JP2003149269A - Contact sheet for inspecting semiconductor wafer - Google Patents
Contact sheet for inspecting semiconductor waferInfo
- Publication number
- JP2003149269A JP2003149269A JP2001342504A JP2001342504A JP2003149269A JP 2003149269 A JP2003149269 A JP 2003149269A JP 2001342504 A JP2001342504 A JP 2001342504A JP 2001342504 A JP2001342504 A JP 2001342504A JP 2003149269 A JP2003149269 A JP 2003149269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- semiconductor wafer
- contact sheet
- contact
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハー検
査用接触シートに関するものであり、とくに半導体ウエ
ハーのバーンインスクリーニングなどの検査するために
バーンイン検査装置に取付けて用いられるものについて
の提案である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact sheet for inspecting a semiconductor wafer, and more particularly to a contact sheet for inspecting a semiconductor wafer such as burn-in screening, which is attached to a burn-in inspection apparatus.
【０００２】[0002]
【従来技術】従来、半導体ウエハーの導通を確認する試
験として、バ−ンインプロセスと呼ばれる方法がある。
この試験方法では、半導体ウエハーとバ−ンインボ−ド
とを電気的に接続させた状態で該ウエハーに一定電流を
供給することによって行われている。とくに、この試験
は、加熱を施してウエハー回路のコンタミネ−ション等
に起因する不良を顕在化させる方法である。2. Description of the Related Art Conventionally, as a test for confirming the continuity of a semiconductor wafer, there is a method called a burn-in process.
This test method is performed by supplying a constant current to the semiconductor wafer and the burn-in board in a state where they are electrically connected. In particular, this test is a method of exposing a defect due to contamination of the wafer circuit by heating.
【０００３】例えば、この試験においては、半導体ウエ
ハーとバ−ンインボ−ドを電気的に接続するに当って、
この両者の間に接触シ−トを介在させるのが普通であ
る。この点、従来の接触シートは、図６に示すように、
絶縁性シ−ト２の表側の面と裏側の面を貫通するように
設けられた導電性ポスト３がシ−ト中に規則的に多数配
列されたものにて構成されている。例えば、特開平１０
−２８４５５６号公報にみられるように、フッ素樹脂シ
−トに貫通孔を多数形成して、その貫通孔内にめっきに
よって多孔質状の導電性ポストやシート面から突出した
形状の突起バンプを形成したものが使用されている。For example, in this test, when electrically connecting a semiconductor wafer and a burn-in board,
It is usual to interpose a contact sheet between the two. In this respect, the conventional contact sheet is as shown in FIG.
The insulating sheet 2 is composed of a plurality of conductive posts 3 arranged so as to penetrate the front surface and the back surface of the insulating sheet 2 in a regular manner. For example, JP-A-10
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 284556, a large number of through holes are formed in a fluororesin sheet, and porous conductive posts or projecting bumps protruding from the sheet surface are formed in the through holes by plating. What has been used is being used.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
多孔質状の導電ポストを有する接触シートは、多孔質で
あるが故に、検査中に不純物が堆積して残留しやすく、
高温でマイグレ−ションを発生して、複数回の使用が困
難になるという問題があった。また、導電性ポストが多
孔質かまたはシート表面から突出した突起バンプの構造
になっているために、一回の試験（押圧）でも該導電ポ
ストや突起バンプが潰れてしまい、やはり多数回の使用
が困難になるという問題があった。However, since the contact sheet having such a porous conductive post is porous, impurities are likely to be accumulated and remain during the inspection,
There is a problem that migration occurs at a high temperature and it becomes difficult to use it a plurality of times. In addition, since the conductive post is porous or has a structure of protruding bumps protruding from the surface of the sheet, the conductive posts and protruding bumps are crushed even by one test (pressing), and the conductive posts and the protruding bumps are also used many times. There was a problem that it would be difficult.
【０００５】さらに、一般にこの検査のとき、半導体ウ
エハーの導体パッド表面にはしばしば酸化膜が生成し、
この酸化膜により、接触シ−トと半導体ウエハーとが電
気的に接続できないという問題も見られた。Further, generally, during this inspection, an oxide film is often formed on the surface of the conductor pad of the semiconductor wafer,
Due to this oxide film, there was also a problem that the contact sheet and the semiconductor wafer could not be electrically connected.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
技術の中で提案されている接触シートは、主として導電
性ポストが多孔質体で構成されていること、およびシー
ト面から突出（突起バンプ）した構造を有することに起
因して高い信頼性を確保して多数回の検査を行うことが
できないという点、ならびに酸化膜が介在することによ
る導通不良に起因した検査精度の信頼性が低下するとい
う点に問題があった。As described above, in the contact sheet proposed in the prior art, the conductive post is mainly composed of a porous body, and the contact sheet is projected (projected bump). ), It is not possible to secure high reliability and perform a large number of inspections, and the reliability of inspection accuracy due to poor conduction due to the presence of an oxide film decreases. There was a problem in that.
