JP2002533291A - 超微粉末及びレージング媒質としてのその使用 - Google Patents
超微粉末及びレージング媒質としてのその使用Info
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Abstract
(57)【要約】
ナノサイズのドープ金属酸化物粒子は、適切に、例えば、電子ビームによって、エネルギーを与えたときに誘導放出や連続波レーザ作用を示すことがわかった。ドープ粒子は、固体レージング装置や『レーザペイント』として用いられる。金属酸化物マトリックスにおける熱力学的溶解度より大きい濃度で均一に配分されたドーパント原子を含み、ある状況では変わった酸化状態をもつ粒子を製造した。
Description
【０００１】 本発明は、空軍科学研究局から与えられた補助金No. F49620-98-1-0189の政府
助成により一部行われたものである。米政府は、本発明のある種の権利を所有す
る。
助成により一部行われたものである。米政府は、本発明のある種の権利を所有す
る。
【０００２】 技術分野 本発明は、固体粉末レーザ又はナノ蛍光体、その使用に適した粉末の製造方法
、及びそれによって製造された粉末に関する。
、及びそれによって製造された粉末に関する。
【０００３】 背景技術 誘導放出用の候補物質として高度に散乱する固体材料を用いる過去の試みには
、誘導放出を証明するためにレーザのような高強度エネルギー源を照射すること
が必要であった。表面が固体微粒子で被覆された『レーザペイント』には、散乱
を本来伴う減衰が過度(つまり、損失)であるために、ほとんどの実用的適合性が
非常に疑わしいそのような高い閾値レベルの光エネルギー入力が必要であった。 電子ビームが固体の誘電蛍光体において発光を引き起こすことは知られるが、
これらの物質が連続波レーザ作用を支持することは知られていない。電子エネル
ギーを吸収する固体格子の原子は、続いて、自発的にかつ無作為にそれを放出す
る。放出エネルギーの大部分は、微粒子、又はその隣接体によって再吸収され、
高度に分散もする。例えば、CRTチューブに用いられる蛍光体は、電子ビームエ
ネルギーを吸収し、自発的であって誘導されないルミネセンス、散乱等を示す。 1960年代の始めに固体レーザが発見されて以来、レーザは学会では次第にあり
ふれたものになって、コンパクトディスクシステムやスーパーマーケットスキャ
ナから外科用、視力計又は切断の精密機械にわたって用途がある。レーザの利用
可能なタイプは、非常に多様化し、いまでは光、電子、化学反応、又は他の手段
によって励起される固体、液体、気体又はプラズマ媒質を含んでいる。一般的に
は、レーザには作動させる外部空洞が必要である。
、誘導放出を証明するためにレーザのような高強度エネルギー源を照射すること
が必要であった。表面が固体微粒子で被覆された『レーザペイント』には、散乱
を本来伴う減衰が過度(つまり、損失)であるために、ほとんどの実用的適合性が
非常に疑わしいそのような高い閾値レベルの光エネルギー入力が必要であった。 電子ビームが固体の誘電蛍光体において発光を引き起こすことは知られるが、
これらの物質が連続波レーザ作用を支持することは知られていない。電子エネル
ギーを吸収する固体格子の原子は、続いて、自発的にかつ無作為にそれを放出す
る。放出エネルギーの大部分は、微粒子、又はその隣接体によって再吸収され、
高度に分散もする。例えば、CRTチューブに用いられる蛍光体は、電子ビームエ
ネルギーを吸収し、自発的であって誘導されないルミネセンス、散乱等を示す。 1960年代の始めに固体レーザが発見されて以来、レーザは学会では次第にあり
ふれたものになって、コンパクトディスクシステムやスーパーマーケットスキャ
ナから外科用、視力計又は切断の精密機械にわたって用途がある。レーザの利用
可能なタイプは、非常に多様化し、いまでは光、電子、化学反応、又は他の手段
によって励起される固体、液体、気体又はプラズマ媒質を含んでいる。一般的に
は、レーザには作動させる外部空洞が必要である。
【０００４】 研究者らによって、希土類イオンや遷移金属イオンを有する粉末から多重散乱
方式のルミネセンスが報告され、理論的に大いに研究された。B.M. Tissue,『ナ
ノスケール絶縁ホストにおけるランタニドイオンの合成とルミネセンス』, Chem
Mater. 10, 2837-45(1988), 及びレーザ作用, N.M. Lawandy, R.M. Balachandr
an, A.S.L. Gomes & E. Sauvain,『強散乱媒質におけるレーザ作用』, Nature 3 68 , 436-438(1994); C. Gouedard, D. Husson, C. Sautert, F. Auzel, & A. Mi
gus,『レーザ励起ネオジム化学量論結晶又は粉末における空間的インコヒーレン
トショートパルスの生成』, J.O.S.A. B10, 2358-2363(1993); D. Wiersma & A.
