JP2003045949A - Electrostatic absorption apparatus and vacuum processing apparatus - Google Patents
Electrostatic absorption apparatus and vacuum processing apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、静電吸着装置及び
真空処理装置に関し、特に、絶縁性基板を静電吸着する
ことが可能な静電吸着装置及びそれを備えた真空処理装
置の改善に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chucking device and a vacuum processing device, and more particularly to an electrostatic chucking device capable of electrostatically chucking an insulating substrate and an improvement of a vacuum processing device including the same. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１１の符号１０１に、従来のＣＶＤ装
置を示す。このＣＶＤ装置１０１は、真空槽１０２を有
している。真空槽１０２には、ガス導入口１０３とガス
排出口１０４とが設けられている。ガス導入口１０３と
ガス排出口１０４とは、それぞれ図示しないガス導入系
と真空排気系とに接続されており、真空排気系を起動す
ると真空槽１０２の内部が真空排気され、ガス導入系を
起動すると、ガス導入口１０３から反応ガスを導入する
ことができるように構成されている。2. Description of the Related Art Reference numeral 101 in FIG. 11 shows a conventional CVD apparatus. The CVD apparatus 101 has a vacuum chamber 102. The vacuum chamber 102 is provided with a gas inlet 103 and a gas outlet 104. The gas introduction port 103 and the gas discharge port 104 are connected to a gas introduction system and a vacuum exhaust system (not shown), respectively. When the vacuum exhaust system is activated, the inside of the vacuum chamber 102 is evacuated and the gas introduction system is activated. Then, the reaction gas can be introduced from the gas introduction port 103.
【０００３】真空槽１０２の内部底面側には、支柱１５
１が設けられている。この支柱１５１は下端が真空槽１
０２の内部底面に固定されて鉛直に配置されている。支
柱１５１上には静電吸着装置１２１が配置されている。On the inner bottom surface side of the vacuum chamber 102, there are columns 15
1 is provided. The lower end of the column 151 is the vacuum chamber 1
It is fixed to the inner bottom surface of 02 and arranged vertically. The electrostatic adsorption device 121 is arranged on the column 151.
【０００４】静電吸着装置１２１の構成を図１２(ａ)、
(ｂ)に示す。この静電吸着装置１２１は、金属板１２４
と、該金属板１２４上に配置された誘電体層１２５を有
している。この誘電体層１２５はＡｌ2Ｏ3を主成分とす
るセラミックス製であり、その表面には溝が形成され、
その溝の内部に、導電性のカーボンからなる第１、第２
の電極１２７1、１２７2が配置されている。The structure of the electrostatic attraction device 121 is shown in FIG.
It shows in (b). The electrostatic chucking device 121 includes a metal plate 124.
And a dielectric layer 125 disposed on the metal plate 124. The dielectric layer 125 is made of ceramics containing Al 2 O 3 as a main component, and a groove is formed on its surface.
Inside the groove, the first and second conductive carbons are formed.
Electrodes 127 1 and 127 2 are arranged.
【０００５】第１、第２の電極１２７1、１２７2の平面
図を同図(ａ)に示す。第１、第２の電極１２７1、１２
７2は櫛状に成形されており、その歯の部分が互いに噛
み合うように配置されている。同図(ｂ)は同図(ａ)のＸ
−Ｘ線断面図に相当する。A plan view of the first and second electrodes 127 1 and 127 2 is shown in FIG. First and second electrodes 127 1 and 12
7 2 is formed in a comb shape and is arranged so that its tooth portions mesh with each other. The same figure (b) is X of the same figure (a)
-Corresponds to the X-ray sectional view.
【０００６】第１、第２の電極１２７1、１２７2はそれ
ぞれ真空槽１０２外に設けられた静電チャック電源１２
２に接続され、接地された真空槽１０２とは絶縁されて
おり、その静電チャック電源１２２を駆動すると、第
１、第２の電極１２７1、１２７2の間に直流電圧を印加
することができるように構成されている。The first and second electrodes 127 1 and 127 2 are electrostatic chuck power sources 12 provided outside the vacuum chamber 102, respectively.
2 is insulated from the grounded vacuum chamber 102, and when the electrostatic chuck power supply 122 is driven, a DC voltage can be applied between the first and second electrodes 127 1 and 127 2. It is configured to be able to.
【０００７】第１、第２の電極１２７1、１２７2上に
は、第１、第２の電極１２７1、１２７2と誘電体層１２
５表面とを被覆するように保護膜１３０が形成されてい
る。この保護膜１３０は、裏面全面が第１、第２の電極
１２７1、１２７2上と誘電体層１２５とに接着されてい
る。On the first and second electrodes 127 1 and 127 2 , the first and second electrodes 127 1 and 127 2 and the dielectric layer 12 are formed.
The protective film 130 is formed so as to cover the 5 surfaces. The entire back surface of the protective film 130 is adhered to the first and second electrodes 127 1 and 127 2 and the dielectric layer 125.
【０００８】このような構成を有するＣＶＤ装置１０１
で、シリコン等の導電性基板の表面にＣＶＤ法で薄膜を
成膜するには、まず、真空槽１０２を真空排気して予め
真空状態にした状態で、真空槽１０２内に基板を搬入
し、静電吸着装置１２１の保護膜１３０上に載置する。
静電吸着装置１２１の表面に載置された状態の基板を図
１１の符号１０５に示す。A CVD apparatus 101 having such a configuration
In order to form a thin film on the surface of a conductive substrate such as silicon by the CVD method, first, the substrate is loaded into the vacuum chamber 102 in a state where the vacuum chamber 102 is evacuated to a vacuum state in advance, It is placed on the protective film 130 of the electrostatic adsorption device 121.
The substrate 105 placed on the surface of the electrostatic adsorption device 121 is shown by reference numeral 105 in FIG.
【０００９】次に、静電チャック電源１２２を起動し、
第１、第２の電極１２７1、１２７2に対してそれぞれ正
負の電圧を印加する。すると、第１、第２の電極１２７
1、１２７2と基板１０５との間に静電吸着力が生じ、こ
の静電吸着力により、基板１０５の裏面全面が静電吸着
装置１２１表面に吸着される。Next, the electrostatic chuck power supply 122 is activated,
Positive and negative voltages are applied to the first and second electrodes 127 1 and 127 2 , respectively. Then, the first and second electrodes 127
An electrostatic attraction force is generated between 1 , 127 2 and the substrate 105, and the entire back surface of the substrate 105 is attracted to the surface of the electrostatic attraction device 121 by this electrostatic attraction force.
【００１０】静電吸着装置１２１の内部には、図示しな
いヒータが設けられ、静電吸着装置１２１は予め所定温
度まで加熱されており、基板１０５が静電吸着装置１２
１の表面に静電吸着されると、基板１０５は加熱されて
昇温する。A heater (not shown) is provided inside the electrostatic adsorption device 121, the electrostatic adsorption device 121 is heated to a predetermined temperature in advance, and the substrate 105 is attached to the electrostatic adsorption device 12.
When electrostatically adsorbed on the surface of No. 1, the substrate 105 is heated and its temperature rises.
【００１１】基板１０５が所定温度まで昇温されたら、
ガス導入口１０３から真空槽１０２内に例えばＴＥＯＳ
と酸素ガスの混合ガス等の反応ガスを導入して基板１０
５の表面に流すと、基板１０５の表面にガスの成分から
なるシリコン酸化膜が成長する。When the substrate 105 is heated to a predetermined temperature,
TEOS from the gas inlet 103 into the vacuum chamber 102
Substrate 10 by introducing a reaction gas such as a mixed gas of oxygen and oxygen gas
When it is flown on the surface of No. 5, a silicon oxide film made of a gas component grows on the surface of the substrate 105.
【００１２】基板１０５の表面に成長した薄膜の厚さが
目標とする膜厚に達したら、ガスの導入を停止し、成長
を終了させる。以上のようにして、ＣＶＤ装置１０１で
基板１０５の表面に薄膜を成膜することができる。When the thickness of the thin film grown on the surface of the substrate 105 reaches the target film thickness, the introduction of gas is stopped and the growth is terminated. As described above, the thin film can be formed on the surface of the substrate 105 by the CVD device 101.
【００１３】その後、静電チャック電源１２２を停止
し、第１、第２の電極１２７1、１２７2への電圧印加を
停止して、基板１０５の静電吸着状態を解除した後に、
基板１０５を真空槽１０２の外へ取り出す。After that, the electrostatic chuck power supply 122 is stopped, the voltage application to the first and second electrodes 127 1 and 127 2 is stopped, and the electrostatic adsorption state of the substrate 105 is released.
The substrate 105 is taken out of the vacuum chamber 102.
【００１４】次いで、新たな基板を真空槽１０２内部に
搬入し、以上と同様の工程を経て、新たに搬入された基
板表面に薄膜を成膜する。以上の動作を繰り返すことに
より、複数枚の基板に連続して薄膜を成膜することがで
きる。Next, a new substrate is loaded into the vacuum chamber 102, and a thin film is formed on the surface of the newly loaded substrate through the same steps as above. By repeating the above operation, a thin film can be continuously formed on a plurality of substrates.
【００１５】しかしながら、上述した成膜を行うと、保
護膜１３０の表面と基板１０５との間に反応ガスが回り
込んで、保護膜１３０の表面にも薄膜が成長してしま
う。複数の基板に薄膜を成膜すると、成長した薄膜が厚
くなり、その薄膜が基板と擦れ合うとパーティクルが発
生してしまうため、パーティクルが発生する膜厚に到る
までに、保護膜１３０を交換する必要がある。However, when the above-mentioned film formation is performed, the reaction gas circulates between the surface of the protective film 130 and the substrate 105, and a thin film also grows on the surface of the protective film 130. When thin films are formed on a plurality of substrates, the grown thin film becomes thick, and particles are generated when the thin films rub against the substrates. Therefore, the protective film 130 is replaced before the film thickness at which the particles are generated is reached. There is a need.
【００１６】また、成膜中に保護膜１３０がガスに曝さ
れて腐食してしまったり、基板加熱による熱膨張によ
り、保護膜１３０と基板とが擦れ合って保護膜１３０が
磨耗してしまうこともあるため、その点でも保護膜１３
０は定期的に交換する必要がある。Further, the protective film 130 may be exposed to gas and corrode during film formation, or the protective film 130 and the substrate may rub against each other due to thermal expansion due to substrate heating, and the protective film 130 may be worn. Therefore, the protective film 13
0 must be replaced regularly.
【００１７】しかしながら従来装置では保護膜１３０は
静電チャックプレート１２０上に全面が接着されること
で設けられていたので、保護膜を交換する場合には、保
護膜を剥がして交換するか、あるいは静電吸着装置ごと
交換しなければならなかった。このため、交換時の作業
が煩雑で、交換に要するコストが高くなってしまうとい
う問題が生じていた。However, in the conventional device, the protective film 130 is provided by bonding the entire surface onto the electrostatic chuck plate 120. Therefore, when exchanging the protective film, the protective film should be peeled off or replaced. The entire electrostatic adsorption device had to be replaced. For this reason, there has been a problem that the replacement work is complicated and the cost required for the replacement becomes high.
