５を乾燥装置３０に供
給するものである。第２の搬送装置５０Ｂの第２のバン
ド５２は、乾燥装置３０より乾燥済のウェーハ５を取り
出してアンローダ部４０Ｂのカセット４１、４２に収納
するものである。
は、ローダ部４０Ａのカセット４１、４２内のウェーハ
５を取り出してウェーハエッジ研磨装置１０に供給する
ものである。第１の搬送装置５０Ａの第２のバンド５２
は、ウェーハエッジ研磨装置１０よりエッジ研磨済のウ
ェーハ５を取り出し、上下スライド機構５４により第１
の洗浄装置２０Ａに対応するように上昇させられた後に
ウェーハ５を第１の洗浄装置２０Ａに供給するものであ
る。第２の搬送装置５０Ｂの第１のバンド５１は、第２
の洗浄装置２０Ｂより洗浄済のウェーハ５を取り出し、
上下スライド機構５４により乾燥装置３０に対応するよ
うに下降させられた後にウェーハ５を乾燥装置３０に供
給するものである。第２の搬送装置５０Ｂの第２のバン
ド５２は、乾燥装置３０より乾燥済のウェーハ５を取り
出してアンローダ部４０Ｂのカセット４１、４２に収納
するものである。
【００１７】２階部２の第１の洗浄装置２０Ａと第２の
洗浄装置２０Ｂ間には、図３及び図５に示すように、第
３の搬送装置６０が配設されている。第３の搬送装置６
０は、ウェーハ５の外周を保持する開閉自在の一対のア
ーム６１、６２を有し、該アーム６１、６２は旋回させ
られると共に上下方向のＺ軸方向に駆動させられる。即
ち、アーム６１、６２を開いた状態で、第１の洗浄装置
２０Ａの上方に旋回した後に下降して閉じ、第１の洗浄
済のウェーハ５を保持する。そして、第２の洗浄装置２
０Ｂの上方に旋回した後に下降してアーム６１、６２が
開いてウェーハ５を第２の洗浄装置２０Ｂに供給する。
洗浄装置２０Ｂ間には、図３及び図５に示すように、第
３の搬送装置６０が配設されている。第３の搬送装置６
０は、ウェーハ５の外周を保持する開閉自在の一対のア
ーム６１、６２を有し、該アーム６１、６２は旋回させ
られると共に上下方向のＺ軸方向に駆動させられる。即
ち、アーム６１、６２を開いた状態で、第１の洗浄装置
２０Ａの上方に旋回した後に下降して閉じ、第１の洗浄
済のウェーハ５を保持する。そして、第２の洗浄装置２
０Ｂの上方に旋回した後に下降してアーム６１、６２が
開いてウェーハ５を第２の洗浄装置２０Ｂに供給する。
【００１８】次に作用について説明する。ウェーハエッ
ジ研磨装置１０ではウェーハ５のエッジ研磨、第１の洗
浄装置２０Ａではエッジ研磨済のウェーハ５の第１の洗
浄、第２の洗浄装置２０Ｂでは第１の洗浄済のウェーハ
５の第２の洗浄、乾燥装置３０では第２の洗浄済のウェ
ーハ５の乾燥がそれぞれ行なわれている状態より説明す
る。
ジ研磨装置１０ではウェーハ５のエッジ研磨、第１の洗
浄装置２０Ａではエッジ研磨済のウェーハ５の第１の洗
浄、第２の洗浄装置２０Ｂでは第１の洗浄済のウェーハ
５の第２の洗浄、乾燥装置３０では第２の洗浄済のウェ
ーハ５の乾燥がそれぞれ行なわれている状態より説明す
る。
【００１９】まず、第１の搬送装置５０Ａの作用につい
て説明する。ウェーハエッジ研磨装置１０でウェーハ５
のエッジ研磨が行なわれている間に、第１の搬送装置５
０Ａの第１のバンド５１は、ローダ部４０Ａのカセット
４１よりウェーハ５を取り出して待機している。ウェー
ハエッジ研磨装置１０でウェーハ５のエッジ研磨が終了
すると、第１の搬送装置５０Ａの第２のバンド５２がエ
ッジ研磨済のウェーハ５を取り出し、その後第１のバン
ド５１に保持されたウェーハ５をウェーハエッジ研磨装
置１０に供給する。その後、ロボット本体５３は上下ス
ライド機構５４によって１階部１のウェーハエッジ研磨
装置１０の前方より２階部２の第１の洗浄装置２０Ａの
前方に上昇させられる。そして、第１の洗浄装置２０Ａ
にウェーハ５が無い状態となると、第２のバンド５２に
保持したウェーハ５を第１の洗浄装置２０Ａに供給す
る。その後、ロボット本体５３は２階部２の第１の洗浄
装置２０Ａの前方より１階部１のウェーハエッジ研磨装
置１０の前方に下降する。その後は前記した動作を繰り
返す。
て説明する。ウェーハエッジ研磨装置１０でウェーハ５
のエッジ研磨が行なわれている間に、第１の搬送装置５
０Ａの第１のバンド５１は、ローダ部４０Ａのカセット
４１よりウェーハ５を取り出して待機している。ウェー
ハエッジ研磨装置１０でウェーハ５のエッジ研磨が終了
すると、第１の搬送装置５０Ａの第２のバンド５２がエ
ッジ研磨済のウェーハ５を取り出し、その後第１のバン
ド５１に保持されたウェーハ５をウェーハエッジ研磨装
置１０に供給する。その後、ロボット本体５３は上下ス
ライド機構５４によって１階部１のウェーハエッジ研磨
装置１０の前方より２階部２の第１の洗浄装置２０Ａの
