JP2003146760A - 窒化アルミニウム焼結体とその製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体とその製造方法

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JP2003146760A
JP2003146760A JP2001349712A JP2001349712A JP2003146760A JP 2003146760 A JP2003146760 A JP 2003146760A JP 2001349712 A JP2001349712 A JP 2001349712A JP 2001349712 A JP2001349712 A JP 2001349712A JP 2003146760 A JP2003146760 A JP 2003146760A
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nitride sintered
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aluminum
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Naoyuki Umetsu
直幸 梅津
Tatsuo Ezaki
龍夫 江崎
Shinji Oda
晋司 小田
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Tokuyama Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】機械的強度および耐熱衝撃性に優れ、さらにハ
ロゲン系ガスへの耐食性を有し、温度依存性の小さい体
積抵抗率を有する窒化アルミニウム焼結体を提供する。 【構成】窒化アルミニウム焼結体マトリックス中にAl
Nおよび/又はAlの結晶が分散し、
さらにマグネシウムが0.1〜2重量%存在する窒化ア
ルミニウム焼結体並びに、窒化アルミニウム粉末にマグ
ネシウム成分とAlNおよび/又はAl
成分を混合し、1750〜1950℃で15時間以上
焼成することにより上記窒化アルミニウム焼結体を製造
する方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、室温(25℃)か
ら高温、例えば800℃に至る広い温度範囲で温度依存
性の小さい体積抵抗率を有する窒化アルミニウム焼結体
に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、エッチング、成膜、メタライズ等
の工程において、半導体ウエハを吸着、保持するため静
電チャック等が使用されている。これらの工程はハロゲ
ン系腐食ガスが使われており、高温での使用も行われる
ため、耐食性、耐熱性に優れた材料が必要とされる。一
方、窒化アルミニウムは高熱伝導率で、機械的強度およ
び耐熱衝撃性にも優れ、さらにハロゲン系ガスへの耐食
性に優れていることから、静電チャック等の半導体製造
用部品として適していると考えられる。
【0003】窒化アルミニウム焼結体を上記の静電チャ
ックに用いた場合、体積抵抗率が1×1014〜1×1
Ω・cmの範囲で大きな吸着力が得られる。
【0004】しかし、窒化アルミニウム焼結体の体積抵
抗率は温度依存性が高く、例えば室温で1015Ω・c
m以上と高く、温度上昇に伴い体積抵抗率は低下し、8
00℃では106Ω・cm以下となるため、広い温度範
囲で安定的に高い吸着力を得ることが出来ず、使用温度
が150〜500℃程度の中間温度域に制限されてい
た。そのため、室温から高温域で安定的に高い吸着力を
得ることが出来る窒化アルミニウム焼結体が必要とされ
ていた。
【0005】そこで、窒化アルミニウム焼結体の体積抵
抗率の温度依存性を低減させる試みとして、例えば、特
開平11−100270号公報では希土類元素化合物の
配合量を調整し、焼結時の圧力を大きくすることによっ
て、窒化アルミニウム粒子中の残留酸素量を制御し10
0〜500℃における体積抵抗率が1×1014〜1×
10Ω・cmとなる焼結体が提案されている。
【0006】また、特開2000−143349号公報
では窒化アルミニウムにTiNおよびCeAlOを存
在させることにより、0〜50℃における体積抵抗率が
1×10〜1×1012Ω・cmである焼結体が提案
されている。
