JP2003084110A - Reflector, side light type back light device and reflector substrate - Google Patents
Reflector, side light type back light device and reflector substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、反射率、輝度が高
く輝度ムラの少ない反射体、さらにはこれを用いた液晶
表示装置などに適用されるサイドライト型のバックライ
ト装置および反射体用基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflector having high reflectance and high brightness and little unevenness in brightness, and a sidelight type backlight device and a substrate for a reflector applied to a liquid crystal display device using the same. Regarding
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶ディスプレイはこれまでのＣＲＴ
（Cathode Ray Tube）ディスプレイに比べ、薄型であり
省スペース化できること、また、低電圧で作動するこ
と、消費電力が少なく省エネルギー化できるなどの特徴
から、中小型機器のディスプレイを中心に広く用いられ
ている。2. Description of the Related Art The liquid crystal display is a conventional CRT.
(Cathode Ray Tube) Compared with displays, it is thin and space-saving, operates at low voltage, consumes less power, and saves energy. There is.
【０００３】現在広く使用されている液晶ディスプレイ
は、光源にバックライトを用いる透過型液晶ディスプレ
イである。この液晶ディスプレイにおける表示の見やす
さは、液晶自身の性能もさることながら、バックライト
の性能によるところも大きくなっている。バックライト
の方式は近年の液晶ディスプレイのさらなる軽量、薄型
化が必須事項となっていることや、輝度の均一性や、光
源からの熱が液晶パネルに伝達しにくいなどの理由よ
り、光源の前方に反射板を置く直下型ではなく、導光板
を用い、その一端に配置された光源からの光を多重反射
させることで面光源化するサイドライト式バックライト
が多く用いられている。A liquid crystal display that is widely used at present is a transmissive liquid crystal display that uses a backlight as a light source. The visibility of the display on the liquid crystal display depends not only on the performance of the liquid crystal itself but also on the performance of the backlight. In recent years, the backlight system requires lighter and thinner LCDs, the brightness is uniform, and heat from the light source is difficult to transfer to the LCD panel. Instead of a direct type in which a reflection plate is placed on, a side light type backlight is often used in which a light guide plate is used and a surface light source is obtained by multiple reflection of light from a light source arranged at one end thereof.
【０００４】導光板の下には、白色ＰＥＴ（ポリエチレ
ンテレフタレート）フィルム等からなる乱反射部材が配
設されている場合が多く、この乱反射部材で光を拡散さ
せることにより、均一な輝度を得ることが出来る。しか
しながら、この乱反射部材では、正反射成分が殆どない
ため、全体としては均一ではあるが十分な輝度は得るこ
とができないという問題がある。また、透明性または透
光性を有するＰＥＴフィルム上にアルミニウムを蒸着し
たシートを用いると、白色ＰＥＴに比べ輝度は向上する
ものの、拡散反射成分が無いため、シートの僅かな歪み
が輝度ムラに大きく影響してしまい、美しい画像を得る
ことができない。この問題を解決するため、表面を粗面
化したフィルムに金属を蒸着したシートが開発された
が、用いる金属にアルミニウムを使うと、耐久性は優れ
るがそれ程高い輝度が得られない。また、可視光域で最
も反射率の高い銀を使うと、十分な輝度が得られるもの
の、銀は耐久性が乏しい為、劣化が早く、輝度が経時的
に低下してしまうという問題があった。A diffuse reflection member made of a white PET (polyethylene terephthalate) film or the like is often provided under the light guide plate. By diffusing light with this diffuse reflection member, uniform brightness can be obtained. I can. However, this irregular reflection member has almost no regular reflection component, and thus there is a problem that sufficient brightness cannot be obtained although it is uniform as a whole. When a sheet obtained by vapor-depositing aluminum on a PET film having transparency or translucency is used, the brightness is improved as compared with white PET, but since there is no diffuse reflection component, slight distortion of the sheet causes a large unevenness in brightness. It will affect and you will not be able to get a beautiful image. In order to solve this problem, a sheet in which a metal is vapor-deposited on a film having a roughened surface has been developed. When aluminum is used as the metal used, the durability is excellent but the brightness is not so high. Further, when silver having the highest reflectance in the visible light region is used, sufficient brightness can be obtained, but since silver has poor durability, there is a problem that the deterioration is rapid and the brightness decreases with time. .
【０００５】[0005]
【本発明が解決しようとする課題】本発明は、高輝度で
耐久性に優れ、さらに反射体に歪みが発生した場合に、
その歪みによる輝度ムラを防止可能な反射体及び、該反
射体を組み込んだサイドライト型バックライト装置およ
び反射体用基板を提供することを課題とする。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides high brightness and excellent durability, and when distortion occurs in the reflector,
An object of the present invention is to provide a reflector capable of preventing uneven brightness due to the distortion, a sidelight type backlight device incorporating the reflector, and a substrate for the reflector.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するため鋭意検討した結果、適度な拡散反射率
を有する反射体を、導光板と反射体上の反射層との間に
特定の間隔をおいて導光板の下面に設置することで、輝
度ムラを解消もしくは著しく低減出来ることと高い輝度
を同時に実現出来ることとを見出した。具体的には、特
定の突起物を反射体に形成しスペーサーの機能も持たせ
ることで、輝度ムラを低減することが出来る。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies for solving the above problems, the present inventors have found that a reflector having an appropriate diffuse reflectance is provided between a light guide plate and a reflecting layer on the reflector. It was found that by installing on the lower surface of the light guide plate at a specific interval, it is possible to eliminate or significantly reduce the unevenness in brightness and to realize high brightness at the same time. Specifically, it is possible to reduce the uneven brightness by forming a specific projection on the reflector to have a function of a spacer.
【０００７】本発明は、少なくとも基板と反射層からな
る反射体であって、全反射率に対する拡散反射率の割合
（拡散率）が１％〜５０％であることを特徴とする反射
体である。The present invention is a reflector comprising at least a substrate and a reflective layer, wherein the ratio of the diffuse reflectance to the total reflectance (diffusivity) is 1% to 50%. .
【０００８】本発明に従えば、適度な反射率を有するこ
とで、液晶表示装置などのバックライトに備えた場合、
輝度ムラを解消もしくは著しく低減するとともに、高い
輝度を同時に実現することが可能である。According to the present invention, when it is provided for a backlight of a liquid crystal display device or the like by having an appropriate reflectance,
It is possible to eliminate or significantly reduce the brightness unevenness and simultaneously realize high brightness.
【０００９】また本発明は、前記基板が高分子フィルム
であることを特徴とする。本発明に従えば、形状の自由
度が高く、生産性も良好な反射体を実現できる。The present invention is also characterized in that the substrate is a polymer film. According to the present invention, a reflector having a high degree of freedom in shape and good productivity can be realized.
【００１０】また本発明は、波長５５０ｎｍにおける全
反射率が９０％以上、かつ、拡散反射率が１５％以下で
あることを特徴とする。本発明に従えば、人間の受光感
度に適した反射率を実現できる。Further, the present invention is characterized in that the total reflectance at a wavelength of 550 nm is 90% or more and the diffuse reflectance is 15% or less. According to the present invention, it is possible to realize a reflectance suitable for human's light receiving sensitivity.
【００１１】また本発明は、前記基板の前記反射層側に
最大幅０．１μｍ〜５０μｍ、高さ０．１μｍ〜４５μ
ｍの突起物を１ｍｍ2当たり２個以上１００個以下有す
ることを特徴とする。本発明に従えば、最適な反射率を
実現できる。According to the present invention, a maximum width of 0.1 μm to 50 μm and a height of 0.1 μm to 45 μm are provided on the reflective layer side of the substrate.
It is characterized by having two or more and 100 or less protrusions of m per 1 mm 2 . According to the present invention, the optimum reflectance can be realized.
【００１２】また本発明は、前記突起物の最大幅が１０
μｍ〜５０μｍ、高さが５μｍ〜４５μｍであることを
特徴とする。本発明に従えば、最適な反射率を実現でき
る。In the present invention, the maximum width of the protrusion is 10
It is characterized in that the height is 5 μm to 50 μm and the height is 5 μm to 45 μm. According to the present invention, the optimum reflectance can be realized.
【００１３】また本発明は、前記突起物は、平均粒子径
が０．１μｍ以上５０μｍ以下の粒子及びバインダー樹
脂を含有してなる塗工液を前記基板に塗布することによ
り形成されることを特徴とする。本発明に従えば、生産
性が良く、低コストで生産することができる。The present invention is also characterized in that the protrusions are formed by applying a coating liquid containing particles having an average particle size of 0.1 μm or more and 50 μm or less and a binder resin to the substrate. And According to the present invention, the productivity is good and the production can be performed at low cost.
【００１４】また本発明は、前記塗工液が、前記基板上
もしくは反射層上に塗布されることを特徴とする。本発
明に従えば、塗工液および基板の条件に応じて適切な突
起物を形成することができる。Further, the present invention is characterized in that the coating liquid is applied onto the substrate or the reflective layer. According to the present invention, appropriate protrusions can be formed according to the conditions of the coating liquid and the substrate.
【００１５】また本発明は、前記高分子フィルムは、微
粒子を含有させて形成した突起物を有することを特徴と
する。本発明に従えば、生産性が良く、低コストで生産
することができる。Further, the present invention is characterized in that the polymer film has projections formed by containing fine particles. According to the present invention, the productivity is good and the production can be performed at low cost.
【００１６】また本発明は、前記反射層が、（ａ）下地
層、（ｂ）銀を主体とする金属層、（ｃ）保護層を
（ａ）（ｂ）（ｃ）の順に積層してなるものであること
を特徴とする。本発明に従えば、反射性が高く、耐久度
に優れた反射体を形成することができる。In the present invention, the reflection layer is formed by laminating (a) a base layer, (b) a metal layer mainly containing silver, and (c) a protective layer in the order of (a), (b) and (c). It is characterized by being According to the present invention, a reflector having high reflectivity and excellent durability can be formed.
【００１７】また本発明は、（ａ）下地層は、金、銅、
ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、モリブデン、
タンタル、クロム、インジウム、マンガン、チタン、も
しくは、パラジウムから選ばれた金属の単体および／ま
たはこれらの２種以上からなる合金で、厚さが５ｎｍ以
上５０ｎｍ以下の金属層および／または透明酸化物で、
厚さが１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の透明酸化物層であるこ
とを特徴とする。本発明に従えば、十分なバリヤー効果
が得られ、銀を主体とする金属層形成時に凝集が発生せ
ず、また基板と反射層との密着性にも優れる。According to the present invention, (a) the underlayer is made of gold, copper,
Nickel, iron, cobalt, tungsten, molybdenum,
A single metal selected from tantalum, chromium, indium, manganese, titanium, or palladium and / or an alloy composed of two or more of these, and a metal layer having a thickness of 5 nm to 50 nm and / or a transparent oxide. ,
The transparent oxide layer has a thickness of 1 nm or more and 20 nm or less. According to the present invention, a sufficient barrier effect is obtained, aggregation does not occur at the time of forming a metal layer composed mainly of silver, and the adhesion between the substrate and the reflective layer is excellent.
【００１８】また本発明は、（ｂ）銀を主体とする金属
層が、銀単体或いは、不純物として金、銅、ニッケル、
鉄、コバルト、タングステン、モリブデン、タンタル、
クロム、インジウム、マンガン、チタン、パラジウムか
ら選ばれる少なくとも１種類の金属を含有しているも
の、或いは、銀を主体とした合金からなり、その厚み
が、７０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることを特徴とす
る。本発明に従えば、十分な厚みの金属層により所望の
反射率を実現できる。Further, in the present invention, (b) the metal layer mainly composed of silver is composed of silver alone or as impurities, gold, copper, nickel,
Iron, cobalt, tungsten, molybdenum, tantalum,
Characterized by containing at least one kind of metal selected from chromium, indium, manganese, titanium, and palladium, or an alloy mainly composed of silver, and having a thickness of 70 nm or more and 400 nm or less. . According to the present invention, a desired reflectance can be realized with a metal layer having a sufficient thickness.
【００１９】また本発明は、（ｃ）保護層は、金、銅、
ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、モリブデン、
タンタル、クロム、インジウム、マンガン、チタン、も
しくは、パラジウムから選ばれた金属の単体および／ま
たはこれらの２種以上からなる合金で、厚さが５ｎｍ以
上５０ｎｍ以下の金属層および／または透明酸化物で、
厚さ１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の透明酸化物層であるこ
とを特徴とする。本発明に従えば、十分なバリヤー効果
が得られ、銀を主体とする金属層形成時に凝集が発生し
ない。According to the present invention, (c) the protective layer is made of gold, copper,
Nickel, iron, cobalt, tungsten, molybdenum,
A single metal selected from tantalum, chromium, indium, manganese, titanium, or palladium and / or an alloy composed of two or more of these, and a metal layer having a thickness of 5 nm to 50 nm and / or a transparent oxide. ,
The transparent oxide layer has a thickness of 1 nm or more and 20 nm or less. According to the present invention, a sufficient barrier effect can be obtained, and no agglomeration occurs when the metal layer mainly containing silver is formed.
【００２０】また本発明は、前記基板の反射層を形成し
ていない側の面は、易滑処理がされていることを特徴と
する。本発明に従えば、液晶表示装置などに組み付ける
際の作業性が向上する。The present invention is also characterized in that the surface of the substrate on which the reflective layer is not formed is subjected to a slippery treatment. According to the present invention, workability in assembling the liquid crystal display device or the like is improved.
【００２１】また本発明は、前記の反射体を、側面に設
置された光源から入射される光を上面に出射する導光板
の下面に配設したことを特徴とするサイドライト型バッ
クライト装置である。本発明に従えば、適度な反射率を
有することで、液晶表示装置などのバックライトに備え
た場合、輝度ムラを解消もしくは著しく低減するととも
に、高い輝度を同時に実現することが可能である。According to the present invention, there is provided a sidelight type backlight device characterized in that the reflector is arranged on a lower surface of a light guide plate for emitting light incident from a light source installed on a side surface to an upper surface. is there. According to the present invention, by having an appropriate reflectance, it is possible to eliminate or significantly reduce the unevenness of brightness when it is provided for a backlight such as a liquid crystal display device, and simultaneously realize high brightness.
【００２２】また本発明は、反射層が導光板側になるよ
うに反射体を配設したことを特徴とする。本発明に従え
ば、突起物によって導光板と反射層との間隔を容易に制
御することができる。The present invention is also characterized in that the reflector is arranged so that the reflective layer is on the light guide plate side. According to the present invention, the interval between the light guide plate and the reflective layer can be easily controlled by the protrusion.
【００２３】また本発明は、基板の一方の面に、最大幅
１０μｍ〜５０μｍ、高さ５μｍ〜４５μｍの突起物を
１ｍｍ2当たり２個以上１００個以下有することを特徴
とする反射体用基板である。本発明に従えば、最適な反
射率を実現できる。The present invention is also a substrate for a reflector, characterized in that one surface of the substrate has two or more and 100 or less protrusions with a maximum width of 10 μm to 50 μm and a height of 5 μm to 45 μm per mm 2. is there. According to the present invention, the optimum reflectance can be realized.
【００２４】また本発明は、基板の他方の面に易滑処理
がされていることを特徴とする。本発明に従えば、液晶
表示装置などに組み付ける際の作業性が向上する。Further, the present invention is characterized in that the other surface of the substrate is subjected to a slipping treatment. According to the present invention, workability in assembling the liquid crystal display device or the like is improved.
【００２５】また本発明は、上記のサイドライト型バッ
クライト装置を備えることを特徴とする液晶表示装置で
ある。本発明に従えば、輝度ムラを解消もしくは著しく
低減するとともに、高い輝度を同時に実現した液晶表示
装置を提供できる。Further, the present invention is a liquid crystal display device comprising the above-mentioned sidelight type backlight device. According to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display device that eliminates or significantly reduces luminance unevenness and simultaneously realizes high luminance.
