JP2003002780A

JP2003002780A - シリコン単結晶の製造装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法

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Publication number: JP2003002780A
Application number: JP2002092479A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Sakurada; 昌弘櫻田; Eiichi Iino; 栄一飯野; Ryoji Hoshi; 亮二星; Nobuaki Mitamura; 伸晃三田村; Izumi Fusegawa; 泉布施川; Tomohiko Ota; 友彦太田
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2001-04-20
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2003-01-08
Anticipated expiration: 2022-03-28
Also published as: JP3909675B2

Abstract

(57)【要約】【課題】シリコン融液から引上げられた単結晶を適切
かつ効率よく冷却して引上速度の向上を図るとともに構
造の簡素化を図り、取り扱いが容易で汎用性の高いシリ
コン単結晶の製造装置を提供する。【解決手段】シリコン単結晶の製造装置５０は、該育
成炉本体１内において、シリコン融液４より引き上げら
れたシリコン単結晶３を囲繞するように配置された結晶
冷却筒１３と結晶冷却筒１３の下端部内周面に沿って、
シリコン融液４より引き上げられたシリコン単結晶３の
外周面に向けて突出する形態で設けられる炭素製の内周
断熱材１５とを有する。該内周断熱材１５は、シリコン
単結晶３の軸線方向において該シリコン単結晶３の中心
温度が１０００℃以上１２５０℃以下となる区間内に配
置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法（以下、ＣＺ法と称する）によるシリコン単結晶の製
造装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体素子の高集積化や大型化に
より、半導体素子を構成する電子回路は微細化の一途を
たどっている。このため、半導体素子形成の基板とされ
るシリコンウエーハへの高品質化の要求は高まる一方で
あり、これを満足するためシリコン単結晶の育成におい
ても様々な対策が検討されている。特に、シリコンウエ
ーハの材料として最も多く用いられているのがＣＺ法に
よって製造されたシリコン単結晶であり、結晶を育成す
る際に結晶内部に形成される結晶欠陥が、ウエーハ表面
層に素子を構成した場合の特性に大きく影響することか
ら、単結晶育成時に結晶内部に形成される結晶欠陥を低
密度に抑えた引上方法が要望されている。

【０００３】例えば、特開平１１−７９８８９号公報に
は、シリコン単結晶の育成時に結晶内に取り込まれる欠
陥が存在しない、あるいは存在しても極低密度であるシ
リコン単結晶を育成する技術が開示されている。ＣＺ法
によるシリコン単結晶の育成では、引上速度や結晶の冷
却条件等により結晶内部に取り込まれるグローンイン欠
陥（Grown−in Defect）と呼ばれる結晶成長時の熱履
歴に起因する結晶欠陥に違いがあることがわかってき
た。

【０００４】シリコン単結晶の引上速度が比較的速い急
冷の状態で単結晶を育成した場合には、単結晶育成時に
結晶内部でシリコン原子に不足が生じ、シリコン格子点
に空孔となる部分が発生する。この空孔が単結晶の冷却
時に凝集し、単結晶をウエーハに加工した際にウエーハ
表面に凹部あるいは穴のような形となって現れ、空孔
（ボイド、穴）起因のグローンイン欠陥が優勢なシリコ
ン単結晶となる。このような空孔型の点欠陥をベイカン
シー（Vacancy：以下、Ｖとも略記する）と呼び、ベイ
カンシーが凝集して生じる点欠陥が優勢となるシリコン
単結晶内部の領域を、Ｖ領域と呼んでいる。また、ベイ
カンシーに起因するグローンイン欠陥としては、ＦＰＤ
（Flow Pattern Defects）、ＣＯＰ（Crystal Origi
nated Particle）及びＬＳＴＤ（Laser Scattering
Tomography Defects）等があり、シリコン単結晶をウ
エーハに加工した時に、ウエーハ表面に八面体のボイド
状の点欠陥等として観察される。

【０００５】これに対し、シリコン単結晶の引上速度を
極力抑え、育成結晶を徐冷しながら引き上げた場合に
は、今度はシリコン単結晶の格子間に余分に存在するシ
リコン原子、すなわちインタースティシアル−シリコン
（Interstitial−Si：以下、Ｉとも略記する）と呼ばれ
る点欠陥が優勢なシリコン単結晶が得られる。このよう
なシリコン単結晶の内部は、転位ループ起因と考えられ
るＬ／Ｄ（Large Dislocation：格子間転位ループの略
号であり、ＬＳＰＤやＬＦＰＤ等の結晶欠陥の総称）と
呼ばれている格子間型シリコン欠陥が低密度に存在する
ようになり、単結晶をウエーハ基板に加工して表層に半
導体素子を形成した場合には、これら欠陥により電流リ
ーク等の重大な不良を起こす原因にもなる。該インター
スティシアル−シリコンが優勢となる結晶内部の領域
を、Ｉ領域と呼んでいる。

【０００６】そして、これらベイカンシーが優勢となる
Ｖ領域や、インタースティシアル−シリコンが優勢であ
るＩ領域以外の中間の領域となる育成条件でシリコン単
結晶を引き上げれば、シリコン原子間に原子の不足や余
分な原子の存在しない、あるいは存在しても僅かである
ニュートラル（Neutral、以下、Ｎと略記することがあ
る）な状態でシリコン単結晶を育成することができる。
このようなニュートラルな状態にある結晶内部の領域
を、Ｎ領域と呼ぶ。

【０００７】なお、シリコン単結晶の内部に形成される
Ｎ領域と前述のＶ領域との間には、ＯＳＦ（Oxidation
Induced Stacking Fault、酸化誘起積層欠陥）と称
される酸素起因の欠陥、あるいはその核が高密度に存在
する領域があり、単結晶をウエーハ基板に加工した時に
この領域がリング状となって観察されることから、この
ＯＳＦあるいはＯＳＦとなる核が存在する領域を、ＯＳ
ＦリングあるいはＯＳＦリング域と呼んでいる。

