JP2003072238A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2003072238A JP2003072238A JP2001265982A JP2001265982A JP2003072238A JP 2003072238 A JP2003072238 A JP 2003072238A JP 2001265982 A JP2001265982 A JP 2001265982A JP 2001265982 A JP2001265982 A JP 2001265982A JP 2003072238 A JP2003072238 A JP 2003072238A
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- unsubstituted
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- carbon atoms
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速記録、高密度記録においても感度が高
く、記録特性が良好で、特に高パワーのレーザーでの記
録後、十分な信号振幅が得られる記録媒体の提供。 【解決手段】 少なくとも基板、記録層、反射層からな
る光記録媒体において、記録層が下記の特定の置換基を
少なくとも1つ有するフタロシアニン化合物であり、特
に波長650nm〜900nmにおける消衰係数の最大
値kmaxが0.9以上の化合物を使用する。 【化1】
く、記録特性が良好で、特に高パワーのレーザーでの記
録後、十分な信号振幅が得られる記録媒体の提供。 【解決手段】 少なくとも基板、記録層、反射層からな
る光記録媒体において、記録層が下記の特定の置換基を
少なくとも1つ有するフタロシアニン化合物であり、特
に波長650nm〜900nmにおける消衰係数の最大
値kmaxが0.9以上の化合物を使用する。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク記録材
料、情報記録、表示センサー、光カード等のオプトエレ
クトロニクス関連に有用であるフタロシアニン化合物を
記録層に含有して形成される光ディスク等の光記録媒体
に関する。
料、情報記録、表示センサー、光カード等のオプトエレ
クトロニクス関連に有用であるフタロシアニン化合物を
記録層に含有して形成される光ディスク等の光記録媒体
に関する。
【0002】
【従来の技術】コンパクトディスク(以下CDと略す)
規格に対応した追記型光記録媒体としてCD−R(CD
−Recordable)が提案・開発されていること
は公知であり、情報記録用として広く普及している。
規格に対応した追記型光記録媒体としてCD−R(CD
−Recordable)が提案・開発されていること
は公知であり、情報記録用として広く普及している。
【0003】このCD−Rの記録、再生には一般に78
0nmの近赤外線半導体レーザーが用いられており、基
板上の有機色素等からなる記録層に、ヒートモードで信
号記録が行われる。即ち、記録層にレーザー光が照射さ
れると、有機色素は光吸収により熱を発生し、この発生
した熱により記録層にピットが形成される。信号記録
は、レーザー光を照射したときの、当該ピットが形成さ
れた部分とされていない部分との反射率の違いによって
検知される。CD−Rはレッドブックや、オレンジブッ
ク等のCD規格に準拠しているため、CDプレーヤーや
CD−ROMプレーヤーと互換性を有するという特徴を
有し、かつ近年急速に安価に提供されていることから、
パソコンの画像保存やバックアップ用、及び音楽用とし
て爆発的に広く普及してきた。現在、CD−Rプレーヤ
ーのレーザーパワーの向上と共に、12倍速、16倍速
記録が可能となり、当初ディスク1枚に70分以上必要
とされていたものが5分以下に短縮されてきている。
0nmの近赤外線半導体レーザーが用いられており、基
板上の有機色素等からなる記録層に、ヒートモードで信
号記録が行われる。即ち、記録層にレーザー光が照射さ
れると、有機色素は光吸収により熱を発生し、この発生
した熱により記録層にピットが形成される。信号記録
は、レーザー光を照射したときの、当該ピットが形成さ
れた部分とされていない部分との反射率の違いによって
検知される。CD−Rはレッドブックや、オレンジブッ
ク等のCD規格に準拠しているため、CDプレーヤーや
CD−ROMプレーヤーと互換性を有するという特徴を
有し、かつ近年急速に安価に提供されていることから、
パソコンの画像保存やバックアップ用、及び音楽用とし
て爆発的に広く普及してきた。現在、CD−Rプレーヤ
ーのレーザーパワーの向上と共に、12倍速、16倍速
記録が可能となり、当初ディスク1枚に70分以上必要
とされていたものが5分以下に短縮されてきている。
【0004】近年、24倍速や32倍速といった、高速
化への要求はとどまることを知らず、高速記録特性が良
好な記録媒体の必要性が高まっている。これまで、高速
記録特性を改善したフタロシアニン化合物が、特開平8
−209010、特開平8−209011、特開平10
−45761、WO97/23354に記載されてい
る。しかしながら、24倍速以上の高速記録に際して十
分な記録特性を有する色素はいまだに開発されていない
のが現状である。
化への要求はとどまることを知らず、高速記録特性が良
好な記録媒体の必要性が高まっている。これまで、高速
記録特性を改善したフタロシアニン化合物が、特開平8
−209010、特開平8−209011、特開平10
−45761、WO97/23354に記載されてい
る。しかしながら、24倍速以上の高速記録に際して十
分な記録特性を有する色素はいまだに開発されていない
のが現状である。
【0005】CD−Rへの書き込み及び読み出しは、7
80nm近傍のレーザー光を利用するので、レーザー発
振波長近傍における吸収係数、屈折率等の制御及び書き
込み時における精度の良いピット形成が重要である。記
録層にフタロシアニン化合物と金属錯体化合物を併
用することにより記録特性を改善させる方法が知られて
おり(特開平7−98887号公報)、さらにはと
を記録層において併用するその具体的一形態として、
とを連結基を介して結合させた方法(WO 00/0
9522)も知られている。ところで、高速記録に際し
ては、短時間で正確なピットを形成する必要があること
から、レーザーの出力を大きくする必要がある。この結
果、ピット形成の際、より多くの熱が蓄積され、その余
熱が、周辺のピット形成に悪影響を及ぼし、ジッターや
デビエーションの値が悪化し、このことが、高速記録に
おける特性が悪化する原因と考えられている。その解決
の手段としては、色素膜を薄膜にし、熱の拡散を効率良
く行うことにより、レーザーを高パワーで照射しても良
好なピットが形成できることは知られていたが、読み出
しの際、信号振幅が小さくなり、時には規格を外れ、再
生できなくなるという問題点があった。
80nm近傍のレーザー光を利用するので、レーザー発
振波長近傍における吸収係数、屈折率等の制御及び書き
込み時における精度の良いピット形成が重要である。記
録層にフタロシアニン化合物と金属錯体化合物を併
用することにより記録特性を改善させる方法が知られて
おり(特開平7−98887号公報)、さらにはと
を記録層において併用するその具体的一形態として、
とを連結基を介して結合させた方法(WO 00/0
9522)も知られている。ところで、高速記録に際し
ては、短時間で正確なピットを形成する必要があること
から、レーザーの出力を大きくする必要がある。この結
果、ピット形成の際、より多くの熱が蓄積され、その余
熱が、周辺のピット形成に悪影響を及ぼし、ジッターや
デビエーションの値が悪化し、このことが、高速記録に
おける特性が悪化する原因と考えられている。その解決
の手段としては、色素膜を薄膜にし、熱の拡散を効率良
く行うことにより、レーザーを高パワーで照射しても良
好なピットが形成できることは知られていたが、読み出
しの際、信号振幅が小さくなり、時には規格を外れ、再
生できなくなるという問題点があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
ついて、高速記録、高密度記録においても感度が高く、
記録特性良好で、特に、高パワーのレーザーでの記録
後、十分な信号振幅が得られる光記録媒体を提供するこ
とである。
ついて、高速記録、高密度記録においても感度が高く、
記録特性良好で、特に、高パワーのレーザーでの記録
後、十分な信号振幅が得られる光記録媒体を提供するこ
とである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前項の課
題を解決すべく鋭意検討の結果、本発明で用いた色素
は、良好なピット形成能を有するのみならず、膜にした
際に高い吸光度を有していることから、この色素を用い
て光記録媒体を作製した場合、高速記録において特に良
好な記録特性を有することを見出した。
題を解決すべく鋭意検討の結果、本発明で用いた色素
は、良好なピット形成能を有するのみならず、膜にした
際に高い吸光度を有していることから、この色素を用い
て光記録媒体を作製した場合、高速記録において特に良
好な記録特性を有することを見出した。
【0008】即ち本発明は、
少なくとも基板、記録層、反射層からなる光記録媒
体において、記録層に少なくとも1種の下記一般式
(1)で表されるフタロシアニン化合物を含有すること
を特徴とする光記録媒体、
体において、記録層に少なくとも1種の下記一般式
(1)で表されるフタロシアニン化合物を含有すること
を特徴とする光記録媒体、
【0009】
【化4】
【0010】〔式(1)中、Mは2個の水素原子、2価
の金属原子、3価又は4価の置換金属原子、又はオキシ
金属のいずれかを表し、R1〜R16は、それぞれ独立に
水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換又は無置換の
総炭素数1〜10の直鎖又は分岐のアルキル基、置換又
は無置換の総炭素数1〜10の直鎖又は分岐のアルコキ
シ基、置換又は無置換の総炭素数1〜10の直鎖又は分
岐のアルキルチオ基又は、下記式(a−1)〜(a−
9)で表される基から選択される置換基Aを表し、R1
〜R16の少なくとも一つは置換基Aである。〕
の金属原子、3価又は4価の置換金属原子、又はオキシ
金属のいずれかを表し、R1〜R16は、それぞれ独立に
水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換又は無置換の
総炭素数1〜10の直鎖又は分岐のアルキル基、置換又
は無置換の総炭素数1〜10の直鎖又は分岐のアルコキ
シ基、置換又は無置換の総炭素数1〜10の直鎖又は分
岐のアルキルチオ基又は、下記式(a−1)〜(a−
9)で表される基から選択される置換基Aを表し、R1
〜R16の少なくとも一つは置換基Aである。〕
【0011】
【化5】
【0012】〔式(a−1)〜(a−9)中、Yは置換
又は無置換の総炭素数1〜4のアルキレン基、置換又は
無置換の総炭素数2〜4のアルケニレン基、置換又は無
置換の総炭素数6〜15のアリーレン基、又は置換又は
無置換の総炭素数3〜15のヘテロアリーレン基を表
し、Zは置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルキル
基、置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルケニル
基、置換又は無置換の総炭素数3〜15の脂環式化合物
基、置換又は無置換の総炭素数6〜15のアリール基、
置換又は無置換の総炭素数7〜15のアラルキル基、置
換又は無置換の総炭素数3〜15のヘテロアリール基、
又は金属錯体を表し、Z’は置換又は無置換の総炭素数
1〜10のアルキル基、置換又は無置換の総炭素数1〜
10のアルケニル基、置換又は無置換の総炭素数3〜1
5の脂環式化合物基、置換又は無置換の総炭素数6〜1
5のアリール基、置換又は無置換の総炭素数7〜15の
アラルキル基、置換又は無置換の総炭素数3〜15のヘ
テロアリール基を表し、R,R’はそれぞれ独立に、水
素、置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルキル基、
置換又は無置換の総炭素数6〜15のアリール基を表
す。〕
又は無置換の総炭素数1〜4のアルキレン基、置換又は
無置換の総炭素数2〜4のアルケニレン基、置換又は無
置換の総炭素数6〜15のアリーレン基、又は置換又は
無置換の総炭素数3〜15のヘテロアリーレン基を表
し、Zは置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルキル
基、置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルケニル
基、置換又は無置換の総炭素数3〜15の脂環式化合物
基、置換又は無置換の総炭素数6〜15のアリール基、
置換又は無置換の総炭素数7〜15のアラルキル基、置
換又は無置換の総炭素数3〜15のヘテロアリール基、
又は金属錯体を表し、Z’は置換又は無置換の総炭素数
1〜10のアルキル基、置換又は無置換の総炭素数1〜
10のアルケニル基、置換又は無置換の総炭素数3〜1
5の脂環式化合物基、置換又は無置換の総炭素数6〜1
5のアリール基、置換又は無置換の総炭素数7〜15の
アラルキル基、置換又は無置換の総炭素数3〜15のヘ
テロアリール基を表し、R,R’はそれぞれ独立に、水
素、置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルキル基、
置換又は無置換の総炭素数6〜15のアリール基を表
す。〕
【0013】 前記フタロシアニン化合物における置
換基Aが下記式(b−1)〜(b−5)で表される基か
ら選択されることを特徴とするの光記録媒体。
換基Aが下記式(b−1)〜(b−5)で表される基か
ら選択されることを特徴とするの光記録媒体。
【0014】
【化6】
【0015】〔式(b−1)〜(b−5)中のZ,
Z’,R及びR’は、前記式(a−1)〜(a−9)に
おけるZ,Z’,R及びR’と同じ意味を表す。〕 前記フタロシアニン化合物における置換基Aが式
(b−1)〜(b−3)で表される基から選択されるこ
とを特徴とするの光記録媒体。 前記フタロシアニン化合物における置換基Aが式
(b−1)で表される基であることを特徴とするの光
記録媒体。 前記フタロシアニン化合物は、波長650nm〜9
00nmにおける消衰係数kの最大値をkmaxとしたと
き、kmax≧0.9を満たすことを特徴とする乃至
のいずれかに記載の光記録媒体。
Z’,R及びR’は、前記式(a−1)〜(a−9)に
おけるZ,Z’,R及びR’と同じ意味を表す。〕 前記フタロシアニン化合物における置換基Aが式
(b−1)〜(b−3)で表される基から選択されるこ
とを特徴とするの光記録媒体。 前記フタロシアニン化合物における置換基Aが式
(b−1)で表される基であることを特徴とするの光
記録媒体。 前記フタロシアニン化合物は、波長650nm〜9
00nmにおける消衰係数kの最大値をkmaxとしたと
き、kmax≧0.9を満たすことを特徴とする乃至
のいずれかに記載の光記録媒体。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明における基板とは、基本的には記録
光及び再生光の波長で透明であればよい。基板の材質と
しては、例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹
脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリス
チレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の
無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法
等により円盤状に基板に成形される。必要に応じて、基
板表面に案内溝やピットを形成することもある。このよ
うな案内溝やピットは、基板の成形時に付与することが
望ましいが、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与
することもできる。
て説明する。本発明における基板とは、基本的には記録
光及び再生光の波長で透明であればよい。基板の材質と
しては、例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹
脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリス
チレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の
無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法
等により円盤状に基板に成形される。必要に応じて、基
板表面に案内溝やピットを形成することもある。このよ
うな案内溝やピットは、基板の成形時に付与することが
望ましいが、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与
することもできる。
【0017】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、最大吸収波長が650nm〜
900nm付近に存在する一般式(1)で示されるフタ
ロシアニン化合物を含有する。中でも、780nm近傍
の記録及び再生レーザー波長に対して適度な光学定数
(光学定数は複素屈折率(n+ki)で表現される。式
中のn、kは、実数部nと虚数部kとに相当する係数で
ある。ここでは、nを屈折率、kを消衰係数とする。)
を有する必要がある。
るが、本発明の記録層は、最大吸収波長が650nm〜
900nm付近に存在する一般式(1)で示されるフタ
ロシアニン化合物を含有する。中でも、780nm近傍
の記録及び再生レーザー波長に対して適度な光学定数
(光学定数は複素屈折率(n+ki)で表現される。式
中のn、kは、実数部nと虚数部kとに相当する係数で
ある。ここでは、nを屈折率、kを消衰係数とする。)
を有する必要がある。
【0018】一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率
nと消衰係数kが大きく変化する特徴がある。再生光波
長をλ1とすると、該λ1において、nが1.8より小さ
い値になると正確な信号読み取りに必要な反射率と信号
変調度は得られず、kが0.40を越えても反射率が低
下して良好な再生信号が得られないだけでなく、再生光
により信号が変化しやすく実用に適さない。この特徴を
考慮して、目的とするレーザー波長において好ましい光
学定数を有する有機色素を選択し記録層を成膜すること
で、高い反射率を有し、かつ、感度の良い媒体とするこ
とができる。
nと消衰係数kが大きく変化する特徴がある。再生光波
長をλ1とすると、該λ1において、nが1.8より小さ
い値になると正確な信号読み取りに必要な反射率と信号
変調度は得られず、kが0.40を越えても反射率が低
下して良好な再生信号が得られないだけでなく、再生光
により信号が変化しやすく実用に適さない。この特徴を
考慮して、目的とするレーザー波長において好ましい光
学定数を有する有機色素を選択し記録層を成膜すること
で、高い反射率を有し、かつ、感度の良い媒体とするこ
とができる。
【0019】また、650nm〜900nmの波長領域
において、kのとりうる最大値をkmax(そのときの波
長をλmax)とすると、kmaxが0.9より小さいと信号
読み取りに必要な信号変調度を得るために記録層の膜厚
を厚くする必要があるが、高速記録においては、ピット
形成の際に発生する熱を効率よく発散させることができ
ないため信号特性が悪化することからkmaxは0.9以
上が好ましく、より好ましくは1.0以上であり、更に
1.1以上であることが望ましい。
において、kのとりうる最大値をkmax(そのときの波
長をλmax)とすると、kmaxが0.9より小さいと信号
読み取りに必要な信号変調度を得るために記録層の膜厚
を厚くする必要があるが、高速記録においては、ピット
形成の際に発生する熱を効率よく発散させることができ
ないため信号特性が悪化することからkmaxは0.9以
上が好ましく、より好ましくは1.0以上であり、更に
1.1以上であることが望ましい。
【0020】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けてもよ
い。
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けてもよ
い。
【0021】ここで、記録層における一般式(1)で示
されるフタロシアニン化合物の含有量は、30%以上、
好ましくは60%以上である。尚、実質的に100%で
あることも好ましい。
されるフタロシアニン化合物の含有量は、30%以上、
好ましくは60%以上である。尚、実質的に100%で
あることも好ましい。
【0022】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
【0023】スピンコート法等の塗布法を用いる場合に
は、一般式(1)で示されるフタロシアニン化合物を1
〜40質量%、好ましくは3〜30質量%となるように
溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この
際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが
好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリル
アルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テ
トラフルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジ
メチルシクロヘキサンなどの脂肪族又は脂環式炭化水素
系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭
化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロ
ロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系
溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ア
セトン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノンな
どのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエス
テル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用い
てもよく、あるいは、複数混合してもよい。
は、一般式(1)で示されるフタロシアニン化合物を1
〜40質量%、好ましくは3〜30質量%となるように
溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この
際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが
好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリル
アルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テ
トラフルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジ
メチルシクロヘキサンなどの脂肪族又は脂環式炭化水素
系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭
化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロ
ロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系
溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ア
セトン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノンな
どのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエス
テル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用い
てもよく、あるいは、複数混合してもよい。
【0024】尚、必要に応じて、記録層の色素を高分子
薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
【0025】記録層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは50nm〜300nmである。記録層
の膜厚を50nmより薄くすると、熱拡散が大きすぎる
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる。また、膜厚が300nmより厚い場
合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。
いが、好ましくは50nm〜300nmである。記録層
の膜厚を50nmより薄くすると、熱拡散が大きすぎる