【００２６】本発明の反射体用基板を用いた反射体を組
み込んだサイドライト型バックライト装置は、反射体に
歪みが発生した場合でも、その歪みによる輝度ムラが生
じないため、該サイドライト型バックライト装置を備え
ることで視認性のよい液晶ディスプレイを提供すること
ができる。また、該反射体は、従来の反射体に比べ高輝
度であり、かつ耐久性にも優れるため、長期にわたり、
均一で、高輝度な光を得られることから、液晶の表示能
力を向上させることができるため、本発明の工業的意義
は大きい。The sidelight type backlight device incorporating the reflector using the reflector substrate of the present invention does not cause uneven brightness even if the reflector is distorted. By providing the backlight device, a liquid crystal display with high visibility can be provided. In addition, since the reflector has higher brightness than the conventional reflector and is excellent in durability,
Since the uniform and high-luminance light can be obtained, the display capability of the liquid crystal can be improved, so that the industrial significance of the present invention is great.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】以下図面を参考にして本発明を詳
細に説明する。本明細書においては、後述する基板の反
射層を形成する側の面をＡ面、反対側をＢ面と呼ぶこと
がある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In this specification, the surface of the substrate on which the reflective layer is formed, which will be described later, may be referred to as A surface, and the opposite surface may be referred to as B surface.
【００２８】図１は、本発明の実施の一形態である反射
体１の例を示す断面図である。本発明の反射体は基板１
０と反射層２０とからなり、Ａ面側に粒子３０を塗布し
て突起物を形成し、Ｂ面側に易滑面４０を形成する。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a reflector 1 which is an embodiment of the present invention. The reflector of the present invention is the substrate 1
0 and the reflective layer 20, the particles 30 are coated on the A surface side to form protrusions, and the easy sliding surface 40 is formed on the B surface side.
【００２９】図２は、反射体１を備えたサイドライト型
バックライト装置２の斜視図である。サイドライト型バ
ックライト装置２は、導光板５０の裏面に、反射層２０
が接するように反射体１が配置され、側面に光源６０と
ランプリフレクター７０とが備えられている。光源６０
からの光は、反射体１によって反射され、液晶表示パネ
ルの背面に取り付けることで面光源装置として機能す
る。FIG. 2 is a perspective view of a sidelight type backlight device 2 provided with the reflector 1. The sidelight type backlight device 2 includes a reflective layer 20 on the back surface of the light guide plate 50.
The reflector 1 is disposed so as to contact with each other, and the light source 60 and the lamp reflector 70 are provided on the side surface. Light source 60
Is reflected by the reflector 1 and functions as a surface light source device by being attached to the back surface of the liquid crystal display panel.
【００３０】本発明において、反射体１の少なくともＡ
面側、Ｂ面側のいずれかから測定した反射率の波長５５
０ｎｍにおける拡散反射率と全反射率の比（拡散反射率
／全反射率：拡散率）は１〜５０％であり、好ましくは
１〜２０％、特に好ましくは１〜１７％、更に好ましく
は１〜１５％である。また、全反射率は通常８５％以
上、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９０〜９９
％であり、拡散反射率は５０％以下、好ましくは２０％
以下、より好ましくは１７％以下、特に好ましくは１〜
１５％である。なお、５５０ｎｍは、人間の眼の受光感
度が最も高くなる波長であり、実際の視認性を評価する
に適している。In the present invention, at least A of the reflector 1 is used.
Wavelength 55 of reflectance measured from either the surface side or the B surface side
The ratio of diffuse reflectance to total reflectance at 0 nm (diffuse reflectance / total reflectance: diffusivity) is 1 to 50%, preferably 1 to 20%, particularly preferably 1 to 17%, and further preferably 1 ~ 15%. The total reflectance is usually 85% or more, preferably 90% or more, particularly preferably 90 to 99.
%, And the diffuse reflectance is 50% or less, preferably 20%
Or less, more preferably 17% or less, particularly preferably 1 to
15%. It should be noted that 550 nm is the wavelength at which the light reception sensitivity of the human eye is highest, and is suitable for evaluating the actual visibility.
【００３１】基板１０は、物理的、化学的に安定なガラ
ス板、セラミック板等の板状、シート状の無機材料、高
分子シート、高分子フィルム等の有機材料等が適宜用い
られる。これらの中でも、形状の自由度が高く、例えば
反射層２０を作成する際にロールツーロールプロセスが
適用できる高分子フィルムが望ましい。The substrate 10 is made of a physically or chemically stable glass plate, ceramic plate or other plate-like or sheet-like inorganic material, polymer sheet, polymer film or other organic material. Among these, a polymer film having a high degree of freedom in shape and to which a roll-to-roll process can be applied when forming the reflection layer 20 is desirable.
【００３２】本発明の反射体１において、使用するに好
ましい高分子フィルムは、例えばポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポ
リエステル類、ビスフェノールＡ系ポリカーボネートな
どのポリカーボネート類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、環状オレフィン共重合体、エチレン-酢酸ビニル共
重合体等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
トなどのセルロース誘導体類、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リビニルブチラール類などのビニル系樹脂、ポリスチレ
ン類、ポリイミド類、ナイロン等のポリアミド類、ポリ
エーテルスルホン、ポリスルホン系樹脂、ポリアリレー
ト系樹脂、フッ素系樹脂、ポリエーテルーテルケトン
類、ポリウレタン類、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸
エステル類、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸エス
テル類、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリ
ルなどのニトリル類、ポリエチレンオキシドなどのポリ
エーテル類、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール類、
ポバール等のポリアセタール類等各種プラスチックから
なるフィルムが挙げられるが、必ずしもこれらに限定さ
れるものではなく、結晶化温度やガラス転移点が室温よ
り高く、平滑な表面を持つものであれば使用できる。な
かでもポリエチレンテレフタレート等のポリエステル
類、ポリカーボネート類、ポリアミド類が好ましい。In the reflector 1 of the present invention, preferred polymer films to be used are, for example, polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate, polycarbonates such as bisphenol A-based polycarbonate, polyethylene, polypropylene and cyclic olefins. Copolymers, polyolefins such as ethylene-vinyl acetate copolymers, cellulose derivatives such as cellulose triacetate, vinyl resins such as polyvinylidene chloride and polyvinyl butyral, polystyrenes, polyimides, polyamides such as nylon, poly Ether sulfone, polysulfone resin, polyarylate resin, fluorine resin, polyether-terketones, polyurethanes, polyacrylic acid, polyacrylic acid esters, polymeta Acrylic acid, polymethacrylic acid esters, polyacrylonitrile, nitriles such as polymethacrylonitrile, polyethers such as polyethylene oxide, epoxy resins, polyvinyl alcohols,
Examples thereof include films made of various plastics such as polyacetals such as Poval, but the invention is not necessarily limited to these, and any film having a crystallization temperature or a glass transition point higher than room temperature and a smooth surface can be used. Among them, polyesters such as polyethylene terephthalate, polycarbonates and polyamides are preferable.
【００３３】使用される高分子フィルムの厚みは、通常
は１〜２５０μｍであり、好ましくは５〜２００μｍ、
特に好ましくは１０〜２００μｍであり、その引張弾性
率や曲げ弾性率が１００ＭＰａ以上、好ましくは５００
ＭＰａ以上、更に好ましくは８００ＭＰａ以上、特に好
ましくは１０００ＭＰａ以上である。The thickness of the polymer film used is usually 1-250 μm, preferably 5-200 μm,
It is particularly preferably 10 to 200 μm, and its tensile elastic modulus and bending elastic modulus are 100 MPa or more, preferably 500.
MPa or more, more preferably 800 MPa or more, particularly preferably 1000 MPa or more.
【００３４】本発明の反射体１は、基板１０上の後述す
る反射層２０を有する面側に好ましくは突起物を有して
いる。上記の突起物は基板１０に直接形成させることも
出来るし、別途作製した突起物層フィルムやシートを基
板１０に貼り合わせることも出来る。また、後述する反
射層２０の上に形成することも可能である。The reflector 1 of the present invention preferably has a protrusion on the side of the substrate 10 having the reflection layer 20 described later. The above protrusions can be formed directly on the substrate 10, or a separately formed protrusion layer film or sheet can be attached to the substrate 10. It can also be formed on the reflective layer 20 described later.
【００３５】上記の突起物の最大幅は０．１〜５０μｍ
であり、好ましくは１〜５０μｍ、より好ましくは１０
〜５０μｍ、更に好ましくは１５〜４５μｍ、特に好ま
しくは２０〜４０μｍである。また上記突起物の高さ
は、０．１〜４５μｍであり、好ましくは１〜４５μ
ｍ、より好ましくは５〜４５μｍ、更に好ましくは１０
〜４０μｍ、特に好ましくは１５〜３５μｍである。ま
た、突起物の形状は特に制限はなく、粒子型、ドーム
型、山型、ピラミッド型、円柱型、角柱型、台形、プリ
ズム型、不定形等を例示することが出来る。また単段形
状であっても多段形状であっても良くこれらの形状が混
在していたり、多段に組み合わさっていても良い。突起
物は、１ｍｍ2当たり２個以上、100個以下有することが
好ましく、更に好ましくは５個以上９０個以下である。The maximum width of the above protrusion is 0.1 to 50 μm.
And preferably 1 to 50 μm, more preferably 10
˜50 μm, more preferably 15 to 45 μm, and particularly preferably 20 to 40 μm. The height of the protrusions is 0.1 to 45 μm, preferably 1 to 45 μm.
m, more preferably 5 to 45 μm, still more preferably 10
-40 μm, particularly preferably 15-35 μm. The shape of the protrusion is not particularly limited, and examples thereof include particle type, dome type, mountain type, pyramid type, columnar type, prismatic type, trapezoidal type, prism type, and amorphous type. Further, it may have a single-stage shape or a multi-stage shape, and these shapes may be mixed or combined in multiple stages. The number of protrusions is preferably 2 or more and 100 or less per 1 mm 2 , and more preferably 5 or more and 90 or less.
【００３６】これらの突起物の作成方法に関しても特に
制限はないが、（１）粒子等の固形物を塗布させる方
法、（２）粒子などの固形物を樹脂と混練してフィル
ム、シート状に成形する方法、（３）粒子などの固形物
を半溶融状態のフィルム、シートに散布後冷却して定着
させる方法、（４）スクリーン印刷の様な印刷技術を利
用して突起物を形成する方法、（５）熱可塑性樹脂をシ
ート、フィルムに成型する際に凹凸形状を有する冷却ロ
ールを使用し、ロールの凹凸形状を突起物として転写す
る方法、（６）マイクロ金型を利用して形成する方法
（７）サンドブラスト法などの研磨、摩擦行程を有する
方法（８）フォトリソグラフィーを利用して形成する方
法（９）エッチング法を利用して形成する方法等を適用
させることが出来る。また上記等の方法で得られる突起
物を熱処理等で変形させることも可能である。The method for producing these projections is not particularly limited, but (1) a method of applying solid matter such as particles, (2) kneading the solid matter such as particles with a resin to form a film or sheet. Forming method, (3) a method of spraying a solid material such as particles onto a semi-molten film or sheet and then cooling and fixing, (4) a method of forming protrusions using a printing technique such as screen printing , (5) a method of transferring the uneven shape of the roll as a protrusion by using a cooling roll having an uneven shape when the thermoplastic resin is molded into a sheet or film, (6) forming using a micro mold A method (7) such as sandblasting, a method having a friction step, (8) a method of forming using photolithography, (9) a method of forming using an etching method, and the like can be applied. It is also possible to deform the protrusions obtained by the above method by heat treatment or the like.
【００３７】上記の突起物を形成する方法の中でも特に
表面状態の調整が比較的容易な、粒子３０を塗布するこ
とにより形成する方法が好ましい。塗布する粒子として
は、例えば、（メタ）アクリレート系、スチレン系重合
体、ポリビニルベンゼン系、スチレン／メタクリレート
共重合体、スチレン／アクリレート共重合体、スチレン
／ブタジエン共重合体等の高分子（有機）粒子が挙げら
れ、例えば溶媒に不溶化するために架橋構造を持つもの
も使用できる。また、シリカ、アルミナ、チタニア、ジ
ルコニア、酸化鉛（鉛白）、酸化亜鉛（亜鉛華）、炭酸
カルシウム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、チタン酸カ
リウム、ケイ酸ソーダなどからなる無機微粒子や、酸化
錫、酸化インジウム、酸化カドミウム、酸化アンチモン
などの導電性透明微粒子なども用いることができるが、
必ずしもこれらに限定されるものではない。特にアクリ
ル樹脂またはシリカを用いることが好ましい。Among the above methods for forming the projections, the method for forming the projections by applying the particles 30 is preferable, because the surface condition is relatively easy to adjust. The particles to be applied are, for example, polymers (organic) such as (meth) acrylate-based, styrene-based polymers, polyvinylbenzene-based, styrene / methacrylate copolymers, styrene / acrylate copolymers, styrene / butadiene copolymers. Examples thereof include particles, and those having a crosslinked structure for insolubilizing in a solvent can also be used. In addition, inorganic fine particles such as silica, alumina, titania, zirconia, lead oxide (lead white), zinc oxide (zinc white), calcium carbonate, barium carbonate, barium sulfate, potassium titanate, sodium silicate, tin oxide, Conductive transparent fine particles such as indium oxide, cadmium oxide and antimony oxide can also be used,
It is not necessarily limited to these. It is particularly preferable to use acrylic resin or silica.
【００３８】本発明において塗布される粒子３０は、平
均粒子径が０．１〜５０μｍ、好ましくは１〜５０μ
ｍ、より好ましくは１０〜５０μｍ、更に好ましくは１
５〜４５μｍ、特に好ましくは２０〜４０μｍの粒子を
使用することが好ましい。The particles 30 applied in the present invention have an average particle size of 0.1 to 50 μm, preferably 1 to 50 μm.
m, more preferably 10 to 50 μm, still more preferably 1
It is preferred to use particles of 5-45 μm, particularly preferably 20-40 μm.
【００３９】上記粒子３０の粒径分布は小さい方が好ま
しく、平均粒子径に対する粒子径の標準偏差の割合は５
０％以下であることが好ましい。さらに好ましくは４０
％以下である。但し、必要に応じて、２種以上の粒子を
用いることもできる。この場合、主成分の粒子の割合が
５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは７
５％以上、特に好ましくは８０％以上である。The particle size distribution of the particles 30 is preferably small, and the ratio of the standard deviation of the particle size to the average particle size is 5
It is preferably 0% or less. More preferably 40
% Or less. However, two or more types of particles can be used if necessary. In this case, the proportion of particles of the main component is 50% or more, preferably 70% or more, more preferably 7%.
It is 5% or more, particularly preferably 80% or more.
【００４０】平均粒子径の分布は、少量の粒子を分散さ
せた溶液を動的光散乱法により測定することで求めるこ
とができる。また、粒子を撮影したＳＥＭ（Scanning E
lectron Microscope）写真から無作為に選んだ１００個
の粒子径より求めることもできる。また、粒子径は、Ｓ
ＥＭ写真以外に光学顕微鏡を用いても読みとることがで
きる。また、得られた写真または像を、画像処理するこ
とからも粒径分布を求めることができる。The distribution of the average particle diameter can be determined by measuring the solution in which a small amount of particles are dispersed by the dynamic light scattering method. In addition, SEM (Scanning E
lectron Microscope) It can also be obtained from the particle size of 100 particles randomly selected from the photograph. The particle size is S
It can be read by using an optical microscope in addition to the EM photograph. The particle size distribution can also be obtained by subjecting the obtained photograph or image to image processing.
