JP2003030144A

JP2003030144A - データ管理方法、データ管理プログラム、認証システムおよびデータ管理システム

Info

Publication number: JP2003030144A
Application number: JP2001211081A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kurosawa; 比呂史黒沢
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2001-07-11
Filing date: 2001-07-11
Publication date: 2003-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】アクセス要求者と管理者の両者を認証し、そ
の認証後に管理者がアクセス制限の解除および維持を設
定することで不正アクセスを防止可能なデータ管理方
法、データ管理プログラム、認証システムおよびデータ
管理システムを提供する。【解決手段】データへのアクセスが第一の端末を介し
てアクセス要求者から要求され、アクセス要求者の指紋
データが入力された場合に、指紋データと照合用指紋デ
ータとを照合してアクセス要求者を特定し、特定された
場合には管理者用の第二の端末にアクセス要求者からア
クセス要求があったことを通知する。管理者の指紋デー
タが第二の端末から入力された場合には、指紋データを
照合用指紋データと照合し、指紋データが管理者のもの
であることが確認され、さらに、第二の端末からデータ
へのアクセスを許可するか否かを示す情報が入力された
場合に、第一の端末からのアクセスを許可するかもしく
はアクセスの制限を維持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不正アクセスを防
止できるデータ管理方法、データ管理プログラム、認証
システムおよびデータ管理システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータネットワークの急速な普及
によって、ユーザが自分の端末（例えばパーソナルコン
ピュータなど）からデータ管理システムに接続して、情
報を更新するワークフローが普及しつつある。この場
合、データ管理システムでの各種リソースのセキュリテ
ィを確保するために、データ管理システムに格納される
各データ（ファイル、データベース等）にはパスワード
が定義されており、このパスワードによって、データに
対するアクセス制限を可能としている。

【０００３】以下にパスワードによるデータ管理方法に
ついて、図１３を参考にして説明する。データ管理シス
テム１００は、各ファイル（ファイルａ、ｂ、ｃ）を格
納するデータベース１０３と、各ファイルのパスワード
を認証することで、各ファイルへのアクセスを管理する
認証システム１０２とを備えている。そして、データ管
理システム１００には、各ユーザの端末１０１が接続さ
れている。

【０００４】まず、アクセス要求者が、端末１０１にフ
ァイルａへアクセスしたい旨を入力すると、端末１０１
には、ファイルａのパスワードの入力を促す表示がなさ
れ、それに基づきアクセス要求者はパスワードの入力を
行う。（ステップＳ１）ファイルａのパスワードが端末１０１に入力されると、
端末１０１は入力されたパスワードデータを認証システ
ム１０２へと出力する。（ステップＳ２）認証システム１０２は、端末１０１からパスワードデー
タが入力されると、該パスワードデータと予め登録され
ているファイルａのパスワードデータとが一致するか否
かの判定を行う。（ステップＳ３）

【０００５】判定の結果が一致した場合には、認証シス
テム１０２は、端末１０１に、ファイルａへのアクセス
が可能である旨の表示を行わせる（ステップＳ４ａ）と
ともに、ファイルａのロックを解除し、ファイルａに対
するアクセスが可能な状態にする。（ステップＳ４ｂ）判定の結果が一致しなかった場合には、認証システム１
０２は、端末１０１に、ファイルａへのアクセスが不可
能である旨の表示を行わせる（ステップＳ４ａ）ととも
に、ファイルａのロックを維持し、ファイルａに対する
アクセスが不可能な状態を維持する。（ステップＳ４
ｂ）

【０００６】端末１０１に、ファイルａへのアクセスが
可能である旨の表示が行われると、アクセス要求者は、
ファイルａへのアクセス操作を行い（ステップＳ５）、
それに基づき端末１０１はファイルａにアクセスする。
（ステップＳ６）以上のようにパスワードの認証を行うことで、データ管
理システムでの各種リソースのセキュリティを確保して
いた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなファイル毎のパスワードによるデータ管理方法で
は、データベース内にファイルが多数あるとアクセス要
求者はいちいち全てのパスワードを憶えていなければな
らず、それは非常に困難であった。これを改善するため
に、データベースに対してパスワードを定義し、データ
ベースに一旦アクセスが成功すればその中の複数のファ
イルを全て閲覧できる方法や、他人からのアクセス要求
があると、管理者自らが、アクセス制限の解除および維
持を設定する方法が考えられた。データベースに対して
パスワードを定義する方法の場合は、ファイル毎にパス
ワードを憶えなくとも各ファイルにアクセスできるよう
になる。しかし、これでは他人がアクセスしたファイル
を明確に特定する記録が残らないし、アクセスした人物
も特定できない。仮にアクセスした端末を特定できたと
しても端末所有者（または管理者）がアクセスしたとは
限らないし、特に不正を行おうとする人物であれば自分
が特定されてしまう端末からアクセスすることは考え難
いので、不正にアクセスされる虞があった。つまり、デ
ータベースに対してパスワードを定義し、該パスワード
によりデータベース内のファイルの全てをアクセス可能
とすると、ファイル毎のアクセス者を特定できないの
で、不正にアクセスされる虞があり、また管理者がアク
セス要求者にアクセスして欲しくないファイルがあった
場合には、都合が悪かった。

【０００８】一方、他人からのアクセス要求があると、
管理者自らがアクセス制限の解除および維持を設定する
方法の場合では、常に管理者が直接データベースを操作
できる端末を所持していなければならない。すなわち、
アクセス要求の連絡があった際に、管理者が上記端末を
所持していなければ、結局アクセス要求者にパスワード
を知らせることとなり、この場合上述したようにデータ
ベース内の全てのファイルをアクセス要求者にアクセス
されても、どのファイルをアクセスされたか管理者は判
断できない虞があった。

【０００９】本発明の課題は、データにアクセスするア
クセス要求者とデータを管理する管理者の両者を認証
し、その認証後に管理者がアクセス制限の解除および維
持を設定することで不正アクセスを防止可能なデータ管
理方法、データ管理プログラム、認証システムおよびデ
ータ管理システムを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明のデ
ータ管理方法は、例えば、図１および図１２に示すよう
に第一の端末（端末２）からアクセス可能なデータ記憶
装置（３）に記憶されるとともに管理者によりアクセス
が制限されたデータへのアクセスが第一の端末を介して
アクセス要求者から要求され、かつ、第一の端末を介し
て前記アクセス要求者の指紋データが入力された場合
に、該指紋データを予め記憶された照合用指紋データと
照合して前記アクセス要求者を特定する要求者照合ステ
ップ（ステップＳ２、Ｓ３、Ｓ６、Ｓ７）と、前記アク
セス要求者が特定された場合に、前記管理者用の第二の
端末（携帯端末１３）に、前記アクセス要求者から前記
データへのアクセスの要求があったことを通知する通知
ステップ（ステップＳ７ａ）と、前記管理者の指紋デー
タが第二の端末から入力された場合に、該指紋データを
照合用指紋データと照合して指紋データが前記管理者の
ものか否かを確認する管理者確認ステップ（ステップＳ
１１）と、第二の端末から入力された前記指紋データが
前記管理者のものであることが確認され、かつ、第二の
端末から前記アクセス要求者の要求に応じて前記データ
へのアクセスを許可するか否かを示す情報が入力された
場合に、該情報に基づいて、前記データ記憶装置に対し
て前記データへの第一の端末からのアクセスを許可する
かもしくはアクセスの制限を維持する制限解除ステップ
（ステップＳ１４、Ｓ１５）とを備えたことを特徴とし
ている。

【００１１】請求項１記載の発明のデータ管理方法によ
れば、アクセス要求者が、管理者によりアクセス制限さ
れたデータにアクセスする際には、アクセス要求者と管
理者の両者の認証が必要となり、単独で他人が管理する
データにアクセスすることを防止できる。したがって、
犯罪抑止効果を得ることができる。また、第二の端末を
操作する人物が、アクセス要求されるデータの管理者で
なければ、該第二の端末でデータへのアクセス状態（ア
クセスが可能な状態あるいはアクセスが制限される状
態）の設定が行えないので、機密安全性を高めることが
できる。また、指紋データと照合用指紋データの照合に
よりアクセス要求者および管理者を認証するので、デー
タ毎にパスワードを設定、記憶する必要がなくなるとと
もに、データにアクセスする個人を確実に特定できるの
で、より高い犯罪抑止効果が得られる。

【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載のデ
ータ管理方法において、例えば図２に示すように、第一
の端末および第二の端末には、指紋読取装置（Ａ）が設
けられ、前記要求者照合ステップおよび管理者確認ステ
ップにおいて、前記指紋読取装置に読み取られて、第一
および第二の端末から出力された指紋データを用いるよ
うになっていることを特徴としている。

【００１３】請求項２記載の発明によれば、第一の端末
および第二の端末と指紋読取装置とを一体化することが
でき、例えば、第一の端末や第二の端末が携帯端末であ
った際には、いちいち別個に指紋読取装置を持ち歩く必
要がなくなる。また、予め用意された他人の指紋データ
が出力されるのを防止することができる。

【００１４】請求項3記載の発明は、請求項１または２
に記載のデータ管理方法であって、例えば図１および図
１２に示すように、第一の端末、第二の端末およびデー
タ記憶装置と情報の入出力が可能な認証システム（６）
が、前記要求者照合ステップ、通知ステップ、管理者確
認ステップおよび制限解除ステップを行うことを特徴と
している。

【００１５】請求項４記載の発明は、請求項３記載のデ
ータ管理方法において、第一の端末および第二の端末の
うちの少なくとも第二の端末が、携帯電話等の移動体通
信システム（M）に接続可能な携帯端末１３とされると
ともに、前記第二の端末に対応する電話番号が前記認証
システムに備えられた記憶手段（記憶部８）に記憶さ
れ、認証システムから移動体通信システムを介して第二
の端末に接続するようになっていることを特徴としてい
る。

【００１６】請求項４記載の発明によれば、第一の端末
および第二の端末のうちの少なくとも第二の端末が、携
帯電話等の移動体通信システムに接続可能な携帯端末と
されているので、アクセス要求がなされているデータの
管理者が通信可能な範囲にいる限り、データへのアクセ
スの要求があったことを通知することができ、その通知
にしたがってアクセス制限の解除および維持を指示する
ことができる。また、前記第二の端末に対応する電話番
号が前記認証システムに備えられた記憶手段に記憶さ
れ、認証システムから移動体通信システムを介して第二
の端末に接続するようになっているので、アクセス要求
者がアクセス要求時に、逐一管理者の電話番号を調べな
くとも、管理者にデータへのアクセスの要求があったこ
とを通知することができる。

【００１７】請求項５記載の発明は、請求項３または４
記載のデータ管理方法において、前記認証システムが、
前記アクセス要求者が前記管理者の許可に基づいてアク
セスを制限されたデータにアクセスする場合に、アクセ
スされる前に前記データのバックアップデータを作成す
るとともに、前記バックアップデータのアクセスを制限
し、かつ、前記データへのアクセス内容を記憶するデー
タ保護ステップ（ステップＳ１５）を備えることを特徴
としている。

【００１８】請求項５記載の発明によれば、前記アクセ
ス要求者が前記管理者の許可に基づいてアクセスを制限
されたデータにアクセスする場合に、前記認証システム
が、アクセスされる前に前記データのバックアップデー
タを作成するとともに、前記バックアップデータのアク
セスを制限し、かつ、前記データへのアクセス内容を記
憶するデータ保護ステップを備えているので、アクセス
要求者によってデータが書換えられても、書換え前のデ
ータに復帰することができる。また、この保護ステップ
では、認証システムによって、前記データへのアクセス
内容（アクセス者名、アクセス日時、アクセス履歴な
ど）も記憶されているので、アクセス要求者によってア
クセスされたデータが分かり、アクセス要求者がデータ
ベースおよびファイルを改竄した際においても容易に改
竄した人物を特定できる。したがって、犯罪の抑止効果
を高めることができる。

【００１９】請求項６記載の発明は、請求項３〜５のい
ずれか一つに記載のデータ管理方法において、前記認証
システムが、アクセス要求者からのアクセス数およびア
クセス時間のうちの少なくとも一つからなるアクセス量
を計測して記憶するとともに、該アクセス量に基づい
て、アクセス要求者に対して課金する課金ステップ（ス
テップＳ１８）を備えることを特徴としている。

【００２０】請求項６記載の発明によれば、前記認証シ
ステムによって、アクセス要求者からのアクセス数およ
びアクセス時間のうちの少なくとも一つからなるアクセ
ス量が計測され記憶されるとともに、該アクセス量に基
づいて、アクセス要求者に対して課金される課金ステッ
プを備えているので、このデータ管理方法を使用する使
用者に、アクセス数およびアクセス時間に対して適正な
料金を請求することができる。

