JP2003072238A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速記録、高密度記録においても感度が高
く、記録特性が良好で、特に高パワーのレーザーでの記
録後、十分な信号振幅が得られる記録媒体の提供。 【解決手段】 少なくとも基板、記録層、反射層からな
る光記録媒体において、記録層が下記の特定の置換基を
少なくとも１つ有するフタロシアニン化合物であり、特
に波長６５０ｎｍ〜９００ｎｍにおける消衰係数の最大
値ｋmaxが０．９以上の化合物を使用する。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク記録材
料、情報記録、表示センサー、光カード等のオプトエレ
クトロニクス関連に有用であるフタロシアニン化合物を
記録層に含有して形成される光ディスク等の光記録媒体
に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトディスク（以下ＣＤと略す）
規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ（ＣＤ
−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が提案・開発されていること
は公知であり、情報記録用として広く普及している。

【０００３】このＣＤ−Ｒの記録、再生には一般に７８
０ｎｍの近赤外線半導体レーザーが用いられており、基
板上の有機色素等からなる記録層に、ヒートモードで信
号記録が行われる。即ち、記録層にレーザー光が照射さ
れると、有機色素は光吸収により熱を発生し、この発生
した熱により記録層にピットが形成される。信号記録
は、レーザー光を照射したときの、当該ピットが形成さ
れた部分とされていない部分との反射率の違いによって
検知される。ＣＤ−Ｒはレッドブックや、オレンジブッ
ク等のＣＤ規格に準拠しているため、ＣＤプレーヤーや
ＣＤ−ＲＯＭプレーヤーと互換性を有するという特徴を
有し、かつ近年急速に安価に提供されていることから、
パソコンの画像保存やバックアップ用、及び音楽用とし
て爆発的に広く普及してきた。現在、ＣＤ−Ｒプレーヤ
ーのレーザーパワーの向上と共に、１２倍速、１６倍速
記録が可能となり、当初ディスク１枚に７０分以上必要
とされていたものが５分以下に短縮されてきている。

【０００４】近年、２４倍速や３２倍速といった、高速
化への要求はとどまることを知らず、高速記録特性が良
好な記録媒体の必要性が高まっている。これまで、高速
記録特性を改善したフタロシアニン化合物が、特開平８
−２０９０１０、特開平８−２０９０１１、特開平１０
−４５７６１、ＷＯ９７／２３３５４に記載されてい
る。しかしながら、２４倍速以上の高速記録に際して十
分な記録特性を有する色素はいまだに開発されていない
のが現状である。

【０００５】ＣＤ−Ｒへの書き込み及び読み出しは、７
８０ｎｍ近傍のレーザー光を利用するので、レーザー発
振波長近傍における吸収係数、屈折率等の制御及び書き
込み時における精度の良いピット形成が重要である。記
録層にフタロシアニン化合物と金属錯体化合物を併
用することにより記録特性を改善させる方法が知られて
おり（特開平７−９８８８７号公報）、さらにはと
を記録層において併用するその具体的一形態として、
とを連結基を介して結合させた方法（ＷＯ ００／０
９５２２）も知られている。ところで、高速記録に際し
ては、短時間で正確なピットを形成する必要があること
から、レーザーの出力を大きくする必要がある。この結
果、ピット形成の際、より多くの熱が蓄積され、その余
熱が、周辺のピット形成に悪影響を及ぼし、ジッターや
デビエーションの値が悪化し、このことが、高速記録に
おける特性が悪化する原因と考えられている。その解決
の手段としては、色素膜を薄膜にし、熱の拡散を効率良
く行うことにより、レーザーを高パワーで照射しても良
好なピットが形成できることは知られていたが、読み出
しの際、信号振幅が小さくなり、時には規格を外れ、再
生できなくなるという問題点があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
ついて、高速記録、高密度記録においても感度が高く、
記録特性良好で、特に、高パワーのレーザーでの記録
後、十分な信号振幅が得られる光記録媒体を提供するこ
とである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前項の課
題を解決すべく鋭意検討の結果、本発明で用いた色素
は、良好なピット形成能を有するのみならず、膜にした
際に高い吸光度を有していることから、この色素を用い
て光記録媒体を作製した場合、高速記録において特に良
好な記録特性を有することを見出した。

【０００８】即ち本発明は、 少なくとも基板、記録層、反射層からなる光記録媒
体において、記録層に少なくとも１種の下記一般式
（１）で表されるフタロシアニン化合物を含有すること
を特徴とする光記録媒体、

【０００９】

【化４】

【００１０】〔式（１）中、Ｍは２個の水素原子、２価
の金属原子、３価又は４価の置換金属原子、又はオキシ
金属のいずれかを表し、Ｒ¹〜Ｒ¹⁶は、それぞれ独立に
水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換又は無置換の
総炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のアルキル基、置換又
は無置換の総炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のアルコキ
シ基、置換又は無置換の総炭素数１〜１０の直鎖又は分
岐のアルキルチオ基又は、下記式（ａ−１）〜（ａ−
９）で表される基から選択される置換基Ａを表し、Ｒ¹
〜Ｒ¹⁶の少なくとも一つは置換基Ａである。〕

