JP2003100971A - 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 入出力端子と熱電冷却素子とのリード線によ
る接続構造を改良して、半導体パッケージの内部に収容
する熱電冷却素子および半導体素子を長期にわたり正常
かつ安定に作動させること。 【解決手段】 半導体パッケージ内に載置される熱電冷
却素子１１がリード線１４を介して入出力端子４のメタ
ライズ配線層４ａに電気的に接続されている半導体パッ
ケージにおいて、リード線１４に接続されるメタライズ
配線層４ａが形成された入出力端子４の枠体３内側の部
位が枠体３内側に突出した突出部４ｂとされており、突
出部４ｂの熱電冷却素子１１側の側面が熱電冷却素子１
１に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに
側面にメタライズ配線層４ａが延出するように形成され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
するための半導体素子収納用パッケージに関し、特に半
導体素子が載置される熱電冷却素子の電極と入出力端子
との接続構造を改良したものに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光通信分野で用いられたりマイク
ロ波帯、ミリ波帯等の高周波信号で作動する各種半導体
素子を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、半
導体パッケージという）は、半導体素子から発生する熱
を強制的に半導体素子を載置する基体へ移動させて半導
体素子を安定に作動させるためのペルチェ素子等の熱電
冷却素子を具備している。例えば、半導体素子として半
導体レーザ（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の光
半導体素子を用い、熱電冷却素子としてペルチェ素子を
設置した半導体パッケージを図３に断面図で、図４に斜
視図で示す。これらの図において、２１は基体、２３は
枠体、２４は入出力端子、３１は熱電冷却素子、３４は
リード線である。

【０００３】基体２１は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎ
ｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属や銅（Ｃｕ）−タ
ングステン（Ｗ）等の焼結材から成り、その上側主面の
略中央部には、ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子などの半導
体素子３０を搭載するための熱電冷却素子３１を載置す
る載置部２１ａが設けられている。載置部２１ａには、
半導体素子３０が、熱電冷却素子３１に搭載された状態
で載置固定される。

【０００４】基体２１の上側主面の外周部には、載置部
２１ａを囲繞するようにして接合され、側部に光ファイ
バ３２を固定するための筒状の光ファイバ固定部材２２
の取付部および入出力端子２４の取付部２３ａを有する
枠体２３が立設されており、枠体２３は基体２１ととも
にその内側に半導体素子３０を収容する空所を形成す
る。

【０００５】光ファイバ固定部材２２は、枠体２３内側
の端部がサファイアやガラス等の透光性材料から成る窓
部材２２ａで塞がれており、枠体２３外側の端部から光
ファイバ３２が挿通固定される。

【０００６】枠体２３は基体２１と同様にＦｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体２１と一
体成形される、または基体２１に銀（Ａｇ）ろう等のろ
う材を介してろう付けされる、またはシーム溶接法等の
溶接法により接合されることによって、基体２１の上側
主面の外周部に立設される。

【０００７】入出力端子２４は、アルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），ムライト（３Ａ
ｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂）等のセラミックスから成り、枠体
２３の取付部２３ａにろう材を介して嵌着接合され、枠
体２３の内外を電気的に導通する複数のメタライズ配線
層２４ａが被着形成されている。

【０００８】メタライズ配線層２４ａの枠体２３外側の
部位には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る外部
リード端子２７がＡｇろう等のろう材を介して取着さ
れ、一方メタライズ配線層２４ａの枠体２３内側の部位
には、半導体素子３０の各電極がボンディングワイヤ３
３を介して電気的に接続されるとともにリード線３４の
先端部が半田付けされ電気的に接続される。メタライズ
配線層２４ａのリード線３４の接続部は、入出力端子２
４のメタライズ配線層２４ａの導出方向に略垂直な側面
で枠体２３内側の側面に、断面が略Ｕ字状の切欠き部が
設けられるとともに、この切欠き部の内面にメタライズ
配線層２４ａが延設されて成る。これにより、切欠き部
の内面とリード線３４との間の半田の接合面積が拡大
し、入出力端子２４とリード線３４との接続が強固なも
のになる。

