JP2003045774A - 照明装置、投影露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被照明領域を均一な照度で照明すると共に、
被照明領域に入射する光線の光強度の重心を光線の中心
に一致させる照明装置、露光装置及びこれを用いたデバ
イス製造方法を提供する。 【解決手段】 光源からの波長２００ｎｍ以下の光で被
照明面を照明する照明装置、露光装置及びこれを用いた
デバイス製造方法であって、第１の反射型インテグレー
タと、該第１のインテグレータからの複数の光束を前記
被照明面上に重ねる第１の集光ミラーと、前記光源と前
記第１の反射型インテグレータの間に設けられた、第２
の反射型インテグレータ及び当該第２の反射型インテグ
レータからの複数の光束を前記第１の反射型インテグレ
ータ上に重ねる第２の集光ミラーと、を有する照明装
置、露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法を提供
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は照明装置に関し、特に光
源として波長２００ｎｍ乃至１０ｎｍの極端紫外線領域
（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅ
ｔ）、又はＸ線領域の発光光源を利用して、半導体ウェ
ハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガ
ラス基板などの被処理体を露光する照明装置、露光装置
及びデバイス製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】微細パターンをもつ半導体回路素子など
を製造する方法として、例えば、波長１３．４ｎｍのＥ
ＵＶ光を用いた縮小投影露光方法がある。この方法で
は、回路パターンが形成されたマスク又はレチクル（本
出願ではこれらを交換可能に使用する。）をＥＵＶ光で
照明し、マスク上のパターンの像をウェハ面に縮小投影
し、その表面のレジストを露光してパターンを転写す
る。

【０００３】投影露光装置の解像度Ｒは、露光光源の波
長λ、露光装置の開口数（ＮＡ）及び比例定数ｋ_１を用
いて次式で与えられる。

【０００４】

【数１】

【０００５】また、一定の結像性能を維持できる焦点範
囲を焦点深度といい、焦点深度ＤＯＦは、比例定数ｋ_２
を用いて次式で与えられる。

【０００６】

【数２】

【０００７】従来のＥＵＶ縮小投影露光装置１０００の
要部概略を図１８に示す。図１８において、１００１は
ＥＵＶ光の発光点、１００２はＥＵＶ光束、１００３は
フィルタ、１００４は第１の回転放物面ミラー、１００
５は反射型インテグレータ、１００６は第２の回転放物
面ミラー、１００７は反射型マスク、１００８は投影光
学系を構成する複数のミラー系、１００９はウェハ、１
０１０はマスクステージ、１０１１はウェハステージ、
１０１２は円弧状アパーチャ、１０１３はレーザ光源、
１０１４はレーザ集光光学系、１０１７は真空容器であ
る。また、図１９は、マスク１００７上の照明領域１０
１５と露光が行われる円弧状領域１０１６との関係を示
す平面図である。

【０００８】このように、露光装置１０００は、ＥＵＶ
光を生成する光源部１０１３及び１０１４、照明光学系
（即ち、第１の回転放物面ミラー１００４、反射型イン
テグレータ１００５及び第２の回転放物面ミラー１００
６）、反射型マスク１００７、投影光学系１００８、ウ
ェハ１００９、マスクを搭載したステージ１０１０、ウ
ェハを搭載したステージ１０１１、マスクやウェハの位
置を精密に合わせる図示しないアライメント機構、ＥＵ
Ｖ光の減衰を防ぐために光学系全体を真空に保つための
真空容器１０１７と図示しない排気装置などからなる。

【０００９】照明光学系は、発光点１００１からのＥＵ
Ｖ光１００２を第１の回転放物面ミラー１００４で集光
し、反射型インテグレータ１００５に照射して２次光源
を形成し、更に、この２次光源からのＥＵＶ光を第２の
回転放物面ミラー１００６で重畳されるように集光し、
マスク１００７を均一に照明する。

【００１０】反射型マスク１００７は多層膜反射鏡の上
にＥＵＶ吸収体などからなる非反射部を設けた転写パタ
ーンが形成されたものである。反射型マスク１００７で
反射された回路パターンの情報を有するＥＵＶ光は、投
影光学系１００８によってウェハ１００９面上に結像す
る。

【００１１】投影光学系１００８は光軸中心に対して軸
外の細い円弧状の領域が良好な結像性能をもつように設
計されている。従って、露光はこの細い円弧状領域のみ
が利用されるように、ウェハ１００９直前に円弧状開口
をもったアパーチャ１０１２が設けられている。そして
矩型形状をしたマスク全面のパターンを転写するため、
反射型マスク１００７とウェハ１００９が同時にスキャ
ンして露光が行われる。

【００１２】ここで投影光学系１００８は複数の多層膜
反射鏡によって構成され、マスク１００７上のパターン
をウェハ１００９表面に縮小投影する構成となってお
り、通常、像側テレセントリック系が用いられている。
なお、物体側（反射型マスク側）は、反射型マスク１０
０７に入射する照明光束との物理的干渉を避けるため
に、通常、非テレセントリックな構成となっている。

【００１３】レーザ光源１０１３からのレーザ光はレー
ザ集光光学系１０１４により発光点１００１の位置にあ
る不図示のターゲットに集光され、高温のプラズマ光源
を生成する。このプラズマ光源から熱輻射により放射さ
れたＥＵＶ光１００２は第１の回転放物面ミラー１００
４で反射して平行なＥＵＶ光束となる。この光束が反射
型インテグレータ１００５で反射して、多数の２次光源
を形成する。

【００１４】この２次光源からのＥＵＶ光は第２の回転
放物面ミラー１００６で反射して反射型マスク１００７
を照明する。ここで該２次光源から第２の回転放物面ミ
ラー１００６、第２の回転放物面ミラー１００６から反
射型マスク１００７までの距離は、第２の回転放物面ミ
ラー１００６の焦点距離に等しく設定されている。

【００１５】２次光源の位置に第２の回転放物面ミラー
１００６の焦点が位置しているので２次光源の１つから
出たＥＵＶ光は反射型マスク１００７を平行光束で照射
する。これによりケーラー照明が満たされている。即
ち、反射型マスク１００７上のある１点を照明するＥＵ
Ｖ光は全ての２次光源から出たＥＵＶ光の重なったもの
である。

