JP2003068598A - ベーキング方法及びベーキング装置 - Google Patents
ベーキング方法及びベーキング装置Info
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜トランジスタを用いた液晶パネルの製造プ
ロセスはレジストを用いたパターンニングプロセスで形
成するが、画素数の増大に伴いパターン線幅が微細化さ
れ、レジストをベーキングするときの温度バラツキによ
るパターンムラの影響が従来よりも相対的に大きくなっ
てきている。従って、大型化されたガラス基板に塗布さ
れたレジストに対しては、レジストの温度ムラを所定の
レベル以下に抑える必要がある。 【解決手段】基板１表面に塗布されたレジストのベーキ
ング工程において、基板１の互いに異なる位置を支持す
るように設計された２つの支持ピン群２１、２２によ
り、基板１をそれら２つの支持ピン群により交互に支持
するため、レジストに含まれる溶媒の蒸発の程度が基板
内で均一となり、レジスト現像後のレジストパターンの
線幅が基板内で均一に形成される。
ロセスはレジストを用いたパターンニングプロセスで形
成するが、画素数の増大に伴いパターン線幅が微細化さ
れ、レジストをベーキングするときの温度バラツキによ
るパターンムラの影響が従来よりも相対的に大きくなっ
てきている。従って、大型化されたガラス基板に塗布さ
れたレジストに対しては、レジストの温度ムラを所定の
レベル以下に抑える必要がある。 【解決手段】基板１表面に塗布されたレジストのベーキ
ング工程において、基板１の互いに異なる位置を支持す
るように設計された２つの支持ピン群２１、２２によ
り、基板１をそれら２つの支持ピン群により交互に支持
するため、レジストに含まれる溶媒の蒸発の程度が基板
内で均一となり、レジスト現像後のレジストパターンの
線幅が基板内で均一に形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置を製
造する際に用いられるガラス基板上のレジストのベーキ
ング方法及びベーキング装置に関する。
造する際に用いられるガラス基板上のレジストのベーキ
ング方法及びベーキング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴアレイ基板にレジストを塗布し、
続いてそのレジストをベーキングするに当たって、静電
気による破壊を防止し、レジストの温度ムラを低減する
方法が特開２０００−０６８１７８号公報に開示されて
いる。この方法を図４に示す。ホットプレートにＴＦＴ
アレイ基板全体を接触させて加熱すると、加熱後、基板
をホットプレートから取り出す際に剥離帯電の静電気が
ＴＦＴアレイ基板に加わり、ＴＦＴアレイ基板の素子破
壊を生じる。これを防止するためにホットプレート２０
２に支持体２０８を設け、ＴＦＴアレイ基板２０１をホ
ットプレート２０２から０．１〜０．５ｍｍ離して熱処
理する。さらに、ＴＦＴアレイ基板２０１をホットプレ
ート２０２から離して熱処理することにより生じるレジ
ストの温度ムラを低減するために、炉壁２０３を加熱す
る炉壁加熱手段２１０を設け、さらに、レジストから発
生する蒸気を外へ逃がすための吸引調節部２０９を設け
ている。
続いてそのレジストをベーキングするに当たって、静電
気による破壊を防止し、レジストの温度ムラを低減する
方法が特開２０００−０６８１７８号公報に開示されて
いる。この方法を図４に示す。ホットプレートにＴＦＴ
アレイ基板全体を接触させて加熱すると、加熱後、基板
をホットプレートから取り出す際に剥離帯電の静電気が
ＴＦＴアレイ基板に加わり、ＴＦＴアレイ基板の素子破
壊を生じる。これを防止するためにホットプレート２０
２に支持体２０８を設け、ＴＦＴアレイ基板２０１をホ
ットプレート２０２から０．１〜０．５ｍｍ離して熱処
理する。さらに、ＴＦＴアレイ基板２０１をホットプレ
ート２０２から離して熱処理することにより生じるレジ
ストの温度ムラを低減するために、炉壁２０３を加熱す
る炉壁加熱手段２１０を設け、さらに、レジストから発
生する蒸気を外へ逃がすための吸引調節部２０９を設け
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、液晶パネルのガ
ラス基板は、カラー液晶パネルの大型化、薄型化の要求
に応えるために、１ｍ角サイズで０．７ｍｍ厚のものが
標準となって来ている。
