JP2003059789A

JP2003059789A - 接続構造体および半導体製造・検査装置

Info

Publication number: JP2003059789A
Application number: JP2001242793A
Authority: JP
Inventors: Yasutaka Ito; 康隆伊藤
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2001-08-09
Filing date: 2001-08-09
Publication date: 2003-02-28

Abstract

(57)【要約】【課題】電源から導出されたソケットを取り付けた
り、取り外したりした際、接続端子がセラミック基板か
ら脱落することがない接続構造体を提供すること。【解決手段】導電体が配設されたセラミック基板の上
記導電体に接続・固定された接続端子を含んで構成さ
れ、上記接続端子と電源から導出されたソケットとを接
続させるための接続構造体であって、上記ソケットを取
り付けるための外部端子ピンは、棒状体とその中間に形
成された鍔部とからなるとともに、上記接続端子と変形
容易な導電線を介して接続され、上記接続端子の周囲に
設けられ、その上端がセラミック基板の底面に固定され
た筒状体、および、上記筒状体の内部に配置された固定
部材を用いることにより、上記外部端子ピンが上記筒状
体の内部に固定されていることを特徴とする接続構造
体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ホットプレート
（セラミックヒータ）、静電チャック、サセプタ等に用
いられるセラミック基板の内部に設けられた導電体にス
ルーホールを介して接続・固定された接続端子と、電源
から導出されたソケットとを接続する接続構造体、およ
び、該接続構造体を備えた半導体製造・検査装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】エッチング装置や、化学的気相成長装置
等を含む半導体製造・検査装置等においては、従来、ス
テンレス鋼やアルミニウム合金などの金属製基材を用い
たヒータや静電チャック等が用いられてきた。

【０００３】ところが、このような金属製のヒータは、
以下のような問題があった。まず、金属製であるため、
ヒータ板の厚みは、１５ｍｍ程度と厚くしなければなら
ない。なぜなら、薄い金属板では、加熱に起因する熱膨
張により、反り、歪み等が発生していまい、金属板上に
載置したシリコンウエハが破損したり傾いたりしてしま
うからである。しかしながら、ヒータ板の厚みを厚くす
ると、ヒータの重量が重くなり、また、嵩張ってしまう
という問題があった。

【０００４】また、抵抗発熱体に印加する電圧や電流量
を変えることにより、シリコンウエハ等の被加熱物を加
熱する面（以下、加熱面という）の温度を制御するので
あるが、金属板が厚いために、電圧や電流量の変化に対
してヒータ板の温度が迅速に追従せず、温度制御しにく
いという問題もあった。

【０００５】そこで、特開平４−３２４２７６号公報で
は、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい非酸化
物セラミックである窒化アルミニウムを使用し、この窒
化アルミニウム基板中に抵抗発熱体とタングステンから
なるスルーホールとが形成され、これらに外部端子とし
てニクロム線がろう付けされたホットプレートが提案さ
れている。

【０００６】このようなホットプレートでは、高温にお
いても機械的な強度の大きいセラミック基板を用いてい
るため、セラミック基板の厚さを薄くして熱容量を小さ
くすることができ、その結果、電圧や電流量の変化に対
してセラミック基板の温度を迅速に追従させることがで
きる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
ホットプレートは、上記外部端子としてのニクロム線
が、上記スルーホールに直接ろう付けされたものであっ
たため、上記ニクロム線に引っ張り等の負荷が加わると
容易に断線してしまい、機械的な負荷に非常に弱いもの
であった。

【０００８】また、断面視Ｔ字型の金属製の外部端子ピ
ンを上記スルーホールにろう付けしておき、この外部端
子ピンの端部に電源から導出されたソケットを取り付け
る方法もあるが、この場合も、上記ソケットの取り外し
の際等に、上記外部端子ピンに引っ張り等の負荷が加わ
ることとなり、上記外部端子ピンが脱落してしまうこと
があり、これも機械的な負荷にあまり強いものではなか
った。

【０００９】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、セラミック基板に配設された導電体に
接続・固定された接続端子と、電源から導出されたソケ
ットとを、上記接続端子に機械的な負荷を与えることな
く接続することができ、上記接続端子と上記セラミック
基板との接続信頼性に優れる接続構造体を提供すること
を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の接続構造体は、
導電体が配設されたセラミック基板の上記導電体に接続
・固定された接続端子を含んで構成され、上記接続端子
と電源から導出されたソケットとを接続させるための接
続構造体であって、上記ソケットを取り付けるための外
部端子ピンは、棒状体とその中間に形成された鍔部とか
らなるとともに、上記接続端子と変形容易な導電線を介
して接続され、上記接続端子の周囲に設けられ、その上
端がセラミック基板の底面に接触する筒状体、および、
上記筒状体の内部に配置された固定部材を用いることに
より、上記外部端子ピンが上記筒状体の内部に固定され
ていることを特徴とする。

【００１１】また、上記接続端子は、ネジが切られ、か
つ、上記スルーホールに形成されたネジ溝を有する有底
孔にねじ込むことにより固定されており、上記接続端子
の取り外しを行うため、解体が可能なように構成されて
いることが望ましい。

【００１２】さらに、密封用の部材が配置されることに
より、上記筒状体の内部と外部とが遮断され、上記ソケ
ットを取り付けるために、上記外部端子ピンの一部が突
出していることが望ましい。

【００１３】本発明の接続構造体の実施形態の一つは、
導電体が配設されたセラミック基板の上記導電体に接続
・固定された接続端子を含んで構成され、上記接続端子
と電源から導出されたソケットとを接続させるための接
続構造体であって、上記接続構造体は、さらに、その上
端がセラミック基板の底面に固定された筒状体と、上記
筒状体の内部に設置され、上部絶縁管、下部絶縁管、棒
状体の中間に鍔部を有する外部端子ピン、および、中心
部分に貫通孔を有する密封リングとから構成される内部
接続構造体と、中心部に貫通孔を有し、上記筒状体の下
部内側面に形成された溝部にその一部をねじ込むことに
より固定されるように構成された固定板とを含んで構成
され、上記内部接続構造体を構成する上記外部端子ピン
と上記接続端子とは変形容易な導電線により接続され、
上記上部絶縁管は、上記接続端子を内包した状態でその
上端がセラミック基板の底面に当接されるとともに、上
記上部絶縁管の下端とその下に配置される下部絶縁管の
上端との間に上記外部端子ピンの上記鍔部が挟まれ、上
記下部絶縁管の下に配置された上記密封リングの貫通孔
に、上記外部端子ピンの上記棒状体が挿通され、さらに
上記密封リングの下に配置され、同じく上記棒状体が貫
通孔に挿通された上記固定板の一部が上記筒状体の上記
溝部にねじ込まれることにより上記内部接続構造体が上
記セラミック基板の底面に押し付けられ、固定されると
ともに、上記密封リングにより筒状体の内部と外部とが
遮断され、上記固定板より突出した上記棒状体に上記ソ
ケットを取り付けて接続を行うことを特徴とする。

【００１４】上記実施形態において、上記接続端子は、
ネジが切られ、かつ、上記スルーホールに形成されたネ
ジ溝を有する有底孔にねじ込むことにより固定されてお
り、上記接続端子の取り外しを行うため、解体が可能な
ように構成されていることが望ましい。

【００１５】本発明の半導体製造・検査装置用は、導電
体が配設されたセラミック基板を備えた半導体製造・検
査装置用セラミック基板であって、上記セラミック基板
には、上述した接続構造体が設けられていることを特徴
とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態に則し
て説明する。なお、本発明は、この記載に限定されるも
のではない。

【００１７】実施の形態に係る接続構造体は、内部に導
電体が形成されたセラミック基板の上記導電体にスルー
ホールを介して接続・固定された接続端子を含んで構成
され、上記接続端子と電源から導出されたソケットと
を、上記接続端子に機械的な負荷を与えることなく接続
させるための接続構造体であって、上記ソケットを取り
付けるための外部端子ピンは、棒状体とその中間に形成
された鍔部とからなるとともに、上記接続端子と変形容
易な導電線を介して接続され、上記接続端子の周囲に設
けられ、その上端がセラミック基板の底面に固定された
筒状体、および、上記筒状体の内部に配置された固定部
材を用いることにより、上記外部端子ピンが上記筒状体
の内部に固定されていることを特徴とする。

【００１８】本発明の接続構造体によれば、棒状体とそ
の中間に形成された鍔部とからなる外部端子ピンが、セ
ラミック基板の底面に固定された筒状体の内部に配置さ
れた固定部材で固定されるとともに、セラミック基板の
内部に形成された導電体とスルーホールを介して接続・
固定された接続端子と変形容易な導電線を介して接続さ
れているため、例えば、上記棒状体に電源から導出され
たソケットを取り付けたり、取り外したりした場合であ
っても、スルーホールに設けられた接続端子に機械的負
荷が加わることがなく、上記接続端子が脱落することが
ない。

【００１９】また、本発明の半導体製造・検査装置用
は、その内部に導電体が形成され、上記導電体にスルー
ホールが形成されたセラミック基板を備えた半導体製造
・検査装置であって、上記セラミック基板には、上述し
た接続構造体が設けられていることを特徴とする。

【００２０】本発明の半導体製造・検査装置用によれ
ば、セラミック基板に上記接続構造体が設けられてお
り、スルーホールに設けられた接続端子に機械的な負荷
が加わることがなく、上記接続端子が脱落することがな
いため、上記セラミック基板の内部に形成された導電体
に確実に電圧を印加することができる。なお、上記接続
構造体では、セラミック基板の内部に抵抗発熱体等の導
電体が設けられているが、この導電体は、セラミック基
板の表面に設けられていてもよい。この場合には、導電
体にろう材または半田等を介して接続端子が接合されて
おり、本発明の接続構造体を用いることにより、この接
続端子と電源とを接続することができる。従って、上記
半導体製造・検査装置は、例えば、ホットプレート（ホ
ットプレートユニット）、静電チャック、サセプタ等と
して好適に用いることができる。

