JP2003128922A - 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 - Google Patents
硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置Info
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Abstract
が高い硬化物を形成できる硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物、および信頼性が優れる半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 (A)ケイ素原子結合アルケニル基を一
分子中に少なくとも2個有し、かつケイ素原子結合全有
機基に対して40モル%以上のケイ素原子結合アリール
基を有するオルガノポリシロキサン、(B)ケイ素原子
結合水素原子を一分子中に少なくとも2個有するオルガ
ノポリシロキサン、および(C)白金のオルガノシロキ
サンオリゴマー(このオリゴマーは一分子中のケイ素原
子数が8個以下であり、ケイ素原子結合アルケニル基と
ケイ素原子結合アリール基を有する。)錯体から少なく
ともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および
該組成物の硬化物により半導体素子が被覆されている半
導体装置。
Description
リシロキサン組成物および半導体装置に関し、詳しく
は、加熱による経時的な黄変が少なく、光透過率が高い
硬化物を形成することができる硬化性オルガノポリシロ
キサン組成物、および該組成物の硬化物により半導体素
子が被覆されている、信頼性が優れる半導体装置に関す
る。
は、フォトカプラー、発光ダイオード、固体撮像素子等
の光学用半導体装置における半導体素子の保護コーティ
ング剤として使用されている。このような半導体素子の
保護コーティング剤は、前記素子が発光したり、あるい
は受光したりするため、光を吸収したり、散乱したりし
ないことが要求されている。
基を一分子中に少なくとも2個有するオルガノポリシロ
キサン、ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少
なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、および白
金錯体から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物の硬化物が長時間加熱された場合には、経時的
に黄変したりして、硬化物の光透過率が低下するという
問題があった。特に、このような硬化物により半導体素
子が被覆された半導体装置は、信頼性が低下するという
問題があった。
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、加熱による経時的な黄変が少
なく、光透過率が高い硬化物を形成することができる硬
化性オルガノポリシロキサン組成物、および該組成物の
硬化物により半導体素子が被覆されている、信頼性が優
れる半導体装置を提供することにある。
ポリシロキサン組成物は、(A)ケイ素原子に結合した
アルケニル基を一分子中に少なくとも2個有し、かつケ
イ素原子に結合したアリール基を有するオルガノポリシ
ロキサン、(B)ケイ素原子に結合した水素原子を一分
子中に少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、
および(C)白金のオルガノシロキサンオリゴマー錯体
から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成
物であって、前記(A)成分中のケイ素原子に結合した
全有機基に対するケイ素原子に結合したアリール基の含
有率が40モル%以上であり、かつ、前記(C)成分中
のオルガノシロキサンオリゴマーが、一分子中のケイ素
原子数が8個以下であり、ケイ素原子に結合したアルケ
ニル基とケイ素原子に結合したアリール基を有すること
を特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記の硬
化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により半導
体素子が被覆されていることを特徴とする。
ノポリシロキサン組成物を詳細に説明する。(A)成分
は本組成物の主成分であり、ケイ素原子に結合したアル
ケニル基を一分子中に少なくとも2個有し、かつケイ素
原子に結合したアリール基を有するオルガノポリシロキ
サンである。このアルケニル基としては、ビニル基、ア
リル基、ブテニル基、ペテニル基、ヘキセニル基が例示
される。また、アリール基としては、フェニル基、トリ
ル基、キシリル基、ナフチル基が例示される。また、ア
ルケニル基とアリール基以外のケイ素原子に結合した有
機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキ
ル基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;ク
ロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−ト
リフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置
換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示される。本組
成物では、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さい
ことから、(A)成分中のケイ素原子に結合した全有機
基に対するケイ素原子に結合したアリール基の含有率が
40モル%以上であり、好ましくは45モル%以上であ