ラス基板は、カラー液晶パネルの大型化、薄型化の要求
に応えるために、１ｍ角サイズで０．７ｍｍ厚のものが
標準となって来ている。
【０００４】薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称す）を
用いた液晶パネルの製造プロセスはレジストを用いたパ
ターンニングプロセスで形成するが、画素数の増大に伴
いパターン線幅が微細化され、レジストをベーキングす
るときの温度バラツキによるパターンムラの影響が従来
よりも相対的に大きくなってきている。従って、大型化
されたガラス基板に塗布されたレジストに対しては、図
４に示されるベーク方法を適用してもレジストの温度ム
ラを所定のレベル以下に抑えるのが困難となっている。
用いた液晶パネルの製造プロセスはレジストを用いたパ
ターンニングプロセスで形成するが、画素数の増大に伴
いパターン線幅が微細化され、レジストをベーキングす
るときの温度バラツキによるパターンムラの影響が従来
よりも相対的に大きくなってきている。従って、大型化
されたガラス基板に塗布されたレジストに対しては、図
４に示されるベーク方法を適用してもレジストの温度ム
ラを所定のレベル以下に抑えるのが困難となっている。
【０００５】本発明の目的は、大型化されたガラス基板
に塗布されたレジストに対してもレジストの温度ムラを
所定のレベル以下に抑えることのできるベーキング方法
及びベーキング装置を提供することにある。
に塗布されたレジストに対してもレジストの温度ムラを
所定のレベル以下に抑えることのできるベーキング方法
及びベーキング装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のベーキング方法
は、ベーク用プレートの上方に被処理基板を保持して前
記被処理基板をベークするベーキング方法であって、前
記被処理基板は第１のベーク処理及び第２のベーク処理
を順に受け、前記第１のベーク処理では、前記被処理基
板が第１の支持機構により支持された後、前記第１の支
持機構により支持されながら所定の時間ベークされ、前
記第２のベーク処理では、前記被処理基板が前記被処理
基板に対して前記第１の支持機構と異なる部位を支持す
る第２の支持機構により支持された後、前記第２の支持
機構により支持されながら所定の時間ベークされ、続い
て、前記第１のベーク処理及び第２のベーク処理を順に
繰り返すことにより前記被処理基板がベークされること
を特徴とする。上記本発明のベーキング方法は、以下の
ような構成を有する。
は、ベーク用プレートの上方に被処理基板を保持して前
記被処理基板をベークするベーキング方法であって、前
記被処理基板は第１のベーク処理及び第２のベーク処理
を順に受け、前記第１のベーク処理では、前記被処理基
板が第１の支持機構により支持された後、前記第１の支
持機構により支持されながら所定の時間ベークされ、前
記第２のベーク処理では、前記被処理基板が前記被処理
基板に対して前記第１の支持機構と異なる部位を支持す
る第２の支持機構により支持された後、前記第２の支持
機構により支持されながら所定の時間ベークされ、続い
て、前記第１のベーク処理及び第２のベーク処理を順に
繰り返すことにより前記被処理基板がベークされること
を特徴とする。上記本発明のベーキング方法は、以下の
ような構成を有する。
【０００７】上記本発明のベーキング方法において、前
記被処理基板が搬送アームにより前記ベーク用プレート
の上方の基板搬入位置で前記第１の支持機構に渡され、
その後、前記第１のベーク処理が、前記被処理基板が前
記基板搬入位置よりも低い位置で前記第１の支持機構に
より支持された状態で行われる。
記被処理基板が搬送アームにより前記ベーク用プレート
の上方の基板搬入位置で前記第１の支持機構に渡され、
その後、前記第１のベーク処理が、前記被処理基板が前
記基板搬入位置よりも低い位置で前記第１の支持機構に
より支持された状態で行われる。
【０００８】上記本発明のベーキング方法において、前
記被処理基板が、フォトレジストを塗布した後の薄膜ト
ランジスタアレイ基板である。
記被処理基板が、フォトレジストを塗布した後の薄膜ト
ランジスタアレイ基板である。
【０００９】上記本発明のベーキング方法において、前
記被処理基板が搬送アームにより搬送されて前記第１の
支持機構に渡された後、前記第１のベーク処理及び前記
第２のベーク処理が加熱温度９０〜１２０℃の下で、３