【００２１】請求項７記載の発明のデータ管理プログラ
ムは、コンピュータに、第一の端末からアクセス可能な
データ記憶装置に記憶されるとともに管理者によりアク
セスが制限されたデータへのアクセスが第一の端末を介
してアクセス要求者から要求され、かつ、第一の端末を
介して前記アクセス要求者の指紋データが入力された場
合に、該指紋データを予め記憶された照合用指紋データ
と照合して前記アクセス要求者を特定する要求者照合機
能（ステップＳ２、Ｓ３、Ｓ６、Ｓ７）と、前記アクセ
ス要求者が特定された場合に、前記管理者用の第二の端
末に、前記アクセス要求者から前記データへのアクセス
の要求があったことを通知する通知機能（ステップＳ７
ａ）と、前記管理者の指紋データが第二の端末から入力
された場合に、該指紋データを照合用指紋データと照合
して指紋データが前記管理者のものか否かを確認する管
理者確認機能（ステップＳ１１）と、第二の端末から入
力された前記指紋データが前記管理者のものであること
が確認され、かつ、第二の端末から前記アクセス要求者
の要求に応じて前記データへのアクセスを許可するか否
かを示す情報が入力された場合に、該情報に基づいて、
前記データ記憶装置に対して前記データへの第一の端末
からのアクセスを許可するかもしくはアクセスの制限を
維持する制限解除機能（ステップＳ１４、Ｓ１５）とを
実現させることを特徴としている。

【００２２】請求項８記載の認証システムは、第一の端
末からアクセス可能なデータ記憶装置に記憶されるとと
もに管理者によりアクセスが制限されたデータへのアク
セスが第一の端末を介してアクセス要求者から要求さ
れ、かつ、第一の端末を介して前記アクセス要求者の指
紋データが入力された場合に、該指紋データを予め記憶
された照合用指紋データと照合して前記アクセス要求者
を特定する要求者照合手段（認証課金処理部７）と、前
記アクセス要求者が特定された場合に、前記管理者用の
第二の端末に、前記アクセス要求者から前記データへの
アクセスの要求があったことを通知する通知手段（認証
課金処理部７）と、前記管理者の指紋データが第二の端
末から入力された場合に、該指紋データを照合用指紋デ
ータと照合して指紋データが前記管理者のものか否かを
確認する管理者確認手段（認証課金処理部７）と、第二
の端末から入力された前記指紋データが前記管理者のも
のであることが確認され、かつ、第二の端末から前記ア
クセス要求者の要求に応じて前記データへのアクセスを
許可するか否かを示す情報が入力された場合に、該情報
に基づいて、前記データ記憶装置に対して前記データへ
の第一の端末からのアクセスを許可するかもしくはアク
セスの制限を維持する制限解除手段（認証課金処理部
７）とを備えたことを特徴としている。

【００２３】請求項９記載の発明のデータ管理システム
（１）は、管理者にアクセスを制限されたデータを記憶
したデータ記憶装置と、該データ記憶装置にアクセス可
能な端末（２）と、移動体通信システムを用いて通信可
能な前記管理者用の携帯端末と、前記端末から前記デー
タ記憶装置の管理者にアクセスを制限されたデータへの
アクセス要求があった場合に、前記端末からアクセスを
要求しているアクセス要求者を特定するとともに、特定
されたアクセス要求者から前記データへのアクセス要求
があったことを前記携帯端末に通知し、該携帯端末の操
作者が管理者であることを確認するとともに、前記携帯
端末から前記アクセス要求者の要求に応じて前記データ
へのアクセスを許可するか否かを示す情報が入力された
場合に、該情報に基づいて、前記データ記憶装置に対し
て前記データへの前記端末からのアクセスを許可するか
もしくはアクセスの制限を維持する認証システムとを備
え、前記端末および携帯端末には、指紋読取装置が設け
られ、前記認証システムは、該指紋読取装置に読み取ら
れ、かつ、端末および携帯端末から認証システムに入力
された指紋データを、予め認証システムの記憶手段に記
憶された照合用指紋データを用いて照合することによ
り、アクセス要求者の特定および管理者の確認を行うこ
とを特徴としている。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図１〜図１２の図面を参照しながら説明する。

【００２５】本実施の形態のデータ管理システム１は、
図１に示すように、管理者にアクセスを制限されたデー
タを記憶するデータ記憶装置３と、該データ記憶装置３
にアクセス可能な端末（第一の端末）２と、移動体通信
システムＭを用いて通信可能な前記管理者用の携帯端末
（第二の端末）１３と、該携帯端末１３の所持者および
前記端末２の操作者を認証する認証システム６とを備え
ている。

【００２６】端末２および認証システム６は、それぞれ
モデム（ＭＯＤＥＭ：MOdulator/DEModulator）１４、
１５を介して交換機１６と接続され互いに通信可能とな
っている。モデム１４、１５と交換機１６との接続は、
例えば、ＮＴＴ（日本電信電話株式会社）が所有する公
衆電話回線によって行なわれているが、公衆電話回線に
接続されたＩＳＰ（Internet Service Provider）を介
してインターネットを経由する構成としても良い。ま
た、公衆電話回線は、アナログ電話回線であっても良い
し、あるいは、ＩＳＤＮ（Integrated Services Digita
l Network）回線や、ＡＤＳＬ（Asymmetric Digital Su
bscriber Line）等のｘＤＳＬ（DigitalSubscriber Lin
e）技術を利用した回線であっても良い。また、モデム
１４、１５でなくとも接続される回線によりそれに対応
した通信装置（ＡＤＳＬ（Asymmetric Digital Subscri
ber Line）モデムやスプリッタ、ケーブルモデム、ター
ミナルアダプタ（ＴＡ：Terminal Adapter）やＤＳＵ
（Digital Service Unit）等）であってもよい。

【００２７】移動体通信システムＭは、例えば、800MHz
や1.5GHz帯の無線信号を用いるＰＤＣ（Personal Digit
al Cellular）方式、あるいは、ＣＤＭＡ（Code Divisi
on Multiple Access）方式の携帯型電話機や、1.9GHz帯
の無線信号を用いるＰＨＳ（Personal Handy-phone Sys
tem）等の無線通信回線が利用された通信システムであ
り、携帯端末１３および認証システム６のモデム１５
は、基地局１８、１９を介して移動体通信システムＭの
交換機１７と通信可能となっている。

【００２８】データ記憶装置３には、例えばサーバある
いはＰＣ（Personal Computer）等が用いられており、
複数の管理者が個人毎に管理するデータベース４、５が
記憶されている。データベース４、５には、それぞれ複
数のファイル（データベース４：ファイルａ、ｂ、ｃ｜
データベース５：ファイルｘ、ｙ、ｚ）が格納されてい
る。端末２は、データ記憶装置３とアクセス可能に接続
されており、データ記憶装置３に格納される各ファイル
（ファイルａ、b、c、ｘ、ｙ、ｚ）の閲覧、コピー、上
書き等の加工が可能となっている。この端末２は、例え
ば、表示部やキーボードを備えたＰＣ等が用いられてい
る。また、端末２には、指紋を読み取り、その読み取っ
た指紋データを認証システム６に出力する指紋読取装置
Ａが設けられている。

【００２９】携帯端末１３は、例えば、通常の音声通話
機能を備えた携帯電話であり、ＣＰＵ、入力部、ＲＡ
Ｍ、表示部、記憶部、音源などから構成されている。そ
してこの携帯端末１３には、端末２と同様に指紋読取装
置Ａが設けられている。なお、この携帯端末１３の通信
方式は、ＰＤＣ方式、ＣＤＭＡ方式、あるいはＰＨＳ方
式など特に限定されるものではない。

【００３０】携帯端末１３のＣＰＵは、記憶部に記憶さ
れている携帯端末１３に対応する各種プログラムの中か
ら指定されたプログラム、入力部から入力される各種指
示、またはデータをＲＡＭ内のワークエリアに展開し、
この入力指示、および入力データに応じて上記プログラ
ムにしたがって各種処理を実行し、その処理結果をＲＡ
Ｍ内の所定の領域に格納するとともに、表示部に表示さ
せる。なお、この携帯端末１３には、データ記憶装置3
のデータベース4、5およびファイルａ、ｂ、ｃ、ｘ、
ｙ、ｚを直接操作できるアプリケーションは付属されて
いない。

【００３１】また、携帯端末１３のＣＰＵは、入力部か
ら入力される操作信号に基づいて、各部の動作を統一的
に制御するとともに、認証システム６から送信された指
示信号処理、電話機能（電話番号登録処理、通話処理、
着信処理）等を実行制御する。携帯端末１３の表示部に
は、該携帯端末１３の所有者が管理するファイルに対し
てのアクセス要求や、該アクセス要求者名および該ファ
イル名等が、認証システム６の指示に基づいて表示され
る。

【００３２】認証システム６は、予め記憶される照合用
指紋データと、端末２の指紋読取装置Ａからの指紋デー
タとを照合することで、端末２からデータ記憶装置３に
対してアクセス要求するアクセス要求者が予め登録され
ているか判断し、登録されていた場合には、アクセス要
求されるデータベース４を管理する管理者の携帯電話
（携帯端末１３）にコールしアクセス要求がある旨を伝
えるとともにともに、該携帯電話の指紋読取装置Ａから
入力された指紋データと、照合用指紋データとを照合し
前記管理者のものか否かを確認し、該管理者のものであ
った場合は、携帯端末１３を介して入力された管理者の
指示によりデータベース４、５に格納されるファイルの
アクセス規制を解除および維持するものである。このよ
うに、アクセス規制の解除および維持を、アクセス要求
者および管理者の指紋照合による認証に基づいて行なっ
ているので、予め指紋データが記憶されていない第三者
が不正にアクセスしようとも、アクセス制限を解除でき
ない構成となっている。この認証システム６は、例えば
サーバやＰＣなどにより構成されており、記憶部８、認
証課金処理部７などが備えられている。

【００３３】記憶部８は、プログラムやデータ等が予め
記憶されている記憶媒体を有しており、この記憶媒体は
磁気的、光学的記録媒体、若しくは半導体メモリで構成
されている。この記憶部８には、システムプログラム及
び当該システムに対応する各種アプリケーションプログ
ラムと、指紋認証プログラムと、ファイル更新処理プロ
グラムと、課金プログラム等の各種プログラムや、指紋
照合に必要な照合用指紋データ９と、各管理者が所有す
る携帯電話の携帯電話番号１２と、アクセスに応じて記
憶された課金データ１１と、アクセス内容１０等の各種
データが記憶されている。つまり、各管理者が所有する
携帯電話（携帯端末１３）の携帯電話番号が予め記憶さ
れており、該携帯電話番号によって、認証システム６が
管理者に通知するので、アクセス要求者はアクセス要求
毎に逐一携帯電話番号を調べなくとも、管理者に通知す
ることができる。また、管理者は、アクセス要求者に電
話番号を知られずにすむ。

【００３４】認証課金処理部７は、ＣＰＵなどにより構
成されており、端末２および携帯端末１３の指紋認識装
置Ａから入力された指紋データと、記憶部８に予め記憶
された照合用指紋データとを照合し、その照合結果に基
づいた指示（例えば、結果表示、アクセス許可操作、ア
クセス制限解除など）を、認証システム６と通信可能な
各部（端末２、データ記憶装置３、携帯端末１３）に送
信するものである。なお、この認証課金処理部７は、携
帯端末１３の仕様に応じて、データ管理方法に関連する
一連の表示を携帯端末１３に表示させる。また、認証課
金処理部７は、アクセス要求者毎のアクセス数をカウン
トするとともに、各アクセス要求者のアクセス要求時の
時間を計時する。そして計測されたアクセス数およびア
クセス時間の少なくとも一方を基にアクセス量を計測
し、課金データとして記憶部８に記憶させる。そして、
この課金データに基づいてアクセス要求者に対して課金
を行うので、このデータ管理システムの使用者に適正な
料金を請求することができる。なお、アクセス要求時に
生じた携帯端末１３への通話料金もアクセス要求者に課
金するようにしてもよい。

【００３５】携帯端末１３および端末２に備えられてい
る指紋読取装置は、指紋を読み取り、その読み取ったデ
ータを出力するものであれば如何なるものであってもよ
い。例えば、本実施の形態においては、以下で説明する
指紋読取装置Aを使用している。

