JP2003046869A - 固体撮像装置およびそれを用いた固体撮像システム - Google Patents
固体撮像装置およびそれを用いた固体撮像システムInfo
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Abstract
り発生する画素のkTCノイズを抑制する。 【解決手段】 垂直走査回路22からのパルス信号φV
nが画素セル1の垂直選択MOSFET5のゲート端子
に入力されて、所定の行が選択されている期間に、フォ
トダイオード2からの信号電荷をリセットする直前の明
状態の信号と、フォトダイオード2からの信号電荷をリ
セットする直前より1フレーム遅延した暗状態の信号と
の差分に基づいて信号のノイズ成分を低減するようにな
っている。
Description
びそれを用いた固体撮像システムに関し、特に、画素部
のリセットスイッチのON/OFF動作により発生する
kTCノイズを抑制することができる固体撮像装置およ
びそれに用いる固体撮像システムに関する。
幅用トランジスタ(Tr)の閾値電圧のばらつきによ
り、画面上の特定部分に上下方向の縞模様等が現れる固
定パターンノイズ(FPN:Fixed Patter
n Noise)が発生することがある。この固定パタ
ーンノイズを抑制するために、各画素における明状態の
映像信号と暗状態の映像信号との変化分をサンプルホー
ルドするという相関2重サンプリング(CDS:Cor
related Double Sampling)回路
を用いることが知られている。
は、相関2重サンプリング(以下CDSと記す)回路を
用いて固定パターンノイズを抑制する構成が開示されて
いる。図6は、特開平6−217205号公報に開示さ
れている固体撮像装置の構成の回路図を示す。図6に示
す固体撮像装置は、1つの画素に1つのMOSFETを
内蔵した内部増幅型の複数の画素セル100がマトリク
ス状に配列された撮像領域200と、行単位に各画素セ
ル100を選択する垂直走査回路300と、列単位に各
画素セル100を選択する水平走査回路400とを有し
ている。
れた垂直信号線VS1、VS2・・・VSnには、それ
ぞれ対応する各画素セル100のMOSFETのソース
端子が接続され、行方向に配列された水平信号線VL
1、VL2・・・VLnには、それぞれ対応する各画素
セル100のMOSFETのゲート端子が接続されてい
る。また、各画素セル100のMOSFETのドレイン
端子には、電源電圧Vddが印加されるようになってい
る。各垂直信号線VS1、VS2・・・VSnの水平走
査回路400側には、各画素セル100における光電変
換に伴う信号電流を信号電圧V1、V2・・・Vnに変
換する負荷抵抗RLおよびCDS回路500がそれぞれ
並列に接続されている。
MOSFETのドレイン端子に接続され、各スイッチン
グ用MOSFETのソース端子は、固体撮像装置の出力
端子φに通じるビデオラインLに、それぞれ接続されて
いる。水平走査回路400からの列選択線HL1、HL
2・・・HLnは、それぞれ対応するスイッチング用M
OSFETのゲート端子に接続されている。
成により、水平ブランキング期間中に、垂直走査回路3
00にて選択されたn行目の画素セル100のリセット
前の信号(明状態の映像信号)とリセット後の信号(暗
状態の映像信号)を読みだし、CDS回路5によりそれ
らの信号の差分に基づいて固定パターンノイズを抑制し
ている。
Sイメージセンサの小型化に伴ってフォトダイード(P
D)のサイズも縮小化されており、そのためリセットス
イッチのON/OFF動作により発生するランダムノイ
ズである熱雑音のkTCノイズが無視できなくなってき
た。
√(kT/C)で表され、フォトダイオードの容量Cが
小さくなるほどkTCノイズのバラツキが増大し、映像
信号に対する影響が大きくなる。このため、画像の品質
向上を図るには、従来から行われていた固定パターンノ
イズの抑制だけでなく、リセットスイッチのON/OF
F動作に起因する各画素セルにおけるkTCノイズの抑
制も行わなければならない。
ードのポテンシャル電位の時間的変化を示したタイミン
グチャートである。図中のVRiは、iフレーム目の暗
状態の信号電位を示し、VSiは、iフレーム目の光電
変換によって蓄積された電荷による明状態の信号電位を
示している。図6に示す従来の固体撮像装置のCDS回
路500による固定パターンノイズを抑制する方法で
は、1回のリセット動作の前後で得られる信号は、iフ
レーム目の明状態の映像信号であるVSi信号とi+1
