JP2003016956A - Color cathode-ray tube and its manufacturing method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a color cathode-ray tube and its manufacturing method that can improve a focusing characteristic of electron beams over the whole region of a screen and improve brightness of the whole region of the screen. SOLUTION: A shadow mask 12 is provided with a plurality of aperture trains 19 arranged in parallel, and each aperture train 19 is composed of a plurality of apertures 34 arranged in a line with prescribed spaces. Striped projecting parts 50 charged by the irradiation of electron beams to focus the electron beams on the aperture side are formed on both sides of each aperture train 19 on the electron gun structure side surface of the shadow mask 12. The projecting part 50 is formed with a dielectric layer 50A and a low resistance layer 50B with a lower volume resistivity than the dielectric layer 50A.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、シャドウマスク
を備えたカラー陰極線管及びこのカラー陰極線管の製造
方法に係り、特に、画面全体にわたって輝度を向上する
構造を備えたシャドウマスク及びこの製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a color cathode ray tube having a shadow mask and a method for manufacturing the color cathode ray tube, and more particularly to a shadow mask having a structure for improving brightness over the entire screen and a method for manufacturing the shadow mask. .

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般に、カラー陰極線管は、ほぼ矩形状
のパネル及びファンネルを有した真空外囲器を備えてい
る。パネルの有効部内面には、蛍光体スクリーンが形成
されている。また、真空外囲器内には、蛍光体スクリー
ンに対向して、ほぼ矩形状のシャドウマスクが配置され
ている。シャドウマスクは、蛍光体スクリーンに対向し
たほぼ矩形状の有効面を有し、この有効面には、多数の
電子ビーム通過開孔が所定の配列で形成されている。2. Description of the Related Art Generally, a color cathode ray tube includes a vacuum envelope having a substantially rectangular panel and a funnel. A phosphor screen is formed on the inner surface of the effective portion of the panel. In the vacuum envelope, a substantially rectangular shadow mask is arranged so as to face the phosphor screen. The shadow mask has a substantially rectangular effective surface facing the phosphor screen, and a large number of electron beam passage apertures are formed in a predetermined array on the effective surface.

【０００３】一方、ファンネルのネック内には、電子ビ
ームを放出する電子銃構体が配設されている。電子銃構
体から放出された３電子ビームは、ファンネルの外側に
装着された偏向ヨークから発生された偏向磁界により偏
向され、シャドウマスクの電子ビーム通過開孔を介して
蛍光体スクリーンを水平方向及び垂直方向に走査する。
これにより、カラー画像が表示される。この際、シャド
ウマスクの各開孔は、電子銃構体から放出された３電子
ビームを選別して、蛍光体スクリーンを構成する所望の
３色蛍光体層に入射させる。On the other hand, in the neck of the funnel, an electron gun assembly for emitting an electron beam is arranged. The three electron beams emitted from the electron gun assembly are deflected by a deflection magnetic field generated from a deflection yoke mounted on the outside of the funnel, and horizontally and vertically pass through the phosphor screen through the electron beam passage opening of the shadow mask. Scan in the direction.
As a result, a color image is displayed. At this time, each of the openings of the shadow mask selects the three electron beams emitted from the electron gun structure and makes them enter the desired three-color phosphor layer forming the phosphor screen.

【０００４】シャドウマスクの電子ビーム通過開孔の形
状には、大別して円形状と矩形状の２種類があり、文字
や図形を表示するディスプレイ管では、主として円形状
の開孔を有したシャドウマスクが用いられている。ま
た、一般家庭で用いられる民生用カラー受像管では、主
として矩形状の開孔を有したシャドウマスクが用いられ
ている。いずれの場合でも、各開孔は、基本的に、シャ
ドウマスクの蛍光体スクリーンと対向する面に開口した
大孔と、電子銃構体と対向する面に開口した小孔と、を
互いに連通した連通孔によって構成されている。The shape of the electron beam passage opening of the shadow mask is roughly classified into two types, a circular shape and a rectangular shape. In a display tube for displaying characters and figures, a shadow mask mainly having a circular opening is used. Is used. Further, in a consumer color picture tube used in a general household, a shadow mask mainly having a rectangular opening is used. In any case, each opening basically communicates with a large hole opened on the surface of the shadow mask facing the phosphor screen and a small hole opened on the surface facing the electron gun structure. It is composed of holes.

【０００５】このようなカラー陰極線管の重要な特性の
一つとして、画面の輝度が挙げられる。従来からカラー
陰極線管の輝度を向上させるために種々の技術が検討さ
れてきたが、現在継承されている技術として、蛍光体ス
クリーンの電子銃構体側に配置したメタルバック層の採
用や、各種高輝度蛍光体の使用などが挙げられる。The brightness of the screen is one of the important characteristics of the color cathode ray tube. Various techniques have been studied to improve the brightness of the color cathode ray tube, but the techniques that are currently inherited include the use of a metal back layer arranged on the electron gun structure side of the phosphor screen and various types of high Examples include the use of brightness phosphors.

【０００６】また、近年、大画面化に対応するため、カ
ラー陰極線管のＥｂと呼ばれる高圧電圧を上げることに
より、輝度を向上する方法も取られている。このＥｂ
は、カラー陰極線管の蛍光体スクリーン、シャドウマス
ク、及びファンネルの内面に印加される電圧であり、Ｅ
ｂを上げることにより電子ビームの速度を上げ蛍光体へ
の衝突エネルギを上げることができる。その結果、蛍光
体による輝度が向上する。Further, in recent years, in order to cope with a large screen, a method of increasing the brightness by increasing a high voltage called Eb of the color cathode ray tube has been adopted. This Eb
Is a voltage applied to the phosphor screen of the color cathode ray tube, the shadow mask, and the inner surface of the funnel.
By increasing b, the speed of the electron beam can be increased and the energy of collision with the phosphor can be increased. As a result, the brightness of the phosphor is improved.

【０００７】しかしながら、Ｅｂを上げた場合、偏向ヨ
ークから発生した偏向磁界を通る電子ビームの通過時間
が短くなり、その分、電子ビームの偏向範囲が小さくな
る。したがって、この場合、偏向電力を大きくする必要
があり、省エネルギの点から望ましくない。However, when Eb is raised, the transit time of the electron beam passing through the deflection magnetic field generated from the deflection yoke is shortened, and the deflection range of the electron beam is reduced accordingly. Therefore, in this case, it is necessary to increase the deflection power, which is not desirable from the viewpoint of energy saving.

【０００８】更に、実用化には至っていないが、従来か
らフォーカスマスクと呼ばれる方法で輝度を向上させる
試みがなされてきた。以下、フォーカスマスクの原理に
ついて説明する。Further, although it has not been put to practical use, attempts have been made to improve the brightness by a method called a focus mask. The principle of the focus mask will be described below.

【０００９】現在主流とされているカラー陰極線管は、
前記したように、その内部に色選択電極として機能する
シャドウマスクを備えている。そして、電子銃構体から
放出された電子ビームは、偏向磁界により偏向された
後、その一部がシャドウマスクの開孔を通過して蛍光体
に衝突する。この際、電子銃構体から放出された電子ビ
ームの内、シャドウマスクの開孔を通過する電子ビーム
は全体の約２０％であり、残りの約８０％はシャドウマ
スクに衝突するだけで画面の輝度には寄与していない。
フォーカスマスクは、このようなシャドウマスクに衝突
する電子ビームの一部を蛍光面に到達させることを目的
としている。The color cathode ray tube currently in the mainstream is
As described above, the shadow mask functioning as a color selection electrode is provided inside. Then, the electron beam emitted from the electron gun assembly is deflected by the deflection magnetic field, and then a part thereof passes through the aperture of the shadow mask and collides with the phosphor. At this time, of the electron beams emitted from the electron gun assembly, about 20% of the electron beams pass through the apertures of the shadow mask, and about 80% of the remaining electron beams only collide with the shadow mask and the brightness of the screen increases. Does not contribute to.
The focus mask is intended to cause a part of the electron beam that collides with such a shadow mask to reach the phosphor screen.

【００１０】具体的に述べると、フォーカスマスクで
は、シャドウマスクの電子銃構体側の表面に電極が配置
されている。そして、この電極にシャドウマスクと別電
位を与え、シャドウマスクと電極とで４極子レンズを構
成し、この４極子レンズによりシャドウマスクに衝突す
る電子ビームの軌道を変え、電子ビームを蛍光体まで導
くように構成されている。Specifically, in the focus mask, the electrodes are arranged on the surface of the shadow mask on the electron gun assembly side. Then, a potential different from that of the shadow mask is applied to this electrode to form a quadrupole lens with the shadow mask and the electrode. The quadrupole lens changes the trajectory of the electron beam impinging on the shadow mask and guides the electron beam to the phosphor. Is configured.

【００１１】このフォーカスマスクの構造は、例えば、
特開昭５２−８７９７０号公報、特開昭５２−８７９７
２号公報、特開昭５２−８９０６８号公報、特開昭５６
−３９５１号公報、米国特許第４，４２７，９１８号に
開示されているように、シャドウマスクの電子銃構体側
の面に絶縁層を配置し、絶縁層の上に電極を形成した構
造が提案されており、その製造方法は、特開昭６３−６
２１２９号公報などに開示されている。The structure of this focus mask is, for example,
JP-A-52-87970, JP-A-52-8797
No. 2, JP-A-52-89068, JP-A-56.
As disclosed in U.S. Pat. No. 3,951, and U.S. Pat. No. 4,427,918, a structure is proposed in which an insulating layer is disposed on the surface of the shadow mask on the side of the electron gun assembly and electrodes are formed on the insulating layer. The manufacturing method thereof is disclosed in JP-A-63-6.
No. 2129 is disclosed.

【００１２】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
５２−８７９７０号公報、特開昭５２−８７９７２号公
報、特開昭５２−８９０６８号公報、特開昭５６−３９
５１号公報に示されている構成では、両電極が金属板で
形成されているため、これら２枚の電極を画面全域に渡
って正確に位置決めすることは困難となる。However, JP-A-52-87970, JP-A-52-89772, JP-A-52-89068, and JP-A-56-39.
In the configuration shown in Japanese Patent Publication No. 51, since both electrodes are formed of a metal plate, it is difficult to accurately position these two electrodes over the entire screen.

