JP2003124107A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2003124107A
JP2003124107A JP2001321800A JP2001321800A JP2003124107A JP 2003124107 A JP2003124107 A JP 2003124107A JP 2001321800 A JP2001321800 A JP 2001321800A JP 2001321800 A JP2001321800 A JP 2001321800A JP 2003124107 A JP2003124107 A JP 2003124107A
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JP
Japan
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substrate
processing
liquid
processing apparatus
cooling
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JP2001321800A
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Inventor
Takashi Takekuma
貴志 竹熊
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 カップごとの調整工数及びパーツを削減し
て、しかもカップごとに製品の品質を一定に維持するこ
とができ、更には、加熱処理ユニットによる熱影響を受
けることのない基板処理装置を提供すること。 【解決手段】 カップCPを公転させ、流れ作業でレジ
スト塗布処理等を行っているので、レジストノズル36
及びこのノズル36へレジストを供給するためのポンプ
や温調装置、配管等がそれぞれ1つだけで足り、必要な
パーツを削減することができ、コストを削減できる。ま
た、全てのウエハWに対し同一のノズル及び同一の処理
液により処理を行うこととしたので、ウエハごとのばら
つきを抑えて一定の品質を確保することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造工程において、半導体ウエハ基板に対しレジストを
塗布し、現像する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトリソグラフ
ィー工程では、半導体ウエハ(以下、「ウエハ」とい
う。)の表面にフォトレジストを塗布し、レジスト上に
マスクパターンを露光し、現像してウエハ表面にレジス
トパターンを形成するようにしている。これらレジスト
塗布工程及び現像工程は、従来より塗布現像処理装置に
より行われている。
【0003】図14は、従来型の塗布現像処理装置を示
す平面図である。この塗布現像処理装置は、ウエハカセ
ットCRに対してウエハWを搬入・搬出したりするため
のカセットステーション110と、ウエハWに所定の処
理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配
置してなる処理ステーション111と、この処理ステー
ション111と隣接して設けられる露光装置(図示せ
ず)との間でウエハWを受け渡しするためのインターフ
ェース部112とを一体に接続した構成を有している。
処理ステーション111では、中心部に垂直搬送型の搬
送装置122が設けられ、その周りに、カップCP内に
ウエハWを収容してレジストを塗布するレジスト塗布処
理ユニット(COT)、同様にカップCP内にウエハW
を収容して現像処理する現像処理ユニット(DEV)、
加熱や冷却処理を行う複数の熱処理系のユニット10
5,106が配置されている。これら各処理ユニット
は、垂直方向に多段に積まれて構成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような塗布現像処
理装置では、レジスト塗布処理ユニット(COT)や現
像処理ユニット(DEV)におけるカップCPごとにレ
ジスト液や現像液等の処理液を基板に供給するための配
管やポンプフィルタ、AV等のパーツが必要となってお
り、また、処理液を吐出するノズルや、このノズルを移
動させるモータ等もカップごとに必要となっていること
よりコスト高騰の問題となっている。
【0005】また、カップごとに各パーツや処理液の調
整が必要であるため、立ち上げ時間が長くなる。更に、
カップごとに上記各パーツ及び調整に多少の差が生じて
しまうため、各ユニットごとの処理に差が生じる可能性
がある。これにより、製品の品質にばらつきが発生して
しまう。
【0006】また、従来型の塗布現像処理装置では、多
段構成の熱処理系のユニット105,106に加熱処理
ユニットと冷却処理ユニットが混在している。従って、
例えば、冷却処理を終えたウエハが搬送装置122を介
してレジスト塗布処理ユニット(COT)や現像処理ユ
ニット(DEV)内に搬送される場合、加熱処理ユニッ
トの放射熱が、その搬送途中のウエハに対し悪影響を及
ぼすおそれがある。
【0007】以上のような事情に鑑み、本発明の目的
は、カップごとの調整工数及びパーツを削減して、カッ
プごとに製品の品質を一定に維持することができ、更に
は、加熱処理ユニットによる熱影響を受けることのない
基板処理装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の観点は、基板に対し処理液を供給し
て所定の処理を施す複数の液処理部と、前記複数の液処
理部を公転させる機構と、前記複数の液処理部の間で基
板の搬送を行う搬送機構とを具備する。
【0009】このような構成によれば、複数の液処理部
を公転させ、流れ作業で処理を行うようにすることによ
り、従来のように枚葉式で処理する場合に比べ、液処理
部のタクトタイムが一定になり、スループットも向上さ
せることができる。また、基板に対して処理液を供給す
る機構、例えば、ノズルやポンプ等が従来の1ユニット
