JP2003109896A - 薄膜除去装置 - Google Patents
薄膜除去装置Info
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- JP2003109896A JP2003109896A JP2002207717A JP2002207717A JP2003109896A JP 2003109896 A JP2003109896 A JP 2003109896A JP 2002207717 A JP2002207717 A JP 2002207717A JP 2002207717 A JP2002207717 A JP 2002207717A JP 2003109896 A JP2003109896 A JP 2003109896A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜が塗布された基板の周辺部の上面、斜
面、側面、下面、又は角部から、当該薄膜の一部を高精
度かつ高品質に除去する薄膜除去装置を提供する。 【構成】 薄膜除去装置は、薄膜が塗布された基板の周
辺部から当該薄膜の一部を除去する装置であって、基板
を戴置するステージ３３と、基板の側方から剥離液を吐
出し、基板の上方から剥離液を吸引するヘッド１と、ス
テージとヘッドとを相対的に移動させる移動手段３１等
と、ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段２０と、
ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段２６とを具
備する。
面、側面、下面、又は角部から、当該薄膜の一部を高精
度かつ高品質に除去する薄膜除去装置を提供する。 【構成】 薄膜除去装置は、薄膜が塗布された基板の周
辺部から当該薄膜の一部を除去する装置であって、基板
を戴置するステージ３３と、基板の側方から剥離液を吐
出し、基板の上方から剥離液を吸引するヘッド１と、ス
テージとヘッドとを相対的に移動させる移動手段３１等
と、ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段２０と、
ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段２６とを具
備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に、薄膜が
塗布された基板の周辺部や角部から当該薄膜の一部を除
去する薄膜除去装置に関し、特に、液晶パネル基板、半
導体用マスク、液晶パネル用マスク等の基板に塗布され
たレジストの一部を除去する薄膜除去装置に関する。
塗布された基板の周辺部や角部から当該薄膜の一部を除
去する薄膜除去装置に関し、特に、液晶パネル基板、半
導体用マスク、液晶パネル用マスク等の基板に塗布され
たレジストの一部を除去する薄膜除去装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜除去装置について、レジスト
が塗布された半導体用マスクの周辺部からレジストの一
部を除去する薄膜除去装置を例にとり説明する。
が塗布された半導体用マスクの周辺部からレジストの一
部を除去する薄膜除去装置を例にとり説明する。
【０００３】半導体用マスクは、例えば、１辺が１５２
ｍｍの正方形で厚みが６．３ｍｍの石英基板に、約０．
１ミクロンのクロム膜をスパッタすることにより作成さ
れる。露光装置を用いて半導体用マスクにマスクパター
ンを形成するために、回転式のレジスト塗布装置を用い
て、レジストが、例えば約０．５ミクロンの厚さで半導
体用マスク上に塗布される。
ｍｍの正方形で厚みが６．３ｍｍの石英基板に、約０．
１ミクロンのクロム膜をスパッタすることにより作成さ
れる。露光装置を用いて半導体用マスクにマスクパター
ンを形成するために、回転式のレジスト塗布装置を用い
て、レジストが、例えば約０．５ミクロンの厚さで半導
体用マスク上に塗布される。
【０００４】このように回転式のレジスト塗布装置を用
いてレジストを塗布すると、レジストは、半導体用マス
クの周辺部の上面、斜面、及び側面にも付着する。さら
に、レジストが、半導体用マスクの周辺部の下面にまで
付着することもある。一方、マスク搬送ロボットが半導
体用マスクの側面の一部に接触するため、レジストが剥
がれてゴミ発生の原因になり、マスクパターンの欠陥に
なるという問題がある。
いてレジストを塗布すると、レジストは、半導体用マス
クの周辺部の上面、斜面、及び側面にも付着する。さら
に、レジストが、半導体用マスクの周辺部の下面にまで
付着することもある。一方、マスク搬送ロボットが半導
体用マスクの側面の一部に接触するため、レジストが剥
がれてゴミ発生の原因になり、マスクパターンの欠陥に
なるという問題がある。
【０００５】基板の周辺部に付着した膜を除去するた
め、特開平６−２５０３８０には、残渣を残さずに基板
周辺部の不要な膜を除去する不要膜除去方法及び装置が
掲載されている。この不要膜除去方法においては、表面
周縁部に不要な盛り上がり部が形成された位相シフト膜
を有する基板を回転させながら、基板の表面周縁部に第
１の噴射ノズルにより溶剤を噴射させて盛り上がり部を
溶解して飛散させ、次に、第１の噴射ノズルの位置より
も僅かに外周よりの位置に設けられた第２の噴射ノズル
によって溶剤を噴射させて、基板の周縁部に残存した膜
の残渣を洗い流して除去する。
め、特開平６−２５０３８０には、残渣を残さずに基板
周辺部の不要な膜を除去する不要膜除去方法及び装置が
掲載されている。この不要膜除去方法においては、表面
周縁部に不要な盛り上がり部が形成された位相シフト膜
を有する基板を回転させながら、基板の表面周縁部に第
１の噴射ノズルにより溶剤を噴射させて盛り上がり部を
溶解して飛散させ、次に、第１の噴射ノズルの位置より
も僅かに外周よりの位置に設けられた第２の噴射ノズル
によって溶剤を噴射させて、基板の周縁部に残存した膜
の残渣を洗い流して除去する。
【０００６】しかしながら、この不要膜除去方法によっ
ても、基板の側面、又は下面に付着した膜を除去するこ
とはできない。さらに、この不要膜除去方法によれば、
溶剤を強く噴射する必要があるので、溶剤ミストが基板
に付着したり、飛散した膜の一部が基板に再付着して基
板を汚染するおそれがある。
ても、基板の側面、又は下面に付着した膜を除去するこ
とはできない。さらに、この不要膜除去方法によれば、
溶剤を強く噴射する必要があるので、溶剤ミストが基板
に付着したり、飛散した膜の一部が基板に再付着して基
板を汚染するおそれがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、上記の点に鑑
み、本発明は、薄膜が塗布された基板の周辺部の上面、
斜面、側面、下面、又は角部から、当該薄膜の一部を高
精度かつ高品質に除去する薄膜除去装置を提供すること
を目的とする。さらに、本発明は、基板を汚染するおそ
れがない薄膜除去装置を提供することを目的とする。
み、本発明は、薄膜が塗布された基板の周辺部の上面、
斜面、側面、下面、又は角部から、当該薄膜の一部を高
精度かつ高品質に除去する薄膜除去装置を提供すること
を目的とする。さらに、本発明は、基板を汚染するおそ
