JP2003075542A - Scintillator panel, radiation imaging apparatus and radiation detection system - Google Patents
Scintillator panel, radiation imaging apparatus and radiation detection systemInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、シンチレータパネ
ル、放射線撮像装置及び放射線検出システムに関し、特
に、産業用非破壊検査や、医療用のＸ線撮像装置などの
放射線撮像装置及びそれに用いるシンチレータパネル、
放射線検出システムに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scintillator panel, a radiation image pickup apparatus and a radiation detection system, and more particularly to a radiation image pickup apparatus such as an X-ray image pickup apparatus for industrial nondestructive inspection and medical use, and a scintillator panel used therefor.
Radiation detection system.
【０００２】なお、本明細書においては、放射線の範ち
ゅうにはＸ線、α線、β線、γ線などの種々の電磁波を
含むものとして説明する。In the present specification, radiation is described as including various electromagnetic waves such as X-rays, α-rays, β-rays and γ-rays.
【０００３】[0003]
【従来の技術】近年、医療機業界のデジタル化が加速し
ており、レントゲン撮影の方式もコンベンショナルなフ
ィルムスクリーン方式からＸ線デジタルラジオグラフィ
ー方式へのパラダイムシフトが進んでいる。2. Description of the Related Art In recent years, the digitization of medical equipment industry has been accelerated, and the paradigm shift of the X-ray digital radiography system from the conventional film screen system has been progressing as the X-ray imaging system.
【０００４】Ｘ線デジタルラジオグラフィー方式のレン
トゲン撮影用のＸ線検出装置には、アモルファスシリコ
ンなどを用いたフォトセンサー及びＴＦＴを有する光電
変換素子部を備えたセンサパネルと、柱状の蛍光体より
なる蛍光体層及び蛍光体層で発光した可視光をセンサパ
ネル側へ反射させる金属薄膜などの反射膜を備えたシン
チレータとを、透明な接着剤よりなる接着層によって接
着したものがある。An X-ray detection device for X-ray radiography of the X-ray digital radiography system is composed of a photosensor using amorphous silicon or the like and a sensor panel having a photoelectric conversion element section having a TFT, and a columnar phosphor. There is one in which a phosphor layer and a scintillator provided with a reflective film such as a metal thin film that reflects visible light emitted from the phosphor layer to the sensor panel side are bonded by an adhesive layer made of a transparent adhesive.
【０００５】このようなＸ線検出装置は、センサパネル
の素子構成やシンチレータの蛍光体材料の制約を受ける
ことなく、さまざまなものを用途に応じて組み合わせる
ことが可能である。Such an X-ray detector can be combined with various ones according to the application without being restricted by the element structure of the sensor panel or the phosphor material of the scintillator.
【０００６】つぎに、Ｘ線検出装置の動作について説明
する。まず、装置本体にＸ線が入射されると、このＸ線
は、反射層を透過し、蛍光体層で吸収される。その後、
蛍光体層は吸収したＸ線に応じた強度の可視光を発光す
る。可視光は光電変換素子部のフォトセンサーで電気信
号に変換され、ＴＦＴのオン／オフの切り替えに応じて
外部に出力される。こうして、入射したＸ線情報を２次
元のデジタル画像に変換している。Next, the operation of the X-ray detector will be described. First, when X-rays enter the device body, the X-rays pass through the reflective layer and are absorbed by the phosphor layer. afterwards,
The phosphor layer emits visible light having an intensity corresponding to the absorbed X-ray. Visible light is converted into an electric signal by the photosensor of the photoelectric conversion element unit, and is output to the outside in response to switching on / off of the TFT. In this way, the incident X-ray information is converted into a two-dimensional digital image.
【０００７】ここで、シンチレータを構成する基材にア
モルファスカーボンなどがよく用いられている。その理
由は、（１）アモルファスカーボン等がガラスやアルミ
ニウムに比べ、Ｘ線の吸収が少ないため、より多くのＸ
線を蛍光体層側へ送ることができるからである。たとえ
ば、各材料を実用的な厚み(日本電気硝子製ＯＡ−１０
ガラス板：０．７ｍｍ、Ａｌ板：０．５ｍｍ、アモルフ
ァスカーボン板：１ｍｍ)にした場合には、どの材料も
フォトンエネルギー６０ｋｅＶ以上ならば９０％以上の
透過率を確保できるが、ＯＡ−１０ガラス板は６０ｋｅ
Ｖ以下、Ａｌ板は３５ｋｅＶ以下で、急激に透過率が低
下する。一方、他の材料よりも厚いにもかかわらず、ア
モルファスカーボン板は２０ｋｅＶまで９５％以上を確
保するので、医療で使用されるＸ線のエネルギー領域で
は、ほぼフラットな透過率特性を示すことが可能であ
る。Here, amorphous carbon or the like is often used as the base material forming the scintillator. This is because (1) amorphous carbon and the like absorb less X-rays than glass and aluminum, so more X
This is because the wire can be sent to the phosphor layer side. For example, each material has a practical thickness (OA-10 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.).
When glass plate: 0.7 mm, Al plate: 0.5 mm, amorphous carbon plate: 1 mm), any material can secure a transmittance of 90% or more if the photon energy is 60 keV or more, but OA-10 glass. The plate is 60 ke
When the voltage is V or less and the Al plate is 35 keV or less, the transmittance sharply decreases. On the other hand, although it is thicker than other materials, the amorphous carbon plate secures 95% or more up to 20 keV, so it is possible to show almost flat transmittance characteristics in the energy range of X-rays used in medicine. Is.
【０００８】（２）アモルファスカーボン等が耐薬品性
に優れているからである。アモルファスカーボンは、フ
ッ酸などの強酸や、溶剤に対しても侵食されることはな
い。(2) Amorphous carbon and the like have excellent chemical resistance. Amorphous carbon is not corroded by a strong acid such as hydrofluoric acid or a solvent.
【０００９】（３）アモルファスカーボン等が耐熱性に
優れているからである。アモルファスカーボンは、ガラ
スやアルミニウムよりも高い耐熱性を有する。(3) Amorphous carbon has excellent heat resistance. Amorphous carbon has higher heat resistance than glass and aluminum.
【００１０】（４）アモルファスカーボン等の導電性が
よいからである。アモルファスカーボンは、導電率がσ
＝２．４×１０-2Ω-1ｃｍ-1なので、電磁シールドとし
ても機能するし、製造時の静電気対策としても機能す
る。(4) This is because amorphous carbon or the like has good conductivity. Amorphous carbon has a conductivity of σ
= 2.4 × 10 -2 Ω -1 cm -1 , it functions as an electromagnetic shield and also as a measure against static electricity during manufacturing.
【００１１】（５）アモルファスカーボン等の熱膨張係
数がガラスと近いため、貼り合わせ後の膨張率の差によ
る剥がれ等の心配が少ないからである。一般的に用いら
れるパネルガラスの熱膨張係数は、４．６×１０-6だ
が、アモルファスカーボンはそれに近い２．０×１０-6
である。(5) Since the thermal expansion coefficient of amorphous carbon or the like is close to that of glass, there is little concern about peeling due to the difference in expansion coefficient after bonding. The thermal expansion coefficient of commonly used panel glass is 4.6 × 10 −6, but amorphous carbon is close to that, 2.0 × 10 −6.
Is.
【００１２】また、反射層を用いる理由は、アモルファ
スカーボン等の反射率が対空気層では約２０％と低いた
め、金属薄膜からなる反射層を設けることによって、光
の利用効率を向上させるためである。The reason why the reflective layer is used is that the reflectance of amorphous carbon or the like is as low as about 20% in the air layer. Therefore, by providing the reflective layer made of a metal thin film, the light utilization efficiency is improved. is there.
【００１３】反射層としてアルミニウムを材料として用
いる理由は、
（１）アルミニウムが、可視光のほぼ全域に渡って高い
反射率を示すからである。なお、詳細は、Journal of t
he optical society of America,vol45,no.11,p945,195
5に詳しい。The reason why aluminum is used as the material for the reflective layer is that (1) aluminum has a high reflectance over almost the entire visible light region. For details, see the Journal of t
he optical society of America, vol45, no.11, p945,195
Detailed in 5.
【００１４】（２）アルミニウムが安価だからである。(2) Aluminum is inexpensive.
【００１５】（３）蒸着した薄膜は鏡面が得られやすい
ので、乱反射による解像力の乱れを生じることが少ない
からである。(3) The vapor-deposited thin film is likely to have a mirror surface, and thus the irregularity in resolution is less likely to occur.
【００１６】また、シンチレータは、具体的に以下のよ
うな手法により製造する。まず、表面を鏡面に研磨され
たアモルファスカーボンなどの基材を洗浄し、スパッタ
等でアルミニウム薄膜を成膜するアルミニウム薄膜は厚
すぎると表面の凹凸によって乱反射を起こし、薄すぎる
と光が透過してしまうので、通常、厚みは１００ｎｍ〜
５００ｎｍとしている。Further, the scintillator is specifically manufactured by the following method. First, wash the base material such as amorphous carbon whose surface is mirror-polished, and form an aluminum thin film by sputtering etc.If the aluminum thin film is too thick, irregular reflection on the surface causes irregular reflection, and if it is too thin, light is transmitted. Therefore, the thickness is usually 100 nm or more.
It is set to 500 nm.
【００１７】つぎに、蒸着によって柱状の蛍光体層をア
ルミニウム薄膜上に蒸着する。この時のプロセス温度は
２００℃を超える。つぎに、周りに保護層を形成し、シ
ンチレータを完成する。Next, a columnar phosphor layer is deposited on the aluminum thin film by vapor deposition. The process temperature at this time exceeds 200 ° C. Next, a protective layer is formed around it to complete the scintillator.