【0007】しかしながら、近年半導体設計ルールの一
層の微細化や生産性向上の要請で、半導体ウエハの処理
温度は益々高くなる傾向にあり、これに伴って一層高温
下での体積抵抗率の高い静電チャックの基体が望まれる
に至り、理想的には、室温から800℃を越える領域で
も、例えば、1×1014〜1×10Ω・cmの体積
抵抗率を有する静電チャックの基体が望まれるに至って
いる。
【0008】しかるに、前記特開平11−100270
号公報に記載されている焼結体では、室温では体積抵抗
率が1014Ω・cmを越えて高くなり、800℃近辺
では10Ω・cm程度まで体積抵抗率が低下する。さ
らに、ホットプレスなどの加圧焼結が必要条件のため、
常圧焼結に比べ装置が大掛かりになることや、成形体の
炉への仕込み量が低下するなど焼成コストがかかるなど
問題があった。
【0009】また、特開2000−143349号公報
に記載されているTiNおよびCeAlOを含有する
焼結体は、静電チャックの基体として室温から精々20
0℃の温度域でしか安定した吸着力が得られず、高温域
での使用が出来ないといった問題があった。さらに、T
iNは遷移金属のため、半導体製造プロセスでは必ずし
も好適ではない。
【0010】更に、高温側での体積抵抗率の低下を改良
する方法としては特開平2000−44345号公報に
は、700℃における体積抵抗率が1×10Ω・cm
以上で、熱伝導率が80w/m・K以下の窒化アルミニ
ウム焼結体として、窒化アルミニウム多結晶にマグネシ
ウムを含有させることが提案されていた。しかし、この
方法においても体積抵抗率が1×10Ω・cm以上と
なるのは高々600℃程度までである。
【0011】そこで、本発明者らは、800℃における
体積抵抗率が1×10Ω・cm以上の窒化アルミニウ
ム焼結体を得るべく、種々検討し、窒化アルミニウム、
希土類化合物、およびMgAlよりなる焼結体が
熱伝導率75w/m・K以上で、かつ800℃における
体積抵抗率が1×10Ω・cm以上となることを見出
し、すでに特願平2001−16074号として提案し
た。この窒化アルミニウム焼結体は高温下での体積抵抗
特性は十分目的とする物性値を満足するものであるが、
室温下(25℃)では、むしろ、体積抵抗率が1×10
14Ω・cmを越えて大きくなりすぎる傾向にあり、利
用上の観点から、今一歩低温側の体積抵抗率を改良する
余地があった。
【0012】室温付近の温度域における窒化アルミニウ
ムの物性、特に静電チャックの部材として用いた場合に
大型のウエハに対応可能な吸着力を示すことが出来る性
能を有する窒化アルミニウム焼結体として、AlON相
およびホウ素を含有する窒化アルミニウム質焼結体が、
特開平11−317441号公報に提案されている。こ
の窒化アルミニウム質焼結体は、室温下でAlONが酸
素含有量で表されたとき、5重量%付近で最大の静電吸
着力を示すことが認められる。しかし、高温側では、窒
化アルミニウムの本来の性能が維持されるため、体積抵
抗率は1×10 Ω・cm以下であった。更に、該公報
においては体積抵抗率の改良については、全く記載され
ておらず、その温度依存性は予測することは出来ない。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明者らは、
高熱伝導率で、ハロゲン系腐食性ガスへの耐食性に優
れ、かつ室温から800℃以上の広い温度域で1×10
14〜1×10Ω・cmの範囲の体積抵抗率を有する
窒化アルミニウム焼結体の開発を目的として研究を行っ
た。
【0014】その結果、窒化アルミニウム焼結体中にA
Nおよび/又はAlの結晶が分散
し、かつマグネシウム成分を、特定量含有したものは、
両配合剤の相乗作用により、800℃で1×10Ω・
cm以上の体積抵抗率を示しかつ室温においても1×1
14Ω・cm以下の体積抵抗率となることを見出し
た。かかる現象は真に驚くべきことであった。
【0015】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは上
記知見に基づき更に研究を重ねた結果、高熱伝導率で、
かつ温度依存性の少ない体積抵抗率を有し、また、ハロ
ゲン系腐食性ガスへの高い耐食性も兼ね備え、更には量
産性にも優れる窒化アルミニウム焼結体が得られること
を見出し、本発明を完成するに至った。
【0016】すなわち本発明は、窒化アルミニウム焼結
体マトリックス中に、AlNおよび/又はAl
