JP2003139902A - 合成樹脂上への薄膜形成方法と得られた積層膜 - Google Patents
合成樹脂上への薄膜形成方法と得られた積層膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 合成樹脂上に薄膜を形成する際に、比較的簡
易な方法で合成樹脂と薄膜との密着力を向上させるこ
と。 【解決手段】 合成樹脂上にスパッタリングによる保護
金属層を形成し、半透過金属ミラー、全反射金属ミ
ラー又は透明導電膜からなる薄膜を形成する。保護金
属層の材料として、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓ
ｎから選択されるが、合成樹脂と薄膜との密着性を確保
するための保護金属層の膜厚は、１ｎｍ以上が必要であ
る。また、保護金属層の膜厚が大きいと保護金属層によ
る光の吸収により積層膜全体の透過率が低下するので、
保護金属層の膜厚を５ｎｍ未満とする必要がある。
易な方法で合成樹脂と薄膜との密着力を向上させるこ
と。 【解決手段】 合成樹脂上にスパッタリングによる保護
金属層を形成し、半透過金属ミラー、全反射金属ミ
ラー又は透明導電膜からなる薄膜を形成する。保護金
属層の材料として、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓ
ｎから選択されるが、合成樹脂と薄膜との密着性を確保
するための保護金属層の膜厚は、１ｎｍ以上が必要であ
る。また、保護金属層の膜厚が大きいと保護金属層によ
る光の吸収により積層膜全体の透過率が低下するので、
保護金属層の膜厚を５ｎｍ未満とする必要がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、合成樹脂への金属
膜、導電膜等からなる薄膜を密着性良く形成させる方法
と該方法で得られる合成樹脂と薄膜からなる積層膜に関
する。
膜、導電膜等からなる薄膜を密着性良く形成させる方法
と該方法で得られる合成樹脂と薄膜からなる積層膜に関
する。
【０００２】
【従来の技術】カラー表示装置用の電極膜形成用のカラ
ーフィルターからなる合成樹脂上に金属膜、導電膜等か
らなる薄膜を形成させるとき、薄膜の合成樹脂に対する
密着力を確保するために薄膜形成前に合成樹脂表面をイ
オン照射し、合成樹脂の表面を一部炭化させることで前
記薄膜との密着力を向上させる手法（以降、イオンクリ
ーニング法と記す）が特開平１０−１０５１８号公報記
載の発明などで知られている。
ーフィルターからなる合成樹脂上に金属膜、導電膜等か
らなる薄膜を形成させるとき、薄膜の合成樹脂に対する
密着力を確保するために薄膜形成前に合成樹脂表面をイ
オン照射し、合成樹脂の表面を一部炭化させることで前
記薄膜との密着力を向上させる手法（以降、イオンクリ
ーニング法と記す）が特開平１０−１０５１８号公報記
載の発明などで知られている。
【０００３】また、合成樹脂上に金属膜を密着性良く形
成させるために、用いられる合成樹脂を分解する光触媒
の粒子を合成樹脂に担持させ、紫外光を照射した後、超
音波振動を与えながら水中洗浄を行い、上記表面の光触
媒の粒子を除去した後、スパッタリング、真空蒸着、又
は無電解メッキを施して金属膜を被覆する方法が知られ
ている（特開２００１−１１６４４号）。
成させるために、用いられる合成樹脂を分解する光触媒
の粒子を合成樹脂に担持させ、紫外光を照射した後、超
音波振動を与えながら水中洗浄を行い、上記表面の光触
媒の粒子を除去した後、スパッタリング、真空蒸着、又
は無電解メッキを施して金属膜を被覆する方法が知られ
ている（特開２００１−１１６４４号）。
【０００４】さらに、レーザービデオディスク等の光情
報媒体の製造に際して、合成樹脂基板を取り付けた陽極
と対極である陰極との間に希薄ガスを導入して、両電極
間に１０００〜２５００Ｖの直流電圧を印加して１〜２
０秒間プラズマを発生させて樹脂基板の表面を予備処理
し、引き続いて合成樹脂基板の表面にスパッタリングに
よって金属反射膜を形成する方法もある（特開平７−２
０１０８７号）。
報媒体の製造に際して、合成樹脂基板を取り付けた陽極
と対極である陰極との間に希薄ガスを導入して、両電極
間に１０００〜２５００Ｖの直流電圧を印加して１〜２
０秒間プラズマを発生させて樹脂基板の表面を予備処理
し、引き続いて合成樹脂基板の表面にスパッタリングに
