JP2003027249A - 無電解めっき方法及び装置、並びに基板処理方法及び装置 - Google Patents
無電解めっき方法及び装置、並びに基板処理方法及び装置Info
- Publication number
- JP2003027249A JP2003027249A JP2001150080A JP2001150080A JP2003027249A JP 2003027249 A JP2003027249 A JP 2003027249A JP 2001150080 A JP2001150080 A JP 2001150080A JP 2001150080 A JP2001150080 A JP 2001150080A JP 2003027249 A JP2003027249 A JP 2003027249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plating
- film
- electroless plating
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 190
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 123
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 73
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 abstract description 20
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 43
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 42
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100033029 Carbonic anhydrase-related protein 11 Human genes 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 101000867841 Homo sapiens Carbonic anhydrase-related protein 11 Proteins 0.000 description 1
- 101001075218 Homo sapiens Gastrokine-1 Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
- H01L21/76849—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric the layer being positioned on top of the main fill metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
- C23C18/1632—Features specific for the apparatus, e.g. layout of cells and of its equipment, multiple cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
- C23C18/1669—Agitation, e.g. air introduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/7684—Smoothing; Planarisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76853—Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
- H01L21/76861—Post-treatment or after-treatment not introducing additional chemical elements into the layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部の微細孔が生じることを防止し、しかも
面内均一性及び選択性を向上させためっき膜を形成する
ことができるようにした無電解めっき方法及び装置を提
供する。 【解決手段】 基板Ｗを無電解めっき液５０中に接触さ
せて該基板Ｗの表面にめっき膜を形成する工程と、基板
Ｗの表面に形成されるめっき膜の表面をスクラブ部材５
６で擦る工程とを有する。
面内均一性及び選択性を向上させためっき膜を形成する
ことができるようにした無電解めっき方法及び装置を提
供する。 【解決手段】 基板Ｗを無電解めっき液５０中に接触さ
せて該基板Ｗの表面にめっき膜を形成する工程と、基板
Ｗの表面に形成されるめっき膜の表面をスクラブ部材５
６で擦る工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解めっき方法
及び装置、並びに基板処置方法及び装置に関し、特に半
導体基板等の基板の表面に設けた配線用の微細な凹部
に、銀や銅等の導電体を埋め込んで構成した埋め込み配
線構造を有する電子デバイス装置の該配線の表面を保護
する保護膜を形成するのに使用される無電解めっき方法
及び装置、並びに半導体ウエハのような高い平坦度と洗
浄度を必要とする基板に膜つけ（めっき）するのに好適
な基板処置方法及び装置に関する。
及び装置、並びに基板処置方法及び装置に関し、特に半
導体基板等の基板の表面に設けた配線用の微細な凹部
に、銀や銅等の導電体を埋め込んで構成した埋め込み配
線構造を有する電子デバイス装置の該配線の表面を保護
する保護膜を形成するのに使用される無電解めっき方法
及び装置、並びに半導体ウエハのような高い平坦度と洗
浄度を必要とする基板に膜つけ（めっき）するのに好適
な基板処置方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイス装置の配線形成プロセスと
して、配線溝及びコンタクトホールに金属（導電体）を
埋め込むようにしたプロセス（いわゆる、ダマシンプロ
セス）が使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め
形成した配線溝やコンタクトホールに、アルミニウム、
近年では銀や銅等の金属を埋め込んだ後、余分な金属を
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去し平坦化する
プロセス技術である。
して、配線溝及びコンタクトホールに金属（導電体）を
埋め込むようにしたプロセス（いわゆる、ダマシンプロ
セス）が使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め
形成した配線溝やコンタクトホールに、アルミニウム、
近年では銀や銅等の金属を埋め込んだ後、余分な金属を
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去し平坦化する
プロセス技術である。
【０００３】近年、半導体基板上に配線回路を形成する
ための金属材料として、アルミニウムまたはアルミニウ
ム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレ
ーション耐性が高い銅を用いる動きが顕著になってい
る。この種の銅配線を形成する方法としては、ＣＶＤ、
スパッタリング及びめっきといった手法があるが、いず
れにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜し、化学的機
械的研磨（ＣＭＰ）により不要な銅を除去するようにし
ている。
ための金属材料として、アルミニウムまたはアルミニウ
ム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレ
ーション耐性が高い銅を用いる動きが顕著になってい
る。この種の銅配線を形成する方法としては、ＣＶＤ、
スパッタリング及びめっきといった手法があるが、いず
れにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜し、化学的機
械的研磨（ＣＭＰ）により不要な銅を除去するようにし
ている。
【０００４】この種の配線にあっては、平坦化後、その
配線の表面が外部に露出しており、この上に埋め込み配
線を形成する際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセ
スにおけるＳｉＯ２形成時の表面酸化やコンタクトホー
ルを形成するためのＳｉＯ２エッチング等に際して、コ
ンタクトホールの底に露出した配線のエッチャントやレ
ジスト剥離等による表面汚染、更には銅配線にあっては
銅の拡散が懸念されている。
配線の表面が外部に露出しており、この上に埋め込み配
線を形成する際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセ
スにおけるＳｉＯ２形成時の表面酸化やコンタクトホー
ルを形成するためのＳｉＯ２エッチング等に際して、コ
ンタクトホールの底に露出した配線のエッチャントやレ
ジスト剥離等による表面汚染、更には銅配線にあっては
銅の拡散が懸念されている。
【０００５】このため、従来、表面が露出している配線
形成部のみならず、半導体基板の全表面にＳｉＮ等の配
線保護膜を形成して、配線のエッチャント等による汚染
を防止することが一般に行われていた。
形成部のみならず、半導体基板の全表面にＳｉＮ等の配
線保護膜を形成して、配線のエッチャント等による汚染
を防止することが一般に行われていた。
【０００６】しかしながら、半導体基板の全表面にＳｉ
Ｎ等の保護膜を形成すると、埋め込み配線構造を有する
電子デバイス装置においては、層間絶縁膜の誘電率が上
昇して配線遅延を誘発し、配線材料として銀や銅のよう
な低抵抗材料を使用したとしても、電子デバイス装置と
しての能力向上を阻害してしまう。
Ｎ等の保護膜を形成すると、埋め込み配線構造を有する
電子デバイス装置においては、層間絶縁膜の誘電率が上
昇して配線遅延を誘発し、配線材料として銀や銅のよう
な低抵抗材料を使用したとしても、電子デバイス装置と
しての能力向上を阻害してしまう。
【０００７】このため、銀や銅等の配線材料との接合が
強く、しかも比抵抗（ρ）が低い、例えばＮｉ−Ｂ合金
膜等からなる保護膜で配線の表面を選択的に覆って保護
することが考えられる。ここで、Ｎｉ−Ｂ合金膜は、例
えばニッケルイオン、ニッケルイオンの錯化剤、ニッケ
ルイオンの還元剤としてのアルキルアミンボランまたは
硼素化水素化合物等を有する無電解めっき液を使用した
無電解めっきを施すことによって、銅等の表面に選択的
に形成することができる。
強く、しかも比抵抗（ρ）が低い、例えばＮｉ−Ｂ合金
膜等からなる保護膜で配線の表面を選択的に覆って保護
することが考えられる。ここで、Ｎｉ−Ｂ合金膜は、例
えばニッケルイオン、ニッケルイオンの錯化剤、ニッケ
ルイオンの還元剤としてのアルキルアミンボランまたは
硼素化水素化合物等を有する無電解めっき液を使用した
無電解めっきを施すことによって、銅等の表面に選択的
に形成することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、無電解
めっきにあっては、その成膜の過程で必然的にＨ２ガス
が発生し、このＨ２ガスがめっき膜中に取り込まれ噴出