【００１３】また、上述した公知文献では、他の構成と
して、すだれ状の２枚の電極を直交させて配置すること
でシャドウマスクの開孔を形成しているが、このような
構造ではシャドウマスクの曲面を形成することが困難と
なる。同時に、シャドウマスクの開孔を、開孔の縦方向
に１／２ピッチずつずらして配列したスタガ状にするこ
とは実質的に不可能である。開孔をスタガ状に配列でき
ない場合、画面上にモアレと呼ばれる干渉縞が発生し、
画面の表示品位を大きく劣化させることになり、実現性
は低い。Further, in the above-mentioned publicly known document, as another structure, the aperture of the shadow mask is formed by arranging two interdigital electrodes orthogonally to each other, but in such a structure, the shadow mask is formed. It becomes difficult to form the curved surface. At the same time, it is substantially impossible to form the apertures of the shadow mask in a staggered pattern in which the apertures are displaced by 1/2 pitch in the vertical direction of the apertures. If the apertures cannot be arranged in a staggered pattern, interference fringes called moire will occur on the screen,
The display quality of the screen is greatly deteriorated, and the feasibility is low.

【００１４】また、米国特許第４，４２７，９１８号に
示された構造では、シャドウマスクの開孔列方向に延び
た無孔部の高さを他の部分よりも高くしたリッジと呼ば
れる部分を形成し、その上に電極が形成されている。こ
のような構造では、電極の形状を部分的に変更すること
は実質的に不可能となる。そのため、画面中央部と画面
周辺部とで異なる電極配置にすることは困難であり、カ
ラー陰極線管に使用した場合、画面全体で良好な電子ビ
ーム集束効果が得られるとは考えられない。Further, in the structure shown in US Pat. No. 4,427,918, a portion called a ridge in which the height of the non-perforated portion extending in the direction of the row of apertures of the shadow mask is made higher than that of the other portion. And the electrode is formed on it. With such a structure, it is virtually impossible to partially change the shape of the electrode. Therefore, it is difficult to dispose different electrodes in the central portion of the screen and in the peripheral portion of the screen, and when used in a color cathode ray tube, it is unlikely that a good electron beam focusing effect can be obtained over the entire screen.

【００１５】また、このような構造では、従来よりも板
厚が厚いシャドウマスク材を使用した場合と同じことに
なり、画面の周辺部に偏向された電子ビームの一部がシ
ャドウマスクのリッジ部に衝突する恐れがある。この場
合、一般的にケラレと呼ばれるシャドウマスク板厚によ
る影が発生する。そのため、画面周辺での輝度向上は低
下すると予想できる。Further, in such a structure, this is the same as in the case of using a shadow mask material having a plate thickness thicker than the conventional one, and a part of the electron beam deflected to the peripheral portion of the screen is a ridge portion of the shadow mask. May collide with. In this case, a shadow due to the thickness of the shadow mask, which is generally called vignetting, occurs. Therefore, it can be expected that the improvement of the brightness around the screen will be reduced.

【００１６】上述したように、従来から提案されている
フォーカスマスクでは、電極形成に高い精度が要求され
るとともに、シャドウマスク面を所望の形状に成形する
ことが困難となる。また、電極の形成自由度が低く、電
子ビームの制御が実質的に不可能であるといった問題が
ある。As described above, in the conventionally proposed focus mask, high precision is required for electrode formation, and it is difficult to shape the shadow mask surface into a desired shape. Further, there is a problem that the degree of freedom of forming the electrodes is low and the electron beam cannot be controlled substantially.

【００１７】この発明は、上述した課題に鑑みなされた
ものであって、その目的は、画面全域に亘って電子ビー
ムのフォーカス特性を向上することが可能であるととも
に、画面全域の輝度を向上することが可能なカラー陰極
線管及びこのカラー陰極線管の製造方法を提供すること
にある。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to improve the focus characteristic of an electron beam over the entire screen and to improve the brightness over the entire screen. An object of the present invention is to provide a color cathode ray tube capable of performing the above and a method of manufacturing the color cathode ray tube.

【００１８】[0018]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明のカラー陰極線管は、内面に蛍光体スクリ
ーンが配置されたパネルを有した外囲器と、前記外囲器
内に配設され、前記蛍光体スクリーンに向けて電子ビー
ムを放出する電子銃構体と、前記蛍光体スクリーンに対
向して配設されているとともに、前記電子銃構体から放
出された電子ビームを選別する多数の開孔を有したシャ
ドウマスクと、を備え、前記シャドウマスクの電子銃構
体側の表面上には、前記開孔の両側に位置し、電子ビー
ムの照射により帯電して電子ビームに作用する電子レン
ズを形成するパターン化された突状部が設けられ、前記
突状部は、誘電体層と、前記誘電体層より低い体積抵抗
率を有する低抵抗層とを有して形成されたことを特徴と
する。In order to solve the above-mentioned problems, a color cathode ray tube according to the present invention is provided with an envelope having a panel having a phosphor screen arranged on its inner surface, and an envelope provided inside the envelope. An electron gun structure for emitting an electron beam toward the phosphor screen and a large number of electron beams arranged to face the phosphor screen and for selecting the electron beam emitted from the electron gun structure. A shadow mask having an aperture, and an electron lens located on both sides of the aperture on the surface of the shadow mask on the side of the electron gun structure, which is charged by irradiation of the electron beam and acts on the electron beam. A patterned protrusion that forms a dielectric layer, the protrusion having a dielectric layer and a low resistance layer having a volume resistivity lower than that of the dielectric layer. And

【００１９】また、この発明のカラー陰極線管の製造方
法は、内面に蛍光体スクリーンが配置されたパネルを有
した外囲器と、前記外囲器内に配設され、前記蛍光体ス
クリーンに向けて電子ビームを放出する電子銃構体と、
前記蛍光体スクリーンに対向して配設されているととも
に、並列に設けられた複数の開孔列を有し、各開孔列は
所定の間隔をおいて一列に配置され、前記電子銃構体か
ら放出された電子ビームを選別する多数の開孔を有した
シャドウマスクと、を備え、前記シャドウマスクの電子
銃構体側の表面上には、前記各開孔列の両側に位置し、
電子ビームの照射により帯電して電子ビームに作用する
電子レンズを形成するストライプ状の突状部が前記開孔
列と略平行に延出されたカラー陰極線管の製造方法にお
いて、前記開孔列が形成された板状のマスク基材を用意
し、このマスク基材の電子銃構体側となる表面上で前記
各開孔列の両側に低抵抗材料を含むペーストをストライ
プ状に塗布して乾燥し、低抵抗層を形成し、前記低抵抗
層より高い体積抵抗率を有する誘電体材料を含むペース
トを前記低抵抗層を覆うようにストライプ状に塗布して
乾燥し、誘電体層を形成し、前記低抵抗層と前記誘電体
層とを積層した前記マスク基材を所定形状に成形し、前
記誘電体層を焼成して前記突状部を形成することを特徴
とする。Further, according to the method of manufacturing a color cathode ray tube of the present invention, an envelope having a panel having a phosphor screen arranged on the inner surface thereof, and an envelope arranged in the envelope and facing the phosphor screen. And an electron gun structure that emits an electron beam,
The electron gun assembly is arranged so as to face the phosphor screen and has a plurality of aperture rows arranged in parallel. The aperture rows are arranged in a row at a predetermined interval. A shadow mask having a large number of apertures for selecting the emitted electron beam, and on the surface of the shadow mask on the electron gun assembly side, located on both sides of each aperture row,
In the method of manufacturing a color cathode ray tube in which a stripe-shaped projecting portion that forms an electron lens that is charged by the irradiation of an electron beam and acts on the electron beam is extended substantially parallel to the hole row, the hole row is A plate-shaped mask base material is prepared, and a paste containing a low-resistance material is applied in a stripe shape on both sides of each of the aperture rows on the surface of the mask base material that is to be the electron gun assembly side and dried. Forming a low resistance layer, applying a paste containing a dielectric material having a volume resistivity higher than that of the low resistance layer in a stripe shape so as to cover the low resistance layer, and drying the paste to form a dielectric layer, The mask base material in which the low resistance layer and the dielectric layer are laminated is formed into a predetermined shape, and the dielectric layer is fired to form the protrusion.

【００２０】この発明のカラー陰極線管によれば、動作
時、突状部の誘電体層に電子ビームが照射されると、各
誘電体層は、例えばマイナスに帯電する。これにより、
誘電体層は、電子ビームに作用する電子レンズを形成す
る。電子ビームは、シャドウマスクの開孔を通過する
際、この開孔の両側に設けられた誘電体層間を通り、こ
れらの誘電体層により両側から反発力を受けて開孔側に
集束する。これにより、開孔に向かう電子ビームの内、
シャドウマスクに衝突していた一部を開孔側に集束さ
せ、開孔を通過させることが可能となる。したがって、
開孔を通過する電子ビーム量が増加し、蛍光体スクリー
ンに達する電子ビームの密度を上げ、画面の輝度を向上
することができる。According to the color cathode ray tube of the present invention, when the dielectric layer of the projecting portion is irradiated with the electron beam during operation, each dielectric layer is negatively charged, for example. This allows
The dielectric layer forms an electron lens that acts on the electron beam. When passing through the aperture of the shadow mask, the electron beam passes through the dielectric layers provided on both sides of the aperture, receives a repulsive force from both sides by these dielectric layers, and is focused on the aperture side. As a result, of the electron beam heading for the aperture,
It is possible to focus a part of the shadow mask that has collided with the shadow mask on the side of the aperture and allow it to pass through the aperture. Therefore,
The amount of electron beams passing through the apertures is increased, the density of electron beams reaching the phosphor screen is increased, and the brightness of the screen can be improved.

