JP2003146795A - 高耐熱衝撃性シリコンウエハ - Google Patents
高耐熱衝撃性シリコンウエハInfo
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- JP2003146795A JP2003146795A JP2001344136A JP2001344136A JP2003146795A JP 2003146795 A JP2003146795 A JP 2003146795A JP 2001344136 A JP2001344136 A JP 2001344136A JP 2001344136 A JP2001344136 A JP 2001344136A JP 2003146795 A JP2003146795 A JP 2003146795A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハの熱処理工程において、熱衝
撃によるスリップや転位が発生しない高耐熱衝撃性のシ
リコンウエハを提供。 【解決手段】 シリコン単結晶中に、濃度５×１０１９
〜１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のゲルマニウム
（Ｇｅ）と、濃度１１×１０１７〜１８×１０１ ７ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）の酸素とを含有さ
せるか、または、濃度２×１０１８〜１．５×１０２０
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のＧｅと、濃度１１×１０１７〜１
８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）
の酸素と、濃度１×１０１８〜２×１０２０ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３のボロン（Ｂ）とを含有させたシリコンウエハ
である。 【効果】 ８インチ以上の大口径ウエハでも、熱処理工
程での熱衝撃によるスリップが発生せず、デバイス加工
工程の作業性に優れ、製品歩留まりが高い。
撃によるスリップや転位が発生しない高耐熱衝撃性のシ
リコンウエハを提供。 【解決手段】 シリコン単結晶中に、濃度５×１０１９
〜１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のゲルマニウム
（Ｇｅ）と、濃度１１×１０１７〜１８×１０１ ７ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）の酸素とを含有さ
せるか、または、濃度２×１０１８〜１．５×１０２０
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のＧｅと、濃度１１×１０１７〜１
８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）
の酸素と、濃度１×１０１８〜２×１０２０ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３のボロン（Ｂ）とを含有させたシリコンウエハ
である。 【効果】 ８インチ以上の大口径ウエハでも、熱処理工
程での熱衝撃によるスリップが発生せず、デバイス加工
工程の作業性に優れ、製品歩留まりが高い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体及びオプト
デバイス等の製造に使用されるシリコンウエハに関し、
より詳しくは、デバイス加工工程において、熱衝撃によ
るスリップや転位が発生しない高耐熱衝撃性シリコンウ
エハに関する。
デバイス等の製造に使用されるシリコンウエハに関し、
より詳しくは、デバイス加工工程において、熱衝撃によ
るスリップや転位が発生しない高耐熱衝撃性シリコンウ
エハに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体材料として用い
られているシリコンウエハは、主にチョクラルスキー法
（以下「ＣＺ法」と記す。）によって製造されたシリコ
ン単結晶から作製されている。
られているシリコンウエハは、主にチョクラルスキー法
（以下「ＣＺ法」と記す。）によって製造されたシリコ
ン単結晶から作製されている。
【０００３】一般に、シリコンウエハは、シリコン単結
晶中に、所望濃度のボロン、及びリン、ヒ素、アンチモ
ン等のドーパントが添加され、シリコンウエハの電気的
な性質が制御されている。
晶中に、所望濃度のボロン、及びリン、ヒ素、アンチモ
ン等のドーパントが添加され、シリコンウエハの電気的
な性質が制御されている。
【０００４】シリコンウエハは、デバイスメーカーにお
いて、種々の熱処理工程を経て、製品となる。この熱処
理工程において、熱処理炉内へのシリコンウエハの出し
入れの際に生ずるシリコンウエハ内の温度の不均一性、
熱処理炉内での昇温や降温する際の熱衝撃により、シリ
コンウエハ中に、スリップや転位が発生し、製品歩留ま
りが低下するという問題があった。特に、８インチ（直
径２００ｍｍφ）以上の大口径シリコンウエハの場合、
熱処理をする際、シリコンウエハ自重に起因して発生す
る応力により、シリコンウエハ中にスリップや転位が発
生してしまい、製品歩留まりが著しく低下し、問題とな
っていた。
いて、種々の熱処理工程を経て、製品となる。この熱処
理工程において、熱処理炉内へのシリコンウエハの出し
入れの際に生ずるシリコンウエハ内の温度の不均一性、
熱処理炉内での昇温や降温する際の熱衝撃により、シリ
コンウエハ中に、スリップや転位が発生し、製品歩留ま
りが低下するという問題があった。特に、８インチ（直
径２００ｍｍφ）以上の大口径シリコンウエハの場合、
熱処理をする際、シリコンウエハ自重に起因して発生す
る応力により、シリコンウエハ中にスリップや転位が発
生してしまい、製品歩留まりが著しく低下し、問題とな
っていた。
【０００５】この解決策として、従来、シリコンウエハ
中の格子間酸素濃度を一定に制御し、格子間酸素の働き
により、シリコンウエハの機械的強度を一定範囲に保ち
耐熱衝撃性を付与させる方法が用いられていたが、耐熱
衝撃性は、不十分であった。
中の格子間酸素濃度を一定に制御し、格子間酸素の働き
により、シリコンウエハの機械的強度を一定範囲に保ち
耐熱衝撃性を付与させる方法が用いられていたが、耐熱
衝撃性は、不十分であった。
【０００６】一方、特開昭６２−７２５９５号公報に
は、シリコン半導体基板材料およびその製作方法が開示
されており、明細書中には、シリコンの結晶を成長させ
るに先立って、シリコン溶融物に不純物として高濃度の