した時に生じるガス噴き痕によって、配線等の表面を選
択的に覆って保護する保護膜（めっき膜）中に微細な孔
が生じることがある。そして、このように、Ｎｉ−Ｂ合
金膜等からなる保護膜（めっき膜）の内部に肉厚方向に
貫通する微細孔が生じると、例えば銅配線の表面を保護
膜で覆った場合にあっては、銅の表面が外部に露出して
銅の拡散が生じる等、保護膜として機能しなくなるとい
った問題があった。しかも、無電解めっきによって銅等
の表面に選択的に形成したＮｉ−Ｂ合金膜等の保護膜
（めっき膜）は、一般に膜厚にばらつきが大きくて面内
均一性が悪いばかりでなく、選択性も悪いのが現状であ
った。
めっきにあっては、その成膜の過程で必然的にＨ２ガス
が発生し、このＨ２ガスがめっき膜中に取り込まれ噴出
した時に生じるガス噴き痕によって、配線等の表面を選
択的に覆って保護する保護膜（めっき膜）中に微細な孔
が生じることがある。そして、このように、Ｎｉ−Ｂ合
金膜等からなる保護膜（めっき膜）の内部に肉厚方向に
貫通する微細孔が生じると、例えば銅配線の表面を保護
膜で覆った場合にあっては、銅の表面が外部に露出して
銅の拡散が生じる等、保護膜として機能しなくなるとい
った問題があった。しかも、無電解めっきによって銅等
の表面に選択的に形成したＮｉ−Ｂ合金膜等の保護膜
（めっき膜）は、一般に膜厚にばらつきが大きくて面内
均一性が悪いばかりでなく、選択性も悪いのが現状であ
った。
【０００９】更に、銅配線を形成する際には、ＣＭＰ処
理を終了した直後の銅表面と、時間が経過した後の銅表
面では、酸化した深さが異なり、このため、その後に銅
配線の表面を保護膜で保護すると、この保護膜を付けた
時の状態が変わって、安定した製品が得られない場合が
あった。
理を終了した直後の銅表面と、時間が経過した後の銅表
面では、酸化した深さが異なり、このため、その後に銅
配線の表面を保護膜で保護すると、この保護膜を付けた
時の状態が変わって、安定した製品が得られない場合が
あった。
【００１０】本発明は上記に鑑み、内部の微細孔が生じ
ることを防止し、しかも面内均一性及び選択性を向上さ
せためっき膜を形成することができるようにした無電解
めっき方法及び装置、並びに、より安定した膜状態の保
護膜で研磨終了後の基板表面を保護できるようにした基
板処置方法及び装置を提供することを目的とする。
ることを防止し、しかも面内均一性及び選択性を向上さ
せためっき膜を形成することができるようにした無電解
めっき方法及び装置、並びに、より安定した膜状態の保
護膜で研磨終了後の基板表面を保護できるようにした基
板処置方法及び装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を無電解めっき液に接触させて該基板の表面に
めっき膜を形成する工程と、基板の表面に形成されるめ
っき膜の表面を擦る工程とを有することを特徴とする無
電解めっき方法である。
は、基板を無電解めっき液に接触させて該基板の表面に
めっき膜を形成する工程と、基板の表面に形成されるめ
っき膜の表面を擦る工程とを有することを特徴とする無
電解めっき方法である。
【００１２】このように、めっき膜の成長の過程でめっ
き膜の表面を擦ることで、めっき膜の成膜の際に発生す
るＨ２ガスを積極的に外部に排出し、これによって、Ｈ
２ガスがめっき膜中に取り込まれることを防止し、しか
も基板の表面近くにおけるめっき液の拡散層のばらつき
を少なくして面内均一性を向上させ、更に付着力の小さ
なめっき膜を除去することで、選択性を向上させること
ができる。なお、このめっき膜の表面を擦る工程は、め
っき工程とは独立に行ってもよい。
き膜の表面を擦ることで、めっき膜の成膜の際に発生す
るＨ２ガスを積極的に外部に排出し、これによって、Ｈ
２ガスがめっき膜中に取り込まれることを防止し、しか
も基板の表面近くにおけるめっき液の拡散層のばらつき
を少なくして面内均一性を向上させ、更に付着力の小さ
なめっき膜を除去することで、選択性を向上させること
ができる。なお、このめっき膜の表面を擦る工程は、め
っき工程とは独立に行ってもよい。
【００１３】請求項２に記載の発明は、基板を無電解め
っき液に接触させて該基板の表面にめっき膜を形成しな
がら、基板の表面に形成されるめっき膜を擦ることを特
徴とする請求項１記載の無電解めっき方法である。基板
表面に形成されるめっき膜は、例えばスクラブ部材で擦
ることができるが、スクラブ部材で常時擦る必要はな
く、例えばロール型のスクラブ部材を１５秒間に１往復
させる程度でよい。
っき液に接触させて該基板の表面にめっき膜を形成しな
がら、基板の表面に形成されるめっき膜を擦ることを特
徴とする請求項１記載の無電解めっき方法である。基板
表面に形成されるめっき膜は、例えばスクラブ部材で擦
ることができるが、スクラブ部材で常時擦る必要はな
く、例えばロール型のスクラブ部材を１５秒間に１往復
させる程度でよい。
【００１４】請求項３に記載の発明は、基板を無電解め
っきに接触させて基板の表面に初期めっき膜を形成し、
この初期めっき膜にめっき膜を堆積させながら、基板の
表面を擦ることを特徴とする請求項１または２記載の無
電解めっき方法である。これにより、例えば、０．００
１分以上、好ましく０．５分間、基板の表面を擦ること
なくめっき膜を成長させ、しかる後、めっき膜の表面を
擦ることで、初期めっき膜の成長が阻害されることを防
止することができる。
っきに接触させて基板の表面に初期めっき膜を形成し、
この初期めっき膜にめっき膜を堆積させながら、基板の
表面を擦ることを特徴とする請求項１または２記載の無
電解めっき方法である。これにより、例えば、０．００
１分以上、好ましく０．５分間、基板の表面を擦ること
なくめっき膜を成長させ、しかる後、めっき膜の表面を
擦ることで、初期めっき膜の成長が阻害されることを防
止することができる。
【００１５】請求項４に記載の発明は、基板を着脱自在
に保持して該基板の表面を無電解めっき液に接触させる
基板保持部と、前記基板保持部で保持し前記無電解めっ
き液に接触させた基板の表面を擦る行為と、前記基板保
持部と擦る行為とを相対的に移動させる移動機構とを有
することを特徴とする無電解めっき装置である。
に保持して該基板の表面を無電解めっき液に接触させる
基板保持部と、前記基板保持部で保持し前記無電解めっ
き液に接触させた基板の表面を擦る行為と、前記基板保
持部と擦る行為とを相対的に移動させる移動機構とを有
することを特徴とする無電解めっき装置である。
【００１６】請求項５に記載の発明は、基板の表面を研
磨する工程と、前記研磨された基板の表面にめっきする
工程とを有することを特徴とする基板処理方法である。
このように、ＣＭＰ等により基板の表面を研磨して平坦
化した直後の膜に、基板の表面にめっきを施すことで、
安定した保護膜（めっき膜）を得て、この保護膜で基板
表面を安定して保護することができる。このめっきは、
好ましくは、無電解めっきであり、これにより、電解め
っき、スパッタリングまたはＣＶＤよりも簡便となすこ
とができる。また、研磨工程とめっき工程との間に前処
理を含めた洗浄工程を設けてもよい。
磨する工程と、前記研磨された基板の表面にめっきする
工程とを有することを特徴とする基板処理方法である。
このように、ＣＭＰ等により基板の表面を研磨して平坦
化した直後の膜に、基板の表面にめっきを施すことで、
安定した保護膜（めっき膜）を得て、この保護膜で基板
表面を安定して保護することができる。このめっきは、
好ましくは、無電解めっきであり、これにより、電解め
っき、スパッタリングまたはＣＶＤよりも簡便となすこ
とができる。また、研磨工程とめっき工程との間に前処
理を含めた洗浄工程を設けてもよい。
【００１７】請求項６に記載の発明は、基板の表面を研
磨する研磨装置と、前記研磨された基板の表面に無電解
めっきで選択的に保護膜としてのめっき膜を形成する無
電解めっき装置とを有することを特徴とする基板処理装
置である。これにより、基板の表面を研磨装置で研磨し
て平坦化した後、この表面に無電解めっきによる保護膜
を連続して形成することができる。請求項７に記載の発
明は、無電解めっき液に接触させて成膜する過程で、表
面を擦りながらめっき膜を成長させたことを特徴とする
基板である。
磨する研磨装置と、前記研磨された基板の表面に無電解
めっきで選択的に保護膜としてのめっき膜を形成する無
電解めっき装置とを有することを特徴とする基板処理装
置である。これにより、基板の表面を研磨装置で研磨し
て平坦化した後、この表面に無電解めっきによる保護膜
を連続して形成することができる。請求項７に記載の発
明は、無電解めっき液に接触させて成膜する過程で、表
面を擦りながらめっき膜を成長させたことを特徴とする
基板である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、電子デバイス装置におけ
る銅配線形成例を工程順に示すもので、図１（ａ）に示
すように、電子デバイス素子を形成した電子デバイス基
材１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２を
堆積し、この絶縁膜２の内部に、例えばリソグラフィ・
エッチング技術によりコンタクトホール３と配線用の溝
４を形成し、その上にＴａＮ等からなるバリア層５、更
にその上に電解めっきの給電層としての銅シード層６を
スパッタリング等により形成する。
を参照して説明する。図１は、電子デバイス装置におけ
る銅配線形成例を工程順に示すもので、図１（ａ）に示
すように、電子デバイス素子を形成した電子デバイス基
材１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２を
堆積し、この絶縁膜２の内部に、例えばリソグラフィ・
エッチング技術によりコンタクトホール３と配線用の溝
４を形成し、その上にＴａＮ等からなるバリア層５、更
にその上に電解めっきの給電層としての銅シード層６を
スパッタリング等により形成する。
【００１９】そして、図１（ｂ）に示すように、電子デ
バイス基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、電子デバ
イス基板Ｗのコンタクトホール３及び溝４内に銅を充填
させるとともに、絶縁膜２上に銅層７を堆積させる。そ
の後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上
の銅層７を除去して、コンタクトホール３及び配線用の
溝４に充填させた銅層７の表面と絶縁膜２の表面とをほ
ぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すよう
に、絶縁膜２の内部に銅シード層６と銅層７からなる配
線８を形成する。次に、基板Ｗの表面に、例えば無電解
Ｎｉ−Ｂめっきを施して、配線８の露出表面にＮｉ−Ｂ
合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を選択的に形成し
て配線８を保護する。
バイス基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、電子デバ
イス基板Ｗのコンタクトホール３及び溝４内に銅を充填
させるとともに、絶縁膜２上に銅層７を堆積させる。そ
の後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上
の銅層７を除去して、コンタクトホール３及び配線用の
溝４に充填させた銅層７の表面と絶縁膜２の表面とをほ
ぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すよう
