JP2003065678A - 基板冷却装置及び焼成炉 - Google Patents
基板冷却装置及び焼成炉Info
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- JP2003065678A JP2003065678A JP2002030490A JP2002030490A JP2003065678A JP 2003065678 A JP2003065678 A JP 2003065678A JP 2002030490 A JP2002030490 A JP 2002030490A JP 2002030490 A JP2002030490 A JP 2002030490A JP 2003065678 A JP2003065678 A JP 2003065678A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の冷却速度を上げることができる基板冷
却装置を提供する。 【解決手段】 耐熱性のセッタ−Ｓ上で加熱処理された
基板Ｇを冷却室内で冷却する基板冷却装置であって、冷
却室の下部中央に上向きにエアを吹き出す多孔板２１を
設置するとともに、その多孔板２１以外のところには上
向きにエアを吹き出す複数のスリットノズル２２を並べ
て配置したことを特徴とする。基板Ｇが破損しにくいよ
うな温度分布になるように中央部を外周部と同じ速度も
しくはより速く冷却することができ、しかもセッタ−Ｓ
を介して下方から間接的に冷却するので、反りを生じる
こともなく基板Ｇを速い速度で冷却することができる。
却装置を提供する。 【解決手段】 耐熱性のセッタ−Ｓ上で加熱処理された
基板Ｇを冷却室内で冷却する基板冷却装置であって、冷
却室の下部中央に上向きにエアを吹き出す多孔板２１を
設置するとともに、その多孔板２１以外のところには上
向きにエアを吹き出す複数のスリットノズル２２を並べ
て配置したことを特徴とする。基板Ｇが破損しにくいよ
うな温度分布になるように中央部を外周部と同じ速度も
しくはより速く冷却することができ、しかもセッタ−Ｓ
を介して下方から間接的に冷却するので、反りを生じる
こともなく基板Ｇを速い速度で冷却することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板に形成
した構成要素を焼き固めるのに使用する焼成炉の技術分
野に属し、特にプラズマディスプレイ用基板などの電子
部品としてのガラス基板の焼成工程において好適に使用
される焼成炉に関するものである。
した構成要素を焼き固めるのに使用する焼成炉の技術分
野に属し、特にプラズマディスプレイ用基板などの電子
部品としてのガラス基板の焼成工程において好適に使用
される焼成炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のガラス基板上に形成された構成
要素を焼き固める焼成炉としては、例えば図１に示すタ
イプのものが一般的に使用されている。通常プラズマデ
ィスプレイ用基板として使用している高歪点ガラスの歪
点は５７０℃であるのに対し、電極、誘電体、リブの焼
成温度は５００〜６００℃程度であるため、焼成時には
より耐熱性の高いセッタ−Ｓの上にガラス基板Ｇを載せ
た状態で焼成を行っている。プラズマディスプレイ基板
の焼成には、このセッタ−として結晶化ガラス板（例え
ば、日本電気硝子製「ネオセラムＮ−Ｏ」）が用いられ
ている。
要素を焼き固める焼成炉としては、例えば図１に示すタ
イプのものが一般的に使用されている。通常プラズマデ
ィスプレイ用基板として使用している高歪点ガラスの歪
点は５７０℃であるのに対し、電極、誘電体、リブの焼
成温度は５００〜６００℃程度であるため、焼成時には
より耐熱性の高いセッタ−Ｓの上にガラス基板Ｇを載せ
た状態で焼成を行っている。プラズマディスプレイ基板
の焼成には、このセッタ−として結晶化ガラス板（例え
ば、日本電気硝子製「ネオセラムＮ−Ｏ」）が用いられ
ている。
【０００３】図１に示す焼成炉では、まず焼成炉本体１
