JP2003007636A - Method of reducing doping volume - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma doping volume reducing method which is capable of reducing a doped work, such as a semiconductor wafer or the like in a doping volume, when the semiconductor wafer has been excessively doped with a dopant, whose dose is more than the specified volume. SOLUTION: In a plasma doping treatment of doping the surface of a doped work with a dopant which is ionized by irradiation with plasma, when the doped work is excessively doped with a dopant, a gas-containing material that reacts with the dopant excessively loaded into the doped work is turned into a plasma, and the doped work is doped with the reacting material, and the doped work is heated to enable the reacting material to react on the excessive dopant, so that the excessive dopant hardly resides as a solid in the doped work and is discharged out, and the dopant of the doped work can be reduced in dose.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ドーパントを含む
ガスにプラズマを照射することによってイオン化し、半
導体ウェーハ等の被ドーピング材の表面にドーピングす
るプラズマドーピング処理おいて、過剰にドーピングさ
れたドーパントを削減するドーピング量削減方法に関す
るものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a plasma doping process in which a gas containing a dopant is ionized by irradiating it with plasma to dope the surface of a material to be doped such as a semiconductor wafer. The present invention relates to a doping amount reduction method to be reduced.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハにおいては、半導体結晶
に、ある電気抵抗値を与えるために意識的に不純物原子
（III価、V価の原子）を加える、いわゆるドーピングを
行っている。このドーピング処理の１つとして、ドープ
する不純物原子を含んだガス中でグロー放電プラズマを
発生させて低温（２００〜３００度）で不純物を高濃度
にドーピングするプラズマドーピングがあり、このプラ
ズマドーピングは、低温でドーピング処理が行われるた
め、ウェーハの熱的な欠陥の発生を抑制すると共に、ウ
ェーハの反りや曲がりを防止できる特長を有している。2. Description of the Related Art In semiconductor wafers, so-called doping is carried out by intentionally adding impurity atoms (atoms of valence III or V) to a semiconductor crystal to give a certain electric resistance value. As one of the doping treatments, there is plasma doping in which a glow discharge plasma is generated in a gas containing impurity atoms to be doped and the impurities are highly concentrated at a low temperature (200 to 300 ° C.). Since the doping process is performed at a low temperature, it has the features that the occurrence of thermal defects in the wafer can be suppressed and the wafer can be prevented from warping or bending.

【０００３】プラズマドーピングは、上部電極と下部電
極を具備し、不純物原子であるドーパントを含むガス、
例えばＡｓをドーピングする場合はアルシン、Ｂをドー
ピングする場合はＢＦ３、Ｐをドーピングする場合はＰ
Ｆ３が導入される真空プラズマチャンバー中にウェーハ
を置くように構成されたプラズマドーピング装置を用
い、そのプラズマエネルギーにより被ドーピング材であ
るウェーハ表面にドーパントをドーピングする方法であ
る。Plasma doping is a gas having an upper electrode and a lower electrode and containing a dopant which is an impurity atom,
For example, arsine for As doping, BF3 for B doping, P for P doping.
In this method, a plasma doping apparatus configured to place a wafer in a vacuum plasma chamber into which F3 is introduced is used to dope the surface of a wafer, which is a material to be doped, with a dopant by the plasma energy of the plasma doping apparatus.

【０００４】このようなプラズマドーピング方法による
と、従来のドーピング方法の１つであるイオン注入法に
比べて低エネルギーで容易にドーピングができるという
メリットがある反面、イオン注入法においてドーズ量
（試料に注入する若しくは注入された単位面積当たりの
イオンの個数）の制御に用いられている積算電流計によ
るカウント制御方式を用いることができないことから、
ドーズ量を適正に制御することができないという問題を
内包している。According to such a plasma doping method, there is an advantage that doping can be easily performed with low energy as compared with the ion implantation method which is one of the conventional doping methods. Since it is not possible to use the count control method by the integrating ammeter used for controlling the number of ions to be injected or the number of injected ions per unit area),
The problem is that the dose cannot be controlled properly.