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる。また、膜厚が300nmより厚い場
合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。
【0026】次に記録層の上に形成される反射層につい
て説明する。反射層の厚さとしては、50nm〜300
nmが好ましい。反射層の材料としては、再生光の波長
で反射率の十分高いもの、例えば、Au、Al、Ag、
Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、Cr及びPdの
金属を単独あるいは合金にして用いることが可能であ
る。この中でもAu、Al、Agは反射率が高く反射層
の材料として適している。これ以外でも下記のものを含
んでいてもよい。例えば、Mg、Se、Hf、V、N
b、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、
Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、P
o、Sn、Biなどの金属及び半金属を挙げることがで
きる。また、Auを主成分とするものは反射率の高い反
射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分と
いうのは含有率が50%以上のものをいう。金属以外の
材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて
多層膜を形成し、反射層として用いることも可能であ
る。
て説明する。反射層の厚さとしては、50nm〜300
nmが好ましい。反射層の材料としては、再生光の波長
で反射率の十分高いもの、例えば、Au、Al、Ag、
Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、Cr及びPdの
金属を単独あるいは合金にして用いることが可能であ
る。この中でもAu、Al、Agは反射率が高く反射層
の材料として適している。これ以外でも下記のものを含
んでいてもよい。例えば、Mg、Se、Hf、V、N
b、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、
Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、P
o、Sn、Biなどの金属及び半金属を挙げることがで
きる。また、Auを主成分とするものは反射率の高い反
射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分と
いうのは含有率が50%以上のものをいう。金属以外の
材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて
多層膜を形成し、反射層として用いることも可能であ
る。
【0027】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設
けることもできる。
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設
けることもできる。
【0028】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、SiO2、Si3N
4、MgF2、SnO2などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂は、そのまま若しくは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外
線を照射して硬化させることによって形成することがで
きる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンア
クリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアク
リレートなどのアクリレート樹脂を用いることができ
る。これらの材料は単独であるいは混合して用いてもよ
く、1層だけでなく多層膜にして用いてもよい。
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、SiO2、Si3N
4、MgF2、SnO2などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂は、そのまま若しくは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外
線を照射して硬化させることによって形成することがで
きる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンア
クリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアク
リレートなどのアクリレート樹脂を用いることができ
る。これらの材料は単独であるいは混合して用いてもよ
く、1層だけでなく多層膜にして用いてもよい。
【0029】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
【0030】保護層の膜厚は、一般には0.1μm〜1
00μmの範囲であるが、本発明においては、3μm〜
30μmであり、より好ましくは5μm〜20μmであ
る。
00μmの範囲であるが、本発明においては、3μm〜
30μmであり、より好ましくは5μm〜20μmであ
る。
【0031】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。また、反射層面に保護シート又は基
板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対
向させ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用
いてもよい。また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の
付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成
膜してもよい。
行うこともできる。また、反射層面に保護シート又は基
板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対
向させ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用
いてもよい。また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の
付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成
膜してもよい。
【0032】次に、本発明で使用されるフタロシアニン
化合物について説明する。本発明で使用されるフタロシ
アニン化合物は、単位膜厚あたりの吸光度が大きく、媒
体化の際、色素層を薄膜にしたとき、高パワーのレーザ
ーで高速記録を行っても、熱の拡散が効率良く行われ、
良好な記録特性を示し、再生の際に十分な信号振幅が得
られる。
化合物について説明する。本発明で使用されるフタロシ
アニン化合物は、単位膜厚あたりの吸光度が大きく、媒
体化の際、色素層を薄膜にしたとき、高パワーのレーザ
ーで高速記録を行っても、熱の拡散が効率良く行われ、
良好な記録特性を示し、再生の際に十分な信号振幅が得
られる。
【0033】本発明で使用されるフタロシアニン化合物
は、650〜900nmに吸収を有し、分子吸光係数も
高く、長期安定性、耐久性に優れるため、半導体レーザ
ーを用いる光記録媒体(光ディスク、光カード)等の記
録材料に好適である。
は、650〜900nmに吸収を有し、分子吸光係数も
高く、長期安定性、耐久性に優れるため、半導体レーザ
ーを用いる光記録媒体(光ディスク、光カード)等の記
録材料に好適である。
【0034】式(1)中、Mで表される2価金属の例と
しては、Cu(II)、Zn(II)、Fe(II)、Co
(II)、Ni(II)、Ru(II)、Rh(II)、Pd
(II)、Pt(II)、Mn(II)、Mg(II)、Ti
(II)、Be(II)、Ca(II)、Ba(II)、Cd
(II)、Hg(II)、Pb(II)、Sn(II)など、1
置換3価金属の例としては、Al−Cl、Al−Br、
Al−F、Al−I、Ga−Cl、Ga−F、Ga−
I、Ga−Br、In−Cl、In−Br、In−I、
In−F、Tl−Cl、Tl−Br、Tl−I、Tl−
F、Al−C6H5、Al−C6H4(CH3)、In−C6
H5、In−C6H4(CH3)、In−C10H7、Mn
(OH)、Mn(OC6H5)、Mn[OSi(C
H3)3]、FeCl、RuClなどが挙げられる。2置
換の4価金属の例としては、CrCl2、SiCl2、S
iBr2、SiF2、SiI2、ZrCl2、GeCl2、
GeBr2、GeI2、GeF2、SnCl2、SnB
r2、SnI2、SnF2、TiCl2、TiBr2、Ti
F2、Si(OH)2、Ge(OH)2、Zr(OH)2、
Mn(OH)2、Sn(OH)2、TiR2、CrR2、S
iR2、SnR2、GeR2[Rはアルキル基、フェニル
基、ナフチル基及びその誘導体を表す]、Si(O
R’)2、Sn(OR’)2、Ge(OR’)2、Ti
(OR’)2、Cr(OR’)2[R’はアルキル基、ア
ルキルカルボニル基、フェニル基、ナフチル基、トリア
ルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基及びそ
の誘導体を表す]などが挙げられる。オキシ金属の例と
しては、VO、MnO、TiOなどが挙げられる。これ
らの中で好ましくは、Cu(II)、Zn(II)、Fe
(II)、Co(II)、Ni(II)、Ru(II)、Rh
(II)、Pd(II)、Pt(II)、Mn(II)、Al−
Cl、Al−Br、Al−F、Al−I、SiCl2、
SiBr2、TiCl2、TiBr2、TiF2、Si(O
H)2、VOが挙げられ、さらに好ましくはCu(I
I)、Pd(II)が挙げられる。
しては、Cu(II)、Zn(II)、Fe(II)、Co
(II)、Ni(II)、Ru(II)、Rh(II)、Pd
(II)、Pt(II)、Mn(II)、Mg(II)、Ti
(II)、Be(II)、Ca(II)、Ba(II)、Cd
(II)、Hg(II)、Pb(II)、Sn(II)など、1
置換3価金属の例としては、Al−Cl、Al−Br、
Al−F、Al−I、Ga−Cl、Ga−F、Ga−
I、Ga−Br、In−Cl、In−Br、In−I、
In−F、Tl−Cl、Tl−Br、Tl−I、Tl−
F、Al−C6H5、Al−C6H4(CH3)、In−C6
H5、In−C6H4(CH3)、In−C10H7、Mn
(OH)、Mn(OC6H5)、Mn[OSi(C
H3)3]、FeCl、RuClなどが挙げられる。2置
換の4価金属の例としては、CrCl2、SiCl2、S
iBr2、SiF2、SiI2、ZrCl2、GeCl2、
GeBr2、GeI2、GeF2、SnCl2、SnB
r2、SnI2、SnF2、TiCl2、TiBr2、Ti
F2、Si(OH)2、Ge(OH)2、Zr(OH)2、
Mn(OH)2、Sn(OH)2、TiR2、CrR2、S
iR2、SnR2、GeR2[Rはアルキル基、フェニル
基、ナフチル基及びその誘導体を表す]、Si(O
R’)2、Sn(OR’)2、Ge(OR’)2、Ti
(OR’)2、Cr(OR’)2[R’はアルキル基、ア
ルキルカルボニル基、フェニル基、ナフチル基、トリア
ルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基及びそ
の誘導体を表す]などが挙げられる。オキシ金属の例と
しては、VO、MnO、TiOなどが挙げられる。これ
らの中で好ましくは、Cu(II)、Zn(II)、Fe
(II)、Co(II)、Ni(II)、Ru(II)、Rh
(II)、Pd(II)、Pt(II)、Mn(II)、Al−
Cl、Al−Br、Al−F、Al−I、SiCl2、
SiBr2、TiCl2、TiBr2、TiF2、Si(O
H)2、VOが挙げられ、さらに好ましくはCu(I
I)、Pd(II)が挙げられる。
【0035】また、式(1)中、R1〜R16で表される
置換又は無置換の総炭素数1〜10の直鎖又は分岐のア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、ノニル基、iso−プロピル基、sec−ブチ
ル基、t−ブチル基、neo−ペンチル基、1,2−ジ
メチルプロピル基、シクロヘキシル基、1,3−ジメチ
ルブチル基、1−iso−プロピルプロピル基、1,2
−ジメチルブチル基、1,4−ジメチルペンチル基、2
−メチル−1−iso−プロピルプロピル基、1−エチ
