JP2003068560A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JP2003068560A JP2003068560A JP2001253191A JP2001253191A JP2003068560A JP 2003068560 A JP2003068560 A JP 2003068560A JP 2001253191 A JP2001253191 A JP 2001253191A JP 2001253191 A JP2001253191 A JP 2001253191A JP 2003068560 A JP2003068560 A JP 2003068560A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 外部電極のシール性およびメッキ付け性のど
ちらの特性も良好な積層セラミックコンデンサを構成す
る。 【解決手段】 複数の内部電極３を形成した誘電体層２
を積層し、焼結したセラミック焼結体１の外部に、内部
電極３に導通した外部電極４を形成して積層セラミック
コンデンサを構成する。ここで、Ｂａ−Ｓｒ−Ｓｉ−Ｂ
系のガラスフリットとＺｎ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリッ
トとＣｕを含有した導電ペーストの焼成により外部電極
４を構成する。この際、焼成後における外部電極４の外
周部の表層付近のガラスフリットの成分として、少なく
ともＢａ，Ｓｉ，Ｂの各酸化物を含有し、かつＳｉＯ2
の構成比率が、全体の５０ｍｏｌ％以下となるようにす
る。
ちらの特性も良好な積層セラミックコンデンサを構成す
る。 【解決手段】 複数の内部電極３を形成した誘電体層２
を積層し、焼結したセラミック焼結体１の外部に、内部
電極３に導通した外部電極４を形成して積層セラミック
コンデンサを構成する。ここで、Ｂａ−Ｓｒ−Ｓｉ−Ｂ
系のガラスフリットとＺｎ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリッ
トとＣｕを含有した導電ペーストの焼成により外部電極
４を構成する。この際、焼成後における外部電極４の外
周部の表層付近のガラスフリットの成分として、少なく
ともＢａ，Ｓｉ，Ｂの各酸化物を含有し、かつＳｉＯ2
の構成比率が、全体の５０ｍｏｌ％以下となるようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、積層セラミック
コンデンサ、特に外部電極を構成するガラスフリットの
焼き付け後の組成を最適化した積層セラミックコンデン
サに関するものである。
コンデンサ、特に外部電極を構成するガラスフリットの
焼き付け後の組成を最適化した積層セラミックコンデン
サに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、内部電極
を形成した誘電体セラミックス焼結体と、内部電極に導
通し誘電体セラミックス焼結体の側面に形成され焼き付
けられた外部電極とから構成されている。誘電体セラミ
ック焼結体は、Ｎｉ等の内部電極を備えた誘電体層が積
層形成されている。外部電極は導電ペーストの焼付けに
より形成されている。外部電極表面には金属メッキが施
されており、外部電極の腐食の防止および実装基板への
半田付け性を向上させている。
を形成した誘電体セラミックス焼結体と、内部電極に導
通し誘電体セラミックス焼結体の側面に形成され焼き付
けられた外部電極とから構成されている。誘電体セラミ
ック焼結体は、Ｎｉ等の内部電極を備えた誘電体層が積
層形成されている。外部電極は導電ペーストの焼付けに
より形成されている。外部電極表面には金属メッキが施
されており、外部電極の腐食の防止および実装基板への
半田付け性を向上させている。
【０００３】このような積層セラミックコンデンサの外
部電極において、ガラスフリットに要求される重要な特
性としては、外部電極の焼結を促す焼結助剤としての機
能と、焼結後に外部電極に行うメッキのメッキ液に対す
るシール性を確保する機能との二つが存在する。
部電極において、ガラスフリットに要求される重要な特
性としては、外部電極の焼結を促す焼結助剤としての機
能と、焼結後に外部電極に行うメッキのメッキ液に対す
るシール性を確保する機能との二つが存在する。
【０００４】これまで、これらの機能を有するために、
外部電極用のガラスフリットとしては、Ｂａ−Ｓｉ−Ｂ
系フリットおよびＺｎ−Ｓｉ−Ｂ系フリットを通常使用
していた。
外部電極用のガラスフリットとしては、Ｂａ−Ｓｉ−Ｂ
系フリットおよびＺｎ−Ｓｉ−Ｂ系フリットを通常使用
していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の積層セ
ラミックコンデンサの外部電極の構成においては、以下
に説明する解決すべき課題があった。
ラミックコンデンサの外部電極の構成においては、以下
