JP2003023176A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 屈折率の近い基板上に結晶層を形成すること
で、発光層からの光の取り出し効率が大きく発熱率が小
さくて、光出力の高い発光素子を提供すること。 【解決手段】 発光素子１は、ＳｉＣ基板２（ｎ＝２．
５）上にＧａＮ（ｎ＝２．４）の結晶層３をエピタキシ
ャル成長させて発光層４を形成し、基板２側を上面、結
晶層３側を底面として、結晶層３の底面に両方の電極
５，６を設けている。さらに、ＳｉＣ基板２の上面の四
辺が斜めに削り取られて正四角錐台形になっている。発
光層４からの光は、基板２との界面では屈折率がほぼ同
じであるため光の閉じ込めがなく殆どの光がそのまま通
過し、基板２と空気との界面においては基板２の上面の
四辺が斜めに削り取られているために臨界角内に入る光
の割合が多くなり、１次光の外部放射効率が増大し２次
光以降の外部放射効率も増して、光の取り出し効率が向
上し、外部量子効率を大幅に向上させられる。
で、発光層からの光の取り出し効率が大きく発熱率が小
さくて、光出力の高い発光素子を提供すること。 【解決手段】 発光素子１は、ＳｉＣ基板２（ｎ＝２．
５）上にＧａＮ（ｎ＝２．４）の結晶層３をエピタキシ
ャル成長させて発光層４を形成し、基板２側を上面、結
晶層３側を底面として、結晶層３の底面に両方の電極
５，６を設けている。さらに、ＳｉＣ基板２の上面の四
辺が斜めに削り取られて正四角錐台形になっている。発
光層４からの光は、基板２との界面では屈折率がほぼ同
じであるため光の閉じ込めがなく殆どの光がそのまま通
過し、基板２と空気との界面においては基板２の上面の
四辺が斜めに削り取られているために臨界角内に入る光
の割合が多くなり、１次光の外部放射効率が増大し２次
光以降の外部放射効率も増して、光の取り出し効率が向
上し、外部量子効率を大幅に向上させられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に発光層を
形成して電圧を印加することによって発光層から発光す
るＬＥＤチップ（以下、「発光素子」という。）に関す
るものである。
形成して電圧を印加することによって発光層から発光す
るＬＥＤチップ（以下、「発光素子」という。）に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム（ＧａＮ）系の発光素子
は、青色発光素子や緑色発光素子として需要が大きいも
のである。このＧａＮ系の発光素子について、図７を参
照して説明する。図７は、従来のＧａＮ系の発光素子の
構成を示す縦断面図である。図７に示されるように、従
来のＧａＮ系の発光素子６１は、Ａｌ2Ｏ3 基板６２
（屈折率ｎ＝１．７）上にＧａＮ系の結晶層６３（ｎ＝
２．４）をエピタキシャル成長させて、発光層６４を形
成している。発光層６４側を底面として、底面にアノー
ドとカソードの電極６５，６６を設けて電圧を印加する
ことによって、発光層６４内の各発光点から光が発せら
れて発光面６２ａから光が放射されるものである。
は、青色発光素子や緑色発光素子として需要が大きいも
のである。このＧａＮ系の発光素子について、図７を参
照して説明する。図７は、従来のＧａＮ系の発光素子の
構成を示す縦断面図である。図７に示されるように、従
来のＧａＮ系の発光素子６１は、Ａｌ2Ｏ3 基板６２
（屈折率ｎ＝１．７）上にＧａＮ系の結晶層６３（ｎ＝
２．４）をエピタキシャル成長させて、発光層６４を形
成している。発光層６４側を底面として、底面にアノー
ドとカソードの電極６５，６６を設けて電圧を印加する
ことによって、発光層６４内の各発光点から光が発せら
れて発光面６２ａから光が放射されるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、発光素子６１
の発光層６４を含むＧａＮ結晶層６３は屈折率（ｎ＝
２．４）が、Ａｌ2Ｏ3 基板６２（ｎ＝１．７）及び封
止樹脂である透明エポキシ樹脂（ｎ＝１．５）に比較し
て高く、発光した光の吸収率も高いため、発光素子６１
からの光の取り出し効率が低いという問題点があった。
即ち、発光層６４における各発光点で光が発生し放射さ
れるが、基板６２の界面との臨界角以内で放射される光
だけが基板６２内へ入ることができて効率良く外部放射
される。ところが発光層６４の屈折率がｎ＝２．４と高
いため、この臨界角は非常に小さくなり、一部の光しか
外部放射されず、それ以外の多くの光は吸収率の高い結
晶層６３中で吸収されて、大部分が熱に変換されてしま
う。このため、外部量子効率が低いものであった。ま
た、発熱率が高くなることにより、投入許容電流が制限
されたり、寿命特性への影響があるという問題点があっ
た。
の発光層６４を含むＧａＮ結晶層６３は屈折率（ｎ＝
２．４）が、Ａｌ2Ｏ3 基板６２（ｎ＝１．７）及び封
止樹脂である透明エポキシ樹脂（ｎ＝１．５）に比較し
て高く、発光した光の吸収率も高いため、発光素子６１
からの光の取り出し効率が低いという問題点があった。
即ち、発光層６４における各発光点で光が発生し放射さ
れるが、基板６２の界面との臨界角以内で放射される光
だけが基板６２内へ入ることができて効率良く外部放射
される。ところが発光層６４の屈折率がｎ＝２．４と高
いため、この臨界角は非常に小さくなり、一部の光しか
外部放射されず、それ以外の多くの光は吸収率の高い結
晶層６３中で吸収されて、大部分が熱に変換されてしま
う。このため、外部量子効率が低いものであった。ま
た、発熱率が高くなることにより、投入許容電流が制限
されたり、寿命特性への影響があるという問題点があっ
た。
【０００４】そこで、本発明は、屈折率の近い基板上に
結晶層を形成することによって、発光層からの光の取り
出し効率が大きく、発熱率が小さく、さらには発光素子
で発する熱の放熱性が高い発光素子を提供することを課
題とするものである。
結晶層を形成することによって、発光層からの光の取り
出し効率が大きく、発熱率が小さく、さらには発光素子
で発する熱の放熱性が高い発光素子を提供することを課
題とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明にかかる
発光素子は、発光層と光取り出し部とを有する発光素子
において、前記光取り出し部は略凸面形状であり、前記
発光層と前記光取り出し部との間が略同等の屈折率であ
るものである。
発光素子は、発光層と光取り出し部とを有する発光素子
において、前記光取り出し部は略凸面形状であり、前記
発光層と前記光取り出し部との間が略同等の屈折率であ
るものである。
【０００６】このように、発光層と光取り出し部との間
が略同等の屈折率であることから、発光層から光取り出
し部の間での屈折や界面反射は生じない。そして、光取
り出し部が略凸面形状であることから光取り出し部を構
成する各光取り出し面が発光層から発する光に対して垂
直に近くなって外部に光が放射されるための臨界角内に
入る割合が大きくなる。このため、光取り出し部界面で
の界面反射の影響を大幅に減ずることにより、発光層で
発せられた光が有効に光取り出し部から外部放射され
る。このようにして、発光層からの光の取り出し効率が
大きい発光素子となる。
が略同等の屈折率であることから、発光層から光取り出
し部の間での屈折や界面反射は生じない。そして、光取
り出し部が略凸面形状であることから光取り出し部を構
成する各光取り出し面が発光層から発する光に対して垂
直に近くなって外部に光が放射されるための臨界角内に
入る割合が大きくなる。このため、光取り出し部界面で
の界面反射の影響を大幅に減ずることにより、発光層で
発せられた光が有効に光取り出し部から外部放射され
る。このようにして、発光層からの光の取り出し効率が
大きい発光素子となる。
【０００７】請求項２の発明にかかる発光素子は、請求
項１の構成において、前記発光層が前記発光素子の底面
側に位置するようにマウントされるものである。
項１の構成において、前記発光層が前記発光素子の底面
側に位置するようにマウントされるものである。
【０００８】このように発光層が発光素子の底面側にく
るようにマウントすることによって、発光層の各発光点
から上方へ発せられた光は結晶層と基板との界面の臨界
角以下で放射された光のみがこの界面を通過して基板中
に入ることができ、そのまま基板を通過して効率良く外
部放射される。ここで、発光層と光取り出し部との間が
略同等の屈折率であることから、結晶層は基板と屈折率
がほぼ等しくなり、これらの界面での屈折や界面反射は
生ぜず、ほぼ全ての光が界面を通過して基板から効率良
く外部放射される。このように光の取り出し効率が向上
することによって、外部量子効率の高効率化がなされ
る。さらに、発光素子は熱伝導率の高い金属にマウント
されるが、発光層が発光素子の底面側に位置しているこ
とから、発光層で発せられた熱の放熱性が向上する。ま
た、外部量子効率の高効率化に伴って発熱率が低下する
ので放熱性の向上も加わって投入許容電力が増して、高
効率化と相俟って高出力化を図ることができる。
るようにマウントすることによって、発光層の各発光点
から上方へ発せられた光は結晶層と基板との界面の臨界
角以下で放射された光のみがこの界面を通過して基板中
に入ることができ、そのまま基板を通過して効率良く外
部放射される。ここで、発光層と光取り出し部との間が
略同等の屈折率であることから、結晶層は基板と屈折率
がほぼ等しくなり、これらの界面での屈折や界面反射は
生ぜず、ほぼ全ての光が界面を通過して基板から効率良
く外部放射される。このように光の取り出し効率が向上
することによって、外部量子効率の高効率化がなされ
る。さらに、発光素子は熱伝導率の高い金属にマウント
されるが、発光層が発光素子の底面側に位置しているこ
とから、発光層で発せられた熱の放熱性が向上する。ま
た、外部量子効率の高効率化に伴って発熱率が低下する
ので放熱性の向上も加わって投入許容電力が増して、高
効率化と相俟って高出力化を図ることができる。
【０００９】このようにして、発光層が発光素子の底面
