JP2003037124A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法Info
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- JP2003037124A JP2003037124A JP2001222558A JP2001222558A JP2003037124A JP 2003037124 A JP2003037124 A JP 2003037124A JP 2001222558 A JP2001222558 A JP 2001222558A JP 2001222558 A JP2001222558 A JP 2001222558A JP 2003037124 A JP2003037124 A JP 2003037124A
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- semiconductor
- film
- potting
- semiconductor package
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポッティングによることなく、チップ上に盛
り上がりを生じさせない封止が可能な半導体パッケージ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体の端子をその周辺の電極配線に接
続し、ポッティングをすることなく半導体及びその周辺
の電極配線の上に該半導体及びその周辺の電極配線を覆
うプラスチックフィルムをラミネートする。
り上がりを生じさせない封止が可能な半導体パッケージ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体の端子をその周辺の電極配線に接
続し、ポッティングをすることなく半導体及びその周辺
の電極配線の上に該半導体及びその周辺の電極配線を覆
うプラスチックフィルムをラミネートする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体パッケージの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より液状樹脂ディスペンサーから適
量の液状樹脂を半導体素子や電極接続部に物理衝撃、腐
食等によるクラックの発生や導通の不安定を防止する目
的で絶縁物質を滴下し、樹脂封止すること、所謂ポッテ
ィングが行われている。
量の液状樹脂を半導体素子や電極接続部に物理衝撃、腐
食等によるクラックの発生や導通の不安定を防止する目
的で絶縁物質を滴下し、樹脂封止すること、所謂ポッテ
ィングが行われている。
【０００３】このポッティングにおいては予め硬化剤、
充填材を配合した低粘度のエポキシ樹脂をトランジスタ
や、ダイオード等の上に滴下し、これを高温の炉に入れ
て硬化させる方法である。微量の樹脂を一定量、しかも
高速で注入することが難しく、これが機械化、自動化へ
の障害となっている。
充填材を配合した低粘度のエポキシ樹脂をトランジスタ
や、ダイオード等の上に滴下し、これを高温の炉に入れ
て硬化させる方法である。微量の樹脂を一定量、しかも
高速で注入することが難しく、これが機械化、自動化へ
の障害となっている。
【０００４】樹脂を滴下する工程は手作業が多く、一般
に型を使わずに樹脂の表面張力でできあがりの形が作ら
れるので、丸くもり上がったような形に仕上がっている
ものが多い。
に型を使わずに樹脂の表面張力でできあがりの形が作ら
れるので、丸くもり上がったような形に仕上がっている
ものが多い。
【０００５】また封止の形状は、樹脂の粘度、チキソ性
（揺変度）が大きく影響し、封止のポイントは、一定樹
脂量を正確に垂らすこと及び非常に細かい部分に正確に
樹脂を垂らすことであると言われている。
（揺変度）が大きく影響し、封止のポイントは、一定樹
脂量を正確に垂らすこと及び非常に細かい部分に正確に
樹脂を垂らすことであると言われている。
【０００６】このようにポッティング作業には正確度が
要求されるのみならずポッティングによりチップの上に
１５０μm 程度の盛り上がりが生じてしまう。
要求されるのみならずポッティングによりチップの上に
１５０μm 程度の盛り上がりが生じてしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はポッテ
ィングによることなく、チップ上に盛り上がりを生じさ
せない封止が可能な半導体パッケージの製造方法を提供
することである。
ィングによることなく、チップ上に盛り上がりを生じさ
せない封止が可能な半導体パッケージの製造方法を提供
することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、上記の課題を解決するもので、半導体の端子をその
周辺の電極配線に接続し、ポッティングをすることなく
半導体及びその周辺の電極配線の上に該半導体及びその
周辺の電極配線を覆うプラスチックフィルムをラミネー
トしたことを特徴とする。
は、上記の課題を解決するもので、半導体の端子をその
周辺の電極配線に接続し、ポッティングをすることなく
半導体及びその周辺の電極配線の上に該半導体及びその
周辺の電極配線を覆うプラスチックフィルムをラミネー
トしたことを特徴とする。
【０００９】本発明において、プラスチックフィルムと
して熱可塑性ポリエステルフィルムと耐熱性ポリエステ
ルフィルムと積層フィルムを用いることができる。ま
た、本発明において、プラスチックフィルムとして紫外
線硬化性ポリエステルフィルムを用いることができる。
して熱可塑性ポリエステルフィルムと耐熱性ポリエステ
ルフィルムと積層フィルムを用いることができる。ま
た、本発明において、プラスチックフィルムとして紫外
線硬化性ポリエステルフィルムを用いることができる。
【００１０】本発明において、プラスチックフィルムと