Lagendijk,『ゲインレーザ又はランダムレーザによる光拡散』, Phys. Rev. E5 4 , 4256-4265(1996); V.S. Letokhov,『共鳴吸収が負の散乱媒質による光の生成
』 Sov. Phys, JETP 26, 835(1968); S. John & G. Pang,『多重散乱媒質におけ
るレージング理論』 Phys. Rev. A54, 3642-3652(1996)。外部空洞のないときの
スペクトルの尖鋭化及び閾値の挙動が報告され、測定した一時的な挙動が光フィ
ードバックが散乱によって全体に仲介した不純物イオンの逆方向システムの特徴
を示すことがわかった。散乱平均自由行程の長さが非常に短いにもかかわらずゲ
インが起こる無損失粉末は、『レーザペイント』としばしば呼ばれる。D. Wiers
ma & A. Lagendijk,『超白色ペイントのレーザ作用』, Physics World, 33-37,
Jan. 1997。
方式のルミネセンスが報告され、理論的に大いに研究された。B.M. Tissue,『ナ
ノスケール絶縁ホストにおけるランタニドイオンの合成とルミネセンス』, Chem
Mater. 10, 2837-45(1988), 及びレーザ作用, N.M. Lawandy, R.M. Balachandr
an, A.S.L. Gomes & E. Sauvain,『強散乱媒質におけるレーザ作用』, Nature 3 68 , 436-438(1994); C. Gouedard, D. Husson, C. Sautert, F. Auzel, & A. Mi
gus,『レーザ励起ネオジム化学量論結晶又は粉末における空間的インコヒーレン
トショートパルスの生成』, J.O.S.A. B10, 2358-2363(1993); D. Wiersma & A.
Lagendijk,『ゲインレーザ又はランダムレーザによる光拡散』, Phys. Rev. E5 4 , 4256-4265(1996); V.S. Letokhov,『共鳴吸収が負の散乱媒質による光の生成
』 Sov. Phys, JETP 26, 835(1968); S. John & G. Pang,『多重散乱媒質におけ
るレージング理論』 Phys. Rev. A54, 3642-3652(1996)。外部空洞のないときの
スペクトルの尖鋭化及び閾値の挙動が報告され、測定した一時的な挙動が光フィ
ードバックが散乱によって全体に仲介した不純物イオンの逆方向システムの特徴
を示すことがわかった。散乱平均自由行程の長さが非常に短いにもかかわらずゲ
インが起こる無損失粉末は、『レーザペイント』としばしば呼ばれる。D. Wiers
ma & A. Lagendijk,『超白色ペイントのレーザ作用』, Physics World, 33-37,
Jan. 1997。
【０００５】 平均輸送長l* が実際にはそれ自体の波長より小さいレーザペイント媒質は、
サブミクロン寸法のスペックルのないリソグラフィ又は任意の形のディスプレイ
又は光源に明るい全指向性出力が所望される用途に用いることができる興味深い
性質がある。しかしながら、レーザ作用がフィードバックする超散乱が媒質に入
るにつれて励起光が非常に効率良く後方に散乱させるために、高散乱粉末が励起
し光学的に実験することは難しい。入射光は媒質をうまく侵入せず、ポンピング
プロセスやレージングプロセスの全体の効率は低いということになっている。こ
の作用は、光伝播がアンダーソン遷移、P.W. Anderson,『ある種のランダム格子
においては拡散がない』, Phys. Rev. 109, 1492(1958); P.W. Anderson,『古典
的局在の課題: 白色ペイントの理論？』, Philos. Mag. B52, 505(1985)、を回
帰散乱方式にし、結果として完全に局在した電磁『輸送』をもたらす場合の『強
局在』の条件下に特に言えることである。D.S. Wiersma, M.P. van Albada, B.A
. van Tiggelen, & A. Lagendijk,『無秩序媒質における光の回帰多重散乱事象
の実験的証明』, Phys. Rev. Lett. 74, 4193-4196(1995)。この方式では、光の
方向が無作為化されるように散乱が強くなった後に1波長もの距離が広がった。
サブミクロン寸法のスペックルのないリソグラフィ又は任意の形のディスプレイ
又は光源に明るい全指向性出力が所望される用途に用いることができる興味深い
性質がある。しかしながら、レーザ作用がフィードバックする超散乱が媒質に入
るにつれて励起光が非常に効率良く後方に散乱させるために、高散乱粉末が励起
し光学的に実験することは難しい。入射光は媒質をうまく侵入せず、ポンピング
プロセスやレージングプロセスの全体の効率は低いということになっている。こ
の作用は、光伝播がアンダーソン遷移、P.W. Anderson,『ある種のランダム格子
においては拡散がない』, Phys. Rev. 109, 1492(1958); P.W. Anderson,『古典
的局在の課題: 白色ペイントの理論？』, Philos. Mag. B52, 505(1985)、を回
帰散乱方式にし、結果として完全に局在した電磁『輸送』をもたらす場合の『強
局在』の条件下に特に言えることである。D.S. Wiersma, M.P. van Albada, B.A
. van Tiggelen, & A. Lagendijk,『無秩序媒質における光の回帰多重散乱事象
の実験的証明』, Phys. Rev. Lett. 74, 4193-4196(1995)。この方式では、光の
方向が無作為化されるように散乱が強くなった後に1波長もの距離が広がった。
【０００６】 散乱媒質における光又は誘導放出の局在に関する以前の実験、及び理論、並び
に回帰散乱事象の結果の関心によって、多重散乱媒質における電磁現象の現在の
関心がすべて高められた。例えば、M.P. Van Albada & A. Lagendijk, Phys. Re
v. Lett. 55, 2692(1985); V.M. Markushev, V.F. Zolin, & Ch. M. Briskina,
Sov. J. Qu. El. 16, 281(1986); A.Z. Genack & N. Garcia, Phys. Rev. Lett.
