JP2003140365A - Method for using resist removing solution - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for using a resist removing solution comprising an amine compound and suppressing corrosion of a semiconductor material. SOLUTION: The resist removing solution is used in an atmosphere having <=2% oxygen concentration.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する分野】本発明は、半導体集積回路、液晶
パネル、有機ELパネル、プリント基板等の製造に用いら
れるレジスト剥離液の使用方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of using a resist stripping solution used for manufacturing semiconductor integrated circuits, liquid crystal panels, organic EL panels, printed circuit boards and the like.

【０００２】[0002]

【従来の技術】リソグラフィー技術を利用する際に使用
されるフォトレジストはIC, LSIのような集積回路、LC
D、EL素子の様な表示機器、プリント基板、微小機械、D
NAチップ、マイクロプラント等広い分野で使用されてい
る。従来、レジスト剥離液としてはアルカリ剥離剤組成
物としては有機アルカリ、水溶性溶剤などの混合溶液が
用いられている。特にアミン化合物を使用する場合が多
く、例えばアルカノールアミンとジメチルスルホキシド
の非水溶液、アルカノールアミン、水溶性有機溶剤、糖
アルコールと水の含水溶液、アルカノールアミン、ヒド
ロキシルアミンとカテコールと水の溶液等が用いられて
きた。これらのアルカリ性のレジスト剥離液は含フェノ
ール性水酸基化合物、含エステル基化合物のレジストに
非常に有効である。これらのレジスト剥離液は通常、室
温〜１00℃の範囲で使用される。これらの液は主にアル
ミ、アルミ合金等の銅を主成分としない材料を含む基板
のレジスト剥離に使用されてきた。近年、抵抗の小さい
金属として銅が材料として使用されるようになってき
た。特にLSIに代表される半導体の配線材料として多用
されるようになっている。しかし、アミン化合物を含む
レジスト剥離液は銅アミン錯体を作るため、腐蝕しやす
いとい欠点がある。2. Description of the Related Art Photoresists used in lithography technology are integrated circuits such as IC and LSI, and LC.
Display devices such as D and EL devices, printed circuit boards, micromachines, D
It is used in a wide range of fields such as NA chips and micro plants. Conventionally, a mixed solution of an organic alkali, a water-soluble solvent and the like has been used as an alkali stripping agent composition as a resist stripping solution. In particular, an amine compound is often used, for example, a non-aqueous solution of alkanolamine and dimethylsulfoxide, an alkanolamine, a water-soluble organic solvent, an aqueous solution of sugar alcohol and water, an alkanolamine, a solution of hydroxylamine, catechol and water, etc. Has been. These alkaline resist stripping solutions are very effective for resists containing phenolic hydroxyl group compounds and ester group compounds. These resist stripping solutions are usually used in the range of room temperature to 100 ° C. These liquids have been mainly used for resist stripping of a substrate containing a material not containing copper as a main component such as aluminum or aluminum alloy. In recent years, copper has come to be used as a material as a metal having low resistance. In particular, it is widely used as a wiring material for semiconductors represented by LSI. However, a resist stripper containing an amine compound forms a copper amine complex and therefore has a drawback that it is easily corroded.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体材料への腐食を抑えたアミン化合物からなるレジスト
剥離液の使用方法を提供すること。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of using a resist stripping solution composed of an amine compound which suppresses corrosion of semiconductor materials.