【００２１】図１は、本発明の接続構造体の一例を模式
的に示す部分拡大断面図である。接続構造体１０は、セ
ラミック基板１１の導電体１２にスルーホール１８を介
して接続・固定された接続端子１３と、その上端がセラ
ミック基板１１の底面１１ｂに固定された筒状体１７
と、筒状体１７の内部に設置され、上部絶縁管２１、下
部絶縁管２２、外部端子ピン２３および密封リング２４
とから構成される内部接続構造体２０と、筒状体１７の
下部内側面に形成された溝部１７ａに、その一部をねじ
込むことにより固定されるように構成された固定板２５
とを含んで構成されている。なお、筒状体１７は、セラ
ミック基板１１を製造する過程において接合してもよ
く、セラミック基板１１を製造した後に接合してもよ
い。

【００２２】セラミック基板１１の内部に埋設された導
電体１２の端部には、ネジ溝を有する有底孔１８ａが形
成されたスルーホール１８が設けられており、ネジが切
られた接続端子１３は、有底孔１８ａにねじ込まれるこ
とにより固定されている。従って、接続端子１３は、ス
ルーホール１８から取り外すことが可能である。

【００２３】外部端子ピン２３は、棒状体２３ｂとその
中間に形成された鍔部２３ａとから構成されており、棒
状体２３ｂの上端と接続端子１３とは、変形容易な導電
線１９により接続されている。

【００２４】上部絶縁管２１は、接続端子１３を内包し
た状態でその上端がセラミック基板１１の底面１１ｂに
当接されている。また、上部絶縁管２１の下端とその下
に配置された下部絶縁管２２の上端との間に、外部端子
ピン２３の鍔部２３ｂが挟まれている。

【００２５】下部絶縁管２２の下に配置された密封リン
グ２４の貫通孔２４ａに、外部端子ピン２３の棒状体２
３ｂが挿通され、さらに密封リング２４の下に配置さ
れ、同じく棒状体２３ｂが貫通孔２５ａに挿通された固
定板２５の一部が筒状体１７の溝部１７ａにねじ込まれ
ることにより内部接続構造体２０がセラミック基板１１
の底面１１ｂに押し付けられ、固定されている。密封リ
ング２４により筒状体１７の内部と外部とが遮断され、
また、固定板２５より突出した棒状体２３ｂにソケット
２６を取り付けることにより、外部端子ピン２３とソケ
ット２６とを接続する。ソケット２６は電源（図示せ
ず）から導出されており、ソケット２６と棒状体２３ｂ
とを接続することにより導電体１２に電圧を印加するこ
とができる。

【００２６】なお、内部接続構造体２０を構成する上部
絶縁管２１、下部絶縁管２２、外部端子ピン２３および
密封リング２４のうち、上部絶縁管２１、下部絶縁管２
２および密封リング２４は、外部端子ピン２３が筒状体
１７の内部に固定されるように配置された固定部材であ
る。また、密封リング２４は、固定部材として機能して
いるだけでなく、固定板２５とともに、筒状体１７の内
部と外部とを遮断する密封用の部材として機能してい
る。

【００２７】図１に示す接続構造体１０では、セラミッ
ク基板１１の内部に形成された導電体１２とスルーホー
ル１８とを介して接続・固定された接続端子１３と、電
源から導出されたソケット２６とを、接続端子１３に機
械的な負荷を与えることなく接続することができる。従
って、外部端子ピン２３にソケット２６を取り付けた
り、外部端子ピン２３からソケット２６を取り外したり
して、外部端子ピン２３に機械的な負荷が加わった場合
であっても、変形容易な導電線１９により上記負荷が緩
衝されるため、接続端子１３に上記負荷が伝わることが
ない。その結果、接続端子１３に機械的な負荷が与えら
れることがないため、外部端子ピン２３にソケット２６
を取り付けたり、外部端子ピン２３からソケット２６を
取り外したりした場合であっても、接続端子１３が脱落
することがない。

【００２８】図１に示す本発明の接続構造体１０を、セ
ラミック基板１１に設けることにより、本発明の半導体
製造・検査装置とすることできる。本発明の半導体製造
・検査装置は、半導体の製造や半導体の検査を行うため
に用いられるものであり、具体的には、例えば、静電チ
ャック、サセプタ、ホットプレート（セラミックヒー
タ）等を挙げることができる。セラミック基板１１の内
部に形成される導電体１２の形状や材質等を変えること
により、その用途を異なるものにすることができる。例
えば、導電体として、セラミック基板の内部に抵抗発熱
体を形成した場合、上記半導体製造・検査装置は、ホッ
トプレートとして機能する。さらに、そのような半導体
製造・検査装置を、支持容器に設けることにより、ホッ
トプレートユニットとして使用することができる。

【００２９】図２は、本発明に係るホットプレートユニ
ットの一例を模式的に示す断面図である。また、図３
は、図２に示すホットプレートユニットを模式的に示す
平面図である。なお、図２に示すホットプレートユニッ
トを構成する半導体製造・検査装置に備えられた接続構
造体は、図１に示す接続構造体と同様に構成されてい
る。従って、図２では、図１に示した構成要素と対応す
る構成要素には同一の符号を付した。

【００３０】ホットプレートユニット１００は、半導体
製造・検査装置１と支持容器３０とを含んで構成されて
おり、半導体製造・検査装置１は、セラミック基板１ａ
と、接続構造体１０とから構成されている。円板形状の
セラミック基板１ａの内部には、導電体として、図３に
示すように、同心円形状の回路からなる抵抗発熱体２が
埋設されており、これらの抵抗発熱体２は、互いに近い
二重の同心円同士が１組の回路として、１本の線になる
ように接続されている。

【００３１】抵抗発熱体２はセラミック基板１ａに埋設
されているため、その回路の端部が存在する部分の直下
には、スルーホール８が形成されており、抵抗発熱体２
と接続端子１３とは、スルーホール８を介して接続・固
定されている。すなわち、スルーホール８には、ネジ溝
を有する有底孔が形成されており、ネジが切られた接続
端子１３がねじ込まれることにより固定されている。

【００３２】接続構造体１０については、図１に示した
接続構造体と同様に構成されている。すなわち、接続端
子１３の周囲には、セラミック基板１ａの底面に筒状体
１７が固定されており、筒状体１７の内部に配置された
外部端子ピン２３は、接続端子１３と変形容易な導電線
１９を介して接続されている。さらに、上部絶縁管２
１、下部絶縁管２２、密封リング２４および固定板２５
が配置されることにより、外部端子ピン２３が筒状体１
７の内部に固定されている。そして、外部端子ピン２３
に、電源（図示せず）から導出されたソケット２６を取
り付けることにより、抵抗発熱体２に電圧を印加するこ
とができる。

【００３３】また、セラミック基板１ａには、有底孔４
および貫通孔５が形成されている。貫通孔５には、リフ
ターピン（図示せず）を挿通させることにより、被加熱
物である半導体ウエハ２９を支持することができるよう
になっており、また、リフターピンを上下させることに
より、半導体ウエハ２９の受け渡し等が可能である。有
底孔４には、セラミック基板１ａの温度を測定するため
のリード線９が接続された測温素子へ３が埋め込まれて
いる。

【００３４】また、半導体製造・検査装置１は、断面視
Ｌ字形状の断熱リング３７ａを介して略円筒形状の支持
容器３０の上部に嵌め込まれている。この支持容器３０
には、略円筒形状の外枠部３７の内側に、半導体製造・
検査装置１を構成するセラミック基板１ａ、および、断
熱リング３７ａを支持する円環形状の基板受け部３８が
設けられている。半導体製造・検査装置１を構成するセ
ラミック基板１ａ、および、断熱リング３７ａは、基板
受け部３８とボルト３８ｂを介した固定金具３７とで固
定されている。すなわち、ボルト３８ｂには、固定金具
３７が取り付けられ、セラミック基板１ａを押し付けて
固定している。

【００３５】また、図２に示すように、支持容器３０に
おいて、外枠部３７の内部には、中底板３１が取り付け
られ、中底板３１の下方に底板３２が固定されている。
底板３２は遮熱等を目的として設けられており、また、
底板３２には、冷媒導入管３６が取り付けてあり、支持
容器３０の内部に強制冷却用の冷媒等を導入することが
できるようになっているとともに、導入した強制冷却用
の冷媒等を排出するための貫通孔３２ａが形成されてい
る。また、筒状体１７の下部に相当する位置にも貫通孔
が形成されており、固定板２５から突出した外部端子ピ
ン２３の棒状体２３ｂに、ソケット２６を取り付けるこ
とができるようになされている。中底板３１は、筒状体
３７の固定や遮熱等を目的として設けられており、ま
た、中底板１１には、底板３２に固定されている冷媒導
入管３６、および、リフターピン（図示せず）を保護す
るガイド管３５等の邪魔にならないように貫通孔が形成
されている。

【００３６】次に、本発明の接続構造体を構成する各部
材について説明する。本発明の接続構造体を構成する筒
状体の形状は、筒形状を有していれば、特に限定される
ものではない。上記筒状体の形状としては、例えば、図
１に示すように、円筒形状等を挙げることができる。ま
た、図１に示すように、筒状体１７は、その下部内壁面
に溝部１７ａが形成されていてもよい。上記溝部に、固
定部材である固定板の一部をねじ込むことにより、後述
する内部接続構造体がセラミック基板の底面に押し付け
られ、固定されるとともに、密封リングにより筒状体の
内部と外部とが遮断されるからである。