66. 2064(1991); J.X. Zhu, D.J. Pine, & D.A. Weitz, Phys. Rev. A44, 3948
-3959(1991); C. Gouedard, D. Husson, C. Sauteret, F. Auzel, & A. Migus,
J.O.S.A. B10, 2358-2363(1993); N.M. Lawandy, R.M. Balachandran, A.S.L. G
omes & E. Sauvain, Nature 368, 436-438(1994); M. Siddique, R.R. Alfano,
G.A. Berger, M. Kempe, & A.Z. Genack, Opt. Lett. 21, 450(1996); M.A. Nog
inov, N.E. Noginov, H.J. Caulfield, P. Venkateswarlu, T. Thompson, M. Ma
hdi, & V. Ostorumov, J.O.S.A. B13, 2024(1996); D. Wiersma & A. Lagendijk
, Physics World, 33-37, Jan. 1997; S. John, Phys. Rev. Lett. 53, 2169(19
84); P.W. Anderson, Phil. Mag. B52, 505(1985); V.S. Letokhov, Sov. Phys.
JETP 26, 835(1986); S. John & G. Pang, Phys. Rev. A54, 3642-3652(1996);
R.M. Balachandran, N. M. Lawandy, & J.A. Moon, Opt. Lett. 22, 319(1997)
; D. Wiersma & A. Lagendijk, Phys. Rev. E54, 4256-4265(1996); G.A. Berge
r, M. Kempe, & A.Z. Genack, Rev. E56, 6118(1997); D.S. Wiersma, M.P. van
Albada, B.A. van Tiggelen, & A. Lagendijk, Phys. Rev. Lett. 74, 4193-41
96(1995); 18. D.S. Wersma, P. Bartolini, A. Lagendijk & R. Rhigini, Natu
re 390, 671(1997)を参照されたい。
に回帰散乱事象の結果の関心によって、多重散乱媒質における電磁現象の現在の
関心がすべて高められた。例えば、M.P. Van Albada & A. Lagendijk, Phys. Re
v. Lett. 55, 2692(1985); V.M. Markushev, V.F. Zolin, & Ch. M. Briskina,
Sov. J. Qu. El. 16, 281(1986); A.Z. Genack & N. Garcia, Phys. Rev. Lett.
66. 2064(1991); J.X. Zhu, D.J. Pine, & D.A. Weitz, Phys. Rev. A44, 3948
-3959(1991); C. Gouedard, D. Husson, C. Sauteret, F. Auzel, & A. Migus,
J.O.S.A. B10, 2358-2363(1993); N.M. Lawandy, R.M. Balachandran, A.S.L. G
omes & E. Sauvain, Nature 368, 436-438(1994); M. Siddique, R.R. Alfano,
G.A. Berger, M. Kempe, & A.Z. Genack, Opt. Lett. 21, 450(1996); M.A. Nog
inov, N.E. Noginov, H.J. Caulfield, P. Venkateswarlu, T. Thompson, M. Ma
hdi, & V. Ostorumov, J.O.S.A. B13, 2024(1996); D. Wiersma & A. Lagendijk
, Physics World, 33-37, Jan. 1997; S. John, Phys. Rev. Lett. 53, 2169(19
84); P.W. Anderson, Phil. Mag. B52, 505(1985); V.S. Letokhov, Sov. Phys.
JETP 26, 835(1986); S. John & G. Pang, Phys. Rev. A54, 3642-3652(1996);
R.M. Balachandran, N. M. Lawandy, & J.A. Moon, Opt. Lett. 22, 319(1997)
; D. Wiersma & A. Lagendijk, Phys. Rev. E54, 4256-4265(1996); G.A. Berge
r, M. Kempe, & A.Z. Genack, Rev. E56, 6118(1997); D.S. Wiersma, M.P. van
Albada, B.A. van Tiggelen, & A. Lagendijk, Phys. Rev. Lett. 74, 4193-41
96(1995); 18. D.S. Wersma, P. Bartolini, A. Lagendijk & R. Rhigini, Natu
re 390, 671(1997)を参照されたい。
【０００７】 伝統的には、多重散乱は、弱く局在した光コヒーレンス又はイメージングの統計
的態様を研究する研究者らの関心であった。例えば、M. Kaveh, M. Rosenbluh &
I. Freund, Nature 326, 778(1987), G. Gbur & E. Wolf, Opt. Lett, 24, 10(
1999); E. Wolf, T. Shirai, G. Agarwal, L. Mandel, Opt. Lett. 24, 367(199
9); E. Leith, C. Chen, H. Chen, Y. Chen, D. Dilworth, J. Lopez, J. Rudd,
P.C. Sun, J. Valdmanis, & G. Vossler, J.O.S.A. A9, 1148(1992)を参照され
たい。他の研究者らは、拡散伝播方式における粉末レーザを証明した。V.M. Mar
kushev, V.F. Zolin, & Ch. M. Briskina, Sov. J. Qu. El. 16, 281(1986); C.
Gouedard, D. Husson, C. Sautert, F. Auzel, & A. Migus, J.O.S.A. B10, 23
58-2363(1993); M.A. Noginov, N.E. Noginov, H.J. Caulfield, P. Venkateswa
rlu, T. Thompson, M. Mahdi, & V. Ostroumov, J.O.S.A. B13, 2024(1996)を参
照されたい。
的態様を研究する研究者らの関心であった。例えば、M. Kaveh, M. Rosenbluh &
I. Freund, Nature 326, 778(1987), G. Gbur & E. Wolf, Opt. Lett, 24, 10(
1999); E. Wolf, T. Shirai, G. Agarwal, L. Mandel, Opt. Lett. 24, 367(199
9); E. Leith, C. Chen, H. Chen, Y. Chen, D. Dilworth, J. Lopez, J. Rudd,
P.C. Sun, J. Valdmanis, & G. Vossler, J.O.S.A. A9, 1148(1992)を参照され
たい。他の研究者らは、拡散伝播方式における粉末レーザを証明した。V.M. Mar
kushev, V.F. Zolin, & Ch. M. Briskina, Sov. J. Qu. El. 16, 281(1986); C.