【００４１】前記粒子３０は、通常、バインダーとして
用いられる樹脂中に分散させた状態で塗布される。バイ
ンダー樹脂としては、例えばポリメタクリル酸メチルな
どのアクリル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリメ
タアクリルニトリル樹脂、エチルシリケートより得られ
る重合体などの珪素樹脂、フッ素系樹脂、ポリエステル
系樹脂、ポリスチレン樹脂、アセテート系樹脂、ポリエ
ーテルサルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹
脂、ポリウレタン系樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エ
ポキシ樹脂や、これらの混合物などが挙げられるが、必
ずしもこれらに限定される物ではない。これらは基板１
０及び粒子３０との密着性を考慮して選択される。なか
でも、ポリエステル系樹脂、アクリル樹脂が好ましい。The particles 30 are usually applied in a state of being dispersed in a resin used as a binder. Examples of the binder resin include acrylic resins such as polymethylmethacrylate, polyacrylonitrile resins, polymethacrylonitrile resins, silicon resins such as polymers obtained from ethyl silicate, fluorine resins, polyester resins, polystyrene resins, acetate resins. Resins, polyether sulfone-based resins, polycarbonate-based resins, polyamide-based resins, polyimide-based resins, polyolefin-based resins, polyurethane-based resins, urea resins, melamine resins, epoxy resins, and mixtures thereof, but these are not always required. It is not limited to. These are substrate 1
0 and the adhesion with the particles 30 are taken into consideration. Of these, polyester resins and acrylic resins are preferable.
【００４２】通常これらの粒子３０をバインダー樹脂に
分散させるためには溶媒を用いる。溶媒としては、トル
エン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、イソプロピル
アルコールなどが好ましく用いられる。これらは塗布作
業に一般的に用いられる溶媒であり、これら以外でも基
板１０や粒子３０に影響を与えない溶媒であれば、問題
なく使用できる。また、必要に応じてイソシタネート類
やメラミン類などの架橋剤、ぬれ剤や増粘剤、分散剤、
消泡剤、などの添加剤を加えてもよい。A solvent is usually used to disperse the particles 30 in the binder resin. As the solvent, toluene, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, isopropyl alcohol and the like are preferably used. These are solvents that are generally used in the coating operation, and other solvents that do not affect the substrate 10 and the particles 30 can be used without problems. Further, if necessary, a crosslinking agent such as isocyantanates and melamines, a wetting agent and a thickener, a dispersant,
You may add additives, such as a defoaming agent.
【００４３】粒子３０のバインダー樹脂に対する配合率
は、粒子３０がバインダー樹脂に対して０．１ｗｔ％以
上１０ｗｔ％以下であることが好ましい。配合率が、
０．１ｗｔ％より小さい場合、必要な反射光の拡散特性
が得られないため好ましくない。また、１０ｗｔ％より
大きい場合は、光の拡散性が強くなりすぎるため好まし
くない。The mixing ratio of the particles 30 to the binder resin is preferably 0.1 wt% to 10 wt% of the particles 30 to the binder resin. The mixing ratio is
If it is less than 0.1 wt%, it is not preferable because the necessary diffusion characteristics of reflected light cannot be obtained. On the other hand, if it is more than 10 wt%, the light diffusivity becomes too strong, which is not preferable.
【００４４】粒子３０を含む塗工液は、基板１０上にｗ
ｅｔ状態で塗工量１０ｇ／ｍ2以上、４０ｇ／ｍ2で塗布
することが好ましい。粒子の配合率は、反射体１表面の
粒子密度に反映され、反射体１の拡散率に影響を及ぼ
す。また塗布量は、基板１０上のバインダー層の厚みに
反映され、粒子３０の頂上と反射層２０との高さの差つ
まり、導光板５０と反射体１との接触時の間隔に影響を
及ぼす。塗布液量を１０ｇ／ｍ2より小さくすると、塗
布液中に含まれる粒子３０の量が不足し、必要な反射光
の拡散特性が得られない場合があり好ましくない。ま
た、塗布液量を４０ｇ／ｍ2より大きくすると、粒子３
０がバインダー樹脂に埋もれてしまい、必要な突起高さ
が得られない場合があり好ましくない。つまり、上述範
囲で粒子配合量と塗布液の塗布量とを調整することで、
基板１０上に１ｍｍ2当たり、２個以上１００個以下の
突起物を得ることができる。また、突起物高さは、触診
粗さ計や表面形状測定装置などにより容易に測定するこ
とができる。The coating liquid containing the particles 30 is deposited on the substrate 10 as w.
It is preferable to apply a coating amount of 10 g / m 2 or more and 40 g / m 2 in an et state. The blending ratio of the particles is reflected in the particle density on the surface of the reflector 1 and affects the diffusivity of the reflector 1. Further, the coating amount is reflected on the thickness of the binder layer on the substrate 10, and affects the height difference between the tops of the particles 30 and the reflective layer 20, that is, the distance when the light guide plate 50 and the reflector 1 are in contact with each other. . When the amount of the coating liquid is less than 10 g / m 2, the amount of the particles 30 contained in the coating liquid becomes insufficient, and the necessary diffusion characteristics of reflected light may not be obtained, which is not preferable. Further, when the coating liquid amount is larger than 40 g / m 2 , the particles 3
0 is buried in the binder resin, and the required protrusion height may not be obtained, which is not preferable. That is, by adjusting the particle blending amount and the coating amount of the coating liquid within the above range,
Two or more and 100 or less protrusions can be obtained per 1 mm 2 on the substrate 10. Further, the height of the protrusion can be easily measured by a tactile roughness meter or a surface shape measuring device.
【００４５】上記の粒子３０とバインダー樹脂を含む混
合液を基板１０に塗布する方法としては、広い粘度範囲
にわたって塗布が可能であり、塗工中にも塗膜厚さを調
整でき、また塗膜厚さを大幅に変えることが出来るなど
の特徴をもつ、ロールコータ法、リバースロールコータ
法があり、比較的運転技術を要さず、幅広でも塗工厚さ
が均一で、薄膜コーティング出来るなどの特徴をもつク
ラビアコータ法、高速塗工、高生産性や、塗工厚さの均
一性、広範囲に塗装が出来るなどの特徴をもつダイコー
ト（押出）法、などが挙げられるが、いずれの方法にお
いても上記の突起物密度および突起物高さを実現でき
る。As a method of applying the mixed solution containing the particles 30 and the binder resin to the substrate 10, it is possible to apply over a wide viscosity range, the coating film thickness can be adjusted during coating, and the coating film can be adjusted. There are roll coater method and reverse roll coater method, which have the feature that the thickness can be changed drastically. There is relatively no need for operating technology, the coating thickness is uniform even with a wide width, and thin film coating is possible. Examples include the characteristic clavia coater method, high-speed coating, high productivity, die coating (extrusion) method, which has characteristics such as uniform coating thickness and wide range of coating. Can realize the above-mentioned protrusion density and protrusion height.
【００４６】他に好ましい突起物の作成方法として、基
板１０である高分子フィルム中に粒子を添加する方法を
用いてもよい。As another preferable method of forming the protrusions, a method of adding particles to the polymer film which is the substrate 10 may be used.
【００４７】粒子を添加する方法で使用される粒子とし
ては、上述した塗工法に記載の粒子と同様の材料を用い
ることが出来る。As the particles used in the method of adding particles, the same materials as the particles described in the above coating method can be used.
【００４８】これらの粒子を溶融状態の樹脂と混練して
フィルム、シート状に成形したり、半溶融状態のフィル
ムやシートに上記の粒子を散布し、必要に応じてプレ
ス、冷却処理を行うことで粒子を定着し、突起物層を形
成させることが出来る。These particles may be kneaded with a resin in a molten state to form a film or sheet, or the above particles may be sprayed on a film or sheet in a semi-molten state, and pressed and cooled as necessary. The particles can be fixed by and the projection layer can be formed.
【００４９】また、印刷において突起物を形成する方法
としては、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂を用いたスクリーン
印刷が好ましく用いられる。具体的には、網目（スクリ
ーン目）を通して、ＵＶ硬化樹脂を刷り込んだ後、露光
して樹脂を硬化させる方法である。この方法は、比較的
高い突起物(高さが１０〜３０μｍ)を、様々な形状の物
体に形成可能な特徴を有している。Screen printing using an ultraviolet (UV) curable resin is preferably used as a method for forming protrusions in printing. Specifically, it is a method of imprinting a UV curable resin through a mesh (screen) and then exposing it to cure the resin. This method has a feature that relatively high protrusions (height 10 to 30 μm) can be formed on objects of various shapes.
【００５０】このうち特に最大幅が１０〜５０μｍ、高
さが５〜４５μｍの突起物が１ｍｍ 2当たり２個以上１
００個以下である突起物層を有するフィルム、シートは
反射体用基材として好ましく用いられる。Of these, the maximum width is 10 to 50 μm,
1 mm for projections with a size of 5 to 45 μm 22 or more per 1
A film or sheet having a protrusion layer of not more than 00 is
It is preferably used as a base material for a reflector.
【００５１】本発明の反射体１は、例えば上記の様な方
法により作製した突起物上に反射層２０を形成する事に
よって得られる。また、基板１０上に反射層２０を形成
した後、突起物を形成することも出来る、反射層上に更
に突起物を形成することも可能である。The reflector 1 of the present invention can be obtained, for example, by forming the reflective layer 20 on the protrusions produced by the above method. Further, after forming the reflective layer 20 on the substrate 10, it is possible to form protrusions, and it is also possible to further form protrusions on the reflective layer.
【００５２】反射層２０は、基板１０側から順に、
（ａ）下地層、（ｂ）銀を主体とする金属層、（ｃ）保
護層を積層したものであることが好ましい。The reflective layer 20 is formed in order from the substrate 10 side.
It is preferable that (a) a base layer, (b) a metal layer mainly containing silver, and (c) a protective layer be laminated.
【００５３】（ａ）下地層の好ましい例としては、銀と
は異なる金属層や金属酸化物層を挙げることが出来る。
具体的には、金、銅、ニッケル、鉄、コバルト、タング
ステン、モリブデン、タンタル、クロム、インジウム、
マンガン、チタン、パラジウム、ジルコニウム、ビスマ
ス、スズ、亜鉛、アンチモン、セリウム、ネオジウム、
ランタン、トリウム、マグネシウム、ガリウムなどの金
属単体、もしくは２種以上からなる合金、インジウム、
チタン、ジルコニウム、ビスマス、スズ、亜鉛、アンチ
モン、タンタル、セリウム、ネオジウム、ランタン、ト
リウム、マグネシウム、ガリウム等の酸化物、これら酸
化物の混合物や硫化亜鉛等の金属化合物が例示できる。
これらの中でも金、銅、ニッケル、鉄、コバルト、タン
グステン、モリブデン、タンタル、クロム、インジウ
ム、マンガン、チタン、パラジウム単体、またはこれら
の２種類以上からなる合金、酸化亜鉛、酸化インジウ
ム、酸化スズ、酸化珪素が好ましく、特に好ましくは酸
化アルミニウムが５重量％以下でドープされた酸化亜
鉛、ガリウムが１０重量％以下でドープされた酸化亜
鉛、インジウムとスズとの酸化物（ＩＴＯ）または二酸
化珪素などの透明性および透光性を有する酸化物を挙げ
ることが出来る。またこれらの２種類以上を組み合わせ
たり、多層化して用いることも出来る。Preferred examples of the underlayer (a) include metal layers and metal oxide layers different from silver.
Specifically, gold, copper, nickel, iron, cobalt, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, indium,
Manganese, titanium, palladium, zirconium, bismuth, tin, zinc, antimony, cerium, neodymium,
Simple metals such as lanthanum, thorium, magnesium and gallium, or alloys of two or more kinds, indium,
Examples thereof include oxides of titanium, zirconium, bismuth, tin, zinc, antimony, tantalum, cerium, neodymium, lanthanum, thorium, magnesium, gallium, mixtures of these oxides, and metal compounds such as zinc sulfide.
Among these, gold, copper, nickel, iron, cobalt, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, indium, manganese, titanium, palladium alone, or an alloy composed of two or more of these, zinc oxide, indium oxide, tin oxide, oxidation Silicon is preferable, and zinc oxide doped with 5% by weight or less of aluminum oxide, zinc oxide doped with 10% by weight or less of gallium, an oxide of indium and tin (ITO), or a transparent material such as silicon dioxide is preferable. An oxide having a light-transmitting property and a light-transmitting property can be given. Also, two or more of these may be combined or used in a multilayer structure.
【００５４】（ｂ）銀を主体とする金属層には、銀単体
或いは、不純物として金、銅、ニッケル、鉄、コバル
ト、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、イ
ンジウム、マンガン、チタン、パラジウムなどを少量含
有しているものや銀を主体とした合金が好ましく用いら
れる。これらの不純物の含有量は、金属の種類によって
異なるが、０．００２〜８重量％であり、好ましくは
０．００４〜５重量％、特に好ましくは０．００５〜４
重量％である。(B) In the metal layer mainly composed of silver, a small amount of silver itself or impurities such as gold, copper, nickel, iron, cobalt, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, indium, manganese, titanium and palladium are contained. An alloy containing silver or an alloy mainly composed of silver is preferably used. The content of these impurities varies depending on the type of metal, but is 0.002 to 8% by weight, preferably 0.004 to 5% by weight, particularly preferably 0.005 to 4% by weight.
% By weight.
【００５５】（ｃ）保護層には上記（ａ）下地層と同様
の金属や酸化物の他、これらと銀を主体とした合金から
選ばれる２種類以上を組み合わせたり、多層化して用い
ることが出来る。(C) In the protective layer, in addition to the same metals and oxides as those used in (a) the underlayer, two or more selected from these and alloys mainly containing silver may be used in combination or in a multilayer structure. I can.
【００５６】これらの中でも金属酸化物、好ましくは、
インジウム、チタン、ジルコニウム、ビスマス、スズ、
亜鉛、アンチモン、タンタル、セリウム、ネオジウム、
ランタン、トリウム、マグネシウム、ガリウム等の酸化
物、これら酸化物の混合物、特に好ましくは酸化アルミ
ニウムが５重量％以下でドープされた酸化亜鉛、ガリウ
ムが１０重量％以下でドープされた酸化亜鉛、インジウ
ムとスズとの酸化物（ＩＴＯ）、二酸化珪素などの透明
酸化物が用いられる。Among these, metal oxides, preferably,
Indium, titanium, zirconium, bismuth, tin,
Zinc, antimony, tantalum, cerium, neodymium,
Oxides of lanthanum, thorium, magnesium, gallium and the like, mixtures of these oxides, particularly preferably zinc oxide doped with aluminum oxide at 5 wt% or less, zinc oxide and indium doped with gallium at 10 wt% or less. A transparent oxide such as an oxide with tin (ITO) or silicon dioxide is used.
【００５７】上記の下地層、銀を主体とする金属層およ
び保護層である金属薄膜層の形成法としては、湿式法及
び乾式法がある。湿式法とはメッキ法の総称であり、溶
液から金属を析出させて膜を形成する方法である。具体
例をあげるとすれば、銀鏡反応などがある。一方、乾式
法とは、真空成膜法の総称であり、具体的に例示すると
すれば、抵抗加熱式真空蒸着法、電子ビーム加熱式真空
蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビームアシス
ト真空蒸着法、スパッタ法などがある。とりわけ、本発
明には連続的に成膜するロール・ツー・ロール方式が可
能な真空成膜法が好ましく用いられる。There are a wet method and a dry method as a method of forming the above-mentioned underlayer, the metal layer mainly containing silver and the metal thin film layer which is a protective layer. The wet method is a general term for a plating method and is a method for forming a film by precipitating a metal from a solution. Specific examples include silver mirror reaction. On the other hand, the dry method is a general term for vacuum film forming methods, and specific examples thereof include a resistance heating vacuum evaporation method, an electron beam heating vacuum evaporation method, an ion plating method, and an ion beam assisted vacuum evaporation method. , Sputtering method, etc. In particular, a vacuum film forming method capable of a roll-to-roll method of continuously forming a film is preferably used in the present invention.