【０００７】そこで、本発明の目的は、複数回のバーン
イン検査を高い信頼性を維持して行うのに好適な半導体
ウエハー検査用接触シートを提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer inspection contact sheet suitable for conducting a plurality of burn-in inspections while maintaining high reliability.
【０００８】本発明の他の目的は、検査時の導体パッド
の酸化に伴なう検査不良を回避するの有効な半導体ウエ
ハー検査用接触シートの構造を提案することにある。Another object of the present invention is to propose a structure of a contact sheet for inspecting a semiconductor wafer, which is effective in avoiding an inspection defect due to oxidation of a conductor pad during inspection.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、従来技術が抱
えている上述した問題を克服し、上記目的を実現するも
のとして、下記要旨構成に係る接触シートを提案する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention proposes a contact sheet having the following structure as a means for overcoming the above-mentioned problems of the prior art and achieving the above object.
【００１０】即ち、本発明は、実質的に無気孔の導電性
ポストが埋設された絶縁性樹脂シ−トからなるものであ
って、このシートの表面には、該ポストの端面が該シー
ト面とほぼ一致した状態で露出してなることを特徴とす
る半導体ウエハー検査用接触シ−トである。That is, the present invention comprises an insulating resin sheet in which a substantially non-porous conductive post is embedded, and the end surface of the post is the surface of the sheet. The contact sheet for inspecting a semiconductor wafer is characterized in that it is exposed in a state substantially coincident with.
【００１１】また、本発明は、金属焼結体からなる導電
性ポストが埋設された絶縁性樹脂シ−トからなるもので
あって、このシートの表面には、該ポストの端面が該シ
ート面とほぼ一致した状態で露出してなることを特徴と
する半導体ウエハー検査用接触シ−トである。Further, the present invention comprises an insulating resin sheet in which a conductive post made of a metal sintered body is embedded, and the end face of the post is on the surface of the sheet. The contact sheet for inspecting a semiconductor wafer is characterized in that it is exposed in a state substantially coincident with.
【００１２】なお、本発明においては、絶縁性樹脂シ−
トの表面に露出している前記導電製ポストの少なくとも
一方の表面に粗化層が形成されていて、そしてこの粗化
層は、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる層で形成されること
が好ましい。In the present invention, the insulating resin sheet is used.
It is preferable that a roughening layer is formed on at least one surface of the conductive post exposed on the surface of the conductive layer, and the roughening layer is formed of a layer made of a Cu-Ni-P alloy. .
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】本発明に係る接触シ−ト１の基本
的な構成は、図１に示したように、絶縁性樹脂シ−ト２
中に、実質的に無気孔の導電性高密度材からなる、好ま
しくは柱状の導電性ポスト３が複数個、規則的に、好ま
しくは格子状もしくは千鳥状配列になるように埋設して
なる点にある。このタイプの接触シートは、導電性ポス
ト３中に不純物の残留の虞がなく、それ故に高温でのマ
イグレ−ションが発生しにくいという特徴がある。しか
も、実質的に無気孔の材料を導電性ポスト３として用い
た場合には、バーンイン検査時に、ベースユニット（導
電部材）と半導体ウエハーとの間に当該接触シートを挟
んで押圧したときでも、該導電性ポスト３が潰れるよう
なことがなく、そのため、多数回の繰返し使用が可能に
なるし、信頼性も向上する。なお、かかる導電性ポスト
３の絶縁性樹脂シート２中には、必ずしも規則的に配列
する必要はない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The basic structure of a contact sheet 1 according to the present invention is, as shown in FIG. 1, an insulating resin sheet 2
A plurality of preferably columnar conductive posts 3 made of a conductive high-density material having substantially no pores are embedded therein regularly, preferably in a lattice or staggered arrangement. It is in. This type of contact sheet is characterized in that there is no risk of impurities remaining in the conductive posts 3, and therefore migration at high temperatures is less likely to occur. Moreover, when a material having substantially no pores is used as the conductive post 3, even when the contact sheet is sandwiched and pressed between the base unit (conductive member) and the semiconductor wafer during burn-in inspection, The conductive posts 3 are not crushed, so that they can be repeatedly used many times and reliability is improved. It is not always necessary to regularly arrange the conductive posts 3 in the insulating resin sheet 2.
【００１４】この接触シ−ト１は、次のようにして製造
される。即ち、図４に示すように、線状の導体３を所定
の間隔をおいて原則、規則的に配置し、その上下を円盤
状の樹脂シート２１，２２を介して保持し、これらの樹
脂シートの間に絶縁性樹脂液を流し込んで一体に硬化さ
せる。ついで、その硬化体を、厚み方向導体（導体長手
方向）に薄くスライスして、複数枚の接触シ−ト１にし
ていくのである。The contact sheet 1 is manufactured as follows. That is, as shown in FIG. 4, in principle, linear conductors 3 are regularly arranged at predetermined intervals, and the upper and lower sides thereof are held via disc-shaped resin sheets 21 and 22. Insulating resin liquid is poured between them to cure them together. Then, the cured body is sliced into thin pieces in the thickness direction conductor (conductor longitudinal direction) to form a plurality of contact sheets 1.
