JP2003082242A - Resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device using the resin composition - Google Patents
Resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device using the resin compositionInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、難燃性、耐半田
性、耐湿信頼性および流動性に優れた半導体封止用樹脂
組成物およびそれを用いた半導体装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin composition for semiconductor encapsulation excellent in flame retardancy, solder resistance, moisture resistance reliability and fluidity, and a semiconductor device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導
体素子は、従来セラミックなどによって封止され半導体
装置化されていたが、最近では、製造コストや量産性の
観点から、プラスチックを用いた樹脂封止型の半導体装
置が主流になっている。この種の樹脂封止には、従来か
らエポキシ樹脂組成物が用いられており良好な成績を収
めているが、半導体分野の技術革新によって集積度の向
上と共に、素子サイズの大形化や配線の微細化、狭ピッ
チ化が進み、パッケージも小形化、薄形化する傾向にあ
り、これに伴って封止材料に対してさらに高い信頼性向
上が要望されている。2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs have been encapsulated with ceramics or the like to be semiconductor devices, but recently, from the viewpoint of manufacturing cost and mass productivity, resin encapsulation using plastics is used. Type semiconductor devices have become mainstream. Epoxy resin compositions have been used for this type of resin encapsulation, and have achieved good results. However, technological innovation in the semiconductor field has improved the degree of integration and increased the element size and wiring. The miniaturization and the narrowing of the pitch are progressing, and the package tends to be smaller and thinner, and accordingly, higher reliability of the sealing material is demanded.
【０００３】一方、半導体装置などの電子部品は、難燃
性の規格であるＵＬ９４ Ｖ−０に適合することが必要
不可欠であり、半導体封止用樹脂組成物に難燃性を付与
する方法として、臭素化エポキシ樹脂や三酸化アンチモ
ンを添加する方法が一般的に行われている。On the other hand, it is essential for electronic parts such as semiconductor devices to comply with UL94 V-0, which is a standard for flame retardancy, and as a method of imparting flame retardancy to a resin composition for semiconductor encapsulation. The method of adding a brominated epoxy resin or antimony trioxide is generally used.
【０００４】しかしながら、半導体装置への難燃化付与
技術に関しては以下の２つの大きな問題があった。However, there are the following two major problems in the technique of imparting flame retardancy to semiconductor devices.
【０００５】第１の問題点として、三酸化アンチモン自
身の有害性、燃焼時に臭化水素、ブロム系ガス、臭素化
アンチモンなどの発生による人体への有害性や機器への
腐食性が問題となっている。The first problem is that the harmfulness of antimony trioxide itself, the harmfulness to the human body due to the generation of hydrogen bromide, bromine gas, antimony bromide, etc. during combustion, and the corrosiveness of equipment. ing.
【０００６】第２の問題点としては、上記難燃化付与技
術を採用した半導体装置を高温で長時間放置すると、遊
離した臭素の影響で半導体素子上のアルミニウム配線が
腐食し、半導体装置の故障の原因となり高温信頼性の低
下が問題となっている。A second problem is that when a semiconductor device employing the above flame retarding technology is left at high temperature for a long time, aluminum wiring on a semiconductor element corrodes due to the effect of liberated bromine, causing a failure of the semiconductor device. As a result, the high temperature reliability is deteriorated.
【０００７】上記の問題点を解決するために、難燃剤と
してノンハロゲン−ノンアンチモン系である金属水酸化
物を無機難燃剤として添加する方法が提案されている。
しかしながら、この方法では例えば、４０重量％以上も
の多量の金属水酸化物を含有させなければならず、結果
的に以下のような新たな問題が生じることとなる。In order to solve the above problems, a method has been proposed in which a non-halogen-non-antimony metal hydroxide is added as a flame retardant as an inorganic flame retardant.
However, in this method, a large amount of metal hydroxide, for example, 40% by weight or more, must be contained, resulting in the following new problems.
【０００８】まず、半田付け時に半導体装置の膨れや、
クラックが発生しやすい点である。近年、半導体装置の
実装方法として表面実装が主流になっており、半田付け
時には半田浸漬、赤外リフロー、ベーパーフェイズリフ
ローなどの半田処理方法が選択されて使用される。何れ
の処理を採用しても、半導体装置が例えば、２１５〜２
６０℃もの高温に曝されるため、従来の金属水酸化物が
配合された樹脂組成物を用いた樹脂封止による半導体装
置では、金属水酸化物の吸湿量が多いので、吸湿した水
分の急激な気化により半導体装置の膨れやクラックが発
生するという、所謂耐半田性の低下という問題が生じる
恐れがある。First, swelling of the semiconductor device during soldering,
The point is that cracks are likely to occur. 2. Description of the Related Art In recent years, surface mounting has become a mainstream mounting method for semiconductor devices, and soldering methods such as solder immersion, infrared reflow, and vapor phase reflow are selected and used during soldering. Whichever process is adopted, the semiconductor device is, for example, 215-2.
Since it is exposed to a high temperature of 60 ° C., a semiconductor device that is resin-sealed using a resin composition containing a conventional metal hydroxide absorbs a large amount of metal hydroxide. There is a risk that the semiconductor device may swell or crack due to such vaporization, that is, the so-called solder resistance may deteriorate.
【０００９】さらに、耐湿信頼性に関して８０〜１３０
℃、相対湿度７０〜１００％の高温高湿環境下での半導
体素子機能が低下するという問題点を有する。また、パ
ワーデバイスなどの発熱量の大きい半導体素子や自動車
のエンジン周りに搭載する半導体装置などでは、長期間
の使用により脱水反応が生じるため、耐湿信頼性が低下
するという問題が生じる可能性がある。Further, regarding the moisture resistance reliability, it is 80 to 130.
There is a problem that the semiconductor element function is deteriorated under a high temperature and high humidity environment of 70 ° C. and 70% to 100% relative humidity. Moreover, in semiconductor devices such as power devices that generate a large amount of heat or semiconductor devices that are mounted around the engine of an automobile, a dehydration reaction may occur due to long-term use, which may lead to a problem that the moisture resistance reliability decreases. .
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の難
燃化技術では上記のような問題が生じるので、燃焼時に
有害ガスの発生のない安全な材料であって、半導体装置
の半田付け時において金属水酸化物の脱水による半導体
装置の膨れやクラックを起こさず、長期間の高温高湿雰
囲気下での放置によっても半導体素子上のアルミニウム
配線の腐食や耐湿信頼性の低下が生起しない難燃化技術
の開発が要望されている。As described above, the above-mentioned problems occur in the conventional flame-retardant technology. Therefore, it is a safe material that does not generate harmful gas during combustion, and is suitable for soldering semiconductor devices. Does not cause swelling or cracking of semiconductor device due to dehydration of metal hydroxide, and does not cause corrosion of aluminum wiring on semiconductor element or deterioration of moisture resistance reliability even if left in a high temperature and high humidity atmosphere for a long time. There is a demand for the development of technology for computerization.
【００１１】そこで、本出願人は、熱硬化性樹脂および
硬化剤と共に、金属水酸化物と金属酸化物、あるいはこ
れらの複合化金属水酸化物とを併用した半導体封止用熱
硬化性樹脂組成物を提案し上記課題の解決を図った（Ｗ
Ｏ９５／０６０８５号公報）。この半導体封止用樹脂組
成物を用いることによって確かに難燃性および耐湿信頼
性の向上効果は得られたが、新たな問題が発生した。即
ち、近年の半導体パッケージは、より薄型化傾向にある
が、トランスファー成形などのパッケージ成形時におい
て封止材料となる樹脂組成物の流動性が低下して金ワイ
ヤーの変形が発生するなど、成形性の著しい低下が問題
となる場合がある。Therefore, the applicant of the present invention has proposed that a thermosetting resin composition for semiconductor encapsulation in which a metal hydroxide and a metal oxide or a composite metal hydroxide thereof are used together with a thermosetting resin and a curing agent. I proposed a product and tried to solve the above problems (W
O95 / 06085). By using this resin composition for semiconductor encapsulation, the effects of improving flame retardancy and moisture resistance reliability were certainly obtained, but new problems occurred. That is, although semiconductor packages in recent years tend to be thinner, moldability such as deformation of the gold wire occurs due to a decrease in fluidity of the resin composition as a sealing material during package molding such as transfer molding. May be a problem.