【００３６】指紋読取装置Ａは、図２に示すように、指
先を保持する指先保持部Ｂと、指先の指紋を読み取るフ
ォトセンサデバイスＣとを備えている。

【００３７】指先保持部Ｂは、指先Ｆ（図２仮想線参
照）がフィットするような形状に形成された部材であっ
て、フォトセンサデバイスＣの表面に載置されるような
状態で取り付けられている。指先保持部Ｂにおいて、指
先Ｆの腹が接触する部分には、指先Ｆの腹程度の大きさ
に開口された楕円形状の開口部２１が形成されている。
そして、開口部２１の開口した部分に、フォトセンサデ
バイスＣの後述するフォトセンサ部３０が配置されるよ
うに、指先保持部ＢがフォトセンサデバイスＣ上に配置
されて取り付けられている。また、指先保持部Ｂは、導
電性材料から構成されるとともに、指先保持部Ｂから連
続してやや突出した断面Ｌ字状の突出片２２を介して、
アースに接続されている。したがって、被験者が指先Ｆ
を指先保持部Ｂに接触しても、指先Ｆに帯電した静電気
によるフォトセンサデバイスＣの誤作動・損傷を防ぐこ
とができる。

【００３８】フォトセンサデバイスＣは、図２、３に示
すように、光学的に指紋を読み取るフォトセンサ部３０
と、該フォトセンサ部３０を駆動させる駆動信号を供給
する各種ドライバ回路部（トップゲートドライバ３１，
ボトムゲートドライバ３２，ドレインドライバ３３）と
を有する。

【００３９】フォトセンサ部３０は、図２に示すよう
に、前述した指先保持部Ｂの開口部２１の開口した部分
に露出した状態で、配置されている。また、フォトセン
サ部３０は、図３に示すように、マトリクス状に配置さ
れた複数のダブルゲートトランジスタ３０ａ（以下、Ｄ
Ｇ−ＴＦＴ３０ａという）により構成されている。

【００４０】図４および図５に示すように、各ＤＧ−Ｔ
ＦＴは、ボトムゲート電極４１と、ボトムゲート絶縁膜
４２と、半導体層４３と、ブロック絶縁膜４４ａ，４４
ｂと、不純物層４５ａ，４５ｂ，４６と、ソース電極４
７ａ，４７ｂと、ドレイン電極４８と、トップゲート絶
縁膜４９と、トップゲート電極５０と、保護絶縁膜５１
とを備える。

【００４１】ボトムゲート電極４１は、絶縁性基板４０
上に形成されている。絶縁性基板４０は、可視光に対し
て透過性を有するとともに絶縁性を有する。ボトムゲー
ト電極４１および絶縁性基板４０を被覆するようにし
て、ボトムゲート絶縁膜４２がボトムゲート電極４１お
よび絶縁性基板４０上に設けられている。ボトムゲート
電極４１に対向するようにして、半導体層４３がボトム
ゲート絶縁膜４２上に設けられている。この半導体層４
３はアモルファスシリコン等からなり、この半導体層４
３に対して可視光が入射されると、半導体層４３には電
子−正孔が発生するようになっている。

【００４２】半導体層４３には、ブロック絶縁膜４４
ａ，４４ｂが、互いに離れて並列に配設されている。不
純物層４５ａは半導体層４３のチャネル長方向の一端部
に設けられており、他端部に不純物層４５ｂが設けられ
ている。ブロック絶縁膜４４ａとブロック絶縁膜４４ｂ
との間において、不純物層４６が半導体層４３の中央上
に設けられており、この不純物層４６は不純物層４５
ａ、４５ｂから離れている。そして、不純物層４５ａ，
４５ｂ，４６およびブロック絶縁膜４４ａ，４４ｂによ
って、半導体層４３は覆われるようになっている。平面
視して、不純物層４５ａの一部はブロック絶縁膜４４ａ
上の一部に重なっており、不純物層４５ｂはブロック絶
縁膜４４ｂ上の一部に重なっている。また、不純物層４
５ａ，４５ｂ，４６は、ｎ型の不純物イオンがドープさ
れたアモルファスシリコンからなる。

【００４３】不純物層４５ａ上にソース電極４７ａが設
けられており、不純物層４５ｂ上にソース電極４７ｂが
設けられており、不純物層４６上にドレイン電極４８が
設けられている。平面視して、ソース電極４７ａはブロ
ック絶縁膜４４ａ上の一部に重なっており、ソース電極
４７ｂはブロック絶縁膜４４ｂ上の一部に重なってお
り、ドレイン電極４８はブロック絶縁膜４４ａ，４４ｂ
上の一部に重なっている。また、ソース電極４７ａ，４
７ｂ、ドレイン電極４８は互いに離れている。トップゲ
ート絶縁膜４９は、ボトムゲート絶縁膜４２、ブロック
絶縁膜４４ａ，４４ｂ、ソース電極４７ａ，４７ｂおよ
びドレイン電極４８を覆うように形成されている。トッ
プゲート絶縁膜４９上には、半導体層４３に対向配置さ
れたトップゲート電極５０が設けられている。トップゲ
ート絶縁膜４９およびトップゲート電極５０上に、保護
絶縁膜５１が設けられている。

【００４４】以上のＤＧ−ＴＦＴ３０ａは、次のような
第一および第二のダブルゲート型フォトセンサが絶縁性
基板４０上に並列に配置されてなる構成となっている。
すなわち、第一のダブルゲート型フォトセンサは、半導
体層４３、ソース電極４７ａ、ドレイン電極４８、トッ
プゲート絶縁膜４９およびトップゲート電極５０で構成
される上部ＭＯＳトランジスタと、半導体層４３、ソー
ス電極４７ａ、ドレイン電極４８、ボトムゲート絶縁膜
４２およびボトムゲート電極４１で構成される下部ＭＯ
Ｓトランジスタとを備えており、上部ＭＯＳトランジス
タと下部ＭＯＳトランジスタは半導体層４３を共通のチ
ャネル領域としている。一方、第二のダブルゲート型フ
ォトセンサは、半導体層４３、ソース電極４７ｂ、ドレ
イン電極４８、トップゲート絶縁膜４９およびトップゲ
ート電極５０で構成される上部ＭＯＳトランジスタと、
半導体層４３、ソース電極４７ｂ、ドレイン電極４８、
ボトムゲート絶縁膜４２、ボトムゲート電極４１で構成
される下部ＭＯＳトランジスタとを備えており、上部Ｍ
ＯＳトランジスタと下部ＭＯＳトランジスタは半導体層
４３を共通のチャネル領域としている。

【００４５】そして、ＤＧ−ＴＦＴ３０ａにおいて、図
３および図４に示すように、トップゲート電極５０はト
ップゲートライン（以下、ＴＧＬという）に、ボトムゲ
ート電極４１はボトムゲートライン（以下、ＢＧＬとい
う）に、ドレイン電極４８はドレインライン（以下、Ｄ
Ｌという）に、ソース電極４７ａ，４７ｂは接地された
グラウンドライン（以下、ＧＬという）にそれぞれ接続
されている。

【００４６】なお、図３〜５において、ブロック絶縁膜
４４ａ，４４ｂ、トップゲート絶縁膜４９、トップゲー
ト電極５０上に設けられた保護絶縁膜５１は、窒化シリ
コン等の透光性の絶縁膜からなり、また、トップゲート
電極５０およびＴＧＬはＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）等
の透光性の導電性材料からなり、ともに可視光に対し高
い透過率を示す。一方、ソース電極４７ａ，４７ｂ、ド
レイン電極４８、ボトムゲート電極４１およびＢＧＬ
は、クロム、クロム合金、アルミ、アルミ合金等から選
択された可視光の透過を遮断する材質により構成されて
いる。なお、保護絶縁膜５１は、図２に示す指先支持部
Ｂの開口部２１から露出し、指先Ｆの凸部が接触する箇
所となる。

【００４７】また、図５に示すように、絶縁性基板４０
の下方には、バックライト５２が設けられている。バッ
クライト５２は、平面形状の導光板とその周囲に配置さ
れた蛍光管とから構成され、導光板は蛍光管が配置され
た側面および上面を除き、反射部材で覆われている。

【００４８】上述したフォトセンサ部３０は、図６に示
すように、指先保持部Ｂの開口部２１およびその周辺に
マトリクス状にＤＧ−ＴＦＴ３０ａが配置される状態に
なっている。ここで、フォトセンサ部３０においては、
複数のＤＧ−ＴＦＴ３０ａの各行間に静電気除去電極５
３が互いに離間するように櫛歯状に設けられている。静
電気除去電極５３は、ＩＴＯ等の透明電極からなり、実
装構造上はＤＧ−ＴＦＴ３０ａの保護絶縁膜５１（図５
参照）上に指先保持部Ｂと短絡しないように設けられて
いる。そして、指紋照合時に指先Ｆが静電気除去電極５
３間に跨って接触すると、指先Ｆを介して静電気除去電
極５３間に電流が流れ、静電気除去電極５３に接続され
た後述するコントローラ３４によりこの電流が検知さ
れ、フォトセンス、すなわち指紋読取処理が行われるよ
うになっている。

【００４９】ここで、図３に示すように、トップゲート
ドライバ３１は、フォトセンサ部３０のＴＧＬに接続さ
れ、駆動信号を各ＴＧＬに順次選択的に出力するシフト
レジスタであって、コントローラ３４から出力される制
御信号群Ｔｃｎｔに応じて、複数のＴＧＬに適宜リセッ
ト電圧（＋２５〔Ｖ〕）又はキャリア蓄積電圧（−１５
〔Ｖ〕）を印加するものである。ボトムゲートドライバ
３２は、フォトセンサ部３０のＢＧＬに接続され、駆動
信号を各ＢＧＬに順次選択的に出力するシフトレジスタ
であって、コントローラ３４から出力される制御信号群
Ｂｃｎｔに応じて複数のＢＧＬに適宜チャネル形成用電
圧（＋１０〔Ｖ〕）又はチャネル非形成用電圧（±０
〔Ｖ〕）を印加するものである。ドレインドライバ３３
は、フォトセンサ部３０のＤＬに接続され、コントロー
ラ３４から出力される制御信号群Ｄｃｎｔに応じて全て
のＤＬに基準電圧（＋１０〔Ｖ〕）を印加することで、
電荷をプリチャージさせる。そして、ドレインドライバ
３３は、プリチャージ後の所定期間において、各ダブル
ゲートトランジスタ３０ａでの入射された光量に応じて
変位するＤＬ電圧又は各ＤＧ−ＴＦＴ３０ａのソース−
ドレイン間を流れるドレイン電流を検知し、データ信号
ＤＡＴＡとしてコントローラ３４に出力するものであ
る。

【００５０】コントローラ３４は、制御信号群Ｔｃｎ
ｔ，Ｂｃｎｔによってそれぞれトップゲートドライバ３
１，ボトムゲートドライバ３２を制御して、両ドライバ
から行毎に所定のタイミングで所定レベルの信号を出力
させる。これにより、フォトセンサ部３０の各行を順次
リセット状態、フォトセンス状態、読み出し状態とさせ
る。コントローラ３４は、また、制御信号群Ｄｃｎｔに
よりドレインドライバ３３にＤＬの電位変化を読み出さ
せ、データ信号ＤＡＴＡとして順次取り込んでいくもの
である。

【００５１】次に、フォトセンスについて詳細に説明す
ると、フォトセンサ部３０を構成するＤＧ−ＴＦＴ３０
ａはトップゲート電極５０に印加されている電圧が＋２
５〔Ｖ〕で、ボトムゲート電極４１に印加されている電
圧が±０〔Ｖ〕であると、トップゲート電極５０と半導
体層４３との間に配置される窒化シリコンからなるトッ
プゲート絶縁膜４９と半導体層４３とに蓄積されている
正孔が吐出され、リセット状態とされる。ＤＧ−ＴＦＴ
３０ａは、ソース電極４７ａ，４７ｂとドレイン電極４
８間が±０〔Ｖ〕、トップゲート電極５０に印加されて
いる電圧が−１５〔Ｖ〕、ボトムゲート電極３０に印加
されている電圧が±０〔Ｖ〕の場合、半導体層４３への
光の入射によって発生した正孔−電子対のうちの正孔が
半導体層４３およびトップゲート絶縁膜４９に蓄積され
るフォトセンス状態となる。この所定期間に蓄積される
正孔の量は光量に依存している。

【００５２】フォトセンス状態において、バックライト
５２がＤＧ−ＴＦＴ３０ａに向け光を照射するが、この
ままではＤＧ−ＴＦＴ３０ａの半導体層４３の下方に位
置するボトムゲート電極４１が遮光するので、半導体層
４３には充分なキャリアが生成されない。このとき、Ｄ
Ｇ−ＴＦＴ３０ａ上方の保護絶縁膜５１上に指先Ｆを載
置すると、指先Ｆの凹部の直下にあたる半導体層４３に
は、保護絶縁膜５１等で反射された光があまり入射され
ない。