フレーム目の暗状態の映像信号であるVRi+1信号の
差分をとって画素の映像信号(VSi−VRi+1)と
し、固定パターンノイズを抑制している。
間的なばらつきであるランダムノイズであるために、異
なるフレームにおいて同一画素のリセット動作を行って
も、前述のkTCノイズがばらつき、暗状態の信号電位
(リセット直後の信号電位)は、毎回異なる値をとるこ
とになる。したがって、VSiとVRi+1との信号の
差分をとるだけでは、リセット動作に起因する各画素の
kTCノイズを、完全に抑制することができない。各画
素のkTCノイズを抑制するには、リセット直後の暗状
態の信号VRiと、そのリセット動作以降に光電変換に
よってフォトダイオードに蓄積された明状態の信号VS
iとの差分をとらなければならない。言い換えると、真
の画像信号は、同一フレーム内において明状態の信号V
Siと暗状態の信号VRiとの差分(VSi−VRi)
を取ることによって得られる。
の解決方法が、映像情報メディア学会(「CMOSイメ
ージセンサーにおける低電圧駆動埋め込みPDの解
析」、井上他、VOL.24、NO.27、P5、20
00年映像情報メディア学会技術報告)において報告さ
れている。この方法による固体撮像装置は、4個のMO
SFETと、1個のフォトダイオードとにより1つの画
素セルが構成されており、フォトダイオードの埋め込み
技術と信号電荷の完全転送技術により、各画素に生じる
kTCノイズ成分を抑制している。しかしながら、この
方法を用いて信号を完全転送させるには、フォトダイオ
ードを形成する場合に埋め込み技術等の特別なプロセス
が必要であり、さらに、1画素内部に4個のMOSFE
Tを配置することが必要となるため、1つの画素セルの
面積が大きくなってしまう問題がある。
であり、固定パターンノイズを抑制するとともに、画素
セルの面積を大きくすることなく光電変換による信号の
リセット動作により発生する画素のkTCノイズも抑制
する固体撮像素子を提供することを目的とする。
は、マトリクス状に配列されている複数の画素セルを行
単位に選択する垂直走査回路と、列単位に選択する水平
走査回路とを有する固体撮像装置であって、該垂直走査
回路から出力される信号がいずれかの画素セルに入力さ
れて、所定の行が選択されている期間に、該画素セルに
発生した信号電荷をリセットする直前の明状態の信号
と、該信号電荷をリセットする直前より1フレーム遅延
した暗状態の信号との差分に基づいて信号のノイズ成分
を低減するようになっていることを特徴とする。
Tを有している。
ォトダイオードと、該フォトダイオードに発生した信号
電荷を電気信号に変換する増幅用MOSFETと、該フ
ォトダイオードに発生した信号電荷をリセットするリセ
ットMOSFETと、該増幅用MOSFETにより変換
された電気信号を選択的に出力する行選択MOSFET
とを有している。
る前記画素セルを選択するリセット選択用スイッチング
素子が接続されている。
内蔵されているメモリに記憶される。
フレームメモリに記憶される。
請求項6のいずれかに記載の固体撮像装置を有する。
の実施の形態を説明する。
体撮像装置の構成を示す回路図である。図1において、
点線で囲まれた領域が1つの画素セル1であり、画素セ
ル1は、3個のMOSFETと1個のフォトダイオード
(PD)とを有している。図1では、説明を簡略化する
ために、n行、m列の画素セル1について表している。
配列された複数の単位画素セル1と、行方向に各画素セ
ル1を選択する垂直走査回路22と、列方向に各画素セ
ル1を選択する水平走査回路23とを有している。
ダイオード2と、フォトダイオードに蓄積された信号電
荷を電気信号に変換する増幅用MOSFET3と、フォ
トダイオードに蓄積された信号電荷をリセットするリセ
ットMOSFET4と、フォトダイオードからの信号を
選択的に垂直信号線に出力する垂直選択MOSFET5
を有している。垂直選択MOSFET5のゲート端子お
よびソース端子は、それぞれ垂直走査回路22および垂
直信号線8に接続されている。垂直選択MOSFET5
のドレイン端子は、増幅用MOSFET3のソース端子
に接続され、増幅用MOSFET3のドレイン端子およ
びゲート端子は、それぞれ電源ライン7およびリセット
MOSFET4のソース端子に接続されている。リセッ
トMOSFET4のドレイン端子およびゲート端子は、
それぞれ電源ライン6および垂直走査回路22に接続さ
れている。リセットMOSFET4のソース端子には、
フォトダイオード2のカソード端子が接続され、フォト