【００５８】真空蒸着法では、金属の原材料を電子ビー
ム、抵抗加熱、誘導加熱などで溶融させ、蒸気圧を上昇
させ、好ましくは１３．３ｍＰａ（０．１ｍＴｏｒｒ）
以下で基材表面に蒸発させる。この際に、アルゴンなど
のガスを１３．３ｍＰａ以上で導入し、高周波もしくは
直流のグロー放電を起こしても良い。In the vacuum deposition method, the metal raw material is melted by electron beam, resistance heating, induction heating or the like to raise the vapor pressure, and preferably 13.3 mPa (0.1 mTorr).
Below, the surface of the substrate is evaporated. At this time, a gas such as argon may be introduced at 13.3 mPa or more to cause high frequency or direct current glow discharge.
【００５９】スパッタ法には、ＤＣマグネトロンスパッ
タ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法、ＥＣＲスパッタ法、コンベンショナルＲＦスパ
ッタ法、コンベンショナルＤＣスパッタ法などを用い
る。スパッタ法においては、原材料として金属の板状の
ターゲットを用いればよく、スパッタガスにはヘリウ
ム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどを使
用するが、好ましくはアルゴンを用いる。ガスの純度は
９９％以上が好ましいが、より好ましくは９９．５％以
上である。また、透明酸化膜の形成には、真空成膜法が
好ましく用いられる。主に、スパッタ法が使用され、ス
パッタガスには、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプ
トン、キセノンなどを使用し、条件によっては酸素ガス
を用いて行うこともある。As the sputtering method, a DC magnetron sputtering method, an RF magnetron sputtering method, an ion beam sputtering method, an ECR sputtering method, a conventional RF sputtering method, a conventional DC sputtering method or the like is used. In the sputtering method, a metal plate-shaped target may be used as a raw material, and helium, neon, argon, krypton, xenon, or the like is used as a sputtering gas, but argon is preferably used. The gas purity is preferably 99% or higher, more preferably 99.5% or higher. A vacuum film forming method is preferably used for forming the transparent oxide film. A sputtering method is mainly used, and helium, neon, argon, krypton, xenon, or the like is used as a sputtering gas, and oxygen gas may be used depending on conditions.
【００６０】突起物上や基板上などに成形する薄膜の厚
さは、反射体１を構成した際に光線透過率が１％未満に
なるように考慮して決められる。The thickness of the thin film to be formed on the projection or the substrate is determined in consideration of the light transmittance of less than 1% when the reflector 1 is constructed.
【００６１】本発明の反射層における各層の厚みは、以
下のようにすることが好ましい。The thickness of each layer in the reflective layer of the present invention is preferably as follows.
【００６２】（ａ）下地層の厚みは、金属層を用いた場
合、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、より好ましく
は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。該層の厚みが５ｎｍ
より薄い場合は、所望のバリヤー効果が得られず、
（ｂ）銀を主体とする金属層に凝集を発生させる場合が
ある。また、５０ｎｍより厚くしてもその効果に変化が
無い。また、透明酸化物を用いた場合、透明酸化物層の
厚みは、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、さらに好
ましくは、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。透明酸化物
層の厚みが１ｎｍより薄い場合は、所望のバリヤー効果
が得られず、（ｂ）銀を主体とする金属層に凝集を発生
させる。また、２０ｎｍより厚くしてもその効果に変化
が無い。(A) The thickness of the underlayer, when a metal layer is used, is preferably 5 nm or more and 50 nm or less, more preferably 5 nm or more and 30 nm or less. The thickness of the layer is 5 nm
If it is thinner, the desired barrier effect cannot be obtained,
(B) Aggregation may occur in the metal layer mainly composed of silver. Further, even if the thickness is more than 50 nm, there is no change in the effect. When a transparent oxide is used, the thickness of the transparent oxide layer is preferably 1 nm or more and 20 nm or less, more preferably 5 nm or more and 10 nm or less. When the thickness of the transparent oxide layer is less than 1 nm, the desired barrier effect cannot be obtained, and (b) the metal layer mainly containing silver is agglomerated. Further, even if the thickness is thicker than 20 nm, there is no change in the effect.
【００６３】（ｂ）銀を主体とする金属層の厚みは、７
０ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは
１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５
０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である。銀を主体とする層の
厚みが７０ｎｍより薄い場合は、十分な金属層の形成が
出来ていないため、所望の反射率を得ることが出来ない
場合がある。また、４００ｎｍより厚くしてもその効果
に変化はない。(B) The thickness of the metal layer mainly composed of silver is 7
It is preferably 0 nm or more and 400 nm or less, more preferably 100 nm or more and 300 nm or less, further preferably 15 nm.
It is 0 nm or more and 250 nm or less. When the thickness of the layer containing silver as a main component is smaller than 70 nm, the desired reflectance may not be obtained in some cases because a sufficient metal layer has not been formed. Further, even if the thickness is more than 400 nm, there is no change in the effect.
【００６４】（ｃ）保護層の厚みは、金属層を用いた場
合、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、より好ましく
は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。該層の厚みが５ｎｍ
より薄い場合は、所望のバリヤー効果が得られず、
（ｂ）銀を主体とする金属層に凝集を発生させる場合が
ある。また、５０ｎｍより厚くしてもその効果に変化が
無い。また、透明酸化物を用いた場合、該層の厚みは、
１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましく
は、５以上１０ｎｍ以下である。透明酸化物層の厚みが
１ｎｍより薄い場合は、所望のバリヤー効果が得られ
ず、（ｂ）銀を主体とする金属層に凝集を発生させる。
また、２０ｎｍより厚くしてもその効果に変化が無い。(C) The thickness of the protective layer is preferably 5 nm or more and 50 nm or less, and more preferably 5 nm or more and 30 nm or less when a metal layer is used. The thickness of the layer is 5 nm
If it is thinner, the desired barrier effect cannot be obtained,
(B) Aggregation may occur in the metal layer mainly composed of silver. Further, even if the thickness is more than 50 nm, there is no change in the effect. When a transparent oxide is used, the thickness of the layer is
It is preferably 1 nm or more and 20 nm or less, and more preferably 5 or more and 10 nm or less. When the thickness of the transparent oxide layer is less than 1 nm, the desired barrier effect cannot be obtained, and (b) the metal layer mainly containing silver is agglomerated.
Further, even if the thickness is thicker than 20 nm, there is no change in the effect.
【００６５】前記各層の膜厚の測定方法としては、触針
粗さ計、繰り返し反射干渉計、マイクロバランス、水晶
振動子法などの方法があり、特に水晶振動子法では成膜
中に膜厚が測定可能であるため所望の膜厚を得るのに適
している。また、前もって成膜の条件を定めておき、試
料基材上に成膜を行い、成膜時間と膜厚の関係を調べた
上で、成膜時間により膜厚を制御する方法もある。As a method of measuring the film thickness of each of the layers, there are methods such as a stylus roughness meter, a repetitive reflection interferometer, a microbalance, and a crystal oscillator method. Particularly, in the crystal oscillator method, the film thickness is formed during film formation. Is suitable for obtaining a desired film thickness. Further, there is also a method in which the conditions for film formation are determined in advance, the film is formed on the sample substrate, the relationship between the film formation time and the film thickness is investigated, and then the film thickness is controlled by the film formation time.
【００６６】本発明のサイドライト型バックライト装置
２では、上記のように作製した反射体１を導光板５０の
下面に配置し、金属薄膜層側もしくは基板１０側を上面
として設置することを特徴とする。バックライト装置と
しては、サイドライト型として一般的に用いられている
ものであればよい。In the sidelight type backlight device 2 of the present invention, the reflector 1 produced as described above is arranged on the lower surface of the light guide plate 50, and the metal thin film layer side or the substrate 10 side is set as the upper surface. And As the backlight device, any device generally used as a side light type may be used.
【００６７】使用される導光板５０は、例えば、ポリメ
チルメタクリレートなどのアクリル系樹脂、ポリカーボ
ネートやポリカーボネート・ポリスチレン組成物などの
ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂などの透明性
または透光性樹脂やガラスなどの約４００ｎｍ〜７００
ｎｍの波長域において透明性を有するものが好ましく用
いられるが、光源の波長領域に応じて透明性を示す材料
であれば必ずしもこれらに限定されなるわけではない。
また、導光板５０の厚さは、使用目的の導光板のサイズ
や、光源の大きさなどにより適宜に決定することができ
る。The light guide plate 50 used is, for example, an acrylic resin such as polymethylmethacrylate, a polycarbonate resin such as polycarbonate or a polycarbonate / polystyrene composition, a transparent or translucent resin such as an epoxy resin, or glass. About 400nm-700
A material having transparency in the wavelength range of nm is preferably used, but the material is not necessarily limited to these as long as the material exhibits transparency depending on the wavelength range of the light source.
Further, the thickness of the light guide plate 50 can be appropriately determined depending on the size of the light guide plate to be used, the size of the light source, and the like.
【００６８】使用する光源６０としては、例えば、白熱
電球、発光ダイオード（ＬＥＤ）、エレクトロルミネセ
ンス（ＥＬ）、蛍光ランプ、メタルハイドライドランプ
などが挙げられ、中でも蛍光ランプが好ましく用いられ
る。蛍光ランプにはその電極構造、点灯方式により熱陰
極型と、冷陰極型に大別され、電極、インバーターとも
熱陰極型の方が大きくなる傾向にある。熱陰極型は、発
光に寄与しない電極近傍の電飾損失が小さく効率がよ
く、冷陰極型に比べ数倍優れた発光効率を示し、発光も
強いが、寿命は冷陰極型の方が優れており、低消費電力
性、耐久性などの点から冷陰極型がより好ましく用いら
れる。As the light source 60 to be used, for example, an incandescent lamp, a light emitting diode (LED), an electroluminescence (EL), a fluorescent lamp, a metal hydride lamp and the like can be mentioned, and among them, a fluorescent lamp is preferably used. Fluorescent lamps are roughly classified into a hot cathode type and a cold cathode type according to their electrode structure and lighting system, and the hot cathode type tends to be larger in both electrodes and inverters. The hot-cathode type has a small electrical decoration loss in the vicinity of the electrode that does not contribute to light emission and is highly efficient, and exhibits luminous efficiency several times superior to that of the cold-cathode type. Therefore, the cold cathode type is more preferably used in terms of low power consumption and durability.
【００６９】本発明のサイドライト型バックライト装置
２では、驚くべきことに導光板５０と反射層２０との間
に特定の間隔をおいて反射体１を設置することで輝度ム
ラを抑制することが出来る。この間隔は、具体的には導
光板５０から見た反射層２０の凹部と導光板５０との間
隔である。通常、導光板５０と本発明の反射体１とは直
接接しているので、この間隔はＡ面を導光板５０側に配
置した場合、突起物の高さで制御でき、Ｂ面を導光板側
に配置した場合、基板１０の厚みと突起物の高さで制御
することが出来る。またスペーサーなどをこれらの間に
挿入してこの間隔を調整することも出来る。この間隔
は、５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好まし
くは１０〜１００μｍ、特に好ましくは１０〜９０μ
ｍ、更に好ましくは１５〜８５μｍである。In the sidelight type backlight device 2 of the present invention, surprisingly, the unevenness of brightness is suppressed by disposing the reflector 1 at a specific interval between the light guide plate 50 and the reflective layer 20. Can be done. Specifically, this distance is the distance between the concave portion of the reflective layer 20 and the light guide plate 50 as viewed from the light guide plate 50. Normally, since the light guide plate 50 and the reflector 1 of the present invention are in direct contact with each other, this distance can be controlled by the height of the protrusion when the surface A is arranged on the light guide plate 50 side, and the surface B is on the light guide plate side. In the case of arranging in the above, it can be controlled by the thickness of the substrate 10 and the height of the protrusions. It is also possible to adjust the distance by inserting a spacer or the like between them. This interval is 5 μm or more, preferably 10 μm or more, more preferably 10 to 100 μm, particularly preferably 10 to 90 μm.
m, and more preferably 15 to 85 μm.
【００７０】本発明の反射体１および反射体基板１０は
基板側の面(Ｂ面)に易滑処理がなされていても良い。易
滑処理を施すことで、液晶表示装置を組み付ける際の作
業性が向上する。In the reflector 1 and the reflector substrate 10 of the present invention, the surface (B surface) on the substrate side may be subjected to slipperiness treatment. The slippery treatment improves workability in assembling the liquid crystal display device.
【００７１】易滑処理の方法について特に制限はない
が、具体的には微粒子を含む塗工液を塗布する方法、エ
ンボス加工に寄り凹凸を形成する方法。シリカなどの粒
子を基板１０表面に高圧空気と共に吹き付けるサンドブ
ラスト法、エッチング等の化学的方法などを用いること
できる。この中でも塗工液を塗布する方法が好ましく用
いられる。The method of slipping treatment is not particularly limited, but specifically, a method of applying a coating liquid containing fine particles, and a method of forming irregularities closer to embossing. It is possible to use a sandblasting method in which particles of silica or the like are blown onto the surface of the substrate 10 together with high-pressure air, a chemical method such as etching, or the like. Among these, the method of applying the coating liquid is preferably used.
【００７２】本発明のサイドライト型バックライト装置
では、上述したような方法で作成された反射体１を使用
することで、反射面に歪みが生じた場合でも、輝度ムラ
が発生し難く、また、従来の装置に比べ格段の輝度向上
を実現することができる。In the sidelight type backlight device of the present invention, by using the reflector 1 produced by the above-mentioned method, even if the reflecting surface is distorted, uneven brightness is unlikely to occur, and As a result, it is possible to significantly improve the brightness as compared with the conventional device.
【００７３】[0073]
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。まず、反射体１のＡ面側を導光板５０に配置し、導
光板５０と反射層２０との距離を突起物高さで制御する
場合について説明する。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. First, the case where the surface A side of the reflector 1 is arranged on the light guide plate 50 and the distance between the light guide plate 50 and the reflection layer 20 is controlled by the height of the protrusion will be described.
【００７４】実施例１
突起物となる粒子として平均粒子径が３０μｍであるト
ルエン−エチルメチルケトンに不溶のアクリル粒子（綜
研化学社製）を、バインダー樹脂としてアクリル樹脂を
用い、バインダー樹脂に対し粒子の配合量を６．0ｗｔ
％とし、固形分比が２４ｗｔ％になるようにトルエンと
エチルメチルケトンからなる溶剤を用いて溶液を調合し
た後、厚さ１８８μmのＰＥＴフィルム上に塗布を行い
Ａ面側の突起物を得た。次に、平均粒子径が１．５μｍ
のアクリル粒子、バインダー樹脂としてアクリル樹脂を
用い、バインダー樹脂に対し、粒子の配合量を、２．０
ｗｔ％とし、固形分比が１５ｗｔ％になるようにトルエ
ンとエチルメチルケトンからなる溶剤を用いて溶液を調
合した後、ＰＥＴフィルムのＢ面側に塗布を行い、易滑
面を得た。Example 1 Acrylic particles (manufactured by Soken Chemical Industry Co., Ltd.) insoluble in toluene-ethylmethylketone having an average particle size of 30 μm were used as the particles for the protrusions, and acrylic resin was used as the binder resin. The compounding amount of 6.0 wt
%, And a solid content ratio of 24 wt% was used to prepare a solution using a solvent consisting of toluene and ethyl methyl ketone, and then the solution was coated on a PET film having a thickness of 188 μm to obtain a protrusion on the A side. . Next, the average particle size is 1.5 μm
Acrylic resin as an acrylic particle and a binder resin are used, and the blending amount of the particles with respect to the binder resin is 2.0.
After preparing a solution using a solvent composed of toluene and ethyl methyl ketone so that the solid content ratio was 15 wt%, the coating was applied to the B surface side of the PET film to obtain an easy-sliding surface.