ゲルマニウム（以下「Ｇｅ」と記す。）を添加すること
によりシリコン基板材料の強度を高めるようにしたもの
であることが記載されており、また、シリコン原子１０
０万個につきＧｅ原子を少なくとも８０００個以上、す
なわち５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上を加えるこ
とにより、殆どの用途に用いられるシリコン基板を好適
に強化することができると記載されている。
は、シリコン半導体基板材料およびその製作方法が開示
されており、明細書中には、シリコンの結晶を成長させ
るに先立って、シリコン溶融物に不純物として高濃度の
ゲルマニウム（以下「Ｇｅ」と記す。）を添加すること
によりシリコン基板材料の強度を高めるようにしたもの
であることが記載されており、また、シリコン原子１０
０万個につきＧｅ原子を少なくとも８０００個以上、す
なわち５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上を加えるこ
とにより、殆どの用途に用いられるシリコン基板を好適
に強化することができると記載されている。
【０００７】しかしながら、本発明者らが追試したとこ
ろ、特開昭６２−７２５９５号公報に記載のＧｅ濃度で
は、機械的強度が上がることはなく、逆に、Ｇｅ濃度の
増加と共に、機械的強度は下がり、極端な場合、単結晶
の成長も不可能となることが判明した。
ろ、特開昭６２−７２５９５号公報に記載のＧｅ濃度で
は、機械的強度が上がることはなく、逆に、Ｇｅ濃度の
増加と共に、機械的強度は下がり、極端な場合、単結晶
の成長も不可能となることが判明した。
【０００８】従来、シリコンウエハ中に発生するスリッ
プや転位の防止方法としては、シリコンウエハを低温で
熱処理させたり、熱処理炉内へのシリコンウエハの出し
入れを遅くする方法、熱処理炉内の温度を下げた後、シ
リコンウエハの出し入れを行う方法、あるいは、熱処理
する際の昇温、降温速度を遅くする方法等が採用されて
いたが、これらは、デバイス加工工程の生産性を低下さ
せてしまうという問題点があった。また、８インチ以上
の大口径シリコンウエハには、適用できなかった。
プや転位の防止方法としては、シリコンウエハを低温で
熱処理させたり、熱処理炉内へのシリコンウエハの出し
入れを遅くする方法、熱処理炉内の温度を下げた後、シ
リコンウエハの出し入れを行う方法、あるいは、熱処理
する際の昇温、降温速度を遅くする方法等が採用されて
いたが、これらは、デバイス加工工程の生産性を低下さ
せてしまうという問題点があった。また、８インチ以上
の大口径シリコンウエハには、適用できなかった。
【０００９】シリコンウエハのデバイス加工工程におい
て、生産性よく、かつ製品歩留まりを低下させず、また
８インチ以上の大口径シリコンウエハにも適用し得る解
決策が望まれていた。
て、生産性よく、かつ製品歩留まりを低下させず、また
８インチ以上の大口径シリコンウエハにも適用し得る解
決策が望まれていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題を解決する、シリコンウエハのデバイス加工工程に
おける熱処理工程において、熱衝撃によるスリップや転
位が発生しない高耐熱衝撃性のシリコンウエハを提供す
ることである。
問題を解決する、シリコンウエハのデバイス加工工程に
おける熱処理工程において、熱衝撃によるスリップや転
位が発生しない高耐熱衝撃性のシリコンウエハを提供す
ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
した結果、シリコン結晶中に、特定範囲の高濃度のＧｅ
及び酸素を含有させるか、あるいは、特定範囲の高濃度
のＧｅ、酸素及びボロン（以下「Ｂ」と記す。）を含有
させることにより、高い耐熱衝撃性を有するシリコンウ
エハが得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
した結果、シリコン結晶中に、特定範囲の高濃度のＧｅ
及び酸素を含有させるか、あるいは、特定範囲の高濃度
のＧｅ、酸素及びボロン（以下「Ｂ」と記す。）を含有
させることにより、高い耐熱衝撃性を有するシリコンウ
エハが得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【００１２】すなわち、本発明の、請求項１に記載の高
耐熱衝撃性シリコンウエハは、シリコンウエハ中に、高
濃度の不純物であるＧｅと、高濃度の不純物である酸素
とが含有されてなることを特徴とするものである。
耐熱衝撃性シリコンウエハは、シリコンウエハ中に、高
濃度の不純物であるＧｅと、高濃度の不純物である酸素
とが含有されてなることを特徴とするものである。
【００１３】請求項２に記載の高耐熱衝撃性シリコンウ
エハは、請求項１に記載の発明において、Ｇｅ濃度が、
５×１０１９〜１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、かつ酸素濃度が、１０×１０１７〜１８×１０
１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）であるこ
とを特徴とするものである。
エハは、請求項１に記載の発明において、Ｇｅ濃度が、
５×１０１９〜１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、かつ酸素濃度が、１０×１０１７〜１８×１０
１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）であるこ
とを特徴とするものである。
【００１４】請求項３に記載の高耐熱衝撃性シリコンウ
エハは、シリコンウエハの耐熱衝撃性が、請求項２に記
載のＧｅ及び酸素の濃度にのみ依存し、他のドーパント
の種類及び濃度とは無関係であることを特徴とするもの
である。
エハは、シリコンウエハの耐熱衝撃性が、請求項２に記
載のＧｅ及び酸素の濃度にのみ依存し、他のドーパント
の種類及び濃度とは無関係であることを特徴とするもの
である。
【００１５】請求項４に記載の高耐熱衝撃性シリコンウ
エハは、シリコンウエハ中に、高濃度の不純物であるＧ
ｅと、高濃度の不純物である酸素と、高濃度の不純物で
あるＢとが含有されてなることを特徴とするものであ
る。
エハは、シリコンウエハ中に、高濃度の不純物であるＧ
ｅと、高濃度の不純物である酸素と、高濃度の不純物で
あるＢとが含有されてなることを特徴とするものであ
る。
【００１６】請求項５に記載の高耐熱衝撃性シリコンウ
エハは、請求項４に記載の発明において、Ｇｅ濃度が、
２×１０１８〜１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、かつ酸素濃度が、１１×１０１７〜１８×１０
