JP2003082464A - 化学気相成長法用液体原料、化学気相成長法による膜形成方法、および、化学気相成長装置 - Google Patents

化学気相成長法用液体原料、化学気相成長法による膜形成方法、および、化学気相成長装置

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堀川　　剛
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 良質な珪酸塩化合物の成膜を実現可能な、化
学気相成長法用液体原料、化学気相成長法による膜形成
方法、および、化学気相成長装置を提供する。 【解決手段】 化学気相成長法用液体原料に、有機金属
化合物と、シロキサン化合物と、有機金属化合物および
シロキサン化合物を溶解させるための有機溶媒とを含ま
せる。有機金属化合物に、プロポキシル基以上の炭素数
を有するアルコキシル基（例えばターシャリーブトキシ
ル基）やβジケトン基（例えばテトラメチルへプタンジ
オネイト基）が含まれておれば、成膜安定性に優れてい
る。また、有機溶媒としては、ジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、ノルマルオクタン、イソオクタン等を
採用すればよい。シロキサン化合物としては、無極性溶
媒への溶解度の高いトリメトキシシランや、極性溶媒に
も溶解するヘキサメチルジシロキサンやオクタメチルシ
クロテトラシロキサンを採用すればよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、絶縁ゲート形電
界効果トランジスタや金属／絶縁体／金属の積層構造を
有する薄膜キャパシタ等の各種電子素子に使用される誘
電体薄膜の形成に関し、特に、化学気相成長法（Chemic
al Vapor Deposition：ＣＶＤ）に用いられる原料、化
学気相成長法による高誘電率薄膜の形成方法、および、
高誘電率薄膜を堆積するための化学気相成長装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの微細化が進むにつれ
て、半導体デバイス中の各種電子素子に使用される誘電
体薄膜に採用される材料が変わりつつある。近年では、
例えば蓄積電荷密度の向上が要請されていることから、
誘電体薄膜として従来採用されていたシリコン酸化膜に
代わって、より高い誘電率を備えた誘電体の使用が検討
されている。
【０００３】例えばシリコンＣＭＯＳ（Complementary
Metal Oxide Semiconductor）ロジックデバイスにおい
て、従来のシリコン酸化窒化膜に代わって高誘電率薄膜
の採用が検討されている。次世代ＭＯＳＦＥＴには、高
い相互コンダクタンスの確保が要求されるからである。
そのような例として例えば、文献：Wen-Jie Qi et al.
“Performance of MOSFETs with ultra thin ZrO2 and
Zr-silicate gate dielectrics”2000 Symposium on VL
SI Technology Digest of Technical Papers(2000),pp.
40-41が挙げられる。
【０００４】また、GaAs ＭＭＩＣ（Microwave Monolit
hic IC）に代表される高周波デバイスにおいては、デバ
イスの小型化のためにバイパスキャパシタ等の電子素子
の小型化・一体化が検討されている。その場合も、従来
のシリコン窒化膜等ではなく高誘電率薄膜を採用した薄
膜キャパシタの利用が検討されている。そのような例と
して例えば、文献：S.Nagata et al.“A GaAs MMIC Chi
p-Set for Mobile Communications Using On-Chip Ferr
oelectric Capacitors”1993 IEEE International Soli
d-State Circuits Conference(1993),p.285が挙げられ
る。
【０００５】さらにＤＲＡＭ（Dynamic Random Access
Memory）等のメモリデバイスでは、メモリセルの蓄積電
荷密度の向上のために、従来のシリコン酸化膜およびシ
リコン窒化膜のスタック構造に代わって、高誘電率薄膜
を用いたメモリセルキャパシタが検討されている。
【０００６】これらの応用に適した高誘電率薄膜とし
て、特に珪酸塩化合物を含む誘電体膜が、その化学的安
定性の高さゆえに注目されている。例えば先のWen-Jie
Qi etal.の文献によれば、シリコン基板上に直接、珪酸
塩化合物の一種たるZrSiO4膜を形成した場合において、
７００℃程度の熱処理を施しても、シリコン基板とZrSi
O4膜との間に顕著な相互拡散は見られないことが示され
ている。また、同文献では、極薄のZrSiO4膜を用いたＭ
ＯＳＦＥＴの動作の確認もなされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、珪酸塩化
合物は半導体デバイス中に集積される各種電子素子用の
高誘電率膜として有用である。現状では、その形成方法
については、スパッタリング法や、ZrO2とSiとの熱反応
による形成方法などがほとんどを占めている。
【０００８】しかしながら、実際のＬＳＩ製造への珪酸
塩化合物の適用を考えた場合、仕上がり膜の平坦性や段
差被覆性の観点からは、化学気相成長法により高誘電率
薄膜を形成することが望ましい。
【０００９】ところが、珪酸塩化合物を含む高誘電率膜
の形成に当たっては、良質な膜の堆積を実現するための
好適な原料やその組み合わせが明らかにされていなかっ
た。また、化学気相成長法によって堆積した膜にどのよ
うな処理を施せば、良質な高誘電率膜が得られるのかに
ついても明らかではなかった。
【００１０】特に、複数の原料を用いる成膜において
は、原料同士の反応によって、気相中での発塵および供
給配管への堆積物付着等が生じやすかった。そのため、
原料供給が不安定化し、その結果、成膜ごとの堆積速度
のばらつきがしばしば生じるなどの問題があった。高誘
電率膜である珪酸塩化合物の成膜において、このような
成膜不安定性の解決に寄与する知見は、現在のところ見
当たらない。
【００１１】そこで、この発明の課題は、良質な珪酸塩
化合物の成膜を実現可能な、化学気相成長法用液体原
料、化学気相成長法による膜形成方法、および、化学気
相成長装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、有機金属化合物と、シロキサン化合物と、前記有機
金属化合物およびシロキサン化合物を溶解させるための
有機溶媒とを含む化学気相成長法用液体原料である。
【００１３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の化学気相成長法用液体原料であって、前記有機溶媒
は、個別の容器にそれぞれ用意された第１および第２の
有機溶媒を含み、前記有機金属化合物は前記第１の有機
溶媒に溶解され、前記シロキサン化合物は前記第２の有
機溶媒に溶解される化学気相成長法用液体原料である。
【００１４】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の化学気相成長法用液体原料であって、前記有機溶媒
は、エーテル類（環状エーテル類を含む）および飽和炭
化水素類のうち少なくとも一方を主成分として含有する
化学気相成長法用液体原料である。