Gouedard, D. Husson, C. Sautert, F. Auzel, & A. Migus, J.O.S.A. B10, 23
58-2363(1993); M.A. Noginov, N.E. Noginov, H.J. Caulfield, P. Venkateswa
rlu, T. Thompson, M. Mahdi, & V. Ostroumov, J.O.S.A. B13, 2024(1996)を参
照されたい。
【０００８】 しかしながら、拡散方式と強散乱方式間の境界において、基本的に新しい光と物
質との相互作用において顕著な変化が生じることが予想される。激しい散乱は、
吸収が無視できる場合に光の強いアンダーソン局在を引き起こすことが予想され
る。波長の寸法未満の領域内の光の三次元の制限は、弾性的散乱光のコーヒレン
スと後方散乱強度の程度が著しく複雑であり得る。誘電率は、伝播がランダム媒
質において波長『輸送』距離未満(l* ＜l)に限定される場合、媒質の構造のばら
つきや電界振幅の不均一性が同じ距離の大きさに生じることから定義が難しい。
S. John, Phys. Rev. Lett. 53, 2169(1984); 11. P.W. Anderson, Phil. Mag. B52 , 505(1985); R.W. Boyd & J.E. Sipe, J.O.S.A. B11, 297(1994)を参照され
たい。また、この方式の回帰(閉じたループ)散乱事象が起こると散乱フィードバ
ックによって純粋に仲介されたレーザ作用の閾値が減少する。S. John & G. Pan
g, Phys. Rev. A54, 3642-3652(1996); G.A. Berger, M. Kempe, & A.Z. Genack
, Rev. E56, 6118(1007).
質との相互作用において顕著な変化が生じることが予想される。激しい散乱は、
吸収が無視できる場合に光の強いアンダーソン局在を引き起こすことが予想され
る。波長の寸法未満の領域内の光の三次元の制限は、弾性的散乱光のコーヒレン
スと後方散乱強度の程度が著しく複雑であり得る。誘電率は、伝播がランダム媒
質において波長『輸送』距離未満(l* ＜l)に限定される場合、媒質の構造のばら
つきや電界振幅の不均一性が同じ距離の大きさに生じることから定義が難しい。
S. John, Phys. Rev. Lett. 53, 2169(1984); 11. P.W. Anderson, Phil. Mag. B52 , 505(1985); R.W. Boyd & J.E. Sipe, J.O.S.A. B11, 297(1994)を参照され
たい。また、この方式の回帰(閉じたループ)散乱事象が起こると散乱フィードバ
ックによって純粋に仲介されたレーザ作用の閾値が減少する。S. John & G. Pan
g, Phys. Rev. A54, 3642-3652(1996); G.A. Berger, M. Kempe, & A.Z. Genack
, Rev. E56, 6118(1007).
【０００９】 発明の開示 本発明は、好ましくは、1種以上の遷移金属、ランタニド金属、又はアクチニ
ド金属でドープ処理されている、金属酸化物ナノサイズ蛍光体粉末又は混合金属
酸化物ナノサイズ蛍光体粉末から構成される固体レーザに関する。本発明は、ま
た、適切な誘導法によって、特に電子流又は電子ビームを含む電子の衝突によっ
て誘導した場合にレージング可能である、そのナノサイズ粒子から構成される物
体に関する。該物体は、好ましくは、薄膜、又は導波管の形であり、光源として
、フラットパネルディスプレイ部品として、又は誘導放出による発光が有効な他
の用途に用いるのに適していてもよい。 本発明は、更に、誘導放出によって電磁放射を放出する方法であって、複数の
ドープ金属酸化物ナノ粒子を集合させる工程、及び該ナノ粒子を適切な励起源に
曝露して電磁放射の誘導放出が生じる工程を含む、前記方法に関する。該励起源
は、荷電粒子の粒子ビーム又は電流、レーザ又はフラッシュランプ、又は化学反
応又は爆発反応のような放射エネルギー源であってもよい。励起エネルギー源は
、好ましくは、エネルギーをもった電子を含んでいる。
ド金属でドープ処理されている、金属酸化物ナノサイズ蛍光体粉末又は混合金属
酸化物ナノサイズ蛍光体粉末から構成される固体レーザに関する。本発明は、ま
た、適切な誘導法によって、特に電子流又は電子ビームを含む電子の衝突によっ
て誘導した場合にレージング可能である、そのナノサイズ粒子から構成される物
体に関する。該物体は、好ましくは、薄膜、又は導波管の形であり、光源として
、フラットパネルディスプレイ部品として、又は誘導放出による発光が有効な他
の用途に用いるのに適していてもよい。 本発明は、更に、誘導放出によって電磁放射を放出する方法であって、複数の
ドープ金属酸化物ナノ粒子を集合させる工程、及び該ナノ粒子を適切な励起源に
曝露して電磁放射の誘導放出が生じる工程を含む、前記方法に関する。該励起源
は、荷電粒子の粒子ビーム又は電流、レーザ又はフラッシュランプ、又は化学反
応又は爆発反応のような放射エネルギー源であってもよい。励起エネルギー源は
、好ましくは、エネルギーをもった電子を含んでいる。
【００１０】 本発明は、更に、実質的に『白色光』として見ることができる赤、青、緑又は
他の基本色の組合わせを出すドープナノ粒子の集合体を誘導することにより白色
