JP2003094552A - 透明導電性積層体及びタッチパネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、タッチパネルに必要なペン
入力耐久性の向上及び高温又は高温高湿環境下での信頼
性を向上することにある。 【解決手段】 透明高分子フィルム（Ａ）の少なくとも
片面に透明導電層が積層された透明導電性積層体におい
て、（１）該透明高分子フィルム（Ａ）の一方の面に該
透明高分子フィルム（Ａ）よりヤング率が小さい透明弾
性層（Ｂ）を介して透明基材（Ｃ）が積層され、（２）
該透明高分子フィルム（Ａ）の透明基材（Ｃ）を積層し
た側と反対面にハードコート層（Ｄ）、架橋重合体層
（Ｅ）、結晶粒径が２０００nm以下の主として結晶質の
インジウム酸化物からなる透明導電層（Ｆ）が順次積層
され、（３）架橋重合体層（Ｅ）は該透明導電層（Ｆ）
と接していることを特徴とする透明導電性積層体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性積層体
およびこの透明導電性積層体を用いて得られるタッチパ
ネルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報表示用の液晶ディスプレイと
情報入力用のタッチパネル（スイッチパネル、メンブレ
ンスイッチとも称される）を搭載した携帯型の情報機器
が広く使用され始めている。タッチパネルとしては、抵
抗膜方式のものが多い。抵抗膜方式のタッチパネルは、
透明導電層が形成された二枚の透明電極基板をおよそ１
０〜１００μｍの間隔で相対させて構成する。指、ペン
等でタッチした部分でのみ両透明電極基板が接触してス
イッチとして動作し、例えばディスプレイ画面上のメニ
ューの選択あるいは手書き図形や手書き文字の入力等を
行なうことができる。この様な透明電極基板としては、
ガラス基板、各種の透明高分子フィルム基板、透明高分
子シート基板等の基板上に、例えばインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）、アンチモン等を含有する酸化錫等の金属酸
化物の透明導電層を積層したものが広く用いられてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】タッチパネルの主要課
題は、指入力耐久性（打点特性）、ペン入力耐久性（耐
ペン摺動性）、高温又は高温高湿環境下での信頼性があ
る。指入力耐久性（打点特性）を向上させる方法とし
て、厚さ２〜１２０μmの透明フィルム基材の一方の面
に透明導電性薄膜を形成し、他方の面に弾性係数が１×
１０⁵〜１×１０⁷ｄｙｎ／ｃｍ²（１×１０⁴〜１×１０
⁶Ｐa）、厚さが１μm以上である透明な粘着剤層を介し
て透明基体を貼り合せてなる透明導電性積層体が開示さ
れている（特許公報第２６６７６８０号、特許公報第２
６６７６８６号、特許公報２６２４９３０号、特許公報
第２７６３４７２号）。これらの発明によれば透明基体
の貼り合せを行なわない場合に比較して打点特性が向上
している。しかし、指入力耐久性より要求特性が厳しい
ペン入力耐久性は未だ不十分である。また、透明プラス
チックフィルムの一方の面にダイナミック硬度０．００
５〜２のクッション層を設け、クッション層上に直接、
透明樹脂層を介して、或いは透明樹脂層及び硬化性高分
子硬化層を介して、透明導電性薄膜を設けた透明導電性
フィルムが開示されている（特開平１１−３４２０６
号、特開平１１−１９８２７３号公報）。これらの発明
によればクッション層が無い場合やクッション層のダイ
ナミック硬度が上記範囲外の場合に比較してペン入力耐
久性が向上している。更に、透明高分子フィルム、適度
な弾性率を有する透明樹脂層即ちヤング率が４０〜６０
０ｋｇ／ｃｍ²（３．９×１０⁶〜５．９×１０⁷ Ｐａ）
の透明樹脂層、透明高分子フィルム、透明無機薄膜層、
透明導電層をこの順番で積層した透明導電性フィルムが
開示されている（特開平８−１９２４９２号公報）。こ
の発明によれば透明樹脂層が無い場合や透明樹脂層のヤ
ング率が上記範囲外の場合に比較して耐ペン摺動性（ペ
ン入力耐久性）が向上している。しかし、本発明者らの
検討によればペン入力耐久性は未だ不十分である。一
方、本発明者らは、主として結晶質のインジウム酸化物
からなる透明導電層を有機高分子成型物上に形成した透
明導電性積層体は、高温又は高温高湿環境下での信頼性
が向上し又スイッチ寿命（打点特性）が向上することを
報告している（特公平３−１５５３６号公報）。しか
し、ペン入力耐久性は未だ不十分である。

【０００４】本発明は、タッチパネルに必要なペン入力
耐久性の向上及び高温又は高温高湿環境下での信頼性向
上を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】透明導電性薄膜を設けた
透明フィルム基材を透明な粘着剤層を介して透明基体を
貼り合わせる方法、クッション層を透明プラスチックフ
ィルムと透明導電性薄膜との間に設ける方法、透明導電
層を設けた透明高分子フィルムを適度な弾性率を有する
透明樹脂層を介して透明高分子フィルムと貼り合せる方
法により、ペン入力時の透明導電層への衝撃を緩衝する
方法だけではペン入力耐久性向上効果は不十分である。
一方、主として結晶質のインジウム酸化物からなる透明
導電層を用いる方法でだけでもペン入力耐久性向上効果
は不十分である。透明導電層の破壊モードを調べた所、
透明導電層に傷が入り剥離するという破壊モードであっ
た。そこで透明導電層の結晶構造及び透明導電層と高分
子フィルムとの密着性向上という観点から検討した結
果、透明高分子フィルム上に架橋重合体層を介して設け
る透明導電層の結晶構造において結晶粒径を制御するこ
とにより上記破壊モードが抑制できることが分かった。

【０００６】即ち、本発明者らはペン入力耐久性という
動的な特性向上には、ペン入力時の衝撃の緩衝、透明導
電層自体の膜強度の向上、透明導電層と透明高分子フィ
ルムとの密着性向上という三条件が必要との観点から検
討を重ねた。その結果、以下のとおり本発明に到達した
ものである。 １． 透明高分子フィルム（Ａ）の少なくとも片面に透
明導電層が積層された透明導電性積層体において、
（１）該透明高分子フィルム（Ａ）の一方の面に該透明
高分子フィルム（Ａ）よりヤング率が小さい透明弾性層
（Ｂ）を介して透明基材（Ｃ）が積層され、（２）該透
明高分子フィルム（Ａ）の透明基材（Ｃ）を積層した側
と反対面にハードコート層（Ｄ）、架橋重合体層
（Ｅ）、結晶粒径が２０００nm以下の主として結晶質の
インジウム酸化物からなる透明導電層（Ｆ）が順次積層
され、（３）架橋重合体層（Ｅ）は該透明導電層（Ｆ）
と接していることを特徴とする透明導電性積層体。 ２． 架橋重合体層（Ｅ）の厚さが２０〜１１０ｎｍで
ある、上記１の透明導電性積層体。 ３． 架橋重合体層（Ｅ）が金属アルコキシドを加水分
解並びに縮合重合してなる架橋重合体層である、上記
１、２の透明導電性積層体。 ４． ハードコート層（Ｄ）と架橋重合体層（Ｅ）との
間に、架橋重合体層（Ｅ）より屈折率の高い架橋重合体
層（Ｇ）を有する、上記１〜３の透明導電性積層体。 ５． 架橋重合体層（Ｇ）はその屈折率が１．７以上で
該透明導電層（Ｆ）の屈折率＋０．３以下の範囲にあり
その膜厚が２０〜９０ｎｍの範囲にあり、該架橋重合体
層（Ｅ）はその屈性率が１．３５〜１．５の範囲にあり
その膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にあり、該透明導電
層（Ｆ）は膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にあり、そして
架橋重合体層（Ｇ）、架橋重合体層（Ｅ）及び透明導電
層（Ｆ）の光学膜厚の和が１８０〜２３０ｎｍの範囲で
ある、上記４の透明導電性積層体（ここで光学膜厚は層
の屈折率に膜厚を乗じた値である）。 ６． 架橋重合体層（Ｇ）及び（Ｅ）が、主として金属
アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる架橋重
合体層である上記４、５の透明導電性積層体。 ７． ハードコート層（Ｄ）が平均粒径２〜４μｍの微
粒子を含有し、かつハードコート層の表面における平均
突起高さが０．３〜１μmの範囲でありかつ突起密度が
３５０〜１８００個／ｍｍ²の範囲である、上記１〜６
の透明導電性積層体。 ８． ハードコート層（Ｄ）が実質的に微粒子を含有せ
ず、架橋重合体層（Ｇ）及び（Ｅ）の少なくとも一方に
平均粒径が、架橋重合体層（Ｇ）及び（Ｅ）の合計膜厚
の１．１倍以上でかつ１．２μｍ以下である微粒子を含
有する、上記１〜６の透明導電性積層体。 ９． 少なくとも片面に透明導電層が設けられた２枚の
透明電極基板が、互いの透明導電層同士が向かい合う様
に配置されて構成されたタッチパネルにおいて、少なく
とも一方の透明電極基板として、上記１〜８の透明導電
性積層体を用いたことを特徴とするタッチパネル。