０分以内で繰り返し行われる。
記被処理基板が搬送アームにより搬送されて前記第１の
支持機構に渡された後、前記第１のベーク処理及び前記
第２のベーク処理が加熱温度９０〜１２０℃の下で、３
０分以内で繰り返し行われる。
【００１０】上記本発明のベーキング方法において、前
記第１の支持機構及び前記第２の支持機構は、前記ベー
ク用プレートを貫通する複数の支持ピンを有する。
記第１の支持機構及び前記第２の支持機構は、前記ベー
ク用プレートを貫通する複数の支持ピンを有する。
【００１１】次に、本発明のベーキング装置は、ヒータ
内蔵のベーク用プレートと、前記ベーク用プレートを貫
通し、被処理基板をベークするために前記被処理基板を
支持する支持ピン機構を有するベーキング装置であっ
て、前記被処理基板は第１の支持機構及び第２の支持機
構による支持を順に繰り返し受け、前記第１の支持機構
は、前記被処理基板を前記ベーク用プレートよりも高い
所定の高さに支持した後、前記ベーク用プレートからの
熱により前記被処理基板をベークするために前記被処理
基板を前記所定の高さに保持し、前記第２の支持機構
は、前記被処理基板に対して前記第１の支持機構と異な
る部位を前記所定の高さに支持した後、前記ベーク用プ
レートからの熱により前記被処理基板をベークするため
に前記被処理基板を前記所定の高さに保持することを特
徴とし、前記第１の支持機構は、ベーキング装置に搬入
された前記被処理基板を前記所定の高さよりも高い位置
で受け取った後、前記所定の高さに支持する。
内蔵のベーク用プレートと、前記ベーク用プレートを貫
通し、被処理基板をベークするために前記被処理基板を
支持する支持ピン機構を有するベーキング装置であっ
て、前記被処理基板は第１の支持機構及び第２の支持機
構による支持を順に繰り返し受け、前記第１の支持機構
は、前記被処理基板を前記ベーク用プレートよりも高い
所定の高さに支持した後、前記ベーク用プレートからの
熱により前記被処理基板をベークするために前記被処理
基板を前記所定の高さに保持し、前記第２の支持機構
は、前記被処理基板に対して前記第１の支持機構と異な
る部位を前記所定の高さに支持した後、前記ベーク用プ
レートからの熱により前記被処理基板をベークするため
に前記被処理基板を前記所定の高さに保持することを特
徴とし、前記第１の支持機構は、ベーキング装置に搬入
された前記被処理基板を前記所定の高さよりも高い位置
で受け取った後、前記所定の高さに支持する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図１〜３を参
照して説明する。図１は、本発明のベーキングに用いる
ベーキング装置の平面図及び断面図であり、図２は、Ｔ
ＦＴの製造工程のうち、レジスト工程の前後の製造工程
におけるＴＦＴ基板の断面図、図３は、レジスト工程を
製造フローの順に示した製造工程図である。まず、ＴＦ
Ｔの製造に係わるレジスト工程について説明する。
照して説明する。図１は、本発明のベーキングに用いる
ベーキング装置の平面図及び断面図であり、図２は、Ｔ
ＦＴの製造工程のうち、レジスト工程の前後の製造工程
におけるＴＦＴ基板の断面図、図３は、レジスト工程を
製造フローの順に示した製造工程図である。まず、ＴＦ
Ｔの製造に係わるレジスト工程について説明する。
【００１３】まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基
板１の表面に、ＴＦＴの活性層となる半導体膜やＴＦＴ
の配線となるクロム膜等からなる薄膜２を堆積させる。
板１の表面に、ＴＦＴの活性層となる半導体膜やＴＦＴ
の配線となるクロム膜等からなる薄膜２を堆積させる。
【００１４】次に、ガラス基板１を図３に示すレジスト
塗布装置１００に搬入し、レジスト塗布装置１００を構
成するランプヒータ１１０とＵＶユニット１２０に通す
ことにより薄膜２の表面に付着している有機膜を除去す
る。
塗布装置１００に搬入し、レジスト塗布装置１００を構
成するランプヒータ１１０とＵＶユニット１２０に通す
ことにより薄膜２の表面に付着している有機膜を除去す
る。
【００１５】次に、ガラス基板１をレジスト塗布機１３
０に搬送してガラス基板１の薄膜２上にレジストを塗布
する。
０に搬送してガラス基板１の薄膜２上にレジストを塗布
する。
【００１６】次に、ガラス基板１を減圧乾燥・端面洗浄
機１４０に搬送し、レジストの膜厚を均一化し、ガラス
基板の端面についているレジストを除去する。