ることを特徴とする。また、(A)成分の分子構造とし
ては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環
状、網状が例示される。このような(A)成分の粘度は
限定されないが、25℃において10〜1000000
mPa・sの範囲内であることが好ましく、特に、10
0〜50000mPa・sの範囲内であることが好まし
い。これは、上記範囲の下限未満であると、本組成物を
硬化して得られる硬化物の機械的強度が低下する傾向が
あるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、本
組成物の取扱作業性が低下する傾向があるからである。
分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2
個有するオルガノポリシロキサンである。(B)成分中
のケイ素原子に結合した有機基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基等のアルキル基;フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル
基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、
3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロ
ピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置
換の一価炭化水素基が例示される。また、(B)成分の
分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、
分枝鎖状、網状が例示される。このような(B)成分の
粘度は限定されないが、25℃において0.1〜100
0000000mPa・sの範囲内であることが好まし
い。
限定されず、本組成物を硬化するに十分な量であればよ
く、例えば、本組成物の構成成分である上記(A)成分
のオルガノポリシロキサンやその他任意の成分として含
有する有機ケイ素化合物中のケイ素原子に結合したアル
ケニル基の合計1個に対して、本成分中のケイ素原子に
結合した水素原子が0.1〜10個となる範囲内の量で
あることが好ましく、さらには、0.1〜5個となる範
囲内の量であることが好ましく、特には、0.5〜5個
となる範囲内の量であることが好ましい。これは、
(B)成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、本
組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、
一方、上記範囲の上限を超えると、本組成物を硬化して
得られる硬化物の物理的強度が低下する傾向があるから
である。
めの触媒であり、白金に対して一分子中のケイ素原子数
が8個以下であり、ケイ素原子に結合したアルケニル基
とケイ素原子に結合したアリール基を有するオルガノシ
ロキサンオリゴマーが配位した白金錯体である。このよ
うな(C)成分中のオルガノシロキサンオリゴマーとし
ては、一般式:
上式中、Rは同じか、または異なる一価炭化水素基であ
り、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基;ビニ
ル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘプテニ
ル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネ
チル基等のアラルキル基;クロロメチル基、3−クロロ
プロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等の
ハロゲン化アルキル基が例示され、但し、少なくとも1
個のRは上記のアルケニル基であり、かつ少なくとも1
個のRは上記のアリール基である。また、上式中のmは
0〜6の整数である。特に、このオルガノシロキサンオ
リゴマーは分子鎖末端にアルケニル基を有するものが好
ましい。このようなオルガノシロキサンオリゴマーは、
一般式:
と同様の基が例示される。また、上式中のR2は同じ
か、または異なる一価炭化水素基であり、前記と同様の
基が例示され、但し、少なくとも1個のR2は前記と同
様のアリール基である。また、上式中のmは0〜6の整
数である。このようなオルガノシロキサンオリゴマーと
しては、1,3−ジメチル−1,3−ジフェニル−1,
3−ジビニルジシロキサンであることが好ましい。
ルガノシロキサンオリゴマーを主成分とするが、その
他、白金に配位していない上記のオルガノシロキサンオ
リゴマーおよび/またはオルガノポリシロキサンを含有
してもよい。このオルガノシロキサンオリゴマーとして
は、上記と同様のオルガノシロキサンオリゴマーであっ
てもよく、また、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキ
シ基で封鎖されたジメチルシロキサンオリゴマー、分子
鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチル
シロキサンオリゴマー等であってもよい。また、このオ
ルガノポリシロキサンとしては、上記(A)成分と同様
のオルガノポリシロキサンであってもよく、また、分子
鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメ
チルポリシロキサン、分子鎖両末端がトリメチルシロキ
シ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン、分子鎖両末
端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキ
サン・メチルフェニルシロキサンコポリマー等であって
もよい。さらに、このような(C)成分は、塩素含有量
の少ないものが好ましく、具体的には、白金1モルに対
して塩素が1モル以下であるものが好ましく、特に、
0.01モル以下であるものが好ましい。
限定されず、本組成物の硬化反応を促進するに十分な量
であればよく、例えば、本組成物に対して、本成分中の
白金が重量単位で0.01〜1000ppmとなる範囲
内の量であることが好ましい。これは、(C)成分の含
有量が上記範囲の下限未満であると、本組成物が十分に
硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲
の上限を超えても硬化反応は著しく促進されるものでは
なく、不経済となるからである。
3−メチル−1−ブチン−3−オール、3,5−ジメチ
ル−1−ヘキシン−3−オール、フェニルブチノール等
のアルキンアルコール;3−メチル−3−ペンテン−1
−イン、3,5−ジメチル−3−ヘキセン−1−イン等
のエンイン化合物;1,3,5,7−テトラメチル−
1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサ
ン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−
テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリ
アゾール等の反応抑制剤を含有してもよい。この反応抑
制剤の含有量は限定されないが、(A)成分100重量
部に対して0.0001〜5重量部の範囲内であること
が好ましい。
せるための接着付与剤を含有していてもよい。この接着
付与剤としては、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を
一分子中に少なくとも1個有する有機ケイ素化合物であ
ることが好ましい。このアルコキシ基としては、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキ
シエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基であること
が好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子
に結合するアルコキシ基以外の基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアル
ケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチ
ル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のア
ラルキル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、
3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化ア
ルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基;3
−グリシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基
等のグリシドキシアルキル基;2−(3,4−エポキシ
シクロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポキシシ
クロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシル
アルキル基;4−オキシラニルブチル基、8−オキシラ
ニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキ
シ基含有一価有機基;3−メタクリロキシプロピル基等
のアクリル基含有一価有機基;水素原子が例示される。
この有機ケイ素化合物は(A)成分または(B)成分と
反応し得る基を有することが好ましく、具体的には、ケ
イ素原子に結合したアルケニル基またはケイ素原子に結
合した水素原子を有することが好ましい。また、各種の
基材に対して良好な接着性を付与できることから、この
有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも1個のエポキ
シ基含有一価有機基を有するものであることが好まし
い。このような有機ケイ素化合物としては、シラン化合
物、シロキサン化合物が例示される。このシロキサン化
合物の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直
鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖
状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このような
有機ケイ素化合物としては、3−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘ
キシル)エチルトリメトキシシラン、3−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン等のシラン化合物;一分
子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子
結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそ
れぞれ少なくとも1個ずつ有するシロキサン化合物、ケ
イ素原子結合アルコキシ基を少なくとも1個有するシラ
ン化合物またはシロキサン化合物と一分子中にケイ素原
子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそ
れぞれ少なくとも1個ずつ有するシロキサン化合物との
混合物、式:
シロキサン化合物、式:
れるシロキサン化合物が例示される。この接着付与剤は
低粘度液状であることが好ましく、その粘度は限定され
ないが、25℃において1〜500mPa・sの範囲内
であることが好ましい。また、上記組成物において、こ
の接着付与剤の含有量は限定されないが、(A)成分1
00重量部に対して0.01〜10重量部の範囲内であ
ることが好ましい。
わない限り、その他任意の成分として、シリカ、アルミ
ナ等の無機質充填剤;ポリメタクリレート樹脂等の有機
樹脂微粉末;その他、染料、顔料、難燃性付与剤、溶剤
等を含有してもよい。
nm)における屈折率(25℃)が1.5以上であり、
かつ、光透過率(25℃)が80%以上であることが好
ましい。これは、屈折率が1.5未満であったり、光透
過率が80%未満である組成物によると、この組成物の
硬化物により被覆された半導体素子を有する半導体装置
に十分な信頼性を付与することができなくなるおそれが
あるからである。この屈折率は、例えば、アッベ式屈折
率計により測定することができる。この際、アッベ式屈
折率計における光源の波長を変えることにより任意の波
長における屈折率を測定することができる。また、この
光透過率は、例えば、光路長1.0mmの硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物を分光光度計により測定するこ
とにより求めることができる。
波長における紫外線透過率(25℃)が10%以下であ
ることが好ましい。これは、本組成物により半導体素子
を被覆してなる半導体装置が、200〜250nmの短
波長の紫外線を受けた場合に、その半導体装置を構成す
る材料の劣化を防止することができなくなるおそれがあ
るからである。この紫外線透過率は、例えば、光路長
1.0mmの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を分
光光度計により測定することにより求めることができ
る。
進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが
好ましい。この加熱温度としては、50〜200℃の範
囲内であることが好ましい。このようにして本組成物を
硬化して得られる硬化物はレジン状、ゲル状、ゴム状で
あり、特に、ゲル状、ゴム状であることが好ましい。こ
のような本組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッテイ
ング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として
使用することができ、特に、硬化後の経時的な黄変が少
ないので、光学用途の半導体素子の接着剤、ポッテイン
グ剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として好
適である。
に説明する。本装置は、上記の硬化性オルガノポリシロ
キサン組成物の硬化物により半導体素子が被覆されてい
ることを特徴とする。この半導体素子としては、ダイオ
ード、トランジスタ、サイリスタ、固体撮像素子、モノ
リシックIC、さらにはハイブリッドIC中の半導体素
子が例示される。また、このような半導体装置として
は、ダイオード、発光ダイオード(LED)、トランジ
スタ、サイリスタ、フォトカプラー、CCD、モノリシ
ックIC、ハイブリッドIC、LSI、VLSIが例示
される。
図を図1に示した、。また、本装置の一例である単体の
LEDの断面図を図2に示した。図1で示されるフォト
カプラーは、化合物半導体からなる半導体素子1がリー
ドフレーム2上にダイボンドされ、さらにボンディング
ワイヤ3によりワイヤボンドされている。また、この半
導体素子1と対向するように受光用の半導体素子4がリ
ードフレーム5上にダイボンディングされ、さらにボン
ディングワイヤ6によりワイヤボンディングされてい
る。これらの半導体素子の間は、硬化性オルガノポリシ
ロキサン組成物の硬化物7により充填されている。さら
に、この硬化物7により被覆された半導体素子は封止樹
脂8により樹脂封止されている。
方法としては、半導体素子1をリードフレーム2にダイ
ボンドし、次いで、この半導体素子1と別のリードフレ
ーム2を金製のボンディングワイヤ3によりワイヤボン
ドする。同様に、この半導体素子1と対向する位置に受
光用の半導体素子4をリードフレーム5上にダイボンド
し、次いで、この半導体素子4と別のリードフレーム5
を金製のボンディングワイヤ6によりワイヤボンドす
る。続いて、これらの半導体素子の間に上記の硬化性オ
ルガノポリシロキサン組成物を充填した後、50〜20
0℃に加熱することにより硬化させる。その後、硬化性
オルガノポリシロキサン組成物の硬化物7により被覆さ
れた半導体素子を白色のエポキシ樹脂8により樹脂封止
する。
子9がリードフレーム10上にダイボンドされ、この半
導体素子9とリードフレーム11とがボンディングワイ
ヤ12によりワイヤボンディングされている。この半導
体素子9は硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化
物13により被覆されている。さらに、この硬化物13
により被覆された半導体素子9は透明な封止樹脂14に
より樹脂封止されている。
ては、半導体素子9をリードフレーム10にダイボンド
し、この半導体素子9とリードフレーム11とを金製の
ボンディングワイヤ12によりワイヤボンドする。次い
で、半導体素子9に硬化性オルガノポリシロキサン組成
物を塗布した後、50〜200℃に加熱することにより
硬化させる。その後、硬化性オルガノポリシロキサン組
成物の硬化物13により被覆された半導体素子9を透明
なエポキシ樹脂14により樹脂封止する。
物および半導体装置を実施例により詳細に説明する。な
お、実施例中の粘度は25℃において測定した値であ
る。硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬
化物の屈折率と光透過率を次のようにして測定した。ま
た、半導体装置の信頼性を次のようにして評価した。
よびその硬化物の屈折率の測定方法]硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物の25℃における屈折率をアッベ式
屈折率計を用いて測定した。なお、測定に用いた光源と
して、可視光(400nm〜700nm)の範囲で任意
に光源の波長を設定できる分光光源装置を用いて、波長
589nmにおける屈折率を測定した。同様にして、こ
の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物の25
℃における屈折率を測定した。この硬化物として、硬化
性オルガノポリシロキサン組成物を150℃の熱風循環
式オーブンで1時間加熱することにより硬化したもの
を、さらに150℃の熱風循環式オーブンで100時間
処理したものを用いた。
よび硬化物の光透過率の測定方法]硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物(光路長1.0mm)の25℃におけ
る光透過率を可視光(波長200nm〜700nm)の
範囲において任意の波長で測定できる自記分光光度計を
用いて測定した。なお、表1中には波長570nmにお
ける光透過率を記載した。同様にして、この硬化性オル
ガノポリシロキサン組成物の硬化物(光路長1.0m
m)の25℃における光透過率を測定した。この硬化物
として、硬化性オルガノポリシロキサン組成物を150
℃の熱風循環式オーブンで1時間加熱することにより硬
化したものを、さらに150℃の熱風循環式オーブンで
100時間加熱処理したものを用いた。
硬化物の紫外線透過率の測定方法]硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物の硬化物(光路長1.0mm)の25
℃における紫外線(230nm)の透過率を分光光度計
により測定した。この硬化物としては、硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物を150℃の熱風循環式オーブン
で1時間加熱して硬化したものを用いた。
1)]図1で示したフォトカプラーを次のようにして作
成した。すなわち、Ga−Al−As化合物系の半導体素
子1をリードフレーム2に導電性ペーストによりダイボ
ンドし、次いで、この半導体素子1と別のリードフレー
ム2を金製のボンディングワイヤ3によりワイヤボンド
した。この半導体素子1と対向する位置に受光用の半導
体素子4をリードフレーム5上に導電性ペーストを用い
てダイボンドし、次いで、この半導体素子4と別のリー
ドフレーム5を金製のボンディングワイヤ6によりワイ
ヤボンドした。これらの半導体素子の間を硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物により充填した後、150℃の
熱風循環式オーブンで1時間加熱して硬化した。次に、
硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物7により
被覆されたこれらの半導体素子を白色のエポキシ樹脂8
で樹脂封止した。このようにして10個のフォトカプラ
ーを作成した。
て、150℃の熱風循環式オーブン中で100時間加熱
処理する前後で測定し、加熱処理前の発光出力を100
とした時の加熱処理後の発光出力の相対値の平均値で示
した。
2)]図2で示したLEDを次のようにして作成した。
すなわち、GaN系化合物半導体素子9をリードフレー
ム10に導電性ペーストによりダイボンドした後、次い
で、この半導体素子9をリードフレーム11と金製のボ
ンディングワイヤ12によりワイヤボンドした。次い
で、半導体素子9を硬化性オルガノポリシロキサン組成
物をコーティングした後、150℃の熱風循環式オーブ
ンで1時間加熱することにより硬化した。この硬化性オ
ルガノポリシロキサン組成物の硬化物13により被覆し
た半導体素子9を透明なエポキシ樹脂14により樹脂封
止した。このようにして10個のLEDを作成した。
0℃の熱風循環式オーブン中で100時間加熱処理する
前後で測定し、加熱処理前の発光出力を100とした時
の加熱処理後の発光出力の相対値の平均値で示した。
−1,3−ジフェニル−1,3−ジビニルジシロキサン
を50℃に加熱した状態で55gの塩化白金酸水溶液
(白金含有量=13重量%)を滴下した後、70℃で1
時間攪拌した。その後、室温まで冷却して、55gの炭
酸水素ナトリウム、および9gの塩化カルシウムを添加
した。攪拌後、生成した塩をろ過により除去して、白金
の1,3−ジメチル−1,3−ジフェニル−1,3−ジ
ビニルジシロキサン錯体の1,3−ジメチル−1,3−
ジフェニル−1,3−ジビニルジシロキサン溶液からな
る白金錯体(I)を調製した。
ジメチル−1,3−ジフェニル−1,3−ジビニルジシ
ロキサンの代わりに1,3−ジビニルテトラメチルジシ
ロキサンを用いた以外は参考例1と同様にして、白金の
1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の1,
3−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液からなる白
金錯体(II)を調製した。
2000mPa・sである分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖のメチルフェニルポリシロキサン(ケイ
素原子に結合したビニル基の含有量=0.20重量%、
全ケイ素原子結合有機基に対するケイ素原子結合フェニ
ル基の比率が49モル%である。)100重量部、
(B)成分として,粘度が1.5mPa・sである分子
鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチル水素ポリシロ
キサン(ケイ素原子に結合した水素原子の含有量=1.
0重量%)2.5重量部(本組成物中のケイ素原子に結
合したアルケニル基1個に対して、本成分中のケイ素原
子に結合した水素原子が3.0個となる量である。)、
(C)成分として、参考例1に調製した白金錯体(I)
(本組成物中において、この錯体中の白金金属が重量単
位で2.5ppmとなる量)、および反応抑制剤とし
て、3−フェニル−1−ブチン−3−オール0.05重
量部を均一に混合して、粘度が10000mPa・sで
ある硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表1に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびLE
Dを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表1に示した。
分として、粘度が12000mPa・sである分子鎖両
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖のメチルフェニルポ
リシロキサン(ケイ素原子に結合したビニル基の含有量
=0.20重量%、全ケイ素原子結合有機基に対するケ
イ素原子結合フェニル基の比率が49モル%である。)
の代わりに、粘度が12000mPa・sである分子鎖
両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖のジメチルポリシ
ロキサン(ケイ素原子に結合したビニル基の含有量=
0.10重量%、全ケイ素原子結合有機基に対するケイ
素原子結合フェニル基の比率が0モル%である.)を用
いた以外は実施例1と同様にして、粘度が9800mP
a・sである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調
製した。
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表1に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびLE
Dを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表1に示した。
分として、参考例1で調製した白金錯体(I)の代わり
に、参考例2で調製した白金錯体(II)を用いた以外は
実施例1と同様にして、粘度が10000mPa・sで
ある硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬
化物の屈折率と光透過率を測定した。これらの結果を表
1に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン
組成物を用いてフォトカプラーおよびLEDを作成し
た。これらの半導体装置の信頼性の評価結果を表1に示
した。
分として、粘度が1.5mPa・sである分子鎖両末端
トリメチルシロキシ基封鎖メチル水素ポリシロキサン
(ケイ素原子に結合した水素原子の含有量=1.0重量
%)の代わりに、粘度が20mPa・sである分子鎖両
末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チル水素シロキサンコポリマー(ケイ素原子に結合した
水素原子の含有量=1.0重量%)を使用した以外は比
較例2と同様にして、粘度が10500mPa・sであ
る硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表1に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびLE
Dを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表1に示した。
00mPa・sである分子鎖両末端ジメチルビニルシロ
キシ基封鎖のジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサ
ンコポリマー(ケイ素原子に結合したビニル基の含有量
=0.25重量%、全ケイ素原子結合有機基に対するケ
イ素原子結合フェニル基の比率が47.5モル%であ
る。)100重量部、(B)成分として粘度が1.5m
Pa・sである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
メチル水素ポリシロキサン(ケイ素原子に結合した水素
原子の含有量=1.0重量%)2.5重量部(本組成物
中のケイ素原子に結合したアルケニル基1個に対して、
本成分中のケイ素原子に結合した水素原子が2.4個と
なる量である。)、(C)成分として、参考例1で調製
した白金錯体(I)(本組成物中において、この錯体中
の白金金属が重量単位で2.5ppmとなる量)、およ
び反応抑制剤として、3−フェニル−1−ブチン−3−
オール0.05重量部を均一に混合して、粘度が530
mPa・sである硬化性オルガノポリシロキサン組成物
を調製した。
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表1に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびLE
Dを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表1に示した。
組成物は、加熱による経時的な黄変が少なく、光透過率
が高い硬化物を形成することができるという特徴があ
る。また、本発明の半導体装置は、このような組成物の
硬化物により半導体素子を被覆しているので、信頼性が
優れるという特徴がある。
ラーの断面図である。
面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 (A)ケイ素原子に結合したアルケニル
基を一分子中に少なくとも2個有し、かつケイ素原子に
結合したアリール基を有するオルガノポリシロキサン、
(B)ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少な
くとも2個有するオルガノポリシロキサン、および
(C)白金のオルガノシロキサンオリゴマー錯体から少
なくともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物であ
って、前記(A)成分中のケイ素原子に結合した全有機
基に対するケイ素原子に結合したアリール基の含有率が
40モル%以上であり、かつ、前記(C)成分中のオル
ガノシロキサンオリゴマーが、一分子中のケイ素原子数
が8個以下であり、ケイ素原子に結合したアルケニル基
とケイ素原子に結合したアリール基を有することを特徴
とする硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 【請求項2】 (C)成分中のオルガノシロキサンオリ
ゴマーが、一般式: 【化1】 {式中、Rは同じか、または異なる一価炭化水素基(但
し、少なくとも1個のRはアルケニル基であり、かつ少
なくとも1個のRはアリール基である。)であり、mは
0〜6の整数である。}で示されることを特徴とする、
請求項1記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 【請求項3】 (C)成分中のオルガノシロキサンオリ
ゴマーが、一般式: 【化2】 {式中、R1はアルケニル基であり、R2は同じか、また
は異なる一価炭化水素基(但し、少なくとも1個のR2
はアリール基である。)であり、mは0〜6の整数であ
る。}で示されることを特徴とする、請求項1記載の硬
化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 【請求項4】 (C)成分中のオルガノシロキサンオリ
ゴマーが1,3−ジメチル−1,3−ジフェニル−1,
3−ジビニルジシロキサンであることを特徴とする、請
求項1記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 【請求項5】 請求項1乃至4のいずれか1項記載の硬
化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により半導
体素子が被覆されていることを特徴とする半導体装置。
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DE60223832T DE60223832T2 (de) | 2001-10-19 | 2002-10-09 | Härtbare organopolysiloxanzusammensetzung, verwendung des gehärteten produkts der zusammensetzung und halbleitervorrichtung |
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US11/832,984 US7763697B2 (en) | 2001-10-19 | 2007-08-02 | Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device |
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WO (1) | WO2003035763A1 (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005105217A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
JP2007008996A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Dow Corning Toray Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材 |
JP2008001828A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Dow Corning Toray Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
WO2008023746A1 (en) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus |
JP2008050494A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Dow Corning Toray Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
JP2008111117A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-05-15 | Rohm & Haas Co | 熱安定性アリールポリシロキサン組成物 |
WO2009119841A1 (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 三菱化学株式会社 | 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 |
JP2010132795A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 高屈折率を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物からなる光学素子封止材 |
JP2010174250A (ja) * | 2003-03-12 | 2010-08-12 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置 |
WO2012157330A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2012-11-22 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 |
US8373286B2 (en) | 2008-09-05 | 2013-02-12 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device |
US8481656B2 (en) | 2011-04-08 | 2013-07-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone resin composition and optical semiconductor device using the composition |
US8748533B2 (en) | 2010-12-31 | 2014-06-10 | Eternal Chemical Co., Ltd. | Curable organopolysiloxane composition and method for manufacturing the same |
US8895662B2 (en) | 2010-12-31 | 2014-11-25 | Eternal Chemical Co., Ltd. | Curable composition and method for manufacturing the same |
US8946353B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-02-03 | Dow Corning Toray Co. Ltd. | Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device |
US9045639B2 (en) | 2010-12-31 | 2015-06-02 | Eternal Materials Co., Ltd. | Curable composition and method for manufacturing the same |
KR101611009B1 (ko) | 2013-11-07 | 2016-04-08 | 제일모직주식회사 | 코어-쉘 미립자, 그 제조방법 및 이를 이용한 확산필름 |
US9416273B1 (en) | 2015-04-30 | 2016-08-16 | Eternal Materials Co., Ltd. | Curable composition and method for manufacturing the same |
JP2017228667A (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 信越化学工業株式会社 | フォトカプラー一次封止用熱硬化性シリコーン樹脂組成物、該組成物で封止されたフォトカプラー及び該フォトカプラーを有する光半導体装置 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4040858B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2008-01-30 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
AU2003261279A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-03-07 | Dow Corning Corporation | Method for etching a patterned silicone layyer |
JP2006073950A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高耐熱半導体装置 |
JP2007258317A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5060074B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-10-31 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置 |
JP5388331B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2014-01-15 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポリオルガノシロキサン組成物 |
US8029904B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-10-04 | Rohm And Haas Company | Aryl (thio)ether aryl polysiloxane composition and methods for making and using same |
US20080160317A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Deborah Ann Haitko | Optoelectronic device |
US8017246B2 (en) * | 2007-11-08 | 2011-09-13 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Silicone resin for protecting a light transmitting surface of an optoelectronic device |
JP2009284618A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Sharp Corp | フォトカプラ及びスイッチング電源回路 |
KR101030019B1 (ko) | 2009-12-31 | 2011-04-20 | 제일모직주식회사 | 봉지재용 투광성 수지 및 이를 포함하는 전자 소자 |
JP2011219597A (ja) * | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Nitto Denko Corp | シリコーン樹脂シート |
JP4911805B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2012-04-04 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 |
TWI483995B (zh) | 2010-08-18 | 2015-05-11 | Cheil Ind Inc | 聚有機矽氧烷與由該聚有機矽氧烷獲得之封裝材料以及包含該封裝材料之電子元件 |
WO2012150850A2 (ko) * | 2011-05-04 | 2012-11-08 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
CN104114645B (zh) * | 2011-11-25 | 2016-08-17 | Lg化学株式会社 | 可固化组合物 |
WO2013077700A1 (ko) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
EP2784129B1 (en) * | 2011-11-25 | 2017-04-26 | LG Chem, Ltd. | Curable composition |
TWI498356B (zh) * | 2011-11-25 | 2015-09-01 | Lg Chemical Ltd | 有機聚矽氧烷 |
EP2784128B1 (en) * | 2011-11-25 | 2016-05-25 | LG Chem, Ltd. | Curable composition |
KR101460863B1 (ko) * | 2011-11-25 | 2014-12-04 | 주식회사 엘지화학 | 오가노폴리실록산의 제조 방법 |
EP2878633B1 (en) * | 2012-07-27 | 2020-12-30 | LG Chem, Ltd. | Hardening composition |
JP5779155B2 (ja) * | 2012-08-28 | 2015-09-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9470395B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-10-18 | Abl Ip Holding Llc | Optic for a light source |
CA3015068C (en) | 2013-05-10 | 2019-07-16 | Abl Ip Holding Llc | Silicone optics |
DE102015101748A1 (de) | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement mit einem Werkstoff umfassend Epoxysilan-modifiziertes Polyorganosiloxan |
JP6445947B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2018-12-26 | 株式会社東芝 | 光結合装置 |
KR200485988Y1 (ko) | 2016-04-18 | 2018-03-20 | 우성화학(주) | 김 양식용 부구 |
US11401419B2 (en) * | 2016-08-26 | 2022-08-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Dealcoholization room-temperature curable organopolysiloxane composition, and article sealed by cured product of same |
WO2020082359A1 (en) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | Elkem Silicones Shanghai Co., Ltd. | Silicone composition and method for additive manufacturing silicone elastomer article |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5616632A (en) * | 1994-05-09 | 1997-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone compositions |
US6432137B1 (en) * | 1999-09-08 | 2002-08-13 | Medennium, Inc. | High refractive index silicone for use in intraocular lenses |
JP4040858B2 (ja) | 2001-10-19 | 2008-01-30 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
-
2001
- 2001-10-19 JP JP2001322138A patent/JP4040858B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2002-10-11 TW TW091123453A patent/TWI253460B/zh not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-08-02 US US11/832,984 patent/US7763697B2/en active Active
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010174250A (ja) * | 2003-03-12 | 2010-08-12 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置 |
US7527871B2 (en) | 2003-10-01 | 2009-05-05 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device |
KR101499709B1 (ko) * | 2003-10-01 | 2015-03-06 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치 |
JP2005105217A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
JP2007008996A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Dow Corning Toray Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材 |
KR101436800B1 (ko) | 2006-06-23 | 2014-09-02 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 디바이스 |
JP2008001828A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Dow Corning Toray Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
WO2008023746A1 (en) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus |
US8217388B2 (en) | 2006-08-25 | 2012-07-10 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device |
JP2008050494A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Dow Corning Toray Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
KR101408711B1 (ko) | 2006-08-25 | 2014-06-17 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치 |
JP2008111117A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-05-15 | Rohm & Haas Co | 熱安定性アリールポリシロキサン組成物 |
WO2009119841A1 (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 三菱化学株式会社 | 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 |
US8373286B2 (en) | 2008-09-05 | 2013-02-12 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device |
US8946353B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-02-03 | Dow Corning Toray Co. Ltd. | Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device |
JP2010132795A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 高屈折率を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物からなる光学素子封止材 |
US8158265B2 (en) | 2008-12-05 | 2012-04-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Addition-curable silicone composition that produces cured product having high refractive index, and optical element encapsulating material formed from the composition |
US8748533B2 (en) | 2010-12-31 | 2014-06-10 | Eternal Chemical Co., Ltd. | Curable organopolysiloxane composition and method for manufacturing the same |
US8895662B2 (en) | 2010-12-31 | 2014-11-25 | Eternal Chemical Co., Ltd. | Curable composition and method for manufacturing the same |
US9045639B2 (en) | 2010-12-31 | 2015-06-02 | Eternal Materials Co., Ltd. | Curable composition and method for manufacturing the same |
US8481656B2 (en) | 2011-04-08 | 2013-07-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone resin composition and optical semiconductor device using the composition |
WO2012157330A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2012-11-22 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 |
JPWO2012157330A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2014-07-31 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 |
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JP2017228667A (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 信越化学工業株式会社 | フォトカプラー一次封止用熱硬化性シリコーン樹脂組成物、該組成物で封止されたフォトカプラー及び該フォトカプラーを有する光半導体装置 |
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