JP2003031375A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ表示装置Info
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- JP2003031375A JP2003031375A JP2001215264A JP2001215264A JP2003031375A JP 2003031375 A JP2003031375 A JP 2003031375A JP 2001215264 A JP2001215264 A JP 2001215264A JP 2001215264 A JP2001215264 A JP 2001215264A JP 2003031375 A JP2003031375 A JP 2003031375A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機層の酸化を抑制して有機ＥＬ表示装置の
寿命を長くする。 【解決手段】 透明基板１上に、アノード２、有機層
３、およびカソード４がこの順序で積層され、有機層３
からの光がアノード２および透明基板２を透過してから
出射するように構成された有機ＥＬ表示装置Ｘにおい
て、カソード４よりも仕事関数が大きＩ非酸化物である
金属材料により、アノード２を厚みが２０ｎｍ以下にな
るように形成した。金属材料としては、仕事関数が４．
５ｅＶ以上のものを用い、アノード２はシート抵抗が
２．５Ω以下となるように形成するのが好ましい。ま
た、金属材料としては、たとえばＡｕ、ＡｇまたはＣｕ
を用いる。
寿命を長くする。 【解決手段】 透明基板１上に、アノード２、有機層
３、およびカソード４がこの順序で積層され、有機層３
からの光がアノード２および透明基板２を透過してから
出射するように構成された有機ＥＬ表示装置Ｘにおい
て、カソード４よりも仕事関数が大きＩ非酸化物である
金属材料により、アノード２を厚みが２０ｎｍ以下にな
るように形成した。金属材料としては、仕事関数が４．
５ｅＶ以上のものを用い、アノード２はシート抵抗が
２．５Ω以下となるように形成するのが好ましい。ま
た、金属材料としては、たとえばＡｕ、ＡｇまたはＣｕ
を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、有機ＥＬ（エレ
クトロルミネッセント）層に電界を与えて発光させる表
示装置に関する。
クトロルミネッセント）層に電界を与えて発光させる表
示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセントを利用
したＥＬ表示装置の開発が盛んに行われている。ＥＬ表
示装置は、アノードとカソードとの間に発光層を設けた
構成を有している。ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と
同様に、各画素毎にＴＦＴなどのスイッチを設けて各画
素を個別に駆動するアクティブ駆動方式の他、線順次方
式に代表されるパッシブ駆動方式を採用することができ
る。このようなＥＬ表示装置は、使用される発光性化合
物の種類により、無機ＥＬ表示装置と有機ＥＬ表示装置
に分類することができる。
したＥＬ表示装置の開発が盛んに行われている。ＥＬ表
示装置は、アノードとカソードとの間に発光層を設けた
構成を有している。ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と
同様に、各画素毎にＴＦＴなどのスイッチを設けて各画
素を個別に駆動するアクティブ駆動方式の他、線順次方
式に代表されるパッシブ駆動方式を採用することができ
る。このようなＥＬ表示装置は、使用される発光性化合
物の種類により、無機ＥＬ表示装置と有機ＥＬ表示装置
に分類することができる。
【０００３】図５に示したように、有機ＥＬ表示装置９
は、基板９０上に、アノード９１、有機層９２、および
カソード９３を積層した形態を有するものである。有機
層９２は、発光層９２ａを有しており、アノード９１か
ら供給される正孔（ホール）およびカソード９３から供
給される電子を発光層９２ａに効率良く閉じ込めるため
に、発光層９２ａを電子輸送層９２ｂおよび正孔（ホー
ル）輸送層９２ｃにより挟み込んで有機層９２を構成す
るのが一般的である。また、アノード９１からの正孔の
取り出し効率を高めるためにアノード９１の表面にホー
ル注入層９２ｄを設け、カソード９３からの電子の取り
出し効率を高めるためにカソード９３の表面に電子注入
層９２ｅを設けることもある。
は、基板９０上に、アノード９１、有機層９２、および
カソード９３を積層した形態を有するものである。有機
層９２は、発光層９２ａを有しており、アノード９１か
ら供給される正孔（ホール）およびカソード９３から供
給される電子を発光層９２ａに効率良く閉じ込めるため
に、発光層９２ａを電子輸送層９２ｂおよび正孔（ホー
ル）輸送層９２ｃにより挟み込んで有機層９２を構成す
るのが一般的である。また、アノード９１からの正孔の
取り出し効率を高めるためにアノード９１の表面にホー
ル注入層９２ｄを設け、カソード９３からの電子の取り
出し効率を高めるためにカソード９３の表面に電子注入
層９２ｅを設けることもある。
【０００４】有機ＥＬ表示装置９では、無機ＥＬ表示装
置と比較した場合に発光効率が高く、発光性化合物を発
光させるのに必要な電圧が小さくて済むといった長所を
有する反面、装置寿命が短いといった欠点を有してい
る。したがって、携帯電話などのディスプレイとして使
