JP2003017062A - エネルギー貯蔵媒体 - Google Patents
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Abstract
ー貯蔵媒体を提供する。 【解決手段】 式(1)で示される構成単位を有するN
−オキシド化ポリ(含N縮合複素環)重合体、S原子を
含有する陰イオンを含む電解質とを含有する材料とその
カウンターイオンとなる陽イオンを含む電解質とを含有
する材料からなる電極を用いるエネルギー貯蔵媒体。 (a〜hのうち任意の2つは繰り返し単位間の結合に関与
するC原子を少なくとも1つはN→O基を、残りはC原
子、CH基、N原子又はN→O基を表し、重合度nは少なく
とも5で表され、R1及びR2はそれぞれ独立にH原子、
ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スル
ホン基、硫酸基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、ア
リール基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルチオ基
及びアリールチオ基等を示す。)
Description
として用いられるエネルギー貯蔵媒体に関する。特に、
化学的、電気的に安定且つ耐熱性に優れ、高容量のエネ
ルギー貯蔵媒体に関する。
の電極や電極表面に用いることが検討されている。たと
えばポリアセチレン、ポリピリジン等の導電性高分子が
電極材料に検討されている。一般にこれらπ共役系高分
子材料に導電性を付与する場合、電気的若しくは化学的
酸化(pドーピング)又は還元(nドーピング)を施す
必要がある。この場合、ドーピング材自体が導電性高分
子材料と電子の授受を行う再に化学的に反応するなどそ
の電気伝導特性を著しく損なう結果を伴い、結果とし
て、導電性材料を電極材料に用いた場合の低容量や低サ
イクル性等の問題を生じていた。
物の安定性は悪く、その結果として、これらの導電性材
料を電極材に用いた場合その特性劣化の原因となってい
た。
m.Soc、140,2498,1993に記載されて
いるように、ポリフェニルキノキサリンが濃塩酸水溶液
中で下記(式(I))に示されるような酸化還元反応を
行うことが開示されている。この場合、塩素イオン(C
l-)をドーパントとして用いている。
Cl-を表す) さらに、J.Electrochem.Soc、14
5,1193,1998に上記ポリフェニルキノキサリ
ンが強酸中においても導電性を発現し、前述した式
(I)に示される反応機構と同様の機構で充放電を行う
ことが開示されている。
ような導電性材料にポリフェニルキノキサリンを用いた
場合、ポリフェニルキノキサリンは、単位ユニット、す
なわち1のモノマー当たりの分子量が大きい上、前記式
(I)に示される反応機構に示されるように、ドーパン
トに塩素イオンを用いるため、反応電子数が2電子と少
なく、体積当たり又は重量当たりの容量が小さいという
問題点が指摘されている。またポリマー自体の電解液へ
の溶解性などもエネルギー媒体の特性劣化の原因として
指摘されている。
合体はポリマー自体の電解液への溶解性などが原因でエ
ネルギー媒体の特性劣化が指摘されている。即ち、電解
液への安定性が著しく悪いことが指摘されている。
優れるエネルギー媒体を提供することにある。
(1)
hのうち任意の2つは繰り返し単位間の結合に関与する
炭素原子であり、少なくとも1つはN→O基を、残りは
それぞれ独立に炭素原子、CH基、窒素原子又はN→O
基を表し、a、b、c、dに含まれるN→O基の数の最
大総数は2を、窒素原子の数の最大総数は2を表し、ま
た、e、f、g、hに含まれるN→O基の数の最大総数
は2を、窒素原子の数の総数は2を表し、重合度nは少
なくとも5で表され、R1及びR2はそれぞれ独立に水素
原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル
基、スルホン基、硫酸基、ニトロ基、シアノ基、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシル基、アミノ基、アルキ
ルチオ基及びアリールチオ基を表す。)で表される構成
単位を有するN−オキシド化ポリ(含窒素縮合複素環)
