JP2003046239A - Multilayer wiring board and method of manufacturing it - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板及び
半導体素子収納用パッケージなどに適した多層配線基板
の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board, a multilayer wiring board suitable for a package for housing a semiconductor element, and the like.
【０００２】[0002]
【従来技術】従来、配線基板、例えば、半導体素子を収
納するパッケージに使用される多層配線基板として、比
較的高密度の配線が可能な多層セラミック配線基板が多
用されている。この多層セラミック配線基板は、アルミ
ナやガラスセラミックなどの絶縁基板と、その表面に形
成されたＷやＭｏ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属からなる配線導
体とから構成されるもので、この絶縁基板の一部にキャ
ビティが形成され、このキャビティ内に半導体素子が収
納され、蓋体によってキャビティを気密に封止されるも
のである。2. Description of the Related Art Hitherto, as a wiring board, for example, a multilayer wiring board used for a package accommodating a semiconductor element, a multilayer ceramic wiring board capable of relatively high-density wiring has been widely used. This multilayer ceramic wiring board is composed of an insulating substrate such as alumina or glass ceramic and a wiring conductor formed on the surface thereof and made of a metal such as W, Mo, Cu, or Ag. A cavity is formed in the portion, the semiconductor element is housed in the cavity, and the cavity is hermetically sealed by the lid.
【０００３】近年、高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半
導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各
種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用され
る配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量
化が要求されており、アルミナ系セラミック材料に比較
して低い誘電率が得られ、配線層としてＣｕ等の低抵抗
金属を用いることができることから、焼成温度が１００
０℃以下のいわゆるガラスセラミック配線基板が一層注
目されている。In recent years, a high density has been achieved in a wiring board applied to a semiconductor element housing package for mounting semiconductor elements such as IC and LSI, which are becoming highly integrated, and a hybrid integrated circuit device in which various electronic components are mounted. There is a demand for higher resistance, lower resistance, smaller size and lighter weight, a lower dielectric constant than that of an alumina ceramic material can be obtained, and a low resistance metal such as Cu can be used for the wiring layer.
The so-called glass-ceramic wiring board having a temperature of 0 ° C. or lower is receiving more attention.
【０００４】ところが、このようなガラスセラミック配
線基板において、配線層を形成する手法としては、Ｃ
ｕ、Ａｇ等の金属からなる配線導体を主成分とするメタ
ライズペーストを、スクリーン印刷法等によって絶縁基
板上に印刷する。しかし、このような手法を用いた場
合、配線幅１００μｍ以下を形成するのが困難であり、
今後必要とされる更なる高密度化、小型軽量化の達成を
阻む原因であった。電気抵抗についてもペーストで配線
層を形成させるために空隙が多く存在し、低抵抗化が困
難という問題があった。However, in such a glass-ceramic wiring board, a method for forming a wiring layer is C
A metallizing paste whose main component is a wiring conductor made of a metal such as u or Ag is printed on the insulating substrate by a screen printing method or the like. However, when such a method is used, it is difficult to form a wiring width of 100 μm or less,
This was a cause of hindering the achievement of higher densities, smaller size and lighter weight, which are required in the future. Regarding the electric resistance, there are many voids because the wiring layer is formed by the paste, and there is a problem that it is difficult to reduce the resistance.
【０００５】この問題を解決する手法としては、ガラス
セラミックグリーンシートにおける配線層を、エッチン
グした金属箔によって形成する手法が知られている（特
開昭６３−１４４９３号公報）。As a method of solving this problem, there is known a method of forming a wiring layer in a glass ceramic green sheet with an etched metal foil (Japanese Patent Laid-Open No. 63-14493).
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述の公報において、
金属箔によって形成された配線パターンとガラスセラミ
ック基板の接合強度は、通常のペースト印刷法（スクリ
ーン印刷法）で形成した配線パターンの接合強度と比較
して弱いという問題があった。DISCLOSURE OF THE INVENTION In the above publication,
There is a problem that the bonding strength between the wiring pattern formed of the metal foil and the glass ceramic substrate is weaker than the bonding strength of the wiring pattern formed by the ordinary paste printing method (screen printing method).
【０００７】また、その対策として金属箔の表面粗さを
規定し、アンカー効果によって接合強度を強くする方法
も提案されている（特開平１１−３３０６９７号公報）
が、この方法によれば、金属箔の表面粗さが粗いため、
配線幅５０μｍ以下の微細配線の形成が難しく、そのた
めに１ＧＨｚ以上の周波数領域での伝送特性が悪化する
という問題があった。As a countermeasure, a method has been proposed in which the surface roughness of the metal foil is defined and the bonding strength is increased by the anchor effect (Japanese Patent Laid-Open No. 11-330697).
However, according to this method, since the surface roughness of the metal foil is rough,
There is a problem in that it is difficult to form fine wiring having a wiring width of 50 μm or less, and therefore, the transmission characteristics in the frequency region of 1 GHz or more deteriorate.
【０００８】更に、上記の場合、配線幅が５０μｍ以下
の微細配線を形成しようとした際、配線間のエッチング
不良によるショートや、金属箔からなる配線層表面にＡ
ｕメッキを施した時に不要な絶縁基板表面にまで付着す
るメッキ拡がりが発生するなどの問題があった。Further, in the above case, when an attempt is made to form a fine wiring having a wiring width of 50 μm or less, a short circuit due to an etching defect between the wirings or A on the wiring layer surface made of a metal foil is formed.
When u-plating is applied, there is a problem that plating spreads that adheres to unnecessary insulating substrate surfaces.
【０００９】本発明の目的は、金属箔などの高純度の配
線層とガラスセラミック基板の接合強度を向上させ、配
線パターンの微細化にも容易に対応できる多層配線基板
およびその製造方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a multilayer wiring board and a method for manufacturing the same, which can improve the bonding strength between a high-purity wiring layer such as a metal foil and a glass ceramic substrate and can easily cope with miniaturization of a wiring pattern. Especially.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
について検討した結果、銅箔などの高純度金属導体の少
なくとも絶縁基板と接する面にＳｎ、Ｚｎの少なくとも
1種の金属を含む金属層を形成し、該金属を絶縁基板中
に所定の厚みにわたって拡散させることによって接合強
度が向上することを見出した。Means for Solving the Problems As a result of studying the above problems, the present inventors have found that at least a surface of a high-purity metal conductor such as a copper foil which is in contact with an insulating substrate contains at least Sn or Zn.