【０００４】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明者らはレジスト剥
離液の最適な使用方法と腐蝕抑制について鋭意検討した
結果、レジスト剥離液に溶解する酸素が銅の腐蝕の主要
因であることを見出した。アミンにより銅が腐蝕すると
一般的には言われてきたが、溶解する酸素が銅の溶解の
主要因であることを本発明者らは見出した。腐蝕の機構
は以下のように予測している。レジスト剥離液に溶解し
た酸素が銅を酸化し、酸化された銅が銅アミン錯体とな
って溶解することで腐蝕が進行する。本発明の内容を詳
しく説明するとレジスト剥離液に溶解する酸素が銅の腐
蝕を引き起こすことからレジスト剥離液の使用雰囲気の
酸素濃度を下げることで腐蝕抑制が可能になる。レジス
ト剥離液を2％以下の酸素濃度の雰囲気下で使用するこ
とで腐蝕は効果的に抑制できる。さらに好ましくはレジ
スト剥離液を2％以下の酸素濃度の雰囲気下、レジスト
剥離液中の溶存ガスを入れ替えて使用するとより効果的
に腐蝕を抑制できる。DISCLOSURE OF THE INVENTION As a result of intensive studies on the optimum use method of a resist stripping solution and corrosion inhibition, the present inventors have found that oxygen dissolved in the resist stripping solution is a main factor of corrosion of copper. It was Although it has been generally said that copper is corroded by amines, the present inventors have found that dissolved oxygen is the main factor in the dissolution of copper. The mechanism of corrosion is predicted as follows. Oxygen dissolved in the resist stripper oxidizes copper, and the oxidized copper becomes a copper amine complex and is dissolved, whereby corrosion progresses. Explaining the contents of the present invention in detail, since oxygen dissolved in the resist stripping solution causes corrosion of copper, it is possible to suppress corrosion by lowering the oxygen concentration in the atmosphere in which the resist stripping solution is used. Corrosion can be effectively suppressed by using the resist stripper in an atmosphere having an oxygen concentration of 2% or less. More preferably, when the resist stripping solution is used in an atmosphere having an oxygen concentration of 2% or less and the dissolved gas in the resist stripping solution is replaced, the corrosion can be suppressed more effectively.

【０００５】本発明で使用できるレジスト剥離液の成分
としてアンモニア、アルキルアミンはメチルアミン、エ
チルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミ
ン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、イソブ
チルアミン、 ｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、２
−アミノペンタン、３−アミノペンタン、１−アミノ−
２−メチルブタン、２−アミノ−２−メチルブタン、３
−アミノ−２−メチルブタン、４−アミノ−２−メチル
ブタン、ヘキシルアミン、５−アミノ−２−メチルペン
タン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミ
ン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミ
ン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデ
シルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミ
ン、オクタデシルアミン等の第一アルキルアミン、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイ
ソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソブチルアミ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジ−ｔ−ブチルアミ
ン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチル
アミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシル
アミン、メチルエチルアミン、メチルプロピルアミン、
メチルイソプロピルアミン、メチルブチルアミン、メチ
ルイソブチルアミン、 メチル−ｓｅｃ−ブチルアミ
ン、メチル−ｔ−ブチルアミン、メチルアミルアミン、
メチルイソアミルアミン、エチルプロピルアミン、エチ
ルイソプロピルアミン、エチルブチルアミン、エチルイ
ソブチルアミン、エチル−ｓｅｃ−ブチルアミン、エチ
ルアミン、エチルイソアミルアミン、プロピルブチルア
ミン、プロピルイソブチルアミン等の第二アルキルアミ
ン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、ジ
メチルエチルアミン、メチルジエチルアミン、メチルジ
プロピルアミン等の第三アルキルアミン等があげられ
る。As components of the resist stripping solution usable in the present invention, ammonia and alkylamine are methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, sec-butylamine, isobutylamine, t-butylamine, pentylamine, Two
-Aminopentane, 3-aminopentane, 1-amino-
2-methylbutane, 2-amino-2-methylbutane, 3
-Amino-2-methylbutane, 4-amino-2-methylbutane, hexylamine, 5-amino-2-methylpentane, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, undecylamine, dodecylamine, tridecylamine, tetradecyl Primary alkylamines such as amines, pentadecylamine, hexadecylamine, heptadecylamine, octadecylamine, dimethylamine, diethylamine, dipropylamine, diisopropylamine, dibutylamine, diisobutylamine, di-sec-butylamine, di-t -Butylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, methylethylamine, methylpropylamine,
Methylisopropylamine, methylbutylamine, methylisobutylamine, methyl-sec-butylamine, methyl-t-butylamine, methylamylamine,
Secondary alkylamines such as methylisoamylamine, ethylpropylamine, ethylisopropylamine, ethylbutylamine, ethylisobutylamine, ethyl-sec-butylamine, ethylamine, ethylisoamylamine, propylbutylamine, propylisobutylamine, trimethylamine, triethylamine, tripropyl. Examples thereof include tertiary alkylamines such as amine, tributylamine, tripentylamine, dimethylethylamine, methyldiethylamine and methyldipropylamine.

