JP2003060347A - Manufacturing method of multilayer circuit board - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a circuit board which is superior in pattern adhesion. SOLUTION: An electrical insulation layer b, formed by setting a setting composition comprising an insulating polymer, whose weight-average molecular weight Mw is 10,000 to 1,000,000 and a setting agent in the surface of an inner layer board with a conductor circuit layer 1 in the outermost layer. After a metal thin film layer is formed in a surface of the electrical insulation layer b, it is heated under pressurization conditions and is then subjected to plating, to be made to grow on the metal thin film layer, and the metal thin film layer is further etched. Thereby, a conductor circuit layer 2 comprising a metal thin film layer is formed on the electrical insulation layer b, and a multilayer circuit board is manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多層回路基板の製
造方法に関し、より詳しくは、電気絶縁層と、その上に
形成された導電体回路との密着性に優れた多層回路基板
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multi-layer circuit board, and more particularly to a multi-layer circuit board having excellent adhesion between an electrically insulating layer and a conductor circuit formed thereon.

【０００２】[0002]

【従来の技術】電子機器の小型化、多機能化に伴って、
電子機器に用いられている回路基板にも、より高密度化
が要求されるようになってきている。回路基板を高密度
化するためには、回路基板を多層化するのが一般的であ
る。多層回路基板は、通常、最外層に導電体回路層１が
形成された内層基板の表面に、電気絶縁層ｂを積層し、
当該電気絶縁層の上に導電体回路層２を形成することに
よって得られ、さらに必要に応じて電気絶縁層と導電体
回路とを数段積層することもできる。2. Description of the Related Art As electronic equipment becomes smaller and more multifunctional,
Circuit boards used in electronic devices are also required to have higher density. In order to increase the density of the circuit board, it is common to make the circuit board into multiple layers. The multilayer circuit board is usually formed by laminating the electrical insulation layer b on the surface of the inner layer board having the conductor circuit layer 1 formed on the outermost layer.
It is obtained by forming the conductor circuit layer 2 on the electric insulation layer, and if necessary, the electric insulation layer and the conductor circuit can be laminated in several stages.

【０００３】ところで、電気絶縁層と、その上に形成さ
れた導電体回路との密着性を得るため、電気絶縁層を粗
化する方法が広く採用されている（特開平１１−２３６
４９号公報、特開平１１−２８６５６２号公報、特許第
２８７７１１０号公報など）。しかしながら、電気絶縁
層の粗化による表面の荒れは、配線パターン精度が十分
に確保されない、電気信号ノイズを生じやすい、といっ
た問題を起こす原因であると言われ、こうした方法で
は、高性能な多層回路基板を得ることが困難になってい
た。By the way, in order to obtain adhesion between the electric insulating layer and the conductor circuit formed thereon, a method of roughening the electric insulating layer is widely adopted (JP-A-11-236).
49, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-286562, Japanese Patent No. 2877110, etc.). However, it is said that the surface roughness due to the roughening of the electrical insulation layer causes problems such as insufficient wiring pattern accuracy and easy occurrence of electrical signal noise. It was difficult to get the substrate.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】かかる従来技術の下、
本発明者らは、電気絶縁層を粗化することなく導電体回
路との密着性を得るべく鋭意研究をした結果、最外層に
導電体回路層を有する内層基板の表面に、重量平均分子
量Ｍｗの大きい重合体を含有する硬化性組成物を用い電
気絶縁層を形成した後、当該電気絶縁層上に金属薄膜層
を形成し、得られた基板を、加圧条件下で加熱すること
により、平滑な電気絶縁層であっても電気絶縁層と、そ
の上に形成された導電体回路との高い密着性が得られる
ことを見いだし、この知見に基づいて本発明を完成する
に到った。Under such a conventional technique,
The inventors of the present invention have conducted earnest research to obtain adhesion to a conductor circuit without roughening the electric insulating layer, and as a result, the weight average molecular weight Mw of the inner layer substrate having the conductor circuit layer as the outermost layer is measured. After forming an electric insulating layer using a curable composition containing a large polymer, a metal thin film layer is formed on the electric insulating layer, and the obtained substrate is heated under pressure, It has been found that even a smooth electric insulating layer can provide high adhesion between the electric insulating layer and the conductor circuit formed thereon, and the present invention has been completed based on this finding.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、最外層に導電体回路層１を有する内層基板の表面
に、重量平均分子量Ｍｗが１０，０００〜１，０００，
０００である絶縁性重合体と硬化剤とを含有する硬化性
組成物を硬化してなる電気絶縁層ｂを形成する工程Ａ
と、電気絶縁層ｂの表面に金属薄膜層を形成する工程Ｂ
と、金属薄膜層形成後、加圧条件下で加熱する工程Ｃ
と、当該電気絶縁層ｂの上に金属薄膜層を含んでなる導
電体回路層２を形成する工程Ｄとを有する多層回路基板
の製造方法が提供され、また当該方法により製造された
多層回路基板が提供される。According to the present invention, the weight average molecular weight Mw is 10,000 to 1,000, on the surface of the inner layer substrate having the conductor circuit layer 1 as the outermost layer.
A for forming an electrically insulating layer b formed by curing a curable composition containing an insulative polymer of 000 and a curing agent
And a step B of forming a metal thin film layer on the surface of the electric insulating layer b.
And step C of heating under pressure condition after forming the metal thin film layer
And a step D of forming a conductor circuit layer 2 including a metal thin film layer on the electrical insulating layer b, and a method of manufacturing the multilayer circuit board, and the multilayer circuit board manufactured by the method. Will be provided.

【０００６】[0006]

【発明の実施の形態】本発明の多層回路基板の製造方法
は、次の３つの工程を有する。 工程Ａ：最外層に導電体回路層１を有する内層基板の表
面に、重量平均分子量Ｍｗが１０，０００〜１，００
０，０００である絶縁性重合体と硬化剤とを含有する硬
化性体組成物からなる電気絶縁層ｂを形成する。 工程Ｂ：電気絶縁層ｂの表面に金属薄膜層を形成する。 工程Ｃ：金属薄膜層形成後、加圧条件下で加熱する。 工程Ｄ：当該電気絶縁層ｂの上に金属薄膜層を含んでな
る導電体回路層２を形成する。 各工程について、以下に詳述する。 （工程Ａ）本発明に用いる内層基板は、最外層に導電体
回路層１を有するものであり、通常、電気絶縁層ａの表
面に導電体回路層１が形成されたものである。このよう
な内層基板の具体例として、プリント配線基板、シリコ
ンウェハー基板などの、電気絶縁層ａと、その表面に形
成された導電体回路層１とからなる基板が挙げられる。
内層基板の厚みは、通常５０μｍ〜２ｍｍ、好ましくは
６０μｍ〜１．６ｍｍ、より好ましくは１００μｍ〜１
ｍｍである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method for manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention has the following three steps. Step A: The weight average molecular weight Mw is 10,000 to 1,000 on the surface of the inner layer substrate having the conductor circuit layer 1 as the outermost layer.
An electrically insulating layer b is formed of a curable composition containing an insulating polymer of 10,000 and a curing agent. Step B: A metal thin film layer is formed on the surface of the electrically insulating layer b. Step C: After the metal thin film layer is formed, it is heated under pressure. Step D: A conductor circuit layer 2 including a metal thin film layer is formed on the electrical insulating layer b. Each step will be described in detail below. (Step A) The inner layer substrate used in the present invention has the conductor circuit layer 1 as the outermost layer, and usually has the conductor circuit layer 1 formed on the surface of the electrical insulating layer a. Specific examples of such an inner layer substrate include a substrate such as a printed wiring board and a silicon wafer substrate, which is composed of an electrically insulating layer a and a conductor circuit layer 1 formed on the surface thereof.
The thickness of the inner layer substrate is usually 50 μm to 2 mm, preferably 60 μm to 1.6 mm, more preferably 100 μm to 1.
mm.

【０００７】内層基板を構成する電気絶縁層ａの材料は
電気絶縁性を有する絶縁性重合体であれば特に限定され
ない。電気絶縁層ａの材料として、例えば、脂環式オレ
フィン重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メ
タ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジ
ン樹脂、芳香族ポリエーテル重合体、シアネートエステ
ル重合体、ポリイミドなどを含有する硬化性組成物を、
硬化してなるものが挙げられる。また、内層基板は、ガ
ラス繊維、樹脂繊維などを強度向上のために含有させた
ものであってもよい。内層基板を構成する導電体回路層
１の材料は、通常、導電性金属である。この内層基板の
表面に電気絶縁層ｂを形成する。電気絶縁層ｂを形成す
る前に、当該導電体回路層１や電気絶縁層ａと電気絶縁
層ｂとの密着性を改良する目的など、必要に応じて導電
体回路層１や電気絶縁層ａを、常法により表面処理して
も良い。The material of the electric insulating layer a constituting the inner layer substrate is not particularly limited as long as it is an insulating polymer having electric insulation. Examples of the material of the electric insulating layer a include alicyclic olefin polymer, epoxy resin, maleimide resin, (meth) acrylic resin, diallyl phthalate resin, triazine resin, aromatic polyether polymer, cyanate ester polymer, polyimide and the like. A curable composition containing
Examples include cured products. Further, the inner layer substrate may contain glass fibers, resin fibers or the like for improving strength. The material of the conductor circuit layer 1 forming the inner layer substrate is usually a conductive metal. An electrically insulating layer b is formed on the surface of this inner layer substrate. Before forming the electric insulating layer b, the electric conductor circuit layer 1 or the electric insulating layer a may be used as necessary for the purpose of improving the adhesion between the electric circuit layer 1 or the electric insulating layer a and the electric insulating layer b. May be surface-treated by a conventional method.

【０００８】電気絶縁層ｂは、重量平均分子量Ｍｗが１
０，０００〜１，０００，０００である重合体と硬化剤
とを含有する硬化性組成物を硬化させてなる。本発明に
用いる硬化性組成物は、電気絶縁性を有する絶縁性重合
体として、重量平均分子量Ｍｗが１０，０００〜１，０
００，０００、好ましくは５０，０００〜５００，００
０である重合体を含有する。重量平均分子量Ｍｗが１
０，０００〜１，０００，０００である重合体は、硬化
性組成物に含まれる絶縁性重合体成分１００重量部中、
２０重量部以上、好ましくは３０重量部以上１００重量
部以下の割合で存在するのが、電気絶縁層ｂの平滑性を
保持する観点から望ましい。重量平均分子量Ｍｗが１
０，０００〜１，０００，０００、好ましくは５０，０
００〜５００，０００である重合体以外の絶縁性重合体
として、重量平均分子量Ｍｗが当該範囲の下限未満であ
る重合体や重量平均分子量Ｍｗが当該範囲の上限を超過
する重合体を併用することが可能である。The electrically insulating layer b has a weight average molecular weight Mw of 1
It is obtained by curing a curable composition containing a polymer of 10,000 to 1,000,000 and a curing agent. The curable composition used in the present invention is an electrically insulating insulating polymer having a weight average molecular weight Mw of 10,000 to 1.0.
0,000, preferably 50,000 to 500,000
It contains 0 polymer. Weight average molecular weight Mw is 1
The polymer having a molecular weight of 10,000 to 1,000,000 is based on 100 parts by weight of the insulating polymer component contained in the curable composition.
It is desirable to be present in a proportion of 20 parts by weight or more, preferably 30 parts by weight or more and 100 parts by weight or less, from the viewpoint of maintaining the smoothness of the electric insulating layer b. Weight average molecular weight Mw is 1
20,000 to 1,000,000, preferably 50,000
As the insulating polymer other than the polymer having a weight average molecular weight of 00 to 500,000, a polymer having a weight average molecular weight Mw less than the lower limit of the range or a polymer having a weight average molecular weight Mw exceeding the upper limit of the range is used in combination. Is possible.