用する場合には、有機ＥＬ表示装置のほうが有望視され
るが、実用性を考慮した場合、有機ＥＬ表示装置の装置
寿命を長くする必要がある。
置と比較した場合に発光効率が高く、発光性化合物を発
光させるのに必要な電圧が小さくて済むといった長所を
有する反面、装置寿命が短いといった欠点を有してい
る。したがって、携帯電話などのディスプレイとして使
用する場合には、有機ＥＬ表示装置のほうが有望視され
るが、実用性を考慮した場合、有機ＥＬ表示装置の装置
寿命を長くする必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ表示装置の寿
命が短い理由の１つとしては、有機層９２の酸化が挙げ
られる。有機層９２が酸化する原因としては、製造時お
よび電圧印加時の熱エネルギが挙げられる。とくに、ア
ノード９１をＩＴＯなどの酸化物により形成した場合に
は、アノード９１の抵抗が大きくなって発熱量が大きく
なる上に、アノード９１が酸化されやすくなってしま
う。したがって、アノード９１を酸化物により形成した
場合には、アノード９１が酸素供給源として機能して有
機層９２を酸化してしまうばかりか、アノード９１で生
じる大きな熱エネルギによって有機層９２の酸化を助長
してしまうといった悪循環が生じる。
命が短い理由の１つとしては、有機層９２の酸化が挙げ
られる。有機層９２が酸化する原因としては、製造時お
よび電圧印加時の熱エネルギが挙げられる。とくに、ア
ノード９１をＩＴＯなどの酸化物により形成した場合に
は、アノード９１の抵抗が大きくなって発熱量が大きく
なる上に、アノード９１が酸化されやすくなってしま
う。したがって、アノード９１を酸化物により形成した
場合には、アノード９１が酸素供給源として機能して有
機層９２を酸化してしまうばかりか、アノード９１で生
じる大きな熱エネルギによって有機層９２の酸化を助長
してしまうといった悪循環が生じる。
【０００６】電圧印加による有機層９２の酸化は、パッ
シブ駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置９においてよ
り顕著に現れる。パッシブ駆動方式は、たとえば高電圧
を印加するアノードまたはカソード（走査電極）が順次
切り替えられ、高電圧が印加された画素（発光層）が瞬
間的に発光させられる。そのため、ある画素が所定の輝
度で常時発光しているように視認させるためには、先に
高電圧が付与されてから次の高電位が付与までに輝度が
所定値よりも小さくならないように、当該所定値よりも
相当大きな輝度をもって画素を発光させる必要が生じ
る。したがって、パッシブ駆動を採用した場合には、繰
り返し大きな電位を付与する必要がある結果、各画素で
の通電量、ひいては発熱量が大きくなって有機層９２の
酸化の問題がより顕著に現れる。
シブ駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置９においてよ
り顕著に現れる。パッシブ駆動方式は、たとえば高電圧
を印加するアノードまたはカソード（走査電極）が順次
切り替えられ、高電圧が印加された画素（発光層）が瞬
間的に発光させられる。そのため、ある画素が所定の輝
度で常時発光しているように視認させるためには、先に
高電圧が付与されてから次の高電位が付与までに輝度が
所定値よりも小さくならないように、当該所定値よりも
相当大きな輝度をもって画素を発光させる必要が生じ
る。したがって、パッシブ駆動を採用した場合には、繰
り返し大きな電位を付与する必要がある結果、各画素で
の通電量、ひいては発熱量が大きくなって有機層９２の
酸化の問題がより顕著に現れる。
【０００７】本願発明は、このような事情のもとに考え
だされたものであって、有機層の酸化を抑制して有機Ｅ
Ｌ表示装置の寿命を長くすることをその課題としてい
る。
だされたものであって、有機層の酸化を抑制して有機Ｅ
Ｌ表示装置の寿命を長くすることをその課題としてい
る。
【０００８】
【発明の開示】すなわち、本願発明により提供される有
機ＥＬ表示装置は、透明基板上に、複数のアノード、有
機層、および複数のカソードがこの順序で積層され、か
つ上記有機層からの光が上記アノードおよび上記透明基
板を透過してから出射するように構成された有機ＥＬ表
示装置であって、上記アノードは、上記カソードよりも
仕事関数が大きい非酸化物たる金属材料により、厚みが
２０ｎｍ以下に形成されていることを特徴としている。
機ＥＬ表示装置は、透明基板上に、複数のアノード、有
機層、および複数のカソードがこの順序で積層され、か
つ上記有機層からの光が上記アノードおよび上記透明基
板を透過してから出射するように構成された有機ＥＬ表
示装置であって、上記アノードは、上記カソードよりも
仕事関数が大きい非酸化物たる金属材料により、厚みが
２０ｎｍ以下に形成されていることを特徴としている。
【０００９】透明電極は、従来よりＩＴＯなどの酸化物
により形成されているが、ＩＴＯなどは抵抗率が大きい
ために温度上昇が大きい上に、酸化されやすいといった
欠点がある。したがって、アノードを抵抗率の小さい金
属材料により形成すれば、アノードで発生する熱量を低
減できる結果、アノードの酸化を抑制することができ
る。アノードが非酸化物により形成され、しかもその酸
化が抑制されれば、アノードが有機層への酸素供給源と
して機能することを抑制することができるようになる。
これにより、有機層の酸化を抑制して有機ＥＬ表示装置
の長寿命化を図ることができるようになる。しかも、厚
みが２０ｎｍ以下の金属薄膜としてアノードを形成すれ