【０００８】上述の特開平１１−７９８８９号公報で
は、結晶内部のグローンイン欠陥を極低密度に保って高
品質のシリコン単結晶を得るために、単結晶の温度雰囲
気を調整することにより、シリコン単結晶の内部に生ず
るＯＳＦリングが結晶中心で閉じた、結晶全体がＮ領域
となるような条件でシリコン単結晶を育成するようにし
ている。しかし、この特開平１１−７９８８９号公報に
示されているような、単結晶全体あるいはその殆どをＮ
領域と成して結晶成長を行う方法では、所望の結晶成長
雰囲気を形成するために、シリコン融液面の上方に複雑
な構造物を配置したり、あるいは単結晶の成長速度を
０．５ｍｍ／ｍｉｎ程度以下の極めて低速に保つ必要が
ある。従って、結晶欠陥の少ない高品質な単結晶が得ら
れるという利点はあるものの、装置構造が複雑で汎用性
に欠けたり、結晶の生産性が低い等、生産効率の点では
問題が多い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】通常の製造装置でＮ領
域となるように結晶引上げを行なうには、引き上げられ
た結晶の冷却雰囲気が所望の値となるように調整し、結
晶の引上速度を０．４ｍｍ／ｍｉｎ程度の低速に保って
結晶育成を行っている。これは、一般的なシリコン単結
晶引上速度が１．０ｍｍ／ｍｉｎ程度であることを考え
れば、著しく生産性の劣った製造方法である。この引上
速度を高めるための方法として、製造装置の上部に断熱
特性を強化した構造物を配置し、結晶欠陥の低い単結晶
を得るのに適した温度雰囲気に調整して結晶生産を行な
う方法も検討されている。しかし、このような方法で
は、育成炉内の上部構造が複雑となり、装置のメンテナ
ンスや汎用性を考えた場合に、作業効率を落とし生産性
が低下したり、装置コストが割高になる等の問題が残さ
れていた。また、結晶の成長速度を高めて、結晶欠陥の
無いあるいは少ない高品質結晶を育成するには、更に結
晶成長界面に近い部分での、単結晶の冷却効果を大きく
保つ必要があることから、新たな装置構造の工夫が必要
とされていた。

【００１０】特に、直径が２００ｍｍφを超えるような
大型の結晶では、その熱容量も大きくなることから装置
を簡素化するとともに、いかに適切に育成結晶を冷却す
るかが課題とされている。この場合、得られるシリコン
単結晶の特性に影響を及ぼす結晶欠陥の発生量が、育成
結晶のどの温度域で積極的な冷却促進を行なうかにも極
めて密接に関わっている。しかしながら、従来、この観
点における課題解決と、装置構造の簡略化との両方を視
野に入れた技術的な検討はなされてこなかった。

【００１１】本発明は、上述した問題点に鑑みて成され
たものであり、結晶欠陥の無いあるいは極めて少ない高
品質のシリコン単結晶を育成するにあたり、シリコン融
液から引き上げられた単結晶を適切かつ効率よく冷却し
て引上速度の向上を図るとともに、製造装置の構造を簡
素なものとし、取り扱いが容易で汎用性の高い単結晶の
製造装置、及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法
を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段及び作用・効果】本発明の
シリコン単結晶製造装置は、シリコン単結晶の育成炉内
においてルツボに収容したシリコン融液から、チョクラ
ルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げるようにし
たシリコン単結晶の製造装置において、内部にルツボが
配置される育成炉本体と、該育成炉本体内において、シ
リコン融液より引き上げられたシリコン単結晶を囲繞す
るように配置された結晶冷却筒と、結晶冷却筒の下端部
内周面に沿って、シリコン融液より引き上げられたシリ
コン単結晶の外周面に向けて突出する形態で設けられる
炭素製の内周断熱材とを有し、該内周断熱材が、シリコ
ン単結晶の軸線方向においてその全体が、該シリコン単
結晶の中心温度が１０００℃以上１２５０℃以下となる
区間内に位置するように配置されていることを特徴とす
る。

【００１３】また、本発明のシリコン単結晶の製造方法
は、上記のシリコン単結晶の製造装置を用い、ルツボに
収容したシリコン融液から、チョクラルスキー法により
シリコン単結晶を引き上げて製造することを特徴とす
る。

【００１４】シリコン融液から単結晶を成長させる際
に、結晶の成長速度を高めるためには、加熱ヒータやシ
リコン融液から単結晶への輻射熱を極力遮蔽して、育成
結晶を効率的に冷却する必要がある。この理由から、シ
リコン単結晶の製造装置においては、育成結晶を取り囲
むようにシリコン融液直上に結晶冷却筒を配設して、結
晶からの輻射熱を除去すると同時に、加熱ヒータやシリ
コン融液からの輻射熱が結晶にあたらないように工夫す
ることが有効である。しかし、シリコン融液面近くの結
晶成長界面付近では、シリコン融液からの輻射熱を効率
よく遮蔽することが難しく、特に欠陥を抑制した高品質
結晶の育成では、結晶の冷却速度を精度よく所望の値に
保つ必要があることから、結晶の成長速度を高めること
が難しかった。

【００１５】これに対し本発明の装置では、結晶冷却筒
の下端部内周面に沿って、シリコン融液より引き上げら
れたシリコン単結晶の外周面に向けて突出する形態で、
耐熱温度が高く断熱特性に優れた炭素製の内周断熱材を
配置することにより、加熱ヒータやシリコン融液面から
もたらされる輻射熱を遮蔽して、結晶高温部の冷却効率
を高めることができる。また、このような位置に内周断
熱材を配置することで、該位置での冷却筒と育成された
単結晶との隙間が狭く保たれるため、シリコン融液側か
らの該隙間を介した輻射あるいは対流による熱伝達を抑
制できるので、シリコン融液面から上方に離れた位置で
の結晶の冷却効果を高めることもできる。

【００１６】結晶冷却筒は、冷却効率を高めるとともに
耐熱性と機械構造的な強度を確保するために、少なくと
も内周断熱材が設けられる下端部を黒鉛製とすることが
望ましい。この場合、内周断熱材は該黒鉛製の結晶冷却
筒下端部よりも気孔率の高い炭素材にて構成すること
が、断熱効果を高める上で望ましい。