【００１１】

【化５】

【００１２】〔式（ａ−１）〜（ａ−９）中、Ｙは置換
又は無置換の総炭素数１〜４のアルキレン基、置換又は
無置換の総炭素数２〜４のアルケニレン基、置換又は無
置換の総炭素数６〜１５のアリーレン基、又は置換又は
無置換の総炭素数３〜１５のヘテロアリーレン基を表
し、Ｚは置換又は無置換の総炭素数１〜１０のアルキル
基、置換又は無置換の総炭素数１〜１０のアルケニル
基、置換又は無置換の総炭素数３〜１５の脂環式化合物
基、置換又は無置換の総炭素数６〜１５のアリール基、
置換又は無置換の総炭素数７〜１５のアラルキル基、置
換又は無置換の総炭素数３〜１５のヘテロアリール基、
又は金属錯体を表し、Ｚ’は置換又は無置換の総炭素数
１〜１０のアルキル基、置換又は無置換の総炭素数１〜
１０のアルケニル基、置換又は無置換の総炭素数３〜１
５の脂環式化合物基、置換又は無置換の総炭素数６〜１
５のアリール基、置換又は無置換の総炭素数７〜１５の
アラルキル基、置換又は無置換の総炭素数３〜１５のヘ
テロアリール基を表し、Ｒ，Ｒ’はそれぞれ独立に、水
素、置換又は無置換の総炭素数１〜１０のアルキル基、
置換又は無置換の総炭素数６〜１５のアリール基を表
す。〕

【００１３】 前記フタロシアニン化合物における置
換基Ａが下記式（ｂ−１）〜（ｂ−５）で表される基か
ら選択されることを特徴とするの光記録媒体。

【００１４】

【化６】

【００１５】〔式（ｂ−１）〜（ｂ−５）中のＺ，
Ｚ’，Ｒ及びＲ’は、前記式（ａ−１）〜（ａ−９）に
おけるＺ，Ｚ’，Ｒ及びＲ’と同じ意味を表す。〕 前記フタロシアニン化合物における置換基Ａが式
（ｂ−１）〜（ｂ−３）で表される基から選択されるこ
とを特徴とするの光記録媒体。 前記フタロシアニン化合物における置換基Ａが式
（ｂ−１）で表される基であることを特徴とするの光
記録媒体。 前記フタロシアニン化合物は、波長６５０ｎｍ〜９
００ｎｍにおける消衰係数ｋの最大値をｋmaxとしたと
き、ｋmax≧０．９を満たすことを特徴とする乃至
のいずれかに記載の光記録媒体。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明における基板とは、基本的には記録
光及び再生光の波長で透明であればよい。基板の材質と
しては、例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹
脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリス
チレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の
無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法
等により円盤状に基板に成形される。必要に応じて、基
板表面に案内溝やピットを形成することもある。このよ
うな案内溝やピットは、基板の成形時に付与することが
望ましいが、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与
することもできる。

【００１７】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、最大吸収波長が６５０ｎｍ〜
９００ｎｍ付近に存在する一般式（１）で示されるフタ
ロシアニン化合物を含有する。中でも、７８０ｎｍ近傍
の記録及び再生レーザー波長に対して適度な光学定数
（光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表現される。式
中のｎ、ｋは、実数部ｎと虚数部ｋとに相当する係数で
ある。ここでは、ｎを屈折率、ｋを消衰係数とする。）
を有する必要がある。

【００１８】一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率
ｎと消衰係数ｋが大きく変化する特徴がある。再生光波
長をλ₁とすると、該λ₁において、ｎが１．８より小さ
い値になると正確な信号読み取りに必要な反射率と信号
変調度は得られず、ｋが０．４０を越えても反射率が低
下して良好な再生信号が得られないだけでなく、再生光
により信号が変化しやすく実用に適さない。この特徴を
考慮して、目的とするレーザー波長において好ましい光
学定数を有する有機色素を選択し記録層を成膜すること
で、高い反射率を有し、かつ、感度の良い媒体とするこ
とができる。

【００１９】また、６５０ｎｍ〜９００ｎｍの波長領域
において、ｋのとりうる最大値をｋmax（そのときの波
長をλmax）とすると、ｋmaxが０．９より小さいと信号
読み取りに必要な信号変調度を得るために記録層の膜厚
を厚くする必要があるが、高速記録においては、ピット
形成の際に発生する熱を効率よく発散させることができ
ないため信号特性が悪化することからｋmaxは０．９以
上が好ましく、より好ましくは１．０以上であり、更に
１．１以上であることが望ましい。

【００２０】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けてもよ
い。

【００２１】ここで、記録層における一般式（１）で示
されるフタロシアニン化合物の含有量は、３０％以上、
好ましくは６０％以上である。尚、実質的に１００％で
あることも好ましい。

【００２２】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００２３】スピンコート法等の塗布法を用いる場合に
は、一般式（１）で示されるフタロシアニン化合物を１
〜４０質量％、好ましくは３〜３０質量％となるように
溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この
際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが
好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリル
アルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テ
トラフルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジ
メチルシクロヘキサンなどの脂肪族又は脂環式炭化水素
系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭
化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロ
ロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系
溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ア
セトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンな
どのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエス
テル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用い
てもよく、あるいは、複数混合してもよい。

【００２４】尚、必要に応じて、記録層の色素を高分子
薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００２５】記録層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。記録層
の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きすぎる
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場
合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【００２６】次に記録層の上に形成される反射層につい
て説明する。反射層の厚さとしては、５０ｎｍ〜３００
ｎｍが好ましい。反射層の材料としては、再生光の波長
で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの
金属を単独あるいは合金にして用いることが可能であ
る。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層
の材料として適している。これ以外でも下記のものを含
んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、
Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐ
ｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属を挙げることがで
きる。また、Ａｕを主成分とするものは反射率の高い反
射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分と
いうのは含有率が５０％以上のものをいう。金属以外の
材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて
多層膜を形成し、反射層として用いることも可能であ
る。

【００２７】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設
けることもできる。

【００２８】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ
₄、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂は、そのまま若しくは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外
線を照射して硬化させることによって形成することがで
きる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンア
クリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアク
リレートなどのアクリレート樹脂を用いることができ
る。これらの材料は単独であるいは混合して用いてもよ
く、１層だけでなく多層膜にして用いてもよい。

【００２９】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【００３０】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍであ
る。

【００３１】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。また、反射層面に保護シート又は基
板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対
向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用
いてもよい。また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の
付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成
膜してもよい。

