JP2003031375A - 有機el表示装置 - Google Patents
有機el表示装置Info
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- JP2003031375A JP2003031375A JP2001215264A JP2001215264A JP2003031375A JP 2003031375 A JP2003031375 A JP 2003031375A JP 2001215264 A JP2001215264 A JP 2001215264A JP 2001215264 A JP2001215264 A JP 2001215264A JP 2003031375 A JP2003031375 A JP 2003031375A
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- organic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機層の酸化を抑制して有機EL表示装置の
寿命を長くする。 【解決手段】 透明基板1上に、アノード2、有機層
3、およびカソード4がこの順序で積層され、有機層3
からの光がアノード2および透明基板2を透過してから
出射するように構成された有機EL表示装置Xにおい
て、カソード4よりも仕事関数が大きI非酸化物である
金属材料により、アノード2を厚みが20nm以下にな
るように形成した。金属材料としては、仕事関数が4.
5eV以上のものを用い、アノード2はシート抵抗が
2.5Ω以下となるように形成するのが好ましい。ま
た、金属材料としては、たとえばAu、AgまたはCu
を用いる。
寿命を長くする。 【解決手段】 透明基板1上に、アノード2、有機層
3、およびカソード4がこの順序で積層され、有機層3
からの光がアノード2および透明基板2を透過してから
出射するように構成された有機EL表示装置Xにおい
て、カソード4よりも仕事関数が大きI非酸化物である
金属材料により、アノード2を厚みが20nm以下にな
るように形成した。金属材料としては、仕事関数が4.
5eV以上のものを用い、アノード2はシート抵抗が
2.5Ω以下となるように形成するのが好ましい。ま
た、金属材料としては、たとえばAu、AgまたはCu
を用いる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本願発明は、有機EL(エレ
クトロルミネッセント)層に電界を与えて発光させる表
示装置に関する。
クトロルミネッセント)層に電界を与えて発光させる表
示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセントを利用
したEL表示装置の開発が盛んに行われている。EL表
示装置は、アノードとカソードとの間に発光層を設けた
構成を有している。EL表示装置では、液晶表示装置と
同様に、各画素毎にTFTなどのスイッチを設けて各画
素を個別に駆動するアクティブ駆動方式の他、線順次方
式に代表されるパッシブ駆動方式を採用することができ
る。このようなEL表示装置は、使用される発光性化合
物の種類により、無機EL表示装置と有機EL表示装置
に分類することができる。
したEL表示装置の開発が盛んに行われている。EL表
示装置は、アノードとカソードとの間に発光層を設けた
構成を有している。EL表示装置では、液晶表示装置と
同様に、各画素毎にTFTなどのスイッチを設けて各画
素を個別に駆動するアクティブ駆動方式の他、線順次方
式に代表されるパッシブ駆動方式を採用することができ
る。このようなEL表示装置は、使用される発光性化合
物の種類により、無機EL表示装置と有機EL表示装置
に分類することができる。
【0003】図5に示したように、有機EL表示装置9
は、基板90上に、アノード91、有機層92、および
カソード93を積層した形態を有するものである。有機
層92は、発光層92aを有しており、アノード91か
ら供給される正孔(ホール)およびカソード93から供
給される電子を発光層92aに効率良く閉じ込めるため
に、発光層92aを電子輸送層92bおよび正孔(ホー
ル)輸送層92cにより挟み込んで有機層92を構成す
るのが一般的である。また、アノード91からの正孔の
取り出し効率を高めるためにアノード91の表面にホー
ル注入層92dを設け、カソード93からの電子の取り
出し効率を高めるためにカソード93の表面に電子注入
層92eを設けることもある。
は、基板90上に、アノード91、有機層92、および
カソード93を積層した形態を有するものである。有機
層92は、発光層92aを有しており、アノード91か
ら供給される正孔(ホール)およびカソード93から供
給される電子を発光層92aに効率良く閉じ込めるため
に、発光層92aを電子輸送層92bおよび正孔(ホー
