JP2003078227A - Thick film circuit board - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thick film circuit board having sufficiently small tracking TCR. SOLUTION: Since a thick film resistor 18a is connected in series with two resistor sections 18ca and 18cb constituting a thick film resistor 18c, the ratio Lc/La (=1.4/1) of the length Lc of one resistor section 18ca or 18cb to the length La of the resistor 18a becomes a value between the ratio 2Lc/La (=2.8/1.0) of the length 2Lc of the resistor 18c, when the resistor 18c is not divided substantially into the resistor sections 18ca and 18cb to the length La of the resistor 18a and the reciprocal ratio La/2Lc (=1.0/2.8) of the ratio 2Lc/La. Similarly, the ratio Ld/Lb of the length Ld of a thick film resistor 18d to the length Ld of a thick film resistor 18b also becomes a value between the length ratios Lb/2Ld and 2Ld/Lb of the resisters 18b and 18d. Consequently, the differences between the lengths La and Lc of the resistors 18a and 18c having different resistance values though they are constituted of the same material, and between the lengths Lb and Ld of the resistors 18b and 18d also having different resistance values though they are constituted of the same material are suppressed and, in its turn, the difference in TCR resulting from the differences in length becomes smaller.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、厚膜回路基板に関
し、特に基板上に備えられる複数個の厚膜抵抗体のＴＣ
Ｒ特性を制御する技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thick film circuit board, and more particularly to a TC for a plurality of thick film resistors provided on the board.
The present invention relates to a technique for controlling R characteristics.

【０００２】[0002]

【従来の技術】基板上に複数個の厚膜抵抗体や厚膜導体
等が設けられた厚膜回路基板が知られている。このよう
な厚膜回路基板には、想定される所定の使用温度範囲内
でその回路特性が予め定められた範囲内に維持されるこ
とが要求される特性の一つである。そのため、例えば、
回路を構成する厚膜抵抗体には、一般に、上記使用温度
範囲と回路特性変動の許容範囲に応じた抵抗温度係数(t
emperature coefficientof resistance：TCR)の小さい
抵抗体材料が用いられる。2. Description of the Related Art A thick film circuit board is known in which a plurality of thick film resistors, thick film conductors and the like are provided on a substrate. Such a thick film circuit board is one of the characteristics required to maintain the circuit characteristics within a predetermined range within an assumed predetermined operating temperature range. So, for example,
Generally, thick film resistors that compose a circuit have a temperature coefficient of resistance (t
A resistor material having a small emperature coefficient of resistance (TCR) is used.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、回路特性変
動の許容範囲が著しく狭い場合等には、個々の抵抗体の
ＴＣＲに加えて或いはこれに代えて、基板上に設けられ
る複数個の厚膜抵抗体のうち特定の抵抗体相互のＴＣＲ
の差、すなわちトラッキングＴＣＲの小さいことが要求
されることもある。しかしながら、小さなトラッキング
ＴＣＲが要求される厚膜抵抗体を同材料で構成しても、
その値は一般に200〜300(ppm/℃)程度の比較的大きな値
であり、対象となる複数の抵抗体を同一ロットのペース
トで形成しても50(ppm/℃)程度が限界であった。しか
も、抵抗値が異なる抵抗体相互ではトラッキングＴＣＲ
が比較的大きくなる傾向があった。そのため、トラッキ
ングＴＣＲの一層小さな厚膜回路基板が望まれていた。By the way, when the allowable range of circuit characteristic fluctuation is extremely narrow, etc., in addition to or instead of the TCR of each resistor, a plurality of thick films provided on the substrate are provided. TCR between specific resistors among resistors
In some cases, it is required that the difference between the two, that is, the tracking TCR is small. However, even if a thick film resistor that requires a small tracking TCR is made of the same material,
The value is generally a relatively large value of about 200 to 300 (ppm / ° C), and even if multiple target resistors are formed with the same lot of paste, the limit is about 50 (ppm / ° C). . Moreover, the tracking TCR is performed between resistors having different resistance values.
Tended to be relatively large. Therefore, a thick film circuit board having a smaller tracking TCR has been desired.

【０００４】本発明者等は、上記課題を解決するため
に、厚膜回路基板におけるＴＣＲのばらつき傾向やその
発生条件等について鋭意研究を重ねた結果、厚膜抵抗体
の長さ寸法のＴＣＲに及ぼす影響が、その厚さ寸法や幅
寸法の及ぼす影響に比較して著しく大きいことを見出し
た。このような傾向が生じるのは、厚膜回路基板におい
て厚膜抵抗体の両端部が重ねて形成される電極が、厚膜
銀(Ag-Pt系、Ag-Pd系等の導体成分として銀を含む厚膜
導体をいう)等の拡散し易い金属元素を含む材料で構成
されることに起因するものと考えられる。すなわち、電
極構成材料が厚膜抵抗体内に拡散すると組成変化に応じ
てＴＣＲが変化するが、その変化の程度は拡散濃度分布
に依存するため、同材料であってもばらつきが発生し得
るのである。また、拡散濃度は拡散源となる電極からの
距離に応じた分布になることから、厚膜抵抗体の長さ寸
法が短いほどその全長に対する高拡散濃度部分の占める
比率が大きくなるため、長さ寸法を異なるものとするこ
とにより抵抗値が異なる値にされた抵抗体相互間では大
きなばらつきが生じ得ることになる。In order to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present invention have conducted earnest studies on the tendency of TCR variation in thick film circuit boards and the conditions under which they occur, and as a result, the TCR of the length dimension of the thick film resistor was determined. It was found that the influence exerted is significantly larger than the influence exerted by the thickness dimension and the width dimension. This tendency occurs when the electrodes formed by stacking both ends of the thick film resistor on the thick film circuit board use silver as a conductor component of thick film silver (Ag-Pt system, Ag-Pd system, etc.). It is considered to be caused by being composed of a material containing a metal element that easily diffuses (such as a thick film conductor). That is, when the electrode constituent material diffuses into the thick film resistor, the TCR changes in accordance with the composition change, but the degree of the change depends on the diffusion concentration distribution, and therefore even the same material may cause variations. . In addition, since the diffusion concentration has a distribution according to the distance from the electrode that serves as the diffusion source, the shorter the length of the thick film resistor, the greater the proportion of the high diffusion concentration portion to its total length. By making the dimensions different, a large variation can occur between resistors having different resistance values.

