JP2003066401A - 液晶装置、液晶装置の製造装置及び製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】貼り合わせ工程時のアライメント精度を向上さ
せる。 【解決手段】ステージ８３は、載置されたマザーガラス
基板８１を保持した後加熱する。これにより、マザーガ
ラス基板８１の反りが抑制される。石英ヘッド８６は、
対向基板８２を保持してマザーガラス基板８１上の対象
となる素子基板上に配置し、アライメントを施しながら
圧着する。更に、石英ヘッド８６は、ＵＶ光源８９から
の紫外線をシール材に照射して、光硬化させる。シール
材が光硬化するまでの間、マザーガラス基板８１は加熱
されており、反りが抑制されているので、高いアライメ
ント精度での貼り合わせ固着が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶セルを構成す
る素子基板と対向基板との貼り合わせ処理に好適な液晶
装置、その製造装置及び製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラ
ス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構
成される。液晶ライトバルブでは、一方の基板に、例え
ば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、Ｔ
ＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他
方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液
晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、
画像表示を可能にする。

【０００３】ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基
板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。
両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わさ
れた後、液晶が封入される。

【０００４】パネル組立工程においては、先ず、各基板
工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との
対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接す
る面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行わ
れる。次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール
部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を
用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化
させる。シール部の一部には切り欠きが設けられてお
り、この切り欠きを介して液晶を封入する。

【０００５】ところで、液晶セルの貼り合わせ工程にお
いては、シール材は、描画、或いはスクリーン印刷によ
って形成するようになっている。スクリーン印刷の場合
には、配向膜表面にスクリーンが接触することで、配向
に悪影響を与えると共に汚染の問題もあるので、現在は
ディスペンスによる描画方式が主流である。

【０００６】貼り合わせ工程では、描画方式により素子
基板にシール材を形成した後、対向基板を貼り合わせ、
所定ギャップ長を与えるように圧着を行い、アライメン
トを施した後、固着するようになっている。シール材と
しては紫外線硬化で且つ熱硬化可能な接着材料を用い
る。

【０００７】貼り合せの方式としては、多数の素子基板
を形成したマザーガラス基板と多数の対向基板を形成し
たマザーガラス基板同士を貼り合せる方法がある。この
ような大板組立方式は、高い生産性を得られる反面、複
数の表示ユニットを一括でアライメントすることから、
貼り合せ精度が低いという欠点がある。また、高度なセ
ル厚制御も困難であった。

【０００８】また、各マザーガラス基板に夫々形成され
た複数の素子基板又は対向基板を分断して、単体の素子
基板と対向基板同士を貼り合わせる方式が採用されるこ
とがある。このような単板組立方式は、高度なセル厚制
御が可能で貼り合せ精度に優れているが、生産性が悪い
という欠点がある。

【０００９】そこで、素子基板については、マザーガラ
ス基板投入時のサイズのままで処理を進めるアレイ製造
を採用し、単体に分断した対向基板をマザーガラス基板
上の複数の素子基板に貼り合わせるチップマウント方式
が採用されることがある。チップマウント方式は、高い
生産性、高度なセル厚制御及び高い貼り合わせ精度を得
ることができるという利点がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、貼り合わせ
工程においては、所定ギャップ長を得るために圧着を行
う。ところが、マザーガラス基板上の各素子基板に対向
基板をマウントして圧着しシール硬化する過程で、応力
が発生してしまい、マザーガラス基板に反りが生じる。
近年、マザーガラス基板は大型化し、マザーガラス基板
上に構成するプロジェクタ用の液晶パネルは小型化され
てきており、１枚のマザーガラス基板からの取れ個数は
増加している。即ち、マザーガラス基板上にマウントす
る対向基板の数が増加することから、マザーガラス基板
の反り量も大きくなる。この反りによって、アライメン
ト精度が低下してしまうという問題点があった。

【００１１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、チップマウント方式による貼り合わせ時に
マザーガラス基板を加熱することで、反りを抑制してア
ライメント精度を向上させることができる液晶装置、液
晶装置の製造装置及び製造方法を提供することを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶装置の
製造装置は、第１の液晶基板が複数構成されたマザー基
板を保持すると共に前記マザー基板を加熱可能なステー
ジと、前記ステージ上の前記第１の液晶基板に第２の液
晶基板を貼り合わせて固着する固着手段とを具備したこ
とを特徴とする。