れがない薄膜除去装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明の第１の観点に係る薄膜除去装置は、薄膜が
塗布された基板の周辺部から当該薄膜の一部を除去する
装置であって、基板を戴置するステージと、基板の側方
から剥離液を吐出し、基板の上方から剥離液を吸引する
ヘッドと、ステージとヘッドとを相対的に移動させる移
動手段と、ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段
と、ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段とを具
備する。
め、本発明の第１の観点に係る薄膜除去装置は、薄膜が
塗布された基板の周辺部から当該薄膜の一部を除去する
装置であって、基板を戴置するステージと、基板の側方
から剥離液を吐出し、基板の上方から剥離液を吸引する
ヘッドと、ステージとヘッドとを相対的に移動させる移
動手段と、ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段
と、ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段とを具
備する。
【０００９】また、本発明の第２の観点に係る薄膜除去
装置は、薄膜が塗布された基板の周辺部から当該薄膜の
一部を除去する装置であって、基板を戴置するステージ
と、基板の側方から剥離液を吐出し、基板の下方から剥
離液を吸引するヘッドと、ステージとヘッドとを相対的
に移動させる移動手段と、ヘッドに剥離液を供給する剥
離液供給手段と、ヘッドから剥離液を回収する剥離液回
収手段とを具備する。
装置は、薄膜が塗布された基板の周辺部から当該薄膜の
一部を除去する装置であって、基板を戴置するステージ
と、基板の側方から剥離液を吐出し、基板の下方から剥
離液を吸引するヘッドと、ステージとヘッドとを相対的
に移動させる移動手段と、ヘッドに剥離液を供給する剥
離液供給手段と、ヘッドから剥離液を回収する剥離液回
収手段とを具備する。
【００１０】さらに、本発明の第３の観点に係る薄膜除
去装置は、薄膜が塗布された基板の周辺部から当該薄膜
の一部を除去する装置であって、基板を戴置するステー
ジと、基板の下方から剥離液を吐出し、基板の側方から
剥離液を吸引するヘッドと、ステージとヘッドとを相対
的に移動させる移動手段と、ヘッドに剥離液を供給する
剥離液供給手段と、ヘッドから剥離液を回収する剥離液
回収手段とを具備する。
去装置は、薄膜が塗布された基板の周辺部から当該薄膜
の一部を除去する装置であって、基板を戴置するステー
ジと、基板の下方から剥離液を吐出し、基板の側方から
剥離液を吸引するヘッドと、ステージとヘッドとを相対
的に移動させる移動手段と、ヘッドに剥離液を供給する
剥離液供給手段と、ヘッドから剥離液を回収する剥離液
回収手段とを具備する。
【００１１】加えて、本発明の第４の観点に係る薄膜除
去装置は、薄膜が塗布された基板の角部から当該薄膜の
一部を除去するのに適した装置であって、基板を戴置す
るステージと、基板の角部を囲むための複数の凸部を有
し、基板の１つの側面に剥離液を吐出すると共に、他の
側面から剥離液を吸引するヘッドと、ステージとヘッド
とを相対的に移動させる移動手段と、ヘッドに剥離液を
供給する剥離液供給手段と、ヘッドから剥離液を回収す
る剥離液回収手段とを具備する。
去装置は、薄膜が塗布された基板の角部から当該薄膜の
一部を除去するのに適した装置であって、基板を戴置す
るステージと、基板の角部を囲むための複数の凸部を有
し、基板の１つの側面に剥離液を吐出すると共に、他の
側面から剥離液を吸引するヘッドと、ステージとヘッド
とを相対的に移動させる移動手段と、ヘッドに剥離液を
供給する剥離液供給手段と、ヘッドから剥離液を回収す
る剥離液回収手段とを具備する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について説明する。なお、同一の構成要
素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
明の実施の形態について説明する。なお、同一の構成要
素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
【００１３】図１は、本発明の第１の実施形態に係る薄
膜除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示
す断面図である。本実施形態は、レジストが塗布された
半導体用マスクの周辺部からレジストの一部を除去する
薄膜除去装置に本発明を適用したものである。
膜除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示
す断面図である。本実施形態は、レジストが塗布された
半導体用マスクの周辺部からレジストの一部を除去する
薄膜除去装置に本発明を適用したものである。
【００１４】半導体用マスク１０は、例えば、１辺が１
５２ｍｍの正方形で厚みが６．３ｍｍの石英基板１２
に、約０．１ミクロンのクロム膜１３をスパッタするこ
とにより作成される。露光装置を用いて半導体用マスク
１０にマスクパターンを形成するために、回転式のレジ
スト塗布装置を用いて、レジスト１４が、例えば約０．
５ミクロンの厚さで半導体用マスク１０上に塗布され
る。
５２ｍｍの正方形で厚みが６．３ｍｍの石英基板１２
に、約０．１ミクロンのクロム膜１３をスパッタするこ
とにより作成される。露光装置を用いて半導体用マスク
１０にマスクパターンを形成するために、回転式のレジ
スト塗布装置を用いて、レジスト１４が、例えば約０．
５ミクロンの厚さで半導体用マスク１０上に塗布され
る。
【００１５】このように回転式のレジスト塗布装置を用
いてレジストを塗布すると、レジスト１４は、半導体用
マスクの周辺部の上面１０ａ、斜面１０ｂ、及び側面１
０ｃにも付着する。一方、マスク搬送ロボットが、半導
体用マスクの側面１０ｃの一部に接触するため、レジス
トが剥がれてゴミ発生の原因になり、マスクパターンの
欠陥になるという問題がある。これを防止するために、
本実施形態に係る薄膜除去装置は、少なくとも半導体用
マスクの側面１０ｃからレジスト１４を除去する。
いてレジストを塗布すると、レジスト１４は、半導体用
マスクの周辺部の上面１０ａ、斜面１０ｂ、及び側面１
０ｃにも付着する。一方、マスク搬送ロボットが、半導
体用マスクの側面１０ｃの一部に接触するため、レジス
トが剥がれてゴミ発生の原因になり、マスクパターンの
欠陥になるという問題がある。これを防止するために、
本実施形態に係る薄膜除去装置は、少なくとも半導体用
マスクの側面１０ｃからレジスト１４を除去する。
【００１６】図２は、本発明の第１の実施形態に係る薄
膜除去装置において用いるヘッドの斜視図である。図１
と図２に示すように、ヘッド１は、半導体用マスク１０
の周辺部の上面１０ａと、側面１０ｃの中央部よりも上
側とをカバーする逆Ｌ字型の形状を有している。ヘッド
１の側部には入力口２と吐出孔３が形成され、ヘッド１
の上部には吸引孔５と排出口６が形成され、ヘッド１の
側部と上部にまたがって導入溝４が形成されている。
膜除去装置において用いるヘッドの斜視図である。図１