重合体、硫黄原子を含有する陰イオンを含む電解質と、
そのカウンターイオンとなる陽イオンを含む電解質とを
含有する材料からなる電極を用いることを特徴とするエ
ネルギー貯蔵媒体に関する。
hのうち任意の2つは繰り返し単位間の結合に関与する
炭素原子を表し、少なくとも1つはN→O基を、残りは
炭素原子、CH基、窒素原子又はN→O基を表し、a、
b、c、dに含まれるN→O基の数の最大総数は2を、
窒素原子の数の最大総数は2を表し、また、e、f、
g、hに含まれるN→O基の数の最大総数は2を、窒素
原子の数の総数は2を表し、またo、p、q、r、s、
t、u及びvのうち、任意の2つは繰り返し単位間の結
合に関与する炭素原子を表し、残りはそれぞれ独立に、
炭素原子、CH基又は窒素原子を表し、o、p、q、r
に含まれる窒素原子の数の最大総数は2を表し、また
s、t、u、vに含まれる窒素原子の最大総数は2を表
し、重合度l+mは少なくとも5の整数を表し、R1、
R2、R3、及びR4はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホン
基、硫酸基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリー
ル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルチオ基及び
アリールチオ基を表す。)で表されるN−オキシド化ポ
リ(含窒素縮合複素環)重合体、硫黄原子を含有する陰
イオンを含む電解質と、そのカウンターイオンとなる陽
イオンを含む電解質とを含有する材料からなる電極を用
いることを特徴とするエネルギー貯蔵媒体に関する。
環の窒素原子がオキシド化されている繰返し単位を主と
して含む重合体であり、また式(2)の重合体は、含窒
素縮合複素環の窒素原子がオキシド化されている繰返し
単位と含窒素縮合複素環の窒素原子がオキシド化されて
いない繰返し単位とからなる共重合体である。なお該式
(2)の共重合体において、含窒素縮合複素環の窒素原
子がオキシド化されている繰返し単位と含窒素縮合複素
環の窒素原子がオキシド化されていない繰返し単位とは
ランダムに共重合しているものである。
素環)重合体は、前記の硫黄原子を含有する陰イオン、
若しくはカウンター陽イオンがN−オキシド化ポリ(含
窒素縮合複素環)重合体の窒素原子と反応し、負極電極
と正極電極との間で安定な酸化還元反応が進行すること
に着目し、安定性に優れるエネルギー貯蔵媒体を得るこ
とが出来ことに到達した。以下本発明についてその詳細
を説明する。
エネルギー貯蔵媒体、及びこれらの製造方法を、図面を
参照して説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係
るエネルギー貯蔵媒体の断面模式図である。
媒体は、外部電源を用いて充電を行うことにより繰り返
し利用可能な二次エネルギー貯蔵媒体であり、図1に示
すように、集電体1及び5の片面にそれぞれ性質の異な
る負極電極2及び正極電極3を設置し、前記負極電極2
と前記正極電極3とがセパレータ4を介して対向するよ
うに設置される。
表面に形成され、導電性活物質であるN−オキシド化ポ
リ(含窒素縮合複素環)重合体と、ドーパントとして硫
黄原子を含む陰イオン含有電解質と、そのカウンターイ
オンである陽イオンを含む電解質とを含有する膜から形
成される。一般的に、この膜は5〜800μmである
が、好ましくは50〜200μmの間で制御されてい
る。
性物質で、たとえばN−オキシド化ポリ(含窒素縮合複
素環)重合体、ポリアニリン誘導体等で作成できる。
解させた電解液に含浸させて形成するか、若しくは固体
電解質又はゲル電解質を用いる。セパレータとして一般
に用いられる材料としては、特に限定するものではない
が、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリ
ル、ポリエチレンオキシド、ポリビニリデンフロライ
ド、ポリビニリデンフロライド-ヘキサフルオロプロピ
レンなどが挙げられる。
を有する電解質を溶解させた溶媒で、水もしくは有機溶
剤(例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボ
ネートなど)がある。集電体1、5は、シート状に加工
された金属導電物からなり、平板、若しくはグリッド構
造の銅やアルミなどが用いられる。
化ポリ(含窒素縮合複素環)重合体で、式中、a、b、
c、d、e、f、g及びhのうち任意の2つは繰り返し
単位間の結合に関与する炭素原子であり、少なくとも1
つはN→O基を、残りは炭素原子、CH基、窒素原子又
はN→O基を表し、a、b、c、dに含まれるN→O基
の数の最大総数は2を、窒素原子の数の最大総数は2を
表し、また、e、f、g、hに含まれるN→O基の数の
最大総数は2を、窒素原子の数の総数は2を表し、重合
度nは少なくとも5を表すが、その機械的強度や耐溶剤
性、更にはその加工性の観点から好ましくは5以上10
0000以下、更に好ましくは100以上10000以
下が提唱される量である。
ロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホ
ン基、硫酸基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリ
ール基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルチオ基及
びアリールチオ基を有することを特徴としているが、こ
こにアルキル基は炭素数1〜20、特に1〜5のものが
好ましい。一価炭化水素基として具体的には、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロア
ルキル基、ビシクロヘキシル基等のビシクロアルキル
基、ビニル基、1−プロペニル基、2−プロペニル基、
イソプロペニル基、1−メチル−2−プロペニル基、1
又は2又は3−ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニ
ル基が挙げられる。また、アリール基として、フェニル
基、キシリル基、トリル基、ビフェニル基、ナフチル基
等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェ
ニルシクロヘキシル基等のアラルキル基等や、これら一
価炭化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原
子、水酸基、アルコキシ基などで置換されたものを例示
することができる。
化ポリ(含窒素縮合複素環)重合体で、式中、a、b、
c、d、e、f、g及びhのうち任意の2つは繰り返し
単位間の結合に関与する炭素原子を表し、少なくとも1
つはN→O基を、残りはそれぞれ独立に炭素原子、CH
基、窒素原子又はN→O基を表し、a、b、c、dに含
まれるN→O基の数の最大総数は2を、窒素原子の数の
最大総数は2を表し、また、e、f、g、hに含まれる
N→O基の数の最大総数は2を、窒素原子の数の総数は
2を表し、またo、p、q、r、s、t、u及びvのう
ち、任意の2つは繰り返し単位間の結合に関与する炭素
原子を表し、残りはそれぞれ独立に、炭素原子、CH基
又は窒素原子を表し、o、p、q、rに含まれる窒素原
子の数の最大総数は2を表し、またs、t、u、vに含
まれる窒素原子の最大総数は2を表し、重合度l+mは
少なくとも5の整数を表すが、その機械的強度や耐溶剤
性、更にはその加工性の観点から好ましくは5以上10
0000以下、更に好ましくは100以上10000以
下が提唱される量である。
水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシ
ル基、スルホン基、硫酸基、ニトロ基、シアノ基、アル
キル基、アリール基、アルコキシル基、アミノ基、アル
キルチオ基及びアリールチオ基等を表す。
1〜5のものが好ましい。一価炭化水素基として具体的
には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等
のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等
のシクロアルキル基、ビシクロヘキシル基等のビシクロ
アルキル基、ビニル基、1−プロペニル基、2−プロペ
ニル基、イソプロペニル基、1−メチル−2−プロペニ
ル基、1又は2又は3−ブテニル基、ヘキセニル基など
のアルケニル基が挙げられる。また、アリール基とし
て、フェニル基、キシリル基、トリル基、ビフェニル
基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニル
エチル基、フェニルシクロヘキシル基等のアラルキル基
などや、これら一価炭化水素基の水素原子の一部又は全
部をハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基などで置換さ
れたものを例示することができる。
(含窒素縮合複素環)重合体のサブグループとしては、
次式(1a)のN−オキシド化ポリ(キノリンジイル)
重合体、(1b−1)及び(1b−2)のN−オキシド
化ポリ(キノキサリンジイル)重合体、(1c−1)及
び(1c−2)のN−オキシド化ポリ(ナフチリジンジ
イル)重合体がある。
は少なくとも5の整数を表されるが、その機械的強度や
耐溶剤性、更にはその加工性の観点から好ましくは5以
上100000以下、更に好ましくは100以上100
00以下が提唱される量である。R1及びR2は前記と同
じである。
ド化ポリ(含窒素縮合複素環)重合体のサブグループと
しては、式(2)が、次式(2a)のN−オキシド化ポ
リ(キノリンジイル)共重合体、(2b−1)及び(2
b−2)のN−オキシド化ポリ(キノキサリンジイル)
共重合体、(2c−1)及び(2c−2)のN−オキシ
ド化ポリ(ナフチリジンジイル)共重合体がある。
m3、l4+m4及びl5+m5は少なくとも5の整数を
表されるが、その機械的強度や耐溶剤性、更にはその加
工性の観点から好ましくは5以上100000以下、更
に好ましくは100以上10000以下が提唱される量
である。R1、R2、R3及びR4は前記と同じ意味であ
る。
v、R1及びR2は前記と同様の意味を表し、重合度xは
少なくとも5を表す。)で表される2価の基を構成単位
として含有するポリ(含窒素縮合複素環)重合体、特に
次式(3a)、(3b)、(3c)
くとも5を表し、R1及びR2は前記と同様の意味を表
す。)で表される2価の基を構成単位として含有するポ
リ(キノリンジイル)、ポリ(キノキサリンジイル)ま
たはポリ(ナフチリジンジイル)重合体を適当な過酸化
物、例えば過酢酸(過酸化水素水と氷酢酸)、過硫酸、
m−クロル過安息香酸と反応させ、環内窒素原子をN−
オキシド化することによって製造される。本反応におい
て、使用する過酸化物は上記記載例に限定されるもので
はなく、また使用する過酸化物の種類、当量または反応
条件を工夫することにより本発明で用いる重合体の式
(1)と式(2)、または式(1a)と式(2a)、式
(1b−1)と式(2b−1)、式(1b−2)と式
(2b−2)、式(1c−1)と式(2c−1)、式
(1c−2)と式(2c−2)とをそれぞれ製造しわけ
ることができる。
として、次式(4)
子を表し、a、b、c、d、e、f、gおよびhの内、
任意の二つは前記ハロゲン原子に結合する炭素原子を、
少なくとも一つはN→O基を表し、残りはそれぞれ独立
に、炭素原子、CH基または窒素原子を表し、a、b、
c、dに含まれるN→O基の数の最大総数は2を、窒素
原子の数の最大総数は2を表し、また、e、f、g、h
に含まれるN→O基の最大総数は2を、窒素原子の数の
最大総数は2を表し、R1及びR2は前記と同じ意味を表
す。)で表されるジハライド化合物、特にキノリンオキ
シド、キノキサリンオキシド、キノキサリンジオキシ
ド、1,5−ナフチリジンオキシドまたは1,5−ナフ
チリジンジオキシドの任意の2箇所の水素原子をハロゲ
ン原子に置換した式(4a)、式(4b−1)、式(4
b−2)、式(4c−1)または式(4c−2)
子を表し、R1及びR2は前記と同じ意味を表す。)で
表されるジハライド化合物をゼロ価ニッケル化合物と反
応させる方法を掲げることができる。すなわち、上記ジ
ハライド化合物に有機溶媒中において等モル以上のゼロ
価ニッケル化合物を加えて反応させ、脱ハロゲン化する
ことによって取得される。好適な反応温度は室温〜約8
0℃の間にあり、約24時間程度で反応は完結する。上
記有機溶媒としては例えば、N,N−ジメチルホルムア
ミド、アセトニトリル、トルエン、テトラヒドロフラン
等が適用可能である。
(4)で表されるジハライド化合物、特にキノリンオキ
シド、キノキサリンオキシド、キノキサリンジオキシ
ド、1,5−ナフチリジンオキシドまたは1,5−ナフ
チリジンジオキシドの任意の2箇所の水素原子をハロゲ
ン原子に置換した前記の式(4a)、式(4b−1)、
式(4b−2)、式(4c−1)または式(4c−2)
で表されるジハライド化合物をニッケル化合物の存在下
で電解還元することによっても製造することができる。
すなわち、ジハライド化合物を2価のニッケル化合物の
共存下で電解還元反応させると、脱ハロゲン化反応によ
ってN−オキシド化ポリ(含窒素縮合複素環)重合体を
得ることができる。
媒体に用いられている電解質は、前述したように、硫黄
原子を含有する陰イオンを含む電解質とそのカウンター
イオンとなる陽イオンを含む電解質である。ここに電解
質は特に規定するもではないが、たとえば無機酸として
硫酸、有機酸としてベンゼンスルホン酸、アルキルベン
ゼンスルホン酸、カンファスルホン酸、5―スルホサリ
チル酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、
トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン
酸イオン、トリクロロベンゼンスルホン酸イオン、ナフ
タレンスルホン酸イオン、パーフルオロブタンスルホン
酸イオン、パーフルオロオクタンスルホン酸イオン更
に、ポリスチレンスルホン酸イオン、ポリビニルスルホ
ン酸などが含まれる。
定されるものではないが限定されるわけではないが、プ
ロトン、アルカリ金属イオン(リチウムイオン、ナトリ
ウムイオン、カリウムイオン)、アルカリ土類金属(マ
グネシウムイオン、カルシウムイオン、バリウムイオ
ン)、アルミニウムイオン、鉄イオン、ニッケルイオ
ン、テトラメチルアンモニウムイオン等が挙げられる。
蔵媒体の製造方法について説明する。実際に用いられる
エネルギー媒体を図1に示す。負極電極2は以下のよう
に形成されるが、特にその方法は限定されるものではな
い。先ず、N−オキシド化ポリ(含窒素縮合複素環)重
合体に導電性付与剤としてカーボンを添加し、これをD
MF、NMPに溶解若しくは分散しワニス化する。ワニ
ス化にはボールミルを用いるのが効果的である。得られ
たワニスはドクターブレード法などにより銅集電体1上
に塗布し乾燥する。十分に乾燥した後、プレス機を用い
て加圧し、膜厚を調整する。正極3は特に限定されるも
のではないが、アミン系導電性高分子としてポリアニリ
ンを用い、これに導電性付与剤としてカーボンを添加
し、更にバインダーポリマーを混合したDMF、若しく
はNMPスラリーをボールミルを用いて作成する。成膜
は負極と同様に行える。これら電極のドーピングには特
に限定するものではないが、トリフルオロメタンスルホ
ン酸等を用い、化学的に行える。次に、同様なドーピン
グ剤を含有した電解液中に予め作成しておいたセパレー
タを浸し、十分に含浸させた後に先に作成した正極、負
極をこのセパレータを介して張り合わせエネルギー貯蔵
媒体を得ることができる。
媒体も挙げられる。N−オキシド化ポリ(含窒素縮合複
素環)重合体に導電性付与剤としてカーボンを添加し、
これをDMF、NMPに溶解若しくは分散しワニス化す
る。ワニス化にはボールミルを用いるのが効果的であ
る。得られたワニスはドクターブレード法により銅集電
体5上に塗布し乾燥する。このワニスを用いて正極、負
極を作成し、これと特に限定するものではないが、トリ
フルオロメタンスルホン酸を用い、化学的に行い、次
に、十分にドーピング剤を含有したセパレータを介して
この正極、負極を貼り合わせエネルギー貯蔵媒体を得る
ことが出来る。
媒体の実施例を比較例とともに示し、本発明に係るエネ
ルギー貯蔵媒体を具体的に説明する。尚、ここで得られ
たエネルギー貯蔵媒体は定電流にて充電試験を行った。
−オキシド−2,6−ジイル)重合体(n=185)を
用い、正極電極2に式(7)
2000)を用いた。また、負極電極1及び正極電極2
のドーパントしてトリフルオロメタンスルホン酸を用い
た。
剤(カーボン)を重量比で3:1混合させ、これにバイ
ンダー(ポリ弗化ビニリデンフロライド−ヘキサフルオ
ロプロピレン)を6wt%添加した後DMFに分散しス
ラリーを作成した。得られたスラリーはボールミルで攪
拌した後、ドクターブレード法で集電体5の片側にコー
トする。得られた薄膜は十分に乾燥の後、プレス機で加
圧し膜厚を整える。乾燥は100℃、減圧下で行った。
膜厚は凡そ80μmとした。次に同様な方法を用いて負
極の作成を行った。ここでポリ(ナフチリジン−1−オ
キシド−2,6−ジイル)重合体と導電付与剤(カーボ
ン)の混合比は2:1で膜厚は凡そ100μmとした。
電解液は、トリフルオロメタンスルホン酸水溶液を用
い、負極電極2及び正極電極3のドーピングを化学的に
行った。続いて、電解液を含浸させたセパレータ4を介
して上記電極を貼りあわせることによりエネルギー貯蔵
媒体を得た。
られたエネルギー貯蔵媒体を0.5mA/cm2の定電
流にて充電を0.9Vまで行った。得られた容量は、負
極活物質重量当たり102Wh/kgであった。サイク
ル特性においても、初期容量(この場合102Wh/k
g)の80%になるまでのサイクル回数は2300回で
あった。また、容量保存特性は25℃で30日後の容量
が76%であった。
ン−1−オキシド−2,6−ジイル)重合体を正、負電
極活物質として用い、更にドーパントとして硫酸を用い
エネルギー貯蔵媒体を作成した。
た。更に電解液を含浸したセパレータを介して貼りあわ
せエネルギー貯蔵媒体とした。完成したキャパシタを
0.5mA/cm2で定電流にて充電を行った。その結
果、得られた容量は負極活物質当たり19Wh/kgで
あった。サイクル特性においても、初期容量の80%に
なるまでのサイクル回数は5000回であった。
と同様の実験を行った。その結果、エネルギー貯蔵媒体
を0.5mA/cm2の定電流にて充電を0.9Vまで
行った時、容量は負極活物質重量当たり55Wh/kg
であり、サイクル特性においても、初期容量の80%に
なるまでのサイクル回数は800回であった。
0)を正、負電極活物質として用い、実施例2と同様な
実験を行った。その結果、得られた容量は負極活物質あ
たり9.4wh/kgであり、サイクル特性においても
初期容量の80%になるまでのサイクル回数は1200
回であった。
蔵媒体の断面模式図である。
蔵媒体の断面模式図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 式(1) 【化1】 (式中、a、b、c、d、e、f、g及びhのうち任意
の2つは繰り返し単位間の結合に関与する炭素原子であ
り、少なくとも1つはN→O基を、残りはそれぞれ独立
に炭素原子、CH基、窒素原子又はN→O基を表し、
a、b、c、dに含まれるN→O基の数の最大総数は2
を、窒素原子の数の最大総数は2を表し、また、e、
f、g、hに含まれるN→O基の数の最大総数は2を、
窒素原子の数の総数は2を表し、重合度nは少なくとも
5で表され、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、ハ
ロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホ
ン基、硫酸基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリ
ール基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルチオ基及
びアリールチオ基を表す。)で表される構成単位を有す
るN−オキシド化ポリ(含窒素縮合複素環)重合体、硫
黄原子を含有する陰イオンを含む電解質と、そのカウン
ターイオンとなる陽イオンを含む電解質とを含有する材
料からなる電極を用いることを特徴とするエネルギー貯
蔵媒体。 - 【請求項2】 式(2) 【化2】 (式中、a、b、c、d、e、f、g及びhのうち任意
の2つは繰り返し単位間の結合に関与する炭素原子を表
し、少なくとも1つはN→O基を、残りは炭素原子、C
H基、窒素原子又はN→O基を表し、a、b、c、dに
含まれるN→O基の数の最大総数は2を、窒素原子の数
の最大総数は2を表し、また、e、f、g、hに含まれ
るN→O基の数の最大総数は2を、窒素原子の数の総数
は2を表し、またo、p、q、r、s、t、u及びvの
うち、任意の2つは繰り返し単位間の結合に関与する炭
素原子を表し、残りはそれぞれ独立に炭素原子、CH基
又は窒素原子を表し、o、p、q、rに含まれる窒素原
子の数の最大総数は2を表し、またs、t、u、vに含
まれる窒素原子の最大総数は2を表し、重合度l+mは
少なくとも5の整数を表し、R1、R2、R3、及びR4は
それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル
基、カルボキシル基、スルホン基、硫酸基、ニトロ基、
シアノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシル基、
アミノ基、アルキルチオ基及びアリールチオ基を表
す。)で表されるN−オキシド化ポリ(含窒素縮合複素
環)重合体、硫黄原子を含有する陰イオンを含む電解質
と、そのカウンターイオンとなる陽イオンを含む電解質
とを含有する材料からなる電極を用いることを特徴とす
るエネルギー貯蔵媒体。 - 【請求項3】 式(1)のN−オキシド化ポリ(含窒素
縮合複素環)重合体が次式(1a)、(1b−1)、
(1b−2)、(1c−1)又は(1c−2) 【化3】 (式中、重合度n1、n2、n3、n4及びn5は少なくと
も5を表し、R1,R2は前記と同じ意味を表す。)であ
る請求項1記載のエネルギー貯蔵媒体。 - 【請求項4】 式(2)のN−オキシド化ポリ(含窒素
縮合複素環)重合体が次式(2a)、(2b−1)、
(2b−2)、(2c−1)又は(2c−2) 【化4】 (式中、重合度l1+m1、l2+m2、l3+m3、l4+
m5は少なくとも5を表し、R1、R2、R3及びR4は前
記と同じ意味を表す。)である請求項2記載のエネルギ
ー貯蔵媒体。 - 【請求項5】 N−オキシド化ポリ(含窒素縮合複素
環)重合体が式(3) 【化5】 (式中、o、p、q、r、s、t、u、v及び置換基R
1、R2は前記と同じ意味を表し、重合度xは少なくとも
5を表す。)で示される2価の基を構成単位として含有
するポリ(含窒素縮合複素環)重合体を過酸化物と反応
させ、環内窒素原子をN−オキシド化して得たN−オキ
シド化ポリ(含窒素縮合複素環)重合体である請求項1
乃至請求項4のいずれかに記載のエネルギー貯蔵媒体。 - 【請求項6】 N−オキシド化ポリ(含窒素縮合複素
環)重合体が式(4) 【化6】 (式中、X及びYはそれぞれハロゲン原子を表し、a、
b、c、d、e、f、g及びhのうち、任意の2つは前
記ハロゲン原子に結合する炭素原子を、少なくとも1つ
はN→O基を表し、残りはそれぞれ独立に炭素原子、C
H基または窒素原子を表し、a、b、c、dに含まれる
N→O基の数の最大総数は2を、窒素原子の数の最大総
数は2を表し、またe、f、g、hに含まれるN→O基
の数の最大総数は2を、窒素原子の最大の総数は2を表
し、また、R1、R2はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホン
基、硫酸基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリー
ル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルチオ基及び
アリールチオ基等を示す。)で示されるジハライド化合
物をゼロ価ニッケル化合物とを反応させ得られるN−オ
キシド化ポリ重合体である請求項1乃至請求項4のいず
れかに記載のネルギー貯蔵媒体。 - 【請求項7】 N−オキシド化ポリ(含窒素縮合複素
環)重合体が前記式(4)で示されるジハライド化合物
をゼロ価ニッケル化合物の存在下で電解還元することで
得られるN−オキシド化ポリ重合体である請求項1乃至
請求項4のいずれかに記載のネルギー貯蔵媒体。 - 【請求項8】 前記式(3)のポリ(含窒素縮合複素
環)重合体が次式(3a)、(3b)、(3c) 【化7】 (式中、R1、R2は式(3)と同じ、重合度x1、x2及
びx3は少なくとも5を表す。)である請求項5記載の
エネルギー貯蔵媒体。 - 【請求項9】 集電体表面に前記式(1)または(2)
で示されるN−オキシド化ポリ(含窒素縮合複素環)重
合体を有する膜を施すことにより電極を形成し、硫黄原
子を含有する陰イオンを含む電解質と、そのカウンター
イオンとなる陽イオンを含む電解質とを含有する溶液を
用いて、前記電極中のN−オキシド化ポリ(含窒素縮合
複素環)重合体をドーピングすることを特徴とするエネ
ルギー貯蔵媒体の製造方法。
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