【００１２】本発明は、このような問題点を勘案してな
されたもので、安全性はもちろん、耐湿信頼性や難燃性
に優れると共に、成形性に優れた半導体封止用樹脂組成
物およびそれを用いた半導体装置を提供することを目的
とするものである。The present invention has been made in consideration of such problems, and in addition to being excellent in safety, it is excellent in moisture resistance reliability and flame retardancy, and in addition to being excellent in moldability, a resin composition for semiconductor encapsulation and An object is to provide a semiconductor device using the same.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは安全性、耐半田性、耐湿信頼性および
難燃性に優れると共に、流動性にも優れた半導体封止用
樹脂組成物を得るために一連の検討を行った。この検討
を行うに際して、まず、従来からの複合化金属水酸化物
含有の半導体封止用樹脂組成物を用いた際の流動性の低
下原因を突き止めるべく検討を重ねた。In order to achieve the above-mentioned object, the inventors of the present invention have excellent safety, solder resistance, moisture resistance reliability and flame retardancy as well as excellent fluidity for semiconductor encapsulation. A series of studies were conducted to obtain a resin composition. In carrying out this examination, first, the examination was repeated to find out the cause of the decrease in fluidity when a conventional resin composition for semiconductor encapsulation containing a complexed metal hydroxide was used.
【００１４】その結果、流動性の低下が複合化金属水酸
化物の結晶形状などに起因するものであることを突き止
めた。即ち、通常、複合化金属水酸化物の結晶形状は、
基本的に六角板状や鱗片状のような平板形状であり、こ
のような結晶形状を有する複合化金属水酸化物を含有し
た樹脂組成物を用いてのトランスファー成形のような封
止工程においては流動性が著しく低下し、その結果、金
ワイヤーの変形などが発生することを見い出した。そし
て、この知見に基づき流動性の低下の抑制を目的にさら
なる検討を行った。As a result, it was found that the decrease in fluidity was due to the crystal shape of the complexed metal hydroxide. That is, the crystal shape of the complexed metal hydroxide is usually
Basically, it has a flat plate shape such as a hexagonal plate shape or a scale shape, and in a sealing step such as transfer molding using a resin composition containing a composite metal hydroxide having such a crystal shape, It has been found that the fluidity is remarkably reduced, and as a result, the gold wire is deformed. Then, based on this finding, a further study was conducted for the purpose of suppressing the decrease in fluidity.
【００１５】その結果、上記複合化金属水酸化物とし
て、従来のような六角板状や鱗片状のような平板形状を
有するものではなく、縦、横と共に厚み方向への結晶成
長の大きい多面体形状を有する特定の複合化金属水酸化
物を用いると、樹脂組成物の流動性の低下がある程度抑
制されることを見い出し、本発明を完成するに至った。As a result, the composite metal hydroxide does not have a flat plate shape such as a hexagonal plate shape or a scale shape as in the prior art, but has a polyhedral shape in which crystal growth is large in the thickness direction along with the length and width. It was found that the use of a specific complexed metal hydroxide having the property of controlling the fluidity of the resin composition to some extent led to the completion of the present invention.
【００１６】即ち、本発明は、（ａ）成分として熱硬化
性樹脂、（ｂ）成分として硬化剤、および（ｃ）成分と
して下記化学式（１）にて表される結晶構造を有する複
合化金属水酸化物を含有することを特徴とする半導体封
止用樹脂組成物を第１の要旨とする。That is, the present invention provides a composite metal having a thermosetting resin as the component (a), a curing agent as the component (b), and a crystal structure represented by the following chemical formula (1) as the component (c). The first gist is a resin composition for semiconductor encapsulation, which contains a hydroxide.
【００１７】[0017]
【化２】 [Chemical 2]
【００１８】また、本発明は、上記半導体封止用樹脂組
成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を第
２の要旨とする。A second aspect of the present invention is a semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element using the resin composition for encapsulating a semiconductor.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を詳し
く説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of the present invention will be described in detail.
【００２０】本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、
熱硬化性樹脂（（ａ）成分）と、硬化剤（（ｂ）成分）
と、特定の粒度分布を有する特定の複合化金属水酸化物
（（ｃ）成分）を含有するものであり、通常、粉末状あ
るいはこれを打錠したタブレット状に成形されている。
または、樹脂組成物を溶融混練した後、略円柱状などの
顆粒体に成形した顆粒状、さらにシート状に成形したシ
ート状の封止材料としてもよい。The semiconductor encapsulating resin composition according to the present invention is
Thermosetting resin (component (a)) and curing agent (component (b))
And a specific composite metal hydroxide (component (c)) having a specific particle size distribution, and is usually formed into a powder or a tablet-like tablet.
Alternatively, the resin composition may be melt-kneaded and then molded into a granular shape such as a substantially columnar shape, or a sheet-like sealing material formed into a sheet shape.
【００２１】本発明に用いる熱硬化性樹脂（（ａ）成
分）としては、エポキシ樹脂、ポリマレイミド樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂などを用いるこ
とができる。特に、半導体素子の封止目的では、耐熱性
の観点から、エポキシ樹脂やポリマレイミド樹脂を用い
ることが好ましい。As the thermosetting resin (component (a)) used in the present invention, epoxy resin, polymaleimide resin, unsaturated polyester resin, phenol resin and the like can be used. In particular, for the purpose of sealing the semiconductor element, it is preferable to use an epoxy resin or a polymaleimide resin from the viewpoint of heat resistance.
【００２２】上記エポキシ樹脂としては、特に限定する
ものではなく、自体公知のものが用いられる。例えば、
ビスフェノールＡ型、フェノールノボラック型、クレゾ
ールノボラック型、ビフェニル型などのエポキシ樹脂が
挙げられ、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂やビフ
ェニル型エポキシ樹脂を用いることが、成形性やパッケ
ージ信頼性などの点から好ましいものである。The epoxy resin is not particularly limited, and those known per se can be used. For example,
Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, phenol novolac type, cresol novolac type, and biphenyl type. It is preferable to use cresol novolac type epoxy resin or biphenyl type epoxy resin from the viewpoint of moldability and package reliability. is there.
【００２３】また、ポリマレイミド樹脂も特に限定する
ものではなく、自体公知のものが用いられ、１分子中に
２個以上のマレイミド基を有するものを用いることがで
きる。例えば、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフェニルメタン
ビスマレイミド、２，２−ビス−〔４−（４−マレイミ
ドフェノキシ）フェニル〕プロパンなどを用いることが
できる。The polymaleimide resin is not particularly limited, and those known per se can be used, and those having two or more maleimide groups in one molecule can be used. For example, N, N′-4,4′-diphenylmethane bismaleimide, 2,2-bis- [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, or the like can be used.
【００２４】上記熱硬化性樹脂（ａ成分）と共に用いら
れる硬化剤（（ｂ）成分）としては、例えば、フェノー
ル樹脂、酸無水物、アミン化合物など自体公知のものが
用いられる。そして、（ａ）成分としての熱硬化性樹脂
にエポキシ樹脂を用いた場合、フェノール樹脂を用いる
ことが好ましい。このようなフェノール樹脂としては、
フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフ
ェノールＡ型ノボラック、ナフトールノボラックおよび
フェノールアラルキル樹脂などが挙げられる。そして、
上記エポキシ樹脂としてビフェニル型エポキシ樹脂を用
いる場合には、その硬化剤としてフェノールアラルキル
樹脂を用いることが好ましい。As the curing agent (component (b)) used together with the thermosetting resin (component a), for example, phenol resin, acid anhydride, amine compound or the like known per se is used. When an epoxy resin is used as the thermosetting resin as the component (a), it is preferable to use a phenol resin. As such a phenolic resin,
Examples thereof include phenol novolac, cresol novolac, bisphenol A type novolac, naphthol novolac and phenol aralkyl resin. And
When a biphenyl type epoxy resin is used as the epoxy resin, it is preferable to use a phenol aralkyl resin as the curing agent.
【００２５】また、熱硬化性樹脂としてポリマレイミド
樹脂を用いた場合の硬化剤としては、例えば、上記エポ
キシ樹脂用硬化剤をハロゲン化アリルとアルカリの存在
下で反応させて得られるアルケニルフェノール類やアミ
ン類が挙げられる。When a polymaleimide resin is used as the thermosetting resin, examples of the curing agent include alkenylphenols obtained by reacting the above epoxy resin curing agent with an allyl halide in the presence of an alkali. Examples include amines.
