JP2003082455A - Sintered-compact target with excellent resistance to cracking due to sputtering for use in deposition of protective film for optical recording medium, and its manufacturing method - Google Patents
Sintered-compact target with excellent resistance to cracking due to sputtering for use in deposition of protective film for optical recording medium, and its manufacturing methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、光ビームを用い
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる光記録媒体保護膜を形成するための硫
化亜鉛（ＺｎＳ）−二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）焼結体か
らなる耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成
用焼結体ターゲットおよびその製造方法に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to zinc sulfide (ZnS) -silicon dioxide (for forming an optical recording medium protective film used in an optical medium such as an optical disk for recording and erasing information by using a light beam). The present invention relates to a sintered compact target for forming a protective film for an optical recording medium, which is made of a SiO 2 ) sintered compact and is excellent in spatter cracking resistance, and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光ビームを用いて情報の記録および消去
を行う光ディスクなどの光メディアに形成される用いら
れる光記録媒体保護膜は、純度：９９．９９９重量％以
上のＳｉＯ2：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが純
度：９９．９９９重量％以上のＺｎＳからなる組成の焼
結体からなる光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲット
（以下、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットという）を用いて
スパッタリングすることにより形成されることは良く知
られているところである。このＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲ
ットを用いてスパッタリングするには、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2ターゲットを純銅またはモリブデン製の冷却用バッキ
ングプレートに純度：９９．９９９重量％のＩｎろう材
にて接合し、これをマグネトロンスパッタリング装置に
セットしてスパッタリングする。 2. Description of the Related Art An optical recording medium protective film used for an optical medium such as an optical disk for recording and erasing information by using a light beam has a purity of 99.999% by weight or more of SiO 2 : 10 to 30 mol. %, And the remainder is purity: 99.999% by weight or more, using a sintered body target for forming an optical recording medium protective film (hereinafter, referred to as ZnS—SiO 2 target), which is a sintered body having a composition of ZnS. It is well known that it is formed by sputtering. To sputtering this ZnS-SiO 2 target, ZnS-SiO
2 The target is bonded to a cooling backing plate made of pure copper or molybdenum with an In brazing material having a purity of 99.999% by weight, and this is set in a magnetron sputtering device for sputtering.
【０００３】近年、光メディアの量産と共にコスト削減
のためにＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用いて光記録媒
体保護膜を高速成膜することが求められており、光記録
媒体保護膜を高速成膜するには、スパッタリングを高出
力で行ない、高出力でスパッタリングするに伴ってター
ゲットの温度が上昇するために冷却用バッキングプレー
トに供給する冷却水の水圧を上げて冷却能力を高めてい
る。In recent years, it has been required to form a protective film for an optical recording medium at a high speed by using a ZnS-SiO 2 target in order to reduce the cost as well as mass production of an optical medium, and the protective film for an optical recording medium is formed at a high speed. In this case, the sputtering is performed at a high output, and the temperature of the target rises as the sputtering is performed at a high output. Therefore, the water pressure of the cooling water supplied to the cooling backing plate is increased to enhance the cooling capacity.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、冷却用バッキ
ングプレートに供給する冷却水の水圧を上げてスパッタ
リング効率を向上させようとすると、冷却用バッキング
プレートの変形が一層大きくなり、冷却用バッキングプ
レートにろう付けされているＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲッ
トに割れが発生する。したがって、一層耐割れ性に優れ
た高強度のＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットが求められてい
た。However, when the water pressure of the cooling water supplied to the cooling backing plate is increased to improve the sputtering efficiency, the deformation of the cooling backing plate is further increased, and the cooling backing plate is deformed. Cracks occur in the brazed ZnS—SiO 2 target. Accordingly, it has been required ZnS-SiO 2 target high strength more excellent in resistance to cracking.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
高出力スパッタリングを行なっても、割れることの無い
耐スパッタ割れ性に優れたＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲット
を得るべく研究を行なった。その結果、（イ）二酸化ケ
イ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛か
らなる組成を有するＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットにおい
て、ターゲット内部の実質的中央部に２回以上焼結され
た焼結体を内蔵すると、この２回以上焼結された焼結体
が高強度の芯部を形成してターゲットの強度を向上さ
せ、この２回以上焼結された焼結体を内蔵するターゲッ
トを用いて高出力スパッタリングしても、割れが発生す
ることがない、（ロ）２回以上焼結された焼結体は正確
にターゲットの内部中央部に内蔵されていることが最も
好ましいが、その内蔵位置は正確に中央部である必要は
なく、中央部から多少ずれていてもほぼ同じ結果が得ら
れ、実質的中央部であれば良い、という研究結果が得ら
れたのである。Therefore, the present inventors have
Be subjected to high output sputtering was to conducted research to obtain a ZnS-SiO 2 target excellent in resistance to sputtering cracking never broken. As a result, (b) silicon dioxide: containing 10 to 30 mol%, sintering the ZnS-SiO 2 target having a composition the remainder consisting of zinc sulfide, which is sintered more than once substantially central portion of the internal target When the body is built in, the sintered body that has been sintered twice or more forms a high-strength core to improve the strength of the target, and the target that contains the sintered body that has been sintered twice or more is used. It is most preferable that a sintered body that has been sintered twice or more is accurately built in the center of the target, even though it is not cracked even by high power sputtering. The research results showed that the position does not have to be exactly in the central part, the same result can be obtained even if it is slightly deviated from the central part, and that the position is substantially in the central part.
【０００６】この発明は、かかる研究結果に基づいてな
されたものであって、（１）二酸化ケイ素：１０〜３０
ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有す
るＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットにおいて、ターゲット内
部の実質的中央部に２回以上焼結されたＺｎＳ−ＳｉＯ
2焼結体を内蔵している耐スパッタ割れ性に優れたＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2ターゲット、に特長を有するものである。The present invention has been made on the basis of the results of such research. (1) Silicon dioxide: 10 to 30
containing mol%, in ZnS-SiO 2 target having a composition the remainder consisting of zinc sulfide, ZnS-SiO which is sintered more than once substantially central portion of the internal target
2 Built-in sintered body Zn with excellent spatter cracking resistance
It is characterized by the S-SiO 2 target.