【００５３】このように光の入射量が少なくて充分な量
の正孔が半導体層４３に蓄積されずに、トップゲート電
極５０に印加されている電圧が−１５〔Ｖ〕で、ボトム
ゲート電極に印加されている電圧が＋１０〔Ｖ〕となる
と、半導体層内に空乏層が広がり、ｎチャネルがピンチ
オフされ、半導体層４３が高抵抗となる。一方、フォト
センス状態において、指先Ｆの凸部の直下にあたるＤＧ
−ＴＦＴ３０ａの半導体層４３には、保護絶縁膜５１等
で反射された光が入射されるとともに、充分な量の正孔
が半導体層内に蓄積された状態で、このような電圧が印
加された場合は、蓄積されている正孔がトップゲート電
極５０に引き寄せられて保持されることにより、半導体
層４３のボトムゲート電極４１側にｎチャネルが形成さ
れ、半導体層４３が低抵抗となる。これらの読み出し状
態における半導体層４３の抵抗値の違いが、ＤＬの電位
の変化となって現れる。

【００５４】さらに上述したフォトセンスに関して、フ
ォトセンサ部３０を構成するＤＧ−ＴＦＴ３０ａの駆動
原理について、図７（ａ）〜（ｆ）の模式図を参照して
説明する。

【００５５】ＤＧ−ＴＦＴ３０ａの半導体層４３のチャ
ネル形成領域は、不純物層４５ａ、４６間および不純物
層４５ｂ、４６間のブロック絶縁膜４４ａ，４４ｂの下
に発生するため、チャネル長はブロック絶縁膜４４ａ，
４４ｂのチャネル長方向の長さに等しい。したがって、
図７（ａ）に示すように、ボトムゲート電極４１（Ｂ
Ｇ）に印加されている電圧が±０〔Ｖ〕であるときは、
トップゲート電極５０（ＴＧ）に印加されている電圧が
＋２５〔Ｖ〕であっても、チャネルの両端にかかる電界
がトップゲート電極５０（ＴＧ）に印加されている電圧
でなく、ソース、ドレイン電極２７ａ，４７ｂ、２８の
電圧になるので半導体層４３にはチャネル長方向に連続
したｎチャネルが形成されず、ドレイン電極４８（Ｄ）
に＋１０〔Ｖ〕の電圧が印加されても、ドレイン電極４
８（Ｄ）とソース電極４７ａ，４７ｂ（Ｓ）との間に電
流は流れない。また、この状態では、後述するように半
導体層４３および半導体層４３のチャネル領域直上のブ
ロック絶縁膜４４ａ，４４ｂに蓄積された正孔が同じ極
性のトップゲート電極５０（ＴＧ）の電圧により反発
し、吐出される。以下、この状態をリセット状態とい
う。

【００５６】図７（ｂ）に示すように、トップゲート電
極５０（ＴＧ）に印加されている電圧が−１５〔Ｖ〕で
あり、ボトムゲート電極４１（ＢＧ）に印加されている
電圧が±０〔Ｖ〕であるときは、半導体層４３にはｎチ
ャネルが形成されず、ドレイン電極４８（Ｄ）に＋１０
〔Ｖ〕の電圧が印加されても、ドレイン電極４８（Ｄ）
とソース電極４７ａ，４７ｂ（Ｓ）との間に電流は流れ
ない。

【００５７】このように、半導体層４３のチャネル領域
の両端とトップゲート電極５０（ＴＧ）との間にそれぞ
れドレイン電極４８（Ｄ）とソース電極４７ａ，４７ｂ
（Ｓ）が配置されているため、チャネル領域の両端は、
ドレイン電極４８（Ｄ）とソース電極４７ａ，４７ｂ
（Ｓ）との電界に影響されるため、トップゲート電極５
０（ＴＧ）のみの電界では連続したチャネルを形成する
ことができない。したがって、ボトムゲート電極４１
（ＢＧ）に印加されている電圧が±０〔Ｖ〕である場合
には、トップゲート電極５０（ＴＧ）に印加されている
電圧の如何に関わらず、半導体層４３にｎチャネルが形
成されることはない。

【００５８】図７（ｃ）に示すように、トップゲート電
極５０（ＴＧ）に印加されている電圧が＋２５〔Ｖ〕で
あり、ボトムゲート電極４１（ＢＧ）に印加されている
電圧が＋１０（Ｖ）であるときは、半導体層４３のボト
ムゲート電極（ＢＧ）２１側にｎチャネルが形成され
る。これにより、半導体層４３が低抵抗化し、ドレイン
電極４８に＋１０〔Ｖ〕の電圧が印加されると、ドレイ
ン電極４８（Ｄ）とソース電極４７ａ，４７ｂ（Ｓ）と
の間に電流が流れる。

【００５９】図７（ｄ）に示すように、後述するように
半導体層４３内に十分な量の正孔が蓄積されず、トップ
ゲート電極５０（ＴＧ）に印加されている電圧が−１５
〔Ｖ〕であると、ボトムゲート電極４１（ＢＧ）に印加
されている電圧が＋１０〔Ｖ〕であっても、半導体層４
３の内部に空乏層が広がり、ｎチャネルがピンチオフさ
れて、半導体層４３が高抵抗化する。このため、ドレイ
ン電極４８に＋１０〔Ｖ〕の電圧が印加されても、ドレ
イン電極４８（Ｄ）とソース電極４７ａ，４７ｂ（Ｓ）
との間に電流が流れない。以下、この状態を第一の読み
出し状態という。

【００６０】半導体層４３には入射された励起光の光量
に応じて正孔−電子対が生じる。このとき図７（ｅ）に
示すように、トップゲート電極５０（ＴＧ）に印加され
ている電圧が−１５〔Ｖ〕であり、ボトムゲート電極４
１（ＢＧ）に印加されている電圧が±０〔Ｖ〕である
と、正孔−電子対のうち正極性の正孔が半導体層４３お
よび半導体層４３のチャネル領域直上のブロック絶縁膜
４４ａ，４４ｂに蓄積される。以下、上述したリセット
状態となり、後述する読み出し状態となるまでにおける
この状態をフォトセンス状態という。なお、こうしてト
ップゲート電極５０（ＴＧ）の電界に応じて半導体層４
３内に蓄積された正孔は、リセット状態となるまで半導
体層４３から吐出されることはない。

【００６１】図７（ｆ）に示すように、トップゲート電
極５０（ＴＧ）に印加されている電圧が−１５〔Ｖ〕で
あり、ボトムゲート電極４１（ＢＧ）に印加されている
電圧が＋１０（Ｖ）であっても、半導体層４３内に正孔
が蓄積されている場合には、蓄積されている正孔が負電
圧の印加されているトップゲート電極５０（ＴＧ）に引
き寄せられて保持され、トップゲート電極５０（ＴＧ）
に印加されている負電圧が半導体層４３に及ぼす影響を
緩和する方向に働く。このため、半導体層４３のボトム
ゲート電極４１（ＢＧ）側にｎチャネルが形成され、半
導体層４３が低抵抗化して、ドレイン電極４８に＋１０
（Ｖ）の電圧が供給されると、ドレイン電極４８（Ｄ）
とソース電極４７ａ，４７ｂ（Ｓ）との間に電流が流れ
る。以下、この状態を第二の読み出し状態という。

【００６２】ここで、トップゲートドライバ３１，ボト
ムゲートドライバ３２，ドレインドライバ３３を備える
ドライバ回路部は、基本構成として複数のＴＦＴ（Thin
Film Transistor）を備えている。各ＴＦＴは、いずれ
もｎチャネルＭＯＳ型の電界効果トランジスタで構成さ
れ、ゲート絶縁膜に窒化シリコンを用い、半導体層にア
モルファスシリコンを用いている。具体的には、図５に
示すＤＧ−ＴＦＴ３０ａの断面構造を参照して説明する
と、上述したドライバ回路部は、トップゲート電極５０
および保護絶縁膜５１が積層されていない（トップゲー
ト絶縁膜４９が最上層に配置された）トランジスタを備
えている。

【００６３】ここで、上述したトップゲートドライバ３
１およびボトムゲートドライバ３２（図３参照）につい
て、詳細に説明する。なお、トップゲートドライバ３１
およびボトムゲートドライバ３２は、図８に示すシフト
レジスタが適用されたものである。フォトセンサ部３０
に配設されたＤＧ−ＴＦＴ３０ａの行数（ＴＧＬ、ＢＧ
Ｌの数）をｎとすると、トップゲートドライバ３１およ
びボトムゲートドライバ３２は、図８に示すように、ゲ
ート信号を出力するｎ個の段ＲＳ（１）〜ＲＳ（ｎ）
と、段ＲＳ（ｎ）等を制御するためのダミー段ＲＳ（ｎ
＋１）およびダミー段ＲＳ（ｎ＋２）とから構成され
る。なお、図８に示すシフトレジスタは、ｎが２以上の
偶数である場合の構成を示すものである。また、段ＲＳ
（１）は一段目、段ＲＳ（２）は二段目、…、段ＲＳ
（ｎ）はｎ段目、段ＲＳ（ｎ＋１）はｎ＋１段目、段Ｒ
Ｓ（ｎ＋２）はｎ＋２段目をそれぞれ示すものである。

【００６４】一番目の段ＲＳ（１）には、コントローラ
３４からのスタート信号Ｄｓｔが入力される。図８に示
すシフトレジスタがトップゲートドライバ３１である場
合、スタート信号Ｄｓｔのハイレベルは＋２５〔Ｖ〕で
あり、スタート信号Ｄｓｔのローレベルは−１５〔Ｖ〕
である。一方、図８に示すシフトレジスタがボトムゲー
トドライバ３２である場合、スタート信号Ｄｓｔのハイ
レベルは＋１０〔Ｖ〕であり、スタート信号Ｄｓｔのロ
ーレベルは−１５〔Ｖ〕である。

【００６５】また、二番目以降の段ＲＳ（２）〜段ＲＳ
（ｎ）には、それぞれの前段ＲＳ（１）〜段ＲＳ（ｎ−
１）からの出力信号ＯＵＴ（１）〜ＯＵＴ（ｎ−１）が
入力信号として入力される。図８に示すシフトレジスタ
がトップゲートドライバ３１である場合、各段の出力信
号ＯＵＴ（１）〜出力信号ＯＵＴ（ｎ）が、対応する１
〜ｎ行目のＴＧＬに出力される。一方、図８に示すシフ
トレジスタがボトムゲートドライバ３２である場合、各
段の出力信号ＯＵＴ（１）〜出力信号ＯＵＴ（ｎ）が、
対応する１〜ｎ行目のＢＧＬに出力される。

【００６６】さらに、段ＲＳ（ｎ＋２）以外の段ＲＳ
（１）〜段ＲＳ（ｎ＋１）には、それぞれの後段ＲＳ
（２）〜段ＲＳ（ｎ＋２）からの出力信号ＯＵＴ（２）
〜ＯＵＴ（ｎ＋２）がリセット信号として入力される。
段ＲＳ（ｎ＋２）には、コントローラ３４からのリセッ
ト信号Ｄｅｎｔが入力される。図８に示すシフトレジス
タがトップゲートドライバ３１である場合、リセット信
号Ｄｅｎｔのハイレベルは＋２５〔Ｖ〕であり、リセッ
ト信号Ｄｅｎｔのローレベルは−１５〔Ｖ〕である。一
方、図８に示すシフトレジスタがボトムゲートドライバ
３２である場合、リセット信号Ｄｅｎｔのハイレベルは
＋１０〔Ｖ〕であり、リセット信号Ｄｅｎｔのローレベ
ルは−１５〔Ｖ〕である。

【００６７】各段ＲＳ（ｋ）（ｋは１〜ｎ＋２の任意の
整数）には、コントローラ３４から基準電圧Ｖｓｓが印
加される。図８に示すシフトレジスタがトップゲートド
ライバ３１である場合、基準電圧Ｖｓｓのレベルは−１
５〔Ｖ〕である。一方、図８に示すシフトレジスタがボ
トムゲートドライバ３２である場合、基準電圧Ｖｓｓの
レベルは±０〔Ｖ〕である。また各段ＲＳ（ｋ）には、
コントローラ３４から定電圧Ｖｄｄが印加される。図８
に示すシフトレジスタがトップゲートドライバ３１であ
る場合、定電圧Ｖｄｄのレベルは＋２５〔Ｖ〕である。
一方、図８に示すシフトレジスタがボトムゲートドライ
バ３２である場合、定電圧Ｖｄｄのレベルは＋１０
〔Ｖ〕である。

【００６８】奇数番目の段ＲＳ（ｋ）には、コントロー
ラ３４からのクロック信号ＣＫ１が入力される。また、
偶数番目の段ＲＳ（ｋ）には、クロック信号ＣＫ２が入
力される。クロック信号ＣＫ１，ＣＫ２はそれぞれ、シ
フトレジスタの出力信号をシフトしていくタイムスロッ
トのうちの所定期間、タイムスロット毎に交互にハイレ
ベルとなる。すなわち、一のタイムスロットのうちの所
定の間クロック信号ＣＫ１がハイレベルとなった場合、
そのタイムスロットの間ではクロック信号ＣＫ２がロー
レベルとなり、次のタイムスロットの間ではクロック信
号ＣＫ１がローレベルであるとともに所定期間の間クロ
ック信号ＣＫ２がハイレベルとなる。