と図２に示すように、ヘッド１は、半導体用マスク１０
の周辺部の上面１０ａと、側面１０ｃの中央部よりも上
側とをカバーする逆Ｌ字型の形状を有している。ヘッド
１の側部には入力口２と吐出孔３が形成され、ヘッド１
の上部には吸引孔５と排出口６が形成され、ヘッド１の
側部と上部にまたがって導入溝４が形成されている。
【００１７】剥離液は、入力口２から供給され、吐出孔
３から吐出される。排出口６から減圧吸引すると、吐出
孔３から吐出された剥離液は、導入溝４に沿って吸引孔
５へと流れ、排出口６から排出される。この剥離液の流
れによって、半導体用マスクの周辺部に付着したレジス
トが溶解され、排出口６から排出される。ここで、導入
溝の深さは、１．５ｍｍ以内であることが望ましい。導
入溝を浅くすることによって、剥離液が確実に半導体用
マスクに接触し、剥離効率を上げることができる。な
お、剥離液としては、アセトン、メチルエチルケトン、
エステル、プロピレングリコール・モノメチル・エーテ
ル・アセテート、乳酸エチル、アニソールテトラヒドロ
クラン等の有機溶剤が用いられる。
３から吐出される。排出口６から減圧吸引すると、吐出
孔３から吐出された剥離液は、導入溝４に沿って吸引孔
５へと流れ、排出口６から排出される。この剥離液の流
れによって、半導体用マスクの周辺部に付着したレジス
トが溶解され、排出口６から排出される。ここで、導入
溝の深さは、１．５ｍｍ以内であることが望ましい。導
入溝を浅くすることによって、剥離液が確実に半導体用
マスクに接触し、剥離効率を上げることができる。な
お、剥離液としては、アセトン、メチルエチルケトン、
エステル、プロピレングリコール・モノメチル・エーテ
ル・アセテート、乳酸エチル、アニソールテトラヒドロ
クラン等の有機溶剤が用いられる。
【００１８】このように、本実施形態においては、必ず
除去しなければならない基板側面のレジストを確実に除
去するために、基板側面に向けて剥離液を吐出するよう
にしている。また、剥離液が重力に抗して吸い上げられ
るので、導入溝を剥離液で満たし、確実に剥離液を基板
に接触させることができる。
除去しなければならない基板側面のレジストを確実に除
去するために、基板側面に向けて剥離液を吐出するよう
にしている。また、剥離液が重力に抗して吸い上げられ
るので、導入溝を剥離液で満たし、確実に剥離液を基板
に接触させることができる。
【００１９】図３は、レジストが除去された後の半導体
用マスクを示す断面図である。図３に示すように、半導
体用マスクの周辺部の上面１０ａ、斜面１０ｂ、及び、
側面１０ｃの中央部よりも上側から、レジスト１４を除
去することができる。本実施形態においては、半導体用
マスクの周縁から１．５ｍｍ以内、さらに望ましくは２
ｍｍ以内において半導体用マスクの上面からレジストを
除去するように、ヘッドが形成されている。
用マスクを示す断面図である。図３に示すように、半導
体用マスクの周辺部の上面１０ａ、斜面１０ｂ、及び、
側面１０ｃの中央部よりも上側から、レジスト１４を除
去することができる。本実施形態においては、半導体用
マスクの周縁から１．５ｍｍ以内、さらに望ましくは２
ｍｍ以内において半導体用マスクの上面からレジストを
除去するように、ヘッドが形成されている。
【００２０】図４は、ヘッドと半導体用マスクとを相対
的に移動させる移動機構を示す平面図であり、図５は、
半導体用マスクを戴置したステージを示す正面図であ
る。半導体用マスク１０は、真空パッド３４を用いて、
ステージ３３に固着されている。一方、ヘッド１を支持
するアーム３０は、モーター３２によって駆動される送
りネジ３１と累合している。モーター３２が回転する
と、ヘッド１が、ガイド３６上を直線的に移動しなが
ら、半導体用マスク１０の第１の辺の周辺に付着してい
るレジストを除去する。
的に移動させる移動機構を示す平面図であり、図５は、
半導体用マスクを戴置したステージを示す正面図であ
る。半導体用マスク１０は、真空パッド３４を用いて、
ステージ３３に固着されている。一方、ヘッド１を支持
するアーム３０は、モーター３２によって駆動される送
りネジ３１と累合している。モーター３２が回転する
と、ヘッド１が、ガイド３６上を直線的に移動しなが
ら、半導体用マスク１０の第１の辺の周辺に付着してい
るレジストを除去する。
【００２１】次に、ヘッド１を半導体用マスク１０から
十分に離れた位置まで移動した後、半導体用マスク１０
を戴置したステージ３３をパルスモータ３５で９０度回
転する。その後、ヘッド１を再度直線的に移動させ、第
２の辺の周辺に付着しているレジストを除去する。同様
にして、第３及び第４の辺の周辺に付着しているレジス
トを除去する。あるいは、図４に示すヘッドと直線移動
機構を２組又は４組装備して、２回又は１回のヘッド移
動でレジストを除去するようにしてもよい。
十分に離れた位置まで移動した後、半導体用マスク１０
を戴置したステージ３３をパルスモータ３５で９０度回
転する。その後、ヘッド１を再度直線的に移動させ、第
２の辺の周辺に付着しているレジストを除去する。同様
にして、第３及び第４の辺の周辺に付着しているレジス
トを除去する。あるいは、図４に示すヘッドと直線移動
機構を２組又は４組装備して、２回又は１回のヘッド移
動でレジストを除去するようにしてもよい。
【００２２】ここで、剥離液が導入溝を満たし且つ導入
溝外へ流出しないように、図６に示すようにヘッドと基
板との間の距離を調節する機構を設けることができる。
図６において、ヘッド１がベース４１に固定されてい
る。ベース４１は、上下方向に移動可能な状態で、調節
ブロック４２の上下ガイド４３に嵌合されている。上下
調節ネジ４４を回すことにより、ベース４１の位置を、
調節ブロック４２に対して上下方向に調節することがで
きる。調節ブロック４２は、前後方向（図中の左右方
向）に移動可能な状態で、アーム３０の前後レール４５
に嵌合されている。前後調節ネジ４６を回すことによ
り、調節ブロック４２の位置を、アーム３０に対して前
後方向に調節することができる。
溝外へ流出しないように、図６に示すようにヘッドと基
板との間の距離を調節する機構を設けることができる。
図６において、ヘッド１がベース４１に固定されてい
る。ベース４１は、上下方向に移動可能な状態で、調節
ブロック４２の上下ガイド４３に嵌合されている。上下
調節ネジ４４を回すことにより、ベース４１の位置を、
調節ブロック４２に対して上下方向に調節することがで
きる。調節ブロック４２は、前後方向（図中の左右方
向）に移動可能な状態で、アーム３０の前後レール４５
に嵌合されている。前後調節ネジ４６を回すことによ
り、調節ブロック４２の位置を、アーム３０に対して前
後方向に調節することができる。
【００２３】これにより、ヘッド１と半導体用マスク１
０との間の距離（クリアランス）を調節することができ
る。例えば、ヘッド１と半導体用マスク１０の周縁との
間の距離を０．１ｍｍ〜２ｍｍの範囲で高精度に調節す
ることにより、剥離液が導入溝を満たし、且つ、導入溝
外へ流出しないようにして、半導体用マスク１０の周辺
部のレジストを効率的に除去することができる。
０との間の距離（クリアランス）を調節することができ
る。例えば、ヘッド１と半導体用マスク１０の周縁との
間の距離を０．１ｍｍ〜２ｍｍの範囲で高精度に調節す