【００３７】上記筒状体が円筒形状である場合、その内
径は、３０ｍｍ以上であることが望ましい。３０ｍｍ未
満であると、その内部に外部端子ピンや固定部材等を配
置し、固定することが困難になるからである。

【００３８】上記筒状体の厚さは、３〜２０ｍｍである
ことが望ましい。３ｍｍ未満であると、筒状体の厚さが
薄すぎるため、機械的強度が乏しくなり、昇温と降温と
を繰り返した場合、上記筒状体が破損してしまうおそれ
があり、２０ｍｍを超えると、筒状体の厚さが厚すぎる
ため、熱容量が大きくなり、昇温速度が低下するおそれ
があるからである。

【００３９】また、上記筒状体は、図２に示すように、
一のセラミック基板に対して複数設けることも可能であ
る。なお、上記筒状体の材質については、後で詳述する
ことにする。

【００４０】上記筒状体の内部に配置され、かつ、セラ
ミック基板の内部に形成された導電体の直下に形成され
たスルーホールに接続・固定される接続端子について、
その形状は特に限定されるものではないが、図１に示す
ように、ネジが切られ、上記スルーホールに形成された
ネジ溝を有する有底孔にねじ込むことにより固定するこ
とができる形状であることが望ましい。接続端子をスル
ーホールに取り付けたり、取り外したりすることが可能
になるからである。その場合、接続構造体は、接続端子
の取り外しを行うことができるように、解体が可能なよ
うに構成されていることが望ましい。そのような接続端
子としては、例えば、コバール、ニッケル、銅等からな
る接続端子を用いることができる。また、上記接続端子
は、必ずしも、ネジが切られ、上述したように、スルー
ホールに形成されたネジ溝を有する有底孔にねじ込み接
続・固定する必要はなく、例えば、断面視Ｔ字形状の接
続端子をスルーホールにろう付けすることにより、接続
・固定してもよい。

【００４１】上記筒状体の内部には、内部接続構造体が
設置されている。上記内部接続構造体は、電源から導出
されたソケットを取り付けるための外部端子ピンと、外
部端子ピンを上記筒状体の内部に固定するために配置さ
れた固定部材とから構成されている。図１では、上記固
定部材として、上部絶縁管、下部絶縁管および密封リン
グが用いられている。

【００４２】上記外部端子ピンは、棒状体とその中間に
形成された鍔部とから構成されている。上記棒状体の太
さ（直径）は、特に限定されるものではないが、上述し
た上部絶縁管、下部絶縁管、密封リング等の固定部材の
内部に収まり、４ｍｍ以上であることが望ましい。４ｍ
ｍ未満であると、上記棒状体が細すぎるため、ソケット
を取り付ける際、該棒状体が折れたり、曲がったりする
おそれがあるからである。

【００４３】上記棒状体の長さは、特に限定されるもの
ではなく、上述した上部絶縁管、下部絶縁管、密封リン
グ等の固定部材の形状（大きさ）等に応じて設定するこ
とが可能である。ただし、図１に示すように、棒状体２
３ｂは、密封リング２４や固定板２５等、密封用の部材
から突出し、ソケット２６を取り付けることができるよ
うになされていることが望ましい。棒状体をソケットに
差し込むことができる構造とすることにより、棒状体
（外部端子ピン）とソケットとをより確実に接続するこ
とができるからである。ただし、必ずしも、上記棒状体
を、密封用の部材から突出させ、棒状体をソケットに差
し込むことにより、ソケットを棒状体に取り付ける構造
とする必要はなく、棒状体とソケットとが、単に接触す
るだけで接続される構造とすることも可能である。

【００４４】図１に示すように、上記鍔部が、上部絶縁
管と下部絶縁管とに挟まれる場合、上記鍔部の直径は、
上記上部絶縁管と下部絶縁管とのうち、より径の太い方
の外径と同じか、または、より大きいことが望ましい。
外部端子ピンをより安定した状態で固定することができ
るからである。上記鍔部の厚さは、特に限定されるもの
ではないが、１ｍｍ以上であることが望ましい。１ｍｍ
未満であると、鍔部が薄すぎるため、ソケットを取り付
けたり、取り外したりする際の衝撃等により、鍔部が変
形するおそれがあるからである。また、鍔部が形成され
る位置は、棒状体の中間、すなわち、該鍔部の上下に棒
状体が突出する位置であれば、特に限定されるものでは
なく、上部絶縁管、下部絶縁管、密封リング等の固定部
材の形状（大きさ）に応じて設定することが可能であ
る。

【００４５】上述した外部端子ピンにおいて、棒状体と
鍔部とは、同一の材料から形成されていてもよく、異な
る材料から形成されていてもよい。そのような外部端子
ピンとしては、例えば、コバール、ニッケル、銅等から
なる外部端子ピンを挙げることができる。

【００４６】上記外部端子ピンと、上記接続端子とは、
変形容易な導電線により接続されている。上記導電線の
長さは、棒状体の上端から接続端子までの距離より長
く、また、製造時において、上部絶縁管等の固定部材を
設けることが可能な長さであれば、特に限定されるもの
ではない。棒状体の上端から接続端子までの距離より長
い導電線を設けることにより、外部端子ピンにソケット
を取り付けたり、ソケットを取り外したりした際、外部
端子ピンに機械的な負荷が加わっても、上記導電線によ
り負荷が緩衝されるため、接続端子に機械的な負荷が与
えられることがない。

【００４７】また、上記導電線の太さ（直径）は変形容
易な太さであれば、特に限定されるものではないが、具
体的には、１〜５ｍｍであることが望ましい。そのよう
な導電線としては、例えば、ニッケルや銅等からなる金
属線を用いることができる。

【００４８】上記外部端子ピンの鍔部を挟むように配置
された上部絶縁管および下部絶縁管の長さは、上記外部
端子ピンの鍔部の位置や、上記筒状体の長さ等に応じて
設定することが可能である。上記上部絶縁管および下部
絶縁管の外径は、上記筒状体の内径より小さければ、特
に限定されるものではないが、上記外部端子ピンの鍔部
の直径と同じか、または、小さいことが望ましい。外部
端子ピンをより安定した状態で固定することができるか
らである。上記上部絶縁管および下部絶縁管の厚さは、
０．５〜３ｍｍであることが望ましい。０．５ｍｍ未満
であると、厚さが薄すぎるため、機械的強度が乏しくな
り、昇温と降温とを繰り返した場合、破損してしまうお
それがあり、３ｍｍを超えると、厚さが厚すぎるため、
熱容量が大きくなり、昇温速度が低下するおそれがある
からである。なお、上記上部絶縁管および下部絶縁管の
材質については、後で詳述することにする。

【００４９】密封リングは、下部絶縁管と固定板との間
に配置し、後述するように、固定板の一部を筒状体の溝
部にねじ込むことにより、内部接続構造体をセラミック
基板の底面に押し付けることができるように、例えば、
弾性体から形成されていることが望ましい。さらに、弾
性体からなる密封リングは、優れた強度や耐熱性を有す
る樹脂から形成されていることが望ましい。上記樹脂と
しては、例えば、ポリアミド、ポリスルホン等のエンジ
ニアリングプラスチック、ポリアセタール、フッ素樹脂
等を挙げることができる。

【００５０】また、上記密封リングの厚さは、上部絶縁
管や下部絶縁管等の長さに応じて設定することが可能で
あるが、具体的には、１ｍｍ以上であることが望まし
い。また、上記密封リングに形成された貫通孔の直径
は、上記下部絶縁管の外径より小さければ、特に限定さ
れるものではないが、上記外部端子ピンの棒状体の直径
と略同一であることが望ましい。下部絶縁管の内部と外
部との気密性を向上させることにより、例えば、下部絶
縁管内への腐食性ガス等の流入を防止し、外部端子ピン
が腐食されることを防ぐことができるからである。

【００５１】なお、上述した内部接続構造体は、一の筒
状体の内部に複数設けることも可能である。例えば、一
の筒状体の内部に２つの接続端子を含むように、セラミ
ック基板の底面に筒状体を固定し、上記２つの接続端子
に、それぞれ内部接続構造体を設けることにしてもよ
い。

【００５２】上記密封リングの下部に設けられた固定板
は、上述した上部絶縁管、下部絶縁管および密封リング
と同様に、上記外部端子ピンを上記筒状体の内部に固定
するための固定部材として機能する。上記固定板は、上
記筒状体の下部内壁面に形成された溝部に、その一部を
ねじ込み固定することが可能であれば、その形状は特に
限定されるものではないが、上記固定板の厚さは、１ｍ
ｍ以上であることが望ましい。１ｍｍ未満であると、固
定板が薄すぎるため、上記内部接続構造体をセラミック
基板の底面に押し付け、内部接続構造体を固定する際、
上記固定板が破損するおそれがあるからである。なお、
上記固定板の材質については、後で詳述することにす
る。

【００５３】次に、上記筒状体の上端が固定されるセラ
ミック基板について説明する。上記セラミック基板の形
状は、特に限定されるものではないが、通常、円板形状
である。また、その直径は、２００ｍｍ以上が望まし
く、２５０ｍｍ以上がより望ましい。上記接続構造体
を、ホットプレートや静電チャックとして用いた場合、
このような大きな直径を持つ基板であれば、大口径の半
導体ウエハを載置することができるからである。なお、
セラミック基板の直径は、特に１２インチ（３００ｍ
ｍ）以上であることがさらに望ましい。次世代の半導体
ウエハの主流となるからである。

