JP2003086635A - 回路素子の実装方法 - Google Patents
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Abstract
を低減し、素子の実装密度を高める。 【解決手段】 基板10上に異方性導電膜14と回路素
子16を重ねて配置する。そして、回路素子16に接触
する面に柔軟な層22を有する加圧型により等方加圧
し、同時に加熱を行って回路素子16を基板10上に圧
着する。複数の集積回路チップの厚さの違いを柔軟層2
2が吸収するため、複数のチップに対し同時に加圧を行
うことができる。複数のチップの同時加熱により隣接チ
ップに関する熱影響を考慮しなくて良く、また等方加圧
により、異方性導電膜14の側方へのはみ出しを防止で
きる。これにより、回路素子16の間隔を狭めることが
でき、実装密度を高めることができる。
Description
どの回路素子を基板上に実装する方法に関する。
て、基板と回路素子の間に接着性のあるフィルムを配置
し、回路素子を基板に向けて加圧、加熱し、圧着実装す
る方法が知られている。前記接着フィルムとして熱硬化
性の異方性導電膜を用いることがあり、この場合、素子
の接着と配線を同時に行うことができる。その工程を説
明すれば、まず、基板上の、回路素子搭載位置に異方性
導電膜を載置し、その上に回路素子を置く。異方性導電
膜の表面は接着性を有しており、回路素子を置く際にわ
ずかに押圧することによって、回路素子は仮固定または
仮圧着される。回路素子には、外部と電気的な接続を行
うためのバンプと呼ばれる電極が突設されている。素子
を載置した際の、基板上の前記バンプに対向する位置に
は、配線が位置している。回路素子が基板上に載置され
た状態で、これを加圧すると、前記バンプと配線は、周
囲より飛び出しているために、これらの間の異方性導電
膜がより加圧され、導通する状態となる。また、加熱に
よって異方性導電膜が基板と回路素子を接着され、本圧
着が行われる。
圧対象となる素子の面とほぼ同じ先端の面積を有する加
圧棒であり、この加圧棒に発熱体を設けることにより、
加熱も行っている。
装置においては、硬質の加圧棒の先端で加圧を行ってお
り、異方性導電膜などの接着フィルムの厚みが均一でな
い場合など回路素子が傾いて置かれ、全体に等しい圧力
で加圧できず、電気的な接続に不良が発生する場合があ
るという問題があった。
りはみ出し、これを見込んで隣接する回路素子同士を離
して配置する必要があり、実装密度を高められないとい
う問題があった。
が異なり、この厚みによって加圧棒のストロークが変わ
ってくる。よって、回路素子を一つずつ加圧、加熱を行
わなければならず、工数がかかるという問題があった。
に、隣接する未圧着の回路素子およびこれに対応する接
着フィルムに熱が伝わるのを防ぐために、回路素子同士
を離して配置する必要があり、実装密度を高められない
という問題があった。
たものであり、回路素子の実装密度を向上させることを
一つの目的とし、また実装にかかる工程を短縮すること
を他の目的とする。
めに、本発明にかかる回路素子の実装方法は、基板上に
接着フィルムと回路素子を重ねて配置し、チップに接触
する面に柔軟な層を有する加圧型により加圧して基板上
に圧着する。
り、回路素子に対し均等な圧力を加えることができ、よ
り確実に接合することができる。また、複数の回路素子
に厚さの違いがあったとしても、この違いを柔軟な層が
吸収するため、複数の素子に対し同時に加圧を行うこと
ができる。
ルムとした場合、前記の加圧と同時に加圧型により加熱
を行って、樹脂を硬化させ接着を行うようにすることが
できる。前述のように複数の回路素子を同時に加圧、加
熱することができるので、隣接する未加熱の回路素子お
よび接着シートに対する熱影響を考慮することがなくな
る。これにより、素子間隔を詰めた配置とすることがで
き、実装密度を高めることができる。
ている接着フィルムと回路素子の、加圧型に対向する面
および側面に密着して周囲全体より加圧する等方加圧を
行うように、その柔らかさ、厚さなどが設定されている
ことが好ましい。等方加圧を行うことによって、異方性
導電膜の側方からのはみ出しを防止することができる。
これにより、集積回路チップの間隔を詰めた配置をする
ことができ、実装密度を高めることができる。
実施形態という)を、図面に従って説明する。図1は、
本実施形態の集積回路チップなどの回路素子の実装方法
を説明するための図である。図1(a)に示すように、
基板10の表面には、所定のパターンで、配線12が形
成されている。基板10上に、接着用および配線用とし
ての熱硬化性の異方性導電膜14と回路素子16を所定