ル)輸送層92cにより挟み込んで有機層92を構成す
るのが一般的である。また、アノード91からの正孔の
取り出し効率を高めるためにアノード91の表面にホー
ル注入層92dを設け、カソード93からの電子の取り
出し効率を高めるためにカソード93の表面に電子注入
層92eを設けることもある。
【0004】有機EL表示装置9では、無機EL表示装
置と比較した場合に発光効率が高く、発光性化合物を発
光させるのに必要な電圧が小さくて済むといった長所を
有する反面、装置寿命が短いといった欠点を有してい
る。したがって、携帯電話などのディスプレイとして使
用する場合には、有機EL表示装置のほうが有望視され
るが、実用性を考慮した場合、有機EL表示装置の装置
寿命を長くする必要がある。
置と比較した場合に発光効率が高く、発光性化合物を発
光させるのに必要な電圧が小さくて済むといった長所を
有する反面、装置寿命が短いといった欠点を有してい
る。したがって、携帯電話などのディスプレイとして使
用する場合には、有機EL表示装置のほうが有望視され
るが、実用性を考慮した場合、有機EL表示装置の装置
寿命を長くする必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】有機EL表示装置の寿
命が短い理由の1つとしては、有機層92の酸化が挙げ
られる。有機層92が酸化する原因としては、製造時お
よび電圧印加時の熱エネルギが挙げられる。とくに、ア
ノード91をITOなどの酸化物により形成した場合に
は、アノード91の抵抗が大きくなって発熱量が大きく
なる上に、アノード91が酸化されやすくなってしま
う。したがって、アノード91を酸化物により形成した
場合には、アノード91が酸素供給源として機能して有
機層92を酸化してしまうばかりか、アノード91で生
じる大きな熱エネルギによって有機層92の酸化を助長
してしまうといった悪循環が生じる。
命が短い理由の1つとしては、有機層92の酸化が挙げ
られる。有機層92が酸化する原因としては、製造時お
よび電圧印加時の熱エネルギが挙げられる。とくに、ア
ノード91をITOなどの酸化物により形成した場合に
は、アノード91の抵抗が大きくなって発熱量が大きく
なる上に、アノード91が酸化されやすくなってしま
う。したがって、アノード91を酸化物により形成した
場合には、アノード91が酸素供給源として機能して有
機層92を酸化してしまうばかりか、アノード91で生
じる大きな熱エネルギによって有機層92の酸化を助長
してしまうといった悪循環が生じる。
【0006】電圧印加による有機層92の酸化は、パッ
シブ駆動方式を採用した有機EL表示装置9においてよ
り顕著に現れる。パッシブ駆動方式は、たとえば高電圧
を印加するアノードまたはカソード(走査電極)が順次
切り替えられ、高電圧が印加された画素(発光層)が瞬
間的に発光させられる。そのため、ある画素が所定の輝
度で常時発光しているように視認させるためには、先に
高電圧が付与されてから次の高電位が付与までに輝度が
所定値よりも小さくならないように、当該所定値よりも
相当大きな輝度をもって画素を発光させる必要が生じ
る。したがって、パッシブ駆動を採用した場合には、繰
り返し大きな電位を付与する必要がある結果、各画素で
の通電量、ひいては発熱量が大きくなって有機層92の
酸化の問題がより顕著に現れる。
シブ駆動方式を採用した有機EL表示装置9においてよ
り顕著に現れる。パッシブ駆動方式は、たとえば高電圧
を印加するアノードまたはカソード(走査電極)が順次
切り替えられ、高電圧が印加された画素(発光層)が瞬
間的に発光させられる。そのため、ある画素が所定の輝
度で常時発光しているように視認させるためには、先に
高電圧が付与されてから次の高電位が付与までに輝度が
所定値よりも小さくならないように、当該所定値よりも
相当大きな輝度をもって画素を発光させる必要が生じ
る。したがって、パッシブ駆動を採用した場合には、繰
り返し大きな電位を付与する必要がある結果、各画素で
の通電量、ひいては発熱量が大きくなって有機層92の
酸化の問題がより顕著に現れる。
【0007】本願発明は、このような事情のもとに考え
だされたものであって、有機層の酸化を抑制して有機E
L表示装置の寿命を長くすることをその課題としてい
る。
だされたものであって、有機層の酸化を抑制して有機E
L表示装置の寿命を長くすることをその課題としてい
る。
【0008】
【発明の開示】すなわち、本願発明により提供される有
機EL表示装置は、透明基板上に、複数のアノード、有
機層、および複数のカソードがこの順序で積層され、か
つ上記有機層からの光が上記アノードおよび上記透明基
板を透過してから出射するように構成された有機EL表
示装置であって、上記アノードは、上記カソードよりも
仕事関数が大きい非酸化物たる金属材料により、厚みが
20nm以下に形成されていることを特徴としている。
