JP2003124210A - Surface treatment method, semiconductor device, electric circuit, display module, color filter and light emitting element - Google Patents
Surface treatment method, semiconductor device, electric circuit, display module, color filter and light emitting elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は表面処理方法、半導
体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィ
ルタおよび発光素子に関するものであり、特に半導体装
置の配線パターンまたはカラーフィルタのマトリクスパ
ターンを形成するための表面処理方法に好適なものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment method, a semiconductor device, an electric circuit, a display module, a color filter and a light emitting element, and particularly for forming a wiring pattern of a semiconductor device or a matrix pattern of a color filter. It is suitable for the surface treatment method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】本願出願人は、特願２０００−３９０１
６６号において、半導体装置における配線パターンの形
成方法を提案している。図１２および図１３に先願に係
るパターン形成方法の説明図を示す。図１２（１）に示
す被処理部材１０の表面１２に、図１３（３）に示す配
線１４を形成する方法について、以下に説明する。2. Description of the Related Art The applicant of the present application has filed Japanese Patent Application No. 2000-3901.
No. 66 proposes a method for forming a wiring pattern in a semiconductor device. 12 and 13 are explanatory views of the pattern forming method according to the prior application. A method of forming the wiring 14 shown in FIG. 13C on the surface 12 of the member to be processed 10 shown in FIG. 12A will be described below.
【０００３】まず、ウエハ基板１０の表面１２の全面に
有機材料からなるフォトレジスト膜１６を形成する。次
に、配線パターンを描画したフォトマスク（不図示）を
レジスト膜１６の上方に配置して、レジスト膜１６の露
光および現像を行う。すると図１２（２）に示すよう
に、配線パターンに対応する凹部１８が形成される。次
に図１２（３）に示すように、パターン材料の有機溶媒
溶液を被処理部材１０上に塗布し、乾燥および焼成して
パターン材料被膜２０を形成する。First, a photoresist film 16 made of an organic material is formed on the entire surface 12 of the wafer substrate 10. Next, a photomask (not shown) on which a wiring pattern is drawn is arranged above the resist film 16, and the resist film 16 is exposed and developed. Then, as shown in FIG. 12B, the recesses 18 corresponding to the wiring patterns are formed. Next, as shown in FIG. 12C, an organic solvent solution of a pattern material is applied on the member to be processed 10 and dried and baked to form a pattern material coating film 20.
【０００４】次に図１３（１）に示すように、パターン
材料被膜２０のエッチング（エッチバック）を行う。エ
ッチバックは、パターン材料被膜２０の表面にエッチン
グ液を塗布し、時間管理によりフォトレジスト膜１６の
表面が露出するまで行う。なお、ＣＭＰ（化学機械研
磨）法によりパターン材料被膜２０の表面を除去するこ
とも可能である。次に図１３（２）に示すように、大気
圧プラズマ装置等により、被処理部材１０の表面１２に
存在するフォトレジスト膜１６を除去する。以上により
図１３（３）に示すように、被処理部材１０の表面１２
にパターン材料被膜２０からなる配線パターン１４を形
成することができる。Next, as shown in FIG. 13A, the pattern material film 20 is etched (etch back). The etch back is performed by applying an etching solution to the surface of the pattern material coating film 20 and controlling the time until the surface of the photoresist film 16 is exposed. It is also possible to remove the surface of the pattern material coating film 20 by a CMP (chemical mechanical polishing) method. Next, as shown in FIG. 13B, the photoresist film 16 existing on the surface 12 of the member to be processed 10 is removed by an atmospheric pressure plasma device or the like. As described above, as shown in FIG. 13C, the surface 12 of the processed member 10
The wiring pattern 14 made of the pattern material coating film 20 can be formed on the substrate.
【０００５】上述した先願に係るパターン形成方法は、
パターン材料の有機溶媒溶液を塗布してパターン材料被
膜２０を形成するので、大気圧下での成膜が可能であ
り、製造設備の消費エネルギを低減することができる。
また、パターン材料被膜２０のエッチバックにドライエ
ッチングを使用しないので、被処理部材にダメージを与
えることが少ない点で優れている。The pattern forming method according to the above-mentioned prior application is
Since the organic solvent solution of the pattern material is applied to form the pattern material coating film 20, the film formation can be performed under the atmospheric pressure, and the energy consumption of the manufacturing equipment can be reduced.
Further, since dry etching is not used for etching back the pattern material coating film 20, it is excellent in that the member to be processed is less damaged.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】半導体装置にはコスト
削減が求められ、製造工程のさらなる簡略化が検討され
ている。そこで発明者らは、上記のエッチバック工程を
省略可能なパターン形成方法を開発した。図７および図
８を利用して、新開発に係るパターン形成方法を説明す
る。There is a demand for cost reduction of semiconductor devices, and further simplification of the manufacturing process is being studied. Therefore, the inventors have developed a pattern forming method capable of omitting the above-mentioned etch back step. A pattern forming method according to the new development will be described with reference to FIGS. 7 and 8.
【０００７】まず、ウエハ基板１０の表面１２の全面に
有機材料からなるフォトレジスト膜１６を形成する。次
に、配線パターンを描画したフォトマスク（不図示）を
レジスト膜１６の上方に配置して、レジスト膜１６の露
光および現像を行う。すると図７（２）に示すように、
配線パターンに対応する凹部１８が形成される。次に図
７（３）に示すように、被処理部材１０の表面に有機物
の重合膜を形成することにより撥液処理を施す。なお、
配線パターンの凹部にも重合膜が形成されるので、配線
パターンの凹部１８に紫外線を照射することにより、当
該部分に親液処理を施す。First, a photoresist film 16 made of an organic material is formed on the entire surface 12 of the wafer substrate 10. Next, a photomask (not shown) on which a wiring pattern is drawn is arranged above the resist film 16, and the resist film 16 is exposed and developed. Then, as shown in FIG. 7 (2),
The recess 18 corresponding to the wiring pattern is formed. Next, as shown in FIG. 7C, liquid repellent treatment is performed by forming a polymerized film of an organic substance on the surface of the member to be treated 10. In addition,
Since the polymerized film is also formed in the concave portion of the wiring pattern, the concave portion 18 of the wiring pattern is irradiated with ultraviolet rays to perform lyophilic treatment on the portion.
【０００８】次に図８（１）に示すように、パターン材
料の有機溶媒溶液を被処理部材１０上に塗布する。その
際、レジスト膜１６の表面には撥液処理が施されている
ので、パターン材料溶液は配線パターンの凹部のみに付
着する。その後、乾燥および焼成してパターン材料被膜
２０を形成する。次に図８（２）に示すように、大気圧
プラズマ装置等により、被処理部材１０の表面１２に存
在するレジスト膜１６を除去する。以上により図８
（３）に示すように、被処理部材１０の表面１２にパタ
ーン材料被膜２０からなる配線パターン１４を形成する
ことができる。Next, as shown in FIG. 8 (1), an organic solvent solution of a pattern material is applied onto the member to be processed 10. At that time, since the surface of the resist film 16 is subjected to the liquid repellent treatment, the pattern material solution adheres only to the concave portions of the wiring pattern. Then, it is dried and baked to form the pattern material coating film 20. Next, as shown in FIG. 8B, the resist film 16 existing on the surface 12 of the member to be processed 10 is removed by an atmospheric pressure plasma device or the like. From the above, FIG.
As shown in (3), the wiring pattern 14 made of the pattern material coating film 20 can be formed on the surface 12 of the member to be processed 10.
【０００９】上記のような新開発に係るパターン形成方
法により、エッチバック工程を省略することができる。
もっとも、上述した新開発に係るパターン形成方法で
は、撥液処理工程の終了後に親液処理工程を行うことか
ら、さらなる製造工程の簡略化が求められている。With the pattern forming method according to the new development as described above, the etch back step can be omitted.
However, in the above-described newly-developed pattern forming method, since the lyophilic treatment process is performed after the liquid repellent treatment process is completed, further simplification of the manufacturing process is required.
【００１０】そこで本発明は、製造工程の簡略化により
製造コストの削減を可能とする表面処理方法、半導体デ
バイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタ
および発光素子の提供を目的とする。また本発明は、良
好な撥液性および親液性を付与することが可能な表面処
理方法、半導体デバイス、電気回路、表示体モジュー
ル、カラーフィルタおよび発光素子の提供を目的とす
る。Therefore, an object of the present invention is to provide a surface treatment method, a semiconductor device, an electric circuit, a display module, a color filter and a light emitting element which can reduce the manufacturing cost by simplifying the manufacturing process. Another object of the present invention is to provide a surface treatment method, a semiconductor device, an electric circuit, a display module, a color filter and a light emitting element which can impart good liquid repellency and lyophilicity.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る表面処理方法は、有機物部分と酸化物
部分とを有する被処理部材を親液処理した後、フッ素を
含むガスに前記被処理部材を晒すことにより、前記被処
理部材の前記有機物部分に撥液性を付与するとともに、
前記被処理部材の前記酸化物部分の親液性を維持する構
成とした。有機物はフッ素と反応して良好な撥液性を示
す一方で、安定な酸化物はフッ素と反応しないので親液
性を維持することができる。またフッ素と反応してもフ
ッ素化合物が酸化物表面に残留しないので、親液性を維
持することができる。従って、親液処理工程が不要とな
り、製造工程が簡略化され、製造コストを削減すること
ができる。In order to achieve the above object, a surface treatment method according to the present invention is a method in which a member having an organic substance portion and an oxide portion is subjected to a lyophilic treatment and then a gas containing fluorine is added to the above-mentioned method. By exposing the member to be treated, liquid repellency is imparted to the organic substance portion of the member to be treated,
The lyophilic property of the oxide portion of the member to be treated is maintained. Organic substances show good liquid repellency by reacting with fluorine, while stable oxides can maintain lyophilicity because they do not react with fluorine. Further, since the fluorine compound does not remain on the surface of the oxide even when it reacts with fluorine, the lyophilicity can be maintained. Therefore, the lyophilic treatment process becomes unnecessary, the manufacturing process is simplified, and the manufacturing cost can be reduced.
