JP2003051431A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2003051431A JP2003051431A JP2001236886A JP2001236886A JP2003051431A JP 2003051431 A JP2003051431 A JP 2003051431A JP 2001236886 A JP2001236886 A JP 2001236886A JP 2001236886 A JP2001236886 A JP 2001236886A JP 2003051431 A JP2003051431 A JP 2003051431A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ケミカルフィルタにより除去すべき化学物質
質量を低減すること、およびケミカルフィルタを用いず
に化学物質の除去することにある。 【解決手段】 クリーンルーム内の空気をファンにより
高性能フィルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄
度に保つ局所クリーンユニットと、半導体ウエハの受渡
口を介して局所クリーンユニット外に設置された製造装
置と、製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡
口を介して局所クリーンユニット外に配設された半導体
ウエハ収納容器と、局所クリーンユニット内に設置され
て半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウ
エハ収納容器と製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、局所クリーンユニットは、ファンと高性能
フィルタとを上部に設けた局所クリーンブース部と、局
所クリーンブース部の下部側とファンと高性能フィルタ
との上部側とを連絡するレタンダクト部と、レタンダク
ト部に設けた外気取込部と、外気取込部に設けたケミカ
ルフィルタと、ケミカルフィルタに連接して設けた冷水
コイルとを備えたことを特徴とする。
質量を低減すること、およびケミカルフィルタを用いず
に化学物質の除去することにある。 【解決手段】 クリーンルーム内の空気をファンにより
高性能フィルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄
度に保つ局所クリーンユニットと、半導体ウエハの受渡
口を介して局所クリーンユニット外に設置された製造装
置と、製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡
口を介して局所クリーンユニット外に配設された半導体
ウエハ収納容器と、局所クリーンユニット内に設置され
て半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウ
エハ収納容器と製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、局所クリーンユニットは、ファンと高性能
フィルタとを上部に設けた局所クリーンブース部と、局
所クリーンブース部の下部側とファンと高性能フィルタ
との上部側とを連絡するレタンダクト部と、レタンダク
ト部に設けた外気取込部と、外気取込部に設けたケミカ
ルフィルタと、ケミカルフィルタに連接して設けた冷水
コイルとを備えたことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、局所クリーンユニ
ットを用いた半導体製造装置に関する。
ットを用いた半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス製造工場では、製造する
半導体ウエハの周辺を極めてクリーンにする必要があ
る。最近は、例えば、特開平9−283587号公報、
特開平10−74815号公報、特開平11−2512
07号公報、特開2000−133697号公報、特開
2000−173911号公報、特開2000−306
971号公報、特開2001−76998号公報、特開
2001−85507号公報等に開示されるように、部
屋全体を高清浄に保つ方式から、半導体ウエハ周りの局
所高清浄化を図る方式であるミニエンバイロメント方式
に変わりつつある。
半導体ウエハの周辺を極めてクリーンにする必要があ
る。最近は、例えば、特開平9−283587号公報、
特開平10−74815号公報、特開平11−2512
07号公報、特開2000−133697号公報、特開
2000−173911号公報、特開2000−306
971号公報、特開2001−76998号公報、特開
2001−85507号公報等に開示されるように、部
屋全体を高清浄に保つ方式から、半導体ウエハ周りの局
所高清浄化を図る方式であるミニエンバイロメント方式
に変わりつつある。
【0003】図10,図11は、その一例を示す。クリ
ーンルーム1内に局所クリーンルーム6が設置されてい
る。クリーンルーム1は、天井2にファン3aと高性能
フィルタ3bとから成るファンフィルタユニット3を設
置し、床4に穴あき板5を設置し、空気調和装置18に
よって空調空気を天井2の裏側から供給し、部屋内を例
えばクラス1000程度の清浄空間を形成することによ
って構成されている。
ーンルーム1内に局所クリーンルーム6が設置されてい
る。クリーンルーム1は、天井2にファン3aと高性能
フィルタ3bとから成るファンフィルタユニット3を設
置し、床4に穴あき板5を設置し、空気調和装置18に
よって空調空気を天井2の裏側から供給し、部屋内を例
えばクラス1000程度の清浄空間を形成することによ
って構成されている。
【0004】局所クリーンルーム6は、上部側にケミカ
ルフィルタ7と高性能フィルタ8とファン9を設置し、
その下流側を壁部材6aによって囲繞し、その区画内を
例えばクラス1程度の清浄空間を形成するように構成さ
れている。局所クリーンルーム6の一側には、製造装置
10が半導体ウエハ16の受渡口11を介して設置され
ている。
ルフィルタ7と高性能フィルタ8とファン9を設置し、
その下流側を壁部材6aによって囲繞し、その区画内を
例えばクラス1程度の清浄空間を形成するように構成さ
れている。局所クリーンルーム6の一側には、製造装置
10が半導体ウエハ16の受渡口11を介して設置され
ている。
【0005】また、局所クリーンルーム6の他側には、
半導体ウエハ収納容器12が半導体ウエハ16の受渡口
13を介して設置されている。半導体ウエハ収納容器1
2は、載置台14上に置かれている。ミニエンバイロメ
ント方式では、工程間の搬送時、工程の待ち時間におい
て、半導体ウエハ16を塵埃や化学物質、人と隔離する
ために、内部を高清浄雰囲気で満たしたフロントオープ
ン一体型ポット(FOUP)と称される容器に収納され
ている。
半導体ウエハ収納容器12が半導体ウエハ16の受渡口
13を介して設置されている。半導体ウエハ収納容器1
2は、載置台14上に置かれている。ミニエンバイロメ
ント方式では、工程間の搬送時、工程の待ち時間におい
て、半導体ウエハ16を塵埃や化学物質、人と隔離する
ために、内部を高清浄雰囲気で満たしたフロントオープ
ン一体型ポット(FOUP)と称される容器に収納され
ている。
【0006】また、局所クリーンルーム6内には、半導
体ウエハ収納容器12内の半導体ウエハ16を半導体ウ
エハ収納容器12と製造装置10との間で受け渡しを行
う搬送装置15が設置されている。斯くして構成された
半導体製造装置では、先ず、局所クリーンルーム6を駆
動し、ケミカルフィルタ7で化学物質濃度を低減した空
気をファン9により吸引し、高性能フィルタ8で清浄化
し、区画内をクラス1にする。
体ウエハ収納容器12内の半導体ウエハ16を半導体ウ
エハ収納容器12と製造装置10との間で受け渡しを行
う搬送装置15が設置されている。斯くして構成された
半導体製造装置では、先ず、局所クリーンルーム6を駆
動し、ケミカルフィルタ7で化学物質濃度を低減した空
気をファン9により吸引し、高性能フィルタ8で清浄化
し、区画内をクラス1にする。
【0007】次に、自動搬送ロボット(AGV)19に
よって搬送され、載置台14上に置かれた半導体ウエハ
収納容器12の蓋12aを、半導体ウエハ16の受渡口
13の蓋13aとともに局所クリーンルーム6内に設け
たオープナー17によって開く。そして、搬送装置15
を操作して半導体ウエハ収納容器12内の半導体ウエハ
16を半導体ウエハ収納容器12と製造装置10との間
で受け渡しを行う。
よって搬送され、載置台14上に置かれた半導体ウエハ
収納容器12の蓋12aを、半導体ウエハ16の受渡口
13の蓋13aとともに局所クリーンルーム6内に設け
たオープナー17によって開く。そして、搬送装置15
を操作して半導体ウエハ収納容器12内の半導体ウエハ
16を半導体ウエハ収納容器12と製造装置10との間
で受け渡しを行う。
【0008】製造装置10では、半導体ウエハ16に露
光、現像、成膜、拡散、洗浄等多くの工程による何れか
の処理を施す。なお、半導体ウエハ16は、対応する処
理を施すために、その都度半導体ウエハ収納容器12に
収納されて各製造装置10に搬送され、各製造装置10