の結晶相が分散しており、かつマグネシウムを
全重量の0.1〜2重量%含有することを特徴とする窒
化アルミニウム焼結体である。
【0017】本発明の窒化アルミニウム焼結体にあって
は、窒化アルミニウムの多結晶粒子が互いに隣接し、場
合によっては、粒界に不純物や焼結助剤に由来する化合
物を挟雑した連続相を形成したマトリックスの間に、X
線回折によりAlN結晶に由来するピーク(2θ
=31.0〜32.0゜)および/又はAl
結晶に由来するピーク(2θ=70.5〜71.5゜)
を有する物質(以下これらを単にAlN結晶およ
びAl結晶という)の結晶が分散した状態で
存在していることが走査電子顕微鏡(SEM)の観察な
どで知ることが出来る。
【0018】また、本願発明の窒化アルミニウム焼結体
には、マグネシウム成分の存在が不可欠である。後述す
る図1からも明らかなとおり、マグネシウム成分は、マ
グネシウム原子として全重量の0.1〜2重量%でなけ
ればならず、窒化アルミニウム焼結体中に分散して存在
していることが、蛍光X線測定(XRF)などで確認す
ることが出来る。
【0019】本発明にあっては、窒化アルミニウムマト
リックス中にAlNの結晶および/又はAl
の結晶が分散存在していれば、その散在割合は、
特に問わないが、X線回折のピーク強度面積から求め
た、窒化アルミニウム結晶のピーク強度面積(2θ=4
9.5〜50.5゜)に対するAlN結晶のピー
ク強度面積(2θ=31.0〜32.0゜)およびAl
結晶のピーク強度面積(2θ=70.5〜7
1.5゜)の比率の和が、窒化アルミニウム1に対して
0.02〜0.60であることが特に好適である。
【0020】本発明の窒化アルミニウム焼結体の特徴の
1つは、室温から800℃の広い温度域において体積抵
抗率が1×1014〜1×10Ω・cmである。
【0021】更に、本発明の窒化アルミニウム焼結体の
別の特徴は、熱伝導率を60W/m・K以上、さらには
80W/m・K、特に90W/m・K以上の如く高熱伝
導率とすることが出来る。
【0022】上記の如き本発明の窒化アルミニウム焼結
体の製造方法は、特に限定されないが、一般に窒化アル
ミニウム粉末100重量部に対し、マグネシウム成分を
酸化マグネシウムとして1〜4.2重量部、Al
Nおよび/又はAl 成分を酸化アルミニウム
として2.5〜9重量部を含む混合物を成形し、焼結す
ることによって得られる。更に、上記マグネシウム成分
として酸化マグネシウムを、AlNおよび/又は
Al成分として酸化アルミニウムをそれぞれ
用い1750〜1950℃で15時間以上焼結するか、
或いは、マグネシウム成分およびAlNおよび/
又はAl成分としてMgAl を用い1
750〜1950℃で15時間以上焼成することによっ
て本発明の焼結体を得ることが出来る。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の特徴の一つは、窒化アルミニウムを主結晶と
し、AlNおよび/又はAlの結晶相
をその中に有し、かつマグネシウムを含有していること
により、室温から800℃の温度領域における体積抵抗
率が1×1014〜1×10Ω・cmである点にあ
る。他の特徴は60W/m・K以上の高い熱伝導率の焼
結体を得ることが出来る点にある。
【0024】本発明において、窒化アルミニウム焼結体
に含まれるAlNおよび/又はAl
結晶相が、窒化アルミニウム結晶のピーク強度面積(2
θ=49.5〜50.5゜)に対するAlN結晶
のピーク強度面積(2θ=31.0〜32.0゜)およ
びAl結晶のピーク強度面積(2θ=70.
5〜71.5゜)の比率の和が0.02〜0.60の範
囲にあることが、更には0.05〜0.30の範囲にあ
ることが好ましい。前記比率が0.60より大きい場合
には熱伝導率が小さくなる傾向を示し、場合によっては
60W/m・K以下にまで低下する。また、前記比率が
0.02より小さい場合は室温における体積抵抗率が大
きくなり、場合によっては1×1014Ω・cmを逸脱
する。図2は本発明の一実施例のX線回折ピークを示す
図である(但し、窒化アルミニウムのピークの上部はカ
ットした)。窒化アルミニウム結晶のピーク強度面積に
対するAlN結晶のピーク強度面積および/又は
Al結晶のピーク強度面積の比率は、CuK
α線によるX線回折で求めることが出来る。
【0025】また、AlNおよび/又はAl
の結晶相を有する窒化アルミニウム焼結体にマグ
ネシウムを全重量の0.1〜2重量%、好ましくは0.