【００１２】また、フッ素を含むガスに被処理部材を晒
すと同時に、前記被処理部材に光を照射することによ
り、前記被処理部材の有機物部分に撥液性を付与すると
ともに、前記被処理部材の酸化物部分の親液性を維持す
る構成とした。なお前記光は、紫外線である構成とする
のが好ましい。紫外線の照射により、有機物表面のフッ
化処理が促進されるので、良好な撥液性を付与すること
ができる。また紫外線の照射により、生成されたフッ素
化合物が酸化物の表面から除去されるので、良好な親液
性を付与することができる。従って、親液処理工程が不
要となり、製造工程が簡略化され、製造コストを削減す
ることができる。なお前記フッ素を含むガスは、活性化
されたＰＦＣガスである構成とするのが好ましい。これ
により、有機物表面に良好な撥液性を付与することがで
きる。By exposing the member to be treated to a gas containing fluorine and irradiating the member to be treated with light at the same time, the organic material portion of the member to be treated is rendered liquid repellent and the member to be treated is treated. It was configured to maintain the lyophilic property of the oxide part of. The light is preferably ultraviolet light. The irradiation of ultraviolet rays accelerates the fluorination treatment on the surface of the organic substance, and thus can impart good liquid repellency. Further, since the generated fluorine compound is removed from the surface of the oxide by irradiation with ultraviolet rays, good lyophilicity can be imparted. Therefore, the lyophilic treatment process becomes unnecessary, the manufacturing process is simplified, and the manufacturing cost can be reduced. The gas containing fluorine is preferably an activated PFC gas. As a result, good liquid repellency can be imparted to the surface of the organic material.
【００１３】また前記ＰＦＣガスは、前記被処理部材を
配置した処理室内で活性化される構成とした。いわゆる
走査型プラズマにより、有機物表面に良好な撥液性を付
与することができる。また前記ＰＦＣガスは、活性化さ
れた後に前記被処理部材を配置した処理室内に供給され
る構成とした。いわゆるリモートプラズマで活性化され
たＰＦＣガスを供給することにより、フッ素と反応しや
すい酸化物が浸食されるのを防止することができる。な
お前記ＰＦＣガスの活性化は、大気圧またはその近傍の
圧力下における放電を利用して行う構成とするのが好ま
しい。これにより、真空装置が不要となり、製造コスト
を削減することができる。The PFC gas is activated in the processing chamber in which the member to be processed is arranged. The so-called scanning plasma can impart good liquid repellency to the surface of the organic material. The PFC gas is supplied to the processing chamber in which the member to be processed is arranged after being activated. By supplying the PFC gas activated by so-called remote plasma, it is possible to prevent the oxide that easily reacts with fluorine from being eroded. The activation of the PFC gas is preferably performed by using discharge under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof. This eliminates the need for a vacuum device and reduces the manufacturing cost.
【００１４】また、前記フッ素を含むガスに前記被処理
部材を晒す工程は、前記被処理部材を親液処理した後に
行う構成とした。これにより、被処理部材の表面に付着
した余分な有機物等を除去することができるので、有機
物部分に良好な撥液性を付与することができるととも
に、酸化物部分に良好な親液性を付与することができ
る。The step of exposing the member to be treated to the gas containing fluorine is carried out after the lyophilic treatment of the member to be treated. As a result, it is possible to remove excess organic substances and the like adhering to the surface of the member to be treated, so that it is possible to impart good liquid repellency to the organic substance portion and also impart good lyophilicity to the oxide portion. can do.
【００１５】なお前記親液処理は、活性化された酸素に
前記被処理部材を晒すことにより行う構成とするのが好
ましい。この場合には、フッ化処理工程と同じ装置で処
理を行うことができる。従って、製造コストを削減する
ことができる。なお前記親液処理は、アルカリ性溶剤に
前記被処理部材を浸すことにより行う構成とするのが好
ましい。It is preferable that the lyophilic treatment is performed by exposing the member to be treated to activated oxygen. In this case, the treatment can be performed with the same device as the fluorination treatment step. Therefore, the manufacturing cost can be reduced. It is preferable that the lyophilic treatment is performed by immersing the member to be treated in an alkaline solvent.
【００１６】なお前記酸素の活性化は、大気圧またはそ
の近傍の圧力下における放電を利用して行う構成とする
のが好ましい。これにより、真空装置が不要となり、製
造コストを削減することができる。It is preferable that the oxygen is activated by utilizing discharge under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof. This eliminates the need for a vacuum device and reduces the manufacturing cost.
【００１７】また、前記フッ素を含むガスに前記被処理
部材を晒す工程の後に、前記被処理部材に光を照射して
親液性を付与する構成とした。なお前記光は、紫外線で
ある構成とするのが好ましい。紫外線の照射により、有
機物の表面に生成された撥液性を有するフッ素化合物が
分解されて、有機物が元来有する親液性が復活する。従
って、有機物部分に良好な親液性を付与することができ
る。Further, after the step of exposing the member to be treated to the gas containing fluorine, the member to be treated is irradiated with light to impart lyophilicity. The light is preferably ultraviolet light. Irradiation with ultraviolet rays decomposes the lyophobic fluorine compound generated on the surface of the organic substance, and restores the lyophilic property originally possessed by the organic substance. Therefore, good lyophilicity can be imparted to the organic material portion.
【００１８】一方、本発明に係る半導体デバイスは、請
求項１ないし１３のいずれかに記載の表面処理方法を使
用して製造した構成とした。これにより、上記効果を伴
って半導体デバイスを製造することができる。On the other hand, the semiconductor device according to the present invention is manufactured by using the surface treatment method according to any one of claims 1 to 13. As a result, a semiconductor device can be manufactured with the above effects.
【００１９】一方、本発明に係る電気回路は、請求項１
ないし１３のいずれかに記載の表面処理方法を使用して
製造した構成とした。これにより、上記効果を伴って電
気回路を製造することができる。On the other hand, the electric circuit according to the present invention is defined by claim 1.
The structure was manufactured by using the surface treatment method described in any one of 1 to 13. As a result, an electric circuit can be manufactured with the above effects.
【００２０】一方、本発明に係る表示体モジュールは、
請求項１ないし１３のいずれかに記載の表面処理方法を
使用して製造した構成とした。これにより、上記効果を
伴って表示体モジュールを製造することができる。On the other hand, the display module according to the present invention is
A structure manufactured by using the surface treatment method according to any one of claims 1 to 13. Thereby, the display module can be manufactured with the above effects.
【００２１】一方、本発明に係るカラーフィルタは、請
求項１ないし１３のいずれかに記載の表面処理方法を使
用して製造した構成とした。これにより、上記効果を伴
ってカラーフィルタを製造することができる。On the other hand, the color filter according to the present invention is manufactured by using the surface treatment method according to any one of claims 1 to 13. Thereby, a color filter can be manufactured with the above effect.
【００２２】一方、本発明に係る発光素子は、請求項１
ないし１３のいずれかに記載の表面処理方法を使用して
製造した構成とした。これにより、上記効果を伴って発
光素子を製造することができる。On the other hand, the light emitting device according to the present invention is characterized by claim 1.
The structure was manufactured by using the surface treatment method described in any one of 1 to 13. Thereby, a light emitting element can be manufactured with the above effect.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】本発明に係る表面処理方法、半導
体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィ
ルタおよび発光素子の好ましい実施の形態を、添付図面
にしたがって詳細に説明する。なお以下に記載するのは
本発明の実施形態の一態様にすぎず、本発明はこれらに
限定されるものではない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a surface treatment method, a semiconductor device, an electric circuit, a display module, a color filter and a light emitting element according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be noted that what is described below is only one aspect of the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited thereto.
【００２４】最初に第１実施形態について説明する。第
１実施形態に係る表面処理方法は、シリコン基板等の被
処理部材の表面に配線パターンを形成する方法であっ
て、活性化されたフッ素を含むガスに被処理部材を晒す
と同時に、被処理部材に紫外線を照射することにより、
被処理部材に形成したレジスト膜の表面に撥液性を付与
するとともに、被処理部材に形成したシリコン酸化膜表
面の親液性を維持するものである。First, the first embodiment will be described. The surface treatment method according to the first embodiment is a method of forming a wiring pattern on the surface of a member to be treated, such as a silicon substrate, which exposes the member to be treated to a gas containing activated fluorine and simultaneously By irradiating the member with ultraviolet rays,
The liquid repellency is given to the surface of the resist film formed on the member to be processed, and the lyophilic property of the surface of the silicon oxide film formed on the member to be processed is maintained.
【００２５】第１実施形態では、フッ素を含むガスとし
てＣＦ4ガスやＣ2Ｆ6ガス等のフロン系ガスを使用す
る。またＰＦＣガスとして、ＣＨＦ3等のガスを使用す
ることもできる。さらにその他のフッ素を含むガスとし
て、ＳＦ6、ＮＦ3等のガスを使用することも可能であ
る。ＣＦ4ガスは、水蒸気を添加した上で使用してもよ
いし、添加しないで使用してもよい。水蒸気を添加した
場合には、プラズマ等により活性化されたＣＦ4ガスが
水蒸気と反応して、フッ化水素が生成される。一方、水
蒸気を添加しない場合でも、ＣＦ4ガスをプラズマ等で
活性化することにより、フッ素イオン及びラジカルが生
成される。In the first embodiment, a fluorocarbon-based gas such as CF 4 gas or C 2 F 6 gas is used as the gas containing fluorine. Also, a gas such as CHF 3 can be used as the PFC gas. Furthermore, it is also possible to use gas such as SF 6 and NF 3 as the other gas containing fluorine. The CF 4 gas may be used with or without the addition of water vapor. When water vapor is added, CF 4 gas activated by plasma or the like reacts with water vapor to generate hydrogen fluoride. On the other hand, even if water vapor is not added, fluorine ions and radicals are generated by activating CF 4 gas with plasma or the like.