の外部においてリフタ−コンベア２の上段位置にあるセ
ッタ−Ｓの上にガラス基板Ｇが載せられる。そして、ガ
ラス基板Ｇはセッタ−Ｓと共に入口コンベア３により焼
成炉本体１における上段通路の中に導入され、そのまま
セッタ−Ｓと共にロ−ラコンベアで搬送されながら加熱
部にて常温から５００〜６００℃程度のピ−ク温度まで
加熱された後、徐冷部にて４００℃程度にまで冷却され
る。次いで、上段通路の端まで搬送されたところでガラ
ス基板Ｇはセッタ−Ｓと共にリフタ−コンベア４により
下段通路に降下され、下段通路内をロ−ラコンベアで逆
方向に搬送されながら冷却部にて常温まで戻される。ガ
ラス基板Ｇを載せたセッタ−Ｓが出口まで到達すると、
出口コンベア５によりリフタ−コンベア２に移し替えら
れ、そこで焼成を終えたガラス基板Ｇが除去される。そ
して、空になったセッタ−Ｓはリフタ−コンベア２で上
段位置に移動し、ここで次のガラス基板Ｇが載置されて
焼成工程が繰り返される。このタイプの焼成炉では、上
段通路の天井および床にヒ−タ−が連続的に設置されて
おり、これらのヒ−タ−により上記の如く焼成温度を管
理するようになっている。
の外部においてリフタ−コンベア２の上段位置にあるセ
ッタ−Ｓの上にガラス基板Ｇが載せられる。そして、ガ
ラス基板Ｇはセッタ−Ｓと共に入口コンベア３により焼
成炉本体１における上段通路の中に導入され、そのまま
セッタ−Ｓと共にロ−ラコンベアで搬送されながら加熱
部にて常温から５００〜６００℃程度のピ−ク温度まで
加熱された後、徐冷部にて４００℃程度にまで冷却され
る。次いで、上段通路の端まで搬送されたところでガラ
ス基板Ｇはセッタ−Ｓと共にリフタ−コンベア４により
下段通路に降下され、下段通路内をロ−ラコンベアで逆
方向に搬送されながら冷却部にて常温まで戻される。ガ
ラス基板Ｇを載せたセッタ−Ｓが出口まで到達すると、
出口コンベア５によりリフタ−コンベア２に移し替えら
れ、そこで焼成を終えたガラス基板Ｇが除去される。そ
して、空になったセッタ−Ｓはリフタ−コンベア２で上
段位置に移動し、ここで次のガラス基板Ｇが載置されて
焼成工程が繰り返される。このタイプの焼成炉では、上
段通路の天井および床にヒ−タ−が連続的に設置されて
おり、これらのヒ−タ−により上記の如く焼成温度を管
理するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したタイプの焼成
炉においては、等速度で搬送する連続搬送方式が主流で
あるが、寸法精度を上げるため等の理由でタクト搬送を
全工程にわたって、または、一部で採用している装置も
ある。いずれの焼成炉においても、基板の大型化、タク
トアップ要求のため、装置は大型化するので、焼成プロ
セス時間の短縮が要求されている。ところが、昇温およ
び均熱部は、形成された膜面の特性・品質を保つため、
また、徐冷部は基板の寸法を安定化させ歪みを防ぐた
め、ある程度以上の短縮は不可能である。そこで、タク
ト短縮、装置の小型化には、徐冷後の冷却工程の短縮が
必要となる。しかしながら、高温の基板を冷却すると、
外周部の方が中央部より速く冷却が進むため、中央部が
高温で外周部が低温という温度勾配が生じる。このよう
な温度勾配になると、基盤中央部の膨張しようとする力
と、外周部の収縮しようとする力によって基板が割れや
すく、冷却速度を速くすることが難しいのが現状であ
る。
炉においては、等速度で搬送する連続搬送方式が主流で
あるが、寸法精度を上げるため等の理由でタクト搬送を
全工程にわたって、または、一部で採用している装置も
ある。いずれの焼成炉においても、基板の大型化、タク
トアップ要求のため、装置は大型化するので、焼成プロ
セス時間の短縮が要求されている。ところが、昇温およ
び均熱部は、形成された膜面の特性・品質を保つため、
また、徐冷部は基板の寸法を安定化させ歪みを防ぐた
め、ある程度以上の短縮は不可能である。そこで、タク
ト短縮、装置の小型化には、徐冷後の冷却工程の短縮が
必要となる。しかしながら、高温の基板を冷却すると、
外周部の方が中央部より速く冷却が進むため、中央部が