前方に上昇させられる。そして、第１の洗浄装置２０Ａ
にウェーハ５が無い状態となると、第２のバンド５２に
保持したウェーハ５を第１の洗浄装置２０Ａに供給す
る。その後、ロボット本体５３は２階部２の第１の洗浄
装置２０Ａの前方より１階部１のウェーハエッジ研磨装
置１０の前方に下降する。その後は前記した動作を繰り
返す。
【００２０】次に第３の搬送装置６０の作用について説
明する。第１の洗浄装置２０Ａのウェーハ５の第１の洗
浄が終了すると、第３の搬送装置６０が第１の洗浄装置
２０Ａのウェーハ５を取り出す。そして、第２の洗浄装
置２０Ｂにウェーハ５が無い状態になると、第２の洗浄
装置２０Ｂに第１の洗浄済のウェーハ５を供給する。
明する。第１の洗浄装置２０Ａのウェーハ５の第１の洗
浄が終了すると、第３の搬送装置６０が第１の洗浄装置
２０Ａのウェーハ５を取り出す。そして、第２の洗浄装
置２０Ｂにウェーハ５が無い状態になると、第２の洗浄
装置２０Ｂに第１の洗浄済のウェーハ５を供給する。
【００２１】最後に第２の搬送装置５０Ｂの作用につい
て説明する。第２の搬送装置５０Ｂは第２の洗浄装置２
０Ｂに対応した位置にある。第２の洗浄装置２０Ｂによ
ってウェーハ５への第２の洗浄が終了すると、第１のバ
ンド５１が第２の洗浄装置２０Ｂよりウェーハ５を取り
出す。その後、ロボット本体５３は２階部２の第２の洗
浄装置２０Ｂの前方より１階部１の乾燥装置３０の前方
に上下スライド機構５４によって下降させられる。そし
て、乾燥装置３０のウェーハ５の乾燥が終了すると、第
２のバンド５２が乾燥装置３０のウェーハ５を取り出
し、第１のバンド５１に保持している第２の洗浄済のウ
ェーハ５を乾燥装置３０に供給する。その後第２のバン
ド５２に保持している乾燥済のウェーハ５をアンローダ
部４０Ｂのカセット４１、４２に収納する。
て説明する。第２の搬送装置５０Ｂは第２の洗浄装置２
０Ｂに対応した位置にある。第２の洗浄装置２０Ｂによ
ってウェーハ５への第２の洗浄が終了すると、第１のバ
ンド５１が第２の洗浄装置２０Ｂよりウェーハ５を取り
出す。その後、ロボット本体５３は２階部２の第２の洗
浄装置２０Ｂの前方より１階部１の乾燥装置３０の前方
に上下スライド機構５４によって下降させられる。そし
て、乾燥装置３０のウェーハ５の乾燥が終了すると、第
２のバンド５２が乾燥装置３０のウェーハ５を取り出
し、第１のバンド５１に保持している第２の洗浄済のウ
ェーハ５を乾燥装置３０に供給する。その後第２のバン
ド５２に保持している乾燥済のウェーハ５をアンローダ
部４０Ｂのカセット４１、４２に収納する。
【００２２】このように、２階建て部３となっており、
１階部１には第１の処理装置であるウェーハエッジ研磨
装置１０と第４の処理装置である乾燥装置３０が配設さ
れ、２階部２には第２及び第３の処理装置である第１及
び第２の洗浄装置２０Ａ、２０Ｂが配設された構成より
なるので、装置の占有面積の低減が図れる。
１階部１には第１の処理装置であるウェーハエッジ研磨
装置１０と第４の処理装置である乾燥装置３０が配設さ
れ、２階部２には第２及び第３の処理装置である第１及
び第２の洗浄装置２０Ａ、２０Ｂが配設された構成より
なるので、装置の占有面積の低減が図れる。
【００２３】なお、第１及び第２の搬送装置５０Ａ、５
０Ｂは、それぞれ２つの第１及び第２のバンド５１、５
２を設けたが、それぞれ１つの第１のバンド５１のみで
もよい。しかし、この構成であると、第１のバンド５１
はウェーハエッジ研磨装置１０でエッジ研磨したウェー
ハ５を取り出した後に、上昇して第１の洗浄装置２０Ａ
にエッジ研磨済のウェーハ５を供給し、その後下降して
ローダ部４０Ａのカセット４１、４２よりウェーハ５を
取り出してウェーハエッジ研磨装置１０に供給するよう
になる。即ち、第１のバンド５１の動作中は、ウェーハ
エッジ研磨装置１０は停止した状態にあり、ロスタイム
が大きい。またウェーハエッジ研磨装置１０のウェーハ
５の取り出しとカセット４１、４２からのウェーハ５の
取り出しを同じ第１のバンド５１で行なうようになるの
で、研磨済のウェーハ５の保持によって汚れが第１のバ
ンド５１に付着し、この汚れがカセット４１、４２から
取り出すウェーハ５を汚染する。
０Ｂは、それぞれ２つの第１及び第２のバンド５１、５
２を設けたが、それぞれ１つの第１のバンド５１のみで
もよい。しかし、この構成であると、第１のバンド５１
はウェーハエッジ研磨装置１０でエッジ研磨したウェー
ハ５を取り出した後に、上昇して第１の洗浄装置２０Ａ
にエッジ研磨済のウェーハ５を供給し、その後下降して
ローダ部４０Ａのカセット４１、４２よりウェーハ５を
取り出してウェーハエッジ研磨装置１０に供給するよう