【００１３】このような構成によれば、ステージはマザ
ー基板を保持して加熱する。この加熱によってマザー基
板の反りが抑制される。固着手段は、マザー基板に構成
されている第１の液晶基板上に第２の液晶基板を貼り合
わせて固着する。マザー基板の反りが加熱によって抑制
されているので、固着手段による固着のアライメント精
度を向上させることができる。

【００１４】前記固着手段は、前記第２の液晶基板を保
持し、保持した前記第２の液晶基板を前記第１の液晶基
板に対向配置してアライメントを施しながら圧着し、前
記第２の液晶基板に形成されたシール材を光硬化させる
ヘッドを具備したことを特徴とする。

【００１５】このような構成によれば、固着手段を構成
するヘッドは、第２の液晶基板を保持し、第１の液晶基
板に対向配置してアライメントを施しながら圧着し、シ
ール材を光硬化させる。これにより、第１，第２の液晶
基板の貼り合わせ、アライメント及び硬化が行われる。

【００１６】前記ヘッドは、光透過性であって、前記ス
テージとの間で相対移動自在に構成されることを特徴と
する。

【００１７】このような構成によれば、ヘッドを介して
光をシール材に供給することで、シール材を光硬化させ
ることができる。

【００１８】前記ヘッドは、石英ヘッドであることを特
徴とする。

【００１９】このような構成によれば、石英ヘッドを介
して紫外線領域の光をシール材に供給して、シール材を
光硬化させることができる。

【００２０】本発明に係る液晶装置の製造方法は、第１
の液晶基板が複数構成されたマザー基板をステージ上に
保持すると共にステージ上の前記マザー基板を加熱する
手順と、前記ステージ上の前記第１の液晶基板に第２の
液晶基板を貼り合わせて固着する固着手順とを具備した
ことを特徴とする。

【００２１】このような構成によれば、マザー基板はス
テージによって保持されて加熱される。この加熱によっ
てマザー基板の反りが抑制される。固着手順では、マザ
ー基板に構成されている第１の液晶基板上に第２の液晶
基板が貼り合わされて固着される。マザー基板の反りが
加熱によって抑制されているので、固着手順における固
着のアライメント精度は高い。

【００２２】前記固着手順は、前記第２の液晶基板を保
持する手順と、保持した前記第２の液晶基板を前記第１
の液晶基板に対向配置してアライメントを施しながら圧
着する手順と、前記第２の液晶基板に形成されたシール
材を光硬化させる手順とを具備したことを特徴とする。

【００２３】このような構成によれば、固着手順におい
ては、保持された第２の液晶基板が、第１の液晶基板に
対向配置され、アライメントが施されて圧着され、次い
で、シール材が光硬化される。

【００２４】本発明に係る液晶装置は、上記液晶装置の
製造装置及び上記液晶装置の製造方法のいずれか１つに
よって製造されたことを特徴とする。

【００２５】このような構成によれば、貼り合わせ処理
が高いアライメント精度で行われるので、表示品質が高
い。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１
の実施の形態に係る液晶装置の製造装置の概略を示す説
明図である。図２は液晶装置の画素領域を構成する複数
の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
図３はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各
構成要素と共に対向基板側から見た平面図であり、図４
は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する
組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線の位置
で切断して示す断面図である。また、図５は液晶装置を
詳細に示す断面図である。図６はパネル組立工程を示す
フローチャートである。図７は図６中の貼り合わせ工程
の具体的工程を示すフローチャートである。

【００２７】本実施の形態は、マザーガラス基板のまま
で組立工程中の最初に行われる洗浄工程から最後に行わ
れる検査工程までを流動させ、液晶注入・封止後の検査
工程終了後に、各液晶セルを分断するアレイ製造による
チップマウント方式を採用した例について説明する。即
ち、チップマウント方式においては、貼り合わせ工程も
マザーガラス基板のままで行われる。本実施の形態にお
いては、マザーガラス基板をステージに保持固定すると
共に、ステージを加熱することで、マザーガラス基板に
発生する応力を低減し、アライメント時の反りを抑制す
るものである。

【００２８】先ず、図２乃至図５を参照して、液晶パネ
ルの構造について説明する。

【００２９】液晶パネルは、図３及び図４に示すよう
に、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２０との間
に液晶５０を封入して構成される。素子基板１０上には
画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置され
る。図２は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価
回路を示している。

【００３０】図２に示すように、画素領域においては、
複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差す
るように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画
された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置され
る。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に
対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素
電極９ａが接続される。