【００１８】[0018]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の要求に応じるために創作されたものであり、その目的
は、静電吸着装置において、メンテナンスを容易にする
技術を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention was created in order to meet the requirements of the above-mentioned prior art, and an object thereof is to provide a technique for facilitating maintenance of an electrostatic attraction device. .
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために創作されたものであり、請求項１記載の発
明は、誘電体層と、前記誘電体層に設けられた電極とを
有するチャック本体と、薄板状の薄板部分を有する防着
体とを有し、前記薄板部分は、前記チャック本体の表面
に配置され、前記薄板部分上に基板を載置した状態で、
前記電極に電圧を印加すると、前記基板と前記電極との
間に吸着力が生じ、該吸着力で前記基板が前記薄板部分
に押し付けられるように構成された静電吸着装置であっ
て、前記防着体は、前記チャック本体に対して着脱可能
に構成されたことを特徴とする。請求項２記載の発明
は、請求項１記載の静電吸着装置であって、前記薄板部
分は、フィルム状に形成されている。請求項３記載の発
明は、請求項２記載の静電吸着装置であって、前記薄板
部分は、前記チャック本体の表面に載置されている。請
求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項記
載の静電吸着装置であって、前記薄板部分と前記チャッ
ク本体との間には、複数個の接着材が配置されている。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか１項
記載の静電吸着装置であって、前記防着体は、有底筒状
体に形成され、前記有底筒状体の底部が、前記薄板部分
とされている。請求項６記載の発明は、請求項５記載の
静電吸着装置であって、前記防着体は、前記有底筒状体
の筒部がつば状部材とされ、該つば状部材の内部側面が
前記チャック本体の側面と対向するように配置されてい
る。請求項７記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか
１項記載の静電吸着装置であって、前記防着体は、有底
角筒状体に形成され、前記有底角筒状体の角筒部分の一
側面が前記薄板部分とされ、前記薄板部分とされた一側
面と対向する前記角筒部分の側面が板状部分とされ、該
板状部分には、前記有底角筒状体の開口側から形成され
た切り欠きが設けられたことを特徴とする。請求項８記
載の発明は、静電吸着装置であって、誘電体層と、前記
誘電体層に設けられた電極とを有するチャック本体と、
前記チャック本体の表面の外周部分に配置され、中央部
分に開口が設けられたリング状の防着体とを有し、前記
チャック本体の表面に基板を載置した状態で、前記電極
に電圧を印加すると、前記基板と前記電極との間に吸着
力が生じ、該吸着力で前記基板が前記チャック本体及び
前記防着体の表面に押し付けられるように構成された静
電吸着装置であって、前記防着体は、前記チャック本体
に対して着脱可能に構成されたことを特徴とする。請求
項９記載の発明は、請求項８記載の静電吸着装置であっ
て、前記防着体の表面は、前記誘電体層の表面と面一に
なるように構成されている。請求項１０記載の発明は、
真空処理装置であって、真空槽と、前記真空槽内に配置
され、請求項１乃至９のいずれか１項に記載された静電
吸着装置とを有する。請求項１１記載の発明は、請求項
１０記載の真空処理装置であって、前記真空槽内に配置
され、前記防着体を保持する保持機構を有する。The present invention was created to solve the above-mentioned problems, and the invention according to claim 1 is a dielectric layer and an electrode provided on the dielectric layer. A chuck body having and a deposition preventer having a thin plate portion having a thin plate shape, wherein the thin plate portion is arranged on the surface of the chuck body, and a substrate is placed on the thin plate portion.
When a voltage is applied to the electrode, an attraction force is generated between the substrate and the electrode, and the attraction force causes the substrate to be pressed against the thin plate portion. The body is configured to be attachable to and detachable from the chuck body. The invention according to claim 2 is the electrostatic attraction device according to claim 1, wherein the thin plate portion is formed in a film shape. A third aspect of the present invention is the electrostatic attraction device according to the second aspect, wherein the thin plate portion is placed on the surface of the chuck body. The invention according to claim 4 is the electrostatic chucking device according to any one of claims 1 to 3, wherein a plurality of adhesives are arranged between the thin plate portion and the chuck body. There is.
According to a fifth aspect of the present invention, in the electrostatic adsorption device according to any one of the first to fourth aspects, the protection body is formed into a bottomed tubular body, and the bottomed tubular body is formed. The bottom is the thin plate portion. According to a sixth aspect of the present invention, in the electrostatic adsorption device according to the fifth aspect, in the attachment-preventing body, a tubular portion of the bottomed tubular body is a collar-shaped member, and an inner side surface of the collar-shaped member. Are arranged so as to face the side surface of the chuck body. The invention according to claim 7 is the electrostatic adsorption device according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesion-preventing body is formed into a bottomed rectangular tubular body, and the bottomed rectangular tubular shape is provided. One side surface of the rectangular tube portion of the body is the thin plate portion, and the side surface of the square tube portion facing the one side surface that is the thin plate portion is a plate-like portion, and the plate-like portion has the bottomed corner. A notch formed from the opening side of the tubular body is provided. The invention according to claim 8 is an electrostatic attraction device, comprising a chuck body having a dielectric layer and an electrode provided on the dielectric layer,
The chuck body has a ring-shaped attachment body which is arranged on the outer peripheral portion of the surface of the chuck body and has an opening formed in the central portion thereof, and a voltage is applied to the electrodes while the substrate is placed on the surface of the chuck body. When applied, an attraction force is generated between the substrate and the electrode, and the substrate is pressed by the attraction force onto the surfaces of the chuck body and the adhesion preventing body, The attachment body is configured to be attachable to and detachable from the chuck body. A ninth aspect of the present invention is the electrostatic attraction device according to the eighth aspect, wherein the surface of the protective body is flush with the surface of the dielectric layer. The invention according to claim 10 is
It is a vacuum processing apparatus, and has a vacuum chamber and the electrostatic adsorption device according to any one of claims 1 to 9 which is arranged in the vacuum chamber. The invention according to claim 11 is the vacuum processing apparatus according to claim 10, further comprising a holding mechanism which is arranged in the vacuum chamber and holds the deposition-inhibitory body.
【００２０】本発明によれば、防着体は、チャック本体
に対して着脱可能に構成されているので、成膜された薄
膜が析出したり、あるいは汚染や損傷が生じることによ
り防着体を交換する際に、防着体を取り外し、新たな防
着体をチャック本体に載せるだけで、簡単に防着体の交
換をすることができるので、交換に要する作業を軽減で
き、交換に要するコストを低くすることができる。According to the present invention, since the protective body is constructed so as to be attachable to and detachable from the chuck body, the protective body can be prevented from being deposited due to deposition of the formed thin film or contamination or damage. When replacing, you can easily replace the protective body by simply removing the protective body and placing a new protective body on the chuck body, so the work required for replacement can be reduced and the cost required for replacement can be reduced. Can be lowered.
【００２１】本発明において、薄板部分をフィルム状に
形成し、チャック本体上に載置するように構成してもよ
い。この場合薄板部分は単にチャック本体上に載置され
ているだけなので、接着されていた従来に比して、防着
体を簡単に取り外して交換することができる。In the present invention, the thin plate portion may be formed in a film shape and placed on the chuck body. In this case, since the thin plate portion is simply placed on the chuck body, it is possible to easily remove and replace the protective body, as compared with the pasted structure.
【００２２】また、本発明において、防着体とチャック
本体の間に、複数個の接着材を配置してもよい。この場
合には防着体はチャック本体に部分的に接着されている
ので、防着体がチャック本体に全面接着された従来に比
して、容易に剥離して取り外すことができ、防着体を容
易に交換することができる。Further, in the present invention, a plurality of adhesives may be arranged between the deposition preventive body and the chuck body. In this case, since the protective body is partially adhered to the chuck body, it can be easily peeled and removed as compared with the conventional case where the protective body is entirely adhered to the chuck body. Can be easily replaced.
【００２３】また、本発明において、防着体を有底筒状
体に形成し、その底部を薄板部分とするように構成し、
この防着体は、薄板部分がチャック本体表面に載り、有
底筒状体の内部側面がチャック本体の側面と対向するよ
うに配置してもよい。このように構成すると、防着体は
チャック本体に被せられ、チャック本体に対してずれに
くくなる。Further, in the present invention, the deposition-preventing body is formed into a cylindrical body having a bottom, and the bottom portion thereof is a thin plate portion,
The protective body may be arranged such that the thin plate portion is placed on the surface of the chuck body and the inner side surface of the bottomed tubular body faces the side surface of the chuck body. According to this structure, the adhesion preventive body is covered on the chuck body and is less likely to be displaced with respect to the chuck body.
【００２４】また、本発明において、チャック本体の表
面の外周部分に配置され、中央部分に開口が設けられた
防着体とを有し、基板とチャック本体との間に吸着力が
生じると、基板がチャック本体及び防着体の表面に押し
付けられるように構成し、防着体をチャック本体から取
り外すことができるように構成してもよい。Further, according to the present invention, the chuck body is provided on the outer peripheral portion of the surface of the chuck body, and has an adhesion preventive body having an opening at the central portion, and when an attraction force is generated between the substrate and the chuck body, The substrate may be configured to be pressed against the surfaces of the chuck body and the protective body, and the protective body may be removable from the chuck body.
【００２５】また、本発明の真空処理装置によれば、本
発明の静電吸着装置を有しているので、静電吸着装置の
防着体を容易に交換することができる。Further, according to the vacuum processing apparatus of the present invention, since it has the electrostatic chucking device of the present invention, it is possible to easily replace the protective body of the electrostatic chucking device.
【００２６】なお、本発明の真空処理装置において、防
着体を保持する保持機構を設けてもよい。例えば防着体
が単にチャック本体に載置されただけでは、防着体がチ
ャック本体からずれてしまうことがあるが、保持機構に
より防着体が動かないようにすることで、防着体がチャ
ック本体からずれなくなる。The vacuum processing apparatus of the present invention may be provided with a holding mechanism for holding the adherend. For example, when the protective body is simply placed on the chuck body, the protective body may be displaced from the chuck body. However, by preventing the protective body from moving by the holding mechanism, the protective body can be removed. It will not shift from the chuck body.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】以下で図面を参照し、本発明の実
施形態について説明する。図１の符号１に、本発明の真
空処理装置の一実施形態であるＣＶＤ装置を示す。この
ＣＶＤ装置１は、図示しない真空排気系に接続され、内
部が真空排気可能に構成された真空槽２を有している。
真空槽２には、ガス導入口３とガス排出口４とが設けら
れている。ガス導入口３とガス排出口４とは、それぞれ
図示しないガス導入系と真空排気系に接続されており、
真空排気系を起動すると真空槽２の内部を真空排気し、
また、ガス導入系を起動するとガス導入口３から反応ガ
スを導入することができるように構成されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Reference numeral 1 in FIG. 1 shows a CVD apparatus which is an embodiment of the vacuum processing apparatus of the present invention. The CVD apparatus 1 has a vacuum chamber 2 which is connected to a vacuum exhaust system (not shown) and whose inside is capable of vacuum exhaust.