【０００５】プラズマドーピングでのドーズ量は、ドー
ピング時間やウェーハ表面の色の変化等を目視しながら
経験的に判断しているのが現状であり、ドーズ量を正確
に把握することができなかった。このため、後工程のア
ニール処理によって始めてドーズ量の多少が判るという
のが実情であった。ここで、ドーズ量が少なかったとき
は、再度プラズマドーピング工程に戻して追加処理する
ことにより、適正なドーズ量とすることができるもの
の、多くドーピングしてしまったときは、ドーピング量
を削減することができないため、不良品とせざるを得
ず、その分製品の歩留まりを低下させるという問題があ
った。The dose amount in the plasma doping is empirically determined by visually observing the doping time, the change in the color of the wafer surface, etc., and the dose amount cannot be accurately grasped. . For this reason, it is the actual situation that the amount of dose can be known only after the annealing process in the subsequent step. Here, when the dose amount is small, it is possible to obtain an appropriate dose amount by returning to the plasma doping step again and performing additional processing, but when the doping amount is large, reduce the doping amount. Therefore, there is a problem that the yield of the product is reduced correspondingly because it cannot help but make it a defective product.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題に対処するためになされたものであり、その第１の課
題は、半導体ウェーハ等の被ドーピング材に対してドー
パントを規定のドーズ量より過剰にドーピングしてしま
った場合に、そのドーズ量を低減することができるプラ
ズマドーピングにおけるドーピング量削減方法を提供す
ることにある。また、本発明のもう一つの課題は、既存
のプラズマドーピング装置を利用することによって簡易
に実施でき、過剰にドーピングされたドーパントを容易
に削減して、不良品の発生を抑制し、その分製品の歩留
まりを向上させてコストダウンを図ることができるプラ
ズマドーピングにおけるドーピング量削減方法を提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and the first problem is that the dopant is used in a prescribed dose amount with respect to the material to be doped such as a semiconductor wafer. It is another object of the present invention to provide a doping amount reduction method in plasma doping which can reduce the dose amount when excessive doping is performed. In addition, another object of the present invention is to easily carry out by using an existing plasma doping apparatus, to easily reduce excessively doped dopants and suppress the generation of defective products. To provide a method for reducing the doping amount in plasma doping, which can improve the yield and reduce the cost.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ため、本発明にかかるドーピング量削減方法は、ドーパ
ントにプラズマを照射させてイオン化し、被ドーピング
材の表面をドーピングするプラズマドーピング処理にて
ドーパントが過剰にドーピングされた被ドーピング材に
対して、真空雰囲気下で過剰にドーピングされたドーパ
ントと反応する物質を含んだガスによりプラズマを形成
して同反応物質を被ドーピング材にドーピングし、これ
を加熱することにより過剰のドーパントと前記反応物質
とを反応させ、過剰のドーパントを被ドーピング材中に
固体として存在し切れなくして放出させることによりド
ーズ量を低減することを特徴とするものである。In order to solve the above problems, a doping amount reducing method according to the present invention is a plasma doping process of ionizing a dopant by irradiating plasma with plasma to dope the surface of a material to be doped. For a material to which the dopant is excessively doped, a plasma is formed by a gas containing a substance that reacts with the dopant that is excessively doped in a vacuum atmosphere, and the reactant is doped into the material to be doped. Is heated to heat the excess dopant and the reactant, and the excess dopant is present as a solid in the material to be doped and is released as a solid, thereby reducing the dose amount. .

【０００８】上記のようにして過剰にドーパントがドー
ピングされた被ドーピング材を再処理し、過剰のドーパ
ントを追加ドーピングされた反応物質と反応させて被ド
ーピング材から放出させることによって、ドーピング量
を適正量に削減し再生することができるため、不良品の
発生を抑制し、それ分製品の歩留まりを向上させること
ができる。As described above, the material to be doped which is excessively doped with dopant is reprocessed, and the excess dopant is reacted with the reactant material that is additionally doped to be released from the material to be doped, so that a proper doping amount is obtained. Since the amount of the product can be reduced and the product can be recycled, the generation of defective products can be suppressed and the product yield can be improved accordingly.

【０００９】また、本発明にかかるドーピング量削減方
法は、上記したドーピング量削減方法において、前記反
応物質を含んだガスとして、Ｆ、Ｈ、Ｃｌの中の一種を
含んだガスを用いてなることを特徴とするものである。The doping amount reducing method according to the present invention is the above-described doping amount reducing method, wherein a gas containing one of F, H and Cl is used as the gas containing the reactant. It is characterized by.