【０００５】本発明は、以上の知見に基づいて為された
ものであって、その目的は、トラッキングＴＣＲの十分
に小さい厚膜回路基板を提供することにある。The present invention has been made on the basis of the above findings, and an object thereof is to provide a thick film circuit board having a sufficiently small tracking TCR.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成するた
めの本発明の要旨とするところは、同材料で構成された
抵抗値Ｒ１を有する第１厚膜抵抗体およびその抵抗値Ｒ
１よりも小さい抵抗値Ｒ２を有する第２厚膜抵抗体を備
えた厚膜回路基板であって、(a)直列接続された個々の
長さ寸法Ｂ１のｎ個の第１分割抵抗体で前記第１厚膜抵
抗体が構成されると共に、直列接続された個々の長さ寸
法Ｂ２のｍ個の第２分割抵抗体で前記第２厚膜抵抗体が
構成され、それらＢ１，Ｂ２，ｎ，ｍが２≦ｎ、１≦
ｍ、ｎＢ２／ｍＢ１＜Ｂ１／Ｂ２＜ｎＢ１／ｍＢ２を満
たすことにある。To achieve the above object, the gist of the present invention is to provide a first thick film resistor having a resistance value R1 made of the same material and the resistance value R thereof.
A thick film circuit board comprising a second thick film resistor having a resistance value R2 smaller than 1, wherein (a) the n first divided resistors having individual length dimensions B1 are connected in series, The first thick film resistor is constituted, and the second thick film resistor is constituted by m second divided resistors having individual length dimensions B2 connected in series, and the second thick film resistors B1, B2, n, m is 2 ≦ n, 1 ≦
m, nB2 / mB1 <B1 / B2 <nB1 / mB2.

【０００７】[0007]

【発明の効果】このようにすれば、直列接続されること
によって第１厚膜抵抗体および第２厚膜抵抗体をそれぞ
れ構成するｎ個の第１分割抵抗体およびｍ個の第２分割
抵抗体の長さ寸法の比Ｂ１／Ｂ２は、それら第１厚膜抵
抗体および第２厚膜抵抗体が何れも１個で構成された場
合の長さ寸法の比とその逆比との間の値となる。そのた
め、同材料で構成されながら相互に異なる抵抗値を有す
ることから従来はその抵抗値の相違に応じて長さ寸法の
相違することとなっていた第１厚膜抵抗体および第２厚
膜抵抗体相互の長さ寸法の相違が抑制され延いてはその
相違に起因するＴＣＲの相違が小さくなる。したがっ
て、トラッキングＴＣＲの小さい厚膜回路基板を得るこ
とができる。なお、第１厚膜抵抗体の分割数ｎは２以上
とする必要があるが、第２厚膜抵抗体の分割数ｍは１以
上すなわち１個で構成してもよい。According to this structure, the n first dividing resistors and the m second dividing resistors which are connected in series to form the first thick film resistor and the second thick film resistor, respectively. The body length dimension ratio B1 / B2 is between the length dimension ratio and the inverse ratio thereof when both the first thick film resistor and the second thick film resistor are configured by one. It becomes a value. Therefore, the first thick film resistor and the second thick film resistor, which are made of the same material and have different resistance values from each other, have different length dimensions according to the difference in the resistance value. The difference in the length dimension between the bodies is suppressed and the difference in the TCR due to the difference is reduced. Therefore, a thick film circuit board with a small tracking TCR can be obtained. Although the division number n of the first thick film resistor needs to be 2 or more, the division number m of the second thick film resistor may be 1 or more, that is, one.

【０００８】[0008]

【発明の他の態様】ここで、好適には、前記第１厚膜抵
抗体および前記第２厚膜抵抗体は、厚膜銀から成る電極
にその両端部が重なるように設けられたものである。こ
のようにすれば、厚膜銀から成る電極はその導体成分で
ある銀が抵抗体中に拡散し易いことからそのＴＣＲを変
化させ易いが、第１厚膜抵抗体および第２厚膜抵抗体の
長さ寸法の相違が緩和されていることからその拡散分布
の相違が抑制されるので、トラッキングＴＣＲの小さな
厚膜回路基板が得られる。Other Embodiments of the Invention Here, preferably, the first thick film resistor and the second thick film resistor are provided so that both ends thereof overlap an electrode made of thick film silver. is there. By doing so, the electrode made of thick-film silver is likely to change its TCR because silver, which is a conductor component, easily diffuses into the resistor, but the first thick-film resistor and the second thick-film resistor are Since the difference in the length dimension is relaxed and the difference in the diffusion distribution is suppressed, a thick film circuit board with a small tracking TCR can be obtained.

【０００９】また、好適には、前記第１分割抵抗体およ
び前記第２分割抵抗体は、それぞれ厚膜銀電極を介して
相互に接続されたものである。このようにすれば、分割
され且つ直列接続された抵抗体の各々の両端部が分割さ
れていない他の厚膜抵抗体と同様に厚膜銀電極に重ねら
れ、その両端部から銀が拡散する。そのため、一定の長
さ寸法を有する複数個の第１分割抵抗体のＴＣＲ、およ
び２個以上に分割された場合における複数個の第２分割
抵抗体のＴＣＲがそれぞれ一様な値になることから、第
１厚膜抵抗体および第２厚膜抵抗体の各々のＴＣＲは、
それら第１分割抵抗体或いは第２分割抵抗体のＴＣＲと
同じ値になる。したがって、第１厚膜抵抗体および第２
厚膜抵抗体のトラッキングＴＣＲは、第１分割抵抗体お
よび第２分割抵抗体のそれぞれの長さ寸法の相違に応じ
た値になるため、それら第１分割抵抗体および第２分割
抵抗体の長さ寸法の相違が第１厚膜抵抗体および第２厚
膜抵抗体を何れも１個で構成した場合におけるそれらの
長さ寸法の相違よりも小さいことに基づき、それらのト
ラッキングＴＣＲが小さくなる。Preferably, the first divisional resistor and the second divisional resistor are connected to each other through a thick film silver electrode. In this way, both ends of each of the divided and serially connected resistors are stacked on the thick film silver electrode like other thick film resistors that are not divided, and silver diffuses from the both ends. . Therefore, the TCRs of the plurality of first divided resistors having a constant length and the TCRs of the plurality of second divided resistors when divided into two or more have uniform values, respectively. , The TCR of each of the first thick film resistor and the second thick film resistor is
It has the same value as the TCR of the first divided resistor or the second divided resistor. Therefore, the first thick film resistor and the second thick film resistor
Since the tracking TCR of the thick film resistor has a value corresponding to the difference in length between the first divided resistor and the second divided resistor, the lengths of the first divided resistor and the second divided resistor are different. Since the difference in the length dimension is smaller than the difference in the length dimension in the case where both the first thick film resistor and the second thick film resistor are configured by one, their tracking TCRs are reduced.