【００３１】ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によっ
てオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された
画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９
ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電
圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列
に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によっ
て、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間
よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積
容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラ
スト比の高い画像表示が可能となる。

【００３２】図５は、一つの画素に着目した液晶パネル
の模式的断面図である。

【００３３】ガラスや石英等の素子基板１０には、素子
基板の段差形状を制御する為の溝１１が形成されてい
る。この溝１１上に遮光膜１２及び第１層間絶縁膜１３
を介してＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０が形成されてい
る。溝１１によって、ＴＦＴ基板の液晶５０との境界面
が平坦化される。

【００３４】ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ、ソース
領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層に絶
縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられ
てなる。なお、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に
対応する領域、後述するデータ線６ａ及び走査線３ａ等
の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に
形成されている。この遮光膜１２によって、入射光がＴ
ＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレ
イン領域１ｅに入射することが防止される。

【００３５】ＴＦＴ３０上には第２層間絶縁膜１４が積
層され、第２層間絶縁膜１４上には中間導電層１５が形
成されている。中間導電層１５上には誘電体膜１７を介
して容量線１８が対向配置されている。容量線１８は、
容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間で蓄
積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光
機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導
電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止す
ることができる。

【００３６】容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が配
置され、第３層間絶縁膜１９上にはデータ線６ａが積層
される。データ線６ａは、第３及び第２層間絶縁膜１
９，１４を貫通するコンタクトホール２４ａ，２４ｂを
介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線
６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが
積層されている。画素電極９ａは、第４〜第２層間絶縁
膜２５，１９，１４を貫通するコンタクトホール２６
ａ，２６ｂにより容量線１８を介してドレイン領域１ｅ
に電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミド
系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方
向にラビング処理されている。

【００３７】走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供
給されることで、チャネル領域１ａが導通状態となり、
ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、デ
ータ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与え
られる。

【００３８】一方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基
板のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領
域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第
１遮光膜２３が設けられている。この第１遮光膜２３に
よって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチ
ャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅ
に入射することが防止される。第１遮光膜２３上に、対
向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成さ
れている。対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂
からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処
理されている。

【００３９】そして、素子基板１０と対向基板２０との
間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴ３
０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画
像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電
極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分
子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を
可能にする。

【００４０】図３及び図４に示すように、対向基板２０
には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設け
られている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は
異なる遮光性材料によって形成されている。

【００４１】遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入する
シール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成
されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に
略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２
０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の
１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子
基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を
注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶注入
口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７８を封止
材７９で封止するようになっている。

【００４２】素子基板１０のシール材４１の外側の領域
には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基
板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接
する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられてい
る。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側
に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複
数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０の
コーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１
０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導
通材６５が設けられている。

【００４３】図２乃至図５の液晶装置は、図１の装置に
よって貼り合わされる。図１において、マザーガラス基
板８１には、図５に示す素子基板１０がアレイ状に複数
形成されている。マザーガラス基板８１は、貼り合わせ
処理に際して、ステージ８３上に載置される。ステージ
８３は、平面状の表面に図示しない複数の開孔が形成さ
れており、この開孔を利用して、表面上のマザーガラス
基板８１を真空吸着して保持することができるようにな
っている。

【００４４】更に、本実施の形態においては、ステージ
８３は、例えば図示しない電熱線等の加熱機構が埋設さ
れており、この加熱機構によって、表面を所定の温度に
昇温させて、表面上のマザーガラス基板８１を加熱する
ことができるようになっている。

【００４５】ステージ８３の表面に対向して、ヘッド部
８５が設けられる。ヘッド部８５は図示しない支持部に
移動自在に支持されている。ヘッド部８５は駆動部８７
とこの駆動部８７の下端に取り付けられた石英ヘッド８
６とを有する。石英ヘッド８６は、図示しない複数の開
孔による真空吸着によって、対向基板８２（図５の対向
基板２０に相当）を保持することができるようになって
いる。

【００４６】駆動部８７は光ファイバ８８を介してＵＶ
光源８９に接続されている。ＵＶ光源８９は紫外線を発
生し、光ファイバ８８を介してヘッド部８５に供給す
る。駆動部８７は、光ファイバ８８を介して供給された
紫外線を石英ヘッド８６から対向基板８２と素子基板と
の間に配置されたシール材４１（図３参照）に向けて照
射することができるようになっている。