機EL表示装置は、透明基板上に、複数のアノード、有
機層、および複数のカソードがこの順序で積層され、か
つ上記有機層からの光が上記アノードおよび上記透明基
板を透過してから出射するように構成された有機EL表
示装置であって、上記アノードは、上記カソードよりも
仕事関数が大きい非酸化物たる金属材料により、厚みが
20nm以下に形成されていることを特徴としている。
【0009】透明電極は、従来よりITOなどの酸化物
により形成されているが、ITOなどは抵抗率が大きい
ために温度上昇が大きい上に、酸化されやすいといった
欠点がある。したがって、アノードを抵抗率の小さい金
属材料により形成すれば、アノードで発生する熱量を低
減できる結果、アノードの酸化を抑制することができ
る。アノードが非酸化物により形成され、しかもその酸
化が抑制されれば、アノードが有機層への酸素供給源と
して機能することを抑制することができるようになる。
これにより、有機層の酸化を抑制して有機EL表示装置
の長寿命化を図ることができるようになる。しかも、厚
みが20nm以下の金属薄膜としてアノードを形成すれ
ば、アノードの光透過性を高めることができるため、有
機層からの光をアノードおよび透明基板を介して表示装
置の外部に出射することができるようになる。
により形成されているが、ITOなどは抵抗率が大きい
ために温度上昇が大きい上に、酸化されやすいといった
欠点がある。したがって、アノードを抵抗率の小さい金
属材料により形成すれば、アノードで発生する熱量を低
減できる結果、アノードの酸化を抑制することができ
る。アノードが非酸化物により形成され、しかもその酸
化が抑制されれば、アノードが有機層への酸素供給源と
して機能することを抑制することができるようになる。
これにより、有機層の酸化を抑制して有機EL表示装置
の長寿命化を図ることができるようになる。しかも、厚
みが20nm以下の金属薄膜としてアノードを形成すれ
ば、アノードの光透過性を高めることができるため、有
機層からの光をアノードおよび透明基板を介して表示装
置の外部に出射することができるようになる。
【0010】アノードは、有機層に対して正孔(ホー
ル)を供給する役割を有するため、アノードを仕事関数
の大きな材料により形成する必要がある。アノード形成
材料としては、仕事関数が4.5eV以上である金属材
料を用いるのが好ましい。その一方で、 アノード抵抗
が大きければ、通電時におけるアノードでの発熱量が大
きくなって有機層が酸化される虞があるため、たとえば
アノードはシート抵抗が2.5Ω以下となるように形成
するのが好ましい。仕事関数や抵抗面を考慮した場合に
は、金属材料としては、Au、Ag、あるいはCuが好
ましく使用される。
ル)を供給する役割を有するため、アノードを仕事関数
の大きな材料により形成する必要がある。アノード形成
材料としては、仕事関数が4.5eV以上である金属材
料を用いるのが好ましい。その一方で、 アノード抵抗
が大きければ、通電時におけるアノードでの発熱量が大
きくなって有機層が酸化される虞があるため、たとえば
アノードはシート抵抗が2.5Ω以下となるように形成
するのが好ましい。仕事関数や抵抗面を考慮した場合に
は、金属材料としては、Au、Ag、あるいはCuが好
ましく使用される。
【0011】上述したように、有機層の酸化は、パッシ
ブ駆動される有機EL表示装置においてより顕著に現れ
る。したがって、有機層の酸化を抑制できる本願発明の
技術思想は、パッシブ駆動可能に構成された有機EL表
示装置に対して、より有効である。
ブ駆動される有機EL表示装置においてより顕著に現れ
る。したがって、有機層の酸化を抑制できる本願発明の
技術思想は、パッシブ駆動可能に構成された有機EL表
示装置に対して、より有効である。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照しつつ具体的に説明する。ここで、
図1は本願発明に係る有機EL表示装置の一例を示す一
部破断要部斜視図、図2は図1の有機EL表示装置の平
面図、図3および図4は図2のIII−III線およびIV−IV
線に沿う断面図である。
形態を、図面を参照しつつ具体的に説明する。ここで、
図1は本願発明に係る有機EL表示装置の一例を示す一
部破断要部斜視図、図2は図1の有機EL表示装置の平
面図、図3および図4は図2のIII−III線およびIV−IV
線に沿う断面図である。
【0013】有機EL表示装置Xは、線順次方式による
パッシブ駆動によりカラー表示可能に構成されたもので
あり、透明基板1上に、複数のアノード2、複数の有機
層3、および複数のカソード4R,4G,4Bが設けら
れている。
パッシブ駆動によりカラー表示可能に構成されたもので
あり、透明基板1上に、複数のアノード2、複数の有機
層3、および複数のカソード4R,4G,4Bが設けら
れている。
【0014】透明基板1は、たとえば図2に示したよう