It has been found that the bonding strength is improved by forming a metal layer containing one kind of metal and diffusing the metal into the insulating substrate over a predetermined thickness.
【００１１】即ち、本発明の多層配線基板は、ガラスセ
ラミックからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面及び／
又は内部にＣｕを９９．５重量％以上含有する高純度の
金属導体で配線層を形成した多層配線基板において、該
配線層の少なくとも絶縁基板と接する界面にＳｎ、Ｚｎ
の少なくとも１種の金属を含む拡散層が１〜４０μｍの
厚みで存在することを特徴とするものである。また、前
記配線層の厚みが３０μｍ以下であり、また銅箔からな
ることが微細な回路を形成する上で望ましい。That is, the multilayer wiring board of the present invention comprises an insulating substrate made of glass ceramic, a surface of the insulating substrate, and / or
Alternatively, in a multilayer wiring board in which a wiring layer is formed of a high-purity metal conductor containing Cu in an amount of 99.5% by weight or more, Sn, Zn is present at least at the interface of the wiring layer in contact with the insulating substrate.
The diffusion layer containing at least one kind of metal is present in a thickness of 1 to 40 μm. Further, it is desirable that the wiring layer has a thickness of 30 μm or less and that it is made of copper foil in order to form a fine circuit.
【００１２】また、本発明の多層配線基板の製造方法に
よれば、銅の含有量が９９．５重量％以上の高純度金属
導体からなる配線層の少なくとも片面に厚みが１０〜２
５０ｎｍのＳｎ、Ｚｎの少なくとも１種を含む金属層を
形成した後、この配線層を所定のセラミック成分を含む
グリーンシートの表面に前記金属層がグリーンシートと
接するように積層し、８００〜１０５０℃で焼成するこ
とを特徴とするものであり、前記高純度金属導体が銅箔
からなり、その厚みが３０μｍ以下であることが微細回
路を形成する上で望ましい。Further, according to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, the thickness of the wiring layer made of a high-purity metal conductor having a copper content of 99.5% by weight or more has a thickness of 10 to 2 on at least one side.
After forming a metal layer containing 50 nm of at least one of Sn and Zn, this wiring layer is laminated on the surface of a green sheet containing a predetermined ceramic component so that the metal layer contacts the green sheet, and the temperature is 800 to 1050 ° C. It is desirable that the high-purity metal conductor is made of copper foil and that the thickness thereof is 30 μm or less in order to form a fine circuit.
【００１３】また、焼成時に、前記積層体の少なくとも
一方の表面に難焼結性セラミック材料を主体とするセラ
ミックシートを接着し、焼成した後、前記セラミックシ
ートを除去することによって、Ｘ−Ｙ方向への収縮を抑
制し、絶縁層と高純度金属導体との焼成の歪みを抑制し
つつ焼成することができる。この難焼結性セラミック材
料は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＢＮ、Ｔ
ｉＯ2の群から選ばれる少なくとも１種および／または
これらの複合酸化物を主体とすることが望ましい。Further, at the time of firing, a ceramic sheet mainly composed of a hardly-sinterable ceramic material is adhered to at least one surface of the laminate, and after firing, the ceramic sheet is removed, whereby the XY directions are obtained. Can be fired while suppressing the shrinkage of the insulating layer and the high-purity metal conductor. This hardly sinterable ceramic material is made of Al 2 O 3 , SiO 2 , MgO, ZrO 2 , BN, T.
It is desirable to mainly contain at least one selected from the group of iO 2 and / or a composite oxide thereof.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の多層配線基板の製
造方法について、図１の本発明の多層配線基板の製造方
法についての一例を示す工程図を基に説明する。ここで
は、低温焼成のセラミック材料として、ガラスセラミッ
クスを例として以下に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention will be described below with reference to FIG. 1 which is a process chart showing an example of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention. Here, glass ceramics will be described below as an example of the low-temperature fired ceramic material.
【００１５】まず、平均粒径０．５〜１０μｍ、特に１
〜５μｍのガラス粉末と平均粒径０．５〜１０μｍ、特
に平均粒径１〜５μｍのセラミックフィラー粉末とを準
備する。First, the average particle size is 0.5 to 10 μm, especially 1
Glass powder of ˜5 μm and ceramic filler powder having an average particle size of 0.5 to 10 μm, especially 1 to 5 μm are prepared.
【００１６】用いられるガラス成分としては、少なくと
もＳｉＯ2を含み、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ 3、ＺｎＯ、Ｐｂ
Ｏ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のう
ちの少なくとも１種以上を含有したものであって、例え
ば、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−
ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎ
を示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、
Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げら
れる。At least the glass component used is
Also SiO2Including, Al2O3, B2O 3, ZnO, Pb
O, alkaline earth metal oxides, alkali metal oxides
Which contains at least one of the
For example, SiO2-B2O3System, SiO2-B2O3-Al2O3−
MO type (however, M is Ca, Sr, Mg, Ba or Zn)
), Such as borosilicate glass, alkali silicate glass,
Ba based glass, Pb based glass, Bi based glass, etc.
Be done.
【００１７】これらのガラスは焼成処理することによっ
ても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、
アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライ
ト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノ
ーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオ
プサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、
ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を
析出するものが用いられる。These glasses are also amorphous glasses when they are fired, and when they are fired,
Alkali metal silicate, quartz, cristobalite, cordierite, mullite, enstatite, anorthite, sergian, spinel, garnite, diopside, ilmenite, willemite, dolomite,
A crystal that deposits at least one crystal of petalite or a substituted derivative thereof is used.
【００１８】また、セラミックフィラーとしては、クォ
ーツ、クリストバライト等のＳｉＯ 2や、Ａｌ2Ｏ3、Ｚ
ｒＯ2、ムライト、フォルステライト、エンスタタイ
ト、スピネル、マグネシアの群から選ばれる少なくとも
１種が好適に用いられる。Further, as the ceramic filler, quart
SiO such as quartz and cristobalite 2Or Al2O3, Z
rO2, Mullite, forsterite, enstatai
At least selected from the group of
One kind is preferably used.
【００１９】上記ガラス粉末とセラミックフィラー粉末
とを、特に、ガラス成分１０〜９０重量％、特に５０〜
８０重量％と、セラミックフィラー成分１０〜９０重量
％、特に２０〜５０重量％の割合で混合する。その混合
物に有機バインダー等を加えた後、ドクターブレード
法、圧延法、プレス法などによりシート状に成形して厚
さ約５０〜５００μｍのグリーンシート１を作製する。The above glass powder and ceramic filler powder are contained in the glass component in an amount of 10 to 90% by weight, particularly 50 to 50% by weight.