して熱可塑性ポリエステルフィルムと耐熱性ポリエステ
ルフィルムと積層フィルム、紫外線硬化性ポリエステル
フィルム等を用いることができる。
して熱可塑性ポリエステルフィルムと耐熱性ポリエステ
ルフィルムと積層フィルム、紫外線硬化性ポリエステル
フィルム等を用いることができる。
【００１１】本発明の方法によればポッティングによる
ことなく、チップ上に盛り上がりを生じさせない封止が
可能である。また製造過程の自動化が可能となる。
ことなく、チップ上に盛り上がりを生じさせない封止が
可能である。また製造過程の自動化が可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明につき図面を参照して
詳細に説明する。図１（ａ）に示すようにポリエステル
フィルム等の基材１の上に接層パッド部２および回路パ
ターン３を形成する。
詳細に説明する。図１（ａ）に示すようにポリエステル
フィルム等の基材１の上に接層パッド部２および回路パ
ターン３を形成する。
【００１３】次いで．接層パッド２の上にＩＣチップ４
を載置したのち、図１（ｂ）に示すように、ポッティン
グをすることなくポリエチレンテレフタレート、ポリブ
チレンテレフタレート、ポリエステルアミド等の熱可塑
性樹脂フィルム５とその上に積層された１５０°以上の
熱に耐えるポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド等の耐熱性樹脂フィルム６と
からなる積層フィルム７を１３０℃以上の熱をかけて熱
ロールラミネートによりラミネートする。
を載置したのち、図１（ｂ）に示すように、ポッティン
グをすることなくポリエチレンテレフタレート、ポリブ
チレンテレフタレート、ポリエステルアミド等の熱可塑
性樹脂フィルム５とその上に積層された１５０°以上の
熱に耐えるポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド等の耐熱性樹脂フィルム６と
からなる積層フィルム７を１３０℃以上の熱をかけて熱
ロールラミネートによりラミネートする。
【００１４】熱可塑性樹脂フイルム５の厚さは７μm 〜
７０μm が適当である。５μm 以下のときはチップやア
ンテナの厚みが吸収し難くラミネート時に気泡を含んだ
りしわの原因になり、一方１００μm よりも大きいとき
は熱伝導を均一にしないと収縮時に変形しやすい。
７０μm が適当である。５μm 以下のときはチップやア
ンテナの厚みが吸収し難くラミネート時に気泡を含んだ
りしわの原因になり、一方１００μm よりも大きいとき
は熱伝導を均一にしないと収縮時に変形しやすい。
【００１５】このようにして形成された製品は、熱可塑
性樹脂は回路パターンの細かい線と線の間等に入り込み
厚みの差を和らげた状態で基材に対して熱ラミネートさ
れる。また１２０℃〜−２０℃間のサイクル逆耐試験に
十分に耐え、絶縁性が損なわれることはない。
性樹脂は回路パターンの細かい線と線の間等に入り込み
厚みの差を和らげた状態で基材に対して熱ラミネートさ
れる。また１２０℃〜−２０℃間のサイクル逆耐試験に
十分に耐え、絶縁性が損なわれることはない。
【００１６】（実施例）３８μm のＰＥＴの両面に、そ
れぞれ、ポリエステル系のドライラミネート接着剤を用
いて３０μm アルミニウム箔及び１０μm アルミニウム
箔を貼り、アルミニウム箔をエッチングすることにより
図１に示す回路パターン３を形成した４００mm巾の面付
けアンテナにクリンピング加工とＩＣチップ実装をして
ＲＦＩＤインレットの多面付けロールを用意した。また
フラットケーブルのカバーフィルム等に用いる２５μm
ＰＥＴに３５μm の熱可塑性ポリエステルをウエットコ
ートしたカバーフィルム（但しフラットケーブルにおい
て難燃用途で混ぜるハロゲン系の難燃材は、残留ハロゲ
ンイオンは半導体の接続信頼性を下げるため入れない）
のロールを用意した。そして図２に示すようにロールラ
ミネーターの上下からカバーフィルムのロール１１のカ
バーフィルムを熱可塑性面を内側に向けて毎分２．５ｍ
で繰り出すと共にＲＦＩＤインレットの多面付けロール
１２のＲＦＩＤインレットを同速度で繰り出した。そし
てφ１００mm×７００mmＬ、ゴム厚み３mmの一対の誘電
熱ロール１３を１４５℃、３．５Ｎm に設定し、この誘
電熱ロール１３間をカバーフィルムで鋏んだＲＦＩＤイ
ンレットを通過させた。誘電熱ロール１３の後方に配置
されたφ８０mm×７００mmＬロールで熱を与えないで２
Ｋのテンションで誘電熱ロール１３から引き出し、巻き
取りロール１４に巻き取った。その結果フラットでＲＦ
ＩＤインレットとカバーフィルムの接着性のよい多面付
けチップ及びアンテナ封止ＲＦＩＤインレットロールが
得られた。
れぞれ、ポリエステル系のドライラミネート接着剤を用
いて３０μm アルミニウム箔及び１０μm アルミニウム
箔を貼り、アルミニウム箔をエッチングすることにより
図１に示す回路パターン３を形成した４００mm巾の面付
けアンテナにクリンピング加工とＩＣチップ実装をして
ＲＦＩＤインレットの多面付けロールを用意した。また
フラットケーブルのカバーフィルム等に用いる２５μm
ＰＥＴに３５μm の熱可塑性ポリエステルをウエットコ
ートしたカバーフィルム（但しフラットケーブルにおい
て難燃用途で混ぜるハロゲン系の難燃材は、残留ハロゲ
ンイオンは半導体の接続信頼性を下げるため入れない）
のロールを用意した。そして図２に示すようにロールラ
ミネーターの上下からカバーフィルムのロール１１のカ
バーフィルムを熱可塑性面を内側に向けて毎分２．５ｍ
で繰り出すと共にＲＦＩＤインレットの多面付けロール
１２のＲＦＩＤインレットを同速度で繰り出した。そし
てφ１００mm×７００mmＬ、ゴム厚み３mmの一対の誘電
熱ロール１３を１４５℃、３．５Ｎm に設定し、この誘
電熱ロール１３間をカバーフィルムで鋏んだＲＦＩＤイ
ンレットを通過させた。誘電熱ロール１３の後方に配置
されたφ８０mm×７００mmＬロールで熱を与えないで２