に、絶縁膜２の内部に銅シード層６と銅層７からなる配
線８を形成する。次に、基板Ｗの表面に、例えば無電解
Ｎｉ−Ｂめっきを施して、配線８の露出表面にＮｉ−Ｂ
合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を選択的に形成し
て配線８を保護する。
【００２０】図２は、本発明の実施の形態の基板処理装
置の全体構成を示す配置図で、この装置は、全体が長方
形をなす床上のスペースの一端側に一対の研磨装置１０
ａ，１０ｂが左右に対向して配置され、他端側にそれぞ
れ半導体ウエハ等の基板Ｗを収納するカセット１２ａ，
１２ｂを載置する一対のロード・アンロード部が配置さ
れている。そして、研磨装置１０ａ，１０ｂとロード・
アンロード部を結ぶ線上に搬送ロボット１４ａ，１４ｂ
が２台配置されている。搬送ラインの両側に、それぞれ
１台の反転機１６，１８が配置され、この一方の反転機
１６を挟んだ両側に第１洗浄装置２０ａと第２洗浄装置
２２が、他方の反転機１８を挟んだ両側に第１洗浄装置
２０ｂと無電解めっき装置２３がそれぞれ配置されてい
る。研磨装置１０ａ，１０ｂの搬送ライン側には、基板
Ｗを研磨装置１０ａ，１０ｂとの間で授受する上下動自
在なプッシャ３６が設けられている。
置の全体構成を示す配置図で、この装置は、全体が長方
形をなす床上のスペースの一端側に一対の研磨装置１０
ａ，１０ｂが左右に対向して配置され、他端側にそれぞ
れ半導体ウエハ等の基板Ｗを収納するカセット１２ａ，
１２ｂを載置する一対のロード・アンロード部が配置さ
れている。そして、研磨装置１０ａ，１０ｂとロード・
アンロード部を結ぶ線上に搬送ロボット１４ａ，１４ｂ
が２台配置されている。搬送ラインの両側に、それぞれ
１台の反転機１６，１８が配置され、この一方の反転機
１６を挟んだ両側に第１洗浄装置２０ａと第２洗浄装置
２２が、他方の反転機１８を挟んだ両側に第１洗浄装置
２０ｂと無電解めっき装置２３がそれぞれ配置されてい
る。研磨装置１０ａ，１０ｂの搬送ライン側には、基板
Ｗを研磨装置１０ａ，１０ｂとの間で授受する上下動自
在なプッシャ３６が設けられている。
【００２１】図３は、図２に備えられている研磨装置１
０ａ，１０ｂを示す。これは、上面に研磨布（研磨パッ
ド）２４を貼付して研磨面を構成する研磨テーブル２６
と、基板Ｗをその被研磨面を研磨テーブル２６に向けて
保持するトップリング２８とを備えている。そして、研
磨テーブル２６とトップリング２８とをそれぞれ自転さ
せ、研磨テーブル２６の上方に設置された砥液ノズル３
０より砥液を供給しつつ、トップリング２８により基板
Ｗを一定の圧力で研磨テーブル２６の研磨布２４に押圧
することで、基板Ｗの表面を研磨するようになってい
る。砥液ノズル３０から供給される砥液としては、例え
ば酸性溶液にシリカ等の微粒子からなる砥粒を懸濁した
ものを用い、表面を酸化させ、その後砥粒による機械的
研磨を行うことにより、基板Ｗが平坦かつ鏡面状に研磨
される。
０ａ，１０ｂを示す。これは、上面に研磨布（研磨パッ
ド）２４を貼付して研磨面を構成する研磨テーブル２６
と、基板Ｗをその被研磨面を研磨テーブル２６に向けて
保持するトップリング２８とを備えている。そして、研
磨テーブル２６とトップリング２８とをそれぞれ自転さ
せ、研磨テーブル２６の上方に設置された砥液ノズル３
０より砥液を供給しつつ、トップリング２８により基板
Ｗを一定の圧力で研磨テーブル２６の研磨布２４に押圧
することで、基板Ｗの表面を研磨するようになってい
る。砥液ノズル３０から供給される砥液としては、例え
ば酸性溶液にシリカ等の微粒子からなる砥粒を懸濁した
ものを用い、表面を酸化させ、その後砥粒による機械的
研磨を行うことにより、基板Ｗが平坦かつ鏡面状に研磨
される。
【００２２】このような研磨装置１０ａ，１０ｂを用い
て研磨作業を継続すると研磨布２４の研磨面の研磨力が
低下するが、この研磨力を回復させるために、ドレッサ
ー３２を設け、このドレッサー３２によって、研磨する
基板Ｗの交換時などに研磨布２４の目立て（ドレッシン
グ）が行われている。このドレッシング処理において
は、ドレッサー３２のドレッシング面（ドレッシング部
材）を研磨テーブル２６の研磨布２４に押圧しつつ、こ
れらを自転させることで、研磨面に付着した砥液や切削
屑を除去すると共に、研磨面の平坦化及び目立てが行な
われ、研磨面が再生される。ここで、このドレッシング
を研磨中に行うこととしてもよい。
て研磨作業を継続すると研磨布２４の研磨面の研磨力が
低下するが、この研磨力を回復させるために、ドレッサ
ー３２を設け、このドレッサー３２によって、研磨する
基板Ｗの交換時などに研磨布２４の目立て（ドレッシン
グ）が行われている。このドレッシング処理において
は、ドレッサー３２のドレッシング面（ドレッシング部
材）を研磨テーブル２６の研磨布２４に押圧しつつ、こ
れらを自転させることで、研磨面に付着した砥液や切削
屑を除去すると共に、研磨面の平坦化及び目立てが行な
われ、研磨面が再生される。ここで、このドレッシング
を研磨中に行うこととしてもよい。
【００２３】図４及び図５は、図２に備えられている本
発明の実施の形態の形態の無電解めっき装置２３を示
す。これは、基板Ｗを該基板Ｗの表面を上向き（フェー
スアップ）で吸着保持する上下動及び回転自在な基板保
持部４０と、この基板保持部４０の周囲を包囲する回転
自在なハウジング４２とを有している。そして、ハウジ
ング４２の上端には、内方に延出し、更に下方に垂下す
る、弾性材で構成されたシールリング部４４が設けられ
ている。そして、基板Ｗを保持したまま基板保持部４０
を上昇させ、この基板Ｗの上面（表面）周縁部をシール
リング部４４に圧接させてシールすることで、この基板
Ｗの上面とシールリング部４４で包囲され上方に開口し
ためっき槽４６が形成され、基板保持部４０の回転に伴
って、ハウジング４２も該基板保持部４０と一体に回転
するようになっている。更に、ハウジング４２の周囲に
は、めっき液（無電解めっき液）５０の飛散を防止する
飛散防止カバー４８が配置されている。
発明の実施の形態の形態の無電解めっき装置２３を示
す。これは、基板Ｗを該基板Ｗの表面を上向き（フェー
スアップ）で吸着保持する上下動及び回転自在な基板保
持部４０と、この基板保持部４０の周囲を包囲する回転
自在なハウジング４２とを有している。そして、ハウジ
ング４２の上端には、内方に延出し、更に下方に垂下す
る、弾性材で構成されたシールリング部４４が設けられ
ている。そして、基板Ｗを保持したまま基板保持部４０
を上昇させ、この基板Ｗの上面（表面）周縁部をシール
リング部４４に圧接させてシールすることで、この基板
Ｗの上面とシールリング部４４で包囲され上方に開口し
ためっき槽４６が形成され、基板保持部４０の回転に伴
って、ハウジング４２も該基板保持部４０と一体に回転
するようになっている。更に、ハウジング４２の周囲に
は、めっき液（無電解めっき液）５０の飛散を防止する
飛散防止カバー４８が配置されている。
【００２４】ハウジング４２の上方に位置して、前記基
板Ｗの上面とシールリング部４４で形成されためっき槽
４６内にめっき液（無電解めっき液）５０を供給するめ
っき液供給ノズル５２と、水平方向に揺動自在で上下動
自在な揺動アーム５４が配置されている。この揺動アー
ム５４の自由端には、下方に垂下する円筒状のスクラブ
部材５６が回転自在に支承されている。
板Ｗの上面とシールリング部４４で形成されためっき槽
４６内にめっき液（無電解めっき液）５０を供給するめ
っき液供給ノズル５２と、水平方向に揺動自在で上下動
自在な揺動アーム５４が配置されている。この揺動アー
ム５４の自由端には、下方に垂下する円筒状のスクラブ
部材５６が回転自在に支承されている。
【００２５】このスクラブ部材５６は、例えばＰＶＡ、
スポンジまたは樹脂等、これを擦り付ける部材よりも柔
らかい素材で構成されている。これによって、スクラブ
部材５６で基板Ｗの表面を擦った時に、図１（ｃ）に示
す保護膜９や絶縁膜２の表面がスクラブ部材５６によっ
て損傷しないようになっている。擦りつける行為による
効果は後述しているが、基本的には基板表面の拡散層や
発生水素に対し、基板表面にダメージを与えることなく
物理的な力を与える行為なので、ＰＶＡ、スポンジとい
ったものばかりでなく、流体そのものが当たる力や、流
体の中に入れた粒子の力でも同様な効果が得られる。ま
た、スクラブ部材の形状、該スクラブ部材を支持するア
ームの形状は基板Ｗの表面を適切に擦れるものであれば
よく、例えばローラー型のスクラブ部材でもよい。
スポンジまたは樹脂等、これを擦り付ける部材よりも柔
らかい素材で構成されている。これによって、スクラブ
部材５６で基板Ｗの表面を擦った時に、図１（ｃ）に示
す保護膜９や絶縁膜２の表面がスクラブ部材５６によっ
て損傷しないようになっている。擦りつける行為による
効果は後述しているが、基本的には基板表面の拡散層や
発生水素に対し、基板表面にダメージを与えることなく
物理的な力を与える行為なので、ＰＶＡ、スポンジとい
ったものばかりでなく、流体そのものが当たる力や、流
体の中に入れた粒子の力でも同様な効果が得られる。ま
た、スクラブ部材の形状、該スクラブ部材を支持するア
ームの形状は基板Ｗの表面を適切に擦れるものであれば
よく、例えばローラー型のスクラブ部材でもよい。
【００２６】なお、図示しないが、ハウジング４２の上
方に位置して、めっき槽４６内のめっき液を吸引して回
収する、上下動及び旋回自在なめっき液回収ノズルと、
めっき後の基板Ｗの表面に超純水等の洗浄液を供給する
洗浄ノズルが配置されている。
方に位置して、めっき槽４６内のめっき液を吸引して回
収する、上下動及び旋回自在なめっき液回収ノズルと、
めっき後の基板Ｗの表面に超純水等の洗浄液を供給する
洗浄ノズルが配置されている。
【００２７】基板Ｗを保持した基板保持部４０を上昇さ
せ、この基板保持部４０とシールリング部４４でめっき
槽４６を形成し、この状態で、めっき槽４６の内部にめ
っき液供給ノズル５２からめっき液５０を供給し、必要
に応じて基板保持部４０を回転させる。これにより、基
板Ｗの表面に無電解めっきが施される。この時、揺動ア
ーム５４を下降させ、この自由端に支承したスクラブ部
材５６を基板Ｗの表面に当接させ、この状態で、スクラ
ブ部材５６を回転（自転）させながら、揺動アーム５４
を水平方向に揺動させ、同時に基板保持部４０を回転さ
せることで、基板Ｗの表面をその全面に亘ってスクラブ
部材５６で擦ることができるようになっている。
せ、この基板保持部４０とシールリング部４４でめっき
槽４６を形成し、この状態で、めっき槽４６の内部にめ
っき液供給ノズル５２からめっき液５０を供給し、必要
に応じて基板保持部４０を回転させる。これにより、基
板Ｗの表面に無電解めっきが施される。この時、揺動ア
ーム５４を下降させ、この自由端に支承したスクラブ部
材５６を基板Ｗの表面に当接させ、この状態で、スクラ
ブ部材５６を回転（自転）させながら、揺動アーム５４
を水平方向に揺動させ、同時に基板保持部４０を回転さ
せることで、基板Ｗの表面をその全面に亘ってスクラブ
部材５６で擦ることができるようになっている。
【００２８】次に、このように構成された基板処理装置
によって、図１（ｂ）に示す、銅層７を形成した基板Ｗ
の表面を研磨し、無電解めっきを施して配線８の表面に
保護膜（めっき膜）９を選択的に堆積させる一連の処理
を説明する。ここでは、２つの研磨装置１０ａ，１０ｂ
において、それぞれ並行的に同じ処理を行うので、基板
Ｗの流れは２つの研磨装置において同じである。従っ
て、ここでは、一方の研磨装置についてのみ説明する。