位置に配置する。回路素子16の基板10に対向する面
(図において下面)には、電気的な接点となるバンプ1
8と呼ばれる***が設けられている。配線12とバンプ
18は、異方性導電膜14を挟んで対向する位置にあ
る。言い換えれば、回路素子16の実装位置に基づき配
線12を設ける位置が決定されている。
の、回路素子16等に接触する部分に設けられた柔軟層
22を、回路素子16の表面に接触させる。そして、加
圧型をさらにストロークさせ、柔軟層22を図中矢印で
示すように、回路素子16や異方性導電膜14の側方へ
と回り込ませる。
回路素子16および異方性導電膜14を一体に、その周
囲、図においては上方および側方より加圧する、いわゆ
る等方加圧を行う。前述のように配線12およびバンプ
18は、各々が配置された面より***しており、加圧さ
れることによって、これらの配線12,バンプ18で挟
まれた異方性導電膜14の部分がより圧縮され、この圧
縮された部分が導電性を有するようになり、配線12と
バンプ18の間が導通状態となる。また、加圧型には、
ヒータ54,84(図2参照)が備えられ、これからの
熱により異方性導電膜14が硬化し、回路素子16が圧
着される。
装置の概略構成を示す図である。本装置は、上型30、
下型32およびサイド型34によって、加圧対象となる
基板10、回路素子16等がその中に載置されるキャビ
ティ36を形成している。上型30を下型32に向けて
移動することによって、キャビティ36内の加圧対象に
圧力を付与する。すなわち、上型30と下型32とで基
板10およびそれに重ねて載置された異方性導電膜1
4、回路素子16を挟持、加圧する。
結合される上型本体46を含み、上型本体46の先端に
は、さらに加熱板48および加圧パッド50が固定され
ている。加熱板48は、穴付きボルト52によって上型
本体46に固定されている。また、その内部には、ヒー
タ54が設けられている。ヒータ54の加熱により加熱
板48の温度が上昇し、これが加圧パッド50を介し
て、加圧対象物に伝達される。
いる背板56およびゴム板58を含む多層構造を有す
る。背板56には、つり下げピン62がねじ結合してお
り、つり下げピン62は、上型本体46に形成された穴
64に挿入され、側方からのボルト66により固定され
ている。背板56の側面のサイド型34に接する部分に
は、キャビティ36内を減圧するために、型どうしのシ
ールを行うためのOリング63が配置されている。ゴム
板58は、図1に示した柔軟層22に対応し、回路素子
16や異方性導電膜14を周囲より加圧することができ
るような柔軟性を有している。また、ゴム板58は、そ
の弾性により、回路素子圧着後、加圧状態から開放され
ると、図示するような平板状に戻り、次回の加圧も同様
に行うことができる。
路素子16の上面が基板に対して平行でない場合など、
この歪みを吸収して全体に均一な加圧を行うために機能
する。例えば、回路素子16の上面が、上型30の先端
面と平行でなかった場合、ゴム板58がなく、上型30
が剛に形成されていれば、回路素子16の最も高い部分
に大きな圧力が加わることになる。ゴム板58を設ける
ことによって、回路素子16の傾きを吸収することがで
きる。すなわち、ゴム板58は、回路素子16の傾きを
吸収できる程度に柔軟な層として機能する。したがっ
て、この柔軟な層は、要求される柔軟性を有するもので
あれば、ゴムに代えて、他の材料で構成することができ
る。本実施形態では、特に、耐熱性を考慮してシリコン
ゴムによりゴム板58を形成しているが、他の種類のゴ
ム、および前述のように他の材料を用いることも可能で
ある。
は、バックアップリング68が配置される。バックアッ
プリング68は、ゴム板58の縁に形成された環状の肩
部を埋めるような形状を有する。バックアップリングの
外周面は、サイド型34の内側面に当接する。これによ
って、ゴム板58が圧力によって型どうしの隙間から漏
れ出すことを阻止している。また、ゴム板58の縁の部
分を窪ませて肩部を形成し、この肩部を埋めるようにバ
ックアップリング68を配置したことにより、圧力が加
えられたゴム板58自体が、バックアップリング68の
背後から、これをサイド型34の方向へ押しつける力を
加えるようになる。これによって、より強固にシールす
ることができる。
2を介して上型30につり下げ支持されている。サイド
型34は、加圧パッド50およびキャビティ36の側方
を取り囲むような環形状を有している。流体圧シリンダ
72は、加圧成形時において、サイド型34を下型32
に向けて押し、これらを密着させる。このとき、流体圧
シリンダ72は、反作用として上型30を押し上げよう
とするが、上型30を下方に押すプレス力は、流体圧シ