分だけで足り、各処理部に前記ノズルやポンプ等をそれ
ぞれ設置する必要がなく、パーツを削減でき、コストを
抑えることができる。
【0010】本発明の一の形態によれば、前記公転中心
部に配置され、少なくとも前記処理液を前記複数の液処
理部に供給する第1の供給路を更に具備する。これによ
り、複数の液処理部に対して公転中心部に配置された回
転しない第1の供給路を共通使用して処理液供給するよ
うにしたので、基板に対し処理液を供給する機構、例え
ば、ノズルやポンプ等の供給路をそれぞれ設ける必要が
なく、省スペース化とコスト削減が可能となる。更に、
上記供給路内で処理液が漏れた際にも、供給路下側に漏
液センサを設置するだけで供給路内を通る各処理液の漏
液を容易に検知できる。
【0011】本発明の一の形態によれば、前記複数の液
処理部の公転軌跡上に配置され、前記処理液を基板上に
供給するノズルを具備する。これにより、複数の液処理
部が公転する途中でノズルにより処理液を基板に供給す
ることができ、処理効率が向上する。
【0012】本発明の一の形態によれば、前記ノズルは
複数設けられ、レジスト液を供給するレジストノズル
と、現像液を供給する現像液ノズルと、前記現像液が供
給された基板上にリンス液を供給するリンスノズルとを
含む。従来においては、例えばレジスト塗布処理ユニッ
ト及び現像処理ユニットは各ユニットごとに処理を行っ
ていたので、ユニットごとに処理環境が異なる場合があ
り基板ごとにばらつきが生じ易かったが、本発明によれ
ば、全ての基板に対し同一のノズル及び同一の処理液に
より処理を行うこととしたので、基板ごとのばらつきを
抑えて一定の品質を確保することができる。
【0013】本発明の一の形態によれば、前記現像液ノ
ズルは、前記公転軌跡に対して直交する方向に長さ方向
を有する長尺状のノズルである。これにより、基板を公
転させながら基板上の全面に均一に現像液を供給するこ
とができる。
【0014】本発明の一の形態によれば、前記複数の液
処理部は少なくとも上下2段に配設され、当該上段又は
下段に前記現像液ノズル及びリンスノズル、又は前記レ
ジストノズルのいずれかがそれぞれ配置されている。こ
れにより、レジスト塗布処理及び現像処理ごとに室を分
けて処理を行うことにより更に処理効率を高めることが
できる。
【0015】本発明の一の形態によれば、前記液処理部
は、基板を収容するカップと、前記カップ内で基板を保
持し回転させる回転保持機構とを具備する。
【0016】本発明の一の形態によれば、前記公転中心
部に配置され、前記処理液又は前記カップ内で発生した
気体を廃棄するための廃棄路を更に具備する。これによ
り、公転中心部に配置された、回転しない共通の廃棄路
を使用して各カップから処理液又は気体を廃棄すること
ができ、必要なパーツの削減しコストを削減できる。
【0017】本発明の一の形態によれば、前記公転中心
部に配置され、少なくとも前記回転保持機構に電力を供
給するラインを更に具備する。これにより、回転しない
共通の電力ラインを使用して複数の液処理部に電力を供
給することができ、必要なパーツの削減しコストを削減
できる。
【0018】本発明の一の形態によれば、前記液処理部
において少なくとも前記処理液を供給する際には、前記
公転を停止するように制御する手段を更に具備する。こ
れにより、例えば、レジストが塗布されている途中にお
いてはカップの公転を停止させることにより、公転によ
る振動等の悪影響を防止し膜厚均一性等の制御を精密に
行うことができる。
【0019】本発明の一の形態によれば、前記複数の液
処理部の公転外側に配置され、基板に対し熱的な処理を
施す複数の熱処理部を更に具備し、前記搬送機構は、前
記複数の液処理部と前記熱処理部との間で基板の搬送を
行う。これにより、例えばレジスト塗布処理後及び現像
処理後において、搬送機構により熱処理部へ搬送し加熱
処理及び冷却処理を連続的に処理できるので、更にスル
ープットを向上させることができる。
【0020】また、液処理部と熱処理部とがそれぞれ別
々の雰囲気内に設置されているため、液処理部に対する
温度、湿度等の環境変化の影響がなく、環境変化による
処理液の変化、例えば乾燥化等を防止することができ
る。
【0021】本発明の一の形態によれば、前記液処理部
と一体的に公転し、冷却水を用いて基板に対し冷却処理
を施す複数の冷却処理部と、前記公転中心部に配置さ
れ、少なくとも前記冷却水を前記冷却処理部に供給する
第2の供給路とを更に具備する。これにより、複数の冷
却処理部をも公転させて処理効率を向上させることがで
き、しかも公転中心部に配置された第2の供給路という
共通の供給路を介して、冷却水を複数の冷却部に供給し
ているので、必要なパーツを削減することができ、コス
トを削減できる。
【0022】本発明の一の形態によれば、前記複数の熱
処理部は、基板に対し加熱処理を施す複数の加熱処理部
と、基板に対し冷却処理を施す複数の冷却処理部とを有
し、前記冷却処理部は、前記複数の液処理部及び前記複
数の加熱処理部との間に配置されている。これにより、
複数の液処理装置と複数の加熱処理部との間に複数の冷
却処理部が配置されているので、レジスト塗布処理や現
像処理において、複数の加熱処理部からの熱影響を極力
低減させることができる。特にレジスト塗布処理では膜
厚制御において雰囲気の温度制御が重要であるので、こ
れによる効果は大である。
【0023】本発明の第2の観点は、基板に対し処理液
を供給して所定の処理を施す複数の液処理部と、冷却水
を用いて基板に対し冷却処理を施す複数の冷却処理部
と、前記複数の液処理部及び前記複数の冷却処理部を一
体的に公転させる機構と、前記公転中心部に配置され、
少なくとも前記処理液を前記複数の液処理部に供給する
第1の供給路と、前記公転中心部に配置され、少なくと
も前記冷却水を前記冷却処理部に供給する第2の供給路
と、前記公転中心部に配置され、前記複数の液処理部及
び複数の冷却処理部の間で基板の搬送を行う第1の搬送
機構とを具備する。
【0024】このような構成によれば、複数の液処理部
に対して、公転中心部に配置された回転しない第1の供
給路を共通使用して処理液を供給するようにしたので、