【００１５】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の化学気相成長法用液体原料であって、前記有機溶媒
は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ノルマル
オクタンおよびイソオクタンのうち少なくとも一つを主
成分として含有する化学気相成長法用液体原料である。
【００１６】請求項５に記載の発明は、請求項１に記載
の化学気相成長法用液体原料であって、前記シロキサン
化合物は、トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキ
サンおよびオクタメチルシクロテトラシロキサンのうち
少なくとも一つを主成分として含有する化学気相成長法
用液体原料である。
【００１７】請求項６に記載の発明は、請求項１に記載
の化学気相成長法用液体原料であって、前記有機金属化
合物は、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、チ
タニウム、タンタル、スカンジウム、イットリウム、ラ
ンタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチ
ウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テル
ビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツ
リウム、イッテルビウム、ルテチウムのうち少なくとも
一つを金属元素として含有する化学気相成長法用液体原
料である。
【００１８】請求項７に記載の発明は、請求項１に記載
の化学気相成長法用液体原料であって、前記有機金属化
合物は、βジケトン基、および、プロポキシル基以上の
炭素数を有するアルコキシル基のうち、少なくとも一方
を配位子として含有する化学気相成長法用液体原料であ
る。
【００１９】請求項８に記載の発明は、請求項７に記載
の化学気相成長法用液体原料であって、前記有機金属化
合物は、テトラメチルへプタンジオネート基およびター
シャリーブトキシル基のうち、少なくとも一方を配位子
として含有する化学気相成長法用液体原料である。
【００２０】請求項９に記載の発明は、有機金属化合物
と、シロキサン化合物と、前記有機金属化合物およびシ
ロキサン化合物を溶解させるための有機溶媒とを含む化
学気相成長法用液体原料を気化して、膜形成または前駆
膜形成を行う化学気相成長法による膜形成方法である。
【００２１】請求項１０に記載の発明は、請求項９に記
載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記有
機金属化合物と前記シロキサン化合物とを、ともに前記
有機溶媒に一液となるよう混合し、前記混合物を気化す
る化学気相成長法による膜形成方法である。
【００２２】請求項１１に記載の発明は、請求項９に記
載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記有
機溶媒は、個別の容器にそれぞれ用意された第１および
第２の有機溶媒を含み、前記有機金属化合物は前記第１
の有機溶媒に溶解され、前記シロキサン化合物は前記第
２の有機溶媒に溶解される化学気相成長法による膜形成
方法である。
【００２３】請求項１２に記載の発明は、請求項１１に
記載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記
有機金属化合物と前記シロキサン化合物とを個別に気化
し、それぞれの前記気化を異なる気化室において行う化
学気相成長法による膜形成方法である。
【００２４】請求項１３に記載の発明は、請求項１１に
記載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記
有機金属化合物と前記シロキサン化合物とを個別に気化
し、それぞれの前記気化を、一つの気化室を時間的に分
割して使用することにより行う化学気相成長法による膜
形成方法である。
【００２５】請求項１４に記載の発明は、請求項９に記
載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記前
駆膜形成を行った場合、さらに続いて、酸化雰囲気でア
ニールを行う化学気相成長法による膜形成方法である。
【００２６】請求項１５に記載の発明は、請求項９に記
載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記有
機溶媒は、エーテル類（環状エーテル類を含む）および
飽和炭化水素類のうち少なくとも一方を主成分として含
有する化学気相成長法による膜形成方法である。
【００２７】請求項１６に記載の発明は、請求項１５に
記載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記
有機溶媒は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ノルマルオクタンおよびイソオクタンのうち少なくとも
一つを主成分として含有する化学気相成長法による膜形
成方法である。
【００２８】請求項１７に記載の発明は、請求項９に記
載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記シ
ロキサン化合物は、トリメトキシシラン、ヘキサメチル
ジシロキサンおよびオクタメチルシクロテトラシロキサ
ンのうち少なくとも一つを主成分として含有する化学気
相成長法による膜形成方法である。
【００２９】請求項１８に記載の発明は、請求項９に記
載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記有
機金属化合物は、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニ
ウム、チタニウム、タンタル、スカンジウム、イットリ
ウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、
プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウ
ム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビ
ウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムのうち少
なくとも一つを金属元素として含有する化学気相成長法
による膜形成方法である。
【００３０】請求項１９に記載の発明は、請求項９に記
載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記有
機金属化合物は、βジケトン基、および、プロポキシル
基以上の炭素数を有するアルコキシル基のうち、少なく
とも一方を配位子として含有する化学気相成長法による
膜形成方法である。
【００３１】請求項２０に記載の発明は、請求項１９に
記載の化学気相成長法による膜形成方法であって、前記
有機金属化合物は、テトラメチルへプタンジオネート基
およびターシャリーブトキシル基のうち、少なくとも一
方を配位子として含有する化学気相成長法による膜形成
方法である。
【００３２】請求項２１に記載の発明は、化学気相成長
法用液体原料を蓄えた原料容器と、前記液体原料を気化
する気化室と、気化した前記液体原料を用いて膜形成ま
たは前駆膜形成を行う反応室とを備え、前記液体原料
は、有機金属化合物と、シロキサン化合物と、前記有機