機１４０に搬送し、レジストの膜厚を均一化し、ガラス
基板の端面についているレジストを除去する。
【００１７】次に、ガラス基板１のレジストを乾燥する
目的で、ガラス基板１を仮ベーク炉１５１、第１ベーク
炉１５２、第２ベーク炉１５３に順に搬送して、ガラス
基板１をベーキングする。ここで、ベーク炉１５０は通
常３から４つで構成されている。仮ベーク炉１５１は簡
易ベークでガラス基板１をプロキシミティ方式で１００
℃前後でベーキングする。次の第１ベーク炉１５２、第
２ベーク炉１５３でガラス基板１を１２０〜１４０℃程
度で本ベーキングする。この時、処理時間の関係から本
ベークユニットを第１ベーク炉１５２、第２ベーク炉１
５３のように２つ設ける場合がある。
目的で、ガラス基板１を仮ベーク炉１５１、第１ベーク
炉１５２、第２ベーク炉１５３に順に搬送して、ガラス
基板１をベーキングする。ここで、ベーク炉１５０は通
常３から４つで構成されている。仮ベーク炉１５１は簡
易ベークでガラス基板１をプロキシミティ方式で１００
℃前後でベーキングする。次の第１ベーク炉１５２、第
２ベーク炉１５３でガラス基板１を１２０〜１４０℃程
度で本ベーキングする。この時、処理時間の関係から本
ベークユニットを第１ベーク炉１５２、第２ベーク炉１
５３のように２つ設ける場合がある。
【００１８】次に、冷却機１６０でガラス基板１を冷却
すると、ガラス基板１へのレジスト塗布作業が完了す
る。
すると、ガラス基板１へのレジスト塗布作業が完了す
る。
【００１９】この後、ガラス基板１は露光、現像が施さ
れ、図２（ｂ）のように、レジストパターン４が形成さ
れる。
れ、図２（ｂ）のように、レジストパターン４が形成さ
れる。
【００２０】最後に、ガラス基板１の薄膜２をレジスト
パターン４をマスクとしてエッチングし、さらに、レジ
ストパターン４を剥離して、図２（ｃ）のように、薄膜
パターン５を形成する。
パターン４をマスクとしてエッチングし、さらに、レジ
ストパターン４を剥離して、図２（ｃ）のように、薄膜
パターン５を形成する。
【００２１】以上の操作をガラス基板１の表面にＴＦＴ
形成のための薄膜の成膜の毎に繰り返す。
形成のための薄膜の成膜の毎に繰り返す。
【００２２】ここで、上述したレジストのベーキング方
法と、ベーキングに用いられるベーキング装置につい
て、図１を参照して説明する。なお、図では簡略化のた
め、ガラス基板上のレジストは省略している。
法と、ベーキングに用いられるベーキング装置につい
て、図１を参照して説明する。なお、図では簡略化のた
め、ガラス基板上のレジストは省略している。
【００２３】図３に示したベーク炉１５０は、図１に示
すように、ヒータ内蔵のプレート１０とガラス基板１を
支持する支持ピン２０で構成されている。支持ピン２０
は複数のブロックで構成され、第１支持ピン２１群及び
第２支持ピン群２２で構成される。本実施形態では、支
持ピン２０を２ブロックに分けた場合を説明するが、３
ブロック以上に分けても良い。
すように、ヒータ内蔵のプレート１０とガラス基板１を
支持する支持ピン２０で構成されている。支持ピン２０
は複数のブロックで構成され、第１支持ピン２１群及び
第２支持ピン群２２で構成される。本実施形態では、支
持ピン２０を２ブロックに分けた場合を説明するが、３
ブロック以上に分けても良い。
【００２４】次に、ベーク炉１５０で行われるガラス基
板１のベーキング方法について、ベーキング装置の構成
を示しながら説明する。 （１）まず、レジストが塗布されたガラス基板１が搬送
アーム（図示せず）を用いて仮ベーク炉１５１に帆走さ
れる。 （２）次に、プレート１０に設けられた第１昇降穴群３
１から第１支持ピン群２１が上昇してガラス基板１を搬
送アームからガラス基板１を受ける。 （３）次に、搬送アームは所定の位置に戻ると共に、第
１支持ピン群２１は下降してガラス基板１がプレート１
０から所定の高さ（通常０．５〜１．５ｍｍ程度であ
る）となるようにガラス基板１を保持する。 （４）次に、第１支持ピン群２１がガラス基板１をプレ
ート１０から所定の高さに保持してから、ある一定時間
を経過すると（２〜２０秒程度）、今度はプレート１０
の第１昇降穴群３１とは異なる位置を穿孔して形成され
た第２昇降穴群３２を通して第２支持ピン群２２が上昇
してガラス基板１を第１支持ピン２１群に代わって保持
する。その後直ちに第１支持ピン２１群は下降して待機