ば、アノードの光透過性を高めることができるため、有
機層からの光をアノードおよび透明基板を介して表示装
置の外部に出射することができるようになる。
により形成されているが、ＩＴＯなどは抵抗率が大きい
ために温度上昇が大きい上に、酸化されやすいといった
欠点がある。したがって、アノードを抵抗率の小さい金
属材料により形成すれば、アノードで発生する熱量を低
減できる結果、アノードの酸化を抑制することができ
る。アノードが非酸化物により形成され、しかもその酸
化が抑制されれば、アノードが有機層への酸素供給源と
して機能することを抑制することができるようになる。
これにより、有機層の酸化を抑制して有機ＥＬ表示装置
の長寿命化を図ることができるようになる。しかも、厚
みが２０ｎｍ以下の金属薄膜としてアノードを形成すれ
ば、アノードの光透過性を高めることができるため、有
機層からの光をアノードおよび透明基板を介して表示装
置の外部に出射することができるようになる。
【００１０】アノードは、有機層に対して正孔（ホー
ル）を供給する役割を有するため、アノードを仕事関数
の大きな材料により形成する必要がある。アノード形成
材料としては、仕事関数が４．５ｅＶ以上である金属材
料を用いるのが好ましい。その一方で、 アノード抵抗
が大きければ、通電時におけるアノードでの発熱量が大
きくなって有機層が酸化される虞があるため、たとえば
アノードはシート抵抗が２．５Ω以下となるように形成
するのが好ましい。仕事関数や抵抗面を考慮した場合に
は、金属材料としては、Ａｕ、Ａｇ、あるいはＣｕが好
ましく使用される。
ル）を供給する役割を有するため、アノードを仕事関数
の大きな材料により形成する必要がある。アノード形成
材料としては、仕事関数が４．５ｅＶ以上である金属材
料を用いるのが好ましい。その一方で、 アノード抵抗
が大きければ、通電時におけるアノードでの発熱量が大
きくなって有機層が酸化される虞があるため、たとえば
アノードはシート抵抗が２．５Ω以下となるように形成
するのが好ましい。仕事関数や抵抗面を考慮した場合に
は、金属材料としては、Ａｕ、Ａｇ、あるいはＣｕが好
ましく使用される。
【００１１】上述したように、有機層の酸化は、パッシ
ブ駆動される有機ＥＬ表示装置においてより顕著に現れ
る。したがって、有機層の酸化を抑制できる本願発明の
技術思想は、パッシブ駆動可能に構成された有機ＥＬ表
示装置に対して、より有効である。
ブ駆動される有機ＥＬ表示装置においてより顕著に現れ
る。したがって、有機層の酸化を抑制できる本願発明の
技術思想は、パッシブ駆動可能に構成された有機ＥＬ表
示装置に対して、より有効である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照しつつ具体的に説明する。ここで、
図１は本願発明に係る有機ＥＬ表示装置の一例を示す一
部破断要部斜視図、図２は図１の有機ＥＬ表示装置の平
面図、図３および図４は図２のIII−III線およびIV−IV
線に沿う断面図である。
形態を、図面を参照しつつ具体的に説明する。ここで、
図１は本願発明に係る有機ＥＬ表示装置の一例を示す一
部破断要部斜視図、図２は図１の有機ＥＬ表示装置の平
面図、図３および図４は図２のIII−III線およびIV−IV
線に沿う断面図である。
【００１３】有機ＥＬ表示装置Ｘは、線順次方式による
パッシブ駆動によりカラー表示可能に構成されたもので
あり、透明基板１上に、複数のアノード２、複数の有機
層３、および複数のカソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂが設けら
れている。
パッシブ駆動によりカラー表示可能に構成されたもので
あり、透明基板１上に、複数のアノード２、複数の有機
層３、および複数のカソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂが設けら
れている。
【００１４】透明基板１は、たとえば図２に示したよう
に透明なガラスや樹脂製フィルムにより矩形状に形成さ
れている。アノード２は、透明基板１の表面１０におい
て、図１および図２の矢印ＡＢ方向に延びる帯状に形成
されており、複数のアノード２が、それらの幅方向に並
んでいる。これらのアノード２は、たとえば非酸化物で
ある金属材料を用いた蒸着やスパッタリングなどの公知
の手法により、厚さが２０ｎｍ以下となるように金属薄
膜を形成した後に、エッチング処理を施すことにより形
成することができる。厚みが２０ｎｍ以下の金属薄膜
（アノード２）は、光透過率が高く、比較的に高い透明
性を有している。アノード２は有機層にホールを供給す
るもの役割を果たすものであるから、仕事関数が比較的
に高い金属材料、たとえば仕事関数が４．５ｅＶ以上の
Ａｕ、Ａｇ、あるいはＣｕを用いて形成するのが好まし
い。これらの材料は、抵抗率の小さいものであるから、
これらの材料を用いることにより、アノード２のシート
抵抗を２．５Ω以下とすることができる。
に透明なガラスや樹脂製フィルムにより矩形状に形成さ
れている。アノード２は、透明基板１の表面１０におい
て、図１および図２の矢印ＡＢ方向に延びる帯状に形成
されており、複数のアノード２が、それらの幅方向に並
んでいる。これらのアノード２は、たとえば非酸化物で
ある金属材料を用いた蒸着やスパッタリングなどの公知
の手法により、厚さが２０ｎｍ以下となるように金属薄
膜を形成した後に、エッチング処理を施すことにより形
成することができる。厚みが２０ｎｍ以下の金属薄膜