【００１８】しかし、これらの技術では、アモルファス
カーボンなどからなる基材に形成した反射層の上にアル
カリハライド蛍光体、たとえばＣｓＩを形成すると、数
日の内に腐食が開始することが我々の検討から判明し
た。この原因としては、ＣｓＩ中のハロゲン、つまりヨ
ウ素が、反射層の材料であるアルミニウムを腐食させる
ことが考えられる。However, in these techniques, it is our study that when an alkali halide phosphor, for example, CsI is formed on a reflective layer formed on a substrate made of amorphous carbon, corrosion starts within a few days. It turned out from. As a cause of this, it is considered that halogen in CsI, that is, iodine, corrodes aluminum which is a material of the reflective layer.
【００１９】従って、これを防止する一つの方法とし
て、反射層の表面側に保護層を設けてみたが、反射層と
基材との接触がある限り、本件のような短期間で発生す
る腐食は抑制できないこともわかった。Therefore, as one method for preventing this, a protective layer was provided on the surface side of the reflective layer. However, as long as there is contact between the reflective layer and the base material, corrosion that occurs in a short period of time as in the present case is attempted. He also found that he could not control.
【００２０】また、このような問題は基材の材料として
ガラスを用い、反射層の材料としてアルミニウムを用い
た場合には発生が極端に抑制されることもわかった。従
って、もう一つの原因として、アモルファスカーボンや
シリコンなどと、アルミニウムなどという異種の導電性
材料を積層したことによる電気化学的腐食が考えられ
る。It was also found that such a problem is extremely suppressed when glass is used as the material of the base material and aluminum is used as the material of the reflective layer. Therefore, as another cause, electrochemical corrosion caused by laminating different kinds of conductive materials such as aluminum with amorphous carbon or silicon is considered.
【００２１】ここで、特開昭５３−１２２３５６号公報
には、基板の全面にアルミニウム蒸着膜を介して沃化セ
シウムよりなる蛍光体を設ける旨の記載があるが、この
公報に記載されている技術では、上記電気化学的腐食を
防止することができない。Here, JP-A-53-122356 discloses that a phosphor of cesium iodide is provided on the entire surface of a substrate through an aluminum vapor deposition film, which is described in this publication. The technology cannot prevent the above electrochemical corrosion.
【００２２】また、特開平１０−１６０８９８号公報に
は、腐食の防止のために、光反射層の蛍光体が設けられ
ていない側に保護膜としてＰＥＴ (ポリエチレンテレフ
タレート)を設ける旨が記載されているが、ＰＥＴは２
００℃を超える蛍光体形成プロセスに耐えうる材料でな
いので、アモルファスカーボンやシリコン、アルミニウ
ムという異種の導電性材料を積層したことによる電気化
学的腐食を抑制するものではない。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-160898 describes that PET (polyethylene terephthalate) is provided as a protective film on the side of the light reflecting layer where the phosphor is not provided in order to prevent corrosion. But PET is 2
Since it is not a material that can withstand the phosphor forming process exceeding 00 ° C., it does not suppress electrochemical corrosion caused by laminating different kinds of conductive materials such as amorphous carbon, silicon, and aluminum.
【００２３】そこで、シンチレータパネルの電気化学的
腐食を防止策として、本件出願人は特願２００１−３１
１６４において、以下ような対策を提案した。Therefore, as a measure for preventing the electrochemical corrosion of the scintillator panel, the applicant of the present application filed Japanese Patent Application No. 2001-31.
In 164, the following measures were proposed.
【００２４】すなわち、蛍光体層を支持するための基材
と、前記蛍光体層で変換された光を光電変換素子側へ反
射させる反射層との間に該反射層の腐食を防止する絶縁
層を形成するものである。That is, an insulating layer for preventing corrosion of the reflective layer between a base material for supporting the fluorescent layer and a reflective layer for reflecting the light converted by the fluorescent layer to the photoelectric conversion element side. Is formed.
【００２５】具体的には、シンチレータパネルは、たと
えばアモルファスカーボン基材と、絶縁層と、反射層
と、蛍光体層と、保護層とが順次積層されたものであ
る。Specifically, the scintillator panel is formed by sequentially laminating, for example, an amorphous carbon base material, an insulating layer, a reflective layer, a phosphor layer, and a protective layer.
【００２６】絶縁層の物理的性質としては、体積抵抗率
が１×１０10Ωｃｍ以上、耐熱温度として、２００℃以
上であり、シリコンを含む材料か、金属酸化膜か、耐熱
性樹脂よりなる単層、又はそれらいずれかの材料の積層
膜が望ましい。As the physical properties of the insulating layer, the volume resistivity is 1 × 10 10 Ωcm or more, and the heat resistance temperature is 200 ° C. or more. It is made of a material containing silicon, a metal oxide film, or a heat resistant resin. Layers or laminated films of either material are desirable.
【００２７】絶縁層に用いる耐熱性樹脂としては、ポリ
イミド、ジビニルシロキサンビスベンゾブテン系樹脂、
メチルシルセスキオキサン系樹脂、ポリアミドイミド、
ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、芳香族ポ
リエステルなどであることが望ましい。As the heat resistant resin used for the insulating layer, polyimide, divinylsiloxane bisbenzobutene resin,
Methyl silsesquioxane resin, polyamide imide,
It is preferably polyether sulfone, polyether imide, aromatic polyester, or the like.
【００２８】絶縁層に、耐熱性絶縁樹脂を用いる場合
は、アモルファスカーボンの凹凸差が０．０２μｍから
５μｍ程度とすることが望ましいこと。When a heat resistant insulating resin is used for the insulating layer, it is preferable that the unevenness of the amorphous carbon is about 0.02 μm to 5 μm.
【００２９】また、絶縁層をたとえば化学気相成長法
（ＣＶＤ法）で複数形成する場合には、各層を気体を変
えて連続して形成すると、各層間の密着度を高めること
ができて好ましい。Further, when a plurality of insulating layers are formed by, for example, a chemical vapor deposition method (CVD method), it is preferable to form each layer continuously by changing the gas because the adhesion between the layers can be increased. .
【００３０】反射層は、アルミニウム、銀、銅又は金を
含む材料からなる。また、光電変換素子は、アモルファ
スシリコン又はクリスタルシリコンからなることが好ま
しい。The reflective layer is made of a material containing aluminum, silver, copper or gold. The photoelectric conversion element is preferably made of amorphous silicon or crystal silicon.
【００３１】さらに、シンチレータは、例えばアモルフ
ァスカーボン基材などを研磨する工程と、アモルファス
カーボン基材などを洗浄する工程と、アモルファスカー
ボン基材などに絶縁層を形成する工程と、絶縁層に反射
層を形成する工程と、反射層に蛍光体を形成する工程
と、上記各層を覆うように保護層を形成する工程とによ
って製造されている。Further, in the scintillator, for example, a step of polishing an amorphous carbon base material, a step of cleaning the amorphous carbon base material, etc., a step of forming an insulating layer on the amorphous carbon base material, and a reflecting layer on the insulating layer. Is formed, a step of forming a phosphor on the reflective layer, and a step of forming a protective layer so as to cover each of the above layers.
【００３２】絶縁層は、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸
着法、プラズマ重合法、スピンナー法又はスプレー法で
形成している。なお、基材の表面を粗し、その表面に絶
縁層を形成すると、密着度が増すので好ましい。The insulating layer is formed by a sputtering method, a CVD method, a vacuum deposition method, a plasma polymerization method, a spinner method or a spray method. Note that it is preferable to roughen the surface of the base material and form an insulating layer on the surface because the degree of adhesion increases.
【００３３】ここで、絶縁層に２００℃以上の耐熱性を
必要とする理由は、蛍光体を形成する際に一般的に必要
とされる温度が２００℃以上に達するためであり、この
ような耐熱性を備えておけば、絶縁層の形成工程以外
は、従来の放射線検出装置の製造工程をそのまま用いる
ことができるので好ましい。The reason why the insulating layer needs to have a heat resistance of 200 ° C. or higher is that the temperature generally required for forming the phosphor reaches 200 ° C. or higher. It is preferable to have heat resistance because the conventional manufacturing process of the radiation detection apparatus can be used as it is, except for the insulating layer forming step.
【００３４】この電気化学的腐食の防止策によれば、図
６のようなシンチレータパネルの構成になる。According to this measure for preventing electrochemical corrosion, the scintillator panel is constructed as shown in FIG.
【００３５】図６は、導電性基材501上に絶縁層502、さ
らにその上に反射層503、蛍光体層504と積層していき、
最後に全周を保護層505で保護している。In FIG. 6, an insulating layer 502 is formed on a conductive base material 501, and a reflective layer 503 and a phosphor layer 504 are further stacked thereon,
Finally, the entire circumference is protected by a protective layer 505.
【００３６】[0036]
【発明が解決しようとする課題】図６により、電気化学
的腐食の対策は取られたが、図６での構成の場合、温度
70℃、90％の温湿度耐久試験を行うと、1000hで、ほぼ1
0％（10枚中１枚）の確率で、一部電気化学的腐食の発
生が見られた。Although the countermeasure against the electrochemical corrosion is taken according to FIG. 6, in the case of the configuration shown in FIG.
When the temperature and humidity endurance test of 70 ℃ and 90% is performed, it is almost 1 in 1000 hours.
Occurrence of electrochemical corrosion was partially observed with a probability of 0% (1 sheet out of 10).
【００３７】この原因としては、以下に挙げることが考
えられる。図６（ａ）はシンチレータパネルの断面図、
図６（ｂ）は図６（ａ）のシンチレータパネルの端部の
拡大図である。The following are possible causes for this. FIG. 6A is a sectional view of the scintillator panel,
FIG. 6B is an enlarged view of an end portion of the scintillator panel of FIG. 6A.