【００１６】マスク面上の照明領域１０１５は、図１９
に示すように、反射型インテグレータ１００５の構成要
素である凸又は凹面ミラーの反射面の平面形状と相似で
あり、実際に露光が行われる円弧領域１０１６を含むほ
ぼ矩形領域である。投影光学系１００８は２次光源の像
が投影光学系１００８の入射瞳面に投影されるように設
計されている。

【００１７】

【発明が解決しようとしている課題】マスク１００７の
円弧領域は照度ムラがなく照明されることが必要である
が、それに加えて、円弧領域に入射する光線の光強度の
重心を光線の中心に一致させる必要がある。しかし、従
来のＥＵＶ縮小投影露光装置１０００ではこれらの条件
がかならずしも満足されていなかった。そのため、円弧
領域のある点において光線の重心が中心に一致していな
ければ、実質的に照明光の主光線は所望する方向からず
れて入射したと同様の効果となり、マスクパターンが正
常に露光できなくなるという問題を有していた。

【００１８】また、図１９に示すように、マスク１００
７には実際に露光が行われる円弧領域１０１６を含むほ
ぼ矩形領域１０１５に対してＥＵＶ光が照射されるた
め、露光に寄与しないＥＵＶ光はウェハ１００９上の円
弧状アパーチャ１０１２により遮光されて無駄になって
いた。即ち、従来のＥＵＶ縮小投影露光装置１０００で
は露光光量の損失が非常に大きいために露光時間が長く
かかり、スループットを高めることができないという問
題も有していた。

【００１９】更に、従来のＥＵＶ縮小投影露光装置１０
００は、マスク１００７からの反射光の光軸が投影光学
系１００８の光軸と一致せずに投影光学系１００８によ
って反射光がケラレてしまうという問題も有していた。

【００２０】そこで、本発明の目的は、被照明領域を均
一な照度で照明すると共に、被照明領域に入射する光線
の光強度の重心を光線の中心に一致させる照明装置、露
光装置及びこれを用いたデバイス製造方法を提供するこ
とにある。

【００２１】また、本発明の他の目的は、光量の損失が
少なく、露光時間の短縮とスループットの向上をもたら
す照明装置、露光装置及びこれを用いたデバイス製造方
法を提供することにある。

【００２２】また、本発明の更に別の目的は、マスクか
らの反射光の光軸を投影光学系の光軸に一致させる照明
装置、露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法を提
供することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明の一側面としての照明装置は、光源からの
波長２００ｎｍ以下の光で被照明面を照明する照明装置
であって、第１の反射型インテグレータと、該第１のイ
ンテグレータからの複数の光束を前記被照明面上に重ね
る第１の集光ミラーと、前記光源と前記第１の反射型イ
ンテグレータの間に設けられた、第２の反射型インテグ
レータ及び当該第２の反射型インテグレータからの複数
の光束を前記第１の反射型インテグレータ上に重ねる第
２の集光ミラーとを有する。かかる照明装置は、第２の
反射型インテグレータが第１の反射型インテグレータを
均一に照明するため、第１のインテグレータは被照明領
域を均一の照度分布及び角度分布で照明できる。即ち、
この構成により、投影光学系瞳面における有効光源分布
を均一にもしている。

【００２４】前記第１及び第２の反射型インテグレータ
は、円筒面の一部が複数個平行に配置され、前記第１及
び第２の反射型インテグレータの前記円筒面の母線は互
いにほぼ直交してもよい。なお、前記円筒面は、凸型、
凹型またはそれらの組み合わせであってもよい。前記照
明装置は、前記第１の反射型インテグレータと前記被照
明面との間に配置され、前記被照明面に円弧状照明領域
を定義する円弧状開口部を有する視野絞りと、当該視野
絞りの前記開口を経た前記光束で、前記開口を前記被照
明面に結像する反射光学系とを有してもよい。マスキン
グブレードにより不要な照明光を遮断できると共にマス
キングブレードの幅を部分的に可変とする事で照度ムラ
を補正することができる。代替的に、前記照明装置は、
前記第１の反射型インテグレータと前記被照明面との間
で前記被照明面の近傍に配置され、前記被照明面を円弧
状の光で照明するための円弧状開口部を有する視野絞り
を有してもよい。かかる照明装置は、前記反射光学系を
省略することにより照明光学系の効率を向上させてい
る。このように、マスキングブレードは被照明領域に近
接していてもよいし離間していてもよい。

【００２５】前記第２の反射型インテグレータの反射面
位置と前記被照明面位置は光学的に共役な位置関係にあ
り、前記第２の反射型インテグレータの反射面上又は近
傍に、開口径が可変な絞りを有してもよい。かかる絞り
は、被照明領域の照度ムラを防止することができる。

【００２６】上述の照明装置においては、例えば、前記
被照明面に円弧状の照明領域を形成するものであって、
前記第１の反射型インテグレータは、前記円弧状の領域
の角度方向には前記光源からの二次光源を重畳し、前記
円弧状の領域の径方向には前記複数の光束を集光するよ
うに前記被照明領域を照明する。このような第１のイン
テグレータによる照明方法は、ハエの目レンズを使用し
たケーラー照明の照明光学系とは異なり、本発明のよう
な円弧領域の照明に好適である。

【００２７】光源からの波長２００ｎｍ以下の光で被照
明面を照明する照明装置であって、前記被照明面に円弧
状の照明領域を定義する円弧状開口部を有する視野絞り
と、当該視野絞りの前記円弧状開口を経た光束で、前記
円弧状の開口を前記被照明面に結像する反射光学系と、
前記円弧状開口を経た光束の主光線の前記被照明面に対
する入射角を調節する調節機構とを有する。前記補正機
構は、例えば、前記反射光学系の少なくとも一のミラー
の偏心及び／又は回転移動を調節する機構を含んでもよ
い。

【００２８】また、本発明の別の側面としての露光装置
は、上述の照明装置によりレチクル又はマスクに形成さ
れたパターンを照明し、当該パターンを投影光学系によ
り被処理体上に投影する。かかる露光装置も上述の照明
装置と同様の作用を奏する。