【００１０】上記のようにドーパントとの反応物質を含
んだガスとして、Ｆ、Ｈ、Ｃｌの一種を含んだガスを用
いることにより、これらをドーピングした後、被ドーピ
ング材を加熱すると、ドーパントとＦ、Ｈ、Ｃｌとが反
応し、例えばＢとＦの反応によりＢＦ３が、ＰとＦの反
応によりＰＦ３等が発生し、被ドーピング材中に固体と
して存在し切れなくなって被ドーピング材から放出さ
れ、これによってドーズ量を低減することができる。By using a gas containing one of F, H, and Cl as the gas containing the reactant with the dopant as described above, after doping these materials, the material to be doped is heated and the dopant and F , H, Cl react with each other, for example, BF3 is generated by the reaction of B and F, PF3 and the like is generated by the reaction of P and F, and the BF3 is not completely present in the doped material as a solid and is released from the doped material This makes it possible to reduce the dose amount.

【００１１】更に、本発明にかかるドーピング量削減方
法は、上記したドーピング量削減方法において、前記反
応物質を含んだガスを１Ｅ−２〜１Ｅ−６トル、好まし
くは１Ｅ−３〜１Ｅ−６トルの真空条件下でドーピング
することを特徴とするものである。Further, the doping amount reducing method according to the present invention is the above-mentioned doping amount reducing method, wherein the gas containing the reactant is 1E-2 to 1E-6 torr, preferably 1E-3 to 1E-6 torr. It is characterized in that the doping is performed under the vacuum condition of.

【００１２】真空条件としては、プラズマを保持できる
圧力であればよいが、低真空度ではガスイオンと被ドー
ピング材とのメカニカルな衝突によるスパッタが懸念さ
れるため、現実的には１Ｅ−２〜１Ｅ−６トル、より好
ましくは１Ｅ−３〜１Ｅ−６トル程度とし、真空度をス
パッタ量の少ない値に調整することが望ましい。The vacuum condition may be a pressure capable of holding plasma, but at a low vacuum degree, there is a concern that sputtering due to mechanical collision between gas ions and the material to be doped may occur, so in reality 1E-2. It is desirable to adjust the degree of vacuum to a value with a small amount of sputtering, with the pressure being set to 1E-6 Torr, more preferably about 1E-3 to 1E-6 Torr.

【００１３】更にまた、本発明にかかるドーピング量削
減方法は、上記したドーピング量削減方法において、プ
ラズマドーピング装置を用い、前記反応物質を含んだガ
スを導入することによりプラズマを形成して同反応物質
を被ドーピング材にドーピングし、過剰のドーパントを
放出させてドーズ量を低減することを特徴とするもので
ある。Furthermore, the doping amount reducing method according to the present invention is the above-mentioned doping amount reducing method, wherein a plasma doping apparatus is used to introduce a gas containing the reactant to form plasma, thereby forming the same reactant. Is doped into the material to be doped and excess dopant is released to reduce the dose amount.

【００１４】過剰にドーピングされたドーパントの削減
に既存のプラズマドーピング装置を利用し、ドーパント
との反応物質をプラズマドーピングすることにより、過
剰のドーパントを放出させてドーズ量を低減することが
できるため、ドーピング量の削減を簡易に、かつ容易に
実施することができる。Since the existing plasma doping apparatus is used to reduce the excessively-doped dopant and the reactant with the dopant is plasma-doped, the excessive dopant can be released and the dose amount can be reduced. The doping amount can be reduced easily and easily.

【００１５】[0015]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図１
に基づいて説明する。図１は本発明にかかるドーピング
量削減方法に用いるプラズマドービングキャンセル装置
の構成図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIG.
It will be described based on. FIG. 1 is a configuration diagram of a plasma doving cancel device used in the doping amount reducing method according to the present invention.

【００１６】図１において、１は真空チャンバーであ
り、内部を真空引きする真空ポンプ２が接続されてお
り、圧力調整弁３によって圧力、すなわち真空度が任意
に調整できるように構成されている。この真空チャンバ
ー１には、ガス導入口４が設けられており、過剰にドー
ピングされた物質と反応しやすい物質を含んだガスを真
空チャンバー１内に導入できるようになっている。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a vacuum chamber, which is connected to a vacuum pump 2 which evacuates the interior, and is constructed so that the pressure, that is, the degree of vacuum can be arbitrarily adjusted by a pressure adjusting valve 3. The vacuum chamber 1 is provided with a gas introduction port 4 so that a gas containing a substance that easily reacts with an excessively doped substance can be introduced into the vacuum chamber 1.