【００５４】また、上記セラミック基板の厚さは、２５
ｍｍ以下であることが望ましい。上記セラミック基板の
厚さが２５ｍｍを超えると温度追従性が低下するからで
ある。また、その厚さは、０．５ｍｍ以上であることが
望ましい。０．５ｍｍより薄いと、セラミック基板の強
度自体が低下するため破損しやすくなる。より望ましく
は、１．５を超え５ｍｍ以下である。５ｍｍより厚くな
ると、熱が伝搬しにくくなり、加熱の効率が低下する傾
向が生じ、一方、１．５ｍｍ以下であると、セラミック
基板中を伝搬する熱が充分に拡散しないため加熱面に温
度ばらつきが発生することがあり、また、セラミック基
板の強度が低下して破損する場合があるからである。

【００５５】本発明の接続構造体を、図２に示すよう
に、ホットプレートとして使用する場合、セラミック基
板には、図２に示すように、被加熱物を載置する側の反
対側から加熱面に向けて有底孔４を設けるとともに、有
底孔４の底を抵抗発熱体２より相対的に加熱面に近く形
成し、この有底孔４に熱電対等の測温素子３を設けるこ
とが望ましい。また、有底孔４の底と、セラミック基板
１ａの加熱面との距離は、０．１ｍｍ〜セラミック基板
の厚さの１／２であることが望ましい。これにより、測
温場所が抵抗発熱体２よりもセラミック基板１ａの加熱
面に近くなり、より正確な半導体ウエハの温度の測定が
可能になるからである。

【００５６】有底孔４の底とセラミック基板１ａの加熱
面との距離が０．１ｍｍ未満では、放熱してしまい、セ
ラミック基板１ａの加熱面に温度分布が形成され、厚さ
の１／２を超えると、抵抗発熱体の温度の影響を受けや
すくなり、温度制御できなくなり、やはりセラミック基
板１ａの加熱面に温度分布が形成されてしまうからであ
る。

【００５７】有底孔４の直径は、０．３〜５ｍｍである
ことが望ましい。これは、大きすぎると放熱性が大きく
なり、また小さすぎると加工性が低下してセラミック基
板１ａの加熱面との距離を均等にすることができなくな
るからである。

【００５８】有底孔４は、図３に示したように、セラミ
ック基板１ａの中心に対して対称で、かつ、十字を形成
するように複数配列することが望ましい。これは、加熱
面全体の温度を測定することができるからである。

【００５９】上記測温素子としては、例えば、熱電対、
白金測温抵抗体、サーミスタ等が挙げられる。また、上
記熱電対としては、例えば、ＪＩＳ−Ｃ−１６０２（１
９８０）に挙げられるように、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｓ
型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対等が挙げられるが、これら
のなかでは、Ｋ型熱電対が好ましい。

【００６０】上記熱電対の接合部の大きさは、素線の径
と同じか、または、それよりも大きく、０．５ｍｍ以下
であることが望ましい。これは、接合部が大きい場合
は、熱容量が大きくなって応答性が低下してしまうから
である。なお、素線の径より小さくすることは困難であ
る。

【００６１】上記測温素子は、金ろう、銀ろうなどを使
用して、有底孔１４の底に接着してもよく、有底孔４に
挿入した後、耐熱性樹脂、セラミック（シリカゲル等）
等で封止してもよく、両者を併用してもよい。上記耐熱
性樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、特にはエポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン
樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いて
もよく、２種以上を併用してもよい。

【００６２】上記金ろうとしては、３７〜８０．５重量
％Ａｕ−６３〜１９．５重量％Ｃｕ合金、８１．５〜８
２．５重量％：Ａｕ−１８．５〜１７．５重量％：Ｎｉ
合金から選ばれる少なくとも１種が望ましい。これら
は、溶融温度が、９００℃以上であり、高温領域でも溶
融しにくいためである。銀ろうとしては、例えば、Ａｇ
−Ｃｕ系のものを使用することができる。

【００６３】上記セラミック基板を形成するセラミック
は、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックであるこ
とが望ましい。窒化物セラミックや炭化物セラミック
は、熱膨張係数が金属よりも小さく、機械的な強度が金
属に比べて格段に高いため、セラミック基板の厚さを薄
くしても、加熱により反ったり、歪んだりしない。その
ため、セラミック基板を薄くて軽いものとすることがで
きる。さらに、セラミック基板の熱伝導率が高く、セラ
ミック基板自体が薄いため、セラミック基板の表面温度
が、抵抗発熱体の温度変化に迅速に追従する。即ち、電
圧、電流値を変えて抵抗発熱体の温度を変化させること
により、セラミック基板の表面温度を制御することがで
きるのである。

【００６４】上記窒化物セラミックとしては、例えば、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタ
ン等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２
種以上を併用してもよい。

【００６５】また、炭化物セラミックとしては、例え
ば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化
タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。これら
は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

【００６６】これらのなかでは、窒化アルミニウムが最
も好ましい。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高く、
温度追従性に優れるからである。

【００６７】また、上記セラミック基板は、焼結助剤を
含有していてもよい。上記焼結助剤としては、例えば、
アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類
酸化物等が挙げられる。これらの焼結助剤のなかでは、
ＣａＯ、Ｙ_２Ｏ_３、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏが好
ましい。これらの含有量としては、０．１〜２０重量％
が好ましい。また、アルミナを含有していてもよい。

【００６８】なお、セラミック基板として窒化物セラミ
ックまたは炭化物セラミック等を使用する際、必要によ
り、絶縁層を形成してもよい。窒化物セラミックは酸素
固溶等により、高温で体積抵抗値が低下しやすく、また
炭化物セラミックは特に高純度化しない限り導電性を有
しており、絶縁層を形成することにより、高温時あるい
は不純物を含有していても回路間の短絡を防止して温度
制御性を確保できるからである。

【００６９】上記絶縁層としては、酸化物セラミックが
望ましく、具体的には、シリカ、アルミナ、ムライト、
コージェライト、ベリリア等を使用することができる。
このような絶縁層としては、アルコキシドを加水分解重
合させたゾル溶液をセラミック基板にスピンコートして
乾燥、焼成を行ったり、スパッタリング、ＣＶＤ等で形
成してもよい。また、セラミック基板表面を酸化処理し
て酸化物層を設けてもよい。

【００７０】上記絶縁層は、０．１〜１０００μｍであ
ることが望ましい。０．１μｍ未満では、絶縁性を確保
できず、１０００μｍを超えると抵抗発熱体からセラミ
ック基板への熱伝導性を阻害してしまうからである。さ
らに、上記絶縁層の体積抵抗率は、上記セラミック基板
の体積抵抗率の１０倍以上（同一測定温度）であること
が望ましい。１０倍未満では、回路の短絡を防止できな
いからである。

【００７１】また、本発明のセラミック基板は、カーボ
ンを含有し、その含有量は、２００〜５０００ｐｐｍで
あることが望ましい。電極を隠蔽することができ、また
黒体輻射を利用しやすくなるからである。

【００７２】なお、上記セラミック基板は、明度がＪＩ
ＳＺ８７２１の規定に基づく値でＮ６以下のもので
あることが望ましい。この程度の明度を有するものが輻
射熱量、隠蔽性に優れるからである。ここで、明度のＮ
は、理想的な黒の明度を０とし、理想的な白の明度を１
０とし、これらの黒の明度と白の明度との間で、その色
の明るさの知覚が等歩度となるように各色を１０分割
し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で表示したものである。そし
て、実際の測定は、Ｎ０〜Ｎ１０に対応する色票と比較
して行う。この場合の小数点１位は０または５とする。

【００７３】このような特性を有するセラミック基板１
１は、基板中にカーボンを１００〜５０００ｐｐｍ含有
させることにより得られる。カーボンには、非晶質のも
のと結晶質のものとがあり、非晶質のカーボンは、基板
の高温における体積抵抗率の低下を抑制することでき、
結晶質のカーボンは、基板の高温における熱伝導率の低
下を抑制することができるため、その製造する基板の目
的等に応じて適宜カーボンの種類を選択することができ
る。

【００７４】非晶質のカーボンは、例えば、Ｃ、Ｈ、Ｏ
だけからなる炭化水素、好ましくは、糖類を、空気中で
焼成することにより得ることができ、結晶質のカーボン
としては、グラファイト粉末等を用いることができる。
また、アクリル系樹脂を不活性雰囲気下で熱分解させた
後、加熱加圧することによりカーボンを得ることができ
るが、このアクリル系樹脂の酸価を変化させることによ
り、結晶性（非晶性）の程度を調整することもできる。

【００７５】また、セラミック基板の気孔率は、０また
は５％以下が好ましい。上記気孔率はアルキメデス法に
より測定する。高温での熱伝導率の低下、反りの発生を
抑制することができるからである。

【００７６】なお、上述した筒状体、上部絶縁管、下部
絶縁管および固定板の材質については、上記セラミック
基板と同様のものを用いることができる。なかでも、上
記筒状体、上部絶縁管および下部絶縁管については、窒
化アルミニウムを用いることが望ましい。

【００７７】次に、本発明の半導体製造・検査装置にお
いて、導電体として、セラミック基板の内部に形成され
る抵抗発熱体について説明する。上記抵抗発熱体のパタ
ーンとしては、図３に示した同心円形状のほか、渦巻き
形状、偏心円形状、同心円形状と屈曲線形状との組み合
わせなどを挙げることができる。また、抵抗発熱体の厚
さは、１〜５０μｍが望ましく、その幅は、５〜２０μ
ｍが望ましい。