金属化合物およびシロキサン化合物を溶解させるための
有機溶媒とを含む化学気相成長装置である。
【００３３】請求項２２に記載の発明は、請求項２１に
記載の化学気相成長装置であって、前記原料容器におい
て、前記有機金属化合物と前記シロキサン化合物とを、
ともに前記有機溶媒に一液となるよう混合し、前記気化
室において、前記混合物を気化する化学気相成長装置で
ある。
【００３４】請求項２３に記載の発明は、請求項２１に
記載の化学気相成長装置であって、前記原料容器は少な
くとも２つ存在し、前記有機溶媒は、少なくとも２つの
前記原料容器にそれぞれ用意された第１および第２の有
機溶媒を含み、前記有機金属化合物は前記第１の有機溶
媒に溶解され、前記シロキサン化合物は前記第２の有機
溶媒に溶解され、前記気化室において、前記有機金属化
合物と前記シロキサン化合物とを個別に気化する化学気
相成長装置である。
【００３５】好ましくは、請求項２３に記載の化学気相
成長装置において、前記気化室は少なくとも２つ存在
し、前記有機金属化合物と前記シロキサン化合物との個
別の前記気化を、それぞれ異なる前記気化室において行
う。
【００３６】好ましくは、請求項２３に記載の化学気相
成長装置において、前記有機金属化合物と前記シロキサ
ン化合物との個別の前記気化を、前記気化室を時間的に
分割して使用することにより行う。
【００３７】好ましくは、請求項２１に記載の化学気相
成長装置において、前記有機溶媒は、エーテル類（環状
エーテル類を含む）および飽和炭化水素類のうち少なく
とも一方を主成分として含有する。
【００３８】好ましくは、前記有機溶媒は、ジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ノルマルオクタンおよび
イソオクタンのうち少なくとも一つを主成分として含有
する。
【００３９】好ましくは、請求項２１に記載の化学気相
成長装置において、前記シロキサン化合物は、トリメト
キシシラン、ヘキサメチルジシロキサンおよびオクタメ
チルシクロテトラシロキサンのうち少なくとも一つを主
成分として含有する。
【００４０】好ましくは、請求項２１に記載の化学気相
成長装置において、前記有機金属化合物は、アルミニウ
ム、ジルコニウム、ハフニウム、チタニウム、タンタ
ル、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウ
ム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウ
ム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプ
ロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテ
ルビウム、ルテチウムのうち少なくとも一つを金属元素
として含有する。
【００４１】好ましくは、請求項２１に記載の化学気相
成長装置において、前記有機金属化合物は、βジケトン
基、および、プロポキシル基以上の炭素数を有するアル
コキシル基のうち、少なくとも一方を配位子として含有
する。
【００４２】好ましくは、前記有機金属化合物は、テト
ラメチルへプタンジオネート基およびターシャリーブト
キシル基のうち、少なくとも一方を配位子として含有す
る。
【００４３】
【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞本実施の形態
は、化学気相成長法用液体原料に、有機金属化合物と、
シロキサン化合物と、有機金属化合物およびシロキサン
化合物を溶解させるための有機溶媒とを含ませることに
より、良質な珪酸塩化合物の成膜を実現可能な、化学気
相成長法用液体原料、化学気相成長法による膜形成方
法、および、化学気相成長装置を実現したものである。
【００４４】本願発明者は、多数の実験を行うことによ
り、有機金属化合物、シロキサン化合物および有機溶媒
を化学気相成長法の原料として用いれば、良質な珪酸塩
化合物の成膜が実現できることを発見した。これらの実
験結果は後に詳述されるが、ここではまず、珪酸塩化合
物の成膜を行うための化学気相成長装置について説明を
行う。
【００４５】図１は、本実施の形態に係る化学気相成長
装置を示す図である。図１において、この化学気相成長
装置は、シロキサン化合物を溶解させた有機溶媒である
第１の液体原料１を蓄える第１の原料容器２と、有機金
属化合物を溶解させた有機溶媒である第２の液体原料５
を蓄える第２の原料容器６と、第１の液体原料１を噴霧
化、加熱等の処理により気化する第１の気化室４と、第
２の液体原料５を噴霧化、加熱等の処理により気化する
第２の気化室８とを備えている。
【００４６】さらに、この化学気相成長装置は、第１お
よび第２の気化室４，８によって気化された各原料を用
いて、酸化雰囲気で高誘電率薄膜の膜形成またはその前
駆膜（precursor film：前駆膜の定義については後述す
る）の形成を行う反応室９も備えている。なお、反応室
９内には、高誘電率薄膜が形成されるべき基板１０が、
加熱されて載置されている。
【００４７】そして、第１の原料容器２と第１の気化室
４と反応室９とは、第１の原料供給配管３で接続され、
第２の原料容器６と第２の気化室８と反応室９とは、第
２の原料供給配管７で接続されている。
【００４８】このような構成の化学気相成長装置を用い
て、膜の形成は以下のような方法により行われる。
【００４９】まず、第１の原料容器２から第１の液体原
料１が、第１の原料供給配管３を介して第１の気化室４
内に導入される。第１の気化室４は予め減圧されてお
り、さらに、シロキサン化合物の気化に適した温度に加
熱されている。そして、第１の気化室４内で第１の液体
原料１の気化が進行する。
【００５０】第１の気化室内で気化した有機溶媒および
シロキサン化合物の気体は、反応室９内に導かれる。そ
して、導入された気体は反応室９内に載置された高温の
基板１０上で分解・反応し、高誘電率薄膜である珪酸塩
化合物の成膜が行われる。
【００５１】第２の液体原料５の場合も、第１の液体原
料１と同様に、第２の気化室８内で気化が行われ、その
気体が反応室９内で分解・反応し、珪酸塩化合物を形成
する。
【００５２】なお、第１および第２の液体原料１，５の
反応室９への供給は、互いに同時に行ってもよいし、あ
るいは交互に行ってもよい。
【００５３】なお、成膜に際して、反応室９内に酸化性
ガスが導入されておれば、酸化性ガスが基板表面に吸着
した有機金属の分解後の酸化を進め、良好な誘電体薄膜
の形成を促進する。酸化性ガスの例としては、一酸化炭
素、二酸化炭素、水蒸気、酸素、オゾンなどが挙げられ
る。
【００５４】一方、成膜時に酸化性ガスが反応室９内に
導入されていなければ、薄膜は前駆膜になるので、その
後、外部に基板を取り出して酸化雰囲気でのアニールを
行う、などの酸化処理が必要となる。なお、ここでいう
前駆膜とは、金属イオンの酸化が充分には進んでいない
膜であって、酸化雰囲気でのアニールを行って初めて良
好な誘電体となるものを指す。
【００５５】さて、発明が解決しようとする課題で述べ
たように、複数の原料を用いる成膜の場合には、複数の
原料を例えば同時に反応室中に導入すると、気相中での
原料同士の反応が生じてしまい、発塵や配管への堆積物
の付着を招きやすい。発塵や堆積物付着は、反応室への
原料の供給を不安定化させ、その結果、各回の成膜にお
ける原料の堆積速度にばらつきを生じさせる。堆積速度
のばらつきは、生産プロセスにおける製品歩留まりに密
接に影響するため、そのようなばらつきの少ない原料の
組み合わせを知ることが必要となる。