【００１７】そして、本発明では、上記内周断熱材が、
シリコン単結晶の軸線方向においてその全体が、該シリ
コン単結晶の中心温度が１０００℃以上１２５０℃以下
となる区間内に配置されていることがもう一つの大きな
特徴である。具体的には、図３に示すように、内周断熱
材（１５）の下縁（下端面）がシリコン単結晶の、空孔
凝集による欠陥成長が始まると推定される１２５０℃よ
りも低い第一温度Ｔ１となる位置にあり、また、内周断
熱材１５の上縁（上端面）がシリコン単結晶内の、欠陥
成長が比較的不活発となる１０００℃よりも高い第二温
度Ｔ２となる位置にあるようにする。なお、結晶冷却筒
１３の下端部１３ａが内周断熱材１５の下端側に回りこ
んで配置されている場合は、該下端部１３ａは内周断熱
材１５に属さないものとみなす。さらに、内周断熱材１
５の上端側が結晶冷却筒１３と同材質の被覆材にて覆わ
れている場合（図５（ａ）等）は、被覆材は内周断熱材
１５に属さないものとみなす。

【００１８】これにより、シリコン単結晶の電気的特性
に悪影響を及ぼす欠陥形成を確実に抑制しつつ、成長速
度を高めることが可能となる。この理由は、以下の通り
である。ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成においては
経験的に、おおむね結晶温度が１２５０℃程度まで低下
すると、空格子点や格子間シリコン原子が、グローンイ
ン欠陥核となるための凝集を開始し、１０００℃〜１０
５０℃付近で欠陥成長が収束に向かうものと推定されて
いる。図４の（ａ）に示すように、この１０００℃〜１
２５０℃の温度区間に、欠陥の成長が顕著となると考え
られる温度区間τが存在する。そして、高品質のシリコ
ン単結晶を得るには、上記温度区間τにシリコン単結晶
が長時間留まらないよう、該温度区間τを通過するとき
の冷却速度を適度に大きくして、結晶中での欠陥成長を
抑制することが重要である。

【００１９】例えば、図４（ａ）において破線Ｂで示す
ように、温度区間τでの冷却速度が小さい場合、（ｃ）
に示すように、系の温度が高いために、空孔が個々の欠
陥核に急速に凝集して大きく成長し、シリコン単結晶の
電気的特性に悪影響を及ぼす欠陥（以下、「悪質な欠
陥」といい、本明細書にて単に「欠陥」という場合は、
この「悪質な欠陥」を意味する）の個数は増加してしま
う。しかし、１０００℃〜１２５０℃の温度区間に対応
する位置に内周断熱材を配置することで、図４（ａ）の
実線Ａで示すように上記温度区間τでの冷却速度を大き
くできる。この場合、（ｂ）に示すように、過冷度が大
きくなるために欠陥核Ｎの発生個数は多くなるが、系の
温度が低下しているので、個々の欠陥核への空孔の凝集
が抑えられ、欠陥の成長速度は小さくなる。従って、前
記した悪質な欠陥の個数が減少し、高品質のシリコン単
結晶が得られるものと考えられる。また、このような結
晶冷却を行なうことによって結晶高温部での冷却が加速
され、結晶成長速度も速めることができるようになる。

【００２０】なお、内周断熱材の上縁位置が、シリコン
単結晶の中心温度が１０００℃以下となる区間にまで上
側に延長された場合、その延長区間では内周断熱材の保
温材としての働きが顕著となり、そのため１０００℃〜
１０５０℃近傍の、欠陥の成長が収束に向かう温度域で
の温度勾配が緩やかとなる。その結果、欠陥が活発に形
成される温度区間において、シリコン単結晶は徐冷さ
れ、欠陥への空孔の凝集が継続し、欠陥サイズが粗大化
するので、例えばデバイス化の際にその電気的特性の低
下を招くことにつながる。他方、内周断熱材の下縁位置
が、シリコン単結晶の中心温度が１２５０℃以上となる
区間まで下側に延長された場合、内周断熱材の冷却効果
により単結晶の径方向の温度分布が不均一となり、結晶
内部に転位ループ起因と考えられる格子間型の欠陥が生
じやすくなる。いずれの場合も、単結晶の軸断面におい
て全面がＮ領域化した高品質の結晶を得る上では不利に
作用する。

【００２１】なお、上記効果を高めるために、内周断熱
材の上縁位置はシリコン単結晶の中心温度が１０００℃
以上１０５０℃以下となる区間内に位置し、同じく下縁
位置はシリコン単結晶の中心温度が１１５０℃以上１２
５０℃以下となる区間内に位置していることが望まし
い。内周断熱材の軸方向寸法が短くなりすぎて、例えば
上縁位置が、シリコン単結晶の中心温度が１０５０℃よ
り高い区間に位置するか、あるいは下縁位置が、シリコ
ン単結晶の中心温度が１１５０℃より低い区間に位置す
るようになると、欠陥形成が顕著となる温度区間τの全
体を十分な冷却速度で冷却できなくなり、本発明の前記
した効果の達成が困難となる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を、
添付図面を参照しながら、ＣＺ法を用いたシリコン単結
晶の育成例を挙げて説明するが、本発明はこれらのみに
限定されるものではない。図１は、本発明のシリコン単
結晶の製造方法を実施するための、シリコン単結晶製造
装置の一実施形態を示す概略断面図である。図１に示さ
れるシリコン単結晶製造装置５０は、育成炉本体１と上
部育成炉２から構成される。育成炉本体１の内部には、
シリコン融液４を収容した石英製ルツボ５と、この石英
製ルツボ５を保持し保護するために、黒鉛製ルツボ６が
石英製ルツボ５の外側に配置されている。

【００２３】そして、黒鉛製ルツボ６の外周には、石英
製ルツボ５に収容された原料である多結晶シリコンを加
熱し、溶融してシリコン融液４とするための黒鉛製の加
熱ヒータ７が置かれている。シリコン単結晶の育成時に
は、電極から加熱ヒータに電力が供給され発熱し、多結
晶シリコンを融解した後に、シリコン融液４の温度を所
望の値に保持してシリコン単結晶３の成長を図るもので
ある。

