JP2003100971A - 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置Info
- Publication number
- JP2003100971A JP2003100971A JP2001293028A JP2001293028A JP2003100971A JP 2003100971 A JP2003100971 A JP 2003100971A JP 2001293028 A JP2001293028 A JP 2001293028A JP 2001293028 A JP2001293028 A JP 2001293028A JP 2003100971 A JP2003100971 A JP 2003100971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric cooling
- cooling element
- input
- wiring layer
- output terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 入出力端子と熱電冷却素子とのリード線によ
る接続構造を改良して、半導体パッケージの内部に収容
する熱電冷却素子および半導体素子を長期にわたり正常
かつ安定に作動させること。 【解決手段】 半導体パッケージ内に載置される熱電冷
却素子11がリード線14を介して入出力端子4のメタ
ライズ配線層4aに電気的に接続されている半導体パッ
ケージにおいて、リード線14に接続されるメタライズ
配線層4aが形成された入出力端子4の枠体3内側の部
位が枠体3内側に突出した突出部4bとされており、突
出部4bの熱電冷却素子11側の側面が熱電冷却素子1
1に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに
側面にメタライズ配線層4aが延出するように形成され
ている。
る接続構造を改良して、半導体パッケージの内部に収容
する熱電冷却素子および半導体素子を長期にわたり正常
かつ安定に作動させること。 【解決手段】 半導体パッケージ内に載置される熱電冷
却素子11がリード線14を介して入出力端子4のメタ
ライズ配線層4aに電気的に接続されている半導体パッ
ケージにおいて、リード線14に接続されるメタライズ
配線層4aが形成された入出力端子4の枠体3内側の部
位が枠体3内側に突出した突出部4bとされており、突
出部4bの熱電冷却素子11側の側面が熱電冷却素子1
1に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに
側面にメタライズ配線層4aが延出するように形成され
ている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
するための半導体素子収納用パッケージに関し、特に半
導体素子が載置される熱電冷却素子の電極と入出力端子
との接続構造を改良したものに関する。
するための半導体素子収納用パッケージに関し、特に半
導体素子が載置される熱電冷却素子の電極と入出力端子
との接続構造を改良したものに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光通信分野で用いられたりマイク
ロ波帯、ミリ波帯等の高周波信号で作動する各種半導体
素子を収納する半導体素子収納用パッケージ(以下、半
導体パッケージという)は、半導体素子から発生する熱
を強制的に半導体素子を載置する基体へ移動させて半導
体素子を安定に作動させるためのペルチェ素子等の熱電
冷却素子を具備している。例えば、半導体素子として半
導体レーザ(LD)、フォトダイオード(PD)等の光
半導体素子を用い、熱電冷却素子としてペルチェ素子を
設置した半導体パッケージを図3に断面図で、図4に斜
視図で示す。これらの図において、21は基体、23は
枠体、24は入出力端子、31は熱電冷却素子、34は
リード線である。
ロ波帯、ミリ波帯等の高周波信号で作動する各種半導体
素子を収納する半導体素子収納用パッケージ(以下、半
導体パッケージという)は、半導体素子から発生する熱
を強制的に半導体素子を載置する基体へ移動させて半導
体素子を安定に作動させるためのペルチェ素子等の熱電
冷却素子を具備している。例えば、半導体素子として半
導体レーザ(LD)、フォトダイオード(PD)等の光
半導体素子を用い、熱電冷却素子としてペルチェ素子を
設置した半導体パッケージを図3に断面図で、図4に斜
視図で示す。これらの図において、21は基体、23は
枠体、24は入出力端子、31は熱電冷却素子、34は
リード線である。
【0003】基体21は、鉄(Fe)−ニッケル(N
i)−コバルト(Co)合金等の金属や銅(Cu)−タ
ングステン(W)等の焼結材から成り、その上側主面の
略中央部には、LD,PD等の光半導体素子などの半導
体素子30を搭載するための熱電冷却素子31を載置す
る載置部21aが設けられている。載置部21aには、
半導体素子30が、熱電冷却素子31に搭載された状態
で載置固定される。
i)−コバルト(Co)合金等の金属や銅(Cu)−タ
ングステン(W)等の焼結材から成り、その上側主面の
略中央部には、LD,PD等の光半導体素子などの半導
体素子30を搭載するための熱電冷却素子31を載置す
る載置部21aが設けられている。載置部21aには、
半導体素子30が、熱電冷却素子31に搭載された状態
で載置固定される。
【0004】基体21の上側主面の外周部には、載置部
21aを囲繞するようにして接合され、側部に光ファイ
バ32を固定するための筒状の光ファイバ固定部材22
の取付部および入出力端子24の取付部23aを有する
枠体23が立設されており、枠体23は基体21ととも
にその内側に半導体素子30を収容する空所を形成す
る。
21aを囲繞するようにして接合され、側部に光ファイ
バ32を固定するための筒状の光ファイバ固定部材22
の取付部および入出力端子24の取付部23aを有する
枠体23が立設されており、枠体23は基体21ととも
にその内側に半導体素子30を収容する空所を形成す
る。
【0005】光ファイバ固定部材22は、枠体23内側
の端部がサファイアやガラス等の透光性材料から成る窓
部材22aで塞がれており、枠体23外側の端部から光
ファイバ32が挿通固定される。
の端部がサファイアやガラス等の透光性材料から成る窓
部材22aで塞がれており、枠体23外側の端部から光
ファイバ32が挿通固定される。
【0006】枠体23は基体21と同様にFe−Ni−
Co合金やCu−Wの焼結材等から成り、基体21と一
体成形される、または基体21に銀(Ag)ろう等のろ
う材を介してろう付けされる、またはシーム溶接法等の
溶接法により接合されることによって、基体21の上側
主面の外周部に立設される。
Co合金やCu−Wの焼結材等から成り、基体21と一