【００５６】なお、同時供給の場合でなくとも、反応室
や配管の壁面に吸着した原料の分子が、次に導入された
原料の分子に反応することもあるため、この問題は、複
数の原料を交互に供給する場合であっても同様に生じ
る。
【００５７】そこで、本願発明者は多数の原料を用いた
実験を行った。その結果、以下に具体例を示すように、
シロキサン化合物と有機金属化合物とを有機溶媒に溶解
させて化学気相成長法用液体原料とすればよいことがわ
かった。すなわち、この原料の組み合わせによれば、発
塵等の現象を伴わずに安定した膜形成が行えるのであ
る。
【００５８】さらに、シロキサン化合物および有機金属
化合物はいずれも、酸素等の酸化性ガスとの反応性がそ
れほど大きくないため、気相中の原料が同時に反応室中
に導入されたとしても、発塵等の問題はほとんど生じ
ず、優れた安定性で膜の堆積が可能であることもわかっ
た。
【００５９】次に示す表１および表２は、珪酸塩化合物
の例として珪酸ジルコニウム塩膜を形成したときの、各
種原料の組み合わせの実験結果である。この実験は、様
々な原料の組み合わせについて各々、図１に示した化学
気相成長装置を用いて１０回の成膜を行ったときの成膜
量の低下を調査したものである。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【表２】
【００６２】なお、表中の「第一の材料」とは、図１に
おける第２の液体原料５中の有機金属化合物（ここでは
ジルコニウム化合物）を指し、「第二の材料」とは、図
１における第１の液体原料１中のシロキサン化合物を指
している。また、「有機溶媒」は、第１および第２の液
体原料１，５中の有機溶媒を指している。
【００６３】また、「有機溶媒」欄の「なし（ガス）」
とは、有機溶媒を用いずに有機金属化合物およびシロキ
サン化合物を直接、気化させた場合を示している（この
場合、図１中の第１および第２の液体原料１，５、第１
および第２の原料容器２，６が省略され、第１および第
２の気化室４，８内に直接、有機金属化合物およびシロ
キサン化合物が導入された）。
【００６４】表１および表２において、「１回目」の欄
の数値は、反応室に各材料を導入して、最初に成膜した
ときの、一定期間における単位面積あたりの堆積量（重
量表示）を示している。「３回目」および「１０回目」
の欄の数値も同様で、それぞれ３回目および１０回目の
成膜における単位面積あたりの堆積量を示している。な
お、各回の成膜条件は、基板温度を４５０℃、原料供給
量を１μｍｏｌ／分、成膜時間を１０分とし、酸素雰囲
気で成膜を行った。
【００６５】また、表中の「変化割合」とは、１回目の
成膜量と１０回目の成膜量との差を、１回目の成膜量で
除して求めた値である。例えば表１中の第１段目の、Zr
Cl2およびSiH4、有機溶媒なしの場合、１回目の成膜量
が４２μｇ／ｃｍ2であるのに対し、１０回目の成膜量
は２９μｇ／ｃｍ2にまで低下している。この場合、変
化割合は、（４２−２９）／４２＝３１％として求めら
れる。
【００６６】表中に「良好な組み合わせ」として丸印を
付しているのは、この変化割合の値の少ないものであ
る。変化割合の値が少ないということは、各回の成膜に
おける原料の堆積速度にばらつきが生じにくい材料の組
み合わせであるといえる。よって、良質な珪酸ジルコニ
ウム塩膜の成膜が可能となる。
【００６７】なお、第一の材料の表記のうち、ジルコニ
ウム化合物の配位子（ligand）は以下のとおりである。
すなわち、ｉ−ＰｒＯ、ＭｅＯ、ｔ−ＢｕＯはそれぞ
れ、いずれもアルコキシル基（alchoxyl group）の一種
である、イソプロポキシル基（iso-propoxyl group）、
メトキシル基（metoxyl group）、ターシャリーブトキ
シル基（tertialy-butoxyl group）を指し、ＴＨＤはβ
ジケトン基（β-diketone group）の一種であるテトラ
メチルへプタンジオネイト基（2,2,6,6-tetramethyl-3,
5-heptanedionate group）を指している。
【００６８】また、第二の材料の表記は以下のとおりで
ある。すなわち、ＴＥＯＳはテトラエトキシシラン（te
tra-ethoxy-silane）、ＴＭＳはトリメトキシシラン（t
ri-methoxy-silane）、ＨＭＤＳＯはヘキサメチルジシ
ロキサン（hexa-methyl-di-siloxane）、ＯＭＣＴＳは
オクタメチルシクロテトラシロキサン（octa-methyl-cy
cro-tetra-siloxane）をそれぞれ示している。
【００６９】さて、表１および表２の結果から、以下の
ことが判断できる。
【００７０】（１）有機金属化合物としては、メトキシ
ル基のような炭素数の少ない有機配位子を有するものよ
りは、プロポキシル基以上の炭素数を有するアルコキシ
ル基（例えばターシャリーブトキシル基）やβジケトン
基（例えばテトラメチルへプタンジオネイト基）を含む
有機金属化合物の方が、成膜安定性に優れている。
【００７１】（２）また、有機溶媒としては、アセトン
などに比べてジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ノルマルオクタン、イソオクタン等のエーテル類（環状
エーテル類を含む）および飽和炭化水素類の方が、成膜
安定性に優れている。
【００７２】（３）シリコンの供給原料としては、シラ
ンやジシランに比べてシロキサン化合物を採用する方
が、成膜安定性に優れている。
【００７３】（４）有機溶媒への溶解性に劣るテトラエ
トキシシランよりは、無極性溶媒への溶解度の高いトリ
メトキシシランや、アルコール類などの極性溶媒にも溶
解するヘキサメチルジシロキサンやオクタメチルシクロ
テトラシロキサンをシリコン供給原料に採用する方が、
成膜安定性に優れている。
【００７４】なお、表１および表２の実験においては酸
化性ガスに酸素を採用していたが、他に一酸化窒素、一
酸化二窒素、水蒸気等を用いた場合であっても同様の結
果が得られた。
【００７５】また、酸化性ガスを供給しない場合も同様
の実験を行ったが、前駆膜の形成における原料の組み合
わせの適否についても、同様の結果が得られた。なお、
前駆膜は、およそ４５０℃以上の酸素雰囲気のファーネ
スアニール（furnace anneal）で珪酸塩膜に転化し、高
抵抗化することが、図２の、前駆膜のリーク電流のアニ
ール温度への依存性調査結果から判明した。
【００７６】なお、表１および表２は、珪酸ジルコニウ
ム塩膜の形成の場合であったが、その他にも珪酸アルミ
ニウム塩膜、珪酸ハフニウム塩膜、珪酸チタニウム塩
膜、珪酸タンタル塩膜、珪酸スカンジウム塩膜、珪酸イ
ットリウム塩膜、珪酸ランタン塩膜、珪酸セリウム塩
膜、珪酸プラセオジム塩膜、珪酸ネオジム塩膜、珪酸プ
ロメチウム塩膜、珪酸サマリウム塩膜、珪酸ユーロピウ
ム塩膜、珪酸ガドリニウム塩膜、珪酸テルビウム塩膜、
珪酸ジスプロシウム塩膜、珪酸ホルミウム塩膜、珪酸エ
ルビウム塩膜、珪酸ツリウム塩膜、珪酸イッテルビウム
塩膜、珪酸ルテチウム塩膜、の各場合についても、珪酸
ジルコニウム塩膜の場合と同様の結果が得られている。
【００７７】すなわち、表中に示したZr(i-PrO)3(THD)
の他に、Hf(t-BuO)4、Ti(t-BuO)2(THD)2、Y(THD)3、La
(THD)3などをはじめとする金属種についても実験を行っ
た結果、いずれの場合も上記の（１）〜（４）の傾向が
確かめられた。
【００７８】また、有機溶媒としては、上記のエーテル
類および飽和炭化水素類以外にも、エタノール、メタノ