側に位置するようにマウントすることによって、発光層
からの光の取り出し効率が大きく、放熱性が向上すると
ともに発熱率が小さくなり、高出力化を図ることのでき
る発光素子となる。
側に位置するようにマウントすることによって、発光層
からの光の取り出し効率が大きく、放熱性が向上すると
ともに発熱率が小さくなり、高出力化を図ることのでき
る発光素子となる。
【００１０】請求項３の発明にかかる発光素子は、請求
項１または請求項２の構成において、両極の電極が前記
底面側に形成されているものである。
項１または請求項２の構成において、両極の電極が前記
底面側に形成されているものである。
【００１１】これによって、光取り出し部の形成を容易
にできる。また、基板側即ち発光面側に電極を設ける必
要がなくなるため、基板を通過した光が電極に遮られる
ことなく効率良く外部放射される。
にできる。また、基板側即ち発光面側に電極を設ける必
要がなくなるため、基板を通過した光が電極に遮られる
ことなく効率良く外部放射される。
【００１２】このようにして、発光層からの光の取り出
し効率が大きく、発熱率が小さく、さらには発光素子で
発する熱の放熱性が高い発光素子となる。
し効率が大きく、発熱率が小さく、さらには発光素子で
発する熱の放熱性が高い発光素子となる。
【００１３】請求項４の発明にかかる発光素子は、請求
項１乃至請求項３のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部は５面以上の光取り出し面か
ら構成され、前記各光取り出し面に略垂直な方向に前記
発光層が存在するものである。
項１乃至請求項３のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部は５面以上の光取り出し面か
ら構成され、前記各光取り出し面に略垂直な方向に前記
発光層が存在するものである。
【００１４】かかる構成の発光素子においては、略凸面
形状の光取り出し部を構成する光取り出し面を５面以上
有しており、各光取り出し面に略垂直な方向に発光層が
存在しているため、発光層から発せられた光はほぼ全て
がいずれかの光取り出し面から外部放射されることにな
り、外部量子効率の高効率化がなされる。
形状の光取り出し部を構成する光取り出し面を５面以上
有しており、各光取り出し面に略垂直な方向に発光層が
存在しているため、発光層から発せられた光はほぼ全て
がいずれかの光取り出し面から外部放射されることにな
り、外部量子効率の高効率化がなされる。
【００１５】このようにして、発光層からの光の取り出
し効率が非常に大きい発光素子となる。
し効率が非常に大きい発光素子となる。
【００１６】請求項５の発明にかかる発光素子は、請求
項１乃至請求項４のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部は曲面の光取り出し面を含
み、前記光取り出し面に略垂直な方向に前記発光層が存
在するものである。
項１乃至請求項４のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部は曲面の光取り出し面を含
み、前記光取り出し面に略垂直な方向に前記発光層が存
在するものである。
【００１７】これによって、曲面の光取り出し面に対す
る発光層から発せられた光の入射角度は、平面の光取り
出し面に対する場合に比較して深くなり垂直入射に近づ
くので、１次光の外部放射効率がさらに増加して、光取
り出し効率を高くすることができる。
る発光層から発せられた光の入射角度は、平面の光取り
出し面に対する場合に比較して深くなり垂直入射に近づ
くので、１次光の外部放射効率がさらに増加して、光取
り出し効率を高くすることができる。
【００１８】請求項６の発明にかかる発光素子は、請求
項１乃至請求項５のいずれか１つの構成において、前記
発光層は結晶層内の一部であり、前記略凸面形状の光取
り出し部の中央部付近に位置するものである。
項１乃至請求項５のいずれか１つの構成において、前記
発光層は結晶層内の一部であり、前記略凸面形状の光取
り出し部の中央部付近に位置するものである。
【００１９】これによって、発光層が結晶層のほぼ全面
に亘って形成されている場合と比較して、光取り出し部
に対する発光層が点光源に近く、かつ光取り出し部の中
央部付近に位置していることから、発光層から発せられ
た光の光取り出し部への入射角度は総じて深い角度とな
るので、１次光の外部放射効率がさらに増加して、光取
り出し効率を高くすることができる。これによって、チ
ップサイズが発光層が結晶層のほぼ全面に亘って形成さ
れている発光素子と同程度の場合には、発光層で発した
光の外部への取り出し効率の向上により、従来素子に対
し少ない電力で同じ発光出力を得ることのできる省エネ
素子とすることができる。また、チップサイズを大きく
して、発光層の発光エリアが発光層が結晶層のほぼ全面
に亘って形成されている発光素子と同程度になるように
大きくすれば、従来素子と同じ電力でより大出力を得る
こと、さらには発熱の低減、放熱性の向上により、従来
素子より大きな電力を投入できることによる大出力化を
図ることができる。
に亘って形成されている場合と比較して、光取り出し部
に対する発光層が点光源に近く、かつ光取り出し部の中
央部付近に位置していることから、発光層から発せられ
た光の光取り出し部への入射角度は総じて深い角度とな
るので、１次光の外部放射効率がさらに増加して、光取
り出し効率を高くすることができる。これによって、チ
ップサイズが発光層が結晶層のほぼ全面に亘って形成さ
れている発光素子と同程度の場合には、発光層で発した
光の外部への取り出し効率の向上により、従来素子に対
し少ない電力で同じ発光出力を得ることのできる省エネ
素子とすることができる。また、チップサイズを大きく
して、発光層の発光エリアが発光層が結晶層のほぼ全面
に亘って形成されている発光素子と同程度になるように
大きくすれば、従来素子と同じ電力でより大出力を得る
こと、さらには発熱の低減、放熱性の向上により、従来
素子より大きな電力を投入できることによる大出力化を
図ることができる。
【００２０】現在、ＬＥＤ光源は、モバイル機器用光源
としては省エネ高効率化が求められ、白熱電球代替光源
としては高出力化が求められることが多いが、本発明の
発光素子の構成によれば、上述の如く、そのいずれの要
求にも答えることができる。
としては省エネ高効率化が求められ、白熱電球代替光源
としては高出力化が求められることが多いが、本発明の
発光素子の構成によれば、上述の如く、そのいずれの要
求にも答えることができる。
【００２１】請求項７の発明にかかる発光素子は、請求
項１乃至請求項６のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部を複数備えているものであ
る。
項１乃至請求項６のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部を複数備えているものであ
る。
【００２２】これによって、臨界角内に入る発光層から
の光の割合が大きくなって、１次光の外部放射効率を大
きくすることができる。さらに、光の取り出し面積を大
きくできるので２次光以降の外部放射効率も大きくな
り、光の取り出し効率が大きくなる。この結果、発光素
子全体の大きさに対して基板の厚さが薄い場合でも光の
取り出し効率が大きくなる効果を同様に得ることができ
るので、大チップ化の際の光の取り出し効率の低減を防
ぐことができる。また、母材に対する発光素子の取り率
を向上させることができる。即ち、略凸面形状の光取り
出し部が１つの発光素子の相似形で大チップ化を行うに
は、ウェハー厚を厚くする必要があり、材料からの取り
率が低下するが、略凸面形状の光取り出し部を複数備え
ていればウェハー厚を同一とし、ダイシングサイズを大
きくした発光素子による同様の効率を期待できるととも
に、材料からの取り率が高く、有効に利用できる。
の光の割合が大きくなって、１次光の外部放射効率を大
きくすることができる。さらに、光の取り出し面積を大
きくできるので２次光以降の外部放射効率も大きくな
り、光の取り出し効率が大きくなる。この結果、発光素
子全体の大きさに対して基板の厚さが薄い場合でも光の
取り出し効率が大きくなる効果を同様に得ることができ
るので、大チップ化の際の光の取り出し効率の低減を防
ぐことができる。また、母材に対する発光素子の取り率
を向上させることができる。即ち、略凸面形状の光取り
出し部が１つの発光素子の相似形で大チップ化を行うに
は、ウェハー厚を厚くする必要があり、材料からの取り
率が低下するが、略凸面形状の光取り出し部を複数備え
ていればウェハー厚を同一とし、ダイシングサイズを大
きくした発光素子による同様の効率を期待できるととも
に、材料からの取り率が高く、有効に利用できる。
【００２３】このようにして、発光素子全体の大きさに
対して基板の厚さが薄い場合でも光の取り出し効率が大
きくなる効果を同様に得ることができ、材料からの発光
素子の取り率が高く有効利用でき、大チップ化の際の光
の取り出し効率の低減を防ぐことができる発光素子とな
る。
対して基板の厚さが薄い場合でも光の取り出し効率が大
きくなる効果を同様に得ることができ、材料からの発光
素子の取り率が高く有効利用でき、大チップ化の際の光
の取り出し効率の低減を防ぐことができる発光素子とな
る。
【００２４】請求項８の発明にかかる発光素子は、請求
項７の構成において、前記複数の略凸面形状の光取り出
し部が格子状に並んでいるものである。
項７の構成において、前記複数の略凸面形状の光取り出
し部が格子状に並んでいるものである。
【００２５】これによって、発光素子の幅に対して基板
の高さが低い場合においても、結晶層内の発光層から発
せられた光が格子状に並んだ略凸面形状の光取り出し部
から効率的に取り出されて、高い外部放射効率を得るこ
とができる。これによって、発光素子の大チップ化を行
う場合でも同様の光取り出し効率を期待できるととも