【００２６】なお、上記熱硬化性樹脂（（ａ）成分）が
エポキシ樹脂であり、上記硬化剤（（ｂ）成分）がフェ
ノール樹脂である場合の両者の含有割合は、上記エポキ
シ樹脂中のエポキシ基１当量当たり、フェノール樹脂中
の水酸基が０．７〜１．３当量となるように設定するこ
とが好ましく、なかでも０．９〜１．１当量となるよう
設定することが特に好ましい。When the thermosetting resin (component (a)) is an epoxy resin and the curing agent (component (b)) is a phenol resin, the content ratio of both is the epoxy in the epoxy resin. The hydroxyl group in the phenol resin is preferably set to 0.7 to 1.3 equivalents per one equivalent of the group, and particularly preferably set to 0.9 to 1.1 equivalents.
【００２７】上記熱硬化性樹脂（（ａ）成分）および硬
化剤（（ｂ）成分）と共に用いられる特定の複合化金属
水酸化物（（ｃ）成分）は、下記の化学式（１）で表さ
れるものである。The specific composite metal hydroxide (component (c)) used together with the thermosetting resin (component (a)) and the curing agent (component (b)) is represented by the following chemical formula (1). It is what is done.
【００２８】[0028]
【化３】 [Chemical 3]
【００２９】本発明の半導体封止用樹脂組成物における
（ｃ）成分の複合化金属水酸化物とは、所謂厚みの薄い
平板状や鱗片状の結晶形状を有するものではなく、縦、
横と共に厚み方向（Ｚ軸方向）への結晶成長が大きい、
例えば、板状結晶のものが厚み方向（Ｚ軸方向）に結晶
成長してより立体的かつ球状に近似させた粒状の結晶形
状、例えば、略１２面体、略８面体、略４面体などの多
面体形状を有するものであり、通常、これらの混合物か
らなる。勿論、上記多面体形状は、結晶の成長のしかた
以外にも、粉砕や摩砕などによっても多面体の形は変化
し、より立体的かつ球状に近似させることが可能であ
る。このように、本発明では特定の複合化金属水酸化物
を用いることにより、従来のものに比べて、樹脂組成物
の流動性の低下を抑制することができる。The composite metal hydroxide of the component (c) in the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention does not have a so-called thin plate-like or scale-like crystal shape, but a vertical,
Large crystal growth in the thickness direction (Z-axis direction) along with the horizontal direction,
For example, a plate-shaped crystal having a granular crystal shape obtained by crystal growth in the thickness direction (Z-axis direction) to approximate a three-dimensional and spherical shape, for example, a polyhedron such as a dodecahedron, an octahedron, or a tetrahedron It has a shape and usually consists of a mixture thereof. Of course, the above-mentioned polyhedron shape can be approximated to a more three-dimensional and spherical shape by changing the shape of the polyhedron by crushing or grinding in addition to the method of crystal growth. As described above, in the present invention, by using the specific composite metal hydroxide, it is possible to suppress the decrease in the fluidity of the resin composition as compared with the conventional one.
【００３０】上記複合化金属水酸化物は、例えば、複合
化金属水酸化物の製造工程における各種条件を制御する
ことにより、縦、横と共に厚み方向（Ｚ軸方向）への結
晶成長が大きい、所望の多面体形状、例えば、略１２面
体、略８面体、略４面体などの形状を有する複合化金属
水酸化物を得ることができる。In the above-mentioned composite metal hydroxide, for example, by controlling various conditions in the production process of the composite metal hydroxide, crystal growth in the thickness direction (Z-axis direction) is large in the vertical and horizontal directions. It is possible to obtain a composite metal hydroxide having a desired polyhedral shape, for example, a substantially dodecahedron, a substantially octahedron, a substantially tetrahedron or the like.
【００３１】本発明に用いられる（ｃ）成分としての複
合化金属水酸化物は、好ましくは結晶外形が略８面体の
多面体構造を示し、アスペクト比が１〜８、好ましくは
１〜７、特に好ましくは１〜４に調整されたものが用い
られる。具体的には、以下のようにして作製することが
できる。The composite metal hydroxide used as the component (c) in the present invention preferably exhibits a polyhedral structure having a crystal outline of an octahedron and an aspect ratio of 1 to 8, preferably 1 to 7, and particularly preferably. Preferably, the one adjusted to 1 to 4 is used. Specifically, it can be manufactured as follows.
【００３２】まず、水酸化マグネシウム水溶液に硝酸亜
鉛化合物を添加し、原料となる部分複合化金属水酸化物
を作製する。次いで、この原料を、８００〜１５００℃
の範囲で、より好ましくは１０００〜１３００℃の範囲
で焼成することにより、複合化金属酸化物を作製する。
この複合化金属酸化物は、ｍ（ＭｇＯ）・ｎ（ＺｎＯ）
の組成で示されるが、さらにカルボン酸、カルボン酸の
金属塩、無機酸および無機酸の金属塩からなる群から選
ばれた少なくとも一種を上記複合化金属酸化物に対して
約０．１〜６ｍｏｌ％共存する水媒体中の系で強攪拌し
ながら４０℃以上の温度で水和反応させることにより、
Ｍｇ1-X ＺｎX （ＯＨ）2 で示される本発明の（ｃ）成
分としての複合化金属水酸化物結晶を作製することがで
きる。First, a zinc nitrate compound is added to an aqueous magnesium hydroxide solution to prepare a partially complexed metal hydroxide as a raw material. Next, this raw material is heated to 800 to 1500 ° C.
By firing in the range of, more preferably in the range of 1000 to 1300 ° C., a composite metal oxide is produced.
This complex metal oxide is m (MgO) .n (ZnO)
Further, at least one selected from the group consisting of a carboxylic acid, a metal salt of a carboxylic acid, an inorganic acid, and a metal salt of an inorganic acid is added to the composite metal oxide in an amount of about 0.1 to 6 mol. % By performing a hydration reaction at a temperature of 40 ° C. or higher with vigorous stirring in a system in a coexisting aqueous medium,
A composite metal hydroxide crystal as the component (c) of the present invention represented by Mg 1-X Zn X (OH) 2 can be produced.
【００３３】上記製法において、原料としては、上述し
た方法で得られる部分複合化金属水酸化物だけでなく、
例えば、共沈法によって得られる複合化金属水酸化物、
水酸化マグネシウムとＺｎの混合物、酸化マグネシウム
とＺｎ酸化物の混合物、炭酸マグネシウムとＺｎ炭酸塩
との混合物なども用いることができる。また、水和反応
時の攪拌は、均一性や分散性の向上、カルボン酸、カル
ボン酸の金属塩、無機酸および無機酸の金属塩からなる
群から選ばれた少なくとも一種との接触効率向上などの
ため、強攪拌が好ましく、さらに強力な高剪断攪拌であ
ればなお好ましい。このような攪拌は、例えば、回転羽
根式の攪拌機において、回転羽根の周速を５ｍ／秒以上
として行うのが好ましい。In the above-mentioned production method, not only the partially composite metal hydroxide obtained by the above-mentioned method as a raw material but also the
For example, a complexed metal hydroxide obtained by a coprecipitation method,
A mixture of magnesium hydroxide and Zn, a mixture of magnesium oxide and Zn oxide, a mixture of magnesium carbonate and Zn carbonate, and the like can also be used. Further, stirring during the hydration reaction improves homogeneity and dispersibility, improves contact efficiency with at least one selected from the group consisting of carboxylic acids, metal salts of carboxylic acids, inorganic acids and metal salts of inorganic acids. Therefore, strong stirring is preferable, and more powerful high shear stirring is more preferable. Such stirring is preferably performed, for example, in a rotary blade type stirrer at a peripheral speed of the rotary blade of 5 m / sec or more.