【００６９】図８に示すシフトレジスタがトップゲート
ドライバ３１である場合、クロック信号ＣＫ１，ＣＫ２
は、ハイレベルが＋２５〔Ｖ〕、ローレベルが−１５
〔Ｖ〕である。一方、図８に示すシフトレジスタがボト
ムゲートドライバ３２である場合、ハイレベルが＋１０
〔Ｖ〕、ローレベルが±０〔Ｖ〕である。

【００７０】そして、図８に示すように、トップゲート
ドライバ３１およびボトムゲートドライバ３２を構成す
る上述したシフトレジスタの各段ＲＳ（ｋ）は、基本構
成として、六つのＴＦＴ６１〜６６を備えている。な
お、ＴＦＴ６１〜６６は、いずれもｎチャネルＭＯＳ型
の電界効果トランジスタであり、ゲート絶縁膜に窒化シ
リコンが用いられ、半導体層にアモルファスシリコンが
用いられている。具体的には、図５に示すＤＧ−ＴＦＴ
の断面構造を参照して説明すると、ＴＦＴ６１〜６６
は、トップゲート電極および保護絶縁膜が積層されてい
ない（トップゲート絶縁膜が最上層に配置された）トラ
ンジスタである。

【００７１】図８および図９に示すように、一番目の段
ＲＳ（１）のゲート電極およびドレイン電極には、スタ
ート信号Ｄｓｔが入力されている。一番目の段ＲＳ
（１）以外の各段ＲＳ（ｋ）のＴＦＴ６１のゲート電極
およびドレイン電極は、前段ＲＳ（ｋ−１）のＴＦＴ６
５のソース電極に接続され、ＴＦＴ６１のソース電極
は、ＴＦＴ６４のゲート電極、ＴＦＴ６２のドレイン電
極およびＴＦＴ６３のゲート電極に接続されている。各
段ＲＳ（ｋ）のＴＦＴ６１のソース電極、ＴＦＴ６４の
ゲート電極、ＴＦＴ６２のドレイン電極、ＴＦＴ６３の
ゲート電極に接続される配線には、この配線自体に関係
するＴＦＴ６１〜４４の寄生容量やこの配線自体によっ
て、電荷を蓄積するための容量Ｃａ（ｋ）が形成され
る。

【００７２】ＴＦＴ６３のドレイン電極は、ＴＦＴ６６
のソース電極およびＴＦＴ６５のゲート電極に接続さ
れ、ＴＦＴ６２のソース電極およびＴＦＴ６３のソース
電極には基準電圧Ｖｓｓが印加されている。そして、Ｔ
ＦＴ６６のゲート電極およびドレイン電極には、定電圧
Ｖｄｄが印加されている。また、奇数段のＴＦＴ６４の
ドレイン電極にはクロック信号ＣＫ１が入力され、偶数
段のＴＦＴ６４のドレイン電極にはクロック信号ＣＫ２
が入力されている。各段のＴＦＴ６４のソース電極は、
ＴＦＴ６５のドレイン電極に接続され、ＴＦＴ６５のソ
ース電極には、基準電圧Ｖｓｓが印加されている。ＴＦ
Ｔ６２のゲート電極には、次段からの出力信号ＯＵＴ
（ｋ＋１）が入力されている。

【００７３】次に、各段ＲＳ（ｋ）に備えられているＴ
ＦＴ６１〜６６の機能を説明する。ＴＦＴ６１のゲート
電極およびドレイン電極には、前段ＲＳ（ｋ−１）から
の出力信号ＯＵＴ（ｋ−１）が入力されているか（この
場合、ｋは２〜ｎ＋２）、或いは、コントローラ３４か
らスタート信号Ｄｓｔが入力されている（この場合、ｋ
は１）。出力信号ＯＵＴ（ｋ−１）又はスタート信号Ｄ
ｓｔがハイレベルになった場合に、ＴＦＴ６１はオン状
態となり、ドレイン電極からソース電極に電流が流れ、
ＴＦＴ６１はハイレベルの出力信号ＯＵＴ（ｋ−１）ま
たはスタート信号Ｄｓｔをソース電極に出力するように
なっている。ここで、ＴＦＴ６２がオフ状態である場合
には、ＴＦＴ６１のソース電極から出力されたハイレベ
ルの出力信号ＯＵＴ（ｋ−１）またはスタート信号Ｄｓ
ｔにより、容量Ｃａ（ｋ）が蓄積されるようになってい
る。一方、出力信号ＯＵＴ（ｋ−１）又はスタート信号
Ｄｓｔがローレベルになった場合に、ＴＦＴ６１はオフ
状態となり、ＴＦＴ６１のドレイン電極〜ソース電極に
電流が流れないようになっている。

【００７４】ＴＦＴ６６のゲート電極およびドレイン電
極には、定電圧Ｖｄｄが印加されている。これにより、
ＴＦＴ６６は常にオン状態となっており、ＴＦＴ６６の
ドレイン電極〜ソース電極に電流が流れ、ＴＦＴ６６は
略定電圧Ｖｄｄレベルの信号をソース電極に出力するよ
うになっている。ＴＦＴ６６は、定電圧Ｖｄｄを分圧す
る負荷としての機能を有する。

【００７５】ＴＦＴ６３は、容量Ｃａ（ｋ）に電荷が蓄
積されていないときにオフ状態となり、ＴＦＴ６６から
出力された定電圧Ｖｄｄレベルの信号によって容量Ｃｂ
（ｋ）が蓄積するようになっている。一方、ＴＦＴ６３
は、容量Ｃａ（ｋ）に電荷が蓄積されているときにオン
状態となり、ＴＦＴ６３のドレイン電極〜ソース電極に
電流が流れることにより、ＴＦＴ６３は容量Ｃｂ（ｋ）
に蓄積された電荷を排出するようになっている。

【００７６】ＴＦＴ６５は、容量Ｃｂ（ｋ）に電荷が蓄
積されていないときにオフ状態となり、容量Ｃｂ（ｋ）
に電荷が蓄積されているときにオン状態となる。ＴＦＴ
６４は、容量Ｃａ（ｋ）に電荷が蓄積されているときに
オン状態となり、容量Ｃａ（ｋ）に電荷が蓄積されてい
ないときにオフ状態となる。したがって、ＴＦＴ６５が
オフ状態のときにはＴＦＴ６４はオン状態となり、ＴＦ
Ｔ６５がオン状態のときにはＴＦＴ６４はオフ状態とな
るようになっている。

【００７７】ＴＦＴ６５のソース電極には、基準電圧Ｖ
ｓｓが印加されている。オン状態となったＴＦＴ６５
は、基準電圧Ｖｓｓレベル（ローレベル）の信号を、ド
レイン電極から当該段ＲＳ（ｋ）の出力信号ＯＵＴ
（ｋ）として出力するようになっている。オフ状態とな
ったＴＦＴ６５は、ＴＦＴ６４のソース電極から出力さ
れた信号のレベルを当該段ＲＳ（ｋ）の出力信号ＯＵＴ
（ｋ）として出力するようになっている。

【００７８】ＴＦＴ６４のドレイン電極には、クロック
信号ＣＫ１又はＣＫ２が入力されている。ＴＦＴ６４が
オフ状態である場合には、ＴＦＴ６４は、ドレイン電極
に入力されたクロック信号ＣＫ１又はＣＫ２の出力を遮
断するようになっている。ＴＦＴ６４がオン状態である
場合に、ＴＦＴ６４は、ローレベルのクロック信号ＣＫ
１又はＣＫ２をソース電極に出力するようになってい
る。ここで、ＴＦＴ６４がオン状態である場合には、Ｔ
ＦＴ６５がオフ状態であるから、ローレベルのクロック
信号ＣＫ１又はＣＫ２が当該段ＲＳ（ｋ）の出力信号Ｏ
ＵＴ（ｋ）として出力される。一方、ＴＦＴ６４がオン
状態である場合に、ハイレベルのクロック信号ＣＫ１又
はＣＫ２がドレイン電極に入力されると、ゲート電極お
よびソース電極並びにそれらの間のゲート絶縁膜からな
る寄生容量に電荷が蓄積される。すなわち、ブートスト
ラップ効果によって、容量Ｃａ（ｋ）の電位が上昇し
て、容量Ｃａ（ｋ）の電位がゲート飽和電圧にまで達す
ると、ＴＦＴ６４のソース−ドレイン電流が飽和するよ
うになっている。これにより、オン状態のＴＦＴ６４
は、ハイレベルのクロック信号ＣＫ１又はＣＫ２と略同
電位となる信号を、ソース電極に出力するようになって
いる。ここで、ＴＦＴ６４がオン状態である場合には、
ＴＦＴ６５がオフ状態であるから、ハイレベルのクロッ
ク信号ＣＫ１又はＣＫ２が、当該段ＲＳ（ｋ）の出力信
号ＯＵＴ（ｋ）として出力される。

【００７９】ＴＦＴ６２のゲート電極には、次の段ＲＳ
（ｋ＋１）（この場合、ｋは１〜ｎ＋１）の出力信号Ｏ
ＵＴ（ｋ＋１）が入力される。ＴＦＴ６２は、ゲート電
極に入力される出力信号ＯＵＴ（ｋ＋１）がハイレベル
の場合にオン状態となり、容量Ｃａ（ｋ）に蓄積された
電荷を排出するようになっている。

【００８０】なお、ダミー段ＲＳ（ｎ＋２）のＴＦＴ６
２においては、リセット信号Ｄｅｎｄが、コントローラ
３４からＴＦＴ６２のゲート電極に入力されるが、次の
走査での三番目の出力信号ＯＵＴ（３）を代用してもよ
い。

【００８１】次に、上述したトップゲートドライバ３１
およびボトムゲートドライバ３２の動作について図１０
を参照して説明する。図中、１Ｔ分の期間が一選択期間
である。なお、トップゲートドライバ３１とボトムゲー
トドライバ３２とは、実質的には信号の入力タイミング
と基準電圧Ｖｓｓのレベルが異なり、これに合わせて出
力信号の出力タイミングとレベルとが異なるだけなの
で、ボトムゲートドライバ３２については、トップゲー
トドライバ３１と異なる部分だけを説明することとす
る。

【００８２】図１０に示すように、タイミングＴ０にお
いて、ハイレベル（＋２５〔Ｖ〕）のスタート信号Ｄｓ
ｔがコントローラ３４から一番目の段ＲＳ（１）に入力
される。スタート信号Ｄｓｔは、一水平期間が終了する
タイミングＴ１までの所定期間においてハイレベルのま
まとなっている。

【００８３】タイミングＴ０では、ＴＦＴ６１がオン状
態となり、ＴＦＴ６１のドレイン電極に入力されたハイ
レベルの入力信号（スタート信号Ｄｓｔ）がソース電極
から出力される。ＴＦＴ６２がオフ状態となっているた
め、ＴＦＴ６１のソース電極から出力されたハイレベル
の入力信号によって、容量Ｃａ（１）に電荷が蓄積され
る。容量Ｃａ（１）に電荷が蓄積されることによって、
容量Ｃａ（１）の電位が上昇し、ＴＦＴ６３，４４がそ
れぞれオン状態となる。そして、ハイレベルのスタート
信号Ｄｓｔが入力されている期間はオン状態のＴＦＴ６
４のドレイン電極にローレベル（−１５〔Ｖ〕）のクロ
ック信号ＣＫ１が入力され、このローレベルのクロック
信号ＣＫ１が当該段ＲＳ（１）の出力信号ＯＵＴ（１）
として出力される。

【００８４】タイミングＴ０後タイミングＴ１の前に、
スタート信号Ｄｓｔがローレベルとなり、ＴＦＴ６３，
４４がオフ状態となる。なお、この場合、容量Ｃａ
（１）には電荷が蓄積されている。ＴＦＴ６４がオフ状
態となることによって、ＴＦＴ６６のソース電極に定電
圧Ｖｄｄレベル（＋２５〔Ｖ〕）の信号が出力され、容
量Ｃｂ（１）に電荷が蓄積される。容量Ｃｂ（１）に電
荷が蓄積されることによって、ＴＦＴ６５がオン状態と
なり、これにより、基準電圧Ｖｓｓレベル（−１５
〔Ｖ〕）の信号が当該段ＲＳ（１）の出力信号ＯＵＴ
（１）として出力される。