【００１５】このようにして樹脂シートを製造すると、
導電性ポスト３が絶縁性樹脂シート２中に、所定の配列
で埋設された状態で、しかも、このポストの端面（切断
端面）が、該シートの表面にほぼ一致した状態の平坦な
（従来のような突起バンプ状ではなく）切口を形造って
露出した状態になる。その結果、ベースユニットや半導
体ウエハーはパッドやバンプによって押し潰されるよう
なことがなくなる。When the resin sheet is manufactured in this manner,
The conductive posts 3 are embedded in the insulating resin sheet 2 in a predetermined arrangement, and the end faces (cut end faces) of the posts are substantially flat with the surface of the sheet (conventional). The cut end is shaped and exposed instead of the protruding bump shape. As a result, the base unit and the semiconductor wafer are not crushed by the pads and bumps.
【００１６】本発明において使用される前記導電性ポス
ト３の作用としては、導電性金属や導電性セラミックの
線材が使用できる。その導電性金属の例としては、銅や
鉄、ニッケル、貴金属（金、銀、パラジウム）が、そし
て、導電性セラミックの例としては、カ−ボン、タング
ステンカ−バイドの如き各種カーバイドから選ばれる少
なくとも１種以上のものを使用することができる。As the function of the conductive post 3 used in the present invention, a conductive metal or conductive ceramic wire can be used. Examples of the conductive metal include copper, iron, nickel, and noble metals (gold, silver, palladium), and examples of the conductive ceramic include carbon and various types of carbide such as tungsten carbide. At least one kind or more can be used.
【００１７】また、絶縁性シ−トを構成する樹脂として
は、フッ素樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミイド樹脂、ビ
スマレイミド−トリアジン樹脂などから選ばれる少なく
とも１種以上を用いることができる。As the resin constituting the insulating sheet, at least one selected from fluororesin, epoxy resin, polyimide resin, bismaleimide-triazine resin and the like can be used.
【００１８】本発明の第２の実施形態に係る接触シ−ト
１０は、図２に示すように、絶縁性シ−ト１２中に金属
焼結体からなる線状の導電製ポスト１３がシート厚み方
向に、所定の配列で複数本、規則的に埋設されてなり、
このポスト１３の端面は、該シートの表面にほぼ一致し
た状態で平坦に露出した形態を有し、大きな気孔を含ま
ないので、不純物の残留の虞がなく、高温でのマイグレ
−ションが発生しにくい構造となっている。なお、かか
る導電性ポスト１３は、必ずしも規則的に配列する必要
はない。In the contact sheet 10 according to the second embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, a linear conductive post 13 made of a metal sintered body is formed in a sheet in an insulating sheet 12. In the thickness direction, multiple pieces are regularly embedded in a predetermined arrangement,
The end surface of the post 13 has a shape that is exposed flatly in a state of substantially matching the surface of the sheet and does not contain large pores, so there is no risk of impurities remaining and migration at high temperature occurs. It has a difficult structure. The conductive posts 13 do not necessarily have to be regularly arranged.
【００１９】このような接触シ−ト１０は上述したよう
に、予め銅、鉄、ニッケル等の金属あるいはそれらの合
金、あるいはカーボンやカーバイドの如き導電性セラミ
ックスの線状焼結体を用い、図４に示す方法に従って製
造することができる。なお、素材としての導電性金属、
合金、絶縁性樹脂シート等については、上記第１実施形
態のものと同じものが用いられる。As described above, the contact sheet 10 is made of a metal such as copper, iron, nickel, or an alloy thereof, or a linear sintered body of a conductive ceramic such as carbon or carbide. It can be manufactured according to the method shown in FIG. In addition, conductive metal as a material,
As for the alloy, the insulating resin sheet, etc., the same ones as in the first embodiment are used.
【００２０】本発明の第３の実施形態に係る接触シート
２０，３０は、図３（ａ）（ｂ）に示すように、絶縁性
シ−ト２２，３２に、導電性ポスト２３，３３が埋設さ
れていて、それらの端面がシート表面に露出した構成を
有するものであることは、図１、図２に示す本発明の第
１，２実施形態と同じである。ただし、シート表面と露
出している導電性ポスト２３，３３の少なくとも一方の
表面に、粗化層４，１４が形成された構造を有する点が
異なる。In the contact sheets 20 and 30 according to the third embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 3A and 3B, the conductive sheets 23 and 33 are attached to the insulating sheets 22 and 32. It is the same as the first and second embodiments of the present invention shown in FIGS. 1 and 2 that they are embedded and have a structure in which their end faces are exposed on the surface of the sheet. However, the difference is that it has a structure in which the roughening layers 4 and 14 are formed on at least one surface of the conductive posts 23 and 33 exposed from the sheet surface.
【００２１】前記粗化層４，１４は、バーンイン検査時
に、重畳押圧される半導体ウエハーの導体パッド表面の
酸化膜を突き破り、たとえ半導体ウエハーの導体パッド
に酸化膜が形成されていたとしても、半導体ウエハーと
接触シ−トとの電気的接続を確保して、検査精度を上げ
るのに有効に機能する。During the burn-in test, the roughened layers 4 and 14 break through the oxide film on the surface of the conductor pad of the semiconductor wafer to be superposed and pressed, and even if the oxide film is formed on the conductor pad of the semiconductor wafer, It ensures the electrical connection between the wafer and the contact sheet, and effectively functions to improve the inspection accuracy.