光を出す方法に関する。この発光は、ナノ粒子中にいくつかの異なる発光ドーパ
ントイオンの結合発光を含むことができ(各々のナノ粒子中に混合されているか
又は混合粉末の別個のナノ粒子中に残っている)、同時に1を超える遷移で誘導放
出を受ける単一イオン種の発光であってもよい。 本発明は、更に、固体セラミック中の過剰の熱力学的に安定なドーパント濃度
でドーパント濃縮物を含むセラミック前駆溶液を火炎熱分解することにより、ド
ーパント濃度が熱力学的に安定な濃度限界を超える高度にドープ処理したナノ粒
子の調製に関する。
他の基本色の組合わせを出すドープナノ粒子の集合体を誘導することにより白色
光を出す方法に関する。この発光は、ナノ粒子中にいくつかの異なる発光ドーパ
ントイオンの結合発光を含むことができ(各々のナノ粒子中に混合されているか
又は混合粉末の別個のナノ粒子中に残っている)、同時に1を超える遷移で誘導放
出を受ける単一イオン種の発光であってもよい。 本発明は、更に、固体セラミック中の過剰の熱力学的に安定なドーパント濃度
でドーパント濃縮物を含むセラミック前駆溶液を火炎熱分解することにより、ド
ーパント濃度が熱力学的に安定な濃度限界を超える高度にドープ処理したナノ粒
子の調製に関する。
【００１１】 発明を実施する最良の形態 出願人は、ナノサイズのドープ金属酸化物粒子又は混合金属酸化物粒子、特に
粒子直径が150nm未満、更に好ましくは50nm未満、最も好ましくは1〜35nmの範囲
のものが相対的に低い閾値エネルギーレベルで紫外、可視又は赤外波長において
誘導放出と連続波レーザ作用を示し得ることを発見した。波長、バンド幅、又は
強度は、ドーパント原子の濃度や種類、酸化物マトリックス、粒径を変えること
によって、又は実質的な金属酸化物粒子中に酸化物イオン以外のイオンを含ませ
ることによって変動しうる。 ナノサイズ粒子は、上記サイズ範囲、又は必要とするドーパント含量の金属酸
化物粒子の調製を可能にする方法で調製することができるが、好ましくは、火炎
溶射熱分解や異なる(凝集していない)粒子を製造する類似の手法によって調製さ
れる。熱分解が急速で高温であることから、典型的な熱力学的に安定な物質より
高い又は熱力学的に不安定なレベルのドーパントが達し得る。言い換えれば、ド
ーパント濃度は速度論的に制御される。更に、かつ再び、熱分解が急速で高温で
あることから、変わった酸化状態をもつ、よって通常は起こらない電子移動を示
すドーパント金属を含む微粒子を得ることができる。平衡量を超えるドーパント
濃度をもつナノサイズ粒子はこれまで開示されていない。
粒子直径が150nm未満、更に好ましくは50nm未満、最も好ましくは1〜35nmの範囲
のものが相対的に低い閾値エネルギーレベルで紫外、可視又は赤外波長において
誘導放出と連続波レーザ作用を示し得ることを発見した。波長、バンド幅、又は
強度は、ドーパント原子の濃度や種類、酸化物マトリックス、粒径を変えること
によって、又は実質的な金属酸化物粒子中に酸化物イオン以外のイオンを含ませ
ることによって変動しうる。 ナノサイズ粒子は、上記サイズ範囲、又は必要とするドーパント含量の金属酸
化物粒子の調製を可能にする方法で調製することができるが、好ましくは、火炎
溶射熱分解や異なる(凝集していない)粒子を製造する類似の手法によって調製さ
れる。熱分解が急速で高温であることから、典型的な熱力学的に安定な物質より
高い又は熱力学的に不安定なレベルのドーパントが達し得る。言い換えれば、ド
ーパント濃度は速度論的に制御される。更に、かつ再び、熱分解が急速で高温で
あることから、変わった酸化状態をもつ、よって通常は起こらない電子移動を示
すドーパント金属を含む微粒子を得ることができる。平衡量を超えるドーパント
濃度をもつナノサイズ粒子はこれまで開示されていない。
【００１２】 本発明のナノサイズ粒子の更に変わった態様は、誘導放出が粒径より長い波長
をもつことができることである。スペクトルのUV、可視、又は赤外部分の光の放
出は証明されている。スペクトルの赤、青、又は緑部分の光の同時放出は、1931
年のCIE規格に基づく所望の演色インデックス(CRI)の白色光を生成するために一
般に用いられ、証明もされている。Pr、Tb、又はNd(又はTm)ドープ誘電ナノ蛍光
体は、例えば、白色光蛍光体のそれぞれ赤色成分、緑色成分、又は青色成分を与
える。更に、Ceのような一成分ナノ粉末: 白色光蛍光体として大きな粒径で市販
で用いられているYAGは、白色光の誘導放出を示すことが予想される。 ナノサイズ粒子は、自発放出によって作動する蛍光体に比べて低入力エネルギ
ーで比較的大きい放出速度を示す。これは、図4において最も明らかに見られ得
る。誘導放出が2 keV、3 keV又は4 keVで得られるデータセットに対して起こる
それぞれ60μA、35μA又は25μAにおける放出曲線の勾配は、自発放出のみが起
こる1μAより非常に大きい。一桁を超える程度の放出速度の増大は、閾値よりも
低い電流レベルで見られる低い値については、2 keV、3 keV又は4 keVの電圧で
達し得る。これにより、CRTディスプレイ、有機光放出ディスプレイ又は導電性
ポリマー又は透明セラミックディスプレイと組合わせたフラットパネルディスプ
レイ、テレビジョンスクリーン等に用いることができる明るさが著しく増加する
。図2及び図4に示されるように、発光は、閾値ビーム電流より上と下のほぼ直線
