JP2003140193A

JP2003140193A - 調光装置及び撮像装置

Info

Publication number: JP2003140193A
Application number: JP2001336206A
Authority: JP
Inventors: Toshiharu Yanagida; 敏治柳田; Toru Uko; 融宇高
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-11-01
Filing date: 2001-11-01
Publication date: 2003-05-14

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶光学素子の光学濃度比（コントラスト
比、ダイナミックレンジ）の更なる向上及び光学的機
能、特に光透過率の分光特性の向上を図ることができる
調光装置と、これを光路中に配して性能、画質、信頼性
の向上を実現できる撮像装置を提供すること。【解決手段】駆動用の電極を設けた対向基板間に液晶
を封入した液晶光学素子からなり、前記液晶が、ネガ型
液晶をホスト材料とするゲスト−ホスト型液晶であると
共に、前記対向基板のうちの少なくとも一方の前記電極
が、厚さ９０〜１２０ｎｍの透明導電膜によって形成さ
れている調光装置。また、この調光装置が撮像系の光路
中に配される撮像装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、入射光の光量を調
節して出射するための調光装置、及びこれを用いた撮像
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】通常、液晶光学素子（液晶セル）を用い
る調光装置には、偏光板が使用される。この液晶セルに
は、例えばＴＮ（Twisted Nematic）型液晶セルやゲス
ト−ホスト（ＧＨ（Guest Host））型液晶セルが用いら
れる。

【０００３】図１８は、従来の調光装置の動作原理を示
す概略図である。この調光装置は、主に偏光板１とＧＨ
セル２とで構成され、ＧＨセル２は、図示省略したが、
２枚のガラス基板の間に封入され、また動作電極や液晶
配向膜を有している（以下、同様）。ＧＨセル２内に
は、液晶分子３と二色性染料分子４とが封入されてい
る。

【０００４】二色性染料分子４は、光の吸収に異方性を
有し、例えば分子長軸方向の光を吸収するポジ型（ｐ
型）色素分子である。また、液晶分子３は、誘電率異方
性が正のポジ型（正型）である。

【０００５】図１８（ａ）は、電圧を印加していない
（電圧無印加）時のＧＨセル２の状態を示す。入射光５
は、偏光板１を通過することによって直線偏光にされ
る。図１８（ａ）では、この偏光方向と、二色性染料分
子４の分子長軸方向とが一致するので、入射光５は二色
性染料分子４に吸収され、ＧＨセル２の透過率が低下す
る。

【０００６】そして、図１８（ｂ）で示すように、ＧＨ
セル２に電圧印加を行なうと、液晶分子３が電解方向に
向くに伴って二色性染料分子４の分子長軸方向は、直線
偏光の偏光方向と直角になる。このため、入射光５はＧ
Ｈセル２によりほとんど吸収されずに透過する。

【０００７】なお、分子短軸方向の光を吸収するネガ型
（ｎ型）の二色性染料分子を用いる場合は、上記ポジ型
の二色性染料分子４の場合と逆になり、電圧無印加時に
は光が吸収されず、電圧印加時に光が吸収される。

【０００８】図１８に示された調光装置では、電圧印加
時と電圧無印加時との吸収度の比、即ち、光学濃度の比
が約１０である。これは、偏光板１を使用せずにＧＨセ
ル２のみで構成される調光装置に比べて約２倍の光学濃
度比を有する。

【０００９】

【発明に至る経過】本出願人は、この光学濃度比のより
一層の向上を図ることが可能な調光装置及び撮像装置
を、特願平１１−３２２１８６号において提案した。即
ち、特願平１１−３２２１８６号（以下、先願発明と称
する。）によれば、液晶素子と、この液晶素子に入射す
る光の光路中に配される偏光板とで調光装置を構成し、
更に、ネガ型液晶をホスト材料とするゲスト−ホスト型
液晶を用いるので、電圧無印加時と電圧印加時の吸収度
の比（即ち光学濃度の比）が向上し、調光装置のコント
ラスト比が大きくなり、明るい場所から暗い場所までに
おいて、調光動作を正常に行なうことを可能とする。

【００１０】図１８に示されるゲスト−ホスト型液晶セ
ル（ＧＨセル）２は、ホスト材料３として誘電率異方性
（Δε）が正のポジ型の液晶を用い、ゲスト材料４には
二色性を有する光吸収異方性（ΔＡ）が正のポジ型染料
４を用い、偏光板１がＧＨセル２の入射側に配されてい
る。このＧＨセル２について、矩形波を駆動波形として
動作電圧印加時の光透過率の変化を計測すると、図１９
に示すように、動作電圧の印加に伴って、可視光の平均
光透過率（空気中。液晶セルに加えて偏光板を足したと
きの透過率を参照（＝１００％）とした：以下、同様）
が増加するが、電圧を１０Ｖにまで上昇させても最大透
過率は６０％程度にしかならず、しかも光透過率の変化
が穏やかである。

【００１１】これは、ポジ型のホスト材料を用いる場
合、電圧無印加時に液晶セルの液晶配向膜との界面での
液晶分子の相互作用（interaction）が強いため、電圧
を印加してもダイレクタの向きが変化しない（或いは、
変化し難い）液晶分子が残ってしまうからであると考え
られる。

【００１２】これに対し、先願発明では、図２０に示す
ように、ゲスト−ホスト型液晶セル（ＧＨセル）１２に
おいて、ホスト材料１３として、誘電率異方性（Δε）
が負のネガ型の液晶であるＭｅｒｃｋ社製のＭＬＣ−６
６０８を一例として用い、ゲスト材料４には二色性を有
するポジ型染料であるＢＤＨ社製のＤ５を一例として用
いることにより、偏光板１１をＧＨセル１２の入射側に
配し、矩形波を駆動波形として動作電圧印加時の光透過
率の変化を計測したところ、図２１に示すように、動作
電圧の印加に伴って、可視光の平均光透過率（空気中）
が最大透過率約７５％から数％にまで減少し、しかも光
透過率の変化が比較的急峻となる。

【００１３】これは、ネガ型のホスト材料を用いる場
合、電圧無印加時に液晶セルの液晶配向膜との界面での
液晶分子の相互作用（interaction）が非常に弱いた
め、電圧無印加時に光が透過し易く、また電圧印加と共
に液晶分子のダイレクタの向きが変化し易くなるからで
あると考えられる。