ル−3−メチルブチル基、3−メチル−1−iso−プ
ロピルブチル基、2−メチル−1−iso−プロピルブ
チル基、1−t−ブチル−2−メチルプロピル基、2、
4−ジメチル−3−プロピル基、2−メチルペンチル
基、2−エチルヘキシル基、2−クロロエチル基、3−
ブロモプロピル基、2,2,3,3−テトラフルオロプ
ロピル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−
2−プロピル基、2−メトキシエチル基、2−エトキシ
エチル基、2−ブトキシエチル基、1−エトキシ−2−
プロピル基、3−メトキシプロピル基、3−メトキシ−
ブチル基、2、2−ジメチル−1、3ジオキソラン−4
−メトキシ基、1、3−ジエトキシ−2−プロポキシ
基、2−ジメチルアミノエチル基、2−ジエチルアミノ
エチル基、2−ジブチルアミノエチル基、2−ジエチル
アミノプロピル基、1、3−ジエチルチオ−2−プロピ
ル基等が挙げられ、
置換又は無置換の総炭素数1〜10の直鎖又は分岐のア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、ノニル基、iso−プロピル基、sec−ブチ
ル基、t−ブチル基、neo−ペンチル基、1,2−ジ
メチルプロピル基、シクロヘキシル基、1,3−ジメチ
ルブチル基、1−iso−プロピルプロピル基、1,2
−ジメチルブチル基、1,4−ジメチルペンチル基、2
−メチル−1−iso−プロピルプロピル基、1−エチ
ル−3−メチルブチル基、3−メチル−1−iso−プ
ロピルブチル基、2−メチル−1−iso−プロピルブ
チル基、1−t−ブチル−2−メチルプロピル基、2、
4−ジメチル−3−プロピル基、2−メチルペンチル
基、2−エチルヘキシル基、2−クロロエチル基、3−
ブロモプロピル基、2,2,3,3−テトラフルオロプ
ロピル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−
2−プロピル基、2−メトキシエチル基、2−エトキシ
エチル基、2−ブトキシエチル基、1−エトキシ−2−
プロピル基、3−メトキシプロピル基、3−メトキシ−
ブチル基、2、2−ジメチル−1、3ジオキソラン−4
−メトキシ基、1、3−ジエトキシ−2−プロポキシ
基、2−ジメチルアミノエチル基、2−ジエチルアミノ
エチル基、2−ジブチルアミノエチル基、2−ジエチル
アミノプロピル基、1、3−ジエチルチオ−2−プロピ
ル基等が挙げられ、
【0036】置換又は無置換の総炭素数1〜10の直鎖
又は分岐のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、
ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ
基、ノニルオキシ基、iso−プロポキシ基、sec−
ブトキシ基、t−ブトキシ基、neo−ペンチルオキシ
基、1,2−ジメチルプロポキシ基、シクロヘキシルオ
キシ基、1,3−ジメチルブトキシ基、1−iso−プ
ロピルプロポキシ基、1,2−ジメチルブトキシ基、
1,4−ジメチルペンチルオキシ基、2−メチル−1−
iso−プロピルプロポキシ基、1−エチル−3−メチ
ルブトキシ基、3−メチル−1−iso−プロピルブト
キシ基、2−メチル−1−iso−プロピルブトキシ
基、1−t−ブチル−2−メチルプロポキシ基、2、4
−ジメチル−3−プロポキシ基、2−メチルペンチルオ
キシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、2−クロロエト
キシ基、3−ブロモプロポキシ基、2,2,3,3−テ
トラフルオロプロポキシ基、1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロ−2−プロポキシ基、2−メトキシエト
キシ基、2−エトキシエトキシ基、2−ブトキシエトキ
シ基、1−エトキシ−2−プロポキシ基、3−メトキシ
プロポキシ基、3−メトキシブトキシ基、2、2−ジメ
チル−1、3ジオキソラン−4−メトキシ基、1、3−
ジエトキシ−2−プロポキシ基、2−ジメチルアミノエ
トキシ基、2−ジエチルアミノエトキシ基、2−ジブチ
ルアミノエトキシ基、2−ジエチルアミノプロポキシ
基、1、3−ジエチルチオ−2−プロポキシ基等が挙げ
られ、
又は分岐のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、
ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ
基、ノニルオキシ基、iso−プロポキシ基、sec−
ブトキシ基、t−ブトキシ基、neo−ペンチルオキシ
基、1,2−ジメチルプロポキシ基、シクロヘキシルオ
キシ基、1,3−ジメチルブトキシ基、1−iso−プ
ロピルプロポキシ基、1,2−ジメチルブトキシ基、
1,4−ジメチルペンチルオキシ基、2−メチル−1−
iso−プロピルプロポキシ基、1−エチル−3−メチ
ルブトキシ基、3−メチル−1−iso−プロピルブト
キシ基、2−メチル−1−iso−プロピルブトキシ
基、1−t−ブチル−2−メチルプロポキシ基、2、4
−ジメチル−3−プロポキシ基、2−メチルペンチルオ
キシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、2−クロロエト
キシ基、3−ブロモプロポキシ基、2,2,3,3−テ
トラフルオロプロポキシ基、1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロ−2−プロポキシ基、2−メトキシエト
キシ基、2−エトキシエトキシ基、2−ブトキシエトキ
シ基、1−エトキシ−2−プロポキシ基、3−メトキシ
プロポキシ基、3−メトキシブトキシ基、2、2−ジメ
チル−1、3ジオキソラン−4−メトキシ基、1、3−
ジエトキシ−2−プロポキシ基、2−ジメチルアミノエ
トキシ基、2−ジエチルアミノエトキシ基、2−ジブチ
ルアミノエトキシ基、2−ジエチルアミノプロポキシ
基、1、3−ジエチルチオ−2−プロポキシ基等が挙げ
られ、
【0037】置換又は無置換の総炭素数1〜10の直鎖
又は分岐のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エ
チルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチル
チオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチ
オ基、ノニルチオ基、iso−プロピルチオ基、sec
−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、neo−ペンチル
チオ基、1,2−ジメチルプロピルチオ基、シクロヘキ
シルチオ基、1,3−ジメチルブチルチオ基、1−is
o−プロピルプロピルチオ基、1,2−ジメチルブチル
チオ基、1,4−ジメチルペンチルチオ基、2−メチル
−1−iso−プロピルプロピルチオ基、1−エチル−
3−メチルブチルチオ基、3−メチル−1−iso−プ
ロピルブチルチオ基、2−メチル−1−iso−プロピ
ルブチルチオ基、1−t−ブチル−2−メチルプロピル
チオ基、2、4−ジメチル−3−プロピルチオ基、2−
メチルペンチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、2
−クロロエチルチオ基、3−ブロモプロピルチオ基、
2,2,3,3−テトラフルオロプロピルチオ基、1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピルチ
オ基、2−メトキシエチルチオ基、2−エトキシエチル
チオ基、2−ブトキシエチルチオ基、1−エトキシ−2
−プロピルチオ基、3−メトキシ−プロピルチオ基、3
−メトキシブチルチオ基、2、2−ジメチル−1、3ジ
オキソラン−4−メチルチオ基、1、3−ジエトキシ−
2−プロピルチオ基、2−ジメチルアミノエチルチオ
基、2−ジエチルアミノエチルチオ基、2−ジブチルア
ミノエチルチオ基、2−ジエチルアミノプロピルチオ
基、1、3−ジエチルチオ−2−プロピルチオ基等が挙
げられる。
又は分岐のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エ
チルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチル
チオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチ
オ基、ノニルチオ基、iso−プロピルチオ基、sec
−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、neo−ペンチル
チオ基、1,2−ジメチルプロピルチオ基、シクロヘキ
シルチオ基、1,3−ジメチルブチルチオ基、1−is
o−プロピルプロピルチオ基、1,2−ジメチルブチル
チオ基、1,4−ジメチルペンチルチオ基、2−メチル
−1−iso−プロピルプロピルチオ基、1−エチル−
3−メチルブチルチオ基、3−メチル−1−iso−プ
ロピルブチルチオ基、2−メチル−1−iso−プロピ
ルブチルチオ基、1−t−ブチル−2−メチルプロピル
チオ基、2、4−ジメチル−3−プロピルチオ基、2−
メチルペンチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、2
−クロロエチルチオ基、3−ブロモプロピルチオ基、
2,2,3,3−テトラフルオロプロピルチオ基、1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピルチ
オ基、2−メトキシエチルチオ基、2−エトキシエチル
チオ基、2−ブトキシエチルチオ基、1−エトキシ−2
−プロピルチオ基、3−メトキシ−プロピルチオ基、3
−メトキシブチルチオ基、2、2−ジメチル−1、3ジ
オキソラン−4−メチルチオ基、1、3−ジエトキシ−
2−プロピルチオ基、2−ジメチルアミノエチルチオ
基、2−ジエチルアミノエチルチオ基、2−ジブチルア
ミノエチルチオ基、2−ジエチルアミノプロピルチオ
基、1、3−ジエチルチオ−2−プロピルチオ基等が挙
げられる。
【0038】置換基Aにおいて、式(a−1)〜(a−
9)中、Yで示される置換又は無置換の総炭素数1〜4
のアルキレン基として、メチレン基、エチレン基、プロ
ピレン基、ブチレン基、1−メチルエチレン基、2−メ
チルプロピレン基、1,2−ジメチルエチレン基、1−
クロロメチレン基、2−クロロエチレン基、3−ブロモ
プロピレン基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピ
レン基、1,1,2,2,2,3,3,3,4,4−デ
カフルオロブチレン基、2−メトキシエチレン基、2−
エトキシエチレン基、2−メトキシプロピレン基、2−
ジメチルアミノエチレン基、2−アミノプロピレン基、
1、3−ジメチルチオメチレン基等が挙げられ、
9)中、Yで示される置換又は無置換の総炭素数1〜4
のアルキレン基として、メチレン基、エチレン基、プロ
ピレン基、ブチレン基、1−メチルエチレン基、2−メ
チルプロピレン基、1,2−ジメチルエチレン基、1−
クロロメチレン基、2−クロロエチレン基、3−ブロモ
プロピレン基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピ
レン基、1,1,2,2,2,3,3,3,4,4−デ
カフルオロブチレン基、2−メトキシエチレン基、2−
エトキシエチレン基、2−メトキシプロピレン基、2−
ジメチルアミノエチレン基、2−アミノプロピレン基、
1、3−ジメチルチオメチレン基等が挙げられ、
【0039】置換又は無置換の総炭素数2〜4のアルケ
ニレン基としては、ビニレン基、1−プロぺニレン基、
2−ブテニレン基、1,3−ブタジエニレン基、1−メ
チルビニレン基、2−メチル−2−プロペニレン基、
1,2−ジメチルビニレン基、1,2−ジクロロビニレ
ン基、2−ブロモ−1−プロぺニレン基、1,2−ジメ
トキシビニレン基、1−ジメチルアミノビニレン基、2
−アミノ−1−プロピレニレン基、1−メチルチオビニ
レン基等が挙げられ、置換又は無置換の総炭素数6〜1
5のアリーレン基としては、フェニル基、ニトロフェニ
ル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチ
ルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニ
ル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエ
チルフェニル基、n−プロピルフェニル基、ジ(n−プ
ロピル)フェニル基、トリ(n−プロピル)フェニル
基、iso−プロピルフェニル基、ジ(iso−プロピ
ル)フェニル基、トリ(iso−プロピル)フェニル