であることができる。しかしながら、強度変化の速度は、閾値の両側で急激に異
なる。
をもつことができることである。スペクトルのUV、可視、又は赤外部分の光の放
出は証明されている。スペクトルの赤、青、又は緑部分の光の同時放出は、1931
年のCIE規格に基づく所望の演色インデックス(CRI)の白色光を生成するために一
般に用いられ、証明もされている。Pr、Tb、又はNd(又はTm)ドープ誘電ナノ蛍光
体は、例えば、白色光蛍光体のそれぞれ赤色成分、緑色成分、又は青色成分を与
える。更に、Ceのような一成分ナノ粉末: 白色光蛍光体として大きな粒径で市販
で用いられているYAGは、白色光の誘導放出を示すことが予想される。 ナノサイズ粒子は、自発放出によって作動する蛍光体に比べて低入力エネルギ
ーで比較的大きい放出速度を示す。これは、図4において最も明らかに見られ得
る。誘導放出が2 keV、3 keV又は4 keVで得られるデータセットに対して起こる
それぞれ60μA、35μA又は25μAにおける放出曲線の勾配は、自発放出のみが起
こる1μAより非常に大きい。一桁を超える程度の放出速度の増大は、閾値よりも
低い電流レベルで見られる低い値については、2 keV、3 keV又は4 keVの電圧で
達し得る。これにより、CRTディスプレイ、有機光放出ディスプレイ又は導電性
ポリマー又は透明セラミックディスプレイと組合わせたフラットパネルディスプ
レイ、テレビジョンスクリーン等に用いることができる明るさが著しく増加する
。図2及び図4に示されるように、発光は、閾値ビーム電流より上と下のほぼ直線
であることができる。しかしながら、強度変化の速度は、閾値の両側で急激に異
なる。
【００１３】 ナノ粒子の誘導は、光ポンピング又は他の手段で達成し得るが、最も驚くべき
ことは、電子ビーム、又は他の電源(例えば、電流)からの電子を衝突させること
による誘導が有効であり得ることである。電子は、酸化物粉末のような絶縁材料
へは遠くへ侵入しない。しかしながら、予期しない一致によって、1〜4 keV範囲
の電子は、本発明の粉末試料の平均輸送(伝播)距離よりいくぶん長い距離を侵入
する。図5を参照されたい。つまり、電子励起体積と電磁エネルギーが残る体積
は実質的に同じであり、高効率が可能でなければならない。ホストが絶縁である
か非絶縁であるかは、keV範囲内の適度なエネルギーの電子によってほとんどす
べての材料に利用できる領域の表面の波長の範囲で光が出る本発明のように光源
には差がほとんどないようにしなければならない。この誘導モードは、また、レ
ージングプロセスに関与する光ポンピングによって生じるものよりエネルギー状
態を非常に高くすることを可能にする。従って、ここに示されたNdドープ試料の
ような以前には不明のレーザ波長のレーザ作用が(強く)起こり得る。
ことは、電子ビーム、又は他の電源(例えば、電流)からの電子を衝突させること
による誘導が有効であり得ることである。電子は、酸化物粉末のような絶縁材料
へは遠くへ侵入しない。しかしながら、予期しない一致によって、1〜4 keV範囲
の電子は、本発明の粉末試料の平均輸送(伝播)距離よりいくぶん長い距離を侵入
する。図5を参照されたい。つまり、電子励起体積と電磁エネルギーが残る体積
は実質的に同じであり、高効率が可能でなければならない。ホストが絶縁である
か非絶縁であるかは、keV範囲内の適度なエネルギーの電子によってほとんどす
べての材料に利用できる領域の表面の波長の範囲で光が出る本発明のように光源
には差がほとんどないようにしなければならない。この誘導モードは、また、レ
ージングプロセスに関与する光ポンピングによって生じるものよりエネルギー状
態を非常に高くすることを可能にする。従って、ここに示されたNdドープ試料の
ような以前には不明のレーザ波長のレーザ作用が(強く)起こり得る。
【００１４】 出願人の知識によれば、弾性散乱長lSCと平均自由輸送距離l* が共に放出波長
よりかなり短い方式における連続波レージング活性又はパルスレージング活性は
以前には開示されていなかった。これらの2つの要求は、強散乱によって、特に
適度な閾値レベルで仲介される連続波レーザ作用に必要であってもよいと思われ
る。l* の実験値を求める我々の測定(図3)の分析を図6に示し、この条件が広範
囲の波長にわたって達成し得ることを意味している。更に、局在範囲の波長中心
と範囲の幅は粒径と組成を変えることにより変更し得る。従って、本発明は、更
に、平均散乱長と輸送平均自由行程が発光の波長より小さいような方法で集合し
た複数の粒子からの誘導放出に関する。発表されたレポートで、H. Caoら(Physi
cal Review Letters 82, 2278(1999)は、『半導体粉末におけるランダムレーザ
作用』を証明したと主張している。しかしながら、開示されたレーザのスペクト
ル出力は、ランダム化特性と一致せず、強い角度依存性と優先的に増幅した周波
数成分又はモードの出現を示している。これらの特性は、レーザが少しも『ラン
ダム』でないことを示している。Caoらにより記載された装置は、本発明の粒子
レーザより作動する閾値エネルギー密度の非常に大きいものを必要とするパルス
光励起レーザであると思われ、本発明の装置の動作の説明と全然違うフィードバ
ックメカニズムが示されている。
よりかなり短い方式における連続波レージング活性又はパルスレージング活性は
以前には開示されていなかった。これらの2つの要求は、強散乱によって、特に