によって、図１（ｂ）に示す、銅層７を形成した基板Ｗ
の表面を研磨し、無電解めっきを施して配線８の表面に
保護膜（めっき膜）９を選択的に堆積させる一連の処理
を説明する。ここでは、２つの研磨装置１０ａ，１０ｂ
において、それぞれ並行的に同じ処理を行うので、基板
Ｗの流れは２つの研磨装置において同じである。従っ
て、ここでは、一方の研磨装置についてのみ説明する。
【００２９】ロード・アンロード部のカセット１２ａ
（１２ｂ）から第１のロボット１４ａにより取出された
基板Ｗは、ドライ反転機１６により反転され、第２のロ
ボット１４ｂによりプッシャ３６上に移送される、次
に、トップリング２８がプッシャ３６上に揺動して基板
Ｗを吸着して保持し、さらに研磨テーブル２６上に移動
する。ここで、トップリング２８を下降し、回転する研
磨テーブル２６の研磨布２４（図２）上に基板Ｗの被研
磨面を所定圧力で押圧しつつ、砥液を供給して研磨を行
う。
（１２ｂ）から第１のロボット１４ａにより取出された
基板Ｗは、ドライ反転機１６により反転され、第２のロ
ボット１４ｂによりプッシャ３６上に移送される、次
に、トップリング２８がプッシャ３６上に揺動して基板
Ｗを吸着して保持し、さらに研磨テーブル２６上に移動
する。ここで、トップリング２８を下降し、回転する研
磨テーブル２６の研磨布２４（図２）上に基板Ｗの被研
磨面を所定圧力で押圧しつつ、砥液を供給して研磨を行
う。
【００３０】研磨条件としては、基板Ｗ上に形成された
銅膜を研磨する場合には、Ｃｕ研磨用スラリーを用い
る。表面に凹凸がある場合、押圧力を低めに設定して比
較的速い回転速度で研磨を行うと良いことが分かってい
るが、加工速度自体は遅くなる。従って、例えば、トッ
プリング押圧力を４０ｋＰａ、トップリング回転数を７
０ｍｉｎ−１とした条件で所定時間研磨を行い、ある程
度加工を行った後に、押圧力を２０ｋＰａ、トップリン
グ回転数を５０ｍｉｎ−１として研磨をする多段階研磨
を行っても良い。これにより、全体として効率的な平坦
化ができる。
銅膜を研磨する場合には、Ｃｕ研磨用スラリーを用い
る。表面に凹凸がある場合、押圧力を低めに設定して比
較的速い回転速度で研磨を行うと良いことが分かってい
るが、加工速度自体は遅くなる。従って、例えば、トッ
プリング押圧力を４０ｋＰａ、トップリング回転数を７
０ｍｉｎ−１とした条件で所定時間研磨を行い、ある程
度加工を行った後に、押圧力を２０ｋＰａ、トップリン
グ回転数を５０ｍｉｎ−１として研磨をする多段階研磨
を行っても良い。これにより、全体として効率的な平坦
化ができる。
【００３１】研磨された基板Ｗは、トップリング２８に
より再度プッシャ３６上に戻され、一旦純水スプレーで
洗浄される。次に第２のロボット１４ｂにより第１次洗
浄装置２０ａに搬送され、一次洗浄された後、第１のロ
ボット１４ａに受け取られる。そして、この基板Ｗは、
無電解めっき装置２３に搬送され、この無電解めっき装
置２３で無電解めっき処理が施される。これによって、
図１（ｃ）に示すように、研磨後に露出した表面に、例
えば無電解Ｎｉ−Ｂめっきを施して、配線８の外部への
露出表面に、Ｎｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっき
膜）９を選択的に形成して配線８を保護する。この保護
膜９の膜厚は、０．１〜５００ｎｍ、好ましくは、１〜
２００ｎｍ、更に好ましくは、１０〜１００ｎｍ程度で
ある。
より再度プッシャ３６上に戻され、一旦純水スプレーで
洗浄される。次に第２のロボット１４ｂにより第１次洗
浄装置２０ａに搬送され、一次洗浄された後、第１のロ
ボット１４ａに受け取られる。そして、この基板Ｗは、
無電解めっき装置２３に搬送され、この無電解めっき装
置２３で無電解めっき処理が施される。これによって、
図１（ｃ）に示すように、研磨後に露出した表面に、例
えば無電解Ｎｉ−Ｂめっきを施して、配線８の外部への
露出表面に、Ｎｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっき
膜）９を選択的に形成して配線８を保護する。この保護
膜９の膜厚は、０．１〜５００ｎｍ、好ましくは、１〜
２００ｎｍ、更に好ましくは、１０〜１００ｎｍ程度で
ある。
【００３２】この保護膜９を形成する無電解Ｎｉ−Ｂめ
っき液としては、例えばニッケルイオン、ニッケルイオ
ンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキル
アミンボランまたは硼素化水素化合物を含有し、ｐＨ調
整にＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を使
用して、ｐＨを５〜１２に調整したものが使用される。
っき液としては、例えばニッケルイオン、ニッケルイオ
ンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキル
アミンボランまたは硼素化水素化合物を含有し、ｐＨ調
整にＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を使
用して、ｐＨを５〜１２に調整したものが使用される。
【００３３】このように、保護膜９を形成して配線８を
保護することで、この上に多層に埋め込み配線を形成す
る際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセスにおける
ＳｉＯ２形成時の表面酸化やＳｉＯ２エッチング等に際
して、エッチャントやレジスト剥離等によって、配線が
汚染されるのを防止することができる。更に、配線材料
としての銅との結合力が強く、かつ比抵抗（ρ）の低い
Ｎｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜９で配線８の表面を選択
的に覆って配線８を保護することで、埋め込み配線構造
を有する電子デバイス装置における層間絶縁膜の誘電率
の上昇を抑え、更に配線材料として低抵抗材料である銅
を使用することで、電子デバイス装置の高速化、高密度
化を図ることができる。
保護することで、この上に多層に埋め込み配線を形成す
る際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセスにおける
ＳｉＯ２形成時の表面酸化やＳｉＯ２エッチング等に際
して、エッチャントやレジスト剥離等によって、配線が
汚染されるのを防止することができる。更に、配線材料
としての銅との結合力が強く、かつ比抵抗（ρ）の低い
Ｎｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜９で配線８の表面を選択
的に覆って配線８を保護することで、埋め込み配線構造
を有する電子デバイス装置における層間絶縁膜の誘電率
の上昇を抑え、更に配線材料として低抵抗材料である銅
を使用することで、電子デバイス装置の高速化、高密度
化を図ることができる。
【００３４】ここで、例えば、２分のめっき時間で１１
０ｎｍの保護膜９を形成する際には、先ず、基板Ｗを保
持した基板保持部４０を上昇させてシールリング部４４
との間にめっき槽４６を形成し、このめっき槽４６の内
部にめっき液供給ノズル５２からめっき液５０を供給
し、必要に応じて基板保持部４０を回転させて、０．５
分放置する。これによって、基板Ｗの表面に初期めっき
膜を形成する。しかる後、揺動アーム５４を下降させ、
この自由端に支承したスクラブ部材５６を基板Ｗの表面
に当接させ、この状態で、スクラブ部材５６を回転（自
転）させながら、揺動アーム５４を水平方向に揺動さ
せ、同時に基板保持部４０を回転させることで、基板Ｗ
の全表面をスクラブ部材５６で擦る。この操作を、例え
ば、１．５分の間、１５秒間に１回の割合でスクラブ部
材５６を一往復させて行う。
０ｎｍの保護膜９を形成する際には、先ず、基板Ｗを保
持した基板保持部４０を上昇させてシールリング部４４
との間にめっき槽４６を形成し、このめっき槽４６の内
部にめっき液供給ノズル５２からめっき液５０を供給
し、必要に応じて基板保持部４０を回転させて、０．５
分放置する。これによって、基板Ｗの表面に初期めっき
膜を形成する。しかる後、揺動アーム５４を下降させ、
この自由端に支承したスクラブ部材５６を基板Ｗの表面
に当接させ、この状態で、スクラブ部材５６を回転（自
転）させながら、揺動アーム５４を水平方向に揺動さ
せ、同時に基板保持部４０を回転させることで、基板Ｗ
の全表面をスクラブ部材５６で擦る。この操作を、例え
ば、１．５分の間、１５秒間に１回の割合でスクラブ部
材５６を一往復させて行う。
【００３５】このように、めっき膜の成長の過程で、め
っき膜の表面をスクラブ部材５６で擦ることで、めっき
膜の成膜の際に発生するＨ２ガスを積極的に外部に排出
し、Ｈ２ガスがめっき膜中に取り込まれることを防止し
て、めっき膜中に取り込まれたＨ２ガスが噴き出すガス
噴き痕によって、めっき膜中に微細孔が生じることを防
止することができる。しかも基板の表面近くのめっき液
５０をスクラブ部材５６で攪拌して、めっき液５０の拡
散層のばらつきを少なくして、めっき膜の面内均一性を
向上させ、更に付着力の小さなめっき膜をスクラブ部材
で擦って除去することで、不必要な個所に付着しためっ
き膜を除去して選択性を向上させることができる。
っき膜の表面をスクラブ部材５６で擦ることで、めっき
膜の成膜の際に発生するＨ２ガスを積極的に外部に排出
し、Ｈ２ガスがめっき膜中に取り込まれることを防止し
て、めっき膜中に取り込まれたＨ２ガスが噴き出すガス
噴き痕によって、めっき膜中に微細孔が生じることを防
止することができる。しかも基板の表面近くのめっき液
５０をスクラブ部材５６で攪拌して、めっき液５０の拡
散層のばらつきを少なくして、めっき膜の面内均一性を
向上させ、更に付着力の小さなめっき膜をスクラブ部材
で擦って除去することで、不必要な個所に付着しためっ
き膜を除去して選択性を向上させることができる。
【００３６】更に、ＣＭＰ装置１０ａで基板Ｗの表面を
研磨して平坦化した直後、すなわち基板Ｗに設けられた
銅配線７（図１（ｃ）参照）が殆ど酸化されていない段
階で、基板Ｗの表面にめっきを施すことで、安定した膜
状態（貼り合わせ状態）の保護膜（めっき膜）９を得
て、この保護膜９で基板Ｗの表面を安定して保護するこ
とができる。なお、例えば、０．００１分以上、好まし
く０．５分間、スクラブ部材５６で基板Ｗの表面を擦る
ことなく初期めっき膜を成長させ、しかる後、すなわ
ち、めっき膜ができて気泡ができかけた時に、スクラブ
部材５６でめっき膜の表面を擦ることで、スクラブ部材
５６の存在によって初期めっき膜の成長が阻害されるこ
とを防止することができる。
研磨して平坦化した直後、すなわち基板Ｗに設けられた
銅配線７（図１（ｃ）参照）が殆ど酸化されていない段
階で、基板Ｗの表面にめっきを施すことで、安定した膜
状態（貼り合わせ状態）の保護膜（めっき膜）９を得
て、この保護膜９で基板Ｗの表面を安定して保護するこ
とができる。なお、例えば、０．００１分以上、好まし
く０．５分間、スクラブ部材５６で基板Ｗの表面を擦る
ことなく初期めっき膜を成長させ、しかる後、すなわ
ち、めっき膜ができて気泡ができかけた時に、スクラブ
部材５６でめっき膜の表面を擦ることで、スクラブ部材
５６の存在によって初期めっき膜の成長が阻害されるこ
とを防止することができる。
【００３７】無電解めっきが終了して後、基板Ｗを高速
回転させてスピン乾燥し、しかる後、基板保持部４０か
ら取り出して第２洗浄装置２２に搬送する。そして、こ
の第２洗浄装置２２で二次洗浄した後、高速スピン乾燥