【００４７】また、駆動部８７は、石英ヘッド８６に吸
着された対向基板８２を水平方向に移動させることでア
ライメントを施し、垂直下方に移動させることで対向基
板８２を素子基板上に圧着することができるようになっ
ている。なお、本実施例では石英ヘッドに吸着された対
向基板を水平方向に移動させるアライメント方式につい
て説明したが、マザーガラス基板を吸着するステージ８
３を移動させることによるアライメント方式も可能であ
る。

【００４８】次に、図６を参照して液晶セルの組立工程
について説明する。

【００４９】ＴＦＴ基板と対向基板とは、別々に製造さ
れる。上述したように、本実施の形態においては、ＴＦ
Ｔ基板投入工程から分断工程が行われるまでの間は、マ
ザーガラス基板上に形成された各ＴＦＴ基板が分断され
ることなく一体的に処理されるいわゆるアレイ製造によ
るチップマウント方式が採用される。マザーガラス基板
８１上には図３に示す素子基板（ＴＦＴ基板）１０と同
様の素子基板が、組立工程の前工程であるＴＦＴ基板工
程において複数形成されている。

【００５０】ステップＳ1 においては、このように素子
がアレイ状に形成されているマザーガラス基板８１が投
入される。一方、ステップＳ5 では、図３の対向基板２
０と同様のサイズに分断された対向基板８２が投入され
る。

【００５１】ステップＳ1 で用意されたマザーガラス基
板（ＴＦＴ基板）８１に対して、次のステップＳ2 で
は、配向膜１６となるポリイミド（ＰＩ）を塗布する。
次に、ステップＳ3 において、マザーガラス基板８１上
の各ＴＦＴ基板表面の配向膜（配向膜１６に相当）に対
して、ラビング処理を施す。そして、ステップＳ4 にお
いて洗浄を行う。ステップＳ4 の洗浄工程は、ＴＦＴ基
板のラビング処理によって生じた塵埃を除去するための
ものである。

【００５２】一方、対向基板については、ステップＳ5
で用意された対向基板に対して、次のステップＳ6 で
は、配向膜２２となるポリイミド（ＰＩ）を塗布する。
次に、ステップＳ7 において、対向基板８２表面の配向
膜（配向膜２２に相当）に対して、ラビング処理を施
す。そして、ステップＳ8 において、洗浄を行う。ステ
ップＳ8 の洗浄工程は、対向基板８２のラビング処理に
よって生じた塵埃を除去するためのものである。洗浄工
程が終了すると、ステップＳ9 において、シール材４
１、及び導通材６５（図３参照）を形成する。シール材
４１は、例えば、ディスペンス塗布によって形成され
る。なお、シール材をスクリーン印刷法によって形成し
てもよい。また、本実施例においてシール材は熱併用型
紫外線硬化型シール材を用いている。

【００５３】次に、ステップＳ10で、マザーガラス基板
８１の各素子位置において、夫々対向基板８２を貼り合
わせて固着する。この貼り合わせ工程は後述する図７に
示す手順で行われる。次に、シール材４１を硬化させて
形成された各空セルに、ステップＳ11において、シール
材４１の一部に設けた切り欠きから液晶を封入し、切り
欠きを塞いで液晶を封止する。液晶封入工程では、圧力
の管理を行いながら、液晶封入量を制御し、セルギャッ
プを均一にする。こうして、マザーガラス基板８１上に
複数の液晶パネルがアレイ状に形成されたアレイ基板８
０が得られる。最後に、ステップＳ12において、検査が
行われたアレイ基板８０を液晶セル毎に分断して、図２
及び図３に示す液晶パネルを得る。

【００５４】貼り合わせ工程においては、図７に示すよ
うに、先ずステップＳ21において、マザーガラス基板８
１をステージ８３上に載置する。ステージ８３は例えば
真空吸着によってマザーガラス基板８１を固定保持す
る。次に、本実施の形態においては、ステージ８３は、
ステップＳ22において、表面を昇温させて、ステージ８
３上のマザーガラス基板８１を加熱する。なお、この加
熱処理は少なくともステップＳ26のＵＶ（光）硬化処理
まで継続するようにしたほうがよい。

【００５５】次に、石英ヘッド８６の吸着面に対向基板
８２を吸着させた状態で、ヘッド部８５をマザーガラス
基板８１上の対象となる素子基板上に移動させ、対向基
板８２をマザーガラス基板８１上にマウントする（ステ
ップＳ23）。次に、ステップＳ24において、ヘッド部８
５を水平方向に移動自在にして、アライメントを行いな
がら、ヘッド部８５を下方に向けて加圧して対向基板８
２を素子基板に圧着させる（ステップＳ25）。ヘッド部
８５の下方への加圧量は、ギャップ長を所定値に維持す
るように設定される。