ることにより、剥離液が導入溝を満たし、且つ、導入溝
外へ流出しないようにして、半導体用マスク１０の周辺
部のレジストを効率的に除去することができる。
【００２４】また、図７に示すように、ヘッドを洗浄す
る機構を設けてもよい。ヘッドの吐出孔や吸引孔や導入
溝には、レジストを溶解した剥離液が流れるので、それ
らの周辺はレジストの溶解物によって汚染される。ヘッ
ドがレジストの溶解物によって汚染されていると、基板
にパーティクルが発生する原因となるので、ヘッドを洗
浄する機構を用いて、定期的にヘッドのクリーニングを
することが望ましい。
る機構を設けてもよい。ヘッドの吐出孔や吸引孔や導入
溝には、レジストを溶解した剥離液が流れるので、それ
らの周辺はレジストの溶解物によって汚染される。ヘッ
ドがレジストの溶解物によって汚染されていると、基板
にパーティクルが発生する原因となるので、ヘッドを洗
浄する機構を用いて、定期的にヘッドのクリーニングを
することが望ましい。
【００２５】図７において、ヘッドを洗浄するためのノ
ズル５１が、ヘッド１の吐出孔３、導入溝４、吸引孔５
に沿って移動可能となっている。ヘッド１の退避時に、
ノズル５１が洗浄液を噴出することにより、ヘッド１を
洗浄する。洗浄液は、加圧タンク又はポンプによってノ
ズル５１に供給される。なお、洗浄液としては、ヘッド
１から吐出される剥離液と同一又は同等の薬液を使用す
ることが望ましい。
ズル５１が、ヘッド１の吐出孔３、導入溝４、吸引孔５
に沿って移動可能となっている。ヘッド１の退避時に、
ノズル５１が洗浄液を噴出することにより、ヘッド１を
洗浄する。洗浄液は、加圧タンク又はポンプによってノ
ズル５１に供給される。なお、洗浄液としては、ヘッド
１から吐出される剥離液と同一又は同等の薬液を使用す
ることが望ましい。
【００２６】図８は、本実施形態において剥離液を供給
及び回収するための循環系の構成例を示す図である。剥
離液タンク２０の加圧口２１を窒素等で加圧し、バルブ
２２とニードルバルブ２３によって流量を制御すること
により、剥離液２４をヘッド１に供給する。剥離液の吐
出流量は、フロート式流量計２８によって計測される。
一方、レジストを溶解した剥離液は、ヘッド１からバル
ブ２５を経由して真空ポンプ２７によって吸引され、回
収タンク２６に回収される。回収タンク２６において、
気液分離が行われる。
及び回収するための循環系の構成例を示す図である。剥
離液タンク２０の加圧口２１を窒素等で加圧し、バルブ
２２とニードルバルブ２３によって流量を制御すること
により、剥離液２４をヘッド１に供給する。剥離液の吐
出流量は、フロート式流量計２８によって計測される。
一方、レジストを溶解した剥離液は、ヘッド１からバル
ブ２５を経由して真空ポンプ２７によって吸引され、回
収タンク２６に回収される。回収タンク２６において、
気液分離が行われる。
【００２７】ここで、図８に示すニードルバルブ２３と
フロート式流量計２８の替わりに、図９に示すように、
電子式流量コントローラ２９によって剥離液の吐出流量
を制御するようにしてもよい。電子式流量コントローラ
としては、電子式センサと、ピエゾ方式・ソレノイド方
式・熱膨張方式のコントロールバルブとを組み合わせた
ものや、マスフローコントローラ等が該当する。剥離液
の吐出流量は１〜５ｍリットル／ｍｉｎと小さく、ま
た、高い流量精度を要するので、高精度の流量制御が可
能な電子式流量コントローラを使用することが効果的で
ある。
フロート式流量計２８の替わりに、図９に示すように、
電子式流量コントローラ２９によって剥離液の吐出流量
を制御するようにしてもよい。電子式流量コントローラ
としては、電子式センサと、ピエゾ方式・ソレノイド方
式・熱膨張方式のコントロールバルブとを組み合わせた
ものや、マスフローコントローラ等が該当する。剥離液
の吐出流量は１〜５ｍリットル／ｍｉｎと小さく、ま
た、高い流量精度を要するので、高精度の流量制御が可
能な電子式流量コントローラを使用することが効果的で
ある。
【００２８】図８と図９においては、剥離液タンク２０
の加圧口２１を窒素等で加圧することにより剥離液をヘ
ッドに供給したが、図１０に示すように、ベローズポン
プ（吸込みポンプ）６３を用いて剥離液をヘッドに供給
するようにしてもよい。まず、ポンプ駆動モータ６４を
回転させてベローズポンプ６３を伸ばすと、逆止弁６１
が開き逆止弁６２が閉じて、剥離液がベローズポンプ６
３内に吸い込まれる。次に、ポンプ駆動モータ６４を逆
転させてベローズポンプ６３を縮めると、逆止弁６１が
閉じて逆止弁６２が開き、剥離液がヘッド１に供給され
る。ここで、ポンプ駆動モータ６４の回転速度を変える
ことによって、剥離液の吐出流量を制御することができ
る。なお、ベローズポンプ６３の伸縮駆動は、ポンプ駆
動モータ６４以外にも、エアシリンダ等によって行うこ
とができる。
の加圧口２１を窒素等で加圧することにより剥離液をヘ
ッドに供給したが、図１０に示すように、ベローズポン
プ（吸込みポンプ）６３を用いて剥離液をヘッドに供給
するようにしてもよい。まず、ポンプ駆動モータ６４を
回転させてベローズポンプ６３を伸ばすと、逆止弁６１
が開き逆止弁６２が閉じて、剥離液がベローズポンプ６
３内に吸い込まれる。次に、ポンプ駆動モータ６４を逆
転させてベローズポンプ６３を縮めると、逆止弁６１が
閉じて逆止弁６２が開き、剥離液がヘッド１に供給され
る。ここで、ポンプ駆動モータ６４の回転速度を変える
ことによって、剥離液の吐出流量を制御することができ
る。なお、ベローズポンプ６３の伸縮駆動は、ポンプ駆
動モータ６４以外にも、エアシリンダ等によって行うこ
とができる。
【００２９】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図１１は、本発明の第２の実施形態に係る薄膜
除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示す
断面図である。図１１においては、レジスト１４が、半
導体用マスクの周辺部の下面１０ｄにまで付着してい
る。マスク搬送ロボットは、半導体用マスクの側面１０
ｃの中央部よりも下側に接触するので、本実施形態に係
る薄膜除去装置は、半導体用マスクの側面１０ｃの中央
部よりも下側と、周辺部の下面１０ｄとからレジスト１
４を除去する。
明する。図１１は、本発明の第２の実施形態に係る薄膜
除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示す
断面図である。図１１においては、レジスト１４が、半
導体用マスクの周辺部の下面１０ｄにまで付着してい
る。マスク搬送ロボットは、半導体用マスクの側面１０
ｃの中央部よりも下側に接触するので、本実施形態に係
る薄膜除去装置は、半導体用マスクの側面１０ｃの中央
部よりも下側と、周辺部の下面１０ｄとからレジスト１
４を除去する。
【００３０】図１２は、本発明の第２の実施形態に係る
薄膜除去装置において用いるヘッドの斜視図である。図
１と図２に示すように、ヘッド７１は、半導体用マスク
１０の側面１０ｃの中央部よりも下側と、周辺部の下面
１０ｄとをカバーするＬ字型の形状を有している。ヘッ
ド７１の側部には吐出孔３が形成され、ヘッド７１の下
部には吸引孔５が形成され、ヘッド７１の側部と下部に
またがって導入溝４が形成されている。