The vacuum chamber 2 is provided with a gas inlet 3 and a gas outlet 4. The gas introduction port 3 and the gas discharge port 4 are connected to a gas introduction system and a vacuum exhaust system (not shown),
When the vacuum exhaust system is started, the inside of the vacuum chamber 2 is exhausted to vacuum,
Further, when the gas introduction system is started, the reaction gas can be introduced from the gas introduction port 3.
【００２８】真空槽２の内部底面側には、支柱５１が設
けられている。この支柱５１は下端が真空槽２内部底面
に固定されて鉛直に配置されている。支柱５１上には静
電吸着装置２１が配置されている。A column 51 is provided on the inner bottom surface side of the vacuum chamber 2. The column 51 has a lower end fixed to the inner bottom surface of the vacuum chamber 2 and arranged vertically. The electrostatic adsorption device 21 is arranged on the column 51.
【００２９】この静電吸着装置２１は、チャック本体２
０と、後述する防着シート９０を有している。チャック
本体２０の構成を図２(ａ)、(ｂ)に示す。The electrostatic attraction device 21 includes a chuck body 2
0 and an anti-adhesion sheet 90 described later. The structure of the chuck body 20 is shown in FIGS.
【００３０】このチャック本体２０は、金属板２４と、
該金属板２４上に配置された誘電体層２５からなる基体
２３と、第１、第２の電極２７1、２７2とを有してい
る。この基体２３は、支柱５１の上端に固定されて水平
に配置されている。誘電体層２５はＡｌ2Ｏ3を主成分と
するセラミックス製である。この誘電体層２５の表面に
は溝が形成されており、溝の内部に、Ａｌから成る第
１、第２の電極２７1、２７2が配置されている。The chuck body 20 includes a metal plate 24,
It has a substrate 23 composed of a dielectric layer 25 arranged on the metal plate 24, and first and second electrodes 27 1 and 27 2 . The base body 23 is fixed to the upper ends of the columns 51 and arranged horizontally. The dielectric layer 25 is made of ceramics containing Al 2 O 3 as a main component. A groove is formed on the surface of the dielectric layer 25, and first and second electrodes 27 1 and 27 2 made of Al are arranged inside the groove.
【００３１】第１、第２の電極２７1、２７2の平面図を
同図(ａ)に示す。第１、第２の電極２７1、２７2は本発
明の電極の一例であって、櫛状に成形されており、その
歯の部分が互いに噛み合うように配置されている。同図
(ｂ)は同図(ａ)のＡ−Ａ線断面図に相当する。A plan view of the first and second electrodes 27 1 and 27 2 is shown in FIG. The first and second electrodes 27 1 and 27 2 are an example of the electrodes of the present invention, are formed in a comb shape, and are arranged so that their tooth portions mesh with each other. Same figure
(b) corresponds to a sectional view taken along the line AA of FIG.
【００３２】第１、第２の電極２７1、２７2はそれぞれ
真空槽２の外に設けられた静電チャック電源２２に接続
され、接地された真空槽２とは絶縁されており、その静
電チャック電源２２を駆動すると、第１、第２の電極２
７1、２７2の間に直流電圧を印加することができるよう
に構成されている。The first and second electrodes 27 1 and 27 2 are respectively connected to an electrostatic chuck power source 22 provided outside the vacuum chamber 2 and are insulated from the grounded vacuum chamber 2 and their static electricity is maintained. When the electric chuck power supply 22 is driven, the first and second electrodes 2
A DC voltage can be applied between 7 1 and 27 2 .
【００３３】このチャック本体２０では、第１、第２の
電極２７1、２７2の表面は、誘電体層２５の表面と同じ
高さに形成されている。即ち、誘電体層２５表面と第
１、第２の電極２７1、２７2の表面は面一に形成されて
いる。In the chuck body 20, the surfaces of the first and second electrodes 27 1 and 27 2 are formed at the same height as the surface of the dielectric layer 25. That is, the surface of the dielectric layer 25 and the surfaces of the first and second electrodes 27 1 and 27 2 are formed flush with each other.
【００３４】上述した構成のＣＶＤ装置１を用いて、シ
リコン等の導電性基板の表面に薄膜を成膜するには、ま
ず真空槽２内部を大気に開放した後、人手又はロボット
により、防着シート９０を真空槽２内に搬入する。In order to form a thin film on the surface of a conductive substrate such as silicon using the CVD apparatus 1 having the above-described structure, first, the inside of the vacuum chamber 2 is opened to the atmosphere, and then the deposition is performed manually or by a robot. The sheet 90 is carried into the vacuum chamber 2.
【００３５】この防着シート９０は、本発明の防着体の
一例であって、平面形状が矩形の絶縁性フィルムであ
り、ほぼ全部が本発明の薄板部分にされている。この薄
板部分は、表面及び裏面がともに平坦に形成されてい
る。ここでは防着シート９０として厚み５０μｍのポリ
イミドフィルムを用いている。The deposition-inhibitory sheet 90 is an example of the deposition-inhibitory body of the present invention, and is an insulating film having a rectangular planar shape, and is almost entirely formed into the thin plate portion of the present invention. Both the front surface and the back surface of this thin plate portion are formed flat. Here, a polyimide film having a thickness of 50 μm is used as the deposition preventing sheet 90.
【００３６】防着シート９０を真空槽２内部に搬入した
ら、その防着シート９０を、チャック本体２０の上に載
せる。この防着シート９０は予めチャック本体の平面形
状の大きさより大きくされており、防着シート９０がチ
ャック本体２０上に載せられると、防着シート９０の裏
面の大部分はチャック本体２０の表面と接触し、端部の
ごく一部がチャック本体２０からはみ出す。このうちチ
ャック本体２０の表面と接触する部分の防着シート９０
は、本発明の薄板部分にされている。この薄板部分は、
表面及び裏面がともに平坦に形成されており、裏面全体
がチャック本体２０の表面と接触している。After the deposition-inhibiting sheet 90 is carried into the vacuum chamber 2, the deposition-inhibiting sheet 90 is placed on the chuck body 20. The deposition-inhibitory sheet 90 is made larger than the planar size of the chuck body in advance, and when the deposition-inhibition sheet 90 is placed on the chuck body 20, most of the back surface of the deposition-inhibition sheet 90 becomes the front surface of the chuck body 20. They come into contact with each other, and a small part of the end portion protrudes from the chuck body 20. Of these, the adhesion-preventing sheet 90 of the portion that contacts the surface of the chuck body 20
Is a thin plate portion of the present invention. This thin plate part
Both the front surface and the back surface are formed flat, and the entire back surface is in contact with the front surface of the chuck body 20.
【００３７】次に、真空槽２の内部を大気と遮断し、真
空槽２の内部を真空排気し、真空槽２内部を真空状態に
する。次いで、その真空状態を維持しながら真空槽２内
に基板を搬入し、基板を静電吸着装置２１上の防着シー
ト９０の表面上に載置する。その状態の基板を図２の符
号５に示す。上述したように防着シート９０の表面は平
坦にされており、基板５の裏面全面は防着シート９０の
薄板部分と接触している。Next, the inside of the vacuum chamber 2 is shut off from the atmosphere, the inside of the vacuum chamber 2 is evacuated, and the inside of the vacuum chamber 2 is brought into a vacuum state. Next, the substrate is loaded into the vacuum chamber 2 while maintaining the vacuum state, and the substrate is placed on the surface of the deposition preventing sheet 90 on the electrostatic adsorption device 21. The substrate in that state is shown by reference numeral 5 in FIG. As described above, the surface of the deposition-inhibitory sheet 90 is flat, and the entire back surface of the substrate 5 is in contact with the thin plate portion of the deposition-inhibition sheet 90.
【００３８】次に、静電チャック電源２２を起動し、第
１、第２の電極２７1、２７2の間に直流電圧を印加する
と、第１、第２の電極２７1、２７2にそれぞれ正負の電
圧が印加され、導電性の基板５と第１、第２の電極２７
1、２７2との間に静電吸着力が生じ、基板５の裏面の全
面が静電吸着装置２１表面に吸着される。Next, to start the electrostatic chuck power supply 22, first, when a DC voltage is applied to the second electrodes 27 1, 27 2 between the first and second electrodes 27 1, 27 2, respectively Positive and negative voltages are applied to the conductive substrate 5 and the first and second electrodes 27.
An electrostatic attraction force is generated between 1 and 27 2, and the entire back surface of the substrate 5 is attracted to the surface of the electrostatic attraction device 21.
【００３９】静電吸着装置２１の内部には、図示しない
ヒータが設けられ、静電吸着装置２１は予め所定温度ま
で加熱されており、基板５が静電吸着装置２１の表面に
静電吸着されると、基板５は加熱されて昇温する。基板
５が昇温して、成膜温度に達したら、ガス導入口３から
真空槽２内に反応ガスを導入すると、基板５表面に、反
応ガスの成分からなる薄膜が成長し始める。A heater (not shown) is provided inside the electrostatic chucking device 21, and the electrostatic chucking device 21 is preheated to a predetermined temperature so that the substrate 5 is electrostatically chucked on the surface of the electrostatic chucking device 21. Then, the substrate 5 is heated and its temperature rises. When the temperature of the substrate 5 rises and reaches the film formation temperature, a reaction gas is introduced into the vacuum chamber 2 through the gas inlet 3 and a thin film composed of the components of the reaction gas begins to grow on the surface of the substrate 5.
【００４０】成長した薄膜が目標とする膜厚に達したら
反応ガスの導入を停止し、成長を終了させると、１枚の
基板表面への薄膜の成膜が終了する。基板５と防着シー
ト９０との間に反応ガスが回り込み、また基板５の配置
されていない領域の防着シート９０表面は反応ガスに曝
されるので、防着シート９０の表面には、微量ながら薄
膜が析出する。When the grown thin film reaches the target film thickness, the introduction of the reaction gas is stopped and the growth is terminated, and the film formation on the surface of one substrate is completed. Reaction gas circulates between the substrate 5 and the deposition preventing sheet 90, and the surface of the deposition preventing sheet 90 in the region where the substrate 5 is not arranged is exposed to the reaction gas. While depositing a thin film.
【００４１】その後、静電チャック電源２２を停止さ
せ、第１、第２の電極２７1、２７2への電圧印加を停止
して、基板５の静電吸着状態を解除した後に、真空槽２
内部の真空状態を維持しながら、基板５を装置１の外へ
取り出す。After that, the electrostatic chuck power supply 22 is stopped, the voltage application to the first and second electrodes 27 1 and 27 2 is stopped, and the electrostatic adsorption state of the substrate 5 is released.
The substrate 5 is taken out of the apparatus 1 while maintaining the internal vacuum state.