基板に対し処理液を供給する機構、例えば、ノズルやポ
ンプ等が従来の1ユニット分だけで足り、必要なパーツ
を削減することができ、コストを削減できる。また、公
転中心部に配置された第2の供給路という共通の供給路
を介して、冷却水を複数の冷却部に供給しているので、
必要なパーツを削減することができ、コストを削減でき
る。更に、公転中心部に配置された第1の搬送機構によ
って複数の液処理部及び複数の冷却処理部へ基板を搬送
することにより、スループットを向上させることができ
る。
【0025】本発明の一の形態によれば、前記公転外側
に配置され、前記基板に対し加熱処理を施す複数の加熱
処理部を更に具備する。
【0026】本発明の一の形態によれば、前記公転外側
に配置され、前記複数の冷却処理部と前記加熱処理部と
の間で基板の搬送を行う第2の搬送機構を更に具備す
る。
【0027】本発明の更なる特徴と利点は、添付した図
面及び発明の実施の形態の説明を参酌することにより一
層明らかになる。
【0028】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
【0029】図1〜図3は本発明の実施形態に係る塗布
現像処理装置1の全体構成を示す図であって、図1は平
面、図2は正面、図3は背面を夫々示している。
【0030】この塗布現像処理装置1は、被処理基板と
してウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例えば2
5枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシ
ステムから搬出したり、ウエハカセットCRに対してウ
エハWを搬入・搬出したりするためのカセットステーシ
ョン10と、塗布現像工程の中で1枚ずつウエハWに所
定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に
多段配置してなる処理ステーション11と、この処理ス
テーション11に隣接して設けられる露光装置(図示せ
ず)との間でウエハWを受け渡しするためのインターフ
ェース部12とを一体に接続した構成を有している。
【0031】前記カセットステーション10では、図1
に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起2
0aの位置に、複数個例えば4個までのウエハカセット
CRが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション11側
に向けてX方向(図1中の上下方向)一列に載置され、
このカセット配列方向(X方向)及びウエハカセッ卜C
R内に収納されたウエハのウエハ配列方向(Z方向;垂
直方向)に移動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカセ
ットCRに選択的にアクセスするようになっている。
【0032】さらにこのウエハ搬送体21は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション11側の第1の処理ユニット群G1の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット(ALIM)及びイ
クステンションユニット(EXT)にもアクセスできる
ようになっている。
【0033】処理ステーション11には、図1に示すよ
うに、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬
送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニット
が1組または複数の組に亙って多段に配置されている。
【0034】また、この例では、加熱処理系ユニット群
である第1の処理ユニット群G1がカセットステーショ
ン10に隣接して配置され、同じ加熱処理系ユニット群
である第2の処理ユニット群G2が、インターフェース
部12に隣接して配置されている。一方、本発明に関わ
る液処理系の液処理装置50が、正面(図1において手
前)側に配置されている。また、加熱処理系の第3の処
理ユニット群G3の多段ユニットは背面側に配置される
ことが可能である。
【0035】図2に示すように、液処理装置50では、
カップCP内でウエハWをスピンチャックに載せて所定
の処理を行う3台のスピンナ型処理ユニット、例えばレ
ジスト塗布ユニット(COT)及び現像処理ユニット
(DEV)が下から順に2段に重ねられている。レジス
ト塗布ユニット(COT)の下部には、処理液としての
レジスト液などが設置されたケミカルエリア13が設け
られている。
【0036】図3に示すように、第1の処理ユニット群
G1では、例えば、レジストの定着性を高めるためのい
わゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユニット(A
D)、位置合わせを行うアライメントユニット(ALI
M)、イクステンションユニット(EXT)、露光処理
前の加熱処理を行うプリベーキングユニット(PREB
AKE)及び露光処理後の加熱処理を行うポストベーキ
ングユニット(POBAKE)が、下から順に例えば8
段に重ねられている。第2の処理ユニット群G2でも、
例えば、イクステンション・クーリングユニット(EX
TCOL)、イクステンションユニット(EXT)、プ
リベーキングユニット(PREBAKE)及びポストベ
ーキングユニット(POBAKE)が下から順に、例え
ば8段に重ねられている。
【0037】第1の処理ユニット群G1及び第2の処理
ユニット群G2の手前側には、ウエハWに冷却処理を行
うクーリングユニット(COL)35が多段に積まれて
設けられている。このクーリングユニット(COL)群
35は、例えば、図示しないが、冷却水又はペルチェ素
子等により所定の温度に冷却されたクーリングプレート
上にウエハWを載置させて冷却処理を行うようになって
いる。
【0038】前記インターフェース部12は、奥行方向
(X方向)については、前記処理ステーション11と同
じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズ
に設定されている。そしてこのインターフェース部12
の正面部には、可搬性のピックアップカセットCRと、
定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、他方
背面部には周辺露光装置23が配設され、さらにまた中
央部にはウエハ搬送体24が設けられている。このウエ
ハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセット
CR、BR及び周辺露光装置23にアクセスするように
なつている。前記ウエハ搬送体24は、θ方向にも回転
自在となるように構成されており、前記処理ステーショ
ン11側の第2の処理ユニット群G2の多段ユニットに
属するイクステンションユニット(EXT)や、さらに
は隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示せず)に
もアクセスできるようになっている。
【0039】また、この塗布現像処理装置1において
は、既述の如く主ウエハ搬送機構22の背面側にも破線
で示した第3の処理ユニット群G3の多段ユニットが配
置できるようになっているが、この第3の処理ユニット
群G3の多段ユニットは、案内レール25に沿って主ウ
エハ搬送機構22からみて、側方へシフトできるように
構成されている。従って、この第3の処理ユニット群G
3の多段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案
内レール25に沿ってスライドすることにより、空間部
が確保されるので、主ウエハ搬送機構22に対して背後
からメンテナンス作業が容易に行えるようになってい
る。なお第3の処理ユニット群G3の多段ユニッ卜は、
そのように案内レール25に沿った直線状のスライドシ
フトに限らず、図1中の一点鎖線の往復回動矢印で示し
たように、システム外方へと回動シフトさせるように構
成しても、主ウエハ搬送機構22に対するメンテナンス
作業のスペース確保が容易である。
【0040】図4は主ウエハ搬送機構22の外観を示し
た斜視図であり、この主ウエハ搬送機構22は上端及び
下端で相互に接続され対向する一対の壁部25、26か
らなる筒状支持体27の内側に、上下方向(Z方向)に
昇降自在な搬送装置30を装備している。筒状支持体2
7はモータ31の回転軸に接続されており、このモータ
31の回転駆動力によって、前記回転軸を中心として搬
送装置30と一体に回転する。従って、搬送装置30は
θ方向に回転自在となっている。この搬送装置30の搬
送基台40上にはピンセットが例えば3本備えられてい
る。これらのピンセット41、42、43は、いずれも
筒状支持体27の両壁部25、26間の側面開口部44
を通過自在な形態及び大きさを有しており、X方向に沿
って前後移動が自在となるように構成されている。そし
て、主ウエハ搬送機構22はピンセット41、42、4
3をその周囲に配置された処理ステーションにアクセス
してこれら処理ステーションとの間でウエハWの受け渡
しを行う。
【0041】図5及び図6は、前述の液処理装置50を
示す断面図及び平面図である。この液処理装置50は、
円筒体80内に3つのカップCPをそれぞれ上下2段に
円状に有しており、全6つのカップCPはそれぞれほぼ
同一の構成を有している。
【0042】カップCP内には、現像液等の処理液が混
在した気体を廃棄するための廃棄口67が設けられてい
る。カップCΡの内側には、ウエハWを水平に保持する
スピンチャック68が配置されており、スピンチャック
68は真空吸着によってウエハWを固定保持した状態で
駆動モータ63によって回転駆動されるようになってい
る。この駆動モータ63は、例えばアルミニウムからな
るキャップ状のフランジ部材81を介して例えばエアシ
リンダからなる昇降駆動部64に結合され、これにより
昇降移動可能に配置されている。
【0043】なお、上段の現像処理ユニット(DEV)
及び下段のレジスト塗布処理ユニット(COT)のそれ
ぞれ上部には、清浄空気を取り入れるための例えばUL
PAフィルタ33、34が配置されている。
【0044】ケミカルエリア13には、レジスト塗布処
理ユニット(COT)へレジスト液を供給するためのレ
ジスト供給源55と、現像処理ユニット(DEV)へ現
像液及びリンス液を供給する現像液供給源56及びリン
ス液供給源57とが設けられている。これら各供給源5
5〜57からの各処理液は、円筒体80の中心部に鉛直
方向に形成される空間82に配置された共通配管47を
介して各ユニットへ供給されるようになっている。詳細
には、各供給源55〜57からの各処理液は、共通配管
47により束ねられた供給路としての流管91、92、
93を介して、それぞれレジストノズル36、現像液ノ
ズル45及びリンスノズル39から吐出されるようにな
っている。これらレジストノズル36、現像液ノズル4
5及びリンスノズル39は、例えば共通配管47に固定
されたノズル支持部材38により、スピンチャック68
に保持されたウエハWの上方位置に支持配置されてい
る。
【0045】また、共通配管47には、全カップCPの
廃棄口67に接続された廃棄管48が接続部材49を介
して接続されており、全カップCPからの現像液やリン
ス液、レジスト液が外部に廃棄されるようになってい
る。すなわち、図8に示すように、共通配管47内にお
いて流管91、92、93が配置されている以外の空間
47aを通って廃棄されるようになっている。また、接
続部材49は、共通配管47に対して回転可能に取り付
けられている。
【0046】円筒体80は、ループ状の走行部材60に
より支持されている。この走行部材60には、複数の駆
動ローラ62、ガイドローラ61及び駆動ローラ62を
回転させるモータ58が設けられており、このモータ5
8の駆動により、走行部材60がループ状のレール59
に沿って走行するようになっている。これにより、円筒
体80全体がカップCP及び廃棄管48とともに中心軸
である共通配管47に対して回転するようになってい