【００２１】また、この発明のカラー陰極線管によれ
ば、開孔の両側に設けた誘電体層により、電子ビームを
集束する構成であることから、従来のような電極を設け
る必要がなく、かつ、これらの電極同士を位置合わせす
ることも不要となる。同時に、各突起部は、誘電体層の
下層に誘電体層より低抵抗な低抵抗層を有している。こ
のため、誘電体層の帯電量すなわち電子ビームへの作用
力を調整することができ、電子ビームの集束状態を容易
に制御することが可能となる。Further, according to the color cathode ray tube of the present invention, since the electron beam is focused by the dielectric layers provided on both sides of the opening, it is not necessary to provide an electrode as in the prior art, and Also, it is not necessary to align these electrodes with each other. At the same time, each of the protrusions has a low resistance layer having a lower resistance than the dielectric layer under the dielectric layer. Therefore, the charge amount of the dielectric layer, that is, the acting force on the electron beam can be adjusted, and the focused state of the electron beam can be easily controlled.

【００２２】従って、容易に製造することができるとと
もに、画面全域で良好なフォーカス状態を得ることがで
き、輝度の向上したカラー陰極線管を得ることができ
る。Therefore, it is possible to obtain a color cathode ray tube which can be manufactured easily, can obtain a good focus state over the entire screen, and have improved brightness.

【００２３】更に、この発明に係るカラー陰極線管の製
造方法によれば、マスク基材に低抵抗層及び誘電体層を
含む突状部を形成した後、マスク基材を成形することか
ら、所望形状のシャドウマスクを容易に得ることができ
る。そして、マスク基材上に突状部を形成する際、その
突状部の幅、開孔に対する位置等を自由に調整すること
が可能である。これは、シャドウマスクの中央部と周辺
部とで開孔に対する誘電体層と低抵抗層とを含む突状部
の位置にグレードを付け、シャドウマスク曲面、及び、
電子ビームの集束状態に合わせた配置とすることが可能
となる。したがって、画面全域で良好なフォーカス状態
が得られ、輝度の向上したカラー陰極線管を製造するこ
とができる。Further, according to the method of manufacturing a color cathode ray tube according to the present invention, the mask base material is formed after forming the protrusions including the low resistance layer and the dielectric layer on the mask base material. A shaped shadow mask can be easily obtained. When forming the protrusion on the mask base material, the width of the protrusion, the position with respect to the opening, and the like can be freely adjusted. This is to grade the position of the protruding portion including the dielectric layer and the low resistance layer with respect to the opening in the central portion and the peripheral portion of the shadow mask, to form the shadow mask curved surface, and
It is possible to make the arrangement according to the focused state of the electron beam. Therefore, a good focus state can be obtained over the entire screen, and a color cathode ray tube with improved brightness can be manufactured.

【００２４】[0024]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態に係るカラー陰極線管及びその製造方
法について詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A color cathode ray tube according to an embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same will be described below in detail with reference to the drawings.

【００２５】図１に示すように、カラー陰極線管は、真
空外囲器１０を備えている。この真空外囲器１０は、周
縁にスカート部２を有し外面がほぼ矩形状のパネル１
と、パネル１のスカート部２に連接されたファンネル４
と、ファンネル４の小径部に連接された円筒状のネック
３と、を有している。As shown in FIG. 1, the color cathode ray tube includes a vacuum envelope 10. This vacuum envelope 10 has a skirt portion 2 on the periphery thereof and a panel 1 having an approximately rectangular outer surface.
And the funnel 4 connected to the skirt portion 2 of the panel 1.
And a cylindrical neck 3 connected to the small diameter portion of the funnel 4.

【００２６】蛍光体スクリーン６は、パネル１の内面に
配置されている。偏向ヨーク７は、ネック３からファン
ネル４にかけてその外周に装着され、水平偏向コイル、
及び垂直偏向コイルを含んで構成されている。The phosphor screen 6 is arranged on the inner surface of the panel 1. The deflection yoke 7 is attached to the outer circumference from the neck 3 to the funnel 4, and a horizontal deflection coil,
And a vertical deflection coil.

【００２７】インライン型電子銃構体９は、ネック３の
内部に配設されている。この電子銃構体９は、同一水平
面上を通るセンタービーム８Ｇおよびその両側の一対の
サイドビーム８Ｂ，８Ｒからなる水平軸Ｘ方向に一列に
配置された３電子ビーム８（Ｂ，Ｇ，Ｒ）を管軸Ｚ方向
に放出する。パネル１とファンネル４との結合部分の内
側には、外部磁界を遮蔽するインナーシールド１１が配
置されている。The in-line type electron gun assembly 9 is arranged inside the neck 3. This electron gun structure 9 includes three electron beams 8 (B, G, R) that are arranged in a line in the horizontal axis X direction and are composed of a center beam 8G passing through the same horizontal plane and a pair of side beams 8B, 8R on both sides thereof. Emit in the tube axis Z direction. An inner shield 11 that shields an external magnetic field is arranged inside the connecting portion between the panel 1 and the funnel 4.

【００２８】シャドウマスク１２は、真空外囲器１０内
において蛍光体スクリーン６に対向して配設され、矩形
状のマスクフレーム１４に取り付けられている。このシ
ャドウマスク１２は、後述するように、色選別用の多数
の電子ビーム通過開孔（以下、開孔と称する）が形成さ
れたマスク主面２０と、マスク主面２０の周縁から管軸
Ｚ方向に沿って延出しているとともにマスクフレーム１
４に固定された後述のスカート部１８と、を有し、プレ
ス成形により形成されている。シャドウマスク１２は、
マスクフレーム１４に固定された弾性支持体１５をパネ
ル１のスカート部２の内面に突設されたスタッドピン１
７と係合することにより、パネル１に対して脱着自在に
支持されている。The shadow mask 12 is disposed inside the vacuum envelope 10 so as to face the phosphor screen 6 and is attached to the rectangular mask frame 14. As will be described later, the shadow mask 12 includes a mask main surface 20 in which a large number of electron beam passage openings for color selection (hereinafter referred to as openings) are formed, and a pipe axis Z from the periphery of the mask main surface 20. Mask frame 1 extending along the direction
4 and a skirt portion 18 to be described later, which is formed by press molding. The shadow mask 12 is
The elastic support 15 fixed to the mask frame 14 is provided on the inner surface of the skirt portion 2 of the panel 1 so as to project therefrom.
By engaging with 7, the panel 1 is detachably supported.

【００２９】なお、パネル１を含む真空外囲器１０及び
シャドウマスク１２は、パネル１の中心及び電子銃構体
９を通って延びる管軸Ｚ、管軸Ｚと直交して延びる長軸
（水平軸）Ｘと、管軸Ｚ及び長軸Ｘと直交して延びる短
軸（垂直軸）Ｙと、を有している。The vacuum envelope 10 and the shadow mask 12 including the panel 1 have a tube axis Z extending through the center of the panel 1 and the electron gun structure 9 and a long axis (horizontal axis) extending orthogonal to the tube axis Z. ) X and a short axis (vertical axis) Y extending orthogonally to the tube axis Z and the long axis X.

【００３０】そして、上述したような構成のカラー陰極
線管では、電子銃構体９から放出された３電子ビーム８
Ｂ、８Ｇ、８Ｒは、偏向ヨーク７により発生される偏向
磁界により水平軸Ｘ方向及び垂直軸Ｙ方向に偏向され、
シャドウマスク１２の電子ビーム通過孔を介して蛍光体
スクリーン６を水平方向及び垂直に走査することにより
カラー画像を表示する。In the color cathode ray tube having the above structure, the three electron beams 8 emitted from the electron gun assembly 9 are emitted.
B, 8G, and 8R are deflected in the horizontal axis X direction and the vertical axis Y direction by the deflection magnetic field generated by the deflection yoke 7.
A color image is displayed by scanning the phosphor screen 6 horizontally and vertically through the electron beam passage holes of the shadow mask 12.

【００３１】図２に示すように、蛍光体スクリーン６
は、それぞれパネル１の短軸Ｙ方向に延びているととも
に長軸Ｘ方向に所定の隙間を置いて並列に並んだ複数の
ストライプ状の黒色光吸収層４０と、それぞれ光吸収層
４０間の隙間に設けられ短軸Ｙ方向に延びたストライプ
状の３色蛍光体層４２Ｂ、４２Ｇ、４２Ｒと、を有して
いる。As shown in FIG. 2, the phosphor screen 6
Are a plurality of stripe-shaped black light absorbing layers 40 extending in the minor axis Y direction of the panel 1 and arranged in parallel with a predetermined gap in the major axis X direction, and the gaps between the respective light absorbing layers 40. And stripe-shaped three-color phosphor layers 42B, 42G, and 42R extending in the short axis Y direction.

【００３２】図１、図３の（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、シャドウマスク１２は、プレス成形により形成さ
れ、なだらかなドーム状に成形されたほぼ矩形状のマス
ク主面２０と、マスク主面２０の全周に亘って、マスク
主面２０の周縁２１からマスク主面２０に対してほぼ垂
直な管軸Ｚ方向に沿って延出したスカート部１８と、を
一体に備えている。マスク主面２０は、多数の開孔列１
９が所定の配列ピッチで形成されたほぼ矩形状の有孔部
２０ａと、この有孔部２０ａの周囲を囲んだ矩形枠状の
無孔部２０ｂとを有している。As shown in FIGS. 1 and 3A and 3B, the shadow mask 12 is formed by press molding and has a substantially rectangular mask main surface 20 formed into a gentle dome shape. A skirt portion 18 extending from the peripheral edge 21 of the mask main surface 20 along the tube axis Z direction substantially perpendicular to the mask main surface 20 is integrally provided over the entire circumference of the mask main surface 20. . The mask main surface 20 has a large number of aperture rows 1
9 has a substantially rectangular perforated portion 20a formed at a predetermined arrangement pitch, and a rectangular frame-shaped non-perforated portion 20b surrounding the perforated portion 20a.

【００３３】有孔部２０ａに設けられた複数の開孔列１
９は、それぞれ短軸Ｙとほぼ平行に延びているとともに
長軸Ｘ方向に所定の配列ピッチで並列に設けられてい
る。また、各開孔列１９は、それぞれブリッジ３２を介
して複数個の開孔３４を一列に並べて構成されている。A plurality of aperture rows 1 provided in the perforated portion 20a
9 extend substantially parallel to the minor axis Y and are arranged in parallel in the major axis X direction at a predetermined arrangement pitch. Further, each opening row 19 is configured by arranging a plurality of openings 34 in a row via the bridge 32.