【００２４】加熱ヒータ７と育成炉本体１の炉壁との間
には、金属製の炉壁を保護し育成炉本体１の内部を効率
的に保温するために炭素製の炉内断熱材８が置かれてい
る。更に、育成炉本体１は、加熱ヒータ７からの輻射熱
により、シリコン単結晶育成時に炉壁が必要以上に高温
に加熱されることを防止する目的で、炉壁を二重構造と
し、炉壁の隙間に冷却水を流して強制冷却を行いながら
シリコン単結晶の育成を行なうような構造とされている
ものである。

【００２５】一方、育成炉本体１の略中央に配置された
黒鉛製ルツボ６は、底部を黒鉛製のルツボ支持軸１９に
よって支持されており、ルツボ支持軸１９の下端部に取
り付けられた図示しないルツボ軸駆動機構によって、上
下動及び回転動自在とされているものである。これによ
って単結晶育成時にシリコン融液４の液面を一定位置に
保持したり、単結晶育成時にルツボ５，６を所望の方向
や速さで回転させることができるようになっている。

【００２６】装置内にて使用する炭素製の部材は、ルツ
ボ６、加熱ヒータ７、後述のルツボ支持軸１９あるいは
結晶冷却筒１３など、機械構造的な強度の求められる部
分は緻密な黒鉛にて構成され、他方、上記の炉内断熱材
８や、内周断熱材１５など、断熱性が要求される部材
は、該黒鉛製の構造部材よりも気孔率の高い炭素材（以
下、断熱性炭素材という）にて構成する。具体的には、
炭素焼結体などの多孔質炭素材、あるいは繊維質炭素
材、例えば炭素繊維をプリプレグ状あるいは不織布状に
成型したものを採用することができる。

【００２７】次に、シリコン単結晶３の育成時には、シ
リコン融液４から蒸発するＳｉＯ（一酸化珪素）等の酸
化物が、育成炉の炉壁や炉内断熱材等の炉内部材に付着
するのを防止するため、アルゴンガス等の不活性ガスを
育成炉に流通しながら結晶成長を行なう必要がある。こ
のため、育成炉本体１の底部には、不活性ガスを炉外へ
排気するための排ガス管９と、育成炉内部の圧力を調整
するための図示しない圧力制御装置が備えられており、
シリコン単結晶の育成時には、この圧力制御装置によっ
て炉内の圧力が所望の値に調整される。

【００２８】一方、育成炉本体１の天井部には、シリコ
ン融液４から引き上げられたシリコン単結晶３を収容し
取出すための上部育成炉２が連通して設置されている。
単結晶育成時にはこの上部育成炉２内でシリコン単結晶
３を放冷し、取出し可能な温度となるまで結晶温度が低
下したら、上部育成炉２の図示しないドアを開けてシリ
コン単結晶３を育成炉の外部へと移動させる。

【００２９】育成炉本体２の天井部からは、シリコン融
液４から引き上げられた単結晶３を囲繞するように結晶
冷却筒１３がシリコン融液面に向かって配置され、その
先端部の外周面には、シリコン融液４や加熱ヒータ７の
輻射熱を効率的に反射してシリコン融液面を保温するた
めの黒鉛製の断熱リング１４が取り付けられている（該
断熱リング１４は省略してもよい）。シリコン単結晶３
の育成時には、この結晶冷却筒１３によりシリコン単結
晶３からの輻射熱が効率的に奪われることで、結晶成長
速度を高めることができる。また、この結晶冷却筒１３
には、上部育成炉２より冷却筒内部を伝ってシリコン融
液面に下流する不活性ガスの整流作用もあり、融液面か
ら放出される不純物を滞りなく炉外へ排出させるための
役目も果たしている。なお、図２に示すように、結晶冷
却筒１３の上部に、冷却媒体の流通により、強制的に結
晶からの輻射熱を炉外へと排出する強制冷却筒１１を設
け、冷却効果を更に高めることも可能である。結晶冷却
筒１３は、伝熱性を高めるために、少なくとも下端部、
本実施形態においてはその全体が黒鉛製とされている
（ただし、強制冷却筒１１等との接続部をなす上端部を
金属製としてもよい）。また、後述の内周断熱材１５等
をなす断熱性炭素材よりも緻密なものが使用される。

【００３０】図１に戻り、上部育成炉２には、育成炉の
内部に不活性ガスを導入するためのガス導入管１０が備
えられており、結晶成長作業の工程に合わせてガス導入
管１０より育成炉へ不活性ガスが導入される。シリコン
単結晶３の育成時には、この上部育成炉２から導入され
た不活性ガスが、結晶冷却筒１３の内部を下流しシリコ
ン融液面を伝って育成炉本体１の底部にある排ガス管９
から炉外へと排出される。これによって、シリコン融液
から蒸発するＳｉＯ等の蒸発物を炉外へと除去してい
る。

【００３１】また、上部育成炉２の上方には、シリコン
融液４からシリコン単結晶３を引き上げるための、ワイ
ヤー１８を巻き出しあるいは巻き取る、図示しないワイ
ヤー巻取り機構が備えられている。このワイヤー巻取り
機構から巻き出された引上げワイヤー１８の先端部には
種結晶ホルダー１８ａが取り付けられており、この種結
晶ボルダー１８ａに種結晶１７を係止して、その先端を
シリコン融液４の表面に接融し引き上げることによっ
て、該種結晶１７の下方にシリコン単結晶３が育成され
る。

【００３２】次に、図１あるいは図２に示すシリコン単
結晶製造装置５０は、結晶冷却筒１３の下端部内周面に
沿って、シリコン融液より引き上げられたシリコン単結
晶３の外周面に向けて突出する形態で設けられる炭素製
の内周断熱材１５を有している。内周断熱材１５は、前
述の断熱性炭素材にて構成される。すでに図３を用いて
説明した通り、該内周断熱材１５は、シリコン単結晶３
の軸線Ｏの方向において該シリコン単結晶３の中心温度
が１０００℃以上１２５０℃以下となる区間内に配置さ
れている。このことによる作用・効果は既に説明済みで
ある。