体成形される、または基体21に銀(Ag)ろう等のろ
う材を介してろう付けされる、またはシーム溶接法等の
溶接法により接合されることによって、基体21の上側
主面の外周部に立設される。
【0007】入出力端子24は、アルミナ(Al
2O3),窒化アルミニウム(AlN),ムライト(3A
l2O3・2SiO2)等のセラミックスから成り、枠体
23の取付部23aにろう材を介して嵌着接合され、枠
体23の内外を電気的に導通する複数のメタライズ配線
層24aが被着形成されている。
2O3),窒化アルミニウム(AlN),ムライト(3A
l2O3・2SiO2)等のセラミックスから成り、枠体
23の取付部23aにろう材を介して嵌着接合され、枠
体23の内外を電気的に導通する複数のメタライズ配線
層24aが被着形成されている。
【0008】メタライズ配線層24aの枠体23外側の
部位には、Fe−Ni−Co合金等の金属から成る外部
リード端子27がAgろう等のろう材を介して取着さ
れ、一方メタライズ配線層24aの枠体23内側の部位
には、半導体素子30の各電極がボンディングワイヤ3
3を介して電気的に接続されるとともにリード線34の
先端部が半田付けされ電気的に接続される。メタライズ
配線層24aのリード線34の接続部は、入出力端子2
4のメタライズ配線層24aの導出方向に略垂直な側面
で枠体23内側の側面に、断面が略U字状の切欠き部が
設けられるとともに、この切欠き部の内面にメタライズ
配線層24aが延設されて成る。これにより、切欠き部
の内面とリード線34との間の半田の接合面積が拡大
し、入出力端子24とリード線34との接続が強固なも
のになる。
部位には、Fe−Ni−Co合金等の金属から成る外部
リード端子27がAgろう等のろう材を介して取着さ
れ、一方メタライズ配線層24aの枠体23内側の部位
には、半導体素子30の各電極がボンディングワイヤ3
3を介して電気的に接続されるとともにリード線34の
先端部が半田付けされ電気的に接続される。メタライズ
配線層24aのリード線34の接続部は、入出力端子2
4のメタライズ配線層24aの導出方向に略垂直な側面
で枠体23内側の側面に、断面が略U字状の切欠き部が
設けられるとともに、この切欠き部の内面にメタライズ
配線層24aが延設されて成る。これにより、切欠き部
の内面とリード線34との間の半田の接合面積が拡大
し、入出力端子24とリード線34との接続が強固なも
のになる。
【0009】枠体23および入出力端子24の上面に
は、Fe−Ni−Co合金等の金属から成るシールリン
グ25がAgろう等のろう材を介して接合され、シール
リング25の上面には、Fe−Ni−Co合金等の金属
から成る蓋体26がろう付け法やシームウエルド法等の
溶接法で接合され、基体21、枠体23、シールリング
25および蓋体26から成る容器内部に半導体素子30
を収容し気密に封止する。
は、Fe−Ni−Co合金等の金属から成るシールリン
グ25がAgろう等のろう材を介して接合され、シール
リング25の上面には、Fe−Ni−Co合金等の金属
から成る蓋体26がろう付け法やシームウエルド法等の
溶接法で接合され、基体21、枠体23、シールリング
25および蓋体26から成る容器内部に半導体素子30
を収容し気密に封止する。
【0010】最後に、枠体23に設けた光ファイバ固定
部材22に光ファイバ32を溶接等によって接合させ、
光ファイバ32を枠体23に固定することによって製品
としての光半導体装置となる。
部材22に光ファイバ32を溶接等によって接合させ、
光ファイバ32を枠体23に固定することによって製品
としての光半導体装置となる。
【0011】光ファイバ32は、その外側端部に金属製
フランジ32aを予め取着させておき、金属製フランジ
32aを例えばレーザ溶接法を採用して光ファイバ固定
部材22に溶接する。
フランジ32aを予め取着させておき、金属製フランジ
32aを例えばレーザ溶接法を採用して光ファイバ固定
部材22に溶接する。
【0012】この半導体装置は、外部電気回路(図示せ
ず)から供給される電気信号によって半導体素子30に
光を励起させ、この光を光ファイバ32を介して外部に
伝送することによって高速光通信等に使用される半導体
装置として機能する。または、外部から光ファイバ32
を介して伝送してくる光信号を、透光性部材22aを透
過させ、半導体素子30に受光させて光信号を電気信号
に変換することによって、高速光通信等に使用される半
導体装置として機能する。
ず)から供給される電気信号によって半導体素子30に
光を励起させ、この光を光ファイバ32を介して外部に
伝送することによって高速光通信等に使用される半導体
装置として機能する。または、外部から光ファイバ32
を介して伝送してくる光信号を、透光性部材22aを透
過させ、半導体素子30に受光させて光信号を電気信号
に変換することによって、高速光通信等に使用される半
導体装置として機能する。
【0013】なお、この半導体装置には、半導体素子3
0が作動中に発生する熱を外部に良好に放熱するため
に、半導体素子30と基体21との間に熱電冷却素子3
1が配設されている。この熱電冷却素子31には、セラ
ミック基板が、基体21に接合される面と半導体素子3
0が搭載される面にそれぞれ設けてあり、熱電冷却素子
31の基体21に接合される面のセラミック基板の上面
に電極が形成されている。この電極にリード線34の一
端部が接続されている。
0が作動中に発生する熱を外部に良好に放熱するため
に、半導体素子30と基体21との間に熱電冷却素子3
1が配設されている。この熱電冷却素子31には、セラ
ミック基板が、基体21に接合される面と半導体素子3
0が搭載される面にそれぞれ設けてあり、熱電冷却素子
31の基体21に接合される面のセラミック基板の上面
に電極が形成されている。この電極にリード線34の一
端部が接続されている。
【0014】そして、リード線34の他端部が入出力端
子24のメタライズ配線層24aに半田付けにより電気
的に接続され、外部リード端子27、メタライズ配線層
24aおよびリード線34を介して外部より熱電冷却素
子31に電力が供給される。即ち、リード線34は、熱
電冷却素子31に駆動電圧を供給することによって、熱
電冷却素子31を半導体素子30から基体21に熱を移
動させる熱ポンプとして作動させる。従って、半導体素
子30の作動時に発生する熱は熱電冷却素子31を介し
て基体21に強制的に伝達され、基体21から大気中に
放散され、その結果半導体素子30が常に定温で安定し
て作動するものとなる。
子24のメタライズ配線層24aに半田付けにより電気
的に接続され、外部リード端子27、メタライズ配線層
24aおよびリード線34を介して外部より熱電冷却素
子31に電力が供給される。即ち、リード線34は、熱
電冷却素子31に駆動電圧を供給することによって、熱
電冷却素子31を半導体素子30から基体21に熱を移