【００５６】アライメント及びセル厚が適正に制御され
ると、ステップＳ26においてＵＶ硬化が行われる。ＵＶ
光源８９が発生した紫外線は光ファイバ８８を介して駆
動部８７に供給され、駆動部８７は石英ヘッド８６から
紫外線をシール材４１に照射する。これにより、シール
材４１は紫外線硬化する。

【００５７】１つの素子基板に対する対向基板の貼り合
わせ及びＵＶ硬化が終了すると、次の素子基板につい
て、ステップＳ23〜ステップＳ26の処理を繰返す。な
お、各対向基板に対するシールディスペンスは各対向基
板のマザーガラス基板８１へのマウント直前に行えばよ
い。こうして、マザーガラス基板８１上の全ての素子基
板について、貼り合わせ及びＵＶ硬化が行われる。

【００５８】マザーガラス基板８１は、対向基板８２の
圧着及び硬化における応力によって、縁部側が上方（対
向基板８２側）に反ろうとする特性を有する。しかしな
がら、本実施の形態においては、ステップＳ22において
ステージ８３を加熱しており、応力による反りを抑制す
ることができる。従って、対向基板８２のマウントから
アライメント、ＵＶ硬化までの間、マザーガラス基板８
１は全域が略ステージ８３に密着して平面状となってお
り、高精度のアライメントが可能である。

【００５９】マザーガラス基板８１上の全ての素子基板
について、対向基板８２の貼り合わせ、アライメント、
圧着、ＵＶ硬化が終了すると、次のステップＳ27におい
て、熱硬化が行われる。例えば、ステージ８３の加熱処
理によって、アレイ基板８０を加熱することで、シール
材４１を熱硬化させる。

【００６０】このように、シール材４１は、ＵＶの照射
によって光硬化するだけでなく、加熱によって熱硬化す
る特性を有する。しかし、本実施の形態においては、対
向基板８２に対してシールディスペンスを施しているこ
とから、対向基板８２をマザーガラス基板８１上にマウ
ントするまでは、マザーガラス基板８１に対する加熱処
理によってシール材が硬化することはなく、アライメン
ト作業を確実に行うことができる。

【００６１】また、ステージ８３によるステップＳ22の
加熱処理は、全ての素子基板についての貼り合わせ工程
の間、継続して行われる。従って、既に対向基板８２が
貼り合わされた液晶セルについては、貼り合わせ工程が
終了するまでの間、シール材４１に熱が印加されること
になり、シール材４１の熱硬化が促進される。このた
め、ステップＳ27の熱硬化時に既にシール材４１の熱硬
化が進行しているので、熱硬化に要する時間を短縮する
ことができる。これにより、生産性を向上させることが
可能である。

【００６２】このように本実施の形態においては、貼り
合わせ工程に際して、マザーガラス基板８１を加熱処理
しており、マザーガラス基板８１の反りを抑制して、ア
ライメント精度を向上させることができる。また、マウ
ントされた対向基板８２はＵＶ照射と共にマザーガラス
基板８１の反りを抑制するための加熱も行われるので、
本来の熱硬化前にある程度の熱硬化が行われる。従っ
て、熱硬化工程に要する時間を短縮することができる。
なお、本実施例のシール材４１は熱併用型紫外線硬化型
シール材としたが、紫外線硬化型シール材としても良
い。ステージ８３が加熱されているので、紫外線による
シール硬化速度を向上できる効果を有する。

【００６３】また、本実施の形態においては、シール材
４１を対向基板８２側に形成している。シール材４１を
マザーガラス基板８１に形成する場合には、素子基板に
よってはシール材４１の硬化までに長時間を要すること
がある。これに対し、各対向基板８２に対するシール材
４１の形成から貼り付け、アライメント、圧着及びＵＶ
硬化に要する時間は、いずれの素子基板についても同様
に比較的短時間である。従って、シール材４１が溶け出
して素子に悪影響を与えることが防止される。

【００６４】（実施例１）第１の実施の形態に従って、
ステージ８３を加熱した場合のマザーガラス基板８１の
反り量及びシール材４１の硬化度を測定した結果を示
す。表１は反り量を示し、表２はシールの硬化度を示
す。