して、第１ロボット１４ａにより元のカセット１２ａ
（１２ｂ）の元の位置に戻す。なお、この例は、配線材
料として、銅を使用した例を示しているが、この銅の他
に、銅合金、銀及び銀合金等を使用しても良い。
回転させてスピン乾燥し、しかる後、基板保持部４０か
ら取り出して第２洗浄装置２２に搬送する。そして、こ
の第２洗浄装置２２で二次洗浄した後、高速スピン乾燥
して、第１ロボット１４ａにより元のカセット１２ａ
（１２ｂ）の元の位置に戻す。なお、この例は、配線材
料として、銅を使用した例を示しているが、この銅の他
に、銅合金、銀及び銀合金等を使用しても良い。
【００３８】また、めっき膜を成長させながらめっき膜
の表面を擦るようにした例を示しているが、このめっき
膜を成長させる工程とめっき膜の表面を擦る工程を別々
に、すなわち、ある程度めっき膜を成長させた基板をめ
っき槽から出してめっき膜の表面を擦ることを繰り返す
ようにしてもよい。
の表面を擦るようにした例を示しているが、このめっき
膜を成長させる工程とめっき膜の表面を擦る工程を別々
に、すなわち、ある程度めっき膜を成長させた基板をめ
っき槽から出してめっき膜の表面を擦ることを繰り返す
ようにしてもよい。
【００３９】図６は、本発明の他の実施の形態の無電解
めっき装置２３ａを示す。これは、基板Ｗを上面に保持
する上下動及び回転自在な基板保持部４０ａと、基板保
持部４０ａに保持された基板Ｗの上面の周縁部に当接し
て該周縁部をシールするとともに、基板Ｗの上面との間
にめっき槽４６ａを形成する堰部材５８とを備えてい
る。そして、図示の状態よりも基板保持部４０ａを下降
させ堰部材５８との間に所定寸法の隙間を設け、基板保
持部４０ａに基板Ｗを載置・固定し、基板保持部４０ａ
を上昇させて基板の周縁部をシールして基板Ｗと堰部材
５８との間にめっき槽４６ａを形成するようにしてい
る。その他の構成は、図４及び図５に示すものと同様で
あるので、ここでは、同一符号を付してその説明を省略
する。なお、一度使用しためっき液は再利用せず、使い
捨てとするようにしてもよいことは勿論である。
めっき装置２３ａを示す。これは、基板Ｗを上面に保持
する上下動及び回転自在な基板保持部４０ａと、基板保
持部４０ａに保持された基板Ｗの上面の周縁部に当接し
て該周縁部をシールするとともに、基板Ｗの上面との間
にめっき槽４６ａを形成する堰部材５８とを備えてい
る。そして、図示の状態よりも基板保持部４０ａを下降
させ堰部材５８との間に所定寸法の隙間を設け、基板保
持部４０ａに基板Ｗを載置・固定し、基板保持部４０ａ
を上昇させて基板の周縁部をシールして基板Ｗと堰部材
５８との間にめっき槽４６ａを形成するようにしてい
る。その他の構成は、図４及び図５に示すものと同様で
あるので、ここでは、同一符号を付してその説明を省略
する。なお、一度使用しためっき液は再利用せず、使い
捨てとするようにしてもよいことは勿論である。
【００４０】図７は、本発明の更に他の実施の形態の無
電解めっき装置２３ｂを示す。これは、基板Ｗをその表
面を下向き（フェースダウン）で保持する、回転及び上
下動自在な基板保持部４０ｂと、内部にめっき液５０を
保持するめっき槽６０とを備え、このめっき槽６０の底
部にロール状または円板状のスクラブ部材５６ａを固定
して配置したものである。なお、基板保持部４０ｂに
は、この下面で基板Ｗを保持した時に、基板の上面の外
周部をシールするシール部材が備えられている。なお、
スクラブ部材５６ａを回転させるようにしてもよい。
電解めっき装置２３ｂを示す。これは、基板Ｗをその表
面を下向き（フェースダウン）で保持する、回転及び上
下動自在な基板保持部４０ｂと、内部にめっき液５０を
保持するめっき槽６０とを備え、このめっき槽６０の底
部にロール状または円板状のスクラブ部材５６ａを固定
して配置したものである。なお、基板保持部４０ｂに
は、この下面で基板Ｗを保持した時に、基板の上面の外
周部をシールするシール部材が備えられている。なお、
スクラブ部材５６ａを回転させるようにしてもよい。
【００４１】この例によれば、基板Ｗを基板保持部４０
ｂで保持し下降させてめっき槽６０内に保持しためっき
液５０中に浸漬させ回転させることで、基板Ｗの表面
（下面）に無電解めっきを施し、更に基板を下降させて
該基板Ｗの表面をスクラブ部材５６ａに接触させた状態
で、基板Ｗを回転させることで、基板Ｗの全表面をスク
ラブ部材５６ａで擦ることができる。
ｂで保持し下降させてめっき槽６０内に保持しためっき
液５０中に浸漬させ回転させることで、基板Ｗの表面
（下面）に無電解めっきを施し、更に基板を下降させて
該基板Ｗの表面をスクラブ部材５６ａに接触させた状態
で、基板Ｗを回転させることで、基板Ｗの全表面をスク
ラブ部材５６ａで擦ることができる。
【００４２】図８は、本発明の更に他の実施の形態の無
電解めっき装置２３ｃを示す。これは、ヒンジ６２を介
して開閉自在な固定ベース部材６４と可動ベース部材６
６とを有し、この固定ベース部材６４と可動ベース部材
６６との間で基板の周縁部をシールしつつ挟持して保持
する上下動自在な基板保持部４０ｃと、めっき槽に保持
しためっき液５０内に配置された、前後動、上下動及び
回転（自転）自在なロール状のスクラブ部材５６ｂを備
えている。
電解めっき装置２３ｃを示す。これは、ヒンジ６２を介
して開閉自在な固定ベース部材６４と可動ベース部材６
６とを有し、この固定ベース部材６４と可動ベース部材
６６との間で基板の周縁部をシールしつつ挟持して保持
する上下動自在な基板保持部４０ｃと、めっき槽に保持
しためっき液５０内に配置された、前後動、上下動及び
回転（自転）自在なロール状のスクラブ部材５６ｂを備
えている。
【００４３】この例によれば、基板Ｗを該基板Ｗの表面
を外部に露出させた状態で基板保持部４０ｃで保持し、
鉛直な状態で下降させてめっき槽内に保持しためっき液
５０中に浸漬させることで、基板Ｗの表面に無電解めっ
きを施し、更にスクラブ部材５６ｂを基板Ｗの方向に向
けて前進させて、基板Ｗに接触させた状態でスクラブ部
材５６ｂを回転（自転）させながら上下動させること
で、基板Ｗの全表面をスクラブ部材５６ｂで擦ることが
できる。
を外部に露出させた状態で基板保持部４０ｃで保持し、
鉛直な状態で下降させてめっき槽内に保持しためっき液
５０中に浸漬させることで、基板Ｗの表面に無電解めっ
きを施し、更にスクラブ部材５６ｂを基板Ｗの方向に向
けて前進させて、基板Ｗに接触させた状態でスクラブ部
材５６ｂを回転（自転）させながら上下動させること
で、基板Ｗの全表面をスクラブ部材５６ｂで擦ることが
できる。
【００４４】図１１は、本発明の他の実施の形態の基板
処理装置を示すもので、これは、研磨装置１０ａ，１０
ｂの側方にエッチング装置１６２を設けたものである。
すなわち、この例では、図２の２つの第１の洗浄機２０
ａ，２０ｂの両方をエッチング装置１６２に置き換えて
いる。なお、例えば、エッチング時間が研磨時間の２分
の１以下であるような場合には、２つの研磨ユニット１
０ａ、１０ｂに対して１つのエッチング装置が有れば足
りるので、一方の第１の洗浄機のみを置き換え、一方の
第１の洗浄機を残しておくようにしてもよい。
処理装置を示すもので、これは、研磨装置１０ａ，１０
ｂの側方にエッチング装置１６２を設けたものである。
すなわち、この例では、図２の２つの第１の洗浄機２０
ａ，２０ｂの両方をエッチング装置１６２に置き換えて
いる。なお、例えば、エッチング時間が研磨時間の２分
の１以下であるような場合には、２つの研磨ユニット１
０ａ、１０ｂに対して１つのエッチング装置が有れば足
りるので、一方の第１の洗浄機のみを置き換え、一方の
第１の洗浄機を残しておくようにしてもよい。
【００４５】このエッチング装置１６２は、エッチング
処理及びその付帯処理を行う基板処理部１６４と、揺動
アーム１６６の先端に保持されて基板処理部１６４と待
機位置の間を揺動する電極ヘッド１６８とを有してい
る。
処理及びその付帯処理を行う基板処理部１６４と、揺動
アーム１６６の先端に保持されて基板処理部１６４と待
機位置の間を揺動する電極ヘッド１６８とを有してい
る。
【００４６】次に、この実施の形態の基板処理装置によ
る一連の処理を説明する。研磨ユニット１０ａ、１０ｂ
で研磨（荒研磨）を終了した基板Ｗはトップリング２８
の揺動によりプッシャ３６に移され、ここでスプレー洗
浄を経て第２のロボット１４ｂによりウェット反転機１
８に移送され、被処理面が上向きになるように反転させ
られる。反転した基板Ｗは、第２のロボット１４ｂによ
りエッチング装置１６２に移され、基板受渡し位置にあ
る基板保持部１６４に受け渡される。基板保持部１６４
は、基板Ｗをチャック機構で保持する。
る一連の処理を説明する。研磨ユニット１０ａ、１０ｂ
で研磨（荒研磨）を終了した基板Ｗはトップリング２８
の揺動によりプッシャ３６に移され、ここでスプレー洗
浄を経て第２のロボット１４ｂによりウェット反転機１
８に移送され、被処理面が上向きになるように反転させ
られる。反転した基板Ｗは、第２のロボット１４ｂによ
りエッチング装置１６２に移され、基板受渡し位置にあ
る基板保持部１６４に受け渡される。基板保持部１６４
は、基板Ｗをチャック機構で保持する。
【００４７】そして、エッチング装置１６２で、例えば
電解エッチングによる仕上げ研磨を行い、エッチング処
理を終えた基板Ｗは、洗浄後、第２のロボット１４ｂに
受け渡される。そして、洗浄機２２に移送され、ここ
で、基板は、一次洗浄され乾燥された後、第１のロボッ
ト１４ａに受け取られる。そして、この基板Ｗは、無電
解めっき装置２３に搬送され、この無電解めっき装置２
３で無電解めっき処理が施される。これによって、図１
（ｃ）に示すように、研磨後に露出した表面に、例えば
無電解Ｎｉ−Ｂめっきを施して、配線８の外部への露出
表面に、Ｎｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９
を選択的に形成して配線８を保護する。しかる後、基板
Ｗは、ロード・アンロードユニットのカセット１２ａ，
１２ｂに戻される。
電解エッチングによる仕上げ研磨を行い、エッチング処
理を終えた基板Ｗは、洗浄後、第２のロボット１４ｂに
受け渡される。そして、洗浄機２２に移送され、ここ
で、基板は、一次洗浄され乾燥された後、第１のロボッ
ト１４ａに受け取られる。そして、この基板Ｗは、無電
解めっき装置２３に搬送され、この無電解めっき装置２
３で無電解めっき処理が施される。これによって、図１
（ｃ）に示すように、研磨後に露出した表面に、例えば
無電解Ｎｉ−Ｂめっきを施して、配線８の外部への露出
表面に、Ｎｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９
を選択的に形成して配線８を保護する。しかる後、基板
Ｗは、ロード・アンロードユニットのカセット１２ａ，
１２ｂに戻される。
【００４８】この実施の形態では、ＣＭＰ装置１０ａ，
１０ｂによる研磨（荒研磨）とエッチング装置１６２に
よるエッチング処理（仕上げ研磨）を並行して行うこと
ができ、装置の稼働効率が高い。従って、エッチング処
理を長い時間行うことも可能となるので、表面傷を十分
に除去して高品位の処理基板を提供することができる。
１０ｂによる研磨（荒研磨）とエッチング装置１６２に
よるエッチング処理（仕上げ研磨）を並行して行うこと
ができ、装置の稼働効率が高い。従って、エッチング処
理を長い時間行うことも可能となるので、表面傷を十分
に除去して高品位の処理基板を提供することができる。
【実施例】（実施例１）先ず、下記の表１に示すよう
に、二価のニッケルイオンを供給するＮｉＳＯ４・６Ｈ