【０００６】本発明に使用されるアルカノールアミンと
しては、エタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミ
ン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−プロピルエタノ
ールアミン、Ｎ−ブチエタノールアミン、ジエタノール
アミン、イソプロノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパ
ノールアミン、Ｎ−エチルイソプロパノールアミン、Ｎ
−プロピルイソプロパノールアミン、２−アミノプロパ
ン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノ−プロパン−
１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノ−プロパン−１−
オール、１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−メチル
−１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−エチル−１−
アミノプロパン−３−オール、１−アミノブタン−２−
オール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−２−オール、
Ｎ−エチル−１−アミノブタン−２オール、２−アミノ
ブタン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノブタン−
１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノブタン−１−オー
ル、３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−３−
アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−３−アミノブ
タン−１−オール、１−アミノブタン−４−オール、Ｎ
−メチル１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−エチル−
１−アミノブタン−４−オール、１−アミノ−２−メチ
ルプロパン−２−オール、２−アミノ−２−メチルプロ
パン−１−オール、１−アミノペンタン−４−オール、
２−アミノ−４−メチルペンタン−１−オール、２−ア
ミノヘキサン−１−オール、３−アミノヘプタン−４−
オール、１−アミノオクタン−２−オール、５−アミノ
オクタン−４−オール、１−アミノプパン−２，３−ジ
オール、２−アミノプロパン−１，３−ジオール、トリ
ス（オキシメチル）アミノメタン、１，２−ジアミノプ
ロパン−３−オール、１，３−ジアミノプロパン−２−
オール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等があ
げられる。Alkanolamines used in the present invention include ethanolamine, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N-propylethanolamine, N-butyethanolamine, diethanolamine, isopronolamine, N-methyl. Isopropanolamine, N-ethylisopropanolamine, N
-Propylisopropanolamine, 2-aminopropan-1-ol, N-methyl-2-amino-propane-
1-ol, N-ethyl-2-amino-propane-1-
All, 1-aminopropan-3-ol, N-methyl-1-aminopropan-3-ol, N-ethyl-1-
Aminopropan-3-ol, 1-aminobutane-2-
Oat, N-methyl-1-aminobutan-2-ol,
N-ethyl-1-aminobutan-2-ol, 2-aminobutan-1-ol, N-methyl-2-aminobutane-
1-ol, N-ethyl-2-aminobutan-1-ol, 3-aminobutan-1-ol, N-methyl-3-
Aminobutan-1-ol, N-ethyl-3-aminobutan-1-ol, 1-aminobutan-4-ol, N
-Methyl 1-aminobutan-4-ol, N-ethyl-
1-aminobutan-4-ol, 1-amino-2-methylpropan-2-ol, 2-amino-2-methylpropan-1-ol, 1-aminopentan-4-ol,
2-Amino-4-methylpentan-1-ol, 2-aminohexan-1-ol, 3-aminoheptane-4-
All, 1-aminooctane-2-ol, 5-aminooctane-4-ol, 1-aminopupan-2,3-diol, 2-aminopropane-1,3-diol, tris (oxymethyl) aminomethane, 1 , 2-diaminopropan-3-ol, 1,3-diaminopropan-2-
Examples include all and 2- (2-aminoethoxy) ethanol.