【００１０】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
参照して詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【００１１】図１は、本発明が適用された厚膜回路基板
１０の全体を示す図である。回路基板１０は、例えば、
ガラス、アルミナ(Al₂O₃)等のセラミックス、或いは琺
瑯等の絶縁体材料製平板から成る基板本体１２の一面１
４に、複数のパターン領域１６を備えたものであって、
そのパターン領域１６毎に複数の配線層および絶縁体層
が積層された多層基板である。このパターン領域１６
は、例えば多層基板１０を多数の回路基板に分割する場
合の個々の回路基板に相当する位置毎に設けられてい
る。FIG. 1 is a diagram showing an entire thick film circuit board 10 to which the present invention is applied. The circuit board 10 is, for example,
One side 1 of the substrate body 12 made of glass, ceramics such as alumina (Al ₂ O ₃ ) or a flat plate made of an insulating material such as enamel
4 is provided with a plurality of pattern areas 16,
It is a multilayer substrate in which a plurality of wiring layers and insulating layers are laminated for each pattern region 16. This pattern area 16
Are provided at positions corresponding to individual circuit boards when the multilayer board 10 is divided into a large number of circuit boards, for example.

【００１２】図２は上記のパターン領域１６の一つを抜
き出したものであって、基板表面１４には、図に破線で
示すように種々の大きさの厚膜抵抗体１８が複数箇所に
備えられている。これら複数個の厚膜抵抗体１８は、同
様に基板表面１４に備えられた配線によって、他の厚膜
抵抗体１８や他の配線層の配線、或いは基板表面１４に
固着されたコンデンサやダイオード、コイル、トランジ
スタ、ＩＣ等の他の電子部品に接続されているが、これ
らは全て省略した。また、パターン領域１６内の各配線
層は、絶縁体層を貫通するビアホールやスルーホールを
介して上下の層が相互に接続されているが、図において
はこれも省略している。FIG. 2 shows one of the above-mentioned pattern regions 16 extracted, and the substrate surface 14 is provided with thick film resistors 18 of various sizes at a plurality of positions as shown by broken lines in the figure. Has been. The plurality of thick-film resistors 18 are also provided on the substrate surface 14 by the wiring, and the thick-film resistors 18 and the wirings of other wiring layers, the capacitors and the diodes fixed to the substrate surface 14, Although it is connected to other electronic components such as a coil, a transistor, and an IC, these are all omitted. Further, in the wiring layers in the pattern region 16, the upper and lower layers are connected to each other via via holes or through holes penetrating the insulating layer, but this is also omitted in the drawing.

【００１３】上記の厚膜抵抗体１８は、回路仕様に応じ
て定められた例えば100(Ω)〜200(kΩ)程度の範囲内の
何れかの抵抗値を各々が有するものである。この厚膜抵
抗体１８の構成材料は、何れも例えば酸化ルテニウム(R
uO₂)等を主成分とする厚膜抵抗体材料であって、その幅
寸法、長さ寸法、および厚さ寸法が適宜設定されること
により、適宜の抵抗値に調節されている。Each of the thick film resistors 18 has a resistance value within the range of, for example, about 100 (Ω) to 200 (kΩ) determined according to the circuit specifications. The constituent materials of the thick film resistor 18 are, for example, ruthenium oxide (R
It is a thick film resistor material containing uO ₂ ) as a main component, and its width, length, and thickness dimensions are appropriately set to adjust the resistance value to an appropriate value.

【００１４】図３は、前記パターン領域１６内の一部の
厚膜抵抗体１８を拡大して示したものであり、(a)は図
２において左端に位置する厚膜抵抗体１８ａ，１８ｂ
に、(b)は同図において中央下端に位置する厚膜抵抗体
１８ｃ、１８ｄにそれぞれ対応する。図３(a)におい
て、厚膜抵抗体１８ａは、例えば10.8(kΩ)程度の抵抗
値を備えたものであって、図における上下方向に沿って
伸びる配線２０ａとそれに平行に設けられた配線２０ｂ
との上に、図の左右方向におけるその両端部が重なるよ
うに設けられている。また、それに隣接する厚膜抵抗体
１８ｂは、例えば10.9(kΩ)程度の抵抗値を備えたもの
であって、同様に配線２０ｃおよび配線２０ｄの上に重
なるように設けられている。これら配線２０ａ、２０
ｂ、２０ｃ、および２０ｄは、銀等を導体成分として含
む厚膜銀等から成る厚膜導体であって、その構成部分の
うち厚膜抵抗体１８ａ、１８ｂが重ねられた部分が実質
的にそれらを固着し且つ配線２０を接続するためのラン
ド部として機能する。そのため、厚膜抵抗体１８ａ、１
８ｂの実質的な長さ寸法(通電方向寸法)Ｌａ，Ｌｂは、
上記重なり部分における配線間隔に等しく、それぞれ例
えば1.0(mm)程度である。また、通電方向に垂直な幅寸
法は、それぞれ例えばＷａ＝6.55(mm)程度、Ｗｂ＝6.45
(mm)程度である。本実施例においては、上記の厚膜抵抗
体１８ａ、１８ｂが第２厚膜抵抗体に相当する。FIG. 3 is an enlarged view of a part of the thick film resistor 18 in the pattern region 16. FIG. 3A shows the thick film resistors 18a and 18b located at the left end in FIG.
Further, (b) corresponds to the thick film resistors 18c and 18d located at the center lower end in FIG. In FIG. 3 (a), the thick film resistor 18a has a resistance value of, for example, about 10.8 (kΩ), and has a wiring 20a extending in the vertical direction in the drawing and a wiring 20b provided in parallel therewith.
And are provided so that both ends thereof in the left-right direction of the drawing overlap. Further, the thick film resistor 18b adjacent thereto has a resistance value of, for example, about 10.9 (kΩ), and is similarly provided so as to overlap the wiring 20c and the wiring 20d. These wirings 20a, 20
b, 20c, and 20d are thick-film conductors made of thick-film silver or the like containing silver or the like as a conductor component, and of the constituent parts thereof, the parts where the thick-film resistors 18a and 18b are superposed are substantially the same. And functions as a land portion for connecting the wiring 20. Therefore, the thick film resistors 18a, 1
The substantial length dimension (current-carrying dimension) La, Lb of 8b is
It is equal to the wiring interval in the overlapping portion, and is about 1.0 (mm), for example. The width dimension perpendicular to the energizing direction is, for example, Wa = 6.55 (mm) and Wb = 6.45, respectively.
It is about (mm). In the present embodiment, the thick film resistors 18a and 18b correspond to the second thick film resistors.