する。 （５）次に、第２支持ピン群２１がガラス基板１をプレ
ート１０から所定の高さに保持してから、ある一定時間
を経過すると（２〜２０秒程度）、今度はプレート１０
の第１昇降穴群３１を通して第１支持ピン群２１が上昇
してガラス基板１を第２支持ピン２２群に代わって保持
する。その後直ちに第２支持ピン２２群は下降して待機
する。 （６）（４）〜（５）を数回繰り返す。 （７）次に、ガラス基板１に本ベークを実施するため
に、第１支持ピン群２１（または、第２支持ピン群２
１）がガラス基板１を搬送アームに渡すために上昇し、
搬送アームにガラス基板１を渡した後、搬送アームはガ
ラス基板１を第１ベーク炉１５２に搬送する。同様にし
て、第１ベーク炉１５２での本ベーク終了後、搬送アー
ムがガラス基板１を第２ベーク炉１５３に搬送する。
板１のベーキング方法について、ベーキング装置の構成
を示しながら説明する。 （１）まず、レジストが塗布されたガラス基板１が搬送
アーム（図示せず）を用いて仮ベーク炉１５１に帆走さ
れる。 （２）次に、プレート１０に設けられた第１昇降穴群３
１から第１支持ピン群２１が上昇してガラス基板１を搬
送アームからガラス基板１を受ける。 （３）次に、搬送アームは所定の位置に戻ると共に、第
１支持ピン群２１は下降してガラス基板１がプレート１
０から所定の高さ（通常０．５〜１．５ｍｍ程度であ
る）となるようにガラス基板１を保持する。 （４）次に、第１支持ピン群２１がガラス基板１をプレ
ート１０から所定の高さに保持してから、ある一定時間
を経過すると（２〜２０秒程度）、今度はプレート１０
の第１昇降穴群３１とは異なる位置を穿孔して形成され
た第２昇降穴群３２を通して第２支持ピン群２２が上昇
してガラス基板１を第１支持ピン２１群に代わって保持
する。その後直ちに第１支持ピン２１群は下降して待機
する。 （５）次に、第２支持ピン群２１がガラス基板１をプレ
ート１０から所定の高さに保持してから、ある一定時間
を経過すると（２〜２０秒程度）、今度はプレート１０
の第１昇降穴群３１を通して第１支持ピン群２１が上昇
してガラス基板１を第２支持ピン２２群に代わって保持
する。その後直ちに第２支持ピン２２群は下降して待機
する。 （６）（４）〜（５）を数回繰り返す。 （７）次に、ガラス基板１に本ベークを実施するため
に、第１支持ピン群２１（または、第２支持ピン群２
１）がガラス基板１を搬送アームに渡すために上昇し、
搬送アームにガラス基板１を渡した後、搬送アームはガ
ラス基板１を第１ベーク炉１５２に搬送する。同様にし
て、第１ベーク炉１５２での本ベーク終了後、搬送アー
ムがガラス基板１を第２ベーク炉１５３に搬送する。
【００２５】第１ベーク炉１５２、第２ベーク炉１５３
におけるガラス基板１のベーキングは、上記（１）〜
（６）のフローに従って行われる。
におけるガラス基板１のベーキングは、上記（１）〜
（６）のフローに従って行われる。
【００２６】ここで、仮ベーク炉１５１、第１ベーク炉
１５２、第２ベーク炉１５３により行われる一連のベー
キングは、３０分の時間内に行われる。これは、レジス
トに含まれるプロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート（ＰＧＭＥＡ）や乳酸エチル（ＥＬ）等の溶
媒の蒸発速度が、レジストの膜厚を１．０〜３．０μｍ
とした場合、加熱温度９０〜１２０℃の範囲内で３０分
以内で飽和してしまうという現象に基づいている。
１５２、第２ベーク炉１５３により行われる一連のベー
キングは、３０分の時間内に行われる。これは、レジス
トに含まれるプロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート（ＰＧＭＥＡ）や乳酸エチル（ＥＬ）等の溶
媒の蒸発速度が、レジストの膜厚を１．０〜３．０μｍ
とした場合、加熱温度９０〜１２０℃の範囲内で３０分
以内で飽和してしまうという現象に基づいている。
【００２７】その後、ガラス基板１は冷却機１６０に搬
送されてガラス基板１（の上のレジスト）のベーキング
が完了する。
送されてガラス基板１（の上のレジスト）のベーキング
が完了する。
【００２８】ガラス基板１上に形成されたレジストを以
上の一連の操作によりベーキングすることにより、熱分
布が均一化し、レジストのガラス基板内でのベーキング
が一様に行われる。
上の一連の操作によりベーキングすることにより、熱分
布が均一化し、レジストのガラス基板内でのベーキング