【００２９】本発明の更に別の側面としてのデバイス製
造方法は、上述の露光装置を用いてデバイスパターンで
基板を露光する工程と、前記露光された基板に所定のプ
ロセスを行う工程とを有する。上述の露光装置の作用と
同様の作用を奏するデバイス製造方法の請求項は、中間
及び最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及
ぶ。また、かかるデバイスは、例えば、ＬＳＩやＶＬＳ
Ｉなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサ
ー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。

【００３０】本発明の他の目的及び更なる特徴は以下添
付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明
らかにされるであろう。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の第１の実施形態の露光装置１０を詳細に説明する。
本発明の露光装置１０は露光用の照明光としてＥＵＶ光
（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の露光を行う投影露光装置である。
露光装置１０は、図１に示すように、光源部１００と、
照明光学系２００と、マスク３００と、投影光学系４０
０と、被処理体５００とを有する。また、露光装置１０
は、マスク３００を載置するマスクステージ３５０と、
被処理体５００を載置するウェハステージ５５０とを更
に有し、マスクステージ３５０とウェハステージ５５０
は図示しない制御部に接続されて駆動制御されている。
光源部１００と照明光学系２００は照明装置を構成す
る。ここで、図１は、露光装置１０の概略図である。

【００３２】ＥＵＶ光は大気に対する透過率が低いた
め、露光装置１０は、光源部１００を真空容器１２に収
納し、残りの構成要素２００乃至５５０を真空容器１４
に収納している。但し、本発明は少なくともＥＵＶ光が
通る光路が真空雰囲気に維持された場合を含むものであ
る。

【００３３】光源部１００は、プラズマ発光点１２０か
らＥＵＶ光を生成する。光源部１００は、プラズマ生成
のターゲットとなる液滴を噴射するノズル１３０と、励
起レーザ光が照射されなかった液滴を回収して再利用す
るための液滴回収部１４０と、回転楕円ミラー１５０
と、フィルタ１７０とを有する。

【００３４】不図示の励起レーザ光源及び集光光学系か
らなる励起レーザ部から放射された、高出力の励起パル
スレーザ光１１０は、発光点１２０の位置に集光するよ
うに構成されている。またレーザプラズマ光源のターゲ
ットとなる液滴（例えば、Ｘｅ）は、ノズル１３０から
一定の時間間隔で連続的に噴射され、集光点１２０を通
過するようになっている。そして上記のように噴射され
た液滴が、ちょうど１２０の位置にきた時に、励起パル
スレーザ光１１０がその液滴を照射することで高温のプ
ラズマ発光点１２０を生成し、このプラズマからの熱輻
射によってＥＵＶ光が放射状に発生する。

【００３５】なお、本実施形態はターゲットとしてＸｅ
の液滴を用いたが、ターゲットとしてＸｅガスをノズル
から真空中に噴射して、断熱膨張により生じるクラスタ
を用いたり、Ｘｅガスを金属表面で冷却して固体化した
ものを用いたり、Ｃｕ等の金属を用いたテープを選択し
てもよい。また、本実施形態はレーザプラズマ方式を採
用してＥＵＶ光を生成しているが、ＥＵＶ光源としてア
ンジュレータを用いてもよい。また、ＥＵＶ光の製造方
法としてＺピンチ方式、プラズマ・フォーカス、キャピ
ラリー・ディスチャージ、ホロウカソード・トリガード
Ｚピンチ等のディスチャージ方式を使用してもよい。

【００３６】プラズマ発光点１２０から放射されたＥＵ
Ｖ光は、回転楕円ミラー１５０により集光されて、ＥＵ
Ｖ光束１６０として取りだされる。回転楕円ミラー１５
０は、ＥＵＶ光を効率良く反射するための反射多層膜が
成膜されており、高温のプラズマ１２０からの放射エネ
ルギーを一部吸収するために、露光中に高温になる。そ
のために材質としては熱伝導性の高い金属等の材料を用
いるとともに、不図示の冷却手段を有して、常に冷却さ
れている。フィルタ１７０は、プラズマや周辺からの飛
散粒子（デブリ）をカットしたり、ＥＵＶ露光に不要な
波長をカットしたりする。ＥＵＶ光束１６０は、真空容
器１２及び１４の境界面に設けられた窓部２１０から、
真空容器１４の照明光学系２００に導入される。窓部２
１０は真空を維持したままＥＵＶ光束１６０を通過する
機能を有する。

【００３７】照明光学系２００は、反射型縮小投影光学
系４００の円弧状の視野に対応する円弧状のＥＵＶ光に
よりマスク３００を均一に照明し、回転放物面ミラー２
２０及び２６０と放物面ミラー２４０と、反射型インテ
グレータ２３０及び２５０と、マスキングブレード２７
０と、リレー光学系２８２乃至２８６（以下、特に断ら
ない限り「２８０」で総括する。）と、補正機構２９０
とを有する。

【００３８】回転放物面ミラー２２０は、窓部２１０か
ら導入されたＥＵＶ光束１６０を反射して平行光束２２
２を形成する。次に、平行光束となったＥＵＶ光２２２
は、複数の凸状円筒面２３２を有する反射型凸状円筒面
インテグレータ２３０に入射する。インテグレータ２３
０の各円筒面２３２により形成された２次光源から放射
されるＥＵＶ光を放物面ミラー２４０により集光して重
畳することにより、複数の凸状円筒面２５２を有する反
射型インテグレータ２５０の円筒整列方向をほぼ均一な
強度分布で照明することができる。

【００３９】反射型インテグレータ２３０は複数の円筒
面を有し、回転放物面ミラー２４０と共に、反射型イン
テグレータ２５０を均一に（即ち、後述するようにほぼ
ケーラー照明で）照明する。これにより、後述する円弧
照明領域の径方向の光強度分布を均一にすると共に反射
型インテグレータ２５０からの有効光源分布を均一にす
ることができる。反射型インテグレータ２３０、２５０
は、図７に示すような繰返し周期を有する微小な凸又は
凹球面を２次元に多数配列したフライアイミラー２３０
Ａに置換されてもよい。

【００４０】反射型インテグレータ２５０は複数の円筒
面を有し、マスク面を均一に照明する。ここで、インテ
グレータ２５０によって円弧領域を均一に照明する原理
について、図２乃至図４を参照して詳細に説明する。こ
こで、図２（ａ）は、複数の反射型凸状円筒面２５２を
有するインテグレータ２５０に平行光が入射した場合の
摸式的斜視図である。光線の入射方向はインテグレータ
２５０の場合を表現している。図２（ｂ）は、図２
（ａ）と同様の効果を有する複数の反射型凹状円筒面２
５２Ａを有するインテグレータ２５０Ａの模式的斜視図
である。インテグレータ２３０も、図２（ａ）に示す反
射型凸状円筒面２５２を有するインテグレータ２５０と
同様の構造を有する。インテグレータ２３０及び２５０
は、共に、図２（ｂ）に示す反射型凹状円筒面２５２Ａ
を有するインテグレータ２５０Ａによって置換されても
よく、あるいはこれらの凹凸の組み合わせによって構成
されてもよい。

【００４１】図２（ａ）に示すように、複数の円筒面２
５２を有する反射型インテグレータ２５０にほぼ平行な
ＥＵＶ光束を入射すると、インテグレータ２５０によっ
て２次光源が形成されると共に、この２次光源から放射
されるＥＵＶ光の角度分布が円錐面状となる。次に、こ
の２次光源位置を焦点とする反射鏡で前記ＥＵＶ光を反
射してマスク３００あるいはマスク３００と共役な面を
照明することにより、円弧形状の照明が可能となる。

【００４２】図３は反射型凸状円筒面２５２を有するイ
ンテグレータ２５０の部分拡大図、図４（ａ）及び図４
（ｂ）は反射型凸状円筒面２５２を有するインテグレー
タ２５０の円筒面２５２でのＥＵＶ光反射を説明するた
めの斜視図及びベクトル図、図５は反射型凸円筒面２５
２を有するインテグレータ２５０の円筒面２５２で反射
したＥＵＶ光の角度分布を説明するための図である。

【００４３】複数の円筒面２５２をもった反射型インテ
グレータ２５０の作用を説明するために、まず、一つの
円筒面反射鏡に平行光が入射した場合の反射光の振る舞
いについて図４を参照して説明する。今、図４（ａ）に
示すように、一の円筒面にその中心軸であるＺ軸に垂直
な面（ｘｙ平面）に対してθの角度で平行光を入射する
場合を考える。平行な入射光の光線ベクトルをＰ_１と
し、円筒面形状の反射面の法線ベクトルをｎとすると、
Ｐ_１及びｎは以下のベクトル式で定義される。なお、便
宜上、特に付してある以外は、Ｐ_１やｎなどの頭に付さ
れるベクトルを表す矢印は省略する。

【００４４】

【数３】

【００４５】

【数４】

【００４６】図４（ｂ）を参照するに、−Ｐ_１のｎへの
正射影ベクトルをａとすると、ａは次式で表される。

【００４７】

【数５】

【００４８】また、反射光Ｐ_２の光線ベクトルは、次式
で与えられる。

【００４９】

【数６】

【００５０】数式５及び６より、Ｐ_２は次式で与えられ
る。

【００５１】

【数７】

【００５２】このとき反射光Ｐ_２の光線ベクトルをｘｙ
平面に射影したベクトルをＱとすると、Ｑは次式で与え
られる。

【００５３】

【数８】

【００５４】これより、図５に示す位相空間にプロット
すれば、Ｑは半径Ｒ＝ｃｏｓθの円周上で−２φ≦２α
≦２φの範囲に存在する。即ち、反射光Ｐ_２は円錐面状
の発散光となり、この円錐面の頂点の位置に２次光源が
存在することになる。この２次光源は円筒面が凹面であ
れば反射面の外部に実像として存在し、凸面であれば反
射面の内部に、虚像として存在することになる。

【００５５】また、図３に示すように反射面が円筒面の
一部に限られていて、その中心角が２φである場合は、
第５図に示すように反射光Ｐ_２の光線べクトルはｘｙ平
面上で中心角４φの円弧となる。

【００５６】次に、円筒面の一部からなる反射鏡に平行
光が入射し、この２次光源の位置に焦点をもつ焦点距離
ｆの回転放物面反射鏡と、更にこの回転放物面反射鏡か
らｆだけ離れた位置に被照射面を配置した場合を考え
る。２次光源から出た光は円錐面状の発散光になり焦点
距離ｆの反射鏡で反射したのち、平行光となる。このと
きの反射光は半径ｆ×ｃｏｓθで中心角４φの円弧状断
面のシートビームになる。従って被照射面上の半径ｆ×
ｃｏｓθで中心角４φの円弧状領域のみが照明されるこ
とになる。

【００５７】これまでは１つの円筒面反射鏡について説
明してきたが、次に、図２（ａ）に示すように多数の円
筒面２５２を平行に多数並べた広い面積のインテグレー
タ２５０に、太さＤの平行光が図示した方向に入射した
場合を考える。先の例と同様に、回転方物面反射鏡とマ
スク３００を配置したとすれば、円筒面を平行に多数並
ベた反射鏡で反射された光の角度分布は先の例と変わら
ないので、マスク３００上では半径ｆ×ｃｏｓθで中心
角４φの円弧状領域が照明される。また、マスク３００
上の一点に入射する光は円筒面を平行に多数並べた反射
鏡の照射領域全域から到達するので、その角度広がりは
Ｄ／ｆとなる。開口数ＮＡはｓｉｎθで与えられ、照明
光学系２００の開口数はＤ／（２ｆ）となる。投影光学
系４００のマスク３００側の開口数をＮＡｐ１とする
と、コヒーレンスファクタσはσ＝Ｄ／（２ｆＮＡｐ
１）となる。従って、インテグレータ２５０に入射する
平行光の太さによって、最適なコヒーレンスファクタσ
に設定することができる。

【００５８】以上で述べたインテグレータ２５０によっ
て円弧領域を照明する原理と、更にインテグレータ２３
０を用いて、円弧領域をより効果的に均一に照明するこ
とが可能な本実施形態の主要な構成について、図１のイ
ンテグレータ２３０及び２５０付近を抜粋した図６を参
照して、以下に詳細に説明する。

【００５９】図６において、インテグレータ２３０の複
数の凸状円筒反射面２３２の直線方向２３５は、紙面に
対して垂直な方向に配置されている。図中、２３３はイ
ンテグレータ２３０の下面である。また、インテグレー
タ２５０の複数の凸状円筒反射面２５２の直線方向２５
５は、紙面に対して平行な方向に配置されている。図
中、２５３はインテグレータ２５０の上面である。

【００６０】上述したように、２つのインテグレータ２
３０及び２５０の空間的配置を凸状円筒反射面２３２及
び２５２の整列方向２３５及び２５５を互いに直交させ
ることが本実施態様の重要な点であり、これにより以下
に示すようにより均一な円弧照明が可能となる。

【００６１】ほぼ平行なＥＵＶ光束２２２が、インテグ
レータ２３０の反射面２３１に図６に示すように、即
ち、方向２３５に対して垂直に入射すると、インテグレ
ータ２３０の内部に２次光源の虚像が生成されて、比較
的小さい所定の発散角θ_１で各２次光源からＥＵＶ光が
反射される。その発散するＥＵＶ光を放物面ミラー２４
０を介してインテグレータ２５０の反射面２５１にほぼ
平行光束として入射させる。

【００６２】放物面ミラー２４０は、その焦点位置がイ
ンテグレータ２３０の反射面２３１にほぼ一致するよう
に配置されており、反射面２３１上の各円筒面２３２か
らの反射光がインテグレータ２５０の反射面２５１上で
それぞれ重畳するように設定されている。放物面ミラー
２４０は、インテグレータ２５０の円筒反射面２５１の
長手方向に関する光強度分布を均一にすればよいので、
放物断面を有する必要はあるが、必ずしも回転方物面ミ
ラーである必要はない。このように放物面ミラー２４０
はインテグレータ２５０の反射面２５１上に対して、ほ
ぼケーラー照明となるように配置されている。このよう
な配置とすることで、インテグレータ２５０の反射面２
５１上で、特に、２５５の方向に対してより均一な強度
分布が形成される。

【００６３】そして複数の凸状円筒反射面２５２を有す
るインテグレータ２５０により反射されたＥＵＶ光束
は、すでに図２乃至図５を参照して詳細に説明したとお
り、回転放物面ミラー２６０により集光されて、その焦
点距離ｆの位置に配置されたマスキングブレード２７０
上に、均一な円弧照明領域を形成する。

【００６４】マスキングブレード２７０は、ＥＵＶ光を
吸収する材質により構成された遮光部２７２と、図６の
一部に示す正面図に示すように露光に最適な所望の円弧
形状の開口部２７４とを有する。マスキングブレード２
７０は、円弧照明に寄与しない不要な迷光を遮光すると
共に、不図示のスリット幅可変機構により、所望のスリ
ット幅に設定したり、部分的にスリット幅を変えること
で照度ムラを良好に補正したりする機能を有する。

【００６５】上記のような構成により、円弧照明領域に
おいては、その円弧に沿った角度方向（即ち、θ方向）
についてはインテグレータ２５０の複数の円筒面２５２
からの複数の光束が重畳されることでその均一性が達成
され、円弧に垂直な径方向（即ち、ｒ方向）について
は、インテグレータ２３０からの複数の光束が重畳され
ることでその均一性が達成されている。これにより従来
よりも飛躍的に効率がよく均一な円弧照明を行うことが
可能となる。

【００６６】マスキングブレード２７０の円弧形状開口
部を通過したＥＵＶ光束は、リレー光学系２８０により
所望の倍率に変換されたのち、マスクステージ３５０に
保持された反射型マスク３００上に円弧照明領域を形成
することによって円弧照明を行う。複数のミラー面から
形成されるリレー光学系２８０は、円弧形状を所定の倍
率で拡大または縮小する機能を有する。

【００６７】補正機構２９０は主光線（光軸）調整機構
であり、リレー光学系２８０のミラー位置を微小に偏心
移動及び回転移動することにより、反射型マスク３００
からの反射光が投影光学系４００の入射側光軸と良好に
一致するように補正する機能を有する。

【００６８】また、図８に示すように、マスキングブレ
ード２７０をマスク３００の近傍に配置してリレー光学
系２８０を減少してもよい。ここで、図８は、図１に示
す露光装置１０の変形例の要部概略図である。図１と同
一の部材には同一の参照符号を付して重複説明は省略す
る。

【００６９】マスク３００を含む各ミラーの表面には殆
ど直入射のＥＵＶ光に対して高い反射率を得るために、
屈折率の差が大きく吸収が小さい２種類の材料層を露光
波長の約半分の周期で繰り返し積層させた多層膜が成膜
されている。できるだけ高い反射率を得るために、材料
としてはＭｏ及びＳｉを用いるのが通常であるが、その
場合においても得られる反射率は、約６０％から７０％
である。

【００７０】従って照明光学系２００において、反射強
度の損失を抑えるためには、使用するミラー枚数を最小
にする必要がある。本実施形態の特徴は、円弧形状の開
口部を有するマスキングブレード２７０を、反射型マス
ク３００の反射面近傍に配置することで、第１図におけ
るリレー光学系２８２及び２８４を省略し、照明光学系
２００の効率を向上させている点である。

【００７１】次に、所望の照明条件を設定することが可
能な本発明の別の実施形態について図９を参照して説明
する。ここで、図９は、本発明の第３の実施形態の露光
装置１０Ｂを示す概略図である。

【００７２】図１に示す露光装置１０と対比すると、露
光装置１０Ｂは、所望の照明条件に応じて切り替え可能
な２つの反射型インテグレータ２３０及び２３０Ｂと、
絞り２３６及び２５６と、絞り駆動系２３８及び２５８
とを有する。

【００７３】反射型インテグレータ２３０及び２３０Ｂ
は、複数の凸状円筒面を有する反射型インテグレータで
あるがその円筒面の曲率半径（と、従ってパワー）が互
いに異なる。以下、インテグレータ２３０と２３０Ｂを
切り替えることで、コヒーレンスファクタσ、即ち、照
明系の開口数を所望の値に設定する方法について説明す
る。

【００７４】図１０は、複数の凸状円筒反射面２３２を
有するインテグレータ２３０の表面の模式図であり、図
１１はインテグレータ２３０Ｂの表面の模式図である。
ここでインテグレータ２３０と２３０Ｂの円筒面２３２
及び２３２Ｂの曲率半径ｒ_１及びｒ_２はｒ_１＜ｒ_２に設
定されている。