になる。即ち、第１のバンド５１の動作中は、ウェーハ
エッジ研磨装置１０は停止した状態にあり、ロスタイム
が大きい。またウェーハエッジ研磨装置１０のウェーハ
５の取り出しとカセット４１、４２からのウェーハ５の
取り出しを同じ第１のバンド５１で行なうようになるの
で、研磨済のウェーハ５の保持によって汚れが第１のバ
ンド５１に付着し、この汚れがカセット４１、４２から
取り出すウェーハ５を汚染する。
【００２４】この点、本実施の形態においては、第１の
搬送装置５０Ａは、ローダ部４０Ａのカセット４１、４
２よりウェーハ５を取り出してウェーハエッジ研磨装置
１０に供給する第１のバンド５１と、ウェーハエッジ研
磨装置１０よりウェーハ５を取り出して第１の洗浄装置
２０Ａに供給する第２のバンド５２とを有し、第２の搬
送装置５０Ｂは、第２の洗浄装置２０Ｂよりウェーハ５
を取り出して乾燥装置３０に供給する第１のバンド５１
と、乾燥装置３０よりウェーハ５を取り出してアンロー
ダ部４０Ｂのカセット４１、４２に収納する第２のバン
ド５２とを有するので、ロスタイムが無く、かつ汚染も
少ない。
搬送装置５０Ａは、ローダ部４０Ａのカセット４１、４
２よりウェーハ５を取り出してウェーハエッジ研磨装置
１０に供給する第１のバンド５１と、ウェーハエッジ研
磨装置１０よりウェーハ５を取り出して第１の洗浄装置
２０Ａに供給する第２のバンド５２とを有し、第２の搬
送装置５０Ｂは、第２の洗浄装置２０Ｂよりウェーハ５
を取り出して乾燥装置３０に供給する第１のバンド５１
と、乾燥装置３０よりウェーハ５を取り出してアンロー
ダ部４０Ｂのカセット４１、４２に収納する第２のバン
ド５２とを有するので、ロスタイムが無く、かつ汚染も
少ない。
【００２５】また本実施の形態においては、第１の工程
でエッジ研磨、第２の工程で第１の洗浄、第３の工程で
第２の洗浄、第４の工程で乾燥の各工程を順次行なう場
合について説明したが、本実施の形態はこの工程に限定
されるものではない。例えば、特開平１０−３０９６６
６号公報のように、第１の工程でウェーハの表面に酸化
膜を形成した後に純水シャワーで洗浄、第２の工程でエ
ッジ研磨、第３の工程で純水シャワーで洗浄、第４の工
程で乾燥する場合にも適用できる。この場合には、１階
部１に第１の工程の２酸化膜形成部・洗浄装置と第４の
工程の乾燥装置とを並設し、２階部２に第２の工程のウ
ェーハエッジ研磨装置と第３の工程の洗浄装置とを並設
すればよい。
でエッジ研磨、第２の工程で第１の洗浄、第３の工程で
第２の洗浄、第４の工程で乾燥の各工程を順次行なう場
合について説明したが、本実施の形態はこの工程に限定
されるものではない。例えば、特開平１０−３０９６６
６号公報のように、第１の工程でウェーハの表面に酸化
膜を形成した後に純水シャワーで洗浄、第２の工程でエ
ッジ研磨、第３の工程で純水シャワーで洗浄、第４の工
程で乾燥する場合にも適用できる。この場合には、１階
部１に第１の工程の２酸化膜形成部・洗浄装置と第４の
工程の乾燥装置とを並設し、２階部２に第２の工程のウ
ェーハエッジ研磨装置と第３の工程の洗浄装置とを並設
すればよい。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、２階建て部を有し、該２階建
て部の１階部には第１の処理装置と第４の処理装置とを
並設し、２階部には第２の処理装置と第３の処理装置と
を並設し、２階建て部の前方には、第１及び第２の処理
装置に対応して第１の搬送装置を、第３及び第４の処理
装置に対応して第２の搬送装置を配設し、前記第１及び
第２の搬送装置のいずれか一方はウェーハエッジ研磨装
置であり、前記２階部の第２の処理装置と第４の処理装
置間には、第２の処理装置からウェーハを取り出して第
３の処理装置に供給する第３の搬送装置を配設し、前記
第１及び第２の搬送装置の手前には、それぞれウェーハ
を収納したカセットを配設するローダ部とウェーハを収
納するカセットを配設するアンローダ部とを有した構成
よりなるので、装置の占有面積の低減化が図れる。
て部の１階部には第１の処理装置と第４の処理装置とを
並設し、２階部には第２の処理装置と第３の処理装置と
を並設し、２階建て部の前方には、第１及び第２の処理
装置に対応して第１の搬送装置を、第３及び第４の処理
装置に対応して第２の搬送装置を配設し、前記第１及び
第２の搬送装置のいずれか一方はウェーハエッジ研磨装
置であり、前記２階部の第２の処理装置と第４の処理装
置間には、第２の処理装置からウェーハを取り出して第
３の処理装置に供給する第３の搬送装置を配設し、前記
第１及び第２の搬送装置の手前には、それぞれウェーハ
を収納したカセットを配設するローダ部とウェーハを収
納するカセットを配設するアンローダ部とを有した構成