5〜1重量%含有する必要がある。
【0026】すなわち、マグネシウムの含有量は特に高
温領域の体積抵抗率に大きく影響を及ぼす。図1はAl
Nおよび/又はAlを窒化アルミニウ
ムに対し、0.5〜3.0存在させたときのマグネシウ
ム存在量と窒化アルミニウム焼結体の室温、500℃お
よび800℃における体積抵抗率の関係を示す図であ
り、マグネシウムは0.5〜1重量%あたりに効果のピ
ークがあり、その後は徐々に効果は減退し大略2重量%
あたりで、800℃における体積抵抗率は1×10Ω
・cm以下にまで低下する。
【0027】従って、マグネシウムの含有量が前記範囲
を逸脱する場合は、一般に800℃における体積抵抗率
が1×10Ω・cm以上になり難くなる。
【0028】本発明の窒化アルミニウム焼結体のマトリ
ックスを形成する窒化アルミニウムの結晶粒径の平均粒
子径が0.5〜50μm、さらには1〜20μmである
ことが望ましい。平均粒子径が小さすぎると、基体材料
として所望の形状に機械加工する際などに、被加工物の
欠損が起こりやすく、製品の歩留りを低下させてしま
う。また、平均粒子径が大きすぎると基体材料としての
強度が得られ難くなる。
【0029】本発明の窒化アルミニウム焼結体の製造方
法は、本発明で規定する性質を有するものを得ることが
出来る方法であれば、特に限定されないが、以下に示す
方法により好適に本発明で規定する性質を達成すること
ができる。
【0030】本発明において、用いられる窒化アルミニ
ウム粉末は公知の酸化アルミニウム還元窒化粉、金属ア
ルミニウムの直接窒化粉等が全て支障なく使用できる
が、緻密な焼結体を得ることを勘案すると、粉末の平均
粒子径が5μm以下であることが好ましく、更に3μm
以下であることが好ましい。更には、アルミニウムおよ
びマグネシウムを除く、金属不純物は1000ppm以
下であることが好ましい。
【0031】本発明において、AlNおよび/又
はAlは、別途合成したものを窒化アルミニ
ウム粉末と混合してもよいが、窒化アルミニウム粉末の
焼結時に上記結晶を形成し得る成分として窒化アルミニ
ウム粉末と混合し、焼結時に該結晶を形成させる方法が
最も有利な方法である。この場合、酸化アルミニウムを
用いることにより、マトリックスの窒化アルミニウムと
反応させてAlNおよび/又はAl
結晶を形成させることが出来る。勿論硝酸アルミニウム
や炭酸アルミニウムのように窒化アルミニウムの焼結温
度よりも低い温度で容易に酸化物に変換し得るアルミニ
ウム化合物も同様に使用することが出来る。
【0032】なかでも、マグネシウムの複合酸化物であ
るMgAlは、同時にマグネシウム成分の導入も
行うことが出来るので、特に好ましい物質である。
【0033】本発明において、MgAlを用いる
場合その特性には制限がないが、高温領域で高い抵抗率
の焼結体を得るには、純度が99.9%以上で平均粒子
径が2μm以下、特に0.5μm以下の微粉末が使用さ
れることが望ましい。
【0034】本発明において、AlNおよび/又
はAlの窒化アルミニウム中における存在量
は、通常窒化アルミニウム100重量部に対して、該化
合物中のアルミニウム分を酸化アルミニウムとして求め
たときの割合で2.5〜9重量部用いるのが好ましい。
【0035】次に本発明に用いるマグネシウムは、上記
複合酸化物として配合される他酸化マグネシウム又は、
窒化アルミニウムの焼結条件下で酸化マグネシウムにな
り得る化合物、例えば硝酸マグネシウムや炭酸マグネシ
ウムを用いることも出来る。これらの化合物も高純度で
あることが好ましく、通常純度は99%以上、平均粒径