によって処理が施されて製品とされる。所定の処理が施
された半導体ウエハ16は、搬送装置15を操作して半
導体ウエハ収納容器12内に収納される。
光、現像、成膜、拡散、洗浄等多くの工程による何れか
の処理を施す。なお、半導体ウエハ16は、対応する処
理を施すために、その都度半導体ウエハ収納容器12に
収納されて各製造装置10に搬送され、各製造装置10
によって処理が施されて製品とされる。所定の処理が施
された半導体ウエハ16は、搬送装置15を操作して半
導体ウエハ収納容器12内に収納される。
【0009】各工程において、局所クリーンルーム6内
において、常に半導体ウエハ16周辺は、高清浄度に保
たれている。全ての工程による処理を終えた半導体ウエ
ハ16を半導体ウエハ収納容器12に戻す際も同様であ
る。そして、ファン9により局所クリーンルーム6内に
導入された空気の全量が、矢印で示すように、局所クリ
ーンルーム6の下部からクリーンルーム1内に排出され
る。
において、常に半導体ウエハ16周辺は、高清浄度に保
たれている。全ての工程による処理を終えた半導体ウエ
ハ16を半導体ウエハ収納容器12に戻す際も同様であ
る。そして、ファン9により局所クリーンルーム6内に
導入された空気の全量が、矢印で示すように、局所クリ
ーンルーム6の下部からクリーンルーム1内に排出され
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
製造装置では、クリーンルーム1内の空気をケミカルフ
ィルタ7により化学物質濃度を低減した後、全量を局所
クリーンルーム6の下部からクリーンルーム1内に捨て
ているため、局所クリーンルーム6内に供給される空気
は全てケミカルフィルタ7で化学物質を除去している。
その結果、ケミカルフィルタ7により除去すべき化学物
質質量(濃度×空気量)が多くなり、高価なケミカルフ
ィルタ7を頻繁に交換しなければならなかった(例え
ば、年に1〜2回程度)。
製造装置では、クリーンルーム1内の空気をケミカルフ
ィルタ7により化学物質濃度を低減した後、全量を局所
クリーンルーム6の下部からクリーンルーム1内に捨て
ているため、局所クリーンルーム6内に供給される空気
は全てケミカルフィルタ7で化学物質を除去している。
その結果、ケミカルフィルタ7により除去すべき化学物
質質量(濃度×空気量)が多くなり、高価なケミカルフ
ィルタ7を頻繁に交換しなければならなかった(例え
ば、年に1〜2回程度)。
【0011】本発明は斯かる従来の問題点を解決するた
めに為されたもので、その目的は、ケミカルフィルタに
より除去すべき化学物質質量を低減することが可能な半
導体製造装置を提供することにある。本発明の別の目的
は、ケミカルフィルタを用いずに化学物質の除去を可能
とする半導体製造装置を提供することにある。
めに為されたもので、その目的は、ケミカルフィルタに
より除去すべき化学物質質量を低減することが可能な半
導体製造装置を提供することにある。本発明の別の目的
は、ケミカルフィルタを用いずに化学物質の除去を可能
とする半導体製造装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
クリーンルーム内に設置された半導体製造装置におい
て、前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能
フィルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保
つ局所クリーンユニットと、半導体ウエハの受渡口を介
して前記局所クリーンユニット外に設置された製造装置
と、前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受
渡口を介して前記局所クリーンユニット外に配設された
半導体ウエハ収納容器と、前記局所クリーンユニット内
に設置されて前記半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエ
ハを該半導体ウエハ収納容器と前記製造装置との間で受
け渡しを行う搬送装置とを備え、前記局所クリーンユニ
ットは、前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設
けた局所クリーンブース部と、この局所クリーンブース
部の下部側と前記ファンと前記高性能フィルタとの上部
側とを連絡するレタンダクト部と、このレタンダクト部
に設けた外気取込部と、この外気取込部に設けたケミカ
ルフィルタと、このケミカルフィルタに連接して設けた
冷水コイルとを備えたことを特徴とする。
クリーンルーム内に設置された半導体製造装置におい
て、前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能
フィルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保
つ局所クリーンユニットと、半導体ウエハの受渡口を介
して前記局所クリーンユニット外に設置された製造装置
と、前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受
渡口を介して前記局所クリーンユニット外に配設された
半導体ウエハ収納容器と、前記局所クリーンユニット内
に設置されて前記半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエ
ハを該半導体ウエハ収納容器と前記製造装置との間で受
け渡しを行う搬送装置とを備え、前記局所クリーンユニ
ットは、前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設
けた局所クリーンブース部と、この局所クリーンブース
部の下部側と前記ファンと前記高性能フィルタとの上部
側とを連絡するレタンダクト部と、このレタンダクト部
に設けた外気取込部と、この外気取込部に設けたケミカ
ルフィルタと、このケミカルフィルタに連接して設けた
冷水コイルとを備えたことを特徴とする。
【0013】請求項2に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けたケミカルフィルタと、この
ケミカルフィルタに連接して設けた冷水コイルと、この
冷水コイルに連接して設けたファンとを備えたことを特
徴とする。
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けたケミカルフィルタと、この
ケミカルフィルタに連接して設けた冷水コイルと、この
冷水コイルに連接して設けたファンとを備えたことを特
徴とする。
【0014】請求項3に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部内に設けた冷水コイ
ルと、前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、この
外気取込部に設けたケミカルフィルタとを備えたことを
特徴とする。
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部内に設けた冷水コイ
ルと、前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、この
外気取込部に設けたケミカルフィルタとを備えたことを
特徴とする。
【0015】請求項4に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部内に設けた冷水コイ
ルと、前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、この
外気取込部に設けたケミカルフィルタと、このケミカル
フィルタに連接して設けたファンとを備えたことを特徴
とする。
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部内に設けた冷水コイ
ルと、前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、この
外気取込部に設けたケミカルフィルタと、このケミカル
フィルタに連接して設けたファンとを備えたことを特徴
とする。
【0016】請求項5に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けた拡散スクラバと、この拡散
スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを備えたこ
とを特徴とする。
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けた拡散スクラバと、この拡散
スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを備えたこ
とを特徴とする。
【0017】請求項6に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けた拡散スクラバと、この拡散
スクラバに連接して設けたファンと、前記拡散スクラバ
への純水供給路に設けた熱交換器とを備えたことを特徴
とする。