【０００７】本発明に使用されるポリアミンとしては、
エチレンジアミン、プロパンジアミン、トリメチレンジ
アミン、テトラメチレンジアミン、１，３−ジアミノブ
タン、２，３−ジアミノブタン、ペンタメチレンジアミ
ン、２，４−ジアミノペンタン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミ
ン、ノナメチレンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、トリメチルエ
チレンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ
−ジエチルエチレンジアミン、トリエチルエチレンジア
ミン、 １，２，３−トリアミノプロパン、ヒドラジ
ン、トリス（２−アミノエチル）アミン、テトラ（アミ
ノメチル）メタン、ジエチレントリアミン、トリエチレ
ンテトラミン、テトラエチルペンタミン、ヘプタエチレ
ンオクタミン、ノナエチレンデカミン、ジアザビシクロ
ウンデセン、ヒドラジン、ジメチルヒドラジン、メチル
ヒドラジン、ヒドロキシエチルヒドラジン等があげられ
る。本発明に使用されるヒドロキシルアミンとしては、
ヒドロキシルアミン、N-メチルヒドロキシルアミン、N-
エチルヒドロキシルアミン、N, N-ジエチルヒドロキシ
ルアミンがあげられる。本発明に使用される環式アミン
としては、具体的にはピロール、２−メチルピロール、
３−メチルピロール、２−エチルピロール、３−エチル
ピロール、２，３−ジメチルピロール、２，４ジメチル
ピロール、３，４−ジメチルピロール、２，３，４−ト
リメチルピロール、２，３，５−トリメチルピロール、
２−ピロリン、３−ピロリン、ピロリジン、２−メチル
ピロリジン、３−メチルピロリジン、ピラゾール、イミ
ダゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，３，４
−テトラゾール、ピペリジン、２−ピペコリン、３−ピ
ペコリン、４−ピペコリン、 ２−４ルペチジン、２，
６−ルペチジン、３，５−ルペチジン、ピペラジン、２
−メチルピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン、
２，６−メチルピペラジン、モルホリン等があげられ
る。The polyamine used in the present invention includes:
Ethylenediamine, propanediamine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, 1,3-diaminobutane, 2,3-diaminobutane, pentamethylenediamine, 2,4-diaminopentane, hexamethylenediamine, heptamethylenediamine, octamethylenediamine, Nonamethylenediamine, N-methylethylenediamine, N, N-dimethylethylenediamine, trimethylethylenediamine, N-ethylethylenediamine, N, N
-Diethylethylenediamine, triethylethylenediamine, 1,2,3-triaminopropane, hydrazine, tris (2-aminoethyl) amine, tetra (aminomethyl) methane, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylpentamine, heptaethyleneoctamine, Examples thereof include nonaethylenedecamine, diazabicycloundecene, hydrazine, dimethylhydrazine, methylhydrazine and hydroxyethylhydrazine. The hydroxylamine used in the present invention includes
Hydroxylamine, N-methylhydroxylamine, N-
Examples include ethylhydroxylamine and N, N-diethylhydroxylamine. Specific examples of the cyclic amine used in the present invention include pyrrole, 2-methylpyrrole,
3-methylpyrrole, 2-ethylpyrrole, 3-ethylpyrrole, 2,3-dimethylpyrrole, 2,4 dimethylpyrrole, 3,4-dimethylpyrrole, 2,3,4-trimethylpyrrole, 2,3,5- Trimethylpyrrole,
2-pyrroline, 3-pyrroline, pyrrolidine, 2-methylpyrrolidine, 3-methylpyrrolidine, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,3,4
-Tetrazole, piperidine, 2-pipecoline, 3-pipecoline, 4-pipecoline, 2-4 lupetidine, 2,
6-Lupetidine, 3,5-Lupetidine, Piperazine, 2
-Methylpiperazine, 2,5-dimethylpiperazine,
2,6-methylpiperazine, morpholine and the like can be mentioned.

【０００８】本発明において第四級アンモニウムは腐蝕
要因としては小さいがテトラメチルアンモニウムハイド
ロキサイト、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイ
ト、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイト、テ
トラブチルアンモニウムハイドロキサイト、コリンハイ
ドロキサイト、アセチルコリンハイドロキサイト等を含
んでいてもかまわない。本発明に使用されるアルカリ化
合物は上記のアルカリ化合物に限定されなく、アルカリ
化合物であれば何ら制約されない。上記アルカリ化合物
の中で好ましくは、エタノールアミン、Ｎ−メチルエタ
ノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、ジエタノ
ールアミン、イソプロパノールアミン、2-（2-アミノエ
トキシ）エタノール、エチレンジアミン、プロパンジア
ミン、ブチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ピペ
ラジン、モルホリン、テトラメチルアンモニウムハイド
ロキサイト、コリンハイドロキサイトである。In the present invention, quaternary ammonium is a minor factor for corrosion, but tetramethylammonium hydroxysite, tetraethylammonium hydroxysite, tetrapropylammonium hydroxysite, tetrabutylammonium hydroxysite, choline hydroxysite, acetylcholine. It does not matter if it contains hydroxysite. The alkali compound used in the present invention is not limited to the above-mentioned alkali compounds, and is not limited as long as it is an alkali compound. Of the above alkaline compounds, ethanolamine, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, diethanolamine, isopropanolamine, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, ethylenediamine, propanediamine, butylenediamine, diethylenetriamine, piperazine are preferable. , Morpholine, tetramethylammonium hydroxide and choline hydroxysite.