80% by weight and 10 to 90% by weight, especially 20 to 50% by weight of the ceramic filler component are mixed. After adding an organic binder and the like to the mixture, a green sheet 1 having a thickness of about 50 to 500 μm is produced by forming into a sheet by a doctor blade method, a rolling method, a pressing method or the like.
【００２０】そして、このグリーンシート１にレーザー
やマイクロドリル、パンチングなどにより、直径８０〜
２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペースト
を充填してビアホール導体２を形成する（ａ）。導体ペ
ースト中には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属成分と、それ
以外にアクリル樹脂などの有機バインダー、トルエン、
イソプロピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを
混合して形成される。有機バインダーは金属成分１００
重量部に対して０．５〜１５．０重量部、有機溶剤は固
形成分及び有機バインダー１００重量部に対して５〜１
００重量部の割合で混合されることが望ましい。なお、
この導体ペースト中にはガラスセラミック材料との焼成
収縮を合わせるため、若干のガラス成分等を添加しても
よい。Then, the green sheet 1 having a diameter of 80 to 80 is formed by a laser, a micro drill, punching or the like.
A 200 μm through-hole is formed, and a conductor paste is filled into the through-hole to form the via-hole conductor 2 (a). In the conductor paste, metal components such as Cu, Ag, and Au, as well as organic binders such as acrylic resin, toluene,
It is formed by mixing with an organic solvent such as isopropyl alcohol or acetone. The organic binder is a metal component 100
0.5 to 15.0 parts by weight with respect to parts by weight, the organic solvent is 5-1 to 100 parts by weight of the solid component and the organic binder.
It is desirable to mix them in a proportion of 00 parts by weight. In addition,
In order to match the firing shrinkage with the glass ceramic material, a slight glass component or the like may be added to this conductor paste.
【００２１】次に、このビアホール導体２を形成したグ
リーンシート１の表面に、配線層３を形成する。配線層
３としては、特に配線層３の幅が７５μｍ以下、特に５
０μｍ以下、かつ配線層３のピッチが１５０μｍ以下、
特に１００μｍ以下の微細配線化する上では、Ｃｕを９
９．５重量％以上含有する高純度の金属導体、特に金属
箔によって形成することが望ましい。Next, the wiring layer 3 is formed on the surface of the green sheet 1 on which the via-hole conductor 2 is formed. The wiring layer 3 has a width of 75 μm or less, especially 5
0 μm or less, and the pitch of the wiring layer 3 is 150 μm or less,
In particular, in order to form a fine wiring of 100 μm or less, Cu is 9
It is desirable to use a high-purity metal conductor containing 9.5 wt% or more, especially a metal foil.
【００２２】このような金属箔からなる配線層３は、グ
リーンシート１の表面に金属箔を接着した後に周知のフ
ォトエッチング法等の手法によって所望の回路を形成す
る方法が知られているが、かかる方法ではエッチング液
によってグリーンシート１を変質させてしまうため、特
にグリーンシート１がエッチング液などに接触すること
がない転写法にて形成することが望ましい。For the wiring layer 3 made of such a metal foil, a method of forming a desired circuit by a known photo-etching method or the like after the metal foil is adhered to the surface of the green sheet 1 is known. In such a method, since the green sheet 1 is deteriorated by the etching solution, it is preferable to form the green sheet 1 by a transfer method in which the green sheet 1 does not come into contact with the etching solution or the like.
【００２３】そこで、この転写法による配線層３の形成
方法としては、まず、高分子材料などからなるフィルム
５の一面にＣｕ箔などの金属導体４を熱可塑性樹脂から
なる接着剤により接着する。そしてこの金属導体４の表
面にフォトレジストを塗布、露光現像して鏡像の回路パ
ターン状に形成した後、エッチング処理およびレジスト
除去を行う方法によって、フィルム５表面に所定のパタ
ーンの配線層３を形成することができる（ｃ）。Therefore, as a method of forming the wiring layer 3 by this transfer method, first, a metal conductor 4 such as a Cu foil is bonded to one surface of a film 5 made of a polymer material or the like with an adhesive made of a thermoplastic resin. Then, a photoresist is applied to the surface of the metal conductor 4, exposed and developed to form a mirror image circuit pattern, and then a wiring layer 3 having a predetermined pattern is formed on the surface of the film 5 by etching and resist removal. It can be done (c).
【００２４】次に、前記ビアホール導体２が形成された
グリーンシート１の表面に、フィルム５上の配線層３を
位置合わせして積層圧着した後（ｄ）、フィルム５を剥
がすことにより、ビアホール導体２と接続した配線層３
を具備する一単位のグリーンシート１ａを形成すること
ができる。転写シート５を剥がす際は、５０〜８０℃の
熱をかけながら剥がすことで、配線層３とフィルム５間
に存在する熱可塑性の粘着層を軟化させるなどの処理に
よって転写不良を防止することができる。Next, the wiring layer 3 on the film 5 is aligned and laminated and pressure-bonded on the surface of the green sheet 1 on which the via-hole conductor 2 is formed (d), and then the film 5 is peeled off to form the via-hole conductor. Wiring layer 3 connected to 2
It is possible to form one unit of the green sheet 1a including When the transfer sheet 5 is peeled off, by peeling it while applying heat of 50 to 80 ° C., it is possible to prevent transfer failure by a treatment such as softening the thermoplastic adhesive layer existing between the wiring layer 3 and the film 5. it can.
【００２５】本発明によれば、上記のグリーンシート１
ａの表面に配線層３を形成する過程において、前記配線
層３の少なくともグリーンシート１と接触する側に厚み
が１０〜２５０ｎｍのＳｎ、Ｚｎの少なくとも１種を含
む金属層６を形成することが重要である（ｂ）。本発明
によれば、この金属層６の形成によって、焼成後におい
て配線層３とセラミック絶縁層との界面で金属層６を形
成するＳｎやＺｎが絶縁層側に拡散することによって密
着性を高めることができる。According to the present invention, the green sheet 1 described above is used.