【００７５】次にＡ面側に、ＤＣマグネトロンスパッタ
法で、２％のＡｌ2Ｏ3がドープされた酸化亜鉛（純度９
９．９％）をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴ
ンをスパッタガスとして、酸化亜鉛を膜厚５ｎｍになる
ように下地層を形成した。続いて、このフィルムをスパ
ッタ装置から取り出すことなく、同様にＤＣマグネトロ
ンスパッタ法で、純度９９．９％の銀をターゲットとと
し、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして銀
を膜厚２００ｎｍになるように成形した。続いて、この
フィルムをスパッタ装置からと取り出すことなく、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法で、２％のＡｌ2Ｏ3がドープさ
れた酸化亜鉛（純度９９．９％）をターゲットとし、純
度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして、酸化亜
鉛を膜厚５ｎｍになるように保護層を形成し、図１に示
すような所望の反射体１を得た。Next, zinc oxide (purity: 9%) doped with 2% of Al 2 O 3 was applied to the A surface by the DC magnetron sputtering method.
9.9%) as a target, and using argon having a purity of 99.5% as a sputtering gas, a base layer was formed to have a film thickness of zinc oxide of 5 nm. Subsequently, without taking out this film from the sputtering apparatus, similarly using the DC magnetron sputtering method, targeting silver having a purity of 99.9%, using argon having a purity of 99.5% as a sputtering gas, and making the silver film thickness 200 nm. Was molded so that Then, without removing this film from the sputtering device, DC
In the magnetron sputtering method, zinc oxide (purity 99.9%) doped with 2% Al 2 O 3 is used as a target, and argon 99.5% in purity is used as the sputtering gas so that the thickness of zinc oxide is 5 nm. A protective layer was formed on the substrate to obtain a desired reflector 1 as shown in FIG.
【００７６】この反射体１を日立自記分光光度計（型式
Ｕ―３４００）に１５０φの積分球を設置し、波長５５
０ｎｍにおける各反射率を金属層側から測定したとこ
ろ、全反射率、拡散反射率はそれぞれ９５．６％、５．
６％であり、拡散率は５．９％であった。次にＡ面側の
突起物の高さを表面形状測定装置（ＤＥＫＴＡＫ３：Ｖ
ｅｅｃｏ社製）で１０点測定したところ、その平均値
は、２６．２μm、光学顕微鏡で最大幅を１０点測定し
たところ、その平均値は３０．５μｍであった。また、
１ｍｍ2当たり最大幅２０〜４０μｍ、高さ１５〜３５
μｍの粒子数は２０個存在した。測定後の反射体１を、
恒温恒湿槽に入れ、６０℃、９０％ＲＨの湿熱条件で５
００時間放置した。５００時間経過後、反射体１を取り
出して表面を観察したところ、金属の凝集は見られなか
った。また、再度分光光度計により、全反射率、拡散反
射率を測定した結果、反射率が９５．５％、拡散反射率
が５．７％と湿熱前とほとんどかわらなかった。また、
この反射体１を導光板５０の下面に金属層側が上になる
ようにセットし、図２の様なサイドライト型バックライ
ト装置２を得た。この状態で、光源６０を点灯し、面中
央での正面方向に得られる輝度を測定するとともに、セ
ットした反射体１に故意に歪みを与えた場合の、面光源
の輝度ムラについて観察した結果を表１に示す。This reflector 1 was installed in a Hitachi autograph spectrophotometer (model U-3400) with an integrating sphere of 150φ and a wavelength of 55.
When each reflectance at 0 nm was measured from the metal layer side, the total reflectance and diffuse reflectance were 95.6% and 5.
6% and the diffusion rate was 5.9%. Next, measure the height of the protrusion on the A side with a surface shape measuring device (DEKTAK3: V
The average value was 26.2 μm when measured at 10 points with an eeco company, and the average value was 30.5 μm when the maximum width was measured at 10 points with an optical microscope. Also,
Maximum width 20-40 μm per 1 mm 2 , height 15-35
There were 20 μm particles. After measuring the reflector 1,
Put in a constant temperature and constant humidity tank, and heat at 60 ° C and 90% RH for 5 hours.
It was left for 00 hours. After 500 hours, the reflector 1 was taken out and the surface was observed, and no metal agglomeration was observed. Further, as a result of measuring the total reflectance and diffuse reflectance with a spectrophotometer again, the reflectance was 95.5% and the diffuse reflectance was 5.7%, which was almost the same as before wet heat. Also,
This reflector 1 was set on the lower surface of the light guide plate 50 so that the metal layer side faced up, and the sidelight type backlight device 2 as shown in FIG. 2 was obtained. In this state, the light source 60 is turned on, the brightness obtained in the front direction at the center of the surface is measured, and the result of observation of the uneven brightness of the surface light source when the reflector 1 set is intentionally distorted is shown. It shows in Table 1.
【００７７】[0077]
【表１】 [Table 1]
【００７８】実施例２
突起物となる粒子として平均粒子径３５μmのトルエン
−エチルメチルケトンに不溶のアクリル粒子（綜研化学
社製）を、バインダー樹脂としてアクリル樹脂を用い、
配合率をそれぞれ５．５ｗｔ％とし、固形分比が２４％
になるようにトルエンとエチルメチルケトンとからなる
溶剤を用いて溶液を調合した後、片側をサンドブラスト
処理された厚さ１８８μmのＰＥＴフィルムの未処理面
側に塗布を行い、Ａ面側の突起物を得た。実施例１の条
件に準じて反射層２０を形成し、反射体１を得た。次
に、実施例１と同様の方法で各測定を行い、全反射率は
９３．８％、拡散反射率は６．６％、拡散率は７．０
％、Ａ面側の突起物の高さの平均値は、２８．８μm、
突起の最大幅の平均値は３４．４μｍ、１ｍｍ2当た
り、最大幅２５〜４５μｍ、高さ２０〜４０μｍの粒子
数は３６個という結果を得た。次に、実施例１と同様の
条件である高温恒湿槽で５００時間放置後、再度反射率
を測定した結果、全反射率は、９３．６％、拡散反射率
は６．５％と湿熱前とほとんどかわらず、また表面に銀
の劣化による凝集点も見られなかった。また、この反射
体１を導光板５０の下面に金属層側が上になるようにセ
ットし、実施例１と同様の観察を行った結果を表１に示
す。Example 2 Acrylic particles (Soken Chemical Co., Ltd.) insoluble in toluene-ethylmethylketone having an average particle diameter of 35 μm were used as the particles to be the protrusions, and an acrylic resin was used as the binder resin.
The blending ratio is 5.5 wt% and the solid content ratio is 24%
Solution was prepared using a solvent consisting of toluene and ethyl methyl ketone, and then one side was applied to the untreated side of a blast-processed PET film with a thickness of 188 μm, and the protrusions on the A side Got The reflective layer 20 was formed according to the conditions of Example 1 to obtain the reflector 1. Next, each measurement was performed in the same manner as in Example 1, and the total reflectance was 93.8%, the diffuse reflectance was 6.6%, and the diffuse rate was 7.0.
%, The average value of the height of the protrusions on the A side is 28.8 μm,
The average value of the maximum width of the protrusions was 34.4 μm, and the number of particles having a maximum width of 25 to 45 μm and a height of 20 to 40 μm was 36 per 1 mm 2 . Next, the sample was left in a high temperature and humidity chamber under the same conditions as in Example 1 for 500 hours, and the reflectance was measured again. As a result, the total reflectance was 93.6% and the diffuse reflectance was 6.5%. Almost the same as before, and no aggregation points due to silver deterioration were observed on the surface. In addition, Table 1 shows the results obtained by setting the reflector 1 on the lower surface of the light guide plate 50 so that the metal layer side faces upward and performing the same observation as in Example 1.
【００７９】比較例１
突起物となる粒子として平均粒子径５μmのトルエン−
エチルメチルケトンに不溶のアクリル粒子（綜研化学社
製）を、バインダー樹脂としてアクリル樹脂を用い、配
合率をそれぞれ２．０ｗｔ％とし、固形分比が２４％に
なるようにトルエンとエチルメチルケトンとからなる溶
剤を用いて溶液を調合した後、片側をサンドブラスト処
理された厚さ１８８μmのＰＥＴフィルムの未処理面側
に塗布を行いＡ面側の突起物を得た。実施例１の条件に
準じて反射層２０を形成し、反射体１を得た。次に、実
施例１と同様の方法で各測定を行い、全反射率は９４．
６％、拡散反射率は６６．９％、拡散率は７０．７％、
Ａ面側の突起物の高さの平均値は、２．6μｍ、最大幅
は４．０μｍ、最大幅１〜１５μｍ、高さ１〜１０μｍ
の粒子数は１５３個という結果を得た。次に、この反射
体１を導光板５０の下面に金属層側が上になるようにセ
ットし、実施例１と同様の観察を行った結果を表１に示
す。Comparative Example 1 Toluene having an average particle size of 5 μm was used as the particles to be the protrusions.
Acrylic particles insoluble in ethyl methyl ketone (manufactured by Soken Chemical Industry Co., Ltd.) were used as an acrylic resin as a binder resin, the compounding ratios were 2.0 wt% each, and toluene and ethyl methyl ketone were mixed so that the solid content ratio was 24%. After preparing a solution using a solvent consisting of, the one side was applied to the untreated side of a blast-processed PET film having a thickness of 188 μm to obtain a protrusion on the A side. The reflective layer 20 was formed according to the conditions of Example 1 to obtain the reflector 1. Next, each measurement was performed in the same manner as in Example 1, and the total reflectance was 94.
6%, diffuse reflectance 66.9%, diffuse 70.7%,
The average height of the protrusions on the A side is 2.6 μm, the maximum width is 4.0 μm, the maximum width is 1 to 15 μm, and the height is 1 to 10 μm.
As a result, the number of particles was 153. Next, Table 1 shows the results obtained by setting the reflector 1 on the lower surface of the light guide plate 50 with the metal layer side facing up, and performing the same observation as in Example 1.
【００８０】比較例２
導光板下に用いる反射体に白色ＰＥＴを使用し、実施例
１と同様の観察を行った結果を表１に示す。表１からわ
かるように、実施例１，２ともに輝度ムラの発生が無
く、十分な輝度が得られ、バックライトとして良好な特
性を示した。比較例１では、拡散反射率が高く輝度ムラ
が発生し、比較例２では十分な輝度が得られなかった。Comparative Example 2 Table 1 shows the results of the same observation as in Example 1 using white PET for the reflector used under the light guide plate. As can be seen from Table 1, in Examples 1 and 2, there was no unevenness in brightness, sufficient brightness was obtained, and good characteristics as a backlight were exhibited. In Comparative Example 1, the diffuse reflectance was high and uneven brightness occurred, and in Comparative Example 2, sufficient brightness was not obtained.
【００８１】次に、反射体１のＢ面側を導光板５０に配
置し、導光板５０と反射層２０との距離を基板１０の厚
みと突起物高さとで制御する場合について説明する。Next, the case where the B side of the reflector 1 is arranged on the light guide plate 50 and the distance between the light guide plate 50 and the reflection layer 20 is controlled by the thickness of the substrate 10 and the height of the protrusion will be described.
【００８２】実施例３
突起物となる粒子として平均粒子径が５μmのアクリル
系樹脂（根上工業（株）製）を、バインダー樹脂として
アクリル系樹脂（三井化学（株）製、商品名アルマテッ
クス）を用い、トルエンとエチルメチルケトンとからな
る溶剤を用いて、固形分比率を３５重量％、固形分中の
粒子の割合を１０重量％となるように調合した後、厚さ
５０μmのＰＥＴフィルム上に塗布を行い突起物層を得
た。次に、この突起物層上にＤＣマグネトロンスパッタ
法で、２％のＡｌ2Ｏ3がドープされた酸化亜鉛（純度９
９．９％）をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴ
ンをスパッタガスとして、酸化亜鉛を膜厚５ｎｍになる
ように透明酸化膜層を形成した。続いて、このフィルム
をスパッタ装置から取り出すことなく、同様にＤＣマグ
ネトロンスパッタ法で、純度９９．９％の銀をターゲッ
トととし、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスと
して銀を膜厚２００ｎｍになるように銀層を成形した。Example 3 An acrylic resin (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) having an average particle diameter of 5 μm was used as the particles for the protrusions, and an acrylic resin (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., trade name Almatex) was used as the binder resin. Was mixed with a solvent consisting of toluene and ethyl methyl ketone so that the solid content ratio was 35% by weight and the ratio of particles in the solid content was 10% by weight. Was applied to obtain a projection layer. Then, zinc oxide (purity: 9%) doped with 2% Al 2 O 3 was formed on the protrusion layer by DC magnetron sputtering.
9.9%) as a target, and using argon having a purity of 99.5% as a sputtering gas, a transparent oxide film layer was formed so that zinc oxide had a film thickness of 5 nm. Subsequently, without taking out this film from the sputtering apparatus, similarly using the DC magnetron sputtering method, targeting silver having a purity of 99.9%, using argon having a purity of 99.5% as a sputtering gas, and making the silver film thickness 200 nm. The silver layer was molded so that
【００８３】続いて、このフィルムをスパッタ装置から
取り出すことなく、ＤＣマグネトロンスパッタ法にて純
度９９．９％のＡＰＣ２％（Ａｇに対し、ＰｄとＣｕが
合計で２重量％配合された合金）をターゲットとし、純
度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして、ＡＰＣ
２％が膜厚８ｎｍになるように銀を主体とする合金金属
層を成形した。続いて、このフィルムをスパッタ装置か
らと取り出すことなく、ＤＣマグネトロンスパッタ法
で、２％のＡｌ2Ｏ3がドープされた酸化亜鉛（純度９
９．９％）をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴ
ンをスパッタガスとして、酸化亜鉛を膜厚５ｎｍになる
ように保護層を形成し、図３に示すような所望の反射体
１を得た。この反射体１を日立自記分光光度計（型式Ｕ
―３４００）に１５０φの積分球を設置し、波長５５０
ｎｍにおけるＰＥＴ面側から測定した全反射率、拡散反
射率はそれぞれ、９３．８％、７．０％であり、拡散率
は７．５％であった。また突起物の高さの平均値は、
３．３μｍ、最大幅の平均値は４．３μｍ、突起物の数
は５８個/mm2であった。測定後の反射体１を、恒温恒湿
槽に入れ、６０℃、９０％ＲＨの湿熱条件で５００時間
放置した。５００時間経過後、反射体１を取り出して表
面を観察したところ、金属の凝集は見られず、色も白い
ままだった。また、再度分光光度計により、全反射率、
拡散反射率を測定した結果、反射率が９３．５％、拡散
反射率が６．９％と湿熱前とほとんどかわらなかった。
また、この反射シートを導光板の下面にＰＥＴフィルム
側が上になるようにセットし、図２の様なサイドライト
型バックライト装置２を得た。この状態で、光源６０を
点灯し、面中央での正面方向に得られる輝度を測定する
とともに、面の輝度ムラについても観察した結果を表２
に示す。Subsequently, without taking out this film from the sputtering apparatus, 2% by weight of APC having a purity of 99.9% (alloy in which Pd and Cu were added in a total amount of 2% by weight with respect to Ag) was obtained by the DC magnetron sputtering method. APC was used as the target and argon with a purity of 99.5% was used as the sputtering gas.
An alloy metal layer composed mainly of silver was formed so that 2% had a film thickness of 8 nm. Subsequently, without removing this film from the sputtering apparatus, zinc oxide doped with 2% Al 2 O 3 (purity: 9% by a DC magnetron sputtering method).
9.9%) as a target, and using argon having a purity of 99.5% as a sputtering gas, a protective layer is formed to a thickness of 5 nm of zinc oxide to obtain a desired reflector 1 as shown in FIG. It was This reflector 1 is a Hitachi self-recording spectrophotometer (type U
-3400) with a 150φ integrating sphere and a wavelength of 550
The total reflectance and the diffuse reflectance measured from the PET surface side in nm were 93.8% and 7.0%, respectively, and the diffuse rate was 7.5%. The average height of the protrusions is
The average value of the maximum width was 3.3 μm, and the number of protrusions was 58 / mm 2 . After the measurement, the reflector 1 was placed in a thermo-hygrostat and left standing for 500 hours under the wet heat conditions of 60 ° C. and 90% RH. After 500 hours, the reflector 1 was taken out and the surface was observed. No metal agglomeration was observed and the color remained white. Also, again using a spectrophotometer, total reflectance,
As a result of measuring the diffuse reflectance, the reflectance was 93.5% and the diffuse reflectance was 6.9%, which was almost the same as before wet heat.