【０００７】前記（１）記載の耐スパッタ割れ性に優れ
たＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを製造するには、まず、
二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが硫
化亜鉛からなる組成を有する焼結体を作製し、この焼結
体を、この焼結体と同じ組成の混合粉末と共にホットプ
レス型内の実質的中央部に位置するように充填し、次い
でホットプレスしたのち機械加工することことにより得
られる。したがって、この発明は、（２）二酸化ケイ
素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛から
なる組成を有する焼結体を作製し、この焼結体をこの焼
結体と同じ組成の混合粉末と共にホットプレス型内の実
質的中央部に位置するように充填し、次いでホットプレ
スする耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成
用焼結体ターゲットの製造方法、に特長を有するもので
ある。前記機械加工により光記録媒体保護膜形成用焼結
体ターゲットの寸法を調整するものであるが、前記内蔵
された焼結体がターゲットの側面に露出するまで機械加
工しても良い。In order to manufacture a ZnS-SiO 2 target excellent in sputter crack resistance as described in (1) above, first,
Silicon dioxide: A sintered body having a composition containing 10 to 30 mol% and the remainder being zinc sulfide was prepared, and this sintered body was mixed with a mixed powder having the same composition as that of the sintered body in a hot press mold. It is obtained by filling so as to be located in the central portion, then hot pressing and then machining. Therefore, according to the present invention, (2) a sintered body having a composition containing (2) silicon dioxide: 10 to 30 mol% and the remainder being zinc sulfide is prepared, and this sintered body is mixed with the same composition as this sintered body. A method for producing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance and is filled with powder so that it is located substantially in the center of the hot press mold, and then hot pressed. Is. Although the size of the sintered body target for forming an optical recording medium protective film is adjusted by the above-mentioned machining, it may be machined until the built-in sintered body is exposed on the side surface of the target.
【０００８】前記（１）記載の耐スパッタ割れ性に優れ
た光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットを製造する
には、まず、二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有
し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体を作製
し、この焼結体を二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を
含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する混合粉末
と共にホットプレス型内の実質的中央部に位置するよう
に充填し、次いでホットプレスするのであるから、
（１）記載の耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護
膜形成用焼結体ターゲットを製造するには焼結体をホッ
トプレスする工程とこの焼結体を内蔵してホットプレス
する工程の少なくとも二回のホットプレスを行なう必要
がある。したがって、従来のターゲットに比べてコスト
がかかる。そのために、光記録媒体保護膜形成用焼結体
ターゲットの芯部の焼結体として、５０〜７０％が未使
用のまま残された使用済みＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲット
を用いると、一回のホットプレスで製造することがで
き、したがって、コストを削減することができる。In order to manufacture the sintered body target for forming an optical recording medium protective film having excellent spatter cracking resistance as described in (1) above, first, silicon dioxide: 10 to 30 mol% is contained, and the remainder is zinc sulfide. A sintered body having a composition of was prepared, and the sintered body was mixed with a mixed powder having a composition of 10 to 30 mol% of silicon dioxide and the rest being zinc sulfide to form a substantially central portion in a hot press mold. Since it is filled so that it is positioned, and then hot pressed,
In order to manufacture a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film having excellent spatter cracking resistance as described in (1), a step of hot pressing the sintered compact and a step of hot pressing the sintered compact in a built-in manner are performed. It is necessary to perform hot pressing at least twice. Therefore, the cost is higher than that of the conventional target. Therefore, if a used ZnS—SiO 2 target in which 50 to 70% of the sintered target is left unused is used as a sintered body of the core of the sintered body target for forming an optical recording medium protective film, one hot process is performed. It can be manufactured in a press, thus reducing costs.
【０００９】したがって、この発明は、（３）二酸化ケ
イ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛か
らなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用焼結体ター
ゲットにおいて、ターゲット内部の実質的中央部に使用
済みＺｎＳ−ＳｉＯ2焼結体ターゲットを内蔵している
耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼結
体ターゲット、に特長を有するものである。Accordingly, the present invention provides (3) a sintered body target for forming an optical recording medium protective film, which has a composition containing (3) silicon dioxide: 10 to 30 mol% and the rest being zinc sulfide. The present invention has a feature in a sintered body target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance and has a used ZnS-SiO 2 sintered body target built in the central portion.
【００１０】前記（３）に記載の耐スパッタ割れ性に優
れた光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットにおいて
内蔵する使用済みＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットは、図６
の断面図に示されるように、使用済みＺｎＳ−ＳｉＯ2
ターゲット９の裏面にはＩｎろう材などのボンディング
材３が付着しており、さらにスパッタ面２にはスパッタ
中に付着したパーティクル４が付着している。さらに図
示しては無いがスパッタ面の表面には微小突起が無数に
形成されている。その結果、使用済みＺｎＳ−ＳｉＯ2
ターゲットの全面にサンドブラスト処理を施して、スパ
ッタ面に付着しているパーティクル、微小突起およびタ
ーゲット裏面に付着しているボンディング材を除去する
ことによりターゲット表面を清浄化し、この表面を清浄
化した使用済みＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットと共にこの
使用済みターゲットと同じ組成の混合粉末をホットプレ
ス型に充填し、次いでホットプレスすることが必要であ
る。The used ZnS-SiO 2 target incorporated in the sintered compact target for forming an optical recording medium protective film having excellent spatter cracking resistance described in (3) above is shown in FIG.
As shown in the cross section, used ZnS-SiO 2
A bonding material 3 such as an In brazing material is attached to the back surface of the target 9, and particles 4 attached during sputtering are attached to the sputtering surface 2. Further, although not shown, innumerable minute projections are formed on the surface of the sputtering surface. As a result, used ZnS-SiO 2
The target surface is cleaned by sandblasting the entire surface of the target to remove particles adhering to the sputter surface, minute protrusions, and bonding material adhering to the back surface of the target. with ZnS-SiO 2 target mixed powder having the same composition as the used target was filled in a hot press mold, then it is necessary to hot pressing.
【００１１】したがって、この発明は、（４）二酸化ケ
イ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛か
らなる組成を有する使用済みターゲットの全面にサンド
ブラスト処理を施して表面を清浄化し、このサンドブラ
スト処理して表面を清浄化した使用済みターゲットを、
この使用済みターゲットと同じ組成の混合粉末と共にホ
ットプレス型内の実質的中央部に位置するように充填
し、次いでホットプレスしたのち機械加工する耐スパッ
タ割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲ
ットの製造方法、に特長を有するものである。Therefore, according to the present invention, (4) silicon dioxide is contained in an amount of 10 to 30 mol%, and the remaining surface of a used target having a composition of zinc sulfide is subjected to sandblasting to clean the surface, and the sandblasting is performed. Used target whose surface has been cleaned by treating
It is filled with a mixed powder of the same composition as this used target so that it is located in the substantial center of the hot-press mold, and then hot-pressed and then machined to form an optical recording medium protective film with excellent spatter cracking resistance. It is characterized by a method for manufacturing a sintered body target.