In the process of forming the wiring layer 3 on the surface of a, the metal layer 6 containing at least one of Sn and Zn having a thickness of 10 to 250 nm may be formed on at least the side of the wiring layer 3 that contacts the green sheet 1. Important (b). According to the present invention, by forming the metal layer 6, Sn or Zn forming the metal layer 6 at the interface between the wiring layer 3 and the ceramic insulating layer after firing diffuses to the insulating layer side to enhance the adhesion. be able to.
【００２６】金属層６の厚みは、１０ｎｍよりも薄いと
拡散量が少ないために接着強度を高める効果が低く、逆
に２５０ｎｍを超えると、拡散量が大きくなり、絶縁層
の電気特性へ影響を及ぼしたり、メッキ拡がりが発生す
る。特に、この金属層６の厚みは４０〜２００ｎｍであ
ることが望ましい。If the thickness of the metal layer 6 is less than 10 nm, the amount of diffusion is small and therefore the effect of enhancing the adhesive strength is low. On the contrary, if it exceeds 250 nm, the amount of diffusion is large and the electrical characteristics of the insulating layer are affected. It may cause the spread of plating. In particular, the metal layer 6 preferably has a thickness of 40 to 200 nm.
【００２７】具体的には、転写法において、樹脂フィル
ム５の一面に高純度金属導体４を接着した後、この金属
導体４の表面全面に、メッキ法、蒸着法などによって、
ＳｎまたはＺｎを含有する金属層６を１０〜２５０ｎｍ
の厚みで形成する。その後、上記のようにしてこの金属
導体４を金属層６とともにパターン化し、転写すればよ
い。また、ＳｎまたはＺｎを含有する金属層６は、パタ
ーン化した後に、金属導体４の表面に形成することもで
きる。Specifically, in the transfer method, after bonding the high-purity metal conductor 4 to one surface of the resin film 5, the entire surface of the metal conductor 4 is plated or vapor-deposited.
10 to 250 nm of the metal layer 6 containing Sn or Zn
It is formed with the thickness of. Then, the metal conductor 4 and the metal layer 6 may be patterned and transferred as described above. Further, the metal layer 6 containing Sn or Zn can be formed on the surface of the metal conductor 4 after being patterned.
【００２８】本発明におけるＳｎまたはＺｎを含有する
金属層６は、ＳｎまたはＺｎの単体金属、または青銅、
砲金等のＳｎ合金、黄銅、真鍮などのＺｎ合金の群から
選ばれる少なくとも１種によって形成される。The metal layer 6 containing Sn or Zn in the present invention is a simple metal of Sn or Zn, or bronze,
It is formed of at least one selected from the group consisting of Sn alloy such as gun metal and Zn alloy such as brass and brass.
【００２９】その後、グリーンシート１ａに対して、同
様にしてビアホール導体２および配線層３が形成された
複数のグリーンシート１ｂ、１ｃを積層圧着して積層体
を形成する（ｅ）。グリーンシート１ａ〜１ｃの積層
は、積み重ねられたグリーンシート１ａ〜１ｃに熱と圧
力を加えて熱圧着したり、有機バインダー、可塑剤、溶
剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着するこ
ともできる。Thereafter, a plurality of green sheets 1b and 1c on which the via-hole conductor 2 and the wiring layer 3 are formed are laminated and pressure-bonded to the green sheet 1a to form a laminated body (e). The lamination of the green sheets 1a to 1c is performed by applying heat and pressure to the stacked green sheets 1a to 1c to perform thermocompression bonding, or applying an adhesive composed of an organic binder, a plasticizer, a solvent, etc. between the sheets to perform thermocompression bonding. You can also do it.
【００３０】次に、焼成時に上記の積層体のＸ−Ｙ方向
（平面方向）の収縮を抑制するため、グリーンシート１
ａ〜１ｃの積層体の焼成温度で難焼結性のセラミック材
料を主成分とする拘束シート７をガラスセラミックグリ
ーンシート１ａ〜１ｃの積層体の両面又は片面に加圧積
層して積層体を作製する（ｆ）。Next, in order to suppress the shrinkage of the above laminate in the XY directions (planar direction) during firing, the green sheet 1
The constraining sheet 7 containing a ceramic material that is difficult to sinter at the firing temperature of the laminated bodies a to 1c as a main component is pressure laminated on both sides or one side of the laminated body of the glass ceramic green sheets 1a to 1c to produce a laminated body. (F).
【００３１】この拘束シート７は、難焼結性セラミック
材料を主体とする無機成分に、有機バインダー、可塑
剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得ら
れる。難焼結性セラミック材料としては、具体的には１
０００℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組
成物から構成され、具体的には平均粒径１〜２０μｍ、
特に３〜１０μｍのＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ2、ＢＮ、ＴｉＯ2の群から選ばれる少なくとも１種お
よび／またはこれらの複合酸化物（フォルステライト
（Ｍｇ2ＳｉＯ4）、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3）
等）の粉末が挙げられる。また、有機バインダー、可塑
剤及び溶剤としてはガラスセラミックグリーンシートを
形成するものと同じ材料、具体的にはアクリル系樹脂、
ＤＢＰ等の可塑剤、ＩＰＡ、アセトン、トルエン等の溶
剤等が好適に使用できる。The constraining sheet 7 is obtained by forming a slurry in which an organic binder, a plasticizer, a solvent and the like are added to an inorganic component mainly composed of a hardly sinterable ceramic material to form a sheet. Specific examples of the non-sinterable ceramic material include 1
It is composed of a ceramic composition that does not densify at a temperature of 000 ° C. or less, and specifically has an average particle size of 1 to 20 μm,
Especially 3 to 10 μm of Al 2 O 3 , SiO 2 , MgO, Zr
At least one selected from the group consisting of O 2 , BN and TiO 2 and / or a composite oxide thereof (forsterite (Mg 2 SiO 4 ), enstatite (MgSiO 3 ).
Etc.) powder. Further, as the organic binder, the plasticizer and the solvent, the same materials as those for forming the glass ceramic green sheet, specifically, acrylic resin,
A plasticizer such as DBP and a solvent such as IPA, acetone and toluene can be preferably used.