【０００７】本発明によれば、上記透明導電性積層体
は、従来と比べてペン入力耐久性を向上させると共に高
温又は高温高湿度環境下に放置した場合の信頼性を向上
させることが出来た。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明に好適に用いられる透明高
分子フィルム（Ａ）については特に限定されるものでは
ないが、透明性は高い事が好ましく、具体的に４００〜
７００ｎｍの波長領域における透過率の平均値が少なく
とも８０％以上が好ましく、８５％以上がより好まし
い。

【０００９】透明高分子フィルム（Ａ）としては、熱可
塑性樹脂のフィルムが好適に用いられる。具体的には、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテル
スルフォン、ポリスルフォン、トリアセチルセルロー
ス、ジアセチルセルロース、各種のポリオレフィン、お
よびこれらの変性物あるいはこれらと別種材料との共重
合物等が好ましく例示される。これら透明高分子フィル
ム（Ａ）は一般的な溶融押出法もしくは溶液流延法等に
より好適に成形されるが、必要に応じて成形した高分子
フィルムに一軸延伸もしくは二軸延伸を施して、機械的
強度を高めたり、光学的機能を高めたりする事も好まし
く行われる。

【００１０】こうして得られる透明高分子フィルム
（Ａ）の厚みは、およそ１０〜２２０μｍが好ましく、
２０〜２００μｍの範囲にあることがタッチパネルの動
作特性、薄さ、軽さの観点等からより好ましい。

【００１１】本発明に好適に用いられる透明基材（Ｃ）
については特に限定されるものではないが、透明性は高
い事が好ましく、具体的に４００〜７００ｎｍの波長領
域における透過率の平均値が少なくとも８０％以上が好
ましく、８５％以上がより好ましい。

【００１２】本発明の透明導電性積層体を可動電極基板
（タッチパネルの入力側の基板）として用いる場合は、
可撓性があることが好ましいので、透明基材（Ｃ）とし
ては、熱可塑性樹脂のフィルムが好適に用いられる。具
体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポ
リエーテルスルフォン、ポリスルフォン、トリアセチル
セルロース、ジアセチルセルロース、各種のポリオレフ
ィン、およびこれらの変性物あるいはこれらと別種材料
との共重合物等が好ましく例示される。これら透明基材
（Ｃ）は一般的な溶融押出法もしくは溶液流延法等によ
り好適に成形されるが、必要に応じて成形した高分子フ
ィルムを一軸延伸もしくは二軸延伸を施して、機械的強
度を高めたり、光学的機能を高めたりする事も好ましく
行われる。

【００１３】こうして得られる透明基材（Ｃ）の厚み
は、およそ１０〜２２０μｍが好ましく、２０〜２００
μｍの範囲にあることがタッチパネルの動作特性、薄
さ、軽さの観点等からより好ましい。

【００１４】また本発明の透明導電性積層体を固定電極
基板（可動電極基板と対向する基板）として用いる場合
には、可撓性は必須ではなくタッチパネルの使用形態に
よってはむしろ外力に対する変形の少ない特性（剛直
性）が必要となる場合もある。透明基材（Ｃ）として
は、前記熱可塑性樹脂のフィルム状成型基板や前記熱可
塑性樹脂のシート状成型基板の他に、エポキシ系樹脂等
の熱硬化性樹脂のシート状成型基板やアクリル系樹脂等
の放射線硬化性樹脂のシート状成形基板も好適に用いる
事ができる。また基板の成形方法としては溶融押し出し
法、溶液流延法の他に、射出成形法、注型重合成形法等
も用いる事が可能である。また、こうして得られる透明
基材（Ｃ）の厚みはおよそ１０〜２０００μｍが好まし
く、５０〜１１００μｍがより好ましく、７０〜１１０
０μｍの範囲にあることが最も好ましい。透明基材
（Ｃ）としてガラス基板を用いることも可能である。

【００１５】なお、本発明の透明導電性積層体をタッチ
パネルの可動電極基板として用いた場合、固定電極基板
として硝子電極基板を利用することも可能である。携帯
型の情報機器に適したタッチパネルを作製するために
は、固定電極基板として本発明の透明導電性積層体を使
用する方が好ましい。こうすることにより軽量で割れな
い携帯型の情報機器に適したタッチパネルが得られる。

【００１６】また、最近ではタッチパネルの入力側（使
用者側）の面に偏光板（または偏光板＋位相差フィル
ム）を積層した構成の新しいタイプのタッチパネルが開
発されてきている。この構成の利点は主として前記偏光
板（または偏光板＋位相差フィルム）の光学作用によっ
て、タッチパネル内部における外来光の反射率を半分以
下に低減し、タッチパネルを設置した状態でのディスプ
レイのコントラストを向上させることにある。

【００１７】ここで、このようなタイプのタッチパネル
をＬＣＤ上に取り付けた場合には透明電極基板を偏光が
通過する事から、透明高分子フィルム（Ａ）及び透明基
材（Ｃ）として光学等方性に優れた特性を有するものを
用いる事が好ましく、具体的には基板の遅相軸方向の屈
折率をｎｘ、進相軸方向の屈折率をｎｙ、基板の厚みを
ｄ（ｎｍ）とした場合にＲｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ｎ
ｍ）で表される面内リターデーション値Ｒｅが少なくと
も３０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下で
あることがより好ましい。なお、ここで基板の面内リタ
ーデーション値は多波長複屈折率測定装置（日本分光株
式会社製 Ｍ−１５０）を用いて測定した波長５９０ｎ
ｍでの値で代表している。

【００１８】これらの光学等方性に優れた特性を示す透
明高分子フィルム（Ａ）及び透明基材（Ｃ）としては、
例えば、ポリカーボネートや非晶性ポリアリレート、ポ
リエーテルスルフォン、ポリスルフォン、トリアセチル
セルロース、ジアセチルセルロース、非晶性ポリオレフ
ィンおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合
物等の成型基板、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂の成
形基板やアクリル樹脂等の紫外線硬化性樹脂の成形基板
等が例示される。成形性や製造コスト、熱的安定性等の
観点から、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、
ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、非晶性ポリ
オレフィンおよびこれらの変性物もしくは別種材料との
共重合物等の成型基板が最も好ましく挙げられる。

【００１９】より具体的には、ポリカーボネートとして
は例えば、ビスフェノールＡ、１，１−ジ（４−フェノ
ール）シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチル−
１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、フ
ルオレン−９，９−ジ（４−フェノール）、フルオレン
−９，９−ジ（３−メチル−４−フェノール）等からな
る群から選ばれる少なくとも一つの成分をモノマー単位
とする重合体や共重合体またはこれらの混合物であり、
平均分子量がおよそ１５０００〜１０００００の範囲の
ポリカーボネート（商品としては、例えば帝人化成株式
会社製「パンライト」やバイエル社製「Ａｐｅｃ Ｈ
Ｔ」等が例示される）の成型基板が好ましく用いられ
る。

【００２０】また非晶性ポリアリレートとしては、商品
として鐘淵化学工業株式会社製「エルメック」、ユニチ
カ株式会社製「Ｕポリマー」、イソノバ社製「イサリ
ル」等の成型基板が例示される。

【００２１】また非晶性ポリオレフィンとしては、商品
として日本ゼオン株式会社製「ゼオノア」やＪＳＲ株式
会社製「アートン」等の成型基板が例示される。

【００２２】またこれらの高分子材料の成形方法として
は、溶融押出法や溶液流延法、射出成型法等の方法が例
示されるが、優れた光学等方性を得る観点からは、特に
溶液流延法を用いて成形を行なうことが好ましい。

【００２３】この様に例示した透明電極基板を偏光が通
過するタイプのタッチパネルの用途においては、透明電
極基板の面内リターデーション値が非常に重要である
が、これに加えて透明電極基板の三次元屈折率特性、す
なわち基板の膜厚方向の屈折率をｎｚとした時にＫ＝
｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄで表されるＫ値が−
２５０〜＋１５０ｎｍであることが好ましく、−２００
〜＋１００ｎｍの範囲にある事がタッチパネルの優れた
視野角特性を得る上でより好ましい。

【００２４】本発明に好適に用いられる透明弾性層
（B）としては、透明性が高く、該透明高分子フィルム
（Ａ）よりヤング率が低く、該透明高分子フィルム
（Ａ）及び該透明基材（Ｃ）の双方に密着性が良い材料
であることが好ましい。ペン入力時の衝撃を緩衝するた
めには、該透明弾性層（Ｂ）のヤング率を該透明高分子
フィルムのヤング率より小さくする必要がある。しか
し、極端にヤング率が小さい場合には透明導電性積層体
の打ち抜き、スリット等の加工工程で該透明弾性層
（Ｂ）が刃に付着し異物欠点の原因になるため好ましく
ない。好ましいヤング率の範囲は透明高分子フィルム
（Ａ）のヤング率の約１／５〜１／８０である。例えば
透明高分子フィルム（Ａ）がポリエチレンテレフタレー
トフィルムの場合には、該透明弾性層（Ｂ）のヤング率
は７×１０⁷〜１×１０⁹Ｐａとなる。