【００３４】各開孔３４は、細長いほぼ矩形状に形成さ
れ、その幅方向がシャドウマスク１２の長軸Ｘ方向と平
行になるように、かつ、長手方向がシャドウマスクの短
軸Ｙ方向と平行になるように形成されている。また、各
開孔３４は、シャドウマスク１２の蛍光体スクリーン側
の表面に開口した大孔と、電子銃構体側の表面に開口し
た小孔と、を互いに連通させてなる連通孔によって構成
されている。Each of the apertures 34 is formed in an elongated rectangular shape so that the width direction thereof is parallel to the major axis X direction of the shadow mask 12 and the longitudinal direction is parallel to the minor axis Y direction of the shadow mask 12. Is formed. Further, each opening 34 is constituted by a communication hole formed by connecting a large hole opened on the surface of the shadow mask 12 on the phosphor screen side and a small hole opened on the surface of the electron gun structure side to each other. There is.

【００３５】さらに、１つの開孔列１９の開孔３４は、
隣合う他の開孔列１９の開孔３４に対して短軸Ｙ方向に
１／２ピッチずれて位置し、いわゆるスタガ状に配列さ
れている。また、開孔列１９の配列ピッチは、有孔部２
０ａの中央部と、長軸Ｘ方向の周縁部とで異なる値に設
定され、特に、有孔部２０ａの中央部から長軸Ｘ方向の
周縁部に向かって徐々に大きくなっている。Further, the holes 34 of one hole array 19 are
The holes are arranged in a so-called staggered pattern, being displaced by 1/2 pitch in the short axis Y direction with respect to the openings 34 of another adjacent opening row 19. In addition, the array pitch of the aperture rows 19 is the perforated portion 2
0a and the peripheral portion in the major axis X direction are set to different values, and in particular, gradually increase from the central portion of the perforated portion 20a toward the peripheral portion in the major axis X direction.

【００３６】この実施の形態において、シャドウマスク
１２は、板厚０．２２ｍｍのアンバー（Ｆｅ−３６％Ｎ
ｉ合金）で形成されている。また、各開孔列１９におけ
る短軸Ｙ方向の開孔ピッチは０．６ｍｍであり、開孔列
１９の長軸Ｘ方向に沿った配列ピッチは、短軸Ｙ付近で
０．７５ｍｍ、長軸Ｘ方向周辺部で０．８２ｍｍであ
り、マスク中心部から長軸Ｘ方向周辺部に近づくにした
がって大きくなるバリアブルピッチとした。また、開孔
３４を構成する大孔の幅方向の開孔寸法は、短軸Ｙ上の
開孔３４で０．４６ｍｍ、長軸Ｘ方向周辺部の開孔３４
で０．５０ｍｍとし、小孔の幅方向の開孔寸法は、短軸
Ｙ上の開孔で０．１８ｍｍ、長軸Ｘ方向周辺部の開孔３
４で０．２０ｍｍとした。さらに、電子ビームが長軸Ｘ
方向周辺部の開孔３４に４６°の偏向角度で入射する場
合、長軸Ｘ方向周辺部の開孔３４は、小孔に対して大孔
が０．０６ｍｍだけ偏心した形状としている。In this embodiment, the shadow mask 12 is made of amber (Fe-36% N) having a plate thickness of 0.22 mm.
i alloy). The aperture pitch in the minor axis Y direction in each aperture row 19 is 0.6 mm, and the array pitch along the major axis X direction of the aperture row 19 is 0.75 mm near the minor axis Y, and the major axis The variable pitch was 0.82 mm in the peripheral portion in the X direction, and increased as the distance from the central portion of the mask to the peripheral portion in the long axis X direction increased. The size of the large holes forming the openings 34 in the width direction is 0.46 mm for the openings 34 on the short axis Y, and the openings 34 at the peripheral portion in the long axis X direction.
Is 0.50 mm, and the aperture size in the width direction of the small hole is 0.18 mm for the aperture on the short axis Y and the aperture 3 in the peripheral portion in the long axis X direction.
4 was 0.20 mm. Furthermore, the electron beam has a long axis X
When the light enters the aperture 34 in the peripheral portion in the directional direction at a deflection angle of 46 °, the aperture 34 in the peripheral portion in the major axis X direction has a shape in which the large hole is eccentric by 0.06 mm with respect to the small hole.

【００３７】一方、この実施の形態によれば、シャドウ
マスク１２は、有孔部２０ａの電子銃構体側の表面に設
けられた複数のストライプ状の突状部５０を備えてい
る。この突状部５０は、誘電体層５０Ａと、この誘電体
層５０Ａより低い体積抵抗率を有する低抵抗層（電荷移
動層）５０Ｂとを有して形成されている。この誘電体層
５０Ａは、低抵抗層５０Ｂを覆うように積層されてい
る。この誘電体層５０Ａは、その平均表面粗さが０．２
μｍ以下（好ましくは０．１５μｍ以下）であり、ま
た、その誘電率が３以上（好ましくは５以上）であり、
しかも、その体積抵抗率が１．０Ｅ＋１２以上（好まし
くは５．０Ｅ＋１２以上）である。On the other hand, according to this embodiment, the shadow mask 12 is provided with a plurality of stripe-shaped protrusions 50 provided on the surface of the perforated portion 20a on the electron gun assembly side. The protrusion 50 is formed by including a dielectric layer 50A and a low resistance layer (charge transfer layer) 50B having a volume resistivity lower than that of the dielectric layer 50A. The dielectric layer 50A is laminated so as to cover the low resistance layer 50B. This dielectric layer 50A has an average surface roughness of 0.2.
μm or less (preferably 0.15 μm or less), and its dielectric constant is 3 or more (preferably 5 or more),
Moreover, its volume resistivity is 1.0E + 12 or more (preferably 5.0E + 12 or more).

【００３８】なお、この平均表面粗さは、小坂製作所製
表面粗さ計ＳＥ−３０Ｈにより、カットオフ０．０８ｍ
ｍの条件にて測定した。また、誘電率、及び体積抵抗率
は、ＪＩＳ Ｃ２１４１「電気絶縁用セラミック材料試
験方法」に基づいて測定した。The average surface roughness was measured with a surface roughness meter SE-30H manufactured by Kosaka Seisakusho Co., Ltd. to obtain a cutoff of 0.08 m.
It was measured under the condition of m. Further, the dielectric constant and the volume resistivity were measured based on JIS C2141 "Ceramic material test method for electrical insulation".

【００３９】詳細に述べると、図４乃至図６に示すよう
に、有孔部２０ａの電子銃構体側の表面において、隣合
う開孔列１９の間、すなわち、各開孔列１９の両側に
は、それぞれストライプ状の突状部５０が形成され、シ
ャドウマスク１２の短軸Ｙとほぼ平行な方向に沿って延
びている。More specifically, as shown in FIGS. 4 to 6, on the surface of the perforated portion 20a on the side of the electron gun assembly, between the adjacent aperture rows 19, that is, on both sides of each aperture row 19. Have stripe-shaped protrusions 50, and extend in a direction substantially parallel to the minor axis Y of the shadow mask 12.

【００４０】各突状部５０は、ほぼ半円形の横断面形状
を有し、例えば、長軸Ｘ方向に沿った幅が約０．２５ｍ
ｍ、高さが約０．０３〜０．０５ｍｍに形成されてい
る。各突状部５０は、その中心部に略半円形の横断面形
状を有する低抵抗層５０Ｂを備え、低抵抗層５０Ｂの外
面を覆うように積層された誘電体層５０Ａを備えてい
る。なお、突状部５０の横断面形状は、半円形に限ら
ず、矩形等の他の形状としてもよい。Each of the protrusions 50 has a substantially semicircular cross-sectional shape, and for example, has a width along the major axis X direction of about 0.25 m.
The height is about 0.03 to 0.05 mm. Each of the protrusions 50 has a low resistance layer 50B having a substantially semicircular cross-sectional shape at the center thereof, and a dielectric layer 50A laminated so as to cover the outer surface of the low resistance layer 50B. The cross-sectional shape of the protrusion 50 is not limited to a semicircle, but may be another shape such as a rectangle.

【００４１】また、各誘電体層５０Ａは、ガラスを主成
分とする絶縁物を焼結して形成されている。好適な材料
としては、リチウム系アルカリ硼珪酸ガラスの粉末であ
り、このガラス粉末をセルロース系のバインダー及び溶
剤を混錬してなるガラスペーストをスクリーン印刷し、
乾燥・焼結することによって誘電体層５０Ａが形成され
る。Further, each dielectric layer 50A is formed by sintering an insulator containing glass as a main component. A preferred material is a lithium-based alkali borosilicate glass powder, which is screen-printed with a glass paste obtained by kneading the glass powder with a cellulose-based binder and a solvent.
The dielectric layer 50A is formed by drying and sintering.

【００４２】なお、表面粗さ、誘電率、及び体積抵抗率
が適切であれば、リチウム系アルカリ硼珪酸ガラス粉末
の他に、ビスマス系硼珪酸ガラス、鉛ガラスガラス等を
用いることも可能である。これらのガラスには、表面粗
さ、誘電率、及び体積抵抗率を調整するための顔料など
の調整剤が含まれていても良い。If the surface roughness, the dielectric constant, and the volume resistivity are appropriate, it is possible to use bismuth-based borosilicate glass, lead glass glass, etc. in addition to the lithium-based alkali borosilicate glass powder. . These glasses may contain an adjusting agent such as a pigment for adjusting the surface roughness, the dielectric constant, and the volume resistivity.

【００４３】一方、各低抵抗層５０Ｂは、０．００１乃
至０．０１ｍｍの厚さで形成されている。この低抵抗層
５０Ｂとしては、金属性材料、すなわち導電物質を含有
した導電ガラス、金属アルコキシドの転化物などを用い
ることができる。On the other hand, each low resistance layer 50B is formed to a thickness of 0.001 to 0.01 mm. As the low resistance layer 50B, a metallic material, that is, a conductive glass containing a conductive substance, a conversion product of a metal alkoxide, or the like can be used.