【００１７】真空チャンバー１内には、上方部に上部電
極５が設置され、碍子６を介して電源７に接続されてお
り、下方部には下部電極８が設置され、碍子９を介して
電源７のマイナス側にアースされている。電源７として
は、プラズマを形成できる周波数・電力であればよく、
工業用周波数である１３．５ＭＨｚ等を用いてもよい。In the vacuum chamber 1, an upper electrode 5 is installed in an upper part and is connected to a power source 7 via an insulator 6, and a lower electrode 8 is installed in a lower part and a power source is provided via an insulator 9. Grounded on the minus side of 7. The power supply 7 may be any frequency and power that can generate plasma,
You may use 13.5 MHz etc. which are industrial frequencies.

【００１８】また、真空チャンバー１内の圧力は、プラ
ズマを保持できる圧力であれば真空度は問わない。しか
し、低真空度ではガスイオンとウェーハ１０とのメカニ
カルな衝突によるスパッタが懸念されるため、１Ｅ−２
〜１Ｅ−６トル（Ｔｏｒｒ）程度、より現実的には１Ｅ
−３〜１Ｅ−６トル（Ｔｏｒｒ）程度が適切である。The pressure in the vacuum chamber 1 may be any vacuum level as long as it can hold plasma. However, at a low degree of vacuum, there is concern about spattering due to mechanical collision between the gas ions and the wafer 10, so 1E-2
~ 1E-6 Torr, more realistically 1E
-3 to 1E-6 Torr is suitable.

【００１９】更に、上部電極５と下部電極８は、それぞ
れを移動できるようにして電極間距離を調整できるよう
な構造にするのが望ましく、これによって、スパッタ量
を最小にし、ドーピング量を削減（キャンセル）する際
の速度を調整する有効な手段とすることができる。な
お、上記したプラズマドーピングキャンセル装置は、従
来のプラズマドーピングに用いられている装置と同一構
成であり、既存のプラズマドーピング装置をそのまま利
用することができるものである。Further, it is desirable that the upper electrode 5 and the lower electrode 8 are structured so that they can be moved so that the distance between the electrodes can be adjusted, whereby the amount of sputtering is minimized and the amount of doping is reduced ( It can be an effective means for adjusting the speed at the time of canceling. The above-mentioned plasma doping canceling device has the same structure as the device used for conventional plasma doping, and the existing plasma doping device can be used as it is.

【００２０】そして、ドーパントが過剰にドーピングさ
れた被ドーピング材であるウェーハ１０は、下部電極８
上に載置され、上部電極５と下部電極８間に電圧を印加
することにより、ガス導入口４から導入された反応物質
を含んだガスによるプラズマを形成し、被ドーピング材
１０に反応物質をプラズマドーピングできるように構成
されている。なお、図中の１１はウェーハ１０の上面を
覆うシースであり、また、被ドーピング材であるウェー
ハ１０は真空チャンバー１内で所定の温度に加熱できる
ようになっている。Then, the wafer 10 which is a material to be doped with the dopant being excessively doped has the lower electrode 8
By placing a voltage between the upper electrode 5 and the lower electrode 8 placed on the upper electrode 5, plasma is formed by the gas containing the reactant introduced from the gas inlet 4, and the reactant is deposited on the material 10 to be doped. It is configured to allow plasma doping. Reference numeral 11 in the drawing is a sheath that covers the upper surface of the wafer 10, and the wafer 10 that is the material to be doped can be heated to a predetermined temperature in the vacuum chamber 1.

【００２１】しかして、プラズマドーピング処理によっ
て、規定のドーズ量よりも多くのドーパントがドーピン
グされてしまった被ドーピング材であるウェーハ１０
は、上記のプラズマドーピングキャンセル装置に導入さ
れ、ドーピング量を削減（キャンセル）することによっ
て再生される。However, the wafer 10 which is the material to be doped and has been doped with more dopant than the prescribed dose by the plasma doping process.
Is introduced into the above-mentioned plasma doping cancellation device and is reproduced by reducing (cancelling) the doping amount.