動させる熱ポンプとして作動させる。従って、半導体素
子30の作動時に発生する熱は熱電冷却素子31を介し
て基体21に強制的に伝達され、基体21から大気中に
放散され、その結果半導体素子30が常に定温で安定し
て作動するものとなる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体パッケージでは、近時の半導体装置の小型化
に伴い、入出力端子24に形成されたメタライズ配線層
24aの間隔が例えば約1mm以下と狭くなってきてい
ること、およびメタライズ配線層24aに熱電冷却素子
31の電極に接続されたリード線34を半田付けする作
業が一般に手作業で行われることから、リード線34の
先端部をメタライズ配線層24aに半田付けする際に、
メタライズ配線層24aとリード線34との間に形成さ
れる半田溜りの一部が、作業ばらつき等に起因する半田
過多により隣接するメタライズ配線層24aに接触して
半田ブリッジを起こす場合があった。その結果、熱電冷
却素子31の電極に接続されたリード線34が半田付け
されたメタライズ配線層24aと、これに隣接するメタ
ライズ配線層24aとが半田ブリッジにより電気的に短
絡して、熱電冷却素子31や半導体素子30を正常に作
動させることが不可能となるという問題点を有してい
た。
来の半導体パッケージでは、近時の半導体装置の小型化
に伴い、入出力端子24に形成されたメタライズ配線層
24aの間隔が例えば約1mm以下と狭くなってきてい
ること、およびメタライズ配線層24aに熱電冷却素子
31の電極に接続されたリード線34を半田付けする作
業が一般に手作業で行われることから、リード線34の
先端部をメタライズ配線層24aに半田付けする際に、
メタライズ配線層24aとリード線34との間に形成さ
れる半田溜りの一部が、作業ばらつき等に起因する半田
過多により隣接するメタライズ配線層24aに接触して
半田ブリッジを起こす場合があった。その結果、熱電冷
却素子31の電極に接続されたリード線34が半田付け
されたメタライズ配線層24aと、これに隣接するメタ
ライズ配線層24aとが半田ブリッジにより電気的に短
絡して、熱電冷却素子31や半導体素子30を正常に作
動させることが不可能となるという問題点を有してい
た。
【0016】また、入出力端子24のメタライズ配線層
24aに熱電冷却素子31のリード線34を半田付けに
より接続する際、リード線34の先端部をメタライズ配
線層24aとの接合部の位置に合わせるために、リード
線34を折り曲げる必要がある。その結果、折り曲げた
部位においてリード線34の強度が劣化して切れ易くな
り、熱電冷却素子31とメタライズ配線層24aとの接
続信頼性が低下するという問題点を有していた。また、
リード線34の折り曲げ作業も手作業で行なわれること
から作業効率が悪い。
24aに熱電冷却素子31のリード線34を半田付けに
より接続する際、リード線34の先端部をメタライズ配
線層24aとの接合部の位置に合わせるために、リード
線34を折り曲げる必要がある。その結果、折り曲げた
部位においてリード線34の強度が劣化して切れ易くな
り、熱電冷却素子31とメタライズ配線層24aとの接
続信頼性が低下するという問題点を有していた。また、
リード線34の折り曲げ作業も手作業で行なわれること
から作業効率が悪い。
【0017】さらに、リード線34の先端部とメタライ
ズ配線層24aとを接続する際に、図3に示すように、
リード線34を張り過ぎず、弛ませ過ぎないように適度
に撓ませることが重要であり、またその加減を調整する
のが困難であった。リード線34を張り過ぎると、作業
中にリード線34が切れたり、切れたリード線34が入
出力端子24の他のメタライズ配線層24a等に接触す
ることがある。リード線34を弛ませ過ぎると、接続後
に基体21の上側主面、枠体23の内面、入出力端子2
4の他のメタライズ配線層24a、半導体素子30、ボ
ンディングワイヤ33等に接触して電気的に短絡してし
まい、熱電冷却素子31や半導体素子30を正常に作動
させることができなくなるという問題点を有していた。
ズ配線層24aとを接続する際に、図3に示すように、
リード線34を張り過ぎず、弛ませ過ぎないように適度
に撓ませることが重要であり、またその加減を調整する
のが困難であった。リード線34を張り過ぎると、作業
中にリード線34が切れたり、切れたリード線34が入
出力端子24の他のメタライズ配線層24a等に接触す
ることがある。リード線34を弛ませ過ぎると、接続後
に基体21の上側主面、枠体23の内面、入出力端子2
4の他のメタライズ配線層24a、半導体素子30、ボ
ンディングワイヤ33等に接触して電気的に短絡してし
まい、熱電冷却素子31や半導体素子30を正常に作動
させることができなくなるという問題点を有していた。
【0018】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたものであり、その目的は、入出力端子と熱電冷却素
子のリード線との接続作業を作業性よく効率的に確実に
行なうことができ、その結果内部に収容する熱電冷却素
子および半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動
させ得る半導体素子パッケージを提供することにある。
れたものであり、その目的は、入出力端子と熱電冷却素
子のリード線との接続作業を作業性よく効率的に確実に
行なうことができ、その結果内部に収容する熱電冷却素
子および半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動
させ得る半導体素子パッケージを提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子収納
用パッケージは、上側主面に半導体素子が熱電冷却素子
を介して載置される載置部を有する基体と、該基体の前
記上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合
され、側部を貫通するかまたは該側部の上側を切り欠い
て成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、前記取
付部に嵌着され、前記枠体の内外を電気的に導通するメ
タライズ配線層が形成された入出力端子とを具備して成
り、前記熱電冷却素子はリード線を介して前記メタライ
ズ配線層に電気的に接続されている半導体素子収納用パ
ッケージにおいて、前記リード線に接続される前記メタ
ライズ配線層が形成された前記入出力端子の枠体内側の
部位が前記枠体内側に突出した突出部とされており、該
突出部の前記熱電冷却素子側の側面が前記熱電冷却素子
に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに前
記側面に前記メタライズ配線層が延出するように形成さ
れていることを特徴とする。