１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）であり、
かつＢ濃度が、１×１０１８〜２×１０２０ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３であることを特徴とするものである。
エハは、請求項４に記載の発明において、Ｇｅ濃度が、
２×１０１８〜１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、かつ酸素濃度が、１１×１０１７〜１８×１０
１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）であり、
かつＢ濃度が、１×１０１８〜２×１０２０ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３であることを特徴とするものである。
【００１７】請求項６に記載の高耐熱衝撃性シリコンウ
エハは、シリコンウエハの耐熱衝撃性が、請求項５に記
載のＧｅ、酸素及びＢの濃度にのみ依存し、他のドーパ
ントの種類及び濃度とは無関係であることを特徴とする
ものである。
エハは、シリコンウエハの耐熱衝撃性が、請求項５に記
載のＧｅ、酸素及びＢの濃度にのみ依存し、他のドーパ
ントの種類及び濃度とは無関係であることを特徴とする
ものである。
【００１８】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１９】本発明の第１の態様の高耐熱衝撃性シリコ
ンウエハは、シリコンウエハ中に、高濃度の不純物であ
るＧｅと、高濃度の不純物である酸素とを含有させてな
るものである。
ンウエハは、シリコンウエハ中に、高濃度の不純物であ
るＧｅと、高濃度の不純物である酸素とを含有させてな
るものである。
【００２０】シリコンウエハ中の高濃度の不純物である
Ｇｅと、高濃度の不純物である酸素とが形成するＧｅ−
酸素コンプレックスが、シリコン単結晶内で発生したス
リップや転位を、ミクロ範囲で効果的に固着させ、熱衝
撃によるスリップや転位を、マクロ範囲で十分抑制し、
高耐熱衝撃性を有するシリコンウエハが実現できる。
Ｇｅと、高濃度の不純物である酸素とが形成するＧｅ−
酸素コンプレックスが、シリコン単結晶内で発生したス
リップや転位を、ミクロ範囲で効果的に固着させ、熱衝
撃によるスリップや転位を、マクロ範囲で十分抑制し、
高耐熱衝撃性を有するシリコンウエハが実現できる。
【００２１】シリコン結晶中に添加されるＧｅは、元素
周期律表第ＩＶ族のシリコンと同じであり、室温でのバ
ンドギャップ（Ｅｇ）は、Ｇｅが０．６６ｅＶ、シリコ
ンが１．１２ｅＶと若干異なるが、シリコン結晶中に添
加させても、シリコン単結晶の抵抗率、導電性等の電気
的特性は変らず、かつシリコン単結晶と添加したＧｅと
が混晶を形成するため、Ｇｅの濃度を連続的に調整する
ことが可能である。
周期律表第ＩＶ族のシリコンと同じであり、室温でのバ
ンドギャップ（Ｅｇ）は、Ｇｅが０．６６ｅＶ、シリコ
ンが１．１２ｅＶと若干異なるが、シリコン結晶中に添
加させても、シリコン単結晶の抵抗率、導電性等の電気
的特性は変らず、かつシリコン単結晶と添加したＧｅと
が混晶を形成するため、Ｇｅの濃度を連続的に調整する
ことが可能である。
【００２２】また、シリコン単結晶中の酸素は、従来の
シリコンウエハ中にも含有されており、一定濃度に制御
すれば、特に支障はない。
シリコンウエハ中にも含有されており、一定濃度に制御
すれば、特に支障はない。
【００２３】第１の態様において、シリコンウエハ中の
Ｇｅ濃度は、５×１０１９〜１．５×１０２０ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３であり、また、酸素濃度は、１１×１０１７
〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴ
Ｍ）である。
Ｇｅ濃度は、５×１０１９〜１．５×１０２０ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３であり、また、酸素濃度は、１１×１０１７
〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴ
Ｍ）である。
【００２４】シリコンウエハ中のＧｅ濃度が、５×１０
１９〜１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、かつ酸素
濃度が、１１×１０１７〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／
ｃｍ ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）の範囲内では、シリコンウ
エハ中のＧｅ及び酸素が形成するＧｅ−酸素コンプレッ
クスにより、シリコンウエハ内のスリップや転位の発生
が効果的に抑制され、高耐熱衝撃性を有する。Ｇｅ及び
酸素の濃度が、上記範囲内では、熱衝撃によるスリップ
や転位の抑制効果は、Ｇｅ及び酸素の濃度が高ければ高
いほど大きくなる。
１９〜１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、かつ酸素
濃度が、１１×１０１７〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／
ｃｍ ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）の範囲内では、シリコンウ
エハ中のＧｅ及び酸素が形成するＧｅ−酸素コンプレッ
クスにより、シリコンウエハ内のスリップや転位の発生
が効果的に抑制され、高耐熱衝撃性を有する。Ｇｅ及び
酸素の濃度が、上記範囲内では、熱衝撃によるスリップ
や転位の抑制効果は、Ｇｅ及び酸素の濃度が高ければ高
いほど大きくなる。
【００２５】しかしながら、Ｇｅ濃度が、１．５×１０
２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３超になると、シリコン単結晶中
に格子の歪みが発生し、熱衝撃によるスリップや転位の
抑制効果が急激に低下してしまうため、単結晶成長時
に、他に転位の原因はなくとも、スリップが入ってしま
い、無転位のシリコン単結晶を作製することができな
い。
２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３超になると、シリコン単結晶中
に格子の歪みが発生し、熱衝撃によるスリップや転位の
抑制効果が急激に低下してしまうため、単結晶成長時
に、他に転位の原因はなくとも、スリップが入ってしま