【００２５】該透明弾性層（Ｂ）のヤング率は、超微小
押し込み硬さ試験機（Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏ
ｎ Ｔｅｓｔｅｒ、株式会社エリオニクス製、ＥＮＴ−
１１００ａ）で測定する。該透明弾性層（Ｂ）の表面
（透明高分子フィルム（Ａ）と反対側）に三角錐圧子
（稜間角１１５度、ダイヤモンド）を荷重１５ｍｇｆ
（１４７μN）で0．5μmの深さまで押し込み、除荷した
時のグラフの傾きよりヤング率を計算する。

【００２６】該透明弾性層（Ｂ）の厚さは５〜４５μ
ｍ、好ましくは１０〜４０μｍである。５μｍ未満では
ペン入力時の衝撃を緩衝する効果は小さく、また４５μ
ｍを超えると透明導電性積層体の打ち抜き、スリット等
の加工工程で該透明弾性層（Ｂ）が刃に付着し異物欠点
の原因になるため好ましくない。

【００２７】該透明弾性層（Ｂ）に用いられる材料とし
ては、例えばポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポ
リウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂
がある。中でもシリコーン系樹脂がタッチパネル作製工
程や高温環境下に放置した時のヤング率の変化が少ない
点から好ましい。

【００２８】本発明に用いられるハードコート層（Ｄ）
を構成する材料としては硬化性樹脂が挙げられる。例え
ば、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシ
シラン等のケイ素アルコキシドの重合体やエーテル化メ
チロールメラミン等のメラミン系熱硬化性樹脂、フェノ
キシ系熱硬化性樹脂、エポキシ系熱硬化性樹脂、ポリオ
ールアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタ
ンアクリレート、エポキシアクリレート等の多官能アク
リレート系放射線硬化性樹脂等がある。これらの中で
も、多官能アクリレート系樹脂等の放射線硬化性樹脂
は、放射線の照射により比較的短時間に架橋度の高い層
が得られることから、製造プロセスへの負荷が少なくま
た膜強度が強い特徴があり、最も好ましく用いられる。

【００２９】放射線硬化性樹脂は、紫外線や電子線等の
放射線を照射する事によって重合が進行する樹脂を指
し、単位構造内に２個以上のアクリロイル基を有する多
官能アクリレート成分を樹脂組成中に含有するアクリル
系樹脂が挙げられる。例えばトリメチロールプロパント
リアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキ
サイド変性トリアクリレート、トリメチロールプロパン
プロピレンオキサイド変性トリアクリレート、イソシア
ヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート、ペン
タエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリス
リトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ
アクリレート等の各種アクリレートモノマーやポリエス
テル変性アクリレート、ウレタン変性アクリレート、エ
ポキシ変性アクリレートの多官能アクリレートオリゴマ
ー等が本用途に好ましく用いられる。これらの樹脂は単
独の組成で用いても、数種の混合組成で用いても良く、
また場合によっては、各種ケイ素アルコキシドの加水分
解縮合物を組成中に適量添加することも好ましく行われ
る。

【００３０】なお、紫外線照射によって樹脂層の重合を
行なう場合には公知の光反応開始剤が適量添加される。
光反応開始剤としては、例えばジエトキシアセトフェノ
ン、２−メチル−１−｛４−（メチルチオ）フェニル｝
−２−モルフォリノプロパン、２−ヒドロキシ−２−メ
チル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキ
シシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン系
化合物；ベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベ
ンゾイン系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香
酸等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２、
４−ジクロロチオキサンソン等のチオキサンソン系化合
物等が挙げられる。

【００３１】また、フェノキシ系熱硬化性樹脂として
は、下記式（１）で示されるフェノキシ樹脂、フェノキ
シエーテル樹脂、フェノキシエステル樹脂を多官能イソ
シアネート化合物で熱的に架橋させた樹脂が挙げられ
る。

【００３２】

【化１】

【００３３】ここでＲ¹〜Ｒ⁶は、同一または異なる水素
または炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ⁷は炭素数２〜５
のアルキレン基、Ｘはエーテル基、エステル基、ｍは０
〜３の整数、ｎは２０〜３００の整数をそれぞれ意味す
る。そうした中でも特にＲ¹、Ｒ²はメチル基、Ｒ³〜Ｒ⁶
は水素、Ｒ⁷はペンチレン基のものが、合成が容易で生
産性の面から好ましい。

【００３４】また、多官能イソシアネート化合物として
は、一分子中にイソシアネート基を二つ以上含有する化
合物であれば良く、以下のものが例示される。２，６−
トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシ
アネート、トリレンジイソシアネート−トリメチロール
プロパンアダクト体、ｔ−シクロヘキサン−１，４−ジ
イソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ
−フェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソ
シアネート、１，３，６−ヘキサメチレントリイソシア
ネート、イソホロンジイソシアネート、１，５−ナフタ
レンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、キ
シリレンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシア
ネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネ−
ト、水添ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネー
ト、リジンジイソシアネート、リジンエステルトリイソ
シアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、
トリス（イソシアネートフェニル）チオホスフェート、
ｍ−テトラメチルキシリレンジイソシアネート、ｐ−テ
トラメチルキシリレンジイソシアネート、１，６，１１
−ウンデカントリイソシアネート、１，８−ジイソシア
ネート−４−イソシアネートメチルオクタン、ビシクロ
ヘプタントリイソシアネート、２，２，４−トリメチル
ヘキサメチレンジイソシアネート、２，４，４−トリメ
チルヘキサメチレンジイソシアネート等のポリイソシア
ネートおよびそれらの混合物あるいは多価アルコール付
加体等。この中でも特に汎用性、反応性の観点から２，
６−トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイ
ソシアネート、トリレンジイソシアネート−トリメチロ
ールプロパンアダクト体、ヘキサメチレンジイソシアネ
ートが好ましい。

【００３５】この他、反応促進剤として、公知のトリエ
チレンジアミン等の第三アミン、ジブチル錫ジラウレー
ト等の有機錫化合物を適量添加する事で架橋速度を向上
することが可能である。

【００３６】また、エポキシ系熱硬化性樹脂としては、
各種のものが使用できるが、その中でも、下記式（２）
で示されるノボラック型のエポキシ樹脂を熱的に架橋さ
せた樹脂が好ましい。

【００３７】

【化２】

【００３８】ここで、Ｒ⁸は水素またはメチル基、Ｒ⁹は
水素またはグリシジルフェニルエーテル基を示す。ま
た、ｑは１〜５０までの整数を示すが、実際の所、ｑの
値は一般的に分布を持っていて特定しにくいが、平均の
数として大きい方が好ましく、３以上さらには５以上が
好ましい。

【００３９】このようなエポキシ樹脂を架橋させる硬化
剤としては、公知のものが適用される。例えば、アミン
系ポリアミノアミド系、酸および酸無水物、イミダゾー
ル、メルカプタン、フェノール樹脂等の硬化剤が用いら
れる。これらの中でも、酸無水物および脂環族アミン類
が好ましく用いられ、さらに好ましくは酸無水物であ
る。酸無水物としては、メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの脂環族酸無
水物、無水フタル酸等の芳香族酸無水物、ドデセニル無
水フタル酸等の脂肪族酸無水物が挙げられるが、特にメ
チルヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましい。尚、脂環族
アミンとしては、ビス（４−アミノ−３−メチルジシク
ロヘキシル）メタン、ジアミノシクロヘキシルメタン、
イソホロンジアミン等が挙げられ、特にビス（４−アミ
ノ−３−メチルジシクロヘキシル）メタンが好ましい。

【００４０】ここで、硬化剤として酸無水物を用いた場
合、エポキシ樹脂と酸無水物との硬化反応を促進する反
応促進剤を添加しても良い。反応促進剤としては、ベン
ジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノ
メチル）フェノール、ピリジン、１，８−ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−１等の公知の第二、第三
アミン類やイミダゾール類等の硬化触媒が挙げられる。

【００４１】また、ケイ素アルコキシドの重合体として
は、２〜４官能性、さらに好ましくは３〜４官能性のケ
イ素アルコキシドを二種以上混合して用いることが好ま
しく、これらをあらかじめ溶液中で適度に加水分解なら
びに脱水縮合を行なって適度にオリゴマー化させたもの
も好ましく用いられる。

【００４２】ケイ素アルコキシドの例としては、例えば
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメ
チルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、β−（３、４エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルト
リエトキシシラン等が例示される。

【００４３】これらのケイ素アルコキシドは、加熱によ
り重合が進行するが、必要に応じて紫外線等の活性光線
を塗工膜に照射することによって、架橋度をより高める
ことができる。

【００４４】なお、ハードコート層（D）は透明高分子
フィルム（Ａ）上に直接、もしくは適当なアンカー層を
介して積層される。こうしたアンカー層としては例え
ば、該ハードコート層（Ｄ）と透明高分子フィルム
（Ａ）との密着性を向上させる機能を有する層や、Ｋ値
が負の値となる三次元屈折率特性を有する層等の各種の
位相補償層、水分や空気の透過を防止する機能もしくは
水分や空気を吸収する機能を有する層、紫外線や赤外線
を吸収する機能を有する層、基板の帯電性を低下させる
機能を有する層等が好ましく挙げられる。