（アノード２）は、光透過率が高く、比較的に高い透明
性を有している。アノード２は有機層にホールを供給す
るもの役割を果たすものであるから、仕事関数が比較的
に高い金属材料、たとえば仕事関数が４．５ｅＶ以上の
Ａｕ、Ａｇ、あるいはＣｕを用いて形成するのが好まし
い。これらの材料は、抵抗率の小さいものであるから、
これらの材料を用いることにより、アノード２のシート
抵抗を２．５Ω以下とすることができる。
【００１５】カソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、Ｒ用カソー
ド４Ｒ、Ｇ用カソード４Ｇ、Ｂ用カソード４Ｂからな
る。これらのカソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、複数のアノ
ード２に直交して図１および図２の矢印ＣＤ方向に延び
る帯状に形成され、Ｒ用カソード４Ｒ、Ｇ用カソード４
Ｇ、およびＢ用カソード４Ｂの順序で図１および図２の
矢印ＡＢ方向に並んで互いに平行に延びている。図２に
示したように、Ｒ用カソード４Ｒ、Ｇ用カソード４Ｇ、
およびＢ用カソード４Ｂとアノード２とが交差する領域
Ｒ，Ｇ，Ｂは、赤色光発光画素Ｒ、緑色光発光画素Ｇお
よび青色光発光画素Ｂを構成している。このようなカソ
ード４は、たとえばアルミニウム膜を蒸着した後にエッ
チング処理を施すことにより形成することができる。
ド４Ｒ、Ｇ用カソード４Ｇ、Ｂ用カソード４Ｂからな
る。これらのカソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、複数のアノ
ード２に直交して図１および図２の矢印ＣＤ方向に延び
る帯状に形成され、Ｒ用カソード４Ｒ、Ｇ用カソード４
Ｇ、およびＢ用カソード４Ｂの順序で図１および図２の
矢印ＡＢ方向に並んで互いに平行に延びている。図２に
示したように、Ｒ用カソード４Ｒ、Ｇ用カソード４Ｇ、
およびＢ用カソード４Ｂとアノード２とが交差する領域
Ｒ，Ｇ，Ｂは、赤色光発光画素Ｒ、緑色光発光画素Ｇお
よび青色光発光画素Ｂを構成している。このようなカソ
ード４は、たとえばアルミニウム膜を蒸着した後にエッ
チング処理を施すことにより形成することができる。
【００１６】有機層３は、複数のホール注入層３０、複
数のホール輸送層３１、複数の発光層３２Ｒ，３２Ｇ，
３２Ｂ、複数の電子輸送層３３、および複数の電子注入
層３４からなる。
数のホール輸送層３１、複数の発光層３２Ｒ，３２Ｇ，
３２Ｂ、複数の電子輸送層３３、および複数の電子注入
層３４からなる。
【００１７】ホール注入層３０は、アノード２からのホ
ールの取り出し効率、つまり有機層３へのホール注入効
率を向上させる役割を有するものである。ホール輸送層
３１は、発光層３２へのホールの移動を効率良く行うと
ともに、カソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからの電子が発光層
３２を超えてアノード２へ移動するのを抑制し、発光層
３２おける電子とホールとの再結合効率を高める役割を
有するものである。
ールの取り出し効率、つまり有機層３へのホール注入効
率を向上させる役割を有するものである。ホール輸送層
３１は、発光層３２へのホールの移動を効率良く行うと
ともに、カソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからの電子が発光層
３２を超えてアノード２へ移動するのを抑制し、発光層
３２おける電子とホールとの再結合効率を高める役割を
有するものである。
【００１８】ホール注入層３０およびホール輸送層３１
は、アノード２と同一方向（図１の矢印ＡＢ方向）に延
びる帯状に形成されている。ホール注入層３０はアノー
ド２上に、ホール輸送層３１はホール注入層３０上に積
層形成され、複数のものがアノード２の幅方向（図１の
矢印ＣＤ方向）に並んで平行に延びている。
は、アノード２と同一方向（図１の矢印ＡＢ方向）に延
びる帯状に形成されている。ホール注入層３０はアノー
ド２上に、ホール輸送層３１はホール注入層３０上に積
層形成され、複数のものがアノード２の幅方向（図１の
矢印ＣＤ方向）に並んで平行に延びている。
【００１９】ホール注入層３０およびホール輸送層３１
は、たとえばスパッタリングや蒸着により形成すること
ができ、ホール注入層３０は厚さが数〜１０Åに、ホー
ル輸送層３０は、厚さが１００〜１０００Åに形成され
る。
は、たとえばスパッタリングや蒸着により形成すること
ができ、ホール注入層３０は厚さが数〜１０Åに、ホー
ル輸送層３０は、厚さが１００〜１０００Åに形成され
る。
【００２０】ホール注入層３０を構成する材料として
は、たとえば銅フタロシアニン、無金属フタロシアニ
ン、芳香族アミン（ＴＰＡＣ、２Ｍｅ−ＴＰＤ、α−Ｎ
ＰＤなど）を用いることができる。一方、ホール輸送層
３１を構成する材料としては、たとえば１，１−ビス
（４−ジ−ｐ−アミノフェニル）シクロヘキサン、ガル
バゾールおよびその誘導体、トリフェニルアミンおよび
その誘導体を用いることができる。
は、たとえば銅フタロシアニン、無金属フタロシアニ
ン、芳香族アミン（ＴＰＡＣ、２Ｍｅ−ＴＰＤ、α−Ｎ
ＰＤなど）を用いることができる。一方、ホール輸送層
３１を構成する材料としては、たとえば１，１−ビス
（４−ジ−ｐ−アミノフェニル）シクロヘキサン、ガル
バゾールおよびその誘導体、トリフェニルアミンおよび
その誘導体を用いることができる。
【００２１】発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂは、赤色光