【００７８】抵抗発熱体の厚さや幅を変化させることに
より、その抵抗値を変化させることができるが、この範
囲が最も実用的だからである。抵抗発熱体の抵抗値は、
その厚さが薄く、また、その幅が狭くなるほど大きくな
る。

【００７９】抵抗発熱体は、断面が方形、楕円形、紡錘
形、蒲鉾形状のいずれでもよいが、偏平なものであるこ
とが望ましい。偏平の方が加熱面に向かって放熱しやす
いため、加熱面への熱伝搬量を多くすることができ、加
熱面の温度分布ができにくいからである。なお、抵抗発
熱体は螺旋形状でもよい。

【００８０】また、抵抗発熱体からなる回路の数は１以
上であれば特に限定されないが、加熱面を均一に加熱す
るためには、複数の回路が形成されていることが望まし
い。

【００８１】また、抵抗発熱体の形成位置は、セラミッ
ク基板の内部であれば、特に限定されないが、セラミッ
ク基板の底面からその厚さの６０％までの位置に少なく
とも１層形成されていることが好ましい。加熱面まで熱
が伝搬する間に拡散し、加熱面での温度が均一になりや
すいからである。

【００８２】また、抵抗発熱体を形成する際には、金属
や導電性セラミックからなる導体ペーストを用いること
が好ましい。即ち、セラミック基板の内部に抵抗発熱体
を形成する際には、グリーンシート上に導体ペースト層
を形成した後、グリーンシートを積層、焼成することに
より、内部に抵抗発熱体を作製する。

【００８３】上記導体ペーストとしては特に限定されな
いが、導電性を確保するため金属粒子または導電性セラ
ミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤など
を含むものが好ましい。

【００８４】上記金属粒子としては、例えば、貴金属
（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モ
リブデン、ニッケル等が好ましい。これらは、単独で用
いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金属
は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有
するからである。

【００８５】上記導電性セラミックとしては、例えば、
タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げられる。
これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用しても
よい。これら金属粒子または導電性セラミック粒子の粒
径は、０．１〜１００μｍが好ましい。０．１μｍ未満
と微細すぎると、酸化されやすく、一方、１００μｍを
超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくなるから
である。

【００８６】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン
片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を
保持しやすくなり、抵抗発熱体とセラミック基板との密
着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることができ
るため有利である。

【００８７】導体ペーストに使用される樹脂としては、
例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられ
る。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコ
ール等が挙げられる。増粘剤としては、セルロース等が
挙げられる。

【００８８】また、図２および図３に示したホットプレ
ートユニット１００では、セラミック基板１ａが支持容
器３０の上部に嵌合されているが、例えば、セラミック
基板が、上端に基板受け部を有する支持容器の上面に載
置され、ボルト等の固定部材により固定されていてもよ
い。

【００８９】上述したホットプレート（ホットプレート
ユニット）は、半導体製造・検査装置を構成するセラミ
ック基板の内部に、導電体として、抵抗発熱体のみが設
けられた装置であり、これにより、シリコンウエハ等の
被処理物をセラミック基板の表面に載置または離間させ
て保持し、所定の温度に加熱したり洗浄を行ったりする
ことができる。

【００９０】本発明の半導体製造・検査装置を構成する
セラミック基板の内部に形成された導電体が静電電極で
ある場合には、上記半導体製造・検査装置は、静電チャ
ックとして機能する。図４は、このような静電チャック
を模式的に示す縦断面図であり、図５は、図４に示す静
電チャックを構成する基板に形成された静電電極付近を
模式的に示す水平断面図である。なお、図４に示す静電
チャックに設けられた接続構造体は、図１に示す接続構
造体と同様に構成されている。従って、図４では、図１
に示した構成要素と対応する構成要素には同一の符号を
付した。

【００９１】この静電チャック４０を構成するセラミッ
ク基板４１の内部には、半円形状のチャック正極静電層
４２とチャック負極静電層４３とが対向して配設され、
これらの静電電極上にセラミック誘電体膜４４が形成さ
れている。また、セラミック基板４１の内部には、抵抗
発熱体４５が設けられ、シリコンウエハ等の被処理物を
加熱することができるようになっている。なお、セラミ
ック基板４１には、必要に応じて、ＲＦ電極が埋設され
ていてもよい。

【００９２】上記静電電極は、貴金属（金、銀、白金、
パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケ
ル等の金属、または、タングステン、モリブデンの炭化
物等の導電性セラミックからなるものであることが好ま
しい。また、これらは、単独で用いてもよく、２種以上
を併用してもよい。

【００９３】チャック正極静電層４２およびチャック負
極静電層４３の直下には、スルーホール４９ｂが形成さ
れており、チャック正極静電層４２およびチャック負極
静電層４３と、接続端子１３とは、スルーホール４９ｂ
を介して接続・固定されている。すなわち、スルーホー
ル４９ｂには、ネジ溝を有する有底孔が形成されてお
り、ネジが切られた接続端子１３がねじ込まれることに
より固定されている。

【００９４】また、セラミック基板４１の内部には、図
３に示した発熱体パターンと同じパターンの抵抗発熱体
４５が形成され、抵抗発熱体４５の直下には、スルーホ
ール４９ａが形成されており、抵抗発熱体４５と接続端
子１３とは、スルーホール４９ａを介して接続・固定さ
れている。

【００９５】静電チャック４０に設けられた接続構造体
１０については、図２に示す接続構造体１０と同様に構
成されている。すなわち、接続端子１３の周囲には、そ
の上端がセラミック基板４１の底面に固定されるように
筒状体１７が固定されており、筒状体１７の内部に配置
された外部端子ピン２３は、接続端子１３と変形容易な
導電線１９を介して接続されている。さらに、上部絶縁
管２１、下部絶縁管２２、密封リング２４および固定板
２５が配置されることにより、外部端子ピン２３が筒状
体１７の内部に固定されている。そして、外部端子ピン
２３に、電源（図示せず）から導出されたソケット２６
を取り付けることにより、静電電極であるチャック正極
静電層４２およびチャック負極静電層４３と、抵抗発熱
体４５とに電圧を印加することができる。

【００９６】このような静電チャック４０を作動させる
場合には、抵抗発熱体４５と、静電電極であるチャック
正極静電層４２およびチャック負極静電層４３とに、そ
れぞれ電圧を印加する。これにより、静電チャック４０
上に載置されたシリコンウエハが所定温度に加熱される
とともに、静電的にセラミック基板４１に吸着されるこ
とになる。なお、この静電チャックは、必ずしも、抵抗
発熱体４５を備えていなくてもよい。

【００９７】図６は、他の静電チャックの基板に形成さ
れた静電電極を模式的に示した水平断面図である。基板
７１の内部に半円弧状部７２ａと櫛歯部７２ｂとからな
るチャック正極静電層７２と、同じく半円弧状部７３ａ
と櫛歯部７３ｂとからなるチャック負極静電層７３と
が、互いに櫛歯部７２ｂ、７３ｂを交差するように対向
して配置されている。

【００９８】また、図７は、更に別の静電チャックの基
板に形成された静電電極を模式的に示した水平断面図で
ある。この静電チャックでは、基板８１の内部に円を４
分割した形状のチャック正極静電層８２ａ、８２ｂとチ
ャック負極静電層８３ａ、８３ｂが形成されている。ま
た、２枚のチャック正極静電層８２ａ、８２ｂおよび２
枚のチャック負極静電層８３ａ、８３ｂは、それぞれ交
差するように形成されている。なお、円形等の電極が分
割された形態の電極を形成する場合、その分割数は特に
限定されず、５分割以上であってもよく、その形状も扇
形に限定されない。

【００９９】次に、本発明の半導体製造・検査装置の製
造方法の一例として、セラミック基板の内部に導電体と
して抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置、す
なわち、図２に示す半導体製造・検査装置の製造方法に
ついて、図８および図９を参照しながら説明する。図８
（ａ）〜（ｄ）、および、図９（ａ）〜（ｃ）は、図２
に示す半導体製造・検査装置１の製造方法の一部を模式
的に示した断面図である。

【０１００】（１）グリーンシートの作製工程まず、窒化物セラミック等のセラミックの粉末をバイン
ダ、溶剤等と混合してペーストを調製し、これを用いて
グリーンシート５０を作製する。上述した窒化物等のセ
ラミック粉末としては、窒化アルミニウム等を使用する
ことができ、必要に応じて、イットリア等の焼結助剤、
Ｎａ、Ｃａを含む化合物等を加えてもよい。

【０１０１】また、バインダとしては、アクリル系バイ
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコール
から選ばれる少なくとも１種が望ましい。これらを混合
して得られるペーストをドクターブレード法でシート状
に成形してグリーンシート５０を作製する。グリーンシ
ート５０に、必要に応じ、リフターピンを挿通させるた
めの貫通孔、測温素子を埋め込む有底孔、スルーホール
を形成する部分等に貫通孔を設けておくことができる。
貫通孔はパンチング等により形成することができる。グ
リーンシート５０の厚さは、０．１〜５ｍｍが好まし
い。

【０１０２】また、必要に応じて、シリコンウエハを運
搬するためのリフターピンを挿入する貫通孔となる部
分、シリコンウエハを支持するための支持ピンを挿入す
る貫通孔となる部分、熱電対などの測温素子を埋め込む
ための有底孔となる部分等を形成する。なお、貫通孔や
有底孔は、後述するグリーンシート積層体を形成した
後、または、上記積層体を形成し、焼成した後に上記加
工を行ってもよい。