【００４２】次いで、新たな基板を真空槽２内部に搬入
し、以上と同様の工程を経て、新たに搬入された基板表
面に薄膜を成膜する。以上の動作を繰り返すことによ
り、複数枚の基板に連続して薄膜が成膜される。複数枚
の基板に薄膜が成膜されると、防着シート９０表面に析
出する薄膜が厚くなる。こうして析出した薄膜の膜厚が
大きくなり、許容範囲以上になると、その薄膜が基板と
擦れ合うこと等でパーティクルが発生してしまうことが
あるので、析出した薄膜の膜厚が許容範囲の厚み以上に
なる前に、防着シート９０を交換する必要がある。Next, a new substrate is loaded into the vacuum chamber 2 and, through the same steps as above, a thin film is formed on the surface of the newly loaded substrate. By repeating the above operation, a thin film is continuously formed on a plurality of substrates. When a thin film is formed on a plurality of substrates, the thin film deposited on the surface of the deposition preventing sheet 90 becomes thick. If the thickness of the deposited thin film becomes larger than the permissible range, particles may be generated by rubbing the thin film against the substrate, etc. It is necessary to replace the anti-adhesion sheet 90 before it becomes.
【００４３】かかる防着シート９０を交換する際には、
まず、真空槽２内から成膜済みの基板を搬出した後に、
真空槽２内部を大気に開放する。その後、人手又はロボ
ットにより、防着シート９０を、チャック本体２０上か
ら取り除き、真空槽２の外部へと搬出する。この防着シ
ート９０は、チャック本体２０上に単に載置されている
だけなので、容易にチャック本体２０から取り外すこと
ができる。When replacing the anti-adhesion sheet 90,
First, after carrying out the film-formed substrate from the vacuum chamber 2,
The inside of the vacuum chamber 2 is opened to the atmosphere. After that, the deposition-inhibitory sheet 90 is removed from the chuck body 20 by hand or by a robot and carried out to the outside of the vacuum chamber 2. Since the deposition-preventive sheet 90 is simply placed on the chuck body 20, it can be easily removed from the chuck body 20.
【００４４】次いで、新たな防着シート９０を真空槽２
内部に搬入し、チャック本体２０上へと載置する。この
ように、防着シート９０はただチャック本体２０上に載
置されているだけであって、取り外しや取付が容易であ
るので、保護膜を剥離して交換しなければならなかった
従来に比して交換に要する作業が簡単になり、交換に要
するコストが低くなる。Next, a new deposition preventive sheet 90 is placed in the vacuum chamber 2
It is loaded inside and placed on the chuck body 20. As described above, since the deposition-preventive sheet 90 is simply placed on the chuck body 20 and can be easily removed and attached, the protective film must be peeled off and replaced as compared with the conventional case. Then, the work required for replacement becomes simple and the cost required for replacement becomes low.
【００４５】なお、上述した静電吸着装置２１では、防
着シート９０は、チャック本体２０上に単に載置されて
いるだけであるため、防着シート９０がチャック本体２
０に対してずれたり、あるいはチャック本体２０から落
ちてしまうことがある。かかるずれや落下を防止するた
め、例えば図４(ａ)の符号６５に示すように、防着シー
ト９０をチャック本体２０の表面に保持機構５２を設け
てもよい。In the electrostatic adsorption device 21 described above, the deposition-inhibitory sheet 90 is simply placed on the chuck body 20, so that the deposition-inhibitory sheet 90 is attached to the chuck body 2.
It may deviate from 0 or fall from the chuck body 20. In order to prevent such shift or drop, a holding mechanism 52 may be provided on the surface of the chuck body 20 for the deposition preventive sheet 90, as shown by reference numeral 65 in FIG.
【００４６】この保持機構５２は、図４(ａ)に示すよう
に、リング状に形成された押さえ用台座５２ａと、その
上方に配置されたリング状の押さえ用リング５２ｂを有
している。押さえ用台座５２ａは、チャック本体２０が
押さえ用台座５２ａの内部に位置するように真空槽２の
内部底面に配置されている。As shown in FIG. 4A, the holding mechanism 52 has a ring-shaped pressing base 52a and a ring-shaped pressing ring 52b arranged above the pressing base 52a. The pressing pedestal 52a is arranged on the inner bottom surface of the vacuum chamber 2 so that the chuck body 20 is located inside the pressing pedestal 52a.
【００４７】この押さえ用台座５２ａはその上面が平坦
にされ、上面の高さが、チャック本体２０の表面の高さ
とほぼ同じ高さになっている。図４(ｂ)に示すように、
防着シート９０をチャック本体２０の表面に載せると、
防着シート９０の端部は、押さえ用台座５２ａの上面に
乗る。The pressing pedestal 52a has a flat upper surface, and the height of the upper surface is substantially the same as the height of the surface of the chuck body 20. As shown in FIG. 4 (b),
When the deposition preventive sheet 90 is placed on the surface of the chuck body 20,
The end of the deposition-inhibitory sheet 90 rides on the upper surface of the pressing pedestal 52a.
【００４８】次いで、図４(ｃ)に示すように、押さえ用
台座５２ａの上方から押さえ用リング５２ｂを下降させ
る。押さえ用リング５２ｂは、その平面形状が押さえ用
台座５２ａの平面形状と同じ形状でかつ同じ大きさにな
っており、下降した押さえ用リング５２ｂは押さえ用台
座５２ａ上に重なるようになっている。すると防着シー
ト９０の端部は押さえ用台座５２ａと押さえ用リング５
２ｂとの間に挟み込まれ、防着シート９０はチャック本
体２０の表面に乗った状態で容易に動かなくなり、チャ
ック本体２０に対してずれにくくなる。Then, as shown in FIG. 4C, the pressing ring 52b is lowered from above the pressing pedestal 52a. The pressing ring 52b has the same planar shape and the same size as the planar shape of the pressing pedestal 52a, and the lowered pressing ring 52b overlaps the pressing pedestal 52a. Then, the end portion of the deposition-inhibitory sheet 90 has the pressing pedestal 52a and the pressing ring 5
The anti-adhesion sheet 90 is sandwiched between the chuck body 2b and 2b and cannot easily move while being on the surface of the chuck body 20, and is less likely to be displaced with respect to the chuck body 20.
【００４９】また、防着シート９０を交換する場合に
は、押さえ用リング５２ｂを取り外すことで簡単に古い
防着シートを取り除くことができ、その後新しい防着シ
ートを押さえ用台座５２ａと押さえ用リング５２ｂとで
挟んで取り付けることにより、防着シート９０を交換す
ることができる。その後、防着シート９０上に基板５を
載置した状態を図４(ｄ)に示す。Further, when replacing the deposition-inhibitory sheet 90, the old deposition-inhibition sheet can be easily removed by removing the retaining ring 52b, and then a new deposition-inhibition sheet is replaced with the retaining pedestal 52a and the retaining ring. The anti-adhesion sheet 90 can be replaced by sandwiching it with 52b and attaching it. After that, a state in which the substrate 5 is placed on the deposition-inhibitory sheet 90 is shown in FIG.
【００５０】また、防着シート９０の薄板部分がチャッ
ク本体２０に対してずれないようにするため、チャック
本体２０の表面に複数個の接着材を設ける構成としても
よい。このように構成し、防着シート９０をチャック本
体２０の表面に載置すると、接着材により、防着シート
９０の薄板部分とチャック本体２０とは、部分的に接着
される。図５(ａ)、(ｂ)の符号６６に、その静電吸着装
置を示し、５３に接着材を示す。ここではチャック本体
２０表面の周囲の四箇所に接着材５３が設けられてお
り、四箇所で防着シート９０の薄板部分とチャック本体
２０とが接着されている。その結果、防着シート９０は
チャック本体２０に対してずれにくくなる。Further, in order to prevent the thin plate portion of the deposition-inhibitory sheet 90 from shifting with respect to the chuck body 20, a plurality of adhesive materials may be provided on the surface of the chuck body 20. When the adhesion preventing sheet 90 is placed on the surface of the chuck body 20 with this structure, the thin plate portion of the adhesion preventing sheet 90 and the chuck body 20 are partially adhered by the adhesive material. Reference numeral 66 in FIGS. 5A and 5B shows the electrostatic attraction device, and reference numeral 53 shows an adhesive material. Here, the adhesive material 53 is provided at four locations around the surface of the chuck body 20, and the thin plate portion of the deposition-inhibitory sheet 90 and the chuck body 20 are bonded at the four locations. As a result, the deposition-inhibitory sheet 90 is less likely to shift with respect to the chuck body 20.
【００５１】この防着シート９０は、四箇所に配置され
た接着材５３によってチャック本体２０に部分的に接着
されているので、保護膜全面がチャック本体上に接着さ
れていたため交換が困難であった従来に比して、防着シ
ート９０を容易に剥離することができ、防着シート９０
を容易に交換することができる。Since the anti-adhesion sheet 90 is partially adhered to the chuck body 20 by the adhesive materials 53 arranged at four places, it is difficult to replace it because the entire surface of the protective film is adhered on the chuck body. As compared with the conventional one, the deposition-inhibitory sheet 90 can be easily peeled off,
Can be easily replaced.
【００５２】この場合、接着材５３は、チャック本体２
０の表面に設けられているものとしているが、本発明は
これに限らず、防着シート９０の裏面の適当な位置に接
着材５３を設けて、この接着材５３で防着シート９０と
チャック本体２０とを接着するように構成してもよい。In this case, the adhesive material 53 is used for the chuck body 2
However, the present invention is not limited to this, and the adhesive material 53 is provided at an appropriate position on the back surface of the deposition-inhibitory sheet 90, and this adhesive material 53 is used to bond the deposition-inhibitory sheet 90 and the chuck. You may comprise so that the main body 20 may be adhere | attached.
【００５３】また、以上までは、本発明の防着体をポリ
イミドのフィルムからなる防着シート９０としたが、本
発明の防着体はこれに限られるものではなく、例えばポ
リイミドのフィルムで有底筒状体を形成した帽子状防着
体としてもよい。この帽子状防着体は、図６(ａ)の符号
８１に示すように、浅い有底筒状体に形成され、その底
部が、本発明の薄板部分とされ、筒部がつば状部材５５
とされている。薄板部分を符号５０に示す。このつば状
部材５５を底面側に向け、帽子状防着体８１をチャック
本体２０の上方から降下させると、チャック本体２０上
に帽子状防着体８１が被せられ、底面側に位置するつば
状部材５５により、帽子状防着体８１はチャック本体２
０に対してずれにくくなる。この状態でつば状部材５５
の内部側面はチャック本体２０の側面と密着しており、
チャック本体２０の側面から表面へとガスが回り込みに
くくなるので、その表面は汚染されにくくなる。In the above, the protective body of the present invention is the protective sheet 90 made of a polyimide film, but the protective body of the present invention is not limited to this, and may be, for example, a polyimide film. It may be a hat-shaped protective body having a bottom cylindrical body. As shown by reference numeral 81 in FIG. 6A, this hat-shaped attachment body is formed into a shallow bottomed tubular body, the bottom portion of which is the thin plate portion of the present invention, and the tubular portion is a brim member 55.