【００６５】表１は、ステージ８３の温度を２３°Ｃ
（室温、加熱なし）又は１００°Ｃに設定し、マザーガ
ラス基板８１の縁辺上におけるステージ８３表面からマ
ザーガラス基板８１底面までの距離を測定した結果を示
す。また、表２は、ステージ８３の温度を２３°Ｃ（室
温、加熱なし）又は１００°Ｃに設定し、ＵＶ照射によ
る硬化エネルギーを６００ｍＪ／ｃｍ²として製造した
シール材４１の熱硬化工程Ｓ２７への投入前における硬
化度の結果を示す。なおシール材の硬化度はＩＲスペク
トルによって算出している。

【００６６】 表１ ステージ温度 反り量 ２３°Ｃ ２００μｍ １００°Ｃ ２５μｍ 表２ ステージ加熱 硬化度（ＵＶ６００ｍＪ） ２３°Ｃ（加熱なし） ７５％ １００°Ｃ ９３％ 上記表１及び表２に示すように、ステージ８３の温度を
高くすると、常温の場合に比べて反り量が著しく低減さ
れている。また、シール材４１の硬化度は低エネルギー
で、かつ熱硬化前に促進されることが分かる。

【００６７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、チ
ップマウント方式による貼り合わせ時にマザーガラス基
板を加熱することで、反りを抑制してアライメント精度
を向上させることができるという効果を有する。また、
シールの硬化速度を向上することが可能で、生産性を向
上させることができるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の製
造装置の概略を示す説明図。

【図２】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素にお
ける各種素子、配線等の等価回路図。

【図３】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された
各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。

【図４】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封
入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線
の位置で切断して示す断面図。

【図５】液晶装置を詳細に示す断面図。

【図６】パネル組立工程を示すフローチャート。

【図７】図６中の貼り合わせ工程の具体的工程を示すフ
ローチャート。

【符号の説明】

８０…アレイ基板 ８１…マザーガラス基板 ８２…対向基板 ８３…ステージ ８５…ヘッド部 ８６…石英ヘッド ８９…ＵＶ光源

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA01 FA03 FA04 FA05 FA16 FA26 FA30 HA01 HA08 MA20 2H089 MA03 NA24 NA38 NA42 NA44 NA60 QA04 QA16 TA01 TA06 TA09 5C094 AA03 AA42 AA43 BA43 DA12 GB01 5G435 AA17 BB12 KK02 KK05 KK09 KK10

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の液晶基板が複数構成されたマザー
   基板を保持すると共に前記マザー基板を加熱可能なステ
   ージと、 前記ステージ上の前記第１の液晶基板に第２の液晶基板
   を貼り合わせて固着する固着手段とを具備したことを特
   徴とする液晶装置の製造装置。
2. 【請求項２】 前記固着手段は、前記第２の液晶基板を
   保持し、保持した前記第２の液晶基板を前記第１の液晶
   基板に対向配置してアライメントを施しながら圧着し、
   前記第２の液晶基板に形成されたシール材を光硬化させ
   るヘッドを具備したことを特徴とする請求項１に記載の
   液晶装置の製造装置。
3. 【請求項３】 前記ヘッドは、光透過性であって、前記
   ステージとの間で相対移動自在に構成されることを特徴
   とする請求項２に記載の液晶装置の製造装置。
4. 【請求項４】 前記ヘッドは、石英ヘッドであることを
   特徴とする請求項３に記載の液晶装置の製造装置。
5. 【請求項５】 第１の液晶基板が複数構成されたマザー
   基板をステージ上に保持すると共にステージ上の前記マ
   ザー基板を加熱する手順と、 前記ステージ上の前記第１の液晶基板に第２の液晶基板
   を貼り合わせて固着する固着手順とを具備したことを特
   徴とする液晶装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記固着手順は、前記第２の液晶基板を
   保持する手順と、 保持した前記第２の液晶基板を前記第１の液晶基板に対
   向配置してアライメントを施しながら圧着する手順と、 前記第２の液晶基板に形成されたシール材を光硬化させ
   る手順とを具備したことを特徴とする請求項５に記載の
   液晶装置の製造方法。
7. 【請求項７】 上記請求項１乃至請求項４に記載の液晶
   装置の製造装置及び上記請求項６及び請求項７に記載の
   液晶装置の製造方法のいずれか１つによって製造された
   ことを特徴とする液晶装置。