【００４５】ハードコート層（Ｄ）の基板への実際の塗
工法としては、前記の化合物ならびに各種添加剤（硬化
剤、触媒等）を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度を
調節した塗工液を用いて、透明高分子フィルム（Ａ）上
に塗工後、放射線照射や加熱処理等により層を硬化させ
る。塗工方式としては例えば、マイクログラビヤコート
法、マイヤーバーコート法、ダイレクトグラビヤコート
法、リバースロールコート法、カーテンコート法、スプ
レーコート法、コンマコート法、ダイコート法、ナイフ
コート法、スピンコート法等の各種塗工方法が用いられ
る。

【００４６】タッチパネルの作製工程或いはタッチパネ
ルがディスプレイ上に取り付けられた使用形態におい
て、透明導電性積層体の傷つきまたは溶剤ダメージを防
止するため、該透明基材（Ｃ）の透明高分子フィルム
（Ａ）を積層した側と反対面に耐擦傷性及び／又は耐溶
剤性を有する重合体層を設けることが好ましい。重合体
層中に微粒子を含有させることにより、滑り性、干渉縞
防止性、アンチグレア性を付与することも可能である。
該重合体としては例えば、アクリル系樹脂等の放射線硬
化性樹脂層やフェノキシ系樹脂やエポキシ系樹脂等の熱
硬化性樹脂層およびケイ素アルコキシドの重合体層等が
挙げられる。これらの中でも、アクリル系樹脂等の放射
線硬化性樹脂層は、放射線の照射により比較的短時間に
架橋度の高い層が得られる事から、製造プロセスへの負
荷が少なくまた膜強度が強い特徴があり、最も好ましく
用いられる。

【００４７】なお、これらの重合体層は透明基材（Ｃ）
上に直接、もしくは適当なアンカー層を介して積層され
る。こうしたアンカー層としては例えば、該重合体層と
該透明基材（Ｃ）との密着性を向上させる機能を有する
層や、Ｋ値が負の値となる三次元屈折率特性を有する層
等の各種の位相補償層、水分や空気の透過を防止する機
能もしくは水分や空気を吸収する機能を有する層、紫外
線や赤外線を吸収する機能を有する層、基板の帯電性を
低下させる機能を有する層等が好ましく挙げられる。

【００４８】これら重合体層の基板への実際の塗工法と
しては、前記の化合物ならびに各種添加剤（硬化剤、触
媒、微粒子等）を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度
を調節した塗工液を用いて、基板上に塗工後、放射線照
射や加熱処理等により層を硬化させる。塗工方式として
は例えば、マイクログラビヤコート法、マイヤーバーコ
ート法、ダイレクトグラビヤコート法、リバースロール
コート法、カーテンコート法、スプレーコート法、コン
マコート法、ダイコート法、ナイフコート法、スピンコ
ート法等の各種塗工方法が用いられる。

【００４９】本発明において、該ハードコート層（Ｄ）
上に、金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合して
なる重合体層（Ｅ）を介して結晶粒径が２０００nm以下
の主として結晶質のインジウム酸化物からなる透明導電
層（Ｆ）を設けることにより、ペン入力耐久性が優れた
透明導電性積層体が得られる。該重合体層（Ｅ）の厚さ
は３０〜１１０ｎｍであることが好ましい。膜厚が３０
ｎｍ未満では、透明導電性積層体のペン入力耐久性の向
上効果が小さい。また、膜厚が１１０ｎｍを超えると、
透明導電性積層体のペン入力耐久性が却って悪くなる。
該金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる
重合体層（Ｅ）の中でも、機械的強度や安定性、透明導
電層等との密着性等に優れているといった観点から、チ
タニウムアルコキシド、ジルコニウムアルコキシドなら
びにケイ素アルコキシドを加水分解並びに縮合重合して
なる重合体層が好ましい。これらの化合物は混合して用
いることが出来る。

【００５０】また、該ハードコート層（Ｄ）と該架橋重
合体層（Ｅ）との間に、該架橋重合体層（Ｅ）より屈折
率が高い架橋重合体層（Ｇ）を設けることにより、透明
導電性積層体の可視光領域の反射率が低下し透過率が向
上する。また、該架橋重合体（Ｅ）、該架橋重合体
（Ｇ）、透明導電層（Ｆ）の光学膜厚を調整することに
より、透明導電層表面における、波長４５０〜６５０ｎ
ｍにおける平均反射率が５．５％以下であり、透過光の
ｂ＊値を日本工業規格Ｚ８７２９号に定めるＬ＊ａ＊ｂ
＊表色系のクロマティクネス指数ｂ＊値で−２〜＋３の
範囲にすることが可能になる。平均反射率を５．５％以
下、ｂ＊値を−２〜＋３にすることにより、タッチパネ
ルをディスプレイ上に取り付けてもディスプレイの見易
さを損なうことがほとんど無い。

【００５１】上記平均反射率及びｂ＊値を実現するため
の条件は、以下の通りである。即ち、該架橋重合体層
（Ｇ）はその屈折率が１．７以上で該透明導電層の屈折
率＋０．３以下の範囲にありその膜厚が２０〜９０ｎｍ
の範囲にあり、該架橋重合体層（Ｅ）はその屈折率が
１．３５〜１．５の範囲にありその膜厚が３０〜１１０
ｎｍの範囲にあり、該透明導電層（Ｆ）は膜厚が１２〜
３０ｎｍの範囲にあり、そして該架橋重合体層（Ｇ）、
該架橋重合体層（Ｅ）及び透明導電層（Ｆ）の光学膜厚
の和が１８０〜２３０ｎｍの範囲である（ここで光学膜
厚は層の屈折率に膜厚を乗じた値である）。または、該
架橋重合体層（Ｇ）はその屈折率が１．７以上で該透明
導電層（Ｆ）の屈折率＋０．３以下の範囲にあり、該架
橋重合体層（Ｅ）はその屈折率が１．３５〜１．５の範
囲にあり、該透明導電層（Ｆ）は膜厚が１２〜３０ｎｍ
の範囲にあり、該架橋重合体層（Ｅ）表面の反射率が波
長２６０〜３９０ｎｍの範囲内に極小点を有する。該架
橋重合体層（Ｇ）及び該架橋重合体層（Ｅ）は、主とし
て金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してなる
重合体層であることが好ましい。金属アルコキシドを加
水分解並びに縮合重合してなる重合体層の中でも、機械
的強度や安定性、透明導電層や基板等との密着性等に優
れているといった観点から、チタニウムアルコキシド、
ジルコニウムアルコキシドならびにケイ素アルコキシド
を加水分解並びに縮合重合してなる重合体層が好まし
い。

【００５２】チタニウムアルコキシドとしては、例えば
チタニウムテトライソプロポキシド、テトラーｎープロ
ピルオルトチタネート、チタニウムテトラーｎーブトキ
シド、テトラキス（２ーエチルヘキシルオキシ）チタネ
ート等が例示され、また、ジルコニウムアルコキシドと
しては、例えばジルコニウムテトライソプロポキシド、
ジルコニウムテトラーｎーブトキシド等が例示される。

【００５３】ケイ素アルコキシドとしては、例えば、テ
トラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチ
ルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、β−（３、４エポキシシクロヘキシル）
エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン等が例示される。これらのケイ素アルコ
キシドは必要に応じて、層の機械的強度や密着性および
耐溶剤性等の観点から二種類以上を混合して用いること
が好ましい場合が多く、特にケイ素アルコキシドの全組
成中に重量比率０．５〜６０％の範囲で、分子内にアミ
ノ基を有するケイ素アルコキシドが含有されていること
が好ましい。

【００５４】これらの金属アルコキシドは、モノマーで
用いても、あらかじめ加水分解と脱水縮合を行なって適
度にオリゴマー化して用いても良いが、通常、適当な有
機溶媒に溶解、希釈した塗液を基板上に塗工する。基板
上に形成された塗工膜は、空気中の水分等により加水分
解が進行し、続いて脱水縮合重合が進行する。一般に、
縮合重合の促進には適当な加熱処理が必要であり、塗工
法のプロセスにおいて１００℃以上の温度で数分以上の
熱処理を施すことが好ましい。また、場合によっては、
前記の熱処理と並行して、紫外線等の活性光線を塗膜に
照射する事により、架橋度をより高めることができる。

【００５５】希釈溶剤としては、アルコール系、炭化水
素系の溶剤、例えば、エタノール、２−プロパノール、
ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、１−メト
キシ−２−プロパノール、ヘキサン、シクロヘキサン、
リグロイン等が好適であるが、この他にも、キシレン、
トルエン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケト
ン、酢酸イソブチル等の極性溶媒も使用可能である。こ
れらのものは単独あるいは二種以上の混合溶剤として用
いることができる。