【００３２】次に、本発明で使用されるフタロシアニン
化合物について説明する。本発明で使用されるフタロシ
アニン化合物は、単位膜厚あたりの吸光度が大きく、媒
体化の際、色素層を薄膜にしたとき、高パワーのレーザ
ーで高速記録を行っても、熱の拡散が効率良く行われ、
良好な記録特性を示し、再生の際に十分な信号振幅が得
られる。

【００３３】本発明で使用されるフタロシアニン化合物
は、６５０〜９００ｎｍに吸収を有し、分子吸光係数も
高く、長期安定性、耐久性に優れるため、半導体レーザ
ーを用いる光記録媒体（光ディスク、光カード）等の記
録材料に好適である。

【００３４】式（１）中、Ｍで表される２価金属の例と
しては、Ｃｕ（II）、Ｚｎ（II）、Ｆｅ（II）、Ｃｏ
（II）、Ｎｉ（II）、Ｒｕ（II）、Ｒｈ（II）、Ｐｄ
（II）、Ｐｔ（II）、Ｍｎ（II）、Ｍｇ（II）、Ｔｉ
（II）、Ｂｅ（II）、Ｃａ（II）、Ｂａ（II）、Ｃｄ
（II）、Ｈｇ（II）、Ｐｂ（II）、Ｓｎ（II）など、１
置換３価金属の例としては、Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、
Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−
Ｉ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、
Ｉｎ−Ｆ、Ｔｌ−Ｃｌ、Ｔｌ−Ｂｒ、Ｔｌ−Ｉ、Ｔｌ−
Ｆ、Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₅、Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＨ₃）、Ｉｎ−Ｃ₆
Ｈ₅、Ｉｎ−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＨ₃）、Ｉｎ−Ｃ₁₀Ｈ₇、Ｍｎ
（ＯＨ）、Ｍｎ（ＯＣ₆Ｈ₅）、Ｍｎ［ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ₃）₃］、ＦｅＣｌ、ＲｕＣｌなどが挙げられる。２置
換の４価金属の例としては、ＣｒＣｌ₂、ＳｉＣｌ₂、Ｓ
ｉＢｒ₂、ＳｉＦ₂、ＳｉＩ₂、ＺｒＣｌ₂、ＧｅＣｌ₂、
ＧｅＢｒ₂、ＧｅＩ₂、ＧｅＦ₂、ＳｎＣｌ₂、ＳｎＢ
ｒ₂、ＳｎＩ₂、ＳｎＦ₂、ＴｉＣｌ₂、ＴｉＢｒ₂、Ｔｉ
Ｆ₂、Ｓｉ（ＯＨ）₂、Ｇｅ（ＯＨ）₂、Ｚｒ（ＯＨ）₂、
Ｍｎ（ＯＨ）₂、Ｓｎ（ＯＨ）₂、ＴｉＲ₂、ＣｒＲ₂、Ｓ
ｉＲ₂、ＳｎＲ₂、ＧｅＲ₂［Ｒはアルキル基、フェニル
基、ナフチル基及びその誘導体を表す］、Ｓｉ（Ｏ
Ｒ’）₂、Ｓｎ（ＯＲ’）₂、Ｇｅ（ＯＲ’）₂、Ｔｉ
（ＯＲ’）₂、Ｃｒ（ＯＲ’）₂［Ｒ’はアルキル基、ア
ルキルカルボニル基、フェニル基、ナフチル基、トリア
ルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基及びそ
の誘導体を表す］などが挙げられる。オキシ金属の例と
しては、ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯなどが挙げられる。これ
らの中で好ましくは、Ｃｕ（II）、Ｚｎ（II）、Ｆｅ
（II）、Ｃｏ（II）、Ｎｉ（II）、Ｒｕ（II）、Ｒｈ
（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）、Ｍｎ（II）、Ａｌ−
Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｉ、ＳｉＣｌ₂、
ＳｉＢｒ₂、ＴｉＣｌ₂、ＴｉＢｒ₂、ＴｉＦ₂、Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）₂、ＶＯが挙げられ、さらに好ましくはＣｕ（I
I）、Ｐｄ（II）が挙げられる。

【００３５】また、式（１）中、Ｒ¹〜Ｒ¹⁶で表される
置換又は無置換の総炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、ノニル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、ｔ−ブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジ
メチルプロピル基、シクロヘキシル基、１，３−ジメチ
ルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１，２
−ジメチルブチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２
−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１−エチ
ル−３−メチルブチル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プ
ロピルブチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブ
チル基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、２、
４−ジメチル−３−プロピル基、２−メチルペンチル
基、２−エチルヘキシル基、２−クロロエチル基、３−
ブロモプロピル基、２，２，３，３−テトラフルオロプ
ロピル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−
２−プロピル基、２−メトキシエチル基、２−エトキシ
エチル基、２−ブトキシエチル基、１−エトキシ−２−
プロピル基、３−メトキシプロピル基、３−メトキシ−
ブチル基、２、２−ジメチル−１、３ジオキソラン−４
−メトキシ基、１、３−ジエトキシ−２−プロポキシ
基、２−ジメチルアミノエチル基、２−ジエチルアミノ
エチル基、２−ジブチルアミノエチル基、２−ジエチル
アミノプロピル基、１、３−ジエチルチオ−２−プロピ
ル基等が挙げられ、