Further, this reflection sheet was set on the lower surface of the light guide plate so that the PET film side faced up to obtain a sidelight type backlight device 2 as shown in FIG. In this state, the light source 60 is turned on, the brightness obtained in the front direction at the center of the surface is measured, and the uneven brightness of the surface is also observed.
Shown in.
【００８４】[0084]
【表２】 [Table 2]
【００８５】実施例４
突起物となる粒子として平均粒子径３μmのシリカ粒子
を、バインダー樹脂としてアクリル樹脂を用い、トルエ
ンとエチルメチルケトンとからなる溶剤を用いて、固形
分比率を３５重量％、固形分中の粒子の割合を１５重量
％とした溶液に調合した。厚さ７５μmのＰＥＴフィル
ム上に塗布を行い突起物層を得た。次に、実施例３の条
件に準じて反射層２０を形成し、反射体１を得た。次
に、実施例３と同様の方法で各反射率の測定を行ったと
ころ、全反射率は９２．３％、拡散反射率は１２．３％
であり、拡散率は１３．３％であった。また突起物高さ
の平均値は、２．０μｍ、最大幅の平均値は３．１μ
ｍ、突起数は６９個/mm2であった。次に、実施例３と同
様の条件で高温恒湿槽で５００時間放置後、再度反射率
を測定した結果、全反射率は、９２．２％、拡散反射率
は１２．４％と湿熱前とほとんどかわらず、また表面に
銀の劣化による凝集点も見られなかった。また、この反
射体１を導光板５０の下面にＰＥＴフィルム側が上にな
るようにセットし、実施例３と同様の観察を行った結果
を表２に示す。Example 4 Silica particles having an average particle diameter of 3 μm were used as the particles to be the protrusions, acrylic resin was used as the binder resin, and a solvent composed of toluene and ethyl methyl ketone was used, and the solid content ratio was 35% by weight. It was prepared into a solution in which the proportion of particles in the solid content was 15% by weight. Coating was performed on a PET film having a thickness of 75 μm to obtain a protrusion layer. Next, the reflective layer 20 was formed according to the conditions of Example 3 to obtain the reflector 1. Next, when the respective reflectances were measured by the same method as in Example 3, the total reflectance was 92.3% and the diffuse reflectance was 12.3%.
And the diffusion rate was 13.3%. The average height of the protrusions is 2.0 μm, and the average maximum width is 3.1 μm.
m, and the number of protrusions was 69 / mm 2 . Next, after the sample was left in a high temperature and humidity chamber for 500 hours under the same conditions as in Example 3, the reflectance was measured again. As a result, the total reflectance was 92.2% and the diffuse reflectance was 12.4%, which was before wet heat. Almost the same, and no aggregation points due to deterioration of silver were observed on the surface. Table 2 shows the results of the same observation as in Example 3 in which the reflector 1 was set on the lower surface of the light guide plate 50 with the PET film side facing up.
【００８６】実施例５
使用した粒子が、平均粒子径が５μmのトルエン−エチ
ルメチルケトンに不溶のポリスチレン粒子であること以
外は実施例３に準じて溶液を調合した。厚さ７５μmの
ＰＥＴフィルム（Ａ）上に塗布を行い突起物層を得た。
次に、この突起物層上にＤＣマグネトロンスパッタ法
で、２％のＡｌ2Ｏ3がドープされた酸化亜鉛（純度９
９．９％）をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴ
ンをスパッタガスとして、酸化亜鉛を膜厚５ｎｍになる
ように透明酸化膜層を形成した。続いて、このフィルム
をスパッタ装置から取り出すことなく、同様にＤＣマグ
ネトロンスパッタ法で、純度９９．９％の銀をターゲッ
トとし、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとし
て銀を膜厚２００ｎｍになるように銀層を成形した。続
いて、このフィルムをスパッタ装置から取り出すことな
く、ＤＣマグネトロンスパッタ法にて純度９９．９％の
ＡＰＣ２％（Ａｇに対し、ＰｄとＣｕが合計で２重量％
配合された合金）をターゲットとし、純度９９．５％の
アルゴンをスパッタガスとして、ＡＰＣ２％が膜厚８ｎ
ｍになるように銀を主体とする合金金属層を成形した。
続いて、このフィルムをスパッタ装置からと取り出すこ
となく、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、２％のＡｌ2
Ｏ3がドープされたチタン（純度９９．９％）をターゲ
ットとし、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスと
して、酸化亜鉛を膜厚５ｎｍになるように保護層を形成
した。Example 5 A solution was prepared according to Example 3, except that the particles used were polystyrene particles insoluble in toluene-ethylmethylketone having an average particle size of 5 μm. Coating was performed on a PET film (A) having a thickness of 75 μm to obtain a protrusion layer.
Then, zinc oxide (purity: 9%) doped with 2% Al 2 O 3 was formed on the protrusion layer by DC magnetron sputtering.
9.9%) as a target, and using argon having a purity of 99.5% as a sputtering gas, a transparent oxide film layer was formed so that zinc oxide had a film thickness of 5 nm. Subsequently, without taking out this film from the sputtering device, similarly, a DC magnetron sputtering method is used to target silver having a purity of 99.9%, argon having a purity of 99.5% is used as a sputtering gas, and the silver has a thickness of 200 nm. To form a silver layer. Successively, without taking out this film from the sputtering apparatus, by a DC magnetron sputtering method, APC 2% with a purity of 99.9% (Pd and Cu are 2% by weight in total with respect to Ag).
Compounded alloy) as a target, argon with a purity of 99.5% as a sputtering gas, and APC 2% has a film thickness of 8 n.
An alloy metal layer mainly composed of silver was formed so as to have a thickness of m.
Then, without removing this film from the sputtering apparatus, a 2% Al 2 film was formed by the DC magnetron sputtering method.
Using O 3 -doped titanium (purity 99.9%) as a target, argon having a purity of 99.5% was used as a sputtering gas, and a protective layer was formed so that zinc oxide had a thickness of 5 nm.
【００８７】この反射体１の反射層２０側にアクリル系
粘着剤を用いて、厚さ７５μｍのＰＥＴフィルム（Ｂ）
を貼り合わせて所望の反射体１を得た。この反射体１を
日立自記分光光度計（型式Ｕ―３４００）に１５０φの
積分球を設置し、波長５５０ｎｍにおけるＰＥＴ面
（Ａ）側から測定した全反射率、拡散反射率はそれぞ
れ、９２．６％、１０．１％であり、拡散率は１０．９
％であった。また突起物高さの平均値は、３．１μｍ、
最大幅の平均値は４．４μｍ、突起物数は５３個/mm2で
あった。測定後の反射体１を、恒温恒湿槽に入れ、６０
℃、９０％ＲＨの湿熱条件で５００時間放置した。５０
０時間経過後、反射体１を取り出して表面を観察したと
ころ、金属の凝集は見られず、色も白いままだった。ま
た、再度分光光度計により、全反射率、拡散反射率を測
定した結果、反射率が９２．７％、拡散反射率が１０．
２％と湿熱前とほとんどかわらなかった。また、この反
射体１を導光板５０の下面にＰＥＴフィルム（Ａ）側が
上になるようにセットし、図２の様なサイドライト型バ
ックライト装置２を得た。この状態で、光源６０を点灯
し、面中央での正面方向に得られる輝度を測定するとと
もに、面の輝度ムラについて観察した結果を表２に示
す。A PET film (B) having a thickness of 75 μm was formed on the reflective layer 20 side of the reflector 1 by using an acrylic adhesive.
Were adhered to obtain a desired reflector 1. This reflector 1 was installed in a Hitachi autograph spectrophotometer (type U-3400) with an integrating sphere of 150φ, and the total reflectance and diffuse reflectance measured from the PET surface (A) side at a wavelength of 550 nm were 92.6, respectively. %, 10.1%, and the diffusion rate is 10.9
%Met. The average height of the protrusions is 3.1 μm,
The average value of the maximum width was 4.4 μm, and the number of protrusions was 53 / mm 2 . After the measurement, the reflector 1 is put in a constant temperature and humidity chamber, and 60
It was left to stand under wet heat conditions of 90 ° C and 90% RH for 500 hours. Fifty
After 0 hours, the reflector 1 was taken out and the surface was observed. No metal agglomeration was observed and the color remained white. Moreover, as a result of measuring the total reflectance and the diffuse reflectance with a spectrophotometer again, the reflectance was 92.7% and the diffuse reflectance was 10.
It was almost 2%, which was almost the same as before moist heat. Further, the reflector 1 was set on the lower surface of the light guide plate 50 with the PET film (A) side facing upward, and the side light type backlight device 2 as shown in FIG. 2 was obtained. In this state, the light source 60 is turned on, the luminance obtained in the front direction at the center of the surface is measured, and the results of observation of the luminance unevenness of the surface are shown in Table 2.
【００８８】比較例3
固形分中の粒子の割合を４２．０重量％として溶液を調
合した以外は、実施例３に準じて反射体１を得た。各反
射率を測定した結果、全反射率が９１．４％、拡散反射
率が８２．３％、拡散率９０．０％となった。また１mm
2当たりの突起物数は２００個以上であった。続いて、
実施例３と同様の条件で湿熱試験を行った後に、再度反
射率を測定した結果、全反射率は９１．３％、拡散反射
率は８２．４％と反射率に変化は見られず、表面に銀の
凝集と見られる点の発生も見られなかった。次に、実施
例３と同様に導光板５０に反射体１をセットし、サイド
ライト型バックライト装置２を得た。その後、実施例３
と同様の条件で観測を行った結果を表２に示す。 表２
からわかるように、実施例３，４，５ともに輝度ムラの
発生が無く、十分な輝度が得られ、バックライトとして
良好な特性を示した。比較例３では、拡散反射率が高く
輝度ムラが発生した。Comparative Example 3 A reflector 1 was obtained in the same manner as in Example 3 except that the solution was prepared with the proportion of particles in the solid content being 42.0% by weight. As a result of measuring each reflectance, the total reflectance was 91.4%, the diffuse reflectance was 82.3%, and the diffuse rate was 90.0%. 1mm again
The number of protrusions per 2 was 200 or more. continue,
After performing the wet heat test under the same conditions as in Example 3, the reflectance was measured again, and as a result, the total reflectance was 91.3% and the diffuse reflectance was 82.4%, showing no change in reflectance. Neither generation of points that could be seen as aggregation of silver was observed on the surface. Next, the reflector 1 was set on the light guide plate 50 in the same manner as in Example 3 to obtain the sidelight type backlight device 2. Then, Example 3
Table 2 shows the results of observation under the same conditions as. Table 2
As can be seen from the above, in Examples 3, 4, and 5, there was no uneven brightness, sufficient brightness was obtained, and good characteristics as a backlight were exhibited. In Comparative Example 3, the diffuse reflectance was high and uneven brightness occurred.
【００８９】次に、図４に示すような粒子を分散させた
フィルム９０に反射層２０を形成した反射体１のＢ面側
を導光板５０に配置し、導光板５０と反射層２０との距
離を基板１０の厚みと突起物高さとで制御する場合につ
いて説明する。Next, the B side of the reflector 1 in which the reflective layer 20 is formed on the film 90 in which particles are dispersed as shown in FIG. 4 is arranged on the light guide plate 50, and the light guide plate 50 and the reflective layer 20 are separated from each other. A case where the distance is controlled by the thickness of the substrate 10 and the height of the protrusion will be described.
【００９０】実施例６
平均粒子径が２μｍのトルエン−エチルメチルケトンに
不溶のアクリル樹脂粒子（綜研化学社製）（屈折率１．
４９）を曇価が２．５％になるように分散させた厚さ５
０μmのＰＥＴフィルム（波長５５０ｎｍにおける全光
線透過率が８８．０％）にＤＣマグネトロンスパッタ法
で、２％のＡｌ2Ｏ3がドープされた酸化亜鉛（純度９
９．９％）をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴ
ンをスパッタガスとして、酸化亜鉛を膜厚５ｎｍになる
ように下地層形成した。続いて、このフィルムをスパッ
タ装置から取り出すことなく、同様にＤＣマグネトロン
スパッタ法で、純度９９．９％の銀をターゲットとと
し、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして銀
を膜厚２００ｎｍになるように成形した。続いて、この
フィルムをスパッタ装置から取り出すことなく、ＤＣマ
グネトロンスパッタ法にて純度９９．９％のＡＰＣ２％
（Ａｇに対し、ＰｄとＣｕが合計で２重量％配合された
合金）をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴンを
スパッタガスとして、ＡＰＣ２％が膜厚８ｎｍになるよ
うに成形した。続いて、このフィルムをスパッタ装置か
ら取り出すことなく、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、
２％のＡｌ 2Ｏ3がドープされた酸化亜鉛（純度９９．９
％）をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴンをス
パッタガスとして、酸化亜鉛を膜厚５ｎｍになるように
保護層を形成し、図４に示すような粒子を分散させた高
分子フィルム９０に反射層２０を形成した反射体１を得
た。Example 6
Toluene-ethyl methyl ketone with an average particle size of 2 μm
Insoluble acrylic resin particles (manufactured by Soken Chemical Industry Co., Ltd.) (refractive index 1.
49) with a haze value of 2.5% dispersed to a thickness of 5
0 μm PET film (total light at wavelength 550 nm
DC magnetron sputtering method for line transmittance of 88.0%)
And 2% Al2O3Zinc oxide doped with (purity 9
Targeting 9.9%), and 99.5% pure Argo
As a sputtering gas, zinc oxide has a thickness of 5 nm
Thus, the underlayer was formed. Then, sputter this film.
DC magnetron without removing from the device
By sputtering, targeting silver with a purity of 99.9%
And using argon with a purity of 99.5% as the sputtering gas.
Was molded to a film thickness of 200 nm. Then this
DC film without removing the film from the sputtering equipment
APC 2% with a purity of 99.9% by the Gnetron sputtering method
(A total of 2% by weight of Pd and Cu was added to Ag.
Alloy) and 99.5% pure argon.
As sputter gas, 2% of APC will have a film thickness of 8 nm
Molded as Then, use this film with a sputtering device.
DC magnetron sputtering method without removing
2% Al 2O3Zinc oxide doped with (purity 99.9
%) As the target, and 99.5% pure argon is sputtered.
Use zinc oxide as a putter gas so that the film thickness is 5 nm.
A protective layer is formed and high particles containing particles as shown in FIG. 4 are dispersed.
The reflector 1 in which the reflective layer 20 is formed on the molecular film 90 is obtained.
It was
【００９１】この反射体１を日立自記分光光度計（型式
Ｕ―３４００）に１５０φの積分球を設置し、波長５５
０ｎｍにおけるＰＥＴ面側から測定した全反射率、拡散
反射率はそれぞれ、９３．５％、５．６％であり、拡散
率は６．０％であった。また突起物高さの平均値は、
１．１μｍ、最大幅の平均値は１．８μｍ、突起物数は
４０個/mm2であった。測定後の反射体１を、恒温恒湿槽
に入れ、６０℃、９０％ＲＨの湿熱条件で５００時間放
置した。５００時間経過後、シートを取り出して表面を
観察したところ、金属の凝集は見られず、色も白いまま
だった。また、再度分光光度計により、全反射率、拡散
反射率を測定した結果、反射率が９３．３％、拡散反射
率が５．５％と湿熱前とほとんどかわらなかった。ま
た、この反射体１を導光板５０の下面にＰＥＴフィルム
側が上になるようにセットし、図２の様なサイドライト
型バックライト装置２を得た。この状態で、光源６０を
点灯し、面中央での正面方向に得られる輝度を測定する
とともに、面の輝度ムラについて観察した結果を表３に
示す。This reflector 1 was installed in a Hitachi self-recording spectrophotometer (model U-3400) with an integrating sphere of 150φ and a wavelength of 55.