【００５６】本発明のハードコート層（Ｄ）、架橋重合
体層（Ｇ）、（Ｅ）の少なくとも一層中に微粒子を含有
させることが出来る。可動電極基板、固定電極基板の透
明導電層表面がどちらも極めて平坦である場合、可動電
極基板と固定電極基板間が近接すると両透明導電層間で
干渉縞が発生し、ディスプレイ画面が見難くなる。ま
た、先ずある点ａをペン等で押圧し透明導電層同士を接
触させ、次にペンを他の点ｂに移動した後も点ａで透明
導電層同士が引っ付いたままになる現象が起こる場合が
ある。本発明においては、好ましくはハードコート層
（Ｄ）、架橋重合体層（Ｇ）、（Ｅ）の少なくとも一層
中に微粒子を含有させることにより、透明導電層表面に
微小な凹凸が形成され、上記干渉縞の発生及び引っ付き
現象を抑制することができる。もちろん、本発明の透明
導電性積層体の透明導電層表面が極めて平坦であっても
相手側の透明導電層表面に微小な凹凸があれば上記干渉
縞発生、引っ付き現象を抑制することは可能である。

【００５７】本発明の架橋重合体層（Ｇ）及び（Ｅ）の
少なくとも一方に微粒子を含有させる場合には、平均粒
径が、架橋重合体層（Ｇ）及び（Ｅ）の合計膜厚の１．
１倍以上でかつ１．２μｍ以下である微粒子を含有する
ことで上記引っ付き現象を防止することが出来る。

【００５８】本発明のハードコート層（Ｄ）中に微粒子
を含有させる場合には、平均粒径２〜４μｍの微粒子を
含有させることによりハードコート層表面に微細な凹凸
を形成することが好ましい。干渉縞の発生防止を目的と
した場合の好ましい表面の形状は、平均突起高さが０．
３〜１μmの範囲であり、かつ突起密度が３５０〜１８
００個／ｍｍ²の範囲である。ハードコート層に表面を
この様な形状にした透明導電性積層体を、タッチパネル
の可動電極基板及び／又は固定電極基板に用いた場合、
可動電極基板が撓んで固定電極基板に近づいたとしても
両透明導電層間で干渉縞が発生することがまず無いた
め、ディスプレイの表示画面が見やすくなる。なお、平
均突起高さが０．３μｍ未満の場合や突起密度が３５０
個／ｍｍ²未満では干渉縞発生防止効果が小さい。ま
た、平均突起高さが１μmを超えるとペン入力耐久性が
低下するため好ましくない。更に、突起密度が１８００
個／ｍｍ²を超えると、透明導電性積層体のヘーズが増
加してディスプレイの文字がぼやけて見にくくなる問題
があり好ましくない。もちろん、引っ付き防止のみが目
的である場合には、平均突起高さが０．３μｍ未満であ
っても突起密度が３５０個／ｍｍ²未満であっても良
い。

【００５９】ここで、平均突起高さ、突起密度は以下の
様にして求めた。リアルタイム走査型レーザー顕微鏡
（レーザーテックコーポレーション製、１ＬＭ２１Ｄ）
を用いて、２５０μｍ角の視野内の突起を無作為に１０
〜２０個選び、各突起の高さを測定後、平均突起高さを
算出した。又、同視野内の突起の数より突起密度（単位
面積当りの突起数）を算出した。

【００６０】本発明のハードコート層（Ｄ）中に微粒子
を含有させる方法は、以下の通りである。微粒子、前記
ハードコート層形成用の化合物ならびに各種添加剤（硬
化剤、触媒等）を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度
を調節した塗工液を用いて、透明高分子フィルム（Ａ）
上に塗工後、放射線照射や加熱処理等により層を硬化さ
せることによりハードコート層中に微粒子を含有させる
ことが出来る。塗工方式としては例えば、マイクログラ
ビヤコート法、マイヤーバーコート法、ダイレクトグラ
ビヤコート法、リバースロールコート法、カーテンコー
ト法、スプレーコート法、コンマコート法、ダイコート
法、ナイフコート法、スピンコート法等の各種塗工方法
が用いられる。

【００６１】上記塗工法により微粒子を含有するハード
コート層(D)を形成するのに用いる微粒子としては、シ
リカ微粒子、架橋アクリル微粒子、架橋ポリスチレン微
粒子等がある。干渉縞の発生防止を目的とした場合に
は、該微粒子の粒径、該微粒子と前記ハードコート層形
成用の化合物との混合比率やハードコート層(D)の膜厚
等を調整することにより、平均突起高さが０．３〜１μ
ｍの範囲に入る様に制御する。該微粒子の平均粒径は２
〜４μｍであることが好ましい。平均粒径が４μｍを超
える場合はハードコート層膜厚を大にする必要があるた
め、結果として、微粒子の平均粒径のバラツキやハード
コート層膜厚のバラツキの影響により、平均突起高さが
０．３〜１μｍの範囲に入る様に塗工条件を制御するこ
とは困難である。

【００６２】なお、上記微粒子を含有するハードコート
層（Ｄ）は透明高分子フィルム（Ａ）上に直接、もしく
は適当なアンカー層を介して積層される。こうしたアン
カー層としては例えば、上記微粒子を含有するハードコ
ート層（Ｄ）と透明高分子フィルム（Ａ）との密着性を
向上させる機能を有する層や、Ｋ値が負の値となる三次
元屈折率特性を有する層等の各種の位相補償層、水分や
空気の透過を防止する機能もしくは水分や空気を吸収す
る機能を有する層、紫外線や赤外線を吸収する機能を有
する層、基板の帯電性を低下させる機能を有する層等が
好ましく挙げられる。

【００６３】本発明の透明導電層（Ｆ）としては、結晶
粒径が２０００nm以下の主として結晶質のインジウム酸
化物からなる層が好ましく用いられる。結晶粒径が２０
００ｎｍを超えるとペン入力耐久性が悪くなるため好ま
しくない。光学特性及び抵抗値の安定性の点から、膜厚
は１２〜３０ｎｍが好ましい。透明導電層（Ｆ）の膜厚
が１２ｎｍ未満では抵抗値の経時安定性に劣る傾向があ
り、また３０ｎｍを超えると透明導電性積層体の透過率
が低下するため好ましくない。タッチパネルの消費電力
の低減と回路処理上の必要等から、膜厚１２〜３０ｎｍ
において表面抵抗値が１００〜２０００Ω／□、より好
ましくは１４０〜２０００Ω／□の範囲を示す透明導電
層を用いることが好ましい。

【００６４】上記主として結晶質のインジウム酸化物か
らなる層には、透明性向上、表面抵抗値の調整等の目的
で、酸化錫、酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウ
ム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛等の金属酸化物を１種
または２種以上添加することが出来る。特に、結晶質の
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）は透明性、導電性が優れ
ており好ましく用いられる。

【００６５】上記結晶粒径が２０００nm以下の主として
結晶質のインジウム酸化物からなる層を得る方法の一例
として、結晶質のインジウム錫酸化物膜を得る方法を以
下に示す。先ず微小な結晶核を含む非晶質のインジウム
錫酸化物膜をスパッタリング法、イオンプレーティング
法、真空蒸着法、等の公知のPVD法を用いて積層する。
次に、１００〜１５０℃の温度でアニール処理を行い微
小な結晶核を中心として結晶成長させる。ＰＶＤ法によ
る形成条件に依存して、例えば、最小粒径１０ｎｍで最
大粒径３００ｎｍの範囲に結晶粒径が分布している膜や
最小粒径２５０ｎｍで最大粒径２０００ｎｍの範囲に結
晶粒径が分布している膜が得られる。この様な膜を本発
明の透明導電層として用いることによりペン入力耐久性
が向上することから、結晶粒径が分布する様な膜構造で
あるためにペン入力時に透明導電層にかかる応力が結晶
粒界で緩和され、透明導電層自体の膜強度が向上してい
ることが推測される。ここで結晶粒径とは、透過型電子
顕微鏡（TEM）下で観察される多角形状又は長円状の各
領域における対角線又は直径の中で最大のものと定義す
る。

【００６６】上記透明導電層（Ｆ）は、前記したように
ハードコート層（Ｄ）、架橋重合体層（Ｇ）、（Ｅ）の
少なくとも一層中に微粒子を含有させることにより、透
明導電層（Ｆ）の表面に微小な凹凸が形成され、上記干
渉縞の発生及び引っ付き現象を抑制することができる。
表面の凹凸の状態は、微粒子を含有するハードコート層
（Ｄ）、架橋重合体層（Ｇ）あるいは（Ｅ）の表面形状
と同様になる。例えば、ハードコート層（Ｄ）中に微粒
子を含有させる場合には、透明導電層の表面の形状は、
通常、平均突起高さが０．３〜１μmの範囲であり、か
つ突起密度が３５０〜１８００個／ｍｍ²の範囲である
ものが好適である。

【００６７】

【実施例】以下、実施例にて本発明を更に詳細に説明す
るが、ペン入力耐久性、ヤング率、光学特性、高温高湿
信頼性の評価方法は下記の通りである。ペン入力耐久性 本発明の透明導電性積層体を可動電極基板、硝子電極基
板を固定電極基板としたタッチパネルを作製する。但
し、実施例３では本発明の透明導電性積層体を固定電極
基板として用いた。次に、先端が０．８Ｒのポリアセタ
ール製ペンを用いて、タッチパネルの可動電極基板の外
面中央部を対角線方向に摺動する。摺動速度２００ｍｍ
／秒。ストローク４０ｍｍ。ペン荷重は４．９Ｎ。５万
回往復毎にリニアリティを測定する。リニアリティが
１．５％を超えない範囲での最大摺動回数をペン入力耐
久性と定義する。