い、無転位のシリコン単結晶を作製することができな
い。
【００２６】さらに、Ｇｅ濃度を増加させて、約１×１
０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３になると、シリコン単結晶成
長の際に、組成過冷却現象が起こり、成長中の単結晶が
多結晶に変化してしまい、シリコン単結晶を得ることが
できない。
０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３になると、シリコン単結晶成
長の際に、組成過冷却現象が起こり、成長中の単結晶が
多結晶に変化してしまい、シリコン単結晶を得ることが
できない。
【００２７】Ｇｅ濃度が、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３未満、または酸素濃度が、１１×１０１７ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）未満の場合には、シリ
コンウエハ中のＧｅ及び酸素が形成するＧｅ−酸素コン
プレックスが過小となり、転位固着効果が不十分で、熱
衝撃によるスリップや転位の抑制効果が不十分となり、
不都合である。
ｍ３未満、または酸素濃度が、１１×１０１７ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）未満の場合には、シリ
コンウエハ中のＧｅ及び酸素が形成するＧｅ−酸素コン
プレックスが過小となり、転位固着効果が不十分で、熱
衝撃によるスリップや転位の抑制効果が不十分となり、
不都合である。
【００２８】また、酸素濃度が、１８×１０１７ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）超になると、シリコ
ンウエハ内の欠陥として、大量の酸素析出物が発生し、
不都合である。
ｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）超になると、シリコ
ンウエハ内の欠陥として、大量の酸素析出物が発生し、
不都合である。
【００２９】Ｇｅ及び酸素を、上記濃度範囲内で含有す
るシリコンウエハは、他のドーパントとして、低濃度の
Ｂ、リン、ヒ素、アンチモン等が存在していても、Ｇｅ
−酸素コンプレックスによる転位固着効果には、なんら
影響することがない。
るシリコンウエハは、他のドーパントとして、低濃度の
Ｂ、リン、ヒ素、アンチモン等が存在していても、Ｇｅ
−酸素コンプレックスによる転位固着効果には、なんら
影響することがない。
【００３０】本発明の第２の態様の高耐熱衝撃性シリコ
ンウエハは、シリコンウエハ中に、高濃度の不純物であ
るＧｅと、高濃度の不純物である酸素と、高濃度の不純
物であるＢとを含有させてなるものである。
ンウエハは、シリコンウエハ中に、高濃度の不純物であ
るＧｅと、高濃度の不純物である酸素と、高濃度の不純
物であるＢとを含有させてなるものである。
【００３１】第２の態様において、シリコンウエハ中の
Ｇｅ濃度は、２×１０１８〜１．５×１０２０ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３であり、かつ酸素濃度は、１１×１０１７〜
１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴ
Ｍ）であり、かつＢ濃度は、１×１０１８〜２×１０
２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。
Ｇｅ濃度は、２×１０１８〜１．５×１０２０ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３であり、かつ酸素濃度は、１１×１０１７〜
１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴ
Ｍ）であり、かつＢ濃度は、１×１０１８〜２×１０
２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。
【００３２】第２の態様では、第１の態様におけるＧｅ
濃度の下限値５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の場
合でも、すなわちＧｅ濃度が２×１０１８ａｔｏｍｓ／
ｃｍ ３以上であれば、第１の態様と同様の転位固着効果
を得ることができる。
濃度の下限値５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の場
合でも、すなわちＧｅ濃度が２×１０１８ａｔｏｍｓ／
ｃｍ ３以上であれば、第１の態様と同様の転位固着効果
を得ることができる。
【００３３】高濃度の不純物であるＢを併せて添加させ
る第２の態様では、シリコンウエハ中のＧｅ、酸素及び
Ｂが形成するＧｅ−酸素−Ｂコンプレックスは、第１の
態様におけるＧｅ−酸素コンプレックスよりも、より一
層安定であり、シリコン単結晶内で発生したスリップや
転位を、ミクロ範囲で、より一層効果的に固着させ、熱
衝撃によるスリップや転位を、マクロ範囲で十分抑制
し、高耐熱衝撃性を有するシリコンウエハが実現でき
る。
る第２の態様では、シリコンウエハ中のＧｅ、酸素及び
Ｂが形成するＧｅ−酸素−Ｂコンプレックスは、第１の
態様におけるＧｅ−酸素コンプレックスよりも、より一
層安定であり、シリコン単結晶内で発生したスリップや
転位を、ミクロ範囲で、より一層効果的に固着させ、熱
衝撃によるスリップや転位を、マクロ範囲で十分抑制
し、高耐熱衝撃性を有するシリコンウエハが実現でき
る。
【００３４】第２の態様では、第１の態様のＧｅ濃度よ
り、１桁以上少ないＧｅ濃度でも、第１の態様と同等の
転位固着効果が得られる。
り、１桁以上少ないＧｅ濃度でも、第１の態様と同等の
転位固着効果が得られる。
【００３５】Ｇｅ濃度が、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３未満、酸素濃度が、１１×１０ １７ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）未満、またはＢ濃度が、１×
１０ １８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のいずれかの場合は、
シリコンウエハ中のＧｅ、酸素及びＢが形成するＧｅ−
酸素−Ｂコンプレックスが過小となり、転位固着効果が
不十分で、熱衝撃によるスリップや転位の抑制効果が不
十分となり、不都合である。
ｍ３未満、酸素濃度が、１１×１０ １７ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）未満、またはＢ濃度が、１×