【００２６】上記のように生成されたフッ素の励起活性
種が、被処理部材の表面に形成されたレジスト膜等の有
機物と反応して、水素原子をフッ素原子で置換すること
により、撥液性を有するフッ素化合物を生成する。なお
発明者の実験によれば、水蒸気の添加の有無により、有
機物表面の撥液性に大きな差はないことが確認されてい
る。The excited active species of fluorine generated as described above react with an organic substance such as a resist film formed on the surface of the member to be treated, and replace hydrogen atoms with fluorine atoms, so that liquid repellency is improved. To produce a fluorine compound. According to the experiments conducted by the inventor, it has been confirmed that the liquid repellency of the surface of the organic material is not significantly different depending on whether or not water vapor is added.
【００２７】一方、上記のように生成されたフッ素の励
起活性種は、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化錫をドープ
したもの）等の安定な金属酸化物および表面酸化膜とは
反応しない。なお、ＳｉＯ2（シリコン酸化膜）とは反
応して、ＳｉＦ4等のフッ素化合物を生成する。もっと
も、ＳｉＦ4は気体であり被処理部材の表面にほとんど
残留しない。従って、活性化されたフッ素を含むガスに
被処理部材を晒しても、シリコン酸化膜が元来有する親
液性は維持される。On the other hand, the excited active species of fluorine generated as described above do not react with a stable metal oxide such as ITO (indium oxide doped with tin oxide) and a surface oxide film. Incidentally, it reacts with SiO 2 (silicon oxide film) to produce a fluorine compound such as SiF 4 . However, SiF 4 is a gas and hardly remains on the surface of the member to be treated. Therefore, even if the member to be processed is exposed to the gas containing activated fluorine, the lyophilic property originally possessed by the silicon oxide film is maintained.
【００２８】図１に、活性化されたＣＦ4ガスによる処
理時間と接触角との関係を、各種の有機物および酸化物
について調査した実験の結果を示す。なおここで言う接
触角とは、図１４に示すように、静止液体１２２の自由
表面が水平面に接する場所で液面と固体面１２４とのな
す角θをいい、固体面１２４の撥液性が強いほど鈍角と
なる。FIG. 1 shows the results of an experiment in which the relationship between the treatment time by activated CF 4 gas and the contact angle was investigated for various organic substances and oxides. Note that the contact angle referred to here means the angle θ formed by the liquid surface and the solid surface 124 at the position where the free surface of the stationary liquid 122 contacts the horizontal surface, as shown in FIG. The stronger the angle, the more obtuse the angle.
【００２９】この実験の手順は以下の通りである。ま
ず、各種の有機物および酸化物が表面に形成された被処
理部材に対して親液処理を行った。具体的には、被処理
部材を走査型プラズマ装置に配置して、ヘリウムガス１
０Ｌ／ｍｉｎおよび酸素ガス１００ｃｃｍを供給し、大
気圧下においてＲＦ周波数１３．５６ＭＨｚおよび放電
電力３００Ｗの放電を行うことにより、酸素ガスを活性
化して被処理部材を親液処理した。また上記以外でも、
被処理部材の表面をＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカリ溶液
で処理することにより、親液性を付与することができ
る。さらに、レーザや電子線を照射することにより有機
物を分解および除去し、親液性を付与することも可能で
ある。The procedure of this experiment is as follows. First, lyophilic treatment was performed on a member to be treated on the surface of which various organic substances and oxides were formed. Specifically, the member to be processed is placed in the scanning plasma apparatus and the helium gas 1
By supplying 0 L / min and 100 ccm of oxygen gas and performing discharge of RF frequency 13.56 MHz and discharge power of 300 W under atmospheric pressure, oxygen gas was activated and the member to be treated was treated to be lyophilic. In addition to the above,
By treating the surface of the member to be treated with an alkaline solution such as NaOH or KOH, lyophilicity can be imparted. Furthermore, it is also possible to decompose and remove the organic matter by irradiating it with a laser or an electron beam to impart lyophilicity.
【００３０】次に、被処理部材に対してフッ化処理を行
った。具体的には、被処理部材を図５に示すパターン形
成装置に配置して、ヘリウムガス１０Ｌ／ｍｉｎおよび
ＣＦ 4ガス１００ｃｃｍを供給し、大気圧下においてＲ
Ｆ周波数１３．５６ＭＨｚおよび放電電力３００Ｗの放
電を行うことにより、ＣＦ4ガスを活性化して被処理部
材をフッ化処理した。なお、ＣＦ4ガスには水蒸気を添
加しないで供給した。またフッ化処理と同時に、被処理
部材に対して波長１７２ｎｍの紫外線を照射した。Then, the member to be treated is subjected to a fluorination treatment.
It was. Specifically, the member to be processed has a pattern shape shown in FIG.
Placed in the production equipment, helium gas 10 L / min and
CF FourSupply 100 ccm of gas and R under atmospheric pressure
Discharge of F frequency 13.56MHz and discharge power 300W
CF by chargingFourPart to be processed by activating gas
The material was fluorinated. Note that CFFourAdd steam to the gas
Supplied without adding. At the same time as the fluorination treatment,
The member was irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm.
【００３１】以上の各処理の後、各種の有機物および酸
化物の表面における接触角を測定した。図１に示すよう
に、有機材料であるＰＩ（ポリイミド）およびレジスト
は、活性化されたＣＦ4ガスで処理することにより、当
初の接触角が大きく増加している。これにより、撥液性
が付与されていることがわかる。一方、無機材料である
ＳｉＯ2およびＩＴＯは、活性化されたＣＦ4ガスで処理
しても、当初の低い接触角がほぼ維持されている。これ
により、当初の親液性が維持されていることがわかる。
また図１からは、活性化されたＣＦ4ガスによる処理時
間が６０秒を越えても、接触角がほとんど増加していな
い。これにより、処理時間を短縮してもほぼ同等の効果
が得られることがわかる。After each of the above treatments, the contact angles on the surface of various organic substances and oxides were measured. As shown in FIG. 1, the initial contact angle of PI (polyimide), which is an organic material, and the resist are greatly increased by treating with activated CF 4 gas. From this, it can be seen that liquid repellency is imparted. On the other hand, with regard to SiO 2 and ITO, which are inorganic materials, the initial low contact angle is almost maintained even after the treatment with the activated CF 4 gas. This shows that the initial lyophilicity is maintained.
Further, from FIG. 1, even if the treatment time with the activated CF 4 gas exceeds 60 seconds, the contact angle hardly increases. As a result, it can be seen that substantially the same effect can be obtained even if the processing time is shortened.
【００３２】また第１実施形態では、活性化されたフッ
素を含むガスに被処理部材を晒すと同時に、被処理部材
に紫外線を照射する。被処理部材の表面に形成された有
機物をフッ素の励起活性種によりフッ化処理する際に、
被処理部材の表面に紫外線を照射することにより、有機
物の水素原子が遊離しフッ素原子との置換反応が促進さ
れると考えられる。従って、大きな撥液性を付与するこ
とができる。そこで、上述した実験手順における紫外線
照射の有無と接触角と関係を、各種の有機物について調
査した。図２にその実験結果を示す。図２（１）に示す
ＰＩの場合、および図２（２）に示すレジストの場合の
いずれも、フッ化処理と同時に紫外線を照射した場合の
方が、大きな接触角を示している。これにより、大きな
撥液性が付与されていることがわかる。Further, in the first embodiment, the member to be treated is exposed to the gas containing activated fluorine, and at the same time, the member to be treated is irradiated with ultraviolet rays. When fluorinating the organic substance formed on the surface of the member to be treated with the excited active species of fluorine,
It is considered that by irradiating the surface of the member to be treated with ultraviolet rays, hydrogen atoms of the organic substance are released and the substitution reaction with the fluorine atoms is promoted. Therefore, great liquid repellency can be imparted. Therefore, the relationship between the presence or absence of ultraviolet irradiation and the contact angle in the above-described experimental procedure was investigated for various organic substances. The experimental results are shown in FIG. In both the case of the PI shown in FIG. 2 (1) and the case of the resist shown in FIG. 2 (2), a larger contact angle is exhibited when the ultraviolet rays are irradiated simultaneously with the fluorination treatment. As a result, it can be seen that great liquid repellency is imparted.
【００３３】一方、酸化物の表面に紫外線を照射するこ
とにより、フッ素の励起活性種と酸化物との反応で生成
されたＳｉＦ4等のフッ素化合物が、酸化物の表面から
除去される。従って、シリコン酸化膜が元来有する親液
性を積極的に維持することができる。そこで、上述した
実験手順における紫外線照射の有無と接触角との関係
を、各種の酸化物について調査した。図３にその実験結
果を示す。図３（１）に示すＳｉＯ2の場合、および図
３（２）に示すＩＴＯの場合のいずれも、フッ化処理と
同時に紫外線を照射した場合の方が、小さな接触角を示
している。これにより、当初の親液性が積極的に維持さ
れていることがわかる。このように、被処理部材に紫外
線を照射することにより、照射しない場合と比較して、
撥液性および親液性のコントラストを際立たせることが
できる。On the other hand, by irradiating the surface of the oxide with ultraviolet rays, the fluorine compound such as SiF 4 produced by the reaction between the excited active species of fluorine and the oxide is removed from the surface of the oxide. Therefore, the lyophilic property originally possessed by the silicon oxide film can be positively maintained. Therefore, the relationship between the presence or absence of ultraviolet irradiation and the contact angle in the above-described experimental procedure was investigated for various oxides. The experimental results are shown in FIG. In both the case of SiO 2 shown in FIG. 3 (1) and the case of ITO shown in FIG. 3 (2), a smaller contact angle is obtained when ultraviolet rays are irradiated simultaneously with the fluorination treatment. This shows that the initial lyophilicity is positively maintained. In this way, by irradiating the member to be treated with ultraviolet rays, compared to the case where it is not irradiated,
Liquid-repellent and lyophilic contrasts can be emphasized.