Ｋのテンションで誘電熱ロール１３から引き出し、巻き
取りロール１４に巻き取った。その結果フラットでＲＦ
ＩＤインレットとカバーフィルムの接着性のよい多面付
けチップ及びアンテナ封止ＲＦＩＤインレットロールが
得られた。
【００１７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、半導体の端子をその周辺の電極配線に接続し、ポ
ッティングをすることなく半導体及びその周辺の電極配
線の上に該半導体及びその周辺の電極配線を覆うプラス
チックフィルムをラミネートするので、製造過程の自動
化が可能となる。
れば、半導体の端子をその周辺の電極配線に接続し、ポ
ッティングをすることなく半導体及びその周辺の電極配
線の上に該半導体及びその周辺の電極配線を覆うプラス
チックフィルムをラミネートするので、製造過程の自動
化が可能となる。
【図１】本発明の製造方法を示す略断面図である。
【図２】本発明の製造方法に用いる装置の略図である。
１ 基材
２ 接層パッド部
３ 回路パターン
４ 熱可塑性樹脂フィルム
５ 耐熱性樹脂フィルム
６ 積層フイルム
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体の端子をその周辺の電極配線に接
続し、ポッティングをすることなく半導体及びその周辺
の電極配線の上に該半導体及びその周辺の電極配線を覆
うプラスチックフィルムをラミネートしたことを特徴と
する半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項２】 プラスチックフィルムとして熱可塑性樹
脂フィルムと耐熱性樹脂フィルムの積層フィルムを用い
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001222558A JP2003037124A (ja) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | 半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001222558A JP2003037124A (ja) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003037124A true JP2003037124A (ja) | 2003-02-07 |
Family
ID=19056022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001222558A Pending JP2003037124A (ja) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003037124A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63212594A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-09-05 | ゲーアーオー ゲゼルシャフト フィア アウトマチオン ウント オルガニザチオン エムベーハー | 集積回路を有するデータキャリア及びその製造方法及びその製造装置 |
| JPH04340258A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-11-26 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH10211784A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Denso Corp | Ｉｃカードおよびその製造方法 |
| JPH1178323A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触ｉｃカード |
| JPH11345298A (ja) * | 1998-06-02 | 1999-12-14 | Toppan Printing Co Ltd | 非接触型ｉｃカード及びその製造方法 |
| JP2001126044A (ja) * | 1999-02-05 | 2001-05-11 | Hitachi Maxell Ltd | フレキシブルｉｃモジュール及びその製造方法並びにフレキシブルｉｃモジュールを用いた情報担体の製造方法 |
| JP2001134734A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Lintec Corp | 非接触データキャリアシートおよびその製造方法 |
-
2001
- 2001-07-24 JP JP2001222558A patent/JP2003037124A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63212594A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-09-05 | ゲーアーオー ゲゼルシャフト フィア アウトマチオン ウント オルガニザチオン エムベーハー | 集積回路を有するデータキャリア及びその製造方法及びその製造装置 |
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| JP2001134734A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Lintec Corp | 非接触データキャリアシートおよびその製造方法 |
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Legal Events
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