【０００９】上記のアルカリ成分がレジスト剥離液に3
％以上を含む場合、酸素が多い場合に腐蝕が大きく本発
明のレジスト剥離液の使用方法が有効である。本発明は
レジスト剥離液に浸漬される基板が銅または銅合金を含
む場合がもっとも有効である。さらに、レジスト剥離液
の処理雰囲気の酸素濃度を計測して、酸素濃度を２パー
セント以下に維持管理することで安定して腐食性の低い
環境を提供することができる。通常、レジスト剥離液の
多くはアルカリのほかに有機溶剤、防食剤、界面活性剤
等を含むことが多い。本発明ではこれらの物を含むこと
は何ら問題がない。低酸素環境は窒素、アルゴン、水素
等を使用することで可能であり、どれを使用してもかま
わない。この中で好ましくは窒素である。The above-mentioned alkaline component is contained in the resist stripping solution.
%, The corrosion is great when oxygen is large, and the method of using the resist stripping solution of the present invention is effective. The present invention is most effective when the substrate immersed in the resist stripping solution contains copper or a copper alloy. Furthermore, by measuring the oxygen concentration in the processing atmosphere of the resist stripping solution and maintaining the oxygen concentration at 2% or less, a stable and low corrosive environment can be provided. Usually, most of resist stripping solutions often contain organic solvents, anticorrosives, surfactants, etc. in addition to alkalis. In the present invention, the inclusion of these substances causes no problem. The low oxygen environment can be achieved by using nitrogen, argon, hydrogen, etc., and any of them can be used. Of these, nitrogen is preferable.

【００１０】[0010]

【実施例】以下に実施例を示す。EXAMPLES Examples will be shown below.

【００１１】実施例１〜３、比較例１ 銅400Å付きシリコン基板を使用してエッチングレート
を測定した。処理に使用したのは以下のレジスト剥離液
組成物である。エタノールアミン45重量％、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテル20重量％、水32重量％、
ソルビトール3重量％の組成物を使用してエッチングレ
ートを測定した。50℃でエッチングレート測定の処理
は、表１記載の種々の条件下、行った。Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 The etching rate was measured using a silicon substrate with copper 400Å. The following resist stripping composition was used for the treatment. 45% by weight of ethanolamine, 20% by weight of diethylene glycol monomethyl ether, 32% by weight of water,
The etching rate was measured using a composition of 3% by weight of sorbitol. The processing for measuring the etching rate at 50 ° C. was performed under various conditions shown in Table 1.

【００１２】[0012]

【表１】 処理条件 エッチングレート（Å/min） 実施例１ 窒素雰囲気下 ０．７ 実施例２ 窒素ガスをレジスト剥離液に吹き込みながら処理 ０．３ 実施例３ １％酸素含有窒素中 １ 比較例１ 空気雰囲気下 ７ 酸素の影響により銅のエッチングレートは大きく変化す
ることが明らかとなった。空気を供給し続けることで銅
の腐蝕は継続する。これを防ぐために酸素源を断つこと
が有効である。[Table 1] Treatment conditions Etching rate (Å / min) Example 1 0.7 in nitrogen atmosphere Example 2 Treatment while blowing nitrogen gas into the resist stripping solution 0.3 Example 3 1% in nitrogen containing oxygen 1 Comparative example 1 Under air atmosphere 7 It became clear that the etching rate of copper changes greatly under the influence of oxygen. Corrosion of copper continues by continuously supplying air. To prevent this, it is effective to turn off the oxygen source.

【００１３】実施例４〜５，比較例２ レジスト剥離液組成物としてエタノールアミン40重量
％、ジエチレングリコールモノブチルエーテル38重量
％、水20重量％、カテコール2重量％を使用して銅400Å
付きシリコン基板の銅のエッチングレートを測定した。
気相部の酸素濃度計つきグローブボックス内で処理し
た。エッチングレート測定の処理は、表２記載の種々の
条件下、行った。Examples 4 to 5 and Comparative Example 2 Copper 400 Å using 40% by weight of ethanolamine, 38% by weight of diethylene glycol monobutyl ether, 20% by weight of water and 2% by weight of catechol as a resist stripping composition.
The copper etching rate of the attached silicon substrate was measured.
The treatment was carried out in a glove box with an oxygen concentration meter in the gas phase. The etching rate measurement process was performed under various conditions shown in Table 2.