【０００９】絶縁性重合体としては、エポキシ樹脂、マ
レイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレ
ート樹脂、トリアジン樹脂、脂環式オレフィン重合体、
芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合
体、シアネートエステル重合体、液晶ポリマー、ポリイ
ミドなどが挙げられる。これらの中でも、脂環式オレフ
ィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロ
ブテン重合体、シアネートエステル重合体又はポリイミ
ドが好ましく、脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリ
エーテル重合体が特に好ましく、脂環式オレフィン重合
体がとりわけ好ましい。これらの重合体の他に、液晶ポ
リマーも好ましい絶縁性重合体として用いることができ
る。液晶ポリマーとしては、芳香族または脂肪族ジヒド
ロキシ化合物の重合体、芳香族または脂肪族ジカルボン
酸の重合体、芳香族ヒドロキシカルボン酸の重合体、芳
香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族ア
ミノカルボン酸の重合体などの熱可塑性液晶ポリマーが
好ましい例として挙げられる。本発明において、重量平
均分子量Ｍｗは、ゲル・パーミエーション・クロマトグ
ラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン又はポリ
イソプレン換算の重量平均分子量である。As the insulating polymer, epoxy resin, maleimide resin, (meth) acrylic resin, diallyl phthalate resin, triazine resin, alicyclic olefin polymer,
Examples thereof include aromatic polyether polymers, benzocyclobutene polymers, cyanate ester polymers, liquid crystal polymers and polyimides. Among these, alicyclic olefin polymers, aromatic polyether polymers, benzocyclobutene polymers, cyanate ester polymers or polyimides are preferable, and alicyclic olefin polymers or aromatic polyether polymers are particularly preferable, Alicyclic olefin polymers are especially preferred. In addition to these polymers, liquid crystal polymers can also be used as preferred insulating polymers. As the liquid crystal polymer, a polymer of an aromatic or aliphatic dihydroxy compound, a polymer of an aromatic or aliphatic dicarboxylic acid, a polymer of an aromatic hydroxycarboxylic acid, an aromatic diamine, an aromatic hydroxyamine or an aromatic aminocarboxylic acid. A preferable example is a thermoplastic liquid crystal polymer such as a polymer of In the present invention, the weight average molecular weight Mw is a polystyrene- or polyisoprene-equivalent weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography (GPC).

【００１０】脂環式オレフィン重合体は、脂環式構造を
有する不飽和炭化水素の重合体である。脂環式構造とし
ては、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造などが
挙げられるが、機械的強度、耐熱性などの観点から、シ
クロアルカン構造が好ましい。また、脂環式構造として
は、単環、多環（縮合多環、橋架け環、これらの組み合
わせ多環など）のいずれであっても良い。脂環式構造を
構成する炭素原子数に格別な制限はないが、通常４〜３
０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５
個の範囲であるときに、機械的強度、耐熱性、及び成形
性の諸特性が高度にバランスされ好適である。また、本
発明で使用される脂環式オレフィン重合体は、通常、熱
可塑性のものである。The alicyclic olefin polymer is a polymer of unsaturated hydrocarbon having an alicyclic structure. Examples of the alicyclic structure include a cycloalkane structure and a cycloalkene structure, and the cycloalkane structure is preferable from the viewpoint of mechanical strength, heat resistance and the like. Further, the alicyclic structure may be either a monocyclic ring or a polycyclic ring (condensed polycyclic ring, bridged ring, polycyclic ring in combination thereof, etc.). The number of carbon atoms constituting the alicyclic structure is not particularly limited, but usually 4 to 3
0, preferably 5 to 20, more preferably 5 to 15
When it is in the range of individual pieces, various properties such as mechanical strength, heat resistance, and moldability are highly balanced, which is preferable. Further, the alicyclic olefin polymer used in the present invention is usually thermoplastic.

【００１１】脂環式オレフィン重合体は、極性基を有す
るものが好ましい。極性基としては、ヒドロキシル基、
カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシ
ジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミノ
基、エステル基、カルボン酸無水物基などが挙げられ、
特に、カルボキシル基又はカルボン酸無水物基が好適で
ある。The alicyclic olefin polymer preferably has a polar group. As the polar group, a hydroxyl group,
Carboxyl group, alkoxyl group, epoxy group, glycidyl group, oxycarbonyl group, carbonyl group, amino group, ester group, carboxylic acid anhydride group and the like,
Particularly, a carboxyl group or a carboxylic acid anhydride group is preferable.

【００１２】脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式
オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして必要に応
じて不飽和結合部分を水素化することによって、或いは
芳香族オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして当
該重合体の芳香環部分を水素化することによって得られ
る。また、極性基を有する脂環式オレフィン重合体は、
例えば、１）前記脂環式オレフィン重合体に極性基を変
性反応により導入することによって、２）極性基を含有
する単量体を共重合成分として共重合することによっ
て、あるいは３）エステル基などの極性基を含有する単
量体を共重合成分として共重合した後、エステル基など
を加水分解などにより脱離することによって得られる。The alicyclic olefin polymer is usually obtained by addition-polymerizing or ring-opening polymerizing an alicyclic olefin, and optionally hydrogenating an unsaturated bond portion, or adding an aromatic olefin. It is obtained by ring-opening polymerization and hydrogenating the aromatic ring portion of the polymer. Further, the alicyclic olefin polymer having a polar group,
For example, 1) introducing a polar group into the alicyclic olefin polymer by a modification reaction, 2) copolymerizing a monomer containing a polar group as a copolymerization component, or 3) an ester group, etc. It can be obtained by copolymerizing a monomer containing a polar group of 1 as a copolymerization component, and then removing an ester group or the like by hydrolysis or the like.

【００１３】脂環式オレフィン重合体を得るために使用
される脂環式オレフィンとしては、ビシクロ〔２．２．
１〕−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５
−メチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン、５，５−ジメチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプ
ト−２−エン、５−エチル−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ〔２．２．
１〕−ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ
〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビ
シクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクタ
デシル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、
５−エチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２
−エン、５−メチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘ
プト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、Examples of the alicyclic olefin used for obtaining the alicyclic olefin polymer include bicyclo [2.2.
1] -hept-2-ene (conventional name: norbornene), 5
-Methyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5,5-dimethyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-ethyl-bicyclo [2.2.1] ] −
Hept-2-ene, 5-butyl-bicyclo [2.2.
1] -Hept-2-ene, 5-hexyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-octyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-octadecyl -Bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene,
5-Ethylidene-bicyclo [2.2.1] -hept-2
-Ene, 5-methylidene-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-vinyl-bicyclo [2.2.1]
-Hept-2-ene,

【００１４】５−プロペニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、５−メトキシ−カルボニル−ビシ
クロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シアノ−
ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−メチ
ル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボニル−ビシク
ロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、ビシクロ〔２．
２．１〕−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネ
イト、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−５−エニル−
２−メチルオクタネイト、5-propenyl-bicyclo [2.2.1]
-Hept-2-ene, 5-methoxy-carbonyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-cyano-
Bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-methyl-5-methoxycarbonyl-bicyclo [2.2.1]
-Hept-2-ene, 5-ethoxycarbonyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, bicyclo [2.
2.1] -Hept-5-enyl-2-methylpropionate, bicyclo [2.2.1] -hept-5-enyl-
2-methyl octanate,

【００１５】ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチ
ルビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６
−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルビシ
クロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６−ジカ
ルボキシ−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン−５，
６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチル−ビシク
ロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキ
シル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５
−シクロヘキセニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト
−２−エン、５−フェニル−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、Bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene-5,6-dicarboxylic acid anhydride, 5-hydroxymethylbicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5,6
-Di (hydroxymethyl) -bicyclo [2.2.1]-
Hept-2-ene, 5-hydroxy-i-propylbicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5,6-dicarboxy-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, Bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene-5,
6-dicarboxylic acid imide, 5-cyclopentyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-cyclohexyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5
-Cyclohexenyl-bicyclo [2.2.1] -hept-2-ene, 5-phenyl-bicyclo [2.2.1]-
Hept-2-ene,

【００１６】トリシクロ〔４．３．０．１^２，５〕デカ
−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、
トリシクロ〔４．３．０．１^２，５〕デカ−３−エン、
トリシクロ〔４．４．０．１^２，５〕ウンデカ−３，７
−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．１^２，５〕ウンデ
カ−３，８−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．１^２
，５〕ウンデカ−３−エン、テトラシクロ〔７．４．
０．１^{１０，１３}．０^{２， ７}〕−トリデカ−２，４，６
−１１−テトラエン（別名：１，４−メタノ−１，４，
４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン）、テトラシクロ
〔８．４．０．１^{１ １，１４}．０^３，８〕−テトラデカ
−３，５，７，１２−１１−テトラエン（別名：１，４
−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒ
ドロアントラセン）、Tricyclo [4.3.0.1 ^2,5 ] deca-3,7-diene (conventional name: dicyclopentadiene),
Tricyclo [4.3.0.1 ^2,5 ] deca-3-ene,
Tricyclo [4.4.0.1 ^2,5 ] undeca-3,7
- diene, tricyclo [4.4.0.1 ^2,5] undec-3,8-diene, tricyclo [4.4.0.1 ^{2
, 5} ] Undeca-3-ene, tetracyclo [7.4.
0.1 ^{10, 13} . 0 ^{2, 7} ] -Trideca-2,4,6
-11-Tetraene (alias: 1,4-methano-1,4,4)
4a, 9a-tetrahydrofluorene), tetracyclo [8.4.0.1 ^{1 1,14} . 0 ^3,8 ] -tetradeca-3,5,7,12-11-tetraene (alias: 1,4
-Methano-1,4,4a, 5,10,10a-hexahydroanthracene),

【００１７】テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロ
ドデセン）、８−メチル−テトラシクロ〔４．４．０．
１^{２ ，５}．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−エチ
ル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．
１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−メチリデン−テ
トラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ド
デカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ〔４．
４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、
８−ビニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テト
ラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデ
カ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ
〔４．４．０．１^{２ ，５}．１^７，１０〕−ドデカ−３−
エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシ
クロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−
３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ〔４．
４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、
８−カルボキシ−テトラシクロ〔４．４．０．
１^２，５．１^{７ ，１０}〕−ドデカ−３−エン、Tetracyclo [4.4.0.1 ^2,5 . 1
^7,10 ] -dodeca-3-ene (conventional name: tetracyclododecene), 8-methyl-tetracyclo [4.4.0.
1 ^{2 , 5} . 1 ^7,10 ] -dodec-3-ene, 8-ethyl-tetracyclo [4.4.0.1 ^2,5 .
1 ^7,10 ] -dodeca-3-ene, 8-methylidene-tetracyclo [4.4.0.1 ^2,5 . 1 ^7,10 ] -dodeca-3-ene, 8-ethylidene-tetracyclo [4.
4.0.1 ^2,5 . 1 ^7,10 ] -dodeca-3-ene,
8-Vinyl-tetracyclo [4.4.0.1 ^2,5 . 1
^7,10 ] -dodeca-3-ene, 8-propenyl-tetracyclo [4.4.0.1 ^2,5 . 1 ^7,10] - dodeca-3-ene, 8-methoxycarbonyloxy - tetracyclo [4.4.0.1 ^2, 5. 1 ^7,10 ] -dodeca-3-
Ene, 8-methyl-8-methoxycarbonyl-tetracyclo [4.4.0.1 ^2,5 . 1 ^{7, 10} ] -Dodeca-
3-ene, 8-hydroxymethyl-tetracyclo [4.
4.0.1 ^2,5 . 1 ^7,10 ] -dodeca-3-ene,
8-carboxy-tetracyclo [4.4.0.
1 ^2,5 . 1 ^{7, 10]} - dodeca-3-ene,

【００１８】８−シクロペンチル−テトラシクロ〔４．
４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、
８−シクロヘキシル−テトラシクロ〔４．４．０．１
^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−シクロ
ヘキセニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−フェニル−テトラ
シクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ
−３−エン、ペンタシクロ〔６．５．１．１^３，６．０
^２，７．０^９，１３〕ペンタデカ−３，１０−ジエン、
ペンタシクロ〔７．４．０．１^３，６．１^{１０，１３}．
０^２，７〕−ペンタデカ−４，１１−ジエンのごときノ
ルボルネン系単量体；8-cyclopentyl-tetracyclo [4.
4.0.1 ^2,5 . 1 ^7,10 ] -dodeca-3-ene,
8-cyclohexyl-tetracyclo [4.4.0.1
^2,5 . 1 ^7,10 ] -dodec-3-ene, 8-cyclohexenyl-tetracyclo [4.4.0.1 ^2,5 . 1
^7,10 ] -Dodeca-3-ene, 8-phenyl-tetracyclo [4.4.0.1 ^2,5 . 1 ^7,10 ] -dodeca-3-ene, pentacyclo [6.5.1.1 ^3,6 . 0
^2,7 . 0 ^{9, 13]} pentadeca-3,10-diene,
Pentacyclo [7.4.0.1 ^3,6 . 1 ^{10, 13} .
Norbornene-based monomers such as 0 ^2,7 ] -pentadeca-4,11-diene;

【００１９】シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチル
シクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シク
ロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テ
トラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデン、シクロ
ヘプテンのごとき単環のシクロアルケン；ビニルシクロ
ヘキセンやビニルシクロヘキサンのごときビニル系脂環
式炭化水素系単量体；シクロペンタジエン、シクロヘキ
サジエンのごとき脂環式共役ジエン系モノマー；などが
挙げられる。Cyclobutene, cyclopentene, cyclohexene, 3,4-dimethylcyclopentene, 3-methylcyclohexene, 2- (2-methylbutyl) -1-cyclohexene, cyclooctene, 3a, 5,6,7a-tetrahydro-4,7- Monocyclic cycloalkenes such as methano-1H-indene and cycloheptene; vinyl-based alicyclic hydrocarbon-based monomers such as vinylcyclohexene and vinylcyclohexane; alicyclic-conjugated diene-based monomers such as cyclopentadiene and cyclohexadiene; Is mentioned.