【００３６】置換又は無置換の総炭素数１〜１０の直鎖
又は分岐のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、
ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ
基、ノニルオキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｓｅｃ−
ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎｅｏ−ペンチルオキシ
基、１，２−ジメチルプロポキシ基、シクロヘキシルオ
キシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、１−ｉｓｏ−プ
ロピルプロポキシ基、１，２−ジメチルブトキシ基、
１，４−ジメチルペンチルオキシ基、２−メチル−１−
ｉｓｏ−プロピルプロポキシ基、１−エチル−３−メチ
ルブトキシ基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブト
キシ基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブトキシ
基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプロポキシ基、２、４
−ジメチル−３−プロポキシ基、２−メチルペンチルオ
キシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、２−クロロエト
キシ基、３−ブロモプロポキシ基、２，２，３，３−テ
トラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、２−メトキシエト
キシ基、２−エトキシエトキシ基、２−ブトキシエトキ
シ基、１−エトキシ−２−プロポキシ基、３−メトキシ
プロポキシ基、３−メトキシブトキシ基、２、２−ジメ
チル−１、３ジオキソラン−４−メトキシ基、１、３−
ジエトキシ−２−プロポキシ基、２−ジメチルアミノエ
トキシ基、２−ジエチルアミノエトキシ基、２−ジブチ
ルアミノエトキシ基、２−ジエチルアミノプロポキシ
基、１、３−ジエチルチオ−２−プロポキシ基等が挙げ
られ、

【００３７】置換又は無置換の総炭素数１〜１０の直鎖
又は分岐のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エ
チルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチル
チオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチ
オ基、ノニルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｓｅｃ
−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎｅｏ−ペンチル
チオ基、１，２−ジメチルプロピルチオ基、シクロヘキ
シルチオ基、１，３−ジメチルブチルチオ基、１−ｉｓ
ｏ−プロピルプロピルチオ基、１，２−ジメチルブチル
チオ基、１，４−ジメチルペンチルチオ基、２−メチル
−１−ｉｓｏ−プロピルプロピルチオ基、１−エチル−
３−メチルブチルチオ基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プ
ロピルブチルチオ基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピ
ルブチルチオ基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプロピル
チオ基、２、４−ジメチル−３−プロピルチオ基、２−
メチルペンチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、２
−クロロエチルチオ基、３−ブロモプロピルチオ基、
２，２，３，３−テトラフルオロプロピルチオ基、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピルチ
オ基、２−メトキシエチルチオ基、２−エトキシエチル
チオ基、２−ブトキシエチルチオ基、１−エトキシ−２
−プロピルチオ基、３−メトキシ−プロピルチオ基、３
−メトキシブチルチオ基、２、２−ジメチル−１、３ジ
オキソラン−４−メチルチオ基、１、３−ジエトキシ−
２−プロピルチオ基、２−ジメチルアミノエチルチオ
基、２−ジエチルアミノエチルチオ基、２−ジブチルア
ミノエチルチオ基、２−ジエチルアミノプロピルチオ
基、１、３−ジエチルチオ−２−プロピルチオ基等が挙
げられる。

【００３８】置換基Ａにおいて、式（ａ−１）〜（ａ−
９）中、Ｙで示される置換又は無置換の総炭素数１〜４
のアルキレン基として、メチレン基、エチレン基、プロ
ピレン基、ブチレン基、１−メチルエチレン基、２−メ
チルプロピレン基、１，２−ジメチルエチレン基、１−
クロロメチレン基、２−クロロエチレン基、３−ブロモ
プロピレン基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピ
レン基、１，１，２，２，２，３，３，３，４，４−デ
カフルオロブチレン基、２−メトキシエチレン基、２−
エトキシエチレン基、２−メトキシプロピレン基、２−
ジメチルアミノエチレン基、２−アミノプロピレン基、
１、３−ジメチルチオメチレン基等が挙げられ、

【００３９】置換又は無置換の総炭素数２〜４のアルケ
ニレン基としては、ビニレン基、１−プロぺニレン基、
２−ブテニレン基、１，３−ブタジエニレン基、１−メ
チルビニレン基、２−メチル−２−プロペニレン基、
１，２−ジメチルビニレン基、１，２−ジクロロビニレ
ン基、２−ブロモ−１−プロぺニレン基、１，２−ジメ
トキシビニレン基、１−ジメチルアミノビニレン基、２
−アミノ−１−プロピレニレン基、１−メチルチオビニ
レン基等が挙げられ、置換又は無置換の総炭素数６〜１
５のアリーレン基としては、フェニル基、ニトロフェニ
ル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチ
ルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニ
ル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエ
チルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、ジ（ｎ−プ
ロピル）フェニル基、トリ（ｎ−プロピル）フェニル
基、ｉｓｏ−プロピルフェニル基、ジ（ｉｓｏ−プロピ
ル）フェニル基、トリ（ｉｓｏ−プロピル）フェニル
基、ｎ−ブチルフェニル基、ジ（ｎ−ブチル）フェニル
基、トリ（ｎ−ブチル）フェニル基、ｉｓｏ−ブチルフ
ェニル基、ジ（ｉｓｏ−ブチル）フェニル基、トリ（ｉ
ｓｏ−ブチル）フェニル基、ｓｅｃ−ブチルフェニル
基、ジ（ｓｅｃ−ブチル）フェニル基、ｔ−ブチルフェ
ニル基、ジ（ｔ−ブチル）フェニル基、ジメチル−ｔ−
ブチル−フェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェ
ニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキ
シフェニル基、エトキシフェニル基、トリフルオロメチ
ルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、ナ
フチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒド
ロキシナフチル基、メチルナフチル基、フルオロナフチ
ル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ヨードナ
フチル基、メトキシナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノナフチル基等のアリ
ール基から誘導される２価の基が挙げられ、置換又は無
置換の総炭素数３〜１５のヘテロアリーレン基として
は、ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキサゾイ
ル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、イミ
ダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル
基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル基、インド
イル基、イソインドイル基等のヘテロアリール基から誘
導される２価の基が挙げられる。