【０１０３】（２）グリーンシート上に導体ペーストを
印刷する工程次に、グリーンシート５０の貫通孔に導体ペーストを充
填し、充填層５８を得、次に、グリーンシート５０上に
抵抗発熱体となる導体ペーストを印刷する。印刷は、グ
リーンシート５０の収縮率を考慮して所望のアスペクト
比が得られるように行い、これにより導体ペースト層５
２を得る。導体ペーストは、導電性セラミック、金属粒
子等を含む粘度の高い流動物である。

【０１０４】これらの導体ペースト中に含まれる導電性
セラミック粒子としては、タングステンまたはモリブデ
ンの炭化物が最適である。酸化しにくく、熱伝導率が低
下しにくいからである。また、金属粒子としては、例え
ば、タングステン、モリブデン、白金、ニッケル等を使
用することができる。導電性セラミック粒子、金属粒子
の平均粒子径は、０．１〜５μｍが好ましい。これらの
粒子は、大きすぎても小さすぎても導体ペーストを印刷
しにくいからである。

【０１０５】このような導体ペーストとしては、例え
ば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重
量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソル
ブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種
のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネ
オール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒
を１．５〜１０重量部混合した組成物（ペースト）が挙
げられる。

【０１０６】（３）グリーンシートの積層工程次に、充填層５８および導体ペースト層５２を有するグ
リーンシート５０と、充填層５８および導体ペースト層
５２を有さないグリーンシート５０とを積層する（図８
（ａ）参照）。抵抗発熱体形成側に、充填層５８および
導体ペースト層５２を有さないグリーンシート５０を積
層するのは、スルーホールの端面が露出して、抵抗発熱
体形成の際に酸化してしまうことを防止するためであ
る。スルーホールの端面が露出したまま、抵抗発熱体を
形成するための焼成を行うのであれば、ニッケル等の酸
化しにくい金属をスパッタリングする必要があり、さら
に好ましくは、Ａｕ−Ｎｉの金ろうで被覆してもよい。

【０１０７】このとき、導体ペースト層５２を印刷した
グリーンシートの上側に積層するグリーンシート５０の
数を下側に積層するグリーンシート５０の数よりも多く
して、製造する抵抗発熱体の形成位置を底面側の方向に
偏芯させる。具体的には、上側のグリーンシート５０の
積層数は２０〜５０枚が、下側のグリーンシート５０の
積層数は５〜２０枚が好ましい。

【０１０８】（４）グリーンシート積層体の焼成工程グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシ
ート５０および内部の導体ペースト層５２等を焼結さ
せ、セラミック基板１ａ、抵抗発熱体２等を製造する
（図８（ｂ）参照）。加熱温度は、１０００〜２０００
℃が好ましく、加圧の圧力は、１０〜２０ＭＰａが好ま
しい。加熱は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活性ガス
としては、例えば、アルゴン、窒素等を使用することが
できる。

【０１０９】次に、セラミック基板１ａの底面に、測温
素子３を挿入するための有底孔４を設ける。有底孔４
は、表面研磨後に、ドリル加工やサンドブラストなどの
ブラスト処理等を行うことにより形成することができ
る。なお、有底孔４は、後述するセラミック基板１ａと
筒状体１７とを接合した後に設けてもよく、グリーンシ
ート５０に予め有底孔４となる部分を設けておき、グリ
ーンシート５０を積層、焼成すると同時に形成してもよ
い。

【０１１０】次に、焼結させた充填層５８を露出させ、
例えば、Ａｕ−Ｎｉの金ろうで被覆することにより、ス
ルーホール８を形成する。なお、スルーホール８は、セ
ラミック基板１ａと筒状体１７とを接合した後に設けて
もよい。その後、スルーホール８にドリル加工を行い、
さらに、タッピングを施すことにより、ネジ溝を有する
有底孔８ａを形成する（図８（ｃ）参照）。

【０１１１】（５）筒状体、固定部材の製造窒化アルミニウム粉末等を円筒形状の成形型に入れて成
形し、必要に応じて切断加工する。これを加熱温度１０
００〜２０００℃、常圧で焼結させて、図２に示すよう
な筒状体１７を製造する。上記焼結は、不活性ガス雰囲
気中で行う。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、
窒素等を使用することができる。また、同様の方法によ
り、固定部材である、上部絶縁管２１、下部絶縁管２２
および固定板２５を製造する。次いで、筒状体１７の端
面を研磨して平坦化する。

【０１１２】（６）セラミック基板と筒状体との接合セラミック基板１ａの底面と筒状体１７の端面とを接触
させた状態で、セラミック基板１ａと筒状体１７とを加
熱して、これらを接合する。このとき、筒状体１７の内
径の内側にスルーホール８が収まるように接合する（図
８（ｄ）参照）。具体的には、開口を設けたマスク（図
示せず）をセラミック基板１ａの底面に載置した後、開
口に筒状体１７を嵌め込み、加熱することで、セラミッ
ク基板１ａと筒状体１７とを接合する。

【０１１３】なお、セラミック基板１ａと筒状体１７と
を接合する方法として、金ろう、銀ろう等を用いてろう
付けする方法、酸化物系ガラス等の接着剤を用いて接合
する方法等を用いることができる。さらに、セラミック
基板１ａおよび筒状体１７を形成するセラミックと主成
分が同じセラミックペーストを塗布し、これを焼結させ
る方法、セラミック基板１ａや筒状体１７の接合面に焼
結助剤を含有する溶液を塗布する方法によっても、セラ
ミック基板１ａと筒状体１７とを接合することができ
る。

【０１１４】（７）接続端子の取り付けネジが切られた接続端子１３と、鍔部２３ａおよび棒状
体２３ｂとからなる外部端子ピン２３とを、変形容易な
導電線１９を用いて接続する。なお、接続端子１３は、
例えば、コバール、ニッケル、銅等の金属からなる円柱
の一端に、切削ネジ加工や転造ネジ加工等を施すことに
よりネジを切ることができる。また、外部端子ピン２３
は、例えば、コバール、ニッケル、銅等の金属を、加熱
し、金型等により成形することにより製造することがで
きる。

【０１１５】次に、セラミック基板１ａの底面と、外部
端子ピン２３の鍔部２３ａとの間に、上部絶縁管２１が
配置されるようにして、接続端子１３を、スルーホール
８の有底孔８ａにねじ込み固定する（図９（ａ）参
照）。

【０１１６】（８）固定部材等の取り付け鍔部２３ａの下部に、下部絶縁管２２を配置し、さら
に、その下部に、密封リング２４を配置する。その後、
固定板２５を密封リング２４の下に配置し、固定板２５
の一部を、筒状体１７の下部内壁面に形成した溝部１７
ａにねじ込み固定することにより、内部接続構造体２０
である上部絶縁管２１、下部絶縁管２２、外部端子ピン
２３および密封リング２４をセラミック基板１ａの底面
に押し付けて固定する（図９（ｂ）参照）。

【０１１７】（９）ソケット等の取り付け次に、外部端子ピン２３に、電源（図示せず）から導出
されたソケット２６を取り付け、熱電対等の測温素子３
を、セラミック基板１ａに形成した有底孔４に挿入し、
耐熱性樹脂等で封止することで、セラミック基板１ａの
内部に導電体として抵抗発熱体２が形成された半導体製
造・検査装置１の製造を終了する（図９（ｃ）参照）。
なお、上述した半導体製造・検査装置１を、断熱リング
３７ａを介して、図２に示したような構造の支持容器３
０に嵌め込み、固定金具３８ａを介して、ボルト３８ｂ
を断熱リング３７ａに設けることにより、ホットプレー
トユニット１００とすることもできる。

【０１１８】以上、セラミック基板の内部に導電体とし
て抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置につい
て説明したが、さらに、セラミック基板の内部に静電電
極を設けることにより、静電チャックとしてもよい。セ
ラミック基板の内部に静電電極を設ける場合には、抵抗
発熱体を形成する場合と同様にグリーンシートの表面に
静電電極となる導体ペースト層を形成すればよい。

【０１１９】以下、本発明をさらに詳細に説明する。

【実施例】（実施例１）ホットプレートユニットの製
造（図２参照）（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ
_３：イットリア、平均粒径０．４μｍ）４重量部、アク
リル系樹脂バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量
部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコ
ール５３重量部を混合した組成物を用い、ドクターブレ
ード法を用いて成形することにより厚さ０．４７ｍｍの
グリーンシートを得た。

【０１２０】（２）次に、このグリーンシートを８０℃
で５時間乾燥した後、パンチングにより貫通孔を形成し
た。これらの貫通孔は、リフターピンを挿通するための
貫通孔５となる部分、スルーホール８となる部分等であ
る。

【０１２１】（３）平均粒子径１μｍのタングステンカ
ーバイド粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０
重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分
散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製し
た。また、平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００
重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピ
ネオール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部を
混合して導体ペーストＢを調製した。

【０１２２】（４）この導体ペーストＡをグリーンシー
トにスクリーン印刷で印刷し、抵抗発熱体２となる導体
ペースト層５２を形成した。印刷パターンは、図３に示
したような同心円からなるパターンとした。また、スル
ーホール８となる貫通孔部分に導体ペーストＢを充填
し、充填層５８を形成した。上記処理を終わったグリー
ンシートに、印刷処理を施していないグリーンシートを
上側（加熱面）に３７枚、下側に１３枚積層し、１３０
℃、８ＭＰａの圧力で一体化することにより積層体を作
成した（図８（ａ）参照）。

【０１２３】（５）次に、得られた積層体を窒素ガス
中、６００℃で５時間脱脂し、その後、１８９０℃、圧
力１５ＭＰａの条件で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍ
ｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを直径２３０
ｍｍの円板状に切り出し、内部に、厚さが５μｍ、幅が
２．４ｍｍの抵抗発熱体２を有するセラミック基板１ａ
とした。次に、セラミック基板１ａを、ダイヤモンド砥
石で研磨した後、マスクを載置し、ガラスビーズによる
ブラスト処理で表面に測温素子３を挿入するための有底
孔４を設けた。