２Ｏを０.０２Ｍ、ニッケルイオンの錯化剤としてＤＬ
−リンゴ酸を０.０２Ｍ、グリシンを０.０３Ｍ、ニッケ
ルイオンの還元剤としてＤＭＡＢ（ジメチルアミンボラ
ン）を０.０２Ｍ使用し、ｐＨ調整にＴＭＡＨ（水酸化
テトラメチルアンモニウム）を使用してめっき液のｐＨ
を５〜１２に調整しためっき液を用意した。
に、二価のニッケルイオンを供給するＮｉＳＯ４・６Ｈ
２Ｏを０.０２Ｍ、ニッケルイオンの錯化剤としてＤＬ
−リンゴ酸を０.０２Ｍ、グリシンを０.０３Ｍ、ニッケ
ルイオンの還元剤としてＤＭＡＢ（ジメチルアミンボラ
ン）を０.０２Ｍ使用し、ｐＨ調整にＴＭＡＨ（水酸化
テトラメチルアンモニウム）を使用してめっき液のｐＨ
を５〜１２に調整しためっき液を用意した。
【表１】
【００４９】このめっき液を図４及び図５に示す無電解
めっき装置２３のめっき液５０に使用して、銅層の上に
Ｎｉ−Ｂ合金膜を厚さ約７４ｎｍ堆積させた。この時、
０．５分間は無電解めっき処理のみを行い、しかる後、
１５秒に１回の割合で基板Ｗの表面をスクラブ部材５６
で擦った。この時のＳＥＭ写真を図面化したものを図９
（ａ）に示す。なお、スクラブ部材で擦ることなく、銅
層の上にＮｉ−Ｂ合金膜を厚さ約７４ｎｍ堆積させた時
のＳＥＭ写真を図面化したものを、比較例１として図９
（ｂ）に示す。なお、同図において、付番７０は銅層
を、７２はＮｉ−Ｂ合金膜をそれぞれ示す。
めっき装置２３のめっき液５０に使用して、銅層の上に
Ｎｉ−Ｂ合金膜を厚さ約７４ｎｍ堆積させた。この時、
０．５分間は無電解めっき処理のみを行い、しかる後、
１５秒に１回の割合で基板Ｗの表面をスクラブ部材５６
で擦った。この時のＳＥＭ写真を図面化したものを図９
（ａ）に示す。なお、スクラブ部材で擦ることなく、銅
層の上にＮｉ−Ｂ合金膜を厚さ約７４ｎｍ堆積させた時
のＳＥＭ写真を図面化したものを、比較例１として図９
（ｂ）に示す。なお、同図において、付番７０は銅層
を、７２はＮｉ−Ｂ合金膜をそれぞれ示す。
【００５０】同図から、図９（ａ）に示す実施例１にあ
っては、Ｎｉ−Ｂ合金膜７２の内部にボイドや上下に貫
通する微細孔がないが、これに対して、図９（ｂ）に示
す比較例１にあっては、Ｎｉ−Ｂ合金膜７２の内部にボ
イド７２ｂが発生したり、肉厚方向に貫通した微細孔７
２ａが生じていることが判る。
っては、Ｎｉ−Ｂ合金膜７２の内部にボイドや上下に貫
通する微細孔がないが、これに対して、図９（ｂ）に示
す比較例１にあっては、Ｎｉ−Ｂ合金膜７２の内部にボ
イド７２ｂが発生したり、肉厚方向に貫通した微細孔７
２ａが生じていることが判る。
【００５１】（実施例２）表１に示す組成のめっき液を
図４及び図５に示す無電解めっき装置２３のめっき液５
０に使用して、絶縁膜に形成した直径０．５０μｍのホ
ールの内部に銅を充填し、ＣＭＰで表面を研磨した基板
の表面に２分間の無電解めっき処理を施した。この時、
０．５分間は無電解めっき処理のみを行い、後の１．５
分間は、１５秒に１回の割合で基板Ｗの表面をスクラブ
部材５６で擦った。この時のＳＥＭ写真を図面化したも
のを図１０（ａ）に示す。なお、スクラブ部材で表面を
擦ることなく、前記と同じ条件で基板の表面に２分間に
亘る無電解めっき処理のみを施した時のＳＥＭ写真を図
面化したものを、比較例２として図１０（ｂ）に示す。
同図において、付番２は絶縁膜を、７２はＮｉ−Ｂ合金
膜をそれぞれ示す。
図４及び図５に示す無電解めっき装置２３のめっき液５
０に使用して、絶縁膜に形成した直径０．５０μｍのホ
ールの内部に銅を充填し、ＣＭＰで表面を研磨した基板
の表面に２分間の無電解めっき処理を施した。この時、
０．５分間は無電解めっき処理のみを行い、後の１．５
分間は、１５秒に１回の割合で基板Ｗの表面をスクラブ
部材５６で擦った。この時のＳＥＭ写真を図面化したも
のを図１０（ａ）に示す。なお、スクラブ部材で表面を
擦ることなく、前記と同じ条件で基板の表面に２分間に
亘る無電解めっき処理のみを施した時のＳＥＭ写真を図
面化したものを、比較例２として図１０（ｂ）に示す。
同図において、付番２は絶縁膜を、７２はＮｉ−Ｂ合金
膜をそれぞれ示す。
【００５２】同図から、図１０（ａ）に示す実施例２に
あっては、絶縁膜２の不要な部分へのＮｉ−Ｂ合金膜の
付着がなく、選択性が良好であるが、これに対して、図
１０（ｂ）に示す比較例２にあっては、ホール周囲の不
要な部分にＮｉ−Ｂ合金膜７２ｃが付着して、選択性が
悪いことが判る。この時のＮｉ−Ｂ合金膜７２の面内均
一性（１σ）を測定したところ、比較例２にあっては２
４．９％であるのに対し、実施例２では１２．０％に改
善されていた。
あっては、絶縁膜２の不要な部分へのＮｉ−Ｂ合金膜の
付着がなく、選択性が良好であるが、これに対して、図
１０（ｂ）に示す比較例２にあっては、ホール周囲の不
要な部分にＮｉ−Ｂ合金膜７２ｃが付着して、選択性が
悪いことが判る。この時のＮｉ−Ｂ合金膜７２の面内均
一性（１σ）を測定したところ、比較例２にあっては２
４．９％であるのに対し、実施例２では１２．０％に改
善されていた。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の無電解め
っき方法及び装置によれば、めっき膜の成長の過程で、
めっき膜の表面をスクラブ部材で擦ることで、めっき膜
の成膜の際に発生するＨ２ガスを積極的に外部に排出
し、Ｈ２ガスがめっき膜中に取り込まれることを防止し
て、めっき膜中に微細孔が生じることを防止することが
できる。しかも基板の表面近くのめっき液をスクラブ部
材で攪拌して、めっき膜の面内均一性を向上させ、更に
不必要な個所に付着しためっき膜を除去して選択性を向
上させることができる。また、本発明の基板処理装置及
び方法によれば、基板の表面を研磨した直後の殆ど酸化
されていない段階で、この研磨された基板の表面をめっ
きすることができるので、安定した膜状態（貼り合わせ
状態）の保護膜（めっき膜）を得て、この保護膜で基板
Ｗの表面を保護して、低コストで高品位の製品を提供す
ることができる。
っき方法及び装置によれば、めっき膜の成長の過程で、
めっき膜の表面をスクラブ部材で擦ることで、めっき膜
の成膜の際に発生するＨ２ガスを積極的に外部に排出
し、Ｈ２ガスがめっき膜中に取り込まれることを防止し
て、めっき膜中に微細孔が生じることを防止することが
できる。しかも基板の表面近くのめっき液をスクラブ部
材で攪拌して、めっき膜の面内均一性を向上させ、更に
不必要な個所に付着しためっき膜を除去して選択性を向
上させることができる。また、本発明の基板処理装置及
び方法によれば、基板の表面を研磨した直後の殆ど酸化
されていない段階で、この研磨された基板の表面をめっ
きすることができるので、安定した膜状態（貼り合わせ
状態）の保護膜（めっき膜）を得て、この保護膜で基板
Ｗの表面を保護して、低コストで高品位の製品を提供す
ることができる。
【図１】本発明の電子デバイス装置における銅配線形成
例を工程順に示す図である。
例を工程順に示す図である。
【図２】本発明の実施の形態の基板処理装置の全体配置
図である。
図である。
【図３】図２に備えられている研磨装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】図２に備えられている本発明の実施の形態の無
電解めっき装置を示す断面図である。
電解めっき装置を示す断面図である。
【図５】図４の基板保持部及び揺動アームを示す平面図
である。
である。
【図６】本発明の他の実施の形態の無電解めっき装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】本発明の更に他の実施の形態の無電解めっき装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図８】本発明の更に他の実施の形態の無電解めっき装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図９】本発明の実施例１及び比較例１におけるＳＥＭ
写真を図面化した図である。
写真を図面化した図である。
【図１０】本発明の実施例２及び比較例２におけるＳＥ
Ｍ写真を図面化した図である。
Ｍ写真を図面化した図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態の基板処理装置の全
体配置図である。
体配置図である。
２ 絶縁膜
６ 銅シード層
７ 銅層
８ 配線
９ 保護膜（めっき膜）
１０ａ，１０ｂ 研磨装置
２３，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ 無電解めっき装置
２４ 研磨布
２６ 研磨テーブル
２８ トップリング
４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 基板保持部
４４ シールリング部
４６，４６ａ，６０ めっき槽
５０ めっき液（無電解めっき液）
５２ めっき液供給ノズル
５４ 揺動アーム
５６，５６ａ，５６ｂ スクラブ部材
７０ 銅層
７２ Ｎｉ−Ｂ合金膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｋ
Ｍ
(72)発明者 中村 憲二
神奈川県藤沢市善行坂１−１−６ 荏原ユ
ージライト株式会社内
(72)発明者 松本 守治
神奈川県藤沢市善行坂１−１−６ 荏原ユ
ージライト株式会社内
Ｆターム(参考） 4K022 AA05 BA04 BA14 BA32 CA11
DA01 DB14 DB17
4M104 BB04 BB05 BB32 DD06 DD16
DD37 DD52 DD53 DD75 EE09
EE16 FF13 FF18 FF22 HH16
HH20
5F033 HH07 HH11 HH21 HH32 JJ11
JJ21 JJ32 MM02 MM08 MM12
MM13 NN06 NN07 PP15 PP27
PP28 QQ09 QQ37 QQ48 RR04
XX01 XX10 XX18 XX24 XX34
Claims (7)
- 【請求項１】 基板を無電解めっき液に接触させて該基
板の表面にめっき膜を形成する工程と、 基板の表面に形成されるめっき膜の表面を擦る工程とを
有することを特徴とする無電解めっき方法。 - 【請求項２】 基板を無電解めっき液に接触させて該基
板の表面にめっき膜を形成しながら、基板の表面に形成
されるめっき膜を擦ることを特徴とする請求項１記載の
無電解めっき方法。 - 【請求項３】 基板を無電解めっきに接触させて基板の
表面に初期めっき膜を形成し、この初期めっき膜にめっ
き膜を堆積させながら、基板の表面を擦ることを特徴と
する請求項１または２記載の無電解めっき方法。 - 【請求項４】 基板を着脱自在に保持して該基板の表面
を無電解めっき液に接触させる基板保持部と、 前記基板保持部で保持し前記無電解めっき液に接触させ
た基板の表面を擦る行為と、 前記基板保持部と擦る行為とを相対的に移動させる移動
機構とを有することを特徴とする無電解めっき装置。 - 【請求項５】 基板の表面を研磨する工程と、 前記研磨された基板の表面にめっきする工程とを有する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項６】 基板の表面を研磨する研磨装置と、 前記研磨された基板の表面に無電解めっきで選択的に保
護膜としてのめっき膜を形成する無電解めっき装置とを
有することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項７】 無電解めっき液に接触させて成膜する過
程で、表面を擦りながらめっき膜を成長させたことを特