【００１２】サンドブラスト処理で使用される吹き付け
砂は一般に洗浄して再使用するが、使用済みＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2ターゲットの裏面に付着しているボンディング材
にサンドブラスト処理を施すと、サンドブラスト処理で
使用した吹き付け砂にボンディング材が付着し、洗浄な
どの簡単な操作により再利用できる状態にはならない。
そのために使用済みＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットの裏面
に付着しているボンディング材を予め塩酸、硝酸、硫酸
などの強酸からなるエッチング液で除去した後、使用済
みＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットの全表面にサンドブラス
ト処理を施して吹き付け砂の洗浄を効率化することが一
層好ましい。The sprayed sand used in the sandblasting process is generally washed and reused.
If the bonding material adhered to the back surface of the iO 2 target is subjected to sandblasting, the bonding material adheres to the sprayed sand used in the sandblasting process, and it cannot be reused by a simple operation such as cleaning.
Therefore, the bonding material attached to the back surface of the used ZnS-SiO 2 target is removed in advance with an etching solution containing a strong acid such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, and then the entire surface of the used ZnS-SiO 2 target is sandblasted. It is more preferable that the cleaning of the sprayed sand is performed efficiently by applying the above.
【００１３】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（５）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏ
ｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する使
用済みターゲットの底面に付着するボンディング材を除
去した後、全面にサンドブラスト処理を施して表面を清
浄化し、このサンドブラスト処理して表面を清浄化した
使用済みターゲットを、この使用済みターゲットと同じ
組成の混合粉末と共にホットプレス型内の実質的中央部
に充填し、次いでホットプレスしたのち機械加工する耐
スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼結体
ターゲットの製造方法、（６）二酸化ケイ素：１０〜３
０ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有
する使用済みターゲットの底面に付着するボンディング
材を強酸からなるエッチング液により除去した後、使用
済みターゲットの全面にサンドブラスト処理を施して表
面を清浄化し、このサンドブラスト処理を施して表面を
清浄化した使用済みターゲットを、この使用済みターゲ
ットと同じ組成の混合粉末と共にホットプレス型内の実
質的中央部に充填し、次いでホットプレスしたのち機械
加工する耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護膜形
成用焼結体ターゲットの製造方法、に特徴を有するもの
である。The present invention was made on the basis of such findings, and (5) Silicon dioxide: 10 to 30 mo
After removing the bonding material adhering to the bottom surface of the used target containing 1% and the rest consisting of zinc sulfide, the entire surface is sandblasted to clean the surface, and the sandblasting is used to clean the surface. The used target is filled with the mixed powder of the same composition as this used target in the substantially central part of the hot press mold, and then hot pressed and machined. Manufacturing method of sintered body target for film formation, (6) Silicon dioxide: 10 to 3
After removing the bonding material adhering to the bottom surface of the used target, which contains 0 mol% and the balance is zinc sulfide, with an etching solution made of strong acid, the entire surface of the used target is sandblasted to clean the surface. The used target, which has been subjected to the sandblasting process and whose surface has been cleaned, is filled in the substantially central portion of the hot press mold together with the mixed powder having the same composition as the used target, and then hot pressed and machined. The present invention is characterized by a method for producing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance.
【００１４】焼結体および使用済みターゲットを、焼結
体および使用済みターゲットと同じ組成の混合粉末と共
にホットプレス型に充填しホットプレスすると、一方は
焼結体であり、他方は混合粉末であるから、焼結体およ
び使用済みターゲットと混合粉末の境界に密度の不連続
部分が発生することがある。この密度の不連続部分の発
生を解消するために、焼結体および表面清浄化した使用
済みターゲットの表面に、この焼結体および使用済みタ
ーゲットと同じ組成の混合粉末を含むスラリーを塗布し
乾燥させ、このスラリーを塗布し乾燥させた焼結体およ
び使用済みターゲットを、焼結体および使用済みターゲ
ットと同じ組成の混合粉末と共にホットプレス型に充填
し、次いでホットプレスすると、密度の不連続部分の発
生が極めて少なくなる。The sintered body and the used target are filled in a hot press mold together with the mixed powder having the same composition as the sintered body and the used target, and hot pressed. One is a sintered body and the other is a mixed powder. Therefore, the discontinuity of the density may occur at the boundary between the sintered body and the used target and the mixed powder. In order to eliminate the occurrence of this discontinuity of density, the slurry containing the mixed powder of the same composition as the sintered body and the used target is applied to the surface of the sintered body and the surface-cleaned used target and dried. Then, the sintered body and the used target coated with this slurry and dried are filled in a hot press mold together with a mixed powder having the same composition as the sintered body and the used target, and then hot pressed to form a discontinuous portion of density. Is extremely reduced.
【００１５】したがって、この発明は、（７）二酸化ケ
イ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛か
らなる組成を有する焼結体または使用済みターゲットの
全面にサンドブラスト処理を施して表面を清浄化し、こ
の表面清浄化した使用済みターゲットの表面に、この使
用済みターゲットと同じ組成の混合粉末を含むスラリー
を塗布し乾燥させ、このスラリーを塗布し乾燥させた使
用済みターゲットを、この使用済みターゲットと同じ組
成の混合粉末と共にホットプレス型内の実質的中央部に
充填し、次いでホットプレスしたのち機械加工する耐ス
パッタ割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼結体タ
ーゲットの製造方法、（８）二酸化ケイ素：１０〜３０
ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有す
る焼結体または使用済みターゲットの底面に付着するボ
ンディング材を除去した後、全面にサンドブラスト処理
を施して表面を清浄化し、この表面清浄化した使用済み
ターゲットの表面に、この使用済みターゲットと同じ組
成の混合粉末を含むスラリーを塗布し乾燥させ、このス
ラリーを塗布し乾燥させた使用済みターゲットを、この
使用済みターゲットと同じ組成の混合粉末と共にホット
プレス型内の実質的中央部に充填し、次いでホットプレ
スしたのち機械加工する耐スパッタ割れ性に優れた光記
録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットの製造方法、
（９）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、残
りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体または使用済
みターゲットの底面に付着するボンディング材を強酸か
らなるエッチング液により除去した後、使用済みターゲ
ットの全面にサンドブラスト処理を施して表面を清浄化
し、この表面清浄化した使用済みターゲットの表面に、
この使用済みターゲットと同じ組成の混合粉末を含むス
ラリーを塗布し乾燥させ、このスラリーを塗布し乾燥さ
せた使用済みターゲットを、この使用済みターゲットと
同じ組成の混合粉末と共にホットプレス型内の実質的中
央部に充填し、次いでホットプレスしたのち機械加工す
る耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼
結体ターゲットの製造方法、に特徴を有するものであ
る。Therefore, according to the present invention, (7) silicon dioxide is contained in an amount of 10 to 30 mol%, and the remaining surface is cleaned by subjecting the entire surface of a sintered body or a used target having a composition of zinc sulfide to a sand blast treatment. Then, the surface of the used target whose surface has been cleaned is coated with a slurry containing a mixed powder of the same composition as the used target and dried, and the used target dried by applying this slurry is used as the used target. A method for producing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which has excellent spatter cracking resistance, is filled in a substantially central portion in a hot press mold with a mixed powder having the same composition, and is then hot pressed to be machined. (8) Silicon dioxide: 10 to 30
After removing the bonding material adhering to the bottom surface of the sintered body containing mol% and the balance consisting of zinc sulfide or the used target, sandblasting the entire surface to clean the surface, and this surface cleaning On the surface of the used target, a slurry containing a mixed powder having the same composition as the used target is applied and dried, and the used target dried by applying this slurry is mixed powder having the same composition as the used target. A method for manufacturing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance, is filled with substantially the central portion in a hot press mold, and then hot pressed and then machined.