基、n−ブチルフェニル基、ジ(n−ブチル)フェニル
基、トリ(n−ブチル)フェニル基、iso−ブチルフ
ェニル基、ジ(iso−ブチル)フェニル基、トリ(i
so−ブチル)フェニル基、sec−ブチルフェニル
基、ジ(sec−ブチル)フェニル基、t−ブチルフェ
ニル基、ジ(t−ブチル)フェニル基、ジメチル−t−
ブチル−フェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェ
ニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキ
シフェニル基、エトキシフェニル基、トリフルオロメチ
ルフェニル基、N,N−ジメチルアミノフェニル基、ナ
フチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒド
ロキシナフチル基、メチルナフチル基、フルオロナフチ
ル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ヨードナ
フチル基、メトキシナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基、N,N−ジメチルアミノナフチル基等のアリ
ール基から誘導される2価の基が挙げられ、置換又は無
置換の総炭素数3〜15のヘテロアリーレン基として
は、ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキサゾイ
ル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、イミ
ダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル
基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル基、インド
イル基、イソインドイル基等のヘテロアリール基から誘
導される2価の基が挙げられる。
ニレン基としては、ビニレン基、1−プロぺニレン基、
2−ブテニレン基、1,3−ブタジエニレン基、1−メ
チルビニレン基、2−メチル−2−プロペニレン基、
1,2−ジメチルビニレン基、1,2−ジクロロビニレ
ン基、2−ブロモ−1−プロぺニレン基、1,2−ジメ
トキシビニレン基、1−ジメチルアミノビニレン基、2
−アミノ−1−プロピレニレン基、1−メチルチオビニ
レン基等が挙げられ、置換又は無置換の総炭素数6〜1
5のアリーレン基としては、フェニル基、ニトロフェニ
ル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチ
ルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニ
ル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエ
チルフェニル基、n−プロピルフェニル基、ジ(n−プ
ロピル)フェニル基、トリ(n−プロピル)フェニル
基、iso−プロピルフェニル基、ジ(iso−プロピ
ル)フェニル基、トリ(iso−プロピル)フェニル
基、n−ブチルフェニル基、ジ(n−ブチル)フェニル
基、トリ(n−ブチル)フェニル基、iso−ブチルフ
ェニル基、ジ(iso−ブチル)フェニル基、トリ(i
so−ブチル)フェニル基、sec−ブチルフェニル
基、ジ(sec−ブチル)フェニル基、t−ブチルフェ
ニル基、ジ(t−ブチル)フェニル基、ジメチル−t−
ブチル−フェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェ
ニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキ
シフェニル基、エトキシフェニル基、トリフルオロメチ
ルフェニル基、N,N−ジメチルアミノフェニル基、ナ
フチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒド
ロキシナフチル基、メチルナフチル基、フルオロナフチ
ル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ヨードナ
フチル基、メトキシナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基、N,N−ジメチルアミノナフチル基等のアリ
ール基から誘導される2価の基が挙げられ、置換又は無
置換の総炭素数3〜15のヘテロアリーレン基として
は、ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキサゾイ
ル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、イミ
ダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル
基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル基、インド
イル基、イソインドイル基等のヘテロアリール基から誘
導される2価の基が挙げられる。
【0040】置換基A中のZ、Z’、R、R’としての
置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、iso−プロピル基、sec−ブチル基、t−ブチ
ル基、neo−ペンチル基、1,2−ジメチルプロピル
基、シクロヘキシル基、1,3−ジメチルブチル基、1
−iso−プロピルプロピル基、1,2−ジメチルブチ
ル基、1,4−ジメチルペンチル基、2−メチル−1−
iso−プロピルプロピル基、1−エチル−3−メチル
ブチル基、3−メチル−1−iso−プロピルブチル
基、2−メチル−1−iso−プロピルブチル基、1−
t−ブチル−2−メチルプロピル基、2、4−ジメチル
−3−プロピル基、2−メチルペンチル基、2−エチル
ヘキシル基、2−クロロエチル基、3−ブロモプロピル
基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル基、1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル
基、2−メトキシエチル基、2−エトキシエチル基、2
−ブトキシエチル基、1−エトキシ−2−プロピル基、
3−メトキシプロピル基、3−メトキシ−ブチル基、
2、2−ジメチル−1、3ジオキソラン−4−メトキシ
基、1、3−ジエトキシ−2−プロポキシ基、2−ジメ
チルアミノエチル基、2−ジエチルアミノエチル基、2
−ジブチルアミノエチル基、2−ジエチルアミノプロピ
ル基、1、3−ジエチルチオ−2−プロピル基等が挙げ
られ、置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルケニル
基としては、ビニル基、1−プロペニル基、2−ブテニ
ル基、1,3−ブタジエニル基、1−メチルビニル基、
2−メチル−2−プロペニル基、1,2−ジメチルビニ
ル基、1,2−ジクロロビニル基、2−ブロモ−1−プ
ロペニル基、1,2−ジメトキシビニル基、1−ジメチ
ルアミノビニル基、2−アミノ−1−プロピレニル基、
1−メチルチオビニル基等が挙げられ、置換又は無置換
の総炭素数3〜15の脂環式化合物基としては、シクロ
プロピル基、2−メチルシクロプロピル基、2,2−ジ
メチルシクロプロピル基、シクロブチル基、2−エチル
シクロブチル基、2,3,4−トリメチルシクロブチル
基、シクロペンチル基、2−イソプロピルシクロペンチ
ル基、3,3,4,4−テトラメチルシクロペンチル
基、シクロヘキシル基、2−シクロヘキセニル基、4−
フェニルシクロヘキシル基、テトラリル基、アダマンチ
ル基、N−ピロリジル基、テトラヒドロフリル基、テト
ラヒドロチオフェニル基、ピペリジニル基、ピペラジニ
ル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラ
ニル基、オキサジナニル基、チオモルフォリニル基、ヘ
キサヒドロトリアジニル基、ヘキサメチレンテトラミニ
ル基等が挙げられる。
置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、iso−プロピル基、sec−ブチル基、t−ブチ
ル基、neo−ペンチル基、1,2−ジメチルプロピル
基、シクロヘキシル基、1,3−ジメチルブチル基、1
−iso−プロピルプロピル基、1,2−ジメチルブチ
ル基、1,4−ジメチルペンチル基、2−メチル−1−
iso−プロピルプロピル基、1−エチル−3−メチル
ブチル基、3−メチル−1−iso−プロピルブチル
基、2−メチル−1−iso−プロピルブチル基、1−
t−ブチル−2−メチルプロピル基、2、4−ジメチル
−3−プロピル基、2−メチルペンチル基、2−エチル
ヘキシル基、2−クロロエチル基、3−ブロモプロピル
基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル基、1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル
基、2−メトキシエチル基、2−エトキシエチル基、2
−ブトキシエチル基、1−エトキシ−2−プロピル基、
3−メトキシプロピル基、3−メトキシ−ブチル基、
2、2−ジメチル−1、3ジオキソラン−4−メトキシ
基、1、3−ジエトキシ−2−プロポキシ基、2−ジメ
チルアミノエチル基、2−ジエチルアミノエチル基、2
−ジブチルアミノエチル基、2−ジエチルアミノプロピ
ル基、1、3−ジエチルチオ−2−プロピル基等が挙げ
られ、置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルケニル
基としては、ビニル基、1−プロペニル基、2−ブテニ
ル基、1,3−ブタジエニル基、1−メチルビニル基、
2−メチル−2−プロペニル基、1,2−ジメチルビニ
ル基、1,2−ジクロロビニル基、2−ブロモ−1−プ
ロペニル基、1,2−ジメトキシビニル基、1−ジメチ
ルアミノビニル基、2−アミノ−1−プロピレニル基、
1−メチルチオビニル基等が挙げられ、置換又は無置換
の総炭素数3〜15の脂環式化合物基としては、シクロ
プロピル基、2−メチルシクロプロピル基、2,2−ジ
メチルシクロプロピル基、シクロブチル基、2−エチル
シクロブチル基、2,3,4−トリメチルシクロブチル
基、シクロペンチル基、2−イソプロピルシクロペンチ
ル基、3,3,4,4−テトラメチルシクロペンチル
基、シクロヘキシル基、2−シクロヘキセニル基、4−
フェニルシクロヘキシル基、テトラリル基、アダマンチ
ル基、N−ピロリジル基、テトラヒドロフリル基、テト
ラヒドロチオフェニル基、ピペリジニル基、ピペラジニ
ル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラ
ニル基、オキサジナニル基、チオモルフォリニル基、ヘ
キサヒドロトリアジニル基、ヘキサメチレンテトラミニ
ル基等が挙げられる。
【0041】置換又は無置換の総炭素数6〜15のアリ
ール基としては、フェニル基、ニトロフェニル基、シア
ノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル
基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチ
ルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニ
ル基、n−プロピルフェニル基、ジ(n−プロピル)フ
ェニル基、トリ(n−プロピル)フェニル基、iso−
プロピルフェニル基、ジ(iso−プロピル)フェニル
基、トリ(iso−プロピル)フェニル基、n−ブチル
フェニル基、ジ(n−ブチル)フェニル基、トリ(n−
ブチル)フェニル基、iso−ブチルフェニル基、ジ
(iso−ブチル)フェニル基、sec−ブチルフェニ
ル基、ジ(sec−ブチル)フェニル基、t−ブチルフ
ェニル基、ジ(t−ブチル)フェニル基、ジメチル−t
−ブチルフェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェ
ニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキ
シフェニル基、エトキシフェニル基、トリフルオロメチ
ルフェニル基、N,N−ジメチルアミノフェニル基、ナ
フチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒド
ロキシナフチル基、メチルナフチル基、フルオロナフチ
ル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ヨードナ
フチル基、メトキシナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基、N,N−ジメチルアミノナフチル基等が挙げ
られ、