【００４０】置換基Ａ中のＺ、Ｚ’、Ｒ、Ｒ’としての
置換又は無置換の総炭素数１〜１０のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル
基、シクロヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１
−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチ
ル基、１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−
ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１−エチル−３−メチル
ブチル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチル
基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチル基、１−
ｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、２、４−ジメチル
−３−プロピル基、２−メチルペンチル基、２−エチル
ヘキシル基、２−クロロエチル基、３−ブロモプロピル
基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル基、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル
基、２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、２
−ブトキシエチル基、１−エトキシ−２−プロピル基、
３−メトキシプロピル基、３−メトキシ−ブチル基、
２、２−ジメチル−１、３ジオキソラン−４−メトキシ
基、１、３−ジエトキシ−２−プロポキシ基、２−ジメ
チルアミノエチル基、２−ジエチルアミノエチル基、２
−ジブチルアミノエチル基、２−ジエチルアミノプロピ
ル基、１、３−ジエチルチオ−２−プロピル基等が挙げ
られ、置換又は無置換の総炭素数１〜１０のアルケニル
基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−ブテニ
ル基、１，３−ブタジエニル基、１−メチルビニル基、
２−メチル−２−プロペニル基、１，２−ジメチルビニ
ル基、１，２−ジクロロビニル基、２−ブロモ−１−プ
ロペニル基、１，２−ジメトキシビニル基、１−ジメチ
ルアミノビニル基、２−アミノ−１−プロピレニル基、
１−メチルチオビニル基等が挙げられ、置換又は無置換
の総炭素数３〜１５の脂環式化合物基としては、シクロ
プロピル基、２−メチルシクロプロピル基、２，２−ジ
メチルシクロプロピル基、シクロブチル基、２−エチル
シクロブチル基、２，３，４−トリメチルシクロブチル
基、シクロペンチル基、２−イソプロピルシクロペンチ
ル基、３，３，４，４−テトラメチルシクロペンチル
基、シクロヘキシル基、２−シクロヘキセニル基、４−
フェニルシクロヘキシル基、テトラリル基、アダマンチ
ル基、Ｎ−ピロリジル基、テトラヒドロフリル基、テト
ラヒドロチオフェニル基、ピペリジニル基、ピペラジニ
ル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラ
ニル基、オキサジナニル基、チオモルフォリニル基、ヘ
キサヒドロトリアジニル基、ヘキサメチレンテトラミニ
ル基等が挙げられる。

【００４１】置換又は無置換の総炭素数６〜１５のアリ
ール基としては、フェニル基、ニトロフェニル基、シア
ノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル
基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチ
ルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニ
ル基、ｎ−プロピルフェニル基、ジ（ｎ−プロピル）フ
ェニル基、トリ（ｎ−プロピル）フェニル基、ｉｓｏ−
プロピルフェニル基、ジ（ｉｓｏ−プロピル）フェニル
基、トリ（ｉｓｏ−プロピル）フェニル基、ｎ−ブチル
フェニル基、ジ（ｎ−ブチル）フェニル基、トリ（ｎ−
ブチル）フェニル基、ｉｓｏ−ブチルフェニル基、ジ
（ｉｓｏ−ブチル）フェニル基、ｓｅｃ−ブチルフェニ
ル基、ジ（ｓｅｃ−ブチル）フェニル基、ｔ−ブチルフ
ェニル基、ジ（ｔ−ブチル）フェニル基、ジメチル−ｔ
−ブチルフェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェ
ニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキ
シフェニル基、エトキシフェニル基、トリフルオロメチ
ルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、ナ
フチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒド
ロキシナフチル基、メチルナフチル基、フルオロナフチ
ル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ヨードナ
フチル基、メトキシナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノナフチル基等が挙げ
られ、

【００４２】置換又は無置換の総炭素数７〜１５のアラ
ルキル基としては、ベンジル基、ニトロベンジル基、シ
アノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジ
ル基、ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジ
クロロベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベン
ジル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチ
ル基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等が挙げら
れ、

【００４３】置換又は無置換の総炭素数３〜１５のヘテ
ロアリール基としては、ピロリル基、チエニル基、フラ
ニル基、オキサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサ
ジアゾイル基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル
基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベン
ゾフラニル基、インドイル基、イソインドイル基等のヘ
テロアリール基が挙げられる。

【００４４】また、Ｚで表される金属錯体としては、金
属を含む化合物であれば何でもよいが、好ましくはメタ
ロセン化合物が挙げられ、具体的には、Ｆｅ（Ｃｐ）₂
（ただしＣｐはシクロペンタジエニル基を表す）、Ｃｏ
（Ｃｐ）₂、Ｎｉ（Ｃｐ）₂、Ｒｕ（Ｃｐ）₂、Ｏｓ（Ｃ
ｐ）₂、Ｍｎ（Ｃｐ）₂、Ｃｒ（Ｃｐ）₂、Ｗ（Ｃｐ）₂、
Ｖ（Ｃｐ）₂、Ｓｃ（Ｃｐ）₃、Ｙ（Ｃｐ）₃、Ｌａ（Ｃ
ｐ）₃、Ｃｅ（Ｃｐ）₃、Ｐｒ（Ｃｐ）₃、Ｎｄ（Ｃ
ｐ）₃、Ｓｍ（Ｃｐ）₃、Ｇｄ（Ｃｐ）₃、Ｅｒ（Ｃ
ｐ）₃、Ｔｍ（Ｃｐ）₃、Ｙｂ（Ｃｐ）₃、シクロペンタ
ジエニルマンガノセントリカルボニル等のメタロセン化
合物、チタノセンジフェノキシド、ビス（シクロペンタ
ジエニル）ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピ
ロール−１−イル）フェニルチタニウム、シクロペンタ
ジエニルマンガノセントリカルボニル等の置換金属を有
するメタロセン化合物などが挙げられ、これらのメタロ
セン化合物は、アルキル基、アリール基、アシル基によ
り置換されていてもよく、メタロセン化合物との結合
は、シクロペンタジエニル環との結合、金属との直接結
合などが挙げられるが、例えばシクロペンタジエニル環
との結合が挙げられる。