適度な閾値レベルで仲介される連続波レーザ作用に必要であってもよいと思われ
る。l* の実験値を求める我々の測定(図3)の分析を図6に示し、この条件が広範
囲の波長にわたって達成し得ることを意味している。更に、局在範囲の波長中心
と範囲の幅は粒径と組成を変えることにより変更し得る。従って、本発明は、更
に、平均散乱長と輸送平均自由行程が発光の波長より小さいような方法で集合し
た複数の粒子からの誘導放出に関する。発表されたレポートで、H. Caoら(Physi
cal Review Letters 82, 2278(1999)は、『半導体粉末におけるランダムレーザ
作用』を証明したと主張している。しかしながら、開示されたレーザのスペクト
ル出力は、ランダム化特性と一致せず、強い角度依存性と優先的に増幅した周波
数成分又はモードの出現を示している。これらの特性は、レーザが少しも『ラン
ダム』でないことを示している。Caoらにより記載された装置は、本発明の粒子
レーザより作動する閾値エネルギー密度の非常に大きいものを必要とするパルス
光励起レーザであると思われ、本発明の装置の動作の説明と全然違うフィードバ
ックメカニズムが示されている。
【００１５】 従って、本発明は、遷移金属、アクチニド金属及び/又はランタニド金属の可
変量でドープ処理した超微細(2〜500nm直径)又は微細(1〜20μm直径)の単一金属
酸化物粉末又は混合金属酸化物粉末を生成し、得られた粉末が新規なルミネセン
ス及び選ばれた場合には選択的にか又は同時に誘導放出及び/又は赤外光、可視
光及び/又はUV光のレージングを示す装置に用いられる簡便で非常に効率の良い
方法に関する。ある場合には、得られた粒子は、マトリックス中の金属の通常の
熱力学的溶解度限度よりはるかに高いドーパント金属原子の均一な濃度を有する
。使用金属の場合、金属の酸化状態は、酸化マトリックスに典型的に見られるも
のでなく、新規な発光挙動の可能性を与える。発光の種類と波長は、(1)マトリ
ックス酸化物の種類を変えること、(2)マトリックス酸化物をある量のフッ化物
、硫化物、リン化物又は窒化物又はその組合わせを含むように変えること、(3)
ドーパント元素を変えること、(4)ドーパントの組合わせを用いること、及び/又
は(5)ドーパント、マトリックス及びコドープ元素の適切な組合わせにより制御
し得る。得られた粉末は、電子ビーム、電子流、プラズマ、蛍光体及び/又はレ
ーザペイント(ランダムコヒーレント発光材料)として作用する光学的方法、又は
化学的方法を含む様々な方法で誘導し得る。
変量でドープ処理した超微細(2〜500nm直径)又は微細(1〜20μm直径)の単一金属
酸化物粉末又は混合金属酸化物粉末を生成し、得られた粉末が新規なルミネセン
ス及び選ばれた場合には選択的にか又は同時に誘導放出及び/又は赤外光、可視
光及び/又はUV光のレージングを示す装置に用いられる簡便で非常に効率の良い
方法に関する。ある場合には、得られた粒子は、マトリックス中の金属の通常の
熱力学的溶解度限度よりはるかに高いドーパント金属原子の均一な濃度を有する
。使用金属の場合、金属の酸化状態は、酸化マトリックスに典型的に見られるも
のでなく、新規な発光挙動の可能性を与える。発光の種類と波長は、(1)マトリ
ックス酸化物の種類を変えること、(2)マトリックス酸化物をある量のフッ化物
、硫化物、リン化物又は窒化物又はその組合わせを含むように変えること、(3)
ドーパント元素を変えること、(4)ドーパントの組合わせを用いること、及び/又
は(5)ドーパント、マトリックス及びコドープ元素の適切な組合わせにより制御
し得る。得られた粉末は、電子ビーム、電子流、プラズマ、蛍光体及び/又はレ
ーザペイント(ランダムコヒーレント発光材料)として作用する光学的方法、又は
化学的方法を含む様々な方法で誘導し得る。
【００１６】 レージング粉末は、毎時数百グラム〜数百キログラムのセラミック粉末の速度
で製造されることが好ましい。好ましい調製方法は、アルコキシド、カルボキシ
レート及び/又は使用化合物及び/又はその塩を含むがこれらに限定されない金属
化合物をアルコール又は他の引火性溶媒に溶解する工程及びこの溶液を酸素又は
エアジェットを用いることによりエーロゾルミストを生成する工程を必要とする
。得られたエーロゾルミストは、エーロゾルを発火する熱源を通過させる。引火
性溶媒及び有機又は可燃性又は揮発性無機リガンドは、出発溶液組成及びしばし
ば単結晶物質に組成的に近いナノサイズのほとんど凝集していない酸化物粉末を
生成する金属から燃え続ける。この方法は、火炎溶融熱分解(FSP)と呼ばれる。F
SPは好ましい方法であるが、当業者は、これが関係する粉末を製造するために行
うことができる多くの方法の単なる1種であることを認識する。FSP法は、他の方
法によって通常は利用できない動力学的生成物に到達することから好ましい。
で製造されることが好ましい。好ましい調製方法は、アルコキシド、カルボキシ
レート及び/又は使用化合物及び/又はその塩を含むがこれらに限定されない金属
化合物をアルコール又は他の引火性溶媒に溶解する工程及びこの溶液を酸素又は
エアジェットを用いることによりエーロゾルミストを生成する工程を必要とする
。得られたエーロゾルミストは、エーロゾルを発火する熱源を通過させる。引火
性溶媒及び有機又は可燃性又は揮発性無機リガンドは、出発溶液組成及びしばし
ば単結晶物質に組成的に近いナノサイズのほとんど凝集していない酸化物粉末を