【００３３】なお、図１に示すように、結晶冷却筒１３
は、結晶の冷却効果を得るばかりではなく、育成された
単結晶３の上方から結晶に沿って冷却筒１３内を流れる
不活性ガスの整流を行なう作用もある。好ましくは、こ
の整流作用を妨げないように、図５（ａ）に示すよう
に、内周断熱材１５の上端面１５ａは、内周縁側が低く
なる傾斜面とされているのがよい（ここでは、後述の黒
鉛材１３ｂにより覆われているが、これは内周断熱材１
５に属さないものとみなす）。このような傾斜を内周断
熱材に設けることにより、冷却筒１３の内部を流れるア
ルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを乱すことなく、ス
ムーズに上方からシリコン融液面に向かって流すことが
できる。これにより、シリコン融液面から蒸発するＳｉ
Ｏ等の蒸発物を、滞りなく不活性ガスにより育成炉外部
へと排出し、結晶に転位をもたらす可能性がある酸化物
が、炉壁や炉内配置された部材等に付着することを防ぐ
ことが可能とされる。なお、図５（ａ）では、内周断熱
材１５の上端面１５ａに続く形で直立形態の内側壁面１
５ｃを形成しているが、（ｂ）に示すように、内周断熱
材１５を三角状断面とし、上端面１５ａを内周断熱材１
５の下端部に至る傾斜面とすることもできる。

【００３４】上記上端面１５ａの水平面とのなす角度
（以下、傾斜角という）θは３０°〜７０°の範囲とな
るようにするのが好適である。傾斜角θが３０°以下の
場合には、結晶冷却筒１３の上方から下流する不活性ガ
スが内周断熱材１５の上端面１５ａに当たり、流れが乱
される可能性もあるし、反対に７０°以上の傾斜を付け
た場合には、内周断熱材１５が冷却筒の上方に向けて延
長され、適切な結晶冷却雰囲気を形成し難くなったり、
内周断熱材が大型化するので、取り扱いが不便となる。
なお、上端面１５ａは、図６に示すように曲面状に形成
することも可能である。この場合の傾斜角度θは、内周
断熱材１５の軸線を含む断面において、曲面状の上端面
１５ａの上縁及び下縁とを結ぶ直線と水平面とのなす角
度として定義する。

【００３５】また、図５において、内周断熱材１５は、
自身の内側壁面１５ｃと、引き上げられたシリコン単結
晶３の定径部外周面３ｃとの距離ｄが２０ｍｍ以上５０
ｍｍ以下となるように配置されているのが好ましい。距
離ｄが５０ｍｍを超えると、内周断熱材１５の厚みが小
さくなりすぎて断熱効果が弱まると同時に、シリコン融
液面からの輻射熱が内周断熱材１５とシリコン単結晶３
の隙間から直接結晶高温部に当たり、効果的に結晶を冷
却することができなくなる。他方、距離ｄが２０ｍｍ以
下になると、輻射熱の遮蔽効果は高まるものの、冷却筒
の内部を流れる不活性ガスの流通路が狭められることに
なるので、結晶成長界面付近での不活性ガスの線速が高
まり、結晶成長を阻害する可能性もある。なお、内周断
熱材１５の半径方向における最大厚みは、該内周断熱材
１５が十分な熱容量ひいては引き上げられるシリコン単
結晶３に対する冷却能が十分に確保できるように、適
宜、例えば４０ｍｍ以上に確保することが望ましい。ま
た、この厚みの上限値は、シリコン単結晶３の定径部外
周面３ｃとの距離ｄを２０ｍｍ以上確保できる範囲内に
て適宜定まるものである。

【００３６】次に、断熱性炭素材で構成された内周断熱
材１５は、高い熱遮蔽効果を持つものであるが、脆く形
が不安定で所望の形状に加工するのが難しく、更には、
繊維状であるため、シリコン融液からの蒸発物が表面に
付着し易い等の問題もある。これを補う方法として、図
５（ａ）に示すように、内周断熱材１５の、結晶冷却筒
の内側に露出する表面を黒鉛材１３ｂ（内周断熱材より
は緻密なもの）で被覆することが有効である。これによ
り、内周断熱材１５の取り扱いを容易にし作業性の向上
も図ることができるし、ＳｉＯ等のシリコン融液からの
蒸発物が、内周断熱材１５の繊維状の本体部分に付着す
るのを防止できる。また、該本体部分が崩れてシリコン
融液に落下することも無くなるので、スリップ転位をも
たらすなど結晶の成長を妨げたり、品質に影響を与える
ことも抑制できる。

【００３７】そして、より好ましくは、上記の黒鉛材１
３ｂの表面を、熱分解炭素あるいは炭化珪素でさらに被
覆しておくのがよい。熱分解炭素あるいは炭化珪素で被
覆した黒鉛材１３ｂを用いることによって、シリコン融
液から蒸発したシリコンが黒鉛材１３ｂ表層付近に浸透
し、炭化珪素が生成されることを抑制することができ
る。これにより、黒鉛材１３ｂの耐久性向上を図ること
ができる。また、炭化珪素生成に伴う黒鉛材１３ｂのヒ
ビや亀裂等の発生がもたらす、黒鉛の原料融液への落下
を防ぐ効果もあり、その結果、安定した結晶成長が達成
できるものとなる。さらに、熱分解炭素あるいは炭化珪
素で形成された被膜における鉄（Fe）濃度が、０．０５
ｐｐｍ以下となるように、被膜を施すことにより、結晶
に近接する内周断熱材１５または結晶冷却筒１３内周面
から育成単結晶にもたらす鉄（Fe）汚染を確実に防止す
ることができる。これにより、育成したシリコン単結晶
をシリコンウエーハに加工した際に重金属、特に鉄（F
e）の汚染によって生じるキャリアライフタイムの低下
が抑えられる。なお、被膜の鉄（Fe）濃度については、
ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分析法に
より測定されるものである。また、結晶冷却筒１３を黒
鉛製とする場合、その内周断熱材の形成されていない内
周面１３ｊを、熱分解炭素あるいは炭化珪素で被覆して
おけばより望ましい。