に、母材に対する発光素子の取り率を向上させることが
できる。即ち、略凸面形状の光取り出し部が１つの発光
素子の相似形で大チップ化を行うには、ウェハー厚を厚
くする必要があり、材料からの取り率が低下するが、複
数の略凸面形状の光取り出し部が格子状に並んだものに
よればウェハー厚を同一とし、ダイシングサイズを大き
くした発光素子による同様の効率を期待できるととも
に、材料からの取り率が高く、有効に利用できる。
の高さが低い場合においても、結晶層内の発光層から発
せられた光が格子状に並んだ略凸面形状の光取り出し部
から効率的に取り出されて、高い外部放射効率を得るこ
とができる。これによって、発光素子の大チップ化を行
う場合でも同様の光取り出し効率を期待できるととも
に、母材に対する発光素子の取り率を向上させることが
できる。即ち、略凸面形状の光取り出し部が１つの発光
素子の相似形で大チップ化を行うには、ウェハー厚を厚
くする必要があり、材料からの取り率が低下するが、複
数の略凸面形状の光取り出し部が格子状に並んだものに
よればウェハー厚を同一とし、ダイシングサイズを大き
くした発光素子による同様の効率を期待できるととも
に、材料からの取り率が高く、有効に利用できる。
【００２６】請求項９の発明にかかる発光素子は、請求
項１乃至請求項８のいずれか１つの構成において、前記
光取り出し部に対して略垂直な前記発光素子の結晶層の
部分にのみ前記発光層が形成されているものである。
項１乃至請求項８のいずれか１つの構成において、前記
光取り出し部に対して略垂直な前記発光素子の結晶層の
部分にのみ前記発光層が形成されているものである。
【００２７】これによって、発光層が各区画の中央部分
にのみ形成されて点光源化されるので、チップサイズを
発光層を結晶層の全面に形成した発光素子と同程度にし
た場合には発光層で発した光の１次光の外部放射効率が
さらに増加して、光取り出し効率が向上する。さらに、
内部発熱の減少によって、光取り出し効率の増大だけで
なく発熱による出力低下も軽減することができ、より一
層の効率向上を図ることができる。また、チップサイズ
を大きくして中央部分にのみ形成された発光層の発光エ
リアを結晶層の全面に発光層を形成した場合と同じにす
れば、通電電流を大きく設定できることによって大出力
化を図ることができる。現在、ＬＥＤ光源においては、
モバイル機器用光源としては省エネ高効率が求められて
おり、白熱電球代替光源としては高出力が求められるこ
とが多いが、本発明にかかる発光素子はそのいずれの要
求にも答えることができる。
にのみ形成されて点光源化されるので、チップサイズを
発光層を結晶層の全面に形成した発光素子と同程度にし
た場合には発光層で発した光の１次光の外部放射効率が
さらに増加して、光取り出し効率が向上する。さらに、
内部発熱の減少によって、光取り出し効率の増大だけで
なく発熱による出力低下も軽減することができ、より一
層の効率向上を図ることができる。また、チップサイズ
を大きくして中央部分にのみ形成された発光層の発光エ
リアを結晶層の全面に発光層を形成した場合と同じにす
れば、通電電流を大きく設定できることによって大出力
化を図ることができる。現在、ＬＥＤ光源においては、
モバイル機器用光源としては省エネ高効率が求められて
おり、白熱電球代替光源としては高出力が求められるこ
とが多いが、本発明にかかる発光素子はそのいずれの要
求にも答えることができる。
【００２８】このようにして、発光層が点光源化される
ことによって、より一層の効率向上と高出力化が可能な
発光素子となる。
ことによって、より一層の効率向上と高出力化が可能な
発光素子となる。
【００２９】請求項１０の発明にかかる発光素子は、請
求項１乃至請求項９のいずれか１つの構成において、前
記光取り出し部が曲面を含む面に構成されているもので
ある。
求項１乃至請求項９のいずれか１つの構成において、前
記光取り出し部が曲面を含む面に構成されているもので
ある。
【００３０】これによって、光取り出し面が平面のみか
ら構成されている場合に比較して、発光層から発せられ
た光の光取り出し面への入射角度はより深くなるので、
１次光の外部放射効率がさらに増加して、光取り出し効
率を高くすることができる。
ら構成されている場合に比較して、発光層から発せられ
た光の光取り出し面への入射角度はより深くなるので、
１次光の外部放射効率がさらに増加して、光取り出し効
率を高くすることができる。
【００３１】請求項１１の発明にかかる発光素子は、請
求項８の構成において、前記曲面が円柱面を含むもので
ある。
求項８の構成において、前記曲面が円柱面を含むもので
ある。
【００３２】このようにして、光取り出し面を発光層の
中央部を原点とする円柱面とすることによって、発光層
から発せられた光は光取り出し面に対して略垂直に入射
するため、１次光の外部放射効率がさらに増加する。全
ての光取り出し面を発光層の中央部を原点とする円柱面
として組み合わせることによって、発光層から発せられ
た光はほぼ全てが光取り出し面に対して略垂直に入射す
ることになり、１次光の外部放射効率は著しく増加し
て、光取り出し効率を格段に高くすることができる。
中央部を原点とする円柱面とすることによって、発光層
から発せられた光は光取り出し面に対して略垂直に入射
するため、１次光の外部放射効率がさらに増加する。全
ての光取り出し面を発光層の中央部を原点とする円柱面
として組み合わせることによって、発光層から発せられ
た光はほぼ全てが光取り出し面に対して略垂直に入射す
ることになり、１次光の外部放射効率は著しく増加し
て、光取り出し効率を格段に高くすることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の各実施の
形態においては、発光素子の光を取り出す部分全体を
「光取り出し部」と呼び、光取り出し部を構成する各面
をそれぞれ「光取り出し面」と呼ぶこととし、全体と部
分とを区別する。
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の各実施の
形態においては、発光素子の光を取り出す部分全体を
「光取り出し部」と呼び、光取り出し部を構成する各面
をそれぞれ「光取り出し面」と呼ぶこととし、全体と部
分とを区別する。
【００３４】実施の形態１
まず、本発明の実施の形態１について、図１を参照して
説明する。図１（ａ）は本発明の実施の形態１にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図、
（ｃ）は底面図である。
説明する。図１（ａ）は本発明の実施の形態１にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図、
（ｃ）は底面図である。
【００３５】図１（ｂ）に示されるように、本実施の形
態１の発光素子１においては、ＳｉＣ基板２（屈折率ｎ
＝２．５）上にＧａＮ（ｎ＝２．４）の結晶層３をエピ
タキシャル成長させて、発光層４を形成している（電極
５の上部を除く）。そして、基板２側を上面、結晶層３
側を底面として、図１（ｃ）に示されるように、結晶層
３の底面に両方の電極５，６を設けている。さらに、図
１（ａ）に示されるように、ＳｉＣ基板２の上面の四辺
を斜めに削り取り正四角錐台形とし、これら５面（２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ）を光取り出し面としてあ
る。斜め部分の角度は約４５度であり、発光素子１全体
として半球形に近い形状になっている。
態１の発光素子１においては、ＳｉＣ基板２（屈折率ｎ
＝２．５）上にＧａＮ（ｎ＝２．４）の結晶層３をエピ
タキシャル成長させて、発光層４を形成している（電極
５の上部を除く）。そして、基板２側を上面、結晶層３
側を底面として、図１（ｃ）に示されるように、結晶層
３の底面に両方の電極５，６を設けている。さらに、図
１（ａ）に示されるように、ＳｉＣ基板２の上面の四辺
を斜めに削り取り正四角錐台形とし、これら５面（２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ）を光取り出し面としてあ
る。斜め部分の角度は約４５度であり、発光素子１全体
として半球形に近い形状になっている。
【００３６】発光素子１はこのような構成を有すること
から、ＧａＮ結晶層３の発光層４からの光は、基板２と
の界面では屈折率がほぼ同じであるため光の閉じ込めが
なく殆どの光がそのまま通過し、基板２と空気との界面
においては基板２の上面の四辺が斜めに削り取られてい
るために臨界角内に入る光の割合が多くなる。この結
果、１次光の外部放射効率が増大し、２次光以降の外部
放射効率も増して、光の取り出し効率が向上することに
よって、外部量子効率を大幅に向上させることができ
る。また、発光素子１は熱伝導率の高い金属にマウント
されるが、発光層が底面側にあることにより、発光層で
発熱した熱の外部への放熱性を高くすることができる。
さらに、この高効率化に伴って発熱率が低下し、かつ発
光素子の放熱性を高めることができるので投入許容電力
が増して、高効率化と相俟って高出力化を図ることがで
きる。
から、ＧａＮ結晶層３の発光層４からの光は、基板２と
の界面では屈折率がほぼ同じであるため光の閉じ込めが
なく殆どの光がそのまま通過し、基板２と空気との界面
においては基板２の上面の四辺が斜めに削り取られてい
るために臨界角内に入る光の割合が多くなる。この結
果、１次光の外部放射効率が増大し、２次光以降の外部
放射効率も増して、光の取り出し効率が向上することに
よって、外部量子効率を大幅に向上させることができ
る。また、発光素子１は熱伝導率の高い金属にマウント
されるが、発光層が底面側にあることにより、発光層で
発熱した熱の外部への放熱性を高くすることができる。
さらに、この高効率化に伴って発熱率が低下し、かつ発
光素子の放熱性を高めることができるので投入許容電力
が増して、高効率化と相俟って高出力化を図ることがで
きる。
【００３７】なお、光取り出し面形成のための加工は基
板を格子状に加工していくだけであり、光取り出し面と