【００３４】なお、被処理部材の表面に形成された有機
物をフッ化処理した後に、当該有機物に紫外線を照射し
た場合には、当該有機物に親液性を付与することができ
る。これは、撥液性を有するフッ素化合物が紫外線によ
り分解されて、有機物が元来有する親液性が復活するこ
とによる。そこで、上述した実験後における、紫外線の
照射時間と接触角との関係を、各種の有機物および酸化
物について調査した。なお紫外線の照射は、図５に示す
パターン形成装置に配置した被処理部材に対して、波長
１７２ｎｍの紫外線を照射することにより行った。その
結果を図４に示す。有機物であるＰＩは、紫外線を照射
することにより当初の接触角が大きく減少している。な
お、酸化物であるＳｉＯ2およびＩＴＯについても、紫
外線を照射することにより接触角が大きく減少してい
る。これにより、いずれに対しても親液性が付与されて
いることがわかる。When the organic substance formed on the surface of the member to be treated is fluorinated and then irradiated with ultraviolet rays, the organic substance can be rendered lyophilic. This is because the fluorine compound having liquid repellency is decomposed by ultraviolet rays and the lyophilic property originally possessed by the organic substance is restored. Therefore, the relationship between the irradiation time of ultraviolet rays and the contact angle after the above-described experiment was investigated for various organic substances and oxides. The irradiation of ultraviolet rays was performed by irradiating the member to be processed arranged in the pattern forming apparatus shown in FIG. 5 with ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm. The result is shown in FIG. The initial contact angle of PI, which is an organic substance, is greatly reduced by irradiation with ultraviolet rays. The contact angles of the oxides SiO 2 and ITO are greatly reduced by irradiating them with ultraviolet rays. From this, it can be seen that lyophilicity is imparted to both.
【００３５】次に、活性化されたフッ素を含むガスで被
処理部材を処理すると同時に、被処理部材に紫外線を照
射する、パターン形成装置について説明する。図５にパ
ターン形成装置の説明図を示す。パターン形成装置３０
の中央部には、被処理部材１０を載置する処理テーブル
３３を設置する。その処理テーブル３３の上方に、処理
室３２を形成する。なお、処理室３２は封止材料３８に
より密閉封止する。その処理室３２の前後には、処理ガ
ス供給路３５および処理ガス排出路３６を形成する。処
理ガス供給路を通して、いわゆるリモートプラズマによ
り外部で活性化されたフッ素を含むガスを、処理室３２
内に供給する。また、処理ガス排出路３６は図示しない
スクラバに接続し、排出ガスの除害を行う。Next, a pattern forming apparatus will be described in which a member to be processed is treated with a gas containing activated fluorine and at the same time, the member to be treated is irradiated with ultraviolet rays. FIG. 5 shows an explanatory view of the pattern forming apparatus. Pattern forming device 30
A processing table 33 on which the member to be processed 10 is placed is installed in the center of the table. The processing chamber 32 is formed above the processing table 33. The processing chamber 32 is hermetically sealed with a sealing material 38. A processing gas supply passage 35 and a processing gas discharge passage 36 are formed before and after the processing chamber 32. A gas containing fluorine, which has been activated outside by so-called remote plasma, is supplied to the processing chamber 32 through the processing gas supply passage.
Supply in. Further, the processing gas discharge passage 36 is connected to a scrubber (not shown) to remove the exhaust gas.
【００３６】一方、処理室３２の上方に紫外線ランプ４
０を配置する。なお紫外線ランプ４０は、大気中で点灯
すると焼き付いてしまうので、窒素ガスで置換可能とし
た紫外線ランプ室４２内に配置する。そして、紫外線ラ
ンプ室４２における処理室３２側の壁面は、紫外線を透
過するガラス板４１で構成し、被処理部材１０に紫外線
を照射可能とする。一方、処理室３２における紫外線ラ
ンプ室４２側の壁面は、紫外線を透過する蛍石３１で構
成し、被処理部材に紫外線を照射可能とするとともに、
処理室３２に供給されるフッ素の励起活性種によりガラ
ス板４１が浸食されるのを防止する。On the other hand, the ultraviolet lamp 4 is provided above the processing chamber 32.
Place 0. Since the ultraviolet lamp 40 burns when it is lit in the atmosphere, it is arranged in the ultraviolet lamp chamber 42 which can be replaced with nitrogen gas. Then, the wall surface of the ultraviolet lamp chamber 42 on the side of the processing chamber 32 is formed of a glass plate 41 that transmits ultraviolet light, and the member 10 to be processed can be irradiated with ultraviolet light. On the other hand, the wall surface of the processing chamber 32 on the side of the ultraviolet lamp chamber 42 is made of fluorite 31 that transmits ultraviolet rays so that the member to be processed can be irradiated with ultraviolet rays.
The glass plate 41 is prevented from being eroded by the excited active species of fluorine supplied to the processing chamber 32.
【００３７】次に、第１実施形態に係る表面処理方法の
各工程について、工程順に詳細に説明する。図６に第１
実施形態に係る表面処理方法のフローチャートを示す。
また、図７および図８に第１実施形態に係る表面処理方
法の説明図を示す。なお、以下の各工程の間には、被処
理部材を配置した処理室内を窒素や不活性ガス等で置換
し、前工程の影響が後工程に及ばないようにするのが好
ましい。また、配線パターンと半導体素子との絶縁性確
保のため、被処理部材１０の表面には、図示しないシリ
コン酸化膜を予め形成しておくことが望ましい。Next, each step of the surface treatment method according to the first embodiment will be described in detail in the order of steps. First in FIG.
3 shows a flowchart of a surface treatment method according to an embodiment.
7 and 8 are explanatory views of the surface treatment method according to the first embodiment. During each of the following steps, it is preferable that the inside of the processing chamber in which the member to be processed is arranged is replaced with nitrogen, an inert gas, or the like so that the influence of the previous step does not affect the subsequent step. Further, in order to ensure insulation between the wiring pattern and the semiconductor element, it is desirable to previously form a silicon oxide film (not shown) on the surface of the member to be processed 10.
【００３８】まず、図７（１）に示す被処理部材１０の
表面１２に、レジスト膜１６を設ける（レジスト塗布工
程、Ｓ６０）。レジスト膜１６は被処理部材１０の表面
１２の全体に形成する。レジスト膜１６の厚さは、例え
ば１μｍ以下とし、なおかつ形成すべき配線の高さ以上
に形成する。次に、図７（２）に示すように、レジスト
膜１６に配線パターンの凹部１８を形成する（凹部形成
工程、Ｓ６２）。具体的には、配線パターンを描画した
フォトマスク（不図示）をレジスト膜１６の上方に配置
し、レジスト膜１６の露光および現像を行い、配線パタ
ーンとなる部分のレジストを除去して凹部１８を形成す
る。すると、配線パターンの凹部には被処理部材の表面
に形成したシリコン酸化膜が露出する。さらに現像後の
レジスト膜１６を、例えば２００℃×１０分以下でベー
クする。First, a resist film 16 is provided on the surface 12 of the member to be processed 10 shown in FIG. 7A (resist coating step, S60). The resist film 16 is formed on the entire surface 12 of the member to be processed 10. The thickness of the resist film 16 is, for example, 1 μm or less, and is formed to be higher than the height of the wiring to be formed. Next, as shown in FIG. 7B, a recess 18 of the wiring pattern is formed in the resist film 16 (recess forming step, S62). Specifically, a photomask (not shown) in which a wiring pattern is drawn is placed above the resist film 16, the resist film 16 is exposed and developed, and the resist in the portion that will become the wiring pattern is removed to form the concave portion 18. Form. Then, the silicon oxide film formed on the surface of the member to be processed is exposed in the concave portion of the wiring pattern. Further, the resist film 16 after development is baked at, for example, 200 ° C. × 10 minutes or less.
【００３９】次に、活性化したフッ素を含むガスに被処
理部材１０を晒す（フッ化処理工程、Ｓ７４）。具体的
には、まず図５に示すパターン形成装置３０の処理室３
２内に被処理部材１０を配置する。次に、リモートプラ
ズマにより予め活性化されたＣＦ4ガス等のフッ素を含
むガスを、処理ガス供給路３５から処理室３２内に導入
する。すると、フッ素の励起活性種がレジスト膜と反応
し、その表面に撥液性を有するフッ素化合物を生成す
る。なおリモートプラズマは、高周波電圧を印加する方
法に限られず、電子線または紫外線を照射する方法によ
っても、フッ素を含むガスを活性化することができる。
一方、配線パターンの凹部には、被処理部材の表面に形
成したシリコン酸化膜が露出しているので、活性化され
たフッ素を含むガスに晒されても撥液性を生じない。Next, the member to be treated 10 is exposed to the gas containing activated fluorine (fluorination treatment step, S74). Specifically, first, the processing chamber 3 of the pattern forming apparatus 30 shown in FIG.
The member to be processed 10 is placed in the position 2. Next, a gas containing fluorine, such as CF 4 gas, which has been previously activated by remote plasma, is introduced into the processing chamber 32 from the processing gas supply passage 35. Then, the excited active species of fluorine react with the resist film to form a liquid-repellent fluorine compound on the surface thereof. The remote plasma is not limited to the method of applying the high frequency voltage, and the gas containing fluorine can be activated by the method of irradiating the electron beam or the ultraviolet ray.