ール等のアルコール類、ジエチルケトンなどのケトン類
を採用してもよい。その他にも、不飽和脂肪酸や芳香族
についても成膜安定性の効果が期待できる。
【００７９】本実施の形態によれば、化学気相成長法用
液体原料に、有機金属化合物と、シロキサン化合物と、
有機溶媒とが含まれている。よって、化学気相成長法に
よる珪酸塩化合物の成膜において、安定して良質な膜を
堆積することができる。また、原料供給面での容易さの
観点から、液体状の原料を用いた成膜は生産に適してい
る。
【００８０】また、有機溶媒が、エーテル類（環状エー
テル類を含む）および飽和炭化水素類のうち少なくとも
一方を主成分として含有しておれば、成膜の安定性が改
善する。
【００８１】特に、有機溶媒が、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ノルマルオクタンおよびイソオクタ
ンのうち少なくとも一つを主成分として含有しておれ
ば、成膜の安定性がさらに改善する。
【００８２】また、シロキサン化合物が、トリメトキシ
シラン、ヘキサメチルジシロキサンおよびオクタメチル
シクロテトラシロキサンのうち少なくとも一つを主成分
として含有しておれば、化学気相成長法による珪酸塩化
合物の成膜において、成膜の安定性が改善する。
【００８３】また、有機金属化合物が、アルミニウム、
ジルコニウム、ハフニウム、チタニウム、タンタル、ス
カンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラ
セオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユー
ロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウ
ム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウ
ム、ルテチウムのうち少なくとも一つを金属元素として
含有しておれば、成膜の安定性が改善する。
【００８４】また、有機金属化合物が、βジケトン基、
および、プロポキシル基以上の炭素数を有するアルコキ
シル基のうち、少なくとも一方を配位子として含有して
おれば、成膜の安定性が改善する。
【００８５】特に、有機金属化合物が、テトラメチルへ
プタンジオネート基およびターシャリーブトキシル基の
うち、少なくとも一方を配位子として含有しておれば、
成膜の安定性がさらに改善する。
【００８６】また、上記のような液体原料を気化して、
膜形成または前駆膜形成を行う化学気相成長法による膜
形成方法、および、その膜形成に使用される化学気相成
長装置によれば、化学気相成長法による珪酸塩化合物の
成膜において、安定して良質な膜を堆積することができ
る。また、原料供給面での容易さの観点から、液体状の
原料を用いた成膜は生産に適している。
【００８７】また、前駆膜形成を行った場合、さらに続
いて、酸化雰囲気でアニールを行うことで、酸化の不十
分な前駆膜の一層の酸化を進めることができ、絶縁性の
高い膜を形成することができる。
【００８８】＜実施の形態２＞本実施の形態は、実施の
形態１に係る化学気相成長法による膜形成方法および化
学気相成長装置の変形例であり、有機金属化合物および
シロキサン化合物それぞれの気化を、一つの気化室を時
間的に分割して使用することにより行うものである。こ
れにより、簡易な装置構成で気化することができる。
【００８９】実施の形態１に係る化学気相成長装置にお
いては、気化室を第１および第２の気化室４，８として
２つ設けて、有機金属化合物とシロキサン化合物とを個
別に気化していた。すなわち、それぞれの気化を異なる
気化室において行っていた。
【００９０】このようにすれば、例えば有機金属化合物
とシロキサン化合物とが、互いに気化温度の大きく異な
る原料同士である場合に、個々の原料に適した気化温度
で両者を気化することができる。
【００９１】しかし、気化室を複数用いることは同時
に、装置構成の複雑化を招く原因ともなる。そこで、本
実施の形態においては、一つの気化室を時間的に分割し
て使用することにより、有機金属化合物およびシロキサ
ン化合物それぞれの気化を行う。こうすることにより、
簡易な装置構成で気化することができる。
【００９２】図３は、本実施の形態に係る化学気相成長
装置を示す図である。図３に示すようにこの化学気相成
長装置は、図１の化学気相成長装置の有していた第１お
よび第２の気化室４，８に代わって第３の気化室１１を
備えている。第１および第２の原料容器２，６から伸び
る第１および第２の原料供給配管３，７は、第３の気化
室１１に接続され、第３の気化室１１と反応室９とは第
３の原料供給配管１２で接続されている。
【００９３】このような構成の化学気相成長装置では、
第３の気化室１１を時間的に分割して使用し、第１およ
び第２の液体原料１，５を交互に気化させて反応室９に
送り込む。こうすることで、簡易な装置構成で気化を行
うことが可能となる。
【００９４】なお、有機金属化合物とシロキサン化合物
との間で気化温度が異なる場合は、それぞれの気化温度
に応じて第３の気化室１１の温度調節を行えばよいし、
また、それほど大きく異ならない場合には、気化温度を
変えずに第１および第２の液体原料１，５を交互に第３
の気化室１１に送り込むようにしてもよい。
【００９５】＜実施の形態３＞本実施の形態は、実施の
形態２に係る化学気相成長法による膜形成方法および化
学気相成長装置の変形例であり、一つの原料容器におい
て有機金属化合物と前記シロキサン化合物とを、ともに
有機溶媒に一液となるよう混合し、混合物を気化するも
のである。これにより、簡易な装置構成で気化すること
ができる。
【００９６】実施の形態１および２に係る化学気相成長
装置においては、原料容器を第１および第２の原料容器
２，６として２つ設けて、有機金属化合物とシロキサン
化合物とを個別の有機溶媒に溶解させていた。
【００９７】このようにすれば、１つの有機溶媒に有機
金属化合物とシロキサン化合物とをともに溶解させたと
きに両者が互いに反応しやすい物質同士であったとして
も、反応させることなく両者を化学気相成長法に用いる
ことができる。
【００９８】しかし、原料容器を複数用いることも、装
置構成の複雑化を招く原因となる。そこで、本実施の形
態においては、一つの原料容器に用意された有機溶媒
に、有機金属化合物とシロキサン化合物とをともに一液
となるよう混合し、混合物を気化する。こうすることに
より、簡易な装置構成で気化することができる。
【００９９】図４は、本実施の形態に係る化学気相成長
装置を示す図である。図４に示すようにこの化学気相成
長装置では、図３の化学気相成長装置の有していた第２
の原料容器６および第２の原料供給配管７が省略されて
いる。そして、第１の原料容器２の中には、第１の液体
原料１に代わって、一つの有機溶媒に有機金属化合物と
シロキサン化合物とがともに一液となるよう混合され
た、第３の液体原料１３が蓄えられている。
【０１００】このような構成の化学気相成長装置では、
有機金属化合物とシロキサン化合物との間で気化温度が
大きく異ならない場合、第３の液体原料１３中に含まれ
る有機金属化合物とシロキサン化合物とが、第３の気化
室１１にて同時に気化される。こうすることで、有機金
属化合物とシロキサン化合物とを個別に気化させる場合
に比べ、簡易な装置構成で気化を行うことが可能とな
る。
【０１０１】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、有機金
属化合物と、シロキサン化合物と、有機溶媒とが含まれ