(9) Silicon dioxide: Used after removing the bonding material adhered to the bottom surface of a sintered body containing 10 to 30 mol% of zinc sulfide and the balance of zinc sulfide or a used target with an etching solution of a strong acid. The entire surface of the target is subjected to sandblasting to clean the surface, and the surface of the surface-cleaned used target is
A slurry containing a mixed powder having the same composition as this used target is applied and dried, and the used target coated with this slurry and dried is mixed with a mixed powder having the same composition as this used target in a hot press mold. It is characterized by a method for producing a sintered compact target for forming a protective film for an optical recording medium, which is excellent in spatter cracking resistance, which is filled in the central part, then hot pressed and then machined.
【００１６】前記（７）、（８）および（９）に記載の
耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼結
体ターゲットの製造方法で使用するスラリーは、平均粒
径：５〜１００ｎｍを有する二酸化ケイ素粉末と平均粒
径：１〜１０μｍを有する硫化亜鉛粉末との混合粉末を
含み、その混合粉末の組成は使用済みターゲットと同じ
組成を有する。そして塗布したスラリーを乾燥させる温
度は、ホットプレス温度よりも低い４００〜６５０℃未
満で行なうことが好ましい。The slurry used in the method for producing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film having excellent spatter cracking resistance described in (7), (8) and (9) above has an average particle size of 5 It comprises a mixed powder of silicon dioxide powder having ˜100 nm and zinc sulfide powder having an average particle size of 1 to 10 μm, the composition of the mixed powder having the same composition as the used target. The temperature at which the applied slurry is dried is preferably 400 to 650 ° C., which is lower than the hot pressing temperature.
【００１７】前記（４）〜（９）記載の耐スパッタ割れ
性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットの
製造方法におけるサンドブラスト処理で使用する吹き付
け砂はシリコンカーバイド粉末が使用され、このシリコ
ンカーバイド粉末はＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットに比べ
て高硬度を有し、さらに鋭い角部を有しているので、シ
リコンカーバイド粉末を用いたサンドブラスト処理を高
出力で施すと短時間で効率良くターゲット表面を清浄化
することができる。しかし、高出力でシリコンカーバイ
ド粉末を用いたサンドブラスト処理を施すと、鋭い角部
を有しているシリコンカーバイド粉末がＺｎＳ−ＳｉＯ
2ターゲットに刺さり、これが不純物として含まれるこ
とがある。このような形での不純物の混入を防止するた
めに、シリコンカーバイド粉末によるサンドブラスト処
理を高出力で施した後、さらにガラスビーズによるサン
ドブラスト処理を施すことにより突き刺さったシリコン
カーバイド粉末を除去することが一層好ましい。Silicon carbide powder is used for the blasting sand used in the sandblasting treatment in the method for producing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film having excellent spatter cracking resistance as described in (4) to (9) above. This silicon carbide powder has higher hardness than ZnS-SiO 2 target and has sharper corners, so if sandblasting with silicon carbide powder is performed at high output, the target will be efficient in a short time. The surface can be cleaned. However, when high-power sandblasting with silicon carbide powder is performed, the silicon carbide powder with sharp corners becomes ZnS-SiO.
2 It gets stuck in the target and may be contained as an impurity. In order to prevent the contamination of impurities in such a form, it is more preferable to remove the pierced silicon carbide powder by performing sandblasting with silicon carbide powder at a high output and then performing sandblasting with glass beads. preferable.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】この発明の耐スパッタ割れ性に優
れた光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットの製造方
法を図面に基づいて一層具体的に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A method for manufacturing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance of the present invention, will be described more specifically with reference to the drawings.
【００１９】実施例１
原料粉末として、平均粒径：４μｍを有し純度：９９．
９９９重量％以上のＺｎＳ粉末、平均粒径：１０μｍを
有し純度：９９．９９９重量％以上のＳｉＯ2粉末を用
意し、これら原料粉末をＳｉＯ2粉末：２０ｍｏｌ％を
含有し、残りがＺｎＳ粉末となるように配合し混合して
混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレス型に充
填し、真空雰囲気中、温度：１１５０℃、圧力：２９．
４ＭＰａ、７時間保持の条件でホットプレスすることに
より焼結体を作製し、研削加工により外径：１５０ｍ
ｍ、厚さ：３ｍｍの寸法を有する板状加工体を作製し
た。この板状加工体を、図１に示されるように、焼結体
１０が内径：２０２ｍｍを有する黒鉛製のホットプレス
型５内の実質的中央部に位置するように前記混合粉末６
と共に充填し、その上に黒鉛製のスペーサ７を被せて真
空雰囲気中、温度：１１５０℃、圧力：２９．４ＭＰ
ａ、７時間保持の条件でホットプレスすることによりホ
ットプレス体を作製し、このホットプレス体を研削加工
することにより外径：２００ｍｍ、厚さ：６ｍｍを有す
る本発明ターゲット１を作製した。Example 1 As a raw material powder, the average particle size was 4 μm and the purity was 99.