用パッケージは、上側主面に半導体素子が熱電冷却素子
を介して載置される載置部を有する基体と、該基体の前
記上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合
され、側部を貫通するかまたは該側部の上側を切り欠い
て成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、前記取
付部に嵌着され、前記枠体の内外を電気的に導通するメ
タライズ配線層が形成された入出力端子とを具備して成
り、前記熱電冷却素子はリード線を介して前記メタライ
ズ配線層に電気的に接続されている半導体素子収納用パ
ッケージにおいて、前記リード線に接続される前記メタ
ライズ配線層が形成された前記入出力端子の枠体内側の
部位が前記枠体内側に突出した突出部とされており、該
突出部の前記熱電冷却素子側の側面が前記熱電冷却素子
に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに前
記側面に前記メタライズ配線層が延出するように形成さ
れていることを特徴とする。
【0020】本発明の半導体パッケージによれば、リー
ド線に接続されるメタライズ配線層が形成された入出力
端子の枠体内側の部位が枠体内側に突出した突出部とさ
れており、突出部の熱電冷却素子側の側面が熱電冷却素
子に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに
側面にメタライズ配線層が延出するように形成されてい
ることによって、熱電冷却素子のリード線を傾斜面に当
接させるとともに傾斜面に沿って略直線状にのばしてメ
タライズ配線層に接続でき、リード線の接続作業の作業
性が向上する。また、リード線に大きな変形を与えるこ
となく接続が可能になるため、リード線に加わる応力の
緩和、接続部の信頼性の向上につながる。その結果、熱
電冷却素子を長期にわたって正常に作動させることがで
きる。
ド線に接続されるメタライズ配線層が形成された入出力
端子の枠体内側の部位が枠体内側に突出した突出部とさ
れており、突出部の熱電冷却素子側の側面が熱電冷却素
子に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに
側面にメタライズ配線層が延出するように形成されてい
ることによって、熱電冷却素子のリード線を傾斜面に当
接させるとともに傾斜面に沿って略直線状にのばしてメ
タライズ配線層に接続でき、リード線の接続作業の作業
性が向上する。また、リード線に大きな変形を与えるこ
となく接続が可能になるため、リード線に加わる応力の
緩和、接続部の信頼性の向上につながる。その結果、熱
電冷却素子を長期にわたって正常に作動させることがで
きる。
【0021】本発明の半導体装置は、上記本発明の半導
体パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記
入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠
体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とす
る。
体パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記
入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠
体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とす
る。
【0022】本発明は、上記の構成により、上記本発明
の半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置を
提供できる。
の半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置を
提供できる。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明の半導体パッケージについ
て以下に詳細に説明する。図1,図2は本発明の半導体
パッケージについて実施の形態の一例を示し、図1は半
導体パッケージの断面図、図2は半導体パッケージの斜
視図である。これらの図において、1は基体、3は枠
体、4は入出力端子、11は熱電冷却素子、14はリー
ド線である。
て以下に詳細に説明する。図1,図2は本発明の半導体
パッケージについて実施の形態の一例を示し、図1は半
導体パッケージの断面図、図2は半導体パッケージの斜
視図である。これらの図において、1は基体、3は枠
体、4は入出力端子、11は熱電冷却素子、14はリー
ド線である。
【0024】本発明の基体1は、Fe−Ni−Co合金
等の金属やCu−Wの焼結材等から成り、そのインゴッ
トに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工
法、または射出成形と切削加工等を施すことによって、
所定の形状に製作される。この基体1の上側主面には、
LD,PD等の光半導体素子等の半導体素子10を搭載
して成るペルチェ素子等の熱電冷却素子11を載置する
載置部1aが設けられる。載置部1aには、半導体素子
10が熱電冷却素子11に搭載された状態で載置固定さ
れる。
等の金属やCu−Wの焼結材等から成り、そのインゴッ
トに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工
法、または射出成形と切削加工等を施すことによって、
所定の形状に製作される。この基体1の上側主面には、
LD,PD等の光半導体素子等の半導体素子10を搭載
して成るペルチェ素子等の熱電冷却素子11を載置する
載置部1aが設けられる。載置部1aには、半導体素子
10が熱電冷却素子11に搭載された状態で載置固定さ
れる。
【0025】また、基体1の上側主面の外周部には載置
部1aを囲繞するようにして接合されるとともに、側部
に光ファイバ12を固定するための光ファイバ固定部材
2および入出力端子4の取付部3aを有する枠体3が立
設されており、枠体3は基体1とともにその内側に半導
体素子10を収容する空所を形成する。
部1aを囲繞するようにして接合されるとともに、側部
に光ファイバ12を固定するための光ファイバ固定部材
2および入出力端子4の取付部3aを有する枠体3が立
設されており、枠体3は基体1とともにその内側に半導
体素子10を収容する空所を形成する。
【0026】光ファイバ固定部材2は、Fe−Ni−C
o合金等の金属から成る略円筒体等の筒状体であり、枠
体3内側に位置する端部がサファイアやガラス等の透光
性材料から成る窓部材2aで塞がれており、枠体3外側
に位置する端部から光ファイバ12が挿通固定される。
光ファイバ12は、その端部に金属製フランジ12aを