薄膜除去装置において用いるヘッドの斜視図である。図
１と図２に示すように、ヘッド７１は、半導体用マスク
１０の側面１０ｃの中央部よりも下側と、周辺部の下面
１０ｄとをカバーするＬ字型の形状を有している。ヘッ
ド７１の側部には吐出孔３が形成され、ヘッド７１の下
部には吸引孔５が形成され、ヘッド７１の側部と下部に
またがって導入溝４が形成されている。
【００３１】剥離液は、入力口２から供給され、吐出孔
３から吐出される。排出口６から減圧吸引すると、吐出
孔３から吐出された剥離液は、導入溝４に沿って吸引孔
５へと流れ、排出口６から排出される。この剥離液の流
れによって、半導体用マスクの側面１０ｃの中央部より
も下側と、周辺部の下面１０ｄとに付着したレジストが
溶解され、排出口６から排出される。ここでも、導入溝
の深さは、１．５ｍｍ以内であることが望ましい。導入
溝を浅くすることによって、剥離液が確実に半導体用マ
スクに接触し、剥離効率を上げることができる。
３から吐出される。排出口６から減圧吸引すると、吐出
孔３から吐出された剥離液は、導入溝４に沿って吸引孔
５へと流れ、排出口６から排出される。この剥離液の流
れによって、半導体用マスクの側面１０ｃの中央部より
も下側と、周辺部の下面１０ｄとに付着したレジストが
溶解され、排出口６から排出される。ここでも、導入溝
の深さは、１．５ｍｍ以内であることが望ましい。導入
溝を浅くすることによって、剥離液が確実に半導体用マ
スクに接触し、剥離効率を上げることができる。
【００３２】このように、本実施形態においては、必ず
除去しなければならない基板側面のレジストを確実に除
去するために、基板側面に向けて剥離液を吐出するよう
にしている。
除去しなければならない基板側面のレジストを確実に除
去するために、基板側面に向けて剥離液を吐出するよう
にしている。
【００３３】図１３の（ａ）は、レジストが除去される
前の半導体用マスクを示す断面図であり、図１３の
（ｂ）は、レジストが除去された後の半導体用マスクを
示す断面図である。図１３の（ａ）に示すように、レジ
スト１４は、半導体用マスクの周辺部の上面に盛り上が
り、下面にまで付着している。このような場合において
も、図１３の（ｂ）に示すように、半導体用マスクの側
面１０ｃの中央部よりも下側と、周辺部の下面１０ｄと
から、レジスト１４を除去することができる。本実施形
態においては、半導体用マスクの周縁から１．５ｍｍ以
内、さらに望ましくは２ｍｍ以内において半導体用マス
クの下面からレジストを除去するように、ヘッドが形成
されている。
前の半導体用マスクを示す断面図であり、図１３の
（ｂ）は、レジストが除去された後の半導体用マスクを
示す断面図である。図１３の（ａ）に示すように、レジ
スト１４は、半導体用マスクの周辺部の上面に盛り上が
り、下面にまで付着している。このような場合において
も、図１３の（ｂ）に示すように、半導体用マスクの側
面１０ｃの中央部よりも下側と、周辺部の下面１０ｄと
から、レジスト１４を除去することができる。本実施形
態においては、半導体用マスクの周縁から１．５ｍｍ以
内、さらに望ましくは２ｍｍ以内において半導体用マス
クの下面からレジストを除去するように、ヘッドが形成
されている。
【００３４】次に、本発明の第３の実施形態について説
明する。図１４は、本発明の第３の実施形態に係る薄膜
除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示す
断面図である。本実施形態において使用するヘッド８１
は、第２の実施形態におけるヘッド７１の入力口２と吐
出孔３の位置を逆にしたものである。
明する。図１４は、本発明の第３の実施形態に係る薄膜
除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示す
断面図である。本実施形態において使用するヘッド８１
は、第２の実施形態におけるヘッド７１の入力口２と吐
出孔３の位置を逆にしたものである。
【００３５】剥離液は、入力口２から供給され、吐出孔
３から吐出される。排出口６から減圧吸引すると、吐出
孔３から吐出された剥離液は、導入溝４に沿って吸引孔
５へと流れ、排出口６から排出される。この剥離液の流
れによって、半導体用マスクの周辺部の下面１０ｄと、
側面１０ｃの中央部よりも下側とに付着したレジストが
溶解され、排出口６から排出される。ここでも、導入溝
の深さは、１．５ｍｍ以内であることが望ましい。導入
溝を浅くすることによって、剥離液が確実に半導体用マ
スクに接触し、剥離効率を上げることができる。
３から吐出される。排出口６から減圧吸引すると、吐出
孔３から吐出された剥離液は、導入溝４に沿って吸引孔
５へと流れ、排出口６から排出される。この剥離液の流
れによって、半導体用マスクの周辺部の下面１０ｄと、
側面１０ｃの中央部よりも下側とに付着したレジストが
溶解され、排出口６から排出される。ここでも、導入溝
の深さは、１．５ｍｍ以内であることが望ましい。導入
溝を浅くすることによって、剥離液が確実に半導体用マ
スクに接触し、剥離効率を上げることができる。
【００３６】このように、本実施形態においては、剥離
液が重力に抗して吸い上げられるので、導入溝を剥離液
で満たし、確実に剥離液を基板に接触させることができ
る。
液が重力に抗して吸い上げられるので、導入溝を剥離液
で満たし、確実に剥離液を基板に接触させることができ
る。
【００３７】次に、本発明の第４の実施形態について説
明する。図１５の（ａ）は、本発明の第４の実施形態に
係る薄膜除去装置において用いる第１のヘッドと半導体
用マスクを示す断面図であり、図１５の（ｂ）は、本発
明の第４の実施形態に係る薄膜除去装置において用いる
第２のヘッドと半導体用マスクを示す断面図である。本
実施形態においては、第１のヘッド７１と第２のヘッド
９１とを使用する。第１のヘッド７１は、第２の実施形
態におけるヘッド７１と同様のものであり、第２のヘッ
ド９１は、第１の実施形態におけるヘッド１の入力口２
と吐出孔３の位置を逆にしたものである。
明する。図１５の（ａ）は、本発明の第４の実施形態に
係る薄膜除去装置において用いる第１のヘッドと半導体
用マスクを示す断面図であり、図１５の（ｂ）は、本発
明の第４の実施形態に係る薄膜除去装置において用いる
第２のヘッドと半導体用マスクを示す断面図である。本
実施形態においては、第１のヘッド７１と第２のヘッド
９１とを使用する。第１のヘッド７１は、第２の実施形
態におけるヘッド７１と同様のものであり、第２のヘッ
ド９１は、第１の実施形態におけるヘッド１の入力口２
と吐出孔３の位置を逆にしたものである。
【００３８】図１６の（ａ）は、レジストが除去される
前の半導体用マスクを示す断面図であり、図１６の
（ｂ）は、レジストが除去された後の半導体用マスクを
示す断面図である。図１６の（ａ）に示すように、レジ
スト１４は、半導体用マスクの周辺部の上面で盛り上が
り、下面にまで付着している。このような場合において
も、第１のヘッド７１は、半導体用マスクの側面１０ｃ
の中央部から下側、及び、周辺部の下面１０ｄに付着し
ているレジストを除去できる。一方、第２のヘッド９１
は、半導体用マスクの周辺部の上面１０ａ、斜面１０
ｂ、及び、側面１０ｃの中央部から上側に付着している
レジストを除去できる。このように、２つのヘッドを組