【００２０】芳香族オレフィンとしては、スチレン、α
−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられ
る。Aromatic olefins include styrene and α
-Methylstyrene, divinylbenzene and the like.

【００２１】脂環式オレフィン及び／又は芳香族オレフ
ィンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わ
せて用いることができる。The alicyclic olefin and / or aromatic olefin may be used alone or in combination of two or more kinds.

【００２２】脂環式オレフィン重合体は、前記脂環式オ
レフィン及び／又は芳香族オレフィンと、これら共重合
可能な単量体とを共重合して得られるものであってもよ
い。脂環式オレフィン又は芳香族オレフィンと共重合可
能な単量体としては、エチレン；プロピレン、１−ブテ
ン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブ
テン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペ
ンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−
ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−
ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、
３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセ
ン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセ
ン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの炭素数３
〜２０のα−オレフィン；１，４−ヘキサジエン、４−
メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−
ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエ
ン；等が挙げられる。これらの単量体は、それぞれ単独
で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することがで
きる。The alicyclic olefin polymer may be obtained by copolymerizing the alicyclic olefin and / or aromatic olefin with a copolymerizable monomer thereof. Monomers copolymerizable with alicyclic olefins or aromatic olefins include ethylene; propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 3-methyl-1-butene, 3-methyl-1-pentene. , 3-ethyl-1-pentene, 4-methyl-1-pentene, 4-methyl-1-
Hexene, 4,4-dimethyl-1-hexene, 4,4-
Dimethyl-1-pentene, 4-ethyl-1-hexene,
Carbon number 3 such as 3-ethyl-1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 1-eicosene
~ 20 α-olefins; 1,4-hexadiene, 4-
Methyl-1,4-hexadiene, 5-methyl-1,4-
Non-conjugated dienes such as hexadiene and 1,7-octadiene; and the like. These monomers may be used alone or in combination of two or more.

【００２３】脂環式オレフィンや芳香族オレフィンの重
合方法、及び必要に応じて行われる水素添加の方法は、
格別な制限はなく、公知の方法に従って行うことができ
る。The method of polymerizing alicyclic olefins and aromatic olefins, and the method of hydrogenation, which is carried out if necessary, are as follows:
There is no particular limitation, and it can be performed according to a known method.

【００２４】脂環式オレフィン重合体の具体例として
は、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添
加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネ
ン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単環シクロ
アルケン重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂
環式炭化水素重合体及びその水素添加物、芳香族オレフ
ィン重合体の芳香環水素添加物などが挙げられる。これ
らの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びそ
の水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノ
ルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳
香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、
特にノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が
好ましい。前記の脂環式オレフィン重合体は、それぞれ
単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることが
できる。なお、脂環式オレフィン重合体のなかでも、ノ
ルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物
は、その構造の違いから、Ｃ_ｎＨ_２ｎで表されるオレフ
ィンを共重合して得られるポリオレフィン樹脂とは異種
のポリマーに分類されるものである。Specific examples of the alicyclic olefin polymer include ring-opening polymers of norbornene-based monomers and hydrogenated products thereof, addition polymers of norbornene-based monomers, norbornene-based monomers and vinyl compounds. Addition polymers, monocyclic cycloalkene polymers, alicyclic conjugated diene polymers, vinyl-based alicyclic hydrocarbon polymers and hydrogenated products thereof, and aromatic ring hydrogenated products of aromatic olefin polymers. . Of these, ring-opening polymers of norbornene-based monomers and hydrogenated products thereof, addition polymers of norbornene-based monomers, addition polymers of norbornene-based monomers and vinyl compounds, aromatic olefin polymers Aromatic ring hydrogenated products are preferred,
A hydrogenated product of a ring-opening polymer of a norbornene-based monomer is particularly preferable. The above alicyclic olefin polymers may be used alone or in combination of two or more. Among alicyclic olefin polymers, ring-opening polymers of norbornene-based monomers and hydrogenated products thereof are obtained by copolymerizing olefins represented by C _n H _2n due to the difference in their structures. The obtained polyolefin resin is classified into different polymers.

【００２５】脂環式オレフィン重合体のＭｗを調整する
方法としては、例えば、チタン系又はタングステン系触
媒を用いた脂環式オレフィンの開環重合に際して、ビニ
ル化合物又はジエン化合物のような分子量調整剤を、単
量体全量に対して０．１〜１０モル％程度を添加する方
法が挙げられる。このとき分子量調整剤の量を少な目に
用いると比較的高いＭｗの重合体が得られ、多めに用い
ると比較的低いＭｗの重合体が得られる。分子量調整剤
として用いるビニル化合物としては、１−ブテン、１−
ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテンなどのα−オレ
フィン化合物；スチレン、ビニルトルエンなどのスチレ
ン化合物；エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエ
ーテル、アリルグリシジルエーテルなどのエーテル化合
物；アリルクロライドなどのハロゲン含有ビニル化合
物；酢酸アリル、アリルアルコール、グリシジルメタク
リレートなどの酸素含有ビニル化合物；アクリルアミド
などの窒素含有ビニル化合物；などが挙げられる。ジエ
ン化合物としては、１，４−ペンタジエン、１，５−ヘ
キサジエン、１，６−ヘプタジエン、２−メチル−１，
４−ペンタジエン、２，５−ジメチル−１，５−ヘキサ
ジエンなどの非共役ジエン化合物；１，３−ブタジエ
ン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチ
ル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，
３−ヘキサジエンなどの共役ジエン化合物；が挙げられ
る。As a method for adjusting the Mw of the alicyclic olefin polymer, for example, in the ring-opening polymerization of the alicyclic olefin using a titanium-based or tungsten-based catalyst, a molecular weight modifier such as a vinyl compound or a diene compound is used. Is added to the total amount of the monomer in an amount of 0.1 to 10 mol%. At this time, if the amount of the molecular weight modifier is used in a small amount, a polymer having a relatively high Mw is obtained, and if used in a large amount, a polymer having a relatively low Mw is obtained. As the vinyl compound used as the molecular weight modifier, 1-butene, 1-butene
Α-Olefin compounds such as pentene, 1-hexene, 1-octene; Styrene compounds such as styrene and vinyltoluene; Ether compounds such as ethyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, allyl glycidyl ether; Halogen-containing vinyl compounds such as allyl chloride; Allyl acetate , Oxygen-containing vinyl compounds such as allyl alcohol and glycidyl methacrylate; nitrogen-containing vinyl compounds such as acrylamide; and the like. As the diene compound, 1,4-pentadiene, 1,5-hexadiene, 1,6-heptadiene, 2-methyl-1,
Non-conjugated diene compounds such as 4-pentadiene and 2,5-dimethyl-1,5-hexadiene; 1,3-butadiene, 2-methyl-1,3-butadiene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, 1,3-pentadiene, 1,
A conjugated diene compound such as 3-hexadiene;

【００２６】脂環式オレフィン重合体のガラス転移温度
は、使用目的に応じて適宜選択できるが、通常５０℃以
上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以
上、最も好ましくは１２５℃以上である。The glass transition temperature of the alicyclic olefin polymer can be appropriately selected according to the purpose of use, but is usually 50 ° C. or higher, preferably 70 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, most preferably 125 ° C. or higher. is there.

【００２７】本発明に用いる硬化剤に格別な限定はな
く、例えば、イオン性硬化剤、ラジカル性硬化剤又はイ
オン性とラジカル性とを兼ね備えた硬化剤等が用いられ
る。たとえば、１−アリル−３，５−ジグリシジルイソ
シアヌレート、１，３−ジアリル−５−グリシジルイソ
シアヌレートのごときアリル基とエポキシ基とを含有す
るハロゲン不含のイソシアヌレート系硬化剤などの窒素
系硬化剤；ビスフェノールＡビス（エチレングリコール
グリシジルエーテル）エーテル、ビスフェノールＡビス
（ジエチレングリコールグリシジルエーテル）エーテ
ル、ビスフェノールＡビス（トリエチレングリコールグ
リシジルエーテル）エーテル、ビスフェノールＡビス
（プロピレングリコールグリシジルエーテル）エーテル
などのビスフェノールＡ系グリシジルエーテル型エポキ
シ化合物のようなグリシジルエーテル型エポキシ化合
物、脂環式エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポ
キシ化合物などの多価エポキシ化合物；酸無水物やジカ
ルボン酸化合物などのジカルボン酸誘導体；ジオール化
合物、トリオール化合物、多価フェノール化合物などの
ポリオール化合物；等の硬化剤があげられる。これらの
中でも、多価エポキシ化合物が好ましく、特に耐クラッ
ク性を高める観点からグリシジルエーテル型エポキシ化
合物が好ましい。There is no particular limitation on the curing agent used in the present invention. For example, an ionic curing agent, a radical curing agent, or a curing agent having both ionic and radical properties is used. For example, nitrogen-based curing agents such as 1-allyl-3,5-diglycidyl isocyanurate, 1,3-diallyl-5-glycidyl isocyanurate, halogen-free isocyanurate curing agents containing an allyl group and an epoxy group. Curing agent: Bisphenol A such as bisphenol A bis (ethylene glycol glycidyl ether) ether, bisphenol A bis (diethylene glycol glycidyl ether) ether, bisphenol A bis (triethylene glycol glycidyl ether) ether, bisphenol A bis (propylene glycol glycidyl ether) ether Polyepoxy compounds such as glycidyl ether type epoxy compounds such as glycidyl ether type epoxy compounds, alicyclic epoxy compounds and glycidyl ester type epoxy compounds Compounds; acid anhydride or dicarboxylic acid derivatives such as dicarboxylic acid compounds; diol compound, triol compound, a polyol compound such as a polyhydric phenol compound; such curing agents. Among these, polyvalent epoxy compounds are preferable, and glycidyl ether type epoxy compounds are particularly preferable from the viewpoint of enhancing crack resistance.

【００２８】脂環式オレフィン重合体と硬化剤との硬化
反応を促進させるために、硬化促進剤や硬化助剤を使用
することもできる。硬化促進剤は、特に限定されない。
硬化剤が、例えば多価エポキシ化合物の場合には、第３
級アミン系化合物や三弗化ホウ素錯化合物などが好適で
ある。なかでも、第３級アミン系化合物を使用すると、
微細配線に対する積層性、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品
性が向上する。In order to accelerate the curing reaction between the alicyclic olefin polymer and the curing agent, a curing accelerator or a curing aid can be used. The curing accelerator is not particularly limited.
If the curing agent is, for example, a polyvalent epoxy compound, the third
Preferred are amine compounds and boron trifluoride complex compounds. Above all, when a tertiary amine compound is used,
Improves stackability, insulation resistance, heat resistance, and chemical resistance for fine wiring.

【００２９】第３級アミン系化合物の具体例としては、
ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミ
ン、ジメチルホルムアミドなどの鎖状３級アミン化合
物；ピラゾール類、ピリジン類、ピラジン類、ピリミジ
ン類、インダゾール類、キノリン類、イソキノリン類、
イミダゾール類、トリアゾール類などの化合物が挙げら
れる。これらの中でも、イミダゾール類、特に置換基を
有する置換イミダゾール化合物が好ましい。Specific examples of the tertiary amine compound include:
Chain tertiary amine compounds such as benzyldimethylamine, triethanolamine, triethylamine, tributylamine, tribenzylamine, dimethylformamide; pyrazoles, pyridines, pyrazines, pyrimidines, indazoles, quinolines, isoquinolines,
Examples include compounds such as imidazoles and triazoles. Among these, imidazoles, especially substituted imidazole compounds having a substituent are preferable.

【００３０】置換イミダゾール化合物の具体例として
は、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、ビス−２−エチル−４−メチルイミダゾ
ール、１−メチル−２−エチルイミダゾール、２−イソ
プロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾー
ル、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのアルキル置換
イミダゾール化合物；２−フェニルイミダゾール、２−
フェニル−４−メチルイミダゾール，１−ベンジル−２
−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミ
ダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、
ベンズイミダゾール、２−エチル−４−メチル−１−
（２’−シアノエチル）イミダゾール、２−エチル−４
−メチル−１−［２’−（３”，５”−ジアミノトリア
ジニル）エチル］イミダゾールなどのアリール基やアラ
ルキル基などの環構造を含有する炭化水素基で置換され
たイミダゾール化合物などが挙げられる。これらの中で
も、環構造含有の置換基を有するイミダゾールが脂環式
オレフィン重合体との相溶性の観点から好ましく、特
に、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好まし
い。Specific examples of the substituted imidazole compound include 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, bis-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-methyl-2-ethylimidazole and 2-isopropylimidazole. , 2,4-Dimethylimidazole, 2-heptadecylimidazole, and other alkyl-substituted imidazole compounds; 2-phenylimidazole, 2-
Phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2
-Methyl imidazole, 1-benzyl-2-ethyl imidazole, 1-benzyl-2-phenyl imidazole,
Benzimidazole, 2-ethyl-4-methyl-1-
(2'-Cyanoethyl) imidazole, 2-ethyl-4
Examples include aryl group such as -methyl-1- [2 '-(3 ", 5" -diaminotriazinyl) ethyl] imidazole and imidazole compound substituted with hydrocarbon group having ring structure such as aralkyl group. To be Among these, imidazole having a ring structure-containing substituent is preferable from the viewpoint of compatibility with the alicyclic olefin polymer, and 1-benzyl-2-phenylimidazole is particularly preferable.

【００３１】硬化促進剤は、単独で、あるいは２種以上
を組み合わせて用いられる。硬化促進剤の配合量は、使
用目的に応じて適宜選択されるが、絶縁性重合体１００
重量部に対して、通常０．００１〜３０重量部、好まし
くは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．０３〜
５重量部である。The curing accelerator may be used alone or in combination of two or more. The compounding amount of the curing accelerator is appropriately selected according to the purpose of use, but the insulating polymer 100
0.001 to 30 parts by weight, preferably 0.01 to 10 parts by weight, and more preferably 0.03 to 10 parts by weight.
5 parts by weight.

【００３２】硬化助剤は、必要に応じて使用される。硬
化助剤としては、例えば、キノンジオキシム、ベンゾキ
ノンジオキシム、ｐ−ニトロソフェノール等のオキシム
・ニトロソ系硬化助剤；Ｎ，Ｎ−ｍ−フェニレンビスマ
レイミド等のマレイミド系硬化助剤；ジアリルフタレー
ト、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレ
ート等のアリル系硬化助剤；エチレングリコールジメタ
クリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレー
ト等のメタクリレート系硬化助剤；ビニルトルエン、エ
チルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどのビニル系
硬化助剤；１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールな
どの第３級アミン系化合物等が挙げられる。この他、ア
リル基を有する硬化剤に対して硬化助剤として機能する
過酸化物を用いることもできる。The curing aid is used as needed. Examples of the curing aid include oxime / nitroso-based curing aids such as quinonedioxime, benzoquinonedioxime and p-nitrosophenol; maleimide-based curing aids such as N, Nm-phenylene bismaleimide; diallyl phthalate, Allyl type curing aids such as triallyl cyanurate and triallyl isocyanurate; methacrylate type curing aids such as ethylene glycol dimethacrylate and trimethylolpropane trimethacrylate; vinyl type curing aids such as vinyltoluene, ethylvinylbenzene and divinylbenzene. Agents: tertiary amine compounds such as 1-benzyl-2-phenylimidazole and the like. In addition, a peroxide that functions as a curing aid for a curing agent having an allyl group can be used.

【００３３】本発明に係る硬化性組成物には、所望に応
じて、その他の成分を配合することができる。例えば、
ビアホールやスルホールなどの孔を形成するときに使用
されるレーザ光線の波長領域に吸収を持つ化合物を配合
するのが良い。炭酸ガスレーザを用いる場合シリカなど
が用いられ、紫外線レーザ（例えばＵＶ−ＹＡＧレーザ
など）を用いる場合、紫外線吸収剤が用いられる。レー
ザ光線の波長領域に吸収を持つ化合物を含有する組成物
を用いた場合にはレーザによる孔形成が容易で、スミア
の発生なども少なくなる。紫外線吸収剤の具体例として
は、フェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサリシレート
などのサリチル酸系化合物；２，４−ジヒドロキシベン
ゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェ
ノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノ
ン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノ
ン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェ
ノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ
ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−
スルホベンゾフェノン、ビス（２−ヒドロキシ−４−メ
トキシベンゾイルフェニル）メタンなどのベンゾフェノ
ン系化合物；If desired, other components may be added to the curable composition of the present invention. For example,
It is preferable to add a compound having an absorption in the wavelength region of the laser beam used when forming holes such as via holes and through holes. When a carbon dioxide laser is used, silica or the like is used, and when an ultraviolet laser (for example, UV-YAG laser or the like) is used, an ultraviolet absorber is used. When a composition containing a compound having an absorption in the wavelength region of the laser beam is used, it is easy to form holes with a laser and smear is reduced. Specific examples of the ultraviolet absorber include salicylic acid compounds such as phenyl salicylate, p-tert-butylphenyl salicylate and p-octylphenyl salicylate; 2,4-dihydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2-hydroxy. -4-octoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-dodecyloxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 2-hydroxy-4- Methoxy-5
Benzophenone compounds such as sulfobenzophenone and bis (2-hydroxy-4-methoxybenzoylphenyl) methane;

【００３４】２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフ
ェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ
−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒ
ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２’
−ヒドロキシ−３’−（３”，４”，５”，６”−テト
ラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニ
ル］ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス［４−
（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ
−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−
［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベ
ンジル）フェニル］ベンゾトリアゾールなどのベンゾト
リアゾール系化合物；２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−ヒ
ドロキシベンゾエートなどのベンゾエート系化合物；２
−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３’−ジフェニル
アクリレート、エチル−２−シアノ−３，３’−ジフェ
ニルアクリレートなどのシアノアクリレート系化合物；
ビス（２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル４）
セバケートなどのヒンダードアミン系化合物；ニッケル
ビス（オクチルフェニル）サルファイド、［２，２’−
チオビス（４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノラート）］−
ｎ−ブチルアミンニッケルなどの有機金属化合物、酸化
亜鉛、酸化すず、酸化チタン、炭酸カルシウム、シリ
カ、クレーなどの無機化合物などが挙げられる。これら
の中でも、ベンゾトリアゾール系化合物が環構造含有重
合体との相溶性や加熱硬化時の安定性に優れる点から好
ましい。紫外線吸収剤の量は、絶縁性重合体１００重量
部に対して、通常０．１〜３０重量部、好ましくは１〜
１０重量部である。2- (2'-hydroxy-5'-methylphenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-5'-tert-butylphenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3 ', 5'-di-ter
t-butylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3 ', 5'-di-ter
t-amylphenyl) benzotriazole, 2- [2 ′
-Hydroxy-3 '-(3 ", 4", 5 ", 6" -tetrahydrophthalimidomethyl) -5'-methylphenyl] benzotriazole, 2,2-methylenebis [4-
(1,1,3,3-tetramethylbutyl) -6- (2H
-Benzotriazol-2-yl) phenol], 2-
A benzotriazole-based compound such as [2-hydroxy-3,5-bis (α, α-dimethylbenzyl) phenyl] benzotriazole; 2,4-di-tert-butylphenyl-3 ′, 5′-di-tert- Benzoate-based compounds such as butyl-4'-hydroxybenzoate; 2
-Cyanoacrylate compounds such as ethylhexyl-2-cyano-3,3'-diphenylacrylate and ethyl-2-cyano-3,3'-diphenylacrylate;
Bis (2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl 4)
Hindered amine compounds such as sebacate; nickel bis (octylphenyl) sulfide, [2,2'-
Thiobis (4-tert-octylphenolate)]-
Examples thereof include organic metal compounds such as n-butylamine nickel, and inorganic compounds such as zinc oxide, tin oxide, titanium oxide, calcium carbonate, silica and clay. Among these, benzotriazole compounds are preferable from the viewpoint of compatibility with the ring structure-containing polymer and excellent stability during heat curing. The amount of the ultraviolet absorbent is usually 0.1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 100 parts by weight of the insulating polymer.
10 parts by weight.

【００３５】このほか、難燃剤、軟質重合体、耐熱安定
剤、耐候安定剤、老化防止剤、レベリング剤、帯電防止
剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑
剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス、乳剤、充
填剤などをその他の成分として用いることができる。そ
の配合割合は、本発明の目的を損ねない範囲で適宜選択
される。In addition, flame retardants, soft polymers, heat stabilizers, weather stabilizers, antiaging agents, leveling agents, antistatic agents, slip agents, antiblocking agents, antifog agents, lubricants, dyes, pigments, natural Oils, synthetic oils, waxes, emulsions, fillers and the like can be used as other components. The blending ratio is appropriately selected within a range that does not impair the object of the present invention.

【００３６】導電体回路層１が形成された内層基板の表
面に、上述した硬化性組成物を硬化してなる電気絶縁層
を形成する方法としては、（Ｉ）硬化性組成物と有機溶
剤とからなるワニスを、導電体回路層を有する基板に塗
布した後、有機溶剤を除去乾燥して得られる成形物を硬
化させる方法、又は（ＩＩ）フィルム又はシート状に成
形した成形体を、加熱圧着等により導電体回路層を有す
る基板上に重ね合わせた後に、硬化させる方法が挙げら
れる。電気絶縁層の平滑性が確保でき、多層形成が容易
な点から、（ＩＩ）の方法により積層体を得るのが好ま
しい。導電体回路層１が形成された内層基板と電気絶縁
層ｂとの密着力を向上させるために内層基板表面を前処
理することが好ましい。前処理としては、アルカリ性亜
塩素酸ナトリウム水溶液や過マンガン酸等を内層基板表
面に接触させて表面を粗化する方法、アルカリ性過硫酸
カリウム水溶液、硫化カリウム−塩化アンモニウム水溶
液等により表面を酸化した後に還元する方法、及び内層
基板の導電体回路部分にメッキを析出させ、粗化する方
法、チオール化合物やシラン化合物などによりプライマ
ー層を形成する方法等が挙げられる。なかでも２−ジ−
ｎ−ブチルアミノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリア
ジンなどのチオール化合物を用いたプライマー層を形成
する方法は、導電体回路が銅である場合に、銅の腐食が
なく、高い密着性が得られる点で好適である。As a method for forming an electrically insulating layer formed by curing the above curable composition on the surface of the inner layer substrate on which the conductor circuit layer 1 is formed, (I) a curable composition and an organic solvent are used. A method of curing a molded product obtained by applying a varnish consisting of (1) to a substrate having a conductor circuit layer and then removing an organic solvent and drying, or (II) heat-pressing a molded product molded into a film or sheet. And the like, and a method of curing after superposing on a substrate having a conductor circuit layer. It is preferable to obtain the laminate by the method (II) from the viewpoints that the smoothness of the electric insulating layer can be secured and the multilayer formation is easy. It is preferable to pretreat the surface of the inner layer substrate in order to improve the adhesion between the inner layer substrate on which the conductor circuit layer 1 is formed and the electrical insulating layer b. As the pretreatment, a method of roughening the surface by bringing an alkaline sodium chlorite aqueous solution or permanganic acid into contact with the inner layer substrate surface, after oxidizing the surface with an alkaline potassium persulfate aqueous solution, potassium sulfide-ammonium chloride aqueous solution, etc. Examples thereof include a reducing method, a method of depositing and roughening plating on the conductor circuit portion of the inner layer substrate, a method of forming a primer layer with a thiol compound or a silane compound, and the like. Especially, 2-di-
A method of forming a primer layer using a thiol compound such as n-butylamino-4,6-dimercapto-s-triazine is such that when the conductor circuit is copper, there is no corrosion of copper and high adhesion is obtained. It is suitable because

【００３７】（Ｉ）の方法において、ワニスを内層基板
に塗布する方法は、特に制限されず、例えば、本発明の
ワニスをダイコーター、ロールコーター又はカーテンコ
ーターにより基板に塗布する方法が挙げられる。基板に
ワニスを塗布した後、７０〜１４０℃、１〜３０分乾燥
し、更に通常３０〜４００℃、好ましくは７０〜３００
℃、より好ましくは１００〜２００℃、通常０．１〜５
時間、好ましくは０．５〜３時間、硬化させて、電気絶
縁層ｂを形成する。In the method (I), the method of applying the varnish to the inner layer substrate is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying the varnish of the present invention to the substrate with a die coater, a roll coater or a curtain coater. After applying the varnish to the substrate, it is dried at 70 to 140 ° C. for 1 to 30 minutes, and usually 30 to 400 ° C., preferably 70 to 300.
° C, more preferably 100 to 200 ° C, usually 0.1 to 5
The electric insulating layer b is formed by curing for a time, preferably 0.5 to 3 hours.

【００３８】ワニスを得る方法に格別な制限はなく、例
えば、硬化性組成物を構成する各成分と有機溶媒とを混
合することにより得られる。各成分の混合方法は、常法
に従えばよく、例えば、攪拌子とマグネチックスターラ
ーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパージ
ョン、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロー
ルなどを使用した方法などで行うことができる。これら
を混合する際の温度は、硬化剤による反応が作業性に影
響を及ぼさない範囲であり、さらには安全性の点から混
合時に使用する有機溶剤の沸点以下が好ましい。There is no particular limitation on the method for obtaining the varnish, and it can be obtained, for example, by mixing each component constituting the curable composition with an organic solvent. The mixing method of each component may be according to a conventional method, for example, a method using a stirrer and a magnetic stirrer, a high-speed homogenizer, a dispersion, a planetary stirrer, a twin-screw stirrer, a ball mill, a triple roll, etc. And so on. The temperature at the time of mixing these is within the range where the reaction with the curing agent does not affect workability, and from the viewpoint of safety, it is preferably not higher than the boiling point of the organic solvent used at the time of mixing.

【００３９】有機溶剤としては、例えば、トルエン、キ
シレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどの芳
香族炭化水素系有機溶剤；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタンなどの脂肪族炭化水素系有機溶剤；シ
クロペンタン、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素系
有機溶剤；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリク
ロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系有機溶剤；メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペ
ンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン系有機溶剤な
どを挙げることができる。これらの有機溶剤は、それぞ
れ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いること
ができる。Examples of the organic solvent include aromatic hydrocarbon organic solvents such as toluene, xylene, ethylbenzene and trimethylbenzene; aliphatic hydrocarbon organic solvents such as n-pentane, n-hexane and n-heptane; cyclo. Alicyclic hydrocarbon-based organic solvents such as pentane and cyclohexane; halogenated hydrocarbon-based organic solvents such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene; ketone-based organic solvents such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone and cyclohexanone Can be mentioned. These organic solvents can be used alone or in combination of two or more kinds.

【００４０】これら有機溶剤のなかでも、微細配線への
埋め込み性に優れ、気泡等を生じさせないものとして、
芳香族炭化水素系有機溶剤や脂環式炭化水素系有機溶剤
のような非極性有機溶剤とケトン系有機溶剤のような極
性有機溶剤とを混合した混合有機溶剤が好ましい。これ
らの非極性有機溶剤と極性有機溶剤との混合比は適宜選
択できるが、重量比で、通常５：９５〜９５：５、好ま
しくは１０：９０〜９０：１０、より好ましくは２０：
８０〜８０：２０の範囲である。Among these organic solvents, the ones which are excellent in embedding in fine wiring and do not generate bubbles etc.
A mixed organic solvent in which a nonpolar organic solvent such as an aromatic hydrocarbon organic solvent or an alicyclic hydrocarbon organic solvent and a polar organic solvent such as a ketone organic solvent are mixed is preferable. The mixing ratio of the non-polar organic solvent and the polar organic solvent can be appropriately selected, but the weight ratio is usually 5:95 to 95: 5, preferably 10:90 to 90:10, and more preferably 20 :.
The range is 80 to 80:20.

【００４１】有機溶剤の使用量は、厚みの制御や平坦性
向上などの目的に応じて適宜選択されるが、ワニスの固
形分濃度が、通常５〜７０重量％、好ましくは１０〜６
５重量％、より好ましくは２０〜６０重量％になる範囲
である。The amount of the organic solvent used is appropriately selected according to the purpose of controlling the thickness and improving the flatness, but the solid content concentration of the varnish is usually 5 to 70% by weight, preferably 10 to 6%.
It is in the range of 5% by weight, more preferably 20 to 60% by weight.

【００４２】（ＩＩ）の方法において、フィルム又はシ
ート状である硬化性組成物の成形物を基板上に重ね合わ
せるには、通常、支持体付きのフィルム又はシートを、
当該フィルム又はシートが内層基板面に接するように重
ね合わせ、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、
真空プレス、ロールラミネータなどの加圧機を使用して
加熱圧着する。加熱圧着は、配線への埋め込み性を向上
させ、気泡等の発生を抑えるために真空下で行うのが好
ましい。加熱圧着時の温度は、通常３０〜２５０℃、好
ましくは７０〜２００℃、圧着力は、通常１０ｋＰａ〜
２０ＭＰａ、好ましくは１００ｋＰａ〜１０ＭＰａ、圧
着時間は、通常３０秒〜５時間、好ましくは１分〜３時
間であり、通常１００ｋＰａ〜１Ｐａ、好ましくは４０
ｋＰａ〜１０Ｐａに雰囲気を減圧する。圧着後、上述と
同様にして電気絶縁層ｂを形成する。前記支持体付きフ
ィルム又はシートを基板上に積層させた場合には、前記
支持体が付いたまま硬化させてもよいが、通常は、前記
支持体を剥がした後に硬化させる。In the method of (II), a film or sheet having a curable composition in the form of a film is laminated on a substrate, and a film or sheet having a support is usually used.
The film or sheet is laminated so as to contact the inner layer substrate surface, a pressure laminator, a press, a vacuum laminator,
It is heated and pressure-bonded using a pressure machine such as a vacuum press or a roll laminator. The thermocompression bonding is preferably performed under vacuum in order to improve the embedding property in the wiring and suppress the generation of bubbles and the like. The temperature during thermocompression bonding is usually 30 to 250 ° C., preferably 70 to 200 ° C., and the pressure bonding force is usually 10 kPa to
20 MPa, preferably 100 kPa to 10 MPa, pressure bonding time is usually 30 seconds to 5 hours, preferably 1 minute to 3 hours, usually 100 kPa to 1 Pa, preferably 40.
The atmosphere is depressurized to kPa to 10 Pa. After pressure bonding, the electrical insulating layer b is formed in the same manner as described above. When the film or sheet with a support is laminated on a substrate, it may be cured with the support still attached, but it is usually cured after the support is peeled off.

【００４３】フィルム又はシート状である硬化性組成物
の成形物は、通常、溶液キャスト法や溶融キャスト法な
どによりフィルム又はシート状に成形されたものであ
る。溶液キャスト法により成形する場合は、ワニスを支
持体に塗布した後に、有機溶剤を乾燥除去する。溶液キ
ャスト法に使用する支持体として、樹脂フィルム（キャ
リアフィルム）や金属箔などが挙げられる。樹脂フィル
ムとしては、通常、熱可塑性樹脂フィルムが用いられ、
具体的には、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポ
リプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカ
ーボネイトフィルム、ポリエチレンナフタレートフィル
ム、ポリアリレートフィルム、ナイロンフィルムなどが
挙げられる。これら樹脂フィルムの中、耐熱性や耐薬品
性、積層後の剥離性などの観点からポリエチレンテレフ
タレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム
が好ましい。金属箔としては、例えば、銅箔、アルミ
箔、ニッケル箔、クロム箔、金箔、銀箔などが挙げられ
る。導電性が良好で安価である点から、銅箔、特に電解
銅箔や圧延銅箔が好適である。支持体の厚さは特に制限
されないが、作業性等の観点から、通常１μｍ〜１５０
μｍ、好ましくは２μｍ〜１００μｍ、より好ましくは
３〜５０μｍである。The molded product of the curable composition in the form of a film or a sheet is usually molded into a film or a sheet by a solution casting method or a melt casting method. In the case of molding by the solution casting method, the organic solvent is dried and removed after applying the varnish to the support. Examples of the support used in the solution casting method include a resin film (carrier film) and a metal foil. As the resin film, usually a thermoplastic resin film is used,
Specific examples include polyethylene terephthalate film, polypropylene film, polyethylene film, polycarbonate film, polyethylene naphthalate film, polyarylate film, nylon film and the like. Among these resin films, a polyethylene terephthalate film and a polyethylene naphthalate film are preferable from the viewpoint of heat resistance, chemical resistance, peelability after lamination and the like. Examples of the metal foil include copper foil, aluminum foil, nickel foil, chrome foil, gold foil, silver foil and the like. A copper foil, particularly an electrolytic copper foil or a rolled copper foil, is preferable because it has good conductivity and is inexpensive. The thickness of the support is not particularly limited, but is usually 1 μm to 150 from the viewpoint of workability and the like.
μm, preferably 2 μm to 100 μm, more preferably 3 to 50 μm.

【００４４】塗布方法として、デイップコート、ロール
コート、カーテンコート、ダイコート、スリットコート
などの方法が挙げられる。また有機溶剤の除去乾燥の条
件は、有機溶剤の種類により適宜選択され、乾燥温度
は、通常２０〜３００℃、好ましくは３０〜２００℃で
あり、乾燥時間は、通常３０秒〜１時間、好ましくは１
分〜３０分である。Examples of the coating method include dip coating, roll coating, curtain coating, die coating and slit coating. The conditions for removing and drying the organic solvent are appropriately selected depending on the type of the organic solvent, the drying temperature is usually 20 to 300 ° C, preferably 30 to 200 ° C, and the drying time is usually 30 seconds to 1 hour, preferably Is 1
Minutes to 30 minutes.

【００４５】フィルム又はシートの厚みは、通常０．１
〜１５０μｍ、好ましくは０．５〜１００μｍ、より好
ましくは１．０〜８０μｍである。なお、フィルム又は
シートを単独で得たい場合には、支持体上にフィルム又
はシートを形成した後、支持体から剥離する。The thickness of the film or sheet is usually 0.1.
˜150 μm, preferably 0.5 to 100 μm, more preferably 1.0 to 80 μm. When a film or sheet is desired to be obtained alone, it is peeled from the support after forming the film or sheet on the support.

【００４６】この工程Ａで得られる電気絶縁層ｂの表面
粗さＲａは通常０．１ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは
０．１ｎｍ〜８０ｎｍである。本発明において、表面粗
さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４で定義される
値である。The surface roughness Ra of the electric insulating layer b obtained in this step A is usually 0.1 nm to 100 nm, preferably 0.1 nm to 80 nm. In the present invention, the surface roughness Ra is a value defined by JIS B0601-1994.

【００４７】（工程Ｂ）上述のようにして形成された電
気絶縁層ｂの表面に、メッキで金属薄膜層を形成する。
本発明において、電気絶縁層ｂの表面を粗化することな
く、金属薄膜層を形成することが特徴である。通常、多
層回路基板を形成する場合、導電体回路層１と後に形成
される導電体回路層２とを接続するため、電気絶縁層ｂ
にビアホール形成用の開口を形成する。ビアホール形成
用の開口を電気絶縁層ｂに形成させる方法は、ドリル、
レーザ、プラズマエッチング等の物理的処理等によって
もよいし、本発明の成形物である硬化により電気絶縁層
を形成する前の膜をマスキングして光硬化させ、未硬化
部分を取り除いた後、硬化する、いわゆるフォトリソグ
ラフィーによってもよい。これらの方法のうち、絶縁層
の特性を低下させず、より微細なビアホールを形成する
ことができるという観点から、炭酸ガスレーザ、エキシ
マレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザによる方法が
好ましい。また、上記回路基板において、導電体回路の
一部は、金属電源層や金属グラウンド層、金属シールド
層になっていてもよい。この電気絶縁層ｂ表面とビアホ
ール形成用開口の内壁面にスパッタリング法、無電解メ
ッキ法、真空蒸着法等により金属薄膜層を形成すること
ができ、特に無電解メッキによるのが好ましい。無電解
メッキ法に用いる無電解メッキ液としては、公知の自己
触媒型の無電解めっき液を用いることができる。例え
ば、次亜リン酸アンモニウム又は次亜リン酸、水素化硼
素アンモニウムやヒドラジン、ホルマリンなどを還元剤
とする無電解銅めっき液、次亜リン酸ナトリウムを還元
剤とする無電解ニッケル−リンめっき液、ジメチルアミ
ンボランを還元剤とする無電解ニッケル−ホウ素めっき
液、無電解パラジウムめっき液、次亜リン酸ナトリウム
を還元剤とする無電解パラジウム−リンめっき液、無電
解金めっき液、無電解銀めっき液、次亜リン酸ナトリウ
ムを還元剤とする無電解ニッケル−コバルト−リンめっ
き液等の無電解めっき液を用いることができる。金属薄
膜層を形成した後、基板表面を防錆剤と接触させて防錆
処理をすることもできる。(Step B) A metal thin film layer is formed by plating on the surface of the electrical insulating layer b formed as described above.
The present invention is characterized in that the metal thin film layer is formed without roughening the surface of the electric insulating layer b. Usually, when a multilayer circuit board is formed, since the conductor circuit layer 1 and the conductor circuit layer 2 to be formed later are connected to each other, the electric insulating layer b is formed.
An opening for forming a via hole is formed in. A method of forming an opening for forming a via hole in the electric insulating layer b is a drill,
It may be carried out by physical treatment such as laser or plasma etching, or it is a molded article of the present invention, which is cured by masking the film before forming the electric insulating layer by curing and photo-curing it, and removing the uncured portion, followed by curing. Alternatively, so-called photolithography may be used. Among these methods, a method using a laser such as a carbon dioxide laser, an excimer laser, or a UV-YAG laser is preferable from the viewpoint that a finer via hole can be formed without deteriorating the characteristics of the insulating layer. Further, in the circuit board, part of the conductor circuit may be a metal power supply layer, a metal ground layer, or a metal shield layer. A metal thin film layer can be formed on the surface of the electric insulating layer b and the inner wall surface of the opening for forming a via hole by a sputtering method, an electroless plating method, a vacuum deposition method or the like, and it is particularly preferable to use an electroless plating. As the electroless plating solution used in the electroless plating method, a known self-catalytic electroless plating solution can be used. For example, ammonium hypophosphite or hypophosphorous acid, electroless copper plating solution using ammonium borohydride, hydrazine, formalin, etc. as a reducing agent, electroless nickel-phosphorus plating solution using sodium hypophosphite as a reducing agent. , Electroless nickel-boron plating solution using dimethylamine borane as a reducing agent, electroless palladium plating solution, electroless palladium-phosphorus plating solution using sodium hypophosphite as a reducing agent, electroless gold plating solution, electroless silver An electroless plating solution such as a plating solution or an electroless nickel-cobalt-phosphorus plating solution using sodium hypophosphite as a reducing agent can be used. After forming the metal thin film layer, the surface of the substrate may be brought into contact with an anticorrosive agent for anticorrosion treatment.

【００４８】金属薄膜層の形成を無電解メッキにより行
う場合、金属薄膜層を電気絶縁層ｂの表面に形成させる
前に、金属薄膜層上に、銀、パラジウム、亜鉛、コバル
トなどの触媒核を吸着させるのが一般的である。触媒核
を電気絶縁層ｂに付着させる方法は特に制限されず、例
えば、過マンガン酸カリウム水溶液や過マンガン酸ナト
リウム水溶液などのアルカリ性水溶液を電気絶縁層ｂと
接触させた後、硫酸ヒドロキシアミンと硫酸との混合液
などの酸性水溶液により中和還元処理し、次いで銀、パ
ラジウム、亜鉛、コバルトなどの金属化合物を、水又は
アルコール若しくはクロロホルムなどの有機溶媒に０．
００１〜１０重量％の濃度で溶解した液（必要に応じて
酸、アルカリ、錯化剤、還元剤などを含有していてもよ
い）に浸漬した後、金属を還元する方法などが挙げられ
る。Ｍｗ１０，０００〜１，０００，０００の絶縁性重
合体を含有しない硬化性組成物を硬化して得られる電気
絶縁層に対して上述した触媒吸着処理を行うと、基板表
面が粗化されて、Ｒａが上述の範囲を逸脱するが、Ｍｗ
１０，０００〜１，０００，０００の絶縁性重合体を含
有する上述した硬化性組成物を用いて電気絶縁層ｂを形
成すると、粗化が抑制される。When the metal thin film layer is formed by electroless plating, catalyst nuclei such as silver, palladium, zinc and cobalt are formed on the metal thin film layer before forming the metal thin film layer on the surface of the electric insulating layer b. It is generally adsorbed. The method for adhering the catalyst nuclei to the electric insulating layer b is not particularly limited. For example, after contacting an alkaline aqueous solution such as an aqueous potassium permanganate solution or an aqueous sodium permanganate solution with the electric insulating layer b, hydroxyamine sulfate and sulfuric acid are added. Neutralization reduction treatment with an acidic aqueous solution such as a mixed solution with water, and then a metal compound such as silver, palladium, zinc, or cobalt in water or an organic solvent such as alcohol or chloroform.
Examples include a method in which the metal is reduced after being immersed in a solution (which may optionally contain an acid, an alkali, a complexing agent, a reducing agent, etc.) dissolved at a concentration of 001 to 10% by weight. When the above-mentioned catalyst adsorption treatment is performed on the electric insulating layer obtained by curing the curable composition containing no insulating polymer having an Mw of 10,000 to 1,000,000, the substrate surface is roughened, Ra deviates from the above range, but Mw
When the electric insulating layer b is formed using the above-mentioned curable composition containing 10,000 to 1,000,000 insulating polymers, roughening is suppressed.

【００４９】（工程Ｃ）さらに、本発明においては、工
程Ｂにより金属薄膜が形成された基板を、加圧条件下で
加熱する。加熱は加圧条件下で行う。このときの圧力を
加える方法として、例えば、熱プレス機、加圧加熱ロー
ル機などを用いた、基板に対して物理的に圧力を加える
方法が挙げられる。加える圧力は、通常０．１ＭＰａ〜
２０ＭＰａ、好ましくは０．５ＭＰａ〜１０ＭＰａであ
る。加熱は、通常５０〜３５０℃、好ましくは８０〜２
５０℃である。この範囲であれば、金属薄膜と電気絶縁
層２との高い密着性が確保できる。(Step C) Further, in the present invention, the substrate on which the metal thin film is formed in Step B is heated under pressure. Heating is performed under pressure. Examples of the method of applying pressure at this time include a method of physically applying pressure to the substrate using a heat press machine, a pressure heating roll machine, or the like. The applied pressure is usually 0.1 MPa to
20 MPa, preferably 0.5 MPa to 10 MPa. Heating is usually 50 to 350 ° C., preferably 80 to 2
It is 50 ° C. Within this range, high adhesion between the metal thin film and the electric insulating layer 2 can be secured.

【００５０】（工程Ｄ）本発明においては、工程Ｃの
後、当該電気絶縁層ｂの上に金属薄膜層を含んでなる導
電体回路層２を形成する。導電体回路層２を形成する方
法は特に制限されず、例えば、工程Ｃにより金属薄膜層
を加圧加熱処理した後、常法に従って金属薄膜上にメッ
キレジストを形成させ、更にその上に電解メッキ等の湿
式メッキによりメッキを成長させる。次いで、メッキレ
ジストを除去し、更にエッチングにより金属薄膜と成長
させたメッキからなる導電体回路層２を形成する。この
ようにして得られた多層基板を内層基板として、本発明
における工程Ａ〜Ｄを繰り返すことで、更なる多層化も
可能である。こうして得られる本発明の多層回路基板
は、コンピューターや携帯電話等の電子機器において、
ＣＰＵやメモリなどの半導体素子、その他の実装部品を
実装するためのプリント配線板として使用できる。特
に、微細配線を有するものは高密度プリント配線基板と
して、高速コンピューターや、高周波領域で使用する携
帯端末の配線基板として好適である。(Step D) In the present invention, after the step C, the conductor circuit layer 2 including the metal thin film layer is formed on the electric insulating layer b. The method for forming the conductor circuit layer 2 is not particularly limited. For example, after the metal thin film layer is subjected to pressure and heat treatment in step C, a plating resist is formed on the metal thin film according to a conventional method, and further electroplating is performed thereon. The plating is grown by wet plating such as. Next, the plating resist is removed, and the conductor circuit layer 2 made of plated metal thin film is formed by etching. Further multilayering is possible by repeating steps A to D in the present invention using the thus obtained multilayer substrate as an inner layer substrate. The multilayer circuit board of the present invention thus obtained is used in electronic devices such as computers and mobile phones.
It can be used as a printed wiring board for mounting semiconductor elements such as CPU and memory, and other mounting components. In particular, one having fine wiring is suitable as a high-density printed wiring board, a wiring board for a high-speed computer or a mobile terminal used in a high frequency region.

【００５１】[0051]

【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を
具体的に説明する。なお、実施例中、部及び％は、特に
断りのない限り重量基準である。本実施例において行っ
た評価方法は以下のとおりである。 （１）分子量（Ｍｗ、Ｍｎ） トルエンを溶剤とするゲル・パーミエーション・クロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値とし
て測定した。 （２）水素化率及びカルボキシル基含有率^１ Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより測定した。 （３）ガラス移転温度（Ｔｇ） 示差走査熱量法（ＤＳＣ法）により測定した。 （６）樹脂表面の粗さ 原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎ
ｔ 製、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ ３ａ）にてＳｉ単結晶短
冊型カンチレバー（バネ定数＝２０Ｎ／ｍ、長さ１２５
μｍ）を使用し大気中タッピングモードで表面平均粗さ
Ｒａを測定して評価した。 （７）密着性の評価 密着性評価用パターンとして多層基板の最外層に配線幅
５０μｍ、配線間距離５０μｍ、配線長さ３ｃｍの配線
を１００本、後述の方法にて形成させた。この密着性評
価用パターンつき多層基板を水中にて５ｃｍ移動幅、毎
分３０往復の速さで垂直上下に５分間揺動させ、密着性
評価用パターン部１００本について、剥離した配線の数
を測定した。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to Examples and Comparative Examples. In the examples, parts and% are based on weight unless otherwise specified. The evaluation method used in this example is as follows. (1) Molecular weight (Mw, Mn) It was measured as a polystyrene conversion value by gel permeation chromatography (GPC) using toluene as a solvent. (2) Hydrogenation rate and carboxyl group content It was measured by ¹ H-NMR spectrum. (3) Glass transition temperature (Tg) It was measured by a differential scanning calorimetry (DSC method). (6) Roughness of resin surface Atomic force microscope (Digital Instrument)
manufactured by T., Nanoscope 3a) with Si single crystal strip type cantilever (spring constant = 20 N / m, length 125).
The surface average roughness Ra was measured and evaluated in the tapping mode in the air. (7) Evaluation of Adhesion As an adhesion evaluation pattern, 100 wirings having a wiring width of 50 μm, a wiring distance of 50 μm and a wiring length of 3 cm were formed on the outermost layer of the multilayer substrate by the method described later. This multilayer substrate with a pattern for adhesion evaluation was swung in water at a moving width of 5 cm at a rate of 30 reciprocations per minute for 5 minutes vertically and vertically, and the number of peeled wirings was measured for 100 adhesion evaluation pattern parts. It was measured.

【００５２】実施例１ ８−エチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エンを開環重合し、次いで水
素添加反応を行い、数平均分子量（Ｍｎ）＝３１，２０
０、重量平均分子量（Ｍｗ）＝５５，８００、Ｔｇ＝約
１４０℃の水素化重合体を得た。得られたポリマーの水
素化率は９９％以上であった。得られた重合体１００
部、無水マレイン酸４０部及びジクミルパーオキシド５
部をｔ−ブチルベンゼン２５０部に溶解し、１４０℃で
６時間反応を行った。得られた反応生成物溶液を１００
０部のイソプロピルアルコール中に注ぎ、反応生成物を
凝固させマレイン酸変性水素化重合体を得た。この変性
水素化重合体を１００℃で２０時間真空乾燥した。この
変性水素化重合体の分子量はＭｎ＝３３，２００、Ｍｗ
＝６８，３００でＴｇは１７０℃であった。マレイン酸
基含有率は２５モル％であった。Example 1 8-Ethyl-tetracyclo [4.4.0.1 ^2,5 . 1
^7,10 ] -dodeca-3-ene is subjected to ring-opening polymerization, and then hydrogenation reaction is carried out to obtain number average molecular weight (Mn) = 31,20.
A hydrogenated polymer having a weight average molecular weight (Mw) of 55,800 and a Tg of about 140 ° C. was obtained. The hydrogenation rate of the obtained polymer was 99% or more. The polymer 100 obtained
Parts, maleic anhydride 40 parts and dicumyl peroxide 5
Part was dissolved in 250 parts of t-butylbenzene and reacted at 140 ° C. for 6 hours. 100 parts of the obtained reaction product solution
It was poured into 0 part of isopropyl alcohol and the reaction product was solidified to obtain a maleic acid-modified hydrogenated polymer. The modified hydrogenated polymer was vacuum dried at 100 ° C. for 20 hours. The molecular weight of this modified hydrogenated polymer was Mn = 33,200, Mw
= 68,300 and Tg was 170 ° C. The maleic acid group content was 25 mol%.

【００５３】前記変性水素化重合体１００部、ビスフェ
ノールＡビス（プロピレングリコールグリシジルエーテ
ル）エーテル４０部、２−［２−ヒドロキシ−３，５−
ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾト
リアゾール５部及び１−ベンジル−２−フェニルイミダ
ゾール０．１部をキシレン２１５部及びシクロペンタノ
ン５４部からなる混合溶剤に溶解させてワニスを得た。100 parts of the modified hydrogenated polymer, 40 parts of bisphenol A bis (propylene glycol glycidyl ether) ether, 2- [2-hydroxy-3,5-
5 parts of bis (α, α-dimethylbenzyl) phenyl] benzotriazole and 0.1 part of 1-benzyl-2-phenylimidazole were dissolved in a mixed solvent composed of 215 parts of xylene and 54 parts of cyclopentanone to obtain a varnish. .

【００５４】当該ワニスを、ダイコーターを用いて、３
００ｍｍ角の厚さ４０μｍのポリエチレンナフタレート
フィルム（キャリアフィルム）に塗工し、その後、窒素
オーブン中、１２０℃で１０分間乾燥させ樹脂厚み３５
μｍのキャリアフィルム付きドライフィルムを得た。Using a die coater, the varnish was 3
It is coated on a polyethylene naphthalate film (carrier film) of 00 mm square and a thickness of 40 μm, and then dried at 120 ° C. for 10 minutes in a nitrogen oven to give a resin thickness of 35.
A dry film with a carrier film of μm was obtained.

【００５５】一方、２−ジ−ｎ−ブチルアミノ−４，６
−ジメルカプト−ｓ−トリアジンの０．１％イソプロピ
ルアルコール溶液を調製し、この溶液に配線幅及び配線
間距離が５０μｍ、導体厚みが１８μｍで表面がマイク
ロエッチング処理された内層回路を形成された厚さ０．
８ｍｍの両面銅張り基板（ガラスフィラー及びハロゲン
不含エポキシ樹脂を含有するワニスをガラスクロスに含
浸させて得られたコア材）を２５℃で１分間浸漬し、次
いで９０℃で１５分間、窒素置換されたオーブン中で乾
燥させてプライマー層を形成させて、内層基板を得た。On the other hand, 2-di-n-butylamino-4,6
-Preparation of a 0.1% isopropyl alcohol solution of dimercapto-s-triazine, in which a wiring width and a distance between wirings were 50 μm, a conductor thickness was 18 μm, and a surface on which an inner layer circuit having a micro-etching treatment was formed was formed. 0.
An 8-mm double-sided copper-clad substrate (core material obtained by impregnating glass cloth with a varnish containing a glass filler and a halogen-free epoxy resin) was immersed at 25 ° C. for 1 minute, and then at 90 ° C. for 15 minutes with nitrogen substitution. The primer layer was formed by drying in the oven, and an inner layer substrate was obtained.

【００５６】前述の内層基板上に、前述のキャリアフィ
ルム付きドライフィルムを、樹脂面が内側となるように
して両面銅張り基板両面に重ね合わせた。これを、一次
プレスとして耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空積
層装置を用いて、２００Ｐａに減圧して、温度１１０
℃、圧力０．５ＭＰａで６０秒間加熱圧着した。次い
で、二次プレスとして金属製プレス板で覆われた耐熱ゴ
ム製プレス板を上下に備えた真空積層装置を用いて、２
００Ｐａに減圧して、温度１４０℃、１．０ＭＰａで６
０秒間加熱圧着した。そして、ポリエチレンナフタレー
トフィルムのみを剥がし、１７０℃の窒素オーブン中に
６０分間放置し、内層基板上に電気絶縁層を形成した。
得られた積層板の、絶縁層部分に、ＵＶ−ＹＡＧレーザ
第３高調波を用いて直径３０μｍの層間接続のビアホー
ルを形成しビアホールつき多層基板を得た。On the above-mentioned inner layer substrate, the above-mentioned dry film with a carrier film was laid on both sides of the double-sided copper-clad substrate with the resin side facing inside. This was depressurized to 200 Pa using a vacuum laminating apparatus having heat-resistant rubber press plates on the top and bottom as a primary press, and a temperature of 110
It was thermocompression bonded at 60 ° C. for 60 seconds at a temperature of 0.5 MPa. Then, as a secondary press, using a vacuum laminating apparatus having a heat-resistant rubber press plate covered with a metal press plate at the top and bottom,
The pressure is reduced to 00 Pa, and the temperature is 140 ° C. and the pressure is 1.0 MPa.
It was thermocompression bonded for 0 seconds. Then, only the polyethylene naphthalate film was peeled off and left in a nitrogen oven at 170 ° C. for 60 minutes to form an electric insulating layer on the inner layer substrate.
A via hole for interlayer connection having a diameter of 30 μm was formed in the insulating layer portion of the obtained laminated plate using a UV-YAG laser third harmonic to obtain a multilayer substrate with a via hole.

【００５７】上述のビアホールつき多層基板を過マンガ
ン酸濃度６０ｇ／リットル、水酸化ナトリウム濃度２８
ｇ／リットルになるように調整した８０℃の水溶液に３
０分間浸漬した。次いで、基板を水槽に１分間浸漬し、
更に別の水槽に１分間浸漬することにより、基板を水洗
した。続いて硫酸ヒドロキシルアミン濃度１７０ｇ／リ
ットル、硫酸８０ｇ／リットルになるように調整した２
５℃の水溶液に、基板を５分間浸漬し、中和還元処理を
した後、水洗をし、窒素を吹き付けて水を除去した。水
洗後の多層基板をアクチベータＭＡＴ−１−Ａ（上村工
業株式会社製）が２００ｍｌ／リットル、アクチベータ
ＭＡＴ−１−Ｂ（上村工業株式会社製）が３０ｍｌ／リ
ットル、水酸化ナトリウムが１ｇ／リットルになるよう
に調整した６０℃のＰｄ塩含有メッキ触媒溶液に５分間
浸漬した。次いで、上述と同じ方法で基板を水洗した
後、レデユーサーＭＲＤ−２−Ａ（上村工業株式会社
製）が１８ｍｌ／リットル、レデユーサーＭＲＤ−２−
Ｃ（上村工業株式会社製）が６０ｍｌ／リットルになる
ように調整した溶液に３５℃で、５分間、浸漬し、メッ
キ触媒を還元処理した。このようにしてメッキ触媒を吸
着させた多層基板の最外絶縁層表面の粗さを評価したと
ころ、Ｒａは５２ｎｍであった。The above-mentioned multi-layer substrate with via holes was applied to a permanganate concentration of 60 g / liter and a sodium hydroxide concentration of 28.
3 in an 80 ° C aqueous solution adjusted to g / l
Soak for 0 minutes. Then, the substrate is immersed in a water bath for 1 minute,
The substrate was washed with water by immersing it in another water tank for 1 minute. Subsequently, the concentration of hydroxylamine sulfate was 170 g / liter and the concentration of sulfuric acid was 80 g / liter. 2
The substrate was immersed in an aqueous solution at 5 ° C. for 5 minutes, subjected to a neutralization reduction treatment, washed with water, and blown with nitrogen to remove water. The activator MAT-1-A (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) is 200 ml / liter, the activator MAT-1-B (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) is 30 ml / liter, and sodium hydroxide is 1 g / liter for the multilayer substrate after washing with water. It was immersed for 5 minutes in a Pd salt-containing plating catalyst solution at 60 ° C. adjusted to Then, after washing the substrate with the same method as described above, the reducer MRD-2-A (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) was 18 ml / liter, and the reducer MRD-2- was used.
C (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) was immersed in a solution adjusted to 60 ml / liter at 35 ° C. for 5 minutes to reduce the plating catalyst. When the roughness of the surface of the outermost insulating layer of the multilayer substrate on which the plating catalyst was adsorbed in this way was evaluated, Ra was 52 nm.

【００５８】こうして得られた多層基板を、ＰＥＡ−６
−Ａ（上村工業株式会社製）が１００ｍｌ／リットル、
ＰＥＡ−６−Ｂ（上村工業株式会社製）が１００ｍｌ／
リットル、ＰＥＡ−６−Ｃ（上村工業株式会社製）が１
４ｍｌ／リットル、ＰＥＡ−６−Ｄ（上村工業株式会社
製）が１２ｍｌ／リットル、ＰＥＡ−６−Ｅ（上村工業
株式会社製）が５０ｍｌ／リットル、３７％ホルムアル
デヒド水溶液５ｍｌ／リットルになるように調整した３
６℃の無電解メッキ液に空気を吹き込みながら、１５分
間浸漬して無電解メッキ処理を行った。無電解メッキ処
理により金属薄膜層が形成された多層基板を更に上述と
同様に水洗した。次いで、ＡＴ−２１（上村工業株式会
社製）が１０ｍｌ／リットルになるよう調整した防錆溶
液に２５℃、１分間浸漬し、更に上述と同じ方法で水洗
した後、乾燥し、防錆処理を施した。The multi-layer substrate thus obtained was subjected to PEA-6
-A (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) is 100 ml / liter,
PEA-6-B (manufactured by Uemura Industry Co., Ltd.) is 100 ml /
1 liter of PEA-6-C (manufactured by Uemura Industry Co., Ltd.)
4 ml / liter, PEA-6-D (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) 12 ml / l, PEA-6-E (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) 50 ml / l, 37% aqueous formaldehyde solution 5 ml / l Done 3
The air was blown into the electroless plating solution at 6 ° C. for 15 minutes for immersion in the electroless plating treatment. The multilayer substrate on which the metal thin film layer was formed by the electroless plating treatment was further washed with water in the same manner as above. Then, AT-21 (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) is immersed in a rust preventive solution adjusted to 10 ml / liter at 25 ° C. for 1 minute, further washed with water in the same manner as described above, and then dried for rust preventive treatment. gave.

【００５９】この防錆処理が施された多層基板を、熱プ
レス機を用いて、１７０℃で、３ＭＰａの圧力を加え、
３０分間加熱加圧処理した。The multi-layer substrate subjected to the rust prevention treatment was applied with a pressure of 3 MPa at 170 ° C. using a hot press machine.
It heat-pressed for 30 minutes.

【００６０】加熱加圧処理後の多層基板表面に、市販の
感光性レジストのドライフィルムを熱圧着して貼り付
け、さらに、このドライフィルム上に密着性評価用パタ
ーンに対応するパターンのマスクを密着させ露光した
後、現像してレジストパターンを得た。次に硫酸１００
ｇ／リットルの溶液に２５℃で１分間浸漬させ防錆剤を
除去し、レジスト非形成部分に電解銅メッキを施し厚さ
１８μｍの電解銅メッキ膜を形成させた。次いで、レジ
ストパターンを剥離液にて剥離除去し、塩化第二銅と塩
酸混合溶液によりエッチング処理を行うことにより、前
記金属薄膜及び電解銅メッキ膜からなる配線パターン
（導電体回路層２）を形成し両面２層の配線パターン付
き多層回路基板を得た。得られた多層回路基板のパター
ンが無い部分の絶縁層表面の粗さを評価したところＲａ
は５６ｎｍであった。得られた多層回路基板のパターン
密着性の評価を行った。評価結果を表１に示す。A dry film of a commercially available photosensitive resist is attached by thermocompression bonding to the surface of the multilayer substrate after the heat and pressure treatment, and a mask having a pattern corresponding to the adhesion evaluation pattern is adhered onto the dry film. After exposure, the resist was developed to obtain a resist pattern. Next, sulfuric acid 100
The rust preventive agent was removed by immersing it in a solution of g / liter at 25 ° C. for 1 minute, and electrolytic copper plating was performed on the non-resist forming portion to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 18 μm. Then, the resist pattern is stripped and removed with a stripping solution, and an etching treatment is performed with a mixed solution of cupric chloride and hydrochloric acid to form a wiring pattern (conductor circuit layer 2) including the metal thin film and the electrolytic copper plating film. Then, a multilayer circuit board with a wiring pattern having two layers on both sides was obtained. When the roughness of the surface of the insulating layer of the obtained multilayer circuit board where there is no pattern was evaluated, Ra
Was 56 nm. The pattern adhesion of the obtained multilayer circuit board was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

【００６１】実施例２ 実施例１にて得られたビアホールつき多層基板Ａを周波
数１３.５６ＭＨｚ、出力１００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａの
アルゴンプラズマに、基板表面温度を約３５℃に保持し
て、１分間さらし乾式メッキ前処理を施した。乾式メッ
キ前処理を実施した後の最外絶縁層表面の粗さを評価し
たところ、Ｒａは３８ｎｍであった。次にプラズマ処理
された回路基板を出力１００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａで銅
スパッタ処理し、厚さ０.３μｍの銅薄膜を形成させ
て、多層基板を得た。Example 2 The multilayer substrate A with via holes obtained in Example 1 was held in argon plasma having a frequency of 13.56 MHz, an output of 100 W and a gas pressure of 0.8 Pa at a substrate surface temperature of about 35 ° C. It was exposed for 1 minute and subjected to a dry plating pretreatment. When the roughness of the surface of the outermost insulating layer after performing the dry plating pretreatment was evaluated, Ra was 38 nm. Next, the plasma-treated circuit board was subjected to copper sputter processing at an output of 100 W and a gas pressure of 0.8 Pa to form a copper thin film having a thickness of 0.3 μm to obtain a multilayer board.

【００６２】この多層基板を、熱プレス機を用いて、実
施例１と同様の加熱加圧処理をした。得られた加熱加圧
処理後の多層基板表面に、実施例１と同様にして配線パ
ターンを形成した。得られた多層回路基板のパターンが
無い部分の絶縁層表面の粗さを評価したところＲａは４
３ｎｍであった。得られた多層回路基板のパターン密着
性の評価を行った。評価結果を表１に示す。This multilayer substrate was subjected to the same heating and pressing treatment as in Example 1 using a hot press machine. A wiring pattern was formed on the surface of the obtained multilayer substrate after the heat and pressure treatment in the same manner as in Example 1. When the roughness of the surface of the insulating layer of the obtained multilayer circuit board where there is no pattern was evaluated, Ra was 4
It was 3 nm. The pattern adhesion of the obtained multilayer circuit board was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

【００６３】実施例３ 実施例１のワニスＡ作製にて用いた変性水素化重合体１
００部にかえて、ポリ（２，６−ジメチルフェニレン−
１，４−エーテル）（Ｍｗ＝１８，０００）４０部、エ
ポキシ樹脂（商品名：エピコート１０００：油化シェル
エポキシ株式会社製：Ｍｗ＝１，３００）６０部を用い
た以外は実施例１と同様にワニスを作製し、実施例１と
同様にして多層回路基板を得て評価した。メッキ前処理
を実施した後の最外絶縁層表面の粗さを評価したとこ
ろ、Ｒａは７１ｎｍであった。得られた多層回路基板の
パターンが無い部分の絶縁層表面の粗さを評価したとこ
ろＲａは７３ｎｍであった。得られた多層回路基板のパ
ターン密着性の評価を行った。評価結果を表１に示す。Example 3 Modified hydrogenated polymer 1 used in the preparation of varnish A of Example 1
Instead of 00 parts, poly (2,6-dimethylphenylene-
Example 1 except that 40 parts of 1,4-ether) (Mw = 18,000) and 60 parts of epoxy resin (trade name: Epicoat 1000: Yuka Shell Epoxy Co., Ltd .: Mw = 1300) were used. A varnish was prepared in the same manner, and a multilayer circuit board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1. When the roughness of the surface of the outermost insulating layer after the pretreatment for plating was evaluated, Ra was 71 nm. When the roughness of the surface of the insulating layer in the non-patterned portion of the obtained multilayer circuit board was evaluated, Ra was 73 nm. The pattern adhesion of the obtained multilayer circuit board was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

【００６４】比較例１ 実施例１で加熱加圧処理しない以外は実施例１と同様に
して多層回路基板を得た。得られた多層回路基板のパタ
ーンが無い部分の絶縁層表面の粗さを評価したところＲ
ａは５３ｎｍであった。評価結果を表１に示す。Comparative Example 1 A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heating and pressure treatment was not performed. The roughness of the surface of the insulating layer of the obtained multilayer circuit board where there is no pattern was evaluated.
a was 53 nm. The evaluation results are shown in Table 1.

【００６５】比較例２ 実施例２で加熱加圧処理しない以外は実施例２と同様に
して多層回路基板を得た。得られた多層回路基板のパタ
ーンが無い部分の絶縁層表面の粗さを評価したところＲ
ａは４１ｎｍであった。評価結果を表１に示す。Comparative Example 2 A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 2 except that the heating and pressure treatment was not performed. The roughness of the surface of the insulating layer of the obtained multilayer circuit board where there is no pattern was evaluated.
a was 41 nm. The evaluation results are shown in Table 1.

【００６６】比較例３ 実施例１のワニス作製に用いた変性水素化重合体１００
部にかえて、エポキシ樹脂（商品名：エピコート１００
０：油化シェルエポキシ株式会社製：Ｍｗ＝１，３０
０）１００部を用いた以外は実施例１と同様にワニスを
作製した。得られたワニスを用いて実施例１で加熱加圧
処理しない以外は実施例１と同様にして多層回路基板を
得た。得られた多層回路基板のパターンが無い部分の絶
縁層表面の粗さを評価したところＲａは９２０ｎｍであ
った。評価結果を表１に示す。Comparative Example 3 Modified hydrogenated polymer 100 used for preparing the varnish of Example 1
Epoxy resin (trade name: Epicoat 100)
0: Yuka Shell Epoxy Co., Ltd .: Mw = 1,30
0) A varnish was produced in the same manner as in Example 1 except that 100 parts were used. A multilayer circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heating and pressure treatment in Example 1 was not performed using the obtained varnish. When the roughness of the surface of the insulating layer of the obtained multilayer circuit board where there is no pattern was evaluated, Ra was 920 nm. The evaluation results are shown in Table 1.

【００６７】[0067]

【表１】 [Table 1]

【００６８】この結果から、重量平均分子量Ｍｗが１
０，０００〜１，０００，０００である絶縁性重合体を
含有する硬化性組成物を用いて電気絶縁層を形成する
と、電気絶縁層の表面の平滑性に優れ、パターンの密着
性に優れる多層回路基板が得られることが分かった。From this result, the weight average molecular weight Mw was 1
When a curable composition containing an insulating polymer of 10,000 to 1,000,000 is used to form an electric insulating layer, the surface of the electric insulating layer is excellent in smoothness, and the adhesion of the pattern is excellent. It was found that a circuit board was obtained.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA02 AA12 AA43 CC02 CC04 CC09 CC10 CC32 CC54 DD02 DD03 DD12 DD23 DD33 EE33 FF07 FF13 GG15 GG17 GG27 GG28 HH11    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 5E346 AA02 AA12 AA43 CC02 CC04                       CC09 CC10 CC32 CC54 DD02                       DD03 DD12 DD23 DD33 EE33                       FF07 FF13 GG15 GG17 GG27                       GG28 HH11

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 最外層に導電体回路層１を有する内層基
板の表面に、重量平均分子量Ｍｗが１０，０００〜１，
０００，０００である絶縁性重合体と硬化剤とを含有す
る硬化性組成物を硬化してなる電気絶縁層ｂを形成する
工程Ａと、電気絶縁層ｂの表面に金属薄膜層を形成する
工程Ｂと、金属薄膜層形成後、加圧条件下で加熱する工
程Ｃと、当該電気絶縁層ｂの上に金属薄膜層を含んでな
る導電体回路層２を形成する工程Ｄとを有する多層回路
基板の製造方法。1. A weight average molecular weight Mw of 10,000 to 1, on the surface of an inner layer substrate having a conductor circuit layer 1 as the outermost layer.
Step A of forming an electrically insulating layer b formed by curing a curable composition containing an insulating polymer of, 000,000 and a curing agent, and forming a metal thin film layer on the surface of the electrically insulating layer b. B, a multi-layer circuit including a step C of forming a metal thin film layer and then heating it under a pressure condition, and a step D of forming a conductor circuit layer 2 including the metal thin film layer on the electrical insulating layer b. Substrate manufacturing method. 【請求項２】 工程Ｃにおいて、加える圧力が０．１Ｍ
Ｐａ〜２０ＭＰａであり、加熱温度が５０℃〜３５０℃
である請求項１記載の多層回路基板の製造方法。2. The pressure applied in step C is 0.1M.
Pa to 20 MPa, and heating temperature is 50 ° C to 350 ° C
The method for manufacturing a multilayer circuit board according to claim 1, wherein 【請求項３】 重量平均分子量Ｍｗが１０，０００〜
１，０００，０００である絶縁性重合体が脂環式オレフ
ィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロ
ブテン重合体、シアネートエステル重合体、液晶ポリマ
ー又はポリイミドである請求項１又は２記載の多層回路
基板の製造方法。3. A weight average molecular weight Mw of 10,000 to.
The insulating polymer which is 1,000,000 is an alicyclic olefin polymer, an aromatic polyether polymer, a benzocyclobutene polymer, a cyanate ester polymer, a liquid crystal polymer or a polyimide. Manufacturing method of multilayer circuit board. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかの方法により製
造された多層回路基板。4. A multilayer circuit board manufactured by the method according to claim 1.