予め取着させておき、金属製フランジ12aを例えばレ
ーザ溶接法で光ファイバ固定部材2に溶接することによ
り枠体3に固定される。これにより、光ファイバ12を
介して内部に収容する半導体素子10と外部との光信号
の授受が可能となる。
o合金等の金属から成る略円筒体等の筒状体であり、枠
体3内側に位置する端部がサファイアやガラス等の透光
性材料から成る窓部材2aで塞がれており、枠体3外側
に位置する端部から光ファイバ12が挿通固定される。
光ファイバ12は、その端部に金属製フランジ12aを
予め取着させておき、金属製フランジ12aを例えばレ
ーザ溶接法で光ファイバ固定部材2に溶接することによ
り枠体3に固定される。これにより、光ファイバ12を
介して内部に収容する半導体素子10と外部との光信号
の授受が可能となる。
【0027】枠体3は平面視形状が略長方形の枠状体で
あり、光ファイバ固定部材2および入出力端子4を支持
する作用を有する。また、基体1と同様にFe−Ni−
Co合金やCu−Wの焼結材等から成り、基体1と一体
成形される、または基体1にAgろう等のろう材を介し
てろう付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法によ
り接合されることによって、基体1の上側主面の外周部
に立設される。
あり、光ファイバ固定部材2および入出力端子4を支持
する作用を有する。また、基体1と同様にFe−Ni−
Co合金やCu−Wの焼結材等から成り、基体1と一体
成形される、または基体1にAgろう等のろう材を介し
てろう付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法によ
り接合されることによって、基体1の上側主面の外周部
に立設される。
【0028】入出力端子4はAl2O3,AlN,3Al
2O3・2SiO2等のセラミックスから成る断面が逆T
字型の部材であり、枠体3の取付部3aに嵌め込まれる
とともに、入出力端子4と取付部3aとの隙間に溶融し
たAgろう等のろう材を毛細管現象により充填させるこ
とで枠体3に嵌着接合される。入出力端子4には、枠体
3の内外を電気的に導通する複数のメタライズ配線層4
aが被着形成されており、入出力端子4は枠体3の一部
となって枠体3の内外を気密に仕切るとともに、枠体3
の内外を導通させる導電路としての機能を有する。
2O3・2SiO2等のセラミックスから成る断面が逆T
字型の部材であり、枠体3の取付部3aに嵌め込まれる
とともに、入出力端子4と取付部3aとの隙間に溶融し
たAgろう等のろう材を毛細管現象により充填させるこ
とで枠体3に嵌着接合される。入出力端子4には、枠体
3の内外を電気的に導通する複数のメタライズ配線層4
aが被着形成されており、入出力端子4は枠体3の一部
となって枠体3の内外を気密に仕切るとともに、枠体3
の内外を導通させる導電路としての機能を有する。
【0029】入出力端子4は、例えばAl2O3から成る
場合、以下のようにして作製される。まず、Al2O3,
酸化珪素(SiO2),酸化カルシウム(CaO),酸
化マグネシウム(MgO)等の原料粉末に適当な有機バ
インダや可塑剤,分散剤,溶剤等を添加混合して泥漿状
となす。これを従来周知のドクターブレード法でシート
状となすことによって複数枚のセラミックグリーンシー
トを得る。しかる後、これらのセラミックグリーンシー
トに適当な打ち抜き加工を施しメタライズ配線層4aと
なる金属ペーストを印刷塗布して積層する。最後に、こ
の積層体の枠体3および後述のシールリング5と接合さ
れる面に、メタライズ金属層となる金属ペーストを印刷
塗布し、還元雰囲気中で約1600℃の温度で焼成する
ことによって製作される。
場合、以下のようにして作製される。まず、Al2O3,
酸化珪素(SiO2),酸化カルシウム(CaO),酸
化マグネシウム(MgO)等の原料粉末に適当な有機バ
インダや可塑剤,分散剤,溶剤等を添加混合して泥漿状
となす。これを従来周知のドクターブレード法でシート
状となすことによって複数枚のセラミックグリーンシー
トを得る。しかる後、これらのセラミックグリーンシー
トに適当な打ち抜き加工を施しメタライズ配線層4aと
なる金属ペーストを印刷塗布して積層する。最後に、こ
の積層体の枠体3および後述のシールリング5と接合さ
れる面に、メタライズ金属層となる金属ペーストを印刷
塗布し、還元雰囲気中で約1600℃の温度で焼成する
ことによって製作される。
【0030】なお、メタライズ配線層4aおよびメタラ
イズ金属層となる金属ペーストは、W,モリブデン(M
o),マンガン(Mn)等の高融点金属粉末に適当な有
機バインダや溶剤を添加混合してペースト状となしたも
のを従来周知のスクリーン印刷法を採用して印刷するこ
とにより、セラミックグリーンシートおよびその積層体
に印刷塗布される。
イズ金属層となる金属ペーストは、W,モリブデン(M
o),マンガン(Mn)等の高融点金属粉末に適当な有
機バインダや溶剤を添加混合してペースト状となしたも
のを従来周知のスクリーン印刷法を採用して印刷するこ
とにより、セラミックグリーンシートおよびその積層体
に印刷塗布される。
【0031】メタライズ配線層4aの枠体3外側の部位
には、Fe−Ni−Co合金等の金属から成る外部リー
ド端子7がAgろう等のろう材を介して取着され、一方
メタライズ配線層4aの枠体3内側の部位には、半導体
素子10の各電極がボンディングワイヤ13を介して電
気的に接続されるとともに、熱電冷却素子11のリード
線14が電気的に接続される。
には、Fe−Ni−Co合金等の金属から成る外部リー
ド端子7がAgろう等のろう材を介して取着され、一方
メタライズ配線層4aの枠体3内側の部位には、半導体
素子10の各電極がボンディングワイヤ13を介して電
気的に接続されるとともに、熱電冷却素子11のリード
線14が電気的に接続される。
【0032】入出力端子4は、熱電冷却素子11のリー
ド線14に接続されるメタライズ配線層4aが形成され
た枠体3内側の部位が枠体3内側に突出した突出部4b
とされており、突出部4bの熱電冷却素子11側の側面
が熱電冷却素子11に向かって漸次低くなるように傾斜
しているとともにその側面にメタライズ配線層4aが延
出するように形成されている。平面的な傾斜面15を形
成する場合はスライス加工等で傾斜面15を形成し、そ
の傾斜面15にメタライズ配線層4aを形成して作製す
ることができる。また、入出力端子4のメタライズ配線
層4aが形成される平板部が複数のセラミック層を積層
して成る場合、各セラミック層の積層の位置をずらして
階段状の傾斜面を形成し、傾斜面において、各セラミッ
ク層の主面に印刷したメタライズ配線層4aと側面に形
成したメタライズ層とを接続して導通をとることによ
り、階段状の導通パターンを形成することもできる。
ド線14に接続されるメタライズ配線層4aが形成され
た枠体3内側の部位が枠体3内側に突出した突出部4b