る。
【0047】すなわち、共通配管47、各支持部材38
及び各ノズル36、39、45は回転せず固定であり、
カップCP、廃棄管48及び流管91、92、93が、
図6に示す矢印の方向に公転するようになっている。
【0048】また、現像処理ユニット(DEV)におけ
る現像液ノズル45は、例えば、図示しない複数の吐出
孔又は線状スリットによる吐出口を有しており、その長
手方向はカップCPの公転軌跡Tの接線方向に対して、
直交する方向に取り付けられている。これにより、ウエ
ハWを収容したカップCPの公転途中で、ウエハW全面
に均一に現像液を供給することができる。また、レジス
トノズル36及びリンスノズル39も、カップCPに収
容されたウエハW中心の公転軌跡T上に配置されてい
る。
【0049】更に、円筒体80には、カップCPが配置
されている位置に対応してそれぞれ開口部80aが形成
されている。この開口部80aを介して、主ウエハ搬送
機構22のピンセット41〜43が各カップCPに対し
てアクセスし、ウエハWを搬入及び搬出するようになっ
ている。
【0050】なお、上段の現像処理ユニット(DEV)
と下段のレジスト塗布処理ユニット(COT)をそれぞ
れ別に制御するために、図7に示すように、下段と上段
とにそれぞれ円筒体80A,80Bを回転させる機構
(走行部材60、駆動ローラ62、ガイドローラ61及
びモータ58)、あるいは各処理ユニットに必要な構成
部材を設けてもよい。
【0051】次に、以上説明した塗布現像処理装置1の
一連の処理工程について説明する。
【0052】先ず、カセットステーション10におい
て、ウエハ搬送体21がカセット載置台20上の処理前
のウエハを収容しているカセットCRにアクセスして、
そのカセットCRから1枚の半導体ウエハWを取り出
し、アライメントユニット(ALIM)に搬送される。
このアライメントユニット(ALIM)にてウエハWの
位置合わせが行われた後、主ウエハ搬送機構22により
アドヒージョンユニット(AD)へ搬送され疎水化処理
が行われ、次いでクーリングユニット(COL)にて所
定の冷却処理が行われる。その後、液処理装置50にお
けるレジスト塗布処理ユニット(COT)に搬送され、
レジストの回転塗布が行われる。そして、プリベーキン
グユニット(PREBAKE)で所定の加熱処理が行わ
れ、クーリングユニット(COL)において冷却処理さ
れ、その後ウエハ搬送体24によりインターフェース部
12を介して図示しない露光装置により露光処理が行わ
れる。露光処理が終了した後は、ウエハWは液処理装置
50における現像処理ユニット(DEV)に搬送されて
現像処理が行われ、ポストベーキングユニット(POB
AKE)で所定の加熱処理が行われる。そしてウエハW
はクーリングユニット(COL)で所定の冷却処理が行
われ、エクステンションユニット(EXT)を介してカ
セットCRに戻される。
【0053】なお、上記実施形態では、クーリングユニ
ット(COL)35において冷却処理されたウエハW
は、主ウエハ搬送機構22により、液処理装置50に搬
送されるが、クーリングユニット(COL)35と液処
理装置50との間でウエハWの受け渡しを行う副ウエハ
搬送装置を設けることにより、スループットを向上させ
るようにしてもよい。
【0054】また、レジスト塗布処理は、上記実施形態
に限らず、例えば、ピンセット41からカップにウエ
ハWが搬入された直後にレジスト塗布ができる位置にレ
ジストノズルを設けてもよい。これにより、レジスト塗
布後に全カップ〜を公転させ、次の処理として例え
ばウエハの端面処理(シンナ等の溶剤にてウエハ端面に
付着したレジストを除去する)を行い、更に、全カップ
〜を公転させ、次の処理として例えばウエハWを回
転させ乾燥処理を行える。
【0055】次に、液処理装置50のにおけるウエハW
の処理について説明する。
【0056】レジスト塗布処理においては、図9(a)
に示すように、ピンセット41からカップにウエハW
1が搬入され、全カップ〜が公転し、図9(b)に
示すようにカップはレジストノズル36(図示せず)
の直下位置に移動して停止する。公転を停止した状態
で、レジストがウエハW1中心上に供給された後、ウエ
ハWが回転してレジストが全面に塗布される。ウエハW
1に対するレジスト塗布の途中には、次のカップに次
のウエハW2が搬入されて来る。
【0057】このように、レジストが塗布されている途
中においてはカップCPの公転を停止させることによ
り、公転による振動等の悪影響を防止し膜厚均一性等の
制御を精密に行うことができる。
【0058】図示しないが、カップが更に公転して元
の位置に戻るまでに、ウエハW1を高速回転させてレジ
ストの乾燥処理を行う。カップが公転して元の位置に
戻ると、ピンセット41によりウエハW1が取り出され
る。
【0059】以上のよう工程を繰り返すことにより、多
数のウエハWを連続的に処理する。
【0060】現像処理においては、図10(a)に示す
ように、ピンセット41からカップにウエハW1が搬
入され、全カップ〜が公転し、図10(b)に示す
ようにカップは現像液ノズル45の直下位置に移動し
て停止する。公転を停止した状態で、ウエハW1に現像
液が供給された後、ウエハWが低速回転して現像液が全
面に供給される。ウエハW1に現像液が盛られた状態
で、次のカップに次のウエハW2が搬入されて来る。
【0061】なお、現像処理は、上記実施形態に限ら
ず、例えばピンセット41からカップにウエハW1が
搬入された直後にウエハW1に現像液が供給できるよ
う、現像液ノズル45を設けてもよいし、更に、その次
の公転後の位置にリンスノズルを設けてもよい。これに
より、現像終了後に全カップ〜を公転させ、次の処
理として例えばリンス処理を行い、更に、全カップ〜
を公転させ次々の処理として例えばウエハW1を回転
させ振り切り乾燥処理が行える。
【0062】ウエハW1に対する液盛り現像が終了する
と、図10(c)に示すように、カップはリンスノズ
ル39(図示せず)の直下位置に移動して停止する。そ
して、リンスノズル39からリンス液を吐出してウエハ
Wを回転させることにより現像液を洗い流す。このリン