なるＳｉＣ基板２のカット面（２ｂ，２ｃ，２ｄ，２
ｅ）については、ダイヤモンドカッターの回転数、カッ
ト速度の調整で、カット面を鏡面状態とすることが可能
である。このため容易に製造することができ、量産性に
優れる。
板を格子状に加工していくだけであり、光取り出し面と
なるＳｉＣ基板２のカット面（２ｂ，２ｃ，２ｄ，２
ｅ）については、ダイヤモンドカッターの回転数、カッ
ト速度の調整で、カット面を鏡面状態とすることが可能
である。このため容易に製造することができ、量産性に
優れる。
【００３８】このようにして、本実施の形態１の発光素
子１においては、互いに屈折率の近い炭化珪素基板上に
窒化ガリウム結晶層を形成することによって、発光層か
らの光の取り出し効率が大きく、発熱率が小さくて、光
出力の高い発光素子となる。
子１においては、互いに屈折率の近い炭化珪素基板上に
窒化ガリウム結晶層を形成することによって、発光層か
らの光の取り出し効率が大きく、発熱率が小さくて、光
出力の高い発光素子となる。
【００３９】実施の形態２
次に、本発明の実施の形態２について、図２を参照して
説明する。図２は本発明の実施の形態２にかかる発光素
子の構成を示す縦断面図である。なお、実施の形態１と
同一の部分については同一の符号を付して説明を一部省
略する。
説明する。図２は本発明の実施の形態２にかかる発光素
子の構成を示す縦断面図である。なお、実施の形態１と
同一の部分については同一の符号を付して説明を一部省
略する。
【００４０】本実施の形態２の発光素子１１が実施の形
態１の発光素子１と異なるのは、窒化ガリウム結晶層３
内の発光層７が中央部分のみに形成されており、電極５
の上以外の結晶層３内の全面に亘って発光層４が形成さ
れていた発光素子１と比較して、光取り出し面に対する
発光部が点光源に近く、かつ光取り出し面の中央部付近
に位置していることである。これによって、発光層７か
ら発せられた光の光取り出し面への入射角度は、実施の
形態１と比較して総じて深い角度となるので、１次光の
外部放射効率がさらに増加して、光取り出し効率を高く
することができる。これにより、チップサイズが発光素
子１と同程度の場合には、発光層で発した光の外部への
取り出し効率の向上により、従来素子に対し少ない電力
で同じ発光出力を得ることのできる省エネ素子とするこ
とができる。また、チップサイズを大きくして、発光素
子１１の発光層７の発光エリアが発光素子１の発光層４
と同程度になるように大きくすれば、従来素子と同じ電
力でより大出力を得ること、さらには、発熱の低減、放
熱性の向上により、従来素子より大きな電力を投入でき
ることによる大出力化を図ることができる。
態１の発光素子１と異なるのは、窒化ガリウム結晶層３
内の発光層７が中央部分のみに形成されており、電極５
の上以外の結晶層３内の全面に亘って発光層４が形成さ
れていた発光素子１と比較して、光取り出し面に対する
発光部が点光源に近く、かつ光取り出し面の中央部付近
に位置していることである。これによって、発光層７か
ら発せられた光の光取り出し面への入射角度は、実施の
形態１と比較して総じて深い角度となるので、１次光の
外部放射効率がさらに増加して、光取り出し効率を高く
することができる。これにより、チップサイズが発光素
子１と同程度の場合には、発光層で発した光の外部への
取り出し効率の向上により、従来素子に対し少ない電力
で同じ発光出力を得ることのできる省エネ素子とするこ
とができる。また、チップサイズを大きくして、発光素
子１１の発光層７の発光エリアが発光素子１の発光層４
と同程度になるように大きくすれば、従来素子と同じ電
力でより大出力を得ること、さらには、発熱の低減、放
熱性の向上により、従来素子より大きな電力を投入でき
ることによる大出力化を図ることができる。
【００４１】現在、ＬＥＤ光源は、モバイル機器用光源
としては省エネ高効率化が求められ、白熱電球代替光源
としては高出力化が求められることが多いが、本実施の
形態２の発光素子１１の構成によれば、上述の如く、そ
のいずれの要求にも答えることができる。
としては省エネ高効率化が求められ、白熱電球代替光源
としては高出力化が求められることが多いが、本実施の
形態２の発光素子１１の構成によれば、上述の如く、そ
のいずれの要求にも答えることができる。
【００４２】このようにして、本実施の形態２の発光素
子１１においては、発光層が点光源化されることによっ
て、より一層の効率向上と高出力化が可能な発光素子と
なる。
子１１においては、発光層が点光源化されることによっ
て、より一層の効率向上と高出力化が可能な発光素子と
なる。
【００４３】実施の形態３
次に、本発明の実施の形態３について、図３を参照して
説明する。図３は本発明の実施の形態３にかかる発光素
子の構成を示す縦断面図である。なお、実施の形態１，
２と同一の部分については同一の符号を付して説明を一
部省略する。
説明する。図３は本発明の実施の形態３にかかる発光素
子の構成を示す縦断面図である。なお、実施の形態１，
２と同一の部分については同一の符号を付して説明を一
部省略する。
【００４４】本実施の形態３の発光素子２１が実施の形
態２の発光素子１１と異なるのは、ＳｉＣ基板１２の光
取り出し面２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを柱面形状に仕上げ
た点である。柱面は、発光層の中央部を原点とする円柱
面としてある。これによって、発光層７から発せられた
光の光取り出し面への入射角度はさらに深くなり垂直入
射に近づくので、１次光の外部放射効率がさらに増加し
て、光取り出し効率を高くすることができる。さらに、
チップサイズが発光素子１と同程度の場合には、内部発
熱の減少により発熱による出力低下も軽減でき、効率向
上を図ることができる。また、チップサイズの幅を大き
くして、発光素子２１の発光層７の発光エリアの幅が発
光素子１の発光層４の幅と同程度になるように大きくす
れば、通電電流を大きく設定できることによる大出力化
を図ることができる。
態２の発光素子１１と異なるのは、ＳｉＣ基板１２の光
取り出し面２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを柱面形状に仕上げ
た点である。柱面は、発光層の中央部を原点とする円柱
面としてある。これによって、発光層７から発せられた
光の光取り出し面への入射角度はさらに深くなり垂直入
射に近づくので、１次光の外部放射効率がさらに増加し
て、光取り出し効率を高くすることができる。さらに、
チップサイズが発光素子１と同程度の場合には、内部発
熱の減少により発熱による出力低下も軽減でき、効率向
上を図ることができる。また、チップサイズの幅を大き
くして、発光素子２１の発光層７の発光エリアの幅が発
光素子１の発光層４の幅と同程度になるように大きくす
れば、通電電流を大きく設定できることによる大出力化
を図ることができる。
【００４５】このようにして、本実施の形態３の発光素
子２１においては、実施の形態２と同様に、光発光部が
点光源に近いものとしてあることによって、より一層の
効率向上と高出力化が可能な発光素子となる。
子２１においては、実施の形態２と同様に、光発光部が
点光源に近いものとしてあることによって、より一層の
効率向上と高出力化が可能な発光素子となる。
【００４６】上記各実施の形態においては、光取り出し
部が５面から構成されていると説明したが、これに限ら
ず全体形状が略凸面形状であれば、光取り出し効率向上
のための効果がある。半球状の１つの面から構成された
ものや、側面が２段となった９面から構成されたもの、
あるいは発光素子が四角に切り出されたものではなく、
六角に切り出され光取り出し面が７面から構成されたも
の等、種々の形態が本発明に含まれる。
部が５面から構成されていると説明したが、これに限ら
ず全体形状が略凸面形状であれば、光取り出し効率向上
のための効果がある。半球状の１つの面から構成された
ものや、側面が２段となった９面から構成されたもの、
あるいは発光素子が四角に切り出されたものではなく、
六角に切り出され光取り出し面が７面から構成されたも
の等、種々の形態が本発明に含まれる。
【００４７】実施の形態４
次に、本発明の実施の形態４について、図４を参照して
説明する。図４（ａ）は本発明の実施の形態４にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
説明する。図４（ａ）は本発明の実施の形態４にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
【００４８】図４（ａ）に示されるように、本実施の形
態４の発光素子３１においては、ＳｉＣ基板３２に縦横
それぞれ４本ずつのＶ形４５°の溝３３が切られて、Ｓ
ｉＣ基板３２が２５個の格子状の光取り出し部としての
正四角錐台形に区分されている。このように、出射面と
なるＳｉＣ基板３２が２５個の正四角錐台形に区分され
て格子状に並んでいることによって、図４（ｂ）に示さ
れるように、発光素子３１の幅に対してＳｉＣ基板３２
の高さが低い場合においても、ＧａＮ結晶層３５内の発
光層３４から発せられた光が各正四角錐台形から効率的
に取り出されて、高い外部放射効率を得ることができ
る。これによって、発光素子の大チップ化を行う場合で
も実施の形態１と同様の効率を期待できるとともに、母
材に対する発光素子の取り率を向上させることができ
る。即ち、図１に示される実施の形態１の発光素子１の
相似形で大チップ化を行うには、ウェハー厚を厚くする
必要があり、材料からの取り率が低下するが、これによ
ればウェハー厚を同一とし、ダイシングサイズを大きく
した発光素子による実施の形態１同様の効率を期待でき
るとともに、材料からの取り率が高く、有効に利用でき
る。さらに、格子状の複数の正四角錐台形とすることに
よって製造が容易になるという利点もある。
態４の発光素子３１においては、ＳｉＣ基板３２に縦横
それぞれ４本ずつのＶ形４５°の溝３３が切られて、Ｓ