【０００９】枠体２３および入出力端子２４の上面に
は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成るシールリン
グ２５がＡｇろう等のろう材を介して接合され、シール
リング２５の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属
から成る蓋体２６がろう付け法やシームウエルド法等の
溶接法で接合され、基体２１、枠体２３、シールリング
２５および蓋体２６から成る容器内部に半導体素子３０
を収容し気密に封止する。

【００１０】最後に、枠体２３に設けた光ファイバ固定
部材２２に光ファイバ３２を溶接等によって接合させ、
光ファイバ３２を枠体２３に固定することによって製品
としての光半導体装置となる。

【００１１】光ファイバ３２は、その外側端部に金属製
フランジ３２ａを予め取着させておき、金属製フランジ
３２ａを例えばレーザ溶接法を採用して光ファイバ固定
部材２２に溶接する。

【００１２】この半導体装置は、外部電気回路（図示せ
ず）から供給される電気信号によって半導体素子３０に
光を励起させ、この光を光ファイバ３２を介して外部に
伝送することによって高速光通信等に使用される半導体
装置として機能する。または、外部から光ファイバ３２
を介して伝送してくる光信号を、透光性部材２２ａを透
過させ、半導体素子３０に受光させて光信号を電気信号
に変換することによって、高速光通信等に使用される半
導体装置として機能する。

【００１３】なお、この半導体装置には、半導体素子３
０が作動中に発生する熱を外部に良好に放熱するため
に、半導体素子３０と基体２１との間に熱電冷却素子３
１が配設されている。この熱電冷却素子３１には、セラ
ミック基板が、基体２１に接合される面と半導体素子３
０が搭載される面にそれぞれ設けてあり、熱電冷却素子
３１の基体２１に接合される面のセラミック基板の上面
に電極が形成されている。この電極にリード線３４の一
端部が接続されている。

【００１４】そして、リード線３４の他端部が入出力端
子２４のメタライズ配線層２４ａに半田付けにより電気
的に接続され、外部リード端子２７、メタライズ配線層
２４ａおよびリード線３４を介して外部より熱電冷却素
子３１に電力が供給される。即ち、リード線３４は、熱
電冷却素子３１に駆動電圧を供給することによって、熱
電冷却素子３１を半導体素子３０から基体２１に熱を移
動させる熱ポンプとして作動させる。従って、半導体素
子３０の作動時に発生する熱は熱電冷却素子３１を介し
て基体２１に強制的に伝達され、基体２１から大気中に
放散され、その結果半導体素子３０が常に定温で安定し
て作動するものとなる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体パッケージでは、近時の半導体装置の小型化
に伴い、入出力端子２４に形成されたメタライズ配線層
２４ａの間隔が例えば約１ｍｍ以下と狭くなってきてい
ること、およびメタライズ配線層２４ａに熱電冷却素子
３１の電極に接続されたリード線３４を半田付けする作
業が一般に手作業で行われることから、リード線３４の
先端部をメタライズ配線層２４ａに半田付けする際に、
メタライズ配線層２４ａとリード線３４との間に形成さ
れる半田溜りの一部が、作業ばらつき等に起因する半田
過多により隣接するメタライズ配線層２４ａに接触して
半田ブリッジを起こす場合があった。その結果、熱電冷
却素子３１の電極に接続されたリード線３４が半田付け
されたメタライズ配線層２４ａと、これに隣接するメタ
ライズ配線層２４ａとが半田ブリッジにより電気的に短
絡して、熱電冷却素子３１や半導体素子３０を正常に作
動させることが不可能となるという問題点を有してい
た。

【００１６】また、入出力端子２４のメタライズ配線層
２４ａに熱電冷却素子３１のリード線３４を半田付けに
より接続する際、リード線３４の先端部をメタライズ配
線層２４ａとの接合部の位置に合わせるために、リード
線３４を折り曲げる必要がある。その結果、折り曲げた
部位においてリード線３４の強度が劣化して切れ易くな
り、熱電冷却素子３１とメタライズ配線層２４ａとの接
続信頼性が低下するという問題点を有していた。また、
リード線３４の折り曲げ作業も手作業で行なわれること
から作業効率が悪い。