【００３２】また、この拘束シート７中にはガラス成
分、言い換えれば非晶質成分を０．５〜１５重量％、特
に１〜１２重量％含有することが望ましく、それによっ
て焼成収縮の拘束力を高め、また、拘束シート７と接す
る部分のガラスの移動を抑制し焼結不良などの発生を防
止することができる。このガラス成分は、グリーンシー
ト１中に含まれるガラス成分と異なるものであっても良
いが、グリーンシート１中のガラスの拡散を防止するう
えでは同一のガラス成分を用いることが望ましい。Further, it is desirable that the constraining sheet 7 contains a glass component, in other words, an amorphous component in an amount of 0.5 to 15% by weight, particularly 1 to 12% by weight. In addition, the movement of the glass in the portion in contact with the restraint sheet 7 can be suppressed and the occurrence of defective sintering can be prevented. This glass component may be different from the glass component contained in the green sheet 1, but it is desirable to use the same glass component in order to prevent the diffusion of the glass in the green sheet 1.
【００３３】次に、上記積層体を１００〜８５０℃、特
に４００〜７５０℃の酸化性または弱酸化性雰囲気中で
加熱処理してグリーンシート１ａ〜１ｃ内やビアホール
導体２中の有機成分を分解除去する。この時の条件とし
ては、グリーンシート中の有機成分を除去するととも
に、配線層３を転写形成する場合に配線層３表面に形成
された接着層を分解除去できる条件に設定する。熱分解
性に優れたアクリル系樹脂を用いた場合には、５００〜
８００℃、Ｎ2の雰囲気中で、０．５〜２時間程度保持
することによって、炭素の残存をほとんど皆無とするこ
とができる。その後、８００〜１０５０℃のＮ2雰囲気
中で同時焼成する。Next, the laminate is heat-treated in an oxidizing or weakly oxidizing atmosphere at 100 to 850 ° C., particularly 400 to 750 ° C. to decompose organic components in the green sheets 1a to 1c and the via-hole conductor 2. Remove. The conditions at this time are set so that the organic components in the green sheet can be removed and the adhesive layer formed on the surface of the wiring layer 3 can be decomposed and removed when the wiring layer 3 is transferred. When an acrylic resin excellent in heat decomposability is used,
By maintaining the temperature in the atmosphere of 800 ° C. and N 2 for 0.5 to 2 hours, almost no carbon remains. After that, simultaneous firing is performed in an N 2 atmosphere at 800 to 1050 ° C.
【００３４】焼成後は、拘束シート７を、例えばＡｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＢＮ、ＴｉＯ2から選
ばれる少なくとも１種を含む砥粒を空気と共に０．０５
〜０．５ＭＰａの圧力で吹き付けて除去することによっ
て本発明の多層配線基板を作製することができる。After firing, the constraining sheet 7 is made of, for example, Al 2
Abrasive grains containing at least one selected from O 3 , SiO 2 , MgO, ZrO 2 , BN, and TiO 2 are added together with air to 0.05
The multilayer wiring board of the present invention can be manufactured by spraying and removing it at a pressure of 0.5 MPa.
【００３５】上記拘束シート７を用いて焼成することに
よって、焼成時の収縮が拘束シート７によって厚さ方向
だけに抑えられているので、その積層体面内の収縮を、
例えば、積層体が矩形形状の場合には、一辺の長さの収
縮率が０．５％以下に抑えることが可能となり、しかも
ガラスセラミックグリーンシート１ａ〜１ｃは拘束シー
ト７によって全面にわたって均一にかつ確実に結合され
ているので、拘束シート７の一部剥離等によって反りや
変形が起こるのを防止することができる。By firing using the constraining sheet 7, since shrinkage during firing is suppressed only in the thickness direction by the constraining sheet 7, the shrinkage in the plane of the laminate is
For example, when the laminated body has a rectangular shape, the shrinkage ratio of the length of one side can be suppressed to 0.5% or less, and the glass ceramic green sheets 1a to 1c are evenly distributed over the entire surface by the restraint sheet 7. Since the binding is ensured, the restraint sheet 7 can be prevented from being warped or deformed due to partial peeling or the like.
【００３６】次に、上記の方法によって得られる多層配
線基板Ａの概略断面図を図２に示す。図２（ａ）の概略
断面図に示された多層配線基板Ａによれば、絶縁基板１
０は、厚み５０〜２５０μｍの複数のガラスセラミック
絶縁層１０ａ〜１０ｃを積層してなる積層体から構成さ
れ、その絶縁層１０ａ〜１０ｃ間および絶縁基板１０表
面には、厚みが３〜１８μｍ程度の銅を９９．５重量％
以上含有する高純度金属導体からなる配線層３が被着形
成されている。さらに、各ガラスセラミック絶縁層１０
ａ〜１０ｃの厚み方向を貫くように形成された直径が８
０〜２００μｍのビアホール導体２が形成され、これに
より、配線層３間を接続し所定回路を達成するための回
路網が形成される。また配線層３の表面には半導体素子
等の電子部品Ｂが実装搭載される。Next, FIG. 2 shows a schematic sectional view of the multilayer wiring board A obtained by the above method. According to the multilayer wiring board A shown in the schematic sectional view of FIG.
0 is composed of a laminated body formed by laminating a plurality of glass ceramic insulating layers 10a to 10c having a thickness of 50 to 250 μm, and a thickness of about 3 to 18 μm between the insulating layers 10a to 10c and on the surface of the insulating substrate 10. 99.5% by weight of copper
The wiring layer 3 made of the high-purity metal conductor contained above is deposited. Further, each glass ceramic insulating layer 10
The diameter formed so as to penetrate through the thickness direction of a to 10c is 8
The via-hole conductor 2 having a thickness of 0 to 200 μm is formed, whereby a circuit network for connecting the wiring layers 3 to achieve a predetermined circuit is formed. An electronic component B such as a semiconductor element is mounted and mounted on the surface of the wiring layer 3.
【００３７】また、図２において、絶縁層１０ａ〜１０
ｃ表面や内部に形成された配線層３は、ＩＣチップなど
の各種電子部品Ｂを搭載するためのパッドとして、シー
ルド用導体膜として、さらには、外部回路と接続する端
子電極として用いられ、電子部品Ｂが配線層３に半田や
導電性接着剤などを介して接合される。尚、図示してい
ないが、必要に応じて、多層配線基板Ａの表面には、さ
らに珪化タンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜
や配線保護膜などを形成しても構わない。In addition, in FIG. 2, insulating layers 10a-10
c The wiring layer 3 formed on the surface or inside is used as a pad for mounting various electronic components B such as an IC chip, as a shield conductor film, and as a terminal electrode connected to an external circuit. The component B is joined to the wiring layer 3 via solder or a conductive adhesive. Although not shown, a thick film resistor film such as tantalum silicide or molybdenum silicide or a wiring protection film may be further formed on the surface of the multilayer wiring board A, if necessary.