【００３８】なお、内周断熱材１５を結晶冷却筒１３の
先端に取り付けるためには、図７（ａ）に示すように、
互いに重ねあわされた内周断熱材１５と結晶冷却筒１３
の壁部とを、ボルト（もちろん、黒鉛等、必要な耐熱性
を持った材料で構成する）等の締結部材３０で締結・固
定する方法を例示できる。また、（ｂ）に示すように、
結晶冷却筒１３の本体部にＬ字状に一体化された下端部
１３ａに内周断熱材１５を乗せるのみの構造としてもよ
い。さらに、図７（ｃ）に示すように、内周断熱材１５
（を覆う黒鉛材）側に形成された雄ねじ部１５ｍを、結
晶冷却筒１３の内周面下端部に形成された雌ねじ部１３
ｆに螺合させて固定する方法も可能である。

【００３９】以下、装置５０を用いたシリコン単結晶の
製造工程について、図１により説明する。まず、育成炉
本体１の内部に置かれた石英製ルツボ６に多結晶シリコ
ン塊を充填し、炉内をアルゴンガス等の不活性ガスで置
換し満たした後、育成炉本体１の加熱ヒータ７を発熱さ
せてシリコンの融点である１４２０℃以上に多結晶シリ
コンを加熱し、シリコン融液４とする。この時、育成炉
の内部は、シリコン融液から蒸発するＳｉＯ等の蒸発物
が低温度の炉内構造物に析出付着しないよう、不活性ガ
スを常時流しながら５００ｈＰａ程度以下の低圧に保っ
て、蒸発物の炉外排出を促しつつ多結晶シリコンの融解
を図る。これはシリコン単結晶３の育成に移行した時も
継続され、単結晶育成中は不活性ガスを育成炉に流しな
がら低圧の状態に保って操業が行われる。

【００４０】石英製ルツボ５に収容された全ての多結晶
シリコンが溶解したら、シリコン融液４の温度を単結晶
成長に適した温度に調整し、ワイヤー１８を巻き出して
種結晶１７の先端部を融液表面に着液させる。そして、
上部育成炉２から結晶冷却筒１３を伝って下流する不活
性ガスの量と炉内圧力を育成条件に合わせ、黒鉛製ルツ
ボ６と種結晶１７とを互いに反対方向に回転させなが
ら、所望の速さでワイヤー１８を徐々に巻き上げること
によって、種結晶１７の下方にシリコン単結晶３を成長
させる。

【００４１】種結晶１７の下方に所定径を有するシリコ
ン単結晶３を形成するには、まず種結晶１７をシリコン
融液４に着液させた時の熱衝撃によって生じたスリップ
転位を除去するために、一旦、結晶径を細くして絞り部
を作ることによってスリップ転位を除去する。絞り部の
形成後は、所定の径となるまで径拡大を行い所望の径と
なったところで径拡大を止め、所望とする一定直径でシ
リコン単結晶３の育成を行なう。

【００４２】一定径を持った定径部を所望長さ引き上げ
たならば、シリコン単結晶３をシリコン融液４から切り
離した時に生じる温度変化によってスリップ転位がもた
らされないよう、徐々に結晶径を小さくして縮径部を形
成した後、シリコン単結晶３を融液から切り離し、静か
にシリコン単結晶３を上部育成炉２まで巻き上げ常温付
近まで冷却して育成を終える。

【００４３】

【実施例】以下、本発明の効果を確認するために、以下
の実験を行なった。（実施例１：実験１）本発明の装置を用いてシリコン単
結晶を育成する際に、ＯＳＦリング域が閉じてＮ領域と
なるよう単結晶の引上げを行なうには、どのような製造
条件で育成を行なえば適切なものであるかを確認するた
めに、図１に示される装置５０を用いて引上速度を種々
に変化させながらシリコン単結晶の育成を行った。

【００４４】まず、口径が６０ｃｍの石英製ルツボに多
結晶シリコンを１００ｋｇ入れて加熱溶融し、結晶軸方
向が＜１００＞の種結晶をシリコン融液に着液させて直
径２００ｍｍの単結晶を育成した。この際、内周断熱材
すなわち冷却筒とシリコン融液面の隙間を５０ｍｍとし
て、引き上げられるシリコン単結晶の中心温度が、結晶
冷却筒１３の下端位置で約１２５０℃、そこから上方１
０ｃｍの位置で約１０００℃となるように（いずれもシ
ミュレーションによる）、内周断熱材１５を配置して結
晶育成を行った。この時、結晶と内周断熱材１５の隙間
が３０ｍｍ程度になるように内周断熱材１５の厚みを調
整して配置した。

【００４５】シリコン単結晶の引上条件は、引上速度を
結晶の定径部前半で０．７ｍｍ／ｍｉｎとして、徐々に
引上速度を低下させていって定径部後半の尾部近くでは
０．３ｍｍ／ｍｉｎとなるように漸減させた。その他、
ルツボ回転数や炉内に流す不活性ガスの量等の育成条件
は、シリコン単結晶に取り込まれる酸素濃度が１９〜２
０ｐｐｍａ（ＡＳＴＭ（１９７９年）：Ｆ−１２１規定
の測定値）となるように調整しながら育成を行った。

【００４６】育成後の単結晶は、拡径部と縮径部を取り
除いた後に定径部の先端から１０ｃｍ毎に切断し、結晶
中心から縦割りにするとともに、ＯＳＦリング域が消え
てＮ領域に達する引上速度を調べた。なお欠陥の識別は
以下のようにして行なった。まず、単結晶定径部を約１
０ｃｍ間隔で切断し、引上軸中心から縦割りにして厚さ
２ｍｍ前後の長方形をしたウエーハ状の測定サンプルを
作成した。この測定サンプルに、窒素雰囲気中で６００
℃×２ｈｒ＋８００℃×４ｈｒ、そして、更に酸素雰囲
気下で１０００℃×１６ｈｒの熱処理を施した後に、測
定サンプル表面の酸化膜を薬液で除去し、Ｘ線トポグラ
フにより表面の欠陥を測定した。結果は、図８に示す通
りである。これによると、引上速度が０．５１ｍｍ／ｍ
ｉｎまで低下した部位でＯＳＦリング域が消え、引上速
度が０．４８ｍｍ／ｍｉｎとなったところまでＮ領域と
なっていることがわかった。