It is said that. The thin plate portion is indicated by reference numeral 50. When the hat-shaped protective body 81 is lowered from above the chuck body 20 with the brim-shaped member 55 facing the bottom side, the hat-shaped protective body 81 is covered on the chuck body 20 and the brim-shaped body located on the bottom side is covered. By the member 55, the hat-shaped body 81 is attached to the chuck body 2
It becomes difficult to shift from 0. In this state, the brim member 55
The inner side surface of the is in close contact with the side surface of the chuck body 20,
Since the gas is less likely to flow from the side surface of the chuck body 20 to the surface, the surface is less likely to be contaminated.
【００５４】かかる帽子状防着体８１を交換するには、
真空槽２内部を大気に開放した後、人手又はロボットで
古い帽子状防着体８１を上方に引き上げ、チャック本体
２０から取り外した後、新たな帽子状防着体８１をチャ
ック本体２０へと被せればよい。帽子状防着体８１は、
単にチャック本体２０上に被せられているだけなので、
チャック本体２０に対して容易に着脱が可能である。こ
のため従来に比して交換作業が容易であり、交換に要す
るコストが低くなる。To replace the hat-shaped body 81,
After opening the inside of the vacuum chamber 2 to the atmosphere, the old hat-shaped protective body 81 is pulled up by hand or robot and removed from the chuck body 20, and then a new hat-shaped protective body 81 is attached to the chuck body 20. You can do it. The hat-shaped body 81 is
Since it is simply covered on the chuck body 20,
It can be easily attached to and detached from the chuck body 20. Therefore, the replacement work is easier and the cost required for the replacement is lower than in the conventional case.
【００５５】また、図６(ｂ)に示すようなジャケット状
防着体８２を形成してもよい。このジャケット状防着体
８２は、ポリイミドフィルムで形成された有底角筒状体
で構成されている。Further, a jacket-shaped attachment body 82 as shown in FIG. 6 (b) may be formed. The jacket-shaped attachment body 82 is formed of a bottomed rectangular tubular body formed of a polyimide film.
【００５６】この有底角筒状体の底部は矩形の底部分５
９にされ、その開口は矩形の開口部分５７にされてい
る。また、この有底角筒状体の筒部を構成する四側面の
一つは薄板部分５０にされ、薄板部分５０と対向する有
底角筒状体の側面は、板状部分５６にされている。板状
部分５６には、開口部分５７側から切られた矩形状の切
り欠き５６ａが設けられている。The bottom of this bottomed rectangular cylinder is a rectangular bottom portion 5.
9 and its opening is a rectangular opening portion 57. Further, one of the four side surfaces forming the tubular portion of the bottomed rectangular tubular body is a thin plate portion 50, and the side surface of the bottomed rectangular tubular body facing the thin plate portion 50 is a plate portion 56. There is. The plate-shaped portion 56 is provided with a rectangular notch 56a cut from the opening portion 57 side.
【００５７】このジャケット状防着体８２の薄板部分５
０を天井側に向け、板状部分５６を底面側に向け、ジャ
ケット状防着体８２をチャック本体２０とほぼ同じ高さ
にし、開口部分５７をチャック本体２０の側面に向けた
後、チャック本体２０へと水平移動させると、チャック
本体２０全体が、有底角筒状体の内部中空部分に納ま
る。その状態の断面図を図６(ｃ)に示す。符号６８は静
電吸着装置を示している。このとき、チャック本体２０
の底面に配置された支柱５１は、切り欠き５６ａの内部
に納まる。The thin plate portion 5 of this jacket-shaped body 82
0 to the ceiling side, the plate-shaped portion 56 to the bottom side, the jacket-shaped body 82 is set to substantially the same height as the chuck body 20, and the opening portion 57 is directed to the side surface of the chuck body 20. When it is horizontally moved to 20, the entire chuck body 20 is housed in the inner hollow portion of the bottomed rectangular tubular body. A sectional view of this state is shown in FIG. Reference numeral 68 indicates an electrostatic adsorption device. At this time, the chuck body 20
The pillars 51 arranged on the bottom surface of the column fit inside the notch 56a.
【００５８】このように構成すると、ジャケット状防着
体８２の開口部分５７からは、チャック本体２０の一側
面が露出しているが、他の側面と表面と底面はジャケッ
ト状防着体８２によって被覆されているので、チャック
本体２０の側面から表面へとガスが回り込むことはほと
んどなく、表面が汚染しにくくなる。With this structure, one side surface of the chuck body 20 is exposed from the opening 57 of the jacket-shaped body 82, but the other side surface, surface and bottom surface are covered by the jacket-shaped body 82. Since it is covered, the gas hardly circulates from the side surface of the chuck body 20 to the surface, and the surface is less likely to be contaminated.
【００５９】かかるジャケット状防着体８２を新しいも
のに交換するには、まず真空槽２内部を大気に開放した
後、人手又はロボットで、古いジャケット状防着体８２
の底部分５９を、チャック本体２０から遠ざける方向に
水平移動させると、ジャケット状防着体８２はチャック
本体２０から引き抜かれる。このジャケット状防着体８
２は、単に水平方向からチャック本体２０に被せられて
いるだけであって、チャック本体２０に対して容易に着
脱が可能である。このため従来に比して交換作業が容易
であり、交換に要するコストが低くなる。In order to replace the jacket-like protective body 82 with a new one, the inside of the vacuum chamber 2 is first opened to the atmosphere, and then the old jacket-like protective body 82 is manually or robotically operated.
When the bottom portion 59 of the is horizontally moved in a direction away from the chuck body 20, the jacket-shaped body 82 is pulled out from the chuck body 20. This jacket-shaped body 8
The reference numeral 2 simply covers the chuck body 20 from the horizontal direction, and can be easily attached to and detached from the chuck body 20. Therefore, the replacement work is easier and the cost required for the replacement is lower than in the conventional case.
【００６０】また、上述した静電吸着装置では、防着体
はチャック本体２０の表面全部を覆うように配置されて
いたが、本発明の着脱可能な防着体はこれに限られるも
のではなく、防着体がチャック本体２０の表面の一部を
覆うように構成されていてもよい。Further, in the above-mentioned electrostatic attraction device, the protective body is arranged so as to cover the entire surface of the chuck body 20, but the removable protective body of the present invention is not limited to this. The deposition preventive body may be configured to cover a part of the surface of the chuck body 20.
【００６１】例えば、スパッタリング装置に静電吸着装
置を設け、基板を静電吸着装置表面に吸着させ、スパッ
タリング法で基板表面に薄膜を成膜する場合には、静電
吸着装置と基板との間にはスパッタリングされた材料が
付着することはなく、静電吸着装置表面には、例えば静
電吸着装置表面の外周部分のように、基板が配置されて
いない箇所だけにスパッタリングされた材料が付着す
る。このため、スパッタリングされた材料は、基板の下
方に位置する静電吸着装置表面には付着しない。この場
合には、静電吸着装置の全面に着脱可能な防着体を設け
る必要がなく、薄膜が析出する箇所に部分的に防着体を
設ければよい。For example, when an electrostatic adsorption device is provided in the sputtering device and the substrate is adsorbed on the surface of the electrostatic adsorption device and a thin film is formed on the surface of the substrate by the sputtering method, the space between the electrostatic adsorption device and the substrate is reduced. The sputtered material does not adhere to the surface, and the sputtered material adheres to the surface of the electrostatic adsorption device only where the substrate is not placed, such as the outer peripheral portion of the surface of the electrostatic adsorption device. . Therefore, the sputtered material does not adhere to the surface of the electrostatic attraction device located below the substrate. In this case, it is not necessary to provide a removable protective body on the entire surface of the electrostatic attraction device, and the protective body may be partially provided at the place where the thin film is deposited.
【００６２】図７(ａ)、(ｂ)の符号７０に、かかる静電
吸着装置の一例を示す。この静電吸着装置７０は、上述
したチャック本体２０と、防着体６１と絶縁板６３とを
有している。Reference numeral 70 in FIGS. 7A and 7B shows an example of such an electrostatic adsorption device. The electrostatic attraction device 70 includes the chuck body 20, the deposition preventive body 61, and the insulating plate 63 described above.
【００６３】チャック本体２０の誘電体層２５の表面の
中央領域には、円形の絶縁板６３が配置されており、こ
の絶縁板６３は誘電体層２５表面に固定されている。そ
の状態を図８(ａ)に示す。誘電体層２５の外周部分は露
出し、誘電体層２５と絶縁板６３との段差により、溝部
６２が形成されている。A circular insulating plate 63 is arranged in the central region of the surface of the dielectric layer 25 of the chuck body 20, and the insulating plate 63 is fixed to the surface of the dielectric layer 25. The state is shown in FIG. The outer peripheral portion of the dielectric layer 25 is exposed, and a groove 62 is formed by the step between the dielectric layer 25 and the insulating plate 63.
【００６４】この溝部６２内に、リング状の絶縁フィル
ムからなる防着材６１を配置する。防着体６１は、その
平面形状が溝部６２の平面形状と同じリング形状でかつ
同じ大きさであり、かつその厚みが溝部６２の深さと同
じ厚みになっている。かかる防着体６１を溝部６２の上
方に位置させた後に下降させると、図８(ｂ)に示すよう
に防着体６１は溝部６２の内部に収まり、防着体６１と
絶縁板６３の表面は同じ高さになる。即ち、防着体６１
の表面と絶縁板６３の表面とは面一になっている。In this groove portion 62, the deposition preventive material 61 made of a ring-shaped insulating film is arranged. The protective body 61 has a plane shape that is the same ring shape and the same size as the plane shape of the groove portion 62, and a thickness that is the same as the depth of the groove portion 62. When the protective body 61 is lowered after being positioned above the groove portion 62, the protective body 61 fits inside the groove portion 62 as shown in FIG. 8B, and the surfaces of the protective body 61 and the insulating plate 63 are covered. Are at the same height. That is, the protective body 61
And the surface of the insulating plate 63 are flush with each other.
【００６５】かかる静電吸着装置７０に、導電性の基板
５を載せた状態を図８(ｃ)、(ｄ)に示す。図８(ｃ)、
(ｄ)に示すように、基板５の径は誘電体層２５の外径よ
り大きく、かつ防着体６１の外径よりは小さく、基板５
をチャック本体２０表面に載置すると、その基板５は、
誘電体層２５の表面及び第１、第２の電極２７1、２７2
の表面と、防着体６１の表面とにわたって配置される。A state in which the conductive substrate 5 is placed on the electrostatic attraction device 70 is shown in FIGS. 8 (c) and 8 (d). FIG. 8 (c),
As shown in (d), the diameter of the substrate 5 is larger than the outer diameter of the dielectric layer 25 and smaller than the outer diameter of the deposition preventive body 61.
When placed on the surface of the chuck body 20, the substrate 5 is
The surface of the dielectric layer 25 and the first and second electrodes 27 1 and 27 2
And the surface of the protective body 61.