【００２２】なお、前記粗化層４，１４は、黒化還元処
理、エッチング処置、研磨処理、めっき処理などの方法
を適用して形成される。例えば、黒化還元処理を行う場
合、ＮａＯＨ（２０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（５０ｇ／
ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（１５．０ｇ／ｌ）などからなる水
溶液を含む黒化浴（酸化浴）、および、ＮａＯＨ（２．
７ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４を含む水溶液からなる還元浴を
用いて、粗化面を形成する方法が有効である。とくに、
めっき処理によって粗化層４，１４を形成する際には、
硫酸銅（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜
６．０ｇ／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜
リン酸ナトリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１
０〜４０ｇ／ｌ）、界面活性剤（日信化学工業社製、サ
ーフィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）を含む
ｐＨ＝９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施すこと
により、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層４，１４と
する方法が有利である。The roughened layers 4 and 14 are formed by applying methods such as blackening reduction treatment, etching treatment, polishing treatment, and plating treatment. For example, when performing blackening reduction treatment, NaOH (20 g / l), NaClO 2 (50 g / l)
1), a blackening bath (oxidation bath) containing an aqueous solution of Na 3 PO 4 (15.0 g / l), and NaOH (2.
A method of forming a roughened surface using a reducing bath consisting of an aqueous solution containing 7 g / l) and NaBH 4 is effective. Especially,
When the roughened layers 4 and 14 are formed by plating,
Copper sulfate (1-40 g / l), nickel sulfate (0.1
6.0 g / l), citric acid (10-20 g / l), sodium hypophosphite (10-100 g / l), boric acid (1
0 to 40 g / l) and a non-electrolytic plating bath (pH: 9) containing a surfactant (Surfynol 465, manufactured by Nisshin Chemical Industry Co., Ltd.) (0.01 to 10 g / l). The method of forming the roughened layers 4 and 14 made of Cu-Ni-P alloy is advantageous.
【００２３】このような粗化処理を行うと、導電性ポス
ト２３，３３の端面に析出する被膜の結晶構造は針状構
造になるため、アンカー効果にも優れたものを提供する
ことができる。また、研磨処理については、ダイヤモン
ドペ−ストやＳｉＣ砥粒を用いて行い、エッチング処理
による方法は、硫酸−過酸化水素水溶液などを使用する
ことができる。When such a roughening treatment is carried out, the crystal structure of the coating film deposited on the end faces of the conductive posts 23 and 33 becomes a needle-like structure, so that an excellent anchoring effect can be provided. The polishing treatment may be performed using diamond paste or SiC abrasive grains, and the etching treatment may be performed using a sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution or the like.
【００２４】本発明を構成する主要素である導電性ポス
ト１，１０，２０，３０は直径が１〜２００μｍ程度の
ものが望ましい。その理由は、２００μｍよりも大きす
ぎると、本来は接続すべきでない隣接する半導体ウエハ
ー５のパッド５ａにも接触してしまい、逆に、小さくな
りすぎると抵抗値が高くなり、いずれにせよ正確な測定
ができなくなるからである。The conductive posts 1, 10, 20, 30 which are the main elements constituting the present invention preferably have a diameter of about 1 to 200 μm. The reason is that if it is larger than 200 μm, it also contacts the pad 5a of the adjacent semiconductor wafer 5 which should not be connected originally, and conversely, if it is too small, the resistance value becomes high, and in any case, it is accurate. This is because it becomes impossible to measure.
【００２５】また、上記接触シ−ト１，１０，２０，３
０（絶縁性樹脂シート２，１２，２２，３２）は、その
厚さが１０〜５００μｍであることが望ましい。その理
由は、上記の範囲を超えて薄くなりすぎると、変形量が
大きくなって接続が確保できなくなり、逆に厚すぎると
変形しにくくなって、電気的接続の確保が困難になる。Further, the above contact sheets 1, 10, 20, 3
0 (insulating resin sheets 2, 12, 22, 32) preferably has a thickness of 10 to 500 μm. The reason for this is that if the thickness exceeds the above range and becomes too thin, the amount of deformation becomes large and the connection cannot be secured, while if it is too thick, it becomes difficult to deform and it becomes difficult to secure electrical connection.
【００２６】上記粗化層４，１４は、その厚さ（粗化面
の高低差）が０．１〜１００μｍ程度になることが望ま
しい。この理由は、０．１μｍ未満では酸化膜を破るこ
とができず、１００μｍを超えると、ウエハーのパッド
を破壊してしまうため、いずれにせよ接触シ−トとして
の機能を果たさなくなる。The roughened layers 4 and 14 preferably have a thickness (height difference between roughened surfaces) of about 0.1 to 100 μm. The reason for this is that if the thickness is less than 0.1 μm, the oxide film cannot be broken, and if it exceeds 100 μm, the pad of the wafer will be broken, and in any case, the function as the contact sheet cannot be achieved.