とされており、突出部4bの熱電冷却素子11側の側面
が熱電冷却素子11に向かって漸次低くなるように傾斜
しているとともにその側面にメタライズ配線層4aが延
出するように形成されている。平面的な傾斜面15を形
成する場合はスライス加工等で傾斜面15を形成し、そ
の傾斜面15にメタライズ配線層4aを形成して作製す
ることができる。また、入出力端子4のメタライズ配線
層4aが形成される平板部が複数のセラミック層を積層
して成る場合、各セラミック層の積層の位置をずらして
階段状の傾斜面を形成し、傾斜面において、各セラミッ
ク層の主面に印刷したメタライズ配線層4aと側面に形
成したメタライズ層とを接続して導通をとることによ
り、階段状の導通パターンを形成することもできる。
【0033】また、入出力端子4が上記の構成とされて
いることにより、Cu等から成るリード線14を熱電冷
却素子11から傾斜面15の表面で略直線状にのばして
半田により接続することができ、リード線14の接続が
容易となる。リード線14を接続する際、傾斜面15に
押し当て半田付けを行うが、傾斜面15となっているこ
とにより、リード線14が復元力を有するような適度の
角度で折り曲げられ、復元力により傾斜面15に押し当
てられ当接することとなり、リード線14が傾斜面15
から浮き上がることを抑え、傾斜面15に確実に接続さ
れる。
いることにより、Cu等から成るリード線14を熱電冷
却素子11から傾斜面15の表面で略直線状にのばして
半田により接続することができ、リード線14の接続が
容易となる。リード線14を接続する際、傾斜面15に
押し当て半田付けを行うが、傾斜面15となっているこ
とにより、リード線14が復元力を有するような適度の
角度で折り曲げられ、復元力により傾斜面15に押し当
てられ当接することとなり、リード線14が傾斜面15
から浮き上がることを抑え、傾斜面15に確実に接続さ
れる。
【0034】傾斜面15の傾斜の角度は5〜60°が好
ましい。5°未満では、リード線14を傾斜面15に半
田付けする際、傾斜面15の表面に合わせてピンセット
等で折り曲げるが、傾斜面15が平面に近いため余分に
折り曲げてしまうことが多く、リード線14の復元力が
不足して傾斜面15から浮き上がり易くなる。その結果
接続時の作業性が低下し易くなったり、また傾斜面15
の平面視形状が大きくなることで入出力端子4が大きく
なり、半導体パッケージの大型重量化につながり易くな
る。また、60°を超えると、リード線14を傾斜面1
5に半田付けする際、傾斜面15の表面に合わせてピン
セット等で折り曲げるが、傾斜面15の傾斜が急なた
め、リード線14を復元力が失われる程に急角度で折り
曲げたり、折り曲げた部分の強度が劣化するといった問
題が発生し易くなり、接続時の作業性が低下し易くな
る。
ましい。5°未満では、リード線14を傾斜面15に半
田付けする際、傾斜面15の表面に合わせてピンセット
等で折り曲げるが、傾斜面15が平面に近いため余分に
折り曲げてしまうことが多く、リード線14の復元力が
不足して傾斜面15から浮き上がり易くなる。その結果
接続時の作業性が低下し易くなったり、また傾斜面15
の平面視形状が大きくなることで入出力端子4が大きく
なり、半導体パッケージの大型重量化につながり易くな
る。また、60°を超えると、リード線14を傾斜面1
5に半田付けする際、傾斜面15の表面に合わせてピン
セット等で折り曲げるが、傾斜面15の傾斜が急なた
め、リード線14を復元力が失われる程に急角度で折り
曲げたり、折り曲げた部分の強度が劣化するといった問
題が発生し易くなり、接続時の作業性が低下し易くな
る。
【0035】突出部4bの入出力端子4の長手方向の長
さL(図1)は2〜8mmが好ましい。2mm未満で
は、突出部4bの傾斜面15の部位が小さくなるため、
リード線14を半田付けすることが困難になり、また半
田ブリッジによる電気的な短絡が発生し易くなる。8m
mを超えると、半導体素子10や熱電冷却素子11を搭
載する部位が狭くなり、半導体素子10や熱電冷却素子
11の載置部1aへの実装が困難になる。
さL(図1)は2〜8mmが好ましい。2mm未満で
は、突出部4bの傾斜面15の部位が小さくなるため、
リード線14を半田付けすることが困難になり、また半
田ブリッジによる電気的な短絡が発生し易くなる。8m
mを超えると、半導体素子10や熱電冷却素子11を搭
載する部位が狭くなり、半導体素子10や熱電冷却素子
11の載置部1aへの実装が困難になる。
【0036】また、リード線14を傾斜面15の表面で
直線状にのばすことによって、リード線14は、枠体3
の内面、メタライズ配線層4a、半導体素子10、ボン
ディングワイヤ13等に接触して電気的に短絡すること
がなく、半導体素子10や熱電冷却素子11を正常に作
動させることが可能となる。
直線状にのばすことによって、リード線14は、枠体3
の内面、メタライズ配線層4a、半導体素子10、ボン
ディングワイヤ13等に接触して電気的に短絡すること
がなく、半導体素子10や熱電冷却素子11を正常に作
動させることが可能となる。
【0037】図5に示すように、リード線14の先端部
が傾斜面15から突出部4bの上面に延びており、突出
部4bの上面に沿って接続されていてもよい。この場
合、2本のリード線14が、突出部4bの上面と傾斜面
15との間の稜線部をまたいで曲がる部位から先端側が
突起部を形成することになり、稜線部付近で半田が稜線
に沿って広がり易いのを防いで突起部付近に半田溜まり
を形成する。この半田溜りによってリード線14間の電
気的な短絡を防止することができる。その結果、隣接し
たリード線14同士およびメタライズ配線層4a同士を
完全に絶縁することができる。
が傾斜面15から突出部4bの上面に延びており、突出
部4bの上面に沿って接続されていてもよい。この場
合、2本のリード線14が、突出部4bの上面と傾斜面
15との間の稜線部をまたいで曲がる部位から先端側が
突起部を形成することになり、稜線部付近で半田が稜線
に沿って広がり易いのを防いで突起部付近に半田溜まり
を形成する。この半田溜りによってリード線14間の電
気的な短絡を防止することができる。その結果、隣接し
たリード線14同士およびメタライズ配線層4a同士を
完全に絶縁することができる。
【0038】さらに、図2では入出力端子4の枠体3内
側の平面視形状が突出部4bを有することで略L字状に
なっているが、入出力端子4の枠体3内側の平面視形状
が略U字状となって対向する入出力端子4が突出部4b
によってつながっていてもよい。また、半導体素子10
や熱電冷却素子11が搭載される部位に開口を有して対
向する入出力端子4がつながっているようにした、入出
力端子4の枠体3内側の平面視形状が略四角形の枠状で
あってもよい。
側の平面視形状が突出部4bを有することで略L字状に
なっているが、入出力端子4の枠体3内側の平面視形状
が略U字状となって対向する入出力端子4が突出部4b