が一様に行われる。
【００２９】従来のベーキング方法では、支持ピンが固
定であることによりその部分に集中した温度上昇が見ら
れ、その付近でレジストに含まれる溶媒の蒸発速度が早
くなって溶媒が蒸発し易くなるため、レジスト感度にば
らつきを生じさせ、現像後のレジストパターンの線幅が
ばらつく原因となっていたが、本発明のベーキング装置
を用いたベーキング方法により、レジストに対する加熱
が基板内で均一となり、レジストパターンの線幅のばら
つきが小さくなる。
定であることによりその部分に集中した温度上昇が見ら
れ、その付近でレジストに含まれる溶媒の蒸発速度が早
くなって溶媒が蒸発し易くなるため、レジスト感度にば
らつきを生じさせ、現像後のレジストパターンの線幅が
ばらつく原因となっていたが、本発明のベーキング装置
を用いたベーキング方法により、レジストに対する加熱
が基板内で均一となり、レジストパターンの線幅のばら
つきが小さくなる。
【００３０】また、従来のベーキング装置では、基板を
基板の周辺、或いは、ＴＦＴパターンが形成されていな
い基板領域で支持するため、基板の中央と周辺において
も温度ばらつきが生じていたが、本発明のベーキング装
置を用いたベーキング方法により、この問題が解消され
る。
基板の周辺、或いは、ＴＦＴパターンが形成されていな
い基板領域で支持するため、基板の中央と周辺において
も温度ばらつきが生じていたが、本発明のベーキング装
置を用いたベーキング方法により、この問題が解消され
る。
【００３１】以上に述べた実施形態では、仮ベーク炉、
第１ベーク炉、第２ベーク炉における支持ピン群（及び
昇降穴群）の構成を同じとしたが、それぞれのベーク炉
において、互いに異なる位置に昇降穴群をプレート内に
有し、互いに異なる支持ピン群であっても良い。
第１ベーク炉、第２ベーク炉における支持ピン群（及び
昇降穴群）の構成を同じとしたが、それぞれのベーク炉
において、互いに異なる位置に昇降穴群をプレート内に
有し、互いに異なる支持ピン群であっても良い。
【００３２】
【発明の効果】上述のように、本発明のベーキング方法
及びベーキング装置によれば、基板表面に塗布されたレ
ジストのベーキング工程において、基板の互いに異なる
位置を支持するように設計された２つの支持ピン群によ
り、基板をそれら２つの支持ピン群により交互に支持す
るため、レジストに含まれる溶媒の蒸発の程度が基板内
で均一となり、レジスト現像後のレジストパターンの線
幅が基板内で均一に形成される、という効果が得られ
る。
及びベーキング装置によれば、基板表面に塗布されたレ
ジストのベーキング工程において、基板の互いに異なる
位置を支持するように設計された２つの支持ピン群によ
り、基板をそれら２つの支持ピン群により交互に支持す
るため、レジストに含まれる溶媒の蒸発の程度が基板内
で均一となり、レジスト現像後のレジストパターンの線
幅が基板内で均一に形成される、という効果が得られ
る。
【図１】本発明の実施形態のベーキング装置の平面図及
び断面図である。
び断面図である。
【図２】本発明の実施形態のベーキング方法を適用する
薄膜トランジスタの製造方法の内、レジスト形成工程を
示す断面図である。
薄膜トランジスタの製造方法の内、レジスト形成工程を
示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係わるレジスト塗布装置を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図４】従来のベーキング装置の断面図である。
１ ガラス基板
２ 薄膜
４ レジストパターン
５ 薄膜パターン
１０ プレート
１１ ヒータ
２０ 支持ピン
２１ 第１支持ピン群
２２ 第２支持ピン群
３１ 第１昇降穴群
３２ 第２昇降穴群
１００ レジスト塗布装置
１１０ ランプヒータ
１２０ ＵＶ（紫外線）ユニット
１３０ レジスト塗布機
１４０ 減圧乾燥・端面洗浄機
１５０ ベーク炉
１５１ 仮ベーク炉
１５２ 第１ベーク炉
１５３ 第２ベーク炉
１６０ 冷却機
２０１ ＴＦＴアレイ基板
２０２ ホットプレート
２０３ 炉壁
２０８ 支持体
２０９ 吸引調節部
２１０ 炉壁加熱手段
Claims (7)
- 【請求項１】 ベーク用プレートの上方に被処理基板を
保持して前記被処理基板をベークするベーキング方法で
あって、前記被処理基板は第１のベーク処理及び第２の
ベーク処理を順に受け、前記第１のベーク処理では、前