【００２７】本発明に係る接触シ−トの使用形態を図５
に示す。この図５は、バーンイン検査装置の部分説明図
であり、半導体ウエハー５のパッド５ａとバ−ンインボ
−ド６のパッド６ａとの間に介在させる本発明にかかる
接触シ−ト１，１０，２０，３０の導電性ポスト２３が
接触して電気的導通が図れるようになっている。FIG. 5 shows a usage pattern of the contact sheet according to the present invention.
Shown in. FIG. 5 is a partial explanatory view of the burn-in inspection apparatus. The contact sheets 1, 10, 20 according to the present invention are interposed between the pad 5a of the semiconductor wafer 5 and the pad 6a of the burn-in board 6. , 30 are brought into contact with each other to establish electrical conduction.
【００２８】なお、この試験において半導体ウエハー
２、接触シ−ト１、バ−ンインボ−ド６からなる積層体
は９０℃〜１５０℃に加熱して２４時間〜１７０時間放
置する。そうするとコンタミネ−ションなどで断線、シ
ョ−トする可能性のあるパタ−ンは、その不具合が顕在
化し、検査の目的が達成される。また、このバーンイン
試験において、印加する電流は一定電流として、電圧の
変化を測定することで抵抗値に変動を計算するが、一定
電圧を印加して電流値の変動を測定し、抵抗値を計算す
ることもできる。In this test, the laminated body composed of the semiconductor wafer 2, the contact sheet 1, and the burn-in board 6 is heated to 90 ° C. to 150 ° C. and left for 24 hours to 170 hours. Then, in the pattern which may be broken or shot due to contamination, the defect becomes apparent and the inspection purpose is achieved. In this burn-in test, the applied current is a constant current, and the change in resistance value is calculated by measuring the change in voltage.However, the fixed value is applied to measure the change in current value, and the resistance value is calculated. You can also do it.
【００２９】[0029]
【実施例】（実施例１）
（１）直径５０μｍの銅線複数本を、１００μｍ間隔で
孔が形成されている円盤の孔中に差込み取付けて両端を
固定した（図４参照）。つぎに、その円盤ごと４００℃
で加熱溶融したフッ素樹脂液中に浸漬して、冷却固化さ
せ銅線とフッ素樹脂とならかる複合体を得た。
（２）この複合体をダイヤモンドカッタ−で厚さ３０μ
ｍ毎にスライスして複数枚の接触シ−トとした。(Example 1) (1) A plurality of copper wires having a diameter of 50 μm were inserted and attached into the holes of a disk having holes formed at intervals of 100 μm to fix both ends (see FIG. 4). Next, the disk is 400 ℃
It was dipped in a fluororesin solution heated and melted in step (3), cooled and solidified to obtain a composite consisting of a copper wire and fluororesin. (2) The thickness of this composite is 30μ with a diamond cutter.
A plurality of contact sheets were obtained by slicing every m.
【００３０】（実施例２）
（１）直径５０μｍの炭素繊維を１００μｍ間隔で孔が
形成されている円盤の孔中に差し込み取付けて両端を固
定した。つぎに、その円盤ごと４００℃で加熱溶融した
フッ素樹脂液中に浸漬して、冷却固化させ炭素繊維とフ
ッ素樹脂とからなる複合体を得た。
（２）この複合体をダイヤモンドカッタ−で厚さ３０μ
ｍにスライスして複数枚の接触シ−トとした。Example 2 (1) Carbon fibers having a diameter of 50 μm were inserted into the holes of a disk having holes at 100 μm intervals and attached to fix both ends. Next, the whole disk was immersed in a fluororesin solution heated and melted at 400 ° C., and cooled and solidified to obtain a composite of carbon fiber and fluororesin. (2) The thickness of this composite is 30μ with a diamond cutter.
Sliced into m pieces to obtain a plurality of contact sheets.
【００３１】（実施例３）
（１）粒子径１μｍのタングステンとアクリル樹脂バイ
ンダ−を混合して粘度１０Ｐａ・Ｓのペ−ストとし、押
し出し成形して直径１００μｍの棒状体とし、これを３
００℃で空気中で脱脂し、さらに、不活性ガス中１８０
０℃にて焼結してタングステン焼結体の棒状体（直径５
０μｍ）を得た。
（２）上記（１）のタングステン棒状体を１００μｍ間
隔で孔が形成されている円盤状シートに設けた孔中に差
し込み取付けて両端を固定した。つぎに、その円盤状シ
ートごと４００℃で加熱溶融したフッ素樹脂液に浸漬し
て、冷却固化させタングステン焼結金属とフッ素樹脂の
複合体とした。
（３）この複合体を、ダイヤモンドカッタ−で厚さ３０
μｍにスライスして接触シ−トとした。Example 3 (1) Tungsten having a particle diameter of 1 μm and an acrylic resin binder were mixed to form a paste having a viscosity of 10 Pa · S, and extruded into a rod-shaped body having a diameter of 100 μm.