【００４７】（実施例１：実験２）実験１と同じく石英
製ルツボに多結晶原料１００ｋｇを仕込み融解して、同
直径、同方位を有するシリコン単結晶を育成した。この
時の単結晶を得るための操業条件は、単結晶定径部１０
ｃｍ以降の定径部で、引上速度を０．４８〜０．５１ｍ
ｍ／ｍｉｎの範囲に入るように調整した以外は試験１と
同じ操業条件を採用し、酸素濃度や抵抗率は略同等にな
るように調整しながら結晶成長を行った。得られた単結
晶の定径部先端から１０ｃｍを除いた部位から、シリコ
ンウエーハ状の評価サンプルを作成するとともに、以下
のようにして欠陥評価を行なった。Ｖ領域における結晶
欠陥の評価を行うため、Ｃモードでの酸化膜耐圧測定を
行った（発明例）。なお、Ｃモード酸化膜耐圧の測定条
件は次の通りである。１）酸化膜厚：２５ｎｍ２）測定電極：リンドープ・ポリシリコン３）電極面積：８ｍｍ^２４）判定電流：１ｍＡ／ｃｍ^２５）良否判定：８ＭＶ／ｃｍ以上の耐圧を示したものを良品と判定。この結果、略１００％の良品率を得られることがわかっ
た。

【００４８】つぎに、Ｉ領域において観察される結晶欠
陥Ｌ／Ｄの評価を行うため、前記評価サンプルを弗酸と
硝酸の混合液でエッチングし表面の加工歪みを取り除
き、続いてＫ_２Ｃｒ_２Ｏ_７と弗酸と水の混合液でさらに
セコ−エッチング（Secco etching）を施した後、前記
評価サンプルの表面のＬ／Ｄに起因したピットを観察し
た。しかしながら、Ｌ／Ｄに起因した欠陥は観察されな
かった。Ｖ及びＩ領域における前記欠陥評価の結果よ
り、結晶全域にわたって欠陥の極めて少ないＮ領域の単
結晶が育成されたことを確認した。

【００４９】一方、比較のため、シリコン単結晶製造装
置の冷却筒先端部にある内周断熱材１５を取り除いた以
外は、図１に示す製造装置と同じものを用いて、発明例
と同じ条件で引上速度を調整しながら、直径２００ｍｍ
のシリコン単結晶を育成し、同様にＣモード酸化膜耐圧
を測定した（比較例Ａ）。さらに、内周断熱材１５を、
上縁位置でシリコン単結晶の中心温度が約８００℃とな
るように低温部まで延長した装置（比較例Ｂ）、逆に下
縁位置でシリコン単結晶の中心温度が約１３５０℃とな
るように高温部まで延長した装置（比較例Ｃ）において
も結晶育成を行った。その結果、Ｃモード酸化膜耐圧測
定では、比較例Ａ及びＢでは良品率が５０〜７０％程度
の値に留まり、比較例Ｃでは１００％に近い値となっ
た。しかし、比較例Ｃから得られた単結晶において、Ｉ
領域で観察される結晶欠陥Ｌ／Ｄの評価を行った結果、
ウエーハ表面に低密度のＬ／Ｄに起因したビットが観察
された。

【００５０】また、比較例Ａで使用した装置により、実
施例品と同程度の品質持つ単結晶、即ち全域がＮ領域と
なる単結晶を製造するには、どのような製造条件を用い
れば好ましいかを、実験１と同様の引上速度の漸減実験
を行って確認した。その結果、Ｎ領域となる引上速度域
は、０．４４〜０．４６ｍｍ／ｍｉｎとかなり小さくな
っていることがわかった。なお、図９に、発明例（実
線）と比較例（破線）との適正引上速度の相違を視覚化
して示している。

【００５１】（実施例２：実験１）図２に示す強制冷却
機構をもった冷却筒を有するシリコン単結晶製造装置を
用いて、実施例１の実験１と同じように多結晶シリコン
１００ｋｇを石英製ルツボに仕込み、直径２００ｍｍの
シリコン単結晶を製造し、ＯＳＦリング域が消滅し低欠
陥領域であるＮ領域となる領域で単結晶を引き上げるた
めの、引上条件の確認実験を行った。この際、内周断熱
材すなわち冷却筒とシリコン融液面の隙間を５０ｍｍと
して、引き上げられるシリコン単結晶の中心温度が、結
晶冷却筒１３の下端位置で約１２５０℃、そこから上方
１５ｃｍの位置で約１０００℃となるように（いずれも
シミュレーションによる）、内周断熱材１５を配置して
結晶育成を行った。この時、結晶と内周断熱材１５の隙
間が３０ｍｍ程度になるように内周断熱材１５の厚みを
調整して配置した。また、その他の酸素濃度等の結晶品
質は、実施例１と略同等になるように操業条件を調整し
て、単結晶を育成している。

【００５２】このシリコン単結晶に、実施例１の実験１
と同様にして、ＯＳＦリング域とＮ領域となる部位の確
認を行ったところ、図２の製造装置では、引上速度を
０．５７〜０．５４ｍｍ／ｍｉｎの範囲となるように単
結晶育成を行なえば、欠陥密度の低い酸化膜耐圧特性に
優れたシリコンウエーハを得られることが判った。

【００５３】（実施例２：実験２）そして、図２の製造
装置により、引き上げるシリコン単結晶の定径部先端か
ら約１０ｃｍの位置で引上速度が０．５４〜０．５７ｍ
ｍ／ｍｉｎの範囲となるように調整しながら、直径２０
０ｍｍのシリコン単結晶を育成した（発明例）。この単
結晶の、定径部先端の約１０ｃｍを除いた部位から、実
施例１の実験２と同様にシリコンウエーハを作製し、同
じ条件でＣモード酸化膜耐圧を測定したところ、良品率
は１００％に近い値となった。さらに、Ｉ領域で観察さ
れる結晶欠陥Ｌ／Ｄの評価を行った結果、Ｌ／Ｄに起因
したビットは確認されず、結晶全域にわたって欠陥が抑
制された高品質結晶が得られたことを確認した。