ている。よって、化学気相成長法による珪酸塩化合物の
成膜において、安定して良質な膜を堆積することができ
る。また、原料供給面での容易さの観点から、液体状の
原料を用いた成膜は生産に適している。
【０１０２】請求項２に記載の発明によれば、有機金属
化合物は第１の有機溶媒に溶解され、シロキサン化合物
は第２の有機溶媒に溶解される。よって、１つの有機溶
媒に有機金属化合物とシロキサン化合物とをともに溶解
させたときに両者が互いに反応しやすい物質同士であっ
たとしても、反応させることなく両者を化学気相成長法
に用いることができる。
【０１０３】請求項３に記載の発明によれば、有機溶媒
は、エーテル類（環状エーテル類を含む）および飽和炭
化水素類のうち少なくとも一方を主成分として含有す
る。これにより、化学気相成長法による珪酸塩化合物の
成膜において、成膜の安定性が改善する。
【０１０４】請求項４に記載の発明によれば、有機溶媒
は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ノルマル
オクタンおよびイソオクタンのうち少なくとも一つを主
成分として含有する。これにより、化学気相成長法によ
る珪酸塩化合物の成膜において、成膜の安定性がさらに
改善する。
【０１０５】請求項５に記載の発明によれば、シロキサ
ン化合物は、トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロ
キサンおよびオクタメチルシクロテトラシロキサンのう
ち少なくとも一つを主成分として含有する。これによ
り、化学気相成長法による珪酸塩化合物の成膜におい
て、成膜の安定性が改善する。
【０１０６】請求項６に記載の発明によれば、有機金属
化合物は、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、
チタニウム、タンタル、スカンジウム、イットリウム、
ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメ
チウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テ
ルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、
ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムのうち少なくと
も一つを金属元素として含有する。これらのいずれの場
合も、化学気相成長法による珪酸塩化合物の成膜におい
て、成膜の安定性が改善する。
【０１０７】請求項７に記載の発明によれば、有機金属
化合物は、βジケトン基、および、プロポキシル基以上
の炭素数を有するアルコキシル基のうち、少なくとも一
方を配位子として含有する。これにより、化学気相成長
法による珪酸塩化合物の成膜において、成膜の安定性が
改善する。
【０１０８】請求項８に記載の発明によれば、有機金属
化合物は、テトラメチルへプタンジオネート基およびタ
ーシャリーブトキシル基のうち、少なくとも一方を配位
子として含有する。これにより、化学気相成長法による
珪酸塩化合物の成膜において、成膜の安定性がさらに改
善する。
【０１０９】請求項９に記載の発明によれば、有機金属
化合物と、シロキサン化合物と、有機溶媒とを含む化学
気相成長法用液体原料を気化して、膜形成または前駆膜
形成を行う。よって、化学気相成長法による珪酸塩化合
物の成膜において、安定して良質な膜を堆積することが
できる。また、原料供給面での容易さの観点から、液体
状の原料を用いた成膜は生産に適している。
【０１１０】請求項１０に記載の発明によれば、有機金
属化合物とシロキサン化合物とを、ともに有機溶媒に一
液となるよう混合し、その混合物を気化する。よって、
有機金属化合物とシロキサン化合物とを個別に気化させ
る場合に比べ、簡易な装置構成で気化することができ
る。
【０１１１】請求項１１に記載の発明によれば、個別の
容器にそれぞれ用意された第１および第２の有機溶媒
に、有機金属化合物とシロキサン化合物とをそれぞれ溶
解させる。よって、１つの有機溶媒に有機金属化合物と
シロキサン化合物とをともに溶解させたときに両者が互
いに反応しやすい物質同士であったとしても、反応させ
ることなく両者を化学気相成長法に用いることができ
る。
【０１１２】請求項１２に記載の発明によれば、有機金
属化合物とシロキサン化合物との個別の気化を、それぞ
れ異なる気化室において行う。よって、例えば有機金属
化合物とシロキサン化合物とが、互いに気化温度の大き
く異なる原料同士である場合に、個々の原料に適した気
化温度で両者を気化することができる。
【０１１３】請求項１３に記載の発明によれば、有機金
属化合物とシロキサン化合物との個別の気化を、一つの
気化室を時間的に分割して使用することにより行う。よ
って、気化室を複数用いる場合に比べ、簡易な装置構成
で気化することができる。
【０１１４】請求項１４に記載の発明によれば、前駆膜
形成を行った場合、さらに続いて、酸化雰囲気でアニー
ルを行う。これにより、酸化の不十分な前駆膜の一層の
酸化を進めることができ、絶縁性の高い膜を形成するこ
とができる。
【０１１５】請求項１５に記載の発明によれば、有機溶
媒は、エーテル類（環状エーテル類を含む）および飽和
炭化水素類のうち少なくとも一方を主成分として含有す
る。これにより、化学気相成長法による珪酸塩化合物の
成膜において、成膜の安定性が改善する。
【０１１６】請求項１６に記載の発明によれば、有機溶
媒は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ノルマ
ルオクタンおよびイソオクタンのうち少なくとも一つを
主成分として含有する。これにより、化学気相成長法に
よる珪酸塩化合物の成膜において、成膜の安定性がさら
に改善する。
【０１１７】請求項１７に記載の発明によれば、シロキ
サン化合物は、トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシ
ロキサンおよびオクタメチルシクロテトラシロキサンの
うち少なくとも一つを主成分として含有する。これによ
り、化学気相成長法による珪酸塩化合物の成膜におい
て、成膜の安定性が改善する。
【０１１８】請求項１８に記載の発明によれば、有機金
属化合物は、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウ
ム、チタニウム、タンタル、スカンジウム、イットリウ
ム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プ
ロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウ
ム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビ
ウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムのうち少
なくとも一つを金属元素として含有する。これらのいず
れの場合も、化学気相成長法による珪酸塩化合物の成膜
において、成膜の安定性が改善する。
【０１１９】請求項１９に記載の発明によれば、有機金
属化合物は、βジケトン基、および、プロポキシル基以
上の炭素数を有するアルコキシル基のうち、少なくとも
一方を配位子として含有する。これにより、化学気相成
長法による珪酸塩化合物の成膜において、成膜の安定性
が改善する。
【０１２０】請求項２０に記載の発明によれば、有機金