On the other hand, since the silicon oxide film formed on the surface of the member to be processed is exposed in the recesses of the wiring pattern, the liquid repellency does not occur even when exposed to the gas containing activated fluorine.
【００４０】またこれと同時に、被処理部材１０の表面
に紫外線を照射する。すると、フッ素の励起活性種とレ
ジスト膜との反応が促進され、レジスト膜の表面に大き
な撥液性が付与される。一方、シリコン酸化膜の表面か
らフッ素化合物が除去され、シリコン酸化膜が元来有す
る親液性が積極的に維持される。At the same time, the surface of the member 10 to be processed is irradiated with ultraviolet rays. Then, the reaction between the excited active species of fluorine and the resist film is promoted, and a large liquid repellency is imparted to the surface of the resist film. On the other hand, the fluorine compound is removed from the surface of the silicon oxide film, and the lyophilic property originally possessed by the silicon oxide film is positively maintained.
【００４１】以上の各工程の後、図８（１）に示すよう
に、配線パターンの凹部にパターン材料被膜２０を形成
する（成膜処理工程、Ｓ８０）。まず、被処理部材１０
の表面にパターン材料溶液を塗布する。After each of the above steps, as shown in FIG. 8A, the pattern material coating film 20 is formed in the concave portion of the wiring pattern (film forming step, S80). First, the processed member 10
The pattern material solution is applied to the surface of the.
【００４２】第１実施形態では、配線用のパターン材料
溶液として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属ま
たはその化合物を有機溶媒に溶解したもの、またはポリ
アニリンやポリピロールなどの導電性有機物を有機溶媒
に溶解したもの等を使用する。有機溶媒には、アクリル
樹脂や酢酸ブチル等を単独または複数混合して使用す
る。一例として、パターン材料溶液として酢酸銅（化学
式：Ｃｕ（ＣＨ3ＣＯＯ）2・Ｈ2Ｏ）の有機溶媒溶液を
使用することにより、金属銅からなる配線パターンを形
成することができる。なお、金属銅を焼成する際に酸化
銅（ＣｕＯ）が形成されやすく、酸化銅は配線抵抗を引
き上げる原因となるので、これを取り除く必要がある。
そこで反応ガスとして水素ガスを使用し、この水素ガス
をプラズマ化して水素ラジカルを生成し、この水素ラジ
カルで酸化銅を還元することにより、金属銅を焼成す
る。なお反応ガスは還元剤であればよく、塩素ガス、フ
ッ素系ガス、一酸化炭素ガス等を使用することもでき
る。In the first embodiment, as a pattern material solution for wiring, a metal such as Au, Ag, Cu or Al or a compound thereof is dissolved in an organic solvent, or a conductive organic substance such as polyaniline or polypyrrole is used as an organic solvent. Use the one dissolved in. As the organic solvent, acrylic resin, butyl acetate, etc. may be used alone or in combination. As an example, a wiring pattern made of metallic copper can be formed by using an organic solvent solution of copper acetate (chemical formula: Cu (CH 3 COO) 2 · H 2 O) as the pattern material solution. In addition, since copper oxide (CuO) is easily formed when firing metallic copper, and copper oxide causes a rise in wiring resistance, it is necessary to remove it.
Therefore, hydrogen gas is used as a reaction gas, the hydrogen gas is turned into plasma to generate hydrogen radicals, and copper oxide is reduced by the hydrogen radicals, whereby metallic copper is fired. The reaction gas may be any reducing agent, and chlorine gas, fluorine-based gas, carbon monoxide gas, or the like can also be used.
【００４３】なお、配線用以外のパターン材料溶液とし
て、ＩＴＯ、ＳｉＯ2若しくはＳｎＯ2等を有機溶媒に溶
解したものを使用することも可能である。この場合には
活性化した酸素で焼成する。パターン材料溶液としてＩ
ＴＯ（Indium Tin Oxide）を使用し、透明電極パターン
を形成する場合には、酸化インジウムに酸化錫を１〜５
重量％ドープしたＩＴＯを、有機溶媒に溶かして使用す
る。有機溶媒には例えばｎ−酢酸ブチル等の酢酸エステ
ル類を採用し、濃度０．０２ｍｏｌ／Ｌ程度に希釈して
使用する。この場合、被処理部材への塗布は常温下で行
い、その後２００℃以上で焼成する。その他にも、パタ
ーン材料溶液として、液体の（Ｃ4Ｈ8）2Ｓｎ（ＯＣＯ
ＣＨ3）2、または液体若しくは気体のＴＥＯＳ等を使用
することも可能である。As the pattern material solution other than that for wiring, it is also possible to use a solution of ITO, SiO 2 or SnO 2 dissolved in an organic solvent. In this case, firing is performed with activated oxygen. I as a pattern material solution
When using TO (Indium Tin Oxide) and forming a transparent electrode pattern, 1 to 5 tin oxide is added to indium oxide.
A weight% doped ITO is used by dissolving it in an organic solvent. Acetic acid esters such as n-butyl acetate are used as the organic solvent, and are diluted to a concentration of about 0.02 mol / L before use. In this case, the coating on the member to be treated is performed at room temperature, and then baked at 200 ° C. or higher. In addition, as a pattern material solution, a liquid (C 4 H 8 ) 2 Sn (OCO) is used.
It is also possible to use CH 3 ) 2 , or liquid or gaseous TEOS or the like.
【００４４】パターン材料溶液の塗布は、成膜装置（不
図示）の処理室内に被処理部材を配置して行う。まず、
その処理室内にパターン材料溶液および反応ガスを供給
する（材料供給工程）。その際、パターン材料溶液をミ
スト化し、好ましくはミスト状のパターン材料溶液と反
応ガスとを混合して、処理室内に供給する。The application of the pattern material solution is performed by disposing the member to be processed in the processing chamber of the film forming apparatus (not shown). First,
A pattern material solution and a reaction gas are supplied into the processing chamber (material supply step). At that time, the pattern material solution is made into a mist, and preferably the mist-like pattern material solution and the reaction gas are mixed and supplied into the processing chamber.
【００４５】次に、処理室内に供給されたパターン材料
溶液および反応ガスに対し、電子線照射管等により電子
を照射する（電子照射工程）。すると、反応ガスがプラ
ズマ状態となり、反応ガスの励起活性種が生成される。
なお電子線の照射以外でも、高周波電力を印加すること
により、または紫外線を照射することにより、反応ガス
を活性化することができる。一方、照射された電子はパ
ターン材料溶液にも衝突して、その液滴をマイナスに帯
電させる。Next, the pattern material solution and the reaction gas supplied into the processing chamber are irradiated with electrons by an electron beam irradiation tube or the like (electron irradiation step). Then, the reaction gas becomes a plasma state, and excited active species of the reaction gas are generated.
Note that the reaction gas can be activated by applying high-frequency power or by irradiating with ultraviolet rays, other than the irradiation with electron beams. On the other hand, the irradiated electrons also collide with the pattern material solution to negatively charge the droplet.
【００４６】次に、パターン材料溶液を被処理部材の表
面に被着させる（被着工程）。被処理部材を配置した処
理ステージにバイアス電圧を印加して、被処理部材の表
面をプラスに帯電させることにより、マイナスに帯電し
たパターン材料溶液の液滴を引き寄せて被着させること
ができる。Next, the pattern material solution is applied to the surface of the member to be processed (adhering step). By applying a bias voltage to the processing stage in which the member to be processed is arranged to positively charge the surface of the member to be processed, the droplets of the pattern material solution that are negatively charged can be attracted and deposited.
【００４７】一方、被処理部材を水平面内で回転させ、
レジスト膜上に被着したパターン材料溶液の液滴を、遠
心力により外側に移動させる（回転工程）。レジスト膜
上に生成されたフッ素化合物は撥液性を有するので、液
滴はフッ素化合物に固着することなく、フッ素化合物上
を滑るように移動する。一方、配線パターン形成部分に
は親液処理を施しているので、未充填の配線パターン形
成部分があれば、液滴はその部分に付着する。また、未
充填の配線パターン形成部分がなければ、液滴は被処理
部材の端部まで移動してその外部に落ちる。このように
して、配線パターン形成部分にパターン材料溶液が充填
されるとともに、レジスト膜上に被着したパターン材料
溶液の液滴が除去される。On the other hand, the member to be processed is rotated in a horizontal plane,
The droplet of the pattern material solution deposited on the resist film is moved to the outside by the centrifugal force (rotating step). Since the fluorine compound formed on the resist film has liquid repellency, the droplets slide on the fluorine compound without sticking to the fluorine compound. On the other hand, since the wiring pattern forming portion is subjected to the lyophilic treatment, if there is an unfilled wiring pattern forming portion, the droplets adhere to that portion. Further, if there is no unfilled wiring pattern forming portion, the liquid droplet moves to the end portion of the member to be processed and falls to the outside thereof. In this way, the pattern material solution is filled in the wiring pattern forming portion, and the droplets of the pattern material solution deposited on the resist film are removed.
【００４８】次に、被処理部材を加熱し、パターン材料
溶液の有機溶媒を蒸発させて乾燥させ、図８（１）に示
すパターン材料被膜２０を形成する（乾燥工程、Ｓ９
２）。有機溶媒の突沸による配線パターンの破壊を回避
するため、被処理部材の温度は連続的または段階的に時
間をかけて上昇させる。なお有機溶媒の蒸発を促進する
ため処理室内を減圧状態とし、また加熱によるパターン
材料の酸化を防止するため不活性ガス雰囲気中で乾燥を
行うのが好ましい。さらに反応性ガス若しくは活性化さ
れた反応ガスの雰囲気下で、仮焼成しながら乾燥を行っ
てもよい。次に、配線パターンの焼成を行う（焼成工
程、Ｓ９４）。具体的には、活性化した反応ガス雰囲気
下で、被処理部材を加熱および加圧することにより、配
線パターンを焼成する。Next, the member to be processed is heated to evaporate and dry the organic solvent of the pattern material solution to form the pattern material coating film 20 shown in FIG. 8A (drying step, S9).