に透明なガラスや樹脂製フィルムにより矩形状に形成さ
れている。アノード2は、透明基板1の表面10におい
て、図1および図2の矢印AB方向に延びる帯状に形成
されており、複数のアノード2が、それらの幅方向に並
んでいる。これらのアノード2は、たとえば非酸化物で
ある金属材料を用いた蒸着やスパッタリングなどの公知
の手法により、厚さが20nm以下となるように金属薄
膜を形成した後に、エッチング処理を施すことにより形
成することができる。厚みが20nm以下の金属薄膜
(アノード2)は、光透過率が高く、比較的に高い透明
性を有している。アノード2は有機層にホールを供給す
るもの役割を果たすものであるから、仕事関数が比較的
に高い金属材料、たとえば仕事関数が4.5eV以上の
Au、Ag、あるいはCuを用いて形成するのが好まし
い。これらの材料は、抵抗率の小さいものであるから、
これらの材料を用いることにより、アノード2のシート
抵抗を2.5Ω以下とすることができる。
に透明なガラスや樹脂製フィルムにより矩形状に形成さ
れている。アノード2は、透明基板1の表面10におい
て、図1および図2の矢印AB方向に延びる帯状に形成
されており、複数のアノード2が、それらの幅方向に並
んでいる。これらのアノード2は、たとえば非酸化物で
ある金属材料を用いた蒸着やスパッタリングなどの公知
の手法により、厚さが20nm以下となるように金属薄
膜を形成した後に、エッチング処理を施すことにより形
成することができる。厚みが20nm以下の金属薄膜
(アノード2)は、光透過率が高く、比較的に高い透明
性を有している。アノード2は有機層にホールを供給す
るもの役割を果たすものであるから、仕事関数が比較的
に高い金属材料、たとえば仕事関数が4.5eV以上の
Au、Ag、あるいはCuを用いて形成するのが好まし
い。これらの材料は、抵抗率の小さいものであるから、
これらの材料を用いることにより、アノード2のシート
抵抗を2.5Ω以下とすることができる。
【0015】カソード4R,4G,4Bは、R用カソー
ド4R、G用カソード4G、B用カソード4Bからな
る。これらのカソード4R,4G,4Bは、複数のアノ
ード2に直交して図1および図2の矢印CD方向に延び
る帯状に形成され、R用カソード4R、G用カソード4
G、およびB用カソード4Bの順序で図1および図2の
矢印AB方向に並んで互いに平行に延びている。図2に
示したように、R用カソード4R、G用カソード4G、
およびB用カソード4Bとアノード2とが交差する領域
R,G,Bは、赤色光発光画素R、緑色光発光画素Gお
よび青色光発光画素Bを構成している。このようなカソ
ード4は、たとえばアルミニウム膜を蒸着した後にエッ
チング処理を施すことにより形成することができる。
ド4R、G用カソード4G、B用カソード4Bからな
る。これらのカソード4R,4G,4Bは、複数のアノ
ード2に直交して図1および図2の矢印CD方向に延び
る帯状に形成され、R用カソード4R、G用カソード4
G、およびB用カソード4Bの順序で図1および図2の
矢印AB方向に並んで互いに平行に延びている。図2に
示したように、R用カソード4R、G用カソード4G、
およびB用カソード4Bとアノード2とが交差する領域
R,G,Bは、赤色光発光画素R、緑色光発光画素Gお
よび青色光発光画素Bを構成している。このようなカソ
ード4は、たとえばアルミニウム膜を蒸着した後にエッ
チング処理を施すことにより形成することができる。
【0016】有機層3は、複数のホール注入層30、複
数のホール輸送層31、複数の発光層32R,32G,
32B、複数の電子輸送層33、および複数の電子注入
層34からなる。
数のホール輸送層31、複数の発光層32R,32G,
32B、複数の電子輸送層33、および複数の電子注入
層34からなる。
【0017】ホール注入層30は、アノード2からのホ
ールの取り出し効率、つまり有機層3へのホール注入効
率を向上させる役割を有するものである。ホール輸送層
31は、発光層32へのホールの移動を効率良く行うと
ともに、カソード4R,4G,4Bからの電子が発光層
32を超えてアノード2へ移動するのを抑制し、発光層
32おける電子とホールとの再結合効率を高める役割を
有するものである。
ールの取り出し効率、つまり有機層3へのホール注入効
率を向上させる役割を有するものである。ホール輸送層
31は、発光層32へのホールの移動を効率良く行うと
ともに、カソード4R,4G,4Bからの電子が発光層
32を超えてアノード2へ移動するのを抑制し、発光層
32おける電子とホールとの再結合効率を高める役割を
有するものである。
【0018】ホール注入層30およびホール輸送層31
は、アノード2と同一方向(図1の矢印AB方向)に延
びる帯状に形成されている。ホール注入層30はアノー
ド2上に、ホール輸送層31はホール注入層30上に積
層形成され、複数のものがアノード2の幅方向(図1の