【００３８】本発明によれば、上記の焼成段階で、配線
層３の表面に形成されたＳｎまたはＺｎを含む金属層６
が、焼成時に配線層３を形成する高純度金属導体と反応
して融点の低い青銅、黄銅などの合金を形成し、この合
金の成分が絶縁層１０ａ〜１０ｃとの界面にて拡散して
拡散層８を形成することで、配線層３と絶縁層１０ａ〜
１０ｃとの密着性を高めることができる。According to the present invention, the metal layer 6 containing Sn or Zn formed on the surface of the wiring layer 3 in the above firing step.
However, it reacts with the high-purity metal conductor forming the wiring layer 3 during firing to form an alloy such as bronze or brass having a low melting point, and the components of this alloy diffuse and diffuse at the interfaces with the insulating layers 10a to 10c. By forming the layer 8, the wiring layer 3 and the insulating layers 10a ...
The adhesiveness with 10c can be improved.
【００３９】特に、接着強度を高める上では、図２
（ｂ）の要部拡大断面図に示すように、ＳｎまたはＺｎ
を含む拡散層８が絶縁層１０ａ〜１０ｄとの界面にて１
〜４０μｍ、特に１０〜３０μｍの厚みで存在すること
が重要で、この拡散層８の厚みが１μｍよりも小さいと
密着性を高める効果が低く、逆に４０μｍよりも厚い
と、絶縁層１０ａ〜１０ｃの強度、誘電率、誘電損失な
どの磁器特性に影響を及ぼしてしまう。また、この配線
層３の表面にＡｕメッキを施した際に、絶縁層３に拡散
したＳｎやＺｎにメッキされ、メッキ拡がりが発生す
る。この拡散層８の厚みは、製造過程で配線層３の表面
に形成する金属層６の厚みを厚くするほど、拡散量が増
大して拡散層８の厚みも大きくなることから、配線層３
の表面に形成する金属層６の厚みを１０ｎｍ〜２５０ｎ
ｍの厚みに制御すればよい。In particular, in order to increase the adhesive strength, FIG.
As shown in the enlarged cross-sectional view of the main part of (b), Sn or Zn
The diffusion layer 8 containing 1 at the interface with the insulating layers 10a to 10d.
It is important that the diffusion layer 8 has a thickness of ˜40 μm, particularly 10 to 30 μm. If the thickness of the diffusion layer 8 is smaller than 1 μm, the effect of enhancing the adhesiveness is low, and conversely, if it is thicker than 40 μm, the insulating layers 10a to 10c. It affects the porcelain characteristics such as strength, dielectric constant and dielectric loss. Further, when Au plating is applied to the surface of the wiring layer 3, Sn or Zn diffused in the insulating layer 3 is plated, and plating spread occurs. The thickness of the diffusion layer 8 increases as the thickness of the metal layer 6 formed on the surface of the wiring layer 3 in the manufacturing process increases, and the diffusion layer 8 also increases in thickness.
The thickness of the metal layer 6 formed on the surface of the
The thickness may be controlled to m.
【００４０】従って、本発明によれば、ＳｎまたはＺｎ
を含む拡散層８を１〜４０μｍの厚みにて形成すること
によって、高純度の配線層３と絶縁層１０ａ〜１０ｃと
の密着性を高めることができる。Therefore, according to the present invention, Sn or Zn
By forming the diffusion layer 8 containing Al with a thickness of 1 to 40 μm, the adhesion between the high-purity wiring layer 3 and the insulating layers 10a to 10c can be enhanced.
【００４１】[0041]
【実施例】先ず、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＢａＯ系の非晶質
ガラスを５０重量％とセラミックフィラー成分としてＳ
ｉＯ2（クオーツ）を５０重量％を秤量し、これにバイ
ンダーとしてメタクリル酸系樹脂と、可塑剤としてＤＢ
Ｐ（ジブチルフタレート）、溶媒としてトルエンとイソ
プロピルアルコールを加えて混合、調製したスラリーを
用いて、ドクターブレード法により厚さ５００μｍのグ
リーンシートを作製した。EXAMPLE First, 50 wt% of SiO 2 —B 2 O 3 —BaO based amorphous glass and S as a ceramic filler component were used.
50% by weight of io 2 (quartz) was weighed, and a methacrylic acid resin as a binder and DB as a plasticizer
Using a slurry prepared by adding P (dibutyl phthalate) and toluene and isopropyl alcohol as a solvent and mixing them, a green sheet having a thickness of 500 μm was prepared by a doctor blade method.
【００４２】次に、平均粒径が５μｍのＣｕ粉末に対し
て、フィラー成分としてＳｉＯ2粉末を８重量％と、こ
れら無機成分に対して有機バインダーとしてアクリル系
樹脂を２重量部と、溶媒としてアセトンを７５重量部と
の比率で添加混練し、ペースト状のビアホール導体用ペ
ーストを作製した。そして、上記グリーンシートの所定
個所にビアホールを形成し、そのビアホール内に上記ビ
アホール導体用ペーストを充填した。Next, with respect to Cu powder having an average particle diameter of 5 μm, 8 wt% of SiO 2 powder as a filler component, 2 parts by weight of an acrylic resin as an organic binder with respect to these inorganic components, and a solvent as a solvent. Acetone was added and kneaded at a ratio of 75 parts by weight to prepare a paste-like via-hole conductor paste. Then, a via hole was formed in a predetermined portion of the green sheet, and the via hole conductor paste was filled in the via hole.
【００４３】一方、ＰＥＴフィルムに、純度９９．５％
以上の銅箔をアクリル系樹脂からなる接着剤（ＪＩＳＺ
０２３７による接着強度１６０ｇ／１０ｍｍ）により接
着し、銅箔上にＺｎメッキまたはＳｎメッキを表１に示
す厚みで施した。その後レジスト塗布、現像、エッチン
グ、レジスト除去を行って所定のパターンの配線層を形
成した。配線幅は４０μｍ、配線層ピッチ１００μｍと
したが、エッチングによる形成のため従来のスクリーン
印刷法と比較して、非常に微細な配線層を形成すること
ができた。On the other hand, the PET film has a purity of 99.5%.