【００１７】さらに、リード線３４の先端部とメタライ
ズ配線層２４ａとを接続する際に、図３に示すように、
リード線３４を張り過ぎず、弛ませ過ぎないように適度
に撓ませることが重要であり、またその加減を調整する
のが困難であった。リード線３４を張り過ぎると、作業
中にリード線３４が切れたり、切れたリード線３４が入
出力端子２４の他のメタライズ配線層２４ａ等に接触す
ることがある。リード線３４を弛ませ過ぎると、接続後
に基体２１の上側主面、枠体２３の内面、入出力端子２
４の他のメタライズ配線層２４ａ、半導体素子３０、ボ
ンディングワイヤ３３等に接触して電気的に短絡してし
まい、熱電冷却素子３１や半導体素子３０を正常に作動
させることができなくなるという問題点を有していた。

【００１８】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたものであり、その目的は、入出力端子と熱電冷却素
子のリード線との接続作業を作業性よく効率的に確実に
行なうことができ、その結果内部に収容する熱電冷却素
子および半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動
させ得る半導体素子パッケージを提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子収納
用パッケージは、上側主面に半導体素子が熱電冷却素子
を介して載置される載置部を有する基体と、該基体の前
記上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合
され、側部を貫通するかまたは該側部の上側を切り欠い
て成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、前記取
付部に嵌着され、前記枠体の内外を電気的に導通するメ
タライズ配線層が形成された入出力端子とを具備して成
り、前記熱電冷却素子はリード線を介して前記メタライ
ズ配線層に電気的に接続されている半導体素子収納用パ
ッケージにおいて、前記リード線に接続される前記メタ
ライズ配線層が形成された前記入出力端子の枠体内側の
部位が前記枠体内側に突出した突出部とされており、該
突出部の前記熱電冷却素子側の側面が前記熱電冷却素子
に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに前
記側面に前記メタライズ配線層が延出するように形成さ
れていることを特徴とする。

【００２０】本発明の半導体パッケージによれば、リー
ド線に接続されるメタライズ配線層が形成された入出力
端子の枠体内側の部位が枠体内側に突出した突出部とさ
れており、突出部の熱電冷却素子側の側面が熱電冷却素
子に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに
側面にメタライズ配線層が延出するように形成されてい
ることによって、熱電冷却素子のリード線を傾斜面に当
接させるとともに傾斜面に沿って略直線状にのばしてメ
タライズ配線層に接続でき、リード線の接続作業の作業
性が向上する。また、リード線に大きな変形を与えるこ
となく接続が可能になるため、リード線に加わる応力の
緩和、接続部の信頼性の向上につながる。その結果、熱
電冷却素子を長期にわたって正常に作動させることがで
きる。

【００２１】本発明の半導体装置は、上記本発明の半導
体パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記
入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠
体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とす
る。

【００２２】本発明は、上記の構成により、上記本発明
の半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置を
提供できる。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の半導体パッケージについ
て以下に詳細に説明する。図１，図２は本発明の半導体
パッケージについて実施の形態の一例を示し、図１は半
導体パッケージの断面図、図２は半導体パッケージの斜
視図である。これらの図において、１は基体、３は枠
体、４は入出力端子、１１は熱電冷却素子、１４はリー
ド線である。

【００２４】本発明の基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
等の金属やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、そのインゴッ
トに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工
法、または射出成形と切削加工等を施すことによって、
所定の形状に製作される。この基体１の上側主面には、
ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子等の半導体素子１０を搭載
して成るペルチェ素子等の熱電冷却素子１１を載置する
載置部１ａが設けられる。載置部１ａには、半導体素子
１０が熱電冷却素子１１に搭載された状態で載置固定さ
れる。

【００２５】また、基体１の上側主面の外周部には載置
部１ａを囲繞するようにして接合されるとともに、側部
に光ファイバ１２を固定するための光ファイバ固定部材
２および入出力端子４の取付部３ａを有する枠体３が立
設されており、枠体３は基体１とともにその内側に半導
体素子１０を収容する空所を形成する。

【００２６】光ファイバ固定部材２は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金等の金属から成る略円筒体等の筒状体であり、枠
体３内側に位置する端部がサファイアやガラス等の透光
性材料から成る窓部材２ａで塞がれており、枠体３外側
に位置する端部から光ファイバ１２が挿通固定される。
光ファイバ１２は、その端部に金属製フランジ１２ａを
予め取着させておき、金属製フランジ１２ａを例えばレ
ーザ溶接法で光ファイバ固定部材２に溶接することによ
り枠体３に固定される。これにより、光ファイバ１２を
介して内部に収容する半導体素子１０と外部との光信号
の授受が可能となる。

【００２７】枠体３は平面視形状が略長方形の枠状体で
あり、光ファイバ固定部材２および入出力端子４を支持
する作用を有する。また、基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体１と一体
成形される、または基体１にＡｇろう等のろう材を介し
てろう付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法によ
り接合されることによって、基体１の上側主面の外周部
に立設される。

【００２８】入出力端子４はＡｌ₂Ｏ₃，ＡｌＮ，３Ａｌ
₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂等のセラミックスから成る断面が逆Ｔ
字型の部材であり、枠体３の取付部３ａに嵌め込まれる
とともに、入出力端子４と取付部３ａとの隙間に溶融し
たＡｇろう等のろう材を毛細管現象により充填させるこ
とで枠体３に嵌着接合される。入出力端子４には、枠体
３の内外を電気的に導通する複数のメタライズ配線層４
ａが被着形成されており、入出力端子４は枠体３の一部
となって枠体３の内外を気密に仕切るとともに、枠体３
の内外を導通させる導電路としての機能を有する。

【００２９】入出力端子４は、例えばＡｌ₂Ｏ₃から成る
場合、以下のようにして作製される。まず、Ａｌ₂Ｏ₃，
酸化珪素（ＳｉＯ₂），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸
化マグネシウム（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機バ
インダや可塑剤，分散剤，溶剤等を添加混合して泥漿状
となす。これを従来周知のドクターブレード法でシート
状となすことによって複数枚のセラミックグリーンシー
トを得る。しかる後、これらのセラミックグリーンシー
トに適当な打ち抜き加工を施しメタライズ配線層４ａと
なる金属ペーストを印刷塗布して積層する。最後に、こ
の積層体の枠体３および後述のシールリング５と接合さ
れる面に、メタライズ金属層となる金属ペーストを印刷
塗布し、還元雰囲気中で約１６００℃の温度で焼成する
ことによって製作される。

【００３０】なお、メタライズ配線層４ａおよびメタラ
イズ金属層となる金属ペーストは、Ｗ，モリブデン（Ｍ
ｏ），マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末に適当な有
機バインダや溶剤を添加混合してペースト状となしたも
のを従来周知のスクリーン印刷法を採用して印刷するこ
とにより、セラミックグリーンシートおよびその積層体
に印刷塗布される。

【００３１】メタライズ配線層４ａの枠体３外側の部位
には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る外部リー
ド端子７がＡｇろう等のろう材を介して取着され、一方
メタライズ配線層４ａの枠体３内側の部位には、半導体
素子１０の各電極がボンディングワイヤ１３を介して電
気的に接続されるとともに、熱電冷却素子１１のリード
線１４が電気的に接続される。

【００３２】入出力端子４は、熱電冷却素子１１のリー
ド線１４に接続されるメタライズ配線層４ａが形成され
た枠体３内側の部位が枠体３内側に突出した突出部４ｂ
とされており、突出部４ｂの熱電冷却素子１１側の側面
が熱電冷却素子１１に向かって漸次低くなるように傾斜
しているとともにその側面にメタライズ配線層４ａが延
出するように形成されている。平面的な傾斜面１５を形
成する場合はスライス加工等で傾斜面１５を形成し、そ
の傾斜面１５にメタライズ配線層４ａを形成して作製す
ることができる。また、入出力端子４のメタライズ配線
層４ａが形成される平板部が複数のセラミック層を積層
して成る場合、各セラミック層の積層の位置をずらして
階段状の傾斜面を形成し、傾斜面において、各セラミッ
ク層の主面に印刷したメタライズ配線層４ａと側面に形
成したメタライズ層とを接続して導通をとることによ
り、階段状の導通パターンを形成することもできる。