【００４４】これら突状部５０の開孔列１９に対する配
設位置は、有孔部２０ａの中央部と、有孔部２０ａの長
軸Ｘ方向周辺部とで相違している。The positions of the protrusions 50 with respect to the aperture array 19 are different between the central portion of the perforated portion 20a and the peripheral portion of the perforated portion 20a in the major axis X direction.

【００４５】すなわち、図６の（ａ）に示すように、有
孔部２０ａの中央部において、各突状部５０は、隣合う
２つの開孔列１９間のほぼ中心に配置されている。そし
て、有孔部２０ａの中央部では、電子ビーム８がシャド
ウマスク１２の表面に対してほぼ垂直に入射するため、
各開孔３４の両側に位置した突状部５０は、この開孔３
４に対して左右対称の設けられていることが望ましい。That is, as shown in FIG. 6 (a), in the central portion of the perforated portion 20a, each of the protrusions 50 is arranged substantially in the center between two adjacent rows of apertures 19. Then, at the central portion of the perforated portion 20 a, the electron beam 8 is incident substantially perpendicularly to the surface of the shadow mask 12,
The protrusions 50 located on both sides of each opening 34 are
It is desirable that they are provided symmetrically with respect to 4.

【００４６】また、図６の（ｂ）に示すように、有孔部
２０ａの長軸Ｘ方向周辺部に設けられた突状部５０は、
有孔部２０ａの中央部に設けられた突状部５０よりも、
開孔列１９に対して中央部よりに配置されている。すな
わち、長軸Ｘ方向周辺部において、隣接する２つの開孔
列１９間に設けられた突状部５０は、マスク中央側の開
孔列に近づけて配置されている。Further, as shown in FIG. 6 (b), the protrusions 50 provided on the periphery of the perforated portion 20a in the direction of the long axis X are
More than the protrusion 50 provided in the center of the perforated portion 20a,
It is arranged closer to the center of the row of holes 19. That is, in the peripheral portion in the long-axis X direction, the protrusions 50 provided between the two adjacent aperture rows 19 are arranged close to the aperture row on the mask center side.

【００４７】上述したように構成されたカラー陰極線管
によれば、図７に示すように、動作初時、電子銃構体か
ら放出された電子ビーム８の一部が突状部５０の誘電体
層５０Ａに衝突し、各誘電体層５０Ａは、マイナスに帯
電する。そして、誘電体層５０Ａが帯電することで、誘
電体層５０Ａの電位は、前述したＥｂよりも低い電圧と
なる。その結果、シャドウマスク１２と誘電体層５０Ａ
との間に電位差が生じる。そして、この電位差と、誘電
体層５０Ａと、シャドウマスク１２の矩形開孔３４とに
より電子レンズとしての４極子レンズが形成される。According to the color cathode ray tube configured as described above, as shown in FIG. 7, at the beginning of the operation, a part of the electron beam 8 emitted from the electron gun assembly is partially covered by the dielectric layer of the protrusion 50. Upon colliding with 50A, each dielectric layer 50A is negatively charged. Then, as the dielectric layer 50A is charged, the potential of the dielectric layer 50A becomes a voltage lower than Eb described above. As a result, the shadow mask 12 and the dielectric layer 50A
There is a potential difference between and. Then, this potential difference, the dielectric layer 50A, and the rectangular aperture 34 of the shadow mask 12 form a quadrupole lens as an electron lens.

【００４８】図４及び図７に示すように、この４極子レ
ンズは、隣接した２つの誘電体層５０Ａ間を通って開孔
３４に向かう電子ビーム８を、開孔３４の幅方向が実際
の開孔径よりも細く、また、開孔３４の長手方向が実際
の開孔径よりも長い縦長形状に集束する作用をもつこと
になる。As shown in FIGS. 4 and 7, this quadrupole lens allows the electron beam 8 traveling between the two adjacent dielectric layers 50A toward the opening 34 to be the actual width of the opening 34. It has a function of converging into a vertically elongated shape which is thinner than the opening diameter and the longitudinal direction of the opening 34 is longer than the actual opening diameter.

【００４９】このように電子ビーム８を縦長形状に集束
することにより、従来シャドウマスク１２に衝突してい
た電子ビームの一部を開孔３４を通過させて蛍光体スク
リーン６に導くことが可能となる。そして、開孔３４の
長手方向、つまり、シャドウマスク１２の短軸Ｙ方向に
ついては、従来シャドウマスク１２のブリッジ３２によ
って影になっていた蛍光体層部分を発光させ、かつ、長
軸Ｘ方向では、電子ビームスポットの密度を高めること
ができる。これにより、蛍光体層の発光輝度を向上させ
ることが可能となる。By thus focusing the electron beam 8 in a vertically elongated shape, a part of the electron beam hitting the shadow mask 12 in the related art can pass through the opening 34 and be guided to the phosphor screen 6. Become. Then, in the longitudinal direction of the opening 34, that is, in the short axis Y direction of the shadow mask 12, the phosphor layer portion that was shadowed by the bridge 32 of the conventional shadow mask 12 is caused to emit light, and in the long axis X direction. The density of the electron beam spot can be increased. This makes it possible to improve the emission brightness of the phosphor layer.

【００５０】また、シャドウマスク有孔部２０ａの長軸
Ｘ方向周辺部では、誘電体層５０Ａをシャドウマスク中
央部側の開孔列側に近づけて設けることで、前記とほぼ
同様な効果を得ることが可能となる。その結果、全画面
領域で良好なフォーカス特性を得ることができる。In addition, by providing the dielectric layer 50A near the aperture row side on the central side of the shadow mask in the peripheral portion of the shadow mask perforated portion 20a in the major axis X direction, substantially the same effect as described above is obtained. It becomes possible. As a result, good focus characteristics can be obtained in the entire screen area.

【００５１】すなわち、有孔部２０ａの長軸Ｘ方向周辺
部において、電子ビーム８は、シャドウマスクの表面に
対して斜めに入射する。そのため、図６の（ｂ）に２点
鎖線で示すように、開孔３４の両側に設けられた誘電体
層５０Ａが開孔３４に対して左右対称に位置している
と、電子ビーム８は、シャドウマスク中央部側の誘電体
層５０Ａの近くを通過し、このシャドウマスク中央部側
の誘電体層５０Ａからより大きな影響を受ける。そのた
め、電子ビーム８は、２点鎖線で示すように、シャドウ
マスク有孔部２０ａの周辺側への偏向量が増加し、蛍光
体スクリーン上の所定位置に到達することが困難とな
る。That is, the electron beam 8 is obliquely incident on the surface of the shadow mask in the peripheral portion of the perforated portion 20a in the long axis X direction. Therefore, as shown by the chain double-dashed line in FIG. 6B, when the dielectric layers 50A provided on both sides of the opening 34 are located symmetrically with respect to the opening 34, the electron beam 8 is emitted. It passes near the dielectric layer 50A on the central side of the shadow mask and is greatly affected by the dielectric layer 50A on the central side of the shadow mask. Therefore, as shown by the chain double-dashed line, the amount of deflection of the electron beam 8 toward the peripheral side of the shadow mask perforated portion 20a increases, and it becomes difficult to reach a predetermined position on the phosphor screen.

【００５２】従って、上述した実施の形態のように、有
孔部２０ａの長軸Ｘ方向周辺部において、誘電体層５０
Ａをシャドウマスク中央部側の開孔列１９に近づけて設
けることにより、電子ビーム８を所望の蛍光体層上に集
束させることができる。Therefore, as in the above-described embodiment, the dielectric layer 50 is formed in the peripheral portion of the perforated portion 20a in the major axis X direction.
By providing A close to the aperture array 19 on the central side of the shadow mask, the electron beam 8 can be focused on the desired phosphor layer.

【００５３】このような効果は、シャドウマスク有孔部
の中央と周辺部とで、開孔列１９に対する誘電体層５０
Ａを含む突状部５０の配設位置を変えることにより得ら
れるが、シャドウマスク有孔部２０ａの中央と周辺部と
で、突状部５０の幅、高さ、あるいは誘電率を調整する
ことによっても、前記と同様の効果を得ることができ
る。そして、上述したように、突状部５０のみを調整す
ることにより電子ビームの集束特性を制御し、画面全域
で良好なフォーカス特性を得ることができる。Such an effect is obtained by the dielectric layer 50 for the aperture array 19 at the center and the peripheral portion of the shadow mask perforated portion.
It can be obtained by changing the arrangement position of the protrusion 50 including A, but adjusting the width, height, or dielectric constant of the protrusion 50 at the center and the peripheral portion of the shadow mask perforated portion 20a. Also, the same effect as described above can be obtained. Then, as described above, the focusing characteristic of the electron beam can be controlled by adjusting only the protrusion 50, and a good focus characteristic can be obtained over the entire screen.

【００５４】なお、本願発明者らによる実験では、前記
した条件でカラー陰極線管を動作させた場合、従来より
も約２０％の輝度向上を達成することができた。また、
この実施の形態によれば、シャドウマスク１２の板厚に
対して高さ数十μｍの誘電体層５０Ａを設けることで、
すなわち図５に示したように誘電体層５０Ａが１０μｍ
以上３０μｍ以下の膜厚５０Ｈを有するよう形成するこ
とにより、充分な効果を得ることができる。このため、
シャドウマスク１２の板厚を増加させる必要がなく、前
述したケラレの心配も皆無となる。In the experiment conducted by the inventors of the present invention, when the color cathode ray tube was operated under the above-mentioned conditions, the brightness could be improved by about 20% as compared with the conventional case. Also,
According to this embodiment, by providing the dielectric layer 50A having a height of several tens of μm with respect to the thickness of the shadow mask 12,
That is, as shown in FIG. 5, the dielectric layer 50A has a thickness of 10 μm.
A sufficient effect can be obtained by forming the film having a film thickness 50H of 30 μm or less. For this reason,
There is no need to increase the plate thickness of the shadow mask 12, and there is no fear of vignetting as described above.