The above copper foil is made of an acrylic resin adhesive (JISZ
Bonding was performed with an adhesive strength of 0237 (160 g / 10 mm), and Zn plating or Sn plating was applied on the copper foil to the thickness shown in Table 1. Thereafter, resist coating, development, etching and resist removal were performed to form a wiring layer having a predetermined pattern. The wiring width was 40 μm and the wiring layer pitch was 100 μm, but because of the formation by etching, a very fine wiring layer could be formed as compared with the conventional screen printing method.
【００４４】そして、上記ＰＥＴフィルムの配線層形成
表面にアクリル系樹脂からなる接着剤をスクリーン印刷
によって塗布した。Then, an adhesive made of an acrylic resin was applied to the surface of the PET film on which the wiring layer was formed by screen printing.
【００４５】その後、ビアホールが形成されたグリーン
シートにビアホールの位置にあわせながら上記転写シー
トを積層し、６０℃、１５ＭＰａで熱圧着して配線層を
グリーンシート表面に形成した。その後、５０℃の温度
をかけながらＰＥＴフィルムを剥がすことにより、ビア
ホール導体を接続した配線層を具備する一単位の配線層
を形成した。また、これら任意の一単位のグリーンシー
トを５枚積層し、積層体を形成した。Then, the transfer sheet was laminated on the green sheet having the via holes formed therein while aligning the positions of the via holes, and thermocompression bonded at 60 ° C. and 15 MPa to form a wiring layer on the surface of the green sheet. Then, the PET film was peeled off while applying a temperature of 50 ° C. to form a unit wiring layer having a wiring layer to which the via-hole conductor was connected. Further, five arbitrary one unit green sheets were laminated to form a laminated body.
【００４６】他方、平均粒径２μｍのアルミナセラミッ
ク粉末と平均粒径５μｍのガラス粉末の組成物からなる
厚さ２５０μｍの拘束シートを作製した。なおシート作
製時の有機バインダー、可塑剤、溶媒等はグリーンシー
トと同じ配合量とした。この拘束シートをグリーンシー
ト積層体の両面に６０℃、２０ＭＰａで加圧積層して積
層体を得た。On the other hand, a 250 μm-thick constraining sheet made of a composition of alumina ceramic powder having an average particle size of 2 μm and glass powder having an average particle size of 5 μm was prepared. The organic binder, the plasticizer, the solvent and the like during the sheet preparation were the same as the green sheet. This constrained sheet was pressure-laminated on both sides of the green sheet laminate at 60 ° C. and 20 MPa to obtain a laminate.
【００４７】次いで、この積層体を、Ａｌ2Ｏ3セッター
に載置して有機バインダー等の有機成分を分解除去する
ために、窒素雰囲気中、７００℃に加熱し、さらに窒素
雰囲気中、９５０℃で１時間焼成を行った。なお、焼成
後の冷却速度は３００℃／ｈｒとした。Then, this laminated body is placed on an Al 2 O 3 setter and heated to 700 ° C. in a nitrogen atmosphere in order to decompose and remove organic components such as an organic binder, and further 950 ° C. in a nitrogen atmosphere. Firing for 1 hour. The cooling rate after firing was 300 ° C / hr.
【００４８】その後、上記拘束シートをＡｌ2Ｏ3砥粒を
空気と共に０．２ＭＰａの圧力で吹き付けることで除去
した後、基板表面の配線層にＡｕメッキ処理を行い、評
価用の多層配線基板を作製した。Then, after the Al 2 O 3 abrasive grains were removed by blowing the Al 2 O 3 abrasive grains with air at a pressure of 0.2 MPa, the wiring layer on the surface of the substrate was subjected to Au plating to obtain a multilayer wiring substrate for evaluation. It was made.
【００４９】作製した多層配線層に対して、配線層と絶
縁層との断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ写真）および
ＥＰＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザ）によって、Ｓｎお
よびＺｎの拡散層の厚み（絶縁層への拡散最大深さ）を
測定した。The cross section of the wiring layer and the insulating layer of the produced multilayer wiring layer was analyzed by a scanning electron microscope (SEM photograph) and EPMA (X-ray microanalyzer) to measure the thickness of the diffusion layer of Sn and Zn (insulating layer). (Diffusion maximum depth) was measured.
【００５０】また、得られた多層基板中の２ｍｍ□の配
線層に対してＳｎメッキを施したＣｕ線を半田付けした
後、そのＣｕ線を垂直に１０ｍｍ／ｍｉｎのスピードで
引っ張り、Ｃｕ線が取れてしまう時の荷重を測定した。
結果を接着強度として表１に示す。Also, after soldering a Cu wire plated with Sn to a wiring layer of 2 mm square in the obtained multilayer substrate, the Cu wire was pulled vertically at a speed of 10 mm / min, and the Cu wire was removed. The load when it was taken off was measured.
The results are shown in Table 1 as adhesive strength.
【００５１】また、この多層配線基板を用いて配線層の
導通抵抗の評価を行った。評価については、銅箔からな
る配線層（幅５０μｍ）の両端にて配線抵抗をテスター
にて測定し、この配線層の断面を走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）、銅配線の長さを顕微鏡を用いて測定し、得られ
た配線層の形状から比抵抗を算出した。Further, the conduction resistance of the wiring layer was evaluated using this multilayer wiring board. For the evaluation, the wiring resistance was measured with a tester at both ends of the wiring layer (width 50 μm) made of copper foil, and the cross section of the wiring layer was measured by a scanning electron microscope (S
EM), the length of the copper wiring was measured using a microscope, and the specific resistance was calculated from the shape of the obtained wiring layer.
【００５２】更に、ガラスセラミック絶縁基板の焼成に
よる収縮率を、絶縁基板の焼成前後の一辺の長さを測定
して（ｌ1、ｌ2）、収縮率（（ｌ1−ｌ2）／ｌ1×１０
０％）を算出した。結果は表１に示した。Further, the shrinkage ratio of the glass ceramic insulating substrate due to baking was measured by measuring the length of one side before and after baking the insulating substrate (l 1 , l 2 ), and the shrinkage ratio ((l 1 -l 2 ) / l 1 x 10
0%) was calculated. The results are shown in Table 1.
【００５３】更に、得られた多層配線基板について、焼
成後の多層配線基板の外観観察を行い、メッキ拡がり等
の有無を確認した。結果を表１に示す。Further, with respect to the obtained multilayer wiring board, the appearance of the multilayer wiring board after firing was observed to confirm the presence or absence of plating spread and the like. The results are shown in Table 1.