矢印CD方向)に並んで平行に延びている。
は、アノード2と同一方向(図1の矢印AB方向)に延
びる帯状に形成されている。ホール注入層30はアノー
ド2上に、ホール輸送層31はホール注入層30上に積
層形成され、複数のものがアノード2の幅方向(図1の
矢印CD方向)に並んで平行に延びている。
【0019】ホール注入層30およびホール輸送層31
は、たとえばスパッタリングや蒸着により形成すること
ができ、ホール注入層30は厚さが数〜10Åに、ホー
ル輸送層30は、厚さが100〜1000Åに形成され
る。
は、たとえばスパッタリングや蒸着により形成すること
ができ、ホール注入層30は厚さが数〜10Åに、ホー
ル輸送層30は、厚さが100〜1000Åに形成され
る。
【0020】ホール注入層30を構成する材料として
は、たとえば銅フタロシアニン、無金属フタロシアニ
ン、芳香族アミン(TPAC、2Me−TPD、α−N
PDなど)を用いることができる。一方、ホール輸送層
31を構成する材料としては、たとえば1,1−ビス
(4−ジ−p−アミノフェニル)シクロヘキサン、ガル
バゾールおよびその誘導体、トリフェニルアミンおよび
その誘導体を用いることができる。
は、たとえば銅フタロシアニン、無金属フタロシアニ
ン、芳香族アミン(TPAC、2Me−TPD、α−N
PDなど)を用いることができる。一方、ホール輸送層
31を構成する材料としては、たとえば1,1−ビス
(4−ジ−p−アミノフェニル)シクロヘキサン、ガル
バゾールおよびその誘導体、トリフェニルアミンおよび
その誘導体を用いることができる。
【0021】発光層32R,32G,32Bは、赤色光
を発光するR発光層32R、緑色光を発光するG発光層
32G、および青色光を発光するB発光層32Bからな
る。これらの発光層32R,32G,32Bは、アノー
ド2の延びる方向(図1の矢印AB方向)と直交する方
向(図1の矢印CD方向)に延びる帯状に形成されてい
る。R発光層32R、G発光層32G、およびB発光層
32Bは、この順序でアノード2の延びる方向(図1の
矢印AB方向)に並んで互いに平行に延びている。これ
らの発光層32R,32G,32Bは、発光色に応じた
発光物質を含んでおり、アノード2からのホールとカソ
ード4R,4G,4Bからの電子との再結合により励起
子を生成する場である。励起子は、発光層32R,32
G,32Bを移動するが、その過程において発光物質が
発光する。なお、赤色、緑色および青色のフィルタを発
光層32と第2基板12との間に設けることにより、赤
色光、緑色光および青色光を発光させてカラー表示を行
うように構成してもよい。
を発光するR発光層32R、緑色光を発光するG発光層
32G、および青色光を発光するB発光層32Bからな
る。これらの発光層32R,32G,32Bは、アノー
ド2の延びる方向(図1の矢印AB方向)と直交する方
向(図1の矢印CD方向)に延びる帯状に形成されてい
る。R発光層32R、G発光層32G、およびB発光層
32Bは、この順序でアノード2の延びる方向(図1の
矢印AB方向)に並んで互いに平行に延びている。これ
らの発光層32R,32G,32Bは、発光色に応じた
発光物質を含んでおり、アノード2からのホールとカソ
ード4R,4G,4Bからの電子との再結合により励起
子を生成する場である。励起子は、発光層32R,32
G,32Bを移動するが、その過程において発光物質が
発光する。なお、赤色、緑色および青色のフィルタを発
光層32と第2基板12との間に設けることにより、赤
色光、緑色光および青色光を発光させてカラー表示を行
うように構成してもよい。
【0022】電子注入層34は、カソード4R,4G,
4Bからの電子の取り出し効率、つまり有機層3への電
子注入効率を向上させる役割を有するものである。電子
輸送層33は、発光層32R,32G,32Bへの電子
の移動を効率良く行うとともに、アノード2からのホー
ルが発光層32R,32G,32Bを超えてカソード4
R,4G,4Bへ移動するのを抑制し、発光層32G,
32B,32Eおける電子とホールとの再結合効率を高
める役割を有するものである。
4Bからの電子の取り出し効率、つまり有機層3への電
子注入効率を向上させる役割を有するものである。電子
輸送層33は、発光層32R,32G,32Bへの電子
の移動を効率良く行うとともに、アノード2からのホー
ルが発光層32R,32G,32Bを超えてカソード4
R,4G,4Bへ移動するのを抑制し、発光層32G,
32B,32Eおける電子とホールとの再結合効率を高
める役割を有するものである。
【0023】電子輸送層33および電子注入層34は、
発光層32R,32G,32Bと同一方向(図1の矢印
CD方向)に延びる帯状に形成されている。電子輸送層
33は発光層32R,32G,32B上に、電子注入層
34は電子輸送層33上に積層形成され、複数のものが
発光層32R,32G,32Bの幅方向(図1の矢印A