【００５５】誘電体層５０Ａの膜厚が１０μｍ未満の場
合、誘電体層５０は、電子ビームの照射により帯電する
が、電子ビームに対して作用する十分なレンズ強度を有
した電子レンズを形成することができない。また、誘電
体層５０Ａの膜厚が３０μｍを越えた場合、帯電した電
荷が除電されにくくなり、残像現象が発生する。なお、
この誘電体層の厚さの下限は、誘電体物質の誘電率、体
積抵抗率、及び誘電体層形成の作業性を考慮して決める
必要がある。誘電率が高いほど、または体積抵抗率が大
きいほど、誘電体層の膜厚を薄くしても同様の効果が得
られる。When the film thickness of the dielectric layer 50A is less than 10 μm, the dielectric layer 50 is charged by the irradiation of the electron beam, but forms an electron lens having a sufficient lens strength to act on the electron beam. I can't. Further, when the film thickness of the dielectric layer 50A exceeds 30 μm, it becomes difficult to remove the charged electric charge, and the afterimage phenomenon occurs. In addition,
The lower limit of the thickness of the dielectric layer must be determined in consideration of the dielectric constant of the dielectric material, the volume resistivity, and the workability of forming the dielectric layer. The higher the dielectric constant or the higher the volume resistivity, the same effect can be obtained even if the thickness of the dielectric layer is reduced.

【００５６】ところで、この誘電体層５０Ａは、３以
上、より好ましくは５以上の誘電率を有するように形成
されている。誘電率が３未満の場合、電子ビームの照射
により帯電するが、電子ビームに対して作用する十分な
レンズ強度を有する電子レンズを形成することができな
い。By the way, the dielectric layer 50A is formed to have a dielectric constant of 3 or more, more preferably 5 or more. If the permittivity is less than 3, the particles are charged by irradiation with an electron beam, but an electron lens having a sufficient lens strength that acts on the electron beam cannot be formed.

【００５７】また、この誘電体層５０Ａは、０．２μｍ
以下、より好ましくは０．１５μｍ以下の平均表面粗さ
を有するように形成されている。図１１は、平均表面粗
さと、画面上の相対輝度との関係を示す図である。ここ
で、相対輝度とは、誘電体層を設けなかった場合の輝度
に対する相対値である。図１１に示したように、誘電体
層５０Ａの平均表面粗さを０．２μｍ以下とすることに
より、相対輝度を飛躍的に向上できることがわかる。The dielectric layer 50A has a thickness of 0.2 μm.
Below, it is more preferably formed to have an average surface roughness of 0.15 μm or less. FIG. 11 is a diagram showing the relationship between the average surface roughness and the relative brightness on the screen. Here, the relative brightness is a relative value with respect to the brightness when the dielectric layer is not provided. As shown in FIG. 11, it can be seen that the relative luminance can be dramatically improved by setting the average surface roughness of the dielectric layer 50A to 0.2 μm or less.

【００５８】また、この誘電体層５０Ａは、１．０Ｅ＋
１２Ω・ｃｍ以上、より好ましくは５．０Ｅ＋１２Ω・
ｃｍ以上の体積抵抗率を有するように形成されている。
図１２は、体積抵抗率と、画面上の相対輝度との関係を
示す図である。図１２に示したように、誘電体層５０の
体積抵抗率が１．０Ｅ＋１２Ω・ｃｍ未満の場合には、
誘電体層５０が電子ビームの照射により帯電するが、帯
電した電子が容易に除電されてしまい、電子レンズのレ
ンズ強度を十分に達成することができない。このため、
電子ビームを集束する効果が十分に得られず、輝度を十
分に向上することができない。これに対して、誘電体層
５０の体積抵抗率を１．０Ｅ＋１２Ω・ｃｍ以上とする
ことにより、十分なレンズ強度を有する電子レンズを形
成することが可能となり、画面上における相対輝度を飛
躍的に向上できることがわかる。The dielectric layer 50A is 1.0E +
12 Ω · cm or more, more preferably 5.0E + 12 Ω ·
It is formed to have a volume resistivity of not less than cm.
FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the volume resistivity and the relative luminance on the screen. As shown in FIG. 12, when the volume resistivity of the dielectric layer 50 is less than 1.0E + 12 Ω · cm,
The dielectric layer 50 is charged by irradiation with an electron beam, but the charged electrons are easily eliminated, and the lens strength of the electron lens cannot be sufficiently achieved. For this reason,
The effect of focusing the electron beam cannot be sufficiently obtained, and the brightness cannot be sufficiently improved. On the other hand, by setting the volume resistivity of the dielectric layer 50 to 1.0E + 12 Ω · cm or more, it becomes possible to form an electronic lens having sufficient lens strength, and the relative brightness on the screen is dramatically increased. You can see that it can be improved.

【００５９】次に、上記のように構成されたカラー陰極
線管の製造方法におけるシャドウマスクの製造方法につ
いて説明する。Next, a method of manufacturing the shadow mask in the method of manufacturing the color cathode ray tube having the above structure will be described.

【００６０】まず、図８に示すように、矩形板状のマス
ク基材（フラットマスク）５２を用意し、従来と同様
に、エッチングにより、有孔部２０ａとなる領域に多数
の開孔３４を形成する。First, as shown in FIG. 8, a rectangular plate-shaped mask substrate (flat mask) 52 is prepared, and a large number of openings 34 are formed in a region to be the perforated portion 20a by etching as in the conventional case. Form.

【００６１】続いて、マスク基材５２の電子銃構体側と
なる表面上で各開孔列１９の両側に、ストライプ状の低
抵抗層５０Ｂを形成する。この低抵抗層５０Ｂは、導電
成分を含有した金属アルコキシドなどの低抵抗材料を含
むペーストをスプレー塗布し、乾燥することにより形成
される。Then, stripe-shaped low resistance layers 50B are formed on both sides of each hole array 19 on the surface of the mask base 52 on the electron gun structure side. The low resistance layer 50B is formed by spray-applying a paste containing a low resistance material such as a metal alkoxide containing a conductive component and drying.

【００６２】続いて、この低抵抗層５０Ｂを覆うように
ストライプ状の誘電体層５０Ａを形成する。この誘電体
層５０Ａは、低抵抗層５０Ｂより高い体積抵抗率を有す
る誘電体材料を含むペーストを低抵抗層５０Ｂを覆うよ
うに塗布し、乾燥することにより形成される。Subsequently, a striped dielectric layer 50A is formed so as to cover the low resistance layer 50B. The dielectric layer 50A is formed by applying a paste containing a dielectric material having a volume resistivity higher than that of the low resistance layer 50B so as to cover the low resistance layer 50B, and drying the paste.

【００６３】この実施の形態においては、誘電体材料と
しては、リチウム系アルカリ硼珪酸ガラスの粉末をセル
ロース系のバインダー及びカルビテートアセテートなど
の溶剤と混錬してなるガラスペーストを用い、これをス
クリーン印刷法により、マスク基材５２の表面上に所定
のパターンに印刷した後、約１００乃至１５０℃の温度
で乾燥する。この段階で、ストライプ状の誘電体層５０
Ａは、ガラス成分とバインダー成分とからなり、バイン
ダー成分は、続くプレス時に形状の変形や剥がれや割れ
を起こさない成分を選択する必要がある。また、アンバ
ー材のプレス加工が１５０乃至３００℃の温間で行われ
るため、バインダーは、これらの温度で上述した特性を
有するほか、分解などを起こさないことも必要である。
このようなバインダーとしては、セルロース系樹脂の
他、アクリル系樹脂を用いることもできる。In this embodiment, as the dielectric material, a glass paste prepared by kneading a powder of lithium-based alkali borosilicate glass with a cellulosic binder and a solvent such as carbite acetate is used as a screen. A predetermined pattern is printed on the surface of the mask base material 52 by a printing method and then dried at a temperature of about 100 to 150 ° C. At this stage, the stripe-shaped dielectric layer 50
A is composed of a glass component and a binder component, and it is necessary to select a component that does not cause shape deformation, peeling or cracking in the subsequent pressing. Further, since the amber material is pressed at a temperature of 150 to 300 ° C., the binder is required to have the above-mentioned characteristics at these temperatures and not to be decomposed.
As such a binder, an acrylic resin can be used in addition to the cellulose resin.

【００６４】続いて、低抵抗層５０Ａ及び誘電体層５０
Ｂを積層することによって突状部５０が形成されたマス
ク基材５２をプレス金型に装着し、１５０乃至３００℃
の温間でプレス成形する。これにより、所望形状のマス
ク主面２０およびスカート部１８を有したシャドウマス
ク１２を形成する。このプレス成形時に、一般には、金
型の寿命を長くするための潤滑剤としてシリコンなどの
耐熱オイルが塗布されるが、これらの潤滑剤は、乾燥の
済んだ絶縁物質層５０に浸透し、ガラスの焼結を阻害す
る。このため、潤滑剤の塗布無しで、あるいは、図９に
示すようにマスク基材５２の有孔部２０ａ全面あるいは
絶縁物質層５３上のみに絶縁物質層内のバインダーより
も低温度で熱分解する樹脂からなるオーバーコート層５
４を塗布して、プレス成形することが望ましい。オーバ
ーコート材としては、セルロース系の樹脂、アクリル系
の樹脂等を用いることができる。Subsequently, the low resistance layer 50A and the dielectric layer 50 are formed.
The mask base material 52 on which the protrusions 50 are formed by stacking B is mounted on a press die, and the temperature is 150 to 300 ° C.
Press forming at warm temperature. As a result, the shadow mask 12 having the mask main surface 20 and the skirt portion 18 having a desired shape is formed. At the time of this press molding, a heat resistant oil such as silicon is generally applied as a lubricant for prolonging the life of the mold. These lubricants permeate the dried insulating material layer 50 and the glass Inhibits the sintering of. For this reason, thermal decomposition is performed without applying a lubricant, or as shown in FIG. 9, at a lower temperature than the binder in the insulating material layer on the entire surface of the perforated portion 20a of the mask base material 52 or only on the insulating material layer 53. Overcoat layer 5 made of resin
It is desirable to apply 4 and press-mold. As the overcoat material, a cellulose resin, an acrylic resin, or the like can be used.

【００６５】続いて、絶縁物質層内のバインダーを焼き
飛ばすとともにオーバーコート層を熱分解する脱バイン
ダー処理を行った後、シャドウマスク１２全体を約５０
０〜６５０℃程度で焼成することにより、絶縁物質層を
焼結して誘電体層５０を形成するとともに、シャドウマ
スク表面の黒化を行う。Subsequently, the binder in the insulating material layer is burned off and the overcoat layer is thermally decomposed to remove the binder.
By firing at about 0 to 650 ° C., the insulating material layer is sintered to form the dielectric layer 50, and the shadow mask surface is blackened.

【００６６】以上の工程により、電子銃構体側の表面に
ストライプ状の突状部５０を有した所定形状のシャドウ
マスク１２が得られる。Through the above steps, the shadow mask 12 having a predetermined shape having the stripe-shaped protrusions 50 on the surface on the electron gun assembly side can be obtained.

【００６７】このような製造方法によれば、マスク基材
５２を曲面状に成形する前にストライプ状の突状部５０
を形成するため、これらの突状部５０を所定位置に正確
に形成することができる。また、プレス成形時における
突状部５０の位置ズレもなく、成形後の位置ズレも発生
しない。したがって、最終的に形成される突状部５０の
位置精度を充分に高くすることができる。さらに、スク
リーン印刷を用いることにより、突状部５０の形成位
置、幅、高さ等を容易に制御することが可能となる。According to such a manufacturing method, the striped protrusions 50 are formed before the mask base 52 is formed into a curved surface.
Therefore, these protrusions 50 can be accurately formed at predetermined positions. Further, there is no positional deviation of the protrusion 50 during press molding, and no positional deviation occurs after molding. Therefore, the positional accuracy of the finally formed protrusion 50 can be sufficiently increased. Furthermore, by using screen printing, it is possible to easily control the formation position, width, height, etc. of the protrusion 50.

【００６８】なお、この発明は、上述した実施の形態に
限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能
である。例えば、上述した実施の形態では、各開孔列の
両側に突状部５０を１つずつ設ける構成としたが、図１
０に示すように、各開孔列の両側に複数本、例えば、２
本ずつ突状部５０を配置する構成としてもよい。The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be variously modified within the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, one protrusion 50 is provided on each side of each row of holes, but FIG.
As shown in 0, a plurality of holes, for example 2
The protrusions 50 may be arranged one by one.

【００６９】このような構成によれば、突状部５０が帯
電、除電する時間を短くすることが可能となる。すなわ
ち、突状部５０の誘電体層５０Ａに帯電した電子は、カ
ラー陰極線管の動作終了後、残像時間を短縮するために
は直ちに除電されなければならない。そして、除電の速
度を早くするためには、電子ビーム衝突終了後、電子が
直ちにシャドウマスクに移動し、誘電体層５０上の電子
を少なくする必要がある。除電に要する時間が著しく長
い場合には、画面上に不要な残像が発生し、好ましくな
い。According to this structure, it is possible to shorten the time for charging and discharging the protrusion 50. That is, the electrons charged on the dielectric layer 50A of the protrusion 50 must be immediately discharged after the operation of the color cathode ray tube is finished in order to shorten the afterimage time. Then, in order to increase the speed of charge removal, it is necessary to immediately move the electrons to the shadow mask after the end of the electron beam collision and reduce the number of electrons on the dielectric layer 50. If the time required for static elimination is extremely long, an undesired afterimage will occur on the screen, which is not preferable.

【００７０】そこで、前記のように開孔列の両側に突状
部５０を複数本ずつ設けた場合、突状部５０を１本のみ
設ける場合に比較して、各誘電体層５０Ａの幅、高さ等
を小さくしても同様の集束作用を得ることができる。そ
して、各誘電体層５０Ａの幅、高さ等を小さくすること
により、誘電体層５０Ａの表面上に帯電した電子は、そ
の表面を移動してシャドウマスクに到達する距離が短く
なり、結果として除電時間を短縮することが可能とな
る。従って、不要な残像の発生を低減することができ
る。Therefore, when a plurality of protrusions 50 are provided on both sides of the row of holes as described above, the width of each dielectric layer 50A is larger than that when only one protrusion 50 is provided. Even if the height is reduced, the same focusing action can be obtained. Then, by reducing the width, height, etc. of each dielectric layer 50A, the distance that electrons charged on the surface of the dielectric layer 50A travel on the surface and reach the shadow mask is reduced. It is possible to shorten the static elimination time. Therefore, it is possible to reduce the generation of unnecessary afterimages.

【００７１】また、シャドウマスクに形成された開孔
は、矩形状に限らず円形状としてもよく、蛍光体スクリ
ーン側の蛍光体層もストライプ状に限らずドット状とす
ることも可能である。更に、誘電体層５０Ａは、各開孔
３４の両側に設けられ４極子レンズを形成するように配
置されていればよく、ストライプ状に限らず、島状、ド
ット状等の所望形状にパターニングされた構成としても
良い。同様に、上述した実施の形態で示した各部の寸
法、形状は一例で有り、必要に応じて種々変形可能であ
る。The openings formed in the shadow mask are not limited to the rectangular shape but may be circular shapes, and the phosphor layer on the phosphor screen side is not limited to the stripe shape and may be the dot shape. Further, the dielectric layer 50A may be provided on both sides of each opening 34 so as to form a quadrupole lens, and is not limited to a stripe shape, and is patterned into a desired shape such as an island shape or a dot shape. It is also possible to have a configuration. Similarly, the size and shape of each part shown in the above-mentioned embodiment are examples, and can be variously modified as needed.

【００７２】さらに、この発明において、色選別機構で
あるシャドウマスクは、プレス成形型のマスクに限ら
ず、テンションを作用させるテンション型のマスクとし
ても良い。Further, in the present invention, the shadow mask, which is the color selection mechanism, is not limited to the press-molding mask, but may be a tension-type mask that applies tension.

【００７３】[0073]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、画面全域に亘って電子ビームのフォーカス特性を向
上することが可能であるとともに、画面全域の輝度を向
上することが可能なカラー陰極線管及びこのカラー陰極
線管の製造方法を提供することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to improve the focus characteristics of the electron beam over the entire screen and to improve the brightness over the entire screen. A tube and a method for manufacturing the color cathode ray tube can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係るカラー
陰極線管の構造を概略的に示す水平断面図である。FIG. 1 is a horizontal sectional view schematically showing the structure of a color cathode ray tube according to an embodiment of the present invention.

【図２】図２は、図１に示したカラー陰極線管における
蛍光体スクリーンの一部を拡大して示す平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view showing a part of a phosphor screen in the color cathode ray tube shown in FIG.

【図３】図３の（ａ）は、図１に示したカラー陰極線管
におけるシャドウマスクの構造を概略的に示す斜視図で
あり、図３の（ｂ）は、シャドウマスクの一部を拡大し
て示す平面図である。3 (a) is a perspective view schematically showing the structure of a shadow mask in the color cathode ray tube shown in FIG. 1, and FIG. 3 (b) is an enlarged view of a part of the shadow mask. FIG.

【図４】図４は、シャドウマスク、蛍光体スクリーン、
及び電子ビームの関係を模式的に示す図である。FIG. 4 is a shadow mask, a phosphor screen,
It is a figure which shows typically the relationship of an electron beam.

【図５】図５は、誘電体層が形成されたシャドウマスク
の電子銃構体側表面の構造を概略的に示す斜視図であ
る。FIG. 5 is a perspective view schematically showing a structure of a surface of an electron gun assembly side of a shadow mask on which a dielectric layer is formed.

【図６】図６の（ａ）は、シャドウマスクの有孔部の中
央部における断面構造を示す図であり、図６の（ｂ）
は、シャドウマスク有効部の長軸方向周辺部における断
面構造を示す図である。6 (a) is a diagram showing a cross-sectional structure in the central portion of the perforated portion of the shadow mask, and FIG.
FIG. 6 is a diagram showing a cross-sectional structure in a peripheral portion in the long axis direction of a shadow mask effective portion.

【図７】図７は、シャドウマスクの有孔部中央部を通る
電子ビームの集束状態を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a focused state of an electron beam passing through a central portion of a perforated portion of a shadow mask.

【図８】図８は、シャドウマスクの製造に用いられるマ
スク基材を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a mask base material used for manufacturing a shadow mask.

【図９】図９は、シャドウマスクの製造工程において、
マスク基材の電子銃構体側表面にオーバーコート層を形
成した状態を示す断面図である。FIG. 9 is a view showing a shadow mask manufacturing process,
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which an overcoat layer is formed on the surface of the mask base material on the electron gun assembly side.

【図１０】図１０は、この発明の変形例に係るカラー陰
極線管に適用可能なシャドウマスクの一部を拡大して示
す断面図である。FIG. 10 is an enlarged sectional view showing a part of a shadow mask applicable to a color cathode ray tube according to a modification of the present invention.

【図１１】図１１は、誘電体層の平均表面粗さに対する
画面上の相対強度の関係を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the relationship of the relative intensity on the screen to the average surface roughness of the dielectric layer.

【図１２】図１２は、誘電体層の体積抵抗率に対する画
面上の相対輝度の関係を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a relationship between relative volume on the screen and volume resistivity of a dielectric layer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…パネル ３…ネック ４…ファンネル ６…蛍光体スクリーン ９…電子銃 １０…真空外囲器 １２…シャドウマスク １８…スカート部 １９…開孔列 ２０…マスク主面 ２０ａ…有孔部 ３２…ブリッジ部 ３４…電子ビーム通過開孔 ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂ…蛍光体層 ５０…突状部 ５０Ａ…誘電体層 ５０Ｂ…低抵抗層 ５２…マスク基材 ５３…絶縁物質層 ５４…オーバーコート層 1 ... panel 3 ... neck 4 ... Funnel 6 ... Phosphor screen 9 ... Electron gun 10 ... Vacuum envelope 12 ... Shadow mask 18 ... skirt 19 ... Opening row 20 ... Mask main surface 20a ... perforated part 32 ... Bridge 34 ... Electron beam passage opening 42R, 42G, 42B ... Phosphor layer 50 ... Projection 50A ... Dielectric layer 50B ... Low resistance layer 52 ... Mask base material 53 ... Insulating material layer 54 ... Overcoat layer

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】内面に蛍光体スクリーンが配置されたパネ
ルを有した外囲器と、 前記外囲器内に配設され、前記蛍光体スクリーンに向け
て電子ビームを放出する電子銃構体と、 前記蛍光体スクリーンに対向して配設されているととも
に、前記電子銃構体から放出された電子ビームを選別す
る多数の開孔を有したシャドウマスクと、 を備え、 前記シャドウマスクの電子銃構体側の表面上には、前記
開孔の両側に位置し、電子ビームの照射により帯電して
電子ビームに作用する電子レンズを形成するパターン化
された突状部が設けられ、 前記突状部は、誘電体層と、前記誘電体層より低い体積
抵抗率を有する低抵抗層とを有して形成されたことを特
徴とするカラー陰極線管。1. An envelope having a panel having a phosphor screen arranged on an inner surface thereof, and an electron gun assembly arranged in the envelope and emitting an electron beam toward the phosphor screen. A shadow mask which is arranged so as to face the phosphor screen and has a large number of apertures for selecting an electron beam emitted from the electron gun assembly; and the electron gun assembly side of the shadow mask. On the surface of, the patterned protrusions located on both sides of the aperture and forming electron lenses that are charged by irradiation of an electron beam and act on the electron beam are provided, and the protrusions are A color cathode ray tube, comprising a dielectric layer and a low resistance layer having a volume resistivity lower than that of the dielectric layer. 【請求項２】前記シャドウマスクは、ほぼ並列に設けら
れた複数の開孔列を有し、 前記突状部は、前記開孔列とほぼ平行に延びたストライ
プ状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載のカ
ラー陰極線管。2. The shadow mask has a plurality of aperture rows arranged substantially in parallel, and the protrusions are formed in stripes extending substantially parallel to the aperture rows. The color cathode ray tube according to claim 1. 【請求項３】前記突状部の前記誘電体層は、前記低抵抗
層を覆うように積層されたことを特徴とする請求項１に
記載のカラー陰極線管。3. The color cathode ray tube according to claim 1, wherein the dielectric layer of the protrusion is laminated so as to cover the low resistance layer. 【請求項４】前記誘電体層の厚さは、１０μｍ以上３０
μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のカラ
ー陰極線管。4. The thickness of the dielectric layer is 10 μm or more and 30 or more.
The color cathode ray tube according to claim 1, wherein the color cathode ray tube has a thickness of not more than μm. 【請求項５】前記誘電体層の平均表面粗さは、０．２μ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のカラー
陰極線管。5. The average surface roughness of the dielectric layer is 0.2 μm.
The color cathode ray tube according to claim 1, wherein the color cathode ray tube has a thickness of m or less. 【請求項６】前記誘電体層の誘電率は、３以上であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のカラー陰極線管。6. The color cathode ray tube according to claim 1, wherein the dielectric constant of the dielectric layer is 3 or more. 【請求項７】前記誘電体層の体積抵抗率は、１．０Ｅ＋
１２以上であり、前記低抵抗層の体積抵抗率は、１．０
Ｅ＋１２Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする請求項１
に記載のカラー陰極線管。7. The volume resistivity of the dielectric layer is 1.0E +
12 or more, and the volume resistivity of the low resistance layer is 1.0
2. E + 12 Ω · cm or less.
The color cathode ray tube described in. 【請求項８】前記シャドウマスクは、前記開孔が形成さ
れているとともに管軸を通って互いに直交した長軸及び
短軸を有したほぼ矩形状のマスク有孔部を備え、 前記各開孔列は、前記マスク有孔部の長軸方向を幅方向
とするほぼ矩形状の開孔を、マスク有孔部の短軸方向に
沿って複数並べて構成されていることを特徴とする請求
項２に記載のカラー陰極線管。8. The shadow mask is provided with a substantially rectangular mask perforated portion having a long axis and a short axis which are formed with the openings and are orthogonal to each other through a tube axis. 3. The row is configured by arranging a plurality of substantially rectangular apertures whose width direction is the major axis direction of the perforated mask portion along the minor axis direction of the perforated mask portion. The color cathode ray tube described in. 【請求項９】前記蛍光体スクリーンは、前記シャドウマ
スクの短軸とほぼ平行に延びた複数のストライプ状の蛍
光体層を備えていることを特徴とする請求項８に記載の
カラー陰極線管。9. The color cathode ray tube according to claim 8, wherein the phosphor screen is provided with a plurality of stripe-shaped phosphor layers extending substantially parallel to the minor axis of the shadow mask. 【請求項１０】前記各開孔列の両側に前記ストライプ状
の突状部が複数本ずつ設けられていることを特徴とする
請求項２に記載のカラー陰極線管。10. The color cathode ray tube according to claim 2, wherein a plurality of the striped projections are provided on both sides of each of the aperture rows. 【請求項１１】前記マスク有孔部の中央部と、前記マス
ク有効部の長軸方向周辺部とで、前記開孔列に対する前
記突状部の配設位置が相違していることを特徴とする請
求項２に記載のカラー陰極線管。11. The central portion of the perforated portion of the mask and the peripheral portion of the effective portion of the mask in the long axis direction are different from each other in the disposition position of the protrusion with respect to the row of apertures. The color cathode ray tube according to claim 2. 【請求項１２】前記マスク有孔部の長軸方向周辺部に設
けられた前記突状部は、前記マスク有孔部の中央部に設
けられた前記突状部よりも、前記開孔列に対して中央部
よりに配置されていることを特徴とする請求項１１に記
載のカラー陰極線管。12. The projecting portions provided in the peripheral portion in the major axis direction of the mask perforated portion are closer to the opening row than the projecting portions provided in the central portion of the mask perforated portion. The color cathode ray tube according to claim 11, wherein the color cathode ray tube is arranged so as to be closer to the center. 【請求項１３】前記マスク有孔部の中央部に設けられた
前記突状部と、前記マスク有孔部の長軸方向周辺部に設
けられた前記突状部とで、幅が相違していることを特徴
とする請求項１に記載のカラー陰極線管。13. The width of the projecting portion provided in the central portion of the mask perforated portion is different from that of the projecting portion provided in the peripheral portion in the major axis direction of the mask perforated portion. The color cathode ray tube according to claim 1, wherein 【請求項１４】前記誘電体層は、ガラスを主成分とする
絶縁物質により形成されたことを特徴とする請求項１に
記載のカラー陰極線管。14. The color cathode ray tube according to claim 1, wherein the dielectric layer is formed of an insulating material containing glass as a main component. 【請求項１５】前記誘電体層は、リチウム系アルカリ硼
珪酸ガラス、ビスマス系硼珪酸ガラス、及び、鉛ガラス
の少なくとも１種類を主成分として形成されたことを特
徴とする請求項１４に記載のカラー陰極線管。15. The dielectric layer according to claim 14, wherein at least one of lithium-based alkali borosilicate glass, bismuth-based borosilicate glass, and lead glass is formed as a main component. Color cathode ray tube. 【請求項１６】前記低抵抗層は、金属性材料によって形
成されたことを特徴とする請求項１に記載のカラー陰極
線管。16. The color cathode ray tube according to claim 1, wherein the low resistance layer is made of a metallic material. 【請求項１７】内面に蛍光体スクリーンが配置されたパ
ネルを有した外囲器と、 前記外囲器内に配設され、前記蛍光体スクリーンに向け
て電子ビームを放出する電子銃構体と、 前記蛍光体スクリーンに対向して配設されているととも
に、並列に設けられた複数の開孔列を有し、各開孔列は
所定の間隔をおいて一列に配置され、前記電子銃構体か
ら放出された電子ビームを選別する多数の開孔を有した
シャドウマスクと、 を備え、 前記シャドウマスクの電子銃構体側の表面上には、前記
各開孔列の両側に位置し、電子ビームの照射により帯電
して電子ビームに作用する電子レンズを形成するストラ
イプ状の突状部が前記開孔列と略平行に延出されたカラ
ー陰極線管の製造方法において、 前記開孔列が形成された板状のマスク基材を用意し、 このマスク基材の電子銃構体側となる表面上で前記各開
孔列の両側に低抵抗材料を含むペーストをストライプ状
に塗布して乾燥し、低抵抗層を形成し、 前記低抵抗層より高い体積抵抗率を有する誘電体材料を
含むペーストを前記低抵抗層を覆うようにストライプ状
に塗布して乾燥し、誘電体層を形成し、 前記低抵抗層と前記誘電体層とを積層した前記マスク基
材を所定形状に成形し、 前記誘電体層を焼成して前記突状部を形成することを特
徴とするカラー陰極線管の製造方法。17. An envelope having a panel having a phosphor screen arranged on the inner surface thereof, and an electron gun assembly arranged in the envelope for emitting an electron beam toward the phosphor screen. The electron gun assembly is arranged so as to face the phosphor screen and has a plurality of aperture rows arranged in parallel. The aperture rows are arranged in a row at a predetermined interval. A shadow mask having a large number of apertures for selecting the emitted electron beams; and, on the surface of the shadow mask on the side of the electron gun structure, located on both sides of each of the aperture rows, In a method of manufacturing a color cathode ray tube, in which a stripe-shaped projecting portion that forms an electron lens that is charged by irradiation and acts on an electron beam extends substantially parallel to the aperture row, the aperture row is formed. Prepare a plate-shaped mask substrate, A paste containing a low resistance material is applied in stripes on both sides of each of the aperture rows on the surface of the mask base material that is to be the electron gun assembly side and dried to form a low resistance layer. A paste containing a dielectric material having a high volume resistivity was applied in a stripe shape so as to cover the low resistance layer and dried to form a dielectric layer, and the low resistance layer and the dielectric layer were laminated. A method for manufacturing a color cathode ray tube, comprising forming the mask base material into a predetermined shape and firing the dielectric layer to form the protrusions.