よりなるので、装置の占有面積の低減化が図れる。
【図１】本発明のウェーハエッジ研磨処理装置の一実施
の形態を示す正面図である。
の形態を示す正面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】図３のＤ−Ｄ線断面図である。
【図６】ウェーハエッジ部の研磨説明図である。
【図７】（ａ）は図６のＥ−Ｅ線断面図、（ｂ）は図６
のＦ−Ｆ線断面図、（ｃ）は図６のＧ−Ｇ線断面図であ
る。
のＦ−Ｆ線断面図、（ｃ）は図６のＧ−Ｇ線断面図であ
る。
１ １階部
２ ２階部
３ ２階建て部
５ ウェーハ
１０ ウェーハエッジ研磨装置
２０Ａ 第１の洗浄装置
２０Ｂ 第２の洗浄装置
３０ 乾燥装置
４０Ａ ローダ部
４０Ｂ アンローダ部
４１、４２ カセット
５０Ａ 第１の搬送装置
５０Ｂ 第２の搬送装置
５１ 第１のバンド
５２ 第２のバンド
５３ ロボット本体
５４ 上下スライド機構
６０ 第３の搬送装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 武藤 寧
東京都昭島市武蔵野３丁目10番６号 ワイ
エイシイ株式会社内
(72)発明者 金井 史幸
東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株
式会社日立製作所半導体事業部内
(72)発明者 荒井 利行
東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株
式会社日立製作所半導体事業部内
Ｆターム(参考） 3C049 AA03 AA18 AC01 CA01 CB03
Claims (4)
- 【請求項１】 ２階建て部を有し、該２階建て部の１階
部には第１の処理装置と第４の処理装置とを並設し、２
階部には第２の処理装置と第３の処理装置とを並設し、
２階建て部の前方には、第１及び第２の処理装置に対応
して第１の搬送装置を、第３及び第４の処理装置に対応
して第２の搬送装置を配設し、前記第１及び第２の搬送
装置のいずれか一方はウェーハエッジ研磨装置であり、
前記２階部の第２の処理装置と第４の処理装置間には、
第２の処理装置からウェーハを取り出して第３の処理装
置に供給する第３の搬送装置を配設し、前記第１及び第
２の搬送装置の手前には、それぞれウェーハを収納した
カセットを配設するローダ部とウェーハを収納するカセ
ットを配設するアンローダ部とを有し、前記第１の搬送
装置は、ローダ部のカセットよりウェーハを取り出して
前記第１の処理装置に供給し、第１の処理装置による処
理済のウェーハを取り出して第２の処理装置に供給し、
前記第２の搬送装置は、第３の処理装置による処理済の
ウェーハを取り出して第４の処理装置に供給し、第４の
処理装置による処理済のウェーハを取り出して前記アン
ローダ部のカセットに収納することを特徴とするウェー
ハエッジ研磨処理装置。 - 【請求項２】 前記第１の搬送装置は、前記ローダ部の
カセットよりウェーハを取り出して前記第１の処理装置
に供給する第１のバンドと、前記第１の処理装置よりウ
ェーハを取り出して前記第２の処理装置に供給する第２
のバンドとを有し、前記第２の処理装置は、前記第３の
処理装置よりウェーハを取り出して前記第４の処理装置
に供給する第１のバンドと、前記第４の処理装置よりウ
ェーハを取り出して前記アンローダ部のカセットに収納
する第２のバンドとを有することを特徴とする請求項１
記載のウェーハエッジ研磨処理装置。 - 【請求項３】 前記第１の処理装置はウェーハエッジ研
磨装置で、前記第２の処理装置は第１の洗浄装置で、前
記第３の処理装置は第２の洗浄装置で、前記第４の処理
装置は乾燥装置であることを特徴とする請求項１記載の
ウェーハエッジ研磨処理装置。 - 【請求項４】 前記第１の処理装置はウェーハ表面に親
水性の酸化膜を形成する装置で、前記第２の処理装置は
ウェーハエッジ研磨装置で、前記第３の処理装置は洗浄
装置で、前記第４の処理装置は乾燥装置であることを特
徴とする請求項１記載のウェーハエッジ研磨処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001345774A JP2003151925A (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | ウェーハエッジ研磨処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001345774A JP2003151925A (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | ウェーハエッジ研磨処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003151925A true JP2003151925A (ja) | 2003-05-23 |