み合わせて用いることにより、本実施形態においては、
半導体用マスクの下面にまで付着しているレジストを、
半導体用マスクの周辺部から完全に除去することができ
る。
前の半導体用マスクを示す断面図であり、図１６の
（ｂ）は、レジストが除去された後の半導体用マスクを
示す断面図である。図１６の（ａ）に示すように、レジ
スト１４は、半導体用マスクの周辺部の上面で盛り上が
り、下面にまで付着している。このような場合において
も、第１のヘッド７１は、半導体用マスクの側面１０ｃ
の中央部から下側、及び、周辺部の下面１０ｄに付着し
ているレジストを除去できる。一方、第２のヘッド９１
は、半導体用マスクの周辺部の上面１０ａ、斜面１０
ｂ、及び、側面１０ｃの中央部から上側に付着している
レジストを除去できる。このように、２つのヘッドを組
み合わせて用いることにより、本実施形態においては、
半導体用マスクの下面にまで付着しているレジストを、
半導体用マスクの周辺部から完全に除去することができ
る。
【００３９】以上の実施形態においては基板が角型であ
る場合について説明したが、基板が丸形であっても本発
明を実現できる。基板が丸形である場合には、ヘッドを
固定して基板を回転することによって、基板の円周部に
付着した薄膜を除去することができる。
る場合について説明したが、基板が丸形であっても本発
明を実現できる。基板が丸形である場合には、ヘッドを
固定して基板を回転することによって、基板の円周部に
付着した薄膜を除去することができる。
【００４０】次に、本発明の第５の実施形態について説
明する。図１７は、本発明の第５の実施形態に係る薄膜
除去装置において用いるヘッドと基板を示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’面における
断面図である。本実施形態に係る薄膜除去装置は、レジ
スト等の薄膜が塗布された基板の角部から当該薄膜の一
部を除去するのに適している。また、図１７に示すヘッ
ドを、以上の実施形態において説明したヘッドと併せて
用いることも可能である。
明する。図１７は、本発明の第５の実施形態に係る薄膜
除去装置において用いるヘッドと基板を示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’面における
断面図である。本実施形態に係る薄膜除去装置は、レジ
スト等の薄膜が塗布された基板の角部から当該薄膜の一
部を除去するのに適している。また、図１７に示すヘッ
ドを、以上の実施形態において説明したヘッドと併せて
用いることも可能である。
【００４１】図１７（ａ）に示すように、基板１００に
おいて、直交する２つの側面の間の角部が面取りされて
おり、この面取りされた部分にレジスト１４が付着して
いる。このような部分に付着したレジストは剥離し難い
ので、特別なヘッドを用いて除去する必要がある。
おいて、直交する２つの側面の間の角部が面取りされて
おり、この面取りされた部分にレジスト１４が付着して
いる。このような部分に付着したレジストは剥離し難い
ので、特別なヘッドを用いて除去する必要がある。
【００４２】ヘッド１０１は、基板１００の直交する２
つの側面にそれぞれ対向する第１の側面１０１ａと第２
の側面１０１ｂとを有している。ヘッド１０１の第１の
側面１０１ａには、剥離液を吐出するための吐出孔１０
３が形成され、第２の側面１０１ｂには、剥離液を吸引
するための吸引孔１０５が形成されている。さらに、吐
出孔１０３から吐出された剥離液を吸引孔１０５に導く
ための導入溝１０４が、第１の側面１０１ａと第２の側
面１０１ｂとにまたがって形成されている。
つの側面にそれぞれ対向する第１の側面１０１ａと第２
の側面１０１ｂとを有している。ヘッド１０１の第１の
側面１０１ａには、剥離液を吐出するための吐出孔１０
３が形成され、第２の側面１０１ｂには、剥離液を吸引
するための吸引孔１０５が形成されている。さらに、吐
出孔１０３から吐出された剥離液を吸引孔１０５に導く
ための導入溝１０４が、第１の側面１０１ａと第２の側
面１０１ｂとにまたがって形成されている。
【００４３】図１７（ｂ）に示すように、ヘッド１０１
は、基板１００の角部を囲むために上下に設けられた凸
部１１１及び１１２を有している。ヘッド１０１を基板
１００の角部に近接させ、吐出孔１０３から基板の１つ
の側面に剥離液を吐出させると共に、基板の他の側面か
ら吸引孔１０５に剥離液を吸引することにより、凸部１
１１及び１１２と基板１００の角部とによって囲まれた
導入溝１０４に剥離液を流す。この剥離液は、レジスト
１４を溶解し、吸引孔１０５から排出される。その結
果、基板を汚染することなく、基板の角部からレジスト
を除去することができる。なお、本実施形態におけるヘ
ッド１０１は、直線的に基板に近接して薄膜の除去を行
うので、基板の周辺を相対的に移動する他のヘッドと協
調して同時に薄膜の除去を行うことも可能である。
は、基板１００の角部を囲むために上下に設けられた凸
部１１１及び１１２を有している。ヘッド１０１を基板
１００の角部に近接させ、吐出孔１０３から基板の１つ
の側面に剥離液を吐出させると共に、基板の他の側面か
ら吸引孔１０５に剥離液を吸引することにより、凸部１
１１及び１１２と基板１００の角部とによって囲まれた
導入溝１０４に剥離液を流す。この剥離液は、レジスト
１４を溶解し、吸引孔１０５から排出される。その結
果、基板を汚染することなく、基板の角部からレジスト
を除去することができる。なお、本実施形態におけるヘ
ッド１０１は、直線的に基板に近接して薄膜の除去を行
うので、基板の周辺を相対的に移動する他のヘッドと協
調して同時に薄膜の除去を行うことも可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜が塗布された基板の周辺部の上面、斜面、側面、下
面、又は角部から、当該薄膜の一部を高精度かつ高品質
に除去する薄膜除去装置を提供することができる。さら
に、本発明によれば、基板を汚染するおそれがない薄膜
除去装置を提供することができる。
薄膜が塗布された基板の周辺部の上面、斜面、側面、下
面、又は角部から、当該薄膜の一部を高精度かつ高品質
に除去する薄膜除去装置を提供することができる。さら
に、本発明によれば、基板を汚染するおそれがない薄膜
除去装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る薄膜除去装置に
おいて用いるヘッドと半導体用マスクを示す断面図であ
る。
おいて用いるヘッドと半導体用マスクを示す断面図であ
る。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る薄膜除去装置に
おいて用いるヘッドの斜視図である。
おいて用いるヘッドの斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態において、レジストが
除去された後の半導体用マスクを示す断面図である。
除去された後の半導体用マスクを示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態において、ヘッドと基
板とを相対的に移動させる移動機構を示す平面図であ
る。
板とを相対的に移動させる移動機構を示す平面図であ