リンダ72の力に対して十分大きく、プレス力が実質的
に減少することはない。サイド型34の内部には、ガス
などをキャビティ36外に排出するための排気孔74が
形成されている。サイド型34の外周に沿って、環形状
のシール枠76が固定されている。このシール枠76
は、当接片79と共に、キャビティ36を含む、型によ
り略囲まれた空間を外部からシールするシール構造を形
成する。
体78を有し、下型本体78はテーブル80上に固定さ
れた加熱板82上に載置される。加熱板82の内部に
は、ヒータ84が設けられており、ヒータの84の発生
する熱が、加熱板82と下型本体78を介して基板10
および異方性導電膜14に伝達される。下型本体78の
側方には、シール枠76の内側面に当接する環状の当接
片79が固定されている。
86が形成されている。下型本体78と脚部86全体と
して、テーブル80の加熱板82をまたぐ形状となって
いる。脚部86には、テーブル80上に形成されたレー
ル88の上面に当接し、下型32の図2における上下位
置を規定する上下ローラ90が回動可能に支持されてい
る。さらに、脚部86には、レール88の側面に当接
し、下型32の図2における左右位置を規定する左右ロ
ーラ92が回動可能に支持されている。
載置された回路素子16と異方性導電膜14の周囲より
加圧を行うので、異方性導電膜14が周囲にはみ出す量
を抑えることができる。例えば、図3に示すように、回
路素子16の上面からのみ加圧棒24で押圧する場合、
異方性導電膜14が周囲にはみ出す。このはみ出す量を
見込んで、隣接する回路素子16等の実装部品の間隔d
を開けておく必要があり、従来、これが一つの制約とな
って実装密度が高められなかった。本実施形態によれ
ば、異方性導電膜14のはみ出しを抑えることができる
ので、実装部品間の間隔を狭めることができ、実装密度
を高めることができる。
等を同時に加圧することができる。図4(a)に示すよ
うに、従来は、厚さの異なる回路素子16-1,16-2を
圧着する場合、硬い加圧型で加圧すると、チップごとに
圧力が異なってしまうので、チップ一つ一つを順に加
圧、加熱する必要があった。しかし、本実施形態によれ
ば、図4(b)に示すように、加圧型が柔軟な層22を
有しているため、チップの厚さによる段差を吸収するこ
とができ、ほぼ等しい圧力で圧着を行うことができる。
これにより、実装の工数を大きく削減できる。
して圧着する場合、圧着中のチップの近傍の未圧着のチ
ップおよび異方性導電膜14に、圧着のための熱が伝わ
ってしまい、圧着前に異方性導電膜14が硬化してしま
う場合があった。これを防止するために、従来は、熱の
影響が隣接するチップ等に及ばないように、集積回路チ
ップ間の間隔を開けておく必要があり、これが一つの制
約となって、実装密度が高められなかった。本実施形態
においては、複数の回路素子16を同時に加熱圧着する
ことができるので、この面からも実装密度の向上に寄与
する。
の例の概略構成を示す図である。この加圧装置は、基板
100の表裏に回路素子102を実装する場合に適した
装置である。基板100を挟んだ上方と下方の構成は、
ほぼ基板に対し対称であり、以下においては、上側、下
側において同一の構成要素には、同一の符号を用い、特
に、これらの区別が必要な場合においては、それぞれ符
号にA、Bを付与して説明する。
2を挟持、加圧する加圧型104と、加圧型104の側
方を取り囲むように位置し、また基板100の端部を支
持するサイド型106を有する。加圧型104は、図示
しない流体圧ピストンに結合される加圧型本体108を
含み、加圧型本体108の先端には、さらに加熱板11
0および加圧パッド112が固定されている。加熱板1
10は、穴付きボルトによって加圧型本体108に固定
されている。また、その内部には、ヒータ114が設け
られている。ヒータ114の加熱により加熱板110の
温度が上昇し、これが加圧パッド112を介して、加圧
対象物に伝達される。
するゴム板で構成され、加熱板110に接着固定されて
いる。加圧型本体108の側面の、サイド型106に接
する部分には、上下の加圧型104およびサイド型10
6により囲まれて形成されるキャビティを減圧するため
に、型どうしのシールを行うためのOリング116が配
置されている。
された回路素子102の、当該パットが接触する面が基
板に対して平行でない場合、また複数の回路素子102
の厚さが揃っていない場合など、これらの不揃いを吸収
して全体に均一な加圧を行うために機能する。すなわ
ち、加圧パッド112は、回路素子102の傾き、チッ
プ間の厚さの不揃いを吸収できる程度に柔軟な層、すな
わち図1に示す柔軟層22として機能する。この柔軟な