999 wt% or more of ZnS powder, SiO 2 powder having an average particle size of 10 μm and a purity of 99.999 wt% or more are prepared, and these raw material powders contain SiO 2 powder: 20 mol% and the rest is ZnS powder. And mixed to prepare a mixed powder, and the mixed powder is filled in a hot press mold, and in a vacuum atmosphere, temperature: 1150 ° C., pressure: 29.
A sintered body is produced by hot pressing under the conditions of 4 MPa and 7 hours of holding, and an outer diameter of 150 m by grinding.
m, thickness: a plate-shaped processed body having dimensions of 3 mm was prepared. As shown in FIG. 1, the plate-shaped processed body was mixed with the mixed powder 6 so that the sintered body 10 was located substantially in the center of a graphite hot press die 5 having an inner diameter of 202 mm.
And a graphite spacer 7 on top of it, and in a vacuum atmosphere, temperature: 1150 ° C., pressure: 29.4MP
a, a hot-pressed body was prepared by hot-pressing for 7 hours, and the target 1 of the present invention having an outer diameter of 200 mm and a thickness of 6 mm was prepared by grinding the hot-pressed body.
【００２０】実施例２
原料粉末として、平均粒径：４μｍを有し純度：９９．
９９９重量％以上のＺｎＳ粉末、平均粒径：１０μｍを
有し純度：９９．９９９重量％以上のＳｉＯ2粉末を用
意し、これら原料粉末をＳｉＯ2粉末：２０ｍｏｌ％を
含有し、残りがＺｎＳ粉末となるように配合し混合して
混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレス型に充
填し、真空雰囲気中、温度：１１５０℃、圧力：２９．
４ＭＰａ、７時間保持の条件でホットプレスすることに
より、外径：１５０ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する
ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを作製した。これをＭｏ製
のバッキングプレートにＩｎろう材を用いてろう付け
し、スパッタリング装置にセットして光記録媒体保護膜
を形成した。この光記録媒体保護膜を形成するスパッタ
リング操作を繰り返し行なって使用済みになったターゲ
ットをバッキングプレートから外した。このバッキング
プレートから外した状態の使用済みターゲット９が図６
に示されている。
図６に示される使用済みターゲット９に付着しているボ
ンディング材３を塩酸により除去し、次いで使用済みタ
ーゲットの全面に平均粒径：３００μｍのＳｉＣ粉末を
空気圧：約０．４ＭＰａで吹きつけるサンドブラスト処
理を施すことにより表面清浄化した。この表面清浄化し
た使用済みターゲット１が図５の断面図に示されてい
る。一方、使用済みターゲット１と同じ成分組成を有す
るＳｉＯ2粉末：２０ｍｏｌ％を含有し、残りがＺｎＳ
粉末からなる配合組成を有する混合粉末を内径：１５２
ｍｍを有する黒鉛製のホットプレス型５に充填し、次い
で、図５に示される表面清浄化した使用済みターゲット
１を、図２の断面図に示されるように、黒鉛製のホット
プレス型５に充填し、その上からさらに使用済みターゲ
ット１と同じ成分組成を有するＳｉＯ2粉末：２０ｍｏ
ｌ％を含有し、残りがＺｎＳ粉末からなる配合組成を有
する混合粉末６を充填して使用済みターゲット１がホッ
トプレス型５内の実質的中央部に位置するようにし、そ
の上に黒鉛製のスペーサ７を被せて真空雰囲気中、圧
力：２９．４ＭＰａ、温度：１１５０℃、７時間保持の
条件でホットプレスすることによりホットプレス体を作
製し、このホットプレス体を研削加工することにより外
径：２００ｍｍ、厚さ：６ｍｍを有する本発明ターゲッ
ト２を作製した。Example 2 As a raw material powder, the average particle size was 4 μm and the purity was 99.
999 wt% or more of ZnS powder, SiO 2 powder having an average particle size of 10 μm and a purity of 99.999 wt% or more are prepared, and these raw material powders contain SiO 2 powder: 20 mol% and the rest is ZnS powder. And mixed to prepare a mixed powder, and the mixed powder is filled in a hot press mold, and in a vacuum atmosphere, temperature: 1150 ° C., pressure: 29.
By hot pressing under the conditions of 4 MPa and 7 hours of holding, a ZnS—SiO 2 target having dimensions of outer diameter: 150 mm and thickness: 5 mm was produced. This was brazed to a Mo backing plate using an In brazing material and set in a sputtering device to form an optical recording medium protective film. The sputtering operation for forming the protective film for the optical recording medium was repeated to remove the used target from the backing plate. The used target 9 removed from this backing plate is shown in FIG.
Is shown in. The bonding material 3 adhering to the used target 9 shown in FIG. 6 is removed by hydrochloric acid, and then SiC powder having an average particle diameter of 300 μm is blown on the entire surface of the used target at an air pressure of about 0.4 MPa. The surface was cleaned by applying. This surface-cleaned used target 1 is shown in the cross-sectional view of FIG. On the other hand, SiO 2 powder having the same composition as the used target 1 contains 20 mol% and the rest is ZnS.
Internal diameter: 152
2 mm, and the surface-cleaned used target 1 shown in FIG. 5 is put into a graphite hot press mold 5 as shown in the sectional view of FIG. SiO 2 powder filled with the same and having the same composition as the used target 1 from above: 20mo
1% and the balance is made up of a mixed powder 6 consisting of ZnS powder so that the used target 1 is located substantially in the center of the hot press mold 5 and is made of graphite. A hot pressed body is produced by covering with the spacer 7 and hot pressing under the conditions of pressure: 29.4 MPa, temperature: 1150 ° C. and holding for 7 hours in a vacuum atmosphere, and the hot pressed body is ground to obtain an outer diameter. The target 2 of the present invention having a thickness of 200 mm and a thickness of 6 mm was produced.