１０ １８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のいずれかの場合は、
シリコンウエハ中のＧｅ、酸素及びＢが形成するＧｅ−
酸素−Ｂコンプレックスが過小となり、転位固着効果が
不十分で、熱衝撃によるスリップや転位の抑制効果が不
十分となり、不都合である。
【００３６】Ｂ濃度が、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３超の場合、シリコン単結晶成長の際、組成過冷却現象
による多結晶化の恐れがあり、結晶の成長速度を非常に
遅くしなくてはならず、生産性が著しく低下し、不都合
である。
３超の場合、シリコン単結晶成長の際、組成過冷却現象
による多結晶化の恐れがあり、結晶の成長速度を非常に
遅くしなくてはならず、生産性が著しく低下し、不都合
である。
【００３７】Ｇｅ、酸素及びＢを、上記範囲内で含有す
るシリコンウエハは、他のドーパントとして、低濃度の
リン、ヒ素、アンチモン等が存在していても、Ｇｅ−酸
素−Ｂコンプレックスによる転位固着効果には、なんら
影響することがない。
るシリコンウエハは、他のドーパントとして、低濃度の
リン、ヒ素、アンチモン等が存在していても、Ｇｅ−酸
素−Ｂコンプレックスによる転位固着効果には、なんら
影響することがない。
【００３８】本発明の高耐熱衝撃性シリコンウエハの製
造方法は、まず、シリコン結晶に対して、所定量のＧｅ
と酸素を、あるいは所定量のＧｅ、酸素及びＢを、さら
に必要に応じて、他のドーパントを添加させて、ＣＺ法
等の通常の単結晶育成方法を用いて、シリコン単結晶を
育成する。ついで、育成したシリコン単結晶を、通常用
いられている加工方法を用いて、加工し、本発明のシリ
コンウエハを作製する。
造方法は、まず、シリコン結晶に対して、所定量のＧｅ
と酸素を、あるいは所定量のＧｅ、酸素及びＢを、さら
に必要に応じて、他のドーパントを添加させて、ＣＺ法
等の通常の単結晶育成方法を用いて、シリコン単結晶を
育成する。ついで、育成したシリコン単結晶を、通常用
いられている加工方法を用いて、加工し、本発明のシリ
コンウエハを作製する。
【００３９】本発明の高耐熱衝撃性シリコンウエハは、
デバイス加工工程における熱衝撃によるシリコンウエハ
内のスリップや転位の発生が、効果的に抑制され、熱衝
撃によるスリップや転位が発生せず、優れた耐熱衝撃性
を有する。
デバイス加工工程における熱衝撃によるシリコンウエハ
内のスリップや転位の発生が、効果的に抑制され、熱衝
撃によるスリップや転位が発生せず、優れた耐熱衝撃性
を有する。
【００４０】本発明の高耐熱衝撃性シリコンウエハは、
デバイス加工工程での苛酷な熱処理条件においても、熱
衝撃やシリコンウエハの自重等によるスリップや転位
が、効果的に抑制され、熱衝撃によるスリップや転位が
発生しないので、作業性、生産性に優れ、製品歩留まり
も低下しない。
デバイス加工工程での苛酷な熱処理条件においても、熱
衝撃やシリコンウエハの自重等によるスリップや転位
が、効果的に抑制され、熱衝撃によるスリップや転位が
発生しないので、作業性、生産性に優れ、製品歩留まり
も低下しない。
【００４１】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を、実施例に基
き、以下に説明する。なお、本発明は、実施例によりな
んら限定されない。
き、以下に説明する。なお、本発明は、実施例によりな
んら限定されない。
【００４２】実施例１
シリコン結晶に、濃度０（ブランク）、１×１０１９〜
１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のＧｅと、濃度１１×
１０１７〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ
ＡＳＴＭ）の酸素とを、表１に示すように、各々組み
合わせて添加させ、ＣＺ法により、６インチ（直径１５
０ｍｍφ）シリコン単結晶を育成させた後、周知の加工
方法により、６インチ（１００）鏡面供試ウエハを作製
した。
１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のＧｅと、濃度１１×
１０１７〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ
ＡＳＴＭ）の酸素とを、表１に示すように、各々組み
合わせて添加させ、ＣＺ法により、６インチ（直径１５
０ｍｍφ）シリコン単結晶を育成させた後、周知の加工
方法により、６インチ（１００）鏡面供試ウエハを作製
した。
【００４３】また、Ｇｅ及び酸素以外に、他のドーパン
トとして、Ｂを約１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、または
リンを約１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３併せて添加し、以
下同様にして、供試ウエハを作製した。
トとして、Ｂを約１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、または
リンを約１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３併せて添加し、以
下同様にして、供試ウエハを作製した。
【００４４】作製した供試ウエハを、熱処理炉内で、温
度８００または１１００℃で、２時間、熱処理した後、
熱処理炉から、表１に示した３種類の取出速度（冷却速
度換算）で、供試ウエハを取り出した。
度８００または１１００℃で、２時間、熱処理した後、
熱処理炉から、表１に示した３種類の取出速度（冷却速
度換算）で、供試ウエハを取り出した。
【００４５】取り出した供試ウエハのスリップ発生の有
無を、ライトエッチングにより検査し、ウエハの耐熱衝
撃性試験を行った。結果を表１に示す。表中、熱処理炉
内からの取出速度は、供試ウエハの冷却速度（℃／分）
に換算し、また、「スリップあり」を「×」、「スリッ
プなし」を「○」、「単結晶育成不可」を「−」で表し
た。
無を、ライトエッチングにより検査し、ウエハの耐熱衝
撃性試験を行った。結果を表１に示す。表中、熱処理炉
内からの取出速度は、供試ウエハの冷却速度（℃／分）
に換算し、また、「スリップあり」を「×」、「スリッ
プなし」を「○」、「単結晶育成不可」を「−」で表し
た。
【００４６】実施例２
シリコン結晶に、濃度１×１０２０、２×１０２０ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３のＧｅと、濃度１×１０１５ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）の酸素とを添加させ、浮