る。
【図５】本発明の第１の実施形態において、半導体用マ
スクを戴置したステージを示す正面図である。
スクを戴置したステージを示す正面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態において、ヘッドと基
板との間の距離を調節する機構を示す図である。
板との間の距離を調節する機構を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態において、ヘッドを洗
浄する機構を示す図である。
浄する機構を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施形態において、剥離液を供
給及び回収するための循環系の構成例を示す図である。
給及び回収するための循環系の構成例を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施形態において、剥離液を供
給及び回収するための循環系の別の構成例を示す図であ
る。
給及び回収するための循環系の別の構成例を示す図であ
る。
【図１０】本発明の第１の実施形態において、剥離液を
供給及び回収するための循環系のさらに別の構成例を示
す図である。
供給及び回収するための循環系のさらに別の構成例を示
す図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る薄膜除去装置
において用いるヘッドと半導体用マスクを示す断面図で
ある。
において用いるヘッドと半導体用マスクを示す断面図で
ある。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る薄膜除去装置
において用いるヘッドの斜視図である。
において用いるヘッドの斜視図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態において、レジスト
が除去される前の半導体用マスクとレジストが除去され
た後の半導体用マスクとを比較するための断面図であ
る。
が除去される前の半導体用マスクとレジストが除去され
た後の半導体用マスクとを比較するための断面図であ
る。
【図１４】本発明の第３の実施形態に係る薄膜除去装置
において使用するヘッドの縦断面図である。
において使用するヘッドの縦断面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態に係る薄膜除去装置
において用いる２種類のヘッドと半導体用マスクを示す
断面図である。
において用いる２種類のヘッドと半導体用マスクを示す
断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態において、レジスト
が除去される前の半導体用マスクとレジストが除去され
た後の半導体用マスクとを比較するための断面図であ
る。
が除去される前の半導体用マスクとレジストが除去され
た後の半導体用マスクとを比較するための断面図であ
る。
【図１７】本発明の第５の実施形態に係る薄膜除去装置
において用いるヘッドと基板を示す図であり、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’面における断面図で
ある。
において用いるヘッドと基板を示す図であり、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’面における断面図で
ある。
１、７１、８１、９１、１０１ ヘッド
２ 入力口
３、１０３ 吐出口
４、１０４ 導入溝
５、１０５ 吸引口
６ 排出口
１０ 半導体用マスク
１２ 石英基板
１３ クロム膜
１４ レジスト
２０ 剥離液タンク
２１ 加圧口
２２、２５ バルブ
２３ ニードルバルブ
２４ 剥離液
２６ 回収タンク
２７ 真空ポンプ
２８ フロート式流量計
２９ 電子式流量コントローラ
３０ アーム
３１ 送りネジ
３２ モータ
３３ ステージ
３４ 真空パッド
３５ パルスモータ
３６ ガイド
６１、６２ 逆止弁
６３ ベローズポンプ
６４ ポンプ駆動モータ
１００ 基板
１１１、１１２ 凸部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 遠藤 大
神奈川県川崎市麻生区下麻生110−１ シ
グマメルテック株式会社内
Ｆターム(参考） 4F042 AA02 AA07 AB00 CB03 CB08
CB10 CC04 CC10
5F046 JA02 JA09 JA15
Claims (16)
- 【請求項１】 薄膜が塗布された基板の周辺部から当該
薄膜の一部を除去する薄膜除去装置であって、 前記基板を戴置するステージと、 前記基板の側方から剥離液を吐出し、前記基板の上方か
ら剥離液を吸引するヘッドと、 前記ステージと前記ヘッドとを相対的に移動させる移動
手段と、 前記ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段と、 前記ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段と、を
具備する薄膜除去装置。 - 【請求項２】 前記ヘッドが逆Ｌ字型の形状を有し、剥
離液を吐出するための吐出孔が側部に形成され、剥離液
を吸引するための吸引孔が上部に形成され、前記吐出孔
から吐出された剥離液を前記吸引孔に導くための導入溝
が側部と上部にまたがって形成されていることを特徴と
する請求項１記載の薄膜除去装置。 - 【請求項３】 薄膜が塗布された基板の周辺部から当該
薄膜の一部を除去する薄膜除去装置であって、 前記基板を戴置するステージと、 前記基板の側方から剥離液を吐出し、前記基板の下方か
ら剥離液を吸引するヘッドと、 前記ステージと前記ヘッドとを相対的に移動させる移動
手段と、 前記ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段と、 前記ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段と、を
具備する薄膜除去装置。 - 【請求項４】 前記ヘッドがＬ字型の形状を有し、剥離
液を吐出するための吐出孔が側部に形成され、剥離液を
吸引するための吸引孔が下部に形成され、前記吐出孔か
ら吐出された剥離液を前記吸引孔に導くための導入溝が
側部と下部にまたがって形成されていることを特徴とす
る請求項３記載の薄膜除去装置。 - 【請求項５】 薄膜が塗布された基板の周辺部から当該
薄膜の一部を除去する薄膜除去装置であって、 前記基板を戴置するステージと、 前記基板の下方から剥離液を吐出し、前記基板の側方か
ら剥離液を吸引するヘッドと、 前記ステージと前記ヘッドとを相対的に移動させる移動
手段と、 前記ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段と、 前記ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段と、を
具備する薄膜除去装置。 - 【請求項６】 前記ヘッドがＬ字型の形状を有し、剥離
液を吐出するための吐出孔が下部に形成され、剥離液を
吸引するための吸引孔が側部に形成され、前記吐出孔か
ら吐出された剥離液を前記吸引孔に導くための導入溝が