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けた拡散スクラバと、この拡散
スクラバに連接して設けたファンと、前記拡散スクラバ
への純水供給路に設けた熱交換器とを備えたことを特徴
とする。
【0018】請求項7に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、前記レタンダクト内に設けた拡散スクラバと、この
拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを備え
たことを特徴とする。
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、前記レタンダクト内に設けた拡散スクラバと、この
拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを備え
たことを特徴とする。
【0019】請求項8に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けたファンと、前記レタンダク
ト内に設けた拡散スクラバと、この拡散スクラバへの純
水供給路に設けた熱交換器と を備えたことを特徴とす
る。
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けたファンと、前記レタンダク
ト内に設けた拡散スクラバと、この拡散スクラバへの純
水供給路に設けた熱交換器と を備えたことを特徴とす
る。
【0020】請求項9に係る発明は、クリーンルーム内
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けたワッシャと、このワッシャ
への純水供給路に設けた熱交換器とを備えたことを特徴
とする。
に設置された半導体製造装置において、前記クリーンル
ーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して取
り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユニ
ットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置と
対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局
所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納容
器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半
導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ
収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装
置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファン
と前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーンブ
ース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記フ
ァンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタ
ンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込部
と、この外気取込部に設けたワッシャと、このワッシャ
への純水供給路に設けた熱交換器とを備えたことを特徴
とする。
【0021】請求項10に係る発明は、クリーンルーム
内に設置された半導体製造装置において、前記クリーン
ルーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して
取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユ
ニットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリ
ーンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置
と対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記
局所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納
容器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記
半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエ
ハ収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送
装置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファ
ンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーン
ブース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記
ファンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレ
タンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込
部と、この外気取込部に設けたワッシャと、このワッシ
ャへの純水供給路に設けた熱交換器と、前記ワッシャに
連接して設けたファンとを備えたことを特徴とする。
内に設置された半導体製造装置において、前記クリーン
ルーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して
取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユ
ニットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリ
ーンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置
と対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記
局所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納
容器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記
半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエ
ハ収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送
装置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファ
ンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーン
ブース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記
ファンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレ
タンダクト部と、このレタンダクト部に設けた外気取込
部と、この外気取込部に設けたワッシャと、このワッシ
ャへの純水供給路に設けた熱交換器と、前記ワッシャに
連接して設けたファンとを備えたことを特徴とする。
【0022】請求項11に係る発明は、クリーンルーム
内に設置された半導体製造装置において、前記クリーン
ルーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して
取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユ
ニットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリ
ーンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置
と対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記
局所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納
容器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記
半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエ
ハ収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送
装置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファ
ンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーン
ブース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記
ファンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレ
タンダクト部と、このレタンダクト内に設けたワッシャ
と、このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、
前記レタンダクト部に設けた外気取込部とを備えたこと
を特徴とする。
内に設置された半導体製造装置において、前記クリーン
ルーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して
取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユ
ニットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリ
ーンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置
と対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記
局所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納
容器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記
半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエ
ハ収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送
装置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファ
ンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーン
ブース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記
ファンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレ
タンダクト部と、このレタンダクト内に設けたワッシャ
と、このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、
前記レタンダクト部に設けた外気取込部とを備えたこと
を特徴とする。
【0023】請求項12に係る発明は、クリーンルーム
内に設置された半導体製造装置において、前記クリーン
ルーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して
取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユ
ニットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリ
ーンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置
と対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記
局所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納
容器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記
半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエ
ハ収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送
装置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファ
ンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーン
ブース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記
ファンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレ
タンダクト部と、このレタンダクト内に設けたワッシャ
と、このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、
前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、この外気取
込部に設けたファンとを備えたことを特徴とする。
内に設置された半導体製造装置において、前記クリーン
ルーム内の空気をファンにより高性能フィルタを通して
取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンユ
ニットと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリ
ーンユニット外に設置された製造装置と、前記製造装置
と対向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記
局所クリーンユニット外に配設された半導体ウエハ収納
容器と、前記局所クリーンユニット内に設置されて前記
半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエ
ハ収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送
装置とを備え、前記局所クリーンユニットは、前記ファ
ンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所クリーン
ブース部と、この局所クリーンブース部の下部側と前記
ファンと前記高性能フィルタとの上部側とを連絡するレ
タンダクト部と、このレタンダクト内に設けたワッシャ
と、このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、
前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、この外気取
込部に設けたファンとを備えたことを特徴とする。
【0024】請求項13に係る発明は、請求項1ないし
請求項12の何れか1項記載の半導体製造装置におい
て、前記空気取込口には、前記クリーンルームと前記局
所クリーンブース部との差圧により前記レタンダクト内
に取り込む空気量を制御する流量調整機構が設けられて
いることを特徴とする。
請求項12の何れか1項記載の半導体製造装置におい
て、前記空気取込口には、前記クリーンルームと前記局
所クリーンブース部との差圧により前記レタンダクト内
に取り込む空気量を制御する流量調整機構が設けられて
いることを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施形
態に基づいて説明する。図1および図2は、本発明の第
一実施形態に係る半導体製造装置20を示す(請求項2
に対応する)。本実施形態に係る半導体装置20は、ク
リーンルーム50内に設置されている。なお、クリーン
ルーム50は、例えば、図11に示す従来の半導体製造
装置のクリーンルーム1と同様に構成されているので、
その説明は省略する。
態に基づいて説明する。図1および図2は、本発明の第
一実施形態に係る半導体製造装置20を示す(請求項2
に対応する)。本実施形態に係る半導体装置20は、ク
リーンルーム50内に設置されている。なお、クリーン
ルーム50は、例えば、図11に示す従来の半導体製造
装置のクリーンルーム1と同様に構成されているので、
その説明は省略する。
【0026】本実施形態に係る半導体装置20は、局所
クリーンユニット21と、この局所クリーンユニット2
1に連接して配置された製造装置40と、この製造装置
40と対向して局所クリーンユニット21に連接して配
置された半導体ウエハ収納容器45と、局所クリーンユ
ニット21内に配置された搬送装置(図示せず)とで構
成されている。なお、搬送装置は、例えば、図11に示
す従来の半導体装置の搬送装置15と同様に構成されて
いるので、その説明は省略する。
クリーンユニット21と、この局所クリーンユニット2
1に連接して配置された製造装置40と、この製造装置
40と対向して局所クリーンユニット21に連接して配
置された半導体ウエハ収納容器45と、局所クリーンユ
ニット21内に配置された搬送装置(図示せず)とで構
成されている。なお、搬送装置は、例えば、図11に示
す従来の半導体装置の搬送装置15と同様に構成されて
いるので、その説明は省略する。
【0027】局所クリーンユニット21は、局所クリー
ンユニット21の外形を壁部材23によって区画形成す
る箱形のユニット本体22と、このユニット本体22内
に設置された局所クリーンブース部25と、この局所ク
リーンブース部25とユニット本体22との間に形成さ
れたレタンダクト部30と、このレタンダクト部30と
連絡し、局所クリーンブース部25の天井側に形成され
た天井空間部35と、レタンダクト部30に設けられた