融体法（以下「ＦＺ法」と記す。）により、５インチ
（直径１２５ｍｍφ）シリコン単結晶を育成した後、周
知の加工方法により、５インチ（１００）鏡面供試ウエ
ハを作製した。
ｏｍｓ／ｃｍ３のＧｅと、濃度１×１０１５ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）の酸素とを添加させ、浮
融体法（以下「ＦＺ法」と記す。）により、５インチ
（直径１２５ｍｍφ）シリコン単結晶を育成した後、周
知の加工方法により、５インチ（１００）鏡面供試ウエ
ハを作製した。
【００４７】作製した供試ウエハについて、実施例１と
同様にして、ウエハの耐熱衝撃性試験を行った。試験結
果を表１に示す。
同様にして、ウエハの耐熱衝撃性試験を行った。試験結
果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】表１は、Ｇｅ及び酸素の濃度を種々に変化
させて、ＣＺ法またはＦＺ法により作製した供試ウエハ
を、熱処理炉内温度×取出速度（冷却速度換算）を、１
１００℃×４００℃／分、１１００℃×２００℃／分、
８００℃×５０℃／分として行った耐熱衝撃性試験結果
である。
させて、ＣＺ法またはＦＺ法により作製した供試ウエハ
を、熱処理炉内温度×取出速度（冷却速度換算）を、１
１００℃×４００℃／分、１１００℃×２００℃／分、
８００℃×５０℃／分として行った耐熱衝撃性試験結果
である。
【００５０】実施例１において、Ｇｅ濃度が、１×１０
２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の場合には、結晶育成中に多結
晶となってしまい、シリコン単結晶を得ることができな
かった。熱処理炉内温度８００℃×取出速度（冷却速度
換算）５０℃／分の耐熱衝撃性試験では、大量のスリッ
プが観察された。
２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の場合には、結晶育成中に多結
晶となってしまい、シリコン単結晶を得ることができな
かった。熱処理炉内温度８００℃×取出速度（冷却速度
換算）５０℃／分の耐熱衝撃性試験では、大量のスリッ
プが観察された。
【００５１】Ｇｅ濃度が、１．５×１０２０ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３超となる、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の
場合には、全ての耐熱衝撃性試験において、供試ウエハ
にスリップの発生がみられた。
／ｃｍ３超となる、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の
場合には、全ての耐熱衝撃性試験において、供試ウエハ
にスリップの発生がみられた。
【００５２】Ｇｅ濃度が、５×１０１９〜１．５×１０
２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、かつ酸素濃度が、１１×１０
１７〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ Ａ
ＳＴＭ）の場合には、全ての耐熱衝撃性試験において、
供試ウエハにはスリップの発生がみられず、優れた耐熱
衝撃性を有していることが確認された。
２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、かつ酸素濃度が、１１×１０
１７〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ Ａ
ＳＴＭ）の場合には、全ての耐熱衝撃性試験において、
供試ウエハにはスリップの発生がみられず、優れた耐熱
衝撃性を有していることが確認された。
【００５３】また、Ｇｅ濃度が、５×１０１９ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３未満、または酸素濃度が、１１×１０１７ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）未満のいずれか
の場合では、熱処理炉内温度８００℃×取出速度（冷却
速度換算）５０℃／分で、非常にゆっくり取り出した時
には、供試ウエハにはスリップの発生はみられなかっ
た。しかしながら、１１００℃×２００℃／分、及び１
１００℃×４００℃／分の時には、供試ウエハにはスリ
ップの発生がみられた。
ｓ／ｃｍ３未満、または酸素濃度が、１１×１０１７ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）未満のいずれか
の場合では、熱処理炉内温度８００℃×取出速度（冷却
速度換算）５０℃／分で、非常にゆっくり取り出した時
には、供試ウエハにはスリップの発生はみられなかっ
た。しかしながら、１１００℃×２００℃／分、及び１
１００℃×４００℃／分の時には、供試ウエハにはスリ
ップの発生がみられた。
【００５４】なお、他のドーパントして、低濃度のＢ及
びリンを併せて添加した供試ウエハにおいても、上記他
のドーパントが無添加の場合と同様の結果であった。
びリンを併せて添加した供試ウエハにおいても、上記他
のドーパントが無添加の場合と同様の結果であった。
【００５５】実施例２で作製したＦＺ法による供試ウエ
ハについての耐熱衝撃性試験でも、実施例１のＣＺ法に
よる供試ウエハと同様の結果であった。
ハについての耐熱衝撃性試験でも、実施例１のＣＺ法に
よる供試ウエハと同様の結果であった。
【００５６】実施例３
実施例１において、濃度１×１０１８〜１．５×１０
２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のＧｅと、濃度１×１０１５〜
１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴ
Ｍ）の酸素と、濃度１×１０１７〜２×１０２０ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３のＢとを、表２に示すように、各々組み合
わせて添加した以外は、実施例１と同様にして、ＣＺ法
による供試ウエハを作製した。
２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のＧｅと、濃度１×１０１５〜
１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴ
Ｍ）の酸素と、濃度１×１０１７〜２×１０２０ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３のＢとを、表２に示すように、各々組み合