【００２２】ドーピング量の削減は、過剰にドーパント
がドーピングされてしまった被ドーピング材であるウェ
ーハ１０をプラズマドーピングキャンセル装置に導入
し、下部電極８上に載置する。この状態で真空チャンバ
ー中にガス導入口４から過剰にドーピングされたトーパ
ントと反応する物質を含んだガスを導入して、これに上
部電極５と下部電極８により電圧を印加してプラズマを
形成することにより、反応物質をプラズマドーピングす
る。To reduce the doping amount, the wafer 10 as the material to be doped, which has been excessively doped with the dopant, is introduced into the plasma doping canceling device and placed on the lower electrode 8. In this state, a gas containing a substance that reacts with the excessively doped topant is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet 4, and a voltage is applied to the gas by the upper electrode 5 and the lower electrode 8 to form plasma. Thereby plasma doping the reactants.

【００２３】ここで用いられる反応物質を含んだガスと
しては、過剰にドーピングされたドーパントと反応しや
すい物質を含んだガスであればよく、Ｆ、Ｈ、Ｃｌの中
の一種を含んだガスが望ましい。具体的には、Ｆを含ん
だガスとしては、ＣＦ４、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６等があげら
れ、また、Ｈを含んだガスとしては、Ｈ２、Ｎ２／Ｈ２
（Ｎ２をベースとしたフォーミングガス）等があげら
れ、更に、Ｃｌを含んだガスとしては、Ｃｌ２やＨＣｌ
ベーパー等があげられる。The gas containing a reactive substance used here may be any gas containing a substance that easily reacts with an excessively doped dopant, and a gas containing one of F, H and Cl. desirable. Specifically, the gas containing F includes CF4, SF6, C2F6 and the like, and the gas containing H includes H2, N2 / H2.
(Forming gas based on N2) and the like. Further, as a gas containing Cl, Cl2 or HCl is used.
Examples include vapor.

【００２４】なお、導入するガスの流量は、圧力とのバ
ランスを保ちつつ、スパッタ量が最小値になるよう調整
するのが望ましい。上記のようにしてＦ、Ｈ、Ｃｌの一
種を含んだガスを導入し、ドーパントとの反応物質であ
るＦ、Ｈ、Ｃｌの一種をドーピングした後、ウェーハ１
０を所定の温度に加熱する。ここでの加熱温度は、ドー
ピング量の削減に適した温度であって、かつウェーハ１
０が熱変形を起こさない温度に制御されることは言うま
でもなく、約１０００度程度である。It is desirable that the flow rate of the gas to be introduced be adjusted so that the amount of sputtering becomes the minimum value while maintaining the balance with the pressure. A gas containing one of F, H, and Cl is introduced as described above, and one of F, H, and Cl that is a reactant with a dopant is doped, and then the wafer 1
0 is heated to a predetermined temperature. The heating temperature here is a temperature suitable for reducing the doping amount, and the wafer 1
Needless to say, 0 is controlled to a temperature at which thermal deformation does not occur, which is about 1000 degrees.

【００２５】Ｆ、Ｈ、Ｃｌの一種をドーピングした後、
ウェーハ１０を加熱すると、これとドーパントとの反応
が生じる。Ｆを用いた場合の具体例としては、ＢとＦと
の反応によりＢＦ３が、ＰとＦとの反応によりＰＦ３等
が発生する。これらの反応生成物はウェーハ１０中に固
体として存在し切れなくなり、ウェーハ１０外に放出さ
れ、真空ポンプ２によって真空チャンバー１外に排出さ
れることになる。After doping with one of F, H and Cl,
When the wafer 10 is heated, a reaction between it and the dopant occurs. As a specific example of the case of using F, BF3 is generated by the reaction of B and F, and PF3 and the like is generated by the reaction of P and F. These reaction products cannot be completely left in the wafer 10 as solids, are discharged to the outside of the wafer 10, and are discharged to the outside of the vacuum chamber 1 by the vacuum pump 2.

【００２６】これによって、プラズマドーピングにより
過剰にドーピングされたドーパントを削減し、ドーズ量
を低減させることができ、過剰ドーピングされた不良ウ
ェーハを再生することができる。従って、従来は不良品
として処分していた過剰ドーピンクされたウェーハを簡
易に再生することができ、不良品の発生を抑制すること
により、製品の歩留まりを向上させ、相当のコストダウ
ンを図ることができる。This makes it possible to reduce the amount of dopant that is excessively doped by plasma doping, reduce the dose amount, and regenerate a defectively overdoped wafer. Therefore, it is possible to easily recycle an excessively dapped wafer that was conventionally disposed as a defective product, and by suppressing the generation of defective products, the product yield can be improved and a considerable cost reduction can be achieved. it can.