【００４５】一般式（１）で示される化合物は、まず、
ジアミン又はヒドラジンとアルデヒドから、モノイミン
を生成し、次いで、ホルミル化したフタロシアニン化合
物とカップリングさせる方法、ジアミンと酸ハロゲン化
物とを反応させ酸アミドを生成し、次いで、ホルミル化
したフタロシアニン化合物をカップリングさせる方法、
酸ハロゲン化物とフタロシアニン化合物のヒドロキシメ
チル体とのエステル化する方法等により合成することが
できる。

【００４６】また、フタロシアニン化合物は、公知の様
に構造異性体が存在し、得られる化合物はこれらの混合
物である。さらに、本発明では、多くの構造異性体が生
成する他に、置換数の異なる化合物の混合物として得ら
れる。本発明に記載の化合物は、構造式で示される化合
物を主に含む混合物であり、構造式に示される化合物に
限定されるものではない。

【００４７】なお、置換基Ａとしては、ＣＨ＝Ｎ−Ｎや
ＣＨ₂−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）を含むものが好ましい。

【００４８】次に、本発明の一般式（１）で示されるフ
タロシアニン化合物の具体例を示す。なお、括弧外に記
載の各置換基は、フタロシアニンのα位に置換してい
る。

【００４９】

【化７】

【００５０】

【化８】

【００５１】

【化９】

【００５２】

【化１０】

【００５３】

【化１１】

【００５４】

【化１２】

【００５５】

【化１３】

【００５６】

【化１４】

【００５７】

【化１５】

【００５８】

【化１６】

【００５９】

【化１７】

【００６０】

【化１８】

【００６１】

【化１９】

【００６２】

【化２０】

【００６３】

【化２１】

【００６４】

【化２２】

【００６５】

【化２３】

【００６６】

【化２４】

【００６７】

【化２５】

【００６８】

【化２６】

【００６９】

【化２７】

【００７０】

【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
ない。

【００７１】〔実施例１〕フタロシアニン化合物（１−
１）の合成 乾燥ジメチルホルムアミド（以下ＤＭＦと略）４．３８
ｇ（６０ｍｍｏｌ）に、水冷下、オキシ塩化リン９．２
ｇ（６０ｍｍｏｌ）を滴下した後、室温で攪拌しフィル
スマイヤー（Ｖｉｌｓｍｅｉｅｒ）試薬を調製した。攪
拌下、特開平５−２４７３６３号記載のフタロシアニン
化合物１０．７６ｇ（１０ｍｍｏｌ）のクロロベンゼン
１００ｍｌ溶液を加え８０−９０℃で４時間反応させ
た。反応終了後、室温に冷却したのち、酢酸ナトリウム
水溶液を添加し、クロロホルムを用いて抽出し、水洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶剤を留去し、カラ
ムクロマトグラフィーにて精製し、下記構造式（３）で
示されるホルミルフタロシアニン化合物８．２８ｇ
（７．５ｍｍｏｌ）（収率７５％）を得た。

【００７２】このホルミルフタロシアニン化合物（３）
４．４ｇ（４．０ｍｍｏｌ）をトリクロロエタン２５ｍ
ｌ、水１０ｍｌに溶解し、５０℃に昇温した後、臭素
１．２８ｇ（８．０ｍｍｏｌ）のトリクロロエタン６．
５ｍｌ溶液を滴下し反応させた。反応終了後、亜硫酸水
素ナトリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出後、水
洗し、溶媒を留去し、ハロゲン化ホルミルフタロシアニ
ン化合物を４．９１ｇ（３．８９ｍｍｏｌ）（収率９７
％）得た。

【００７３】一方、ヒドラジン一水和物１９５ｇ（３．
９ｍｏｌ）中に、ホルミルフェロセン８．３ｇ（０．０
３９ｍｏｌ）のメタノール５０ｍｌ溶液を室温で滴下し
反応させた。水中に排出し、析出した固体を濾別水洗
し、下記構造式（４）で示されるフェロセンアルダゾン
を６．８ｇ（０．０３０ｍｏｌ）（収率７９％）得た。

【００７４】

【化２８】

【００７５】上記で得られたハロゲン化ホルミルフタロ
シアニン化合物３．７８ｇ（３．０ｍｍｏｌ）をトルエ
ン５０ｍｌに溶解させたのち、フェロセンアルダゾン
（４）１．３７ｇ（６．０ｍｍｏｌ）を添加し、室温で
反応させ、溶剤を留去したのちカラムクロマトグラフィ
ーにて精製し、下記構造式（１−１）で示されるフタロ
シアニン化合物３．７５ｇ（２．５５ｍｏｌ）（収率８
５％）を得た。この色素のｋmaxは１．３６で、そのと
きのλmaxは７２６．５ｎｍであった。

【００７６】

【化２９】

【００７７】溶液中の最大吸収波長：７１３．５ｎｍ
（溶剤：トルエン） グラム吸光係数：εｇ＝１５１，０００（溶剤：トルエ
ン） 熱分解開始温度：２８０℃ 元素分析値：Ｃ₇₂Ｈ₈₀Ｂｒ₂Ｎ₁₀Ｏ₄ＰｄＦｅ 計算値(%) C：58.77%、H：5.48%、N：9.52% 分析値(%) C：58.56%、H：5.52%、N：9.47%

【００７８】〔実施例２〕フタロシアニン化合物（１−
７）の合成 特開平５−２４７３６３号記載の方法で合成した下記構
造式（５）で示されるフタロシアニン化合物９．７８ｇ
（１０ｍｍｏｌ）を用いる以外は実施例１と同様にし
て、下記構造式（６）で示されるホルミルフタロシアニ
ン化合物６．８４ｇ（６．８ｍｍｏｌ）（収率６８％）
を得た。