Degrease in air at 00 ° C, and then 180 in inert gas.
Sintered at 0 ° C. and sintered tungsten rod (diameter 5
0 μm) was obtained. (2) The both ends of the tungsten rod-shaped body of (1) were fixed by inserting them into the holes provided in the disk-shaped sheet having holes formed at 100 μm intervals. Next, the disc-shaped sheet was immersed in a fluororesin solution heated and melted at 400 ° C., and cooled and solidified to obtain a composite of tungsten sintered metal and fluororesin. (3) The thickness of this composite is 30 with a diamond cutter.
It was sliced to a thickness of μm to obtain a contact sheet.
【００３２】（実施例４）
（１）直径５０μｍの銅線を１００μｍ間隔で孔を設け
た円盤状シートのその孔中に差し込み取付けて両端を固
定した。つぎに、この円盤状シートを４００℃で加熱溶
融したフッ素樹脂液中に浸漬して、冷却固化させ銅線と
フッ素樹脂の複合体とした。
（２）この複合体をダイヤモンドカッタ−で厚さ３０μ
ｍにスライスして複数毎の接触シ−トを得た。
（３）この接触シ−トを硫酸銅（３．２×１０−２ｍｏ
ｌ／ｌ）、硫酸ニッケル（２．４×１０−３ｍｏｌ／
ｌ）、クエン酸（５．２×１０−２ｍｏｌ／ｌ）、次亜
リン酸ナトリウム（２．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、ホ
ウ酸（５．０×１０ −１ｍｏｌ／ｌ）、界面活性剤（日
信化学工業社製、サーフィノール４６５）（１．０ｇ／
ｌ）の水溶液からなるｐＨ＝９の無電解めっき浴にて無
電解めっきを施し、導体回路の全表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ
合金からなる粗化層を銅ポストの露出した表側面、裏側
面の両面に形成した。(Example 4)
(1) Holes are provided at intervals of 100 μm for copper wires with a diameter of 50 μm
The disc-shaped sheet is inserted into the hole and attached to secure both ends.
Decided Next, the disc-shaped sheet was melted by heating at 400 ° C.
Immersed in molten fluororesin liquid, cooled and solidified to form copper wire
A fluororesin composite was prepared.
(2) The thickness of this composite is 30μ with a diamond cutter.
It was sliced into m pieces to obtain a plurality of contact sheets.
(3) This contact sheet was treated with copper sulfate (3.2 × 10-2mo
l / l), nickel sulfate (2.4 × 10-3mol /
l), citric acid (5.2 × 10-2mol / l), hypothesis
Sodium phosphate (2.7 × 10-1mol / l), e
Uric acid (5.0 × 10 -1mol / l), surfactant (day
Shin Shin Kogyo Co., Ltd., Surfynol 465) (1.0 g /
Nothing in the electroless plating bath of pH = 9 consisting of the aqueous solution of l)
Electrolytically plated to form Cu-Ni-P on the entire surface of the conductor circuit.
Roughening layer made of alloy is used for the exposed front and back surfaces of copper posts.
Formed on both sides of the surface.
【００３３】（比較例）
（１）厚さ３０μｍのフッ素樹脂シ−トにマスクングフ
ィルムを貼着し、炭酸ガスレ−ザを用いて直径５０μｍ
の開口を形成した。
（２）ついで特開平１０−２８４５５６号に準じて銅め
っきを実施した。０．２ｇ／ｌの塩化パラジウム、８重
量％の硫酸、９２重量％の蒸留水からなる触媒液に
（１）のシ−トを浸漬した。
（３）前記シ−トからマスキングフィルムを除去して、
開口に銅めっきを施し、接触シ−トとした。めっき液
は、３０ｇのエチレンジアミンテトラ酢酸、６ｇの水酸
化ナトリウム、５ｇの硫酸銅、２ｇのホルムアルデヒ
ド、２ｇの界面活性剤から構成した。
以上、実施例と比較例の接触シ−トを用いて以下の試験
を実施した。(Comparative Example) (1) A masking film was attached to a fluororesin sheet having a thickness of 30 μm, and the diameter was 50 μm using a carbon dioxide gas laser.
The opening was formed. (2) Then, copper plating was carried out according to JP-A-10-284556. The sheet of (1) was immersed in a catalyst solution containing 0.2 g / l of palladium chloride, 8% by weight of sulfuric acid, and 92% by weight of distilled water. (3) Remove the masking film from the sheet,
Copper plating was applied to the openings to make contact sheets. The plating solution was composed of 30 g of ethylenediaminetetraacetic acid, 6 g of sodium hydroxide, 5 g of copper sulfate, 2 g of formaldehyde, 2 g of a surfactant. As described above, the following tests were carried out using the contact sheets of Examples and Comparative Examples.
【００３４】試験１
市販のバ−ンインカ−ド、接触シ−トおよび半導体ウエ
ハーを積層し、５ｋｇの荷重をかけて一体化し、１００
℃に加熱し、この試験を１０回実施してコンタクト率が
試験前とどの程度変化したかおよび、各ポスト間の抵抗
値の変動の変化を調べた。Test 1 A commercially available burn-in card, a contact sheet, and a semiconductor wafer were laminated and integrated under a load of 5 kg.