【００５４】[0054]
【表１】 [Table 1]
【００５５】表１の結果から明らかなように、拡散層の
無い試料Ｎｏ．１、拡散層の厚さが１μｍ未満の試料Ｎ
ｏ．２、１２では接合強度が低く実用的ではない。拡散
量が４０μｍを超える試料Ｎｏ．１１ではメッキ拡がり
が発生していた。それ以外の試料においては、接合強度
が２ｋｇｆ／２ｍｍ□以上の高い接着強度を有し、ま
た、外観においても何ら問題の無い多層配線基板が得ら
れた。As is clear from the results shown in Table 1, the sample No. having no diffusion layer was used. 1. Sample N with diffusion layer thickness less than 1 μm
o. Nos. 2 and 12 have low bonding strength and are not practical. Sample No. whose diffusion amount exceeds 40 μm In No. 11, spread of plating occurred. In the other samples, a multi-layer wiring board having a high bonding strength of 2 kgf / 2 mm □ or more in bonding strength and no problem in appearance was obtained.
【００５６】[0056]
【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明によれば、
配線層の少なくとも絶縁基板と接する面にＳｎ、Ｚｎの
少なくとも１種の金属を含む金属層を形成し、該金属を
絶縁基板中に１〜４０μｍ拡散させることによって、焼
成後の絶縁基板と配線層の接合強度を強固なものとし、
メッキ拡がり等外観上の問題の無い、比抵抗の低い配線
層を有する多層配線基板を得ることができる。As described in detail above, according to the present invention,
A metal layer containing at least one metal of Sn and Zn is formed on at least a surface of the wiring layer in contact with the insulating substrate, and the metal is diffused in the insulating substrate by 1 to 40 μm, whereby the insulating substrate and the wiring layer after firing are formed. Strengthening the joint strength of
It is possible to obtain a multilayer wiring board having a wiring layer with a low specific resistance, which has no external problems such as plating spread.
【図１】本発明の多層配線基板の製造方法を説明するた
めの工程図である。FIG. 1 is a process chart for explaining a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.
【図２】本発明の多層配線基板の製造方法によって得ら
れる多層配線基板の（ａ）概略断面図と、（ｂ）要部拡
大断面図である。2A is a schematic sectional view of a multilayer wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention, and FIG.
１ グリーンシート ２ ビアホール導体 ３ 配線層 ４ 金属導体 ５ フィルム ６ 金属層 ７ 拘束シート ８ 拡散層 １０ 絶縁基板 Ａ 多層配線基板 Ｂ 電子部品 1 green sheet 2 Via hole conductor 3 wiring layers 4 metal conductors 5 films 6 metal layers 7 Restraint sheet 8 diffusion layer 10 Insulating substrate A multilayer wiring board B electronic components
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｅ (72)発明者 民 保秀 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB01 BB30 BB35 DD04 DD08 DD12 DD21 DD54 GG02 5E343 AA02 AA23 AA24 AA35 BB06 BB16 BB24 BB34 BB52 BB67 CC52 GG01 GG02 5E346 AA02 AA12 AA15 AA22 AA32 AA51 BB15 CC16 CC32 CC33 DD32 EE21 EE24 EE27 EE29 GG08 GG09 HH11 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05K 3/38 H05K 3/38 E (72) Inventor Minoru Yasuhide Kagoshima Prefecture Kokubun City Yamashita Town No. 1-4 F-term in the Research Institute of Kyocera Co., Ltd. EE24 EE27 EE29 GG08 GG09 HH11
Claims (8)
絶縁基板の表面及び／又は内部にＣｕを９９．５重量％
以上含有する金属導体で配線層を形成した多層配線基板
において、該配線層の前記絶縁基板と接する界面にＳ
ｎ、Ｚｎの少なくとも１種の金属を含む拡散層が１〜４
０μｍの厚みで存在することを特徴とする多層配線基
板。1. An insulating substrate made of glass ceramic, and 99.5% by weight of Cu on the surface and / or inside of the insulating substrate.
In a multilayer wiring board in which a wiring layer is formed of the metal conductors contained above, S is formed at the interface of the wiring layer in contact with the insulating substrate.
1 to 4 diffusion layers containing at least one metal of n and Zn
A multilayer wiring board characterized by being present with a thickness of 0 μm.
する請求項１記載の多層配線基板。2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the metal conductor is made of copper foil.
とを特徴とする請求項１または請求項２記載の多層配線
基板。3. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the wiring layer has a thickness of 30 μm or less.
体からなる配線層の少なくとも片面に厚みが１０〜２５
０ｎｍのＳｎ、Ｚｎの少なくとも１種を含む金属層を形
成した後、この配線層を所定のセラミック成分を含むグ
リーンシートの表面に前記金属層がグリーンシートと接
するように積層し、８００〜１０５０℃で焼成すること
を特徴とする多層配線基板の製造方法。4. A wiring layer made of a metal conductor containing 99.5% by weight or more of Cu and having a thickness of 10 to 25 on at least one side.
After forming a metal layer containing at least one of Sn and Zn of 0 nm, this wiring layer is laminated on the surface of a green sheet containing a predetermined ceramic component so that the metal layer is in contact with the green sheet, and the temperature is 800 to 1050 ° C. A method for manufacturing a multilayer wiring board, which comprises firing at.
る請求項４記載の多層配線基板の製造方法。5. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 4, wherein the metal conductor is made of copper foil.
とを特徴とする請求項４または請求項５記載の多層配線
基板の製造方法。6. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 4, wherein the wiring layer has a thickness of 30 μm or less.
表面に難焼結性セラミック材料を主体とするセラミック
シートを接着し、焼成した後、前記セラミックシートを
除去することを特徴とする請求項４乃至請求項６のいず
れか記載の多層配線基板の製造方法。7. A ceramic sheet mainly composed of a hardly sinterable ceramic material is adhered to at least one surface of the laminate during firing, and the ceramic sheet is removed after firing. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 4 to 6.
2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＢＮ、ＴｉＯ2の群
から選ばれる少なくとも１種および／またはこれらの複
合酸化物を主体とすることを特徴とする請求項７記載の
多層配線基板の製造方法。8. The non-sinterable ceramic material is Al
8. The multilayer wiring board according to claim 7, which is mainly composed of at least one selected from the group consisting of 2 O 3 , SiO 2 , MgO, ZrO 2 , BN and TiO 2 and / or a composite oxide thereof. Production method.
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