【００１５】一方、図３(b)において下側に示す厚膜抵
抗体１８ｃは例えば203(kΩ)程度の抵抗値を備えたもの
であって、ランド２２ａ，２２ｂにその両端部が重な
り、且つ図におけるその左右方向の中間部に備えられた
中間電極２４ａにもその中間部が重なるように設けられ
ている。また、同図において下側に示す厚膜抵抗体１８
ｄは、例えば162(kΩ)程度の抵抗値を備えたものであっ
て、ランド２２ｃ、２２ｄにその両端部が重なり、且つ
図における左右方向の中間部に備えられた中間電極２４
ｂにもその中間部が重なるように設けられている。これ
らランド２２および中間電極２４は、何れも配線２０と
同様に厚膜銀等から成る厚膜導体である。そのため、厚
膜抵抗体１８ｃ、１８ｄは、中間電極２４で直列接続さ
れた２つの抵抗体部１８ｃａおよび１８ｃｄ、或いは１
８ｄａ，１８ｄｂに実質的に分割されている。本実施例
においては、厚膜抵抗体１８ｃ、１８ｄが第１厚膜抵抗
体に相当する。また、抵抗体部１８ｃａ、１８ｃｂ、１
８ｄａ、１８ｄｂが第１分割抵抗体に相当するし、請求
の範囲にいう分割数ｎは２である。On the other hand, the thick film resistor 18c shown on the lower side in FIG. 3 (b) has a resistance value of, for example, about 203 (kΩ), and both ends thereof overlap the lands 22a and 22b, and The intermediate electrode 24a provided at the intermediate portion in the left-right direction in the drawing is also provided so that the intermediate portion overlaps. Further, the thick film resistor 18 shown on the lower side in FIG.
For example, d has a resistance value of about 162 (kΩ), and both ends of the lands 22c and 22d overlap each other, and the intermediate electrode 24 provided at the middle portion in the left-right direction in the drawing.
Also in b, the intermediate part is provided so as to overlap. Each of the land 22 and the intermediate electrode 24 is a thick film conductor made of thick film silver or the like like the wiring 20. Therefore, the thick film resistors 18c and 18d are the two resistor portions 18ca and 18cd connected in series by the intermediate electrode 24, or 1
It is substantially divided into 8da and 18db. In this embodiment, the thick film resistors 18c and 18d correspond to the first thick film resistor. In addition, the resistor portions 18ca, 18cb, 1
8da and 18db correspond to the first divided resistors, and the number of divisions n in the claims is 2.

【００１６】なお、上記の抵抗体部１８ｃａ、１８ｃ
ｂ、１８ｄａ、１８ｄｂの長さ寸法は、それぞれ、Ｌｃ
＝1.4(mm)程度、Ｌｄ＝1.5(mm)程度である。厚膜抵抗体
１８ｃ、１８ｄの幅寸法はそれぞれＷｃ＝0.95(mm)程
度、Ｗｄ＝1.25(mm)程度の一様な値であり、厚さ寸法ｄ
(後述する図４参照)も一様であるので、その抵抗値は、
分割された２つの抵抗体の長さ寸法を合わせた２Ｌｃ、
２Ｌｄの長さ寸法を備えた１個の抵抗体の抵抗値に等し
いものとなっている。したがって、上記厚膜抵抗体１８
ｃの長さ寸法は実質的に２Ｌｃ＝2.8(mm)程度であり、
厚膜抵抗体１８ｄの長さ寸法は実質的に２Ｌｄ＝3.0(m
m)程度である。Incidentally, the resistor portions 18ca, 18c described above.
The lengths of b, 18da, and 18db are Lc
= 1.4 (mm) and Ld = 1.5 (mm). The width dimensions of the thick film resistors 18c and 18d are uniform values of about Wc = 0.95 (mm) and Wd = 1.25 (mm) respectively, and the thickness dimension d
(Refer to FIG. 4 described later) is also uniform, so the resistance value is
2Lc, which is the combined length of the two divided resistors
It is equal to the resistance value of one resistor having a length dimension of 2Ld. Therefore, the thick film resistor 18
The length of c is about 2Lc = 2.8 (mm),
The length dimension of the thick film resistor 18d is substantially 2Ld = 3.0 (m
m).

【００１７】そして、回路基板１０の表面１４の複数個
の厚膜抵抗体１８は、何れも同時に印刷形成されること
により同じ厚さ寸法ｄを備え且つ同材料から成るもので
あるので、各々の抵抗値はその長さ寸法Ｌおよび幅寸法
Ｗに応じた値になる。このため、例えば、厚膜抵抗体１
８ａおよび１８ｃを対比してみると、Ｗ／Ｌがそれぞれ
6.55、0.34程度であり、抵抗値がそれぞれ10.8(kΩ)、2
03(kΩ)程度であるから、6.55／0.34≒203／10.8との関
係が成立し、厚膜抵抗体１８ｂ、１８ｄを対比してみて
も、Ｗ／Ｌがそれぞれ6.45、0.95程度であり、抵抗値が
それぞれ10.9(kΩ)、162(kΩ)程度であるから、6.45／
0.95≒162／10.9との関係が成立する。厚さ寸法と幅寸
法とによって決定される抵抗体の断面積は、許容電流に
応じた十分な大きさに設定する必要があるため、抵抗値
と許容電流値が与えられると幅寸法の最低値が定まり、
その最低値よりも大きい範囲で適宜定められた幅寸法に
応じて長さ寸法が一義的に定められることになる。前記
の厚膜抵抗体１８の各々における各部の寸法は、このよ
うにして定められたものである。The plurality of thick film resistors 18 on the surface 14 of the circuit board 10 have the same thickness dimension d by being printed at the same time and are made of the same material. The resistance value becomes a value according to the length dimension L and the width dimension W thereof. Therefore, for example, the thick film resistor 1
Comparing 8a and 18c, W / L
6.55 and 0.34, with resistance values of 10.8 (kΩ) and 2 respectively
Since it is about 03 (kΩ), the relationship of 6.55 / 0.34≈203 / 10.8 is established, and comparing the thick film resistors 18b and 18d, the W / L is about 6.45 and 0.95, respectively. Since the values are about 10.9 (kΩ) and 162 (kΩ) respectively, 6.45 /
The relationship with 0.95 ≒ 162 / 10.9 is established. The cross-sectional area of the resistor, which is determined by the thickness and width dimensions, must be set to a sufficient size according to the allowable current.Therefore, given the resistance value and the allowable current value, the minimum width Is determined,
The length dimension is uniquely determined in accordance with the width dimension appropriately determined within a range larger than the minimum value. The dimensions of each part in each of the thick film resistors 18 are determined in this way.

【００１８】なお、本実施例においては、第２厚膜抵抗
体に相当する厚膜抵抗体１８ａ、１８ｂは分割されてお
らず、請求の範囲にいう分割数ｍは１である。また、図
３において２６は、下側に設けられている図示しない配
線層と接続するためのビアホール或いはスルーホールで
ある。In this embodiment, the thick film resistors 18a and 18b corresponding to the second thick film resistor are not divided, and the number of divisions m in the claims is 1. Further, reference numeral 26 in FIG. 3 denotes a via hole or a through hole for connecting to a wiring layer (not shown) provided on the lower side.