【００３４】上記カルボン酸としては、特に限定される
ものではないが、好ましくはモノカルボン酸、オキシカ
ルボン酸（オキシ酸）などが挙げられる。上記モノカル
ボン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸な
どが挙げられ、上記オキシカルボン酸（オキシ酸）とし
ては、例えば、グリコール酸、乳酸、ヒドロアクリル
酸、α−オキシ酪酸、グリセリン酸、サリチル酸、安息
香酸、没食子酸などが挙げられる。また、上記カルボン
酸の金属塩としては、特に限定されるものではないが、
好ましくは酢酸マグネシウム、酢酸亜鉛などが挙げられ
る。さらに、上記無機酸としては、特に限定されるもの
ではないが、好ましくは硝酸、塩酸など挙げられる。ま
た、上記無機酸の金属塩としては、特に限定されるもの
ではないが、好ましくは硝酸マグネシウム、硝酸亜鉛な
どが挙げられる。The carboxylic acid is not particularly limited, but preferable examples include monocarboxylic acid and oxycarboxylic acid (oxyacid). Examples of the monocarboxylic acid include, for example, formic acid, acetic acid, propionic acid,
Butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, and the like, examples of the oxycarboxylic acid (oxy acid), for example, glycolic acid, lactic acid, hydroacrylic acid, α-oxybutyric acid, glyceric acid, salicylic acid, Examples thereof include benzoic acid and gallic acid. The metal salt of the carboxylic acid is not particularly limited,
Preferred are magnesium acetate, zinc acetate and the like. Further, the above-mentioned inorganic acid is not particularly limited, but nitric acid, hydrochloric acid and the like are preferable. The metal salt of the inorganic acid is not particularly limited, but magnesium nitrate, zinc nitrate and the like are preferable.
【００３５】上記の多面体形状を有する複合化金属水酸
化物（（ｃ）成分）は、平均粒径０．５〜１０μｍの範
囲のものを用いることが好ましく、より好ましくは０．
６〜６μｍである。上記複合化金属水酸化物の平均粒径
が１０μｍを超えると、難燃効果が低下する傾向が見ら
れるのである。The complex metal hydroxide having the polyhedral shape (component (c)) preferably has an average particle size in the range of 0.5 to 10 μm, more preferably 0.
It is 6 to 6 μm. When the average particle size of the composite metal hydroxide exceeds 10 μm, the flame retarding effect tends to be reduced.
【００３６】また、上記複合化金属水酸化物（（ｃ）成
分）のアスペクト比は、１〜８、好ましくは１〜７、特
に好ましくは１〜４とする。ここでいうアスペクト比と
は、複合化金属水酸化物の長径と短径との比で表したも
のである。すなわち、アスペクト比が８を超えると、こ
の複合化金属水酸化物を含有する樹脂組成物が溶融した
ときの粘度低下に対する効果が乏しくなる。The aspect ratio of the composite metal hydroxide (component (c)) is 1 to 8, preferably 1 to 7, and particularly preferably 1 to 4. The aspect ratio here is expressed by the ratio of the major axis and the minor axis of the composite metal hydroxide. That is, when the aspect ratio exceeds 8, the effect of decreasing the viscosity when the resin composition containing the complexed metal hydroxide is melted becomes poor.
【００３７】さらに、上記複合化金属水酸化物（（ｃ）
成分）を含む複合化金属水酸化物の含有量は、樹脂組成
物全体の０．１〜３０重量％、特に０．５〜２８重量％
の範囲に設定することが好ましく、この含有量の範囲内
でその優れた難燃化効果を発揮することができる。即
ち、上記複合化金属水酸化物が０．１重量％未満では難
燃化効果が低下する傾向を示し、３０重量％を超える
と、樹脂組成物硬化体中の塩素イオン濃度が高くなると
いうことから耐湿信頼性が徐々に低下する傾向が見られ
るからである。Further, the complex metal hydroxide ((c)
The content of the composite metal hydroxide containing the component) is 0.1 to 30% by weight, particularly 0.5 to 28% by weight, based on the entire resin composition.
It is preferable to set in the range of, and the excellent flame retarding effect can be exhibited within the range of this content. That is, if the complexed metal hydroxide is less than 0.1% by weight, the flame retarding effect tends to decrease, and if it exceeds 30% by weight, the chloride ion concentration in the cured resin composition increases. Therefore, the humidity resistance tends to gradually decrease.
【００３８】そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物
には、上記（ａ）〜（ｃ）成分と共に、（ｄ）成分とし
て無機質充填剤を含有させることができる。上記無機質
充填剤としては、特に限定するものではなく、自体公知
の各種充填剤を用いることができる。例えば、石英ガラ
ス粉末、タルク、シリカ粉末、アルミナ粉末、炭酸カル
シウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素およびカーボンブラッ
ク粉末などが挙げられる。これらは単独でもしくは２種
以上併用することができる。そして、上記無機質充填剤
として、得られる硬化物の線膨張係数を低減できるとい
う点から、シリカ粉末を用いることが好ましい。これら
のうち、シリカ粉末として溶融シリカ粉末、特に球状溶
融シリカ粉末を用いることが樹脂組成物の良好な流動性
という点から好ましい。The resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention may contain an inorganic filler as the component (d) together with the components (a) to (c). The inorganic filler is not particularly limited, and various known fillers can be used. Examples thereof include quartz glass powder, talc, silica powder, alumina powder, calcium carbonate, boron nitride, silicon nitride and carbon black powder. These can be used alone or in combination of two or more kinds. Then, as the above-mentioned inorganic filler, silica powder is preferably used from the viewpoint that the linear expansion coefficient of the obtained cured product can be reduced. Of these, it is preferable to use fused silica powder, particularly spherical fused silica powder, as the silica powder from the viewpoint of good fluidity of the resin composition.
【００３９】また、上記無機質充填剤は、その平均粒径
が１０〜７０μｍの範囲であることが好ましく、より好
ましくは１０〜５０μｍである。即ち、上記したよう
に、複合化金属水酸化物が特定の粒度分布を有すると共
に、無機質充填剤の平均粒径が上記範囲内であると、樹
脂組成物の良好な流動性が得られる。また、上記シリカ
粉末としては、場合によりシリカ粉末を摩砕処理してな
る摩砕シリカ粉末を用いることもできる。The average particle size of the inorganic filler is preferably in the range of 10 to 70 μm, more preferably 10 to 50 μm. That is, as described above, when the composite metal hydroxide has a specific particle size distribution and the average particle size of the inorganic filler is within the above range, good fluidity of the resin composition can be obtained. Further, as the above-mentioned silica powder, ground silica powder obtained by grinding the silica powder may be used depending on the case.
【００４０】上記無機質充填剤の含有量は、この無機質
充填剤に複合化金属水酸化物を加算した無機物全体の合
計量が、半導体封止用樹脂組成物全体の６０〜９２重量
％、好ましくは７０〜９０重量％とする。無機質充填剤
や複合化金属水酸化物の無機物全体量が６０重量％を下
回ると難燃性が低下する傾向が見られるのである。The content of the above-mentioned inorganic filler is such that the total amount of all the inorganic substances obtained by adding the complexing metal hydroxide to the inorganic filler is 60 to 92% by weight, preferably the whole resin composition for semiconductor encapsulation. 70 to 90% by weight. When the total amount of the inorganic filler or the inorganic compound of the composite metal hydroxide is less than 60% by weight, the flame retardancy tends to decrease.
【００４１】さらに、前記複合化金属水酸化物（（ｃ）
成分）と、上記無機質充填剤（（ｄ）成分）とを併用す
る場合の併用比率は、重量比（（ｃ）成分／（ｄ）成
分）で、０．０１／１〜１／１の範囲に設定することが
好ましく、より好ましくは０．０１／１〜０．７５／１
とする。Further, the composite metal hydroxide ((c))
Component) and the above-mentioned inorganic filler ((d) component) are used in combination in a weight ratio ((c) component / (d) component) of 0.01 / 1 to 1/1. Is preferably set to 0.01 to 0.75 / 1.
And
【００４２】また、本発明の半導体封止用樹脂組成物
は、下記の方法に従って抽出された抽出水中の塩素イオ
ン濃度が上記樹脂組成物の硬化体１ｇあたり２００μｇ
以下であることが好ましい。即ち、樹脂組成物の硬化体
の粉体化物５ｇと蒸留水５０ｍｌを専用の抽出容器に入
れ、この容器を１６０℃の乾燥機内に２０時間放置して
抽出水（ｐＨ６．０〜８．０）を抽出する。そして、上
記抽出水をイオンクロマト分析して塩素イオン量（α）
を測定する。この塩素イオン量（α）は樹脂組成物硬化
体中のイオン量を１０倍に希釈した値であるため、下記
に示す式により樹脂組成物硬化体１ｇ当りの塩素イオン
量を算出する。なお、上記抽出水のｐＨは６．０〜８．
０の範囲が好ましい。さらに、上記熱硬化性樹脂組成物
硬化体の作製にあたって、例えば、エポキシ樹脂組成物
硬化体の場合、その硬化体成形条件は、トランスファー
成形（条件：１７５℃×２分間）し、１７５℃×５時間
の後硬化に設定されることが好適である。In the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the chlorine ion concentration in the extracted water extracted according to the following method is 200 μg per 1 g of the cured product of the resin composition.