【００３８】絶縁層502上に反射層503が形成されている
が、絶縁層の形成エリア（形成領域）と反射層の形成エ
リア（形成領域）が等しく、図６（ｂ）からわかる通
り、端面がそろって形成されている。Although the reflective layer 503 is formed on the insulating layer 502, the insulating layer forming area (formation area) and the reflective layer forming area (formation area) are the same, and as shown in FIG. Are formed together.
【００３９】このように、端面がそろって形成されてい
ることにより、以下のような問題が発生する。
（１）反射層の回り込み
図７（ａ）は、従来の絶縁層502と反射層503の形成を示
したものである。本来、絶縁層502は、金属性の反射層5
03と導電性の基材501を絶縁する為に設けられ、絶縁を
行うことにより、反射層503の電気化学的腐食を防ぐ
が、金属性反射層503を形成する際に使用するスパッタ
は、ターゲットから飛び出した金属反射層粒子が、基材
501及び絶縁層502の端面および裏面に、ある範囲で回り
込む場合がある。As described above, since the end faces are aligned, the following problems occur. (1) Invasion of reflective layer FIG. 7A shows the formation of the conventional insulating layer 502 and reflective layer 503. Originally, the insulating layer 502 is the metallic reflection layer 5
It is provided to insulate 03 and the conductive base material 501, and by performing the insulation, it prevents electrochemical corrosion of the reflective layer 503, but the sputtering used when forming the metallic reflective layer 503 is a target. Metal reflective layer particles that popped out from the base material
There is a case where it goes around the end surface and the back surface of the insulating layer 502 and the insulating layer 502 within a certain range.
【００４０】その為、図７（ａ）のように、反射層503
が基材501及び絶縁層502の端面511に回りこみ、基材501
と反射層503が導通してしまう。Therefore, as shown in FIG. 7A, the reflective layer 503 is
Around the end surface 511 of the base material 501 and the insulating layer 502, and the base material 501
Then, the reflective layer 503 becomes conductive.
【００４１】このような、基材端面511の導通は、温湿
度耐久試験を行うことにより、電気化学的腐食が見られ
る。
（２）水分による導通
図７（ｂ）も従来の絶縁層502と反射層503の形成方法で
ある。Electrochemical corrosion can be seen in such continuity of the end face 511 of the base material by conducting a temperature and humidity durability test. (2) Conduction by Water FIG. 7B also shows a conventional method of forming the insulating layer 502 and the reflective layer 503.
【００４２】基材501と絶縁層502及び反射層503を積層
していき、蛍光体層504を形成する際、もしくは、反射
層保護膜を形成していく際に洗浄を行うことがある。蛍
光体層504を形成する際、異物上に形成してしまうと、
その領域で発光量が減少するからであり、また反射層保
護膜の場合も同様の理由である。Cleaning may be performed when the base material 501, the insulating layer 502, and the reflection layer 503 are laminated, and the phosphor layer 504 is formed or the reflection layer protective film is formed. When forming the phosphor layer 504, if it is formed on the foreign matter,
This is because the amount of light emission is reduced in that region, and the same reason is applied to the case of the reflective layer protective film.
【００４３】洗浄の際、基材501端面に水分512が付着す
ると反射層503と基材501の間で導通してしまい、電気化
学的腐食の原因となる。During cleaning, if water 512 adheres to the end surface of the base material 501, the reflective layer 503 and the base material 501 become electrically conductive, which causes electrochemical corrosion.
【００４４】また、温湿度耐久試験の際も、保護膜を通
じ湿気が端面に付着すると電気化学的腐食が促進され
る。
（３）反射層の密着力
図８（ａ）は、従来の基材501／絶縁層502／反射層503
の形成を示したものである。Also in the temperature and humidity durability test, if moisture adheres to the end surface through the protective film, electrochemical corrosion is promoted. (3) Adhesive Force of Reflective Layer FIG. 8A shows a conventional base material 501 / insulating layer 502 / reflection layer 503.
Shows the formation of
【００４５】反射層503を大面積に渡り形成する際、中
心から端面へ向かうに従い、絶縁層502に対する反射層5
03の密着力は弱くなる。（図の端部514部）
これは、通常、反射層をスパッタする際、基材501／絶
縁層502からターゲットまでの距離が、基材501／絶縁層
502の中心部で最も近く、また、基材501／絶縁層502の
端部が最も遠くなる為であると考えられる。（ターゲッ
トの大きさ ＜基材501／絶縁層502と考えた場合）その
為、端部514の絶縁層502と反射層503との間の密着力が
弱いため、この間からの剥がれることがあり、また、端
部514を起点にし、剥がれが内部方向へ進行することが
ある。
（４）表面（表皮）電流によるリーク
図８（ｂ）は、従来の基材501／絶縁層502／反射層503
の構成を示したものである。When forming the reflective layer 503 over a large area, the reflective layer 5 with respect to the insulating layer 502 goes from the center to the end face.
03's adhesion becomes weak. (End 514 in the figure) This is because when the reflective layer is sputtered, the distance from the base 501 / insulating layer 502 to the target is usually the base 501 / insulating layer.
It is considered that this is because the center is closest to the center of 502 and the end of the base material 501 / insulating layer 502 is the farthest. (When considering the size of the target <base material 501 / insulating layer 502) Therefore, since the adhesion between the insulating layer 502 and the reflective layer 503 at the end 514 is weak, it may peel off from between In addition, peeling may proceed inward from the end portion 514 as a starting point. (4) Leakage due to surface (skin) current FIG. 8B shows a conventional base material 501 / insulating layer 502 / reflection layer 503.
It shows the configuration of.
【００４６】従来の構成では、基材501／絶縁層502／反
射層503もしくは、絶縁層502／反射層503の形成エリア
（大きさ）が同じであり、端面が揃っている。In the conventional structure, the formation area (size) of the base material 501 / insulating layer 502 / reflection layer 503 or the insulating layer 502 / reflection layer 503 is the same and the end faces are aligned.
【００４７】その為、導電性の基材501と反射層503の距
離が端面515では、絶縁層502の厚み分しか離れていな
い。例えは、絶縁層502の厚みが1μｍの場合は、端面51
5での基材501−反射層503の距離は1μｍである。Therefore, the distance between the conductive base material 501 and the reflective layer 503 is separated by the thickness of the insulating layer 502 at the end surface 515. For example, when the thickness of the insulating layer 502 is 1 μm, the end face 51
The distance between the substrate 501 and the reflective layer 503 at 5 is 1 μm.
【００４８】基材501／絶縁層502／反射層503の端面515
には、微小な表面（表皮）電流が流れる。その表面電流
は、導電性である基材501と反射層503間に流れるのだ
が、その大きさは、基材501と反射層503の距離に反比例
し、距離が長い程表面電流は流れ難くなる。Base material 501 / insulating layer 502 / end surface 515 of reflective layer 503
A minute surface (skin) current flows through. The surface current flows between the conductive base material 501 and the reflective layer 503, but its size is inversely proportional to the distance between the base material 501 and the reflective layer 503, and the longer the distance, the more difficult the surface current flows. .
【００４９】また、電気化学的腐食は、導電性である基
材501と反射層503の間に電流が流れることにより発生す
る。その為、基材501と反射層503の距離を可能な限り広
げる必要がある。Electrochemical corrosion is caused by the flow of current between the conductive base material 501 and the reflective layer 503. Therefore, it is necessary to increase the distance between the base 501 and the reflective layer 503 as much as possible.
【００５０】電気化学的腐食に対する温湿度耐久性を向
上させるには、以上（１）〜（４）までの原因を解決す
ることが求められる。In order to improve the temperature / humidity durability against electrochemical corrosion, it is required to solve the above causes (1) to (4).
【００５１】[0051]
【課題を解決するための手段】本発明のシンチレータパ
ネルは、蛍光体層を支持するための基材と、前記蛍光体
層で変換された光を該基材側とは反対の側へ反射させる
反射層とを備えたシンチレータパネルにおいて、前記基
材と前記反射層との間に該反射層の腐食を防止する絶縁
層を形成し、さらに該反射層の形成領域よりも該絶縁層
の形成領域を大きくしたことを特徴とする。The scintillator panel of the present invention reflects a base material for supporting a phosphor layer and the light converted by the phosphor layer to a side opposite to the side of the base material. In a scintillator panel including a reflective layer, an insulating layer for preventing corrosion of the reflective layer is formed between the base material and the reflective layer, and the insulating layer forming region is more formed than the reflective layer forming region. It is characterized by increasing.
【００５２】また、本発明のシンチレータパネルは、蛍
光体層を支持するための基材と、前記蛍光体層で変換さ
れた光を該基材側とは反対の側へ反射させる反射層とを
備えたシンチレータパネルにおいて、反射層の基材面側
及び蛍光体層側及び端面を含める全周を絶縁層もしくは
反射層保護膜で覆うことを特徴とする。Further, the scintillator panel of the present invention comprises a base material for supporting the phosphor layer and a reflective layer for reflecting the light converted by the phosphor layer to the side opposite to the side of the base material. In the provided scintillator panel, the entire surface including the base material surface side of the reflective layer, the phosphor layer side and the end surface is covered with an insulating layer or a reflective layer protective film.
【００５３】以下、本発明について図面を用いて説明す
る。The present invention will be described below with reference to the drawings.
【００５４】図９（ａ），（ｂ）、図１０（ａ），
（ｂ）は、電気化学的腐食防止効果をより高めるための
手段である。9 (a), 9 (b), 10 (a),
(B) is a means for further enhancing the effect of preventing electrochemical corrosion.