【００６６】この状態で第１、第２の電極２７1、２７2
に電圧を印加すると、基板５と第１、第２の電極２
７1、２７2の間に静電吸着力が生じ、この静電吸着力に
より、基板５の裏面は、絶縁板６３の表面と防着体６１
の表面とに押し付けられる。In this state, the first and second electrodes 27 1 and 27 2
When a voltage is applied to the substrate 5, the substrate 5 and the first and second electrodes 2
An electrostatic attraction force is generated between 7 1 and 27 2 , and this electrostatic attraction force causes the back surface of the substrate 5 to face the front surface of the insulating plate 63 and the protective body 61.
Pressed against the surface of.
【００６７】かかる静電吸着装置７０で、基板５の表面
にスパッタリング法で薄膜を成膜する際には、図示しな
いターゲットからスパッタリングされた材料が、基板５
の表面や防着体６１の表面へと飛散し、基板５の表面に
は薄膜が成長される。このとき静電吸着装置にも薄膜が
析出するが、誘電体層２５の中央部分や第１、第２の電
極２７1、２７2の表面上には基板５が配置され、また、
誘電体層２５表面の外周部分は防着体６１で被覆されて
おり、誘電体層２５の表面や第１、第２の電極２７1、
２７2の表面にはスパッタガス等は回り込まず、成膜時
に第１、第２の電極２７1、２７2や誘電体層２５の表面
に薄膜が析出することはない。かかる薄膜は、基板５が
載置されたときに露出する防着体６１の外周部分にのみ
析出する。従って、析出した薄膜によりパーティクルが
生じないようにするには、薄膜が析出する防着体６１の
みを交換すればよい。When a thin film is formed on the surface of the substrate 5 by the electrostatic attraction device 70 by the sputtering method, the material sputtered from a target (not shown) is used as the substrate 5.
On the surface of the substrate and the surface of the adhesion preventive body 61, and a thin film is grown on the surface of the substrate 5. At this time, a thin film is also deposited on the electrostatic adsorption device, but the substrate 5 is arranged on the central portion of the dielectric layer 25 and on the surfaces of the first and second electrodes 27 1 and 27 2 .
The outer peripheral portion of the surface of the dielectric layer 25 is covered with an adhesion preventive body 61, and the surface of the dielectric layer 25 and the first and second electrodes 27 1 ,
27 without wrap sputtering gas such as the second surface, the first, thin film on the surface of the second electrode 27 1, 27 2 and the dielectric layer 25 will not be deposited at the time of deposition. Such a thin film is deposited only on the outer peripheral portion of the protective body 61 that is exposed when the substrate 5 is placed. Therefore, in order to prevent particles from being generated by the deposited thin film, only the deposition preventive body 61 on which the thin film is deposited may be replaced.
【００６８】この防着体６１は溝部６２内に配置されて
いるだけであって、接着も固定もされていないので、防
着体６１の表面にスパッタリングされた材料が付着し
て、交換が必要になった場合でも、古い防着体６１を溝
部６２から容易に取り外すことができ、その後、新しい
防着体を溝部６２内に配置することにより簡単に防着体
を交換することができる。Since this adhesion-preventing body 61 is only arranged in the groove portion 62 and is not bonded or fixed, the sputtered material adheres to the surface of the adhesion-preventing body 61 and needs to be replaced. Even in the case of, the old protective body 61 can be easily removed from the groove portion 62, and then the new protective body can be easily replaced by disposing a new protective body in the groove portion 62.
【００６９】以上までは、静電吸着装置が吸着する基板
としてシリコンからなる導電性基板を用いたが、本発明
の静電吸着装置が吸着する基板はこれに限られるもので
はなく、例えばガラス等の絶縁性基板を吸着することも
可能である。絶縁性基板を静電吸着装置の表面に載置し
た状態で第１、第２の電極２７1、２７2間に電圧を印加
すると、第１、第２の電極２７1、２７2間に電界が生じ
るが、その電界により、絶縁性基板は、静電吸着装置表
面方向に力(以下でグラディエント力と称する。)を受
け、グラディエント力により、絶縁性基板が静電吸着装
置の表面に吸着される。Up to the above, the conductive substrate made of silicon is used as the substrate attracted by the electrostatic attraction device, but the substrate attracted by the electrostatic attraction device of the present invention is not limited to this, and for example, glass or the like. It is also possible to adsorb the insulating substrate. When a voltage is applied between the first and second electrodes 27 1 and 27 2 with the insulating substrate placed on the surface of the electrostatic adsorption device, an electric field is generated between the first and second electrodes 27 1 and 27 2. However, due to the electric field, the insulating substrate receives a force (hereinafter referred to as a gradient force) in the surface direction of the electrostatic attraction device, and the gradient force causes the insulating substrate to be attracted to the surface of the electrostatic attraction device. It
【００７０】このように絶縁性基板を静電吸着する際に
は、第１、第２の電極２７1、２７2上に直接基板を配置
しても、第１、第２の電極２７1、２７2間が短絡するこ
とはない。このため、図７(ｃ)の符号７１に示すよう
に、第１、第２の電極２７1、２７2が露出するような構
成としてもよい。In this way, when electrostatically adsorbing the insulating substrate, even if the substrate is directly placed on the first and second electrodes 27 1 and 27 2 , the first and second electrodes 27 1 and 27 1 There is no short circuit between the two 27 2 . Therefore, as shown by reference numeral 71 in FIG. 7C, the first and second electrodes 27 1 and 27 2 may be exposed.
【００７１】図７(ｃ)の静電吸着装置７１は、図７
(ａ)、(ｂ)で説明した静電吸着装置７０とほぼ同じ構成
の装置であるが、絶縁板６３が設けられておらず、誘電
体層２５の表面から第１、第２の電極２７1、２７2が露
出している点と、誘電体層２５の外周部分に溝が形成さ
れ、その溝内に、溝と同じ形状で、厚みが溝の深さと同
じ防着体６１が配置され、防着体６１の表面と誘電体層
２５及び第１、第２の電極２７1、２７2の表面とが面一
になっている点とで図７(ａ)、(ｂ)の静電吸着装置７０
と異なる。The electrostatic adsorption device 71 shown in FIG.
The device has substantially the same configuration as the electrostatic adsorption device 70 described in (a) and (b), but the insulating plate 63 is not provided, and the first and second electrodes 27 are formed from the surface of the dielectric layer 25. A groove is formed in the outer peripheral portion of the dielectric layer 25 and the point where 1 and 27 2 are exposed, and a protective body 61 having the same shape as the groove and the same thickness as the depth of the groove is arranged in the groove. 7A and 7B in that the surface of the protective body 61 and the surfaces of the dielectric layer 25 and the first and second electrodes 27 1 and 27 2 are flush with each other. Adsorption device 70
Different from
【００７２】かかる静電吸着装置７１をスパッタリング
装置に用いる場合には、図７(ａ)、(ｂ)で説明した静電
吸着装置７０と同様に、基板５が載置された状態で露出
する防着体６１の外周部分にのみ薄膜が析出する。従っ
て、析出した薄膜を取り除くには防着体６１のみを交換
すればよく、また防着体６１は容易に着脱可能なので、
交換作業は簡単になる。When the electrostatic adsorption device 71 is used in a sputtering device, the substrate 5 is exposed in a mounted state, as in the electrostatic adsorption device 70 described with reference to FIGS. 7A and 7B. The thin film is deposited only on the outer peripheral portion of the protective body 61. Therefore, in order to remove the deposited thin film, only the protective body 61 needs to be replaced, and the protective body 61 is easily removable,
Exchange work becomes easy.
【００７３】なお、本実施形態ではチャック本体２０を
図２(ａ)、(ｂ)に示す構造としているが、本発明のチャ
ック本体はかかる構造に限られるものではない。以下
で、本発明の第一例のチャック本体３１の模式的な断面
図を図９(ａ)に示す。このチャック本体３１は、誘電体
層２５表面に形成された第１、第２の電極２７1、２７2
を有しており、各電極２７1、２７2の表面は誘電体層２
５の表面よりも高くなっている。Although the chuck body 20 has the structure shown in FIGS. 2A and 2B in the present embodiment, the chuck body of the present invention is not limited to this structure. Hereinafter, a schematic sectional view of the chuck body 31 of the first example of the present invention is shown in FIG. The chuck body 31 includes the first and second electrodes 27 1 and 27 2 formed on the surface of the dielectric layer 25.
And the surface of each of the electrodes 27 1 and 27 2 is a dielectric layer 2
5 is higher than the surface.
【００７４】同図(ｂ)、(ｃ)に、第二例及び第三例のチ
ャック本体３２、３３の断面図をそれぞれ示す。第二例
及び第三例のチャック本体３２、３３は、各誘電体層２
５の表面に、金属板２４にまで達しないように形成され
た凹部を有している。それぞれの凹部には、第１、第２
の電極２７1、２７2が互いに絶縁された状態で配置され
ており、各第１、第２の電極２７1、２７2の下端部は、
各凹部の底面上に配置されている。FIGS. 9B and 9C are sectional views of the chuck bodies 32 and 33 of the second and third examples, respectively. The chuck bodies 32 and 33 of the second example and the third example have the dielectric layers 2 respectively.
The surface of No. 5 has a recess formed so as not to reach the metal plate 24. Each recess has a first and a second
The electrodes 27 1 and 27 2 are arranged in a state of being insulated from each other, and the lower ends of the first and second electrodes 27 1 and 27 2 are
It is arranged on the bottom surface of each recess.
【００７５】同図(ｂ)の第二例のチャック本体３２で
は、第１、第２の電極２７1、２７2の上端部は誘電体層
２５上から突き出されている。この第二例のチャック本
体３２では、その上に基板を配置すると、基板裏面は第
１、第２の電極２７1、２７2の上端部と接触すると共に
基板裏面と誘電体層２５との間には隙間が形成される。In the chuck body 32 of the second example shown in FIG. 7B, the upper ends of the first and second electrodes 27 1 and 27 2 are projected from above the dielectric layer 25. In the chuck body 32 of the second example, when the substrate is placed on the chuck body 32, the back surface of the substrate comes into contact with the upper end portions of the first and second electrodes 27 1 and 27 2 and also between the back surface of the substrate and the dielectric layer 25. A gap is formed in the.
【００７６】これら第一例、第二例のチャック本体３
１、３２では、上述したように、ともに基板が配置され
た状態で、基板裏面が第１、第２の電極２７1、２７2の
先端部分に接触するが、基板がガラス等の絶縁性基板で
ある場合には、基板を介して第１、第２の電極２７1、
２７2は短絡せずに、その間に電界が発生するので、基
板を静電吸着することができる。The chuck body 3 of these first and second examples
In Nos. 1 and 32, as described above, the back surfaces of the substrates are in contact with the tip portions of the first and second electrodes 27 1 and 27 2 in the state where the substrates are arranged together, but the substrates are insulating substrates such as glass. , The first and second electrodes 27 1 through the substrate,
Since 27 2 is not short-circuited and an electric field is generated between them, the substrate can be electrostatically adsorbed.