【００６８】なお、リニアリティの測定方法は、以下の
通りである。可動電極基板上又は固定電極基板上の平行
電極間に直流電圧５Ｖを印加する。平行電極と垂直の方
向に５mm間隔で電圧を測定する。測定開始位置Ａの電圧
をＥＡ、測定終了位置Ｂの電圧をＥＢ、Ａからの距離Ｘ
における電圧実測値をＥＸ、理論値をＥＴ、リニアリテ
ィをＬとすると、 ＥＴ＝（ＥＢ−ＥＡ）・Ｘ／（Ｂ−Ａ）＋ＥＡ Ｌ（％）＝（│ＥＴ−ＥＸ│）／（ＥＢ−ＥＡ）・１０
０

【００６９】ヤング率 超微小押し込み硬さ試験機（Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔａ
ｔｉｏｎ Ｔｅｓｔｅｒ、株式会社エリオニクス製、Ｅ
ＮＴ−１１００ａ）を用いて測定する。透明弾性層の表
面に三角錐圧子（稜間角１１５度、ダイヤモンド）を荷
重１５ｍｇｆ（１４７μN）で0．5μmの深さまで押し込
み、除荷した時のグラフの傾きよりヤング率を計算す
る。

【００７０】光学特性 自記分光光度計（株式会社日立製作所製、Ｕ−４０００
形）を用いて、透明導電性積層体の波長３８０〜７８０
ｎｍにおける透過率を測定し、標準の光をＤ₆₅としてｂ
＊値を計算する。また、透明導電性積層体の透明導電層
と反対面に艶消し黒色ラッカー塗った後、透明導電層表
面の波長４５０〜６５０ｎｍにおける反射率を測定し、
平均反射率を計算する。

【００７１】高温高湿信頼性 透明導電性積層体の表面抵抗値Ｒ１を測定後、６０℃９
０％ＲＨの環境下に２５０ｈｒ放置して室内に取り出し
た後の表面抵抗値Ｒ２を測定し、表面抵抗値の変化率Ｒ
２／Ｒ１を計算する。

【００７２】［実施例１、実施例４、比較例１］図１
は、実施例１又は４、図２は比較例１の透明導電性積層
体を用いたタッチパネルである。図中１はガラス基板、
２と１０は透明導電層、３はドットスペーサ、４と６は
ポリエチレンテレフタレートフィルム、５は透明弾性
層、７と８はハードコート層、９は架橋重合体層を示
す。そして、実施例１又は４の透明導電性積層体を用い
たタッチパネルはガラス基板１、透明導電層２とドット
スペーサ３とによって固定電極基板が構成され、ポリエ
チレンテレフタレートフィルム４と６、透明弾性層５、
ハードコート層７と８、架橋重合体層９、透明導電層１
０とによって可動電極基板が構成される。比較例１の透
明導電性積層体を用いたタッチパネルはガラス基板１、
透明導電層２とドットスペーサ３とによって固定電極基
板が構成され、ポリエチレンテレフタレートフィルム４
と６、透明弾性層５、ハードコート層７と８、透明導電
層１０とによって可動電極基板が構成される。

【００７３】こうしたタッチパネルを作製するために、
先ず厚さ１．１ｍｍのガラス基板１の両面にディップコ
ーティング法によりＳｉＯ₂膜を設けた後、スパッタリ
ング法により厚さ１８ｎｍのＩＴＯ膜を透明導電層２と
して設けることによりガラス電極基板を作製した。次
に、ＩＴＯ膜上に高さ７μｍ、直径７０μｍ、ピッチ
１．５ｍｍのドットスペーサ３を設けることにより、ガ
ラス電極基板からなる固定電極基板を作製した。

【００７４】一方、透明高分子フィルム４用及び透明基
材６用として、厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルム（帝人株式会社製 ＯＦＷ）を用意した。

【００７５】該ポリエチレンテレフタレートフィルムの
片面にγ−アミノプロピルトリエトキシシランの加水分
解により生成したオリゴマーからなる成分を１％含有す
る塗工液を塗布後１３０℃で５分間乾燥することにより
プライマー処理を行なった。続いてプライマー処理した
面にポリジメチルシロキサンからなるシリコーン樹脂成
分を含有する塗工液Ａを用いて厚さ３０μmの透明弾性
層５を設けた。該透明弾性層５のヤング率は１．４×１
０⁸Ｐａであった。なお、同様な方法で測定した塗工層
無しのポリエチレンテレフタレートフィルムのヤング率
は５．４×１０ ⁹Ｐａであった。該透明弾性層５上に他
のポリエチレンテレフタレートフィルムのプライマー処
理面を貼り合せ、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、透明弾性層、ポリエチレンテレフタレートフィルム
からなる積層体Ｒを作製した。

【００７６】次に、ハードコート層７及び８を形成する
ために、ポリエステルアクリレート（東亜化学株式会社
製 アロニックスＭ８０６０）５０重量部、ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート（日本化薬株式会社製
ＤＰＨＡ）５０重量部、光開始剤（チバガイギー社製
イルガキュア１８４）７重量部、希釈剤として1−メ
トキシ−2−プロパノール２００重量部からなる塗工液
Ｂを用意した。該積層体Ｒの片面に該塗工液Ｂを塗付し
６０℃で１分間乾燥後、強度１６０ｗ／ｃｍの高圧水銀
灯を用いて積算光量４５０ｍＪ／ｃｍ²の条件で塗工膜
を硬化させることにより厚さ約３μｍのハードコート層
７を設けた。同様にして、該積層体Ｒのハードコート層
７と反対面にハードコート層８を設けることにより、ハ
ードコート層７、ポリエチレンテレフタレートフィルム
６、透明弾性層５、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム４、ハードコート層８からなる積層体Ｓを作製した。

【００７７】次に、架橋重合体層９用塗工液Ｃを以下の
手順で準備した。即ち、水７２０重量部と２−プロパノ
ール１０８０重量部と酢酸４６重量部を混合した後に、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化
学工業株式会社製 ＫＢＭ４０３）４８０重量部とメチ
ルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製 ＫＢ
Ｍ１３）２４０重量部とＮ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会
社製 ＫＢＭ６０３）１２０重量部を順次混合し、３時
間攪拌して前記アルコキシシラン混合液の加水分解、部
分縮合を行い、さらに２−プロパノールと１−メトキシ
−２−プロパノールの重量比率１：１の混合溶媒で希釈
して架橋重合体層９用塗工液Ｃを作製した。該塗工液Ｃ
を該積層体Ｓのハードコート層８上に塗付し、１３０℃
で５分間熱処理して、膜厚約３５ｎｍの架橋重合体層９
を設けることにより、ハードコート層７、ポリエチレン
テレフタレートフィルム６、透明弾性層５、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム４、ハードコート層８、架橋
重合体層９からなる積層体Ｔを作製した。

【００７８】先ず、前記積層体Ｔの架橋重合体層９上に
結晶質のＩＴＯ膜からなる膜厚が約２０ｎｍの透明導電
層１０を以下の方法で積層して実施例１又は４の可動電
極基板を作製した。すなわちターゲットとして酸化イン
ジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度が９
８％のＩＴＯターゲットを用いた。ＤＣマグネトロンス
パッタ装置内に前記積層体Ｔをセットした後排気を行
い、ついでＡｒガスを導入し、雰囲気圧力が０．２７Ｐ
ａになる様に調整した。そして基板温度が０℃、投入電
力密度が２Ｗ／ｃｍ²の条件で、酸素分圧を０．００３
〜０．０１Ｐａの範囲で調整しながらスパッタリングを
行い、前記架橋重合体層９上にＩＴＯ膜を積層した。し
かる後、１５０℃の熱風乾燥機中で９０分間熱処理する
ことにより結晶質のＩＴＯ膜とした。実施例１の透明導
電性積層体の透明導電層は、最小粒径２５０ｎｍで最大
粒径１４００ｎｍの範囲に結晶粒径が分布している結晶
質のＩＴＯ膜であり、表面抵抗値は約１７０Ω／□であ
った。また、実施例４の透明導電性積層体の透明導電層
は、最小粒径１０ｎｍで最大粒径２８０ｎｍの範囲に結
晶粒径が分布しているＩＴＯ膜であり、表面抵抗値は約
２８０Ω／□であった。

【００７９】次に、前記積層体Ｓのハードコート層８上
に非晶質のＩＴＯ膜からなる膜厚が約２５ｎｍの透明導
電層１０を以下の方法で積層して比較例１の可動電極基
板を作製した。すなわちターゲットとしてインジウムと
錫の重量比９５：５の組成のインジウム錫合金ターゲッ
トを用いた。ＤＣマグネトロンスパッタ装置内に前記積
層体Ｓをセットした後排気を行い、ついでＡｒとＯ₂の
体積比７５：２５の混合ガスを導入し、雰囲気圧力が
０．６７Ｐａになる様に調整した。そして基板温度が５
０℃、投入電力密度が１．６Ｗ／ｃｍ²の条件でスパッ
タリングを行い、前記ハードコート層８上にＩＴＯ膜を
積層した。しかる後、１５０℃の熱風乾燥機中で６０分
間熱処理した。熱処理後のＩＴＯ膜は非晶質であった。
比較例１の透明導電性積層体の表面抵抗値は約５００Ω
／□であった。