【００５５】図９（ａ）、（ｂ）のように導電性基材50
1／絶縁層502上に反射層503を形成する際、反射層503を
絶縁層502端面に対し、隙間518を開けて形成する。As shown in FIGS. 9A and 9B, the conductive base material 50
1 / When the reflective layer 503 is formed on the insulating layer 502, the reflective layer 503 is formed with a gap 518 opened from the end surface of the insulating layer 502.
【００５６】反射層の隙間を開ける手段は、あらかじ
め、絶縁層502上にテープを張りマスキングする手法
や、スパッタ時に冶具を用いてマスキングする手法、ま
た、後で、端面のみエッチッグしてもかまわない。As means for opening the gaps in the reflection layer, a method of previously applying a tape on the insulating layer 502 for masking, a method of masking with a jig at the time of sputtering, or an end face may be etched later. .
【００５７】それにより、導電性の基材501と反射層503
との間に距離が開き、回り込みによる導通や水分吸着に
よる導通、表面電流も距離が長くなることにより抵抗が
増し、導電性の基材501と反射層503との絶縁効果が高ま
る。As a result, the conductive base material 501 and the reflective layer 503 are formed.
A distance is increased between them, and conduction due to wraparound, conduction due to water adsorption, and a longer surface current also increase resistance, increasing the insulating effect between the conductive base material 501 and the reflective layer 503.
【００５８】図１０（ａ）、（ｂ）は、図９（ａ）、
（ｂ）の構成のものに対し、反射層503上に反射層保護
層508を形成した例である。FIGS. 10A and 10B show FIGS.
This is an example in which a reflective layer protective layer 508 is formed on the reflective layer 503 in contrast to the structure of (b).
【００５９】この例のように、反射層503の全周を樹脂
等の絶縁性材料で囲むことにより電気化学的腐食の発生
は軽減され、特に端面を絶縁層502及び反射層保護層508
で覆うことにより、外部からの導通の要因、例えば水分
や異物等を完全に防ぐことが可能になる。By surrounding the entire circumference of the reflective layer 503 with an insulating material such as resin as in this example, the occurrence of electrochemical corrosion is reduced, and especially the end face is covered with the insulating layer 502 and the reflective layer protective layer 508.
By covering with, it becomes possible to completely prevent a factor of electrical conduction from the outside, for example, moisture or foreign matter.
【００６０】また、端部のみ絶縁を強化したい場合に
は、反射層保護層508と絶縁層502に同材料を用い端部の
密着を良くしたり、端部のみプラズマ処理やコロナ放電
処理によりヌレ性を高め密着をよくすることも可能であ
る。When it is desired to strengthen the insulation only at the ends, the same material is used for the reflection layer protective layer 508 and the insulating layer 502 to improve the adhesion of the ends, or only the ends are treated by plasma treatment or corona discharge treatment. It is also possible to improve the adhesiveness and improve the adhesion.
【００６１】また、端部の面を粗面化することによって
も、凹凸の分だけ、基材−反射層間の距離が長くなるの
で、表面電流は流れにくくなる。Also, by roughening the end surface, the distance between the base material and the reflective layer becomes longer by the amount of the unevenness, so that the surface current becomes difficult to flow.
【００６２】このほかにも、反射層自体ではなく、導電
性基材をディッピング等の手法で、絶縁層により全周覆
うことも効果的な手法である。Besides this, it is also effective to cover the entire circumference of the conductive base material with the insulating layer by a method such as dipping, instead of the reflective layer itself.
【００６３】[0063]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００６４】まず、本発明の実施形態の放射線検出装置
の原理について簡単に説明する。本発明の実施形態の放
射線検出装置は、シンチレータパネルを構成するアモル
ファスカーボンなどの基材と、腐食されやすいアルミニ
ウムなどの反射層との間に、反射層の電気化学的な腐食
を防止する絶縁層であって、耐熱性を有する層を形成す
る。First, the principle of the radiation detecting apparatus according to the embodiment of the present invention will be briefly described. The radiation detection apparatus according to the embodiment of the present invention includes an insulating layer that prevents electrochemical corrosion of the reflective layer between the base material such as amorphous carbon that forms the scintillator panel and the reflective layer that is easily corroded such as aluminum. That is, a layer having heat resistance is formed.
【００６５】すなわち絶縁層は、反射層や蛍光体などの
形成プロセス時に高温状態となるような場合には耐熱性
を有する必要がある。That is, the insulating layer needs to have heat resistance when it is in a high temperature state during the process of forming the reflective layer, the phosphor, and the like.
【００６６】導電性を有する材料としては、カーボンを
成分として有するものが用いられ、特にアモルファスカ
ーボンが好適に利用される。As a material having conductivity, a material containing carbon as a component is used, and amorphous carbon is particularly preferably used.
【００６７】絶縁層は、たとえば２００℃以上の熱に耐
えられるようにしておけば、反射層やアルカリハライド
からなる柱状結晶蛍光体などの蛍光体層を形成する際に
かかる熱に耐えられるようになる。If the insulating layer can withstand heat of, for example, 200 ° C. or higher, it can withstand the heat applied when forming a phosphor layer such as a reflective layer or a columnar crystal phosphor made of an alkali halide. Become.
【００６８】また、絶縁層は、単層でも多層でもよい
が、少なくとも反射層との接触部に相当する絶縁層の体
積抵抗率が１×１０10Ωｃｍ以上であることが望まし
い。これは、体積抵抗率が、ほぼ１×１０8Ωｃｍ以下
までは半導体の領域であり、この領域であれば、状態の
変化たとえば、温度の上昇などによって、抵抗率が変化
する可能性があり、完全な絶縁を得ることは難しいの
で、これにマージンを含んだ値としたものである。ちな
みに、半導体のシリコン単体の体積抵抗率は３×１０ 5
Ωｃｍ、ＧａＡｓでは７×１０7Ωｃｍである。The insulating layer may be a single layer or multiple layers.
Is the body of the insulating layer corresponding to at least the contact portion with the reflective layer
Product resistivity is 1 × 10TenΩcm or more is desired
Yes. This has a volume resistivity of about 1 × 10.8Ωcm or less
Is a semiconductor area, and if this area is
Change Resistivity changes due to, for example, an increase in temperature
Can be hard to get full insulation
Then, this is a value including a margin. China
In addition, the volume resistivity of the silicon simple substance of the semiconductor is 3 × 10. Five
Ωcm, 7 × 10 for GaAs7Ωcm.
【００６９】シリコンの化合物を形成すれば、光学バン
ドギャップが広くなり体積抵抗率が１×１０10Ωｃｍ以
上の絶縁物となる。ちなみに、ＳｉＯX、ＳｉＮXなどは
全てこれを満足する材料である。さらに、このようなシ
リコン化合物はカーボンと化学結合しやすく、ＳｉＣな
どは非常に硬い材料であることが知られている。When a compound of silicon is formed, the optical band gap is widened and the volume resistivity becomes an insulator of 1 × 10 10 Ωcm or more. Incidentally, SiO x , SiN x, etc. are all materials that satisfy this requirement. Further, it is known that such a silicon compound is likely to chemically bond with carbon, and SiC or the like is a very hard material.
【００７０】半導体分野では配線材料としてＡｌ及びＡ
ｌ合金薄膜が一般的に用いられており、シリコン化合物
との密着は半導体デバイスとして実績がある。一方、プ
ラズマ重合より得られるテトラアルキルシラン(Ｓｉ−
ＯＲ、Ｒ＝ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ 3Ｈ7）は、１×１０10Ω
ｃｍ以上の絶縁性があり、カーボンを主体とした有機材
料と金属とのカップリング層として実用化されているも
のである。In the semiconductor field, Al and A are used as wiring materials.
l alloy thin films are commonly used, and silicon compounds
The close contact with has a track record as a semiconductor device. On the other hand,
Tetraalkylsilane (Si-
OR, R = CH3, C2HFive, C 3H7) Is 1 × 10TenΩ
An organic material mainly composed of carbon that has an insulation property of more than cm
It has been put to practical use as a coupling layer between metal and metal.
Of.
【００７１】この材料はプラズマ重合により形成される
ので、アルキル基の炭素数が１〜３程度であれば、２０
０℃以上の耐熱性も有するものである。つまり、シリコ
ンを含む材料は導電性を有する基材と反射層との間の絶
縁耐熱層として機能するし、密着性もよい。Since this material is formed by plasma polymerization, if the number of carbon atoms in the alkyl group is about 1 to 20,
It also has a heat resistance of 0 ° C. or higher. That is, the material containing silicon functions as an insulating and heat-resistant layer between the conductive base material and the reflective layer, and has good adhesion.
【００７２】金属酸化膜は、安定した絶縁物質なので、
ほとんどは、１×１０10Ωｃｍ以上の体積抵抗率と２０
０℃以上の耐熱性を有する。ちなみに、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＣｅＯ、ＨｆＯ2、Ｔ
ｈＯ2、ＵＯ2、ＺｒＯ2などを具体的に用いることがで
きる。但し、これらは、組成比が変化すると半導体転移
を示すものもあるため、組成比が変化しないようにす
る。Since the metal oxide film is a stable insulating material,
Most have a volume resistivity of 1 × 10 10 Ωcm or more and 20
It has heat resistance of 0 ° C or higher. By the way, Al 2 O 3 , Si
O 2 , TiO 2 , MgO, BeO, CeO, HfO 2 , T
Specific examples include hO 2 , UO 2 , and ZrO 2 . However, some of them show semiconductor transition when the composition ratio changes, so that the composition ratio should not change.