ール基としては、フェニル基、ニトロフェニル基、シア
ノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル
基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチ
ルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニ
ル基、n−プロピルフェニル基、ジ(n−プロピル)フ
ェニル基、トリ(n−プロピル)フェニル基、iso−
プロピルフェニル基、ジ(iso−プロピル)フェニル
基、トリ(iso−プロピル)フェニル基、n−ブチル
フェニル基、ジ(n−ブチル)フェニル基、トリ(n−
ブチル)フェニル基、iso−ブチルフェニル基、ジ
(iso−ブチル)フェニル基、sec−ブチルフェニ
ル基、ジ(sec−ブチル)フェニル基、t−ブチルフ
ェニル基、ジ(t−ブチル)フェニル基、ジメチル−t
−ブチルフェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェ
ニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキ
シフェニル基、エトキシフェニル基、トリフルオロメチ
ルフェニル基、N,N−ジメチルアミノフェニル基、ナ
フチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒド
ロキシナフチル基、メチルナフチル基、フルオロナフチ
ル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ヨードナ
フチル基、メトキシナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基、N,N−ジメチルアミノナフチル基等が挙げ
られ、
【0042】置換又は無置換の総炭素数7〜15のアラ
ルキル基としては、ベンジル基、ニトロベンジル基、シ
アノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジ
ル基、ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジ
クロロベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベン
ジル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチ
ル基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等が挙げら
れ、
ルキル基としては、ベンジル基、ニトロベンジル基、シ
アノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジ
ル基、ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジ
クロロベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベン
ジル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチ
ル基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等が挙げら
れ、
【0043】置換又は無置換の総炭素数3〜15のヘテ
ロアリール基としては、ピロリル基、チエニル基、フラ
ニル基、オキサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサ
ジアゾイル基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル
基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベン
ゾフラニル基、インドイル基、イソインドイル基等のヘ
テロアリール基が挙げられる。
ロアリール基としては、ピロリル基、チエニル基、フラ
ニル基、オキサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサ
ジアゾイル基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル
基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベン
ゾフラニル基、インドイル基、イソインドイル基等のヘ
テロアリール基が挙げられる。
【0044】また、Zで表される金属錯体としては、金
属を含む化合物であれば何でもよいが、好ましくはメタ
ロセン化合物が挙げられ、具体的には、Fe(Cp)2
(ただしCpはシクロペンタジエニル基を表す)、Co
(Cp)2、Ni(Cp)2、Ru(Cp)2、Os(C
p)2、Mn(Cp)2、Cr(Cp)2、W(Cp)2、
V(Cp)2、Sc(Cp)3、Y(Cp)3、La(C
p)3、Ce(Cp)3、Pr(Cp)3、Nd(C
p)3、Sm(Cp)3、Gd(Cp)3、Er(C
p)3、Tm(Cp)3、Yb(Cp)3、シクロペンタ
ジエニルマンガノセントリカルボニル等のメタロセン化
合物、チタノセンジフェノキシド、ビス(シクロペンタ
ジエニル)ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピ
ロール−1−イル)フェニルチタニウム、シクロペンタ
ジエニルマンガノセントリカルボニル等の置換金属を有
するメタロセン化合物などが挙げられ、これらのメタロ
セン化合物は、アルキル基、アリール基、アシル基によ
り置換されていてもよく、メタロセン化合物との結合
は、シクロペンタジエニル環との結合、金属との直接結
合などが挙げられるが、例えばシクロペンタジエニル環
との結合が挙げられる。
属を含む化合物であれば何でもよいが、好ましくはメタ
ロセン化合物が挙げられ、具体的には、Fe(Cp)2
(ただしCpはシクロペンタジエニル基を表す)、Co
(Cp)2、Ni(Cp)2、Ru(Cp)2、Os(C
p)2、Mn(Cp)2、Cr(Cp)2、W(Cp)2、
V(Cp)2、Sc(Cp)3、Y(Cp)3、La(C
p)3、Ce(Cp)3、Pr(Cp)3、Nd(C
p)3、Sm(Cp)3、Gd(Cp)3、Er(C
p)3、Tm(Cp)3、Yb(Cp)3、シクロペンタ
ジエニルマンガノセントリカルボニル等のメタロセン化
合物、チタノセンジフェノキシド、ビス(シクロペンタ
ジエニル)ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピ
ロール−1−イル)フェニルチタニウム、シクロペンタ
ジエニルマンガノセントリカルボニル等の置換金属を有
するメタロセン化合物などが挙げられ、これらのメタロ
セン化合物は、アルキル基、アリール基、アシル基によ
り置換されていてもよく、メタロセン化合物との結合
は、シクロペンタジエニル環との結合、金属との直接結
合などが挙げられるが、例えばシクロペンタジエニル環
との結合が挙げられる。
【0045】一般式(1)で示される化合物は、まず、
ジアミン又はヒドラジンとアルデヒドから、モノイミン
を生成し、次いで、ホルミル化したフタロシアニン化合
物とカップリングさせる方法、ジアミンと酸ハロゲン化
物とを反応させ酸アミドを生成し、次いで、ホルミル化
したフタロシアニン化合物をカップリングさせる方法、
酸ハロゲン化物とフタロシアニン化合物のヒドロキシメ
チル体とのエステル化する方法等により合成することが
できる。
ジアミン又はヒドラジンとアルデヒドから、モノイミン
を生成し、次いで、ホルミル化したフタロシアニン化合
物とカップリングさせる方法、ジアミンと酸ハロゲン化
物とを反応させ酸アミドを生成し、次いで、ホルミル化
したフタロシアニン化合物をカップリングさせる方法、
酸ハロゲン化物とフタロシアニン化合物のヒドロキシメ
チル体とのエステル化する方法等により合成することが
できる。
【0046】また、フタロシアニン化合物は、公知の様
に構造異性体が存在し、得られる化合物はこれらの混合
物である。さらに、本発明では、多くの構造異性体が生
成する他に、置換数の異なる化合物の混合物として得ら
れる。本発明に記載の化合物は、構造式で示される化合
物を主に含む混合物であり、構造式に示される化合物に
限定されるものではない。
に構造異性体が存在し、得られる化合物はこれらの混合
物である。さらに、本発明では、多くの構造異性体が生
成する他に、置換数の異なる化合物の混合物として得ら
れる。本発明に記載の化合物は、構造式で示される化合
物を主に含む混合物であり、構造式に示される化合物に
限定されるものではない。
【0047】なお、置換基Aとしては、CH=N−Nや
CH2−O−(C=O)を含むものが好ましい。
CH2−O−(C=O)を含むものが好ましい。
【0048】次に、本発明の一般式(1)で示されるフ
タロシアニン化合物の具体例を示す。なお、括弧外に記
載の各置換基は、フタロシアニンのα位に置換してい
る。
タロシアニン化合物の具体例を示す。なお、括弧外に記
載の各置換基は、フタロシアニンのα位に置換してい
る。
【0049】
【化7】
【0050】
【化8】
【0051】
【化9】
【0052】
【化10】
【0053】
【化11】
【0054】
【化12】
【0055】
【化13】
【0056】
【化14】
【0057】
【化15】
【0058】
【化16】
【0059】
【化17】
【0060】
【化18】
【0061】
【化19】
【0062】
【化20】
【0063】
【化21】
【0064】
【化22】
【0065】
【化23】
【0066】
【化24】
【0067】
【化25】
【0068】
【化26】
【0069】
【化27】
【0070】
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
ない。
が、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
ない。
【0071】〔実施例1〕フタロシアニン化合物(1−
1)の合成 乾燥ジメチルホルムアミド(以下DMFと略)4.38
g(60mmol)に、水冷下、オキシ塩化リン9.2
g(60mmol)を滴下した後、室温で攪拌しフィル
スマイヤー(Vilsmeier)試薬を調製した。攪
拌下、特開平5−247363号記載のフタロシアニン
化合物10.76g(10mmol)のクロロベンゼン
100ml溶液を加え80−90℃で4時間反応させ
た。反応終了後、室温に冷却したのち、酢酸ナトリウム
水溶液を添加し、クロロホルムを用いて抽出し、水洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶剤を留去し、カラ
ムクロマトグラフィーにて精製し、下記構造式(3)で
示されるホルミルフタロシアニン化合物8.28g
(7.5mmol)(収率75%)を得た。
1)の合成 乾燥ジメチルホルムアミド(以下DMFと略)4.38
g(60mmol)に、水冷下、オキシ塩化リン9.2
g(60mmol)を滴下した後、室温で攪拌しフィル
スマイヤー(Vilsmeier)試薬を調製した。攪
拌下、特開平5−247363号記載のフタロシアニン
化合物10.76g(10mmol)のクロロベンゼン
100ml溶液を加え80−90℃で4時間反応させ
た。反応終了後、室温に冷却したのち、酢酸ナトリウム
水溶液を添加し、クロロホルムを用いて抽出し、水洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶剤を留去し、カラ
ムクロマトグラフィーにて精製し、下記構造式(3)で
示されるホルミルフタロシアニン化合物8.28g
(7.5mmol)(収率75%)を得た。
【0072】このホルミルフタロシアニン化合物(3)
4.4g(4.0mmol)をトリクロロエタン25m
l、水10mlに溶解し、50℃に昇温した後、臭素
1.28g(8.0mmol)のトリクロロエタン6.
5ml溶液を滴下し反応させた。反応終了後、亜硫酸水
素ナトリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出後、水
洗し、溶媒を留去し、ハロゲン化ホルミルフタロシアニ
ン化合物を4.91g(3.89mmol)(収率97
%)得た。
4.4g(4.0mmol)をトリクロロエタン25m
l、水10mlに溶解し、50℃に昇温した後、臭素
1.28g(8.0mmol)のトリクロロエタン6.
5ml溶液を滴下し反応させた。反応終了後、亜硫酸水
素ナトリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出後、水
洗し、溶媒を留去し、ハロゲン化ホルミルフタロシアニ
ン化合物を4.91g(3.89mmol)(収率97
%)得た。
【0073】一方、ヒドラジン一水和物195g(3.