【００７７】同図(ｃ)の第三例のチャック本体３３で
は、第１、第２の電極２７1、２７2の上端部は、誘電体
層２５の表面よりも低く形成されている。即ち、第１、
第２の電極２７1、２７2の上端部は凹部内の奥まった部
分に位置しており、第１、第２の電極２７1、２７2間に
は、誘電体層２５の表面部分で構成された突部２９が形
成されている。In the chuck body 33 of the third example of FIG. 7C, the upper ends of the first and second electrodes 27 1 and 27 2 are formed lower than the surface of the dielectric layer 25. That is, the first,
The upper ends of the second electrodes 27 1 and 27 2 are located in the recessed portion in the recess, and the surface portion of the dielectric layer 25 is formed between the first and second electrodes 27 1 and 27 2. The projected portion 29 is formed.
【００７８】このチャック本体３３では、その表面に基
板を配置すると基板裏面は突部２９の上端部と接触する
が、第１、第２の電極２７1、２７2とは接触しないよう
になっている。In this chuck body 33, when the substrate is placed on the front surface, the back surface of the substrate comes into contact with the upper ends of the protrusions 29, but does not come into contact with the first and second electrodes 27 1 and 27 2. There is.
【００７９】さらに、上述したチャック本体３１、３
２、３３の表面には、従来のように保護膜が形成されて
おらず、第１、第２の電極２７1、２７2は露出していた
が、チャック本体の構造はこれに限られるものではな
く、図９(ｄ)の第四例に示すように、誘電体層２５の表
面に、誘電体層２５及び第１、第２の電極２７1、２７2
を被覆する保護膜３０を形成する構成としてもよい。Further, the chuck bodies 31, 3 described above are used.
A protective film was not formed on the surfaces of Nos. 2 and 33 as in the prior art, and the first and second electrodes 27 1 and 27 2 were exposed, but the structure of the chuck body is not limited to this. Instead, as shown in the fourth example of FIG. 9D, the dielectric layer 25 and the first and second electrodes 27 1 and 27 2 are formed on the surface of the dielectric layer 25.
The protective film 30 may be formed so as to cover the.
【００８０】しかしながら、保護膜３０が形成された場
合には、保護膜３０が形成されていない場合に比して吸
着力が小さくなるので、保護膜３０を形成しない構成と
することが好ましい。However, when the protective film 30 is formed, the adsorption force becomes smaller than when the protective film 30 is not formed. Therefore, it is preferable that the protective film 30 is not formed.
【００８１】本発明の発明者等は、同じチャック本体表
面に保護膜を形成した場合に、保護膜を形成しない場合
に比してどの程度吸着力が低下するかについて調べた。
図１０のグラフに、その結果得られた第１、第２の電極
間に印加する電圧と吸着力との関係を示す。図１０で、
曲線(Ａ)、(Ｂ)、(Ｃ)は、いずれも、同じチャック本体
の第１、第２の電極に同じ電圧を印加し、印加開始後、
１分間経過した時の吸着力を測定した場合の、印加電圧
と吸着力との関係を示している。このうち曲線(Ａ)は、
表面に保護膜が形成されていないチャック本体上に、防
着体として厚さ１００μｍのポリイミドフィルムを敷い
た状態における測定結果を示している。他方、曲線(Ｂ)
及び(Ｃ)は、いずれも表面に４００μｍの保護膜が形成
されたチャック本体を用いた場合の測定結果である。こ
のうち曲線(Ｂ)は、保護膜上に防着体を設けない場合の
測定結果を示し、曲線(Ｃ)は、保護膜上に、防着体とし
て厚さ１００μｍのポリイミドフィルムを敷いた場合の
測定結果を示している。The inventors of the present invention have investigated how much the attraction force decreases when the protective film is formed on the same chuck body surface as compared with the case where the protective film is not formed.
The graph of FIG. 10 shows the relationship between the resulting voltage applied between the first and second electrodes and the attraction force. In FIG.
Curves (A), (B), and (C) are the same when the same voltage is applied to the first and second electrodes of the same chuck body,
The relationship between the applied voltage and the attraction force when the attraction force after one minute has been measured is shown. Of these, the curve (A) is
The measurement results are shown in the state in which a 100 μm-thick polyimide film is spread as an adherend on a chuck body having no protective film formed on its surface. On the other hand, curve (B)
3C and 3C are measurement results when a chuck body having a protective film of 400 μm formed on the surface thereof is used. Among them, the curve (B) shows the measurement result when the protective film is not provided on the protective film, and the curve (C) shows the case where a polyimide film having a thickness of 100 μm is laid on the protective film as the protective film. The measurement result of is shown.
【００８２】曲線(Ａ)、(Ｂ)、(Ｃ)を比較すると、第
１、第２の電極間に印加する電圧に対する吸着力は、チ
ャック本体表面に保護膜が形成されていない場合(曲線
(Ａ))が最も大きく、チャック本体表面に保護膜が形成
され、かつ防着体が敷かれている場合(曲線(Ｃ))は最も
吸着力が小さくなっている。この結果より、吸着力を大
きくするには、チャック本体表面に保護膜を形成しない
ほうが好ましいことが確認された。Comparing the curves (A), (B), and (C), the adsorption force with respect to the voltage applied between the first and second electrodes is found when the protective film is not formed on the surface of the chuck body (curve).
(A)) is the largest, the protective film is formed on the surface of the chuck body, and the protective body is laid (curve (C)), the adsorption force is the smallest. From this result, it was confirmed that it is preferable not to form a protective film on the surface of the chuck body in order to increase the suction force.
【００８３】なお、上述した実施形態では、第１、第２
の電極２７1、２７2の電極材料としてＡｌを用いている
が、本発明の電極材料はこれに限られるものではなく、
Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ等の金属でもよい。さらにまた、電極材
料は金属に限られるものでもなく、例えば導電性カーボ
ンを用いてもよい。In the above embodiment, the first and second
Al is used as the electrode material of the electrodes 27 1 and 27 2 of the above, but the electrode material of the present invention is not limited to this.
A metal such as Cu, W or Ti may be used. Furthermore, the electrode material is not limited to metal, and conductive carbon may be used, for example.
【００８４】また、防着体の材料としてポリイミドを用
いているが、本発明はこれに限らず、例えば、ポリ尿
素、シリコーンゴムなどの高分子フィルムを用いてもよ
い。高分子フィルムは薄く形成することができるので、
チャック本体の表面に配置しても吸着力が低下しない。Although polyimide is used as the material of the adherend, the present invention is not limited to this, and a polymer film such as polyurea or silicone rubber may be used. Since the polymer film can be made thin,
Even if it is placed on the surface of the chuck body, the suction force does not decrease.
【００８５】また、本発明の防着体を構成するポリイミ
ドフィルムの膜厚を５０μｍとしているが、本発明の防
着体の厚みはこれに限られるものではなく、厚みが３０
μｍ以上２００μｍ以下の範囲内であれば実用上十分な
吸着力が得られて好適である。Although the thickness of the polyimide film constituting the protective body of the present invention is 50 μm, the thickness of the protective body of the present invention is not limited to this, and the thickness is 30 μm.
If it is in the range of μm or more and 200 μm or less, a practically sufficient adsorption force can be obtained, which is preferable.
【００８６】また、防着体の材料として、ガラス等の堅
い防着体を用いてもよい。この場合には膜厚をあまり薄
く形成することはできないが、例えばガラス製の基板を
静電吸着した場合には、吸着する基板と防着体との熱膨
張率が等しく、基板が熱膨張しても同じ量だけ防着体も
熱膨張するので、熱膨張時に基板と防着体とが擦れ合う
ことはなく、防着体の表面に傷がつくこともない。As the material of the protective body, a rigid protective body such as glass may be used. In this case, the film thickness cannot be made too thin, but for example, when a glass substrate is electrostatically adsorbed, the adsorbing substrate and the protective body have the same coefficient of thermal expansion, and the substrate thermally expands. However, since the protective body also thermally expands by the same amount, the substrate and the protective body do not rub against each other during thermal expansion, and the surface of the protective body does not get scratched.
【００８７】さらに、誘電体層２５の例として、Ａｌ2
Ｏ3を主成分としているが、本発明はこれに限らず、例
えば、ＡｌＮ、ＴａＮ、ＷＮ、ＧａＮ、ＢＮ、ＩｎＮ、
ＳｉＡｌＯＮ等の窒化物を用いてもよいし、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｙ2Ｏ
3等の酸化物を用いてもよい。さらに又、ダイヤモン
ド、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＳｉＣなどの炭化物を用いてもよ
いし、ポリイミド、ポリ尿素、シリコーンゴムなどの有
機重合体を用いてもよい。Further, as an example of the dielectric layer 25, Al 2
Although O 3 is the main component, the present invention is not limited to this, and for example, AlN, TaN, WN, GaN, BN, InN,
A nitride such as SiAlON may be used, or SiO 2 ,
Al 2 O 3 , Cr 2 O 3 , TiO 2 , TiO, ZnO, Y 2 O
You may use oxides, such as 3 . Furthermore, carbides such as diamond, TiC, TaC, and SiC may be used, or organic polymers such as polyimide, polyurea, and silicone rubber may be used.
【００８８】また、上述した静電吸着装置は、いずれも
第１、第２の電極２７1、２７2を有する双極型の静電吸
着装置であったが、本発明はこれに限られるものではな
く、例えば１個の電極で構成された単極型の静電吸着装
置としてもよい。The above-mentioned electrostatic chucking device is a bipolar type electrostatic chucking device having the first and second electrodes 27 1 and 27 2 , but the present invention is not limited to this. Instead of this, for example, a single-pole type electrostatic adsorption device composed of one electrode may be used.
【００８９】また、上述した保持機構５２は、押さえ用
台座５２ａと、その上方に配置された押さえ用リング５
２ｂとを有し、チャック本体２０上に載置された防着シ
ート９０を押さえ用台座５２ａと押さえ用リング５２ｂ
とで挟み込むことで、防着シート９０がチャック本体２
０からずれないようにしているが、本発明の保持機構は
これに限られるものではなく、防着シート９０がチャッ
ク本体２０からずれないように構成されていればよい。Further, the above-mentioned holding mechanism 52 includes the pressing pedestal 52a and the pressing ring 5 arranged above the pressing pedestal 52a.
2b for holding the attachment-preventing sheet 90 placed on the chuck body 20 by a pedestal 52a and a pressing ring 52b.
By sandwiching it with the
Although the holding mechanism of the present invention is not limited to this, it suffices if the attachment-preventing sheet 90 is configured not to shift from the chuck body 20.
【００９０】[0090]
【発明の効果】チャック本体のメンテナンスが容易にな
り、コストが低くなる。As described above, the maintenance of the chuck body is facilitated and the cost is reduced.
【図１】本発明の一実施形態の真空処理装置の構成を説
明する図FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】(ａ)：本発明の一実施形態のチャック本体を説
明する平面図
(ｂ)：本発明の一実施形態のチャック本体を説明する断
面図FIG. 2A is a plan view illustrating a chuck body according to an embodiment of the present invention. FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a chuck body according to an embodiment of the present invention.