ス処理の途中には、次のカップに次のウエハW3が搬
入されて来る。
【0063】また、上下段の各カップCPの公転が同期
しているが、レジスト塗布処理及び現像処理における時
間はほぼ同一とすることにより問題はなくなる。しか
し、処理プロセスによって処理時間が大幅に異なる場合
は、各ノズル支持部材38を共通配管47に対して円筒
体80とは独立して回動可能に構成するようにしてもよ
い。
【0064】また、図7に示すように、上下段を独立さ
せ、上段と下段とを別個独立に公転させてもよい。これ
により、レジスト塗布処理及び現像処理における時間が
異なる場合であっても問題はない。更に、公転するカッ
プの数は3個に限らず、4個以上設けても構わない。
【0065】以上、本実施形態によれば、レジスト塗布
処理ユニット(COT)においては、複数のカップCP
に対して、レジストノズル36及びこのノズル36へレ
ジストを供給するためのポンプや温調装置、配管等がそ
れぞれ1つだけで足り、必要なパーツを削減することが
でき、コストを削減できる。更には、従来時間を要して
いた各パーツごとのメンテナンス及び立ち上げ時の調整
作業等を削減することができ、作業員の労力を軽減する
ことができる。
【0066】現像処理ユニット(DEV)についても、
現像液ノズル45及びリンスノズル39等がそれぞれ1
つだけで足りるので、レジスト塗布処理ユニット(CO
T)と同様の効果が得られる。
【0067】また、カップCPを公転させ、流れ作業で
レジスト塗布処理等を行っているので、従来のように、
枚葉式で処理する場合に比べスループットを向上させる
ことができる。現像処理ユニット(DEV)についても
同様である。
【0068】また、従来においては、レジスト塗布処理
ユニット及び現像処理ユニットは各ユニットごとに処理
を行っていたので、ユニットごとに処理環境が異なる場
合がありウエハごとにばらつきが生じ易かったが、本実
施形態によれば、全てのウエハWに対し同一のノズル及
び同一の処理液により処理を行うこととしたので、ウエ
ハごとのばらつきを抑えて一定の品質を確保することが
できる。
【0069】更に、加熱処理系の第1の処理ユニット群
G1及びG2と、液処理装置50との間にクーリングユ
ニット(COL)群35が配置されているので、レジス
ト塗布処理や現像処理に第1の処理ユニット群G1及び
G2からの熱影響を極力低減させることができる。特に
レジスト塗布処理では膜厚制御において雰囲気の温度制
御が重要であるので、これによる効果は大である。
【0070】次に、本発明の第2の実施形態に係る塗布
現像処理装置について説明する。なお、図11におい
て、上記実施形態における図面に表された構成要素と同
一のものについては同一の符号を付すものとし、その説
明を省略する。
【0071】図11に示すように、この塗布現像処理装
置には、最上段から順に現像処理(DEV)のためのカ
ップ群、レジスト塗布処理(COT)のためのカップ
群、加熱処理系のユニット群(HP)が、配置されてお
り、これらはそれぞれモータ76により独立してθ方向
に回転するように構成されている。従って各段ごとに各
カップCP及び後述する加熱処理ユニット70が公転す
るようになっている。
【0072】現像処理ユニット群(DEV)は、それぞ
れ、例えば6つのカップCPが円状に配置されており、
このうちの例えば2つのカップがクーリングユニット
(COL)とされている。このクーリングユニット(C
OL)は、前述したようにカップCP内に、冷却水によ
り冷却されたクーリングプレート72有している。この
冷却水は、冷却水供給源65から共通配管47に通され
た流路78を介してクーリングプレート72に供給され
るようになっている。
【0073】レジスト塗布処理ユニット群(COT)も
同様に、例えば6つのカップCPが円状に配置されてお
り、このうちの例えば2つのカップがクーリングプレー
ト72を有するクーリングユニット(COL)とされて
いる。
【0074】なお、これら現像処理ユニット(DEV)
及びレジスト塗布処理ユニット(COT)において、ノ
ズル支持部材38は、上記実施形態では共通配管47に
固定されていたが、本実施形態ではカップCPの公転外
側に垂設された支持柱74に固定されている。
【0075】加熱処理系のユニット群(HP)は、上記
ポストベーキングユニット(POBAKE)、プリベー
キングユニット(PREBAKE)、アドヒージョンユ
ニット(AD)等のユニット群70が円状に配置されて
いる。これらユニット70の公転外側には、搬送装置3
0が挿入するための開口部70aが形成されており、ウ
エハWの搬入出が行われるようになっている。搬送装置
30は、X方向及びZ方向に移動可能に構成されてお
り、それぞれのカップCPに対してウエハWを搬入出
し、加熱処理ユニット群(HP)に対してウエハWを搬
入出するようになっている。
【0076】本実施形態によっても、カップCPを公転
させるようにしたので、複数のカップCPに対して、レ
ジストノズル36、現像液ノズル45及びリンスノズル
39が1つだけ設ければ足り、必要なパーツを削減する
ことができ、コストを削減できる。また、従来時間を要
していた各パーツごとのメンテナンス及び立ち上げ時の
調整作業等を削減することができ、作業員の労力を軽減
することができる。
【0077】また、冷却水を使用するクーリングユニッ
ト(COL)をレジスト塗布処理及び現像処理のための
カップCPと一体的に公転させるようにしたことによ
り、冷却水を通す流路78を、カップCPの公転中心部
に配置された共通配管47内に収容し、従来に比べ流路
を単純化できる。これにより、コスト削減及び作業員の
労力の軽減を図ることができる。
【0078】なお、本実施形態において、スループット
を向上させるために加熱処理ユニット群(HP)の下段
に更に加熱処理系のユニット群を設けるようにしてもよ
いし、加熱処理系のユニット群だけではなく、ウエハW
を収容するキャリアカセットやバッファカセットを配置
させるための段を設けるようにして、例えば露光装置等
の間で連続的に処理を行うようにしてもよい。また、熱
影響を考慮する場合には、加熱処理系のユニット群(H