を発光するＲ発光層３２Ｒ、緑色光を発光するＧ発光層
３２Ｇ、および青色光を発光するＢ発光層３２Ｂからな
る。これらの発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂは、アノー
ド２の延びる方向（図１の矢印ＡＢ方向）と直交する方
向（図１の矢印ＣＤ方向）に延びる帯状に形成されてい
る。Ｒ発光層３２Ｒ、Ｇ発光層３２Ｇ、およびＢ発光層
３２Ｂは、この順序でアノード２の延びる方向（図１の
矢印ＡＢ方向）に並んで互いに平行に延びている。これ
らの発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂは、発光色に応じた
発光物質を含んでおり、アノード２からのホールとカソ
ード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからの電子との再結合により励起
子を生成する場である。励起子は、発光層３２Ｒ，３２
Ｇ，３２Ｂを移動するが、その過程において発光物質が
発光する。なお、赤色、緑色および青色のフィルタを発
光層３２と第２基板１２との間に設けることにより、赤
色光、緑色光および青色光を発光させてカラー表示を行
うように構成してもよい。
を発光するＲ発光層３２Ｒ、緑色光を発光するＧ発光層
３２Ｇ、および青色光を発光するＢ発光層３２Ｂからな
る。これらの発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂは、アノー
ド２の延びる方向（図１の矢印ＡＢ方向）と直交する方
向（図１の矢印ＣＤ方向）に延びる帯状に形成されてい
る。Ｒ発光層３２Ｒ、Ｇ発光層３２Ｇ、およびＢ発光層
３２Ｂは、この順序でアノード２の延びる方向（図１の
矢印ＡＢ方向）に並んで互いに平行に延びている。これ
らの発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂは、発光色に応じた
発光物質を含んでおり、アノード２からのホールとカソ
ード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからの電子との再結合により励起
子を生成する場である。励起子は、発光層３２Ｒ，３２
Ｇ，３２Ｂを移動するが、その過程において発光物質が
発光する。なお、赤色、緑色および青色のフィルタを発
光層３２と第２基板１２との間に設けることにより、赤
色光、緑色光および青色光を発光させてカラー表示を行
うように構成してもよい。
【００２２】電子注入層３４は、カソード４Ｒ，４Ｇ，
４Ｂからの電子の取り出し効率、つまり有機層３への電
子注入効率を向上させる役割を有するものである。電子
輸送層３３は、発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂへの電子
の移動を効率良く行うとともに、アノード２からのホー
ルが発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを超えてカソード４
Ｒ，４Ｇ，４Ｂへ移動するのを抑制し、発光層３２Ｇ，
３２Ｂ，３２Ｅおける電子とホールとの再結合効率を高
める役割を有するものである。
４Ｂからの電子の取り出し効率、つまり有機層３への電
子注入効率を向上させる役割を有するものである。電子
輸送層３３は、発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂへの電子
の移動を効率良く行うとともに、アノード２からのホー
ルが発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを超えてカソード４
Ｒ，４Ｇ，４Ｂへ移動するのを抑制し、発光層３２Ｇ，
３２Ｂ，３２Ｅおける電子とホールとの再結合効率を高
める役割を有するものである。
【００２３】電子輸送層３３および電子注入層３４は、
発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂと同一方向（図１の矢印
ＣＤ方向）に延びる帯状に形成されている。電子輸送層
３３は発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ上に、電子注入層
３４は電子輸送層３３上に積層形成され、複数のものが
発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの幅方向（図１の矢印Ａ
Ｂ方向）に並んで互いに平行に延びている。
発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂと同一方向（図１の矢印
ＣＤ方向）に延びる帯状に形成されている。電子輸送層
３３は発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ上に、電子注入層
３４は電子輸送層３３上に積層形成され、複数のものが
発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの幅方向（図１の矢印Ａ
Ｂ方向）に並んで互いに平行に延びている。
【００２４】発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ、電子輸送
層３３および電子注入層３４は、たとえば蒸着により形
成することができ、発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂおよ
び電子輸送層３３は厚さが１００〜１０００Åに、電子
注入層３４は厚さが数〜１０Åに形成される。
層３３および電子注入層３４は、たとえば蒸着により形
成することができ、発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂおよ
び電子輸送層３３は厚さが１００〜１０００Åに、電子
注入層３４は厚さが数〜１０Åに形成される。
【００２５】発光物質としては、たとえばトリス（８−
キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリ
ノラト）ベリリウム錯体、ジトルイルビニルビフェニ
ル、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユー
ロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ） 3（Ｐｈｅｎ））、およ
びフェニルピリジンイリジウム化合物などの蛍光または
りん光性発光物質を使用することができる。もちろん、
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリアルキルチオフ
ェン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体などのよ
うな高分子発光物質を用いてもよい。発光物質は、発光
層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂにおける発光色に応じて１ま
たは複数が選択され、また色調を調整するために無機化
合物を併用してもよい。なお、複数種の物質を用いて発
光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを形成する場合には、これ
らの物質を共蒸着するのが好ましい。
キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリ
ノラト）ベリリウム錯体、ジトルイルビニルビフェニ
ル、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユー
ロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ） 3（Ｐｈｅｎ））、およ
びフェニルピリジンイリジウム化合物などの蛍光または
りん光性発光物質を使用することができる。もちろん、
ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリアルキルチオフ
ェン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体などのよ
うな高分子発光物質を用いてもよい。発光物質は、発光
層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂにおける発光色に応じて１ま
たは複数が選択され、また色調を調整するために無機化
合物を併用してもよい。なお、複数種の物質を用いて発
光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを形成する場合には、これ
らの物質を共蒸着するのが好ましい。
【００２６】一方、電子輸送層３３および電子注入層３
４を構成する材料としては、たとえばアントラキノジメ
タン、ジフェニルキノン、ぺリレンテトラカルボン酸、
トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ベン
ズオキサゾール、およびこれらの誘導体を用いることが
できる。電子注入層３４は、ＬｉＦのような無機材料に
より形成することもできる。この場合には、電子注入層
３４は、有機層３の構成要素とはならない。
４を構成する材料としては、たとえばアントラキノジメ
タン、ジフェニルキノン、ぺリレンテトラカルボン酸、
トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ベン
ズオキサゾール、およびこれらの誘導体を用いることが
できる。電子注入層３４は、ＬｉＦのような無機材料に
より形成することもできる。この場合には、電子注入層
３４は、有機層３の構成要素とはならない。
【００２７】複数のアノード２および複数のカソード４
Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、図外のドライバＩＣと導通接続され
ている。ドライバＩＣからは、複数のアノード２に対し
て順次走査電圧が印加され、複数のカソード４Ｒ，４
Ｇ，４Ｂに対して表示画像に応じた信号電圧がクロック
パルスに同期して入力される。
Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、図外のドライバＩＣと導通接続され
ている。ドライバＩＣからは、複数のアノード２に対し
て順次走査電圧が印加され、複数のカソード４Ｒ，４
Ｇ，４Ｂに対して表示画像に応じた信号電圧がクロック
パルスに同期して入力される。
【００２８】ドライバＩＣにより、選択された画素Ｒ，
Ｇ，Ｂに対応するアノード２およびカソード４Ｒ，４
Ｇ，４Ｂ間に一定値以上の電圧が付与された場合には、
アノード２からはホール注入層３０にホールが注入さ
れ、カソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからは電子注入層３に電
子が注入される。ホールは、ホール輸送層３１を介して