【００１４】このようにして、ネガ型のホスト材料を用
いてＧＨセルを構成することにより、光透過率（特に透
明時）が向上し、ＧＨセルを撮像光学系中にそのまま位
置固定して使用できるコンパクトな調光装置が実現可能
となる。この場合、液晶素子への入射光の光路中に偏光
板を配することにより、電圧無印加時と電圧印加時の吸
光度の比（即ち光学濃度の比）が一層向上し、調光装置
のコントラスト比が更に大きくなり、明るい場所から暗
い場所にまでにおいて、調光動作をより正常に行うこと
ができる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】現在、上述したような
液晶セルを用いた調光装置を搭載して、高機能な撮像装
置を実現するためには、透明時と遮光時との光透過率の
差で決まる光学濃度比（コントラスト比、ダイナミック
レンジ）を充分に大きく確保し、その上で、なおかつ可
視域（４００〜７００ｎｍ）でのフラットな分光特性を
維持しながら調光動作することが切望されている。

【００１６】そこで、本発明の目的は、上述した先願発
明の特徴を生かしつつ、液晶光学素子の光学濃度比（コ
ントラスト比、ダイナミックレンジ）の更なる向上及び
光学的機能、特に光透過率の分光特性の向上を図ること
ができる調光装置と、これを光路中に配して性能、画
質、信頼性の向上を実現できる撮像装置を提供すること
にある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、駆動用
の電極を設けた対向基板間に液晶を封入した液晶光学素
子からなり、前記液晶が、ネガ型液晶をホスト材料とす
るゲスト−ホスト型液晶であると共に、前記対向基板の
うちの少なくとも一方の前記電極が、厚さ９０〜１２０
ｎｍの透明導電膜によって形成されている調光装置に係
り、また、この調光装置が撮像系の光路中に配される撮
像装置に係るものである。

【００１８】本発明の調光装置及び撮像装置によれば、
光路中に配される液晶素子をゲスト−ホスト型とし、そ
のホスト材料にネガ型（即ち、誘電率異方性（Δε）が
負）の液晶を用いているため、既述したと同様の理由か
ら、ポジ型（即ち、Δεが正）の液晶を用いる場合に比
べて光透過（特に透明）時の光透過率が大きく向上し、
光透過時（透明時）と光遮蔽時（遮光時）の光学濃度比
（コントラスト比）を高く保持しつつ、応答速度も大き
くすることができる。

【００１９】また、前記対向基板の少なくとも一方の前
記電極が、厚さ９０〜１２０ｎｍの前記透明導電膜によ
って形成されているため、フラットな分光特性を維持し
たまま良好な調光動作（変な色を呈することなしに純粋
に光量のみが変化すること）を行なうことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明者は、調光装置の性能の更
なる向上を鋭意検討したところ、透明時の光透過率を向
上させ、かつ可視域（４００〜７００ｎｍ）において出
来るだけフラットな分光特性を得るためには、ゲスト−
ホスト型液晶光学素子を構成する前記電極としての前記
透明導電膜に最適な膜厚範囲が存在することが判明し
た。

【００２１】即ち、上述したように、前記対向基板のう
ちの少なくとも一方の前記電極としての前記透明導電膜
を、厚さ９０〜１２０ｎｍと特定範囲となるように形成
することによって、可視域において、フラットな分光特
性を維持したまま良好に調光動作することが分かった。

【００２２】また、前記透明導電膜は、ＩＴＯ（Indium
-doped tin oxide：錫をドープした酸化インジウム）、
ＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide：フッ素をドープし
た酸化錫）及びＡＴＯ（Antimony-doped tin oxide：ア
ンチモンをドープした酸化錫）からなる群より選ばれた
少なくとも１種で構成されていることが望ましい。

【００２３】図１は、前記透明導電膜として、例えばＩ
ＴＯ膜を用いたときの光透過率とシート抵抗の膜厚依存
性を示すものである。

【００２４】図１より明らかなように、光透過率は、Ｉ
ＴＯ膜の膜厚によって極大値と極小値が存在し、ＩＴＯ
膜の屈折率が約２．０であることから、約１３７ｎｍの
ピッチの膜厚で光透過率の極大値が周期的に存在する。
なお、ここでは前記透明導電膜としてＩＴＯ膜を用いた
ので、膜の抵抗率が２．０×１０^-4Ω・ｃｍの場合を示
したが、この特性は膜の抵抗率が変われば変化する。

【００２５】図２は、前記透明導電膜としてのＩＴＯ膜
の膜厚を、図１による光透過率の極大値近傍の値で変化
させ（８０、９０、１００、１１５、１２０、１３０、
１５０ｎｍ）、各々の膜厚の場合についての可視域にお
ける分光特性の測定結果を示すものである。

【００２６】図２より明らかなように、ＩＴＯ膜の膜厚
が９０〜１２０ｎｍのとき、光透過率は可視域において
おおよそΔ１０％以内という好ましい値を示している。
また、このときは図１からも明らかなように、視感度の
最も強い波長５５０ｎｍ近傍における光透過率も約８３
％以上の高い値が得られている。従って、高い光透過率
を確保し、かつ可視域においてできるだけフラットな分
光特性（高い透明度）を持たせるためには、前記対向基
板の少なくとも一方の前記電極としての前記透明導電膜
の膜厚を９０〜１２０ｎｍの特定範囲で形成することが
適当であることが判明した。

【００２７】本発明に基づく調光装置及び撮像装置は、
前記電極としての前記透明導電膜上に、厚さ４０〜９０
ｎｍの液晶配向膜が形成されていることが望ましく、ま
た、この液晶配向膜は、垂直液晶配向膜であることが好
ましい。

【００２８】図３は、厚さ１００ｎｍで形成した前記透
明導電膜上に、前記垂直液晶配向膜を３０〜１００ｎｍ
の膜厚で変化させて形成した場合の２層膜の分光特性を
示すものである。

【００２９】図３より明らかなように、前記垂直液晶配
向膜の膜厚が４０〜９０ｎｍの範囲内にあるとき、光透
過率がおおよそΔ４％以内という好ましい結果を示して
いる。従って、可視域で、よりフラットな分光特性を有
するＧＨセルを作製するためには、前述した膜厚９０〜
１２０ｎｍの特定範囲に形成された前記透明導電膜とし
ての例えばＩＴＯ膜上に、前記液晶配向膜を膜厚４０〜
９０ｎｍの範囲で形成することが好ましい。