【００２７】[0027]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明にかかる
ドーピング量削減方法によると、従来過剰ドーピングさ
れた場合に再生できなかった被ドーピング材のドーズ量
を簡易に低減して再生することができる。これによっ
て、過剰ドーピングによる不良品の発生をなくし、製品
の歩留まりを向上させ、コストダウンを図ることができ
る。As described above, according to the doping amount reduction method of the present invention, it is possible to easily reduce the dose amount of the material to be doped, which could not be regenerated in the case of overdoping, and regenerate it. it can. As a result, the occurrence of defective products due to excessive doping can be eliminated, the product yield can be improved, and the cost can be reduced.

【００２８】また、既存のプラズマドーピング装置をそ
のままプラズマドーピングキャンセル装置として利用す
ることによって、本発明のドーピング量削減方法を簡易
に実施でき、過剰にドーピングされたドーパントを容易
に削減することができる。Further, by using the existing plasma doping apparatus as it is as the plasma doping canceling apparatus, the doping amount reducing method of the present invention can be easily implemented, and the excessively doped dopant can be easily reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施形態にかかるドーピング量削減方
法に用いるプラズマドーピングキャンセル装置の構成図
である。FIG. 1 is a configuration diagram of a plasma doping canceling device used in a doping amount reducing method according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…真空チャンバー、２…真空ポンプ、３…圧力調整
弁、４…ガス導入口、５…上部電極、６…碍子、７…電
源、８…下部電極、９…碍子、１０…ウェーハ、１１…
シースDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum chamber, 2 ... Vacuum pump, 3 ... Pressure adjusting valve, 4 ... Gas inlet port, 5 ... Upper electrode, 6 ... Insulator, 7 ... Power supply, 8 ... Lower electrode, 9 ... Insulator, 10 ... Wafer, 11 ...
sheath

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 ドーパントにプラズマを照射させてイオ
ン化し、被ドーピング材の表面をドーピングするプラズ
マドーピング処理にてドーパントが過剰にドーピングさ
れた被ドーピング材に対して、真空雰囲気下で過剰にド
ーピングされたドーパントと反応する物質を含んだガス
によりプラズマを形成して同反応物質を被ドーピング材
にドーピングし、これを加熱することにより過剰のドー
パントと前記反応物質とを反応させ、過剰のドーパント
を被ドーピング材中に固体として存在し切れなくして放
出させることによりドーズ量を低減することを特徴とす
るドーピング量削減方法。1. A material to be doped that is excessively doped by a plasma doping process in which a dopant is irradiated with plasma to be ionized and the surface of the material to be doped is doped, and the material is excessively doped in a vacuum atmosphere. Plasma is formed by a gas containing a substance that reacts with the dopant, and the reactant is doped with the reactant, and the dopant is heated to react the excess dopant with the reactant, thereby removing the excess dopant. A doping amount reduction method characterized by reducing the dose amount by being released as a solid in a doping material without being completely exhausted. 【請求項２】 前記反応物質を含んだガスとして、Ｆ、
Ｈ、Ｃｌの中の一種を含んだガスを用いてなることを特
徴とする請求項１に記載のドーピング量削減方法。2. The gas containing the reactant is F,
The doping amount reducing method according to claim 1, wherein a gas containing one of H and Cl is used. 【請求項３】 前記反応物質を含んだガスを１Ｅ−２〜
１Ｅ−６トル、好ましくは１Ｅ−３〜１Ｅ−６トルの真
空条件下でドーピングすることを特徴とする請求項１又
は２に記載のドーピング量削減方法。3. The gas containing the reactant is 1E-2.
The doping amount reduction method according to claim 1 or 2, wherein the doping is performed under a vacuum condition of 1E-6 torr, preferably 1E-3 to 1E-6 torr. 【請求項４】 プラズマドーピング装置を用い、前記反
応物質を含んだガスを導入することによりプラズマを形
成して同反応物質を被ドーピング材にドーピングし、過
剰のドーパントを放出させてドーズ量を低減することを
特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のドーピン
グ量削減方法。4. A plasma doping apparatus is used to form a plasma by introducing a gas containing the reactant, the reactant is doped into the material to be doped, and excess dopant is released to reduce the dose amount. The doping amount reduction method according to any one of claims 1 to 3, wherein