わせて添加した以外は、実施例１と同様にして、ＣＺ法
による供試ウエハを作製した。
【００５７】また、Ｇｅ、酸素及びＢ以外に、他のドー
パントとして、リンを約１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３併
せて添加し、以下、実施例１と同様にして、ＣＺ法によ
る供試ウエハを作製した。
パントとして、リンを約１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３併
せて添加し、以下、実施例１と同様にして、ＣＺ法によ
る供試ウエハを作製した。
【００５８】作製した供試ウエハについて、実施例１と
同様にして、耐熱衝性撃試験を行った。試験結果を表２
に示す。
同様にして、耐熱衝性撃試験を行った。試験結果を表２
に示す。
【００５９】
【表２】
【００６０】表２で示すように、Ｇｅ濃度が、２×１０
１８〜１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、かつ酸素
濃度が、１１×１０１７〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／
ｃｍ ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）、かつＢ濃度が、１×１０
１８〜２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の場合には、全
ての耐熱衝撃性試験において、供試ウエハにはスリップ
の発生がみられず、優れた耐熱衝撃性を有していること
が確認された。
１８〜１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、かつ酸素
濃度が、１１×１０１７〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／
ｃｍ ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）、かつＢ濃度が、１×１０
１８〜２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の場合には、全
ての耐熱衝撃性試験において、供試ウエハにはスリップ
の発生がみられず、優れた耐熱衝撃性を有していること
が確認された。
【００６１】また、Ｇｅ濃度が、２×１０１８ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３未満、酸素濃度が、１１×１０１７ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）未満、またはＢ濃度
が、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のいずれかの
場合、熱処理炉内温度８００℃×取出速度（冷却速度換
算）５０℃／分で、非常にゆっくり取り出した時には、
供試ウエハにはスリップの発生はみられなかった。しか
しながら、１１００℃×２００℃／分、及び１１００℃
×４００℃／分の時には、供試ウエハにはスリップの発
生がみられた。
ｓ／ｃｍ３未満、酸素濃度が、１１×１０１７ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）未満、またはＢ濃度
が、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のいずれかの
場合、熱処理炉内温度８００℃×取出速度（冷却速度換
算）５０℃／分で、非常にゆっくり取り出した時には、
供試ウエハにはスリップの発生はみられなかった。しか
しながら、１１００℃×２００℃／分、及び１１００℃
×４００℃／分の時には、供試ウエハにはスリップの発
生がみられた。
【００６２】なお、他のドーパントとして、低濃度のリ
ンを併せて添加した供試ウエハにおいても、上記他のド
ーパントが無添加の場合と同様の結果であった。
ンを併せて添加した供試ウエハにおいても、上記他のド
ーパントが無添加の場合と同様の結果であった。
【００６３】図１は、実施例１〜３の結果より、シリコ
ンウエハ中の酸素の濃度が１１×１０１７〜１８×１０
１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）の範囲内
で、Ｇｅ及びＢの濃度を種々変化させた時に、供試ウエ
ハにスリップが発生しなかった領域を示す図である。
ンウエハ中の酸素の濃度が１１×１０１７〜１８×１０
１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）の範囲内
で、Ｇｅ及びＢの濃度を種々変化させた時に、供試ウエ
ハにスリップが発生しなかった領域を示す図である。
【００６４】図１中、斜線の領域は、供試ウエハ内にス
リップが発生しない高耐熱衝撃性を有するシリコンウエ
ハの範囲を示している。
リップが発生しない高耐熱衝撃性を有するシリコンウエ
ハの範囲を示している。
【００６５】なお、上記実施例１〜３の結果は、５イン
チまたは６インチウエハのみならず、８インチ以上の大
口径ウエハでも同様の結果であった。
チまたは６インチウエハのみならず、８インチ以上の大
口径ウエハでも同様の結果であった。
【００６６】
【発明の効果】本発明の高耐熱衝撃性シリコンウエハ
は、耐熱衝撃性が高く、デバイス加工工程における苛酷
な熱処理条件でも、シリコンウエハ内にスリップや転位
が発生せず、製品歩留まりが向上する。
は、耐熱衝撃性が高く、デバイス加工工程における苛酷
な熱処理条件でも、シリコンウエハ内にスリップや転位
が発生せず、製品歩留まりが向上する。
【００６７】また、本発明の高耐熱衝撃性シリコンウエ
ハは、耐熱衝撃性が高いため、デバイス加工工程中の熱
処理工程において、熱処理炉内へのウエハの出し入れ、
熱処理炉内の昇温、降温等が非常に容易に行うことがで
き、作業性、生産性を向上させることができる。
ハは、耐熱衝撃性が高いため、デバイス加工工程中の熱
処理工程において、熱処理炉内へのウエハの出し入れ、
熱処理炉内の昇温、降温等が非常に容易に行うことがで
き、作業性、生産性を向上させることができる。
【００６８】また、本発明の高耐熱衝撃性シリコンウエ
ハは、８インチ以上の大口径ウエハで、従来、デバイス
加工工程の熱処理の際に生じたウエハの自重による、シ
リコンウエハ内のスリップや転位を、効率的に抑制で
き、熱衝撃によるスリップや転位が発生しないので、作
業性、生産性が向上すると共に、製品歩留まりを向上さ
せることができる。
ハは、８インチ以上の大口径ウエハで、従来、デバイス
加工工程の熱処理の際に生じたウエハの自重による、シ
リコンウエハ内のスリップや転位を、効率的に抑制で