【００８５】次に、タイミングＴ１でクロック信号ＣＫ
１がハイレベル（＋２５〔Ｖ〕）になる。すると、ＴＦ
Ｔ６４のゲート電極およびソース電極並びにそれらの間
のゲート絶縁膜からなる寄生容量がチャージアップされ
る。すなわち、容量Ｃａ（１）がチャージアップされ、
ブートストラップ効果によって容量Ｃａ（１）の電位が
ゲート飽和電圧に達すると、ＴＦＴ６４のドレイン電極
とソース電極との間に流れる電流が飽和する。これによ
り、当該段ＲＳ（１）から出力される出力信号ＯＵＴ
（１）は、クロック信号ＣＫ１と略同電位の＋２５
〔Ｖ〕となり、ハイレベルである。なお、クロック信号
ＣＫ１がハイレベルである期間は、ＴＦＴ６４の寄生容
量がチャージアップされることにより、容量Ｃａ（１）
の電位も略＋４５〔Ｖ〕にまで達する。

【００８６】次に、タイミングＴ１後タイミングＴ２の
前に、クロック信号ＣＫ１がローレベル（−１５
〔Ｖ〕）になる。これにより、出力信号ＯＵＴ（１）の
レベルも略−１５〔Ｖ〕となる。また、ＴＦＴ６４の寄
生容量へチャージされた電荷が放出され、容量Ｃａ
（１）の電位が低下する。

【００８７】また、タイミングＴ１からＴ２までの所定
期間、一番目の段ＲＳ（１）から出力されているハイレ
ベルの出力信号ＯＵＴ（１）は、二番目の段ＲＳ（２）
のＴＦＴ６１のゲート電極およびドレイン電極に入力さ
れている。これにより、一番目の段ＲＳ（１）にハイレ
ベルのスタート信号Ｄｓｔが入力された場合と同様に、
二番目の段ＲＳ（２）の容量Ｃａ（２）に電荷が蓄積さ
れる。タイミングＴ１からＴ２までの一部の間、二番目
の段ＲＳ（２）においては、ＴＦＴ６４がオン状態、Ｔ
ＦＴ６５がオフ状態となる。そして、ハイレベルの入力
信号（出力信号ＯＵＴ（１））が入力されている期間
は、オン状態のＴＦＴ６４のドレイン電極にローレベル
（−１５〔Ｖ〕）のクロック信号ＣＫ２が入力され、こ
のローレベルのクロック信号ＣＫ２が当該段ＲＳ（２）
の出力信号ＯＵＴ（２）として出力される。

【００８８】次に、タイミングＴ２になると、クロック
信号ＣＫ２がハイレベル（＋２５〔Ｖ〕）になる。する
と、段ＲＳ（２）のＴＦＴ６４のゲート電極およびソー
ス電極並びにそれらの間のゲート絶縁膜からなる寄生容
量がチャージアップされる。すなわち、容量Ｃａ（２）
がチャージアップされ、ブートストラップ効果によって
容量Ｃａ（２）の電位がゲート飽和電圧に達すると、Ｔ
ＦＴ６４のドレイン電極とソース電極との間に流れる電
流が飽和する。これにより、当該段ＲＳ（２）から出力
される出力信号ＯＵＴ（２）は、クロック信号ＣＫ２と
略同電位の＋２５〔Ｖ〕となり、ハイレベルである。な
お、クロック信号ＣＫ２がハイレベルである期間は、Ｔ
ＦＴ６４の寄生容量がチャージアップされることによ
り、容量Ｃａ（２）の電位も略＋４５〔Ｖ〕にまで達す
る。

【００８９】また、タイミングＴ２後タイミングＴ３前
において、ハイレベルの出力信号ＯＵＴ（２）が、一番
目の段ＲＳ（１）のＴＦＴ６２のゲート電極に入力され
る。これにより、段ＲＳ（１）の容量Ｃａ（１）の電位
は基準電圧Ｖｓｓとなる。

【００９０】次に、タイミングＴ２後タイミングＴ３の
前に、クロック信号ＣＫ２がローレベル（−１５
〔Ｖ〕）になる。これにより、出力信号ＯＵＴ（２）の
レベルも略−１５〔Ｖ〕となる。また、ＴＦＴ６４の寄
生容量へチャージされた電荷が放出され、容量Ｃａ
（２）の電位が低下する。

【００９１】以下同様に、タイミングＴｎまでの間で、
一走査期間Ｑ以内に、各段の出力信号ＯＵＴ（１）〜Ｏ
ＵＴ（ｎ）が順次ハイレベルとなる。すなわち、ハイレ
ベルの出力信号の出力される段が順次次の段にシフトし
ていくようになっている。ハイレベルの出力信号ＯＵＴ
（１）〜ＯＵＴ（ｎ）は、次段にシフトされても逓減す
ることがない。そして、一走査期間Ｑ後に再びスタート
信号Ｄｓｔがハイレベルとなり、以降の段ＲＳ（１）〜
段ＲＳ（ｎ）で上述の動作が繰り返されるようになって
いる。

【００９２】なお、ＴＧＬの最終段ＲＳ（ｎ）におい
て、ハイレベルの出力信号ＯＵＴ（ｎ）が次段のダミー
ＲＳ（ｎ＋１）に出力された後も、容量Ｃａ（ｎ）の電
位はハイレベルのままである。そして、ハイレベルの出
力信号ＯＵＴ（ｎ）が次段ＲＳ（ｎ＋１）に出力される
と、ダミー段ＲＳ（ｎ＋１）の出力信号ＯＵＴ（ｎ＋
１）により、最終段ＲＳ（ｎ）のＴＦＴ６２がオン状態
となり、容量Ｃａ（ｎ）の電位は基準電圧Ｖｓｓにな
る。同様に、ダミー段ＲＳ（ｎ＋２）の出力信号ＯＵＴ
（ｎ＋２）により、ダミー段ＲＳ（ｎ＋１）のＴＦＴ６
２がオン状態となり、容量Ｃａ（ｎ＋１）の電位は基準
電圧Ｖｓｓになる。そして、ハイレベルのリセット信号
Ｄｅｎｔがダミー段ＲＳ（ｎ＋２）のＴＦＴ６２に入力
されることにより、ダミー段ＲＳ（ｎ＋２）の電位は、
ハイレベルから基準電圧Ｖｓｓになる。

【００９３】また、ボトムゲートドライバ３２の動作
は、トップゲートドライバ３１の動作とほぼ同じである
が、コントローラ３４から入力されるクロック信号ＣＫ
１，ＣＫ２のハイレベルが＋１０〔Ｖ〕であるため、各
段ＲＳ（ｋ）（この場合、ｋは１〜ｎ）の出力信号ｏｕ
ｔ（ｋ）のハイレベルはほぼ＋１０〔Ｖ〕であり、この
際の容量Ｃａ（ｋ）のレベルは＋１８〔Ｖ〕程度であ
る。ボトムゲートドライバ３２のクロック信号ＣＫ１，
ＣＫ２がハイレベルとなっている期間は、トップゲート
ドライバ３１のクロック信号ＣＫ１，ＣＫ２がハイレベ
ルとなっている期間より短い。

【００９４】なお、上記のシフトレジスタを適用したト
ップゲートドライバ３１およびボトムゲートドライバ３
２は、コントローラ３４からの制御信号群Ｔｃｎｔ，Ｂ
ｃｎｔにしたがって、ＴＧＬ，ＢＧＬを順次選択して所
定の電圧を印加するものである。この制御信号群Ｔｃｎ
ｔ，Ｂｃｎｔに、上記したクロック信号ＣＫ１，ＣＫ
２、スタート信号Ｄｓｔ、リセット信号Ｄｅｎｄ、定電
圧Ｖｄｄおよび基準電圧Ｖｓｓが含まれる。

【００９５】次に、指紋読取装置Ａにおいて、被験者の
指紋を読み取る際の動作を説明する。被験者は、まず、
図２に示すように、指先Ｆが指先保持部Ｂにフィットす
るように、指先Ｆを指先保持部Ｂに接触させる。このと
き、指先Ｆが電荷を帯びた状態でも、フォトセンサ部３
０に接触する前に、指先保持部Ｂはアースに接続されて
いるので、静電気によりフォトセンサデバイスＣが損傷
したり、誤作動したりすることはない。その後、指先Ｆ
が、フォトセンサ部３０の上部に設けられた静電気除去
電極５３に接触すると、静電気除去電極５３間で変位す
る電圧又は電流をコントローラ３４が検知する。そし
て、コントローラ３４は、フォトセンスを開始するよう
に制御信号群Ｔｃｎｔ，Ｂｃｎｔ，Ｄｃｎｔをそれぞれ
トップゲートドライバ３１、ボトムゲートドライバ３
２，ドレインドライバ３３に供給するとともに、バック
ライト５２に発光信号を供給する。これに応じてバック
ライト５２が発光し、トップゲートドライバ３１、ボト
ムゲートドライバ３２，ドレインドライバ３３は、フォ
トセンサ部３０の各ＤＧ−ＴＦＴ３０ａに適宜信号を出
力し、行毎にフォトセンスする。

【００９６】ここで、図３を参照して、フォトセンスに
ついて説明すると、バックライト５２から照射される照
射光は、ボトムゲート電極４１により、直接、半導体層
４３には入射されず、保護絶縁膜５１に向かって進行す
る。指先Ｆの凸部は、静電気除去電極５３間の保護絶縁
膜５１に接触しており、指先Ｆに当たった照射光は乱反
射し、凸部の直下に配置されたＤＧ−ＴＦＴ３０ａの半
導体層４３に入射され、半導体層４３で光量に応じて電
子−正孔対が生成される。一方、指先Ｆの凹部は、保護
絶縁膜５１に接触していないので乱反射が起こらず、そ
の直下のＤＧ−ＴＦＴ３０ａの半導体層４３に、充分な
キャリアが生成される程の光が入射されることはない。

【００９７】ＤＧ−ＴＦＴ３０ａは、生成された電子−
正孔対のうちの正孔を、トップゲート電極５０に印加さ
れたキャリア蓄積電圧（−１５〔Ｖ〕）により、半導体
層４３およびトップゲート絶縁膜４９に蓄積させ、この
正孔による電荷がキャリア蓄積電圧の影響を緩和させ
る。一定時間経過後、ボトムゲート電極４１の電位は、
チャネル非形成電圧（０〔Ｖ〕）からチャネル形成電圧
（＋１０〔Ｖ〕）に変わると、蓄積された正孔の量が多
い程、言い換えると、入射された光の量が多い程、ＤＧ
−ＴＦＴ３０ａでドレイン電流値が大きくなり、ＤＬの
電位の変位も大きくなる。そして、ドレインドライバ３
３は、ＤＬの電位を行毎に読み取り、データ信号ＤＡＴ
Ａに変換してコントローラ３４に出力し、その結果、被
験者の指紋パターンが読み取られるようになっている。

【００９８】上述した指紋パターンを読み取る動作にお
いて、フォトセンサ部３０に備えられているＤＧ−ＴＦ
Ｔ３０ａの具体的な動作について、図１１（ａ）〜
（ｉ）に示す模式図を参照して説明する。なお、以下の
説明において、１Ｔの期間は、図１０に示す１Ｔ分の一
選択期間と同じ長さを有するものとする。また、説明を
簡単にするため、フォトセンサ部３０に配置されている
ＤＧ−ＴＦＴ３０ａのうち、最初の三行のみを考えるこ
ととする。

【００９９】まず、タイミングＴ１からＴ２までの１Ｔ
の期間において、図１１（ａ）に示すように、トップゲ
ートドライバ３１は、一行目のＴＧＬに＋２５〔Ｖ〕を
印加し、二、三行目（他の全行）のＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。すなわち、トップゲートドライバ３
１の段ＲＳ（１）からハイレベルの出力信号が出力さ
れ、段ＲＳ（２），ＲＳ（３）からローレベルの出力信
号が出力される。一方、ボトムゲートドライバ３２は、
すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。すなわち、ボト
ムゲートドライバ３２の段ＲＳ（１）〜ＲＳ（３）から
ローレベルの出力信号が出力される。この期間におい
て、一行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａがリセット状態（図７
（ａ）参照）となり、二、三行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａ
が前の垂直期間での読み出し状態を終了した状態（フォ
トセンスに影響しない状態）となる。

【０１００】次に、タイミングＴ２からＴ３までの１Ｔ
の期間において、図１１（ｂ）に示すように、ハイレベ
ルの出力信号がトップゲートドライバ３１の段ＲＳ
（２）にシフトして、トップゲートドライバ３１は、二
行目のＴＧＬに＋２５〔Ｖ〕を印加し、他のＴＧＬに−
１５〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ３
２は、すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。この期間
において、一行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａがフォトセンス
状態（図７（ｅ）参照）となり、二行目のＤＧ−ＴＦＴ
３０ａがリセット状態（図７（ａ）参照）となり、三行
目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａが前の垂直期間での読み出し状
態を終了した状態（フォトセンスに影響しない状態）と
なる。