よって金属反射膜を形成する方法もある（特開平７−２
０１０８７号）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記イオンクリーニン
グ法は合成樹脂表面を過度に炭化処理すると、逆に薄膜
の密着性が低下する問題が発生するため、前記炭化処理
の最適条件の範囲が狭く、管理の難しい技術である。
グ法は合成樹脂表面を過度に炭化処理すると、逆に薄膜
の密着性が低下する問題が発生するため、前記炭化処理
の最適条件の範囲が狭く、管理の難しい技術である。
【０００６】すなわち、イオンクリーニング法では合成
樹脂の最表面をイオン照射により炭化させているが、過
度の処置を行うと合成樹脂が物理的、化学的な損傷を受
けるため、合成樹脂と薄膜の密着性が低下する。
樹脂の最表面をイオン照射により炭化させているが、過
度の処置を行うと合成樹脂が物理的、化学的な損傷を受
けるため、合成樹脂と薄膜の密着性が低下する。
【０００７】また、前記合成樹脂基板表面を紫外線処理
と超音波処理の組み合わせ処理及びプラズマ処理を行っ
て、その後、引き続いて合成樹脂基板の表面にスパッタ
リング法などで金属膜などの薄膜を形成する方法は、合
成樹脂基板表面の予備処理法が大掛かりな方法であり、
経済的でない。
と超音波処理の組み合わせ処理及びプラズマ処理を行っ
て、その後、引き続いて合成樹脂基板の表面にスパッタ
リング法などで金属膜などの薄膜を形成する方法は、合
成樹脂基板表面の予備処理法が大掛かりな方法であり、
経済的でない。
【０００８】本発明の課題は、比較的簡易な方法で合成
樹脂と薄膜との密着力を向上させる方法と該方法で得ら
れる合成樹脂と薄膜からなる積層膜を提供することであ
る。
樹脂と薄膜との密着力を向上させる方法と該方法で得ら
れる合成樹脂と薄膜からなる積層膜を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記本発明の課題は、合
成樹脂上にスパッタリングによる保護金属層を形成する
ことで解決できる。本発明の合成樹脂として、次の３種
類が挙げられる。 光散乱用合成樹脂膜 ＣＦ（カラーフィルター）上オーバーコート プラスチック基板 前記の光散乱用合成樹脂膜としてはガラス基板上に光
散乱用合成樹脂を被覆したものがあり、のＣＦ（カラ
ーフィルター）上オーバーコートとしては ガラス基板
上に反射膜、カラーフィルター、オーバーコートを順次
積層したものがある。またのプラスチック基板は表面
処理しないプラスチック基板そのものである。
成樹脂上にスパッタリングによる保護金属層を形成する
ことで解決できる。本発明の合成樹脂として、次の３種
類が挙げられる。 光散乱用合成樹脂膜 ＣＦ（カラーフィルター）上オーバーコート プラスチック基板 前記の光散乱用合成樹脂膜としてはガラス基板上に光
散乱用合成樹脂を被覆したものがあり、のＣＦ（カラ
ーフィルター）上オーバーコートとしては ガラス基板
上に反射膜、カラーフィルター、オーバーコートを順次
積層したものがある。またのプラスチック基板は表面
処理しないプラスチック基板そのものである。
【００１０】光散乱用合成樹脂は、その材料としては、
例えばアクリル系の光硬化性樹脂が使用され、フォトリ
ソ法により、表面に凸凹を形成することで光散乱機能を
持たせものである。
例えばアクリル系の光硬化性樹脂が使用され、フォトリ
ソ法により、表面に凸凹を形成することで光散乱機能を
持たせものである。
【００１１】カラーフィルターは、一般的には「顔料分
散法」や「印刷法」によって形成され、原料として、ゼ
ラチン、カゼイン、グリュー等の天然高分子またはアク
リル系などの合成樹脂がある。また、オーバーコートに
は、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系などの合成
樹脂が材料として使用され、カラーフィルターを保護す
る目的でカラーフィルター上に形成される。
散法」や「印刷法」によって形成され、原料として、ゼ
ラチン、カゼイン、グリュー等の天然高分子またはアク
リル系などの合成樹脂がある。また、オーバーコートに
は、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系などの合成
樹脂が材料として使用され、カラーフィルターを保護す
る目的でカラーフィルター上に形成される。
【００１２】プラスチック基板には、アクリル系、エポ
キシ系、ポリイミド系等の基板が用いられる。