2). In order to avoid the destruction of the wiring pattern due to bumping of the organic solvent, the temperature of the member to be treated is continuously or stepwise increased over time. It is preferable that the inside of the processing chamber is depressurized in order to accelerate the evaporation of the organic solvent, and that the drying is performed in an inert gas atmosphere to prevent the pattern material from being oxidized by heating. Further, drying may be performed while calcining in an atmosphere of a reactive gas or an activated reaction gas. Next, the wiring pattern is baked (baking step, S94). Specifically, the wiring pattern is fired by heating and pressurizing the member to be processed in the activated reaction gas atmosphere.
【００４９】次に、図８（２）に示すように、レジスト
膜１６を除去する（レジスト除去工程、Ｓ９６）。具体
的には、減圧下の活性化した酸素雰囲気下において、被
処理部材１０を加熱し、レジスト膜１６を燃焼させる。
また、オゾン水で被処理部材１０を洗浄することによ
り、レジスト膜１６を剥離させて除去する。なおレジス
ト膜１６の除去と同時に、その表面に形成されたフッ素
化合物も除去される。これにより、被処理部材１０の表
面全体に親液性が付与された状態となる。Next, as shown in FIG. 8B, the resist film 16 is removed (resist removing step, S96). Specifically, in the activated oxygen atmosphere under reduced pressure, the member to be processed 10 is heated to burn the resist film 16.
In addition, the resist film 16 is peeled and removed by cleaning the member 10 to be processed with ozone water. Simultaneously with the removal of the resist film 16, the fluorine compound formed on its surface is also removed. As a result, the entire surface of the member to be processed 10 is rendered lyophilic.
【００５０】その後、酸化防止のための保護膜や、配線
パターンの電気的分離のための絶縁膜等の被膜を、必要
に応じて被処理部材１０の表面に形成する（保護膜等形
成工程、Ｓ９４）。以上により、図８（３）に示すよう
に、被処理部材１０の表面に配線パターン１４が形成さ
れる。Thereafter, a protective film for preventing oxidation and a film such as an insulating film for electrically separating the wiring pattern are formed on the surface of the member to be processed 10 as needed (a protective film forming step, S94). By the above, as shown in FIG. 8C, the wiring pattern 14 is formed on the surface of the member to be processed 10.
【００５１】上記のように構成した第１実施形態に係る
表面処理方法により、製造工程を簡略化することができ
る。この点、発明者らの新開発に係るエッチバック工程
を省略可能なパターン形成方法では、撥液処理工程の終
了後に親液処理工程を行うことから、さらなる製造工程
の簡略化が求められている。The manufacturing process can be simplified by the surface treatment method according to the first embodiment configured as described above. In this respect, in the pattern formation method according to the newly developed method by which the etch back process can be omitted, since the lyophilic treatment process is performed after the liquid repellent treatment process is completed, further simplification of the manufacturing process is required. .
【００５２】そこで、第１実施形態に係る表面処理方法
では、フッ素を含むガスに被処理部材を晒すことによ
り、被処理部材の有機物部分に撥液性を付与するととも
に、被処理部材の酸化物部分の親液性を維持する構成と
した。レジスト等の有機物はフッ素と反応して良好な撥
液性を示す一方で、シリコン酸化膜等の酸化物はフッ素
と反応してもフッ素化合物が酸化物表面に残留しないの
で、親液性を維持することができる。従って、親液処理
工程が不要となり、製造工程が簡略化され、製造コスト
を削減することができる。Therefore, in the surface treatment method according to the first embodiment, the member to be treated is exposed to a gas containing fluorine to impart liquid repellency to the organic material portion of the member to be treated, and also the oxide of the member to be treated. It was configured to maintain the lyophilic property of the part. Organic substances such as resists show good liquid repellency by reacting with fluorine, while oxides such as silicon oxide films do not remain on the oxide surface even if they react with fluorine, so maintain lyophilicity. can do. Therefore, the lyophilic treatment process becomes unnecessary, the manufacturing process is simplified, and the manufacturing cost can be reduced.
【００５３】なお、被処理部材の表面に有機物の重合膜
を形成して、撥液性を付与する方法も考えられる。しか
しこの場合には、新液性を維持すべき部分にも重合膜が
形成されるので、別途親液処理工程が必要となる。ま
た、重合膜の形成には多くの時間を必要とする。この
点、第１実施形態に係る表面処理方法では、フッ素を含
むガスに被処理部材を晒して、選択的にフッ素化合物を
形成し撥液性を付与するので、製造工程が簡略化され、
製造コストを削減することができる。A method of forming a polymerized film of an organic material on the surface of the member to be treated so as to impart liquid repellency may be considered. However, in this case, since a polymerized film is formed even in the portion where the new lyophilic property should be maintained, a separate lyophilic treatment step is required. Further, it takes a lot of time to form the polymer film. In this respect, in the surface treatment method according to the first embodiment, the member to be treated is exposed to a gas containing fluorine to selectively form a fluorine compound and impart liquid repellency, so that the manufacturing process is simplified,
Manufacturing costs can be reduced.
【００５４】次に、第２実施形態について説明する。第
２実施形態に係る表面処理方法は、ガラス基板等の被処
理部材の表面にカラーフィルタのマトリクスパターンを
形成する方法であって、活性化されたフッ素を含むガス
に被処理部材を晒すと同時に、被処理部材に紫外線を照
射することにより、被処理部材に形成したバンクの表面
に撥液性を付与するとともに、被処理部材の表面の親液
性を維持するものである。Next, the second embodiment will be described. The surface treatment method according to the second embodiment is a method of forming a matrix pattern of a color filter on the surface of a member to be treated such as a glass substrate, and exposing the member to be treated to a gas containing activated fluorine at the same time. By irradiating the member to be treated with ultraviolet rays, the surface of the bank formed on the member to be treated is rendered lyophobic and the lyophilic property of the surface of the member to be treated is maintained.
【００５５】液晶表示装置等では、白色光源に含まれる
三原色（ＲＧＢ）のうちいずれか一色を透過するフィル
タを、ガラス基板等の被処理部材上にマトリクス状にパ
ターニングした、図１１（３）に示すようなカラーフィ
ルタが使用されている。各フィルタは、顔料等のパター
ン材料の被膜５０ｒ、５０ｇ、５０ｂであり、厚さ１μ
ｍ程度に形成されている。各パターン材料被膜は一定間
隔をおいて、平面視マトリクス状にパターニングされて
いる。なおマトリクスパターンの目地部分には、カーボ
ンブラックを含む有機系樹脂材料によりバンク６を形成
し、隣接する画素からの光漏れを防止している。さらに
ガラス基板の表面全体に、保護膜５８を形成している。
さらに保護膜５８の表面に、透明電極（不図示）を配置
する。In a liquid crystal display device or the like, a filter that transmits any one of the three primary colors (RGB) included in a white light source is patterned in a matrix on a member to be processed such as a glass substrate, as shown in FIG. 11 (3). A color filter as shown is used. Each filter is a coating 50r, 50g, 50b of a pattern material such as a pigment and has a thickness of 1 μm.
It is formed to about m. Each pattern material coating film is patterned in a matrix in a plan view at regular intervals. In addition, in the joint portion of the matrix pattern, a bank 6 is formed of an organic resin material containing carbon black to prevent light leakage from adjacent pixels. Further, a protective film 58 is formed on the entire surface of the glass substrate.
Further, a transparent electrode (not shown) is arranged on the surface of the protective film 58.
【００５６】次に、第２実施形態に係る表面処理方法の
各工程について、工程順に詳細に説明する。図９に第２
実施形態に係る表面処理方法のフローチャートを示す。
また、図１０および図１１に第２実施形態に係る表面処
理方法の説明図を示す。まず、図１０（１）に示すよう
に、被処理部材５の表面全体に、有機材料からなるバン
ク剤６ａを塗布する（バンク剤塗布工程、Ｓ１６０）。
次に、露光、現像を行い、図１０（２）に示すように、
バンク６を形成する（バンク形成工程、Ｓ１６２）。Next, each step of the surface treatment method according to the second embodiment will be described in detail in the order of steps. Second in FIG.
3 shows a flowchart of a surface treatment method according to an embodiment.
10 and 11 are explanatory views of the surface treatment method according to the second embodiment. First, as shown in FIG. 10A, the bank agent 6a made of an organic material is applied to the entire surface of the member 5 to be processed (bank agent applying step, S160).
Next, exposure and development are performed, and as shown in FIG.
The bank 6 is formed (bank forming step, S162).
【００５７】次に、図１０（３）に示すように、被処理
部材５の表面に付着している余分な有機物等を除去する
ため、被処理部材５に親液処理を施す（親液処理工程、
Ｓ１７２）。その具体的な方法は、第１実施形態と同様
である。Next, as shown in FIG. 10C, the member 5 to be treated is subjected to a lyophilic treatment in order to remove excess organic substances and the like adhering to the surface of the member 5 to be treated (lyophilic treatment). Process,
S172). The specific method is the same as in the first embodiment.