ｉＣ基板３２が２５個の格子状の光取り出し部としての
正四角錐台形に区分されている。このように、出射面と
なるＳｉＣ基板３２が２５個の正四角錐台形に区分され
て格子状に並んでいることによって、図４（ｂ）に示さ
れるように、発光素子３１の幅に対してＳｉＣ基板３２
の高さが低い場合においても、ＧａＮ結晶層３５内の発
光層３４から発せられた光が各正四角錐台形から効率的
に取り出されて、高い外部放射効率を得ることができ
る。これによって、発光素子の大チップ化を行う場合で
も実施の形態１と同様の効率を期待できるとともに、母
材に対する発光素子の取り率を向上させることができ
る。即ち、図１に示される実施の形態１の発光素子１の
相似形で大チップ化を行うには、ウェハー厚を厚くする
必要があり、材料からの取り率が低下するが、これによ
ればウェハー厚を同一とし、ダイシングサイズを大きく
した発光素子による実施の形態１同様の効率を期待でき
るとともに、材料からの取り率が高く、有効に利用でき
る。さらに、格子状の複数の正四角錐台形とすることに
よって製造が容易になるという利点もある。
【００４９】このようにして、本実施の形態４の発光素
子３１においては、出射面となるＳｉＣ基板３２を格子
状の２５個の正四角錐台形に区分したことによって、発
光素子を大チップ化した場合でも高い外部量子効率を得
ることができるとともに母材に対する発光素子の取り率
を向上させることができる。また、格子状としたことに
よって製造が容易になる。
子３１においては、出射面となるＳｉＣ基板３２を格子
状の２５個の正四角錐台形に区分したことによって、発
光素子を大チップ化した場合でも高い外部量子効率を得
ることができるとともに母材に対する発光素子の取り率
を向上させることができる。また、格子状としたことに
よって製造が容易になる。
【００５０】なお、本実施の形態４の発光素子３１にお
いては２５個の光取り出し部としての正四角錐台形を格
子状が並んだ場合について説明したが、これに限らず、
光取り出し部をどのようにも複数個並べることによっ
て、発光素子を大チップ化した場合でも高い外部量子効
率を得ることができるとともに母材に対する発光素子の
取り率を向上させることができる。
いては２５個の光取り出し部としての正四角錐台形を格
子状が並んだ場合について説明したが、これに限らず、
光取り出し部をどのようにも複数個並べることによっ
て、発光素子を大チップ化した場合でも高い外部量子効
率を得ることができるとともに母材に対する発光素子の
取り率を向上させることができる。
【００５１】実施の形態５
次に、本発明の実施の形態５について、図５を参照して
説明する。図５（ａ）は本発明の実施の形態５にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
説明する。図５（ａ）は本発明の実施の形態５にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
【００５２】図５（ａ）に示されるように、本実施の形
態５の発光素子４１においても、ＳｉＣ基板４２に縦横
それぞれ４本ずつのＶ形の溝４３が切られて、ＳｉＣ基
板４２が２５個の正四角錐台形に区分されている。さら
に、ＧａＮ結晶層４５内の発光層４４が、各正四角錐台
形の平面の部分に相当する部分にのみ形成されて点光源
化されている。これによって、光取り出し効率がさらに
向上するとともに、このように出射面となるＳｉＣ基板
４２を２５個の正四角錐台形に区分したことによって、
実施の形態４と同様に、発光素子を大チップ化した場合
でも外部量子効率の低下を防ぐことができる。さらに、
発光層４４が分断されていることによって、発光層４４
における熱の局在化を防ぐことができ、熱による発光効
率の低下を大幅に低減することができる。
態５の発光素子４１においても、ＳｉＣ基板４２に縦横
それぞれ４本ずつのＶ形の溝４３が切られて、ＳｉＣ基
板４２が２５個の正四角錐台形に区分されている。さら
に、ＧａＮ結晶層４５内の発光層４４が、各正四角錐台
形の平面の部分に相当する部分にのみ形成されて点光源
化されている。これによって、光取り出し効率がさらに
向上するとともに、このように出射面となるＳｉＣ基板
４２を２５個の正四角錐台形に区分したことによって、
実施の形態４と同様に、発光素子を大チップ化した場合
でも外部量子効率の低下を防ぐことができる。さらに、
発光層４４が分断されていることによって、発光層４４
における熱の局在化を防ぐことができ、熱による発光効
率の低下を大幅に低減することができる。
【００５３】このようにして、本実施の形態５の発光素
子４１においては、発光層４４が点光源化されているこ
とによって光取り出し効率がさらに向上するとともに、
発光層４４が分断されていることによって熱の局在化に
よる発光効率の低下を大幅に低減することができる。
子４１においては、発光層４４が点光源化されているこ
とによって光取り出し効率がさらに向上するとともに、
発光層４４が分断されていることによって熱の局在化に
よる発光効率の低下を大幅に低減することができる。
【００５４】実施の形態６
次に、本発明の実施の形態６について、図６を参照して
説明する。図６（ａ）は本発明の実施の形態６にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
説明する。図６（ａ）は本発明の実施の形態６にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
【００５５】図６（ａ）に示されるように、本実施の形
態６の発光素子５１においては、ＳｉＣ基板５２に縦方
向のみに４本のＶ形の溝５３が切られて、ＳｉＣ基板４
２が５本の棒状台形に区分されている。そして、これら
の棒状台形の平面の部分に相当するＧａＮ結晶層５５の
部分（電極５６の上部を除く）にのみ発光層５４が形成
されている。したがって、発光層５４は図６（ｂ）の紙
面に垂直な方向に伸びた棒状光源となっている。これに
よって、図６（ｂ）に示されるように、発光素子５１の
幅に対してＳｉＣ基板５２の高さが低い場合において
も、ＧａＮ結晶層５５内の発光層５４から発せられた光
が各棒状台形から効率的に取り出されて、高い外部放射
効率を得ることができる。これによって、発光素子を大
チップ化した場合でも外部量子効率の低下を防ぐことが
できる。
態６の発光素子５１においては、ＳｉＣ基板５２に縦方
向のみに４本のＶ形の溝５３が切られて、ＳｉＣ基板４
２が５本の棒状台形に区分されている。そして、これら
の棒状台形の平面の部分に相当するＧａＮ結晶層５５の
部分（電極５６の上部を除く）にのみ発光層５４が形成
されている。したがって、発光層５４は図６（ｂ）の紙
面に垂直な方向に伸びた棒状光源となっている。これに
よって、図６（ｂ）に示されるように、発光素子５１の
幅に対してＳｉＣ基板５２の高さが低い場合において
も、ＧａＮ結晶層５５内の発光層５４から発せられた光
が各棒状台形から効率的に取り出されて、高い外部放射
効率を得ることができる。これによって、発光素子を大
チップ化した場合でも外部量子効率の低下を防ぐことが
できる。
【００５６】なお、この際には、実施の形態５ほどの光
取り出し効率の向上は期待できないが、加工を簡略化で
き、かつ従来技術に対して光の取り出し効率の向上を図
ることができる。
取り出し効率の向上は期待できないが、加工を簡略化で
き、かつ従来技術に対して光の取り出し効率の向上を図
ることができる。
【００５７】このようにして、本実施の形態６の発光素
子５１においては、ＳｉＣ基板４２を５本の棒状台形に
区分した状態においてもＧａＮ結晶層５５内の発光層５
４から発せられた光が各棒状台形から効率的に取り出さ
れて、高い外部放射効率を得ることができる。これによ
って、発光素子を大チップ化した場合でも外部量子効率
の低下を防ぐことができる。
子５１においては、ＳｉＣ基板４２を５本の棒状台形に
区分した状態においてもＧａＮ結晶層５５内の発光層５
４から発せられた光が各棒状台形から効率的に取り出さ
れて、高い外部放射効率を得ることができる。これによ
って、発光素子を大チップ化した場合でも外部量子効率
の低下を防ぐことができる。
【００５８】上記各実施の形態においては、炭化珪素
（ＳｉＣ）基板の上に窒化ガリウム（ＧａＮ）の結晶層
をエピタキシャル成長させた発光素子について説明した
が、これに限らず、砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の上に
砒素化ガリウム系の結晶層をエピタキシャル成長させた
発光素子等の他の材料からなる発光素子でも良い。ま
た、結晶成長に用いた基板を除去し、発光素子が発した
光に対する透光性の高い基板や、発光層と同等の屈折率
の基板を貼り合わせたものを用いても良い。この際に
は、貼り合わせた後に光取り出し面の加工を行っても良
いし、光取り出し面の加工を行った基板を貼り合わせて
も良い。それ以外に他の基板を貼り合わせたものでも良
い（屈折率、透光性の自由度を高めることができる）。
（ＳｉＣ）基板の上に窒化ガリウム（ＧａＮ）の結晶層
をエピタキシャル成長させた発光素子について説明した
が、これに限らず、砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の上に
砒素化ガリウム系の結晶層をエピタキシャル成長させた
発光素子等の他の材料からなる発光素子でも良い。ま
た、結晶成長に用いた基板を除去し、発光素子が発した
光に対する透光性の高い基板や、発光層と同等の屈折率
の基板を貼り合わせたものを用いても良い。この際に
は、貼り合わせた後に光取り出し面の加工を行っても良
いし、光取り出し面の加工を行った基板を貼り合わせて
も良い。それ以外に他の基板を貼り合わせたものでも良
い（屈折率、透光性の自由度を高めることができる）。
【００５９】発光素子のその他の部分の構成、形状、数
量、材質、大きさ、接続関係等についても、上記各実施
の形態に限定されるものではない。
量、材質、大きさ、接続関係等についても、上記各実施