キシ系、ポリイミド系等の基板が用いられる。
【００１３】また、保護金属層の上に形成される薄膜と
しては、 半透過金属ミラー（透過性能が重要） 全反射金属ミラー 透明導電膜（透過性能が重要） がある。
しては、 半透過金属ミラー（透過性能が重要） 全反射金属ミラー 透明導電膜（透過性能が重要） がある。
【００１４】前記の半透過金属ミラーの例としては、
酸化珪素膜、アルミニュウム膜、酸化珪素膜が順次積層
されたものがある。の全反射金属ミラーの例として
は、酸化珪素膜、アルミニュウム膜、酸化珪素膜が順次
積層されたものがある。前記との違いは金属ミラー
か半透過するものなのかどうか、全反射するものかどう
かかの違いである。の透明導電膜としては酸化珪素膜
の上に酸化インジュウム膜を形成したものなどを用い
る。
酸化珪素膜、アルミニュウム膜、酸化珪素膜が順次積層
されたものがある。の全反射金属ミラーの例として
は、酸化珪素膜、アルミニュウム膜、酸化珪素膜が順次
積層されたものがある。前記との違いは金属ミラー
か半透過するものなのかどうか、全反射するものかどう
かかの違いである。の透明導電膜としては酸化珪素膜
の上に酸化インジュウム膜を形成したものなどを用い
る。
【００１５】ここでとで（透過性能が重要）とある
のは、半透過ミラーの場合、バックライト光源を透過さ
せて液晶画面を明るく表示させるときに透過性能が画面
表示の明度に大きく影響するためであり、また、透明導
電膜の場合は、液晶を表示させるために光を透過させる
ことが必要なためである。
のは、半透過ミラーの場合、バックライト光源を透過さ
せて液晶画面を明るく表示させるときに透過性能が画面
表示の明度に大きく影響するためであり、また、透明導
電膜の場合は、液晶を表示させるために光を透過させる
ことが必要なためである。
【００１６】本発明では、例えばスパッタリングによる
保護金属層を合成樹脂表面に形成し、合成樹脂と薄膜と
の密着力を向上させる。
保護金属層を合成樹脂表面に形成し、合成樹脂と薄膜と
の密着力を向上させる。
【００１７】スパッタリングによって酸化されやすい金
属を材料とする保護金属層を合成樹脂上に形成すること
で、合成樹脂上に成膜した薄膜と酸化された保護金属層
の密着性が増し、結果として、合成樹脂と薄膜との密着
性が向上する。このとき、合成樹脂と密着性が良い金属
を保護金属層材料として用いる必要がある。
属を材料とする保護金属層を合成樹脂上に形成すること
で、合成樹脂上に成膜した薄膜と酸化された保護金属層
の密着性が増し、結果として、合成樹脂と薄膜との密着
性が向上する。このとき、合成樹脂と密着性が良い金属
を保護金属層材料として用いる必要がある。
【００１８】保護金属層の材料は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎから選択されるが、合成樹脂と薄膜と
の密着性を確保するための保護金属層の膜厚は、１ｎｍ
以上が必要である。また、保護金属層の膜厚が大きいと
保護金属層による光の吸収により積層膜全体の透過率が
低下するので、保護金属層の膜厚を５ｎｍ未満とする必
要がある。
Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎから選択されるが、合成樹脂と薄膜と
の密着性を確保するための保護金属層の膜厚は、１ｎｍ
以上が必要である。また、保護金属層の膜厚が大きいと
保護金属層による光の吸収により積層膜全体の透過率が
低下するので、保護金属層の膜厚を５ｎｍ未満とする必
要がある。
【００１９】合成樹脂上に保護金属層を介して薄膜を形
成した積層膜はカラー表示装置用の電極膜形成用のカラ
ーフィルター、レーザービデオディスク等の光情報媒体
等に用いられる。
成した積層膜はカラー表示装置用の電極膜形成用のカラ
ーフィルター、レーザービデオディスク等の光情報媒体
等に用いられる。
【００２０】
【作用】本発明の密着性向上のメカニズムは、次のよう
な機構であると推定される。すなわち、酸化膜等の薄膜
を形成する際に発生する酸素プラズマが合成樹脂の表面
を酸化劣化することで、薄膜と合成樹脂との密着性が低
下するが、保護金属層を合成樹脂の表面に成膜すること
で、その保護金属層が酸素プラズマによる合成樹脂の酸
化劣化を防ぎ、薄膜と合成樹脂との密着性が向上する。
な機構であると推定される。すなわち、酸化膜等の薄膜
を形成する際に発生する酸素プラズマが合成樹脂の表面