【００１９】図４は、上記の厚膜抵抗体１８ｃ、１８ｄ
の断面構造を、前者について表したものである。図示し
ない厚膜抵抗体１８ｄも同様な断面構造を備えている。
厚膜抵抗体１８、ランド２２，および中間電極２４は、
略一様なｄ＝20(μm)程度の厚さ寸法に形成されてお
り、上記重なり部分においては、厚膜抵抗体１８の表面
が上に凸形状となっている。なお、厚膜回路基板１０
は、例えば多層基板であるが、図４においてはその表面
１４に直接厚膜抵抗体１８が設けられているように描い
た。FIG. 4 shows the thick film resistors 18c and 18d.
The cross-sectional structure of is shown for the former. The thick film resistor 18d (not shown) also has a similar sectional structure.
The thick film resistor 18, the land 22, and the intermediate electrode 24 are
The thickness of the thick film resistor 18 is approximately uniform, and the thickness of the thick film resistor 18 is convex upward. The thick film circuit board 10
Is a multilayer substrate, for example, but in FIG. 4, the thick film resistor 18 is directly provided on the surface 14 of the multilayer substrate.

【００２０】このように両端部或いはそれに加えて中間
部が厚膜銀から成る配線２０，ランド２２，中間電極２
４に重なって設けられた上記の厚膜抵抗体１８は、図５
に厚膜抵抗体１８ｃについて模式的に示すようにその厚
膜銀中の銀が拡散したものとなる。なお、図において
「・」は厚膜抵抗体１８内に拡散した銀の濃度分布を表
したものである。拡散濃度は拡散源からの距離の函数で
あることから、この図に示されるように、配線２０等を
構成する厚膜銀に近い位置ほど銀の拡散濃度が高く、且
つ厚膜銀から離れるに従ってその濃度が低くなる。その
ため、銀の拡散した部分では、厚膜抵抗体１８の組成が
当初の組成から変化するが、その長さ寸法が長くなるほ
ど、拡散濃度が低く当初の組成に維持された部分が増大
する。As described above, the wiring 20, the land 22, and the intermediate electrode 2 whose both ends or in addition the intermediate part are made of thick film silver are used.
The thick film resistor 18 provided so as to overlap with No. 4 in FIG.
In the thick film resistor 18c, silver in the thick film silver is diffused, as schematically shown. In the figure, “•” represents the concentration distribution of silver diffused in the thick film resistor 18. Since the diffusion concentration is a function of the distance from the diffusion source, as shown in this figure, the closer the diffusion concentration of silver is to a position closer to the thick film silver forming the wiring 20, etc. Its concentration becomes low. Therefore, in the silver diffused portion, the composition of the thick film resistor 18 changes from the initial composition, but as the length dimension becomes longer, the diffusion concentration becomes lower and the portion maintained at the original composition increases.

【００２１】上記の図５において、厚膜抵抗体１８ｃ
は、その両端部と中央部に拡散濃度の高い部分が見ら
れ、それらの中間部分が低拡散濃度となっているが、こ
のような拡散状態となったのは、ランド２２および中間
電極２４が何れも拡散源として機能するためである。す
なわち、厚膜抵抗体１８ｃにおいては、抵抗体部１８ｃ
ａ、ｃｂの各々の両端部からその中央部に向かうに従っ
て濃度が低くなるように銀が拡散している。なお、前述
したようにこれら２つの抵抗体部１８ｃａ，１８ｃｂの
長さ寸法は、何れもＬｃ＝1.4(mm)程度の相互に同様な
値のため、それぞれにおける銀の拡散濃度は相互に略同
様な分布を示している。すなわち、実質的に分割された
抵抗体部１８ｃａ，１８ｃｂの各々における銀の拡散濃
度は、長さ寸法がＬｃの厚膜抵抗体をその両端部が配線
２０やランド２２に重なるように設けた場合と同様であ
る。なお、図示しない厚膜抵抗体１８ｄにおける銀の拡
散状態は、中間電極２４を備えていることから上記の厚
膜抵抗体１８ｃと同様である。一方、図３(a)に示す厚
膜抵抗体１８ａ、１８ｂでは中間電極２４が備えられて
いないことから、それらにおける銀の拡散状態は、抵抗
体部１８ｃａ、１８ｃｂと同様に両端部から中間部に向
かうに従って拡散濃度が低くなる分布となっている。In FIG. 5 above, the thick film resistor 18c
Has a high diffusion concentration at both end portions and the central portion thereof, and has a low diffusion concentration in the middle portion thereof. This diffusion state is caused by the land 22 and the intermediate electrode 24. This is because both function as diffusion sources. That is, in the thick film resistor 18c, the resistor portion 18c
Silver diffuses so that the concentration decreases from both ends of a and cb toward the central part. As described above, since the lengths of these two resistor portions 18ca and 18cb are similar to each other with Lc = 1.4 (mm), the diffusion concentrations of silver in each are substantially the same. It shows a wide distribution. That is, when the diffusion concentration of silver in each of the substantially divided resistor portions 18ca and 18cb is such that a thick film resistor having a length dimension of Lc is provided so that both ends thereof overlap the wiring 20 and the land 22. Is the same as. The diffusion state of silver in the thick film resistor 18d (not shown) is the same as that of the thick film resistor 18c because the intermediate electrode 24 is provided. On the other hand, since the intermediate electrodes 24 are not provided in the thick film resistors 18a and 18b shown in FIG. 3 (a), the diffusion state of silver in them is similar to that of the resistor portions 18ca and 18cb, and the silver is diffused from both ends to the intermediate portion. The distribution is such that the diffusion concentration becomes lower toward.

【００２２】ところで、本実施例の回路基板１０におい
ては、上記のように構成された厚膜抵抗体１８ａ，１８
ｂ，１８ｃ，１８ｄのうち、１８ａと１８ｄ、１８ｂと
１８ｃとの間のトラッキングＴＣＲが可及的に小さいこ
とが望まれている。下記の表１は、任意に選んだ２つの
試料１，２においてこれらのＴＣＲをそれぞれ測定した
結果を示したものである。表１において、「cold」欄は
-55〜25(℃)の温度範囲で、「hot」欄は25〜125(℃)の
温度範囲でそれぞれ測定したＴＣＲの値である。また、
右端に示した「18a/18d」および「18b/18c」は、それぞ
れ厚膜抵抗体１８ａと１８ｄとのトラッキングＴＣＲの
値、１８ｂと１８ｃとのトラッキングＴＣＲの値であ
る。これらの単位は、何れも「ppm／℃」である。By the way, in the circuit board 10 of this embodiment, the thick film resistors 18a, 18 configured as described above are used.
It is desired that the tracking TCR between 18a and 18d and 18b and 18c among b, 18c and 18d is as small as possible. Table 1 below shows the results of measuring these TCRs of two arbitrarily selected samples 1 and 2, respectively. In Table 1, the "cold" column is
In the temperature range of -55 to 25 (° C), the "hot" column is the TCR value measured in the temperature range of 25 to 125 (° C). Also,
"18a / 18d" and "18b / 18c" shown at the right end are the tracking TCR values of the thick film resistors 18a and 18d, and the tracking TCR values of 18b and 18c, respectively. All of these units are “ppm / ° C.”.