ダイオード2のアノード端子は、アースに接地されてい
る。
換に伴う信号電流を信号電圧に変換する負荷抵抗RLが
接続されている。垂直信号線8には、スイッチaおよび
bが並列に接続されており、各スイッチaおよびbにそ
れぞれメモリ9および10が直列に接続されている。メ
モリ9および10は、それぞれスイッチcおよびdを介
して、水平選択MOSFET20のドレイン端子に接続
されている。水平選択MOSFET20のゲート端子お
よびソース端子は、それぞれ水平走査回路23および水
平信号線21に接続されている。水平信号線21には、
スイッチeおよびfが並列に接続されており、各スイッ
チeおよびfがそれぞれ減算器25の一方の入力端子お
よび外部フレームメモリ24に接続されている。外部フ
レームメモリ24は、スイッチgを介して減算器25の
他方の入力端子に接続されている。
置の動作について説明する。
ンキング期間の動作について、図2に示すのタイミング
チャートを用いて説明する。水平ブランキング期間中の
時刻T0において、垂直走査回路22から出力されるパ
ルス信号φVnが垂直選択MOSFET5のゲート端子
に入力され、n行目の画素セル1が選択される。この場
合、選択されたn行目の信号線に接続されている全ての
画素セル1の明状態の信号が各列の垂直信号線8に出力
される。垂直信号線8に出力された明状態の信号は、時
刻T0にてON状態となるスイッチaを介してメモリ9
に入力されて、記憶される。
2から出力されるパルス信号φRnがリセットMOSF
ET4のゲート端子に入力され、リセットMOSFET
4は導通状態になり、フォトダイオード2のカソード端
子の電位は、リセット電位VPDにリセットされて、n
行目の信号線に接続された全ての画素セル1の暗状態の
信号が各列の垂直信号線8に出力される。垂直信号線8
に出力された暗状態の信号は、時刻T1にてON状態と
なるスイッチbを介してメモリ10に入力されて、記憶
される。
一連の動作によって、固体撮像装置のn行目の信号線に
接続された画素セル1の明状態の信号および暗状態の信
号は、それぞれ水平方向の画素セル1の数と同数のメモ
リ9およびメモリ10に記憶される。メモリ9は、明状
態の信号を記憶し、メモリ10は、暗状態の信号を記憶
する。
だし期間の動作について、図3に示すのタイミングチャ
ートを用いて説明する。水平読みだし期間中の時刻Ta
において、水平走査回路23から出力されるパルス信号
φHmがm列の水平選択MOSFET20のゲート端子
に入力され、水平選択MOSFET20は導通状態にな
る。同時に、時刻TaにてON状態となるスイッチcを
介して、メモリ9に記憶されているn行、m列の画素セ
ル1の明状態の信号Snmが、水平選択MOSFET2
0を通過して水平信号線21に出力され、時刻Taにて
ON状態となるスイッチeを介して減算器25に入力さ
れる。また、時刻Taにおいて、外部フレームメモリ2
4に記憶されている画素セル1の1フレーム前の暗状態
の信号が、時刻TaにてON状態となるスイッチgを介
して減算器25に入力される。この場合、減算器25か
らの出力信号は、リセット直後の暗状態の信号と、リセ
ット動作以降のフォトダイオード2に蓄積された明状態
の信号との差分の信号であり、リセット動作による画素
セル1の信号の時間的なばらつきであるkTCノイズを
抑制することができる。
の信号Bmnの値は、時刻TbにおいてON状態となる
スイッチdを介して、水平選択MOSFET20を通過
して水平信号線21に出力され、時刻TbにてON状態
となるスイッチfを介して、外部フレームメモリ24に
入力される。そして、暗状態の信号Bmnの値が更新さ
れる。
の動作によって、固体撮像装置は、明状態の信号と、1
フレーム遅延した暗状態の信号とを減算器25において
差分処理を行い画素セル1からkTCノイズの抑制され
た真の画像信号として出力することが可能となる。
体撮像装置の構成を示す回路図である。図4において、
点線で囲まれた領域が1つの画素セル1であり、画素セ
ル1は、4個のMOSFETと1個のフォトダイオード
(PD)とを有している。図3に示す第2の実施形態で
ある固体撮像装置では、リセットする画素セル1を選択
するためのリセット選択MOSFET11が設けられて
おり、リセット選択MOSFET11のゲート端子は、
水平走査回路23に接続されており、リセット選択MO
SFET11のドレイン端子およびソース端子は、それ
ぞれ垂直走査回路22およびリセットMOSFET4の
ゲート端子に接続されている。また、垂直信号線8は、