The following is preferable. That is, 5 g of the powdered product of the cured product of the resin composition and 50 ml of distilled water were placed in a dedicated extraction container, and the container was left in a dryer at 160 ° C. for 20 hours to extract water (pH 6.0 to 8.0). To extract. Then, the extracted water is subjected to ion chromatographic analysis to measure the chlorine ion amount (α)
To measure. Since this chlorine ion amount (α) is a value obtained by diluting the ion amount in the cured resin composition 10 times, the amount of chlorine ions per 1 g of cured resin composition is calculated by the following formula. The pH of the extracted water is 6.0 to 8.
A range of 0 is preferred. Further, in producing the thermosetting resin composition cured product, for example, in the case of an epoxy resin composition cured product, the cured product molding conditions are transfer molding (conditions: 175 ° C. × 2 minutes) and 175 ° C. × 5. Preference is given to setting a post-curing time.
【００４３】[0043]
【数１】 [Equation 1]
【００４４】即ち、樹脂組成物の硬化体の抽出水中に含
有される塩素イオン濃度が２００μｇを超えると、半導
体素子やリードフレームなどに腐食が発生したり、耐湿
性が劣化する傾向が見られるようになる。That is, when the concentration of chlorine ions contained in the extracted water of the cured product of the resin composition exceeds 200 μg, the semiconductor element, the lead frame and the like are likely to be corroded and the moisture resistance tends to be deteriorated. become.
【００４５】なお、本発明の半導体封止用樹脂組成物に
は、上記（ａ）〜（ｃ）成分および（ｄ）成分以外に、
硬化促進剤、顔料、離型剤、表面処理剤、可撓性付与剤
などを必要に応じて適宜添加することができる。In addition to the components (a) to (c) and the component (d), the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention contains:
A curing accelerator, a pigment, a release agent, a surface treatment agent, a flexibility-imparting agent and the like can be appropriately added as necessary.
【００４６】硬化促進剤としては、自体公知のもの、例
えば、１，８−ジアザ−ビシクロ［５，４，０］ウンデ
セン−７、トリエチレンジアミンなどの三級アミン類、
２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリフ
ェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラ
フェニルボレートなどのリン系硬化促進剤などが挙げら
れる。As the curing accelerator, those known per se, for example, tertiary amines such as 1,8-diaza-bicyclo [5,4,0] undecene-7 and triethylenediamine,
Examples thereof include imidazoles such as 2-methylimidazole and phosphorus-based curing accelerators such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate.
【００４７】顔料としては、カーボンブラック、酸化チ
タンなどが挙げられる。また、離型剤としては、ポリエ
チレンワックス、パラフィンや脂肪酸エステル、脂肪酸
塩などが挙げられる。Examples of the pigment include carbon black and titanium oxide. Examples of the release agent include polyethylene wax, paraffin, fatty acid ester, and fatty acid salt.
【００４８】さらに、表面処理剤としては、シランカッ
プリング剤やチタンシランカップリング剤などのカップ
リング剤が挙げられ、可撓性付与剤としてはシリコーン
樹脂やブタジエン−アクリロニトリルゴムなどが挙げら
れる。Further, the surface treatment agent may be a coupling agent such as a silane coupling agent or a titanium silane coupling agent, and the flexibility imparting agent may be a silicone resin or butadiene-acrylonitrile rubber.
【００４９】また、本発明の半導体封止用樹脂組成物で
は、さらに有機系難燃剤あるいは赤リン系難燃剤を併用
すると、（ｃ）成分の使用量を低減させることができて
好ましい。このような有機系難燃剤としては、含窒素有
機化合物、含リン有機化合物、ホスファゼン系化合物な
どが挙げられるが、特に含窒素有機化合物を用いること
が好ましい。Further, in the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, it is preferable to further use an organic flame retardant or a red phosphorus flame retardant because the amount of the component (c) used can be reduced. Examples of such an organic flame retardant include a nitrogen-containing organic compound, a phosphorus-containing organic compound, a phosphazene-based compound, and the like, and the nitrogen-containing organic compound is particularly preferably used.
【００５０】含窒素有機化合物としては、例えば、メラ
ミン誘導体、シアヌレート誘導体、イソシアヌレート誘
導体などの複素環骨格を有する化合物が挙げられる。こ
れら有機系難燃剤は単独でもしくは２種以上併用して用
いることができる。Examples of the nitrogen-containing organic compound include compounds having a heterocyclic skeleton such as a melamine derivative, a cyanurate derivative and an isocyanurate derivative. These organic flame retardants can be used alone or in combination of two or more.
【００５１】有機系難燃剤は、前記した（ｃ）成分とし
ての複合化金属水酸化物と予め機械的に混合したのち配
合してもよいし、有機系難燃剤を溶剤に溶解してこれに
前記複合化金属水酸化物を添加して脱溶剤化し表面処理
したものを用いてもよい。The organic flame retardant may be blended after mechanically mixing with the above-mentioned composite metal hydroxide as the component (c), or by dissolving the organic flame retardant in a solvent. You may use the thing which added the said composite metal hydroxide and desolvated and surface-treated.
【００５２】上記有機系難燃剤の含有量は、樹脂組成物
全体に対して０．５〜３０重量％、好ましくは１〜５重
量％である。The content of the above organic flame retardant is 0.5 to 30% by weight, preferably 1 to 5% by weight, based on the entire resin composition.
【００５３】また、赤リン系難燃剤としては、赤リン粉
末あるいはこの赤リン粉末表面を各種有機物や無機物で
保護コートした赤リン粉末を挙げることができる。そし
て、赤リン系難燃剤の含有量は、樹脂組成物全体に対し
て０．０３〜１０重量％、好ましくは０．０５〜５重量
％である。Examples of the red phosphorus flame retardant include red phosphorus powder or red phosphorus powder obtained by protecting the surface of the red phosphorus powder with various organic or inorganic substances. The content of the red phosphorus flame retardant is 0.03 to 10% by weight, preferably 0.05 to 5% by weight, based on the entire resin composition.
【００５４】本発明の半導体封止用樹脂組成物におい
て、前記（ａ）〜（ｃ）成分を含む各成分の好適な組み
合わせは、以下の通りである。即ち、熱硬化性樹脂
（（ａ）成分）としては、エポキシ樹脂、特に流動性が
良好であるという点からビフェニル系エポキシ樹脂が好
ましく、また硬化剤（（ｂ）成分）としては、その流動
性という観点からフェノールアラルキル樹脂が好まし
い。そして、特定の複合化金属水酸化物（（ｃ）成分）
と共に、無機質充填剤（（ｄ）成分）として溶融シリカ
粉末を用いることが好ましい。さらに、これらに加え
て、離型性が低下する傾向が見られる場合には、ワック
ス類、特に酸価３０以上（上限値は２００程度）という
高酸価のポリエチレン系ワックスまたはエステル系ワッ
クスを用いることが好ましい。In the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, suitable combinations of the respective components including the components (a) to (c) are as follows. That is, the thermosetting resin (component (a)) is preferably an epoxy resin, particularly a biphenyl epoxy resin from the viewpoint of good fluidity, and the curing agent (component (b)) is fluid From the viewpoint, a phenol aralkyl resin is preferable. Then, a specific composite metal hydroxide (component (c))
At the same time, it is preferable to use fused silica powder as the inorganic filler (component (d)). Further, in addition to these, when a tendency of decreasing releasability is observed, waxes, particularly polyethylene wax or ester wax having a high acid value of 30 or more (upper limit is about 200) are used. It is preferable.