によってつながっていてもよい。また、半導体素子10
や熱電冷却素子11が搭載される部位に開口を有して対
向する入出力端子4がつながっているようにした、入出
力端子4の枠体3内側の平面視形状が略四角形の枠状で
あってもよい。
【0039】枠体3および入出力端子4の上面には、F
e−Ni−Co合金等の金属から成るシールリング5を
Agろう等のろう材を介して接合し、シールリング5の
上面にFe−Ni−Co合金等の金属から成る蓋体6が
ろう付け法やシームウエルド法等の溶接法で接合され
る。基体1、枠体3、シールリング5および蓋体6から
成る容器内部に半導体素子10を収容し気密に封止する
ことにより、製品としての半導体装置となる。
e−Ni−Co合金等の金属から成るシールリング5を
Agろう等のろう材を介して接合し、シールリング5の
上面にFe−Ni−Co合金等の金属から成る蓋体6が
ろう付け法やシームウエルド法等の溶接法で接合され
る。基体1、枠体3、シールリング5および蓋体6から
成る容器内部に半導体素子10を収容し気密に封止する
ことにより、製品としての半導体装置となる。
【0040】この半導体装置は、基体1が半田付けやネ
ジ止め等によって外部電気回路基板に実装され、外部リ
ード端子7と外部電気回路とを接続することにより、内
部に収容する半導体素子10と熱電冷却素子11が外部
電気回路に電気的に接続される。そして、半導体素子1
0が高周波信号で作動するとともに熱電冷却素子11が
正常に作動し、半導体素子10が作動時に発生する熱を
熱電冷却素子11を介して基体1に強制的に伝達し、基
体1から大気中に放散することによって、半導体素子1
0の温度を常に定温として、半導体素子10が常に安定
して作動する。
ジ止め等によって外部電気回路基板に実装され、外部リ
ード端子7と外部電気回路とを接続することにより、内
部に収容する半導体素子10と熱電冷却素子11が外部
電気回路に電気的に接続される。そして、半導体素子1
0が高周波信号で作動するとともに熱電冷却素子11が
正常に作動し、半導体素子10が作動時に発生する熱を
熱電冷却素子11を介して基体1に強制的に伝達し、基
体1から大気中に放散することによって、半導体素子1
0の温度を常に定温として、半導体素子10が常に安定
して作動する。
【0041】また、この半導体装置は、外部電気回路か
ら供給される電気信号によって半導体素子10に光を励
起させ、この光を光ファイバ12を介して外部に伝達す
ることによって高速光通信等に使用される半導体装置と
して機能する。もしくは、外部から光ファイバ12を伝
送してくる光信号を、透光性部材2aを透過させ、半導
体素子10に受光させて光信号を電気信号に変換するこ
とによって、高速光通信等に使用される半導体装置とし
て機能する。
ら供給される電気信号によって半導体素子10に光を励
起させ、この光を光ファイバ12を介して外部に伝達す
ることによって高速光通信等に使用される半導体装置と
して機能する。もしくは、外部から光ファイバ12を伝
送してくる光信号を、透光性部材2aを透過させ、半導
体素子10に受光させて光信号を電気信号に変換するこ
とによって、高速光通信等に使用される半導体装置とし
て機能する。
【0042】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であ
れば種々の変更は可能である。上記実施の形態では、半
導体素子10としてLD,PD等の光半導体素子を収納
する半導体パッケージについて説明したが、半導体素子
10はIC,LSI等の半導体集積回路素子であっても
よく、その場合光ファイバ固定部材2および光ファイバ
12は不要となる。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であ
れば種々の変更は可能である。上記実施の形態では、半
導体素子10としてLD,PD等の光半導体素子を収納
する半導体パッケージについて説明したが、半導体素子
10はIC,LSI等の半導体集積回路素子であっても
よく、その場合光ファイバ固定部材2および光ファイバ
12は不要となる。
【0043】
【発明の効果】本発明は、リード線に接続されるメタラ
イズ配線層が形成された入出力端子の枠体内側の部位が
枠体内側に突出した突出部とされており、突出部の熱電
冷却素子側の側面が熱電冷却素子に向かって漸次低くな
るように傾斜しているとともにその側面にメタライズ配
線層が延出するように形成されていることから、熱電冷
却素子のリード線を傾斜面に当接させるとともに傾斜面
に沿って略直線状にのばしてメタライズ配線層に接続で
き、リード線の接続作業の作業性が向上する。また、リ
ード線に大きな変形を与えることなく接続が可能になる
ため、リード線に加わる応力の緩和、接続部の信頼性の
向上につながる。その結果、熱電冷却素子を長期にわた
って正常かつ安定的に作動させることができる。
イズ配線層が形成された入出力端子の枠体内側の部位が
枠体内側に突出した突出部とされており、突出部の熱電
冷却素子側の側面が熱電冷却素子に向かって漸次低くな
るように傾斜しているとともにその側面にメタライズ配
線層が延出するように形成されていることから、熱電冷
却素子のリード線を傾斜面に当接させるとともに傾斜面
に沿って略直線状にのばしてメタライズ配線層に接続で
き、リード線の接続作業の作業性が向上する。また、リ
ード線に大きな変形を与えることなく接続が可能になる
ため、リード線に加わる応力の緩和、接続部の信頼性の
向上につながる。その結果、熱電冷却素子を長期にわた
って正常かつ安定的に作動させることができる。
【0044】本発明の半導体装置は、本発明の半導体パ
ッケージと、載置部に載置されるとともに入出力端子に
電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に接合さ
れた蓋体を具備したことにより、上記本発明の作用効果
を有する半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体
装置を提供できる。
ッケージと、載置部に載置されるとともに入出力端子に
電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に接合さ
れた蓋体を具備したことにより、上記本発明の作用効果
を有する半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体
装置を提供できる。
【図1】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の例を示す断面図である。
の例を示す断面図である。
【図2】図1の半導体パッケージの斜視図である。
【図3】従来の半導体パッケージの断面図である。
【図4】従来の半導体パッケージの斜視図である。