に説明する解決すべき課題があった。
【０００６】近年、積層セラミックコンデンサの薄層化
および多層化が進行する中、外部電極のメッキ液に対す
るシール性の確保がさらに要求されるようになってき
た。しかし、シール性を確保するために外部電極の焼結
性を向上した場合、シール性は確保できるものの、外部
電極中のガラスフリットが外部電極の焼結とともに外部
電極表面部に析出する。これは、外部電極の焼結が促進
されると外部電極内の金属粒子同士の焼結が率先して行
われ、外部電極内部で金属粒子間に存在したガラスフリ
ットが外部に押し出されることによる。このように、ガ
ラスフリットが外部電極表面に析出すると、メッキ付け
性が低下し、場合によっては、メッキされなくなってし
まう。この結果、実装基板に積層セラミックコンデンサ
を実装する際に、濡れ性が悪くなる等の不具合が発生す
る。
および多層化が進行する中、外部電極のメッキ液に対す
るシール性の確保がさらに要求されるようになってき
た。しかし、シール性を確保するために外部電極の焼結
性を向上した場合、シール性は確保できるものの、外部
電極中のガラスフリットが外部電極の焼結とともに外部
電極表面部に析出する。これは、外部電極の焼結が促進
されると外部電極内の金属粒子同士の焼結が率先して行
われ、外部電極内部で金属粒子間に存在したガラスフリ
ットが外部に押し出されることによる。このように、ガ
ラスフリットが外部電極表面に析出すると、メッキ付け
性が低下し、場合によっては、メッキされなくなってし
まう。この結果、実装基板に積層セラミックコンデンサ
を実装する際に、濡れ性が悪くなる等の不具合が発生す
る。
【０００７】また、一方で、メッキ付け性を確保するた
めに外部電極の焼結度を低下させたり、ガラスフリット
の添加量を減じた場合には、メッキ液に対するシール性
が低下し、積層セラミックコンデンサの信頼性を悪化さ
せる可能性がある。
めに外部電極の焼結度を低下させたり、ガラスフリット
の添加量を減じた場合には、メッキ液に対するシール性
が低下し、積層セラミックコンデンサの信頼性を悪化さ
せる可能性がある。
【０００８】この発明の目的は、外部電極のシール性お
よびメッキ付け性のどちらの特性も良好な積層セラミッ
クコンデンサを構成することにある。
よびメッキ付け性のどちらの特性も良好な積層セラミッ
クコンデンサを構成することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、外部電極の
エッジ部付近におけるガラスフリットの成分として、少
なくともＢａ，Ｓｉ，Ｂの各酸化物を含有し、かつＳｉ
Ｏ2 の構成比率が全体の５０ｍｏｌ％以下となるような
積層セラミックコンデンサを構成する。
エッジ部付近におけるガラスフリットの成分として、少
なくともＢａ，Ｓｉ，Ｂの各酸化物を含有し、かつＳｉ
Ｏ2 の構成比率が全体の５０ｍｏｌ％以下となるような
積層セラミックコンデンサを構成する。
【００１０】また、この発明は、ガラスフリットがガラ
ス転移点の異なる二種類のガラスフリットからなり、こ
れに含有されたアルカリ土類金属酸化物をエッジ部付近
に析出させることにより、該エッジ部付近のガラスフリ
ット成分に対するＳｉＯ2 の構成比率を５０ｍｏｌ％以
下にした積層セラミックコンデンサを構成する。
ス転移点の異なる二種類のガラスフリットからなり、こ
れに含有されたアルカリ土類金属酸化物をエッジ部付近
に析出させることにより、該エッジ部付近のガラスフリ
ット成分に対するＳｉＯ2 の構成比率を５０ｍｏｌ％以
下にした積層セラミックコンデンサを構成する。
【００１１】また、この発明は、ガラス転移点の異なる
二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の低い側
のガラスフリットを、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｂｉ−Ｓｉ−
Ｂ系またはＰｂ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリットのいずれ
か一つを含有して積層セラミックコンデンサを構成す
る。
二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の低い側
のガラスフリットを、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｂｉ−Ｓｉ−
Ｂ系またはＰｂ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリットのいずれ
か一つを含有して積層セラミックコンデンサを構成す
る。
【００１２】また、この発明は、ガラス転移点の異なる
二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の高い側
の前記ガラスフリットを、Ｂａ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｓｒ−Ｓ