【００１４】[0014]

【表２】 処理条件 エッチングレート（Å/min） 実施例４ 気相部の酸素濃度２００ppmの窒素中 １．３ 実施例５ レジスト剥離液を脱気した後、気相部の ０．５ 酸素濃度２００ppmの窒素中 比較例２ 空気雰囲気下 ２．０[Table 2]           Processing conditions Etching rate (Å / min) Example 4 1.3 in nitrogen with 200 ppm oxygen concentration in the gas phase Example 5 After degassing the resist stripper, 0.5           In nitrogen with oxygen concentration of 200ppm Comparative Example 2 2.0 in air atmosphere

【００１５】実施例６、比較例３ レジスト剥離液組成物としてエタノールアミン30重量
％、N-メチルピロリドン55重量％、水10重量％、カテコ
ール5重量％を使用して銅400Å付きシリコン基板の銅の
エッチングレートを測定した。さらにドライエッチング
を行ってパターン形成されたフォトレジストつき基板を
浸漬して除去性を光学顕微鏡で観察した。気相部の酸素
濃度計つきグローブボックス内で処理した。エッチング
レート測定の処理は、表３記載の種々の条件下行った。Example 6 and Comparative Example 3 Using a resist stripping composition of 30% by weight of ethanolamine, 55% by weight of N-methylpyrrolidone, 10% by weight of water and 5% by weight of catechol, copper on a silicon substrate with a copper 400Å The etching rate was measured. Further, dry etching was performed to immerse the patterned substrate with the photoresist therein, and the removability was observed with an optical microscope. The treatment was carried out in a glove box with an oxygen concentration meter in the gas phase. The etching rate measurement process was performed under various conditions shown in Table 3.

【００１６】[0016]

【表３】 処理条件 エッチングレート（Å/min）レジスト除去時間（min） 実施例６ 窒素雰囲気下 ０．８ １５ 比較例３ 空気雰囲気下 ４．５ １５ 窒素中で処理することでレジスト剥離性を変化させるこ
となく、腐食性を下げることが可能になった。本発明の
趣旨に反しないものであれば良く、上記の実施例に限定
されない。[Table 3] Treatment conditions Etching rate (Å / min) Resist removal time (min) Example 6 Nitrogen atmosphere 0.8 15 Comparative Example 3 Air atmosphere 4.5 15 Treated in nitrogen to improve resist strippability It has become possible to reduce corrosivity without changing it. The invention is not limited to the above embodiment as long as it does not deviate from the gist of the invention.

【００１７】[0017]

【発明の効果】本発明により、半導体の配線材料として
銅を使用したものへ、レジスト剥離液の使用が可能とな
った。さらに、処理雰囲気を変えることでエッチングレ
ートの増減も可能になった。According to the present invention, it is possible to use a resist stripping solution for a copper wiring material using copper. Furthermore, the etching rate can be increased or decreased by changing the processing atmosphere.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大戸 秀 東京都葛飾区新宿６丁目１番１号 三菱瓦 斯化学株式会社東京研究所内 (72)発明者 池本 一人 東京都葛飾区新宿６丁目１番１号 三菱瓦 斯化学株式会社東京研究所内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA26 AA27 CA20 LA02 LA03 5F043 CC16 GG10 5F046 MA01 MA05 MA07    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Hide Oto             6-1, 1-1 Shinjuku, Katsushika-ku, Tokyo Mitsubishi tile             The Chemical Research Institute Tokyo Research Center (72) Inventor, Ikemoto alone             6-1, 1-1 Shinjuku, Katsushika-ku, Tokyo Mitsubishi tile             The Chemical Research Institute Tokyo Research Center F term (reference) 2H096 AA25 AA26 AA27 CA20 LA02                       LA03                 5F043 CC16 GG10                 5F046 MA01 MA05 MA07

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 レジスト剥離液を2％以下の酸素濃度の雰
囲気下で使用するレジスト剥離液の使用方法。1. A method of using a resist stripping solution, which comprises using the resist stripping solution in an atmosphere having an oxygen concentration of 2% or less. 【請求項２】レジスト剥離液を、2％以下の酸素濃度の
雰囲気下、且つレジスト剥離液中の溶存ガスを入れ替え
て使用するレジスト剥離液の使用方法。2. A method of using a resist stripping solution, which comprises using the resist stripping solution in an atmosphere having an oxygen concentration of 2% or less and replacing the dissolved gas in the resist stripping solution. 【請求項３】 レジスト剥離液が3％以上アンモニアまた
はアミンを含むことを特徴とする請求項1または2に記載
のレジスト剥離液の使用方法。3. The method of using the resist stripping solution according to claim 1, wherein the resist stripping solution contains 3% or more of ammonia or amine. 【請求項４】 レジスト剥離液に浸漬される基板が銅ま
たは銅合金を含むことを特徴とする請求項１〜３何れか
１項に記載のレジスト剥離液の使用方法。4. The method of using the resist stripping solution according to claim 1, wherein the substrate immersed in the resist stripping solution contains copper or a copper alloy.