を酸化劣化することで、薄膜と合成樹脂との密着性が低
下するが、保護金属層を合成樹脂の表面に成膜すること
で、その保護金属層が酸素プラズマによる合成樹脂の酸
化劣化を防ぎ、薄膜と合成樹脂との密着性が向上する。
【００２１】また、図１に示すように、合成樹脂１上の
保護金属層（例えばＴｉ層）２は、その上に酸化膜（例
えばＳｉＯ2膜）３が成膜されるときに酸化され、その
際に膜が非常に薄いため、保護金属層２全体が酸化さ
れ、酸化層（例えばＴｉＯ2層）２’となる。そのた
め、保護金属層２による光の吸収は無視できるため、そ
の上に形成される薄膜の透過特性が確保できる。
保護金属層（例えばＴｉ層）２は、その上に酸化膜（例
えばＳｉＯ2膜）３が成膜されるときに酸化され、その
際に膜が非常に薄いため、保護金属層２全体が酸化さ
れ、酸化層（例えばＴｉＯ2層）２’となる。そのた
め、保護金属層２による光の吸収は無視できるため、そ
の上に形成される薄膜の透過特性が確保できる。
【００２２】以上のような結果から、従来、合成樹脂１
の表面にＳｉＯ2膜等の酸化膜３をスパッタリング法な
どで形成させる場合に、合成樹脂１と酸化膜３との間で
膜剥離が発生していた理由は、酸素プラズマによる合成
樹脂表面の酸化劣化によるものと考えられる。
の表面にＳｉＯ2膜等の酸化膜３をスパッタリング法な
どで形成させる場合に、合成樹脂１と酸化膜３との間で
膜剥離が発生していた理由は、酸素プラズマによる合成
樹脂表面の酸化劣化によるものと考えられる。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。
する。
【００２４】
【実施例１】本実施例１は合成樹脂としてアクリル系の
有機樹脂を用い、薄膜として全反射アルミニウムミラー
を前記合成樹脂表面に形成するものである。
有機樹脂を用い、薄膜として全反射アルミニウムミラー
を前記合成樹脂表面に形成するものである。
【００２５】積層される膜の構成はガラス板／合成樹脂
膜／Ｔｉ膜／ＳｉＯ2膜／Ａｌ膜／ＳｉＯ2膜からなる。
ここでガラス基板は無アルカリガラスを用い、該ガラス
基板上にアクリル系の光硬化性樹脂であるポリメチルメ
タクリレートをスピンコート法により塗布し、２００℃
で１時間焼成した後、フォトリソ法により表面に凸凹形
状を形成した。その上にＴｉ膜（膜厚２．５ｎｍ）、Ｓ
ｉＯ2膜（膜厚１０ｎｍ）、Ａｌ膜（膜厚９０ｎｍ）、
ＳｉＯ2膜（膜厚２５ｎｍ）をそれぞれスパッタリング
法で順次形成した。
膜／Ｔｉ膜／ＳｉＯ2膜／Ａｌ膜／ＳｉＯ2膜からなる。
ここでガラス基板は無アルカリガラスを用い、該ガラス
基板上にアクリル系の光硬化性樹脂であるポリメチルメ
タクリレートをスピンコート法により塗布し、２００℃
で１時間焼成した後、フォトリソ法により表面に凸凹形
状を形成した。その上にＴｉ膜（膜厚２．５ｎｍ）、Ｓ
ｉＯ2膜（膜厚１０ｎｍ）、Ａｌ膜（膜厚９０ｎｍ）、
ＳｉＯ2膜（膜厚２５ｎｍ）をそれぞれスパッタリング
法で順次形成した。
【００２６】Ｔｉ膜のスパッタリング条件は、圧力２Ｐ
ａ（Ａｒガスのみ導入）、放電電力０．３ｋＷ（ダイナ
ミックレート１．１ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ）である。
ａ（Ａｒガスのみ導入）、放電電力０．３ｋＷ（ダイナ
ミックレート１．１ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ）である。
【００２７】ＳｉＯ2膜のスパッタリング条件は、圧力
０．６Ｐａ（ガス組成Ａｒ：Ｏ2＝２：１、放電電力
１．４ｋＷ（ダイナミックレート２．１ｎｍ・ｍ／ｍｉ
ｎ）である。
０．６Ｐａ（ガス組成Ａｒ：Ｏ2＝２：１、放電電力
１．４ｋＷ（ダイナミックレート２．１ｎｍ・ｍ／ｍｉ
ｎ）である。
【００２８】Ａｌ膜のスパッタリング条件は、圧力０．
３Ｐａ（Ａｒガスのみ導入）、放電電力４．１ｋＷ（ダ
イナミックレート３７．８ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ）である。
３Ｐａ（Ａｒガスのみ導入）、放電電力４．１ｋＷ（ダ
イナミックレート３７．８ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ）である。
【００２９】
【比較例１】本比較例は前記実施例１と同様に薄膜とし
て全反射アルミニウムミラーを合成樹脂表面に形成する
ものである。
て全反射アルミニウムミラーを合成樹脂表面に形成する
ものである。
【００３０】積層される膜の構成はガラス板／合成樹脂
膜／ＳｉＯ2膜（膜厚１０ｎｍ）／Ａｌ膜（膜厚９０ｎ
ｍ）／ＳｉＯ2膜（膜厚２５ｎｍ）からなり、下地のＳ
ｉＯ2成膜直前に下記の条件でイオンクリーニング法を
実施して合成樹脂表面を炭化処理した。
膜／ＳｉＯ2膜（膜厚１０ｎｍ）／Ａｌ膜（膜厚９０ｎ
ｍ）／ＳｉＯ2膜（膜厚２５ｎｍ）からなり、下地のＳ
ｉＯ2成膜直前に下記の条件でイオンクリーニング法を
実施して合成樹脂表面を炭化処理した。
【００３１】合成樹脂膜のイオンクリーニング条件は、
圧力４Ｐａ、ガス組成Ａｒ：Ｏ2＝１００：１、放電電
力１．０ｋＷ（ＲＦ）、１分間、使用ターゲットＳｉＯ
2（カソード）である。
圧力４Ｐａ、ガス組成Ａｒ：Ｏ2＝１００：１、放電電
力１．０ｋＷ（ＲＦ）、１分間、使用ターゲットＳｉＯ
2（カソード）である。
【００３２】ＳｉＯ2膜（膜厚１０ｎｍ）／Ａｌ膜（膜
厚９０ｎｍ）／ＳｉＯ2膜（膜厚２５ｎｍ）の形成方法
は実施例１と同じである。
厚９０ｎｍ）／ＳｉＯ2膜（膜厚２５ｎｍ）の形成方法
は実施例１と同じである。
【００３３】上記実施例１（（Ｔｉ層）使用）と比較例
１（従来技術）で得られた積層膜の密着性テストの結果
を表１に示す。
１（従来技術）で得られた積層膜の密着性テストの結果
を表１に示す。
【００３４】
【表１】
この表１に示す結果から明らかな通り、実施例１ではＴ
ｉ膜が存在するため、合成樹脂層と全反射アルミニウム
ミラーの密着性が比較例１に比べて良くなっていること
が分かる。
ｉ膜が存在するため、合成樹脂層と全反射アルミニウム
ミラーの密着性が比較例１に比べて良くなっていること
が分かる。
【００３５】
【実施例２】本実施例は合成樹脂としてカラーフィルタ
ー上オーバーコートを用い、薄膜として透明導電膜であ
るＩＴＯ膜を前記合成樹脂表面に形成するものである。
ー上オーバーコートを用い、薄膜として透明導電膜であ
るＩＴＯ膜を前記合成樹脂表面に形成するものである。
【００３６】積層される膜の構成はガラス板／ＣＦ／オ
ーバーコート（合成樹脂）膜／Ｔｉ膜／ＳｉＯ2膜／Ｉ
ＴＯ膜からなる。
ーバーコート（合成樹脂）膜／Ｔｉ膜／ＳｉＯ2膜／Ｉ
ＴＯ膜からなる。
【００３７】ここでガラス基板は無アルカリガラスを用
い、該ガラス基板上にゼラチンから成るカラーフィルタ
ーを印刷法にて形成し、カラーフィルター付き基板を作
成した。アクリル系の有機樹脂であるポリグリジシルメ
タクリレートに硬化剤として無水トリメティック酸を添
加し、スピンコート法により上記カラーフィルター付き
ガラス基板上に塗布し、２００℃で１時間焼成した。そ
の上にＴｉ膜（膜厚２．５ｎｍ）、ＳｉＯ2膜（膜厚１
０ｎｍ）、ＩＴＯ膜（膜厚２００ｎｍ）をそれぞれスパ
ッタリング法で順次形成した。
い、該ガラス基板上にゼラチンから成るカラーフィルタ
ーを印刷法にて形成し、カラーフィルター付き基板を作
成した。アクリル系の有機樹脂であるポリグリジシルメ
タクリレートに硬化剤として無水トリメティック酸を添
加し、スピンコート法により上記カラーフィルター付き
ガラス基板上に塗布し、２００℃で１時間焼成した。そ
の上にＴｉ膜（膜厚２．５ｎｍ）、ＳｉＯ2膜（膜厚１
０ｎｍ）、ＩＴＯ膜（膜厚２００ｎｍ）をそれぞれスパ
ッタリング法で順次形成した。
【００３８】Ｔｉ膜のスパッタリング条件は、圧力２Ｐ
ａ（Ａｒガスのみ導入）、放電電力０．３ｋＷ（ダイナ
ミックレート１．１ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ）である。
ａ（Ａｒガスのみ導入）、放電電力０．３ｋＷ（ダイナ
ミックレート１．１ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ）である。
【００３９】ＳｉＯ2膜のスパッタリング条件は、圧力
０．６Ｐａ（ガス組成Ａｒ：Ｏ2＝２：１、放電電力
１．４ｋＷ（ダイナミックレート２．１ｎｍ・ｍ／ｍｉ
ｎ）である。
０．６Ｐａ（ガス組成Ａｒ：Ｏ2＝２：１、放電電力
１．４ｋＷ（ダイナミックレート２．１ｎｍ・ｍ／ｍｉ
ｎ）である。
【００４０】ＩＴＯ膜のスパッタリング条件は、圧力
０．３Ｐａ（ガス組成Ａｒ：Ｏ2＝９９：１）、放電電
力５．５ｋＷ（ダイナミックレート３２．４ｎｍ・ｍ／
ｍｉｎ）である。
０．３Ｐａ（ガス組成Ａｒ：Ｏ2＝９９：１）、放電電
力５．５ｋＷ（ダイナミックレート３２．４ｎｍ・ｍ／
ｍｉｎ）である。
【００４１】
【比較例２】本比較例２は前記実施例２と同様にＣＦ上
オーバーコート上に直接薄膜としてＩＴＯ膜を形成する
ものである。
オーバーコート上に直接薄膜としてＩＴＯ膜を形成する
ものである。
【００４２】積層される膜の構成はガラス板／ＣＦ／オ
ーバーコート（合成樹脂）膜／ＳｉＯ2膜（膜厚１０ｎ
ｍ）／ＩＴＯ膜（膜厚２００ｎｍ）からなり、下地のＳ
ｉＯ2成膜直前に下記の条件でイオンクリーニング法を
実施して合成樹脂表面を炭化処理をした。
ーバーコート（合成樹脂）膜／ＳｉＯ2膜（膜厚１０ｎ
ｍ）／ＩＴＯ膜（膜厚２００ｎｍ）からなり、下地のＳ
ｉＯ2成膜直前に下記の条件でイオンクリーニング法を
実施して合成樹脂表面を炭化処理をした。
【００４３】ＳｉＯ2膜（膜厚１０ｎｍ）／ＩＴＯ膜
（膜厚２００ｎｍ）の形成方法は実施例２と同じであ
る。
（膜厚２００ｎｍ）の形成方法は実施例２と同じであ
る。
【００４４】合成樹脂膜のイオンクリーニング条件は、
圧力４Ｐａ、ガス組成Ａｒ：Ｏ2＝１００：１、放電電
力１．０ｋＷ（ＲＦ）、１分間、使用ターゲットＳｉＯ
2（カソード）である。
圧力４Ｐａ、ガス組成Ａｒ：Ｏ2＝１００：１、放電電
力１．０ｋＷ（ＲＦ）、１分間、使用ターゲットＳｉＯ
2（カソード）である。
【００４５】上記実施例２（（Ｔｉ層）使用）と比較例
２（従来技術）で得られた積層膜の密着性テストの結果
を表２に示す。
２（従来技術）で得られた積層膜の密着性テストの結果
を表２に示す。
【００４６】
【表２】
この表２に示す結果から明らかな通り、実施例２のＴｉ
膜の存在で合成樹脂層（ＣＦ上オーバーコート）とＩＴ
Ｏ膜の密着性が比較例２に比べて良くなっていることが
分かる。
膜の存在で合成樹脂層（ＣＦ上オーバーコート）とＩＴ
Ｏ膜の密着性が比較例２に比べて良くなっていることが
分かる。
【００４７】
【実施例３】本発明の保護金属層の膜厚設定の根拠をＴ
ｉを保護金属層として用いる例で説明する。
ｉを保護金属層として用いる例で説明する。
【００４８】保護金属層の膜厚の下限値は膜厚を変化
させて合成樹脂膜と薄膜との密着性を確認することで行
った。その結果を表３に示す。
させて合成樹脂膜と薄膜との密着性を確認することで行
った。その結果を表３に示す。
【００４９】
【表３】
ここで、膜構成とＴｉ膜のスパッタリングの条件は実施
例１と同じにした。
例１と同じにした。
【００５０】また、表３で示すＴｉ膜の膜厚は放電電力
により調整した。
により調整した。
【００５１】保護金属層の膜厚の上限値は膜厚を変化
させて得られた積層膜の光学特性（吸収率）を確認する
ことで行った。その結果を表４に示す。
させて得られた積層膜の光学特性（吸収率）を確認する
ことで行った。その結果を表４に示す。
【００５２】
【表４】
ここで、Ｔｉ膜のスパッタリングの条件は実施例１と同
じにした。また、表４で示すＴｉ膜の膜厚は放電電力に
より調整した。
じにした。また、表４で示すＴｉ膜の膜厚は放電電力に
より調整した。
【００５３】以上のように、単に密着性の確保だけを求
める場合は、保護金属膜の膜厚には下限があり、また密
着性と透過性を重視する場合は、下限に加え、上限があ
ることが分かり、Ｔｉ膜の膜厚が１ｎｍ〜５ｎｍである
と密着性と光吸収率が満足できる結果を示すことが明ら
かとなった。
める場合は、保護金属膜の膜厚には下限があり、また密
着性と透過性を重視する場合は、下限に加え、上限があ
ることが分かり、Ｔｉ膜の膜厚が１ｎｍ〜５ｎｍである
と密着性と光吸収率が満足できる結果を示すことが明ら
かとなった。
【００５４】上記実施例と比較例で行った密着性の評価
方法を以下に記す。評価すべき積層膜を形成したガラス
基板を成膜直後及び耐候性試験後にクロスカット・ピー
ルにより評価する。 （ａ）クロスカット 縦・横方向に１ｍｍ間隔に１１本、カッターで膜表面に
キズを付け、１ｍｍ□の大きさに切り分ける。１ｍｍ□
の升目が１００個作成されることになる。 （ｂ）ピール クロスカット後、膜面にセロハンテープ（日東Ｎｏ．２
９）を貼り付け面に直角にスナップを効かせて剥がし、
剥がした箇所を目視で確認する。 （ｃ）耐候性試験 温水試験：８０℃の温水に３０分間、基板を浸漬す
る。 加熱試験：大気中２４０℃で１時間焼成する。
方法を以下に記す。評価すべき積層膜を形成したガラス
基板を成膜直後及び耐候性試験後にクロスカット・ピー
ルにより評価する。 （ａ）クロスカット 縦・横方向に１ｍｍ間隔に１１本、カッターで膜表面に
キズを付け、１ｍｍ□の大きさに切り分ける。１ｍｍ□
の升目が１００個作成されることになる。 （ｂ）ピール クロスカット後、膜面にセロハンテープ（日東Ｎｏ．２
９）を貼り付け面に直角にスナップを効かせて剥がし、
剥がした箇所を目視で確認する。 （ｃ）耐候性試験 温水試験：８０℃の温水に３０分間、基板を浸漬す
る。 加熱試験：大気中２４０℃で１時間焼成する。
【００５５】
【発明の効果】本発明により、合成樹脂と薄膜の密着性
が向上し過酷なプロセス（高温、酸・アルカリ溶液）を
通過しても薄膜の密着性を維持することができる。
が向上し過酷なプロセス（高温、酸・アルカリ溶液）を
通過しても薄膜の密着性を維持することができる。
【図１】 本発明の保護金属層上に酸化膜を形成した場
合の断面図である。
合の断面図である。
１ 合成樹脂
２ 保護金属層
２’ 酸化層
３ 酸化膜
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｂ 5/08 Ｇ０２Ｂ 5/20 １０１ ４Ｆ１００
5/20 １０１ Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ ４Ｋ０２９
Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ 1/1335 ５０５
1/1335 ５０５ 1/13357
1/13357 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ
Ｆターム(参考） 2H042 BA03 BA15 BA20 DA02 DA11
DA15 DB01 DB08 DC02 DC08
2H048 BB08 BB37 BB44
2H090 JA00 JA06 JA07 JB00 JB03
JC07
2H091 FA02X FA02Y FA02Z FB02
FC02 FC05 FC12 FC25 GA01
GA07 GA16 LA01 LA02 LA06
2K009 BB14 CC03 CC14 DD04 EE03
4F100 AA20 AB01B AB01C AB11B
AB12B AB19B AB21B AB40B
AG00 AK25 AT00A BA03
BA07 BA10A DD07 EH66
GB41 JG01C JL11 JM02C
JN01C JN06B
4K029 AA11 AA24 AA25 BA02 BA10
BA15 BA17 BA35 BB02 BC09
BD09 CA05 DC02 FA01
Claims (5)
- 【請求項１】 合成樹脂上に保護金属層を形成した後、
半透過金属ミラー、全反射金属ミラー又は透明導電膜か
らなる薄膜を形成したことを特徴とする合成樹脂上への
薄膜形成方法。 - 【請求項２】 保護金属層は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓ
ｉ、Ｉｎ又はＳｎからなることを特徴とする請求項１記
載の合成樹脂上への薄膜形成方法。 - 【請求項３】 合成樹脂と保護金属層と半透過金属ミラ
ー、全反射金属ミラー又は透明導電膜である薄膜とから
成ることを特徴とする積層膜。 - 【請求項４】 保護金属層は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓ
ｉ、Ｉｎ又はＳｎからなることを特徴とする請求項３記
載の積層膜。 - 【請求項５】 保護金属層の膜厚は、１ｎｍ以上、５ｎ
ｍ未満であることを特徴とする請求項３記載の積層膜。
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|---|---|---|---|
| JP2001342018A JP2003139902A (ja) | 2001-11-07 | 2001-11-07 | 合成樹脂上への薄膜形成方法と得られた積層膜 |
| PCT/JP2002/011580 WO2003040783A1 (fr) | 2001-11-07 | 2002-11-06 | Procede de formation d'un film mince sur une resine synthetique et film multicouche |
| TW091132694A TW200300110A (en) | 2001-11-07 | 2002-11-06 | Method for forming thin film on synthetic resin and multilayer film the same |
| CNA028220161A CN1582404A (zh) | 2001-11-07 | 2002-11-06 | 在合成树脂上形成薄膜的方法以及由此得到的层压膜 |
| US10/495,077 US20050158575A1 (en) | 2001-11-07 | 2002-11-06 | Method for forming thin film on synthetic resin and multilayer film |
| KR10-2004-7006710A KR20040063919A (ko) | 2001-11-07 | 2002-11-06 | 합성수지상에의 박막 형성 방법과 얻어진 적층막 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001342018A JP2003139902A (ja) | 2001-11-07 | 2001-11-07 | 合成樹脂上への薄膜形成方法と得られた積層膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003139902A true JP2003139902A (ja) | 2003-05-14 |
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|---|---|---|---|
| JP2001342018A Pending JP2003139902A (ja) | 2001-11-07 | 2001-11-07 | 合成樹脂上への薄膜形成方法と得られた積層膜 |
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| KR (1) | KR20040063919A (ja) |
| CN (1) | CN1582404A (ja) |
| TW (1) | TW200300110A (ja) |
| WO (1) | WO2003040783A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011027518A1 (en) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | Sony Corporation | Conductive optical device, production method therefor, touch panel device, display device, and liquid crystal display apparatus |
| CN102602075A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-07-25 | 苏州金海薄膜科技发展有限公司 | 一种镭射屏幕保护膜及其制备方法 |
| JP2017058509A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法、および、表示装置 |
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|---|---|---|---|---|
| TWI467214B (zh) * | 2009-09-02 | 2015-01-01 | Dexerials Corp | A conductive optical element, a touch panel, an information input device, a display device, a solar cell, and a conductive optical element |
| US20130022756A1 (en) * | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Brian Howard Augustine | Adhesion of metal thin films to polymeric substratres |
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