1μm以下のものを、酸化マグネシウムとして求めたと
きの割合で1〜4.2重量部用いるのが好ましい。
【0036】本発明の焼結体製造方法は、通常の窒化ア
ルミニウム焼結体を製造する方法と特に変るものではな
く、窒化アルミニウムには焼結助剤として希土類化合物
を10重量部以下、好ましくは0.5〜7重量部程度加
えても差しつかえなく、しばしば好ましい結果が得られ
る。希土類化合物の種類は特に限定されるものではな
く、例えば、Y、La、CeO、Ho
、Yb、Gd 、Nd、Sm
、Dyなどが挙げられ、その中でも、Y
が好適である。
【0037】本発明において、窒化アルミニウム粉末に
配合するMgAl等種々の化合物粉末の混合方法
は特に限定されず、公知の窒化アルミニウム粉末に焼結
助剤等の粉末に混合する方法が採用し得る。例を挙げる
と、乾式混合で混合物(混合粉末)を得る方法やエタノ
ールなどの有機溶媒と共にボールミルなどを用いて湿式
混合し、混合物のスラリーを得る方法等である、該スラ
リーは十分に乾燥して溶媒を除去し混合物(混合粉末)
を得る。
【0038】本発明において、窒化アルミニウム焼結体
を得る方法としては、前記混合物を焼成する前に、あら
かじめグリーン体を作製しても良い。グリーン体を作製
するためには公知の方法が適用できる。例を挙げると、
前記混合物(混合粉末)を一軸プレスや静水圧プレス
(CIP)等で成形しグリーン体を得る方法や、前記混
合粉末に有機バインダー等を添加して金型プレス、又は
シート成形などを行いグリーン体を得る方法、更には混
合物のスラリーを鋳込み成形する方法などがある。
【0039】前記有機バインダーとしては、公知のもの
が特に制限なく使用できる。具体的には、ポリビニルブ
チラール、エチルセルロース類やアクリル樹脂類などが
使用でき、その中でもポリn−ブチルメタクリレートお
よびポリビニルブチラールが、グリーン体の成形性に優
れるため好適である。
【0040】また、上記混合粉に有機バインダーを加え
る量は、プレス成形体を得る場合には、窒化アルミニウ
ム100重量部あたり2〜15重量部、シート体を得る
場合には5〜15重量部が好ましく採用される。
【0041】上記した有機バインダーを用いる方法とし
ては、前記混合物および有機バインダーにアルコール類
やトルエン等の有機溶媒、グリセリン化合物などの分散
剤およびフタル酸等の可塑剤を必要により加えて、ボー
ルミルで十分に混合してスラリー状にしたものをスプレ
ードライ法等により顆粒状にした後に金型プレスにより
ブロック状のグリーン体にする方法やドクターブレード
法によりシート状のグリーン体にする方法が一般的であ
る。
【0042】上記した有機バインダーを用いたグリーン
体は、通常、焼成を行う前に脱脂を行い脱脂体とする。
前記脱脂は、酸素や空気等の酸化性ガス、或いは水素な
どの還元性ガス、アルゴンや窒素などの不活性ガス、二
酸化炭素およびこれらの混合ガス或いは水蒸気を混合し
た加湿ガス雰囲気中での熱処理によって行う方法が一般
的である。前記脱脂温度は250〜1200℃、また保
持時間は1〜1000分の範囲で、前記有機バインダー
の配合割合と脱脂方法に応じて適宜選択すれば良い。
【0043】本発明において、前記の有機バインダーを
含まないグリーン体や、有機バインダーを含むグリーン
体を更に脱脂して得た脱脂体は、非酸化性雰囲気中で1
750℃以上の温度で15時間以上、好ましくは20時
間以上焼成する。しかし、あまり長時間焼成を行っても
技術的なメリットはなく、むしろ窒化アルミニウム結晶