【００７５】今、図１０において、紙面上方から平行光
束がインテグレータ２３０の凸状円筒反射面２３１に入
射した場合を考える。この場合、凸状円筒反射面２３１
によって光束は発散するが、その集光点は凸面の内部の
曲率中心Ｏから距離ｒ_１／２の位置に虚像として存在す
る。従って、反射光は次式で与えられる発散角θ_１で発
散する。

【００７６】

【数９】

【００７７】同様に、インテグレータ２３０Ｂにおいて
は、集光点は凸状円筒面２３２Ｂの曲率中心Ｏから距離
ｒ_２／２の位置に虚像として存在する。従って、反射光
は次式で与えられる発散角θ_２で発散する。

【００７８】

【数１０】

【００７９】ここで、ｒ_１＜ｒ_２より、θ_１＞θ_２の関
係が成り立つ。つまり、インテグレータ２３０により反
射する光束の発散角θ_１の方がインテグレータ２３０Ｂ
により反射する光束の発散角θ_２よりも大きくなる。

【００８０】図１２及び図１３は、インテグレータ２３
０と２３０Ｂとの切り替えによって照明光学系２００の
開口数を切り替える方法を説明する模式図である。図１
２において、ほぼ平行なＥＵＶ光束２２２が絞り２３６
を経てインテグレータ２３０の円筒反射面２３１に図に
示すように入射すると、インテグレータ２３０の内部に
２次光源の虚像が生成されて、所定の発散角θ_１で各２
次光源からＥＵＶ光が反射される。その発散するＥＵＶ
光を焦点距離ｆ_１の放物面ミラー２４０により集光し
て、絞り２５６を介してインテグレータ２５０の反射面
２５１にほぼ平行光束として入射する。

【００８１】複数の凸状円筒反射面２５１を有するイン
テグレータ２５０により反射されたＥＵＶ光束は、回転
放物面ミラー２６０により集光されて、その焦点距離ｆ
_２の位置に配置されたマスキングブレード２７０上に、
均一な円弧照明領域を形成する。ここで、マスキングブ
レード２７０における照明光学系２００の開口数をＮＡ
_１は次式で与えられる。

【００８２】

【数１１】

【００８３】開口数ＮＡ_１は反射型マスク３００上にお
ける照明光学系２００の開口数に比例する量であり、発
散角θ_１に比例する。

【００８４】図１３に示すように、インテグレータ２３
０を２３０Ｂに不図示の切り替え機構により切り替えた
場合、同様に、マスキングブレード２７０における照明
光学系２００の開口数ＮＡ_２は次式で与えられる。

【００８５】

【数１２】

【００８６】θ_１＞θ_２から、インテグレータ２３０を
用いた場合はインテグレータ２３０Ｂを用いた場合より
も大きな照明光学系２００の開口数が得られ、コヒーレ
ンスファクタσが大きくなる。

【００８７】上記の説明では、２個のインテグレータ２
３０及び２３０Ｂを切り替える例を示したが、コヒーレ
ンスファクタσを段階的に変化させるために、２個以上
の発散角の異なるインテグレータ２３０をターレットな
どを用いて切り替えるように構成してもよい。インテグ
レータ２３０の切り替えに応じて、絞り２５６を切り替
えてインテグレータ２５０への入射光束径を所望の大き
さに制御することで、更に精度の高いσの制御を行って
もよい。

【００８８】絞り２３６は、反射型インテグレータ２３
０又は２３０Ｂの前面に設けられ、遮光部２３７ａと開
口部２３７ｂとを有する。絞り２３６は絞り駆動系２３
８によって駆動されて開口部２３７ｂの開口径を連続的
に可変することができる。開口部２３７ｂの開口径は、
絞り駆動系２３８に入力された不図示の制御系からの信
号により調整される。絞り駆動系２３８には、カムを利
用した虹彩絞り装置など当業界で既知のいかなる構成を
も適用することができる。

【００８９】絞り２３６の開口径を変えることで（図中
に点線で示すように）インテグレータ２５０に入射する
光束の紙面に平行な方向への広がりを調整することがで
きる。即ち、図９において絞り２３６の開口径が大きく
なれば、これによってマスキングブレード２７０におい
て照明領域となる円弧スリットの径方向の幅を調整する
ことが可能である。また、インテグレータ２３０、２３
０Ｂの切り換えだけでなく、絞り２５６を調節すること
によってインテグレータ２５０に入射する光線の太さＤ
を変更し、コヒーレンスファクタσを所望のものに変更
したり照度ムラを補正したりすることもできる。

【００９０】絞り２５６は、反射型インテグレータ２５
０の前面に設けられ、絞り駆動系２５８によって駆動さ
れて所望の有効光源分布を形成することができる。絞り
２５６は遮光部２５７ａと開口部２５７ｂとを有する。

【００９１】絞り２５６を介して複数の凸状円筒反射面
を有するインテグレータ２５０により反射されたＥＵＶ
光束は、回転放物面ミラー２６０により集光されて、そ
の焦点位置に配置されたマスキングブレード２７０上
に、均一な円弧照明領域を形成する。

【００９２】以下、図１４及び図１５を参照して、絞り
２５６の切り替えにより輪帯照明等の変形照明を行う方
法について説明する。図１４（ａ）乃至（ｃ）は、絞り
２５６に適用可能な絞りを示す平面図である。図１４
（ａ）は通常照明の場合の絞り２５６Ａを示し、図１４
（ｂ）はいわゆる輪帯照明の場合の絞り２５６Ｂを示
し、図１４（ｃ）はいわゆる四重極照明の場合の絞り２
５６Ｃを示している。このようないくつかの開口パター
ンを図９の絞り２５６に示すように、例えば、ターレッ
トとして用意しておき、絞り駆動系２５８により不図示
の制御系からの信号を受けてターレットを回転させるこ
とで、所望の開口形状に切り替えることができる。ま
た、ターレットを用いずに他の機械的な方法、例えば、
複数の絞りを並べて順次切り替えてもよい。