【０１２４】（６）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社
製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、Ｙ_２Ｏ_３（平
均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ
１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノ
ールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混
合した組成物を用い、スプレードライ法により顆粒を製
造し、この顆粒をパイプ状の金型に入れ、常圧、１８９
０℃で焼結させることにより、溝部１７ａを有する筒状
体１７（長さ：２４０ｍｍ、外径：５０ｍｍ、内径：４
０ｍｍ）を製造した。

【０１２５】また、同様の方法により、上部絶縁管２１
（長さ：１００ｍｍ、外径：６ｍｍ、内径：４ｍｍ）
と、下部絶縁管２２（長さ：９５ｍｍ、外径：６ｍｍ、
内径：４ｍｍ）とを製造し、さらに、貫通孔を有する円
板形状の固定板２５（直径：４５ｍｍ、厚さ：２ｍｍ）
を製造した。なお、固定板２５には、筒状体１７の溝部
１７ａにその一部をねじ込むことができるように、側面
に突起部を形成した。

【０１２６】さらに、ＰＴＦＥからなる樹脂基板を加工
することにより、密封リング２４（直径：４０ｍｍ、厚
さ：２０ｍｍ）を得た。密封リング２４には、その中央
に貫通孔２４ａ（直径：４ｍｍ）を形成した。

【０１２７】（７）セラミック基板１ａおよび筒状体１
７の接合面に硝酸イットリウム（２．６１×１０^−１ｍ
ｏｌ／ｌ）水溶液を塗布した後、セラミック基板１ａの
底面であって、スルーホール１８となる部分がその内径
の内側に収まるような位置に、筒状体１７の端面を接触
させ、１８９０℃に加熱することで、セラミック基板１
ａと筒状体１７とを接合した。具体的には、開口を設け
たマスク（図示せず）をセラミック基板１ａの底面に載
置した後、開口に筒状体１７を嵌め込み、加熱すること
で、セラミック基板１ａと筒状体１７とを接合した。な
お、筒状体１７は、セラミック基板１ａの底面に２個接
合した。

【０１２８】（８）セラミック基板１ａの底面で、充填
層５８を形成していた部分をえぐりとって露出させ、そ
の部分をＡｕ−Ｎｉの金ろうで被覆することにより、ス
ルーホール８（直径：５ｍｍ、深さ：０．５ｍｍ）を形
成した。その後、スルーホール８にドリル加工を行い、
さらに、タッピングを施すことにより、ネジ溝を有する
有底孔８ａ（内径：４ｍｍ、深さ：５ｍｍ）を形成し
た。

【０１２９】（９）スルーホール８に形成された有底孔
にねじ込むことができるように、コバール製の円柱形状
の接続端子１３（長さ：１０ｍｍ、直径：３ｍｍ）の一
端にネジを切った。次に、鍔部２３ａ（直径：６ｍｍ、
厚さ：１ｍｍ）および棒状体２３ｂ（長さ：１４５ｍ
ｍ、直径：２ｍｍ）とからなるコバール製の外部端子ピ
ン２３を製造した。なお、鍔部２３ａは、棒状体２３ｂ
の一端からの距離が１５ｍｍとなる位置に形成した。そ
の後、接続端子１３と、外部端子ピン２３の棒状体２３
ａとを、Ｃｕ製の導電線１９（長さ：１１０ｍｍ、太
さ：２．５ｍｍ）を用いて接続した。

【０１３０】次に、セラミック基板１ａの底面と、外部
端子ピン２３との間に、上部絶縁管２１が配置されるよ
うにして、接続端子１３を、スルーホール８の有底孔８
ａにねじ込み固定した。このとき、接続端子１３と、外
部端子ピン２３の棒状体２３ａとの距離は８０ｍｍであ
り、導電線１９の長さと比べて充分に短かった。

【０１３１】（１０）次に、鍔部２３ａの下部に、下部
絶縁管２２を配置し、さらに、その下部に、密封リング
２４を配置した。その後、固定板２５を密封リング２４
の下に配置し、固定板２５の一部を、筒状体１７の下部
内壁面に形成した溝部１７ａにねじ込み固定することに
より、内部接続構造体２０である上部絶縁管２１、下部
絶縁管２２、外部端子ピン２３および密封リング２４を
セラミック基板１１の底面に押し付けて固定し、固定板
２５の下面から、外部端子ピン２３の棒状体２３ａを１
０ｍｍ突出させた。

【０１３２】（１１）そして、温度制御のための測温素
子３を有底孔４に挿入し、シリカゾルを充填し、１９０
℃で２時間硬化、ゲル化させた。その後、上述した工程
を経たセラミック基板１１を、図２に示したような構成
のＳＵＳ製の支持容器３０に嵌め込み、固定し、さら
に、外部端子ピン２３に、電源（図示せず）から導出さ
れたソケット２６を取り付け、ホットプレートとして機
能する半導体製造・検査装置１を備えたホットプレート
ユニット１００の製造を終了した。

【０１３３】（実施例２）静電チャックの製造（図
４、図５参照）（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリウム（平均粒径
０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１２重
量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタ
ノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペー
ストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、
厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを作製した。

【０１３４】（２）次に、このグリーンシートを８０℃
で５時間乾燥した後、パンチングにより貫通孔を形成し
た。これらの貫通孔は、リフターピンを挿通するための
貫通孔５となる部分、スルーホール４９ａ、４９ｂとな
る部分等である。

【０１３５】（３）実施例１と同様の方法により、導体
ペーストＡおよび導体ペーストＢを調整した。（４）この導体ペーストＡをグリーンシートにスクリー
ン印刷し、抵抗発熱体４５となる導体ペースト層を形成
した。印刷パターンは、図３に示したような同心円から
なるパターンとした。さらに、導体ペーストＡを他のグ
リーンシートにスクリーン印刷し、図５に示した静電電
極パターンからなる導体ペースト層を形成した。また、
スルーホール４９ａ、４９ｂとなる貫通孔部分に導体ペ
ーストＢを充填し、充填層を形成した。

【０１３６】次に、上記処理の終わった各グリーンシー
トを積層した。まず、抵抗発熱体４５となる導体ペース
ト層が印刷されたグリーンシートの上側（加熱面側）
に、スルーホール４９ｂとなる部分のみが形成されたグ
リーンシートを３４枚積層した。さらに、その下側（底
面側）にスルーホール４９ａ、４９ｂとなる部分が形成
されたグリーンシートを１３枚積層した。このように積
層したグリーンシートの最上部に静電電極パターンから
なる導体ペースト層を印刷したグリーンシートを積層
し、さらにその上に何の処理もしていないグリーンシー
トを２枚積層し、これらを１３０℃、８ＭＰａの圧力で
圧着して積層体を形成した。

【０１３７】（５）次に、得られた積層体を窒素ガス
中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５Ｍ
Ｐａで１０時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アル
ミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円板状に切
り出し、内部に厚さ５μｍ、幅２．４ｍｍの抵抗発熱体
２、厚さが６μｍのチャック正極静電層４２およびチャ
ック負極静電層４３を有するセラミック基板４１とし
た。次に、セラミック基板４１を、ダイヤモンド砥石で
研磨した後、マスクを載置し、ガラスビーズによるブラ
スト処理で表面に測温素子４６を挿入するための有底孔
４を設けた。

【０１３８】（６）実施例１と同様の方法により、筒状
体１７、上部絶縁管２１、下部絶縁管２２、固定板２５
を製造した。また、密封リング２４についても、実施例
１と同様の方法により製造した。

【０１３９】（７）実施例１と同様の方法により、セラ
ミック基板４１の底面に、筒状体１７を接合した。な
お、筒状体１７は、セラミック基板４１の底面に?
個接合した。

【０１４０】（８）セラミック基板４１の底面で、導体
ペースト層Ｂを充填していた部分をえぐりとって露出さ
せ、その部分をＡｕ−Ｎｉの金ろうで被覆することによ
り、スルーホール４９ａ、４９ｂを形成した。なお、抵
抗発熱体４５の直下に形成したスルーホール４９ａは、
直径５ｍｍ、深さ０．５ｍｍであり、静電電極の直下に
形成したスルーホール４９ｂは、直径５ｍｍ、深さ０．
５ｍｍであった。その後、スルーホール４９ａ、４９ｂ
にドリル加工を行い、さらに、タッピングを施すことに
より、ネジ溝を有する有底孔（内径：４ｍｍ、深さ：５
ｍｍ）を形成した。（９）以下、実施例１と同様にして、図４に示す静電チ
ャック４０を製造した。

【０１４１】（比較例１）ホットプレートユニットの製
造（１）実施例１と同様の方法により、その内部に抵抗発
熱体が形成されたセラミック基板を製造した。なお、セ
ラミック基板の内部に形成したスルーホールの大きさ
は、直径０．２ｍｍ、深さ０．２ｍｍであった。（２）次に、上記セラミック基板を、ダイヤモンド砥石
で研磨した後、マスクを載置し、ガラスビーズによるブ
ラスト処理で表面に測温素子を挿入するための有底孔を
設けた。

【０１４２】（３）さらに、上記スルーホールの直下
に、ドリル加工により直径５ｍｍ、深さ０．５ｍｍの袋
孔を形成した。上記袋孔に、Ａｇ／Ｎｉろう（Ａｇ：８
０重量％、Ｎｉ：２０重量％）を用いて、Ｔ字形状のコ
バール製外部端子を取り付けた。