外気取込部36と、この外気取込部36に設けたケミカ
ルフィルタ37と、このケミカルフィルタ37に連接し
て設けた冷水コイル38と、この冷水コイル38に連接
して設けたファン39とで構成されている。
ンユニット21の外形を壁部材23によって区画形成す
る箱形のユニット本体22と、このユニット本体22内
に設置された局所クリーンブース部25と、この局所ク
リーンブース部25とユニット本体22との間に形成さ
れたレタンダクト部30と、このレタンダクト部30と
連絡し、局所クリーンブース部25の天井側に形成され
た天井空間部35と、レタンダクト部30に設けられた
外気取込部36と、この外気取込部36に設けたケミカ
ルフィルタ37と、このケミカルフィルタ37に連接し
て設けた冷水コイル38と、この冷水コイル38に連接
して設けたファン39とで構成されている。
【0028】ユニット本体22は、製造装置40との受
渡口、半導体ウエハ収納容器45との受渡口、外気取込
部36以外には、開口部が形成されていない。そして、
床24を介してクリーンルーム50の床上に配置されて
いる。局所クリーンブース部25は、ファン26と、例
えば、0.1μm以上の塵埃に対して99.9999%
(6N)以上の捕集率を有するエアフィルタ等の高性能
フィルタ27とを上部に設けている。
渡口、半導体ウエハ収納容器45との受渡口、外気取込
部36以外には、開口部が形成されていない。そして、
床24を介してクリーンルーム50の床上に配置されて
いる。局所クリーンブース部25は、ファン26と、例
えば、0.1μm以上の塵埃に対して99.9999%
(6N)以上の捕集率を有するエアフィルタ等の高性能
フィルタ27とを上部に設けている。
【0029】局所クリーンブース部25の下部には、レ
タンダクト部30と連絡する開口部28が形成されてい
る。局所クリーンブース部25のファン26や図示しな
いロボットなどの搬送装置などからの発熱により局所ク
リーンブース部25内の温度が上昇するので、冷却コイ
ル38によって冷却する。
タンダクト部30と連絡する開口部28が形成されてい
る。局所クリーンブース部25のファン26や図示しな
いロボットなどの搬送装置などからの発熱により局所ク
リーンブース部25内の温度が上昇するので、冷却コイ
ル38によって冷却する。
【0030】冷水コイル38の流量は、外気取込部36
から取り込まれる空気の温度(温度計T1による測
定)、循環空気還り温度(温度計T2による測定)、循
環送り温度(温度計T3による測定)の何れかで制御さ
れるようになっている。クリーンルーム50内の空気
は、ファン39によりレタンダクト部30内に外気取込
部36から取り込まれる。
から取り込まれる空気の温度(温度計T1による測
定)、循環空気還り温度(温度計T2による測定)、循
環送り温度(温度計T3による測定)の何れかで制御さ
れるようになっている。クリーンルーム50内の空気
は、ファン39によりレタンダクト部30内に外気取込
部36から取り込まれる。
【0031】なお、製造装置40では、従来と同様に、
半導体ウエハに露光、現像、成膜、拡散、洗浄等多くの
工程による何れかの処理を施す。なお、半導体ウエハ
は、対応する処理を施すために、その都度半導体ウエハ
収納容器45に収納されて各製造装置40に搬送され、
各製造装置40によって処理が施されて製品とされる。
半導体ウエハ収納容器45は、従来と同様に、内部を高
清浄雰囲気で満たしたフロントオープン一体型ポット
(FOUP)と称される容器から成り、局所クリーンユ
ニット21の外側に設けた載置台46上に置かれてい
る。
半導体ウエハに露光、現像、成膜、拡散、洗浄等多くの
工程による何れかの処理を施す。なお、半導体ウエハ
は、対応する処理を施すために、その都度半導体ウエハ
収納容器45に収納されて各製造装置40に搬送され、
各製造装置40によって処理が施されて製品とされる。
半導体ウエハ収納容器45は、従来と同様に、内部を高
清浄雰囲気で満たしたフロントオープン一体型ポット
(FOUP)と称される容器から成り、局所クリーンユ
ニット21の外側に設けた載置台46上に置かれてい
る。
【0032】次に、斯くして構成された本実施形態に係
る半導体製造装置20の作用を説明する。先ず、局所ク
リーンブース部25のファン26および冷却コイル38
側のファン39を駆動し、クリーンルーム50内の清浄
空気をケミカルフィルタ37を通して取り込み、高性能
フィルタ27にてクラス1程度の高清浄度にした清浄空
気を局所クリーンブース部25内に吹き出す。吹き出さ
れた清浄空気は、局所クリーンブース部25の下部の開
口部28からレタンダクト部30内に導かれ、導入され
た空気と一緒に天井空間部35へ送り出される。
る半導体製造装置20の作用を説明する。先ず、局所ク
リーンブース部25のファン26および冷却コイル38
側のファン39を駆動し、クリーンルーム50内の清浄
空気をケミカルフィルタ37を通して取り込み、高性能
フィルタ27にてクラス1程度の高清浄度にした清浄空
気を局所クリーンブース部25内に吹き出す。吹き出さ
れた清浄空気は、局所クリーンブース部25の下部の開
口部28からレタンダクト部30内に導かれ、導入され
た空気と一緒に天井空間部35へ送り出される。
【0033】このようにして、局所クリーンブース部2
5内に吹き出された清浄空気は、局所クリーンブース部
25→レタンダクト部30→天井空間部35→局所クリ
ーンブース部25の経路を循環する。従って、局所クリ
ーンユニット21内を循環する清浄空気は、従来のよう
にクリーンルーム50へ排出されることがない。
5内に吹き出された清浄空気は、局所クリーンブース部
25→レタンダクト部30→天井空間部35→局所クリ
ーンブース部25の経路を循環する。従って、局所クリ
ーンユニット21内を循環する清浄空気は、従来のよう
にクリーンルーム50へ排出されることがない。
【0034】そして、循環路を流れる清浄空気により、
常に大量の空気をケミカルフィルタを通して導入する必
要がない。つまり、循環路から漏れ出る清浄空気に見合
った清浄空気をケミカルフィルタ37を介してファン3
9により導入すればよい。次に、自動搬送ロボット(A
GV)によって搬送され、載置台46上に置かれた半導
体ウエハ収納容器45は、従来と同様に、その蓋が、半
導体ウエハの受渡口の蓋とともに局所クリーンブース部
25内に設けたオープナーによって開かれる。そして、
搬送装置により半導体ウエハ収納容器45内の半導体ウ
エハが、半導体ウエハ収納容器45と製造装置40との
間で受け渡される。
常に大量の空気をケミカルフィルタを通して導入する必
要がない。つまり、循環路から漏れ出る清浄空気に見合
った清浄空気をケミカルフィルタ37を介してファン3
9により導入すればよい。次に、自動搬送ロボット(A
GV)によって搬送され、載置台46上に置かれた半導
体ウエハ収納容器45は、従来と同様に、その蓋が、半
導体ウエハの受渡口の蓋とともに局所クリーンブース部
25内に設けたオープナーによって開かれる。そして、
搬送装置により半導体ウエハ収納容器45内の半導体ウ
エハが、半導体ウエハ収納容器45と製造装置40との
間で受け渡される。
【0035】所定の処理が施された半導体ウエハは、搬
送装置を操作して半導体ウエハ収納容器45内に収納さ
れる。以上のように、本実施形態によれば、クリーンル
ーム50内の清浄空気を、ファン39により局所クリー
ンユニット21内に取り込むに当たり、ケミカルフィル
タ37を介して化学物質を除去し、その後に、化学物質
を除去した清浄空気を外気取込部36からレタンダクト
部30を介して局所クリーンユニット21内に取り込
み、局所クリーンブース部25のファン26により局所
クリーンブース25内に取り込み、高性能フィルタ27
によりクラス1程度に清浄化して局所クリーンブース2
5内に吹き出し、開口部28を介してレタンダクト部3
0内へ送り出し、再びレタンダクト部30を介して局所
クリーンブース部25内へ戻す循環路を形成することが
できるので、ケミカルフィルタ37を介して導入される
清浄空気量が従来の局所クリーンユニットに比し遙かに
少量となり、ケミカルフィルタ37による除去すべき化
学物質量を低減できる。
送装置を操作して半導体ウエハ収納容器45内に収納さ
れる。以上のように、本実施形態によれば、クリーンル
ーム50内の清浄空気を、ファン39により局所クリー
ンユニット21内に取り込むに当たり、ケミカルフィル
タ37を介して化学物質を除去し、その後に、化学物質
を除去した清浄空気を外気取込部36からレタンダクト
部30を介して局所クリーンユニット21内に取り込
み、局所クリーンブース部25のファン26により局所
クリーンブース25内に取り込み、高性能フィルタ27
によりクラス1程度に清浄化して局所クリーンブース2
5内に吹き出し、開口部28を介してレタンダクト部3
0内へ送り出し、再びレタンダクト部30を介して局所
クリーンブース部25内へ戻す循環路を形成することが
できるので、ケミカルフィルタ37を介して導入される
清浄空気量が従来の局所クリーンユニットに比し遙かに
少量となり、ケミカルフィルタ37による除去すべき化
学物質量を低減できる。
【0036】その結果、ケミカルフィルタ37の交換時
期を延ばすことが可能となる。また、本実施形態では、