The test was carried out 10 times by heating to 0 ° C. to examine how much the contact rate changed from that before the test and the change in resistance value variation between the posts.
【００３５】試験２
半導体ウエハを１００℃で空気中に放置し、その後、接
触シ−トを積層してコンタクト率を測定した。これらの
結果を表１、表２に示す。Test 2 The semiconductor wafer was left in the air at 100 ° C., and then contact sheets were laminated to measure the contact rate. The results are shown in Tables 1 and 2.
【００３６】[0036]
【表１】 [Table 1]
【００３７】[0037]
【表２】 [Table 2]
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上の説明ならびに実施例における効果
の験証に明らかなように、本発明に係る接触シ−トによ
れば、バーンイン検査時に出る高温でのマイグレ−ショ
ンを確実に抑制することができると共に、多数回の使用
を高い信頼性を確保して実現することができる。また、
本発明によれば、半導体ウエハーのパッド表面にたとえ
酸化膜が形成されているような場合でも、コンタクト率
を上げることができ、検査精度が著しく向上する。EFFECTS OF THE INVENTION As is clear from the above description and the test results of the effects in the embodiments, the contact sheet according to the present invention reliably suppresses the migration at a high temperature during the burn-in inspection. In addition, it is possible to realize a large number of times of use while ensuring high reliability. Also,
According to the present invention, even if an oxide film is formed on the pad surface of a semiconductor wafer, the contact rate can be increased and the inspection accuracy is significantly improved.
【図１】本発明に係る接触シ−トの断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a contact sheet according to the present invention.
【図２】本発明の他の形態を示す接触シ−トの断面図で
ある。FIG. 2 is a sectional view of a contact sheet showing another embodiment of the present invention.
【図３】本発明のさらに他の形態を示す接触シ−トの断
面図である。FIG. 3 is a sectional view of a contact sheet showing still another embodiment of the present invention.
【図４】本発明の接触シ−トの製造方法を示す説明図で
ある。FIG. 4 is an explanatory view showing a method of manufacturing a contact sheet according to the present invention.
【図５】本発明の接触シ−トの使用状態を示す略線図で
ある。FIG. 5 is a schematic diagram showing a use state of the contact sheet of the present invention.
【図６】従来技術の接触シ−トの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional contact sheet.
１，１０，２０，３０ 接触シ−ト ２，１２，２２，３２ 絶縁性樹脂シ−ト ３，１３，２３，３３ 導電性ポスト ４，１４ 粗化層 ５ 半導体ウエハー ５ａ 導体パッド ６ バ−ンインボ−ド ６ａ 導体パッド 1,10,20,30 contact sheet 2,12,22,32 Insulating resin sheet 3,13,23,33 Conductive post 4,14 Roughened layer 5 Semiconductor wafer 5a Conductor pad 6 Burn Inboard 6a Conductor pad
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｒ 11/01 ５０１ Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｋ (72)発明者 井戸 義幸 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 2G011 AA16 AA21 AB06 AB08 AC00 AC14 AF04 2G132 AA00 AF10 AL03 AL11 4M106 AA01 BA20 CA02 CA04 CA10 CA60 DH09 DJ32 DJ40 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme Coat (reference) H01R 11/01 501 G01R 31/28 K (72) Inventor Yoshiyuki Ido 1-1 Kitakata, Ibikawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture F-term in Ibiden Co., Ltd. (reference) 2G011 AA16 AA21 AB06 AB08 AC00 AC14 AF04 2G132 AA00 AF10 AL03 AL11 4M106 AA01 BA20 CA02 CA04 CA10 CA60 DH09 DJ32 DJ40
Claims (4)
れた絶縁性樹脂シ−トからなるものであって、このシー
トの表面には、該ポストの端面が該シート面とほぼ一致
した状態で露出してなることを特徴とする半導体ウエハ
ー検査用接触シ−ト。1. A sheet comprising an insulating resin sheet in which a conductive post having substantially no pores is embedded, and the end surface of the post is substantially flush with the surface of the sheet. A contact sheet for inspecting a semiconductor wafer, which is exposed in a state.
された絶縁性樹脂シ−トからなるものであって、このシ
ートの表面には、該ポストの端面が該シート面とほぼ一
致した状態で露出してなることを特徴とする半導体ウエ
ハー検査用接触シ−ト。2. A conductive post made of a sintered metal is embedded in an insulating resin sheet, and the end face of the post is substantially flush with the surface of the sheet. A contact sheet for inspecting a semiconductor wafer, which is exposed in a state.
前記導電製ポストの少なくとも一方の表面に粗化層が形
成されていることを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体ウエハー検査用接触シ−ト。3. The semiconductor according to claim 1, wherein a roughening layer is formed on at least one surface of the conductive posts exposed on the surface of the insulating resin sheet. Contact sheet for wafer inspection.