粒が成長し強度の低下が現れるため、一般に焼成は70
時間以下で十分である。
【0044】焼成温度は1750〜1950℃とすべき
であり、焼成温度が1750℃以下、又は焼成時間が1
5時間未満といずれか一方で上記範囲をはずれると、窒
化アルミニウム中でAlNおよび/又はAl
結晶相を生成させる場合十分でなく、室温におけ
る体積抵抗率が1×10Ω・cm以下になり難く、本
発明の窒化アルミニウム焼結体が得られないためであ
る。
【0045】なお、前記非酸化性雰囲気としては、例え
ば、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素などのガス単独或
いは混合ガスよりなる雰囲気、又は真空雰囲気が使用さ
れる。
【0046】また、焼結は常圧焼成、ホットプレス(H
P)、および熱間静水圧プレス(HIP)等によって行
われる。
【0047】常圧焼成は、通常、前記グリーン体や脱脂
体を焼成容器に収容して行われる。焼成容器としては窒
化アルミニウムの焼成に使われる公知の容器が使用でき
る。具体的に例を挙げると、窒化アルミニウム製或いは
窒化ホウ素製の箱型の密閉容器が挙げられる。
【0048】また、前記グリーン体や脱脂体と焼成容器
との間には、焼成による融着を防ぐため一般的に使用さ
れている敷粉を介在させても良い。敷粉としては、例え
ば窒化ホウ素等が挙げられる。
【0049】HPは、公知の方法が挙げられる。通常、
カーボン製の治具が用いられ、前記混合粉末、グリーン
体又は脱脂体が前記治具に収容される。被焼成物と接触
する治具の表面には、窒化ホウ素を塗布したり、カーボ
ンシートや粉末などをを配置すると、前記治具と被焼成
物との融着防止に効果的である。HPの圧力の大きさは
公知の圧力の範囲であり、例えば、5〜50MPaで行
われる。
【0050】このように、本発明の窒化アルミニウム焼
結体は、高い熱伝導率と温度依存性の小さい体積抵抗率
を併せ有する。また、焼結体の曲げ強度、誘電率、その
他焼結体物性値ならびに焼結体の外観も良好である。
【0051】
【実施例】以下、本発明の方法を具体的に説明するため
実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。 1)窒化アルミニウム焼結体の平均粒子径の測定 焼結体の破断面で露出している300個以上の窒化アル
ミニウム粒子について、モード法により求めた。
【0052】2)窒化アルミニウム焼結体の密度の測定 アルキメデス法により測定し、相対密度を算出した。
【0053】3)窒化アルミニウム焼結体を構成する結
晶相 焼結体の研削面でX線回折(XRD)を行った。
【0054】4)窒化アルミニウム焼結体に含有するマ
グネシウムの測定 焼結体の研削面で蛍光X線測定(XRF)を行った。
【0055】5)窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率
の測定 純度99.999%以上の高純度窒素中において、JI
S2141に基づいて測定した。
【0056】6)窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率測
定 理学電気(株)製の熱定数測定装置PS−7を使用して、
レーザーフラッシュ法により測定した。厚み補正は検量
線により行った。
【0057】実施例1〜8 平均粒径が1.5μm、酸素濃度0.8wt%の窒化ア
ルミニウム粉末と、希土類酸化物として純度99.99
%以上で比表面積が12.5m/gの酸化イットリウ
ム粉末、および純度99.9%以上で平均粒子径が0.