【００５８】次に、活性化したフッ素を含むガスに被処
理部材５を晒す（フッ化処理工程、Ｓ１７４）。その具
体的な方法は、第１実施形態と同様である。すると、フ
ッ素の励起活性種が有機物からなるバンク６と反応し、
その表面に撥液性を有するフッ素化合物を生成する。一
方、被処理部材はガラス材料からなるので、活性化され
たフッ素を含むガスに晒されても撥液性を生じない。ま
たこれと同時に、被処理部材５の表面に紫外線を照射す
る。すると、フッ素の励起活性種とバンクとの反応が促
進され、バンクの表面に大きな撥液性が付与される。一
方、ガラス表面からはフッ素化合物が除去され、シリコ
ン酸化物が元来有する親液性が積極的に維持される。Next, the member 5 to be treated is exposed to the gas containing activated fluorine (fluorination treatment step, S174). The specific method is the same as in the first embodiment. Then, the excited active species of fluorine react with the bank 6 made of an organic substance,
A fluorine compound having liquid repellency is generated on the surface. On the other hand, since the member to be treated is made of a glass material, it does not have liquid repellency even when exposed to an activated gas containing fluorine. At the same time, the surface of the member 5 to be processed is irradiated with ultraviolet rays. Then, the reaction between the excited active species of fluorine and the bank is promoted, and a large liquid repellency is imparted to the surface of the bank. On the other hand, the fluorine compound is removed from the glass surface, and the lyophilic property originally possessed by silicon oxide is positively maintained.
【００５９】次に、図１１（１）に示すように、パター
ン材料溶液４９を塗布する。まずＲＧＢのうち、例えば
Ｒ（赤）を選択する（色選択工程、Ｓ１８８）。次にイ
ンクジェットにより、Ｒのパターン材料溶液４９を、Ｒ
のカラーフィルタ形成部分に塗布する（成膜処理工程、
Ｓ１９０）。すると、バンク６の表面が撥液性を有する
ため、パターン材料溶液４９は大きく盛り上がった状態
で塗布される。またバンク６の表面が撥液性を有するた
め、塗布されたＲのパターン材料溶液４９は、隣接する
Ｇのカラーフィルタ形成部分に流入することがない。Next, as shown in FIG. 11A, a pattern material solution 49 is applied. First, for example, R (red) is selected from RGB (color selection step, S188). Then, the pattern material solution 49 of R is
Is applied to the color filter forming portion of the
S190). Then, since the surface of the bank 6 has liquid repellency, the pattern material solution 49 is applied in a state of being greatly raised. Further, since the surface of the bank 6 has liquid repellency, the applied R pattern material solution 49 does not flow into the adjacent G color filter forming portion.
【００６０】次に、図１１（２）に示すように、パター
ン材料溶液をプリベークする（プリベーク工程、Ｓ１９
２）。その温度は例えば８０℃とする。すると、パター
ン材料溶液中の有機溶媒が蒸発して収縮し、カラーフィ
ルタ５０ｒが形成される。同様にＲＧＢのＧ（緑）およ
びＢ（青）を選択して（Ｓ１９３）、図１１（３）に示
すように、それぞれのカラーフィルタ５０ｇおよび５０
ｂを形成する。最後に、パターン材料溶液をポストベー
クする（ポストベーク工程、Ｓ１９４）。その温度は、
例えば２００℃とする。Next, as shown in FIG. 11 (2), the pattern material solution is pre-baked (pre-baking step, S19).
2). The temperature is 80 ° C., for example. Then, the organic solvent in the pattern material solution evaporates and contracts to form the color filter 50r. Similarly, RGB G (green) and B (blue) are selected (S193), and as shown in FIG. 11C, the respective color filters 50g and 50g are selected.
b is formed. Finally, the pattern material solution is post-baked (post-baking step, S194). The temperature is
For example, it is set to 200 ° C.
【００６１】次に、被処理部材５の表面に紫外線を照射
し、親液処理を施す（親液処理工程、Ｓ１９６）。この
親液処理は、図５に示すパターン形成装置を流用して行
う。具体的には、被処理部材５を処理室３２に配置し、
紫外線ランプ４０から紫外線を照射する。すると、バン
ク６の表面に形成されているフッ素化合物およびパター
ン材料溶液の表面に付着している余分な有機物が、分解
されて除去される。これにより、被処理部材の表面全体
に親液性が付与される。なお、パターン材料被膜との反
応を考慮する必要がなければ、リモートプラズマにより
予め活性化された酸素を、処理ガス供給路３５から処理
室３２内に導入し、フッ素化合物等を燃焼させて除去す
ることもできる。また、被処理部材の表面をＮａＯＨや
ＫＯＨ等のアルカリ溶液で処理することにより、親液性
を付与することもできる。さらに、レーザや電子線を照
射することにより有機物を分解および除去し、親液性を
付与することも可能である。Next, the surface of the member 5 to be processed is irradiated with ultraviolet rays to perform lyophilic processing (lyophilic processing step, S196). This lyophilic treatment is performed by diverting the pattern forming device shown in FIG. Specifically, the member 5 to be processed is placed in the processing chamber 32,
Ultraviolet rays are emitted from the ultraviolet lamp 40. Then, the fluorine compound formed on the surface of the bank 6 and the excess organic matter attached to the surface of the pattern material solution are decomposed and removed. This imparts lyophilicity to the entire surface of the member to be treated. If it is not necessary to consider the reaction with the pattern material coating film, oxygen previously activated by remote plasma is introduced into the processing chamber 32 from the processing gas supply passage 35, and the fluorine compound or the like is burned and removed. You can also Further, by treating the surface of the member to be treated with an alkaline solution such as NaOH or KOH, lyophilicity can be imparted. Furthermore, it is also possible to decompose and remove the organic matter by irradiating it with a laser or an electron beam to impart lyophilicity.
【００６２】最後に、被処理部材５の表面に保護膜５８
を形成する（保護膜形成工程、Ｓ１９８）。被処理部材
５の表面には親液処理を施しているので、保護膜５８と
の接着性を確保することができる。以上により、被処理
部材５の表面にカラーフィルタのマトリクスパターンが
形成される。上記のように構成した第２実施形態に係る
表面処理方法により、製造工程を簡略化することができ
る点は、第１実施形態と同様である。Finally, a protective film 58 is formed on the surface of the member 5 to be processed.
Are formed (protective film forming step, S198). Since the surface of the member to be processed 5 is subjected to the lyophilic treatment, it is possible to secure the adhesiveness with the protective film 58. As described above, the matrix pattern of the color filter is formed on the surface of the member 5 to be processed. Like the first embodiment, the manufacturing process can be simplified by the surface treatment method according to the second embodiment configured as described above.
【００６３】また、フッ素を含むガスに被処理部材を晒
した後に、親液性を付与すべき部分に光を照射する構成
とした。その光は、紫外線である構成とするのが好まし
い。紫外線の照射により、有機物の表面に生成された撥
液性を有するフッ素化合物が分解されて、有機物が元来
有する親液性が復活する。従って、有機物部分に良好な
親液性を付与することができる。これにより、被処理部
材の表面に保護膜等の被膜を形成する場合に、良好な接
着性を確保することができる。またこの場合には、フッ
化処理工程と同じ装置で処理を行うことができる。従っ
て、製造コストを削減することができる。Further, after the member to be treated is exposed to the gas containing fluorine, the portion to be provided with the lyophilic property is irradiated with light. The light is preferably ultraviolet light. Irradiation with ultraviolet rays decomposes the lyophobic fluorine compound generated on the surface of the organic substance, and restores the lyophilic property originally possessed by the organic substance. Therefore, good lyophilicity can be imparted to the organic material portion. As a result, good adhesiveness can be ensured when a film such as a protective film is formed on the surface of the member to be processed. Further, in this case, the treatment can be performed with the same device as the fluorination treatment step. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.
【００６４】なお、本発明のパターン形成方法により、
機能的な薄膜を基板上に形成した構造体は、例えば半導
体デバイス、電気回路、表示体モジュール、発光素子な
どに適用される。その一例を図１５及び図１６に示す。
図１５は例えば、半導体デバイス、電気回路、表示体モ
ジュールの概略図であり、図１６は、例えば発光素子を
形成した微細構造体の概略図である。図１５において、
主に半導体デバイスおよび電気回路の機能的薄膜１１４
は例えば配線パターンの金属薄膜であり、また表示体モ
ジュールの機能的薄膜１１４は例えばカラーフィルタの
有機分子膜である。図１５ではカラーフィルタの一例を
示しているが、本発明のパターン形成方法を用いて他の
機能的薄膜を形成することに差異はない。図１６中にお
いて、発光素子の機能的薄膜１１４は例えば発光層に使
用する有機ＥＬ（electroluminescence）の薄膜であ
り、透明基板１１１上に形成された図中記載の透明電極
１１５と対をなす電極（不図示）を形成して、上記機能
的薄膜１１４を挟み込む形で素子を形成する。また、上
記電極についても、本発明のパターン形成方法を用いて
形成できる点は言うまでもない。なお上記機能的薄膜１
１４の膜厚は、微細構造体を如何なる用途のものにする
かにより任意であるが、０．０２〜４μｍとするのが好
ましい。これらに本発明のパターン形成方法を適用した
ものは高品質であり、その製造工程の簡略化、製造コス
ト面においても従来法に勝るものである。According to the pattern forming method of the present invention,
The structure body in which a functional thin film is formed on a substrate is applied to, for example, a semiconductor device, an electric circuit, a display module, a light emitting element, or the like. An example thereof is shown in FIGS. 15 and 16.
FIG. 15 is a schematic view of a semiconductor device, an electric circuit, a display module, for example, and FIG. 16 is a schematic view of a fine structure having a light emitting element formed therein, for example. In FIG.
Functional thin film 114 mainly for semiconductor devices and electric circuits
Is, for example, a metal thin film of a wiring pattern, and the functional thin film 114 of the display module is, for example, an organic molecular film of a color filter. Although FIG. 15 shows an example of the color filter, there is no difference in forming another functional thin film using the pattern forming method of the present invention. In FIG. 16, a functional thin film 114 of a light emitting element is, for example, an organic EL (electroluminescence) thin film used for a light emitting layer, and an electrode (paired with a transparent electrode 115 described in the drawing formed on a transparent substrate 111 ( (Not shown) is formed, and the element is formed by sandwiching the functional thin film 114. Needless to say, the above electrodes can also be formed using the pattern forming method of the present invention. The functional thin film 1
The film thickness of 14 is arbitrary depending on the intended use of the fine structure, but is preferably 0.02 to 4 μm. The pattern forming method of the present invention applied to these has high quality and is superior to the conventional method in terms of simplification of the manufacturing process and manufacturing cost.