ｉ−Ｂ系またはＣａ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリットのい
ずれか一つを含有して積層セラミックコンデンサを構成
する。
二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の高い側
の前記ガラスフリットを、Ｂａ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｓｒ−Ｓ
ｉ−Ｂ系またはＣａ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリットのい
ずれか一つを含有して積層セラミックコンデンサを構成
する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に係る積層セラミックコン
デンサの構成について、図１を参照して説明する。
デンサの構成について、図１を参照して説明する。
【００１４】図１の（ａ）は積層セラミックコンデンサ
の側面断面図であり、（ｂ）はその外部電極からみた正
面図である。
の側面断面図であり、（ｂ）はその外部電極からみた正
面図である。
【００１５】図１において、１はセラミック焼結体、２
はセラミック焼結体１を構成する複数の誘電体層、３は
複数の誘電体層２間に配置される内部電極、４はセラミ
ック焼結体１の両端に形成された外部電極であり、４１
は外部電極中央部、４２は外部電極外周部である。
はセラミック焼結体１を構成する複数の誘電体層、３は
複数の誘電体層２間に配置される内部電極、４はセラミ
ック焼結体１の両端に形成された外部電極であり、４１
は外部電極中央部、４２は外部電極外周部である。
【００１６】積層セラミックコンデンサにおいては、内
部電極３がそれぞれ形成された複数の誘電体層２が積層
され、焼成されたセラミック焼結体１の外面の内部電極
３の端部となる面に外部電極４が形成されている。
部電極３がそれぞれ形成された複数の誘電体層２が積層
され、焼成されたセラミック焼結体１の外面の内部電極
３の端部となる面に外部電極４が形成されている。
【００１７】外部電極４は、焼結されたセラミック焼結
体１にバレル研磨等を行った後、導電ペーストを塗布し
て乾燥させた後、Ｎ2 とＨ2 Ｏとからなる所定の雰囲気
と所定の温度条件に制御した焼成炉で焼付することによ
り形成される。この外部電極にメッキを行い、半田との
なじみ性および信頼性を向上する。
体１にバレル研磨等を行った後、導電ペーストを塗布し
て乾燥させた後、Ｎ2 とＨ2 Ｏとからなる所定の雰囲気
と所定の温度条件に制御した焼成炉で焼付することによ
り形成される。この外部電極にメッキを行い、半田との
なじみ性および信頼性を向上する。
【００１８】内部電極はＮｉで、誘電体層はＢａＴｉＯ
3 を主成分とするセラミックスで構成されており、外部
電極はＢａ−Ｓｒ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリット、Ｚｎ
−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリット、およびＣｕを含有した
導電ペーストの焼成物より構成されている。これら二種
類のガラスフリットは、その構成により、ガラス転移点
が異なり、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリットは転移点
が低く、濡れ性を向上させる。一方、Ｂａ−Ｓｒ−Ｓｉ
−Ｂ系のガラスフリットは拡散しにくいため、Ｃｕとと
もに焼成され、外部電極の形状が構成される。
3 を主成分とするセラミックスで構成されており、外部
電極はＢａ−Ｓｒ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリット、Ｚｎ
−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリット、およびＣｕを含有した
導電ペーストの焼成物より構成されている。これら二種
類のガラスフリットは、その構成により、ガラス転移点
が異なり、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリットは転移点
が低く、濡れ性を向上させる。一方、Ｂａ−Ｓｒ−Ｓｉ
−Ｂ系のガラスフリットは拡散しにくいため、Ｃｕとと
もに焼成され、外部電極の形状が構成される。
【００１９】このように、二種類の組成の異なるガラス
フリットを混合することにより、内部電極およびセラミ
ック焼結体への外部電極の濡れ性と、外部電極の形状形
成とを容易にすることができる。
フリットを混合することにより、内部電極およびセラミ
ック焼結体への外部電極の濡れ性と、外部電極の形状形
成とを容易にすることができる。
【００２０】ここで、外部電極の焼成条件を変更するこ
とにより、焼成後の外部電極表面の組成が変化する。す
なわち、焼成温度および、焼成雰囲気のＯ2 濃度を変更