39μmのMgAl粉末を表1に示す配合量で加
えた。次いで、エタノールを溶媒として加え、ボールミ
ル混合、乾燥して得られた混合粉末をCIP成形し、直
径38mm、厚さ4mmのグリーン体を得た。
【0058】このようにして得られたグリーン体を窒化
アルミニウム製の焼成容器に入れ、窒素雰囲気中、温度
1780℃で保持時間20時間(実施例6は35時間、
実施例7は50時間)の常圧焼成を行い、相対密度98
%以上の緻密な窒化アルミニウム焼結体を得た。各物質
の配合量、焼成条件等を表1に示す。
【0059】前記焼結体のX線回折を行った。いずれの
窒化アルミニウム焼結体中にも窒化アルミニウム相を主
相とし窒化アルミニウムの不純物酸素と酸化イットリウ
ムが焼成時に反応して生成した複合酸化物相であるYA
G(3Y・5Al )相とAlN相お
よび/又はAl相が存在した。
【0060】さらに、蛍光X線測定により前記焼結体中
に含まれるマグネシウムの定量を行った。いずれの焼結
体にもマグネシウム成分を含有していた。
【0061】前記焼結体の相対密度、体積抵抗率および
熱伝導率を表2に示す。実施例1〜8の焼結体は、本発
明の窒化アルミニウム焼結体を満足するものであった。
【0062】実施例9、10 実施例1の窒化アルミニウム粉末、酸化イットリウム粉
末およびMgAl 粉末を表1で示す配合量で混合
した。次いで、エタノールを溶媒として加え、ボールミ
ル混合し、乾燥して混合粉末を得た。この混合粉末を黒
鉛製のHP治具に充填し、窒素雰囲気中、1830℃で
保持時間20時間、20MPaの圧力でHPを行い、直
径40mm、厚み3.5mmで相対密度99%以上の緻
密な焼結体を得た。
【0063】前記焼結体のX線回折を行ったところ、窒
化アルミニウム相を主相とし、Al N相およびA
相が存在した。
【0064】さらに、蛍光X線測定により前記焼結体中
に含まれるマグネシウム定量を行ったところ、マグネシ
ウム成分を含有していた。
【0065】前記焼結体の製造条件等を表1に、また相
対密度、体積抵抗率および熱伝導率を表2に示す。得ら
れた焼結体は、本発明の窒化アルミニウム焼結体を満足
するものであった。
【0066】実施例11 実施例1の窒化アルミニウム粉末、MgAl粉末
および純度99.99%以上で平均粒子径1.33μm
の酸化アルミニウムを表1で示す配合量で混合し、実施
例9と同様の操作を行った。
【0067】前記焼結体のX線回折を行ったところ、窒
化アルミニウム相を主相とし、Al N相およびA
相が存在した。
【0068】さらに、蛍光X線測定により前記焼結体中
に含まれるマグネシウム定量を行ったところ、マグネシ
ウム成分を0.16重量%含有していた。
【0069】前記焼結体の製造条件等を表1に、またそ
の物性を表2に示す。得られた焼結体は、本発明の窒化
アルミニウム焼結体を満足するものであった。
【0070】実施例12 実施例1の窒化アルミニウム粉末、MgAl粉末
を表1で示す配合量で混合し、実施例9と同様の操作を
行った。
【0071】前記焼結体のX線回折を行ったところ、窒
化アルミニウム相を主相とし、Al N相が存在し
た。
【0072】さらに、蛍光X線測定により前記焼結体中
に含まれるマグネシウム定量を行ったところ、マグネシ
ウム成分を1.07重量%含有していた。
【0073】前記焼結体の製造条件等を表1に、またそ
の物性を表2に示す。得られた焼結体は、本発明の窒化
アルミニウム焼結体を満足するものであった。
【0074】実施例13、14 実施例1の窒化アルミニウム粉末に焼結助剤としてMg
Al粉末の代わりに純度99.9%以上で平均粒
子径0.2μmの酸化マグネシウムと酸化アルミニウム
を表1で示す配合量で混合したことを除いては、実施例
1と同様の操作を行った。その物性を表2に示す。得ら
れた焼結体は、本発明の窒化アルミニウム焼結体を満足
するものであった。
【0075】比較例1 実施例1の窒化アルミニウム粉末に焼結助剤として酸化
イットリウムを混合し、実施例1と同様の操作を行っ
た。X線回折を行ったところ、窒化アルミニウム相、Y
AG相およびAlYO相が存在していた。なお、Al
N相およびAl相の存在は確認出来な
かった。焼結体の製造条件等とその物性を表1および表
2に示す。
【0076】比較例2 焼成時の保持時間を3時間にしたことを除いては実施例
1と同様の操作を行った。X線回折を行ったところ、窒
化アルミニウム相、YAG相およびMgAl相が
存在していた。焼結体の製造条件等とその物性を表1お
よび表2に示す。
【0077】比較例3、4 焼結体中のマグネシウムが0.1〜2.0重量%の範囲
外であることを除いては、実施例1と同様の操作を行っ
た。焼結体の製造条件等とその物性を表1および表2に
示す。
【0078】比較例5 実施例1の窒化アルミニウム粉末に焼結助剤として酸化