【００５４】一方、比較のため、シリコン単結晶製造装
置の冷却筒先端部にある内周断熱材を取り除いた以外
は、図２に示す製造装置と同じものを用いて、発明例と
同じ条件で引上速度を調整しながら、直径２００ｍｍの
シリコン単結晶を育成し、同様にＣモード酸化膜耐圧を
測定した（比較例Ｄ）。さらに、内周断熱材１５を、上
縁位置でシリコン単結晶の中心温度が約８００℃となる
ように低温部まで延長した装置（比較例Ｅ）、逆に下縁
位置でシリコン単結晶の中心温度が約１３５０℃となる
ように高温部まで延長した装置（比較例Ｆ）においても
結晶育成を行った。その結果、Ｃモード酸化膜耐圧測定
より、比較例Ｄ及びＥでは良品率が５０〜７０％前後の
低い値を示し、比較例Ｆでは概ね１００％となった。し
かし、比較例Ｆで製造したシリコン単結晶において、Ｉ
領域で観察される結晶欠陥Ｌ／Ｄの評価を行った結果、
ウエーハ表面に低密度のＬ／Ｄに起因したビットが観察
された。

【００５５】また、比較例Ｃで使用した装置により、実
施例品と同程度の品質を持つ単結晶を製造するには、ど
のような製造条件を用いれば好ましいかを、実験１と同
様の引上速度の漸減実験を行って確認したところ、高品
質であるＮ領域となる引上速度域は、０．４９〜０．５
２ｍｍ／ｍｉｎと小さくなっていることがわかった。

【００５６】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されるものではない。上述の実施の形態は単なる例示で
あり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想
と実質的に同一な構成を有し、同様の効果を奏するもの
はいかなるものであっても、本発明の技術的範囲に包含
されることは勿論である。例えば、本発明のシリコン単
結晶の製造方法を、シリコン融液に磁場を印加すること
なくシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるＣＺ
法を例に挙げて説明したが、単結晶製造装置の育成炉の
外側に磁石を配置して、シリコン融液に磁場を印加しな
がらシリコン単結晶の育成を図るＭＣＺ法によるシリコ
ン単結晶の製造においても、同様の効果が得られること
は言うまでもない。

【００５７】また、上記実施の形態においては、直径が
２００ｍｍのシリコン単結晶を育成する場合を例に挙げ
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、直径が２００〜４００ｍｍ、あるはそれ以上の直径
を有するシリコン単結晶の育成にも適用可能であり、よ
り有効に作用し得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のシリコン単結晶の製造装置の一例を示
す全体模式図。

【図２】図１の製造装置の変形例を示す全体模式図。

【図３】内周断熱材の作用説明図。

【図４】内周断熱材が欠陥形成に及ぼす影響を概念的に
説明する図。

【図５】内周断熱材の第一及び第二の変形例を示す拡大
断面図。

【図６】同じく第三の変形例を示す拡大断面図。

【図７】結晶冷却筒への内周断熱材の取付構造をいくつ
か例示して示す模式図。

【図８】実施例１の実験１により得られたシリコン単結
晶の引上速度プロファイル及び欠陥分布測定結果を示す
図。

【図９】実施例１の実験２における発明例と比較例との
適正引上速度の相違を視覚化して示す図。

【符号の説明】

１育成炉本体４シリコン融液５石英製ルツボ６黒鉛製ルツボ１３結晶冷却筒１５内周断熱材５０シリコン単結晶製造装置

フロントページの続き (72)発明者星亮二福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研究所内 (72)発明者三田村伸晃福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研究所内 (72)発明者布施川泉福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研究所内 (72)発明者太田友彦福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研究所内Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EG15 EG19 HA12 PE21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン単結晶の育成炉内においてルツ
ボに収容したシリコン融液から、チョクラルスキー法に
よりシリコン単結晶を引き上げるようにしたシリコン単
結晶の製造装置において、内部に前記ルツボが配置される育成炉本体と、該育成炉本体内において、シリコン融液より引き上げら
れたシリコン単結晶を囲繞するように配置された結晶冷
却筒と、前記結晶冷却筒の下端部内周面に沿って、前記シリコン
融液より引き上げられたシリコン単結晶の外周面に向け
て突出する形態で設けられる黒鉛製の内周断熱材とを有
し、該内周断熱材は、前記シリコン単結晶の軸線方向におい
てその全体が、該シリコン単結晶の中心温度が１０００
℃以上１２５０℃以下となる区間内に位置するように配
置されていることを特徴とするシリコン単結晶の製造装
置。
【請求項２】前記結晶冷却筒の少なくとも前記下端部
が黒鉛製とされ、前記内周断熱材は該黒鉛製の結晶冷却
筒下端部よりも気孔率の高い炭素材にて構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のシリコン単結晶の製造
装置。
【請求項３】前記内周断熱材の上端面は、内周縁側が
低くなる傾斜面とされていることを特徴とする請求項１
又は２に記載のシリコン単結晶の製造装置。
【請求項４】前記傾斜面の水平面とのなす角度が３０
°〜７０°とされていることを特徴とする請求項３記載
のシリコン単結晶の製造装置。
【請求項５】前記内周断熱材は、自身の内側壁面と、
引き上げられたシリコン単結晶の定径部外周面との距離
が２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下となるように配置されてい
ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に
記載のシリコン単結晶の製造装置。
【請求項６】前記内周断熱材の、前記結晶冷却筒の内
側に露出する表面を黒鉛材で被覆したことを特徴とする
請求項１ないし５のいずれか１項に記載のシリコン単結
晶の製造装置。
【請求項７】前記黒鉛材の表面を、熱分解炭素あるい
は炭化珪素でさらに被覆したことを特徴とする請求項６
に記載のシリコン単結晶の製造装置。
【請求項８】前記結晶冷却筒は黒鉛製であり、かつ、
前記内周断熱材の形成されていない内周面が、熱分解炭
素あるいは炭化珪素で被覆されたものであることを特徴
とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のシリコ
ン単結晶の製造装置。
【請求項９】前記熱分解炭素あるいは前記炭化珪素で
形成された被膜における鉄（Fe）濃度が、０．０５ｐｐ
ｍ以下であることを特徴とする請求項７または８に記載
のシリコン単結晶の製造装置。
【請求項１０】請求項１ないし９のいずれか１項に記
載のシリコン単結晶の製造装置を用い、前記ルツボに収
容したシリコン融液から、チョクラルスキー法によりシ
リコン単結晶を引き上げて製造することを特徴とするシ
リコン単結晶の製造方法。