P)を最上段に設けるようにしてもよい。
【0079】また、図12に示すように、カップCPの
公転内側に搬送装置30を配置することも可能である。
これにより、更にスループットの向上が図れる。
【0080】図13は、本発明の第3の実施形態に係る
液処理装置を示す平面図である。本実施形態では、例え
ば3つのカップCP1、CP2及びCP3がそれぞれレ
ール71,73,75上を移動可能に設けられている。
このレール71,73,75は、所定の位置Aに集合す
るように敷設されている。また、この位置Aに隣接し
て、上記第1の実施形態と同一の主搬送機構22が、位
置Aに移動されてきたカップCPにアクセス可能に配置
されている。
【0081】位置Aには、レジストノズル36が設けら
れた支持部材38が配置されており、位置Aに移動され
てきたカップCPに収容されたウエハWにレジスト液を
吐出するようになっている。また、カップCP1、CP
2及びCP3内には、例えば図示しないサイドリンス用
のノズルが設けられており、これによりウエハWの周縁
部に付着した余分なレジストを除去するようになってい
る。
【0082】なお、図示しないが、主搬送機構22に隣
接してカップCPを反対側に熱処理系のユニットが配置
されており、主搬送機構22は、これらの熱処理系のユ
ニットにもアクセスできるようになっている。
【0083】本実施形態では、例えば、先ずカップCP
1が位置Aに移動し、搬送機構22からカップCPに搬
入されたウエハWに対してレジストの回転塗布処理を行
う。次に、カップCP1が元の位置に移動するととも
に、カップCP2が位置Aに移動し、同様にレジストの
回転塗布処理が行われる。このとき、カップCP1にお
おいては、回転乾燥処理及びサイドリンス処理が行われ
ている。
【0084】そして、カップCP2が元の位置に戻され
ると、次にカップCP3が位置Aに移動してレジスト塗
布処理が行われるとともに、カップCP2において、回
転乾燥処理及びサイドリンス処理が行われる。
【0085】このようなレジスト塗布処理をカップCP
1→カップCP2→カップCP3→カップCP1→・・
・という順序で繰り返し行う。これにより、効率良く塗
布処理が行えスループットが向上する。
【0086】本発明は以上説明した実施形態には限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。
【0087】例えば、上記各実施形態においてレジスト
ノズル36は、1つのレジスト液の吐出孔を有するもの
を例に挙げたが、これに限らず、例えば、複数の吐出孔
を有しカップCPの公転軌跡Tに沿って長手形状を有す
るノズルを使用してもよい。
【0088】また、例えば、上記第1の実施形態におい
ては、レジスト塗布処理ユニット(COT)及び現像処
理ユニット(DEV)にそれぞれカップを3つ設ける構
成としたが、これに限らず、4つ以上としてスループッ
トを向上させるようにしてもよい。
【0089】また、上記第1及び第2の実施形態におけ
るレジスト塗布処理ユニット(COT)において、サイ
ドリンス機構を設け、サイドリンス液を共通配管47を
通してそれぞれのカップに供給するように供給するよう
にしてもよい。
【0090】また、図1において、クーリングユニット
(COL)群を液処理装置50と加熱処理ユニット群G
1及びG2との間に配置する構成としたが、このクーリ
ングユニット(COL)群を加熱処理ユニット群G1及
びG2における空きスペースに配置する構成としてもよ
い。
【0091】また、各カップ内のスピンチャック68を
回転させるモータ63等、その他電力を必要とする部分
に電力を供給するためのラインを共通配管47内に収容
することも可能である。
【0092】更に、上記各実施形態では半導体ウエハを
処理する装置について説明したが、液晶ディスプレイ等
に使用されるガラス基板を処理する装置についても本発
明は適用可能である。
【0093】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カップごとの調整工数及びパーツを削減することができ
る。また、カップごとに製品の品質を一定に維持するこ
とができ、しかも別の装置からの熱影響を極力抑えるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る塗布現像処理装
置の平面図である。
【図2】図1に示す塗布現像処理装置の正面図である。
【図3】図1に示す塗布現像処理装置の背面図である。
【図4】一実施形態に係る搬送機構の部分分解斜視図で
ある。
【図5】一実施形態に係る液処理装置の断面図である。
【図6】図5に示す液処理装置の平面図である。
【図7】他の実施形態に係る液処理装置の断面図であ
る。
【図8】一実施形態に係る共通配管の断面図である。
【図9】液処理装置におけるレジスト塗布処理の作用を
順に示す図である。
【図10】液処理装置における現像処理の作用を順に示
す図である。
【図11】本発明の第2の実施形態に係る塗布現像処理
装置の部分斜視図である。
【図12】第2の実施形態の更に別の実施形態に係る液
処理装置の平面図である。
【図13】本発明の第3の実施形態に係る液処理装置の
平面図である。
【図14】従来の塗布現像処理装置を示す平面図であ
る。
【符号の説明】
W…ウエハ CP…カップ G1…第1の処理ユニット群 G2…第2の処理ユニット群 CΡ…カップ T…公転軌跡 1…塗布現像処理装置 22…主ウエハ搬送機構 30…搬送装置 35…クーリングユニット群 36…レジストノズル 39…リンスノズル 45…現像液ノズル 47…共通配管 48…廃棄管 49…接続部材 50…液処理装置 55…レジスト供給源 56…現像液供給源 57…リンス液供給源 58…モータ 65…冷却水供給源 70…加熱処理ユニット 78…流路 91、92、93…流管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AB16 EA05 FA14 2H096 AA25 CA14 GA29 GA33 5F031 CA02 DA01 FA01 FA07 FA11 FA12 FA15 GA15 GA47 GA48 GA49 GA50 HA09 HA13 LA07 MA02 MA24 MA26 MA27 PA11 5F046 JA22 LA11 LA18