イットリウムおよび酸化アルミニウムを混合し、実施例
1と同様の操作を行った。X線回折を行ったところ、窒
化アルミニウム相、YAG相およびAlN相が存
在した。焼結体中にマグネシウム成分は存在しなかっ
た。焼結体の製造条件等とその物性を表1および表2に
示す。
【0079】比較例6 実施例1の窒化アルミニウム粉末に焼結助剤として酸化
イットリウムおよび酸化マグネシウムを混合し、実施例
1と同様の操作を行った。X線回折を行ったところ、窒
化アルミニウム相、YAG相が存在した。焼結体の製造
条件等とその物性を表1および表2に示す。
【0080】
【表1】
【0081】
【表2】
【0082】
【発明の効果】本発明によれば、高熱伝導率で、幅広い
温度域で温度依存性の小さい体積抵抗率を有する窒化ア
ルミニウム焼結体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明におけるマグネシウムの存在量と体積抵
抗率の温度依存性との関係を示すグラフである。
【図2】本発明の一実施例における窒化アルミニウム焼
結体のX線回折ピークを示す図である。
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Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】窒化アルミニウム焼結体マトリックス中
    に、AlNおよび/又はAlの結晶相
    が分散存在しており、かつマグネシウムを0.1〜2重
    量%含有することを特徴とする窒化アルミニウム焼結
    体。
  2. 【請求項2】X線回折のピーク強度面積から求めた、窒
    化アルミニウム結晶のピーク強度面積(2θ=49.5
    〜50.5゜)に対するAlN結晶のピーク強度
    面積(2θ=31.0〜32.0゜)およびAl
    結晶のピーク強度面積(2θ=70.5〜71.5
    ゜)の比率の和が窒化アルミニウム1に対して0.02
    〜0.60であることを特徴とする請求項1に記載の窒
    化アルミニウム焼結体。
  3. 【請求項3】室温から800℃の温度範囲における体積
    抵抗率が1×1014〜1×10Ω・cmであること
    を特徴とする請求項1又は2記載の窒化アルミニウム焼
    結体。
  4. 【請求項4】熱伝導率が60W/m・K以上である請求
    項1〜3のいずれかである窒化アルミニウム焼結体。
  5. 【請求項5】窒化アルミニウム粉末100重量部に対し
    て、マグネシウム成分を酸化マグネシウムとして1〜
    4.2重量部、酸化アルミニウムとして2.5〜9重量
    部を含む混合物を成形し、焼成することを特徴とする請
    求項1〜4のいずれかに記載の窒化アルミニウム焼結体
    の製造方法。
  6. 【請求項6】マグネシウム成分として酸化マグネシウム
    を、AlNおよび/又はAl成分とし
    て酸化アルミニウムをそれぞれ用い1750〜1950
    ℃で15時間以上焼成することを特徴とする請求項5に
    記載の窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
  7. 【請求項7】マグネシウム成分およびAlNおよ
    び/又はAl成分としてMgAlを用
    い1750〜1950℃で15時間以上焼成することを
    特徴とする請求項5に記載の窒化アルミニウム焼結体の
    製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5159625B2 (ja) * 2006-08-07 2013-03-06 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
CN110294630A (zh) * 2018-03-23 2019-10-01 日本碍子株式会社 复合烧结体、半导体制造装置部件和复合烧结体的制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5159625B2 (ja) * 2006-08-07 2013-03-06 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
CN110294630A (zh) * 2018-03-23 2019-10-01 日本碍子株式会社 复合烧结体、半导体制造装置部件和复合烧结体的制造方法
CN110294630B (zh) * 2018-03-23 2023-04-07 日本碍子株式会社 复合烧结体、半导体制造装置部件和复合烧结体的制造方法

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