することにより、外部電極の表面に析出するガラスフリ
ット内の組成が異なる。
とにより、焼成後の外部電極表面の組成が変化する。す
なわち、焼成温度および、焼成雰囲気のＯ2 濃度を変更
することにより、外部電極の表面に析出するガラスフリ
ット内の組成が異なる。
【００２１】次に、複数の条件下で焼成を行った場合の
外部電極表面のガラスフリットの組成について、表１、
表２を用いて説明する。
外部電極表面のガラスフリットの組成について、表１、
表２を用いて説明する。
【００２２】表１は焼成後の外部電極中央部４１での組
成を示したものであり、表２は外部電極外周部４２での
組成を示したものである。なお、組成については、走査
型オージェ電子顕微鏡、および波長分散型Ｘ線マイクロ
アナライザを用いて、外部電極の表面および、表面から
２μｍ以内の内部について分析を行っている。
成を示したものであり、表２は外部電極外周部４２での
組成を示したものである。なお、組成については、走査
型オージェ電子顕微鏡、および波長分散型Ｘ線マイクロ
アナライザを用いて、外部電極の表面および、表面から
２μｍ以内の内部について分析を行っている。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】表１に示すように、焼成条件を変化させて
も、外部電極中央部に存在するガラスフリットの組成
は、ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 を主体とするフリット
で構成されている。よって、焼成条件による影響は殆ど
ない。
も、外部電極中央部に存在するガラスフリットの組成
は、ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 を主体とするフリット
で構成されている。よって、焼成条件による影響は殆ど
ない。
【００２６】一方、表２に示すように、外部電極外周部
に存在するガラスフリットの組成は、ＺｎＯ−ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 を主体とするフリットではあるが、焼成条件
により、それぞれ比率が変化し、全体としてのＺｎＯ−
ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 の比率が減少するかわりに、Ｂａ
Ｏ，ＳｒＯの析出量が増加する。このように、外部電極
の中央部と外周部とではガラスフリットの組成が異な
る。
に存在するガラスフリットの組成は、ＺｎＯ−ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 を主体とするフリットではあるが、焼成条件
により、それぞれ比率が変化し、全体としてのＺｎＯ−
ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 の比率が減少するかわりに、Ｂａ
Ｏ，ＳｒＯの析出量が増加する。このように、外部電極
の中央部と外周部とではガラスフリットの組成が異な
る。
【００２７】なお、検出されたＴｉＯ２におけるＴｉ
は、ガラスフリットに含まれておらず、セラミック焼結
体から拡散して析出したものである。
は、ガラスフリットに含まれておらず、セラミック焼結
体から拡散して析出したものである。
【００２８】これらの複数の組成からなるコンデンサの
メッキ付き性試験および耐湿負荷（シール性）試験の結
果を表３、表４にそれぞれ示す。
メッキ付き性試験および耐湿負荷（シール性）試験の結
果を表３、表４にそれぞれ示す。
【００２９】表３に示すメッキ付き性試験は、各焼成条
件で形成された外部電極に、Ｎｉ、Ｓｎを順次メッキし
ていき、目視観察によりメッキが形成されているか（Ｃ
ｕ外部電極が露出していないか）により判断した。
件で形成された外部電極に、Ｎｉ、Ｓｎを順次メッキし
ていき、目視観察によりメッキが形成されているか（Ｃ
ｕ外部電極が露出していないか）により判断した。
【００３０】一方、表４に示す耐湿負荷試験は、温度が
７０℃、湿度が９５％Ｒｈで１０Ｖ通電を２０００時間
実施した後の絶縁抵抗不良で判断した。
７０℃、湿度が９５％Ｒｈで１０Ｖ通電を２０００時間
実施した後の絶縁抵抗不良で判断した。
【００３１】
【表３】
【００３２】
【表４】
【００３３】表３に示すように、焼成条件，の外部
電極構造を有する積層セラミックコンデンサには不良が
発生し、他の焼成条件では発生しなかった。
電極構造を有する積層セラミックコンデンサには不良が
発生し、他の焼成条件では発生しなかった。
【００３４】この結果から、メッキ付き性の確保には、
外部電極外周部のガラスフリット内における、ＢａＯ，
ＳｒＯの含有量、およびＢａＯ，ＳｒＯを含有した状態
でのＳｉＯ2 の含有量に影響を受け、ＳｉＯ2 の含有量
が多ければ（ガラスフリット全体の５０ｍｏｌ％を超え
て存在すれば）、メッキ付き性が低下する。
外部電極外周部のガラスフリット内における、ＢａＯ，