【００９３】絞り２５６は図９に示すように、インテグ
レータ２５０の反射面２５１近傍に配置される。従っ
て、インテグレータ２５０に入射する光束の入射角をθ
とすると、インテグレータ２５０の反射面２５１におい
て、光束径は紙面に平行な方向に１／ｃｏｓθの倍率で
伸長する。これにより絞り２５６の開口部２５７ｂの形
状も同一方向に１／ｃｏｓθの倍率で伸長しておく必要
がある。図１４において、例えば、絞り２５６Ａは、入
射光束径を円形に絞るために用いられるが、この楕円の
縦横比は１／ｃｏｓθになっている。絞り２５６Ｂ及び
２５６Ｃも同様である。

【００９４】次に、絞り２５６によって変形照明が行わ
れる原理について、輪帯照明モードとする絞り２５６Ｂ
を例に説明する。変形照明法は、数式１において比例定
数ｋ _１の値を小さくすることにより微細化を図る超解像
技術（ＲＥＴ：Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｅｎｈａｎｃｅ
ｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の一つである。数式１にお
いて短波長化による解像度の向上を行えば数式２におい
て焦点深度の短縮を伴うが、変形照明法は、数式２にお
いて焦点深度の短縮を伴わないので好ましい。

【００９５】図１５は、図９に示すインテグレータ２５
０、回転放物面ミラー２６０、マスキングブレード２７
０を抜き出した図であり、図１５（ａ）は側面図、図１
５（ｂ）はミラー２６０を透過した状態で見た上面図で
ある。輪帯照明モードとする絞り２５６Ｂは図１５
（ａ）に示すように配置されるが図１５（ｂ）では説明
を容易にするために図示していない。

【００９６】反射型インテグレータ２５０に入射した光
束は、絞り２５６によって光軸中心部部分と外径部の一
部を遮光されて楕円状の輪帯形状分布２５９で反射す
る。分布２５９の形状は絞り２５６Ｂの開口部の形状に
一致する。この光束を回転放物面反射鏡２６０により集
光して、その焦点距離ｆ_２の位置に配置したマスキング
ブレード２７０の位置に円弧形状の均一な照明領域を形
成する。この時、光束の中心を遮光されているために、
集光された光束は図１５のハッチング部２６２に示す光
束となる。これは図１５（ｂ）においても同様であり、
ハッチング部２６４に示す光束となる。このように、反
射型インテグレータ２５０は、円弧領域の角度方向には
二次光源を重畳し、円弧領域の径方向には全ての光束を
一点に集光するようにマスク３００を（クリティカル照
明によって）照明する。これは主光線と光学軸との交点
の位置、即ち、瞳面位置２９５において２７８のような
分布、即ち、輪帯照明が行われていることを示してい
る。

【００９７】再び、図１に戻り、本実施形態の露光方法
について引き続き説明する。なお、マスク３００以降は
図８及び図９でも同様である。

【００９８】反射型マスク３００は多層膜反射鏡の上に
ＥＵＶ吸収体などからなる非反射部を設けた転写パター
ンが形成されている。円弧形状に照明された反射型マス
ク３００からの回路パターン情報を有するＥＵＶ反射光
は、投影光学系４００により露光に最適な倍率で感光材
が塗布された被処理体５００に投影結像されることで、
回路パターンの露光が行なわれる。本実施例の投影光学
系４００は６枚のミラーから構成されている反射型投影
光学系であるが、ミラーの枚数は６枚に限定されず、４
枚、５枚、８枚など所望の数を使用することができる。

【００９９】上記被処理体５００はウェハステージ５５
０に固定されており、紙面上で上下前後左右に平行移動
する機能を持ち、その移動は不図示のレーザ干渉計等の
測長器で制御されている。そして、投影光学系４００の
倍率をＭとすると、例えば反射型マスク３００を紙面に
平行な方向に速度ｖで走査すると同時に、被処理体５０
０を紙面に平行な方向に速度ｖ／Ｍにて同期走査するこ
とで、全面露光が行なわれる。

【０１００】本実施形態ではウェハへの露光としている
が、露光対象としての被処理帯５００はウェハに限られ
るものではなく、液晶基板その他の被処理体を広く含
む。被処理体５００にはフォトレジストが塗布されてい
る。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上
剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク
処理とを含む。前処理は洗浄、乾燥などを含む。密着性
向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を
高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎
水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ
−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸
気処理する。プリベークはベーキング（焼成）工程であ
るが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去す
る。

【０１０１】ウェハステージ５５０は被処理体５００を
支持する。ステージ５５０は、当業界で周知のいかなる
構成をも適用することができ、例えば、リニアモータを
利用してＸＹＺ方向に被処理体５００を移動する。マス
ク３００と被処理体５００は、図示しない制御部により
制御され同期して走査される。また、マスクステージ３
５０とウェハステージ５５０の位置は、例えば、レーザ
干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆
動される。

【０１０２】次に、図１６及び図１７を参照して、上述
の露光装置１０を利用したデバイスの製造方法の実施例
を説明する。図１６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの
半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するた
めのフローチャートである。ここでは、半導体チップの
製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）ではデバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）で
は、設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。ステップ３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料
を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグ
ラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成され
た半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなど
の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完
成し、これが出荷（ステップ７）される。

【０１０３】図１７は、ステップ４のウェハプロセスの
詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）で
はウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）
では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３
（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハ
にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）で
はウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）で
は、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハ
に露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェ
ハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となっ
たレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行
うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成さ
れる。本実施例の製造方法によれば従来よりも高品位の
デバイスを製造することができる。このように、かかる
露光装置１０を使用するデバイス製造方法、並びに結果
物としてのデバイスも本発明の一側面として機能するも
のである。

【０１０４】以上、本発明の好ましい実施例について説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないこと
はいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び
変更が可能である。例えば、本実施形態ではＥＵＶ光を
使用して説明したが、本発明はＸ線領域の光源にも適用
することができる。

【０１０５】

【発明の効果】本発明による照明装置及び露光装置によ
れば、高効率で均一な円弧照明を行ない、照度ムラをな
くすことができる。また、光源に変動があっても、被照
射面への光束入射角度が安定することで露光への影響を
除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態の露光装置を示す概
略図である。