半導体ウエハ収納容器37の搬送手段として自動搬送ロ
ボット(AGV)40を用いた場合について説明した
が、これに限らず、例えば、RGV,OHT,PGVな
どを用いても良い。なお、上記実施形態では、ファン3
9によりクリーンルーム50内の清浄空気を外気取込部
36を介して導入する場合について説明したが、ファン
39を用いなくても同様の操作が可能である(請求項1
に対応する)。
期を延ばすことが可能となる。また、本実施形態では、
半導体ウエハ収納容器37の搬送手段として自動搬送ロ
ボット(AGV)40を用いた場合について説明した
が、これに限らず、例えば、RGV,OHT,PGVな
どを用いても良い。なお、上記実施形態では、ファン3
9によりクリーンルーム50内の清浄空気を外気取込部
36を介して導入する場合について説明したが、ファン
39を用いなくても同様の操作が可能である(請求項1
に対応する)。
【0037】その一例を図3により説明する。例えば、
局所クリーンブース部25の高性能フィルタ27の圧力
損出を5mmAq、レタンダクト部30での圧力損出を
1mmAq、冷却コイル38とケミカルフィルタ37で
の圧力損出を5mmAq、局所クリーンブース部25の
開口部28に設けたダンパ28aの圧力損失を6mmA
q、クリーンルーム50を±0mmAq、ファンによる
圧力取得を+12mmAqとする。
局所クリーンブース部25の高性能フィルタ27の圧力
損出を5mmAq、レタンダクト部30での圧力損出を
1mmAq、冷却コイル38とケミカルフィルタ37で
の圧力損出を5mmAq、局所クリーンブース部25の
開口部28に設けたダンパ28aの圧力損失を6mmA
q、クリーンルーム50を±0mmAq、ファンによる
圧力取得を+12mmAqとする。
【0038】そして、局所クリーンブース部25とレタ
ンダクト部30との境界に設置した開口部28のダンパ
28aの開度を小さくして圧力損失を大きくすると、局
所クリーンブース部25が1mmAqでクリーンルーム
50により+圧にするとともに、レタンシャフト部30
が−5mmAqでクリーンルーム50より−圧にするこ
とができる。
ンダクト部30との境界に設置した開口部28のダンパ
28aの開度を小さくして圧力損失を大きくすると、局
所クリーンブース部25が1mmAqでクリーンルーム
50により+圧にするとともに、レタンシャフト部30
が−5mmAqでクリーンルーム50より−圧にするこ
とができる。
【0039】その結果、レタンダクト部30の負圧を利
用して処理外気をクリーンルーム50から取り込むこと
ができる。本実施形態によっても、上記実施形態と同様
の作用効果を得ることができる。図4は、図1,図2に
示す実施形態における冷却コイル38をレタンダクト部
30内に設けた実施形態を示す(請求項4に対応す
る)。
用して処理外気をクリーンルーム50から取り込むこと
ができる。本実施形態によっても、上記実施形態と同様
の作用効果を得ることができる。図4は、図1,図2に
示す実施形態における冷却コイル38をレタンダクト部
30内に設けた実施形態を示す(請求項4に対応す
る)。
【0040】本実施形態においても、図1,図2に示す
実施形態と同様の、冷水コイル38の流量は、外気取込
部36から取り込まれる空気の温度(温度計T1による
測定)、循環空気還り温度(温度計T2による測定)、
循環送り温度(温度計T3による測定)の何れかで制御
されるようになっている。本実施形態によっても、上記
実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
実施形態と同様の、冷水コイル38の流量は、外気取込
部36から取り込まれる空気の温度(温度計T1による
測定)、循環空気還り温度(温度計T2による測定)、
循環送り温度(温度計T3による測定)の何れかで制御
されるようになっている。本実施形態によっても、上記
実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【0041】なお、本実施形態においても、図3に示す
実施形態と同様に、冷却ファン39を設けず、循環路で
のダンパによる開度の調整により圧力を調整することも
可能である(請求項3に対応する)。図5は、図1,図
2に示す実施形態におけるケミカルフィルタ37に代え
て拡散スクラバ60を設けた実施形態を示す(請求項6
に対応する)。
実施形態と同様に、冷却ファン39を設けず、循環路で
のダンパによる開度の調整により圧力を調整することも
可能である(請求項3に対応する)。図5は、図1,図
2に示す実施形態におけるケミカルフィルタ37に代え
て拡散スクラバ60を設けた実施形態を示す(請求項6
に対応する)。
【0042】拡散スクラバ60としては、特開2000
−51647号公報に開示される基体浄化装置、物質捕
集装置および脱臭装置が知られている。拡散スクラバ6
0は、例えば、疎水性の高分子膜(例えば、多孔質フッ
化物(PPTFE)などの高分子材料)で形成されてい
る多孔質内に純水を供給することができる複数の容器を
配し、この容器にクリーンルーム50から導入される清
浄空気を接触させ、空気中の水溶性化学物質を多孔質膜
を介して純水側に拡散して溶解するように構成されてい
る。
−51647号公報に開示される基体浄化装置、物質捕
集装置および脱臭装置が知られている。拡散スクラバ6
0は、例えば、疎水性の高分子膜(例えば、多孔質フッ
化物(PPTFE)などの高分子材料)で形成されてい
る多孔質内に純水を供給することができる複数の容器を
配し、この容器にクリーンルーム50から導入される清
浄空気を接触させ、空気中の水溶性化学物質を多孔質膜
を介して純水側に拡散して溶解するように構成されてい
る。
【0043】拡散スクラバ60は、純水供給路61に設
けた熱交換器62を設けている。熱交換器62における
純水の出口温度が一定となるように、冷水の流量調整を
行う。本実施形態においても、外気取込部36から取り
込まれる空気の温度(温度計T1による測定)、循環空
気還り温度(温度計T2による測定)、循環送り温度
(温度計T3による測定)の何れかが一定となるように
純水の流量制御を行う。
けた熱交換器62を設けている。熱交換器62における
純水の出口温度が一定となるように、冷水の流量調整を
行う。本実施形態においても、外気取込部36から取り
込まれる空気の温度(温度計T1による測定)、循環空
気還り温度(温度計T2による測定)、循環送り温度
(温度計T3による測定)の何れかが一定となるように
純水の流量制御を行う。
【0044】本実施形態では、拡散スクラバ60により
純水に化学成分を吸収させるので、化学物質濃度の少な
い純水を供給すれば、メンテナンスフリーである。従っ
て、ケミカルフィルタを使用する従来方式に比し、メン
テナンスが容易となる。なお、本実施形態においても、
図3に示す実施形態と同様に、冷却ファン39を設け
ず、循環路でのダンパによる開度の調整により圧力を調
整することも可能である(請求項5に対応する)。
純水に化学成分を吸収させるので、化学物質濃度の少な
い純水を供給すれば、メンテナンスフリーである。従っ
て、ケミカルフィルタを使用する従来方式に比し、メン
テナンスが容易となる。なお、本実施形態においても、
図3に示す実施形態と同様に、冷却ファン39を設け
ず、循環路でのダンパによる開度の調整により圧力を調
整することも可能である(請求項5に対応する)。
【0045】図6は、図5に示す実施形態における拡散
スクラバ60をレタンダクト部30内に設けた実施形態
を示す(請求項8に対応する)。本実施形態によって
も、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができ
る。なお、本実施形態においても、図3に示す実施形態
と同様に、冷却ファン39を設けず、循環路でのダンパ
による開度の調整により圧力を調整することも可能であ
る(請求項7に対応する)。
スクラバ60をレタンダクト部30内に設けた実施形態
を示す(請求項8に対応する)。本実施形態によって
も、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができ
る。なお、本実施形態においても、図3に示す実施形態
と同様に、冷却ファン39を設けず、循環路でのダンパ
による開度の調整により圧力を調整することも可能であ
る(請求項7に対応する)。
【0046】図7は、図1,図2に示す実施形態におけ
るケミカルフィルタ37に代えてワッシャ70を設けた
実施形態を示す(請求項10に対応する)。ワッシャ7
0は、ファン39により導入される清浄空気に純水を噴
霧する噴霧部71と、滴下する純水を受ける容器72
と、容器72内の純水を噴霧部71へ送るポンプ73と
で構成されている。
るケミカルフィルタ37に代えてワッシャ70を設けた
実施形態を示す(請求項10に対応する)。ワッシャ7
0は、ファン39により導入される清浄空気に純水を噴
霧する噴霧部71と、滴下する純水を受ける容器72
と、容器72内の純水を噴霧部71へ送るポンプ73と
で構成されている。
【0047】容器72には、熱交換器75を備えた純水
供給路74が設けてある。熱交換器75における純水の
出口温度が一定となるように、冷水の流量調整を行う。
本実施形態においても、外気取込部36から取り込まれ