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に対し処理液を供給して所定の処理
    を施す複数の液処理部と、 前記複数の液処理部を公転させる機構と、 前記複数の液処理部の間で基板の搬送を行う搬送機構と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 前記公転中心部に配置され、少なくとも前記処理液を前
    記複数の液処理部に供給する第1の供給路を更に具備す
    ることを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の基板処理
    装置において、 前記複数の液処理部の公転軌跡上に配置され、前記処理
    液を基板上に供給するノズルを具備することを特徴とす
    る基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の基板処理装置におい
    て、 前記ノズルは複数設けられ、レジスト液を供給するレジ
    ストノズルと、現像液を供給する現像液ノズルと、前記
    現像液が供給された基板上にリンス液を供給するリンス
    ノズルとを含むことを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の基板処理装置におい
    て、 前記現像液ノズルは、前記公転軌跡に対して直交する方
    向に長さ方向を有する長尺状のノズルであることを特徴
    とする基板処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項4に記載の基板処理装置におい
    て、 前記複数の液処理部は少なくとも上下2段に配設され、
    当該上段又は下段に前記現像液ノズル及びリンスノズ
    ル、又は前記レジストノズルのいずれかがそれぞれ配置
    されていることを特徴とする基板処理装置。
  7. 【請求項7】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 前記液処理部は、 基板を収容するカップと、 前記カップ内で基板を保持し回転させる回転保持機構と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  8. 【請求項8】 請求項7に記載の基板処理装置におい
    て、 前記公転中心部に配置され、前記処理液又は前記カップ
    内で発生した気体を廃棄するための廃棄路を更に具備す
    ることを特徴とする基板処理装置。
  9. 【請求項9】 請求項7に記載の基板処理装置におい
    て、 前記公転中心部に配置され、少なくとも前記回転保持機
    構に電力を供給するラインを更に具備することを特徴と
    する基板処理装置。
  10. 【請求項10】 請求項1から請求項9のうちいずれか
    1項に記載の基板処理装置において、 前記液処理部において少なくとも前記処理液を供給する
    際には、前記公転を停止するように制御する手段を更に
    具備することを特徴とする基板処理装置。
  11. 【請求項11】 請求項1から請求項9のうちいずれか
    1項に記載の基板処理装置において、 前記複数の液処理部の公転外側に配置され、基板に対し
    熱的な処理を施す複数の熱処理部を更に具備し、前記搬
    送機構は、前記複数の液処理部と前記熱処理部との間で
    基板の搬送を行うことを特徴とする基板処理装置。
  12. 【請求項12】 請求項1から請求項9のうちいずれか
    1項に記載の基板処理装置において、 前記液処理部と一体的に公転し、冷却水を用いて基板に
    対し冷却処理を施す複数の冷却処理部と、 前記公転中心部に配置され、少なくとも前記冷却水を前
    記冷却処理部に供給する第2の供給路とを更に具備する
    ことを特徴とする基板処理装置。
  13. 【請求項13】 請求項11に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記複数の熱処理部は、基板に対し加熱処理を施す複数
    の加熱処理部と、基板に対し冷却処理を施す複数の冷却
    処理部とを有し、 前記冷却処理部は、前記複数の液処理部及び前記複数の
    加熱処理部との間に配置されていることを特徴とする基
    板処理装置。
  14. 【請求項14】 基板に対し処理液を供給して所定の処
    理を施す複数の液処理部と、 冷却水を用いて基板に対し冷却処理を施す複数の冷却処
    理部と、 前記複数の液処理部及び前記複数の冷却処理部を一体的
    に公転させる機構と、 前記公転中心部に配置され、少なくとも前記処理液を前
    記複数の液処理部に供給する第1の供給路と、 前記公転中心部に配置され、少なくとも前記冷却水を前
    記冷却処理部に供給する第2の供給路と、 前記公転中心部に配置され、前記複数の液処理部及び複
    数の冷却処理部の間で基板の搬送を行う第1の搬送機構
    とを具備することを特徴とする基板処理装置。
  15. 【請求項15】 請求項14に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記公転外側に配置され、前記基板に対し加熱処理を施
    す複数の加熱処理部を更に具備することを特徴とする基
    板処理装置。
  16. 【請求項16】 請求項15に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記公転外側に配置され、前記複数の冷却処理部と前記
    加熱処理部との間で基板の搬送を行う第2の搬送機構を
    更に具備することを特徴とする基板処理装置。
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