高温で外周部が低温という温度勾配が生じる。このよう
な温度勾配になると、基盤中央部の膨張しようとする力
と、外周部の収縮しようとする力によって基板が割れや
すく、冷却速度を速くすることが難しいのが現状であ
る。
【０００５】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、基板の冷却
速度を上げることができる基板冷却装置を提供し、併せ
てそれを備えた焼成炉を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、基板の冷却
速度を上げることができる基板冷却装置を提供し、併せ
てそれを備えた焼成炉を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ため、本発明の基板冷却装置は、耐熱性のセッタ−上で
加熱処理された基板を冷却室内で冷却する基板冷却装置
であって、冷却室の下部中央に上向きにエアを吹き出す
多孔板を設置するとともに、その多孔板以外のところに
は上向きにエアを吹き出す複数のスリットノズルを並べ
て配置したことを特徴としている。
ため、本発明の基板冷却装置は、耐熱性のセッタ−上で
加熱処理された基板を冷却室内で冷却する基板冷却装置
であって、冷却室の下部中央に上向きにエアを吹き出す
多孔板を設置するとともに、その多孔板以外のところに
は上向きにエアを吹き出す複数のスリットノズルを並べ
て配置したことを特徴としている。
【０００７】そして、本発明の焼成炉は、加熱部とその
後に冷却部を備えた焼成炉本体の中を、耐熱性のセッタ
−にガラス基板を載置した状態で搬送しながらそのガラ
ス基板の焼成を行う焼成炉であって、冷却部として上記
構成の基板冷却装置を使用したことを特徴とする。
後に冷却部を備えた焼成炉本体の中を、耐熱性のセッタ
−にガラス基板を載置した状態で搬送しながらそのガラ
ス基板の焼成を行う焼成炉であって、冷却部として上記
構成の基板冷却装置を使用したことを特徴とする。
【０００８】本発明の焼成炉は、冷却部の搬送機構が、
ガラス基板を載置した耐熱性セッタ−を前のゾ−ンから
基板冷却装置上まで引き込む動作、基板冷却装置の中央
部付近にて一定時間揺動させる動作、揺動終了後に次の
ゾ−ンに払い出す動作を繰り返し行うと共に、揺動を行
っている時のみ、基板冷却装置からエアを吹き付けるこ
とを特徴としている。
ガラス基板を載置した耐熱性セッタ−を前のゾ−ンから
基板冷却装置上まで引き込む動作、基板冷却装置の中央
部付近にて一定時間揺動させる動作、揺動終了後に次の
ゾ−ンに払い出す動作を繰り返し行うと共に、揺動を行
っている時のみ、基板冷却装置からエアを吹き付けるこ
とを特徴としている。
【０００９】本発明の焼成炉は、冷却部の搬送機構の加
減速開始位置、および揺動範囲を規定するのに在荷セン
サ−を使用し、揺動時間を規定するのにタイマ−を使用
したことを特徴としている。
減速開始位置、および揺動範囲を規定するのに在荷セン
サ−を使用し、揺動時間を規定するのにタイマ−を使用
したことを特徴としている。
【００１０】本発明の焼成炉は、基板冷却装置をセッタ
−搬送方向に連続して複数備えており、各々の冷却装置
にて個別に引き込み動作、揺動動作、払い出し動作を行
うことを特徴としている。
−搬送方向に連続して複数備えており、各々の冷却装置
にて個別に引き込み動作、揺動動作、払い出し動作を行
うことを特徴としている。
【００１１】本発明の焼成炉は、加熱部および冷却部が
上下に２組ある２階建て構造になっていることを特徴と
している。
上下に２組ある２階建て構造になっていることを特徴と
している。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１３】図２は本発明の基板冷却装置の一例を示す
概略断面図であり、この基板冷却装置は、図１に示すタ
イプの焼成炉における冷却部に使用されている。
概略断面図であり、この基板冷却装置は、図１に示すタ
イプの焼成炉における冷却部に使用されている。
【００１４】図１にて説明したように、セッタ−に載置