【００５５】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、例え
ば次のようにして製造することができる。即ち、熱硬化
性樹脂（（ａ）成分）、硬化剤（（ｂ）成分）、特定の
複合化金属水酸化物（（ｃ）成分）、無機質充填剤
（（ｄ）成分）および必要に応じて他の添加剤を所定の
割合で配合する。次に、この混合物をミキシングロール
機などの混練機を用いて加熱状態で溶融混練し、これを
室温に冷却する。そして、公知の手段によって粉砕し、
必要に応じて打錠するという一連の工程によって本発明
の半導体封止用樹脂組成物を製造することができる。The resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention can be produced, for example, as follows. That is, a thermosetting resin (component (a)), a curing agent (component (b)), a specific composite metal hydroxide (component (c)), an inorganic filler (component (d)) and, if necessary, And other additives are mixed in a predetermined ratio. Next, this mixture is melt-kneaded in a heating state using a kneading machine such as a mixing roll machine, and this is cooled to room temperature. Then, crush by known means,
The resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention can be produced by a series of steps of tableting as necessary.
【００５６】または、上記半導体封止用樹脂組成物の混
合物を混練機に導入して溶融状態で混練した後、これを
略円柱状の顆粒体に連続的に成形するという一連の工程
によって顆粒状の半導体封止用樹脂組成物を製造するこ
とができる。Alternatively, the mixture of the above-mentioned resin composition for semiconductor encapsulation is introduced into a kneading machine, kneaded in a molten state, and then continuously molded into a substantially columnar granular body in a granular process. The semiconductor encapsulating resin composition can be produced.
【００５７】さらに、上記半導体封止用樹脂組成物の混
合物をパレット上に受け入れし、これを冷却後、プレス
圧延、ロール圧延、あるいは溶媒を混合したものを塗工
してシート化するなどの方法によりシート状の半導体封
止用樹脂組成物を製造することもできる。Further, a method of receiving a mixture of the above-mentioned resin composition for semiconductor encapsulation on a pallet and cooling it, followed by press rolling, roll rolling, or coating with a mixture of solvents to form a sheet. Thus, a sheet-shaped resin composition for semiconductor encapsulation can be produced.
【００５８】このようにして得られる本発明の半導体封
止用樹脂組成物（粉末状、タブレット状、顆粒状など）
を用いて半導体素子の封止方法は、特に限定するもので
はなく、一般的なトランスファー成形などの公知の成形
方法によって行うことができる。The resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention thus obtained (powder, tablet, granule, etc.)
The method for sealing the semiconductor element using is not particularly limited, and a known molding method such as general transfer molding can be used.
【００５９】また、上記シート状の半導体封止用樹脂組
成物を用いて、例えば、次のようにしてフリップチップ
実装による半導体装置を製造することができる。即ち、
上記シート状半導体封止用樹脂組成物を、接合用バンプ
を備えた半導体素子の電極面側に、あるいは、回路基板
のバンプ接合部側に配置し、上記半導体素子と回路基板
とをバンプ接合すると共に両者を樹脂封止による接着封
止を行うことによりフリップチップ実装して半導体装置
を製造することができる。Further, using the sheet-shaped resin composition for semiconductor encapsulation, for example, a semiconductor device by flip-chip mounting can be manufactured as follows. That is,
The sheet-shaped semiconductor encapsulating resin composition is arranged on the electrode surface side of a semiconductor element having bonding bumps or on the bump bonding side of a circuit board, and the semiconductor element and the circuit board are bump bonded. At the same time, both are subjected to adhesive sealing by resin sealing, so that the semiconductor device can be manufactured by flip-chip mounting.
【００６０】[0060]
【実施例】次に、本発明を実施例を用いて具体的に説明
する。EXAMPLES Next, the present invention will be specifically described with reference to examples.
【００６１】実施例および比較例にて用いた材料が以下
の通りである。The materials used in Examples and Comparative Examples are as follows.
【００６２】〔（ａ）成分：Ａ〕： クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００）
〔（ａ）成分：Ｂ〕： ビフェニル型エポキシ樹脂（エ
ポキシ当量１９５）[(A) component: A]: cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent of 200) [(a) component: B]: biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent of 195)
【００６３】〔（ｂ）成分：Ｃ〕： フェノールノボラ
ック樹脂（水酸基当量１０７）[Component (b): C]: Phenol novolac resin (hydroxyl equivalent 107)
【００６４】〔（ｂ）成分：Ｄ〕： フェノールアラル
キル樹脂（水酸基当量１７４）[Component (b): D]: Phenol aralkyl resin (hydroxyl equivalent 174)
【００６５】〔（ｄ）成分〕： 平均粒径３０μｍの溶
融シリカ粉末[Component (d)]: Fused silica powder having an average particle size of 30 μm
【００６６】〔リン系硬化促進剤〕： トリフェニルホ
スフィン[Phosphorus-based curing accelerator]: Triphenylphosphine
【００６７】〔赤リン系難燃剤〕： 赤リン粉末を無機
金属水酸化物で一次被覆し、フェーノール樹脂で二次被
覆したもの（燐化学工業社製、ノーバエクセル）[Red Phosphorus Flame Retardant]: Red phosphorus powder primary coated with an inorganic metal hydroxide and secondary coated with a phenol resin (Nova Excel, manufactured by Rin Kagaku Kogyo Co., Ltd.)
【００６８】〔エステル系ワックス〕： カルナバワッ
クス（酸価２〜１０）[Ester wax]: Carnauba wax (acid value 2 to 10)
【００６９】〔オレフィン系ワックス〕： ポリエチレ
ン系ワックス（酸価１６０）[Olefin wax]: Polyethylene wax (acid value 160)
【００７０】次に、（ｃ）成分として下記の表１に示す
各種金属水酸化物を準備した。なお、下記の表１中の金
属水酸化物は、上述した金属水酸化物の製造方法に準じ
て作製した。Next, various metal hydroxides shown in Table 1 below were prepared as the component (c). The metal hydroxides in Table 1 below were produced according to the method for producing the metal hydroxide described above.
【００７１】[0071]
【表１】 [Table 1]
【００７２】＜実施例１〜８、比較例１〜２＞下記の表
２に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシング
ロール機（温度１００℃）で３分間溶融混練して、冷却
固化したのち、粉砕して目的とする半導体封止用の粉末
状エポキシ樹脂組成物を得た。<Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 and 2> The components shown in Table 2 below were blended in the proportions shown in the same table, and melt-kneaded for 3 minutes with a mixing roll machine (temperature 100 ° C.), After cooling and solidifying, it was pulverized to obtain the intended powdery epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.
【００７３】[0073]
【表２】 [Table 2]
【００７４】上記のようにして得られた実施例および比
較例のエポキシ樹脂組成物を用い、その硬化体の塩素イ
オン濃度を測定した。なお、塩素イオン濃度の測定方法
は、前述の方法に従い、上記硬化体の成形条件は、１７
５℃×２分間、後硬化１７５℃×５時間に設定した。さ
らに、各エポキシ樹脂組成物を用いて厚み１／１６イン
チの試験片を成形し、ＵＬ９４ Ｖ−０規格の方法に従
って難燃性を評価した。なお、合格とは９４−Ｖ０合格
を意味する。これらの測定・評価結果を後記の表３に示
す。Using the epoxy resin compositions of Examples and Comparative Examples obtained as described above, the chloride ion concentration of the cured product was measured. The chlorine ion concentration was measured according to the method described above.
The setting was 5 ° C. × 2 minutes and post-curing 175 ° C. × 5 hours. Furthermore, a test piece having a thickness of 1/16 inch was molded using each epoxy resin composition, and flame retardancy was evaluated according to the method of UL94 V-0 standard. In addition, passing means 94-V0 passing. The results of these measurements and evaluations are shown in Table 3 below.
【００７５】次に、各エポキシ樹脂組成物を用い、下記
の方法に従ってスパイラルフロー値およびフローテスタ
ー粘度を測定した。Then, using each epoxy resin composition, the spiral flow value and the flow tester viscosity were measured according to the following methods.
【００７６】＜スパイラルフロー値＞スパイラルフロー
測定用金型を用い、１７５±５℃、圧力６．８６ＭＰａ
の条件にてＥＭＭＩ １−６６に準じてスパイラルフロ
ー値（ｃｍ）を測定した。<Spiral flow value> Using a mold for spiral flow measurement, 175 ± 5 ° C., pressure 6.86 MPa
The spiral flow value (cm) was measured in accordance with EMMI 1-66 under the conditions of.