【図5】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の他の例を示す要部拡大断面図である。
の他の例を示す要部拡大断面図である。
1:基体
1a:載置部
3:枠体
3a:取付部
4:入出力端子
4a:メタライズ配線層
4b:突出部
6:蓋体
10:半導体素子
11:熱電冷却素子
14:リード線
Claims (2)
- 【請求項1】 上側主面に半導体素子が熱電冷却素子を
介して載置される載置部を有する基体と、該基体の前記
上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合さ
れ、側部を貫通するかまたは該側部の上側を切り欠いて
成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、前記取付
部に嵌着され、前記枠体の内外を電気的に導通するメタ
ライズ配線層が形成された入出力端子とを具備して成
り、前記熱電冷却素子はリード線を介して前記メタライ
ズ配線層に電気的に接続されている半導体素子収納用パ
ッケージにおいて、前記リード線に接続される前記メタ
ライズ配線層が形成された前記入出力端子の枠体内側の
部位が前記枠体内側に突出した突出部とされており、該
突出部の前記熱電冷却素子側の側面が前記熱電冷却素子
に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに前
記側面に前記メタライズ配線層が延出するように形成さ
れていることを特徴とする半導体素子収納用パッケー
ジ。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体素子収納用パッケ
ージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端
子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面
に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001293028A JP2003100971A (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001293028A JP2003100971A (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003100971A true JP2003100971A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19114895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001293028A Pending JP2003100971A (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003100971A (ja) |
-
2001
- 2001-09-26 JP JP2001293028A patent/JP2003100971A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9585264B2 (en) | Package for housing semiconductor element and semiconductor device | |
JP4822820B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2007005636A (ja) | 入出力端子および電子部品収納用パッケージならびに電子装置 | |
JP2005159277A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 | |
JP3176334B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法 | |
JP4594073B2 (ja) | 接続端子ならびにこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2003249584A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2003100971A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2003101278A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2004356391A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP4041327B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP3914764B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JP3623179B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2004193428A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2002222884A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP2002222886A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP4295641B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージの製造方法 | |
JP2004349565A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 | |
JP2001036185A (ja) | セラミックス端子および光半導体素子収納用パッケージ | |
JP2003046180A (ja) | 入出力端子および光半導体素子収納用パッケージならびに光半導体装置 | |
JP4070181B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2004134614A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2002343913A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP2004327685A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 | |
JP2005317589A (ja) | 電子部品収納用パッケージおよびその製造方法ならびに電子装置 |