B方向)に並んで互いに平行に延びている。
発光層32R,32G,32Bと同一方向(図1の矢印
CD方向)に延びる帯状に形成されている。電子輸送層
33は発光層32R,32G,32B上に、電子注入層
34は電子輸送層33上に積層形成され、複数のものが
発光層32R,32G,32Bの幅方向(図1の矢印A
B方向)に並んで互いに平行に延びている。
【0024】発光層32R,32G,32B、電子輸送
層33および電子注入層34は、たとえば蒸着により形
成することができ、発光層32R,32G,32Bおよ
び電子輸送層33は厚さが100〜1000Åに、電子
注入層34は厚さが数〜10Åに形成される。
層33および電子注入層34は、たとえば蒸着により形
成することができ、発光層32R,32G,32Bおよ
び電子輸送層33は厚さが100〜1000Åに、電子
注入層34は厚さが数〜10Åに形成される。
【0025】発光物質としては、たとえばトリス(8−
キノリノラト)アルミニウム錯体、ビス(ベンゾキノリ
ノラト)ベリリウム錯体、ジトルイルビニルビフェニ
ル、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユー
ロピウム錯体(Eu(DBM) 3(Phen))、およ
びフェニルピリジンイリジウム化合物などの蛍光または
りん光性発光物質を使用することができる。もちろん、
ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリアルキルチオフ
ェン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体などのよ
うな高分子発光物質を用いてもよい。発光物質は、発光
層32R,32G,32Bにおける発光色に応じて1ま
たは複数が選択され、また色調を調整するために無機化
合物を併用してもよい。なお、複数種の物質を用いて発
光層32R,32G,32Bを形成する場合には、これ
らの物質を共蒸着するのが好ましい。
キノリノラト)アルミニウム錯体、ビス(ベンゾキノリ
ノラト)ベリリウム錯体、ジトルイルビニルビフェニ
ル、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユー
ロピウム錯体(Eu(DBM) 3(Phen))、およ
びフェニルピリジンイリジウム化合物などの蛍光または
りん光性発光物質を使用することができる。もちろん、
ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリアルキルチオフ
ェン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体などのよ
うな高分子発光物質を用いてもよい。発光物質は、発光
層32R,32G,32Bにおける発光色に応じて1ま
たは複数が選択され、また色調を調整するために無機化
合物を併用してもよい。なお、複数種の物質を用いて発
光層32R,32G,32Bを形成する場合には、これ
らの物質を共蒸着するのが好ましい。
【0026】一方、電子輸送層33および電子注入層3
4を構成する材料としては、たとえばアントラキノジメ
タン、ジフェニルキノン、ぺリレンテトラカルボン酸、
トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ベン
ズオキサゾール、およびこれらの誘導体を用いることが
できる。電子注入層34は、LiFのような無機材料に
より形成することもできる。この場合には、電子注入層
34は、有機層3の構成要素とはならない。
4を構成する材料としては、たとえばアントラキノジメ
タン、ジフェニルキノン、ぺリレンテトラカルボン酸、
トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ベン
ズオキサゾール、およびこれらの誘導体を用いることが
できる。電子注入層34は、LiFのような無機材料に
より形成することもできる。この場合には、電子注入層
34は、有機層3の構成要素とはならない。
【0027】複数のアノード2および複数のカソード4
R,4G,4Bは、図外のドライバICと導通接続され
ている。ドライバICからは、複数のアノード2に対し
て順次走査電圧が印加され、複数のカソード4R,4
G,4Bに対して表示画像に応じた信号電圧がクロック
パルスに同期して入力される。
R,4G,4Bは、図外のドライバICと導通接続され
ている。ドライバICからは、複数のアノード2に対し
て順次走査電圧が印加され、複数のカソード4R,4
G,4Bに対して表示画像に応じた信号電圧がクロック
パルスに同期して入力される。
【0028】ドライバICにより、選択された画素R,
G,Bに対応するアノード2およびカソード4R,4
G,4B間に一定値以上の電圧が付与された場合には、
アノード2からはホール注入層30にホールが注入さ