【００３３】また、入出力端子４が上記の構成とされて
いることにより、Ｃｕ等から成るリード線１４を熱電冷
却素子１１から傾斜面１５の表面で略直線状にのばして
半田により接続することができ、リード線１４の接続が
容易となる。リード線１４を接続する際、傾斜面１５に
押し当て半田付けを行うが、傾斜面１５となっているこ
とにより、リード線１４が復元力を有するような適度の
角度で折り曲げられ、復元力により傾斜面１５に押し当
てられ当接することとなり、リード線１４が傾斜面１５
から浮き上がることを抑え、傾斜面１５に確実に接続さ
れる。

【００３４】傾斜面１５の傾斜の角度は５〜６０°が好
ましい。５°未満では、リード線１４を傾斜面１５に半
田付けする際、傾斜面１５の表面に合わせてピンセット
等で折り曲げるが、傾斜面１５が平面に近いため余分に
折り曲げてしまうことが多く、リード線１４の復元力が
不足して傾斜面１５から浮き上がり易くなる。その結果
接続時の作業性が低下し易くなったり、また傾斜面１５
の平面視形状が大きくなることで入出力端子４が大きく
なり、半導体パッケージの大型重量化につながり易くな
る。また、６０°を超えると、リード線１４を傾斜面１
５に半田付けする際、傾斜面１５の表面に合わせてピン
セット等で折り曲げるが、傾斜面１５の傾斜が急なた
め、リード線１４を復元力が失われる程に急角度で折り
曲げたり、折り曲げた部分の強度が劣化するといった問
題が発生し易くなり、接続時の作業性が低下し易くな
る。

【００３５】突出部４ｂの入出力端子４の長手方向の長
さＬ（図１）は２〜８ｍｍが好ましい。２ｍｍ未満で
は、突出部４ｂの傾斜面１５の部位が小さくなるため、
リード線１４を半田付けすることが困難になり、また半
田ブリッジによる電気的な短絡が発生し易くなる。８ｍ
ｍを超えると、半導体素子１０や熱電冷却素子１１を搭
載する部位が狭くなり、半導体素子１０や熱電冷却素子
１１の載置部１ａへの実装が困難になる。

【００３６】また、リード線１４を傾斜面１５の表面で
直線状にのばすことによって、リード線１４は、枠体３
の内面、メタライズ配線層４ａ、半導体素子１０、ボン
ディングワイヤ１３等に接触して電気的に短絡すること
がなく、半導体素子１０や熱電冷却素子１１を正常に作
動させることが可能となる。

【００３７】図５に示すように、リード線１４の先端部
が傾斜面１５から突出部４ｂの上面に延びており、突出
部４ｂの上面に沿って接続されていてもよい。この場
合、２本のリード線１４が、突出部４ｂの上面と傾斜面
１５との間の稜線部をまたいで曲がる部位から先端側が
突起部を形成することになり、稜線部付近で半田が稜線
に沿って広がり易いのを防いで突起部付近に半田溜まり
を形成する。この半田溜りによってリード線１４間の電
気的な短絡を防止することができる。その結果、隣接し
たリード線１４同士およびメタライズ配線層４ａ同士を
完全に絶縁することができる。

【００３８】さらに、図２では入出力端子４の枠体３内
側の平面視形状が突出部４ｂを有することで略Ｌ字状に
なっているが、入出力端子４の枠体３内側の平面視形状
が略Ｕ字状となって対向する入出力端子４が突出部４ｂ
によってつながっていてもよい。また、半導体素子１０
や熱電冷却素子１１が搭載される部位に開口を有して対
向する入出力端子４がつながっているようにした、入出
力端子４の枠体３内側の平面視形状が略四角形の枠状で
あってもよい。

【００３９】枠体３および入出力端子４の上面には、Ｆ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成るシールリング５を
Ａｇろう等のろう材を介して接合し、シールリング５の
上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体６が
ろう付け法やシームウエルド法等の溶接法で接合され
る。基体１、枠体３、シールリング５および蓋体６から
成る容器内部に半導体素子１０を収容し気密に封止する
ことにより、製品としての半導体装置となる。