発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに輸送され、電子は電子
輸送層３３を介して発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに輸
送される。発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂでは、電子と
ホールが再結合して励起子が生成し、この励起子が発光
層３２を移動する。発光層３２では、励起子が発光性物
質における所定のバンド間を移動したときに放出するエ
ネルギにより発光が生じる。このときの光は、ホール輸
送層３３、ホール注入層３４、アノード２、透明基板１
を透過して有機ＥＬ表示装置Ｘの外部に出射される。こ
のようにして、選択された画素Ｒ，Ｇ，Ｂが発光するこ
とによりカラー画像が表示される。
Ｇ，Ｂに対応するアノード２およびカソード４Ｒ，４
Ｇ，４Ｂ間に一定値以上の電圧が付与された場合には、
アノード２からはホール注入層３０にホールが注入さ
れ、カソード４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからは電子注入層３に電
子が注入される。ホールは、ホール輸送層３１を介して
発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに輸送され、電子は電子
輸送層３３を介して発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに輸
送される。発光層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂでは、電子と
ホールが再結合して励起子が生成し、この励起子が発光
層３２を移動する。発光層３２では、励起子が発光性物
質における所定のバンド間を移動したときに放出するエ
ネルギにより発光が生じる。このときの光は、ホール輸
送層３３、ホール注入層３４、アノード２、透明基板１
を透過して有機ＥＬ表示装置Ｘの外部に出射される。こ
のようにして、選択された画素Ｒ，Ｇ，Ｂが発光するこ
とによりカラー画像が表示される。
【００２９】以上に説明した有機ＥＬ表示装置Ｘでは、
アノード２が非酸化物によりシート抵抗が２．５Ω以下
となるように形成されている。そのため、アノード２が
ＩＴＯのような抵抗率の大きな酸化物により形成される
場合のように、通電時にアノード２において大きな熱エ
ネルギが生じることはなく、またアノード２が酸化して
しまうことを抑制することができる。その上、アノード
２が非酸化物により形成され、しかもその酸化が抑制さ
れれば、アノード２が有機層３への酸素供給源として機
能することを抑制することができるようになる。これに
より、有機層３の酸化を抑制して有機ＥＬ表示装置Ｘの
長寿命化を図ることができるようになる。
アノード２が非酸化物によりシート抵抗が２．５Ω以下
となるように形成されている。そのため、アノード２が
ＩＴＯのような抵抗率の大きな酸化物により形成される
場合のように、通電時にアノード２において大きな熱エ
ネルギが生じることはなく、またアノード２が酸化して
しまうことを抑制することができる。その上、アノード
２が非酸化物により形成され、しかもその酸化が抑制さ
れれば、アノード２が有機層３への酸素供給源として機
能することを抑制することができるようになる。これに
より、有機層３の酸化を抑制して有機ＥＬ表示装置Ｘの
長寿命化を図ることができるようになる。
【００３０】本実施の形態では、電子注入層、電子輸送
層、発光層、ホール輸送層およびホール注入層により有
機層が構成された有機ＥＬ表示装置を例にとって説明し
たが、有機層の構成は種々に設計変更可能である。たと
えば、ホール輸送層と発光層、あるいは電子輸送層と発
光層からなる２層構造であってもよいし、ホール輸送
層、電子輸送層および発光層からなる３層構造であって
もよい。また、モノクロ表示用として構成された有機Ｅ
Ｌ表示装置に対しても本願発明の技術思想を適用可能す
ることができる。
層、発光層、ホール輸送層およびホール注入層により有
機層が構成された有機ＥＬ表示装置を例にとって説明し
たが、有機層の構成は種々に設計変更可能である。たと
えば、ホール輸送層と発光層、あるいは電子輸送層と発
光層からなる２層構造であってもよいし、ホール輸送
層、電子輸送層および発光層からなる３層構造であって
もよい。また、モノクロ表示用として構成された有機Ｅ
Ｌ表示装置に対しても本願発明の技術思想を適用可能す
ることができる。
【００３１】本実施の形態においては、線順次方式によ
りパッシブ駆動される有機ＥＬ表示装置を例にとって説
明したが、その他の駆動方式を採用することも可能であ
る。
りパッシブ駆動される有機ＥＬ表示装置を例にとって説
明したが、その他の駆動方式を採用することも可能であ
る。
【図１】本願発明に係る有機ＥＬ表示装置の一例を示す
一部破断要部斜視図である。
一部破断要部斜視図である。
【図２】図１の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図３】図２のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】図２のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】従来の有機ＥＬ表示装置の要部断面図である。
Ｘ 有機ＥＬ表示装置
１ 透明基板
２ アノード
３ 有機層
４ カソード