れ、カソード4R,4G,4Bからは電子注入層3に電
子が注入される。ホールは、ホール輸送層31を介して
発光層32R,32G,32Bに輸送され、電子は電子
輸送層33を介して発光層32R,32G,32Bに輸
送される。発光層32R,32G,32Bでは、電子と
ホールが再結合して励起子が生成し、この励起子が発光
層32を移動する。発光層32では、励起子が発光性物
質における所定のバンド間を移動したときに放出するエ
ネルギにより発光が生じる。このときの光は、ホール輸
送層33、ホール注入層34、アノード2、透明基板1
を透過して有機EL表示装置Xの外部に出射される。こ
のようにして、選択された画素R,G,Bが発光するこ
とによりカラー画像が表示される。
G,Bに対応するアノード2およびカソード4R,4
G,4B間に一定値以上の電圧が付与された場合には、
アノード2からはホール注入層30にホールが注入さ
れ、カソード4R,4G,4Bからは電子注入層3に電
子が注入される。ホールは、ホール輸送層31を介して
発光層32R,32G,32Bに輸送され、電子は電子
輸送層33を介して発光層32R,32G,32Bに輸
送される。発光層32R,32G,32Bでは、電子と
ホールが再結合して励起子が生成し、この励起子が発光
層32を移動する。発光層32では、励起子が発光性物
質における所定のバンド間を移動したときに放出するエ
ネルギにより発光が生じる。このときの光は、ホール輸
送層33、ホール注入層34、アノード2、透明基板1
を透過して有機EL表示装置Xの外部に出射される。こ
のようにして、選択された画素R,G,Bが発光するこ
とによりカラー画像が表示される。
【0029】以上に説明した有機EL表示装置Xでは、
アノード2が非酸化物によりシート抵抗が2.5Ω以下
となるように形成されている。そのため、アノード2が
ITOのような抵抗率の大きな酸化物により形成される
場合のように、通電時にアノード2において大きな熱エ
ネルギが生じることはなく、またアノード2が酸化して
しまうことを抑制することができる。その上、アノード
2が非酸化物により形成され、しかもその酸化が抑制さ
れれば、アノード2が有機層3への酸素供給源として機
能することを抑制することができるようになる。これに
より、有機層3の酸化を抑制して有機EL表示装置Xの
長寿命化を図ることができるようになる。
アノード2が非酸化物によりシート抵抗が2.5Ω以下
となるように形成されている。そのため、アノード2が
ITOのような抵抗率の大きな酸化物により形成される
場合のように、通電時にアノード2において大きな熱エ
ネルギが生じることはなく、またアノード2が酸化して
しまうことを抑制することができる。その上、アノード
2が非酸化物により形成され、しかもその酸化が抑制さ
れれば、アノード2が有機層3への酸素供給源として機
能することを抑制することができるようになる。これに
より、有機層3の酸化を抑制して有機EL表示装置Xの
長寿命化を図ることができるようになる。
【0030】本実施の形態では、電子注入層、電子輸送
層、発光層、ホール輸送層およびホール注入層により有
機層が構成された有機EL表示装置を例にとって説明し
たが、有機層の構成は種々に設計変更可能である。たと
えば、ホール輸送層と発光層、あるいは電子輸送層と発
光層からなる2層構造であってもよいし、ホール輸送
層、電子輸送層および発光層からなる3層構造であって
もよい。また、モノクロ表示用として構成された有機E
L表示装置に対しても本願発明の技術思想を適用可能す
ることができる。
層、発光層、ホール輸送層およびホール注入層により有
機層が構成された有機EL表示装置を例にとって説明し
たが、有機層の構成は種々に設計変更可能である。たと
えば、ホール輸送層と発光層、あるいは電子輸送層と発
光層からなる2層構造であってもよいし、ホール輸送
層、電子輸送層および発光層からなる3層構造であって
もよい。また、モノクロ表示用として構成された有機E
L表示装置に対しても本願発明の技術思想を適用可能す
ることができる。
【0031】本実施の形態においては、線順次方式によ
りパッシブ駆動される有機EL表示装置を例にとって説
明したが、その他の駆動方式を採用することも可能であ
る。
りパッシブ駆動される有機EL表示装置を例にとって説
明したが、その他の駆動方式を採用することも可能であ
る。
【図1】本願発明に係る有機EL表示装置の一例を示す
一部破断要部斜視図である。
一部破断要部斜視図である。
【図2】図1の有機EL表示装置の平面図である。
【図3】図2のIII−III線に沿う断面図である。
【図4】図2のIV−IV線に沿う断面図である。
【図5】従来の有機EL表示装置の要部断面図である。
X 有機EL表示装置
1 透明基板
2 アノード
3 有機層
4 カソード
Claims (4)
- 【請求項1】 透明基板上に、複数のアノード、有機