【００２３】 ［表１］ 18a 18b 18c 18d 18a/18c 18b/18d 試料１ cold -11 -12 -14 -14 3 2 hot 25 24 26 23 1 1 試料２ cold -9 -9 -10 -12 1 3 hot 25 21 24 23 1 2 [Table 1] 18a 18b 18c 18d 18a / 18c 18b / 18d Sample 1 cold -11 -12 -14 -14 3 2 hot 25 24 26 23 1 1 Sample 2 cold -9 -9 -10 -12 1 3 hot 25 21 24 23 1 2

【００２４】上記の表１に示されるように、本実施例の
回路基板１０においては、１８ａと１８ｃ、１８ｂと１
８ｄのトラッキングＴＣＲが、低温、高温の何れの条件
においても、1〜3(ppm／℃)程度の極めて小さな値にな
っている。このような良好な結果が得られるのは、本実
施例の厚膜抵抗体１８ｃ、１８ｄが長さ方向の中間部に
おいて中間電極２４に重ねて設けられることにより、実
質的にそれぞれ長さ寸法Ｌｃ、Ｌｄの２個の抵抗体が直
列接続されたものとなっていることに基づく。前述した
ように、抵抗値が厚膜抵抗体１８ａ、１８ｂの十数倍程
度に設定されている厚膜抵抗体１８ｃ、１８ｄの長さ寸
法はそれぞれ2.8(mm)程度、3.0(mm)程度の比較的大きな
値であるが、これら厚膜抵抗体１８ｃ、１８ｄは、実質
的に上記値の半分の1.4(mm)程度、1.5(mm)程度の長さ寸
法を備えた２つの抵抗体部１８ｃaおよび１８ｃｂ、１
８ｄａおよび１８ｄｂが中間電極２４で直列接続される
ことで構成されている。このような場合には、ＴＣＲは
分割された個々の抵抗体部１８ｃａ、１８ｃｂの長さ寸
法に依存することから、相対的に高抵抗値の厚膜抵抗体
１８ｃ、１８ｄのＴＣＲと、相対的に低抵抗値の厚膜抵
抗体１８ａ、１８ｂのＴＣＲとの差が小さくなるのであ
る。As shown in Table 1 above, in the circuit board 10 of this embodiment, 18a and 18c and 18b and 1 are used.
The tracking TCR of 8d has an extremely small value of about 1 to 3 (ppm / ° C.) under both low temperature and high temperature conditions. Such good results are obtained because the thick film resistors 18c and 18d of the present embodiment are provided so as to overlap with the intermediate electrode 24 at the intermediate portion in the length direction, so that the length dimension Lc of each is substantially increased. , Ld are connected in series. As described above, the length dimensions of the thick film resistors 18c and 18d whose resistance values are set to about ten times the thick film resistors 18a and 18b are about 2.8 (mm) and 3.0 (mm), respectively. Although relatively large values, these thick film resistors 18c and 18d have two resistor portions 18ca each having a length dimension of about 1.4 (mm) or 1.5 (mm), which is substantially half the above value. And 18cb, 1
8da and 18db are connected in series by the intermediate electrode 24. In such a case, since the TCR depends on the length of each of the divided resistor portions 18ca and 18cb, the TCR of the thick film resistors 18c and 18d having a relatively high resistance value is Therefore, the difference between the TCRs of the thick film resistors 18a and 18b having a low resistance value becomes small.

【００２５】すなわち、厚膜抵抗体１８のＴＣＲは、厚
膜銀から成る配線２０やランド２２等の上に設けられた
場合には、その銀が拡散することによってその材料本来
の値から変化した値になるが、その変化の程度は銀の拡
散状態に応じたものとなる。ところが、前述したように
銀の拡散濃度分布は拡散源である厚膜銀からの距離に応
じたものとなるため、長さ寸法の相違が小さくなると、
銀の拡散濃度に応じて変化するＴＣＲの変化量の相違が
小さくなるのである。That is, the TCR of the thick film resistor 18 is changed from the original value of the material when the silver is diffused when the TCR of the thick film resistor 18 is provided on the wiring 20 and the land 22 made of thick film silver. However, the degree of change depends on the diffusion state of silver. However, as described above, the diffusion concentration distribution of silver depends on the distance from the thick-film silver that is the diffusion source, and when the difference in the length dimension becomes small,
The difference in the amount of change in TCR that changes according to the silver diffusion concentration is reduced.

【００２６】これに対して、従来の回路基板のように、
前記の厚膜抵抗体１８ｃ、１８ｄに代えて、同様な抵抗
値を有して中間電極２４が設けられていない図６に示さ
れるような厚膜抵抗体２８，３０を設けた場合には、下
記の表２に示すように、前記図３(a)に示す厚膜抵抗体
１８ａ、１８ｂとのトラッキングＴＣＲが11〜41(ppm／
℃)程度の極めて大きな値になる。この相違は、厚膜抵
抗体２８，３０のＴＣＲが前記の厚膜抵抗体１８ｃ、１
８ｄと著しく相違することに起因するものである。な
お、厚膜抵抗体２８，３０の長さ寸法はそれぞれＬｘ＝
２Ｌｃ、Ｌｙ＝２Ｌｄであって、厚膜抵抗体１８ｃ、１
８ｄと同じである。但し、中間電極２４を備えていない
図６の抵抗体２８，３０では、銀の拡散濃度分布はその
両端部で高く且つ中央部ほど低いものとなり、上記のよ
うに長さ寸法が長いことから、中央部の低濃度部分が厚
膜抵抗体１８ｃ、１８ｄに比較すると極めて大きいこと
になる。On the other hand, like a conventional circuit board,
When the thick film resistors 18c and 18d are replaced by the thick film resistors 28 and 30 having a similar resistance value and not provided with the intermediate electrode 24 as shown in FIG. As shown in Table 2 below, the tracking TCR with the thick film resistors 18a and 18b shown in FIG. 3 (a) is 11 to 41 (ppm /
It becomes an extremely large value of about (° C). The difference is that the TCRs of the thick film resistors 28 and 30 are the above-mentioned thick film resistors 18c and 1c.
This is due to the remarkable difference from 8d. The length dimensions of the thick film resistors 28 and 30 are Lx =
2Lc, Ly = 2Ld, and the thick film resistors 18c, 1
It is the same as 8d. However, in the resistors 28 and 30 of FIG. 6 that do not include the intermediate electrode 24, the silver diffusion concentration distribution is high at both end portions and is low toward the central portion, and since the length dimension is long as described above, The low-concentration portion in the central portion is extremely large as compared with the thick film resistors 18c and 18d.