された状態で加熱部及び徐冷部を通過してきたガラス基
板は、冷却部にて常温まで戻されるが、図２は、基板Ｇ
を載せたセッタ−Ｓがロ−ラコンベア１０で搬送され、
冷却部の一つの区画（冷却室に相当）に停止した状態を
示している。また、図３はセッタ−Ｓの下方に位置する
送風機構の平面図である。図４は、基板冷却装置を備え
た焼成炉冷却室２７の一例を示す概略構成図である。図
５は、加熱部と冷却部が上下に２組ある２階建て構造に
なっている本発明の焼成炉の一例を示す概略図である。
された状態で加熱部及び徐冷部を通過してきたガラス基
板は、冷却部にて常温まで戻されるが、図２は、基板Ｇ
を載せたセッタ−Ｓがロ−ラコンベア１０で搬送され、
冷却部の一つの区画（冷却室に相当）に停止した状態を
示している。また、図３はセッタ−Ｓの下方に位置する
送風機構の平面図である。図４は、基板冷却装置を備え
た焼成炉冷却室２７の一例を示す概略構成図である。図
５は、加熱部と冷却部が上下に２組ある２階建て構造に
なっている本発明の焼成炉の一例を示す概略図である。
【００１５】図２及び図３に示すように、ロ−ラコンベ
ア１０上で停止しているセッタ−Ｓの下方には、セッタ
−Ｓに向けて上向きにエアを吹き出す多孔板２１が設置
され、その多孔板２１以外のところには上向きにエアを
吹き出す複数のスリットノズル２２が並んで配置されて
いる。また、各スリットノズル２２の間には複数個の排
気孔２３が所定間隔で設けられている。
ア１０上で停止しているセッタ−Ｓの下方には、セッタ
−Ｓに向けて上向きにエアを吹き出す多孔板２１が設置
され、その多孔板２１以外のところには上向きにエアを
吹き出す複数のスリットノズル２２が並んで配置されて
いる。また、各スリットノズル２２の間には複数個の排
気孔２３が所定間隔で設けられている。
【００１６】多孔板２１は下方にダクト２４が繋がれて
おり、そのダクト２４を通してブロアからエアが供給さ
れる。また、複数のスリットノズル２２は下方で一つの
給気用中継スペ−ス２５に繋がっており、その給気用中
継スペ−ス２５が側方でダクトに繋がれ、そのダクトを
通してブロアからエアが供給されるようになっている。
また、排気孔２３はスペ−ス２５の下側の排気用中継ス
ペ−ス２６に繋がり、そこからダクトを通して排気され
るようになっている。そして、各ダクトのダンパ−やブ
ロアの周波数、エアの温度などを調整することで、多孔
板２１とスリットノズル２２に対しそれぞれに風量や風
速を調整できるようになっている。
おり、そのダクト２４を通してブロアからエアが供給さ
れる。また、複数のスリットノズル２２は下方で一つの
給気用中継スペ−ス２５に繋がっており、その給気用中
継スペ−ス２５が側方でダクトに繋がれ、そのダクトを
通してブロアからエアが供給されるようになっている。
また、排気孔２３はスペ−ス２５の下側の排気用中継ス
ペ−ス２６に繋がり、そこからダクトを通して排気され
るようになっている。そして、各ダクトのダンパ−やブ
ロアの周波数、エアの温度などを調整することで、多孔
板２１とスリットノズル２２に対しそれぞれに風量や風
速を調整できるようになっている。
【００１７】基板Ｇの冷却に際しては、セッタ−Ｓの下
側に向け、多孔板２１とスリットノズル２２からエアを
吹き出す。この時、基板Ｇの中央部が外周部と同じ速度
もしくはより速く冷却されるように多孔板２１とスリッ
トノズル２２の風量や風速の調整を行い、また供給され
るエアの量に見合う分の排気を排気孔２３を通して行
う。
側に向け、多孔板２１とスリットノズル２２からエアを
吹き出す。この時、基板Ｇの中央部が外周部と同じ速度
もしくはより速く冷却されるように多孔板２１とスリッ
トノズル２２の風量や風速の調整を行い、また供給され
るエアの量に見合う分の排気を排気孔２３を通して行
う。
【００１８】このようにして基板を冷却することで、徐
冷後の基板を数分で室温程度に冷却することが可能とな
った。また、上下からエアを吹き付けると、基板の上面
には直接エアが当たり、表裏で冷却速度が異なるので基