【０１４３】（４）次に、測温素子を有底孔に埋め込
み、その内部に抵抗発熱体が形成されたセラミック基板
を製造した。（５）この後、上記セラミック基板を図２に示したよう
な構成のＳＵＳ製の支持容器に嵌め込み、上記外部端子
に、電源から導出されたソケットを接続し、ホットプレ
ートユニットの製造を終了した。

【０１４４】（比較例２）静電チャックの製造（１）実施例２と同様の方法により、その内部に静電電
極および抵抗発熱体が形成されたセラミック基板を製造
した。なお、セラミック基板の内部に形成したスルーホ
ールのうち、抵抗発熱体の直下に形成したスルーホール
の大きさは、直径０．５ｍｍ、深さ０．５ｍｍであっ
た。また、静電電極の直下に形成したスルーホールの大
きさは、直径５ｍｍ、深さ０．５ｍｍであった。（２）次に、上記セラミック基板を、ダイヤモンド砥石
で研磨した後、マスクを載置し、ガラスビーズによるブ
ラスト処理で表面に測温素子を挿入するための有底孔を
設けた。

【０１４５】（３）さらに、上記スルーホールの直下
に、ドリル加工により直径５ｍｍ、深さ０．５ｍｍの袋
孔を形成した。上記袋孔に、Ａｇ／Ｎｉろう（Ａｇ：８
０重量％、Ｎｉ：２０重量％）を用いて、断面視Ｔ字形
状のコバール製外部端子を取り付けた。

【０１４６】（４）次に、測温素子を有底孔に埋め込
み、上記外部端子に、電源から導出されたソケットを接
続し、その内部に静電電極および抵抗発熱体が形成され
た静電チャックの製造を終了した。

【０１４７】実施例１および比較例１に係るホットプレ
ートユニット、並びに、実施例２および比較例２に係る
静電チャックについて、以下の指標で評価した。

【０１４８】評価方法（１）機械的負荷による脱落の有無実施例１に係るホットプレートユニットおよび比較例１
に係る静電チャックについて、それぞれ外部端子ピンに
取り付けたソケットを、３０００回脱着を繰り返し、接
続端子の脱落の有無を調べた。また、比較例１に係るホ
ットプレートユニットおよび比較例２に係る静電チャッ
クについては、それぞれ外部端子に取り付けたソケット
を、に３０００回脱着を繰り返し、外部端子の脱落の有
無を調べた。

【０１４９】その結果、実施例１に係るホットプレート
ユニットおよび実施例２に係る静電チャックでは、接続
端子の脱落は全く発生しなかった。一方、比較例１に係
るホットプレートユニットおよび比較例２に係る静電チ
ャックでは、外部端子の脱落が発生した。

【０１５０】実施例１に係るホットプレートユニットお
よび実施例２に係る静電チャックにおいて、機械的負荷
による接続端子の脱落が全く発生しなかったのは、外部
端子ピンに機械的な負荷が加わっても、変形容易な導電
線１９により上記負荷が緩衝され、接続端子１３に上記
負荷が伝わらなかったためであると考えられる。一方、
比較例１に係るホットプレートユニットおよび比較例２
に係る静電チャックにおいて、機械的負荷による外部端
子の脱落が発生したのは、ソケットの脱着に伴う機械的
な負荷が直接外部端子に伝わったためであると考えられ
る。

【０１５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の接続構造
体によれば、電源から導出されたソケットを取り付けた
り、取り外したりした際、接続端子に機械的な負荷が加
わることがないため、上記接続端子がセラミック基板か
ら脱落することがない。

【０１５２】また、本発明の半導体製造・検査装置によ
れば、セラミック基板に、本発明の接続構造体が設けら
れているため、電源から導出されたソケットを取り付け
たり、取り外したりした際、接続端子に機械的な負荷が
加わることがない。従って、上記接続端子がセラミック
基板から脱落することがなく、導電体に確実に電圧を印
加することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の接続構造体の一例を模式的に示す部分
拡大断面図である。

【図２】本発明に係るホットプレートユニットの一例を
模式的に示す断面図である。

【図３】図２に示したホットプレートユニットの平面図
である。

【図４】本発明に係る静電チャックの一例を模式的に示
す縦断面図である。

【図５】セラミック基板に埋設されている静電電極の一
例を模式的に示す水平断面図である。

【図６】セラミック基板に埋設されている静電電極の別
の一例を模式的に示す水平断面図である。

【図７】セラミック基板に埋設されている静電電極の更
に別の一例を模式的に示す水平断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｄ）は、導電体としてセラミック基
板に抵抗発熱体が形成された本発明の半導体製造・検査
装置の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。

【図９】（ａ）〜（ｃ）は、導電体としてセラミック基
板に抵抗発熱体が形成された本発明の半導体製造・検査
装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１半導体製造・検査装置１ａ、１１セラミック基板２抵抗発熱体１０接続構造体１２導電体１３接続端子１７筒状体１７ａ溝部１８スルーホール１９導電線２０内部接続構造体２１上部絶縁管２２下部絶縁管２３外部端子ピン２３ａ鍔部２３ｂ棒状体２４密封リング２４ａ貫通孔２５固定板２５ａ貫通孔２６ソケット２９半導体ウエハ４０静電チャック１００ホットプレートユニット

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 3/20 ３９３Ｈ０５Ｂ 3/74 3/74 Ｈ０１Ｒ 9/09 ＡＦターム(参考） 3K034 AA02 AA04 AA06 AA10 AA11 AA15 AA16 AA34 BA06 BA13 BA17 BB06 BB13 BB14 BC04 BC16 CA02 CA14 CA15 CA22 CA26 CA27 CA28 CA32 CA37 CA39 DA04 DA05 HA01 HA10 JA01 JA10 3K092 PP03 QA05 QB02 QB08 QB17 QB18 QB20 QB31 QB32 QB37 QB38 QB43 QB62 QB70 QB73 QB74 QB75 QB76 QC02 QC20 QC25 QC34 QC42 QC43 QC44 QC49 QC52 QC59 QC64 RF02 RF03 RF11 RF17 RF19 RF26 TT16 VV28 VV31 VV32 5E077 BB12 BB31 EE09 JJ10 JJ24 5F031 CA02 HA02 HA18 HA33 HA37 HA38 JA01 JA21 MA28 MA29 MA32 MA33 NA05 PA11 PA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電体が配設されたセラミック基板の前
記導電性に接続・固定された接続端子を含んで構成さ
れ、前記接続端子と電源から導出されたソケットとを接
続させるための接続構造体であって、前記ソケットを取
り付けるための外部端子ピンは、棒状体とその中間に形
成された鍔部とからなるとともに、前記接続端子と変形
容易な導電線を介して接続され、前記接続端子の周囲に
設けられ、その上端がセラミック基板の底面に接触する
筒状体、および、前記筒状体の内部に配置された固定部
材を用いることにより、前記外部端子ピンが前記筒状体
の内部に固定されていることを特徴とする接続構造体。
【請求項２】前記接続端子は、ネジが切られ、かつ、
前記スルーホールに形成されたネジ溝を有する有底孔に
ねじ込むことにより固定されており、前記接続端子の取
り外しを行うため、解体が可能なように構成されている
請求項１に記載の接続構造体。
【請求項３】密封用の部材が配置されることにより、
前記筒状体の内部と外部とが遮断され、前記ソケットを
取り付けるために、前記外部端子ピンの一部が突出して
いる請求項１または２に記載の接続構造体。
【請求項４】導電体が配設されたセラミック基板の前
記導電性に接続・固定された接続端子を含んで構成さ
れ、前記接続端子と電源から導出されたソケットとを接
続させるための接続構造体であって、前記接続構造体
は、さらに、その上端がセラミック基板の底面に固定さ
れた筒状体と、前記筒状体の内部に設置され、上部絶縁
管、下部絶縁管、棒状体の中間に鍔部を有する外部端子
ピン、および、中心部分に貫通孔を有する密封リングと
から構成される内部接続構造体と、中心部に貫通孔を有
し、前記筒状体の下部内側面に形成された溝部にその一
部をねじ込むことにより固定されるように構成された固
定板とを含んで構成され、前記内部接続構造体を構成す
る前記外部端子ピンと前記接続端子とは変形容易な導電
線により接続され、前記上部絶縁管は、前記接続端子を
内包した状態でその上端がセラミック基板の底面に当接
されるとともに、前記上部絶縁管の下端とその下に配置
される下部絶縁管の上端との間に前記外部端子ピンの前
記鍔部が挟まれ、前記下部絶縁管の下に配置された前記
密封リングの貫通孔に、前記外部端子ピンの前記棒状体
が挿通され、さらに前記密封リングの下に配置され、同
じく前記棒状体が貫通孔に挿通された前記固定板の一部
が前記筒状体の前記溝部にねじ込まれることにより前記
内部接続構造体が前記セラミック基板の底面に押し付け
られ、固定されるとともに、前記密封リングにより筒状
体の内部と外部とが遮断され、前記固定板より突出した
前記棒状体に前記ソケットを取り付けて接続を行うこと
を特徴とする接続構造体。
【請求項５】前記接続端子は、ネジが切られ、かつ、
前記スルーホールに形成されたネジ溝を有する有底孔に
ねじ込むことにより固定されており、前記接続端子の取
り外しを行うため、解体が可能なように構成されている
請求項４記載の接続構造体。
【請求項６】その内部に導電体が形成され、前記導電
体にスルーホールが形成されたセラミック基板を備えた
半導体製造・検査装置であって、前記セラミック基板に
は、請求項１〜５のいずれか１に記載の接続構造体が設
けられていることを特徴とする半導体製造・検査装置。