【００２７】 ［表２］ 18a 18b 28 30 18a/28 18b/30 比較例１ cold -24 -22 -65 -40 41 18 hot 22 24 -16 6 38 18 比較例２ cold -17 -18 -35 -29 18 11 hot 28 28 6 14 22 14 [Table 2] 18a 18b 28 30 18a / 28 18b / 30 Comparative Example 1 cold -24 -22 -65 -40 41 18 hot 22 24 -16 6 38 18 Comparative Example 2 cold -17 -18 -35- 29 18 11 hot 28 28 6 14 22 14

【００２８】これら表１、表２に示される結果から、本
実施例のように中間電極２４を設けることにより、高抵
抗値の厚膜抵抗体１８ｃ、１８ｄを実質的に直列接続さ
れた２つの抵抗体で構成してその長さ寸法を短くすれ
ば、低抵抗値の厚膜抵抗体１８ａ、１８ｂとのＴＣＲの
相違を抑制して、トラッキングＴＣＲの小さい回路基板
１０が得られることが明らかとなった。そのため、例え
ば25(ppm)程度以下のトラッキングＴＣＲが求められる
ような場合にも、本実施例によれば、確実に要求品質を
満足する回路基板１０を得ることができる。From the results shown in Tables 1 and 2, by providing the intermediate electrode 24 as in this embodiment, two thick film resistors 18c and 18d having a high resistance value are substantially connected in series. It is apparent that the circuit board 10 having a small tracking TCR can be obtained by suppressing the difference in TCR from the thick film resistors 18a and 18b having a low resistance value by forming the resistor with a short length. became. Therefore, even when a tracking TCR of about 25 (ppm) or less is required, according to the present embodiment, the circuit board 10 that surely satisfies the required quality can be obtained.

【００２９】なお、上記の作用効果を確かめるべく更に
多くの試料を用いて、種々の材料および抵抗値の厚膜抵
抗体において、長さ寸法ＬとＴＣＲとの関係を調べたと
ころ、図７に示すように、低温(前記の「cold」条件)お
よび高温(前記の「hot」条件)の何れにおいても、Ｌが
大きくなるほどＴＣＲが小さくなる傾向を確かめること
ができた。このような一般的傾向があることから、前記
のように実質的に長さ寸法を短くすれば、ＴＣＲを調節
し得るのである。Further, in order to confirm the above-mentioned effects, more samples were used to examine the relationship between the length dimension L and the TCR in thick film resistors of various materials and resistance values. As shown, it was possible to confirm that the TCR tended to decrease with increasing L at both low temperature (the “cold” condition described above) and high temperature (the “hot” condition described above). Due to this general tendency, the TCR can be adjusted by substantially shortening the length dimension as described above.

【００３０】要するに、本実施例においては、直列接続
されることによって、厚膜抵抗体１８ａの長さ寸法Ｌａ
と、厚膜抵抗体１８ｃを構成する２個の抵抗体部１８ｃ
ａ、１８ｃｂの長さ寸法Ｌｃとの比Ｌｃ／Ｌａ(＝1.4／
1)は、厚膜抵抗体１８ｃが実質的に分割されていない場
合の長さ寸法２Ｌｃとの比２Ｌｃ／Ｌａ(2.8／1.0)とそ
の逆比Ｌａ／２Ｌｃ(1.0／2.8)の間の値になっており、
厚膜抵抗体１８ｂと、厚膜抵抗体１８ｄとの関係におい
ても同様に、長さ寸法の比Ｌｄ／Ｌｂが、Ｌｂ／２Ｌｄ
と２Ｌｄ／Ｌｂとの間の値になっている。そのため、同
材料で構成されながら相互に異なる抵抗値を有すること
から従来はその抵抗値の相違に応じて長さ寸法の著しく
相違することとなっていた厚膜抵抗体１８ａおよび厚膜
抵抗体１８ｃ相互、並びに厚膜抵抗体１８ｂおよび厚膜
抵抗体１８ｄ相互の長さ寸法の相違が抑制され延いては
その相違に起因するＴＣＲの相違が小さくなる。In short, in this embodiment, the length dimension La of the thick film resistor 18a is connected by being connected in series.
And the two resistor portions 18c that constitute the thick film resistor 18c.
The ratio Lc / La (= 1.4 / of the length dimension Lc of a and 18cb)
1) is a value between the ratio 2Lc / La (2.8 / 1.0) and the inverse ratio La / 2Lc (1.0 / 2.8) of the length dimension 2Lc when the thick film resistor 18c is not substantially divided. Has become
Similarly, in the relationship between the thick film resistor 18b and the thick film resistor 18d, the length dimension ratio Ld / Lb is Lb / 2Ld.
Is between 2 and 2Ld / Lb. Therefore, the thick film resistors 18a and 18c, which are made of the same material and have different resistance values from each other, have significantly different length dimensions according to the difference in the resistance values. The difference in the length dimension between the thick film resistor 18b and the thick film resistor 18d is suppressed, and the difference in TCR due to the difference is reduced.

【００３１】以上、本発明を図面を参照して詳細に説明
したが、本発明は更に別の態様でも実施できる。Although the present invention has been described in detail above with reference to the drawings, the present invention can be implemented in other modes.

【００３２】例えば、実施例においては、多層基板であ
る厚膜回路基板１０に本発明が適用された場合について
説明したが、単層の厚膜回路基板であっても本発明は同
様に適用される。For example, in the embodiments, the case where the present invention is applied to the thick film circuit board 10 which is a multilayer board has been described, but the present invention is similarly applied to a single layer thick film circuit board. It

【００３３】また、実施例においては、トラッキングＴ
ＣＲは２個の抵抗体相互間でのみ評価したが、回路特性
上の必要に応じて、３個以上の抵抗体相互のトラッキン
グＴＣＲを小さくすることが要求される場合にも、本発
明は同様に適用される。Further, in the embodiment, the tracking T
Although the CR is evaluated only between the two resistors, the present invention is also applicable to the case where it is required to reduce the tracking TCR between the three or more resistors as required by the circuit characteristics. Applied to.

【００３４】また、実施例においては、厚膜抵抗体１８
ａ、１８ｂは分割されず、厚膜抵抗体１８ｃ、１８ｄが
２分割されていたが、厚膜抵抗体１８ａ、１８ｂも、適
度なＴＣＲを得る目的で適宜の数に分割することができ
る。また、厚膜抵抗体１８ｃ、１８ｄの分割数は、厚膜
抵抗体１８ａ、１８ｂとの長さ寸法の相違が一層少なく
なるように３或いはそれ以上としてもよい。何れにして
も、トラッキングＴＣＲの対象となる２個以上の厚膜抵
抗体相互の長さ寸法の相違が要求されるトラッキングＴ
ＣＲの値に応じて抑制されていれば、本発明の効果を享
受できる。Further, in the embodiment, the thick film resistor 18
Although the a and 18b are not divided and the thick film resistors 18c and 18d are divided into two, the thick film resistors 18a and 18b can also be divided into an appropriate number for the purpose of obtaining an appropriate TCR. Further, the number of divisions of the thick film resistors 18c and 18d may be three or more so that the difference in length between the thick film resistors 18a and 18b is further reduced. In any case, the tracking T is required to have a difference in length between two or more thick film resistors that are the targets of the tracking TCR.
If it is suppressed according to the value of CR, the effect of the present invention can be enjoyed.