ＳｒＯの含有量、およびＢａＯ，ＳｒＯを含有した状態
でのＳｉＯ2 の含有量に影響を受け、ＳｉＯ2 の含有量
が多ければ（ガラスフリット全体の５０ｍｏｌ％を超え
て存在すれば）、メッキ付き性が低下する。
【００３５】また、表４に示すように、焼成条件，
，，，の外部電極構造を有する積層セラミック
コンデンサには不良の発生はなかった。
，，，の外部電極構造を有する積層セラミック
コンデンサには不良の発生はなかった。
【００３６】この結果から、ＢａＯ，ＳｒＯを含有する
ことは、シール性を確保するための必須条件であり、特
に、外部電極外周部で含有していることが不可欠であ
る。
ことは、シール性を確保するための必須条件であり、特
に、外部電極外周部で含有していることが不可欠であ
る。
【００３７】これらの結果から、焼成条件，，，
の外部電極構造を有する積層セラミックコンデンサ
は、メッキ付き性、耐湿負荷（シール性）ともに問題は
ない。すなわち、外部電極表面にＢａＯ，ＳｒＯを含有
し、かつ外部電極外周部におけるガラスフリット全体に
占めるＳｉＯ2 の含有比率が５０ｍｏｌ％以下となるよ
うな外部電極の構成であれば、良好な半田なじみ性（実
装しやすさ）を有し、信頼性の高い積層セラミックコン
デンサを構成することができる。
の外部電極構造を有する積層セラミックコンデンサ
は、メッキ付き性、耐湿負荷（シール性）ともに問題は
ない。すなわち、外部電極表面にＢａＯ，ＳｒＯを含有
し、かつ外部電極外周部におけるガラスフリット全体に
占めるＳｉＯ2 の含有比率が５０ｍｏｌ％以下となるよ
うな外部電極の構成であれば、良好な半田なじみ性（実
装しやすさ）を有し、信頼性の高い積層セラミックコン
デンサを構成することができる。
【００３８】なお、本実施形態では、内部電極をＮｉ、
ＢａＴｉＯ3 とし、導電ペーストのガラスフリットをＢ
ａ−Ｓｒ−Ｓｉ−Ｂ系およびＺｎ−Ｓｉ−Ｂ系とし、外
部電極をＣｕとしてた積層セラミックコンデンサを示し
たが、内部電極、セラミック焼結体、および外部電極の
構成はこれに限るものではない。
ＢａＴｉＯ3 とし、導電ペーストのガラスフリットをＢ
ａ−Ｓｒ−Ｓｉ−Ｂ系およびＺｎ−Ｓｉ−Ｂ系とし、外
部電極をＣｕとしてた積層セラミックコンデンサを示し
たが、内部電極、セラミック焼結体、および外部電極の
構成はこれに限るものではない。
【００３９】また、本実施形態では、導電ペースト内の
ガラスフリットの組成を変更せず、焼成条件を複数種用
いて、外部電極表面に析出するガラスフリットの組成を
設定した。しかし、導電ペーストに混ぜるガラスフリッ
トの組成を変更したり、ガラスフリットの組成変更と焼
成条件の設定により、析出するガラスフリットの組成を
定めるようにしてもよい。
ガラスフリットの組成を変更せず、焼成条件を複数種用
いて、外部電極表面に析出するガラスフリットの組成を
設定した。しかし、導電ペーストに混ぜるガラスフリッ
トの組成を変更したり、ガラスフリットの組成変更と焼
成条件の設定により、析出するガラスフリットの組成を
定めるようにしてもよい。
【００４０】例えば、Ｂａ−Ｓｒ−Ｓｉ−Ｂ系のガラス
フリットの代わりに、Ｂａ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｓｒ−Ｓｉ−
Ｂ系、Ｃａ−Ｓｉ−Ｂ系、またはＢａ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｂ
系のガラスフリットを用いてもよく、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ系
のガラスフリットの代わりに、Ｂｉ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｐｂ
−Ｓｉ−Ｂ系の低ガラス転移点を有するガラスフリット
を用いてもよい。
フリットの代わりに、Ｂａ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｓｒ−Ｓｉ−
Ｂ系、Ｃａ−Ｓｉ−Ｂ系、またはＢａ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｂ
系のガラスフリットを用いてもよく、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ系
のガラスフリットの代わりに、Ｂｉ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｐｂ
−Ｓｉ−Ｂ系の低ガラス転移点を有するガラスフリット
を用いてもよい。
【００４１】
【発明の効果】この発明によれば、外部電極のエッジ部
付近におけるガラスフリットの成分として、少なくとも
Ｂａ，Ｓｉ，Ｂの各酸化物を含有し、かつＳｉＯ2 の構
成比率が全体の５０ｍｏｌ％以下となるようにすること
で、メッキ付け性が良好で、実装性が良好な、信頼性の
高い積層セラミックコンデンサを構成することができ
る。
付近におけるガラスフリットの成分として、少なくとも