直接水平選択MOSFET20のドレイン端子に接続さ
れている。その他の構成については、図1に示す第1の
実施形態の固体撮像装置と同様である。
の動作について、図5のタイミングチャートを用いて説
明する。光電変換によってフォトダイオード2に蓄積さ
れた信号電荷は、増幅用MOSFET3によって電気信
号に変換される。そして、水平読みだし期間に入ると、
時刻T0において、垂直走査回路22から垂直走査パル
スφVnが出力され、垂直選択MOSFETタ5のゲー
ト端子に入力される。これにより、垂直選択MOSFE
Tタ5を通過して明状態の信号が垂直信号線8に出力さ
れる。
3から水平走査パルスφHSmが出力され、水平選択用
MOSFET20のゲート端子に入力されて、画素セル
1の明状態の信号Snmが、水平選択用MOSFET2
0を通過して、水平信号線21に出力される。水平信号
線21に出力された明状態の信号Snmは、時刻T1に
てON状態となるスイッチeを介して、減算器25に入
力される。また、時刻T1において、外部フレームメモ
リ24に記憶されている画素セル1の1フレーム前の暗
状態の信号が、時刻T1にてON状態となるスイッチg
を介して減算器25に入力される。この場合、減算器2
5からの出力信号は、リセット直後の暗状態の信号と、
リセット動作以降のフォトダイオード2に蓄積された明
状態の信号との差分の信号でありリセット動作による画
素セル1の信号の時間的なばらつきであるkTCノイズ
を抑制することができる。
出力した同一画素セル1に対し、水平走査回路23から
水平選択リセットパルスφHRmがリセット選択MOS
FET11のゲート端子に入力されることによって、リ
セットMOSFET4のゲート端子に、垂直走査パルス
φVnと同じタイミングで発生するリセットパルスφV
Rnが入力され、リセットMOSFET4は導通状態に
なり、n行、m列の画素セル1のフォトダイオード2の
カソード端子の電位は、リセット電位VPDにリセット
される。リセット後の暗状態の信号が、導通状態にある
垂直選択MOSFET5、垂直信号線8および導通状態
にある水平選択MOSFET20を通過して水平信号線
21に出力され、時刻T2にてON状態となるスイッチ
fを介して外部フレームメモリ24に入力され、暗状態
の信号の値が更新される。
の一連の動作によって、明状態の信号と、1フレーム遅
延した暗状態の信号とを減算器25において差分処理を
行い画素セル1からkTCノイズの抑制された真の画像
信号として出力することが可能となる。尚、第2の実施
形態の固体撮像装置では、リセットする画素セル1を選
択するためのリセット選択MOSFET11が付加され
るため、画素セル1の面積が大きくなるが、従来のフォ
トダイオード(PD)形成時における埋め込み技術等の
特別なプロセスを用いる必要はない。
の固体撮像装置では、CMOSイメージセンサを用いて
いるが、内部増幅型の電荷変調デバイス(CMD:Ch
arge Modulation Device)等のイ
メージセンサも、用いても良い。そして、明状態の信号
と、1フレーム遅延した暗状態の信号とを減算器等によ
り差分処理して画素セルのkTCノイズの抑制する本発
明の固体撮像装置を用いた固体撮像システムに対して
も、電荷変調デバイス(CMD)は応用できる。
イオードに蓄積される信号電荷が飽和することを防止す
るために、信号電荷の蓄積時間中にフォトダイオードを
リセットするシャッター動作が知られているが、シャッ
ター動作を行なう場合は、リセットした暗状態の信号を
読みだすことができないために、本発明の固体撮像シス
テムによる画素セルのkTCノイズの抑制は困難とな
る。しかしながら、シャッター動作を行なう場合には、
明状態の信号レベルは非常に大きく、kTCノイズを抑
制できなくても画素信号のS/N比を大きくとることが
できるために、画像の品質に大きな影響を与えない。
から出力される信号がいずれかの画素セルに入力され
て、所定の行が選択されている期間に、画素セルに発生
した信号電荷をリセットする直前の明状態の信号と、信
号電荷をリセットする直前より1フレーム遅延した暗状
態の信号との差分に基づいて信号のノイズ成分を低減す
るようになっていることにより、固定パターンノイズを
抑制するとともに、画素セルの面積を大きくすることな
く光電変換による信号のリセット動作により発生する画
素のkTCノイズが抑制できる。
構成を示す回路図である。
ンキング期間のタイミングチャートである。
だし期間のタイミングチャートである。
構成を示す回路図である。