The total reflectance and diffuse reflectance measured from the PET surface side at 0 nm were 93.5% and 5.6%, respectively, and the diffuse coefficient was 6.0%. Also, the average value of the protrusion height is
The average value of the maximum width was 1.1 μm, and the number of protrusions was 40 / mm 2 . After the measurement, the reflector 1 was placed in a thermo-hygrostat and left standing for 500 hours under the wet heat conditions of 60 ° C. and 90% RH. After 500 hours, the sheet was taken out and the surface was observed. As a result, no metal agglomeration was observed and the color remained white. Further, as a result of measuring the total reflectance and the diffuse reflectance with a spectrophotometer again, the reflectance was 93.3% and the diffuse reflectance was 5.5%, which was almost the same as before wet heat. Further, the reflector 1 was set on the lower surface of the light guide plate 50 so that the PET film side faced up, and the sidelight type backlight device 2 as shown in FIG. 2 was obtained. In this state, the light source 60 is turned on, the luminance obtained in the front direction at the center of the surface is measured, and the results of observation of the luminance unevenness of the surface are shown in Table 3.
【００９２】[0092]
【表３】 [Table 3]
【００９３】実施例７
平均粒子径３μｍのシリカ微粒子（屈折率１．５２）を
曇価が４．６％になるように分散させた厚さ７０μmの
ＰＥＴフィルム（波長５５０ｎｍにおける全光線透過率
が８６．８％）を使用したこと以外は、実施例６の条件
に準じて反射体１を形成した。実施例６の条件に準じて
形成した反射体１の各反射率を測定したところ全反射率
は９２．６％、拡散反射率は６．８％であり、拡散率は
７．３％であった。また突起物高さの平均値は、１．８
μｍ、最大幅の平均値は２．６μｍ、突起物数は６０個
/mm2であった。Example 7 A PET film having a thickness of 70 μm (total light transmittance at a wavelength of 550 nm was obtained by dispersing silica fine particles having an average particle diameter of 3 μm (refractive index 1.52) so that the haze value was 4.6%. Reflector 1 was formed according to the conditions of Example 6 except that 86.8%) was used. When the respective reflectances of the reflector 1 formed according to the conditions of Example 6 were measured, the total reflectance was 92.6%, the diffuse reflectance was 6.8%, and the diffuse rate was 7.3%. It was The average height of the protrusions is 1.8.
μm, average of maximum width is 2.6 μm, number of protrusions is 60
It was / mm 2 .
【００９４】次に、実施例６と同様の条件で高温恒湿槽
で５００時間放置後、再度反射率を測定した結果、全反
射率は、９２．８％、拡散反射率は６．５％と湿熱前と
ほとんどかわらず、また表面に銀の劣化による凝集点も
見られなかった。また、この反射体１を導光板５０の下
面にＰＥＴフィルム側が上になるようにセットし、実施
例６と同様の観察を行った結果を表３に示す。Next, after the sample was left in a high temperature and humidity chamber for 500 hours under the same conditions as in Example 6, the reflectance was measured again. As a result, the total reflectance was 92.8% and the diffuse reflectance was 6.5%. Almost the same as before wet heat, and no aggregation points due to silver deterioration were observed on the surface. In addition, Table 3 shows the results obtained by setting the reflector 1 on the lower surface of the light guide plate 50 with the PET film side facing up and performing the same observation as in Example 6.
【００９５】比較例４
実施例６と同じ粒子を用い曇価が７５．０％になるよう
に分散させた厚さ５０μmのＰＥＴフィルム（波長５５
０ｎｍにおける光線透過率が８３．０％）を用い実施例
６の条件に準じて反射体１を形成した。実施例６の条件
に準じて形成した反射体１の各反射率を測定した結果、
全反射率が９１．８％、拡散反射率が８２．８％、拡散
率９０．２％となった。１ｍｍ2当たりの粒子数は２０
０個以上であった。続いて、実施例６と同様の湿熱試験
を行った後に、再度反射率を測定した結果、全反射率は
９１．７％、拡散反射率は８２．６％と反射率には変化
は見られず、表面に銀の凝集と見られる点の発生も見ら
れなかった。Comparative Example 4 A PET film having a thickness of 50 μm (wavelength: 55) was prepared by dispersing the same particles as in Example 6 so that the haze value was 75.0%.
Reflector 1 was formed according to the conditions of Example 6 using the light transmittance at 0 nm of 83.0%). As a result of measuring each reflectance of the reflector 1 formed according to the conditions of Example 6,
The total reflectance was 91.8%, the diffuse reflectance was 82.8%, and the diffuse factor was 90.2%. The number of particles per mm 2 is 20
It was 0 or more. Subsequently, the same heat and humidity test as in Example 6 was performed, and then the reflectance was measured again. As a result, the total reflectance was 91.7% and the diffuse reflectance was 82.6%, showing a change in reflectance. In addition, there was no occurrence of spots that seemed to be aggregation of silver on the surface.
【００９６】次に、実施例６と同様に導光板５０に反射
体１をセットし、サイドライト型バックライト装置２を
得た。その後、実施例６と同様の観測を行った結果を表
３に示す。 表３からわかるように、実施例６，７とも
に輝度ムラの発生が無く、十分な輝度が得られ、バック
ライトとして良好な特性を示した。比較例４では、拡散
反射率が高く輝度ムラが発生した。Next, the reflector 1 was set on the light guide plate 50 in the same manner as in Example 6 to obtain the sidelight type backlight device 2. Then, the results of the same observations as in Example 6 are shown in Table 3. As can be seen from Table 3, in Examples 6 and 7, there was no uneven brightness, sufficient brightness was obtained, and good characteristics as a backlight were exhibited. In Comparative Example 4, the diffuse reflectance was high and uneven brightness occurred.
【００９７】次に、図５に示すような基板１０に反射層
２０を形成した後、粒子３０を塗布して得られた反射体
１のＡ面側を導光板５０に配置し、導光板５０と反射層
２０との距離を突起物高さで制御する場合について説明
する。Next, after the reflective layer 20 is formed on the substrate 10 as shown in FIG. 5, the A surface side of the reflector 1 obtained by coating the particles 30 is placed on the light guide plate 50, and the light guide plate 50 is formed. A case where the distance between the reflective layer 20 and the reflective layer 20 is controlled by the height of the protrusion will be described.
【００９８】実施例８
厚さ１８８μmのＰＥＴフィルム上のＡ面側に、ＤＣマ
グネトロンスパッタ法で、２％のＡｌ2Ｏ3がドープされ
た酸化亜鉛（純度９９．９％）をターゲットとし、純度
９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして、上記酸化
亜鉛を膜厚５ｎｍになるように下地層を形成した。続い
て、このフィルムをスパッタ装置から取り出すことな
く、同様にＤＣマグネトロンスパッタ法で、純度９９．
９％の銀をターゲットととし、純度９９．５％のアルゴ
ンをスパッタガスとして銀を膜厚１５０ｎｍになるよう
に成形した。続いて、このフィルムをスパッタ装置から
取り出すことなく、ＤＣマグネトロンスパッタ法で、２
％のＡｌ2Ｏ3がドープされた酸化亜鉛（純度９９．９
％）をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴンをス
パッタガスとして、酸化亜鉛を膜厚５ｎｍになるように
保護層を形成し反射層２０とした。Example 8 A zinc oxide (purity 99.9%) doped with 2% Al 2 O 3 was targeted by a DC magnetron sputtering method on the A surface side of a PET film having a thickness of 188 μm, and the purity was measured. Using 99.5% argon as a sputtering gas, the underlayer was formed so that the zinc oxide had a thickness of 5 nm. Subsequently, without removing this film from the sputtering apparatus, the purity was 99.
Using 9% silver as a target, argon having a purity of 99.5% was used as a sputtering gas, and silver was formed to have a film thickness of 150 nm. Subsequently, the film was removed by a DC magnetron sputtering method without removing it from the sputtering device.
% Al 2 O 3 -doped zinc oxide (purity 99.9
%) As a target, using argon having a purity of 99.5% as a sputtering gas, and forming a protective layer of zinc oxide so as to have a film thickness of 5 nm to form a reflective layer 20.
【００９９】続いてこのスパッタ面上に突起物となる粒
子として平均粒子径が３０μｍであるトルエン−エチル
メチルケトンに不溶のアクリル粒子を、バインダー樹脂
としてアクリル樹脂を用い、バインダーに対し粒子の配
合量を６．５ｗｔ％とし、固形分比が２４ｗｔ％になる
ようにトルエンとエチルメチルケトンとからなる溶剤を
用いて溶液を調合した後、塗布量がウェット状態で１５
ｇ／ｍ2となるように塗布を行いＡ面側の突起物を得
た。突起物を顕微鏡で観察したところ、１ｍｍ2当たり
１２個の粒子が確認された。Subsequently, acrylic particles insoluble in toluene-ethylmethylketone having an average particle size of 30 μm were used as particles to be protrusions on the sputter surface, and acrylic resin was used as the binder resin. Of 6.5 wt% and a solid content ratio of 24 wt% was prepared by using a solvent composed of toluene and ethyl methyl ketone to prepare a solution.
Coating was performed so as to be g / m 2 to obtain protrusions on the A side. When the projections were observed with a microscope, 12 particles were confirmed per 1 mm 2 .
【０１００】次に、平均粒子径が１．５μｍのトルエン
−エチルメチルケトンに不溶のアクリル粒子（綜研化学
社製）、バインダー樹脂としてアクリル樹脂を用い、バ
インダーに対し、粒子の配合量を、１．５ｗｔ％とし、
固形分比が１５ｗｔ％になるようにトルエンとエチルメ
チルケトンとからなる溶剤を用いて溶液を調合した後、
ＰＥＴフィルム上のＢ面側に塗布を行い、図５に示すよ
うな所望の反射体１を得た。Next, acrylic particles having an average particle diameter of 1.5 μm and insoluble in toluene-ethylmethylketone (manufactured by Soken Chemical Industry Co., Ltd.) and acrylic resin as a binder resin were used. 0.5 wt%,
After preparing a solution using a solvent consisting of toluene and ethyl methyl ketone so that the solid content ratio becomes 15 wt%,
Coating was performed on the B surface side of the PET film to obtain a desired reflector 1 as shown in FIG.
【０１０１】この反射体１を日立自記分光光度計（型式
Ｕ―３４００）に１５０φの積分球を設置し、波長５５
０ｎｍにおける金属層側(Ａ面側)から測定した全反射
率、拡散反射率はそれぞれ、９５．２％、５．２％であ
り、拡散率は５．５％であった。また突起物高さの平均
値は、２６．８μｍ、最大幅の平均値は３０．１μｍ、
高さ１５〜３５μｍ、最大幅２０〜４０μｍの突起数は
２０個/mm2であった。測定後の反射体１を、恒温恒湿槽
に入れ、６０℃、９０％ＲＨの湿熱条件で５００時間放
置した。５００時間経過後、反射体１を取り出して表面
を観察したところ、金属の凝集によると考えられるピン
ホールの発生は見られなかった。また、再度分光光度計
により、全反射率、拡散反射率を測定した結果、反射率
が９５．１％、拡散反射率が５．３％と湿熱前とほとん
ど変わらなかった。また、この反射体１を導光板５０の
下面に金属層側（Ａ面側）が上になるようにセットし、
図２の様なサイドライト型バックライト装置２を得た。
この状態で、光源６０を点灯し、面中央での正面方向に
得られる輝度を測定するとともに、セットした反射体１
を指で押して歪みを与えた場合の輝度ムラについて観察
した結果を表４に示す。This reflector 1 was installed in a Hitachi autograph spectrophotometer (model U-3400) with an integrating sphere of 150φ and a wavelength of 55.
The total reflectance and the diffuse reflectance measured from the metal layer side (A side) at 0 nm were 95.2% and 5.2%, respectively, and the diffuse rate was 5.5%. The average height of the protrusions is 26.8 μm, the average maximum width is 30.1 μm,
The number of protrusions having a height of 15 to 35 μm and a maximum width of 20 to 40 μm was 20 / mm 2 . After the measurement, the reflector 1 was placed in a thermo-hygrostat and left standing for 500 hours under the wet heat conditions of 60 ° C. and 90% RH. After 500 hours, the reflector 1 was taken out and the surface was observed. As a result, the occurrence of pinholes, which is considered to be due to metal aggregation, was not observed. Further, as a result of measuring the total reflectance and the diffuse reflectance with a spectrophotometer again, the reflectance was 95.1% and the diffuse reflectance was 5.3%, which were almost the same as those before the wet heat. In addition, the reflector 1 is set on the lower surface of the light guide plate 50 with the metal layer side (A side) facing upward,
A sidelight type backlight device 2 as shown in FIG. 2 was obtained.
In this state, the light source 60 is turned on, the brightness obtained in the front direction at the center of the surface is measured, and the set reflector 1 is set.
Table 4 shows the results of observing the uneven brightness when the was pressed with a finger to give distortion.
【０１０２】[0102]
【表４】 [Table 4]
【０１０３】実施例９
厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルム上のＡ面側に、平均粒
子径が１．５μｍであるトルエン−エチルメチルケトン
に不溶のアクリル系樹脂（綜研化学社製）とバインダー
樹脂としてアクリル系樹脂とを用い、トルエンとエチル
メチルケトンとからなる溶剤を用いて、固形分比を３５
％、固形分中の粒子の割合を２．０重量％とした溶液を
調合した後、ＰＥＴフィルム上に塗布を行い突起物層を
得た。続いてこの突起物層上にＤＣマグネトロンスパッ
タ法で純度９９．９％のチタンをターゲットとし、純度
９９．５％のアルゴンをスパッタガスとしてチタンを膜
厚１０ｎｍになるように下地層を形成した。続いてこの
フィルムをスパッタ装置から取り出すことなく、同様に
ＤＣマグネトロンスパッタ法で純度９９．９％の銀をタ
ーゲットとし、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガ
スとして銀を膜厚１５０ｎｍになるように形成した。続
いてこのフィルムをスパッタ装置から取り出すことな
く、ＤＣマグネトロンスパッタ法で５％のガリウムがド
ープされた酸化亜鉛（純度９９．９％）をターゲットと
し、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして上
記ガリウムがドープされた酸化亜鉛を膜厚５ｎｍになる
ように保護層を形成し反射層２０とした。これに、実施
例８の条件に準じて透明突起物および易滑層４０を形成
して図６に示す様な突起物層１００の上にさらに粒子３
０を塗布した反射体１を得た。Example 9 An acrylic resin (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd.) insoluble in toluene-ethylmethylketone having an average particle size of 1.5 μm and an acrylic resin as a binder resin were formed on the A surface side of a PET film having a thickness of 188 μm. System resin and a solvent composed of toluene and ethyl methyl ketone, and a solid content ratio of 35
%, And the proportion of particles in the solid content was 2.0% by weight, a solution was prepared and then applied on a PET film to obtain a protrusion layer. Subsequently, a titanium magnet having a purity of 99.9% was used as a target on the projection layer by a DC magnetron sputtering method, and an underlying layer was formed so that the titanium had a film thickness of 10 nm by using argon having a purity of 99.5% as a sputtering gas. Then, without taking out this film from the sputtering apparatus, similarly, targeting silver having a purity of 99.9% by the DC magnetron sputtering method, using argon having a purity of 99.5% as a sputtering gas so that the silver has a thickness of 150 nm. Formed. Then, without taking out this film from the sputtering apparatus, zinc oxide (purity 99.9%) doped with 5% gallium by the DC magnetron sputtering method was used as a target, and argon with a purity of 99.5% was used as the sputtering gas. A protective layer was formed so as to have a thickness of 5 nm of zinc oxide doped with gallium, and was used as the reflective layer 20. The transparent protrusions and the easy-slipping layer 40 were formed thereon in accordance with the conditions of Example 8 to further form particles 3 on the protrusion layer 100 as shown in FIG.