【００７３】また、ポリイミド、ジビニルシロキサンビ
スベンゾブテン系樹脂、メチルシルセスキオキサン系樹
脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエ
ーテルイミド、芳香族ポリエステルなどは、全て体積抵
抗率１×１０10Ωｃｍ以上で、２００℃以上の耐熱性を
有する絶縁材料である。これらの耐熱性樹脂を使用する
場合は、シリコンを含む材料を用いる場合に比べ、膜厚
を厚くできるので、下地の粗れやゴミによる絶縁破壊を
起こす可能性が減少する。Further, polyimide, divinylsiloxane bisbenzobutene resin, methylsilsesquioxane resin, polyamide imide, polyether sulfone, polyether imide, aromatic polyester, etc. are all volume resistivity of 1 × 10 10 Ωcm or more. And is an insulating material having a heat resistance of 200 ° C. or higher. When these heat resistant resins are used, the film thickness can be made thicker than the case where a material containing silicon is used, so that the possibility of causing dielectric breakdown due to roughening of the base or dust is reduced.
【００７４】ちなみに、シリコンを含む材料を用いる場
合は自身の内部応力の影響から厚くしすぎることはでき
ないため、一般的には数１０ｎｍ〜数１００ｎｍにする
のが適切であるが、耐熱性樹脂は数１００ｎｍ〜数１０
０００ｎｍの範囲で制御が可能である。さらに、これら
の樹脂はカーボンを含むため、カーボンとの密着性は良
好であるが、下地を凹凸差が０．０２μｍ以上に粗らし
てアンカー効果をもたせることで、更に密着力を向上さ
せることが可能である。Incidentally, when a material containing silicon is used, it cannot be made too thick due to the influence of its own internal stress. Therefore, it is generally appropriate to set it to several tens nm to several hundreds nm, but the heat resistant resin is Several hundred nm to several tens
It can be controlled in the range of 000 nm. Further, since these resins contain carbon, the adhesion to carbon is good, but the adhesion can be further improved by roughening the base to a roughness difference of 0.02 μm or more to provide an anchor effect. It is possible.
【００７５】その際、樹脂の表面は平坦化されるので、
反射層の平坦性を確保し、鏡面を維持することが可能で
ある。但し、凹凸差が５μｍを超えると、上記の平坦化
効果が減少してしまうので、０．０２μｍから５μｍに
納まるようにするとよい。Ａｌとの密着性に関しては、
弱い組み合わせもあるが、Ａｌ成膜前に何らかの表面処
理、たとえば逆スパッタを行なえば密着力が向上する。At this time, since the surface of the resin is flattened,
It is possible to secure the flatness of the reflective layer and maintain the mirror surface. However, if the unevenness difference exceeds 5 μm, the above-described flattening effect is reduced, so it is preferable to set it within 0.02 μm to 5 μm. Regarding the adhesion with Al,
Although there are weak combinations, the adhesion can be improved by performing some kind of surface treatment before forming the Al film, for example, reverse sputtering.
【００７６】これらシリコンを含む材料、金属酸化膜、
及び耐熱性樹脂はどちらも密着力のよいものであるが、
更なる効果をもたせるにために、これらから選ばれる複
数の材料を積層してもかまわない。この場合は、少なく
とも金属薄膜と接触する層に１×１０10Ωｃｍ以上の絶
縁性を持たせればよく、その下の層の抵抗率を問うもの
ではない。A material containing these silicon, a metal oxide film,
And both heat-resistant resins have good adhesion,
A plurality of materials selected from these materials may be laminated in order to have a further effect. In this case, at least the layer in contact with the metal thin film should have an insulating property of 1 × 10 10 Ωcm or more, and the resistivity of the layer thereunder does not matter.
【００７７】また、アモルファスカーボンとの接触層は
できる限りアモルファスカーボンとの密着性の高い材料
を、Ａｌとの接触層はできる限りＡｌとの密着性の高い
材料を選ぶとよい。もしも、積層する層同士の密着性が
悪くなる場合は、組成を漸進的に変化させるとよい。For the contact layer with amorphous carbon, it is preferable to select a material having the highest adhesiveness with the amorphous carbon and for the contact layer with Al, the highest adhesiveness with the Al. If the adhesion between the laminated layers becomes poor, the composition may be gradually changed.
【００７８】（実施形態１）図１（ａ）〜（ｅ）は、本
発明の実施形態１の放射線検出装置の模式的な断面図で
ある。(Embodiment 1) FIGS. 1 (a) to 1 (e) are schematic sectional views of a radiation detecting apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
【００７９】図１（ａ）において、シンチレータを形成
する為の基材には、導電性でＸ線の吸収の少ないアモル
ファスカーボン101を使用し、表面粗さ＝０．２μｍに
粗し、この上に積層する絶縁層との密着力をアンカー効
果により高める。In FIG. 1A, as the base material for forming the scintillator, amorphous carbon 101, which is conductive and has a small X-ray absorption, is used, and the surface roughness is roughened to 0.2 μm. The adhesion effect with the insulating layer to be laminated on is increased by the anchor effect.
【００８０】このアモルファスカーボン上101に絶縁層
を設けるのだが、絶縁層の材料は、耐熱性が200℃以上
で、体積抵抗率が１×１０10Ω以上であるポリイミド樹
脂102を使用する。An insulating layer is provided on the amorphous carbon 101. As a material for the insulating layer, a polyimide resin 102 having a heat resistance of 200 ° C. or higher and a volume resistivity of 1 × 10 10 Ω or higher is used.
【００８１】ポリイミド樹脂102は、スピンコート法に
より、厚さが５μｍになるよう塗布・キュアする。The polyimide resin 102 is applied and cured by spin coating so as to have a thickness of 5 μm.
【００８２】図１（ｂ）は、アモルファスカーボン101
／ポリイミド樹脂102上に反射層を形成する際の模式図
である。FIG. 1B shows an amorphous carbon 101.
FIG. 6 is a schematic diagram when forming a reflective layer on a / polyimide resin 102.
【００８３】反射層材料としては、可視光域ほぼ全域に
おいて高反射率を示すアルミニウム103をスパッタす
る。As the material of the reflective layer, aluminum 103 having a high reflectance in almost the entire visible light range is sputtered.
【００８４】スパッタする際は、基板ホルダー104によ
り、図１（ｅ）に示すようにアモルファスカーボン101
／ポリイミド樹脂102の外周端部105を６ｍｍマスキング
できるようにしておく。At the time of sputtering, the substrate holder 104 is used to remove the amorphous carbon 101 as shown in FIG.
/ The outer peripheral edge 105 of the polyimide resin 102 can be masked by 6 mm.
【００８５】このように、基板ホルダー104により、外
周部をマスキングし、アルミニウム103の形成エリア
（形成領域）を限定し、アモルファスカーボン101／ポ
リイミド樹脂102の端部に回り込まないようにすること
により、アルミニウム103とアモルファスカーボン101の
距離を空けることができる。As described above, by masking the outer peripheral portion with the substrate holder 104 to limit the area (formation area) in which the aluminum 103 is formed, and to prevent the area from wrapping around the edge of the amorphous carbon 101 / polyimide resin 102, The distance between the aluminum 103 and the amorphous carbon 101 can be increased.
【００８６】それにより、アルミニウム103の回り込み
によるアモルファスカーボン101とアルミニウム103との
絶縁を確保し、さらに水分吸着による導通や表面電流の
影響を緩和することができる。As a result, the insulation between the amorphous carbon 101 and the aluminum 103 due to the wraparound of the aluminum 103 can be ensured, and the effect of conduction and surface current due to water adsorption can be mitigated.
【００８７】図１（ｃ）は、図１（ｂ）の基板にアルカ
リハライドからなる柱状結晶蛍光体、例えばＣｓＩ（ヨ
ウ化セシウム）107を蒸着し、その後、基板全体を保護
層としてパリレン108で覆ったものである。In FIG. 1C, a columnar crystal phosphor made of an alkali halide, for example, CsI (cesium iodide) 107 is vapor-deposited on the substrate of FIG. 1B, and then the whole substrate is covered with parylene 108 as a protective layer. It is covered.
【００８８】ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）107の蒸着は、
真空蒸着により行い、その際基板温度が200℃前後まで
上昇するが、絶縁層に耐熱性のポリイミド樹脂102を使
用しているため、溶解によるアモルファスカーボン101
及びアルミニウム102間の絶縁破壊は起こらない。Deposition of CsI (cesium iodide) 107
It is carried out by vacuum vapor deposition, and the substrate temperature rises to around 200 ° C. at that time, but since the heat-resistant polyimide resin 102 is used for the insulating layer, the amorphous carbon 101 due to melting is used.
Dielectric breakdown between the aluminum and the aluminum 102 does not occur.
【００８９】また、保護層としてのパリレン108は、透
過率が高く、又透湿度の低い材料で、蛍光体層−センサ
パネル間に形成する材料としては適した材料で、ＣＶＤ
（化学気相成長法）により基板全周をコーティングす
る。Parylene 108 as a protective layer is a material having a high transmittance and a low moisture permeability, which is suitable as a material formed between the phosphor layer and the sensor panel.
The entire circumference of the substrate is coated by (chemical vapor deposition method).
【００９０】図１（ｄ）に示すように、このようにして
できたシンチレータパネル120を熱硬化型アクリル系樹
脂118によりセンサパネルに貼り合わせ放射線撮像装置
となる。As shown in FIG. 1D, the scintillator panel 120 thus formed is attached to the sensor panel by the thermosetting acrylic resin 118 to form a radiation image pickup device.
【００９１】図１（ｄ）において、90はセンサパネルで
あり、ガラス基板91と、アモルファスシリコンを用いた
フォトセンサー及びＴＦＴからなる光電変換素子部92
と、光電変換素子部92で変換された電気信号を伝送する
配線部93と、配線部93を伝送された電気信号を外部に取
り出す電極取り出し部94と、窒化シリコン等よりなる第
一の保護層95と、ポリイミド等よりなる第二の保護層96
とを備えている。In FIG. 1D, 90 is a sensor panel, which is a glass substrate 91 and a photoelectric conversion element section 92 composed of a photosensor and TFT using amorphous silicon.
A wiring portion 93 for transmitting the electric signal converted by the photoelectric conversion element portion 92, an electrode lead-out portion 94 for taking out the electric signal transmitted through the wiring portion 93 to the outside, and a first protective layer made of silicon nitride or the like. 95 and a second protective layer 96 made of polyimide or the like
It has and.
【００９２】センサパネル90とシンチレータ120とは、
接着剤118により貼り合わされ、その周囲を封止材109に
よって封止されている。なお、光電変換素子部92は、蛍
光体層107からの可視光を検知できる物であればよく、
センサーとしてはアモルファスシリコンなどからなるＭ
ＩＳ型のものやＰＩＮ型のもの、スイッチとしては、Ｔ
ＦＴやＰＩＮ型ダイオードスイッチのものでもよい。更
にはＣＭＯＳセンサーやＣＣＤ撮像素子を用いてもかま
わない。この場合、基板101はクリスタルシリコンを用
いることになる。The sensor panel 90 and the scintillator 120 are
They are bonded together with an adhesive 118, and the periphery thereof is sealed with a sealing material 109. The photoelectric conversion element section 92 may be any object that can detect visible light from the phosphor layer 107,
As a sensor, M made of amorphous silicon
IS type and PIN type switches, T
It may be an FT or PIN diode switch. Furthermore, a CMOS sensor or CCD image sensor may be used. In this case, the substrate 101 uses crystal silicon.
【００９３】また、図１に示す放射線撮像装置を用途に
応じて複数枚タイリングしてもよい。さらに、シンチレ
ータパネル120は、図１の上から、基材101、絶縁層10
2、反射層103、蛍光体107の順になるように積層してい
る場合を例に図示しているが、反射層103、絶縁層102、
基材101、蛍光体107の順になるように積層してもよい。Further, a plurality of the radiation image pickup apparatus shown in FIG. 1 may be tiled depending on the application. Further, the scintillator panel 120 is composed of the base material 101 and the insulating layer 10 from the top of FIG.
2, the reflective layer 103, the phosphor 107 is illustrated in the case of being laminated in this order, the reflective layer 103, the insulating layer 102,
The base material 101 and the phosphor 107 may be laminated in this order.
【００９４】本実施形態では、絶縁層102としてポリイ
ミドの例を示したが、これ以外にもジビニルシロキサン
ビスベンゾブテン系樹脂、メチルシルセスキオキサン系
樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリ
エーテルイミド、芳香族ポリエステル等を用いてもよ
い。さらに、基材101に用いる材料との密着性のよい樹
脂であれば粗らす必然性はない。In this embodiment, an example of polyimide is shown as the insulating layer 102, but other than this, divinylsiloxane bisbenzobutene resin, methylsilsesquioxane resin, polyamideimide, polyethersulfone, polyetherimide. Alternatively, aromatic polyester or the like may be used. Further, it is not necessary to roughen the resin as long as it is a resin having good adhesion to the material used for the base material 101.
【００９５】絶縁層102として上記のような有機材料を
用いれば厚く（数μｍ〜２０μｍ）形成することができ
るので、異物等による絶縁破壊に対しては強い構造とな
るというメリットと、基材101を鏡面研磨する必要がな
い分、コストが安いというメリットがある。Since the insulating layer 102 can be formed thick (several .mu.m to 20 .mu.m) by using the above-mentioned organic material, it has a merit that it has a strong structure against dielectric breakdown due to foreign matter and the base material 101. Since it does not need to be mirror-polished, it has the advantage of low cost.
【００９６】（実施形態２）図２（ａ）、（ｂ）は、本
発明の実施形態２のシンチレータパネルの模式的な断面
図である。図２（ｂ）は図２（ａ）の一部１２１の拡大
図である。(Second Embodiment) FIGS. 2A and 2B are schematic sectional views of a scintillator panel according to a second embodiment of the present invention. FIG. 2B is an enlarged view of the part 121 of FIG.
【００９７】基材・反射層・絶縁層の使用する材料及び
形成方法は、実施形態１と同様である。The materials used for the base material, the reflective layer and the insulating layer and the forming method are the same as those in the first embodiment.
【００９８】実施形態２では、反射層としてのアルミニ
ウム102を基板ホルダーによりマスキングしながらスパ
ッタした後、その上層に反射層保護膜として絶縁層と同
じ材料のポリイミド樹脂119をスピンコートにより形成
する。In the second embodiment, after aluminum 102 as a reflective layer is masked by a substrate holder and sputtered, a polyimide resin 119 made of the same material as the insulating layer is formed thereon as a reflective layer protective film by spin coating.
【００９９】このように、反射層としてのアルミニウム
103を、絶縁層としてのポリイミド樹脂102及び反射層保
護膜としてのポリイミド樹脂119で両面覆うことによ
り、同時にアルミニウム103の端面も覆われる為、アモ
ルファスカーボン101との絶縁を強めることができる。Thus, aluminum as the reflection layer
By covering both sides of 103 with the polyimide resin 102 as the insulating layer and the polyimide resin 119 as the reflection layer protective film, the end face of the aluminum 103 is also covered at the same time, so that the insulation with the amorphous carbon 101 can be strengthened.
【０１００】また、絶縁層としてのポリイミド樹脂102
と反射層保護膜としてのポリイミド樹脂119のようにア
ルミニウム103を挟みこむ際に、同材料を使用すること
により、端部122での絶縁層と反射層保護膜の密着を高
めることができ、アルミニウムの剥がれを防止できる。Also, the polyimide resin 102 as an insulating layer
When sandwiching the aluminum 103 like the polyimide resin 119 as the reflection layer protective film, by using the same material, it is possible to enhance the adhesion between the insulating layer and the reflection layer protective film at the end 122, aluminum It is possible to prevent peeling.
【０１０１】（実施形態３）図３は、本発明の実施形態
３のシンチレータパネルの模式的な断面図である。(Embodiment 3) FIG. 3 is a schematic sectional view of a scintillator panel according to Embodiment 3 of the present invention.
【０１０２】実施形態３は、実施形態２と層構成は同じ
で、基材／絶縁層／反射層／反射層保護膜／蛍光体層／
保護層の構成であり、使用材料も実施形態２と同様であ
る。The third embodiment has the same layer structure as that of the second embodiment, and includes base material / insulating layer / reflection layer / reflection layer protective film / phosphor layer /
It is the constitution of the protective layer, and the material used is also the same as in the second embodiment.
【０１０３】実施形態３では、反射層保護層としてのポ
リイミド樹脂123を形成する前に、端部123にヌレ性及び
密着性を高める為に、プラズマ124によりプラズマ処理
を行う。In the third embodiment, before forming the polyimide resin 123 as the reflection layer protective layer, plasma treatment is performed by the plasma 124 in order to improve the wetting property and the adhesion to the end portion 123.
【０１０４】プラズマ処理を行うことにより、粗面効果
・清掃効果・活性化が行われ、この後塗る反射層保護層
としてのポリイミド樹脂のヌレ性を高めることができ、
より、端部123の密着をよくし、反射層−基材間の絶縁
を高められる。By performing the plasma treatment, the roughening effect, the cleaning effect and the activation are performed, and the wettability of the polyimide resin as the reflection layer protective layer to be applied thereafter can be enhanced,
As a result, the adhesion of the end portion 123 can be improved and the insulation between the reflective layer and the base material can be enhanced.
【０１０５】また、プラズマ処理以外にも、コロナ放電
処理やIPA等の溶剤で清掃することによっても密着性は
高まる。In addition to the plasma treatment, the adhesion can be enhanced by corona discharge treatment or cleaning with a solvent such as IPA.
【０１０６】（実施形態４）図４（ａ）〜（ｃ）は、本
発明の実施形態４のシンチレータパネルの模式的な断面
図である。(Embodiment 4) FIGS. 4A to 4C are schematic sectional views of a scintillator panel according to Embodiment 4 of the present invention.
【０１０７】実施形態４では、実施形態２および３と層
構成および材料は同様である。The fourth embodiment has the same layer structure and the same materials as those of the second and third embodiments.
【０１０８】実施形態４では、図４（ａ）のように、基
材となるアモルファスカーボン125の端面に曲率半径Ｒ
となるように面取りを行う。In the fourth embodiment, as shown in FIG. 4A, the radius of curvature R is formed on the end surface of the amorphous carbon 125 as the base material.
Chamfer so that
【０１０９】実施形態４では、アモルファスカーボン12
5の厚み１ｍｍに対し面取り126を行い曲率半径Ｒ＝３ｍ
ｍとしている。In the fourth embodiment, amorphous carbon 12
Chamfer 126 for 5mm thickness 1mm and radius of curvature R = 3m
m.
【０１１０】このようにアモルファスカーボン125の端
面を面取りすることにより、まず、絶縁層を形成する際
にポリイミド樹脂127の端面への流れが良くなり、面取
りをしないときには、塗れなかった端面にポリイミド樹
脂127を塗れることができるようになる。By chamfering the end faces of the amorphous carbon 125 in this way, first, the flow to the end faces of the polyimide resin 127 is improved when the insulating layer is formed. You will be able to paint 127.
【０１１１】それにより、アモルファスカーボン125と
アルミニウム103との距離をより長く空けることができ
る。Thereby, the distance between the amorphous carbon 125 and the aluminum 103 can be made longer.
【０１１２】また、上層に形成する反射層保護層のポリ
イミド樹脂128も端面へ回り込むため、下地のポリイミ
ド樹脂127との接着距離（面積）も増し、より絶縁が強
化される。129はＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を蒸着して
作成された蛍光体層、130は保護層としてパリレンであ
る。Further, since the polyimide resin 128 of the reflection layer protective layer formed on the upper layer also wraps around to the end face, the adhesion distance (area) with the underlying polyimide resin 127 is increased, and the insulation is further strengthened. 129 is a phosphor layer formed by vapor deposition of CsI (cesium iodide), and 130 is parylene as a protective layer.
【０１１３】（実施形態５）図５（ａ）〜（ｄ）は、本
発明の実施形態５のシンチレータパネルの模式的な断面
図である。(Fifth Embodiment) FIGS. 5A to 5D are schematic sectional views of a scintillator panel according to a fifth embodiment of the present invention.
【０１１４】実施形態５では、図５（ａ）に示すように
基材であるアモルファスカーボン130に絶縁層としての
ポリイミド樹脂131を形成する際、ディッピングにより
行う。ディッピングにより絶縁層のポリイミド樹脂131
を形成するメリットは、アモルファスカーボン130の全
周に、耐熱性絶縁層のポリイミド樹脂131をコーティン
グできることである。In the fifth embodiment, as shown in FIG. 5A, when the polyimide resin 131 as the insulating layer is formed on the amorphous carbon 130 as the base material, dipping is performed. Insulation layer polyimide resin 131 by dipping
The advantage of forming is that the entire circumference of the amorphous carbon 130 can be coated with the polyimide resin 131 of the heat resistant insulating layer.
【０１１５】このように、アモルファスカーボン130の
全周にポリイミド樹脂131をコーティングすることによ
って、基材側の絶縁を行うことにより、図５（ｂ）に示
すように、アルミニウム等の反射層132の形成時におい
て、マスキングしながらのスパッタを行わずに済み、蛍
光体層の有効エリアをより広くとることができる。As described above, by coating the entire circumference of the amorphous carbon 130 with the polyimide resin 131 to insulate the base material side, as shown in FIG. 5B, the reflection layer 132 of aluminum or the like is formed. Sputtering while masking is not required at the time of formation, and the effective area of the phosphor layer can be made wider.
【０１１６】図５（ｃ）では、その反射層アルミニウム
132上にさらにディッピングにより、ポリイミド樹脂133
を全周に渡り形成し、その後、図５（ｄ）に示すように
蛍光体層CsI134を基板に対しほぼ全面に形成している。
そして、保護層135としてのパリレンを形成する。この
ようにして、シンチレータパネル136を形成する。In FIG. 5C, the reflection layer aluminum is used.
By further dipping on 132, polyimide resin 133
Over the entire circumference, and then, as shown in FIG. 5D, the phosphor layer CsI134 is formed over almost the entire surface of the substrate.
Then, parylene as the protective layer 135 is formed. In this way, the scintillator panel 136 is formed.
【０１１７】図６に示した形態（基材／絶縁層／反射層
／蛍光体層／保護層の構成で、反射層が絶縁層端面まで
形成されている）、実施形態１、実施形態２のそれぞれ
を、シンチレータパネル単体で同時に温湿度耐久試験を
行った際の結果を表１に記載する。In the form shown in FIG. 6 (base / insulating layer / reflective layer / phosphor layer / protective layer, the reflective layer is formed up to the end face of the insulating layer), Embodiment 1 and Embodiment 2 Table 1 shows the results when the scintillator panel alone was simultaneously subjected to the temperature and humidity durability test.
【０１１８】表１から明らかなように、図６の形態に比
べ、実施形態１、２の方が耐久性がよく、また、実施形
態２が最も耐久性が高いことがわかる。As is clear from Table 1, the durability of the first and second embodiments is higher than that of the embodiment shown in FIG. 6, and the second embodiment has the highest durability.
【０１１９】[0119]
【表１】
※条件：温度=70℃、湿度=90％
※評価はアルミニウムの電気化学的腐食が発生した時間
であり、目視で判定を行った。（斑点模様の発生有無）
（実施形態６）図１１は、本発明の実施形態６のＸ線診
断システムへ模式的な構成を示すブロック図である。Ｘ
線チューブ6050で発生したＸ線6060は患者あるいは被験
者6061の胸部6062を透過し、蛍光体を上部に実装した光
電変換装置6040に入射する。この入射したＸ線には患者6
061の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応
して蛍光体は発光し、これを光電変換して電気的情報を
得る。この情報は、ディジタルに変換されイメージプロセ
ッサ6070により画像処理され制御室のディスプレイ6080
で観察できる。[Table 1] * Condition: Temperature = 70 ° C, Humidity = 90% * Evaluation is the time when electrochemical corrosion of aluminum occurs, and was judged visually. (Presence or Absence of Spotted Pattern) (Embodiment 6) FIG. 11 is a block diagram showing a schematic configuration of an X-ray diagnostic system according to Embodiment 6 of the present invention. X
The X-rays 6060 generated by the X-ray tube 6050 are transmitted through the chest 6062 of the patient or subject 6061 and are incident on the photoelectric conversion device 6040 having a fluorescent substance mounted thereon. This incident X-ray has a patient 6
It contains internal information of 061. The phosphor emits light in response to the incidence of X-rays and photoelectrically converts this to obtain electrical information. This information is converted to digital and image-processed by the image processor 6070 and displayed in the control room display 6080.
Can be observed at.
【０１２０】また、この情報は電話回線6090等の伝送手
段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールーム
などディスプレイ6081に表示もしくは光ディスク等の保
存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断する
ことも可能である。またフィルムプロセッサ6100により
フィルム6110に記録することもできる。Further, this information can be transferred to a remote place by a transmission means such as a telephone line 6090, can be displayed on a display 6081 such as a doctor room at another place, or can be stored in a storage means such as an optical disc. It is also possible to diagnose. It can also be recorded on the film 6110 by the film processor 6100.
【０１２１】なお、本実施形態では、放射線検出装置
を、Ｘ線診断システムへ適用する場合について説明した
が、たとえば非破壊検査装置などの放射線撮像システム
にも適用することができる。Although the radiation detecting apparatus is applied to the X-ray diagnostic system in this embodiment, the radiation detecting apparatus can also be applied to a radiation imaging system such as a nondestructive inspection apparatus.
【０１２２】[0122]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
（１）反射層形成時の回り込みや吸着水分による反射層
と基材の導通を抑え、温湿度耐久による電気化学的腐食
の発生を抑制することができる。
（２）反射層の全周を絶縁層および反射層保護膜で覆う
ことにより、反射層の剥がれを抑制することができる。
（３）反射層−導電性基材間の距離を空けることによ
り、表面電流による電気化学的腐食の発生を抑制するこ
とができる。As described above, according to the present invention, (1) the occurrence of electrochemical corrosion due to temperature / humidity endurance by suppressing wraparound at the time of forming the reflective layer and conduction between the reflective layer and the substrate due to adsorbed moisture. Can be suppressed. (2) By peeling off the reflective layer by covering the entire circumference of the reflective layer with the insulating layer and the reflective layer protective film. (3) By providing a distance between the reflective layer and the conductive base material, the occurrence of electrochemical corrosion due to surface current can be suppressed.
【図１】本発明の実施形態１の放射線検出装置の模式的
な断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a radiation detection apparatus according to a first exemplary embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施形態２のシンチレータパネルの模
式的な断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a scintillator panel according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施形態３のシンチレータパネルの模
式的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a scintillator panel according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施形態４のシンチレータパネルの模
式的な断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view of a scintillator panel according to Embodiment 4 of the present invention.
【図５】本発明の実施形態５のシンチレータパネルの模
式的な断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view of a scintillator panel according to a fifth embodiment of the present invention.
【図６】本発明に関連するシンチレータパネルの模式的
な断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a scintillator panel related to the present invention.
【図７】図６に示すシンチレータパネルの課題を説明す
るための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining a problem of the scintillator panel shown in FIG.
【図８】図６に示すシンチレータパネルの課題を説明す
るための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining a problem of the scintillator panel shown in FIG.
【図９】本発明のシンチレータの構成を示す模式的な断
面図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a scintillator of the present invention.
【図１０】本発明のシンチレータの構成を示す模式的な
断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a scintillator of the present invention.
【図１１】本発明の実施形態６のＸ線診断システムへ模
式的な構成を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram showing a schematic configuration of an X-ray diagnostic system according to a sixth embodiment of the present invention.
101 アモルファスカーボン（基材） 102 ポリイミド樹脂（絶縁層） 103 アルミニウム（反射層） 104 基板ホルダー 105 アルミニウムのスパッタ時のマスキングエリア 106 アルミニウム（スパッタ時の方向） 107 CsI（ヨウ化セシウム） 108 パリレン（保護層） 109 シンチレータパネル 110 センサーパネル 111 ガラス基板 112 光電変換素子 113 配線部 114 窒化シリコン等による第一の保護層 115 ポリイミド等よりなる第二の保護層 116 熱硬化型アクリル系樹脂 117 電極取り出し部 118 封止材 119 ポリイミド樹脂（反射層保護膜） 120 シンチレータパネル 121 シンチレータパネル端部エリア 122 シンチレータパネル端部エリア 123 シンチレータパネル端部エリア 124 プラズマ 125 アモルファスカーボン 端部面取り（基材） 126 面取り Ｒ 127 ポリイミド樹脂（絶縁層） 128 ポリイミド樹脂（反射層保護膜） 129 CsI（ヨウ化セシウム） 130 パリレン（保護層） 131 ポリイミド樹脂（絶縁層） 132 アルミニウム（反射層） 133 ポリイミド樹脂（反射層保護膜） 134 CsI（ヨウ化セシウム） 135 パリレン（保護層） 136 シンチレータパネル 501 導電性基材 502 絶縁層 503 反射層 504 蛍光体層 505 保護層 506 シンチレータパネル 507 シンチレータパネル端部 508 反射層保護膜 509 シンチレータパネル 510 シンチレータパネル端部 511 反射層の回りこみ 512 吸着水分 514 反射層−絶縁層端部 515 反射層−基材間距離 516 シンチレータパネル 517 シンチレータパネル端部 518 反射層端部−絶縁層端部間の距離 519 シンチレータパネル 520 シンチレータパネル端部 101 Amorphous carbon (base material) 102 Polyimide resin (insulating layer) 103 Aluminum (reflection layer) 104 board holder 105 Masking area for aluminum spatter 106 Aluminum (direction during sputtering) 107 CsI (cesium iodide) 108 Parylene (protective layer) 109 scintillator panel 110 sensor panel 111 glass substrate 112 Photoelectric conversion element 113 Wiring part 114 First protective layer made of silicon nitride, etc. 115 Second protective layer made of polyimide, etc. 116 Thermosetting acrylic resin 117 Electrode take-out part 118 sealing material 119 Polyimide resin (reflection layer protective film) 120 scintillator panel 121 Scintillator panel edge area 122 Scintillator panel edge area 123 Scintillator panel edge area 124 plasma 125 Amorphous carbon Edge chamfer (base material) 126 chamfer R 127 Polyimide resin (insulating layer) 128 Polyimide resin (reflection layer protective film) 129 CsI (cesium iodide) 130 Parylene (protective layer) 131 Polyimide resin (insulating layer) 132 Aluminum (reflection layer) 133 Polyimide resin (reflection layer protective film) 134 CsI (cesium iodide) 135 Parylene (protective layer) 136 scintillator panel 501 conductive base material 502 insulating layer 503 reflective layer 504 phosphor layer 505 protective layer 506 scintillator panel 507 Scintillator panel edge 508 Reflective layer protective film 509 scintillator panel 510 scintillator panel edge 511 Wrap around the reflective layer 512 Adsorbed moisture 514 Reflective layer-Insulation layer edge 515 Distance between reflective layer and substrate 516 scintillator panel 517 Scintillator panel edge 518 Distance between reflective layer edge and insulating layer edge 519 scintillator panel 520 Scintillator panel edge
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ (72)発明者 小川 善広 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE29 FF02 GG16 GG19 GG20 JJ05 JJ09 JJ10 JJ37 KK32 4M118 AA08 AB01 BA05 BA10 BA14 CA02 CA05 CA32 CB06 CB07 CB11 FB09 FB13 GA10 GD15 HA25 5C024 AX11 AX16 GX07 5F088 BB03 BB07 EA04 JA17 LA07─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H04N 5/32 H01L 27/14 K (72) Inventor Yoshihiro Ogawa 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. F-term (reference) 2G088 EE01 EE29 FF02 GG16 GG19 GG20 JJ05 JJ09 JJ10 JJ37 KK32 4M118 AA08 AB01 BA05 BA10 BA14 CA02 CA05 CA32 CB06 CB07 CB11 FB07 FB11 BB17 AX17 BB07F07 AX11 AX11 AX11
Claims (19)
蛍光体層で変換された光を該基材側とは反対の側へ反射
させる反射層とを備えたシンチレータパネルにおいて、
前記基材と前記反射層との間に該反射層の腐食を防止す
る絶縁層を形成し、さらに該反射層の形成領域よりも該
絶縁層の形成領域を大きくしたことを特徴とするシンチ
レータパネル。1. A scintillator panel comprising: a base material for supporting a phosphor layer; and a reflective layer for reflecting the light converted by the phosphor layer to a side opposite to the side of the base material.
A scintillator panel characterized in that an insulating layer for preventing corrosion of the reflective layer is formed between the base material and the reflective layer, and the insulating layer forming region is made larger than the reflective layer forming region. .
際に必要な温度に耐えられる耐熱性を有していることを
特徴とする請求項１記載のシンチレータパネル。2. The scintillator panel according to claim 1, wherein the insulating layer has heat resistance capable of withstanding a temperature required for forming the phosphor layer.
下の材料からなることを特徴とする請求項１または２記
載のシンチレータパネル。3. The scintillator panel according to claim 1, wherein the base material is made of a material having a volume resistivity of 10 Ωcm or less.
む材料としていることを特徴とする請求項１から３のい
ずれか１項記載のシンチレータパネル。4. The scintillator panel according to claim 1, wherein the base material is a material containing amorphous carbon.
＝１ｍｍ以上の面取りをおこなっていることを特徴とす
る請求項１から４のいずれか１項記載のシンチレータパ
ネル。5. The chamfering of the end surface of the base material is performed so that the radius of curvature R
The scintillator panel according to any one of claims 1 to 4, wherein chamfering of = 1 mm or more is performed.
度に耐えられることを特徴とする請求項１から５のいず
れか１項記載のシンチレータパネル。6. The scintillator panel according to claim 1, wherein the insulating layer can withstand a temperature of at least 200 ° C.
ロキサンビスベンゾブテン系樹脂、メチルシルセスキオ
キサン系樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホ
ン、ポリエーテルイミド、又は芳香族ポリエステルより
なることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記
載のシンチレータパネル。7. The insulating layer is made of polyimide, divinylsiloxane bisbenzobutene-based resin, methylsilsesquioxane-based resin, polyamide imide, polyether sulfone, polyether imide, or aromatic polyester. The scintillator panel according to any one of claims 1 to 6.
面を凹凸差が０．０２μｍから５μｍとなるように粗ら
していることを特徴とする請求項１から６のいずれか１
項記載のシンチレータパネル。8. The substrate according to claim 1, wherein the surface on the side where the insulating layer is formed is roughened so that the unevenness difference is 0.02 μm to 5 μm.
The scintillator panel described in the item.
は金を含む材料であることを特徴とする請求項１から８
のいずれか１項記載のシンチレータパネル。9. The reflective layer is made of a material containing aluminum, silver, copper or gold.
The scintillator panel according to claim 1.
記蛍光体層で変換された光を該基材側とは反対の側へ反
射させる反射層とを備えたシンチレータパネルにおい
て、反射層の基材面側及び蛍光体層側及び端面を含める
全周を絶縁層もしくは反射層保護膜で覆うことを特徴と
するシンチレータパネル。10. A scintillator panel comprising: a base material for supporting a phosphor layer; and a reflective layer for reflecting light converted by the phosphor layer to a side opposite to the base material side. A scintillator panel, characterized in that an insulating layer or a reflective layer protective film covers the entire circumference of the layer including the base material surface side, the phosphor layer side and the end surface.
る際に必要な温度に耐えられるように耐熱性を有してい
ることを特徴とする請求項１０記載のシンチレータパネ
ル。11. The scintillator panel according to claim 10, wherein the insulating layer has heat resistance so as to withstand a temperature required for forming the phosphor layer.
以下の材料からなることを特徴とする請求項１０または
１１記載のシンチレータパネル。12. The substrate has a volume resistivity of 10 Ωcm.
The scintillator panel according to claim 10 or 11, wherein the scintillator panel is made of the following material.
含む材料としていることを特徴とする請求項１０から１
２のいずれか１項記載のシンチレータパネル。13. The method according to claim 10, wherein the base material is a material containing amorphous carbon.
The scintillator panel according to claim 1.
温度に耐えられることを特徴とする請求項１０から１３
のいずれか１項記載のシンチレータパネル。14. The insulating layer is capable of withstanding a temperature of at least 200 ° C.
The scintillator panel according to claim 1.
シロキサンビスベンゾブテン系樹脂、メチルシルセスキ
オキサン系樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスル
ホン、ポリエーテルイミド、又は芳香族ポリエステルよ
りなることを特徴とする請求項１０から１４のいずれか
１項記載のシンチレータパネル。15. The insulating layer is made of polyimide, divinylsiloxane bisbenzobutene-based resin, methylsilsesquioxane-based resin, polyamide imide, polyether sulfone, polyether imide, or aromatic polyester. The scintillator panel according to any one of claims 10 to 14.
の面を凹凸差が０．０２μｍから５μｍとなるように粗
らしていることを特徴とする請求項１０から１５のいず
れか１項記載のシンチレータパネル。16. The substrate according to claim 10, wherein the surface on the side where the insulating layer is formed is roughened so that the unevenness difference is 0.02 μm to 5 μm. The scintillator panel described in the item.
又は金を含む材料であることを特徴とする請求項１０か
ら１６のいずれか１項記載のシンチレータパネル。17. The scintillator panel according to claim 10, wherein the reflective layer is a material containing aluminum, silver, copper or gold.
のシンチレータパネルを光電変換素子を有するセンサパ
ネルに貼り合せてなる放射線撮像装置。18. A radiation imaging apparatus comprising the scintillator panel according to claim 1 attached to a sensor panel having a photoelectric conversion element.
置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理
手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号
処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記
信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段
と、前記放射線を発生させるための放射線発生源とを具
備することを特徴とする放射線検出システム。19. A signal processing unit for processing a signal from the radiation imaging apparatus according to claim 18, a recording unit for recording a signal from the signal processing unit, and a signal from the signal processing unit. A radiation detection system comprising: a display unit for displaying, a transmission processing unit for transmitting a signal from the signal processing unit, and a radiation generation source for generating the radiation.
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