【００７９】このホルミルフタロシアニン化合物（６）
４．０３ｇ（４．０ｍｍｏｌ）をトリクロロエタン２５
ｍｌ、水１０ｍｌを混合し、５０℃に昇温して溶解後、
０℃に冷却した。塩化スルフリル１．７８ｇ（８．０ｍ
ｍｏｌ）のトリクロロエタン１０ｍｌ溶液を滴下し、室
温で１時間反応させた。反応終了後、炭酸カルシウム水
溶液を加え、トルエンで抽出後、水洗し、溶媒を留去
し、ハロゲン化ホルミルフタロシアニン化合物を３．９
９ｇ（３．６ｍｍｏｌ）（収率９０％）得た。

【００８０】一方、ｐ−トルエンスルホニルクロリド
１．５２ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用いる以外は実施例１
と同様にヒドラジンと縮合して、下記構造式（７）で示
されるｐ−トルエンスルホニルヒドラジドを１．２０ｇ
（５．２ｍｍｏｌ）（収率５３％）得た。

【００８１】

【化３０】

【００８２】上記で得られたハロゲン化ホルミルフタロ
シアニン化合物２．２２ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、及びｐ
−トルエンスルホニルヒドラジド（７）０．９２ｇ
（４．０ｍｍｏｌ）をトルエン３０ｍｌに溶解させ、室
温で２時間反応させた。溶剤を留去したのちカラムクロ
マトグラフィーにて精製し、下記構造式（１−７）で示
されるフタロシアニン化合物１．８９ｇ（１．４ｍｏ
ｌ）（収率７０％）を得た。この色素のｋmaxは０．９
２で、そのときのλmaxは７３４．５ｎｍであった。

【００８３】

【化３１】

【００８４】溶液中の最大吸収波長：７２５ｎｍ（溶
剤：トルエン） グラム吸光係数：εｇ＝１２２，０００（溶剤：トルエ
ン） 熱分解開始温度：２８５℃ 元素分析値：Ｃ₆₈Ｈ₇₇Ｃｌ₃Ｎ₁₀Ｏ₇ＳＺｎ 計算値(%) C:61.49% H:5.75% N:10.37% 分析値(%) C:61.78% H:5.51% N:10.39%

【００８５】〔実施例３〕 フタロシアニン化合物（１
−１３）の合成 特開平５−２４７３６３号記載の方法と同様にして合成
した下記構造式（８）で示されるフタロシアニン化合物
２．９４ｇ（３．０ｍｍｏｌ）を、実施例１と同様の方
法を用いてホルミル化し、ホルミル化フタロシアニン化
合物を２．０６ｇ（２．１ｍｍｏｌ）（収率６９％）で
得た。このホルミル化フタロシアニン化合物１．０ｇ
（１．０ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶解させ、水
素化ホウ素ナトリウム０．３７ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加
え、室温で６時間攪拌した後、１％塩酸２００ｍｌを加
えた後、トルエンで抽出、乾燥後濃縮して下記構造式
（９）で示されるフタロシアニンヒドロキシメチル体
０．９２ｇ（９．１ｍｍｏｌ）（収率９２％）を得た。

【００８６】フタロシアニンヒドロキシメチル体（９）
０．５１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とピロール−２−カルボ
ン酸０．１１ｇ（１．０ｍｍｏｌ）とをトルエン中、の
ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．０３ｇ（０．１６
ｍｍｏｌ）を加え４時間還流させた。室温に冷却後、メ
タノールに排出し、析出した固体を分取し、カラムクロ
マトグラフィーで精製し、下記構造式（１−１３）で示
されるフタロシアニン化合物０．４９ｇ（０．４４ｍｍ
ｏｌ）（９０％）を得た。この色素のｋmaxは１．２２
で、そのときのλmaxは７２５．５ｎｍであった。

【００８７】

【化３２】

【００８８】溶剤中の最大吸収波長：７１３．５ｎｍ
（溶剤：トルエン） グラム吸光係数：εｇ＝１２６，０００（溶剤：トルエ
ン） 熱分解開始温度：２６０℃ 元素分析値：Ｃ₅₈Ｈ₆₁ＣｏＮ₉Ｏ₂Ｓ₄ 計算値(%) C:63.14% H:5.57% N:11.43% 分析値(%) C:63.27% H:5.31% N:11.75%

【００８９】〔実施例４〕実施例１記載のフタロシアニ
ン化合物（１−１）０．２ｇをジメチルシクロヘキサン
１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリ
カーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッ
チ：１．６μｍ）を有する直径１２０ｍｍ、厚さ１．２
ｍｍの円盤状のものを用いた。

【００９０】この基板上に色素溶液を回転数１０００〜
１５００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で３時間乾燥
して記録層を形成した。

【００９１】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚
さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．３３Ｐａ（１．０×
１０^-2Ｔｏｒｒ）で行った。

【００９２】さらに反射層上に紫外線硬化性樹脂ＳＤ−
１７００（大日本インキ化学工業製）をスピンコートし
た後、紫外線を照射して厚さ６μｍの保護層を形成し
て、光記録媒体を作製した。

【００９３】得られた光記録媒体に、波長７８０ｎｍで
レンズの開口数が０．５の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）を用いて、線速２８．８ｍ／ｓの高速で、Ｅ
ＦＭ信号を、レーザーパワー２７〜３１ｍＷで記録し
た。評価装置を用いて信号を再生し、最短ピット（長さ
０．８μｍ）のジッター、デビエーション及びエラーレ
ートを測定した結果、レーザーパワー２９ｍＷで、ジッ
ター２５ｎｓ、デビエーション１５ｎｓ、エラーレート
１００以下といずれも良好な値を示した。