【０１０１】次に、タイミングＴ３からＴ４までの１Ｔ
の期間において、図１１（ｃ）に示すように、ハイレベ
ルの出力信号がトップゲートドライバ３１の段ＲＳ
（３）にシフトして、トップゲートドライバ４は、三行
目のＴＧＬに＋２５〔Ｖ〕を印加し、他のＴＧＬに−１
５〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ３２
は、すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。この期間に
おいて、一、二行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａがフォトセン
ス状態（図７（ｅ）参照）となり、三行目のＤＧ−ＴＦ
Ｔ３０ａがリセット状態（図７（ａ）参照）となる。

【０１０２】次に、タイミングＴ４からＴ４．５までの
０．５Ｔの期間において、図１１（ｄ）に示すように、
トップゲートドライバ３１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ３２
は、すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。また、ドレ
インドライバ３３は、すべてのＤＬに＋１０〔Ｖ〕を印
加する。この期間において、すべての行のＤＧ−ＴＦＴ
３０ａがフォトセンス状態（図７（ｅ）参照）となる。

【０１０３】次に、タイミングＴ４．５からＴ５までの
０．５Ｔの期間において、図１１（ｅ）に示すように、
トップゲートドライバ３１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ５は、
一行目のＢＧＬに＋１０〔Ｖ〕を印加し、他のＢＧＬに
０〔Ｖ〕を印加する。すなわち、ボトムゲートドライバ
３２の段ＲＳ（１）からハイレベルの出力信号が出力さ
れ、段ＲＳ（２），ＲＳ（３）からローレベルの出力信
号が出力される。この期間において、一行目のＤＧ−Ｔ
ＦＴ３０ａが第一または第二の読み出し状態（図７
（ｄ）又は（ｆ）参照）となり、二、三行目のＤＧ−Ｔ
ＦＴ３０ａがフォトセンス状態（図７（ｅ）参照）のま
まとなる。

【０１０４】ここで、一行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａで
は、フォトセンス状態となっていたタイミングＴ２から
Ｔ４．５までの期間で十分な光が半導体層４３に照射さ
れていると、第二の読み出し状態（図７（ｆ）参照）と
なって半導体層４３内にｎチャネルが形成されるため、
対応するＤＬ上の電荷がディスチャージされる。一方、
タイミングＴ２からＴ４．５までの期間で十分な光が半
導体層４３に照射されていないと、第一の読み出し状態
（図７（ｄ）参照）となって半導体層４３内のｎチャネ
ルがピンチオフされるため、対応するＤＬ上の電荷はデ
ィスチャージされない。ドレインドライバ３３は、タイ
ミングＴ４．５からＴ５までの期間で各ＤＬ上の電位を
読み出して、データ信号ＤＡＴＡに変換し、一行目のＤ
Ｇ−ＴＦＴ３０ａが検出したデータとしてコントローラ
３４に供給する。

【０１０５】次に、タイミングＴ５からＴ５．５までの
０．５Ｔの期間において、図１１（ｆ）に示すように、
トップゲートドライバ３１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ３２
は、すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。また、ドレ
インドライバ３３は、すべてのＤＬに＋１０〔Ｖ〕を印
加する。この期間において、一行目のＤＧ−ＴＦＴ３０
ａが読み出しを終了した状態となり、二、三行目のＤＧ
−ＴＦＴ３０ａがフォトセンス状態（図７（ｅ）参照）
となる。なお、タイミングＴ５からＴ５．５の間では、
ボトムゲートドライバ３２の段ＲＳ（１）のハイレベル
の出力信号が段ＲＳ（２）に入力されるが、段ＲＳ
（２）に入力されるクロック信号ＣＫ２がハイレベルに
なっていないため、二行目のＢＧＬが０〔Ｖ〕に印加さ
れている。

【０１０６】次に、タイミングＴ５．５からＴ６までの
０．５Ｔの期間において、図１１（ｇ）に示すように、
トップゲートドライバ３１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ハイレベルの出力信号がボト
ムゲートドライバ３２の段ＲＳ（２）にシフトして、ボ
トムゲートドライバ３２は、二行目のＢＧＬに＋１０
〔Ｖ〕を印加し、他のＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。こ
の期間において、一行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａが読み出
しを終了した状態となり、二行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａ
が第一または第二の読み出し状態（図７（ｄ）または
（ｆ）参照）となり、三行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａがフ
ォトセンス状態（図７（ｅ）参照）となる。

【０１０７】ここで、二行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａで
は、フォトセンス状態となっていたタイミングＴ３から
Ｔ５．５までの期間で十分な光が半導体層４３に照射さ
れていると、第二の読み出し状態（図７（ｆ）参照）と
なって半導体層４３内にｎチャネルが形成されるため、
対応するＤＬ上の電荷がディスチャージされる。一方、
タイミングＴ３からＴ５．５までの期間で十分な光が半
導体層４３に照射されていないと、第一の読み出し状態
（図７（ｄ）参照）となって半導体層４３内のｎチャネ
ルがピンチオフされるため、対応するＤＬ上の電荷はデ
ィスチャージされない。ドレインドライバ３３は、タイ
ミングＴ５．５からＴ６までの期間で各ＤＬ上の電位を
読み出して、データ信号ＤＡＴＡに変換し、二行目のＤ
Ｇ−ＴＦＴ３０ａが検出したデータとしてコントローラ
３４に供給する。

【０１０８】次に、タイミングＴ６からＴ６．５までの
０．５Ｔの期間において、図１１（ｈ）に示すように、
トップゲートドライバ３１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ３２
は、すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。また、ドレ
インドライバ３３は、すべてのＤＬに＋１０〔Ｖ〕を印
加する。この期間において、一、二行目のＤＧ−ＴＦＴ
３０ａが読み出しを終了した状態となり、三行目のＤＧ
−ＴＦＴ３０ａがフォトセンス状態（図７（ｅ）参照）
となる。

【０１０９】次に、タイミングＴ６．５からＴ７までの
０．５Ｔの期間において、図１１（ｉ）に示すように、
トップゲートドライバ３１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ハイレベルの出力信号がボト
ムゲートドライバ３２の段ＲＳ（３）にシフトして、ボ
トムゲートドライバ３２は、三行目のＢＧＬに＋１０
〔Ｖ〕を印加し、他のＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。こ
の期間において、一、二行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａが読
み出しを終了した状態となり、三行目のＤＧ−ＴＦＴ３
０ａが第一または第二の読み出し状態（図７（ｄ）また
は（ｆ）参照）となる。

【０１１０】ここで、三行目のダブルゲートトランジス
タ７では、フォトセンス状態となっていたタイミングＴ
４からＴ６．５までの期間で十分な光が半導体層４３に
照射されていると、第二の読み出し状態（図７（ｆ）参
照）となって半導体層４３内にｎチャネルが形成される
ため、対応するＤＬ上の電荷がディスチャージされる。
一方、タイミングＴ４からＴ６．５までの期間で十分な
光が半導体層４３に照射されていないと、第一の読み出
し状態（図７（ｄ）参照）となって半導体層４３内のｎ
チャネルがピンチオフされるため、対応するＤＬ上の電
荷はディスチャージされない。ドレインドライバ３３
は、タイミングＴ６．５からＴ７までの期間で各ＤＬ上
の電位を読み出して、データ信号ＤＡＴＡに変換し、三
行目のＤＧ−ＴＦＴ３０ａが検出したデータとしてコン
トローラ３４に供給する。

【０１１１】こうしてドレインドライバ３３から行毎に
供給されたデータ信号ＤＡＴＡに対して、コントローラ
３４が所定の処理を行うことで、被験者の指先Ｆの指紋
パターンが読み取られるようになっている。

【０１１２】以上のようなデータ管理システム１による
データ管理方法について、図１２を参照し説明する。

【０１１３】アクセス要求者が、管理者によって管理さ
れるデータにアクセスする際には、まず、端末２に管理
者のデータにアクセスしたい旨（例えば、管理者が管理
するデータベース４全体にアクセスしたいか、ある特定
のファイル（例えばファイルａ）のみにアクセスしたい
か）を入力し、該入力情報を認証システム６に送信す
る。（ステップＳ１、Ｓ２）

【０１１４】認証システム６は、上記のように端末２か
らアクセス要求が入力されると、アクセス時間の計時を
開始するとともに、端末２にアクセス要求者の指紋の読
み取りを要求する。（ステップＳ３、Ｓ４）この要求にしたがって、アクセス要求者は、端末２の指
紋読取装置Ａに指紋の読み取りを行わせ、該読取った指
紋データを、端末２を介して認証システム６へと送信す
る。（ステップＳ５、Ｓ６）なお、ステップＳ５とステップＳ１およびステップＳ６
とステップＳ２とは、それぞれ一緒に行なうようにして
もよく、こうした場合には上記ステップＳ３、Ｓ４は省
略される。

【０１１５】認証システム６は、予め記憶された照合用
指紋データ中に、端末２から入力された指紋データと一
致するものがあるかどうかを、両者を照合することで判
断する。（ステップＳ７）そして、一致するものがある
と、アクセス要求者を特定するとともに、管理者用の携
帯端末１３にコールする。そして、認証システム６は、
このコールに対して携帯端末１３に応答したものが、本
当にその携帯端末１３を所有する管理者であるかどうか
を確認するために、携帯端末１３に応答者の指紋の入力
を要求する報知を行わせる。（ステップＳ７ａ、ステッ
プＳ８ａ）一方、照合の結果、予め記憶された照合用指紋データ中
に、端末２から入力された指紋データと一致するものが
なかった場合には、認証システム６は、管理者のデータ
へのアクセス制限を維持するとともに、指紋照合用デー
タに一致するものがなかったことを端末２に表示させ、
その旨をアクセス要求者に伝える。（ステップＳ７ｂ、
Ｓ８ｂ）また、照合の結果、予め記憶された照合用指紋データ中
に、端末２から入力された指紋データと一致するものが
あり、その一致を知らせるために管理者の携帯端末１３
へコールしても繋がらない場合には、基本的には、一致
するものがなかった場合と同様に、認証システム６は、
ファイルａへのアクセス制限を維持するとともに、指紋
照合用データに一致するものがなかったことを端末２に
表示させ、その旨をアクセス要求者に伝える（ステップ
Ｓ７ｃ、Ｓ８ｃ）。さらに、留守番電話サービスセンタ
ー２０にアクセス要求者からアクセス要求があった旨を
音声データとして送信する。（ステップＳ７ｄ）

【０１１６】管理者は、携帯端末１３が指紋入力の要求
を報知すると、この要求にしたがって、携帯端末１３の
指紋読取装置Ａに指紋の読み取りを行わせ、該読取った
指紋データを認証システム６へと送信する。（ステップ
Ｓ９、Ｓ１０）

【０１１７】認証システム６は、予め記憶された照合用
指紋データの中から、携帯端末１３を所有する管理者の
指紋データを選択し、該指紋データと携帯端末１３から
送信された指紋データとを照合する。（ステップＳ１
１）その照合の結果、一致した場合には、端末２に一致
した旨を表示させ、アクセス要求者にその旨を伝えると
ともに、携帯端末１３にアクセス要求者名や、アクセス
要求内容（例えば、データベース４全体に対するアクセ
ス要求か、特定のファイル（この場合ファイルａ）に対
するアクセス要求か）などを表示させ、管理者に自分の
管理するファイルにアクセス要求がなされていることを
伝える。なお、データベース４全体に対するアクセス要
求であった場合には、データベース４に格納されるファ
イル名が一覧となって携帯端末１３に表示される。（ス
テップＳ１１ａ、Ｓ１２ａ）一方、照合の結果、携帯端末１３を所有する管理者の指
紋データと、携帯端末１３から送信された指紋データと
が一致しなかった場合には、端末２に一致しなかった旨
を表示させ、アクセス要求者にその旨を伝えるととも
に、同様に携帯端末１３にも一致しなかった旨を報知さ
せ、携帯端末１３に応答した人物にその旨を伝える。
（ステップＳ１１ｂ、Ｓ１２ｂ）

【０１１８】管理者は、携帯端末１３に表示されたアク
セス要求者名や、アクセス要求内容に応じて、アクセス
を許可するか否かを決定し、許可する場合は、さらにア
クセス種類（閲覧のみ、コピー可、上書き可）を選択し
送信する。なお、データベース４全体に対するアクセス
要求であった場合には、ファイル毎にアクセスの許可の
有無やアクセス種類を決定する。（ステップＳ１３、Ｓ
１４）

【０１１９】認証システム６は、携帯端末１３からの入
力信号にしたがって、ファイルに対するロックを解除す
るか、そのまま維持し続けるかを決定するとともに、そ
の決定事項を端末２に送信し表示させる。ここで、ロッ
クが解除される場合には認証システム６は、アクセスさ
れるファイルのバックアップデータを作成し、該バック
アップデータに対するアクセス要求者からのアクセスを
制限する。（ステップＳ１５、ステップＳ１６）