9mol)中に、ホルミルフェロセン8.3g(0.0
39mol)のメタノール50ml溶液を室温で滴下し
反応させた。水中に排出し、析出した固体を濾別水洗
し、下記構造式(4)で示されるフェロセンアルダゾン
を6.8g(0.030mol)(収率79%)得た。
9mol)中に、ホルミルフェロセン8.3g(0.0
39mol)のメタノール50ml溶液を室温で滴下し
反応させた。水中に排出し、析出した固体を濾別水洗
し、下記構造式(4)で示されるフェロセンアルダゾン
を6.8g(0.030mol)(収率79%)得た。
【0074】
【化28】
【0075】上記で得られたハロゲン化ホルミルフタロ
シアニン化合物3.78g(3.0mmol)をトルエ
ン50mlに溶解させたのち、フェロセンアルダゾン
(4)1.37g(6.0mmol)を添加し、室温で
反応させ、溶剤を留去したのちカラムクロマトグラフィ
ーにて精製し、下記構造式(1−1)で示されるフタロ
シアニン化合物3.75g(2.55mol)(収率8
5%)を得た。この色素のkmaxは1.36で、そのと
きのλmaxは726.5nmであった。
シアニン化合物3.78g(3.0mmol)をトルエ
ン50mlに溶解させたのち、フェロセンアルダゾン
(4)1.37g(6.0mmol)を添加し、室温で
反応させ、溶剤を留去したのちカラムクロマトグラフィ
ーにて精製し、下記構造式(1−1)で示されるフタロ
シアニン化合物3.75g(2.55mol)(収率8
5%)を得た。この色素のkmaxは1.36で、そのと
きのλmaxは726.5nmであった。
【0076】
【化29】
【0077】溶液中の最大吸収波長:713.5nm
(溶剤:トルエン) グラム吸光係数:εg=151,000(溶剤:トルエ
ン) 熱分解開始温度:280℃ 元素分析値:C72H80Br2N10O4PdFe 計算値(%) C:58.77%、H:5.48%、N:9.52% 分析値(%) C:58.56%、H:5.52%、N:9.47%
(溶剤:トルエン) グラム吸光係数:εg=151,000(溶剤:トルエ
ン) 熱分解開始温度:280℃ 元素分析値:C72H80Br2N10O4PdFe 計算値(%) C:58.77%、H:5.48%、N:9.52% 分析値(%) C:58.56%、H:5.52%、N:9.47%
【0078】〔実施例2〕フタロシアニン化合物(1−
7)の合成 特開平5−247363号記載の方法で合成した下記構
造式(5)で示されるフタロシアニン化合物9.78g
(10mmol)を用いる以外は実施例1と同様にし
て、下記構造式(6)で示されるホルミルフタロシアニ
ン化合物6.84g(6.8mmol)(収率68%)
を得た。
7)の合成 特開平5−247363号記載の方法で合成した下記構
造式(5)で示されるフタロシアニン化合物9.78g
(10mmol)を用いる以外は実施例1と同様にし
て、下記構造式(6)で示されるホルミルフタロシアニ
ン化合物6.84g(6.8mmol)(収率68%)
を得た。
【0079】このホルミルフタロシアニン化合物(6)
4.03g(4.0mmol)をトリクロロエタン25
ml、水10mlを混合し、50℃に昇温して溶解後、
0℃に冷却した。塩化スルフリル1.78g(8.0m
mol)のトリクロロエタン10ml溶液を滴下し、室
温で1時間反応させた。反応終了後、炭酸カルシウム水
溶液を加え、トルエンで抽出後、水洗し、溶媒を留去
し、ハロゲン化ホルミルフタロシアニン化合物を3.9
9g(3.6mmol)(収率90%)得た。
4.03g(4.0mmol)をトリクロロエタン25
ml、水10mlを混合し、50℃に昇温して溶解後、
0℃に冷却した。塩化スルフリル1.78g(8.0m
mol)のトリクロロエタン10ml溶液を滴下し、室
温で1時間反応させた。反応終了後、炭酸カルシウム水
溶液を加え、トルエンで抽出後、水洗し、溶媒を留去
し、ハロゲン化ホルミルフタロシアニン化合物を3.9
9g(3.6mmol)(収率90%)得た。
【0080】一方、p−トルエンスルホニルクロリド
1.52g(7.5mmol)を用いる以外は実施例1
と同様にヒドラジンと縮合して、下記構造式(7)で示
されるp−トルエンスルホニルヒドラジドを1.20g
(5.2mmol)(収率53%)得た。
1.52g(7.5mmol)を用いる以外は実施例1
と同様にヒドラジンと縮合して、下記構造式(7)で示
されるp−トルエンスルホニルヒドラジドを1.20g
(5.2mmol)(収率53%)得た。
【0081】
【化30】
【0082】上記で得られたハロゲン化ホルミルフタロ
シアニン化合物2.22g(2.0mmol)、及びp
−トルエンスルホニルヒドラジド(7)0.92g
(4.0mmol)をトルエン30mlに溶解させ、室
温で2時間反応させた。溶剤を留去したのちカラムクロ
マトグラフィーにて精製し、下記構造式(1−7)で示
されるフタロシアニン化合物1.89g(1.4mo
l)(収率70%)を得た。この色素のkmaxは0.9
2で、そのときのλmaxは734.5nmであった。
シアニン化合物2.22g(2.0mmol)、及びp
−トルエンスルホニルヒドラジド(7)0.92g
(4.0mmol)をトルエン30mlに溶解させ、室
温で2時間反応させた。溶剤を留去したのちカラムクロ
マトグラフィーにて精製し、下記構造式(1−7)で示
されるフタロシアニン化合物1.89g(1.4mo
l)(収率70%)を得た。この色素のkmaxは0.9
2で、そのときのλmaxは734.5nmであった。
【0083】
【化31】
【0084】溶液中の最大吸収波長:725nm(溶
剤:トルエン) グラム吸光係数:εg=122,000(溶剤:トルエ
ン) 熱分解開始温度:285℃ 元素分析値:C68H77Cl3N10O7SZn 計算値(%) C:61.49% H:5.75% N:10.37% 分析値(%) C:61.78% H:5.51% N:10.39%
剤:トルエン) グラム吸光係数:εg=122,000(溶剤:トルエ
ン) 熱分解開始温度:285℃ 元素分析値:C68H77Cl3N10O7SZn 計算値(%) C:61.49% H:5.75% N:10.37% 分析値(%) C:61.78% H:5.51% N:10.39%
【0085】〔実施例3〕 フタロシアニン化合物(1
−13)の合成 特開平5−247363号記載の方法と同様にして合成
した下記構造式(8)で示されるフタロシアニン化合物
2.94g(3.0mmol)を、実施例1と同様の方
法を用いてホルミル化し、ホルミル化フタロシアニン化
合物を2.06g(2.1mmol)(収率69%)で
得た。このホルミル化フタロシアニン化合物1.0g
(1.0mmol)をトルエン50mlに溶解させ、水
素化ホウ素ナトリウム0.37g(10mmol)を加
え、室温で6時間攪拌した後、1%塩酸200mlを加
えた後、トルエンで抽出、乾燥後濃縮して下記構造式
(9)で示されるフタロシアニンヒドロキシメチル体
0.92g(9.1mmol)(収率92%)を得た。
−13)の合成 特開平5−247363号記載の方法と同様にして合成
した下記構造式(8)で示されるフタロシアニン化合物
2.94g(3.0mmol)を、実施例1と同様の方
法を用いてホルミル化し、ホルミル化フタロシアニン化
合物を2.06g(2.1mmol)(収率69%)で
得た。このホルミル化フタロシアニン化合物1.0g
(1.0mmol)をトルエン50mlに溶解させ、水
素化ホウ素ナトリウム0.37g(10mmol)を加
え、室温で6時間攪拌した後、1%塩酸200mlを加
えた後、トルエンで抽出、乾燥後濃縮して下記構造式
(9)で示されるフタロシアニンヒドロキシメチル体
0.92g(9.1mmol)(収率92%)を得た。
【0086】フタロシアニンヒドロキシメチル体(9)
0.51g(0.5mmol)とピロール−2−カルボ
ン酸0.11g(1.0mmol)とをトルエン中、の
p−トルエンスルホン酸一水和物0.03g(0.16
mmol)を加え4時間還流させた。室温に冷却後、メ
タノールに排出し、析出した固体を分取し、カラムクロ
マトグラフィーで精製し、下記構造式(1−13)で示
されるフタロシアニン化合物0.49g(0.44mm
ol)(90%)を得た。この色素のkmaxは1.22
で、そのときのλmaxは725.5nmであった。
0.51g(0.5mmol)とピロール−2−カルボ
ン酸0.11g(1.0mmol)とをトルエン中、の
p−トルエンスルホン酸一水和物0.03g(0.16
mmol)を加え4時間還流させた。室温に冷却後、メ
タノールに排出し、析出した固体を分取し、カラムクロ
マトグラフィーで精製し、下記構造式(1−13)で示
されるフタロシアニン化合物0.49g(0.44mm
ol)(90%)を得た。この色素のkmaxは1.22
で、そのときのλmaxは725.5nmであった。
【0087】
【化32】
【0088】溶剤中の最大吸収波長:713.5nm
(溶剤:トルエン) グラム吸光係数:εg=126,000(溶剤:トルエ
ン) 熱分解開始温度:260℃ 元素分析値:C58H61CoN9O2S4 計算値(%) C:63.14% H:5.57% N:11.43% 分析値(%) C:63.27% H:5.31% N:11.75%
(溶剤:トルエン) グラム吸光係数:εg=126,000(溶剤:トルエ
ン) 熱分解開始温度:260℃ 元素分析値:C58H61CoN9O2S4 計算値(%) C:63.14% H:5.57% N:11.43% 分析値(%) C:63.27% H:5.31% N:11.75%
【0089】〔実施例4〕実施例1記載のフタロシアニ
ン化合物(1−1)0.2gをジメチルシクロヘキサン
10mlに溶解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリ
カーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピッ
チ:1.6μm)を有する直径120mm、厚さ1.2
mmの円盤状のものを用いた。
ン化合物(1−1)0.2gをジメチルシクロヘキサン
10mlに溶解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリ
カーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピッ
チ:1.6μm)を有する直径120mm、厚さ1.2
mmの円盤状のものを用いた。
【0090】この基板上に色素溶液を回転数1000〜
1500rpmでスピンコートし、70℃で3時間乾燥
して記録層を形成した。
1500rpmでスピンコートし、70℃で3時間乾燥
して記録層を形成した。
【0091】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置(CDI−900)を用いてAuをスパッタし、厚
さ100nmの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー2.5kW、スパッタガス圧1.33Pa(1.0×
10-2Torr)で行った。
装置(CDI−900)を用いてAuをスパッタし、厚
さ100nmの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー2.5kW、スパッタガス圧1.33Pa(1.0×
10-2Torr)で行った。
【0092】さらに反射層上に紫外線硬化性樹脂SD−
1700(大日本インキ化学工業製)をスピンコートし
た後、紫外線を照射して厚さ6μmの保護層を形成し
て、光記録媒体を作製した。
1700(大日本インキ化学工業製)をスピンコートし
た後、紫外線を照射して厚さ6μmの保護層を形成し
て、光記録媒体を作製した。
【0093】得られた光記録媒体に、波長780nmで
レンズの開口数が0.5の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−
1000)を用いて、線速28.8m/sの高速で、E
FM信号を、レーザーパワー27〜31mWで記録し
た。評価装置を用いて信号を再生し、最短ピット(長さ
0.8μm)のジッター、デビエーション及びエラーレ
ートを測定した結果、レーザーパワー29mWで、ジッ
ター25ns、デビエーション15ns、エラーレート
100以下といずれも良好な値を示した。
レンズの開口数が0.5の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−
1000)を用いて、線速28.8m/sの高速で、E
FM信号を、レーザーパワー27〜31mWで記録し
た。評価装置を用いて信号を再生し、最短ピット(長さ
0.8μm)のジッター、デビエーション及びエラーレ
ートを測定した結果、レーザーパワー29mWで、ジッ
ター25ns、デビエーション15ns、エラーレート
100以下といずれも良好な値を示した。
【0094】〔比較例1〕下記構造式(10)で示され
るフタロシアニン化合物(kmax=0.76、そのとき
のλmax=722.0nm)を用いて、実施例4と同様
にしてCD−R媒体を作製し、同様に評価したところ、
レーザーパワー29mWでは、ジッター63ns、デビ
エーション50ns、エラーレート1200以上であ
り、十分な特性ではなかった。
るフタロシアニン化合物(kmax=0.76、そのとき
のλmax=722.0nm)を用いて、実施例4と同様
にしてCD−R媒体を作製し、同様に評価したところ、
レーザーパワー29mWでは、ジッター63ns、デビ
エーション50ns、エラーレート1200以上であ
り、十分な特性ではなかった。
【0095】
【化33】
【0096】〔比較例2〕WO98014520記載の
下記構造式(11)で示されるフタロシアニン化合物
(kmax=0.69、そのときのλmax=729.0n
m)を用いて、実施例4と同様にしてCD−R媒体を作
製し、同様に評価したところ、レーザーパワー28mW
では、ジッター50 ns、デビエーション45ns、
エラーレート450以上であり、十分な特性ではなかっ
た。
下記構造式(11)で示されるフタロシアニン化合物
(kmax=0.69、そのときのλmax=729.0n
m)を用いて、実施例4と同様にしてCD−R媒体を作
製し、同様に評価したところ、レーザーパワー28mW
では、ジッター50 ns、デビエーション45ns、
エラーレート450以上であり、十分な特性ではなかっ
た。
【0097】
【化34】
【0098】〔実施例5〜14〕(1−2)〜(1−2
1)に記載したフタロシアニン化合物を用いる以外は実
施例4と同様にしてCD−R媒体を作製し、レーザーパ
ワー29mWで記録し、最短ピット(長さ約0.8μ
m)のジッター、デビエーション及びエラーレートを評
価した。結果を表1に示す。表1に記載されるように、
いずれも良好な値を示した。 ・ジッターの評価としては、○が35ns以下、×が3
5ns以上であることを示す。 ・デビエーションの評価としては、○が40ns以下、
×40ns以上であることを示す。 ・エラーレートの評価としては、○が220未満、×が
220以上であることを示す。
1)に記載したフタロシアニン化合物を用いる以外は実
施例4と同様にしてCD−R媒体を作製し、レーザーパ
ワー29mWで記録し、最短ピット(長さ約0.8μ
m)のジッター、デビエーション及びエラーレートを評
価した。結果を表1に示す。表1に記載されるように、
いずれも良好な値を示した。 ・ジッターの評価としては、○が35ns以下、×が3
5ns以上であることを示す。 ・デビエーションの評価としては、○が40ns以下、
×40ns以上であることを示す。 ・エラーレートの評価としては、○が220未満、×が
220以上であることを示す。
【0099】
【表1】
【0100】
【発明の効果】本発明の光記録媒体は、記録層に波長6
50nm〜900nmにおける消衰係数の最大値kmax
が0.9以上のフタロシアニンを含有するものである。
本発明は、高速記録において良好な記録特性を示す光記
録媒体を提供した。
50nm〜900nmにおける消衰係数の最大値kmax
が0.9以上のフタロシアニンを含有するものである。
本発明は、高速記録において良好な記録特性を示す光記
録媒体を提供した。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 清野 和浩
千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株
式会社内
(72)発明者 斉藤 靖典
千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株
式会社内
(72)発明者 三沢 伝美
千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株
式会社内
Fターム(参考) 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA33
EA37 EA43 FA01 FA12 FB45
5D029 JA04 JC05
Claims (5)
- 【請求項1】 少なくとも基板、記録層、反射層からな
る光記録媒体において、記録層に少なくとも1種の下記
一般式(1)で表されるフタロシアニン化合物を含有す
ることを特徴とする光記録媒体。 【化1】 〔式(1)中、Mは2個の水素原子、2価の金属原子、
3価又は4価の置換金属原子、又はオキシ金属のいずれ
かを表し、R1〜R16は、それぞれ独立に水素原子、ハ
ロゲン原子、ニトロ基、置換又は無置換の総炭素数1〜
10の直鎖又は分岐のアルキル基、置換又は無置換の総
炭素数1〜10の直鎖又は分岐のアルコキシ基、置換又
は無置換の総炭素数1〜10の直鎖又は分岐のアルキル
チオ基又は、下記式(a−1)〜(a−9)で表される
基から選択される置換基Aを表し、R1〜R16の少なく
とも一つは置換基Aである。〕 【化2】 〔式(a−1)〜(a−9)中、Yは置換又は無置換の
総炭素数1〜4のアルキレン基、置換又は無置換の総炭
素数2〜4のアルケニレン基、置換又は無置換の総炭素
数6〜15のアリーレン基、又は置換又は無置換の総炭
素数3〜15のヘテロアリーレン基を表し、Zは置換又
は無置換の総炭素数1〜10のアルキル基、置換又は無
置換の総炭素数1〜10のアルケニル基、置換又は無置
換の総炭素数3〜15の脂環式化合物基、置換又は無置
換の総炭素数6〜15のアリール基、置換又は無置換の
総炭素数7〜15のアラルキル基、置換又は無置換の総
炭素数3〜15のヘテロアリール基、又は金属錯体を表
し、Z’は置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルキ
ル基、置換又は無置換の総炭素数1〜10のアルケニル
基、置換又は無置換の総炭素数3〜15の脂環式化合物
基、置換又は無置換の総炭素数6〜15のアリール基、
置換又は無置換の総炭素数7〜15のアラルキル基、置
換又は無置換の総炭素数3〜15のヘテロアリール基を
表し、R,R’はそれぞれ独立に、水素、置換又は無置
換の総炭素数1〜10のアルキル基、置換又は無置換の
総炭素数6〜15のアリール基を表す。〕 - 【請求項2】 前記フタロシアニン化合物における置換
基Aが下記式(b−1)〜(b−5)で表される基から
選択されることを特徴とする請求項1の光記録媒体。 【化3】 〔式(b−1)〜(b−5)中のZ,Z’,R及びR’
は、前記式(a−1)〜(a−9)におけるZ,Z’,
R及びR’と同じ意味を表す。〕 - 【請求項3】 前記フタロシアニン化合物における置換
基Aが式(b−1)〜(b−3)で表される基から選択
されることを特徴とする請求項2の光記録媒体。 - 【請求項4】 前記フタロシアニン化合物における置換
基Aが式(b−1)で表される基であることを特徴とす
る請求項3の光記録媒体。 - 【請求項5】 前記フタロシアニン化合物は、波長65
0nm〜900nmにおける消衰係数kの最大値をkma
xとしたとき、kmax≧0.9を満たすことを特徴とする
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001265982A JP2003072238A (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001265982A JP2003072238A (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003072238A true JP2003072238A (ja) | 2003-03-12 |
Family
ID=19092365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001265982A Pending JP2003072238A (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003072238A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003068865A1 (fr) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Mitsui Chemicals, Inc. | Compose de phtalocyanine, son procede de production et support d'enregistrement optique le contenant |
GB2426978A (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-13 | Yen Cheng Tsai | Novel Phthalocyanine Derivatives, Synthetic Process thereof and their application in optical recording media |
-
2001
- 2001-09-03 JP JP2001265982A patent/JP2003072238A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003068865A1 (fr) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Mitsui Chemicals, Inc. | Compose de phtalocyanine, son procede de production et support d'enregistrement optique le contenant |
US7332261B2 (en) | 2002-02-15 | 2008-02-19 | Ciba Specialty Chemicals Corporation | Phthalocyanine compound, process for preparing the same, and optical recording medium containing the same |
GB2426978A (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-13 | Yen Cheng Tsai | Novel Phthalocyanine Derivatives, Synthetic Process thereof and their application in optical recording media |
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