き、熱衝撃によるスリップや転位が発生しないので、作
業性、生産性が向上すると共に、製品歩留まりを向上さ
せることができる。
【図１】 シリコンウエハ中の酸素の濃度が１１×１０
１７〜１８×１０１ ７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ Ａ
ＳＴＭ）の範囲内で、Ｇｅ及びＢの濃度を種々変化させ
た時に、供試ウエハにスリップが発生しなかった領域を
示す図である。
１７〜１８×１０１ ７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＯＬＤ Ａ
ＳＴＭ）の範囲内で、Ｇｅ及びＢの濃度を種々変化させ
た時に、供試ウエハにスリップが発生しなかった領域を
示す図である。
Claims (6)
- 【請求項１】 シリコンウエハ中に、高濃度の不純物で
あるゲルマニウムと、高濃度の不純物である酸素とが含
有されてなることを特徴とする高耐熱衝撃性シリコンウ
エハ。 - 【請求項２】 ゲルマニウム濃度が、５×１０１９〜
１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、かつ酸素
濃度が、１１×１０１7〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）であることを特徴とする請
求項１に記載の高耐熱衝撃性シリコンウエハ。 - 【請求項３】 シリコンウエハの耐熱衝撃性が、請求項
２に記載のゲルマニウム及び酸素の濃度にのみ依存し、
他のドーパントの種類及び濃度とは無関係であることを
特徴とする高耐熱衝撃性シリコンウエハ。 - 【請求項４】 シリコンウエハ中に、高濃度の不純物で
あるゲルマニウムと、高濃度の不純物である酸素と、高
濃度の不純物であるボロンとが含有されてなることを特
徴とする高耐熱衝撃性シリコンウエハ。 - 【請求項５】 ゲルマニウム濃度が、２×１０１８〜
１．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、かつ酸素
濃度が、１１×１０１7〜１８×１０１７ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３（ＯＬＤ ＡＳＴＭ）であり、かつボロン濃度
が、１×１０１８〜２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あることを特徴とする請求項４に記載の高耐熱衝撃性シ
リコンウエハ。 - 【請求項６】 シリコンウエハの耐熱衝撃性が、請求項
５に記載のゲルマニウム、酸素及びボロンの濃度にのみ
依存し、他のドーパントの種類及び濃度とは無関係であ
ることを特徴とする高耐熱衝撃性シリコンウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001344136A JP2003146795A (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 高耐熱衝撃性シリコンウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001344136A JP2003146795A (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 高耐熱衝撃性シリコンウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003146795A true JP2003146795A (ja) | 2003-05-21 |
Family
ID=19157702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001344136A Pending JP2003146795A (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 高耐熱衝撃性シリコンウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003146795A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7202146B2 (en) | 2004-08-12 | 2007-04-10 | Siltronic Ag | Process for producing doped semiconductor wafers from silicon, and the wafers produced thereby |
| JP2011524849A (ja) * | 2008-06-16 | 2011-09-08 | カリソーラー インコーポレイテッド | 太陽電池製造用のゲルマニウム濃縮シリコン材料 |
| JP2012066943A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Silicon Technology Co Ltd | 窒化物半導体形成用基板及び窒化物半導体 |
| JP2012201551A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Tohoku Univ | シリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法 |
| DE102009023983B4 (de) * | 2008-06-05 | 2015-05-21 | Sumco Corp. | Siliciumepitaxialwafer und das Herstellungsverfahren dafür |
-
2001
- 2001-11-09 JP JP2001344136A patent/JP2003146795A/ja active Pending
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| JP2012066943A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Silicon Technology Co Ltd | 窒化物半導体形成用基板及び窒化物半導体 |
| JP2012201551A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Tohoku Univ | シリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法 |
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