る空気の温度(温度計T1による測定)、循環空気還り
温度(温度計T2による測定)、循環送り温度(温度計
T3による測定)の何れかが一定となるように純水の流
量制御を行う。
供給路74が設けてある。熱交換器75における純水の
出口温度が一定となるように、冷水の流量調整を行う。
本実施形態においても、外気取込部36から取り込まれ
る空気の温度(温度計T1による測定)、循環空気還り
温度(温度計T2による測定)、循環送り温度(温度計
T3による測定)の何れかが一定となるように純水の流
量制御を行う。
【0048】本実施形態では、ワッシャ70により気体
中に純水を噴霧して気体中の化学成分を純水に吸収させ
るので、化学物質濃度の少ない純水を供給すれば、メン
テナンスフリーである。従って、ケミカルフィルタを使
用する従来方式に比し、メンテナンスが容易となる。
中に純水を噴霧して気体中の化学成分を純水に吸収させ
るので、化学物質濃度の少ない純水を供給すれば、メン
テナンスフリーである。従って、ケミカルフィルタを使
用する従来方式に比し、メンテナンスが容易となる。
【0049】なお、本実施形態においても、図3に示す
実施形態と同様に、冷却ファン39を設けず、循環路で
のダンパによる開度の調整により圧力を調整することも
可能である(請求項9に対応する)。図8は、図7にお
けるワッシャ70をレタンダクト部30内に設けた実施
形態を示す(請求項12に対応する)。
実施形態と同様に、冷却ファン39を設けず、循環路で
のダンパによる開度の調整により圧力を調整することも
可能である(請求項9に対応する)。図8は、図7にお
けるワッシャ70をレタンダクト部30内に設けた実施
形態を示す(請求項12に対応する)。
【0050】本実施形態によっても、上記実施形態と同
様の作用効果を得ることができる。なお、本実施形態に
おいても、図3に示す実施形態と同様に、冷却ファン3
9を設けず、循環路でのダンパによる開度の調整により
圧力を調整することも可能である(請求項11に対応す
る)。図9は、局所クリーンブース部25とクリーンル
ーム50との差圧によって、外気取込部36に取り付け
たダンパーなどの流量調整機構80によって流量制御を
行うものである(請求項13に対応する)。
様の作用効果を得ることができる。なお、本実施形態に
おいても、図3に示す実施形態と同様に、冷却ファン3
9を設けず、循環路でのダンパによる開度の調整により
圧力を調整することも可能である(請求項11に対応す
る)。図9は、局所クリーンブース部25とクリーンル
ーム50との差圧によって、外気取込部36に取り付け
たダンパーなどの流量調整機構80によって流量制御を
行うものである(請求項13に対応する)。
【0051】本実施形態では、局所クリーンブース部2
5とクリーンルーム50とに設けた圧力計により、差圧
を検知し、流量調整機構80のダンパーの開度を調整す
るようにしてある。本実施形態によっても、上記実施形
態と同様の作用効果を得ることができる。
5とクリーンルーム50とに設けた圧力計により、差圧
を検知し、流量調整機構80のダンパーの開度を調整す
るようにしてある。本実施形態によっても、上記実施形
態と同様の作用効果を得ることができる。
【0052】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ケミカ
ルフィルタを介して局所クリーンブース部に取り込まれ
た清浄空気をレタンダクト部を介して循環する流路を移
動させ、従来のように全量をクリーンルーム内に排出す
る物ではないため、ケミカルフィルタによる処理量が少
なくでき、ケミカルフィルタの寿命を長くすることが可
能となる。また、本発明によれば、ケミカルフィルタに
代えて水溶性の化学物質を純水中に溶出させることが可
能となるため、ケミカルフィルタを利用した従来の局所
クリーンブースに比してメンテナンスが容易となる。
ルフィルタを介して局所クリーンブース部に取り込まれ
た清浄空気をレタンダクト部を介して循環する流路を移
動させ、従来のように全量をクリーンルーム内に排出す
る物ではないため、ケミカルフィルタによる処理量が少
なくでき、ケミカルフィルタの寿命を長くすることが可
能となる。また、本発明によれば、ケミカルフィルタに
代えて水溶性の化学物質を純水中に溶出させることが可
能となるため、ケミカルフィルタを利用した従来の局所
クリーンブースに比してメンテナンスが容易となる。
【図1】本発明の第一実施形態に係る半導体製造装置の
斜視図に相当する説明図である。
斜視図に相当する説明図である。
【図2】本発明の第一実施形態に係る半導体製造装置の
断面図に相当する説明図である。
断面図に相当する説明図である。
【図3】本発明の別の実施形態に係る半導体製造装置の
断面図に相当する説明図である。
断面図に相当する説明図である。
【図4】本発明のさらに別の実施形態に係る半導体製造
装置の断面図に相当する説明図である。
装置の断面図に相当する説明図である。
【図5】本発明のまた別の実施形態に係る半導体製造装
置の断面図に相当する説明図である。
置の断面図に相当する説明図である。
【図6】本発明のまた別の実施形態に係る半導体製造装
置の断面図に相当する説明図である。
置の断面図に相当する説明図である。
【図7】本発明のまた別の実施形態に係る半導体製造装
置の断面図に相当する説明図である。
置の断面図に相当する説明図である。
【図8】本発明のまた別の実施形態に係る半導体製造装
置の断面図に相当する説明図である。
置の断面図に相当する説明図である。
【図9】本発明のまた別の実施形態に係る半導体製造装
置の断面図に相当する説明図である。
置の断面図に相当する説明図である。
【図10】従来の導体製造装置の断面図に相当する説明
図である。
図である。
【図11】従来の導体製造装置の斜視図に相当する説明
図である。
図である。
20 半導体装置
21 局所クリーンユニット
22 ユニット本体
25 局所クリーンブース部
26 ファン
27 高性能フィルタ
28 開口部
30 レタンダクト部
35 天井空間部
36 外気取込部
37 ケミカルフィルタ
38 冷水コイル
39 ファン
40 製造装置
45 半導体ウエハ収納容器
50 クリーンルーム
60 拡散スクラバ
61 純水供給路
62 熱交換器
70 ワッシャ
71 噴霧部
72 容器
73 ポンプ
74 純水供給路
75 熱交換器
80 流量調整機構
フロントページの続き
(72)発明者 植村 聡
東京都千代田区有楽町1丁目4番1号 三
機工業株式会社内
(72)発明者 城間 直
東京都千代田区有楽町1丁目4番1号 三
機工業株式会社内
Fターム(参考) 4D058 JA14 KC02 QA01 QA13 QA21
SA04 TA02 UA01 UA03 UA25
Claims (13)
- 【請求項1】 クリーンルーム内に設置された半導体製
造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたケミカルフィルタと、 このケミカルフィルタに連接して設けた冷水コイルとを
備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項2】 クリーンルーム内に設置された半導体製
造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置と を備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたケミカルフィルタと、 このケミカルフィルタに連接して設けた冷水コイルと、 この冷水コイルに連接して設けたファンとを備えたこと
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項3】 クリーンルーム内に設置された半導体製
造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト部内に設けた冷水コイルと、 前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたケミカルフィルタとを備えたこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項4】 クリーンルーム内に設置された半導体製
造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト部内に設けた冷水コイルと、 前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたケミカルフィルタと、 このケミカルフィルタに連接して設けたファンとを備え
たことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項5】 クリーンルーム内に設置された半導体製
造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けた拡散スクラバと、 この拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを
備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項6】 クリーンルーム内に設置された半導体製