板に反りを生じるが、上記の装置ではセッタ−Ｓの下方
からエアを吹き付けて基板Ｇを間接的に冷却するので、
基板Ｇに反りが生じることがない。
冷後の基板を数分で室温程度に冷却することが可能とな
った。また、上下からエアを吹き付けると、基板の上面
には直接エアが当たり、表裏で冷却速度が異なるので基
板に反りを生じるが、上記の装置ではセッタ−Ｓの下方
からエアを吹き付けて基板Ｇを間接的に冷却するので、
基板Ｇに反りが生じることがない。
【００１９】なお、本発明の焼成炉は上記の如き基板冷
却装置を備えたものであるが、そのタクトや目標とする
冷却温度によって、上記の如き基板冷却装置を複数連続
して設けてもよい。
却装置を備えたものであるが、そのタクトや目標とする
冷却温度によって、上記の如き基板冷却装置を複数連続
して設けてもよい。
【００２０】そして、基板の中央部から冷却するため
に、基板の搬送はタクト搬送とし、各冷却装置の略中央
部分に基板が搬送されたタイミングで冷却を行うように
するのが望ましい。また、スリットノズル２２のある部
分とない部分によって温度差が生じるのを防ぐために
は、ロ−ラコンベア１０により基板Ｇに対して前後方向
に所定量の揺動運動を行うようにするとよい。
に、基板の搬送はタクト搬送とし、各冷却装置の略中央
部分に基板が搬送されたタイミングで冷却を行うように
するのが望ましい。また、スリットノズル２２のある部
分とない部分によって温度差が生じるのを防ぐために
は、ロ−ラコンベア１０により基板Ｇに対して前後方向
に所定量の揺動運動を行うようにするとよい。
【００２１】すなわち、前のゾ−ンから送り込まれた基
板載置状態のセッタ−は、基板冷却装置のほぼ真上に来
たところで一時停止し、もしくは直ちに、基板冷却装置
上で揺動運動に入る。揺動運動はセッタ−搬送方向に所
定量、所定時間行う。揺動運転中にのみ、基板を載置し
たセッタ−の下面に基板冷却装置からエアをあて、基板
中央部の温度が低くなるように冷却を行う。揺動が終了
したと同時にエアを止め、セッタ−を次のゾ−ンに払い
出す。すぐ後ろに次のセッタ−が来ている場合は、払い
出すと同時に次のセッタ−を引き込み、揺動と冷却、払
い出しを繰り返す。
板載置状態のセッタ−は、基板冷却装置のほぼ真上に来
たところで一時停止し、もしくは直ちに、基板冷却装置
上で揺動運動に入る。揺動運動はセッタ−搬送方向に所
定量、所定時間行う。揺動運転中にのみ、基板を載置し
たセッタ−の下面に基板冷却装置からエアをあて、基板
中央部の温度が低くなるように冷却を行う。揺動が終了
したと同時にエアを止め、セッタ−を次のゾ−ンに払い
出す。すぐ後ろに次のセッタ−が来ている場合は、払い
出すと同時に次のセッタ−を引き込み、揺動と冷却、払
い出しを繰り返す。
【００２２】図４に示す冷却室２７の搬送機構において
は、前ゾ−ンから搬送されてきたセッタ−はあるタイミ
ングで減速を開始し、折り返し点となるある位置で揺動
運動に入るが、この時の減速のタイミングは在荷センサ
−２９、揺動の位置を決める前後の折り返し点について
は、在荷センサ−２８、３０によって規定する。揺動し
ている間に、多孔板２１およびスリットノズル２２より
エアをセッタ−Sに吹き付け、セッタ−Sとその上のガラ
ス基板Gを冷却する。揺動時間はタイマ−によって規定
し、揺動時間がタイマ−設定値になったら、セッタ−を
次のゾ−ンに搬送する。冷却室は連続的に複数設け、各
々の冷却室に基板冷却装置と在荷センサ−を設置し、冷
却室毎に制御することが好ましい。
は、前ゾ−ンから搬送されてきたセッタ−はあるタイミ
ングで減速を開始し、折り返し点となるある位置で揺動
運動に入るが、この時の減速のタイミングは在荷センサ
−２９、揺動の位置を決める前後の折り返し点について
は、在荷センサ−２８、３０によって規定する。揺動し
ている間に、多孔板２１およびスリットノズル２２より
エアをセッタ−Sに吹き付け、セッタ−Sとその上のガラ
ス基板Gを冷却する。揺動時間はタイマ−によって規定
し、揺動時間がタイマ−設定値になったら、セッタ−を
次のゾ−ンに搬送する。冷却室は連続的に複数設け、各
々の冷却室に基板冷却装置と在荷センサ−を設置し、冷
却室毎に制御することが好ましい。
【００２３】加熱部とその後に冷却部を備えた本発明の
焼成炉は、図５に一例を示すように、加熱部と冷却部と
を１組の連続した構成とし、上部と下部の各々に加熱部
と冷却部を設けた、上下２組の２階建て構造とするのが
好ましく、省スペ−ス化が図れるので、コストダウンに
寄与し得る。
焼成炉は、図５に一例を示すように、加熱部と冷却部と
を１組の連続した構成とし、上部と下部の各々に加熱部
と冷却部を設けた、上下２組の２階建て構造とするのが
好ましく、省スペ−ス化が図れるので、コストダウンに
寄与し得る。
【００２４】以上、本発明の実施の形態について詳細に
説明したが、本発明による基板冷却装置及びそれを使用
した焼成炉は、上記実施の形態に何ら限定されるもので
はなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の
変更が可能であることは当然のことである。
説明したが、本発明による基板冷却装置及びそれを使用
した焼成炉は、上記実施の形態に何ら限定されるもので
はなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の
変更が可能であることは当然のことである。
【００２５】
【実施例】ガラスの大きさ１４６０ｍｍ×１１００ｍ
ｍ、厚さ３ｍｍの基板上に、電極を形成し、その上に誘
電体層を形成した後、リブ形成材料を全面に塗布し、塗
布したリブ形成材料を乾燥して膜厚１８０μｍの乾燥膜
を得た。次に、ドライフィルムレジスト（日本合成化学
工業（株）製「ＮＣＰ２２５」）を乾燥膜上にラミネ−
トし、線幅８０μｍ、ピッチ２２０μｍのラインパタ−
ンを有するフォトマスクを用いて紫外線露光し、露光
後、現像して、線幅８０μｍ、ピッチ２２０μｍのレジ
ストパタ−ンを形成した。続いて、研磨材料として褐色
溶融アルミナ＃１０００を用いてサンドブラスト加工を
行い、レジストパタ−ンから露出している不要部分を切
削除去した後、レジストパタ−ンを剥離した。
ｍ、厚さ３ｍｍの基板上に、電極を形成し、その上に誘
電体層を形成した後、リブ形成材料を全面に塗布し、塗
布したリブ形成材料を乾燥して膜厚１８０μｍの乾燥膜
を得た。次に、ドライフィルムレジスト（日本合成化学
工業（株）製「ＮＣＰ２２５」）を乾燥膜上にラミネ−
トし、線幅８０μｍ、ピッチ２２０μｍのラインパタ−
ンを有するフォトマスクを用いて紫外線露光し、露光
後、現像して、線幅８０μｍ、ピッチ２２０μｍのレジ
ストパタ−ンを形成した。続いて、研磨材料として褐色
溶融アルミナ＃１０００を用いてサンドブラスト加工を
行い、レジストパタ−ンから露出している不要部分を切
削除去した後、レジストパタ−ンを剥離した。
【００２６】次に、本発明の加熱部と冷却部が上下に２
組ある２階建て構造になっている焼成炉を用いて、前記
のリブパタ−ンを形成した基板を、セッタ−上に載せて
ピ−ク温度が６００℃で焼成した。図４に示すように、
焼成した基板は焼成後に、前のゾ−ン側から冷却室２７
に入る。冷却室は５室準備し、それぞれに本発明の基板
冷却装置を備えている。最初の冷却室に入る時のガラス
基板温度は４００℃前後であった。前のゾ−ンから搬入
されたセッタ−Ｓはセンサ−２９の位置から減速させ、
揺動はセンサ−２８と３０の間で行った。揺動速度は６
００ｍｍ／分で、揺動している間、多孔板２１およびス
リットノズル２２から、給気風量１５ｍ 3／分でエアを
セッタ−Ｓに吹き付け、セッタ−Ｓとその上のガラス基
板Ｇを冷却した。図３に示すように、本発明に用いた基
板冷却装置は大きさ１６５０ｍｍ×１１５０ｍｍで、エ
アを吹き出すスリットノズル２２が長さ１６００ｍｍ、
ピッチ１５０ｍｍで複数本設けられ、中央部には大きさ
５００ｍｍ×２２０ｍｍの多孔板２１が１つ設けられて
いる。揺動時間はタイマ−で設定し、１００秒を経た時
点で次の冷却室に払い出した。最後の冷却室を出る時の
ガラス基板温度は１００℃前後になるように設定した。
本発明の焼成炉により、ガラス基板に反りを生ぜず、表
面平滑性が高く、形状が良い焼成したリブが得られた。
組ある２階建て構造になっている焼成炉を用いて、前記
のリブパタ−ンを形成した基板を、セッタ−上に載せて
ピ−ク温度が６００℃で焼成した。図４に示すように、
焼成した基板は焼成後に、前のゾ−ン側から冷却室２７
に入る。冷却室は５室準備し、それぞれに本発明の基板
冷却装置を備えている。最初の冷却室に入る時のガラス
基板温度は４００℃前後であった。前のゾ−ンから搬入
されたセッタ−Ｓはセンサ−２９の位置から減速させ、
揺動はセンサ−２８と３０の間で行った。揺動速度は６
００ｍｍ／分で、揺動している間、多孔板２１およびス
リットノズル２２から、給気風量１５ｍ 3／分でエアを
セッタ−Ｓに吹き付け、セッタ−Ｓとその上のガラス基
板Ｇを冷却した。図３に示すように、本発明に用いた基
板冷却装置は大きさ１６５０ｍｍ×１１５０ｍｍで、エ
アを吹き出すスリットノズル２２が長さ１６００ｍｍ、
ピッチ１５０ｍｍで複数本設けられ、中央部には大きさ
５００ｍｍ×２２０ｍｍの多孔板２１が１つ設けられて
いる。揺動時間はタイマ−で設定し、１００秒を経た時
点で次の冷却室に払い出した。最後の冷却室を出る時の
ガラス基板温度は１００℃前後になるように設定した。
本発明の焼成炉により、ガラス基板に反りを生ぜず、表
面平滑性が高く、形状が良い焼成したリブが得られた。
【００２７】リブ焼成後、冷却された基板は後工程とし
て、ＰＤＰ用として使用される通常の紫外線励起型の蛍
光体をスクリ−ン印刷し、蛍光体を焼成して、それぞれ
のリブ間に赤色、緑色、青色の蛍光体層を形成し、ＰＤ
Ｐ背面板を得た。
て、ＰＤＰ用として使用される通常の紫外線励起型の蛍
光体をスクリ−ン印刷し、蛍光体を焼成して、それぞれ
のリブ間に赤色、緑色、青色の蛍光体層を形成し、ＰＤ
Ｐ背面板を得た。
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板冷却
装置によれば、基板が破損しにくいような温度分布にな
るように中央部を外周部と同じ速さもしくはより速く冷
却することができ、しかもセッタ−を介して下方から間
接的に冷却するので、反りを生じることもなく基板を速
い速度で冷却することができる。
装置によれば、基板が破損しにくいような温度分布にな
るように中央部を外周部と同じ速さもしくはより速く冷
却することができ、しかもセッタ−を介して下方から間
接的に冷却するので、反りを生じることもなく基板を速
い速度で冷却することができる。
【００２８】そして、この基板冷却装置を冷却部に備え
た焼成炉は、基板の冷却が促進されるので、冷却部での
冷却速度が上がり、工程全体の時間短縮につながること
から、効率の良い焼成工程を実現することができる。
た焼成炉は、基板の冷却が促進されるので、冷却部での
冷却速度が上がり、工程全体の時間短縮につながること
から、効率の良い焼成工程を実現することができる。
【図１】従来の焼成炉の概略図である。
【図２】本発明の基板冷却装置の一例を示す概略断面図
である。
である。
【図３】図２においてセッタ−の下方に位置する送風機
構の平面図である。
構の平面図である。
【図４】本発明の基板冷却装置を備えた焼成炉冷却室の
一例を示す概略構成図である。
一例を示す概略構成図である。
【図５】加熱部と冷却部を上下２組の２階建て構造とし
た本発明の焼成炉の一例を示す概略図である。
た本発明の焼成炉の一例を示す概略図である。
Ｇ ガラス基板
Ｓ セッタ−
１ 焼成炉本体
２ リフタ−コンベア
３ 入口コンベア
４ リフタ−コンベア
５ 出口コンベア
１０ ロ−ラコンベア
２１ 多孔板
２２ スリットノズル
２３ 排気孔
２４ ダクト
２５ 給気用中継スペ−ス
２６ 排気用中継スペ−ス
２７ 冷却室
２８ 在荷センサ−１
２９ 在荷センサ−２
３０ 在荷センサ−３
３１ セッタ−搬送コンベア
３２ 基板供給手段
３３ 基板受取手段
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｊ 11/02 Ｈ０１Ｊ 11/02 Ｂ
Ｆターム(参考） 4K050 AA04 BA07 BA16 CA11 CD30
CF05 CF15 CG04
4K063 AA06 BA06 BA12 CA06 DA28
EA05 EA06
5C027 AA09
5C040 GF19 MA26
Claims (6)
- 【請求項１】 耐熱性のセッタ−上で加熱処理された基
板を冷却室内で冷却する基板冷却装置であって、冷却室
の下部中央に上向きにエアを吹き出す多孔板を設置する
とともに、その多孔板以外のところには上向きにエアを
吹き出す複数のスリットノズルを並べて配置したことを
特徴とする基板冷却装置。 - 【請求項２】 加熱部とその後に冷却部を備えた焼成炉
本体の中を、耐熱性のセッタ−にガラス基板を載置した
状態で搬送しながらそのガラス基板の焼成を行う焼成炉
であって、冷却部として請求項１に記載の基板冷却装置
を使用したことを特徴とする焼成炉。 - 【請求項３】 請求項２に記載の焼成炉において、冷却
部の搬送機構が、ガラス基板を載置した耐熱性のセッタ
−を前のゾ−ンから基板冷却装置上まで引き込む動作、
基板冷却装置の中央部付近にて一定時間揺動させる動
作、揺動終了後に次のゾ−ンに払い出す動作を繰り返し
行うと共に、揺動を行っている時のみ、基板冷却装置か
らエアを吹き付けることを特徴とする焼成炉。 - 【請求項４】 冷却部の搬送機構の加減速開始位置、お
よび揺動範囲を規定するのに在荷センサ−を使用し、揺
動時間を規定するのにタイマ−を使用したことを特徴と
する請求項３に記載の焼成炉。 - 【請求項５】 基板冷却装置をセッタ−搬送方向に連続
して複数備えており、各々の冷却装置にて個別に引き込
み動作、揺動動作、払い出し動作を行うことを特徴とす
る請求項２ないし４のいずれかに記載の焼成炉。 - 【請求項６】 加熱部および冷却部が上下に２組ある２
階建て構造になっていることを特徴とする請求項２ない
し５のいずれかに記載の焼成炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002030490A JP4170632B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-02-07 | 焼成炉 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001181153 | 2001-06-15 | ||
| JP2001-181153 | 2001-06-15 | ||
| JP2002030490A JP4170632B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-02-07 | 焼成炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003065678A true JP2003065678A (ja) | 2003-03-05 |
| JP4170632B2 JP4170632B2 (ja) | 2008-10-22 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002030490A Expired - Fee Related JP4170632B2 (ja) | 2001-06-15 | 2002-02-07 | 焼成炉 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4170632B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2002
- 2002-02-07 JP JP2002030490A patent/JP4170632B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4170632B2 (ja) | 2008-10-22 |
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