【００７７】＜フローテスター粘度＞上記各エポキシ樹
脂組成物を２ｇ精秤し、タブレット状に成形した。そし
て、これを高化式フローテスターのポット内に入れ、１
０ｋｇの荷重をかけて測定した。溶融したエポキシ樹脂
組成物がダイスの穴（直径１．０ｍｍ×１０ｍｍ）を通
過して押し出されるときのピストンの移動速度からサン
プルの溶融粘度（Ｐａ・ｓ）を求めた。<Flow Tester Viscosity> 2 g of each of the above epoxy resin compositions was precisely weighed and molded into a tablet. Then, put this in the pot of the Koka type flow tester, 1
The measurement was performed by applying a load of 0 kg. The melt viscosity (Pa · s) of the sample was determined from the moving speed of the piston when the molten epoxy resin composition was extruded through a hole (diameter 1.0 mm × 10 mm) of a die.
【００７８】また、上記実施例および比較例で得られた
エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファ
ー成形（条件：１７５℃×２分）し、１７５℃×５時間
で後硬化することにより半導体装置を得た。この半導体
装置は、８０ピンＱＦＰ（クワッドフラットパッケー
ジ、サイズ：２０×１４×２ｍｍ）であり、ダイパッド
サイズは８×８ｍｍである。Further, using the epoxy resin compositions obtained in the above Examples and Comparative Examples, semiconductor elements were transfer-molded (conditions: 175 ° C. × 2 minutes) and post-cured at 175 ° C. × 5 hours to give semiconductors. I got the device. This semiconductor device is an 80-pin QFP (quad flat package, size: 20 × 14 × 2 mm), and the die pad size is 8 × 8 mm.
【００７９】このようにして得られた半導体装置につい
て、まず、軟Ｘ線装置により、パッケージ内部の透過画
像を観察することにより、金ワイヤーの変形などの不良
発生の有無を測定した。測定した結果、金ワイヤーの変
形が確認されたものを×、金ワイヤーの変形が確認され
ず良好なパッケージが得られたものを○として、下記の
表３に併記した。With respect to the semiconductor device thus obtained, first, a soft X-ray device was used to observe a transmission image inside the package to measure the presence or absence of defects such as deformation of the gold wire. As a result of the measurement, the one in which the deformation of the gold wire was confirmed was x, and the one in which the deformation of the gold wire was not confirmed and a good package was evaluated as o.
【００８０】一方、超音波探傷装置にて非破壊にて測定
した。測定後、内部剥離の生じた個数（１０個中）をカ
ウントした。そして、上記測定後、良品を次に示す半田
試験に供した。即ち、良品の半導体装置を用いて、１２
０℃×１時間のプリベークを行なったのち、これを８５
℃／８５％Ｒ．Ｈ．×１６８時間吸湿させた後、２１５
℃のＶＰＳ（ベーパーフェイズソルダリング）で９０秒
の評価試験（耐半田クラック性）を行い、クラックが発
生した個数（１０個中）を測定した。その評価結果を下
記の表３に併記した。On the other hand, it was measured non-destructively with an ultrasonic flaw detector. After the measurement, the number of internal peelings (out of 10) was counted. After the above measurement, the non-defective product was subjected to the solder test shown below. That is, using a good semiconductor device,
After prebaking at 0 ° C for 1 hour, this is baked at 85
C / 85% R.C. H. After absorbing moisture for 168 hours, 215
A 90-second evaluation test (solder crack resistance) was performed by VPS (vapor phase soldering) at 0 ° C., and the number of cracks (out of 10) was measured. The evaluation results are also shown in Table 3 below.
【００８１】また、上記半導体装置を用いて、耐湿信頼
性試験としてプレッシャークッカーバイアス試験（ＰＣ
ＢＴ）を行い、５０％不良発生時間を測定した。その結
果を下記の表３に併記した。なお、上記ＰＣＢＴの条件
は、１３０℃×８５％Ｒ．Ｈ．×３０Ｖ（バイアス電
圧）とした。Further, using the above semiconductor device, a pressure cooker bias test (PC
BT) was performed and the time at which 50% failure occurred was measured. The results are also shown in Table 3 below. The conditions of the PCBT are 130 ° C. × 85% R.S. H. It was set to × 30 V (bias voltage).
【００８２】[0082]
【表３】 [Table 3]
【００８３】上記表３の結果から、全ての実施例品は高
い難燃性レベルを有すると共に、スパイラルフロー値が
高く、またフローテスター粘度が低いことから流動性に
優れたものであることが明らかである。さらに、金ワイ
ヤーの変形も生じなかったことから良好な成形性を有し
ていると云える。しかも、得られた半導体装置の耐湿信
頼性および耐半田性に関しても良好な結果が得られた。From the results of Table 3 above, it is clear that all the products of Examples have high flame retardancy, high spiral flow value, and low flow tester viscosity, and thus are excellent in fluidity. Is. Furthermore, since the gold wire was not deformed, it can be said that it has good formability. Moreover, good results were obtained regarding the moisture resistance reliability and the solder resistance of the obtained semiconductor device.
【００８４】一方、比較例品については、難燃性レベル
に関しては問題はなかったが、実施例品と比べてスパイ
ラルフロー値が低く、かつフローテスター粘度が著しく
高いことから流動性に劣っていることが判る。このこと
は、金ワイヤーの変形が確認されていることからも明ら
かである。On the other hand, the sample of Comparative Example had no problem with respect to the flame retardance level, but was inferior in fluidity because the spiral flow value was lower and the viscosity of the flow tester was remarkably higher than that of the sample of Example. I understand. This is also clear from the fact that deformation of the gold wire has been confirmed.
【００８５】[0085]
【発明の効果】以上のように、本発明は、化学式（１）
で表される結晶構造を有する特定の複合化金属水酸化物
（（ｃ）成分）を含有する半導体封止用樹脂組成物であ
る。このように、特定の複合化金属水酸化物を配合する
ことによって、優れた難燃性が付与されると共に、従来
の難燃剤である臭素化エポキシ樹脂と比較すると臭素ガ
スの影響がなく、半導体素子やアルミニウム配線の腐食
などが生じず耐湿信頼性が向上して長寿命になるという
効果を発揮するものである。INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the present invention has the chemical formula (1)
A resin composition for semiconductor encapsulation containing a specific composite metal hydroxide (component (c)) having a crystal structure represented by: Thus, by blending a specific complexed metal hydroxide, excellent flame retardancy is imparted, and there is no effect of bromine gas as compared to conventional brominated epoxy resins, which are flame retardants. The element and the aluminum wiring are not corroded, the moisture resistance reliability is improved, and the life is extended.
【００８６】特に、本発明で用いる（ｃ）成分としての
複合化金属水酸化物は、従来のような平板状の結晶形状
ではなく、多面体の結晶形状を有しているので、流動性
に優れ、半導体パッケージを封止する際に金ワイヤーの
変形などの問題が生じず、成形性が向上する。そして、
このような難燃性および成形性の向上効果に加えて、本
発明に用いる複合化金属水酸化物は、半導体封止用樹脂
組成物中に均一に分散されるので、従来から用いられて
いる自体公知の金属水酸化物などの難燃剤と比べて少量
で同等以上の難燃性を発揮することができるのである。
その結果、吸湿量が少なくなるために半田特性が向上す
る。In particular, since the complexed metal hydroxide used as the component (c) in the present invention has a polyhedral crystal shape rather than the conventional flat plate crystal shape, it has excellent fluidity. In addition, when the semiconductor package is sealed, problems such as deformation of the gold wire do not occur and the moldability is improved. And
In addition to such effects of improving flame retardancy and moldability, the composite metal hydroxide used in the present invention is uniformly used in the resin composition for semiconductor encapsulation, and thus has been conventionally used. Compared with a flame retardant such as a metal hydroxide known per se, it is possible to exhibit the same or higher flame retardancy with a small amount.
As a result, the amount of moisture absorption is reduced and the solder characteristics are improved.