【００９４】〔比較例１〕下記構造式（１０）で示され
るフタロシアニン化合物（ｋmax＝０．７６、そのとき
のλmax＝７２２．０ｎｍ）を用いて、実施例４と同様
にしてＣＤ−Ｒ媒体を作製し、同様に評価したところ、
レーザーパワー２９ｍＷでは、ジッター６３ｎｓ、デビ
エーション５０ｎｓ、エラーレート１２００以上であ
り、十分な特性ではなかった。

【００９５】

【化３３】

【００９６】〔比較例２〕ＷＯ９８０１４５２０記載の
下記構造式（１１）で示されるフタロシアニン化合物
（ｋmax＝０．６９、そのときのλmax＝７２９．０ｎ
ｍ）を用いて、実施例４と同様にしてＣＤ−Ｒ媒体を作
製し、同様に評価したところ、レーザーパワー２８ｍＷ
では、ジッター５０ ｎｓ、デビエーション４５ｎｓ、
エラーレート４５０以上であり、十分な特性ではなかっ
た。

【００９７】

【化３４】

【００９８】〔実施例５〜１４〕（１−２）〜（１−２
１）に記載したフタロシアニン化合物を用いる以外は実
施例４と同様にしてＣＤ−Ｒ媒体を作製し、レーザーパ
ワー２９ｍＷで記録し、最短ピット（長さ約０．８μ
ｍ）のジッター、デビエーション及びエラーレートを評
価した。結果を表１に示す。表１に記載されるように、
いずれも良好な値を示した。 ・ジッターの評価としては、○が３５ｎｓ以下、×が３
５ｎｓ以上であることを示す。 ・デビエーションの評価としては、○が４０ｎｓ以下、
×４０ｎｓ以上であることを示す。 ・エラーレートの評価としては、○が２２０未満、×が
２２０以上であることを示す。

【００９９】

【表１】

【０１００】

【発明の効果】本発明の光記録媒体は、記録層に波長６
５０ｎｍ〜９００ｎｍにおける消衰係数の最大値ｋmax
が０．９以上のフタロシアニンを含有するものである。
本発明は、高速記録において良好な記録特性を示す光記
録媒体を提供した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清野 和浩 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 斉藤 靖典 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA33 EA37 EA43 FA01 FA12 FB45 5D029 JA04 JC05

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも基板、記録層、反射層からな
   る光記録媒体において、記録層に少なくとも１種の下記
   一般式（１）で表されるフタロシアニン化合物を含有す
   ることを特徴とする光記録媒体。 【化１】 〔式（１）中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子、
   ３価又は４価の置換金属原子、又はオキシ金属のいずれ
   かを表し、Ｒ¹〜Ｒ¹⁶は、それぞれ独立に水素原子、ハ
   ロゲン原子、ニトロ基、置換又は無置換の総炭素数１〜
   １０の直鎖又は分岐のアルキル基、置換又は無置換の総
   炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のアルコキシ基、置換又
   は無置換の総炭素数１〜１０の直鎖又は分岐のアルキル
   チオ基又は、下記式（ａ−１）〜（ａ−９）で表される
   基から選択される置換基Ａを表し、Ｒ¹〜Ｒ¹⁶の少なく
   とも一つは置換基Ａである。〕 【化２】 〔式（ａ−１）〜（ａ−９）中、Ｙは置換又は無置換の
   総炭素数１〜４のアルキレン基、置換又は無置換の総炭
   素数２〜４のアルケニレン基、置換又は無置換の総炭素
   数６〜１５のアリーレン基、又は置換又は無置換の総炭
   素数３〜１５のヘテロアリーレン基を表し、Ｚは置換又
   は無置換の総炭素数１〜１０のアルキル基、置換又は無
   置換の総炭素数１〜１０のアルケニル基、置換又は無置
   換の総炭素数３〜１５の脂環式化合物基、置換又は無置
   換の総炭素数６〜１５のアリール基、置換又は無置換の
   総炭素数７〜１５のアラルキル基、置換又は無置換の総
   炭素数３〜１５のヘテロアリール基、又は金属錯体を表
   し、Ｚ’は置換又は無置換の総炭素数１〜１０のアルキ
   ル基、置換又は無置換の総炭素数１〜１０のアルケニル
   基、置換又は無置換の総炭素数３〜１５の脂環式化合物
   基、置換又は無置換の総炭素数６〜１５のアリール基、
   置換又は無置換の総炭素数７〜１５のアラルキル基、置
   換又は無置換の総炭素数３〜１５のヘテロアリール基を
   表し、Ｒ，Ｒ’はそれぞれ独立に、水素、置換又は無置
   換の総炭素数１〜１０のアルキル基、置換又は無置換の
   総炭素数６〜１５のアリール基を表す。〕
2. 【請求項２】 前記フタロシアニン化合物における置換
   基Ａが下記式（ｂ−１）〜（ｂ−５）で表される基から
   選択されることを特徴とする請求項１の光記録媒体。 【化３】 〔式（ｂ−１）〜（ｂ−５）中のＺ，Ｚ’，Ｒ及びＲ’
   は、前記式（ａ−１）〜（ａ−９）におけるＺ，Ｚ’，
   Ｒ及びＲ’と同じ意味を表す。〕
3. 【請求項３】 前記フタロシアニン化合物における置換
   基Ａが式（ｂ−１）〜（ｂ−３）で表される基から選択
   されることを特徴とする請求項２の光記録媒体。
4. 【請求項４】 前記フタロシアニン化合物における置換
   基Ａが式（ｂ−１）で表される基であることを特徴とす
   る請求項３の光記録媒体。
5. 【請求項５】 前記フタロシアニン化合物は、波長６５
   ０ｎｍ〜９００ｎｍにおける消衰係数ｋの最大値をｋma
   xとしたとき、ｋmax≧０．９を満たすことを特徴とする
   請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光記録媒体。