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に、複数のアノード、有機
層、および複数のカソードがこの順序で積層され、かつ
上記有機層からの光が上記アノードおよび上記透明基板
を透過してから出射するように構成された有機ＥＬ表示
装置であって、上記アノードは、上記カソードよりも仕
事関数が大きい非酸化物である金属材料により、厚みが
２０ｎｍ以下に形成されていることを特徴とする、有機
ＥＬ表示装置。 - 【請求項２】 上記金属材料は、仕事関数が４．５ｅＶ
以上である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項３】 上記金属材料は、Ａｕ、Ａｇ、またはＣ
ｕから選ばれる、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表
示装置。 - 【請求項４】 パッシブ駆動可能に構成されている、請
求項１ないし３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215264A JP2003031375A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 有機ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215264A JP2003031375A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 有機ｅｌ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003031375A true JP2003031375A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19049941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001215264A Pending JP2003031375A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 有機ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003031375A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100768506B1 (ko) | 2006-05-19 | 2007-10-18 | 한양대학교 산학협력단 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US9722201B2 (en) | 2001-08-31 | 2017-08-01 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10302965A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-13 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JPH10308286A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ発光装置 |
| JP2001076884A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | 有機ｅｌパネル |
-
2001
- 2001-07-16 JP JP2001215264A patent/JP2003031375A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10302965A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-13 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JPH10308286A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ発光装置 |
| JP2001076884A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | 有機ｅｌパネル |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9722201B2 (en) | 2001-08-31 | 2017-08-01 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
| US10020460B2 (en) | 2001-08-31 | 2018-07-10 | Sony Corporation | Electroluminescence device and display device |
| US10522781B2 (en) | 2001-08-31 | 2019-12-31 | Sony Corporation | Electroluminescence device and display device |
| KR100768506B1 (ko) | 2006-05-19 | 2007-10-18 | 한양대학교 산학협력단 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111129 |