【図２】 図１に示す露光装置の反射型インテグレータ
に適用可能な２種類のインテグレータを示す概略斜視図
である。

【図３】 図２（ａ）に示す凸状円筒面を有する反射型
インテグレータの動作を説明するための模式図である。

【図４】 図３に示す反射型インテグレータの円筒面に
おける光束反射を説明するための模式的斜視図である。

【図５】 図４に示す円筒面で反射した光束の角度分布
を説明するための図である。

【図６】 図１に示す露光装置の２つのインテグレータ
による円弧照明を形成する拡大図である。

【図７】 図１に示す光源側の反射型インテグレータの
変形例を示す概略斜視図である。

【図８】 本発明の第２の実施形態の露光装置を示す概
略図である。

【図９】 本発明の第３の実施形態の露光装置を示す概
略図である。

【図１０】 図９に示す露光装置に設けられる一方の光
源側インテグレータの模式図である。

【図１１】 図９に示す露光装置に設けられる他方の光
源側インテグレータの模式図である。

【図１２】 図９に示す露光装置の光源側インテグレー
タの切り替えによって照明光学系の開口数を切り替える
方法を説明する模式図である。

【図１３】 図９に示す露光装置の光源側インテグレー
タの切り替えによって照明光学系の開口数を切り替える
方法を説明する模式図である。

【図１４】 図９に示す露光装置のマスク側インテグレ
ータに使用される絞りの例を示す平面図である。

【図１５】 図９に示す露光装置のマスク側インテグレ
ータ、回転放物面ミラー、マスキングブレードを抜き出
した図である。

【図１６】 デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チッ
プ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフロー
チャートである。

【図１７】 図１６に示すステップ４のウェハプロセス
の詳細なフローチャートである。

【図１８】 従来の露光装置の概略図である。

【図１９】 図１８に示す露光装置のマスクの照明領域
と露光に使用される領域との関係を説明するための平面
図である。

【符号の説明】

１０、１０Ａ、１０Ｂ 露光装置 １００ 光源部 ２００ 照明光学系 ２３０、２３０Ａ、２３０Ｂ 反射型インテグレー
タ ２３１ 反射面 ２３２ 円筒面 ２３６ 絞り ２４０ 放物面ミラー ２５０、２５０Ａ 反射型インテグレー
タ ２５１ 反射面 ２５２ 円筒面 ２５６、２５６Ａ−Ｃ 絞り ２７０ マスキングブレード ２８０（２８２−２８８） リレー光学系 ３００ 反射型マスク ４００ 投影光学系 ５００ 被処理体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源からの波長２００ｎｍ以下の光で被
   照明面を照明する照明装置であって、 第１の反射型インテグレータと、該第１のインテグレー
   タからの複数の光束を前記被照明面上に重ねる第１の集
   光ミラーと、 前記光源と前記第１の反射型インテグレータの間に設け
   られた、第２の反射型インテグレータ及び当該第２の反
   射型インテグレータからの複数の光束を前記第１の反射
   型インテグレータ上に重ねる第２の集光ミラーとを有す
   る照明装置。
2. 【請求項２】 前記第１及び第２の反射型インテグレー
   タは、円筒面の一部が複数個平行に配置され、前記第１
   及び第２の反射型インテグレータの前記円筒面の母線は
   互いにほぼ直交する請求項１記載の照明装置。
3. 【請求項３】 前記円筒面は、凸型、凹型又はそれらの
   組み合わせである請求項２記載の照明装置。
4. 【請求項４】 前記第１の反射型インテグレータは、前
   記被照明面を光学系のメリジオナル断面に関してはクリ
   ティカル照明し且つ前記光学系のサジタル断面に関して
   はケーラー照明するように構成してある請求項１に記載
   の照明装置。
5. 【請求項５】 前記第１の反射型インテグレータは、繰
   返し構造の反射面を有する請求項１記載の照明装置。
6. 【請求項６】 前記第１の反射型インテグレータと前記
   被照明面との間に配置され、前記被照明面に円弧状照明
   領域を定義する円弧状開口部を有する視野絞りと、 当該視野絞りの前記開口を経た前記光束で、前記開口を
   前記被照明面に結像する反射光学系とを有する請求項１
   記載の照明装置。
7. 【請求項７】 前記第１の反射型インテグレータと前記
   被照明面との間で前記被照明面の近傍に配置され、前記
   被照明面を円弧状の光で照明するための円弧状開口部を
   有する視野絞りを有する請求項１記載の照明装置。
8. 【請求項８】 前記第２の反射型インテグレータの反射
   面位置と前記被照明面位置は光学的に共役な位置関係に
   あり、前記第２の反射型インテグレータの反射面上又は
   近傍に、開口径が可変な絞りを有する請求項１記載の照
   明装置。
9. 【請求項９】 前記被照明面に円弧状の照明領域を形成
   するものであって、 前記第１の反射型インテグレータは、前記円弧状の領域
   の角度方向には前記光源からの二次光源を重畳し、前記
   円弧状の領域の径方向には前記複数の光束を集光するよ
   うに前記被照明領域を照明する請求項１記載の照明装
   置。
10. 【請求項１０】 光源からの波長２００ｎｍ以下の光で
    被照明面を照明する照明装置であって、 前記被照明面に円弧状の照明領域を定義する円弧状開口
    部を有する視野絞りと、 当該視野絞りの前記円弧状開口を経た光束で、前記円弧
    状の開口を前記被照明面に結像する反射光学系と、 前記円弧状開口を経た光束の主光線の前記被照明面に対
    する入射角を調節する調節機構とを有する照明装置。
11. 【請求項１１】 前記補正機構は前記反射光学系の少な
    くとも一のミラーの偏心及び／又は回転移動を調節する
    機構を含む請求項１０記載の照明装置。
12. 【請求項１２】 前記光源からの前記光の波長は２０ｎ
    ｍ以下である請求項１乃至１１のいずれか一項記載の照
    明装置。
13. 【請求項１３】 請求項１乃至１２のうちいずれか一項
    記載の照明装置によりレチクル又はマスクに形成された
    パターンを照明し、当該パターンを投影光学系により被
    処理体上に投影する露光装置。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の露光装置を用いてデ
    バイスパターンで基板を露光する工程と、 前記露光された基板に所定のプロセスを行う工程とを有
    するデバイス製造方法。