【００２１】実施例３
使用済みターゲット９からボンディング材３を塩酸によ
り除去し、次いで使用済みターゲットの全面に平均粒
径：３００μｍのＳｉＣ粉末を実施例１よりも高圧の空
気圧：約０．６ＭＰａで吹きつけるサンドブラスト処理
を施したところ、短時間で表面清浄化することができた
が、表面清浄化した使用済みＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲット
の表面に微量のＳｉＣ粉末が突き刺さっていた。そこで
表面清浄化した使用済みターゲット１の表面にさらに平
均粒径：２５０μｍのガラスビーズを空気圧：約０．５
ＭＰａで吹きつけて表面を一層清浄化した使用済みター
ゲット(図示せず)を作製し、この表面を一層清浄化した
使用済みターゲットを、図２の断面図に示されるよう
に、これより大きい内径：２１０ｍｍを有する黒鉛製の
ホットプレス型５に充填し、その上から使用済みターゲ
ットと同じ成分組成を有するＳｉＯ2粉末：２０ｍｏｌ
％を含有し、残りがＺｎＳ粉末からなる配合組成を有す
る混合粉末６を充填し、その上に黒鉛製のスペーサ７を
被せて真空雰囲気中、圧力：２９．４ＭＰａ、温度：１
１５０℃、７時間保持の条件でホットプレスすることに
よりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を研
削加工して外径：２００ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有
する本発明ターゲット３を作製した。Example 3 The bonding material 3 was removed from the used target 9 with hydrochloric acid, and then SiC powder having an average particle size of 300 μm was applied to the entire surface of the used target at a pressure higher than that of Example 1 at an air pressure of about 0.6 MPa. was subjected to sandblast treatment to blow, it was possible to surface cleaning in a short time, SiC powder traces on the surface cleaned spent ZnS-SiO 2 target surface was stuck. Therefore, glass beads having an average particle size of 250 μm were further added to the surface of the surface-cleaned used target 1 with air pressure of about 0.5.
A used target (not shown) whose surface was further cleaned by spraying with a MPa was prepared, and the used target whose surface was further cleaned was used as shown in the sectional view of FIG. : SiO 2 powder having the same composition as the used target, filled in a hot press mold 5 made of graphite having a size of 210 mm: 20 mol
%, And the rest is filled with a mixed powder 6 having a composition of ZnS powder, and a spacer 7 made of graphite is placed on the mixed powder 6 in a vacuum atmosphere, pressure: 29.4 MPa, temperature: 1
A hot-pressed body was prepared by hot-pressing at 150 ° C. for 7 hours, and the hot-pressed body was ground to prepare a target 3 of the present invention having an outer diameter of 200 mm and a thickness of 6 mm. .
【００２２】実施例４
実施例１で得られた表面清浄化した使用済みターゲット
１を、平均粒径：約１６ｎｍを有するＳｉＯ2粉末（日
本アエロジル社製「Ｒ９７２ＣＦ２」）：２０モル％を
含有し、残部が平均粒径：５μｍを有するＺｎＳからな
る混合粉末を含むスラリー中に浸漬して塗布したのち温
度：４５０℃で乾燥させることにより、図３に示される
ように、使用済みターゲット１と同じ成分組成を有する
塗布層８を有する使用済みターゲット１１を作製した。
この塗布層８を有する使用済みターゲット１１を実施例
２で使用した内径：２１０ｍｍを有する黒鉛製のホット
プレス型５に図４に示されるように充填し、その上から
使用済みターゲット１と同じ成分組成を有するＳｉＯ2
粉末：２０ｍｏｌ％を含有し、残りがＺｎＳ粉末からな
る配合組成を有する混合粉末６を充填し、その上に黒鉛
製のスペーサ７を被せて真空雰囲気中、圧力：２９．４
ＭＰａ、温度：１１５０℃、７時間保持の条件でホット
プレスすることによりホットプレス体を作製し、このホ
ットプレス体を研削加工して外径：２００ｍｍ、厚さ：
６ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット４を作製した。Example 4 The surface-cleaned used target 1 obtained in Example 1 contains 20 mol% of SiO 2 powder (“R972CF2” manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) having an average particle size of about 16 nm. The remaining target is the same as the used target 1 as shown in FIG. 3 by being dipped in a slurry containing a mixed powder of ZnS having an average particle diameter of 5 μm and applied and then dried at a temperature of 450 ° C. A used target 11 having a coating layer 8 having a composition was prepared.
The used target 11 having this coating layer 8 was filled in a graphite hot press mold 5 having an inner diameter of 210 mm used in Example 2 as shown in FIG. SiO 2 with composition
Powder: Filled with a mixed powder 6 containing 20 mol% and the balance being ZnS powder, and covering it with a spacer 7 made of graphite, in a vacuum atmosphere, pressure: 29.4.
A hot-pressed body is produced by hot-pressing under the conditions of MPa, temperature: 1150 ° C. and holding for 7 hours, and this hot-pressed body is ground and processed to have an outer diameter of 200 mm and a thickness:
An inventive target 4 having a dimension of 6 mm was produced.
【００２３】従来例
原料粉末として、平均粒径：４μｍを有し純度：９９．
９９９重量％以上のＺｎＳ粉末、平均粒径：１０μｍを
有し純度：９９．９９９重量％以上のＳｉＯ2粉末を用
意し、これら原料粉末をＳｉＯ2粉末：２０ｍｏｌ％を
含有し、残りがＺｎＳ粉末となるように配合し混合して
混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレス型に充
填し、真空雰囲気中、温度：１１５０℃、７時間保持の
条件でホットプレスすることにより、外径：２００ｍ
ｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する従来ターゲットを作製
した。Conventional Example Raw material powder having an average particle size of 4 μm and a purity of 99.
999 wt% or more of ZnS powder, SiO 2 powder having an average particle size of 10 μm and a purity of 99.999 wt% or more are prepared, and these raw material powders contain SiO 2 powder: 20 mol% and the rest is ZnS powder. To prepare a mixed powder, and the mixed powder is filled in a hot press mold and hot pressed in a vacuum atmosphere at a temperature of 1150 ° C. for 7 hours to give an outer diameter: 200 m
A conventional target having dimensions of m, thickness: 6 mm was prepared.
【００２４】実施例１〜４および従来例でそれぞれ得ら
れた本発明ターゲット１〜４および従来ターゲットをＣ
ｕ製バッキングプレートにＩｎろう材にてろう付けし、
これをスパッタリング装置にセットしてバッキングプレ
ートに表１に示される水圧をかけながら表１に示される
高周波電力でスパッタリングを行ない、ターゲットに割
れが発生しているか否かを観察し、その結果を表１に示
した。The targets 1 to 4 of the present invention and the conventional target obtained in Examples 1 to 4 and the conventional example are respectively C
Brazing the backing plate made of u with In brazing material,
This was set in a sputtering device, the backing plate was subjected to the water pressure shown in Table 1 while performing the sputtering with the high-frequency power shown in Table 1, and it was observed whether the target had cracks. Shown in 1.