層、および複数のカソードがこの順序で積層され、かつ
上記有機層からの光が上記アノードおよび上記透明基板
を透過してから出射するように構成された有機EL表示
装置であって、上記アノードは、上記カソードよりも仕
事関数が大きい非酸化物である金属材料により、厚みが
20nm以下に形成されていることを特徴とする、有機
EL表示装置。 - 【請求項2】 上記金属材料は、仕事関数が4.5eV
以上である、請求項1に記載の有機EL表示装置。 - 【請求項3】 上記金属材料は、Au、Ag、またはC
uから選ばれる、請求項1または2に記載の有機EL表
示装置。 - 【請求項4】 パッシブ駆動可能に構成されている、請
求項1ないし3のいずれかに記載の有機EL表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001215264A JP2003031375A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 有機el表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001215264A JP2003031375A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 有機el表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003031375A true JP2003031375A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19049941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001215264A Pending JP2003031375A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 有機el表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003031375A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100768506B1 (ko) | 2006-05-19 | 2007-10-18 | 한양대학교 산학협력단 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US9722201B2 (en) | 2001-08-31 | 2017-08-01 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10302965A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-13 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
JPH10308286A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el発光装置 |
JP2001076884A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | 有機elパネル |
-
2001
- 2001-07-16 JP JP2001215264A patent/JP2003031375A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2001076884A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | 有機elパネル |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10020460B2 (en) | 2001-08-31 | 2018-07-10 | Sony Corporation | Electroluminescence device and display device |
US10522781B2 (en) | 2001-08-31 | 2019-12-31 | Sony Corporation | Electroluminescence device and display device |
KR100768506B1 (ko) | 2006-05-19 | 2007-10-18 | 한양대학교 산학협력단 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080707 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
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