徴とする基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001150080A JP3963661B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-18 | 無電解めっき方法及び装置 |
| TW091109318A TW586137B (en) | 2001-05-10 | 2002-05-06 | Electroless plating method and device, and substrate processing method and apparatus |
| KR10-2003-7014631A KR20040012814A (ko) | 2001-05-10 | 2002-05-09 | 무전해 도금방법 및 장치, 기판처리방법 및 장치 |
| US10/476,698 US20040170766A1 (en) | 2001-05-10 | 2002-05-09 | Electroless plating method and device, and substrate processing method and apparatus |
| PCT/JP2002/004522 WO2002092878A2 (en) | 2001-05-10 | 2002-05-09 | Electroless plating method and device, and substrate processing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-140606 | 2001-05-10 | ||
| JP2001140606 | 2001-05-10 | ||
| JP2001150080A JP3963661B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-18 | 無電解めっき方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003027249A true JP2003027249A (ja) | 2003-01-29 |
| JP3963661B2 JP3963661B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=26614925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001150080A Expired - Fee Related JP3963661B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-18 | 無電解めっき方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040170766A1 (ja) |
| JP (1) | JP3963661B2 (ja) |
| KR (1) | KR20040012814A (ja) |
| TW (1) | TW586137B (ja) |
| WO (1) | WO2002092878A2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005048209A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Hitachi Ltd | 無電解メッキ方法、無電解メッキ装置、半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| US6913520B1 (en) * | 2004-01-16 | 2005-07-05 | United Microelectronics Corp. | All-in-one polishing process for a semiconductor wafer |
| US7268074B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-09-11 | Enthone, Inc. | Capping of metal interconnects in integrated circuit electronic devices |
| US7874260B2 (en) * | 2006-10-25 | 2011-01-25 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for substrate electroless plating |
| US7935631B2 (en) | 2005-07-04 | 2011-05-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a continuous layer of a first metal selectively on a second metal and an integrated circuit formed from the method |
| CN102330077A (zh) * | 2011-09-13 | 2012-01-25 | 南京航空航天大学 | 喷射化学镀加工多层膜的方法及装置 |
| US9153449B2 (en) * | 2012-03-19 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | Electroless gap fill |
| CN105934823A (zh) | 2013-11-27 | 2016-09-07 | At&S奥地利科技与***技术股份公司 | 印刷电路板结构 |
| AT515101B1 (de) | 2013-12-12 | 2015-06-15 | Austria Tech & System Tech | Verfahren zum Einbetten einer Komponente in eine Leiterplatte |
| US11523520B2 (en) | 2014-02-27 | 2022-12-06 | At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Method for making contact with a component embedded in a printed circuit board |
| AT515447B1 (de) | 2014-02-27 | 2019-10-15 | At & S Austria Tech & Systemtechnik Ag | Verfahren zum Kontaktieren eines in eine Leiterplatte eingebetteten Bauelements sowie Leiterplatte |
| CN106711068A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-05-24 | 环旭电子股份有限公司 | 一种电子模组的刷洗装置及电子模组的自动刷洗方法 |
| CN115816218A (zh) * | 2022-12-14 | 2023-03-21 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 用于硅片边缘抛光的设备及方法 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267931A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-27 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気デイスク基板の表面処理方法 |
| JPH01294874A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 表面被覆方法 |
| JPH04276094A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 合金磁石のめっき法 |
| JPH059743A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-19 | Aichi Steel Works Ltd | ＡｌおよびＡｌ合金への無電解Ｎｉめつき方法 |
| JPH05286057A (ja) * | 1992-04-16 | 1993-11-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | 繊維強化樹脂製めっきロール及びその製造方法 |
| JPH0639447A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-15 | Toyo Fuitsutengu Kk | 耐食性継手の製造方法 |
| JPH07102379A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-18 | Shinko Pantec Co Ltd | 無電解メッキ用ステンレス鋼及びその製造方法 |
| JPH07256554A (ja) * | 1994-03-23 | 1995-10-09 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置 |
| JPH08244138A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JPH1180967A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-03-26 | Ebara Corp | めっき装置 |
| JPH1192956A (ja) * | 1997-09-16 | 1999-04-06 | Ebara Corp | 基板のめっき方法 |
| JPH11296844A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-10-29 | Mitsubishi Chemical Corp | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 |
| JP2000188293A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-07-04 | Texas Instr Inc <Ti> | 集積回路の銅相互結線プロセスにおいて銅の化学機械的研磨を最適化する方法 |
| JP2001073157A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-21 | Sony Corp | 無電解めっき方法及びその装置 |
| JP2002190455A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-07-05 | Ebara Corp | 半導体基板製造装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1055073A (en) * | 1964-06-15 | 1967-01-11 | Ibm | Improvements in or relating to photographic processes |