【００８０】実施例１又は４の透明導電性積層体からな
る可動電極基板とガラス電極基板からなる固定電極基板
と組み合わせて、図１に示すタッチパネルを作製した。
比較例１の透明導電性積層体からなる可動電極基板とガ
ラス電極基板からなる固定電極基板と組み合わせて、図
２に示すタッチパネルを作製した。なお、本図は構成の
一部を示す概念図であり、周囲の絶縁層、粘着層、外部
への引き出し回路は省略してある。ペン入力耐久性の試
験結果を表１に示す。

【００８１】［実施例２］図３は、実施例２の透明導電
性積層体を用いたタッチパネルである。図中１はガラス
基板、２と１０は透明導電層、３はドットスペーサ、４
と６はポリエチレンテレフタレートフィルム、５は透明
弾性層、７と８はハードコート層、９と１１は架橋重合
体層を示す。そして、ガラス基板１、透明導電層２とド
ットスペーサ３とによって固定電極基板が構成され、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム４と６、透明弾性層
５、ハードコート層７と８、架橋重合体層９と１１、透
明導電層１０とによって可動電極基板が構成される。

【００８２】こうしたタッチパネルを作製するために
は、実施例１と同様にしてガラス電極基板からなる固定
電極基板を作製した。

【００８３】次に、実施例１と同様にして、ハードコー
ト層７、ポリエチレンテレフタレートフィルム６、透明
弾性層５、ポリエチレンテレフタレートフィルム４、ハ
ードコート層８からなる積層体Ｓを作製した。

【００８４】ついて、架橋重合体層１１用塗工液Ｄを以
下の手順で準備した。即ち、テトラブトキシチタネート
（日本曹達株式会社製 Ｂ−４）をリグロインとブタノ
ールの混合溶媒で希釈して架橋重合体層１１用の塗工液
Ｄとした。該積層体Ｓのハードコート層８上に、該架橋
重合体層１１用塗工液Ｄを塗付し、１３０℃で２分間熱
処理して、膜厚約４１ｎｍの架橋重合体層１１を形成し
た。

【００８５】つづいて、実施例１と同様にして、架橋重
合体層９用の塗工液Ｃを、架橋重合体層１１上に塗付
し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約３５ｎｍの架
橋重合体層９を形成した。

【００８６】さらに、前記架橋重合体層９上に実施例１
と同様にして、膜厚が約２０ｎｍで、最小粒径２５０ｎ
ｍ、最大粒径１４００ｎｍの範囲に結晶粒径が分布して
いる結晶質のＩＴＯ膜からなる透明導電層１０を積層し
て実施例２の可動電極基板を作製した。実施例２の透明
導電性積層体の表面抵抗値は約１８０Ω／□であった。

【００８７】実施例２の透明導電性積層体のｂ＊値は−
０．５、波長４５０〜６５０における平均反射率は４．
２％であった。

【００８８】実施例２の透明導電性積層体からなる可動
電極基板と上記ガラス電極基板からなる固定電極基板と
組み合わせて、図３に示すタッチパネルを作製した。な
お、本図は構成の一部を示す概念図であり、周囲の絶縁
層、粘着層、外部への引き出し回路は省略してある。ペ
ン入力耐久性の試験結果を表１に示す。

【００８９】［実施例３］図４は、実施例１の透明導電
性積層体からなる可動電極基板と実施例３の透明導電性
積層体からなる固定電極基板と組み合わせたタッチパネ
ルである。図中３はドットスペーサ、４と６はポリエチ
レンテレフタレートフィルム、５は透明弾性層、７と８
はハードコート層、９と１１は架橋重合体層、１０は透
明導電層、１２は微粒子を含有するハードコート層、１
３はポリカーボネートシートを示す。そして、ポリカー
ボネートシート１３、透明弾性層５、ポリエチレンテレ
フタレートフィルム４、微粒子を含有するハードコート
層１２、架橋重合体層９と１１、透明導電層１０とドッ
トスペーサ３とによって固定電極基板が構成され、ポリ
エチレンテレフタレートフィルム４と６、透明弾性層
５、ハードコート層７と８、架橋重合体層９、透明導電
層１０とによって可動電極基板が構成される。

【００９０】こうしたタッチパネルを作製するために、
透明高分子フィルム４用として、厚さ７５μｍのポリエ
チレンテレフタレートフィルム（帝人株式会社製 ＯＦ
Ｗ）を用意した。

【００９１】次に、微粒子を含有するハードコート層１
２を形成するために、実施例１のハードコート層用塗工
液Ｂに、更に微粒子として、平均粒径が約３μｍのシリ
コーン架橋微粒子（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製 ト
スパール１３０）を樹脂成分１００部に対して０．７部
添加することにより微粒子を含有するハードコート層１
２用塗工液Eを得た。ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの片面に、該塗工液Eを、硬化後の厚さが約２μｍ
になる様に塗付し、６０℃で１分間乾燥後、強度１６０
ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を用いて積算光量４５０ｍＪ／ｃ
ｍ²の条件で塗工膜を硬化させることにより微粒子を含
有するハードコート層１２を設けた。微粒子を含有する
ハードコート層１２の表面の平均突起高さは、０．５μ
ｍ、突起密度は８００個／ｍｍ²であった。

【００９２】ついで、微粒子を含有するハードコート層
１２上に、実施例２で用いた架橋重合体層１１用塗工液
Ｄを塗布し、１３０℃で２分間熱処理して、膜厚約４１
ｎｍの架橋重合体層１１を形成した。

【００９３】つづいて、実施例１と同様にして、架橋重
合体層９用の塗工液Ｃを、架橋重合体層１１上に塗付
し、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約３５ｎｍの架
橋重合体層９を形成した。

【００９４】さらに、前記架橋重合体層９上に実施例１
と同様にして膜厚が約２０ｎｍで、最小粒径２５０ｎ
ｍ、最大粒径１４００ｎｍの範囲に結晶粒径が分布して
いる結晶質のＩＴＯ膜からなる透明導電層１０を積層す
ることにより、ポリエチレンテレフタレートフィルム
４、微粒子を含有するハードコート層１２、架橋重合体
層１１、架橋重合体層９、透明導電層１０からなる積層
体Ｕを作製した。該積層体Ｕの透明導電層の表面抵抗値
は約１８０Ω／□であった。

【００９５】次に透明基材１３用として、厚さ１．１ｍ
ｍのポリカーボネートシート（帝人化成株式会社製 パ
ンライト）を用意した。実施例１と同様にしてポリカー
ボネートシートの片面をプライマー処理後、プライマー
処理面に厚さ３０μmの透明弾性層５を設けた。上記積
層体Ｕの透明導電層を形成したのと反対面をプライマー
処理後、該透明弾性層５上に貼り合せることにより実施
例３の透明導電性積層体を作製した。次に、ＩＴＯ膜上
に高さ７μｍ、直径７０μｍ、ピッチ１．５ｍｍのドッ
トスペーサ３を設けることにより、実施例３透明導電性
積層体からなる固定電極基板を作製した。

【００９６】実施例１の透明導電性積層体からなる可動
電極基板と実施例３の透明導電性積層体からなる固定電
極基板と組み合わせて、図４に示すタッチパネルを作製
した。なお、本図は構成の一部を示す概念図であり、周
囲の絶縁層、粘着層、外部への引き出し回路は省略して
ある。ペン入力耐久性の試験結果を表１に示す。

【００９７】［比較例２］図５は、比較例２の透明導電
性積層体を用いたタッチパネルである。図中１はガラス
基板、２と１０は透明導電層、３はドットスペーサ、１
４はポリエチレンテレフタレートフィルム、７と８はハ
ードコート層、９は架橋重合体層を示す。そして、ガラ
ス基板１、透明導電層２とドットスペーサ３とによって
固定電極基板が構成され、ポリエチレンテレフタレート
フィルム１４、ハードコート層７と８、架橋重合体層
９、透明導電層１０とによって可動電極基板が構成され
る。

【００９８】こうしたタッチパネルを作製するために、
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
（帝人株式会社製 ＯＦＷ）を用意した。

【００９９】次に、ポリエチレンテレフタレートフィル
ムの片面に実施例１のハードコート層７及び８用塗工液
Ｂを塗布し、６０℃で１分間乾燥後、強度１６０ｗ／ｃ
ｍの高圧水銀灯を用いて積算光量４５０ｍＪ／ｃｍ²の
条件で塗工膜を硬化させることにより厚さ約３μｍのハ
ードコート層７を設けた。同様にして、反対面にハード
コート層８を設けた。

【０１００】ついで、実施例１の架橋重合体層９用塗工
液Ｃをハードコート層８上に塗布し、１３０℃で５分間
熱処理して、膜厚約３５ｎｍの架橋重合体層９を形成し
た。

【０１０１】つづいて、比較例１と同様にして、前記架
橋重合体層９上に、膜厚が約２５ｎｍの非晶質のＩＴＯ
膜からなる透明導電層を積層した。比較例２の透明導電
性積層体の表面抵抗は約５００Ω／□であった。

【０１０２】比較例２の透明導電性積層体からなる可動
電極基板と実施例１のガラス電極基板からなる固定電極
基板と組み合わせて、図５に示すタッチパネルを作製し
た。なお、本図は構成の一部を示す概念図であり、周囲
の絶縁層、粘着層、外部への引き出し回路は省略してあ
る。ペン入力耐久性の試験結果を表１に示す。

【０１０３】［比較例３］図６は、比較例３の透明導電
性積層体を用いたタッチパネルである。図中１はガラス
基板、２と１０は透明導電層、３はドットスペーサ、１
４はポリエチレンテレフタレートフィルム、７と８はハ
ードコート層を示す。そして、ガラス基板１、透明導電
層２とドットスペーサ３とによって固定電極基板が構成
され、ポリエチレンテレフタレートフィルム１４、ハー
ドコート層７と８、透明導電層１０とによって可動電極
基板が構成される。

【０１０４】比較例２と同様にして、厚さ１８８μｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人株式会社製
ＯＦＷ）の片面に実施例１のハードコート層７及び８
用塗工液Ｂを塗布し、６０℃で１分間乾燥後、強度１６
０ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を用いて積算光量４５０ｍＪ／
ｃｍ²の条件で塗工膜を硬化させることにより厚さ約３
μｍのハードコート層７を設けた。同様にして、反対面
にハードコート層８を設けた。

【０１０５】次に、実施例１と同様にして、前記ハード
コート層８上に、膜厚が約２０ｎｍで、最小粒径２５０
ｎｍ、最大粒径１４００ｎｍの範囲に結晶粒径が分布し
ている結晶質のＩＴＯ膜からなる透明導電層１０を積層
することにより、比較例３の透明導電性積層体を得た。
透明導電層の表面抵抗値は約１８０Ω／□であった。

【０１０６】比較例３の透明導電性積層体からなる可動
電極基板と実施例１のガラス電極基板からなる固定電極
基板と組み合わせて、図６に示すタッチパネルを作製し
た。なお、本図は構成の一部を示す概念図であり、周囲
の絶縁層、粘着層、外部への引き出し回路は省略してあ
る。ペン入力耐久性の試験結果を表１に示す。

【０１０７】［比較例４］図２は比較例４の透明導電性
積層体を用いたタッチパネルである。図中１はガラス基
板、２と１０は透明導電層、３はドットスペーサ、４と
６はポリエチレンテレフタレートフィルム、５は透明弾
性層、７と８はハードコート層、９は架橋重合体層を示
す。そして、ガラス基板１、透明導電層２とドットスペ
ーサ３とによって固定電極基板が構成され、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム４と６、透明弾性層５、ハー
ドコート層７と８、透明導電層１０とによって可動電極
基板が構成される。

【０１０８】こうしたタッチパネルを作製するために、
比較例１と同様にして、ハードコート層７、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム６、透明弾性層５、ポリエチ
レンテレフタレートフィルム４、ハードコート層８から
なる積層体Ｓを作製した。

【０１０９】次に、該積層体Sのハードコート層８上に
実施例１と同様にして、膜厚が約２０ｎｍで、最小粒径
２５０ｎｍ、最大粒径１４００ｎｍの範囲に結晶粒径が
分布している結晶質のＩＴＯ膜からなる透明導電層１０
を積層することにより、比較例４透明導電性積層体を得
た。透明導電層の表面抵抗値は約１８０Ω／□であっ
た。

【０１１０】比較例４の透明導電性積層体からなる可動
電極基板と実施例１のガラス電極基板からなる固定電極
基板と組み合わせて、図２に示すタッチパネルを作製し
た。なお、本図は構成の一部を示す概念図であり、周囲
の絶縁層、粘着層、外部への引き出し回路は省略してあ
る。ペン入力耐久性の試験結果を表１に示す。

【０１１１】

【表１】

【０１１２】［実施例５、比較例５］実施例１と全く同
様にして実施例５の透明導電性積層体を得た。また、比
較例１と全く同様にして比較例５の透明導電性積層体を
得た。実施例５の透明導電性積層体及び比較例５の透明
導電性積層体の高温高湿信頼性を調べた結果を表２に示
す。

【０１１３】

【表２】

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１又は実施例４の透明導電性積層体を用
いたタッチパネルの模式図である。

【図２】比較例１又は比較例４の透明導電性積層体を用
いたタッチパネルの模式図である。

【図３】実施例２の透明導電性積層体を用いたタッチパ
ネルの模式図である。

【図４】実施例１及び実施例３の透明導電性積層体を用
いたタッチパネルの模式図である。

【図５】比較例２の透明導電性積層体を用いたタッチパ
ネルの模式図である。

【図６】比較例３の透明導電性積層体を用いたタッチパ
ネルの模式図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２、１０ 透明導電層 ３ ドットスペーサ ４、６、１４ ポリエチレンテレフタレートフィルム ５ 透明弾性層 ７、８ ハードコート層 ９、１１ 架橋重合体層 １２ 微粒子を含有するハードコート層 １３ ポリカーボネートシート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 優次 東京都日野市旭が丘４丁目３番２号 帝人 株式会社東京研究センター内 (72)発明者 白石 功 東京都日野市旭が丘４丁目３番２号 帝人 株式会社東京研究センター内 Ｆターム(参考） 4F100 AA17E AG00 AK01A AK01E AK42 AR00B AR00C BA05 BA07 BA10C BA10E BA26 CC00D DD07D DE01D DE01E EJ05E GB41 JA11E JK07B JL00 JN01A JN01B JN01C JN18E YY00D YY00E 5B087 BC03 BC22 CC06 5G307 FA01 FB01 FC02 FC06

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明高分子フィルム（Ａ）の少なくとも
   片面に透明導電層が積層された透明導電性積層体におい
   て、（１）該透明高分子フィルム（Ａ）の一方の面に該
   透明高分子フィルム（Ａ）よりヤング率が小さい透明弾
   性層（Ｂ）を介して透明基材（Ｃ）が積層され、（２）
   該透明高分子フィルム（Ａ）の透明基材（Ｃ）を積層し
   た側と反対面にハードコート層（Ｄ）、架橋重合体層
   （Ｅ）、結晶粒径が２０００nm以下の主として結晶質の
   インジウム酸化物からなる透明導電層（Ｆ）が順次積層
   され、（３）架橋重合体層（Ｅ）は該透明導電層（Ｆ）
   と接していることを特徴とする透明導電性積層体。
2. 【請求項２】 架橋重合体層（Ｅ）の厚さが２０〜１１
   ０ｎｍである、請求項１記載の透明導電性積層体。
3. 【請求項３】 架橋重合体層（Ｅ）が金属アルコキシド
   を加水分解並びに縮合重合してなる架橋重合体層であ
   る、請求項１または２記載の透明導電性積層体。
4. 【請求項４】 ハードコート層（Ｄ）と架橋重合体層
   （Ｅ）との間に、架橋重合体層（Ｅ）より屈折率の高い
   架橋重合体層（Ｇ）を有する、請求項１〜３のいずれか
   に記載の透明導電性積層体。
5. 【請求項５】 架橋重合体層（Ｇ）はその屈折率が１．
   ７以上で該透明導電層（Ｆ）の屈折率＋０．３以下の範
   囲にありその膜厚が２０〜９０ｎｍの範囲にあり、該架
   橋重合体層（Ｅ）はその屈性率が１．３５〜１．５の範
   囲にありその膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にあり、該
   透明導電層（Ｆ）は膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にあ
   り、そして架橋重合体層（Ｇ）、架橋重合体層（Ｅ）及
   び透明導電層（Ｆ）の光学膜厚の和が１８０〜２３０ｎ
   ｍの範囲である、請求項４記載の透明導電性積層体（こ
   こで光学膜厚は層の屈折率に膜厚を乗じた値である）。
6. 【請求項６】 架橋重合体層（Ｇ）及び（Ｅ）が、主と
   して金属アルコキシドを加水分解並びに縮合重合してな
   る架橋重合体層である請求項４または５の透明導電性積
   層体。
7. 【請求項７】 ハードコート層（Ｄ）が平均粒径２〜４
   μｍの微粒子を含有し、かつハードコート層の表面にお
   ける平均突起高さが０．３〜１μmの範囲でありかつ突
   起密度が３５０〜１８００個／ｍｍ²の範囲である、請
   求項１〜６のいずれかに記載の透明導電性積層体。
8. 【請求項８】 ハードコート層（Ｄ）が実質的に微粒子
   を含有せず、架橋重合体層（Ｇ）及び（Ｅ）の少なくと
   も一方に平均粒径が、架橋重合体層（Ｇ）及び（Ｅ）の
   合計膜厚の１．１倍以上でかつ１．２μｍ以下である微
   粒子を含有する、請求項１〜６のいずれかに記載の透明
   導電性積層体。
9. 【請求項９】 少なくとも片面に透明導電層が設けられ
   た２枚の透明電極基板が、互いの透明導電層同士が向か
   い合う様に配置されて構成されたタッチパネルにおい
   て、少なくとも一方の透明電極基板として、請求項１〜
   ８のいずれかに記載の透明導電性積層体を用いたことを
   特徴とするタッチパネル。