【００３５】また、実施例においては、厚膜抵抗体１８
ｃ、１８ｄが、その中間部において中間電極２４に重な
るように設けられることで実質的に２分割されていた
が、回路基板上の配線引き回しの都合等に応じて、中間
電極２４上で分断された形状で厚膜抵抗体１８ｃ、１８
ｄを設けることもできる。請求の範囲にいう「直列接
続」は、このように実際に電極を介して２つの抵抗体を
設ける態様と、実施例で示したように実質的に分断され
且つ直列接続された態様の何れをも含むものである。Further, in the embodiment, the thick film resistor 18
Although the c and 18d are provided so as to overlap the intermediate electrode 24 at their intermediate portions, they are substantially divided into two, but they are divided on the intermediate electrode 24 in accordance with the convenience of wiring layout on the circuit board. Thick film resistors 18c, 18
d can also be provided. The "series connection" referred to in the claims means either a mode in which two resistors are actually provided via electrodes, or a mode in which they are substantially divided and connected in series as shown in the examples. It also includes.

【００３６】また、実施例においては、抵抗体が酸化ル
テニウムを主成分とする厚膜抵抗体で構成されていた
が、例えば数十(mΩ)程度の低抵抗体を形成する場合に
はAg-Pd系厚膜材料等が好適であり、この他にも用途に
応じた種々の他の抵抗体材料を主成分とする厚膜抵抗体
を備えた回路基板にも本発明は同様に適用される。Further, in the embodiment, the resistor is composed of a thick film resistor containing ruthenium oxide as a main component, but when a low resistor of, for example, several tens (mΩ) is formed, Ag- Pd-based thick film materials and the like are suitable, and the present invention is similarly applied to a circuit board having a thick film resistor whose main component is various other resistor materials depending on the application. .

【００３７】また、実施例においては、配線２０，ラン
ド２２，および中間電極２４が厚膜銀で構成された場合
について説明したが、Ag-Pt合金系、Ag-Pd合金系等の他
の厚膜銀系材料やその他の厚膜導体が用いられる場合に
も本発明の効果を享受できる。なお、何れの材料を用い
る場合にも、中間電極２４は厚膜抵抗体１８の両端部が
重ねられる配線２０或いはランド２２と同材料で構成す
ることが好ましい。In the embodiment, the case where the wiring 20, the land 22, and the intermediate electrode 24 are made of thick film silver has been described, but other thicknesses such as Ag-Pt alloy system and Ag-Pd alloy system are used. The effects of the present invention can be enjoyed even when a film silver material or other thick film conductor is used. Whichever material is used, the intermediate electrode 24 is preferably made of the same material as the wiring 20 or the land 22 on which both ends of the thick film resistor 18 are overlapped.

【００３８】その他、一々例示はしないが、本発明は、
その主旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るもので
ある。Although not specifically exemplified, the present invention is
Various changes can be made without departing from the spirit of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明が適用された厚膜回路基板の全体を示す
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an entire thick film circuit board to which the present invention is applied.

【図２】図１の回路基板内に備えられる一つのパターン
領域を模式的に示す図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing one pattern region provided in the circuit board of FIG.

【図３】(a)、(b)は、それぞれ図２のパターン領域内に
備えられている厚膜抵抗体を説明する図である。3 (a) and 3 (b) are views for explaining thick film resistors provided in the pattern region of FIG. 2, respectively.

【図４】図３(b)に示す厚膜抵抗体の断面構造を説明す
る図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of the thick film resistor shown in FIG. 3 (b).

【図５】図３(b)に示す厚膜抵抗体の銀拡散状態を説明
する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a silver diffusion state of the thick film resistor shown in FIG. 3 (b).

【図６】従来の厚膜抵抗体の構成を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a conventional thick film resistor.

【図７】厚膜抵抗体の長さ寸法ＬとＴＣＲとの関係を説
明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating the relationship between the length dimension L of the thick film resistor and the TCR.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０：厚膜回路基板 １８ａ、１８ｂ：厚膜抵抗体(第２厚膜抵抗体) １８ｃ、１８ｄ：厚膜抵抗体(第１厚膜抵抗体) １８ｃａ、１８ｃｂ、１８ｄａ、１８ｄｂ：抵抗体部
(第２分割抵抗体) ２２：ランド ２４：中間電極10: Thick film circuit board 18a, 18b: Thick film resistor (second thick film resistor) 18c, 18d: Thick film resistor (first thick film resistor) 18ca, 18cb, 18da, 18db: Resistor part
(Second divisional resistor) 22: Land 24: Intermediate electrode

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 同材料で構成された抵抗値Ｒ１を有する
第１厚膜抵抗体およびその抵抗値Ｒ１よりも小さい抵抗
値Ｒ２を有する第２厚膜抵抗体を備えた厚膜回路基板で
あって、 直列接続された個々の長さ寸法Ｂ１のｎ個の第１分割抵
抗体で前記第１厚膜抵抗体が構成されると共に、直列接
続された個々の長さ寸法Ｂ２のｍ個の第２分割抵抗体で
前記第２厚膜抵抗体が構成され、それらＢ１，Ｂ２，
ｎ，ｍが２≦ｎ、１≦ｍ、ｎＢ２／ｍＢ１＜Ｂ１／Ｂ２
＜ｎＢ１／ｍＢ２を満たすことを特徴とする厚膜回路基
板。1. A thick film circuit board comprising a first thick film resistor having a resistance value R1 made of the same material and a second thick film resistor having a resistance value R2 smaller than the resistance value R1. The first thick film resistor is composed of n first divided resistors each having a length dimension B1 connected in series, and at the same time, the m-th first resistor having a length dimension B2 connected in series. The second thick film resistor is composed of two-divided resistors, and B1, B2,
n and m are 2 ≦ n, 1 ≦ m, nB2 / mB1 <B1 / B2
A thick film circuit board characterized by satisfying <nB1 / mB2. 【請求項２】 前記第１厚膜抵抗体および前記第２厚膜
抵抗体は、厚膜銀から成る電極にその両端部が重なるよ
うに設けられたものである請求項１の厚膜回路基板。2. The thick film circuit board according to claim 1, wherein the first thick film resistor and the second thick film resistor are provided so that both ends thereof overlap an electrode made of thick film silver. .