層は、要求される柔軟性を有するものであれば、ゴムに
代えて、他の柔軟性材料で構成することができる。本実
施形態では、特に、耐熱性を考慮してシリコンゴムによ
り構成している。
により加圧型104よりつり下げ支持されている。支持
構造118は、先端にストッパ120を有し、サイド型
106の図中上下方向に案内するガイドロッド122
と、サイド型106がストッパ120に当接するよう
に、これを付勢するばね124を有する。また、上方の
サイド型106内には、型に囲まれた空間(キャビテ
ィ)からガスを抜くための排気孔126が設けられてい
る。また、上下の加圧型104A,104Bの移動を案
内するために、上方の加圧型本体108Aにはガイドロ
ッド128が、下方の加圧型本体108Bには前記ガイ
ドロッド128が挿入されるガイドシリンダ130が設
けられている。
基板の一方の面にのみ実装を行うのと同様、基板100
上に異方性導電膜と回路素子を重ねて配置する。基板1
00に上面に異方性導電膜を載置し、更に重ねて回路素
子を置く。この際、回路素子を軽く押圧して異方性導電
膜に押し付け、仮圧着を行う。基板100をひっくり返
し、同様にして、もう一方の面にも回路素子を仮圧着す
る。先に基板上に載置された回路素子については、仮圧
着されているので、基板をひっくり返したとしても脱落
することはない。
の内側の縁付近に設けられた肩部132に合わせて載置
する。そして、上下の加圧型104A,104Bを接近
させる方向に移動させる。まず、上下のサイド型106
A,106Bが当接する。さらに加圧型104A,10
4Bが接近すると、サイド型106A,Bは、相対的に
ガイドロッド122上を移動し、加圧型による加圧が妨
げられないようにする。そして、柔軟性を有する加圧パ
ッド112により、基板100、回路素子102を挟持
加圧する。また、同時にヒータ114により加熱し、前
述の異方性導電膜を硬化させて、回路素子102が実装
される。
ップを実装することができ、実装に要する工数を削減す
ることができる。また、前述の基板の1面にのみ実装す
る場合と同様、異方性導電膜のはみ出し、また未圧着の
ものに対する熱影響を防止し、これにより実装密度を向
上することができる。
用いて回路素子と基板上の配線の電気的な接続、および
回路素子の基板への接着を行ったが、単に接着のみ行う
場合においては、異方性導電膜に代えて導電機能を有さ
ない接着用のフィルムを用いることができる。例えば、
熱硬化性樹脂フィルムなどを用い、加熱と加圧によって
回路素子の実装を行うことができる。
明図である。
構成を示す図である。
説明するための図である。
の図である。
概略構成を示す図である。
ィルム)、16 回路素子、18 バンプ、22 柔軟
層、24 加圧棒。
Claims (5)
- 【請求項1】 回路素子を基板上に実装する方法であっ
て、 基板上に接着フィルムと、これに重ねて回路素子とを配
置する工程と、 前記載置された回路素子を、この素子に接触する面に柔
軟性を有する柔軟層を有する加圧型により加圧し、基板
上に圧着する工程と、を有する回路素子の実装方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の回路素子の実装方法で
あって、 前記接着フィルムは、熱硬化性樹脂フィルムであり、 前記回路素子を基板上に圧着する工程において、加圧と
同時に加熱を行って圧着する、回路素子の実装方法。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の回路素子の実
装方法において、前記回路素子を基板上に圧着する工程
は、前記柔軟層が、一体となった回路素子と接着フィル
ムの、前記加圧型に対向する面および側面全体に密着し
て等方加圧を行う、回路素子の実装方法。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の回路素
子の実装方法において、前記回路素子を基板上に圧着す
る工程は、複数の回路素子を同時に圧着するものであ
る、回路素子の実装方法。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の回路素
子の実装方法において、 前記回路素子を配置する工程は、基板の表裏両面にチッ
プを配置するものであり、 前記回路素子を圧着する工程は、基板の表裏両面のそれ
ぞれに対向して、柔軟層を有する加圧型を設け、これら
の加圧型により前記回路素子と共に基板を挟持して圧着
を行うものである、回路素子の実装方法。
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