【００２５】[0025]
【表１】 [Table 1]
【００２６】[0026]
【発明の効果】表１に示される結果から、本発明ターゲ
ット１〜４は、バッキングプレートにかかる水圧を０．
３２ＭＰａに上げ、高周波電力を５．０ＫＷに上げた条
件でスパッタリングしてもターゲットに割れが発生する
ことがないが、従来ターゲットはバッキングプレートに
かかる水圧：０．２５ＭＰａ，高周波電力：４．４ＫＷ
の条件でスパッタリングすると割れが発生するところか
ら、本発明ターゲット１〜４は高出力スパッタリングを
行なっても、割れが発生し難いことが分かる。上述のよ
うに、この発明によると、耐スパッタ割れ性に優れた光
記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットを提供すること
ができ、光メディア産業の発展に大いに貢献し得るもの
である。From the results shown in Table 1, the targets 1 to 4 of the present invention showed that the water pressure applied to the backing plate was 0.
Even if sputtering is performed under the condition that the high frequency power is increased to 32 MPa and the high frequency power is increased to 5.0 KW, the target does not crack. However, in the conventional target, the water pressure applied to the backing plate is 0.25 MPa, the high frequency power is 4.4 KW.
From the fact that cracking occurs when sputtering under the conditions described above, it can be seen that the targets 1 to 4 of the present invention are less likely to crack even when high-power sputtering is performed. As described above, according to the present invention, it is possible to provide a sintered compact target for forming a protective film for an optical recording medium, which is excellent in spatter crack resistance, and can greatly contribute to the development of the optical media industry.
【図１】この発明の耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒
体保護膜形成用焼結体ターゲットの製造方法を説明する
ための断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance of the present invention.
【図２】この発明の耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒
体保護膜形成用焼結体ターゲットの製造方法を説明する
ための断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance of the present invention.
【図３】使用済みターゲットと同じ成分組成を有する塗
布層を有する使用済みターゲットの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a used target having a coating layer having the same composition as the used target.
【図４】この発明の耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒
体保護膜形成用焼結体ターゲットの製造方法を説明する
ための断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance of the present invention.
【図５】表面清浄化した使用済みターゲットの断面図で
ある。FIG. 5 is a cross-sectional view of a used target whose surface has been cleaned.
【図６】表面清浄化前の使用済みターゲットの断面図で
ある。FIG. 6 is a cross-sectional view of a used target before surface cleaning.
１ 表面清浄化した使用済みターゲット ２ スパッタ面 ３ ボンディング材 ４ パーティクル ５ ホットプレス型 ６ 混合粉末 ７ スペーサ ８ 塗布層 ９ 表面清浄化前の使用済みターゲット １０ 焼結体 １１ 塗布層を有する使用済みターゲット 1 Surface-cleaned used target 2 Sputter surface 3 Bonding material 4 particles 5 Hot press type 6 mixed powder 7 Spacer 8 coating layers 9 Used target before surface cleaning 10 Sintered body 11 Used target having a coating layer
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G030 AA47 AA56 BA14 BA32 GA11 GA29 4K029 BA64 BD00 DC05 DC09 5D121 AA04 EE03 EE14 Continued front page F-term (reference) 4G030 AA47 AA56 BA14 BA32 GA11 GA29 4K029 BA64 BD00 DC05 DC09 5D121 AA04 EE03 EE14
Claims (11)
し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する光記録媒体保
護膜形成用焼結体ターゲットにおいて、ターゲット内部
の実質的中央部に２回以上燒結された焼結体を内蔵して
いることを特長とする耐スパッタ割れ性に優れた光記録
媒体保護膜形成用焼結体ターゲット。1. A sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, comprising a composition containing silicon dioxide: 10 to 30 mol% and the balance being zinc sulfide, and sintered at least twice in a substantially central portion inside the target. A sintered body target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance and has a built-in sintered body.
し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体を作製
し、この焼結体を、この焼結体と同じ組成の混合粉末と
共にホットプレス型内の実質的中央部に位置するように
充填し、次いでホットプレスしたのち機械加工すること
を特徴とする耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護
膜形成用焼結体ターゲットの製造方法。2. A sintered body having a composition containing 10 to 30 mol% of silicon dioxide and the rest being zinc sulfide is prepared, and the sintered body is hot-mixed with a mixed powder having the same composition as the sintered body. A method for producing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance, characterized in that it is filled so as to be located substantially in the center of the press die, then hot pressed and then machined. .
し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する光記録媒体保
護膜形成用焼結体ターゲットにおいて、ターゲット内部
の実質的中央部に使用済みターゲットを内蔵しているこ
とを特長とする耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保
護膜形成用焼結体ターゲット3. A sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which has a composition containing silicon dioxide: 10 to 30 mol% and the rest being zinc sulfide, wherein a used target is provided substantially in the center of the inside of the target. Sintered body target for protective film formation of optical recording media, which has excellent spatter cracking resistance, characterized by being built-in
し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する使用済みター
ゲットの全面にサンドブラスト処理を施して表面を清浄
化し、このサンドブラスト処理して表面を清浄化した使
用済みターゲットを、この使用済みターゲットと同じ組
成の混合粉末と共にホットプレス型内の実質的中央部に
位置するように充填し、次いでホットプレスしたのち機
械加工することを特徴とする耐スパッタ割れ性に優れた
光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットの製造方法。4. A surface of a used target having a composition of 10 to 30 mol% of silicon dioxide and the remainder being zinc sulfide is sandblasted to clean the surface, and the surface is cleaned by sandblasting. The sputter crack resistance characterized by filling the used target with a mixed powder of the same composition as the used target so as to be located substantially in the center of the hot press mold, and then hot pressing and machining. A method for manufacturing a sintered compact target for forming a protective film for an optical recording medium, which has excellent properties.