Ｂａ，Ｓｉ，Ｂの各酸化物を含有し、かつＳｉＯ2 の構
成比率が全体の５０ｍｏｌ％以下となるようにすること
で、メッキ付け性が良好で、実装性が良好な、信頼性の
高い積層セラミックコンデンサを構成することができ
る。
【００４２】また、この発明によれば、ガラスフリット
がガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットからな
り、これに含有されたアルカリ土類金属がエッジ部付近
に拡散することにより、ＢａＯ等のアルカリ土類金属酸
化物が外部電極の表面に析出し、実装性が良好で、信頼
性の高い積層セラミックコンデンサを容易に構成するこ
とができる。
がガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットからな
り、これに含有されたアルカリ土類金属がエッジ部付近
に拡散することにより、ＢａＯ等のアルカリ土類金属酸
化物が外部電極の表面に析出し、実装性が良好で、信頼
性の高い積層セラミックコンデンサを容易に構成するこ
とができる。
【００４３】また、この発明によれば、ガラス転移点の
異なる二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の
低い側のガラスフリットを、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｂｉ−
Ｓｉ−Ｂ系またはＰｂ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリットの
いずれか一つを含有することにより、内部電極およびセ
ラミック焼結体への濡れ性が向上し、実装性が良好で、
信頼性の高い積層セラミックコンデンサを構成すること
ができる。
異なる二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の
低い側のガラスフリットを、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｂｉ−
Ｓｉ−Ｂ系またはＰｂ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリットの
いずれか一つを含有することにより、内部電極およびセ
ラミック焼結体への濡れ性が向上し、実装性が良好で、
信頼性の高い積層セラミックコンデンサを構成すること
ができる。
【００４４】また、この発明によれば、ガラス転移点の
異なる二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の
高い側の前記ガラスフリットを、Ｂａ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｓ
ｒ−Ｓｉ−Ｂ系またはＣａ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリッ
トのいずれか一つを含有することにより、アルカリ土類
金属酸化物が外部電極の表面に析出しやすく、実装性が
良好で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを構成
することができる。
異なる二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の
高い側の前記ガラスフリットを、Ｂａ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｓ
ｒ−Ｓｉ−Ｂ系またはＣａ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリッ
トのいずれか一つを含有することにより、アルカリ土類
金属酸化物が外部電極の表面に析出しやすく、実装性が
良好で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを構成
することができる。
【図１】積層セラミックコンデンサの側面断面図および
正面図
正面図
１−セラミック焼結体
２−誘電体層
３−内部電極
４−外部電極
４１−外部電極中央部
４２−外部電極外周部
フロントページの続き
(72)発明者 山田 健一
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AF06 AH01 AH07 AJ03
Claims (4)
- 【請求項１】 積層セラミックコンデンサの端面外周部
となる前記外部電極のエッジ部付近の表層部における前
記ガラスフリットの成分として、少なくともＢａ，Ｓ
ｉ，Ｂの各酸化物を含有し、かつＳｉＯ2 の構成比率
が、全体の５０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする積
層セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 前記ガラスフリットがガラス転移点の異