の形態に限定されるものではない。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
かかる発光素子は、発光層と光取り出し部とを有する発
光素子において、前記光取り出し部は略凸面形状であ
り、前記発光層と前記光取り出し部との間が略同等の屈
折率であるものである。
かかる発光素子は、発光層と光取り出し部とを有する発
光素子において、前記光取り出し部は略凸面形状であ
り、前記発光層と前記光取り出し部との間が略同等の屈
折率であるものである。
【００６１】このように、発光層と光取り出し部との間
が略同等の屈折率であることから、発光層から光取り出
し部の間での屈折や界面反射は生じない。そして、光取
り出し部が略凸面形状であることから光取り出し部を構
成する各光取り出し面が発光層から発する光に対して垂
直に近くなって外部に光が放射されるための臨界角内に
入る割合が大きくなる。このため、光取り出し部界面で
の界面反射の影響を大幅に減ずることにより、発光層で
発せられた光が有効に光取り出し部から外部放射され
る。このようにして、発光層からの光の取り出し効率が
大きい発光素子となる。
が略同等の屈折率であることから、発光層から光取り出
し部の間での屈折や界面反射は生じない。そして、光取
り出し部が略凸面形状であることから光取り出し部を構
成する各光取り出し面が発光層から発する光に対して垂
直に近くなって外部に光が放射されるための臨界角内に
入る割合が大きくなる。このため、光取り出し部界面で
の界面反射の影響を大幅に減ずることにより、発光層で
発せられた光が有効に光取り出し部から外部放射され
る。このようにして、発光層からの光の取り出し効率が
大きい発光素子となる。
【００６２】請求項２の発明にかかる発光素子は、請求
項１の構成において、前記発光層が前記発光素子の底面
側に位置するようにマウントされるものである。
項１の構成において、前記発光層が前記発光素子の底面
側に位置するようにマウントされるものである。
【００６３】このように発光層が発光素子の底面側にく
るようにマウントすることによって、請求項１に記載の
効果に加えて、発光層の各発光点から上方へ発せられた
光は結晶層と基板との界面の臨界角以下で放射された光
のみがこの界面を通過して基板中に入ることができ、そ
のまま基板を通過して効率良く外部放射される。ここ
で、発光層と光取り出し部との間が略同等の屈折率であ
ることから、結晶層は基板と屈折率がほぼ等しくなり、
これらの界面での屈折や界面反射は生ぜず、ほぼ全ての
光が界面を通過して基板から効率良く外部放射される。
このように光の取り出し効率が向上することによって、
外部量子効率の高効率化がなされる。さらに、発光素子
は熱伝導率の高い金属にマウントされるが、発光層が発
光素子の底面側に位置していることから、発光層で発せ
られた熱の放熱性が向上する。また、外部量子効率の高
効率化に伴って発熱率が低下するので放熱性の向上も加
わって投入許容電力が増して、高効率化と相俟って高出
力化を図ることができる。
るようにマウントすることによって、請求項１に記載の
効果に加えて、発光層の各発光点から上方へ発せられた
光は結晶層と基板との界面の臨界角以下で放射された光
のみがこの界面を通過して基板中に入ることができ、そ
のまま基板を通過して効率良く外部放射される。ここ
で、発光層と光取り出し部との間が略同等の屈折率であ
ることから、結晶層は基板と屈折率がほぼ等しくなり、
これらの界面での屈折や界面反射は生ぜず、ほぼ全ての
光が界面を通過して基板から効率良く外部放射される。
このように光の取り出し効率が向上することによって、
外部量子効率の高効率化がなされる。さらに、発光素子
は熱伝導率の高い金属にマウントされるが、発光層が発
光素子の底面側に位置していることから、発光層で発せ
られた熱の放熱性が向上する。また、外部量子効率の高
効率化に伴って発熱率が低下するので放熱性の向上も加
わって投入許容電力が増して、高効率化と相俟って高出
力化を図ることができる。
【００６４】このようにして、発光層が発光素子の底面
側に位置するようにマウントすることによって、発光層
からの光の取り出し効率が大きく、放熱性が向上すると
ともに発熱率が小さくなり、高出力化を図ることのでき
る発光素子となる。
側に位置するようにマウントすることによって、発光層
からの光の取り出し効率が大きく、放熱性が向上すると
ともに発熱率が小さくなり、高出力化を図ることのでき
る発光素子となる。
【００６５】請求項３の発明にかかる発光素子は、請求
項１または請求項２の構成において、両極の電極が前記
底面側に形成されているものである。
項１または請求項２の構成において、両極の電極が前記
底面側に形成されているものである。
【００６６】これによって、請求項１または請求項２に
記載の効果に加えて、光取り出し部の形成を容易にでき
る。また、基板側即ち発光面側に電極を設ける必要がな
くなるため、基板を通過した光が電極に遮られることな
く効率良く外部放射される。
記載の効果に加えて、光取り出し部の形成を容易にでき
る。また、基板側即ち発光面側に電極を設ける必要がな
くなるため、基板を通過した光が電極に遮られることな
く効率良く外部放射される。
【００６７】このようにして、発光層からの光の取り出
し効率が大きく、発熱率が小さく、さらには発光素子で
発する熱の放熱性が高い発光素子となる。
し効率が大きく、発熱率が小さく、さらには発光素子で
発する熱の放熱性が高い発光素子となる。
【００６８】請求項４の発明にかかる発光素子は、請求
項１乃至請求項３のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部は５面以上の光取り出し面か
ら構成され、前記各光取り出し面に略垂直な方向に前記
発光層が存在するものである。
項１乃至請求項３のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部は５面以上の光取り出し面か
ら構成され、前記各光取り出し面に略垂直な方向に前記
発光層が存在するものである。
【００６９】かかる構成の発光素子においては、略凸面
形状の光取り出し部を構成する光取り出し面を５面以上
有しており、各光取り出し面に略垂直な方向に発光層が
存在しているため、請求項１乃至請求項３のいずれか１
つに記載の効果に加えて、発光層から発せられた光はほ
ぼ全てがいずれかの光取り出し面から外部放射されるこ
とになり、外部量子効率の高効率化がなされる。
形状の光取り出し部を構成する光取り出し面を５面以上
有しており、各光取り出し面に略垂直な方向に発光層が
存在しているため、請求項１乃至請求項３のいずれか１
つに記載の効果に加えて、発光層から発せられた光はほ
ぼ全てがいずれかの光取り出し面から外部放射されるこ
とになり、外部量子効率の高効率化がなされる。
【００７０】このようにして、発光層からの光の取り出
し効率が非常に大きい発光素子となる。
し効率が非常に大きい発光素子となる。
【００７１】請求項５の発明にかかる発光素子は、請求
項１乃至請求項４のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部は曲面の光取り出し面を含
み、前記光取り出し面に略垂直な方向に前記発光層が存
在するものである。
項１乃至請求項４のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部は曲面の光取り出し面を含
み、前記光取り出し面に略垂直な方向に前記発光層が存
在するものである。
【００７２】これによって、請求項１乃至請求項４のい
ずれか１つに記載の効果に加えて、曲面の光取り出し面
に対する発光層から発せられた光の入射角度は、平面の
光取り出し面に対する場合に比較して深くなり垂直入射
に近づくので、１次光の外部放射効率がさらに増加し
て、光取り出し効率を高くすることができる。
ずれか１つに記載の効果に加えて、曲面の光取り出し面
に対する発光層から発せられた光の入射角度は、平面の
光取り出し面に対する場合に比較して深くなり垂直入射
に近づくので、１次光の外部放射効率がさらに増加し
て、光取り出し効率を高くすることができる。
【００７３】請求項６の発明にかかる発光素子は、請求
項１乃至請求項５のいずれか１つの構成において、前記
発光層は結晶層内の一部であり、前記略凸面形状の光取
り出し部の中央部付近に位置するものである。
項１乃至請求項５のいずれか１つの構成において、前記
発光層は結晶層内の一部であり、前記略凸面形状の光取
り出し部の中央部付近に位置するものである。
【００７４】これによって、請求項１乃至請求項５のい
ずれか１つに記載の効果に加えて、発光層が結晶層のほ
ぼ全面に亘って形成されている場合と比較して、光取り
出し部に対する発光層が点光源に近く、かつ光取り出し
部の中央部付近に位置していることから、発光層から発
せられた光の光取り出し部への入射角度は総じて深い角
度となるので、１次光の外部放射効率がさらに増加し
て、光取り出し効率を高くすることができる。これによ
って、チップサイズが発光層が結晶層のほぼ全面に亘っ
て形成されている発光素子と同程度の場合には、発光層
で発した光の外部への取り出し効率の向上により、従来
素子に対し少ない電力で同じ発光出力を得ることのでき
る省エネ素子とすることができる。また、チップサイズ
を大きくして、発光層の発光エリアが発光層が結晶層の
ほぼ全面に亘って形成されている発光素子と同程度にな
るように大きくすれば、従来素子と同じ電力でより大出
力を得ること、さらには発熱の低減、放熱性の向上によ
り、従来素子より大きな電力を投入できることによる大
出力化を図ることができる。
ずれか１つに記載の効果に加えて、発光層が結晶層のほ
ぼ全面に亘って形成されている場合と比較して、光取り
出し部に対する発光層が点光源に近く、かつ光取り出し
部の中央部付近に位置していることから、発光層から発
せられた光の光取り出し部への入射角度は総じて深い角
度となるので、１次光の外部放射効率がさらに増加し
て、光取り出し効率を高くすることができる。これによ