【００３０】また、前記液晶配向膜が垂直配向膜である
と共に、液晶分子のプレチルト角（前記基板に対して液
晶分子ダイレクタのなす角度）が８５°〜８９°となる
ように液晶配向処理が施されていることが望ましい。

【００３１】前記液晶分子のプレチルト角が８５°〜８
９°と特定範囲となるように液晶配向処理を施すことに
よって、過渡応答速度をより大きくしつつ、光学濃度比
をより一層大きく保持することを確実に実現することが
できる。なお、本明細書において「プレチルト角」と
は、基板面に対して液晶分子のダイレクタのなす角度と
定義する。

【００３２】即ち、まず、図４に示すように、ＧＨセル
の過渡応答時間は、液晶分子のプレチルト角に依存し、
駆動電圧の立上がり時（透明→遮光状態）の応答時間
は、プレチルト角が小さい程短く、高速に応答する（８
７°近傍を境に変化率が大きくなっている。）が、駆動
電圧の立下がり時（遮光→透明状態）の応答時間は、立
上がり時とは逆に、プレチルト角が大きい程短く、高速
に応答することが分かった。

【００３３】また、図５には、ＧＨセルの光透過率と液
晶分子のプレチルト角との関係と共に、透明時と遮光時
の光透過率から換算したダイナミックレンジの値も並記
したが、光透過率は、プレチルト角の減少と共に低下し
（透明時の変化の方が比較的大きい。）、ダイナミック
レンジの値は、８７°近傍をピークにして、プレチルト
角が小さい程低下している。

【００３４】これらの結果から、ネガ型のホスト材料を
用いたＧＨセルにより調光装置を作製する場合には、液
晶分子のプレチルト角の違いが、液晶光学素子の過渡応
答速度、光透過率、そのダイナミックレンジ等の基本特
性を大きく左右し、両立の難しい各々の特性をある程度
満足させて両立させるためには、プレチルト角が特定の
範囲となるようにＧＨセルを作製することが好ましいこ
とを知見するに至った。

【００３５】特に、液晶素子を用いて実用的に有利な調
光装置を実現するためには、透明時の光透過率とダイナ
ミックレンジを充分に確保し、過渡応答速度もできるだ
け低下させないことが必要であるため、ＧＨセルの液晶
分子のプレチルト角は、８５°〜８９°に制御すること
が好ましいことを突き止めた。

【００３６】即ち、液晶分子のプレチルト角が８５°未
満であると、立上がり時（透明→遮光状態）の過渡応答
速度は大きくなるものの、光透過率のダイナミックレン
ジ（光学濃度比、コントラスト比）が大きく低下してし
まい、また立下がり時（遮光→透明状態）の過渡応答速
度の低下が目立つようになる。逆に、液晶分子のプレチ
ルト角が８９°を超えると、光透過率のダイナミックレ
ンジ（光学濃度比、コントラスト比）は比較的大きく確
保でき、また立下がり時（遮光→透明状態）の過渡応答
速度も比較的大きくなるものの、立ち上がり時（透明→
遮光状態）の過渡応答速度の低下が顕著になる。

【００３７】従って、基板面に対する液晶ダイレクタの
なす角度である液晶分子のプレチルト角は、８５°〜８
９°（基板法線方向から見て１°〜５°に相当）とする
ことが望ましい。このプレチルト角は更に、８６°〜８
８°とするのが望ましく、８７°又はその近傍が一層望
ましい。

【００３８】前記液晶配向膜の液晶配向処理は、一般的
なラビング法であってよく、またこれに限らず、本発明
の好ましいとする所定のプレチルト角を実現することが
できる垂直配向処理であればよく、例えば偏光紫外線に
よる光配向法や斜方蒸着法等も適用可能である。

【００３９】また、本発明において、図６に示すよう
に、液晶素子の透明時と遮光時との光学濃度比は、ＧＨ
セルを構成する２枚の基板間の距離（セルギャップ）に
よって影響を受けることも分った。

【００４０】即ち、セルギャップが大きい程、換言すれ
ば液晶層の厚みが厚い程、透明時と遮光時との光透過率
の差が大きくなり、光学濃度比は大きく取れるものの、
ホスト材料にネガ型液晶を使うことの利点である透明時
の光透過率が低下してしまう。

【００４１】また、図７に示すように、セルギャップが
変わると、ＧＨセルによる調光装置としての応答速度も
大きく変化し、セルギャップが大きくなって液晶層が厚
くなると、応答速度は低下してしまうことも判明した。

【００４２】これらのことから、ゲスト−ホスト型液晶
を用いて調光装置を作製する場合には、透明時の光透過
率、遮光時の光透過率、液晶素子の応答時間といった、
両立の難しい各々の特性を満足させるためのセルギャッ
プの範囲が存在し、液晶素子を用いて実用的に有利な調
光装置を実現するためには、応答速度を低下させずに充
分な光学濃度比を確保する必要があり、ＧＨセルにおい
て液晶を封入する基板間の間隙（セルギャップ）を少な
くとも有効光路内において２μｍ以上、４μｍ以下に制
御するのが望ましい。

【００４３】換言すれば、セルギャップが２μｍ未満で
あると、調光装置としての応答速度は大きくなり、また
透明時の光透過率が向上するものの、遮光時の光透過率
も大きく上昇してしまい、結果として光学濃度比（コン
トラスト比）が確保し難くなる。逆に、セルギャップが
４μｍを超えると、光学濃度比が大きく確保できるもの
の、透明時の光透過率が低下し、また調光装置としての
応答速度が大きく悪化してしまい、特に中間調において
光透過率をわずかに変化させるような駆動を行なうと、
著しく遅くなってしまうのである（図７の駆動ａ）。図
７では、駆動ｂ、ｃ、ｄのように透明時から遮光時へ例
えば０Ｖ→５Ｖへ切換える場合に比べ、駆動ａのように
例えば２Ｖ→３Ｖへと中間調が出るように電圧を変化さ
せた場合には、電圧不足により応答速度が遅くなり、セ
ルギャップの大きさによる影響を大きく受け易い。

【００４４】図６及び図７から、上記のセルギャップを
２〜４μｍとするのが望ましく、２〜３．５μｍとする
のが更によく、２〜約３μｍとすることが一層望まし
い。

【００４５】本発明に基づく調光装置及び撮像装置は、
前記駆動用の電極を設けた前記対向基板のうちの一方の
基板に前記電極の引き出し部がそれぞれ設けられている
ことが好ましい。

【００４６】また、前記対向基板のうちの他方の基板の
前記電極が有効光路外に延設され、前記一方の基板に設
けられた前記電極引き出し部に電気的に接続されている
ことが好ましく、更には、前記一方及び他方の基板間が
液晶セル周辺部にて、シール材で封止されており、この
シール材の外側で前記他方の基板の前記電極と前記一方
の基板の前記電極引き出し部が接続されていることが好
ましい。

【００４７】これによれば、前記一方の基板側に、前記
電極引き出し部を設ければよいので、例えばＧＨセル
と、これを駆動する電気回路との接続をよりコンパクト
にまとめることができる。

【００４８】なお、本発明に基づく調光装置及び撮像装
置においては、前記液晶光学素子の前記ネガ型液晶の誘
電率異方性は負であるが、前記ゲスト材料は、ポジ型又
はネガ型の二色性染料分子からなっていてよい。

【００４９】本発明に基づく調光装置は、例えば、図８
及び図１１（ａ）に示すＧＨセル１２からなる。このＧ
Ｈセル１２は、前記透明導電膜によって形成されている
透明電極３２ａ、３２ｂと配向膜３３ａ、３３ｂをそれ
ぞれ形成した２枚のガラス基板３１ａ、３１ｂの間に、
ネガ型の液晶分子（ホスト材料）１３とポジ型又はネガ
型の二色性染料分子（ゲスト材料）４との混合物３４が
封入されている。ここで、他方のガラス基板３１ｂのサ
イズは、一方のガラス基板３１ａよりも若干小さい寸法
で設計されており、さらに、一方のガラス基板３１ａ及
び他方のガラス基板３１ｂ間がシール材３５で封止され
ている。

【００５０】液晶分子１３には、誘電率異方性が負の公
知のネガ型液晶である例えばＭｅｒｃｋ社製のＭＬＣ−
６６０８を用い、また二色性染料分子４には、光の吸収
に異方性を有し、例えば分子長軸方向の光を吸収する公
知のポジ型又はネガ型染料である例えばＢＤＨ社製のＤ
５を用いる。これらは、公知の材料から適宜選択するこ
とができる。

【００５１】図９（Ａ）は、本発明に基づく調光装置
（液晶光学素子：ＧＨセル１２）を構成する前記対向基
板のうち、一方の基板３１ａの概略断面図である。ま
た、図９（Ｂ）は、本発明に基づく調光装置（液晶光学
素子：ＧＨセル１２）を構成する前記対向基板のうち、
他方の基板３１ｂの概略平面図である。

【００５２】図９（Ａ）に示すように、一方の基板３１
ａは、前記透明導電膜としてのＩＴＯ電極（透明電極）
３２ａ及び配向膜３３ａを有しており、また、一方の基
板３１ａには、各透明電極の引き出し部２１がそれぞれ
設けられている。

【００５３】図９（Ｂ）に示すように、他方の基板３１
ｂは、前記透明導電膜としてのＩＴＯ電極（透明電極）
３２ｂ及び配向膜３３ｂを有し、また、ＩＴＯ電極３２
ｂは有効光路２０外に延設されている。

【００５４】図８は、本発明に基づく調光装置（液晶光
学素子）のＧＨセル１２の概略平面図である。図１０
は、図８のＸ−Ｘ線断面図である。

【００５５】図８及び図１０に示すように、ＧＨセル１
２は、他方の基板３１ｂの有効光路２０外に延設された
ＩＴＯ電極３２ｂが、一方の基板３１ａに設けられた電
極引き出し部２１に電気的に接続されており、また、一
方の基板３１ａ及び他方の基板３１ｂ間が液晶セル周辺
部２４にて、シール材３５で封止されている。具体的に
は、このシール材３５の外側で他方の基板３１ｂのＩＴ
Ｏ電極３２ｂと、一方の基板３１ａの電極引出し部２１
とが、例えばカーボンペースト２６のような導電材料に
よって接続されており、ＧＨセル１２の有効光路２０外
で基板間の導通を取れるように形成されている。ここ
で、カーボンペースト２６からなる導通部を一般にコモ
ン電極と称する。

【００５６】こうしたＧＨセル１２において、上記した
如きセルギャップを形成する上で、図１１に示すよう
に、対向基板間にスペーサー３６、３７が配され、シー
ル材３５で液晶セル周辺部が封止されており、シール材
３５が、スペーサー３６、３７より径大に形成されてい
るか、或いはボール状又はファイバー状等の硬質材料を
含有しているのがよい。

【００５７】上述した液晶光学素子からなる本発明に基
づく調光装置は、例えば図１２に示すように、ズームレ
ンズのように複数のレンズで構成されるレンズ前群１５
とレンズ後群１６との間に配置される。レンズ前群１５
を透過した光は、偏光板１１を介して直線偏光された
後、ＧＨセル１２に入射する。ＧＨセル１２を透過した
光は、レンズ後群１６で集光され、撮像面１７に映像と
して映し出される。

【００５８】この調光装置２３を構成する偏光板１１
は、本出願人による上述した先願発明と同様に、ＧＨセ
ル１２に入射する光の有効光路に対して出し入れ可能で
ある。具体的には、偏光板１１を仮想線で示す位置に移
動させることにより、光の有効光路の外へ出すことがで
きる。この偏光板１１を出し入れする手段として、図１
３に示すような機械式アイリスが用いられてもよい。

【００５９】この機械式アイリスは、一般にデジタルス
チルカメラやビデオカメラ等に用いられる機械式絞り装
置であり、主として２枚のアイリス羽根１８、１９と、
アイリス羽根１８に貼付された偏光板１１とからなる。
アイリス羽根１８、１９は、上下方向に移動させること
ができる。矢印２７で示される方向に、図示せぬ駆動モ
ーターを用いてアイリス羽根１８、１９を相対的に移動
させる。

【００６０】これにより、図１３に示すように、アイリ
ス羽根１８、１９は部分的に重ねられ、この重なりが大
きくなると、アイリス羽根１８、１９の中央付近に位置
する有効光路２０上の開口部２２が、偏光板１１により
覆われる。

【００６１】図１４は、有効光路２０付近の機械式アイ
リスの部分拡大図である。アイリス羽根１８が下方に移
動すると同時に、アイリス羽根１９が上方に移動する。
これに伴って、図１４（ａ）に示すように、アイリス羽
根１８に貼付された偏光板１１も有効光路２０の外へと
移動する。逆に、アイリス羽根１８を上方に、またアイ
リス羽根１９を下方に移動させることにより、互いのア
イリス羽根１８、１９が重なる。これに従って、図１４
（ｂ）に示すように、偏光板１１は有効光路２０上に移
動し、開口部２２を次第に覆う。アイリス羽根１８、１
９の互いの重なりが大きくなると、図１４（ｃ）に示す
ように、偏光板１１は開口部２０を全て覆う。

【００６２】次に、この機械式アイリスを用いた調光装
置２３の調光動作に付いて説明する。

【００６３】図示せぬ被写体が明るくなるにつれて、図
１４（ａ）に示したように、上下方向に開いていたアイ
リス羽根１８、１９は、図示せぬモーターにより駆動さ
れ、重なり始める。これによって、アイリス羽根１８に
貼付されている偏光板１１は、有効光路２０上に入り始
め、開口部２２の一部を覆う（図１４（ｂ））。

【００６４】この時、ＧＨセル１２は光を吸収しない状
態にある（なお、熱的揺らぎ、又は表面反射等のため、
ＧＨセル１２による若干の吸収はある。）。このため、
偏光板１１を通過した光と開口部２２を通過した光は、
ほぼ強度分布が同等となる。

【００６５】その後、偏光板１１は、完全に開口部２２
を覆った状態になる（図１４（ｃ））。さらに、被写体
の明るさが増す場合は、ＧＨセル１２への電圧を上昇
し、ＧＨセル１２で光を吸収することにより調光を行な
う。

【００６６】これとは逆に、被写体が暗くなる場合は、
まず、ＧＨセル１２への電圧を減少又は無印加とするこ
とにより、ＧＨセル１２による光の吸収効果を無くす
る。さらに被写体が暗くなった場合は、図示せぬモータ
ーを駆動することにより、アイリス羽根１８を下方へ、
またアイリス羽根１９を上方へ移動させる。こうして、
偏光板１１を有効光路２０の外へ移動させる（図１４
（ａ））。

【００６７】また、図１２〜図１４に示したように、偏
光板１１（透過率例えば４０％〜５０％）を光の有効光
路２０から外に出すことができるので、偏光板１１に光
が吸収されない。従って、調光装置の最大透過率を例え
ば２倍以上に高めることができる。具体的には、この調
光装置を、従来の固定されて設置される偏光板及びＧＨ
セルからなる調光装置と比較すると、最大透過率は例え
ば約２倍になる。なお、最低透過率は両者で等しい。

【００６８】また、デジタルスチルカメラ等に実用化さ
れている機械式アイリスを用いて、偏光板１１で仕入れ
が行なわれるので、調光装置は容易に実現可能となる。
また、ＧＨセル１２を用いるので、偏光板１１による調
光に加えて、ＧＨセル１２自体が光を吸収することによ
り、調光を行なうことができる。

【００６９】このようにして、この調光装置は、明、暗
のコントラスト比を高めると共に、光量分布をほぼ均一
に保つことができるものとなる。

【００７０】

【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を図面参照下
に説明する。

【００７１】実施例１まず、ゲスト-ホスト型液晶（ＧＨ）セルを用いる調光
装置の一例を説明する。

【００７２】この調光装置は、図１２に示すように、Ｇ
Ｈセル１２と偏光板１１とからなる。そして、ＧＨセル
１２は、図１１に概略的に断面を示すように、前記透明
導電膜によって形成されている透明電極３２ａ、３２ｂ
と配向膜３３ａ、３３ｂをそれぞれ形成した２枚のガラ
ス基板３１ａ、３１ｂの間に、ネガ型の液晶分子（ホス
ト材料）１３とポジ型の二色性染料分子（ゲスト材料）
４との混合物３４が封入されている。

【００７３】液晶分子１３には、例えば誘電率異方性が
負のネガ型液晶であるＭｅｒｃｋ社製のＭＬＣ−６６０
８を一例として用い、また二色性染料分子４には、光の
吸収に異方性を有し、例えば分子長軸方向の光を吸収す
るポジ型染料であるＢＤＨ社製のＤ５を一例として用い
た。偏光板１１の光吸収軸は、ＧＨセル１２に電圧を印
加した時の光吸収軸と直交させた。

【００７４】このＧＨセル１２からなる調光装置２３
は、例えば図１２に示したように、ズームレンズのよう
に複数のレンズで構成されるレンズ前群１５とレンズ後
群１６との間に配置された。レンズ前群１５を透過した
光は、偏光板１１を介して直線偏光された後、ＧＨセル
１２に入射する。ＧＨセル１２を透過した光は、レンズ
後群１６で集光され、撮像面１７に映像として映し出さ
れる。

【００７５】そして、この調光装置２３を構成する偏光
板１１は、本出願人による上述した先願発明と同様に、
ＧＨセル１２に入射する光の有効光路に対して出し入れ
可能である。具体的には、偏光板１１を仮想線で示す位
置に移動させることにより、光の有効光路の外へ出すこ
とができる。この偏光板１１を出し入れする手段とし
て、図１３に示した機械式アイリスが用いられてもよ
い。

【００７６】ここで、ＧＨセル１２を製造する方法を述
べると、図８及び図１１に示すように、一例として０．
５ｍｍ厚の２枚のガラス基板３１ａ、３１ｂの双方の表
面に、透明電極パターン３２ａ、３２ｂとしての厚さ１
００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法で成膜し、エッ
チングによりパターン形成した後、厚さ７０ｎｍの垂直
配向膜３３ａ、３３ｂパターンとしてのポリイミドをオ
フセット印刷で形成した。

【００７７】次に、こうして形成した液晶配向膜３３
ａ、３３ｂの表面に対して、液晶分子のプレチルト角が
８７°となるように設定した条件でラビング処理を施し
た。また、ガラス基板３１ａには前記の各透明電極の引
き出し部２１をそれぞれ設け、かつガラス基板３１ｂの
前記透明電極は有効光路２０外に延設した。

【００７８】そして、一方のガラス基板のセル周辺部２
４に、一例として直径４．０μｍのガラスファイバーを
含有した熱硬化性エポキシ樹脂からなる封止（シール）
材３５を所定の幅で塗布した後、他方の基板上に一例と
して直径４．０μｍのプラスチックボール３６を均一に
散布した後、２枚のガラス基板３１ａ、３１ｂを位置合
わせして重ねてから、熱プレス板により適度な条件（例
えば１５０〜１７０℃、１〜２ｋｇ／ｃｍ²：以下、同
様）で圧力を加えながら加熱処理することにより、セル
周辺部２４のシール材３５を硬化させ、基板の貼り合わ
せを完了させた。

【００７９】ここで、上記のプラスチックボール３６
は、一般的な手法（ウェット散布又はドライ散布）を用
いて、基板の上方から散布し、概ね１００〜５００個／
ｍｍ²の密度で、基板全面にほぼ均一に配置されてい
た。

【００８０】なお、セル周辺部２４に設けたシール材３
５の外側で、ガラス基板３１ｂの透明電極３２ｂと、ガ
ラス基板３１ａの電極引き出し部２１とを電気的に接続
させるために、図８に示すように、これらの間にカーボ
ンペースト２６を滴下し、セルの有効光路２０外で基板
間の導通を取る形状、即ちコモン電極を形成した。但
し、前記コモン電極は、カーボンペースト２６に限られ
ることはなく、導電性粒子を含有するペーストから適宜
選択してよい。

【００８１】この貼り合わせ基板を個片化（スクライブ
＆ブレイク）して得られた空セルに、ネガ型の液晶分子
（ホスト材料）１３とポジ型の二色性染料分子（ゲスト
材料）４とからなる液晶材料３４を封入して出来上がっ
たＧＨセル１２に、矩形波を駆動波形として入力し、動
作電圧印加時の光透過率の変化を計測したところ（図２
０）、図２１に示すように、動作電圧の印加に伴って、
可視光の平均光透過率（空気中）が最大透過率約７５％
から数％にまで減少した。用いる液晶セル構造や構成材
料によっても異なるが、ＧＨセル１２は、±５Ｖ（１ｋ
Ｈｚ）以上のパルス電圧印加で、ほぼ最小透過率に達し
た。

【００８２】また、駆動パルスを変化させた時の光透過
率の過渡応答時間も、パルス電圧変調、パルス幅変調共
に３０ｍｓ以下の高速動作が可能であった。

【００８３】その結果、液晶セルの透明時と遮光時の光
透過率の差（光学濃度比）を充分に確保しながら、フラ
ットな分光特性を維持したまま良好に調光動作（変な色
が付かず、純粋に光量のみを変化）し、かつ調光装置と
して高速に過渡応答動作することが可能となった（図１
５）。

【００８４】実施例２本実施例は、液晶（ＧＨ）セル１２の作製において、
０．５ｍｍ厚の２枚のガラス基板３１ａ、３１ｂを用
い、その両基板に前記透明導電膜によって形成されてい
る透明電極パターン３２ａ、３２ｂとしての厚さ１００
ｎｍのＩＴＯ膜をイオンプレーティング法で成膜し、エ
ッチングによりパターン形成した後、厚さ７０ｎｍの垂
直配向膜３３ａ、３３ｂパターンとしてのポリイミドを
オフセット印刷で形成した。

【００８５】次に、こうして形成した液晶配向膜３３
ａ、３３ｂの表面に対して、液晶分子のプレチルト角が
８７°となるように設定した条件でラビング処理を施し
た。また、ガラス基板３１ａには前記の各透明電極の引
き出し部２１をそれぞれ設け、かつガラス基板３１ｂの
前記透明電極は有効光路２０外に延設した。

【００８６】そして、一方のガラス基板のセル周辺部２
４に、一例として直径２．５μｍのガラスファイバーを
含有した熱硬化性エポキシ樹脂からなる封止（シール）
材３５を所定の幅で塗布した後、他方の基板上に一例と
して直径２．５μｍのプラスチックボール３６を均一に
散布した後、２枚のガラス基板３１ａ、３１ｂを位置合
わせして重ねてから、熱プレス板により適度な条件で圧
力を加えながら加熱処理することにより、セル周辺部２
４のシール材３５を硬化させ、基板の貼り合わせを完了
させた。

【００８７】ここで、上記のプラスチックボール３６
は、一般的な手法（ウェット散布又はドライ散布）を用
いて、基板の上方から散布し、概ね１００〜５００個／
ｍｍ²の密度で、基板全面にほぼ均一に配置されてい
た。

【００８８】なお、セル周辺部２４に設けたシール材３
５の外側で、ガラス基板３１ｂの透明電極３２ｂと、ガ
ラス基板３１ａの電極引き出し部２１とを電気的に接続
させるために、図８に示すように、これらの間にカーボ
ンペースト２６を滴下し、セルの有効光路２０外で基板
間の導通を取る形状、即ちコモン電極を形成した。

【００８９】この貼り合わせ基板を個片化（スクライブ
＆ブレイク）して得られた空セルに、ネガ型の液晶分子
（ホスト材料）１３とポジ型の二色性染料分子（ゲスト
材料）４とからなる液晶材料３４を封入して出来上がっ
たＧＨセル１２に、矩形波を駆動波形として入力し、動
作電圧印加時の光透過率の変化を計測したところ（図２
０）、図２１に示すように、動作電圧の印加に伴って、
可視光の平均光透過率（空気中）が最大透過率約７５％
から数％にまで減少した。

【００９０】また、駆動パルスを変化させた時の光透過
率の過渡応答時間も、パルス電圧変調、パルス幅変調共
に１５ｍｓ以下となり、実施例１以上の高速動作が可能
であった。これは、実施例１に比べて、ＧＨセル１２が
狭ギャップ（約４．０μｍ→約２．５μｍ）のためであ
る。

【００９１】さらに、透明電極３２ａ、３２ｂとしての
ＩＴＯ膜をイオンプレーティング（活性化蒸着）法によ
って形成しているため、キャリア密度の大きな膜によっ
て、より低抵抗な配線が形成できている。

【００９２】その結果、本実施例においても、液晶セル
の透明時と遮光時の光透過率の差（光学濃度比）を充分
に確保しながら、フラットな分光特性を維持したまま良
好に調光動作（変な色が付かず、純粋に光量のみを変
化）し、かつ調光装置として高速に過渡応答動作するこ
とが可能となった（図１５）。

【００９３】なお、実施例１及び２では、スペーサーの
配設法として、上方から噴霧する例を示したが、より均
一に配設することを狙って、スクリーン印刷法を使って
形成することもできる。スペーサーの形状も図１１
（ｂ）に示した球状のものに限らず、図１１（ｃ）に示
すように、柱状のスペーサー３７を印刷やリソグラフィ
ー等で形成することも可能である。

【００９４】実施例３図１６は、上記実施例による調光装置２３をＣＣＤ（Ch
arge coupled device）カメラに組み込んだ例を示すも
のである。

【００９５】即ち、ＣＣＤカメラ５０において、一点鎖
線で示す光軸に沿って、前記のレンズ前群１５に相当す
る１群レンズ５１及び２群レンズ（ズーム用）５２、前
記のレンズ後群１６に相当する３群レンズ５３及び４群
レンズ（フォーカス用）５４、ＣＣＤパッケージ５５が
適宜の間隔をおいてこの順に配設されており、ＣＣＤパ
ッケージ５５には赤外カットフィルタ５５ａ、光学ロー
パスフィルタ系５５ｂ、ＣＣＤ撮像素子５５ｃが収納さ
れている。

【００９６】２群レンズ５２と３群レンズ５３との間に
は、３群レンズ５３寄りに、上述した本発明に基づくＧ
Ｈセル１２と偏光板１１からなる調光装置２３が光量調
節（光量絞り）のために同じ光路上に取付けられてい
る。なお、フォーカス用の４群レンズ５４は、リニアモ
ータ５７により光路に沿って３群レンズ５３とＣＣＤパ
ッケージ５５との間を移動可能に配設され、またズーム
用の２群レンズ５２は、光路に沿って１群レンズ５１と
調光装置２３との間を移動可能に配設されている。

【００９７】図１７には、このカメラシステムにおける
調光装置２３による光透過率制御のシーケンスのアルゴ
リズムを示す。

【００９８】この実施例によると、２群レンズ５２と３
群レンズ５３の間に本発明に基づく調光装置２３が設け
られているので、上述したように電界の印加によって光
量を調節でき、システムを小型化でき、実質的に光路の
有効範囲の大きさまで小型化できる。したがって、ＣＣ
Ｄカメラの小型化を達成することが可能である。また、
パターン化された電極への印加電圧の大きさによって光
量を適切に制御できるので、従来のような回析現象を防
止し、撮像素子へ十分な光量を入射させ、像のぼやけを
なくすことができる。

【００９９】以上、本発明を実施の形態及び実施例につ
いて説明したが、上述の例は、本発明の技術的思想に基
づき種々に変更が可能である。

【０１００】即ち、前記対向基板のうちの少なくとも一
方の前記電極が、厚さ９０〜１２０ｎｍの前記透明導電
膜によって形成されており、前記透明導電膜上に、厚さ
４０〜９０ｎｍの前記液晶配向膜が形成されていること
が望ましい。

【０１０１】また、前記透明導電膜としてＩＴＯ膜を用
いる例を挙げたが、前記透明導電膜は、ＩＴＯ、ＦＴＯ
及びＡＴＯのうちの少なくとも１種からなる材料で構成
されてよい。

【０１０２】また、前記透明導電膜の成膜方法として、
スパッタリング法及びイオンプレーティング法によって
成膜し、次いで、エッチングによりパターン形成する例
を挙げたが、成膜方法は特に限定されず、ベタ付け、パ
ターン化ベタ付け、マトリクス等でもよい。

【０１０３】前述した液晶素子や偏光板の構造や材質、
その駆動機構、駆動回路や制御回路の構成等は、種々に
変更が可能である。また、駆動波形は、矩形波、台形
波、三角波、正弦波のいずれでも駆動可能であり、液晶
セルを構成する２枚の電極間の電位差に応じて液晶の傾
きが変化し、光透過率が制御される。従って、通常はこ
の波高値により透過率制御を行なう。上述の実施例で
は、液晶セルの駆動法に主にパルス電圧変調（ＰＨＭ）
を用いた例を示したが、パルス幅変調（ＰＷＭ）で駆動
する場合にも適用できる。

【０１０４】前記液晶分子のプレチルト角（前記基板に
対して液晶分子のダイレクタのなす角度）は、８５°〜
８９°の範囲で変化させてよく、特に８６°〜８８°、
特に８７°又はその近傍とするのがよい。

【０１０５】また、上述したＧＨセルのセルギャップは
少なくとも前記有効光路において２〜４μｍの範囲で変
化させてよく、特に２〜３．５μｍ、特に２〜３μｍ前
後とするのがよい。また、前記セル周辺部のセルギャッ
プも２〜４μｍとしてよいが、３．５〜４μｍとするの
がよく、或いは４μｍを超えてもよい場合がある。

【０１０６】本発明に基づく調光装置を構成する液晶光
学素子として透過型液晶光学素子を例示したが、この他
にも反射型の液晶光学素子として構成してもよい。

【０１０７】また、ＧＨセルとして、上述したもの以外
に、２層構造等のＧＨセルも使用可能である。偏光板１
１のＧＨセル１２に対する位置は、レンズ前群１５とレ
ンズ後群１６との間としたが、この配置に限らず、撮像
レンズの設定条件から最適となる位置に配置されればよ
い。即ち、位相差フィルム等の偏光状態が変化する光学
素子を用いない限り、偏光板１１は、例えば撮像面１７
とレンズ後群１６との間等、被写体側又は撮像素子側の
任意の位置に置くことができる。さらにまた、偏光板１
１は、レンズ前群１５又はレンズ後群１６に代わる単一
のレンズ（単レンズ）の前又は後に配置されてもよい。

【０１０８】また、アイリス羽根１８、１９は２枚に限
られず、より多くの枚数を用いることにしてもよいし、
逆に１枚でもよい。また、アイリス羽根１８、１９は、
上下方向に移動することにより重ねられるが、他の方向
に移動してもよく、周囲から中央に向けて絞り込むこと
にしてもよい。

【０１０９】また、偏光板１１は、アイリス羽根１８に
貼付されているが、アイリス羽根１９の方に貼付されて
もよい。

【０１１０】また、被写体が明るくなるにつれて、先に
偏光板１１の出し入れによる調光を行なった後、ＧＨセ
ル１２による光の吸収を行なったが、逆に、先にＧＨセ
ル１２の透過率が所定の値まで低下した後に、偏光板１
１を出し入れしてもよい。

【０１１１】また、偏光板１１を有効光路２０から出し
入れする手段として、機械式アイリスを用いたが、これ
に限られない。例えば、偏光板１１が貼付されたフィル
ムを駆動モーターに直接配置することにより、偏光板１
１を出し入れしてもよい。

【０１１２】また、上記の例では偏光板１１を有効光路
２０に対して出し入れしたが、有効光路中に位置固定す
ることも勿論可能である。

【０１１３】また、本発明に基づく調光装置は、公知の
他のフィルター材（例えば、有機系のエレクトロクロミ
ック材、液晶、エレクトロルミネッセンス材等）と組み
合わせて用いることも可能である。

【０１１４】さらに、本発明に基づく調光装置は、既述
したＣＣＤカメラ等の撮像装置の光学絞り以外にも、各
種光学系、例えば、電子写真複写機や光通信機器等の光
量調節用としても広く適用が可能である。

【０１１５】また、撮像デバイスとしては、本実施例で
使用したＣＣＤ（Charge Coupled Device）以外にも、
ＣＭＯＳイメージセンサー等への適用も勿論可能であ
る。

【０１１６】さらに、本発明に基づく調光装置は、光学
フィルター以外に、キャラクターやイメージ等を表示す
る各種の画像表示素子に適用することができる。

【０１１７】

【発明の効果】本発明の調光装置及び撮像装置によれ
ば、光路中に配される液晶素子をゲスト−ホスト型と
し、そのホスト材料にネガ型（即ち、誘電率異方性（Δ
ε）が負）の液晶を用いているため、既述したと同様の
理由から、ポジ型（即ち、Δεが正）の液晶を用いる場
合に比べて光透過（特に透明）時の光透過率が大きく向
上し、光透過時（透明時）と光遮蔽時（遮光時）の光学
濃度比（コントラスト比）を高く保持しつつ、応答速度
も大きくすることができる。

【０１１８】また、前記対向基板のうちの少なくとも一
方の前記電極が、厚さ９０〜１２０ｎｍの前記透明導電
膜によって形成されているため、フラットな分光特性を
維持したまま良好な調光動作（変な色を呈することなし
に純粋に光量のみが変化すること）を行なうことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態による、ＩＴＯ膜厚に対す
る光透過率とシート抵抗の変化を示すグラフである。

【図２】同、ＩＴＯ膜厚による分光特性の違いを示すグ
ラフである。

【図３】同、ＩＴＯ膜上の液晶配向膜の膜厚による分光
特性の違いを示すグラフである。

【図４】同、調光装置の液晶光学素子における液晶分子
のプレチルト角と応答時間との関係を示すグラフであ
る。

【図５】同、液晶光学素子における液晶分子のプレチル
ト角と光透過率及びダイナミックレンジとの関係を示す
グラフである。

【図６】同、液晶光学素子のセルギャップと光透過率と
の関係を示すグラフである。

【図７】同、液晶光学素子のセルギャップと応答時間と
の関係を駆動条件に応じて比較して示すグラフである。

【図８】同、液晶光学素子のセルの概略平面図である。

【図９】同、各基板の概略平面図である。

【図１０】同、液晶光学素子のセルの一部拡大概略断面
図である。

【図１１】同、液晶光学素子のセルの各例の概略断面図
である。

【図１２】同、液晶光学素子を用いた調光装置の概略断
面図である。

【図１３】同、調光装置の機械式アイリスの正面図であ
る。

【図１４】同、調光装置の有効光路付近の機械式アイリ
スの動作を示す概略部分拡大図である。

【図１５】同、調光装置の調光動作を示す図である。

【図１６】同、調光装置を組み込んだカメラシステムの
概略断面図である。

【図１７】同、カメラシステムにおける光透過率制御の
アルゴリズムである。

【図１８】従来の調光装置の動作原理を示す概略図であ
る。

【図１９】同、調光装置の液晶光学素子の光透過率と駆
動印加電圧との関係を示すグラフである。

【図２０】先願発明（特願平１１−３２２１８６号）の
調光装置の動作原理を示す概略図である。

【図２１】同、調光装置の液晶光学素子の光透過率と駆
動印加電圧との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１、１１…偏光板、２、１２…ＧＨセル、３…ポジ型液
晶、４…ポジ型染料分子、５…入射光、１３…ネガ型液
晶、１５、１６…レンズ群、１７…撮像面、１８、１９
…アイリス羽根、２０…有効光路、２３…調光装置、２
４…セル周辺部、３１ａ、３１ｂ…基板、３２ａ、３２
ｂ…透明電極、３３ａ、３３ｂ…配向膜、３４…液晶材
料（混合物）、３５…封止（シール）材、３６…球状ス
ペーサー、３７…柱状スペーサー、５０…ＣＣＤカメ
ラ、５１…１群レンズ、５２…２群レンズ、５３…３群
レンズ、５４…４群レンズ、５５…ＣＣＤパッケージ、
５６…リニアモータ

フロントページの続きＦターム(参考） 2H088 GA13 HA02 HA03 MA02 2H090 LA01 MA01 MA11 2H092 HA03 HA04 NA01 PA02 QA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】駆動用の電極を設けた対向基板間に液晶
を封入した液晶光学素子からなり、前記液晶が、ネガ型
液晶をホスト材料とするゲスト−ホスト型液晶であると
共に、前記対向基板のうちの少なくとも一方の前記電極
が、厚さ９０〜１２０ｎｍの透明導電膜によって形成さ
れている調光装置。
【請求項２】前記透明導電膜上に、厚さ４０〜９０ｎ
ｍの液晶配向膜が形成されている、請求項１に記載した
調光装置。
【請求項３】前記透明導電膜が、ＩＴＯ（Indium-dop
ed tin oxide：錫をドープした酸化インジウム）、ＦＴ
Ｏ（Fluorine-doped tin oxide：フッ素をドープした酸
化錫）及びＡＴＯ（Antimony-doped tin oxide：アンチ
モンをドープした酸化錫）のうちの少なくとも１種から
なる材料で構成されている、請求項１に記載した調光装
置。
【請求項４】液晶分子のプレチルト角（前記基板に対
して液晶分子ダイレクタのなす角度）が８５°〜８９°
となるように液晶配向処理が施されている、請求項１に
記載した調光装置。
【請求項５】少なくとも有効光路における一対の前記
基板間の間隙が２μｍ以上、４μｍ以下に制御されてい
る、請求項１に記載した調光装置。
【請求項６】前記液晶のゲスト材料が二色性染料であ
る、請求項１に記載した調光装置。
【請求項７】請求項１〜６のいずれか１項に記載した
調光装置が撮像系の光路中に配されている撮像装置。