し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する使用済みター
ゲットの底面に付着するボンディング材を除去した後、
全面にサンドブラスト処理を施して表面を清浄化し、こ
のサンドブラスト処理して表面を清浄化した使用済みタ
ーゲットを、この使用済みターゲットと同じ組成の混合
粉末と共にホットプレス型内の実質的中央部に位置する
ように充填し、次いでホットプレスしたのち機械加工す
ることを特徴とする耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒
体保護膜形成用焼結体ターゲットの製造方法。5. After removing a bonding material adhering to the bottom surface of a used target having a composition containing silicon dioxide: 10 to 30 mol% and the balance being zinc sulfide,
The entire surface is sandblasted to clean the surface, and the used target, which has been sandblasted to clean the surface, is located in the substantially central portion of the hot press mold together with the mixed powder having the same composition as the used target. A method for manufacturing a sintered compact target for forming a protective film for an optical recording medium, which is excellent in spatter cracking resistance, which comprises:
し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する使用済みター
ゲットの底面に付着するボンディング材を強酸からなる
エッチング液により除去した後、使用済みターゲットの
全面にサンドブラスト処理を施して表面を清浄化し、こ
のサンドブラスト処理を施して表面を清浄化した使用済
みターゲットを、この使用済みターゲットと同じ組成の
混合粉末と共にホットプレス型内の実質的中央部に位置
するように充填し、次いでホットプレスしたのち機械加
工することを特徴とする耐スパッタ割れ性に優れた光記
録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットの製造方法。6. A silicon dioxide: a bonding material adhered to the bottom surface of a used target having a composition of 10 to 30 mol% and the balance of zinc sulfide is removed by an etching solution of a strong acid, and then the used target of the used target is removed. The entire surface is sandblasted to clean the surface, and the used target, which has been sandblasted to clean the surface, is placed in the center of the hot press mold together with the mixed powder having the same composition as the used target. And then hot pressing, followed by machining, to provide a method for producing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance.
５もしくは６記載の方法で表面清浄化した使用済みター
ゲットの表面に、この焼結体または使用済みターゲット
と同じ組成の混合粉末を含むスラリーを塗布し乾燥さ
せ、このスラリーを塗布し乾燥させた焼結体または使用
済みターゲットを、焼結体または使用済みターゲットと
同じ組成の混合粉末と共にホットプレス型内の実質的中
央部に位置するように充填し、次いでホットプレスした
のち機械加工することを特徴とする耐スパッタ割れ性に
優れた光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットの製造
方法。7. The sintered body according to claim 2, or claim 4,
A slurry containing mixed powder having the same composition as the sintered body or the used target is applied to the surface of the used target surface-cleaned by the method described in 5 or 6 and dried, and the slurry is applied and dried. Characterized by filling a sintered body or a used target with a mixed powder having the same composition as the sintered body or the used target so as to be located substantially in the center of the hot press mold, and then hot pressing and machining. A method of manufacturing a sintered body target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance.
は、ホットプレス温度よりも低い４００〜６５０℃未満
で行なうことを特徴とする請求項７記載の耐スパッタ割
れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲット
の製造方法。8. The protective film for an optical recording medium excellent in spatter cracking resistance according to claim 7, wherein the applied slurry is dried at a temperature lower than the hot pressing temperature of 400 to less than 650 ° C. Manufacturing method of sintered body target for forming.
じ組成の混合粉末を含むスラリーは、平均粒径：５〜１
００ｎｍを有する二酸化ケイ素粉末と平均粒径：１〜１
０μｍを有する硫化亜鉛粉末との混合粉末を含むスラリ
ーであることを特徴とする請求項７または８記載の耐ス
パッタ割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼結体タ
ーゲットの製造方法。9. A slurry containing a mixed powder having the same composition as the sintered body or the used target has an average particle diameter of 5 to 1
Silicon dioxide powder with 00 nm and average particle size: 1-1
9. The method for producing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film having excellent spatter cracking resistance according to claim 7, which is a slurry containing a mixed powder with a zinc sulfide powder having a particle diameter of 0 μm.
割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲッ
トの製造方法において施すサンドブラスト処理は、吹き
付け砂としてシリコンカーバイド粉末を使用することを
特徴とする耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護膜
形成用焼結体ターゲットの製造方法。10. The sand blast treatment performed in the method for producing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film having excellent spatter cracking resistance according to claim 4, 5 or 6 uses silicon carbide powder as blowing sand. A method of manufacturing a sintered body target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance.
割れ性に優れた光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲッ
トの製造方法において施すサンドブラスト処理は、シリ
コンカーバイド粉末にてサンドブラスト処理した後、さ
らにガラスビーズにて再度サンドブラスト処理すること
を特徴とする耐スパッタ割れ性に優れた光記録媒体保護
膜形成用焼結体ターゲットの製造方法。11. The sand blasting process performed in the method for producing a sintered compact target for forming an optical recording medium protective film having excellent spatter cracking resistance according to claim 4, 5 or 6, after sand blasting with silicon carbide powder. A method of manufacturing a sintered body target for forming an optical recording medium protective film, which is excellent in spatter cracking resistance, which is characterized by performing sandblasting again with glass beads.
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|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007052743A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and process for producing the same |
| WO2011052160A1 (en) * | 2009-10-28 | 2011-05-05 | 株式会社アルバック | Method for producing ito sintered body and method for producing ito sputtering target |
| US8460602B2 (en) | 2008-12-26 | 2013-06-11 | Tanaka Holdings Co., Ltd | Method for producing regenerated target |
| WO2020166553A1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 住友化学株式会社 | Target material washing method, target material production method, and recycled ingot production method |
-
2001
- 2001-09-13 JP JP2001277414A patent/JP2003082455A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007052743A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and process for producing the same |
| KR101065427B1 (en) * | 2005-11-07 | 2011-09-19 | 도시바 마테리알 가부시키가이샤 | Sputtering target and process for producing the same |
| US8460602B2 (en) | 2008-12-26 | 2013-06-11 | Tanaka Holdings Co., Ltd | Method for producing regenerated target |
| US8999227B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-04-07 | Tanaka Holdings Co., Ltd | Method for producing regenerated target |
| WO2011052160A1 (en) * | 2009-10-28 | 2011-05-05 | 株式会社アルバック | Method for producing ito sintered body and method for producing ito sputtering target |
| WO2020166553A1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 住友化学株式会社 | Target material washing method, target material production method, and recycled ingot production method |
| JP2020132997A (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 住友化学株式会社 | Method for cleaning target material, method for manufacturing target material and method for manufacturing recycled ingot |
| CN113316659A (en) * | 2019-02-15 | 2021-08-27 | 住友化学株式会社 | Method for cleaning target material, method for manufacturing target material, and method for manufacturing circulating ingot |
| KR20210129652A (en) * | 2019-02-15 | 2021-10-28 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | The cleaning method of a target material, the manufacturing method of a target material, and the manufacturing method of a recycling ingot |
| KR102527841B1 (en) * | 2019-02-15 | 2023-05-02 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | Cleaning method of target material, manufacturing method of target material, and manufacturing method of recycled ingot |
| CN113316659B (en) * | 2019-02-15 | 2023-07-25 | 住友化学株式会社 | Method for cleaning target, method for producing target, and method for producing circulating ingot |
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