【００４０】この半導体装置は、基体１が半田付けやネ
ジ止め等によって外部電気回路基板に実装され、外部リ
ード端子７と外部電気回路とを接続することにより、内
部に収容する半導体素子１０と熱電冷却素子１１が外部
電気回路に電気的に接続される。そして、半導体素子１
０が高周波信号で作動するとともに熱電冷却素子１１が
正常に作動し、半導体素子１０が作動時に発生する熱を
熱電冷却素子１１を介して基体１に強制的に伝達し、基
体１から大気中に放散することによって、半導体素子１
０の温度を常に定温として、半導体素子１０が常に安定
して作動する。

【００４１】また、この半導体装置は、外部電気回路か
ら供給される電気信号によって半導体素子１０に光を励
起させ、この光を光ファイバ１２を介して外部に伝達す
ることによって高速光通信等に使用される半導体装置と
して機能する。もしくは、外部から光ファイバ１２を伝
送してくる光信号を、透光性部材２ａを透過させ、半導
体素子１０に受光させて光信号を電気信号に変換するこ
とによって、高速光通信等に使用される半導体装置とし
て機能する。

【００４２】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であ
れば種々の変更は可能である。上記実施の形態では、半
導体素子１０としてＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子を収納
する半導体パッケージについて説明したが、半導体素子
１０はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路素子であっても
よく、その場合光ファイバ固定部材２および光ファイバ
１２は不要となる。

【００４３】

【発明の効果】本発明は、リード線に接続されるメタラ
イズ配線層が形成された入出力端子の枠体内側の部位が
枠体内側に突出した突出部とされており、突出部の熱電
冷却素子側の側面が熱電冷却素子に向かって漸次低くな
るように傾斜しているとともにその側面にメタライズ配
線層が延出するように形成されていることから、熱電冷
却素子のリード線を傾斜面に当接させるとともに傾斜面
に沿って略直線状にのばしてメタライズ配線層に接続で
き、リード線の接続作業の作業性が向上する。また、リ
ード線に大きな変形を与えることなく接続が可能になる
ため、リード線に加わる応力の緩和、接続部の信頼性の
向上につながる。その結果、熱電冷却素子を長期にわた
って正常かつ安定的に作動させることができる。

【００４４】本発明の半導体装置は、本発明の半導体パ
ッケージと、載置部に載置されるとともに入出力端子に
電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に接合さ
れた蓋体を具備したことにより、上記本発明の作用効果
を有する半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体
装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の例を示す断面図である。

【図２】図１の半導体パッケージの斜視図である。

【図３】従来の半導体パッケージの断面図である。

【図４】従来の半導体パッケージの斜視図である。

【図５】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の他の例を示す要部拡大断面図である。

【符号の説明】

１：基体 １ａ：載置部 ３：枠体 ３ａ：取付部 ４：入出力端子 ４ａ：メタライズ配線層 ４ｂ：突出部 ６：蓋体 １０：半導体素子 １１：熱電冷却素子 １４：リード線

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上側主面に半導体素子が熱電冷却素子を
   介して載置される載置部を有する基体と、該基体の前記
   上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合さ
   れ、側部を貫通するかまたは該側部の上側を切り欠いて
   成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、前記取付
   部に嵌着され、前記枠体の内外を電気的に導通するメタ
   ライズ配線層が形成された入出力端子とを具備して成
   り、前記熱電冷却素子はリード線を介して前記メタライ
   ズ配線層に電気的に接続されている半導体素子収納用パ
   ッケージにおいて、前記リード線に接続される前記メタ
   ライズ配線層が形成された前記入出力端子の枠体内側の
   部位が前記枠体内側に突出した突出部とされており、該
   突出部の前記熱電冷却素子側の側面が前記熱電冷却素子
   に向かって漸次低くなるように傾斜しているとともに前
   記側面に前記メタライズ配線層が延出するように形成さ
   れていることを特徴とする半導体素子収納用パッケー
   ジ。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子収納用パッケ
   ージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端
   子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面
   に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体
   装置。