って、チップサイズが発光層が結晶層のほぼ全面に亘っ
て形成されている発光素子と同程度の場合には、発光層
で発した光の外部への取り出し効率の向上により、従来
素子に対し少ない電力で同じ発光出力を得ることのでき
る省エネ素子とすることができる。また、チップサイズ
を大きくして、発光層の発光エリアが発光層が結晶層の
ほぼ全面に亘って形成されている発光素子と同程度にな
るように大きくすれば、従来素子と同じ電力でより大出
力を得ること、さらには発熱の低減、放熱性の向上によ
り、従来素子より大きな電力を投入できることによる大
出力化を図ることができる。
【００７５】現在、ＬＥＤ光源は、モバイル機器用光源
としては省エネ高効率化が求められ、白熱電球代替光源
としては高出力化が求められることが多いが、本発明の
発光素子の構成によれば、上述の如く、そのいずれの要
求にも答えることができる。
としては省エネ高効率化が求められ、白熱電球代替光源
としては高出力化が求められることが多いが、本発明の
発光素子の構成によれば、上述の如く、そのいずれの要
求にも答えることができる。
【００７６】請求項７の発明にかかる発光素子は、請求
項１乃至請求項６のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部を複数備えているものであ
る。
項１乃至請求項６のいずれか１つの構成において、前記
略凸面形状の光取り出し部を複数備えているものであ
る。
【００７７】これによって、請求項１乃至請求項６のい
ずれか１つに記載の効果に加えて、臨界角内に入る発光
層からの光の割合が大きくなって、１次光の外部放射効
率を大きくすることができる。さらに、光の取り出し面
積を大きくできるので２次光以降の外部放射効率も大き
くなり、光の取り出し効率が大きくなる。この結果、発
光素子全体の大きさに対して基板の厚さが薄い場合でも
光の取り出し効率が大きくなる効果を同様に得ることが
できるので、大チップ化の際の光の取り出し効率の低減
を防ぐことができる。また、母材に対する発光素子の取
り率を向上させることができる。即ち、略凸面形状の光
取り出し部が１つの発光素子の相似形で大チップ化を行
うには、ウェハー厚を厚くする必要があり、材料からの
取り率が低下するが、略凸面形状の光取り出し部を複数
備えていればウェハー厚を同一とし、ダイシングサイズ
を大きくした発光素子による同様の効率を期待できると
ともに、材料からの取り率が高く、有効に利用できる。
ずれか１つに記載の効果に加えて、臨界角内に入る発光
層からの光の割合が大きくなって、１次光の外部放射効
率を大きくすることができる。さらに、光の取り出し面
積を大きくできるので２次光以降の外部放射効率も大き
くなり、光の取り出し効率が大きくなる。この結果、発
光素子全体の大きさに対して基板の厚さが薄い場合でも
光の取り出し効率が大きくなる効果を同様に得ることが
できるので、大チップ化の際の光の取り出し効率の低減
を防ぐことができる。また、母材に対する発光素子の取
り率を向上させることができる。即ち、略凸面形状の光
取り出し部が１つの発光素子の相似形で大チップ化を行
うには、ウェハー厚を厚くする必要があり、材料からの
取り率が低下するが、略凸面形状の光取り出し部を複数
備えていればウェハー厚を同一とし、ダイシングサイズ
を大きくした発光素子による同様の効率を期待できると
ともに、材料からの取り率が高く、有効に利用できる。
【００７８】このようにして、発光素子全体の大きさに
対して基板の厚さが薄い場合でも光の取り出し効率が大
きくなる効果を同様に得ることができ、材料からの発光
素子の取り率が高く有効利用でき、大チップ化の際の光
の取り出し効率の低減を防ぐことができる発光素子とな
る。
対して基板の厚さが薄い場合でも光の取り出し効率が大
きくなる効果を同様に得ることができ、材料からの発光
素子の取り率が高く有効利用でき、大チップ化の際の光
の取り出し効率の低減を防ぐことができる発光素子とな
る。
【００７９】請求項８の発明にかかる発光素子は、請求
項７の構成において、前記複数の略凸面形状の光取り出
し部が格子状に並んでいるものである。
項７の構成において、前記複数の略凸面形状の光取り出
し部が格子状に並んでいるものである。
【００８０】これによって、請求項７に記載の効果に加
えて、発光素子の幅に対して基板の高さが低い場合にお
いても、結晶層内の発光層から発せられた光が格子状に
並んだ略凸面形状の光取り出し部から効率的に取り出さ
れて、高い外部放射効率を得ることができる。これによ
って、発光素子の大チップ化を行う場合でも同様の光取
り出し効率を期待できるとともに、母材に対する発光素
子の取り率を向上させることができる。即ち、略凸面形
状の光取り出し部が１つの発光素子の相似形で大チップ
化を行うには、ウェハー厚を厚くする必要があり、材料
からの取り率が低下するが、複数の略凸面形状の光取り
出し部が格子状に並んだものによればウェハー厚を同一
とし、ダイシングサイズを大きくした発光素子による同
様の効率を期待できるとともに、材料からの取り率が高
く、有効に利用できる。
えて、発光素子の幅に対して基板の高さが低い場合にお
いても、結晶層内の発光層から発せられた光が格子状に
並んだ略凸面形状の光取り出し部から効率的に取り出さ
れて、高い外部放射効率を得ることができる。これによ
って、発光素子の大チップ化を行う場合でも同様の光取
り出し効率を期待できるとともに、母材に対する発光素
子の取り率を向上させることができる。即ち、略凸面形
状の光取り出し部が１つの発光素子の相似形で大チップ
化を行うには、ウェハー厚を厚くする必要があり、材料
からの取り率が低下するが、複数の略凸面形状の光取り
出し部が格子状に並んだものによればウェハー厚を同一
とし、ダイシングサイズを大きくした発光素子による同
様の効率を期待できるとともに、材料からの取り率が高
く、有効に利用できる。
【００８１】請求項９の発明にかかる発光素子は、請求
項１乃至請求項８のいずれか１つの構成において、前記
光取り出し部に対して略垂直な前記発光素子の結晶層の
部分にのみ前記発光層が形成されているものである。
項１乃至請求項８のいずれか１つの構成において、前記
光取り出し部に対して略垂直な前記発光素子の結晶層の
部分にのみ前記発光層が形成されているものである。
【００８２】これによって、請求項１乃至請求項８のい
ずれか１つに記載の効果に加えて、発光層が各区画の中
央部分にのみ形成されて点光源化されるので、チップサ
イズを発光層を結晶層の全面に形成した発光素子と同程
度にした場合には発光層で発した光の１次光の外部放射
効率がさらに増加して、光取り出し効率が向上する。さ
らに、内部発熱の減少によって、光取り出し効率の増大
だけでなく発熱による出力低下も軽減することができ、
より一層の効率向上を図ることができる。また、チップ
サイズを大きくして中央部分にのみ形成された発光層の
発光エリアを結晶層の全面に発光層を形成した場合と同
じにすれば、通電電流を大きく設定できることによって
大出力化を図ることができる。現在、ＬＥＤ光源におい
ては、モバイル機器用光源としては省エネ高効率が求め
られており、白熱電球代替光源としては高出力が求めら
れることが多いが、本発明にかかる発光素子はそのいず
れの要求にも答えることができる。
ずれか１つに記載の効果に加えて、発光層が各区画の中
央部分にのみ形成されて点光源化されるので、チップサ
イズを発光層を結晶層の全面に形成した発光素子と同程
度にした場合には発光層で発した光の１次光の外部放射
効率がさらに増加して、光取り出し効率が向上する。さ
らに、内部発熱の減少によって、光取り出し効率の増大
だけでなく発熱による出力低下も軽減することができ、
より一層の効率向上を図ることができる。また、チップ
サイズを大きくして中央部分にのみ形成された発光層の
発光エリアを結晶層の全面に発光層を形成した場合と同
じにすれば、通電電流を大きく設定できることによって
大出力化を図ることができる。現在、ＬＥＤ光源におい
ては、モバイル機器用光源としては省エネ高効率が求め
られており、白熱電球代替光源としては高出力が求めら
れることが多いが、本発明にかかる発光素子はそのいず
れの要求にも答えることができる。
【００８３】このようにして、発光層が点光源化される
ことによって、より一層の効率向上と高出力化が可能な
発光素子となる。
ことによって、より一層の効率向上と高出力化が可能な
発光素子となる。
【００８４】請求項１０の発明にかかる発光素子は、請
求項１乃至請求項９のいずれか１つの構成において、前
記光取り出し部が曲面を含む面に構成されているもので
ある。
求項１乃至請求項９のいずれか１つの構成において、前
記光取り出し部が曲面を含む面に構成されているもので
ある。
【００８５】これによって、請求項１乃至請求項９のい
ずれか１つに記載の効果に加えて、光取り出し面が平面
のみから構成されている場合に比較して、発光層から発
せられた光の光取り出し面への入射角度はより深くなる
ので、１次光の外部放射効率がさらに増加して、光取り
出し効率を高くすることができる。
ずれか１つに記載の効果に加えて、光取り出し面が平面
のみから構成されている場合に比較して、発光層から発
せられた光の光取り出し面への入射角度はより深くなる
ので、１次光の外部放射効率がさらに増加して、光取り
出し効率を高くすることができる。
【００８６】請求項１１の発明にかかる発光素子は、請
求項８の構成において、前記曲面が円柱面を含むもので
ある。
求項８の構成において、前記曲面が円柱面を含むもので
ある。
【００８７】このようにして、光取り出し面を発光層の
中央部を原点とする円柱面とすることによって、請求項
８に記載の効果に加えて、発光層から発せられた光は光
取り出し面に対して略垂直に入射するため、１次光の外
部放射効率がさらに増加する。全ての光取り出し面を発
光層の中央部を原点とする円柱面として組み合わせるこ
とによって、発光層から発せられた光はほぼ全てが光取
り出し面に対して略垂直に入射することになり、１次光
の外部放射効率は著しく増加して、光取り出し効率を格