なる二種類のガラスフリットからなり、該ガラスフリッ
トに含有されたアルカリ土類金属酸化物が前記エッジ部
付近に析出している請求項１に記載の積層セラミックコ
ンデンサ。 - 【請求項３】 前記ガラス転移点の異なる二種類のガラ
スフリットにおけるガラス転移点の低い側の前記ガラス
フリットが、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｂｉ−Ｓｉ−Ｂ系また
はＰｂ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリットのいずれか一つで
ある請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項４】 前記ガラス転移点の異なる二種類のガラ
スフリットにおけるガラス転移点の高い側の前記ガラス
フリットが、Ｂａ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｓｒ−Ｓｉ−Ｂ系また
はＣａ−Ｓｉ−Ｂ系のガラスフリットのいずれか一つで
ある請求項２または請求項３に記載の積層セラミックコ
ンデンサ。
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| JP2013098540A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428110A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Kyocera Corp | 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及び積層型コンデンサ |
| JPH05234415A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
| JPH06325614A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
| JPH08180731A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコンデンサ |
| JPH11243029A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Kyocera Corp | 端子用導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2002100526A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Shoei Chem Ind Co | 積層セラミック部品端子電極用導体ペースト |
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2001
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428110A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Kyocera Corp | 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及び積層型コンデンサ |
| JPH05234415A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
| JPH06325614A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
| JPH08180731A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコンデンサ |
| JPH11243029A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Kyocera Corp | 端子用導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2002100526A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Shoei Chem Ind Co | 積層セラミック部品端子電極用導体ペースト |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100611188B1 (ko) | 2004-07-26 | 2006-08-10 | 조인셋 주식회사 | 어레이형 다중 칩 부품 및 이의 제조방법 |
| JP2013098540A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
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