【０１２０】アクセス要求者は、ファイルａに対するロ
ックが解除されたことを確認すると、端末２を操作し、
ファイルａにアクセスする。このアクセスに基づいて認
証システム６は、アクセス内容（アクセス者名、アクセ
ス日時、アクセス履歴など）を記憶し、なおかつ、アク
セス終了に基づいて、ファイルａに対するアクセス規制
を再開するとともに、アクセス時間の計時を終了し該時
間を記憶する。そして、認証システム６は、アクセス時
間、あるいはアクセス数を基にに計測された課金データ
に基づいてアクセス要求者に課金を行なう。（ステップ
Ｓ１７、Ｓ１８）

【０１２１】以上のように本実施の形態では、アクセス
要求者が他人の管理するデータにアクセスする場合に
は、アクセス要求者と管理者の両者が認証されなけれ
ば、データのアクセス制限が解除されない構成となって
いるので、単独で他人のデータにアクセスすることを防
止することができる。したがって、犯罪の抑止効果を得
ることができる。また、管理者が所持する携帯端末１３
によって、管理者はデータベース４、５およびファイル
のアクセス規制の解除および維持が設定できる構成とな
っているので、管理者が携帯端末１３の通信範囲にいる
限りは、アクセス要求に対する対応をとることができ
る。また、携帯端末は通常携帯性に優れているので、常
に所持しておくことが容易にできる。また、携帯端末１
３に、データ記憶装置３のデータベース4、5およびファ
イルを直接操作できるアプリケーションが付属していな
くとも、認証システム6がデータベースおよび各ファイ
ルを携帯端末１３の仕様に応じて表示するとともに、指
紋認証自体も行なうので、携帯端末１３は、指紋データ
の送信に適した信号に加工するデーコーダおよび指紋読
取装置Ａを有しているだけでよい。したがって、携帯端
末１３を比較的簡易な構造にすることができ、さらに
は、直接データ記憶装置３を操作できる端末等を常に所
持しておく必要もなくなる。また、携帯端末１３に管理
者が出なくとも、アクセス要求者からアクセス要求なさ
れていることが留守番電話サービスセンター２０に記憶
されているので、管理者は、通話可能なときに留守番電
話サービスセンター２０から通知されアクセス要求を知
ることができる。アクセスされるファイルは、アクセス
される前にバックアップされるように設定されているの
で、操作間違いによりアクセスしたファイルが消去され
ても、バックアップデータは残り、ファイルをアクセス
以前の状態で保存しておくことができる。また、認証シ
ステム６が、アクセスされたファイルに対するアクセス
内容（アクセス者名、アクセス日時、アクセス履歴等）
が記憶されているので、アクセス要求者によってアクセ
スされたファイルが分かり、アクセス要求者がファイル
を改竄した際においても容易に改竄した人物を特定でき
る。したがって、犯罪の抑止効果を高めることができ
る。

【０１２２】なお、本実施の形態では携帯端末１３とし
て携帯電話を例示して説明したが、これ以外にもＰＤＡ
（Personal Digital Assistant）、モバイルＰＣ、ウェ
ラブル端末等でもよい。また、管理者がアクセス要求者
のアクセス時間を任意に設定できるようにしてもよい。
また、認証システム６は、管理者からのアクセス許可後
に、アクセス要求者の具体的な実行状況（アクセス者、
アクセス日時、アクセス内容等）を逐次携帯端末１３に
送信、表示させてもよい。また、本実施の形態における
認証システムおよび携帯端末それぞれの一連の処理を、
コンピュータで実行可能なプログラムとして提供しても
よく、こうした場合、ＣＤ−ＲＯＭやフロッピー（登録
商標）（登録商標）ディスクなどの記憶媒体あるいは通
信回線を経て提供することが可能である。なお、今回開
示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的
なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲
は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべて
の変更が含まれることが意図される。

【０１２３】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、アクセス
要求者が、管理者によりアクセス制限されたデータにア
クセスする際には、アクセス要求者と管理者の両者の認
証が必要となり、単独で他人が管理するデータにアクセ
スすることを防止できる。したがって、犯罪抑止効果を
得ることができる。また、第二の端末を操作する人物
が、アクセス要求されるデータの管理者でなければ、該
第二の端末でデータへのアクセス状態（アクセスが可能
な状態あるいはアクセスが制限される状態）の設定が行
えないので、機密安全性を高めることができる。また、
指紋データと照合用指紋データの照合によりアクセス要
求者および管理者を認証するので、データ毎にパスワー
ドを設定、記憶する必要がなくなるとともに、データに
アクセスする個人を確実に特定できるので、より高い犯
罪抑止効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した実施の形態のデータ管理シス
テムの全体構成を示すブロック図である。

【図２】図１の端末および携帯端末に備わる指紋読取装
置を示す斜視図である。

【図３】前記指紋読取装置のフォトセンサデバイスの回
路構成を示す図である。

【図４】前記指紋読取装置に設けられたフォトセンサ部
のダブルゲートトランジスタの具体的な態様を示す平面
図である。

【図５】前記ダブルゲートトランジスタの具体的な態様
を示す図であり、図４におけるＺ−Ｚ断面を示す断面図
である。

【図６】前記指紋読取装置の指先保持部を示す平面図で
ある。

【図７】前記フォトセンサ部を構成するダブルゲートト
ランジスタの駆動原理を説明するための模式図である。

【図８】前記ドライバ回路部を構成するトップゲートド
ライバ又はボトムゲートドライバの全体構成を示す図で
ある。

【図９】前記トップゲートドライバ又はボトムゲートド
ライバの各段の回路構成を示す図である。

【図１０】前記トップゲートドライバ又はボトムゲート
ドライバの動作を示すタイミングチャートである。

【図１１】前記指紋読取装置において、被験者の指紋読
取動作を説明するための模式図である。

【図１２】図１のデータ管理システムのデータ管理方法
を示すフローチャートである。

【図１３】従来のデータ管理システムのデータ管理方法
を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１データ管理システム２端末（第一の端末）３データ記憶装置６認証システム７認証課金処理部（要求者照合手段、通知手段、管
理者確認手段、制限解除手段）８記憶部（記憶手段）１３携帯端末（第二の端末）Ａ指紋読取装置Ｍ移動体通信システム

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一の端末からアクセス可能なデータ記憶
装置に記憶されるとともに管理者によりアクセスが制限
されたデータへのアクセスが第一の端末を介してアクセ
ス要求者から要求され、かつ、第一の端末を介して前記
アクセス要求者の指紋データが入力された場合に、該指
紋データを予め記憶された照合用指紋データと照合して
前記アクセス要求者を特定する要求者照合ステップと、前記アクセス要求者が特定された場合に、前記管理者用
の第二の端末に、前記アクセス要求者から前記データへ
のアクセスの要求があったことを通知する通知ステップ
と、前記管理者の指紋データが第二の端末から入力された場
合に、該指紋データを照合用指紋データと照合して指紋
データが前記管理者のものか否かを確認する管理者確認
ステップと、第二の端末から入力された前記指紋データが前記管理者
のものであることが確認され、かつ、第二の端末から前
記アクセス要求者の要求に応じて前記データへのアクセ
スを許可するか否かを示す情報が入力された場合に、該
情報に基づいて、前記データ記憶装置に対して前記デー
タへの第一の端末からのアクセスを許可するかもしくは
アクセスの制限を維持する制限解除ステップとを備えた
ことを特徴とするデータ管理方法。
【請求項２】第一の端末および第二の端末には、指紋読
取装置が設けられ、前記要求者照合ステップおよび管理
者確認ステップにおいて、前記指紋読取装置に読取られ
て、第一および第二の端末から出力された指紋データを
用いるようになっていることを特徴とする請求項１記載
のデータ管理方法。
【請求項３】第一の端末、第二の端末およびデータ記憶
装置と情報の入出力が可能な認証システムが、前記要求
者照合ステップ、通知ステップ、管理者確認ステップお
よび制限解除ステップを行うことを特徴とする請求項１
または２記載のデータ管理方法。
【請求項４】第一の端末および第二の端末のうちの少な
くとも第二の端末が、携帯電話等の移動体通信システム
に接続可能な携帯端末とされるとともに、前記第二の端
末に対応する電話番号が前記認証システムに備えられた
記憶手段に記憶され、認証システムから移動体通信シス
テムを介して第二の端末に接続するようになっているこ
とを特徴とする請求項３記載のデータ管理方法。
【請求項５】前記認証システムが、前記アクセス要求者
が前記管理者の許可に基づいてアクセスを制限されたデ
ータにアクセスする場合に、アクセスされる前に前記デ
ータのバックアップデータを作成するとともに、前記バ
ックアップデータのアクセスを制限し、かつ、前記デー
タへのアクセス内容を記憶するデータ保護ステップを備
えることを特徴とする請求項３または４記載のデータ管
理方法。
【請求項６】前記認証システムが、アクセス要求者から
のアクセス数およびアクセス時間のうちの少なくとも一
つからなるアクセス量を計測して記憶するとともに、該
アクセス量に基づいて、アクセス要求者に対して課金す
る課金ステップを備えることを特徴とする請求項３〜５
のいずれか一つに記載のデータ管理方法。
【請求項７】コンピュータに、第一の端末からアクセス可能なデータ記憶装置に記憶さ
れるとともに管理者によりアクセスが制限されたデータ
へのアクセスが第一の端末を介してアクセス要求者から
要求され、かつ、第一の端末を介して前記アクセス要求
者の指紋データが入力された場合に、該指紋データを予
め記憶された照合用指紋データと照合して前記アクセス
要求者を特定する要求者照合機能と、前記アクセス要求者が特定された場合に、前記管理者用
の第二の端末に、前記アクセス要求者から前記データへ
のアクセスの要求があったことを通知する通知機能と、前記管理者の指紋データが第二の端末から入力された場
合に、該指紋データを照合用指紋データと照合して指紋
データが前記管理者のものか否かを確認する管理者確認
機能と、第二の端末から入力された前記指紋データが前記管理者
のものであることが確認され、かつ、第二の端末から前
記アクセス要求者の要求に応じて前記データへのアクセ
スを許可するか否かを示す情報が入力された場合に、該
情報に基づいて、前記データ記憶装置に対して前記デー
タへの第一の端末からのアクセスを許可するかもしくは
アクセスの制限を維持する制限解除機能とを実現させる
ことを特徴とするデータ管理プログラム。
【請求項８】第一の端末からアクセス可能なデータ記憶
装置に記憶されるとともに管理者によりアクセスが制限
されたデータへのアクセスが第一の端末を介してアクセ
ス要求者から要求され、かつ、第一の端末を介して前記
アクセス要求者の指紋データが入力された場合に、該指
紋データを予め記憶された照合用指紋データと照合して
前記アクセス要求者を特定する要求者照合手段と、前記アクセス要求者が特定された場合に、前記管理者用
の第二の端末に、前記アクセス要求者から前記データへ
のアクセスの要求があったことを通知する通知手段と、前記管理者の指紋データが第二の端末から入力された場
合に、該指紋データを照合用指紋データと照合して指紋
データが前記管理者のものか否かを確認する管理者確認
手段と、第二の端末から入力された前記指紋データが前記管理者
のものであることが確認され、かつ、第二の端末から前
記アクセス要求者の要求に応じて前記データへのアクセ
スを許可するか否かを示す情報が入力された場合に、該
情報に基づいて、前記データ記憶装置に対して前記デー
タへの第一の端末からのアクセスを許可するかもしくは
アクセスの制限を維持する制限解除手段とを備えたこと
を特徴とする認証システム。
【請求項９】管理者にアクセスを制限されたデータを記
憶したデータ記憶装置と、該データ記憶装置にアクセス可能な端末と、移動体通信システムを用いて通信可能な前記管理者用の
携帯端末と、前記端末から前記データ記憶装置の管理者にアクセスを
制限されたデータへのアクセス要求があった場合に、前
記端末からアクセスを要求しているアクセス要求者を特
定するとともに、特定されたアクセス要求者から前記デ
ータへのアクセス要求があったことを前記携帯端末に通
知し、該携帯端末の操作者が管理者であることを確認す
るとともに、前記携帯端末から前記アクセス要求者の要
求に応じて前記データへのアクセスを許可するか否かを
示す情報が入力された場合に、該情報に基づいて、前記
データ記憶装置に対して前記データへの前記端末からの
アクセスを許可するかもしくはアクセスの制限を維持す
る認証システムとを備え、前記端末および携帯端末には、指紋読取装置が設けら
れ、前記認証システムは、該指紋読取装置に読み取られ、か
つ、端末および携帯端末から認証システムに入力された
指紋データを、予め認証システムの記憶手段に記憶され
た照合用指紋データを用いて照合することにより、アク
セス要求者の特定および管理者の確認を行うことを特徴
とするデータ管理システム。