だし期間のタイミングチャートである。
る。
シャル電位の時間的変化を示したタイミングチャートで
ある。
Claims (7)
- 【請求項1】 マトリクス状に配列されている複数の画
素セルを行単位に選択する垂直走査回路と、列単位に選
択する水平走査回路とを有する固体撮像装置であって、 該垂直走査回路から出力される信号がいずれかの画素セ
ルに入力されて、所定の行が選択されている期間に、該
画素セルに発生した信号電荷をリセットする直前の明状
態の信号と、該信号電荷をリセットする直前より1フレ
ーム遅延した暗状態の信号との差分に基づいて信号のノ
イズ成分を低減するようになっていることを特徴とする
固体撮像装置。 - 【請求項2】 前記画素セルが、自己増幅型のMOSF
ETを有している請求項1に記載の固体撮像装置。 - 【請求項3】 前記画素セルが、入射光を光電変換する
フォトダイオードと、該フォトダイオードに発生した信
号電荷を電気信号に変換する増幅用MOSFETと、該
フォトダイオードに発生した信号電荷をリセットするリ
セットMOSFETと、該増幅用MOSFETにより変
換された電気信号を選択的に出力する行選択MOSFE
Tとを有している請求項1に記載の固体撮像装置。 - 【請求項4】 前記リセットMOSFETに、リセット
する前記画素セルを選択するリセット選択用スイッチン
グ素子が接続されている請求項3に記載の固体撮像装
置。 - 【請求項5】 前記1フレーム遅延した暗状態の信号
は、内蔵されているメモリに記憶される請求項1〜4の
いずれかに記載の固体撮像装置。 - 【請求項6】 前記1フレーム遅延した暗時信号は、外
部フレームメモリに記憶される請求項1〜4のいずれか
に記載の固体撮像装置。 - 【請求項7】 請求項1〜請求項6のいずれかに記載の
固体撮像装置を有する固体撮像システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001226838A JP2003046869A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 固体撮像装置およびそれを用いた固体撮像システム |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2001226838A JP2003046869A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 固体撮像装置およびそれを用いた固体撮像システム |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003046869A true JP2003046869A (ja) | 2003-02-14 |
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ID=19059590
Family Applications (1)
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JP (1) | JP2003046869A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014068109A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像装置 |
US9667893B2 (en) | 2013-11-19 | 2017-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Noise removing device and imaging device |
-
2001
- 2001-07-26 JP JP2001226838A patent/JP2003046869A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014068109A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像装置 |
US9667893B2 (en) | 2013-11-19 | 2017-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Noise removing device and imaging device |
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