A reflector 1 coated with 0 was obtained.
【０１０４】この反射体１を日立自記分光光度計（型式
Ｕ―３４００）に１５０φの積分球を設置し、波長５５
０ｎｍにおける金属層側(Ａ面側)から測定した全反射
率、拡散反射率はそれぞれ、９４．６％、６．８％であ
り、拡散率は７．２％であった。また突起物高さの平均
値は、２６．２μｍ、最大幅の平均値は３０．４μｍ、
高さ１５〜３５μｍ、最大幅２０〜４０μｍの突起物数
は２０個/mm2であった。測定後の反射体１を、恒温恒湿
槽に入れ、６０℃、９０％ＲＨの湿熱条件で５００時間
放置した。５００時間経過後、反射体１を取り出して表
面を観察したところ、金属の凝集によると考えられるピ
ンホールの発生は見られなかった。また、再度分光光度
計により、全反射率、拡散反射率を測定した結果、反射
率が９４．５％、拡散反射率が６．９％と湿熱前とほと
んど変わらなかった。また、実施例８の条件に準じて導
光板５０に反射体１をセットし、光源６０を点灯し、面
中央での正面方向に得られる輝度を測定するとともに、
セットした反射体１を指で押して歪みを与えた場合の輝
度ムラについて観察した結果を表４に示す。 表４から
わかるように、実施例８，９ともに輝度ムラの発生が無
く、十分な輝度が得られ、バックライトとして良好な特
性を示した。This reflector 1 was installed in a Hitachi autograph spectrophotometer (model U-3400) with an integrating sphere of 150φ and a wavelength of 55.
The total reflectance and diffuse reflectance measured from the metal layer side (A side) at 0 nm were 94.6% and 6.8%, respectively, and the diffuse rate was 7.2%. The average height of the protrusions is 26.2 μm, the average maximum width is 30.4 μm,
The number of protrusions having a height of 15 to 35 μm and a maximum width of 20 to 40 μm was 20 / mm 2 . After the measurement, the reflector 1 was placed in a thermo-hygrostat and left standing for 500 hours under the wet heat conditions of 60 ° C. and 90% RH. After 500 hours, the reflector 1 was taken out and the surface was observed. As a result, the occurrence of pinholes, which is considered to be due to metal aggregation, was not observed. Further, as a result of measuring the total reflectance and the diffuse reflectance with a spectrophotometer again, the reflectance was 94.5% and the diffuse reflectance was 6.9%, which were almost the same as before the wet heat. Further, according to the conditions of Example 8, the reflector 1 is set on the light guide plate 50, the light source 60 is turned on, and the brightness obtained in the front direction at the center of the surface is measured.
Table 4 shows the results of observation of uneven brightness when the set reflector 1 was pressed with a finger to give distortion. As can be seen from Table 4, in Examples 8 and 9, there was no uneven brightness, sufficient brightness was obtained, and good characteristics as a backlight were exhibited.
【０１０５】次に、基板１０としてＰＥＴ以外の材料を
用い、反射体１のＡ面側を導光板５０に配置し、導光板
５０と反射層２０との距離を突起物高さで制御する場合
について説明する。Next, when a material other than PET is used for the substrate 10 and the A side of the reflector 1 is disposed on the light guide plate 50, and the distance between the light guide plate 50 and the reflection layer 20 is controlled by the height of the protrusion. Will be described.
【０１０６】実施例１０
ＰＥＴフィルムの代わりに厚さ１００μｍのポリカーボ
ネートフィルムを用いた以外は実施例１と同様にして反
射体の作成を行った。結果を表５に示した。Example 10 A reflector was prepared in the same manner as in Example 1 except that a polycarbonate film having a thickness of 100 μm was used instead of the PET film. The results are shown in Table 5.
【０１０７】[0107]
【表５】 [Table 5]
【０１０８】実施例１１
ＰＥＴフィルムの代わりに厚さ２．５ｍｍの強化ガラス
板を用いた以外は実施例１と同様にして反射体の作成を
行った。結果を表５に示した。表５からわかるように、
実施例１０，１１ともに輝度ムラの発生が無く、十分な
輝度が得られ、バックライトとして良好な特性を示し
た。Example 11 A reflector was prepared in the same manner as in Example 1 except that a tempered glass plate having a thickness of 2.5 mm was used instead of the PET film. The results are shown in Table 5. As you can see from Table 5,
In each of Examples 10 and 11, there was no unevenness in brightness, sufficient brightness was obtained, and good characteristics as a backlight were exhibited.
【０１０９】本発明は、その精神または主要な特徴から
逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。
従って、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過
ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであっ
て、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請
求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のも
のである。The present invention can be embodied in various other forms without departing from the spirit or the main features thereof.
Therefore, the above-described embodiments are merely examples in all respects, and the scope of the present invention is shown in the claims and is not bound by the specification text. Furthermore, all modifications and changes belonging to the scope of the claims are within the scope of the present invention.
【図１】本発明における反射体１の一例を示す断面図で
ある。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a reflector 1 according to the present invention.
【図２】本発明のサイドライト型バックライト装置２の
一例である。FIG. 2 is an example of a sidelight type backlight device 2 of the present invention.
【図３】本発明における反射体１の一例を示す断面図で
ある。FIG. 3 is a sectional view showing an example of a reflector 1 according to the present invention.
【図４】本発明における反射体１の一例を示す断面図で
ある。FIG. 4 is a sectional view showing an example of a reflector 1 according to the present invention.
【図５】本発明における反射体１の一例を示す断面図で
ある。FIG. 5 is a sectional view showing an example of a reflector 1 according to the present invention.
【図６】本発明における反射体１の一例を示す断面図で
ある。FIG. 6 is a sectional view showing an example of a reflector 1 according to the present invention.
１ 反射体 ２ サイドライト型バックライト装置 １０ 基板（高分子フィルム） ２０ 反射層 ３０ 粒子 ４０ 易滑層 ５０ 導光板 ６０ 光源 ７０ ランプリレフクター ９０ 粒子を分散させた高分子フィルム １００ 突起物層 1 reflector 2 Sidelight type backlight device 10 Substrate (polymer film) 20 reflective layer 30 particles 40 Easy-slip layer 50 light guide plate 60 light source 70 Lamp Reflexor 90 Polymer film with dispersed particles 100 protrusion layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/13357 Ｇ０２Ｆ 1/13357 Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３６ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３６Ｊ // Ｃ０８Ｌ 101:00 Ｃ０８Ｌ 101:00 Ｆ２１Ｙ 103:00 Ｆ２１Ｙ 103:00 (31)優先権主張番号 特願2001−202837(P2001−202837) (32)優先日 平成13年７月４日(2001．7．4) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 石川 浩 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 田邉 勝 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H042 AA01 AA26 BA02 BA03 BA11 BA15 BA20 2H091 FA16Z FA23Z FA41Z FA42Z FA44Z FA45Z FB02 FB04 FB12 FB13 FC01 FC02 FC03 FC13 FC14 FC15 FC19 FC22 FC26 FD06 FD12 KA10 LA02 LA12 LA16 LA18 LA30 4F006 AA02 AA12 AA16 AA22 AA35 AA36 AA38 AB13 AB16 AB19 AB24 AB34 AB35 AB37 AB38 AB39 AB56 AB74 AB76 BA00 CA05 DA04 5G435 AA03 AA14 AA17 BB12 BB15 EE27 FF03 FF06 FF08 HH04 KK07 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G02F 1/13357 G02F 1/13357 G09F 9/00 336 G09F 9/00 336J // C08L 101: 00 C08L 101: 00 F21Y 103: 00 F21Y 103: 00 (31) Priority claim number Japanese patent application 2001-202837 (P2001-202837) (32) Priority date July 4, 2001 (2001.7.4) (33) Priority Claiming country Japan (JP) (72) Inventor Hiroshi Ishikawa 580-32, Nagaura, Sodegaura City, Chiba Prefecture Mitsui Chemicals Co., Ltd. (72) Inventor, Masaru Tanabe, 580-32, Nagaura, Sodegaura City, Chiba Prefecture F Term (Reference) 2H042 AA01 AA26 BA02 BA03 BA11 BA15 BA20 2H091 FA16Z FA23Z FA41Z FA42Z FA44Z FA45Z FB02 FB04 FB12 FB13 FC01 FC02 FC03 FC13 FC14 FC15 FC19 FC22 FC26 FD06 FD12 KA10 LA02 LA12 LA16 LA18 LA30 A12A006 AA16 AA22 AA35 AA36 AA38 AB13 AB16 AB19 AB24 AB34 AB35 AB37 AB38 AB39 AB56 AB74 AB76 BA00 CA05 DA04 5G435 AA03 AA14 AA17 BB12 BB15 EE27 FF03 FF06 FF08 HH04 KK07
Claims (18)
射体であって、全反射率に対する拡散反射率の割合（拡
散率）が１％〜５０％であることを特徴とする反射体。1. A reflector comprising at least a substrate and a reflective layer, wherein the ratio of the diffuse reflectance to the total reflectance (diffusivity) is 1% to 50%.
特徴とする請求項１記載の反射体。2. The reflector according to claim 1, wherein the substrate is a polymer film.
％以上、かつ、拡散反射率が１５％以下であることを特
徴とする請求項１に記載の反射体。3. The total reflectance at a wavelength of 550 nm is 90.
% Or more, and diffuse reflectance is 15% or less, The reflector of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
μｍ〜５０μｍ、高さ０．１μｍ〜４５μｍの突起物を
１ｍｍ2当たり２個以上１００個以下有することを特徴
とする請求項１または請求項３に記載の反射体。4. A maximum width of 0.1 on the reflective layer side of the substrate.
The reflector according to claim 1 or 3, wherein the number of protrusions having a size of µm to 50 µm and a height of 0.1 µm to 45 µm is 2 or more and 100 or less per 1 mm 2 .
ｍ、高さが５μｍ〜４５μｍであることを特徴とする請
求項４に記載の反射体。5. The maximum width of the protrusion is 10 μm to 50 μm.
The reflector according to claim 4, wherein m and height are 5 m to 45 m.
以上５０μｍ以下の粒子及びバインダー樹脂を含有して
なる塗工液を前記基板に塗布することにより形成される
ことを特徴とする請求項４に記載の反射体。6. The projections have an average particle size of 0.1 μm.
The reflector according to claim 4, which is formed by applying a coating liquid containing particles having a particle size of 50 μm or less and a binder resin to the substrate.
とを特徴とする請求項４または６に記載の反射体。7. The reflector according to claim 4, wherein the coating liquid is applied on a reflective layer.
せて形成した突起物を有することを特徴とする請求項２
に記載の反射体。8. The polymer film has protrusions formed by containing fine particles.
The reflector according to.
を主体とする金属層、（ｃ）保護層を（ａ）（ｂ）
（ｃ）の順に積層してなるものであることを特徴とする
請求項１〜８いずれかに記載の反射体。9. The reflective layer comprises (a) a base layer, (b) a silver-based metal layer, (c) a protective layer, and (a) and (b).
The reflector according to any one of claims 1 to 8, wherein the reflector is laminated in the order of (c).
鉄、コバルト、タングステン、モリブデン、タンタル、
クロム、インジウム、マンガン、チタン、もしくは、パ
ラジウムから選ばれた金属の単体および／またはこれら
の２種以上からなる合金で、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ
以下の金属層および／または透明酸化物で、厚さが１ｎ
ｍ以上２０ｎｍ以下の透明酸化物層であることを特徴と
する請求項９に記載の反射体。10. (a) The underlayer comprises gold, copper, nickel,
Iron, cobalt, tungsten, molybdenum, tantalum,
A simple substance of a metal selected from chromium, indium, manganese, titanium, or palladium and / or an alloy composed of two or more of these, having a thickness of 5 nm to 50 nm.
The following metal layer and / or transparent oxide having a thickness of 1 n
The reflector according to claim 9, which is a transparent oxide layer having a thickness of m or more and 20 nm or less.
体或いは、不純物として金、銅、ニッケル、鉄、コバル
ト、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、イ
ンジウム、マンガン、チタン、パラジウムから選ばれる
少なくとも１種類の金属を含有しているもの、或いは、
銀を主体とした合金からなり、その厚みが、７０ｎｍ以
上４００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９に記
載の反射体。11. The metal layer mainly composed of (b) silver is selected from silver, gold, copper, nickel, iron, cobalt, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, indium, manganese, titanium and palladium as impurities. Containing at least one metal, or
The reflector according to claim 9, wherein the reflector is made of an alloy mainly containing silver and has a thickness of 70 nm or more and 400 nm or less.
鉄、コバルト、タングステン、モリブデン、タンタル、
クロム、インジウム、マンガン、チタン、もしくは、パ
ラジウムから選ばれた金属の単体および／またはこれら
の２種以上からなる合金で、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ
以下の金属層および／または透明酸化物で、厚さ１ｎｍ
以上、２０ｎｍ以下の透明酸化物層であることを特徴と
する請求項９に記載の反射体。12. (c) The protective layer is made of gold, copper, nickel,
Iron, cobalt, tungsten, molybdenum, tantalum,
A simple substance of a metal selected from chromium, indium, manganese, titanium, or palladium and / or an alloy composed of two or more of these, having a thickness of 5 nm to 50 nm.
The following metal layer and / or transparent oxide with a thickness of 1 nm
The reflector according to claim 9, which is a transparent oxide layer having a thickness of 20 nm or less.
の面は、易滑処理がされていることを特徴とする請求項
１に記載の反射体。13. The reflector according to claim 1, wherein the surface of the substrate on which the reflective layer is not formed is slippery treated.
体を、側面に設置された光源から入射される光を上面に
出射する導光板の下面に配設したことを特徴とするサイ
ドライト型バックライト装置。14. A sidelight, characterized in that the reflector according to any one of claims 1 to 13 is disposed on a lower surface of a light guide plate that emits light incident from a light source installed on a side surface to an upper surface. Type backlight device.
を配設したことを特徴とする請求項１４に記載のサイド
ライト型バックライト装置。15. The sidelight type backlight device according to claim 14, wherein the reflector is arranged such that the reflection layer is on the light guide plate side.
５０μｍ、高さ５μｍ〜４５μｍの突起物を１ｍｍ2当
たり２個以上１００個以下有することを特徴とする反射
体用基板。16. A maximum width of 10 μm to one surface of the substrate.
A substrate for a reflector, having 2 or more and 100 or less protrusions of 50 μm and a height of 5 μm to 45 μm per 1 mm 2 .
ることを特徴とする請求項１６に記載の反射体用基板。17. The substrate for a reflector according to claim 16, wherein the other surface of the substrate is subjected to easy sliding treatment.
クライト装置を備えることを特徴とする液晶表示装置。18. A liquid crystal display device comprising the sidelight type backlight device according to claim 14.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001381328A JP2003084110A (en) | 2000-12-14 | 2001-12-14 | Reflector, side light type back light device and reflector substrate |
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-380774 | 2000-12-14 | ||
| JP2000-380773 | 2000-12-14 | ||
| JP2000380774 | 2000-12-14 | ||
| JP2000380773 | 2000-12-14 | ||
| JP2001125263 | 2001-04-24 | ||
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| JP2001202837 | 2001-07-04 | ||
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| JP2001381328A JP2003084110A (en) | 2000-12-14 | 2001-12-14 | Reflector, side light type back light device and reflector substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003084110A true JP2003084110A (en) | 2003-03-19 |
Family
ID=27531742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001381328A Pending JP2003084110A (en) | 2000-12-14 | 2001-12-14 | Reflector, side light type back light device and reflector substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003084110A (en) |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061225 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080226 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080424 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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