【００８７】また、本発明では、上記のように難燃性付
与のために用いる特定の複合化金属水酸化物の使用量を
少なくできるので、例えば、シリカ粉末などの無機質充
填剤の配合量を多く設定できる結果、得られる半導体装
置の線膨張係数を低くできると共に機械的強度の向上が
実現する。Further, in the present invention, since the amount of the specific composite metal hydroxide used for imparting flame retardancy can be reduced as described above, for example, the blending amount of the inorganic filler such as silica powder can be reduced. As a result, the linear expansion coefficient of the obtained semiconductor device can be lowered and the mechanical strength can be improved.
【００８８】さらに、このような特定の複合化金属水酸
化物の平均粒径が、０．５〜１０μｍに調整した場合に
は、優れた難燃効果と共にその流動性の低下が抑制され
てさらなる成形性の向上が実現するのである。また、こ
の複合化金属水酸化物のアスペクト比が１〜８である場
合には、樹脂組成物の粘度の低下効果が発揮されて、さ
らなる成形性の向上が期待できるのである。Furthermore, when the average particle size of such a specific composite metal hydroxide is adjusted to 0.5 to 10 μm, the deterioration of the fluidity is suppressed as well as the excellent flame retardant effect. The improvement in moldability is realized. Further, when the aspect ratio of the composite metal hydroxide is 1 to 8, the effect of lowering the viscosity of the resin composition is exhibited, and further improvement in moldability can be expected.
【００８９】従って、本発明の半導体封止用樹脂組成物
を用いて封止された半導体装置は、安全性に優れた難燃
化技術、および半導体装置の信頼性が格段に向上したも
のであり、しかも、上記半導体封止用樹脂組成物を用い
たトランスファー成形による半導体装置や、シート状の
半導体封止用樹脂組成物を用いてなる半導体装置の成形
性においても優れており、半導体装置の中でも、特に薄
型で大型化した半導体装置に対して特に有効であり、産
業上の利用価値は極めて高いものとなる。Therefore, the semiconductor device encapsulated using the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention has a flame-retardant technique excellent in safety and the reliability of the semiconductor device is remarkably improved. Moreover, the semiconductor device obtained by transfer molding using the above-mentioned resin composition for semiconductor encapsulation and the semiconductor device formed by using the sheet-shaped resin composition for semiconductor encapsulation are also excellent in moldability. Particularly, it is particularly effective for thin and large-sized semiconductor devices, and the industrial utility value becomes extremely high.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 3/22 Ｃ０８Ｋ 3/22 3/36 3/36 5/00 5/00 7/00 7/00 Ｃ０８Ｌ 63/00 Ｃ０８Ｌ 63/00 Ｃ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｂ２９Ｋ 61:04 23/31 63:00 // Ｂ２９Ｋ 61:04 Ｂ２９Ｌ 31:34 63:00 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｆターム(参考） 4F206 AA37 AA39 AB11 AB16 AD02 AH37 AM32 JA02 JA07 JB17 JF05 JL02 4G047 AA04 AC03 AD04 4J002 AA021 CC041 CC042 CD001 CD031 CD051 CD061 CF211 DE077 DE107 DE148 DE238 DJ008 DJ018 DJ048 DK008 DL008 EL136 EN006 EU189 EU199 EV008 EW159 FA007 FD018 FD137 FD146 GQ01 GQ05 4J036 AA02 AF06 AF08 AF22 AF26 AF27 FA03 FB07 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 CA22 EA03 EB03 EB13 EB16 EB18 EC01 EC03 EC20 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C08K 3/22 C08K 3/22 3/36 3/36 5/00 5/00 7/00 7/00 C08L 63/00 C08L 63/00 C H01L 23/29 B29K 61:04 23/31 63:00 // B29K 61:04 B29L 31:34 63:00 H01L 23/30 R B29L 31:34 F term (reference) 4F206 AA37 AA39 AB11 AB16 AD02 AH37 AM32 JA02 JA07 JB17 JF05 JL02 4G047 AA04 AC03 AD04 4J002 AA021 CC041 CC042 CD001 CD031 CD051 CD061 CF211 DE077 DE107 AF148 G06QAFD 138 008 006QAFD 138 008 006 008 RD 138 AF22 AF26 AF27 FA03 FB07 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 CA22 EA03 EB03 EB13 EB16 EB18 EC01 EC03 EC20
Claims (15)
成分として硬化剤、および（ｃ）成分として下記化学式
（１）にて表される結晶構造を有する複合化金属水酸化
物を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成
物。 【化１】 1. A thermosetting resin as component (a), (b)
A resin composition for semiconductor encapsulation, comprising a curing agent as a component, and a complexed metal hydroxide having a crystal structure represented by the following chemical formula (1) as a component (c). [Chemical 1]
脂および／またはビフェニル型エポキシ樹脂である請求
項１記載の半導体封止用樹脂組成物。2. The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the component (a) is a novolac type epoxy resin and / or a biphenyl type epoxy resin.
求項１記載の半導体封止用樹脂組成物。3. The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the component (b) is a phenol resin.
樹脂である請求項３記載の半導体封止用樹脂組成物。4. The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein the phenol resin is a phenol aralkyl resin.
μｍである請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物。5. The average particle size of component (c) is 0.5 to 10.
The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, which has a thickness of μm.
る請求項１または５記載の半導体封止用樹脂組成物。6. The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the component (c) has an aspect ratio of 1 to 8.
の０．１〜３０重量％である請求項１記載の半導体封止
用樹脂組成物。7. The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the content of the component (c) is 0.1 to 30% by weight based on the whole resin composition.
硬化体の水抽出液のｐＨが、６．０〜８．０の範囲であ
り、かつ塩素イオン濃度が、硬化体１ｇあたり２００μ
ｇ以下である請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物。8. A cured product obtained by curing a resin composition for semiconductor encapsulation has a pH of an aqueous extract of 6.0 to 8.0 and a chloride ion concentration of 200 μg per 1 g of the cured product.
The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, which is g or less.
を含有してなる請求項１記載の半導体封止用樹脂組成
物。9. The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, further comprising an inorganic filler as the component (d).
項９記載の半導体封止用樹脂組成物。10. The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 9, wherein the component (d) is silica powder.
樹脂組成物全体の６０〜９２重量％である請求項９記載
の半導体封止用樹脂組成物。11. The total amount of the component (c) and the component (d) is
The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 9, which accounts for 60 to 92% by weight of the entire resin composition.
機化合物およびホスファゼン系化合物の少なくとも一種
を含有してなる請求項１または９記載の半導体封止用樹
脂組成物。12. The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, further comprising at least one of a nitrogen-containing organic compound, a phosphorus-containing organic compound and a phosphazene compound.
に記載の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止してなる半導体装置。13. A semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element using the resin composition for encapsulating a semiconductor according to any one of claims 1, 9 and 12.
子を樹脂封止する請求項１３記載の半導体装置。14. The semiconductor device according to claim 13, wherein the semiconductor element is resin-sealed by a transfer molding method.
用いて半導体素子の電極面を封止する請求項１３記載の
半導体装置。15. The semiconductor device according to claim 13, wherein the electrode surface of the semiconductor element is encapsulated with a sheet-shaped resin composition for encapsulating a semiconductor.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012234932A (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Kyocera Chemical Corp | Method for manufacturing film capacitor and film capacitor |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10251486A (en) * | 1997-03-13 | 1998-09-22 | Nitto Denko Corp | Resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device sealed therewith |
| JPH10279813A (en) * | 1997-04-02 | 1998-10-20 | Nitto Denko Corp | Resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device sealed therewith |
| WO1998047968A1 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-29 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
| JP2000053875A (en) * | 1998-06-02 | 2000-02-22 | Nitto Denko Corp | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device using the same and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2002294037A (en) * | 2001-01-26 | 2002-10-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Epoxy resin holding material for sealing and electronic part devices |
-
2001
- 2001-09-17 JP JP2001280867A patent/JP2003082242A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10251486A (en) * | 1997-03-13 | 1998-09-22 | Nitto Denko Corp | Resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device sealed therewith |
| JPH10279813A (en) * | 1997-04-02 | 1998-10-20 | Nitto Denko Corp | Resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device sealed therewith |
| WO1998047968A1 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-29 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
| JP2000053875A (en) * | 1998-06-02 | 2000-02-22 | Nitto Denko Corp | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device using the same and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2002294037A (en) * | 2001-01-26 | 2002-10-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Epoxy resin holding material for sealing and electronic part devices |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012234932A (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Kyocera Chemical Corp | Method for manufacturing film capacitor and film capacitor |
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