| US4659605A (en) * | 1984-05-16 | 1987-04-21 | Richardson Chemical Company | Electroless deposition magnetic recording media process and products produced thereby |
| JPS61124577A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 絶縁体上に化学メツキを形成する方法 |
| US4692349A (en) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Selective electroless plating of vias in VLSI devices |
| DE3840310A1 (de) * | 1987-12-24 | 1989-07-06 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum beschleunigten auftragen einer dicken erneuerungsschicht auf einem abgenutzten werkstueck |
| US5904827A (en) * | 1996-10-15 | 1999-05-18 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Plating cell with rotary wiper and megasonic transducer |
| US6409904B1 (en) * | 1998-12-01 | 2002-06-25 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for depositing and controlling the texture of a thin film |
| US6630059B1 (en) * | 2000-01-14 | 2003-10-07 | Nutool, Inc. | Workpeice proximity plating apparatus |
| US6645550B1 (en) * | 2000-06-22 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a substrate |
-
2001
- 2001-05-18 JP JP2001150080A patent/JP3963661B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-06 TW TW091109318A patent/TW586137B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-05-09 WO PCT/JP2002/004522 patent/WO2002092878A2/en active Application Filing
- 2002-05-09 KR KR10-2003-7014631A patent/KR20040012814A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-05-09 US US10/476,698 patent/US20040170766A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267931A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-27 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気デイスク基板の表面処理方法 |
| JPH01294874A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 表面被覆方法 |
| JPH04276094A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 合金磁石のめっき法 |
| JPH059743A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-19 | Aichi Steel Works Ltd | ＡｌおよびＡｌ合金への無電解Ｎｉめつき方法 |
| JPH05286057A (ja) * | 1992-04-16 | 1993-11-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | 繊維強化樹脂製めっきロール及びその製造方法 |
| JPH0639447A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-15 | Toyo Fuitsutengu Kk | 耐食性継手の製造方法 |
| JPH07102379A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-18 | Shinko Pantec Co Ltd | 無電解メッキ用ステンレス鋼及びその製造方法 |
| JPH07256554A (ja) * | 1994-03-23 | 1995-10-09 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置 |
| JPH08244138A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| JPH1180967A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-03-26 | Ebara Corp | めっき装置 |
| JPH1192956A (ja) * | 1997-09-16 | 1999-04-06 | Ebara Corp | 基板のめっき方法 |
| JPH11296844A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-10-29 | Mitsubishi Chemical Corp | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 |
| JP2000188293A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-07-04 | Texas Instr Inc <Ti> | 集積回路の銅相互結線プロセスにおいて銅の化学機械的研磨を最適化する方法 |
| JP2001073157A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-21 | Sony Corp | 無電解めっき方法及びその装置 |
| JP2002190455A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-07-05 | Ebara Corp | 半導体基板製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW586137B (en) | 2004-05-01 |
| WO2002092878A3 (en) | 2004-04-15 |
| KR20040012814A (ko) | 2004-02-11 |
| WO2002092878A2 (en) | 2002-11-21 |
| JP3963661B2 (ja) | 2007-08-22 |
| US20040170766A1 (en) | 2004-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3979464B2 (ja) | 無電解めっき前処理装置及び方法 | |
| US6821902B2 (en) | Electroless plating liquid and semiconductor device | |
| US10755934B2 (en) | Systems and methods for chemical mechanical polish and clean | |
| JP4721523B2 (ja) | 化学機械研磨パッドを洗浄するための方法およびシステム | |
| JP2003115474A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
| US20040234696A1 (en) | Plating device and method | |
| KR20040018558A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 및 도금액 | |
| JP3963661B2 (ja) | 無電解めっき方法及び装置 | |
| JP2003129250A (ja) | めっき装置及びめっき方法 | |
| US20060003521A1 (en) | Method of and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| US20040235237A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP2003049280A (ja) | 無電解めっき液及び半導体装置 | |
| JP2001181851A (ja) | めっき方法及びめっき構造 | |
| JP3821709B2 (ja) | 無電解めっきの前処理方法 | |
| JPH10312981A (ja) | 金属膜の研磨方法及びその研磨装置 | |
| JP2002285343A (ja) | 無電解めっき装置 | |
| JP2003179009A (ja) | 研磨液、研磨方法及び研磨装置 | |
| JP2003133316A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2003306793A (ja) | めっき装置及び方法 | |
| JP3871613B2 (ja) | 無電解めっき装置及び方法 | |
| JP2005002443A (ja) | めっき方法及びめっき装置 | |
| JP2004304021A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP2004052108A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2003034876A (ja) | 触媒処理液及び無電解めっき方法 | |
| JP2004363155A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061024 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061215 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070522 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070522 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3963661 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |