JP2003008313A - マイクロストリップ導波管変換回路 - Google Patents
マイクロストリップ導波管変換回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロストリップ導波管変換回路における
高次の減衰特性を向上させる。 【解決手段】 誘電体基板１の表面にマイクロストリッ
プ線路２を設け、裏面に、一部が切り欠かれた導体層３
を設け、この導体層３の切り欠きに合わせて導波管開口
７を設ける一方、前記マイクロストリップ線路２の先端
のアンテナ４を収容する金属製カバー１１を設けてなる
マイクロストリップ導波管変換回路において、前記金属
製カバー１１に、前記マイクロストリップ線路２に近接
する***部１５ａ、１５ｂと、前記マイクロストリップ
線路２との間に空間を形成する溝部１４ａ、１４ｂ、１
４ｃを形成した。
高次の減衰特性を向上させる。 【解決手段】 誘電体基板１の表面にマイクロストリッ
プ線路２を設け、裏面に、一部が切り欠かれた導体層３
を設け、この導体層３の切り欠きに合わせて導波管開口
７を設ける一方、前記マイクロストリップ線路２の先端
のアンテナ４を収容する金属製カバー１１を設けてなる
マイクロストリップ導波管変換回路において、前記金属
製カバー１１に、前記マイクロストリップ線路２に近接
する***部１５ａ、１５ｂと、前記マイクロストリップ
線路２との間に空間を形成する溝部１４ａ、１４ｂ、１
４ｃを形成した。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、準ミリ波・ミリ波
回路と導波管とを接続するマイクロストリップ導波管変
換回路に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、導波管とマイクロストリップとの
変換には、大きく分けて四種類の構造が一般に用いられ
ている。第１のものは、マイクロストリップを同軸構造
に変換し、更にアンテナを用いて導波管に変換する構造
のものである。第２のものは、フィンラインを用いてマ
イクロストリップを導波管に変換する構造のものであ
る。第３のものは、誘電体基板上にストリップラインア
ンテナを形成し、このアンテナを導波路管内に挿入し、
マイクロストリップを導波管と変換する構造のものであ
る。そして、第４のものは、テーパー状のリッジ導波管
を用いてマイクロストリップを変換する構造のものであ
る。 【０００３】これらの変換回路において、１８ＧＨｚ以
下の領域では第１の同軸構造からの変換のものが主とし
て採用されている。１８ＧＨｚ以上の準ミリ波帯、特に
３０ＧＨｚ以上のミリ波帯では、第２又は第３の回路構
造が多く用いられている。周波数帯域の広さ、通過ロス
の観点からは、第４のリッジ導波管構造のものが特によ
く用いられている。しかし、第４のリッジ導波管構造の
ものは構造が複雑となる。したがって、安価なシステム
には、誘電体基板上にストリップ線路アンテナを形成す
る第３の構造のものが多く用いられている。 【０００４】準ミリ波・ミリ波回路と導波管とを接続す
るスリップ線路導波管変換回路としては、従来、例え
ば、特開平３−６１０４号公報に開示の「導波管・マイ
クロストリップ線路変換器」が知られている。その概要
を、図４に基づき説明する。 【０００５】図４において、誘電体基板４０の一方の面
にマイクロストリップ線路４１が形成され、他方の面に
導体層４７が形成される。マイクロストリップ線路４１
の先端にはマイクロスリップアンテナ４２が形成され、
このマイクロストリップアンテナ４２に対応する位置に
おいて、導体層４７には導体逃げ部４４が形成される。
誘電体基板４０は、導体逃げ部４４を導波管４３の開口
に位置決めして設定される。つまり、金属ベース４８に
設けられた導波管４３に導体逃げ部４４を合わせて、誘
電体基板４０が金属ベース４８上に設置されるのであ
る。その結果、マイクロストリップアンテナ４２は、誘
電体基板４０を介して導波管４３の開口にそれを塞ぐよ
うに設定されることになる。 【０００６】マイクロストリップアンテナ４２を収容し
て誘電体基板４０上には金属製キャップ４５が被せられ
る。金属製キャップ４５は、開口周縁にフランジを有す
る有底箱状のもので、その開口形状は導体逃げ部４４と
同形に形成され、導波管変換空間４５ａとなっている内
部の深さは、金属製キャップ４５を誘電体基板４０のマ
イクロストリップアンテナ４２の形成面に載置したと
き、天井面４５ｂからマイクロストリップアンテナ４２
に至る長さが約１／４波長となるように形成される。 【０００７】つまり、この金属製キャップ４５は、その
開口を導体逃げ部４４と位置合わせして誘電体基板４０
のマイクロストリップアンテナ４２の形成面に載置固定
されてショート板として機能する。なお、この金属製キ
ャップ４５には、その開口縁部にマイクロスリップ線路
４１を導入する切り欠き４６が設けられる。このような
構造により、マイクロストリップアンテナ４２は、導波
管４３内の電磁波と電界結合し、マイクロストリップ線
路４１と導波管４３とのマイクロ波等の信号授受が行わ
れる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】従来のストリップ線路
導波管変換回路では、マイクロストリップ線路を誘導す
るための切り欠き４６を金属製キャップ４５に設けてい
たため、ローカルハーモニックス、及び通過信号のハー
モニックスなどの不要波がリークしてしまうという問題
があった。 【０００９】図５には、金属キャップ４５の切り欠き４
６の垂直方向の寸法を１ｍｍ、水平方向の寸法を１．５
ｍｍ、及びストリップ線路と同一方向である奥行き方向
の寸法が１０ｍｍ（short cover）のときの切り欠き入
口の空間から金属製キャップ４５の内側までの通過特性
を示す。なお、誘電体基板はテフロン（登録商標）基板
であり、厚さは、０．１２７ｍｍ、ストリップ線路幅
は、０．３６ｍｍのときのものである。 【００１０】図５には、奥行き方向の寸法を２０ｍｍ
（long cover）としたときの通過特性を併記してある
が、減衰量にほとんど違いがないことがわかる。これ
は、不要波はストリップ線路との電磁結合、あるいは高
次モードに対しては誘電体基板、あるいは誘電体基板と
金属製キャップとの切り欠き部の隙間は十分な伝搬路で
あることを意味している。 【００１１】導波管形状として日本電子機械工業会規格
（ＥＩＡＪ）のＷＲ２８を使用したマイクロストリップ
導波管変換回路の通過特性、及び反射特性例を図６に示
す。信号周波数は３８．５ＧＨｚで設計されたものであ
る。信号周波数の２倍の周波数である７ＧＨｚでは、７
〜８ｄＢ程度しか減衰してなく、高次に対するスプリア
ス特性が悪くなるという問題を有している。 【００１２】図７、図８には、誘電体基板４０上にスト
リップラインタイプの低域通過フィルタを形成したマイ
クロストリップ導波管変換回路を示す。つまり、マイク
ロストリップ線路４１に二つの分岐部４１ａを形成する
と共にこれらの分岐部４１ａの間を幅の狭い部分４１ｂ
とするのである。幅の広い分岐部４１ａがキャパシタン
スとなり、幅の狭い部分４１ｂがインダクタンスとな
り、低域通過フィルタを構成している。その他の構成
は、図４に示したものと同じである。 【００１３】このマイクロストリップ導波管変換回路の
通過特性を図９に示す。図からわかるように、この変換
回路でも大きな効果は得られず、１５ｄＢ程度の減衰
(相対値で８ｄＢ程度の改善)しかない。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明は、従来のマイク
ロストリップ導波管変換回路における上述した問題点を
解決するもので、その構成は、誘電体基板と、その一方
の面に形成され、一部に切り欠きを有する接地導体と、
この接地導体を介して前記誘電体基板の一方の面に設け
られ、前記切り欠きにつながる導波管開口を有する金属
ベースと、前記誘電体基板の他方の面に形成され、前記
切り欠きに対応する部分にアンテナを有するマイクロス
トリップ線路と、前記アンテナを収容する導波管変換空
間を有し、前記誘電体基板を挟んで前記金属ベースと結
合される金属カバーとからなり、前記金属カバーが前記
マイクロストリップ線路に近接する***部と、前記マイ
クロストリップ線路との間に空間を形成する溝部とを有
することを特徴とする。 【００１５】この構成のマイクロストリップ導波管変換
回路によれば、マイクロストリップ線路に近接する***
部と、マイクロストリップ線路との間に空間を形成する
溝部とが、マイクロストリップ線路へ電磁結合した不要
波、及び高次の信号周波数に対するスプリアスを抑制す
る。 【００１６】 【発明の実施の形態】本発明に係るマイクロストリップ
導波管変換回路の一形態を図面に基づき説明する。図１
には、実施の一形態に係るマイクロストリップ導波管変
換回路の縦断面を示し、図２にはその平面を示す。 【００１７】誘電体基板１の表面にはマイクロストリッ
プ線路２が形成され、誘電体基板１の裏面には導体層３
が形成される。マイクロストリップ線路２の先端にはマ
イクロストリップアンテナ４が形成され、このマイクロ
ストリップアンテナ４に対応する位置において、導体層
３には導体逃げ部５が形成される。金属ベース６には導
波管開口７が形成されており、この導波管開口７に導体
逃げ部５を位置決めして、金属ベース６上に誘電体基板
１が設置される。マイクロストリップアンテナ４は、誘
電体基板１を介して導波管開口７を塞ぐように位置す
る。 【００１８】誘電体基板１上には金属製カバー（金属製
キャップ）１１が設けられる。金属製カバー１１には、
断面形状が導波管開口７の形状と同じ形状の導波管変換
空間１２が形成され、金属製カバー１１は、この導波管
変換空間１２を導波管開口７と位置合わせして誘電体基
板１と結合される。 【００１９】金属製カバー１１には、導波管変換空間１
２を形成するための導波管仕切り１３が設けられてお
り、ここから、マイクロストリップ線路２の挿入側に沿
って溝部１４ａ、***部１５ａ、溝部１４ｂ、***部１
５ｂ部、溝部１４ｃ、壁部１６が形成されている。逆に
言えば、ブロック状の材料に、導波管変換空間１２、溝
部１４ａ、１４ｂ、１４ｃの空間部を形成することによ
って金属製カバー１１は形成される。導波管仕切り１３
には、マイクロストリップ線路２を、導波管変換空間１
２に導入するための切り欠き１７が形成されている。ま
た、壁部１６にもも、マイクロストリップ線路２を通す
ための切り欠き１８が形成される。この金属製カバー１
１としては、プラスチック成形品に導電塗装（メッキ）
をしたものや、金属のダイカスト品（鋳造品）、金属の
切削加工品などが採用される。 【００２０】マイクロストリップ線路２を有する誘電体
基板１は、熱圧着、はんだ付け、導電接着剤による接
着、ねじ止めなどにより金属ベース５に結合される。更
に、誘電体基板１を挟み付けて、金属製カバー１１が金
属ベース５にねじ１９により結合される。 【００２１】金属製カバー１１の導波管仕切り１３でマ
イクロストリップ線路２を逃げている部分以外は、誘電
体基板１上の導体層２０からスルーホール２１を介して
金属ベース６に電気的に接地されている。 【００２２】この構造において、誘電体基板１上で、導
波管開口７にかかるマイクロストリップ線路２の長さ、
つまりアンテナ４の長さは、ｄ＝λo／４以下、導波管
変換空間１２の誘電体基板１の表面１ａから導波管空間
１２の底面１２ａまでの距離（深さ）Ｄ１は、小西良弘
著「実用マイクロ波回路設計ガイド」（１９９６年６
月、総合電子出版社発行）により、波長の１／４以下に
しなければならない。 【００２３】溝部１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び***部１
５ａ、１５ｂがあることにより、マイクロストリップ線
路２に電磁結合した不要波、及び高次の信号周波数に対
するスプリアスを抑圧できる。溝部１４ａ、１４ｂ、１
４ｃ及び***部１５ａ、１５ｂは、減衰させたい周波数
により、寸法及び構造が決められるが、信号周波数を３
８．５ＧＨｚ、減衰帯域を７７ＧＨｚとして設計された
溝部１４ａ、１４ｂ、１４ｃの誘電体基板１の表面から
の高さ寸法Ｄ２は２０ｍｍ、***部１５ａ、１５ｂのマ
イクロストリップ線路２から高さＤ３は０．５ｍｍとし
たときの特性を図３に示す。 【００２４】従来のマイクロストリップ導波管変換回路
の特性である図６と比較すると、通過帯域である３８．
５ＧＨｚで０．２５ｄＢほど損失が劣化するが、減衰帯
域である７７ＧＨｚでは３５ｄＢほどの減衰が得られ、
２８ｄＢ程度の改善が見られる。また、ストリップライ
ンタイプの低域通過フィルタを挿入した場合の図９に示
す特性と比較しても２０ｄＢ程度の改善が見られる。更
に、５８ＧＨｚ〜８０ＧＨｚ帯の広帯域に渡り１５ｄＢ
以上の減衰が得られている。 【００２５】 【発明の効果】本発明に係るマイクロストリップ導波管
変換回路によれば、誘電体基板と、その一方の面に形成
され、一部に切り欠きを有する接地導体と、前記誘電体
基板の他方の面に形成され、前記切り欠きにつながる導
波管開口を有する金属ベースと、前記誘電体基板の他方
の面に形成され、前記切り欠きに対応する部分にアンテ
ナが延びるマイクロストリップ線路導体と、前記アンテ
ナを収容する導波管変換空間を有し、前記誘電体基板を
挟んで前記金属ベースと結合される金属カバーとを有す
るマイクロストリップ導波管変換回路において、前記金
属カバーを、前記マイクロストリップ線路導体に近接す
る***部と、前記マイクロストリップ線路導体から離れ
る溝部とを有するものとして、これら溝部、***部が、
不要波、高次の信号周波数に対するスプリアスを抑制す
る機能を果たすようにしたので、準ミリ波帯以上の周波
数において、簡易な構造で、高次に対するスプリアス特
性がよく、無線回線で放射する不要波を抑制することが
できる。
回路と導波管とを接続するマイクロストリップ導波管変
換回路に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、導波管とマイクロストリップとの
変換には、大きく分けて四種類の構造が一般に用いられ
ている。第１のものは、マイクロストリップを同軸構造
に変換し、更にアンテナを用いて導波管に変換する構造
のものである。第２のものは、フィンラインを用いてマ
イクロストリップを導波管に変換する構造のものであ
る。第３のものは、誘電体基板上にストリップラインア
ンテナを形成し、このアンテナを導波路管内に挿入し、
マイクロストリップを導波管と変換する構造のものであ
る。そして、第４のものは、テーパー状のリッジ導波管
を用いてマイクロストリップを変換する構造のものであ
る。 【０００３】これらの変換回路において、１８ＧＨｚ以
下の領域では第１の同軸構造からの変換のものが主とし
て採用されている。１８ＧＨｚ以上の準ミリ波帯、特に
３０ＧＨｚ以上のミリ波帯では、第２又は第３の回路構
造が多く用いられている。周波数帯域の広さ、通過ロス
の観点からは、第４のリッジ導波管構造のものが特によ
く用いられている。しかし、第４のリッジ導波管構造の
ものは構造が複雑となる。したがって、安価なシステム
には、誘電体基板上にストリップ線路アンテナを形成す
る第３の構造のものが多く用いられている。 【０００４】準ミリ波・ミリ波回路と導波管とを接続す
るスリップ線路導波管変換回路としては、従来、例え
ば、特開平３−６１０４号公報に開示の「導波管・マイ
クロストリップ線路変換器」が知られている。その概要
を、図４に基づき説明する。 【０００５】図４において、誘電体基板４０の一方の面
にマイクロストリップ線路４１が形成され、他方の面に
導体層４７が形成される。マイクロストリップ線路４１
の先端にはマイクロスリップアンテナ４２が形成され、
このマイクロストリップアンテナ４２に対応する位置に
おいて、導体層４７には導体逃げ部４４が形成される。
誘電体基板４０は、導体逃げ部４４を導波管４３の開口
に位置決めして設定される。つまり、金属ベース４８に
設けられた導波管４３に導体逃げ部４４を合わせて、誘
電体基板４０が金属ベース４８上に設置されるのであ
る。その結果、マイクロストリップアンテナ４２は、誘
電体基板４０を介して導波管４３の開口にそれを塞ぐよ
うに設定されることになる。 【０００６】マイクロストリップアンテナ４２を収容し
て誘電体基板４０上には金属製キャップ４５が被せられ
る。金属製キャップ４５は、開口周縁にフランジを有す
る有底箱状のもので、その開口形状は導体逃げ部４４と
同形に形成され、導波管変換空間４５ａとなっている内
部の深さは、金属製キャップ４５を誘電体基板４０のマ
イクロストリップアンテナ４２の形成面に載置したと
き、天井面４５ｂからマイクロストリップアンテナ４２
に至る長さが約１／４波長となるように形成される。 【０００７】つまり、この金属製キャップ４５は、その
開口を導体逃げ部４４と位置合わせして誘電体基板４０
のマイクロストリップアンテナ４２の形成面に載置固定
されてショート板として機能する。なお、この金属製キ
ャップ４５には、その開口縁部にマイクロスリップ線路
４１を導入する切り欠き４６が設けられる。このような
構造により、マイクロストリップアンテナ４２は、導波
管４３内の電磁波と電界結合し、マイクロストリップ線
路４１と導波管４３とのマイクロ波等の信号授受が行わ
れる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】従来のストリップ線路
導波管変換回路では、マイクロストリップ線路を誘導す
るための切り欠き４６を金属製キャップ４５に設けてい
たため、ローカルハーモニックス、及び通過信号のハー
モニックスなどの不要波がリークしてしまうという問題
があった。 【０００９】図５には、金属キャップ４５の切り欠き４
６の垂直方向の寸法を１ｍｍ、水平方向の寸法を１．５
ｍｍ、及びストリップ線路と同一方向である奥行き方向
の寸法が１０ｍｍ（short cover）のときの切り欠き入
口の空間から金属製キャップ４５の内側までの通過特性
を示す。なお、誘電体基板はテフロン（登録商標）基板
であり、厚さは、０．１２７ｍｍ、ストリップ線路幅
は、０．３６ｍｍのときのものである。 【００１０】図５には、奥行き方向の寸法を２０ｍｍ
（long cover）としたときの通過特性を併記してある
が、減衰量にほとんど違いがないことがわかる。これ
は、不要波はストリップ線路との電磁結合、あるいは高
次モードに対しては誘電体基板、あるいは誘電体基板と
金属製キャップとの切り欠き部の隙間は十分な伝搬路で
あることを意味している。 【００１１】導波管形状として日本電子機械工業会規格
（ＥＩＡＪ）のＷＲ２８を使用したマイクロストリップ
導波管変換回路の通過特性、及び反射特性例を図６に示
す。信号周波数は３８．５ＧＨｚで設計されたものであ
る。信号周波数の２倍の周波数である７ＧＨｚでは、７
〜８ｄＢ程度しか減衰してなく、高次に対するスプリア
ス特性が悪くなるという問題を有している。 【００１２】図７、図８には、誘電体基板４０上にスト
リップラインタイプの低域通過フィルタを形成したマイ
クロストリップ導波管変換回路を示す。つまり、マイク
ロストリップ線路４１に二つの分岐部４１ａを形成する
と共にこれらの分岐部４１ａの間を幅の狭い部分４１ｂ
とするのである。幅の広い分岐部４１ａがキャパシタン
スとなり、幅の狭い部分４１ｂがインダクタンスとな
り、低域通過フィルタを構成している。その他の構成
は、図４に示したものと同じである。 【００１３】このマイクロストリップ導波管変換回路の
通過特性を図９に示す。図からわかるように、この変換
回路でも大きな効果は得られず、１５ｄＢ程度の減衰
(相対値で８ｄＢ程度の改善)しかない。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明は、従来のマイク
ロストリップ導波管変換回路における上述した問題点を
解決するもので、その構成は、誘電体基板と、その一方
の面に形成され、一部に切り欠きを有する接地導体と、
この接地導体を介して前記誘電体基板の一方の面に設け
られ、前記切り欠きにつながる導波管開口を有する金属
ベースと、前記誘電体基板の他方の面に形成され、前記
切り欠きに対応する部分にアンテナを有するマイクロス
トリップ線路と、前記アンテナを収容する導波管変換空
間を有し、前記誘電体基板を挟んで前記金属ベースと結
合される金属カバーとからなり、前記金属カバーが前記
マイクロストリップ線路に近接する***部と、前記マイ
クロストリップ線路との間に空間を形成する溝部とを有
することを特徴とする。 【００１５】この構成のマイクロストリップ導波管変換
回路によれば、マイクロストリップ線路に近接する***
部と、マイクロストリップ線路との間に空間を形成する
溝部とが、マイクロストリップ線路へ電磁結合した不要
波、及び高次の信号周波数に対するスプリアスを抑制す
る。 【００１６】 【発明の実施の形態】本発明に係るマイクロストリップ
導波管変換回路の一形態を図面に基づき説明する。図１
には、実施の一形態に係るマイクロストリップ導波管変
換回路の縦断面を示し、図２にはその平面を示す。 【００１７】誘電体基板１の表面にはマイクロストリッ
プ線路２が形成され、誘電体基板１の裏面には導体層３
が形成される。マイクロストリップ線路２の先端にはマ
イクロストリップアンテナ４が形成され、このマイクロ
ストリップアンテナ４に対応する位置において、導体層
３には導体逃げ部５が形成される。金属ベース６には導
波管開口７が形成されており、この導波管開口７に導体
逃げ部５を位置決めして、金属ベース６上に誘電体基板
１が設置される。マイクロストリップアンテナ４は、誘
電体基板１を介して導波管開口７を塞ぐように位置す
る。 【００１８】誘電体基板１上には金属製カバー（金属製
キャップ）１１が設けられる。金属製カバー１１には、
断面形状が導波管開口７の形状と同じ形状の導波管変換
空間１２が形成され、金属製カバー１１は、この導波管
変換空間１２を導波管開口７と位置合わせして誘電体基
板１と結合される。 【００１９】金属製カバー１１には、導波管変換空間１
２を形成するための導波管仕切り１３が設けられてお
り、ここから、マイクロストリップ線路２の挿入側に沿
って溝部１４ａ、***部１５ａ、溝部１４ｂ、***部１
５ｂ部、溝部１４ｃ、壁部１６が形成されている。逆に
言えば、ブロック状の材料に、導波管変換空間１２、溝
部１４ａ、１４ｂ、１４ｃの空間部を形成することによ
って金属製カバー１１は形成される。導波管仕切り１３
には、マイクロストリップ線路２を、導波管変換空間１
２に導入するための切り欠き１７が形成されている。ま
た、壁部１６にもも、マイクロストリップ線路２を通す
ための切り欠き１８が形成される。この金属製カバー１
１としては、プラスチック成形品に導電塗装（メッキ）
をしたものや、金属のダイカスト品（鋳造品）、金属の
切削加工品などが採用される。 【００２０】マイクロストリップ線路２を有する誘電体
基板１は、熱圧着、はんだ付け、導電接着剤による接
着、ねじ止めなどにより金属ベース５に結合される。更
に、誘電体基板１を挟み付けて、金属製カバー１１が金
属ベース５にねじ１９により結合される。 【００２１】金属製カバー１１の導波管仕切り１３でマ
イクロストリップ線路２を逃げている部分以外は、誘電
体基板１上の導体層２０からスルーホール２１を介して
金属ベース６に電気的に接地されている。 【００２２】この構造において、誘電体基板１上で、導
波管開口７にかかるマイクロストリップ線路２の長さ、
つまりアンテナ４の長さは、ｄ＝λo／４以下、導波管
変換空間１２の誘電体基板１の表面１ａから導波管空間
１２の底面１２ａまでの距離（深さ）Ｄ１は、小西良弘
著「実用マイクロ波回路設計ガイド」（１９９６年６
月、総合電子出版社発行）により、波長の１／４以下に
しなければならない。 【００２３】溝部１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び***部１
５ａ、１５ｂがあることにより、マイクロストリップ線
路２に電磁結合した不要波、及び高次の信号周波数に対
するスプリアスを抑圧できる。溝部１４ａ、１４ｂ、１
４ｃ及び***部１５ａ、１５ｂは、減衰させたい周波数
により、寸法及び構造が決められるが、信号周波数を３
８．５ＧＨｚ、減衰帯域を７７ＧＨｚとして設計された
溝部１４ａ、１４ｂ、１４ｃの誘電体基板１の表面から
の高さ寸法Ｄ２は２０ｍｍ、***部１５ａ、１５ｂのマ
イクロストリップ線路２から高さＤ３は０．５ｍｍとし
たときの特性を図３に示す。 【００２４】従来のマイクロストリップ導波管変換回路
の特性である図６と比較すると、通過帯域である３８．
５ＧＨｚで０．２５ｄＢほど損失が劣化するが、減衰帯
域である７７ＧＨｚでは３５ｄＢほどの減衰が得られ、
２８ｄＢ程度の改善が見られる。また、ストリップライ
ンタイプの低域通過フィルタを挿入した場合の図９に示
す特性と比較しても２０ｄＢ程度の改善が見られる。更
に、５８ＧＨｚ〜８０ＧＨｚ帯の広帯域に渡り１５ｄＢ
以上の減衰が得られている。 【００２５】 【発明の効果】本発明に係るマイクロストリップ導波管
変換回路によれば、誘電体基板と、その一方の面に形成
され、一部に切り欠きを有する接地導体と、前記誘電体
基板の他方の面に形成され、前記切り欠きにつながる導
波管開口を有する金属ベースと、前記誘電体基板の他方
の面に形成され、前記切り欠きに対応する部分にアンテ
ナが延びるマイクロストリップ線路導体と、前記アンテ
ナを収容する導波管変換空間を有し、前記誘電体基板を
挟んで前記金属ベースと結合される金属カバーとを有す
るマイクロストリップ導波管変換回路において、前記金
属カバーを、前記マイクロストリップ線路導体に近接す
る***部と、前記マイクロストリップ線路導体から離れ
る溝部とを有するものとして、これら溝部、***部が、
不要波、高次の信号周波数に対するスプリアスを抑制す
る機能を果たすようにしたので、準ミリ波帯以上の周波
数において、簡易な構造で、高次に対するスプリアス特
性がよく、無線回線で放射する不要波を抑制することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るマイクロストリップ
導波管変換回路の縦断面図である。 【図２】図１に示したマイクロストリップ導波管変換回
路の平面図である。 【図３】本発明の一実施形態に係るマイクロストリップ
導波管変換回路による通過特性及び反射特性を示すグラ
フである。 【図４】従来のマイクロストリップ導波管変換回路を示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は下平
面図である。 【図５】従来のマイクロストリップ導波管変換回路での
切り欠き入口の空間から金属製キャップの内側までの通
過特性を示すグラフである。 【図６】従来のマイクロストリップ導波管変換回路で、
導波管形状としてＷＲ２８を使用したものの通過特性及
び反射特性を示すグラフである。 【図７】従来のマイクロストリップ導波管変換回路で、
誘電体基板上に低域通過フィルタを有するマイクロスト
リップ線路を設けたものの縦断面図である。 【図８】図７の平面図である。 【図９】図７、８に示したマイクロストリップ導波管変
換回路の通過特性及び反射特性を示すグラフである。 【符号の説明】 １：誘電体基板、２：マイクロストリップ線路、３：導
体層、４：アンテナ、５：逃げ部、６：金属ベース、
７：導波管開口、１１：金属製カバー、１２：導波管変
換空間、１３：導波管仕切り、１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ：溝部、１５ａ、１５ｂ：***部１７：切り欠き、１
８：切り欠き、２０：導体層、２１：スルーホール
導波管変換回路の縦断面図である。 【図２】図１に示したマイクロストリップ導波管変換回
路の平面図である。 【図３】本発明の一実施形態に係るマイクロストリップ
導波管変換回路による通過特性及び反射特性を示すグラ
フである。 【図４】従来のマイクロストリップ導波管変換回路を示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は下平
面図である。 【図５】従来のマイクロストリップ導波管変換回路での
切り欠き入口の空間から金属製キャップの内側までの通
過特性を示すグラフである。 【図６】従来のマイクロストリップ導波管変換回路で、
導波管形状としてＷＲ２８を使用したものの通過特性及
び反射特性を示すグラフである。 【図７】従来のマイクロストリップ導波管変換回路で、
誘電体基板上に低域通過フィルタを有するマイクロスト
リップ線路を設けたものの縦断面図である。 【図８】図７の平面図である。 【図９】図７、８に示したマイクロストリップ導波管変
換回路の通過特性及び反射特性を示すグラフである。 【符号の説明】 １：誘電体基板、２：マイクロストリップ線路、３：導
体層、４：アンテナ、５：逃げ部、６：金属ベース、
７：導波管開口、１１：金属製カバー、１２：導波管変
換空間、１３：導波管仕切り、１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ：溝部、１５ａ、１５ｂ：***部１７：切り欠き、１
８：切り欠き、２０：導体層、２１：スルーホール
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 誘電体基板と、その一方の面に形成さ
れ、一部に切り欠きを有する接地導体と、この接地導体
を介して前記誘電体基板の一方の面に設けられ、前記切
り欠きにつながる導波管開口を有する金属ベースと、前
記誘電体基板の他方の面に形成され、前記切り欠きに対
応する部分にアンテナを有するマイクロストリップ線路
と、前記アンテナを収容する導波管変換空間を有し、前
記誘電体基板を挟んで前記金属ベースと結合される金属
カバーとからなり、前記金属カバーが前記マイクロスト
リップ線路に近接する***部と、前記マイクロストリッ
プ線路との間に空間を形成する溝部とを有することを特
徴とするマイクロストリップ導波管変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001185796A JP2003008313A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | マイクロストリップ導波管変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001185796A JP2003008313A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | マイクロストリップ導波管変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008313A true JP2003008313A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19025318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001185796A Pending JP2003008313A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | マイクロストリップ導波管変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003008313A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004236334A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Thomson Licensing Sa | マイクロストリップと導波路の間のトランジッション及びこのトランジッションを組み込んだ外部送受信ユニット |
| JP2007180655A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | New Japan Radio Co Ltd | 帯域阻止フィルタ内蔵伝送モード変換器 |
| JP2008524887A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-07-10 | ユナイテッド モノリシック セミコンダクターズ エスアーエス | マイクロ波用途のための小型電子部品 |
| JP2010130433A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 導波管・ストリップ線路変換器 |
| JP2011199692A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | New Japan Radio Co Ltd | 非導波管線路−導波管変換器 |
| JP2011234011A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波フィルタ |
| CN109792102A (zh) * | 2016-10-05 | 2019-05-21 | 深谷波股份公司 | 包括形成无接触接口的至少一个过渡的封装结构 |
| JP2020096030A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 日本電信電話株式会社 | 高周波モジュール |
-
2001
- 2001-06-20 JP JP2001185796A patent/JP2003008313A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004236334A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Thomson Licensing Sa | マイクロストリップと導波路の間のトランジッション及びこのトランジッションを組み込んだ外部送受信ユニット |
| JP2008524887A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-07-10 | ユナイテッド モノリシック セミコンダクターズ エスアーエス | マイクロ波用途のための小型電子部品 |
| JP2007180655A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | New Japan Radio Co Ltd | 帯域阻止フィルタ内蔵伝送モード変換器 |
| JP2010130433A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 導波管・ストリップ線路変換器 |
| JP2011199692A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | New Japan Radio Co Ltd | 非導波管線路−導波管変換器 |
| JP2011234011A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波フィルタ |
| CN109792102A (zh) * | 2016-10-05 | 2019-05-21 | 深谷波股份公司 | 包括形成无接触接口的至少一个过渡的封装结构 |
| CN109792102B (zh) * | 2016-10-05 | 2022-03-18 | 深谷波股份公司 | 包括形成无接触接口的至少一个过渡的封装结构 |
| JP2020096030A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 日本電信電話株式会社 | 高周波モジュール |
| JP7095582B2 (ja) | 2018-12-11 | 2022-07-05 | 日本電信電話株式会社 | 高周波モジュール |
| US11749873B2 (en) | 2018-12-11 | 2023-09-05 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | High-frequency module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20071010 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071010 |