造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けた拡散スクラバと、 この拡散スクラバに連接して設けたファンと、 前記拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを
備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項7】 クリーンルーム内に設置された半導体製
造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 前記レタンダクト内に設けた拡散スクラバと、 この拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを
備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項8】 クリーンルーム内に設置された半導体製
造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたファンと、 前記レタンダクト内に設けた拡散スクラバと、 この拡散スクラバへの純水供給路に設けた熱交換器とを
備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項9】 クリーンルーム内に設置された半導体製
造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたワッシャと、 このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器とを備え
たことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項10】 クリーンルーム内に設置された半導体
製造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、この局所クリーンブース部の下部
側と前記ファンと前記高性能フィルタとの上 部側とを連絡するレタンダクト部と、 このレタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたワッシャと、 このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、 前記ワッシャに連接して設けたファンとを備えたことを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項11】 クリーンルーム内に設置された半導体
製造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト内に設けたワッシャと、 このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、 前記レタンダクト部に設けた外気取込部とを備えたこと
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項12】 クリーンルーム内に設置された半導体
製造装置において、 前記クリーンルーム内の空気をファンにより高性能フィ
ルタを通して取り込み、区画内を所定の清浄度に保つ局
所クリーンユニットと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンユニッ
ト外に設置された製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
を介して前記局所クリーンユニット外に配設された半導
体ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンユニット内に設置されて前記半導体ウ
エハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容
器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを
備え、 前記局所クリーンユニットは、 前記ファンと前記高性能フィルタとを上部に設けた局所
クリーンブース部と、 この局所クリーンブース部の下部側と前記ファンと前記
高性能フィルタとの上部側とを連絡するレタンダクト部
と、 このレタンダクト内に設けたワッシャと、 このワッシャへの純水供給路に設けた熱交換器と、 前記レタンダクト部に設けた外気取込部と、 この外気取込部に設けたファンとを備えたことを特徴と
する半導体製造装置。 - 【請求項13】 請求項1ないし請求項12の何れか1
項記載の半導体製造装置において、 前記空気取込口には、前記クリーンルームと前記局所ク
リーンブース部との差圧により前記レタンダクト内に取
り込む空気量を制御する流量調整機構が設けられている
ことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001236886A JP2003051431A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001236886A JP2003051431A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003051431A true JP2003051431A (ja) | 2003-02-21 |
Family
ID=19068070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001236886A Pending JP2003051431A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003051431A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006183929A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Hokkaido Univ | クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法 |
JP2007170813A (ja) * | 2006-12-26 | 2007-07-05 | Hokkaido Univ | クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法 |
JP2008232612A (ja) * | 2008-03-19 | 2008-10-02 | Hokkaido Univ | クリーンユニット、連結クリーンユニットおよびプロセス方法 |
JP2008296069A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Kondo Kogyo Kk | 薄板状物製造装置における、微粒子、または微粒子並びに有害ガスの除去を目的とする空気清浄装置 |
JP2010223465A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | クリーン空調システム |
JP2015503079A (ja) * | 2011-12-05 | 2015-01-29 | アエシント トプコ ベスローテン フェンノートシャップ | 医薬品を調製するための機械 |
-
2001
- 2001-08-03 JP JP2001236886A patent/JP2003051431A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006183929A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Hokkaido Univ | クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法 |
JP2007170813A (ja) * | 2006-12-26 | 2007-07-05 | Hokkaido Univ | クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法 |
JP2008296069A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Kondo Kogyo Kk | 薄板状物製造装置における、微粒子、または微粒子並びに有害ガスの除去を目的とする空気清浄装置 |
JP2008232612A (ja) * | 2008-03-19 | 2008-10-02 | Hokkaido Univ | クリーンユニット、連結クリーンユニットおよびプロセス方法 |
JP2010223465A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | クリーン空調システム |
JP2015503079A (ja) * | 2011-12-05 | 2015-01-29 | アエシント トプコ ベスローテン フェンノートシャップ | 医薬品を調製するための機械 |
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