記被処理基板が第１の支持機構により支持された後、前
記第１の支持機構により支持されながら所定の時間ベー
クされ、前記第２のベーク処理では、前記被処理基板が
前記被処理基板に対して前記第１の支持機構と異なる部
位を支持する第２の支持機構により支持された後、前記
第２の支持機構により支持されながら所定の時間ベーク
され、続いて、前記第１のベーク処理及び第２のベーク
処理を順に繰り返すことにより前記被処理基板がベーク
されることを特徴とするベーキング方法。 - 【請求項２】 前記被処理基板が搬送アームにより前記
ベーク用プレートの上方の基板搬入位置で前記第１の支
持機構に渡され、その後、前記第１のベーク処理が、前
記被処理基板が前記基板搬入位置よりも低い位置で前記
第１の支持機構により支持された状態で行われる請求項
１記載のベーキング方法。 - 【請求項３】 前記被処理基板が、フォトレジストを塗
布した後の薄膜トランジスタアレイ基板である請求項１
又は２記載のベーキング方法。 - 【請求項４】 前記被処理基板が搬送アームにより搬送
されて前記第１の支持機構に渡された後、前記第１のベ
ーク処理及び前記第２のベーク処理が加熱温度９０〜１
２０℃の下で、３０分以内で繰り返し行われる請求項
１、２又は３記載のベーキング方法。 - 【請求項５】 前記第１の支持機構及び前記第２の支持
機構は、前記ベーク用プレートを貫通する複数の支持ピ
ンを有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載のベー
キング方法。 - 【請求項６】 ヒータ内蔵のベーク用プレートと、前記
ベーク用プレートを貫通し、被処理基板をベークするた
めに前記被処理基板を支持する支持ピン機構を有するベ
ーキング装置であって、前記被処理基板は第１の支持機
構及び第２の支持機構による支持を順に繰り返し受け、
前記第１の支持機構は、前記被処理基板を前記ベーク用
プレートよりも高い所定の高さに支持した後、前記ベー
ク用プレートからの熱により前記被処理基板をベークす
るために前記被処理基板を前記所定の高さに保持し、前
記第２の支持機構は、前記被処理基板に対して前記第１
の支持機構と異なる部位を前記所定の高さに支持した
後、前記ベーク用プレートからの熱により前記被処理基
板をベークするために前記被処理基板を前記所定の高さ
に保持することを特徴とするベーキング装置。 - 【請求項７】 前記第１の支持機構は、ベーキング装置
に搬入された前記被処理基板を前記所定の高さよりも高
い位置で受け取った後、前記所定の高さに支持する請求
項６記載のベーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001261459A JP2003068598A (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | ベーキング方法及びベーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001261459A JP2003068598A (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | ベーキング方法及びベーキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068598A true JP2003068598A (ja) | 2003-03-07 |
Family
ID=19088506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001261459A Withdrawn JP2003068598A (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | ベーキング方法及びベーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003068598A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-08-30 JP JP2001261459A patent/JP2003068598A/ja not_active Withdrawn
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