なる層であることを特徴とする請求項３に記載の半導体
ウエハー検査用接触シ−ト。4. The contact sheet for inspecting a semiconductor wafer according to claim 3, wherein the roughened layer is a layer made of a Cu—Ni—P alloy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001342504A JP2003149269A (en) | 2001-11-07 | 2001-11-07 | Contact sheet for inspecting semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001342504A JP2003149269A (en) | 2001-11-07 | 2001-11-07 | Contact sheet for inspecting semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003149269A true JP2003149269A (en) | 2003-05-21 |
Family
ID=19156346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001342504A Pending JP2003149269A (en) | 2001-11-07 | 2001-11-07 | Contact sheet for inspecting semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003149269A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016503502A (en) * | 2012-11-20 | 2016-02-04 | フォームファクター， インコーポレイテッド | Contactor device having carbon nanotube probe embedded in flexible thin film and process for manufacturing the same |
| JPWO2022004179A1 (en) * | 2020-07-02 | 2022-01-06 | ||
| WO2024019375A1 (en) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | 주식회사 아이에스시 | Inspection connector |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63132363U (en) * | 1987-02-21 | 1988-08-30 | ||
| JP2000082512A (en) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Jsr Corp | Anisotropic conductive sheet and circuit board inspecting adapter device |
| JP2001004700A (en) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Yamaichi Electronics Co Ltd | Interposer board |
| JP2001230284A (en) * | 2000-02-14 | 2001-08-24 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober |
| JP2001230287A (en) * | 1999-11-25 | 2001-08-24 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober and testing stage used therefor |
| JP2001281300A (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Nec Corp | Device and method for inspecting semiconductor chip or package |
-
2001
- 2001-11-07 JP JP2001342504A patent/JP2003149269A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63132363U (en) * | 1987-02-21 | 1988-08-30 | ||
| JP2000082512A (en) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Jsr Corp | Anisotropic conductive sheet and circuit board inspecting adapter device |
| JP2001004700A (en) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Yamaichi Electronics Co Ltd | Interposer board |
| JP2001230287A (en) * | 1999-11-25 | 2001-08-24 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober and testing stage used therefor |
| JP2001230284A (en) * | 2000-02-14 | 2001-08-24 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober |
| JP2001281300A (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Nec Corp | Device and method for inspecting semiconductor chip or package |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016503502A (en) * | 2012-11-20 | 2016-02-04 | フォームファクター， インコーポレイテッド | Contactor device having carbon nanotube probe embedded in flexible thin film and process for manufacturing the same |
| JPWO2022004179A1 (en) * | 2020-07-02 | 2022-01-06 | ||
| JP7226654B2 (en) | 2020-07-02 | 2023-02-21 | 株式会社村田製作所 | Interposer and substrate module |
| WO2024019375A1 (en) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | 주식회사 아이에스시 | Inspection connector |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100595787B1 (en) | Sheet-form connector and production method and application therefor | |
| KR100756120B1 (en) | Anisotropic conductive connector, conductive paste composition, probe member, wafer inspection device and wafer inspection method | |
| US7638028B2 (en) | Probe tip plating | |
| EP1847834A1 (en) | Interposer, probe card and method for manufacturing interposer | |
| WO2004086062A1 (en) | Connecteur de mesure de resistances electriques, dispositif de connecteur de mesure de resistances electriques et leur procede de fabrication, dispositif de mesure de la resistance electrique de circuits substrats, et methode de mesure | |
| EP1612891B1 (en) | Anisotropic electrically conductive film and method of producing the same | |
| JP2004342597A (en) | Anisotropic conductive sheet and its manufacturing method, adapter device and its manufacturing method as well as electrical testing device of circuit device | |
| KR20070046033A (en) | Wafer inspection-use anisotropic conductive connector and production method and applications therefor | |
| JP2003149269A (en) | Contact sheet for inspecting semiconductor wafer | |
| JP2000294043A (en) | Anisotropic conductive connector | |
| US8098077B2 (en) | Contact-making apparatus | |
| JP2003059611A (en) | Anisotropic conductive sheet, and manufacturing method of the same | |
| JP3096233B2 (en) | Probe structure | |
| JP2004309467A (en) | Connector, connector device for measuring electrical resistance, manufacturing method therefor, measuring device and measuring method for electrical resistance for circuit board | |
| WO2004019668A1 (en) | Perforated substrate, method for manufacturing same and full wafer contact board | |
| JP3645202B2 (en) | Contact parts and manufacturing method thereof | |
| JP2009244096A (en) | Sheet-like probe and method for manufacturing of same | |
| JP2005142111A (en) | Anisotropic conduction sheet | |
| CN109644561B (en) | Wiring board and method for manufacturing the same | |
| JP2006063399A (en) | Solder resistant gold composition and its application | |
| JPH07321169A (en) | Probe structure | |
| JP2007256013A (en) | Method for manufacturing sheet-shaped probe | |
| US20130162280A1 (en) | Probe card and method of manufacturing the same | |
| JP3509691B2 (en) | Method of manufacturing contact probe card for electronic component inspection | |
| JP2002093866A (en) | Contact part for wafer collective contact board and method of manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040909 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060420 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061010 |