段に高くすることができる。
中央部を原点とする円柱面とすることによって、請求項
８に記載の効果に加えて、発光層から発せられた光は光
取り出し面に対して略垂直に入射するため、１次光の外
部放射効率がさらに増加する。全ての光取り出し面を発
光層の中央部を原点とする円柱面として組み合わせるこ
とによって、発光層から発せられた光はほぼ全てが光取
り出し面に対して略垂直に入射することになり、１次光
の外部放射効率は著しく増加して、光取り出し効率を格
段に高くすることができる。
【図１】 図１（ａ）は本発明の実施の形態１にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図、
（ｃ）は底面図である。
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図、
（ｃ）は底面図である。
【図２】 図２は本発明の実施の形態２にかかる発光素
子の構成を示す縦断面図である。
子の構成を示す縦断面図である。
【図３】 図３は本発明の実施の形態３にかかる発光素
子の構成を示す縦断面図である。
子の構成を示す縦断面図である。
【図４】 図４（ａ）は本発明の実施の形態４にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
【図５】 図５（ａ）は本発明の実施の形態５にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
【図６】 図６（ａ）は本発明の実施の形態６にかかる
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
発光素子の構成を示す平面図、（ｂ）は縦断面図であ
る。
【図７】 図７は、従来のＧａＮ系の発光素子の構成を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
１，１１，２１，３１，４１，５１ 発光素子
２，１２，３２，４２，５２ 基板
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ 光取り出し面
３，３５，４５，５５ 結晶層
４，７，３４，４４，５４ 発光層
５，６，３６，３７，４６，４７，５６，５７ 両極の
電極 ３３，４３，５３ 複数の溝
電極 ３３，４３，５３ 複数の溝
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA04 AA33 CA13 CA40
CA76 CB22 DA04 FF11
Claims (11)
- 【請求項１】 発光層と光取り出し部とを有する発光素
子において、 前記光取り出し部は略凸面形状であり、 前記発光層と前記光取り出し部との間が略同等の屈折率
であることを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 前記発光層が前記発光素子の底面側に位
置するようにマウントされることを特徴とする請求項１
に記載の発光素子。 - 【請求項３】 両極の電極が前記底面側に形成されてい
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発
光素子。 - 【請求項４】 前記略凸面形状の光取り出し部は５面以
上の光取り出し面から構成され、前記各光取り出し面に
略垂直な方向に前記発光層が存在することを特徴とする
請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の発光素
子。 - 【請求項５】 前記略凸面形状の光取り出し部は曲面の
光取り出し面を含み、前記光取り出し面に略垂直な方向
に前記発光層が存在することを特徴とする請求項１乃至
請求項４のいずれか１つに記載の発光素子。 - 【請求項６】 前記発光層は結晶層内の一部であり、前
記略凸面形状の光取り出し部の中央部付近に位置するこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに
記載の発光素子。 - 【請求項７】 前記略凸面形状の光取り出し部を複数備
えていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいず
れか１つに記載の発光素子。 - 【請求項８】 前記複数の略凸面形状の光取り出し部が
格子状に並んでいることを特徴とする請求項７に記載の
発光素子。 - 【請求項９】 前記光取り出し部に対して略垂直な前記
発光素子の結晶層の部分にのみ前記発光層が形成されて
いることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか
１つに記載の発光素子。 - 【請求項１０】 前記光取り出し部が曲面を含む面に構
成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９の
いずれか１つに記載の発光素子。 - 【請求項１１】 前記曲面が円柱面を含むことを特徴と
する請求項１０に記載の発光素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001206357A JP4107814B2 (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 発光素子 |
| US10/156,502 US6946788B2 (en) | 2001-05-29 | 2002-05-29 | Light-emitting element |
| EP02011635A EP1263058B1 (en) | 2001-05-29 | 2002-05-29 | Light-emitting element |
| EP05017307.9A EP1596443B1 (en) | 2001-05-29 | 2002-05-29 | Light-emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001206357A JP4107814B2 (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003023176A true JP2003023176A (ja) | 2003-01-24 |
| JP4107814B2 JP4107814B2 (ja) | 2008-06-25 |
Family
ID=19042507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001206357A Expired - Fee Related JP4107814B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-07-06 | 発光素子 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP4107814B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005516419A (ja) * | 2002-01-28 | 2005-06-02 | クリー インコーポレイテッド | 発光ダイオードのクラスタ実装 |
| JP2005228924A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2006100787A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-04-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置および発光素子 |
| KR100716646B1 (ko) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | 서울옵토디바이스주식회사 | 경사진 광 방출면을 갖는 발광소자 및 그것을 제조하는방법 |
| JP2007317916A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Seiko Epson Corp | 光学素子、発光素子及びプロジェクタ |
| KR100785451B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2007-12-13 | 서울옵토디바이스주식회사 | 패터닝된 투명전극층을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는방법 |
| US7476909B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-01-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting device |
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| JP4107814B2 (ja) | 2008-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050607 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050804 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060228 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060529 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060623 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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