【００６５】[0065]
【発明の効果】フッ素を含むガスに被処理部材を晒すと
同時に、前記被処理部材に光を照射することにより、前
記被処理部材の有機物部分に撥液性を付与するととも
に、前記被処理部材の酸化物部分の親液性を維持する構
成としたので、親液処理工程が不要となり、製造工程が
簡略化され、製造コストを削減することができる。EFFECTS OF THE INVENTION By exposing a member to be treated to a gas containing fluorine and irradiating the member to be treated with light at the same time, liquid repellency is imparted to the organic substance portion of the member to be treated and the member to be treated is treated. Since the lyophilic property of the oxide part is maintained, the lyophilic treatment step is unnecessary, the manufacturing process is simplified, and the manufacturing cost can be reduced.
【図１】 活性化されたＣＦ4ガスによる処理時間と接
触角との関係を示すグラフの図である。FIG. 1 is a graph showing a relationship between a treatment time by activated CF 4 gas and a contact angle.
【図２】 紫外線照射の有無と接触角との関係を示すグ
ラフの図であり、（１）はＰＩを実験対象とした場合の
グラフの図であり、（２）はレジストを実験対象とした
場合のグラフの図である。FIG. 2 is a graph showing a relationship between the presence or absence of ultraviolet irradiation and a contact angle, (1) is a graph when PI is an experimental target, and (2) is a resist as an experimental target. It is a figure of a graph in a case.
【図３】 紫外線照射の有無と接触角との関係を示すグ
ラフの図であり、（１）はＳｉＯ2を実験対象とした場
合のグラフの図であり、（２）はＩＴＯを実験対象とし
た場合のグラフの図である。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the presence or absence of ultraviolet irradiation and the contact angle, (1) is a graph when SiO 2 is an experimental target, and (2) is an ITO experimental target. It is a figure of a graph at the time of doing.
【図４】 フッ化処理後における、紫外線の照射時間と
接触角との関係を示すグラフの図である。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the irradiation time of ultraviolet rays and the contact angle after the fluorination treatment.
【図５】 パターン形成装置の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a pattern forming apparatus.
【図６】 第１実施形態に係る表面処理方法のフローチ
ャートの図である。FIG. 6 is a flowchart of a surface treatment method according to the first embodiment.
【図７】 第１実施形態に係る表面処理方法の第１説明
図である。FIG. 7 is a first explanatory diagram of the surface treatment method according to the first embodiment.
【図８】 第１実施形態に係る表面処理方法の第２説明
図である。FIG. 8 is a second explanatory view of the surface treatment method according to the first embodiment.
【図９】 第２実施形態に係る表面処理方法のフローチ
ャートの図である。FIG. 9 is a flowchart of a surface treatment method according to a second embodiment.
【図１０】 第２実施形態に係る表面処理方法の第１説
明図である。FIG. 10 is a first explanatory diagram of the surface treatment method according to the second embodiment.
【図１１】 第２実施形態に係る表面処理方法の第２説
明図である。FIG. 11 is a second explanatory diagram of the surface treatment method according to the second embodiment.
【図１２】 先願に係るパターン形成方法の第１説明図
である。FIG. 12 is a first explanatory diagram of the pattern forming method according to the prior application.
【図１３】 先願に係るパターン形成方法の第２説明図
である。FIG. 13 is a second explanatory view of the pattern forming method according to the prior application.
【図１４】 接触角の説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram of a contact angle.
【図１５】 微細構造体の第１説明図である。FIG. 15 is a first explanatory diagram of a fine structure.
【図１６】 微細構造体の第２説明図である。FIG. 16 is a second explanatory diagram of the fine structure.
５………被処理部材、６………バンク、６ａ………バン
ク剤、１０………被処理部材、１２………表面、１４…
……配線パターン、１６………フォトレジスト膜、１８
………凹部、２０………パターン材料被膜、３０………
パターン形成装置、３１………蛍石、３２………処理
室、３３………処理ステージ、３５………処理ガス供給
路、３６………処理ガス排出路、３８………封止部材、
４０………紫外線ランプ、４１………ガラス板、４２…
……紫外線ランプ室、４９………パターン材料溶液、５
０ｒ，５０ｇ，５０ｂ………カラーフィルタ、５８……
…保護膜、１０１………微細構造体、１１１………基
板、１１４………機能的薄膜、１１５………透明電極、
１２２………静止液体、１２４………固体面。5 ......... Processed member, 6 ...... Bank, 6a ......... Banking agent, 10 ...... Processed member, 12 ......... Surface, 14 ...
...... Wiring pattern, 16 ………… Photoresist film, 18
……… Concave, 20 ……… Pattern material coating, 30 ………
Pattern forming device, 31 ... Fluorite, 32 ... Processing chamber, 33 ... Processing stage, 35 ... Processing gas supply path, 36 ... Processing gas discharge path, 38 ... ,
40 ……… UV lamp, 41 ……… Glass plate, 42…
…… UV lamp chamber, 49 ……… Pattern material solution, 5
0r, 50g, 50b ......... Color filter, 58 ...
… Protective film, 101 ……… Microstructure, 111 ……… Substrate, 114 ……… Functional thin film, 115 ……… Transparent electrode,
122 ……… Still liquid, 124 ………… Solid surface.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F033 HH00 HH08 HH11 HH13 HH14 HH35 HH38 PP26 QQ00 QQ73 RR04 SS22 XX33 XX34 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F term (reference) 5F033 HH00 HH08 HH11 HH13 HH14 HH35 HH38 PP26 QQ00 QQ73 RR04 SS22 XX33 XX34
Claims (18)
理部材を親液処理した後、フッ素を含むガスに前記被処
理部材を晒すことにより、前記被処理部材の前記有機物
部分に撥液性を付与するとともに、前記被処理部材の前
記酸化物部分の親液性を維持することを特徴とする表面
処理方法。1. A liquid-repellent agent is applied to the organic material portion of the member to be processed by subjecting the member to be processed having an organic substance portion and an oxide portion to lyophilic treatment, and then exposing the member to be treated to a gas containing fluorine. While maintaining the lyophilic property of the oxide portion of the member to be treated.
同時に、前記被処理部材に光を照射することにより、前
記被処理部材の有機物部分に撥液性を付与するととも
に、前記被処理部材の酸化物部分の親液性を維持するこ
とを特徴とする表面処理方法。2. The member to be processed is exposed to a gas containing fluorine and is irradiated with light at the same time to impart liquid repellency to an organic part of the member to be processed and the member to be processed. Maintaining the lyophilicity of the oxide part of the surface treatment method.
る請求項２に記載の表面処理方法。3. The surface treatment method according to claim 2, wherein the light is ultraviolet light.
ＰＦＣガスであることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の表面処理方法。4. The surface treatment method according to claim 1, wherein the gas containing fluorine is activated PFC gas.
置した処理室内で活性化されることを特徴とする請求項
４に記載の表面処理方法。5. The surface treatment method according to claim 4, wherein the PFC gas is activated in a treatment chamber in which the member to be treated is arranged.
記被処理部材を配置した処理室内に供給されることを特
徴とする請求項４に記載の表面処理方法。6. The surface treatment method according to claim 4, wherein the PFC gas is supplied into a treatment chamber in which the member to be treated is disposed after being activated.
はその近傍の圧力下における放電を利用して行うことを
特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の表面処
理方法。7. The surface treatment method according to claim 4, wherein the activation of the PFC gas is performed by utilizing discharge under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof.
を晒す工程は、前記被処理部材を親液処理した後に行う
ことを特徴とする請求項２または３に記載の表面処理方
法。8. The surface treatment method according to claim 2, wherein the step of exposing the member to be treated to the gas containing fluorine is performed after lyophilic treatment of the member to be treated.
記被処理部材を晒すことにより行うことを特徴とする請
求項１または８に記載の表面処理方法。9. The surface treatment method according to claim 1, wherein the lyophilic treatment is performed by exposing the member to be treated to activated oxygen.
記被処理部材を浸すことにより行うことを特徴とする請
求項１または８に記載の表面処理方法。10. The surface treatment method according to claim 1, wherein the lyophilic treatment is performed by immersing the member to be treated in an alkaline solvent.
の近傍の圧力下における放電を利用して行うことを特徴
とする請求項９に記載の表面処理方法。11. The surface treatment method according to claim 9, wherein the activation of oxygen is performed by utilizing discharge under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof.
材を晒す工程の後に、前記被処理部材に光を照射して親
液性を付与することを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれかに記載の表面処理方法。12. The lyophilic property is imparted by irradiating the member to be treated with light after the step of exposing the member to be treated to the gas containing fluorine. The surface treatment method described in.
する請求項１２に記載の表面処理方法。13. The surface treatment method according to claim 12, wherein the light is ultraviolet light.
の表面処理方法を使用して製造したことを特徴とする半
導体デバイス。14. A semiconductor device manufactured by using the surface treatment method according to any one of claims 1 to 13.
の表面処理方法を使用して製造したことを特徴とする電
気回路。15. An electric circuit manufactured by using the surface treatment method according to claim 1. Description:
の表面処理方法を使用して製造したことを特徴とする表
示体モジュール。16. A display module manufactured by using the surface treatment method according to any one of claims 1 to 13.
の表面処理方法を使用して製造したことを特徴とするカ
ラーフィルタ。17. A color filter manufactured by using the surface treatment method according to claim 1. Description:
の表面処理方法を使用して製造したことを特徴とする発
光素子。18. A light emitting device manufactured by using the surface treatment method according to claim 1. Description:
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|---|---|---|---|
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