属化合物は、テトラメチルへプタンジオネート基および
ターシャリーブトキシル基のうち、少なくとも一方を配
位子として含有する。これにより、化学気相成長法によ
る珪酸塩化合物の成膜において、成膜の安定性がさらに
改善する。
【０１２１】請求項２１に記載の発明によれば、有機金
属化合物と、シロキサン化合物と、有機溶媒とを含む化
学気相成長法用液体原料を気化する気化室と、膜形成ま
たは前駆膜形成を行う反応室とを備える。よって、化学
気相成長法による珪酸塩化合物の成膜において、安定し
て良質な膜を堆積することができる。また、原料供給面
での容易さの観点から、液体状の原料を用いた成膜は生
産に適している。
【０１２２】請求項２２に記載の発明によれば、ともに
有機溶媒に一液となるよう混合し、その混合物を気化す
る。よって、有機金属化合物とシロキサン化合物とを個
別に気化させる場合に比べ、簡易な装置構成で気化する
ことができる。
【０１２３】請求項２３に記載の発明によれば、個別の
容器にそれぞれ用意された第１および第２の有機溶媒
に、有機金属化合物とシロキサン化合物とをそれぞれ溶
解させる。よって、１つの有機溶媒に有機金属化合物と
シロキサン化合物とをともに溶解させたときに両者が互
いに反応しやすい物質同士であったとしても、反応させ
ることなく両者を化学気相成長法に用いることができ
る。
【０１２４】また、有機金属化合物とシロキサン化合物
との個別の気化を、それぞれ異なる気化室において行
う。これにより、例えば有機金属化合物とシロキサン化
合物とが、互いに気化温度の大きく異なる原料同士であ
る場合に、個々の原料に適した気化温度で両者を気化す
ることができる。
【０１２５】また、有機金属化合物とシロキサン化合物
との個別の気化を、一つの気化室を時間的に分割して使
用することにより行う。これにより、気化室を複数用い
る場合に比べ、簡易な装置構成で気化することができ
る。
【０１２６】また、有機溶媒は、エーテル類（環状エー
テル類を含む）および飽和炭化水素類のうち少なくとも
一方を主成分として含有する。これにより、化学気相成
長法による珪酸塩化合物の成膜において、成膜の安定性
が改善する。
【０１２７】また、有機溶媒は、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ノルマルオクタンおよびイソオクタ
ンのうち少なくとも一つを主成分として含有する。これ
により、化学気相成長法による珪酸塩化合物の成膜にお
いて、成膜の安定性がさらに改善する。
【０１２８】また、シロキサン化合物は、トリメトキシ
シラン、ヘキサメチルジシロキサンおよびオクタメチル
シクロテトラシロキサンのうち少なくとも一つを主成分
として含有する。これにより、化学気相成長法による珪
酸塩化合物の成膜において、成膜の安定性が改善する。
【０１２９】また、有機金属化合物は、アルミニウム、
ジルコニウム、ハフニウム、チタニウム、タンタル、ス
カンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラ
セオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユー
ロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウ
ム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウ
ム、ルテチウムのうち少なくとも一つを金属元素として
含有する。これらのいずれの場合も、化学気相成長法に
よる珪酸塩化合物の成膜において、成膜の安定性が改善
する。
【０１３０】また、有機金属化合物は、βジケトン基、
および、プロポキシル基以上の炭素数を有するアルコキ
シル基のうち、少なくとも一方を配位子として含有す
る。これにより、化学気相成長法による珪酸塩化合物の
成膜において、成膜の安定性が改善する。
【０１３１】また、有機金属化合物は、テトラメチルへ
プタンジオネート基およびターシャリーブトキシル基の
うち、少なくとも一方を配位子として含有する。これに
より、化学気相成長法による珪酸塩化合物の成膜におい
て、成膜の安定性がさらに改善する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１に係る化学気相成長装置を示す
図である。
【図２】 前駆膜のリーク電流のアニール温度への依存
性を示すグラフである。
【図３】 実施の形態２に係る化学気相成長装置を示す
図である。
【図４】 実施の形態３に係る化学気相成長装置を示す
図である。
【符号の説明】
１ 第１の液体原料、２ 第１の原料容器、３ 第１の
原料供給配管、４ 第１の気化室、５ 第２の液体原
料、６ 第２の原料容器、７ 第２の原料供給配管、８
第２の気化室、９ 反応室、１０ 基板、１１ 第３
の気化室、１２第３の原料供給配管、１３ 第３の液体
原料。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA11 BA01 BA02 BA10 BA17 BA18 BA22 BA29 BA44 CA04 LA15 5F045 AB31 AC07 BB03 BB15 DC63 DP03 EE02 HA16 5F058 BA11 BC02 BF02 BG02

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有機金属化合物と、 シロキサン化合物と、 前記有機金属化合物およびシロキサン化合物を溶解させ
    るための有機溶媒とを含む化学気相成長法用液体原料。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の化学気相成長法用液体
    原料であって、 前記有機溶媒は、個別の容器にそれぞれ用意された第１
    および第２の有機溶媒を含み、 前記有機金属化合物は前記第１の有機溶媒に溶解され、 前記シロキサン化合物は前記第２の有機溶媒に溶解され
    る化学気相成長法用液体原料。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の化学気相成長法用液体
    原料であって、 前記有機溶媒は、エーテル類（環状エーテル類を含む）
    および飽和炭化水素類のうち少なくとも一方を主成分と
    して含有する化学気相成長法用液体原料。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の化学気相成長法用液体
    原料であって、 前記有機溶媒は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
    ン、ノルマルオクタンおよびイソオクタンのうち少なく
    とも一つを主成分として含有する化学気相成長法用液体
    原料。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の化学気相成長法用液体
    原料であって、 前記シロキサン化合物は、トリメトキシシラン、ヘキサ
    メチルジシロキサンおよびオクタメチルシクロテトラシ
    ロキサンのうち少なくとも一つを主成分として含有する
    化学気相成長法用液体原料。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の化学気相成長法用液体
    原料であって、 前記有機金属化合物は、アルミニウム、ジルコニウム、
    ハフニウム、チタニウム、タンタル、スカンジウム、イ
    ットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオ
    ジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガド
    リニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、
    エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムの
    うち少なくとも一つを金属元素として含有する化学気相
    成長法用液体原料。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の化学気相成長法用液体
    原料であって、 前記有機金属化合物は、βジケトン基、および、プロポ
    キシル基以上の炭素数を有するアルコキシル基のうち、
    少なくとも一方を配位子として含有する化学気相成長法
    用液体原料。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の化学気相成長法用液体
    原料であって、 前記有機金属化合物は、テトラメチルへプタンジオネー
    ト基およびターシャリーブトキシル基のうち、少なくと
    も一方を配位子として含有する化学気相成長法用液体原
    料。
  9. 【請求項９】 有機金属化合物と、 シロキサン化合物と、 前記有機金属化合物およびシロキサン化合物を溶解させ
    るための有機溶媒とを含む化学気相成長法用液体原料を
    気化して、膜形成または前駆膜形成を行う化学気相成長
    法による膜形成方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載の化学気相成長法によ
    る膜形成方法であって、 前記有機金属化合物と前記シロキサン化合物とを、とも
    に前記有機溶媒に一液となるよう混合し、 前記混合物を気化する化学気相成長法による膜形成方
    法。
  11. 【請求項１１】 請求項９に記載の化学気相成長法によ
    る膜形成方法であって、 前記有機溶媒は、個別の容器にそれぞれ用意された第１
    および第２の有機溶媒を含み、 前記有機金属化合物は前記第１の有機溶媒に溶解され、 前記シロキサン化合物は前記第２の有機溶媒に溶解され
    る化学気相成長法による膜形成方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の化学気相成長法に
    よる膜形成方法であって、 前記有機金属化合物と前記シロキサン化合物とを個別に
    気化し、 それぞれの前記気化を異なる気化室において行う化学気
    相成長法による膜形成方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１１に記載の化学気相成長法に
    よる膜形成方法であって、 前記有機金属化合物と前記シロキサン化合物とを個別に
    気化し、 それぞれの前記気化を、一つの気化室を時間的に分割し
    て使用することにより行う化学気相成長法による膜形成
    方法。
  14. 【請求項１４】 請求項９に記載の化学気相成長法によ
    る膜形成方法であって、 前記前駆膜形成を行った場合、さらに続いて、酸化雰囲
    気でアニールを行う化学気相成長法による膜形成方法。
  15. 【請求項１５】 請求項９に記載の化学気相成長法によ
    る膜形成方法であって、 前記有機溶媒は、エーテル類（環状エーテル類を含む）
    および飽和炭化水素類のうち少なくとも一方を主成分と
    して含有する化学気相成長法による膜形成方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載の化学気相成長法に
    よる膜形成方法であって、 前記有機溶媒は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
    ン、ノルマルオクタンおよびイソオクタンのうち少なく
    とも一つを主成分として含有する化学気相成長法による
    膜形成方法。
  17. 【請求項１７】 請求項９に記載の化学気相成長法によ
    る膜形成方法であって、 前記シロキサン化合物は、トリメトキシシラン、ヘキサ
    メチルジシロキサンおよびオクタメチルシクロテトラシ
    ロキサンのうち少なくとも一つを主成分として含有する
    化学気相成長法による膜形成方法。
  18. 【請求項１８】 請求項９に記載の化学気相成長法によ
    る膜形成方法であって、 前記有機金属化合物は、アルミニウム、ジルコニウム、
    ハフニウム、チタニウム、タンタル、スカンジウム、イ
    ットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオ
    ジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガド
    リニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、
    エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムの
    うち少なくとも一つを金属元素として含有する化学気相
    成長法による膜形成方法。
  19. 【請求項１９】 請求項９に記載の化学気相成長法によ
    る膜形成方法であって、 前記有機金属化合物は、βジケトン基、および、プロポ
    キシル基以上の炭素数を有するアルコキシル基のうち、
    少なくとも一方を配位子として含有する化学気相成長法
    による膜形成方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１９に記載の化学気相成長法に
    よる膜形成方法であって、 前記有機金属化合物は、テトラメチルへプタンジオネー
    ト基およびターシャリーブトキシル基のうち、少なくと
    も一方を配位子として含有する化学気相成長法による膜
    形成方法。
  21. 【請求項２１】 化学気相成長法用液体原料を蓄えた原
    料容器と、 前記液体原料を気化する気化室と、 気化した前記液体原料を用いて膜形成または前駆膜形成
    を行う反応室とを備え、 前記液体原料は、 有機金属化合物と、 シロキサン化合物と、 前記有機金属化合物およびシロキサン化合物を溶解させ
    るための有機溶媒とを含む化学気相成長装置。
  22. 【請求項２２】 請求項２１に記載の化学気相成長装置
    であって、 前記原料容器において、前記有機金属化合物と前記シロ
    キサン化合物とを、ともに前記有機溶媒に一液となるよ
    う混合し、 前記気化室において、前記混合物を気化する化学気相成
    長装置。
  23. 【請求項２３】 請求項２１に記載の化学気相成長装置
    であって、 前記原料容器は少なくとも２つ存在し、 前記有機溶媒は、少なくとも２つの前記原料容器にそれ
    ぞれ用意された第１および第２の有機溶媒を含み、 前記有機金属化合物は前記第１の有機溶媒に溶解され、 前記シロキサン化合物は前記第２の有機溶媒に溶解さ
    れ、 前記気化室において、前記有機金属化合物と前記シロキ
    サン化合物とを個別に気化する化学気相成長装置。
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