下部と側部にまたがって形成されていることを特徴とす
る請求項５記載の薄膜除去装置。 - 【請求項７】 前記ヘッドに、剥離液を吐出するための
吐出孔と、剥離液を吸引するための吸引孔と、前記吐出
孔から吐出された剥離液を前記吸引孔に導くための導入
溝とが形成されており、前記導入溝の深さが１．５ｍｍ
以内であることを特徴とする請求項１、３又は５記載の
薄膜除去装置。 - 【請求項８】 前記ヘッドが、前記基板の周縁から１．
５ｍｍ以内において前記基板の上面又は下面から薄膜を
除去するように形成されていることを特徴とする請求項
１〜７のいずれか１項記載の薄膜除去装置。 - 【請求項９】 前記ヘッドと前記基板との間の距離を調
節する手段をさらに具備する請求項１〜８のいずれか１
項記載の薄膜除去装置。 - 【請求項１０】 前記ヘッドを洗浄する手段をさらに具
備する請求項１〜９のいずれか１項記載の薄膜除去装
置。 - 【請求項１１】 前記ステージと前記ヘッドとを相対的
に移動させて前記基板の１辺の薄膜を除去した後、前記
ステージを９０°回転させて前記基板の他の１辺の薄膜
を除去することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか
１項記載の薄膜除去装置。 - 【請求項１２】 薄膜が塗布された基板の周辺部から当
該薄膜の一部を除去する薄膜除去装置であって、 前記基板を戴置するステージと、 前記基板の側方から剥離液を吐出し、前記基板の下方か
ら剥離液を吸引する第１のヘッドと、 前記基板の上方から剥離液を吐出し、前記基板の側方か
ら剥離液を吸引する第２のヘッドと、 前記ステージと前記第１及び第２のヘッドとを相対的に
移動させる移動手段と、 前記第１及び第２のヘッドに剥離液を供給する剥離液供
給手段と、 前記第１及び第２のヘッドから剥離液を回収する剥離液
回収手段と、を具備する薄膜除去装置。 - 【請求項１３】 薄膜が塗布された角型基板の角部から
当該薄膜の一部を除去するのに適した薄膜除去装置であ
って、 前記基板を戴置するステージと、 前記基板の角部を囲むための複数の凸部を有し、前記基
板の１つの側面に剥離液を吐出すると共に、他の側面か
ら剥離液を吸引するヘッドと、 前記基板に前記ヘッドを移動させる移動手段と、 前記ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段と、 前記ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段と、を
具備する薄膜除去装置。 - 【請求項１４】 前記ヘッドが前記角型基板の角部の直
交する２つの側面にそれぞれ対向する第１及び第２の側
面を有し、剥離液を吐出するための吐出孔が第１の側面
に形成され、剥離液を吸引するための吸引孔が第２の側
面に形成され、前記吐出孔から吐出された剥離液を前記
吸引孔に導くための導入溝が第１及び第２の側面にまた
がって形成されていることを特徴とする請求項１３記載
の薄膜除去装置。 - 【請求項１５】 前記剥離液供給手段が、吐出される剥
離液の量を制御する電子式流量コントローラを含むこと
を特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項記載の薄膜
除去装置。 - 【請求項１６】 前記剥離液供給手段が、吸込みポンプ
を含むことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項
記載の薄膜除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002207717A JP4169541B2 (ja) | 2001-07-25 | 2002-07-17 | 薄膜除去装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001223762 | 2001-07-25 | ||
| JP2001-223762 | 2001-07-25 | ||
| JP2002207717A JP4169541B2 (ja) | 2001-07-25 | 2002-07-17 | 薄膜除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003109896A true JP2003109896A (ja) | 2003-04-11 |
| JP4169541B2 JP4169541B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=26619202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002207717A Expired - Fee Related JP4169541B2 (ja) | 2001-07-25 | 2002-07-17 | 薄膜除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4169541B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286208A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 剥離液および薄膜除去方法 |
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| WO2012147512A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | タツモ株式会社 | 除膜方法、除膜用ノズルおよび除膜装置 |
| CN104742490A (zh) * | 2015-03-05 | 2015-07-01 | 南京第壹有机光电有限公司 | 一种选择性除膜装置 |
-
2002
- 2002-07-17 JP JP2002207717A patent/JP4169541B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP5666614B2 (ja) * | 2011-04-26 | 2015-02-12 | タツモ株式会社 | 除膜方法、除膜装置、および除膜用ノズル |
| US8980114B2 (en) | 2011-04-26 | 2015-03-17 | Tazmo Co., Ltd. | Film removing method, nozzle for removing film, and film removing device |
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| CN104742490A (zh) * | 2015-03-05 | 2015-07-01 | 南京第壹有机光电有限公司 | 一种选择性除膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4169541B2 (ja) | 2008-10-22 |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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