【図３】(ａ)：本発明の一実施形態の静電吸着装置を説
明する第１の断面図
(ｂ)：本発明の一実施形態の静電吸着装置を説明する第
２の断面図
(ｃ)：本発明の一実施形態の静電吸着装置を説明する第
３の断面図FIG. 3A is a first sectional view illustrating an electrostatic chucking device according to an embodiment of the present invention. FIG. 3B is a second sectional view illustrating an electrostatic chucking device according to an embodiment of the present invention. (c): Third cross-sectional view illustrating the electrostatic attraction device according to the embodiment of the present invention
【図４】(ａ)：本発明の他の実施形態の静電吸着装置を
説明する第１の断面図
(ｂ)：本発明の他の実施形態の静電吸着装置を説明する
第２の断面図
(ｃ)：本発明の他の実施形態の静電吸着装置を説明する
第３の断面図
(ｄ)：本発明の他の実施形態の静電吸着装置を説明する
第４の断面図FIG. 4A is a first sectional view illustrating an electrostatic attraction device according to another embodiment of the present invention. FIG. 4B is a second sectional view illustrating an electrostatic attraction device according to another embodiment of the present invention. Sectional view (c): Third sectional view illustrating an electrostatic attraction device according to another embodiment of the present invention (d): Fourth sectional view illustrating an electrostatic attraction device according to another embodiment of the present invention
【図５】(ａ)：本発明において接着材を用いた実施形態
の静電吸着装置を説明する断面図
(ｂ)：本発明において接着材を用いた実施形態の静電吸
着装置を説明する平面図5A is a cross-sectional view illustrating an electrostatic attraction device according to an embodiment of the present invention that uses an adhesive material. FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating an electrostatic attraction device according to an embodiment of the present invention that uses an adhesive material. Plan view
【図６】(ａ)：本発明において帽子状防着体を用いる静
電吸着装置を説明する断面図
(ｂ)：本発明に係るジャケット防着体を説明する斜視図
(ｃ)：本発明においてジャケット防着体を用いた静電吸
着装置を説明する断面図FIG. 6 (a): a cross-sectional view illustrating an electrostatic attraction device using a hat-shaped protective body in the present invention (b): a perspective view illustrating a jacket protective body according to the present invention (c): the present invention Cross-sectional view for explaining an electrostatic adsorption device using a jacket-preventing body in
【図７】(ａ)：本発明において、チャック本体の一部に
防着体が形成された静電吸着装置の一例を説明する断面
図
(ｂ)：本発明において、チャック本体の一部に防着体が
形成された静電吸着装置の一例を説明する平面図
(ｃ)：本発明において、チャック本体の一部に防着体が
形成された他の静電吸着装置の一例を説明する断面図FIG. 7A is a cross-sectional view illustrating an example of an electrostatic adsorption device in which an adherend is formed on a part of the chuck body in the present invention. FIG. 7B is a part of the chuck body according to the present invention. A plan view for explaining an example of the electrostatic adsorption device having the protective body formed thereon (c): In the present invention, an example of another electrostatic adsorption device having a protective body formed on a part of the chuck body will be described. Cross section
【図８】(ａ)：本発明において、チャック本体の一部に
防着体が形成された実施形態のチャック本体の構造を説
明する断面図
(ｂ)：本発明において、チャック本体の一部に防着体が
形成された実施形態のチャック本体と防着体との配置状
態を説明する断面図
(ｃ)：本発明において、チャック本体の一部に防着体が
形成された実施形態の静電吸着装置に基板が載置された
状態を説明する断面図
(ｄ)：本発明において、チャック本体の一部に防着体が
形成された実施形態の静電吸着装置に基板が載置された
状態を説明する平面図FIG. 8A is a sectional view for explaining the structure of the chuck body of the embodiment in which an adhesion preventive body is formed in a part of the chuck body in the present invention. FIG. 8B is a part of the chuck body in the present invention. Sectional view (c) for explaining the arrangement state of the chuck body and the protective body of the embodiment in which the protective body is formed in the embodiment of the present invention in which the protective body is formed in a part of the chuck body. Sectional view for explaining a state in which the substrate is placed on the electrostatic chucking device (d): In the present invention, the substrate is placed on the electrostatic chucking device according to the embodiment in which the protective body is formed on a part of the chuck body. Plan view explaining the broken state
【図９】(ａ)：本発明の第一例のチャック本体を説明す
る断面図
(ｂ)：本発明の第二例のチャック本体を説明する断面図
(ｃ)：本発明の第三例のチャック本体を説明する断面図
(ｄ)：本発明の第四例のチャック本体を説明する断面図9A is a sectional view illustrating a chuck body of a first example of the present invention, FIG. 9B is a sectional view illustrating a chuck body of a second example of the present invention, and FIG. 9C is a third example of the present invention. Sectional view for explaining the chuck body of (4): A sectional view for explaining the chuck body of the fourth example of the present invention.
【図１０】チャック本体の電極に印加する電圧と吸着力
との関係を示すグラフFIG. 10 is a graph showing the relationship between the voltage applied to the electrode of the chuck body and the attraction force.
【図１１】従来の真空処理装置を説明する断面図FIG. 11 is a sectional view illustrating a conventional vacuum processing apparatus.
【図１２】(ａ)：従来のチャック本体の一例を説明する
平面図
(ｂ)：従来のチャック本体の一例を説明する断面図12A is a plan view illustrating an example of a conventional chuck body, and FIG. 12B is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional chuck body.
１……ＣＶＤ装置(真空処理装置) ５……基板 ２
０……チャック本体
２１……静電吸着装置 ２７1……第１の電極(電極)
２７2……第２の電極(電極) ９０……防着シー
ト(防着体)1 ... CVD apparatus (vacuum processing apparatus) 5 ... Substrate 2
0 ... Chuck body 21 ... Electrostatic adsorption device 27 1 ...... First electrode (electrode)
27 2 ...... Second electrode (electrode) 90 ...... Adhesion-preventing sheet (adhesion-preventing body)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA06 AA24 BD01 JA05 4K030 CA04 CA12 GA02 5F031 CA01 CA04 HA02 HA03 HA16 MA28 PA07 5F045 AA03 AA19 BB15 DP03 EM05 EM06 EM09 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 4K029 AA06 AA24 BD01 JA05 4K030 CA04 CA12 GA02 5F031 CA01 CA04 HA02 HA03 HA16 MA28 PA07 5F045 AA03 AA19 BB15 DP03 EM05 EM06 EM09
Claims (11)
極とを有するチャック本体と、 薄板状の薄板部分を有する防着体とを有し、 前記薄板部分は、前記チャック本体の表面に配置され、 前記薄板部分上に基板を載置した状態で、前記電極に電
圧を印加すると、前記基板と前記電極との間に吸着力が
生じ、該吸着力で前記基板が前記薄板部分に押し付けら
れるように構成された静電吸着装置であって、 前記防着体は、前記チャック本体に対して着脱可能に構
成されたことを特徴とする静電吸着装置。1. A chuck body having a dielectric layer, an electrode provided on the dielectric layer, and an adhesion preventive body having a thin plate portion having a thin plate shape, wherein the thin plate portion is formed of the chuck body. When a voltage is applied to the electrodes with the substrate placed on the surface and the thin plate portion placed on the thin plate portion, a suction force is generated between the substrate and the electrode, and the suction force causes the substrate to move to the thin plate portion. An electrostatic chucking device configured to be pressed against the chuck body, wherein the deposition preventive body is configured to be detachable from the chuck body.
請求項１記載の静電吸着装置。2. The electrostatic attraction device according to claim 1, wherein the thin plate portion is formed in a film shape.
に載置された請求項２記載の静電吸着装置。3. The electrostatic adsorption device according to claim 2, wherein the thin plate portion is mounted on the surface of the chuck body.
吸着装置であって、前記薄板部分と前記チャック本体と
の間には、複数個の接着材が配置された静電吸着装置。4. The electrostatic chucking device according to claim 1, wherein a plurality of adhesives are arranged between the thin plate portion and the chuck body. apparatus.
１乃至４のいずれか１項記載の静電吸着装置。5. The electrostatic protection device according to claim 1, wherein the attachment-preventing body is formed into a bottomed tubular body, and a bottom portion of the bottomed tubular body is the thin plate portion. Adsorption device.
ば状部材とされ、該つば状部材の内部側面が前記チャッ
ク本体の側面と対向するように配置された請求項５記載
の静電吸着装置。6. The attachment-preventing body is arranged such that a tubular portion of the bottomed tubular body is a collar-shaped member, and an inner side surface of the collar-shaped member faces a side surface of the chuck body. 5. The electrostatic adsorption device described in 5.
され、 前記薄板部分とされた一側面と対向する前記角筒部分の
側面が板状部分とされ、該板状部分には、前記有底角筒
状体の開口側から形成された切り欠きが設けられたこと
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の静電
吸着装置。7. The adhesion-preventing body is formed in a bottomed rectangular tubular body, and one side surface of the rectangular tubular portion of the bottomed rectangular tubular body is the thin plate portion, and one side surface is the thin plate portion. The side surface of the square tubular portion facing to is a plate-like portion, and the plate-like portion is provided with a notch formed from the opening side of the bottomed square tubular body. The electrostatic attraction device according to any one of 1 to 3.
極とを有するチャック本体と、 前記チャック本体の表面の外周部分に配置され、中央部
分に開口が設けられたリング状の防着体とを有し、 前記チャック本体の表面に基板を載置した状態で、前記
電極に電圧を印加すると、前記基板と前記電極との間に
吸着力が生じ、該吸着力で前記基板が前記チャック本体
及び前記防着体の表面に押し付けられるように構成され
た静電吸着装置であって、 前記防着体は、前記チャック本体に対して着脱可能に構
成されたことを特徴とする静電吸着装置。8. A chuck body having a dielectric layer and an electrode provided on the dielectric layer, a ring-shaped protective body disposed on an outer peripheral portion of a surface of the chuck body and having an opening at a central portion thereof. When a voltage is applied to the electrodes in a state in which the substrate is placed on the surface of the chuck body, an attraction force is generated between the substrate and the electrodes, and the substrate is attached by the attraction force. An electrostatic chucking device configured to be pressed against the surfaces of the chuck body and the attachment body, wherein the attachment body is configured to be attachable to and detachable from the chuck body. Electroadsorption device.
と面一になるように構成された請求項８記載の静電吸着
装置。9. The electrostatic attraction device according to claim 8, wherein the surface of the adhesion preventive body is flush with the surface of the dielectric layer.
項に記載された静電吸着装置とを有する真空処理装置。10. A vacuum chamber, the vacuum chamber being disposed in the vacuum chamber, and the vacuum chamber according to claim 1.
A vacuum processing apparatus having the electrostatic adsorption device according to the item.
保持する保持機構を有する請求項１０記載の真空処理装
置。11. The vacuum processing apparatus according to claim 10, further comprising a holding mechanism which is disposed in the vacuum chamber and holds the deposition preventer.
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