Family
ID=19159059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001345774A Pending JP2003151925A (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | ウェーハエッジ研磨処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003151925A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011152625A2 (en) * | 2010-06-01 | 2011-12-08 | Lg Siltron Inc. | Wafer polishing apparatus |
| JP2013153181A (ja) * | 2009-03-04 | 2013-08-08 | Siltronic Ag | エピタキシャル被覆されたシリコンウェハ及びエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 |
| WO2020100609A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄モジュール、洗浄モジュールを備える基板処理装置と洗浄方法 |
| US12033847B2 (en) | 2018-11-16 | 2024-07-09 | Ebara Corporation | Cleaning module, substrate processing apparatus including cleaning module, and cleaning method |
-
2001
- 2001-11-12 JP JP2001345774A patent/JP2003151925A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013153181A (ja) * | 2009-03-04 | 2013-08-08 | Siltronic Ag | エピタキシャル被覆されたシリコンウェハ及びエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 |
| WO2011152625A2 (en) * | 2010-06-01 | 2011-12-08 | Lg Siltron Inc. | Wafer polishing apparatus |
| WO2011152625A3 (en) * | 2010-06-01 | 2012-04-19 | Lg Siltron Inc. | Wafer polishing apparatus |
| WO2020100609A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄モジュール、洗浄モジュールを備える基板処理装置と洗浄方法 |
| JP2020088000A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄モジュール、洗浄モジュールを備える基板処理装置と洗浄方法 |
| CN113165142A (zh) * | 2018-11-16 | 2021-07-23 | 株式会社荏原制作所 | 清洗组件、具备清洗组件的基板处理装置及清洗方法 |
| JP7265858B2 (ja) | 2018-11-16 | 2023-04-27 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄モジュール、洗浄モジュールを備える基板処理装置と洗浄方法 |
| CN113165142B (zh) * | 2018-11-16 | 2023-12-22 | 株式会社荏原制作所 | 清洗组件及具备清洗组件的基板处理装置 |
| US12033847B2 (en) | 2018-11-16 | 2024-07-09 | Ebara Corporation | Cleaning module, substrate processing apparatus including cleaning module, and cleaning method |
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