生成する金属から燃え続ける。この方法は、火炎溶融熱分解(FSP)と呼ばれる。F
SPは好ましい方法であるが、当業者は、これが関係する粉末を製造するために行
うことができる多くの方法の単なる1種であることを認識する。FSP法は、他の方
法によって通常は利用できない動力学的生成物に到達することから好ましい。
【００１７】 遷移金属、アクチニド及び/又はランタニドドープ微細又は超微細金属酸化物
粉末を火炎溶融熱分解によって製造するために、前駆体が有機溶媒に可溶性であ
ること及び金属が分子相互作用を形成することが好ましい。金属アルコキシド、
特に多座配位キレート化合物、例えば、トリエタノールアミン又はトリイソプロ
パノールアミンの使用によって安定化したもの、例えば、アルマトランが好まし
い。Laineら、米国特許第5,958,361号(Sep. 28, 1999)のように、キレート化に
よって、加水分解に対する安定性が高められ、二重又は三重アルコキシドを形成
するためのプラットフォームが優れているからである。その明細書の記載は本願
明細書に含まれるものとする。しかしながら、金属カルボキシレート、特に有機
溶媒に可溶性のもの、特に混合金属カルボキシレートを形成するものの使用は、
所望のアルコキシド錯体がFSPのために利用できないか又は安定が不十分である
場合に使用しうる。アルコキシドもカルボキシレートも、様々な出発物質から簡
単にかつ安価につくられることから特に好ましい。アルコキシドもカルボキシレ
ートも利用できず、使用が難しい状態では、金属硝酸塩、又は様々な有機金属化
合物を使用し得る。しかしながら、金属硝酸塩が有機溶媒と爆発的混合物を形成
し得るし、有機金属化合物がコストがかかり、しばしば長時間安定でないので、
これらの任意成分は好ましくない。火炎熱分解副生成物の毒性、腐食性又は汚染
性があることから金属塩化物は好ましくない。
粉末を火炎溶融熱分解によって製造するために、前駆体が有機溶媒に可溶性であ
ること及び金属が分子相互作用を形成することが好ましい。金属アルコキシド、
特に多座配位キレート化合物、例えば、トリエタノールアミン又はトリイソプロ
パノールアミンの使用によって安定化したもの、例えば、アルマトランが好まし
い。Laineら、米国特許第5,958,361号(Sep. 28, 1999)のように、キレート化に
よって、加水分解に対する安定性が高められ、二重又は三重アルコキシドを形成
するためのプラットフォームが優れているからである。その明細書の記載は本願
明細書に含まれるものとする。しかしながら、金属カルボキシレート、特に有機
溶媒に可溶性のもの、特に混合金属カルボキシレートを形成するものの使用は、
所望のアルコキシド錯体がFSPのために利用できないか又は安定が不十分である
場合に使用しうる。アルコキシドもカルボキシレートも、様々な出発物質から簡
単にかつ安価につくられることから特に好ましい。アルコキシドもカルボキシレ
ートも利用できず、使用が難しい状態では、金属硝酸塩、又は様々な有機金属化
合物を使用し得る。しかしながら、金属硝酸塩が有機溶媒と爆発的混合物を形成
し得るし、有機金属化合物がコストがかかり、しばしば長時間安定でないので、
これらの任意成分は好ましくない。火炎熱分解副生成物の毒性、腐食性又は汚染
性があることから金属塩化物は好ましくない。
【００１８】 好ましい溶媒は、ブタノール、メタノール、例えば、メタノールと比べると、
燃料価値が比較的高いことから、特にエタノールである。しかしながら、他の溶
媒及び溶媒混合液も使用し得る。好ましい反応温度は500〜2500℃であり、最も
好ましい温度は約900〜2000℃である。溶液中の固形分は0.1〜30重量％の範囲で
あり、好ましい配合量は1〜20重量％であり、最も好ましくは1〜10重量％の範囲
である。 好ましい供給速度は、燃焼チャンバのサイズや溶液の固形分に左右される。米
国特許第5,958,361号に記載されているようなシステムの場合、供給速度は約1〜
100ml/minであり得る。好ましい速度は5〜50ml/minであり、最も好ましい速度は
約10〜40ml/minである。配合量が少なくなるにつれて非常に速い供給速度が可能
であり、逆に配合量が多くなるにつれて遅い供給速度が好ましい。 ドープナノ粉末に好ましい組成は、ドーパントレベルが0.1ppm〜20モル％のマ
トリックス材料であり、好ましい範囲は0.1〜500,000ppmである。実施態様にお
いては、2種以上のドーパントを同時に用いることが好ましい。 好ましいマトリックス粒径は、1〜500nmであり得る。更に好ましい範囲は1〜1
00nmであり、最も好ましい範囲は、特に量子閉じ込め特性が所望される場合には
1〜30nmである。
燃料価値が比較的高いことから、特にエタノールである。しかしながら、他の溶
媒及び溶媒混合液も使用し得る。好ましい反応温度は500〜2500℃であり、最も
好ましい温度は約900〜2000℃である。溶液中の固形分は0.1〜30重量％の範囲で
あり、好ましい配合量は1〜20重量％であり、最も好ましくは1〜10重量％の範囲
である。 好ましい供給速度は、燃焼チャンバのサイズや溶液の固形分に左右される。米
国特許第5,958,361号に記載されているようなシステムの場合、供給速度は約1〜
100ml/minであり得る。好ましい速度は5〜50ml/minであり、最も好ましい速度は
約10〜40ml/minである。配合量が少なくなるにつれて非常に速い供給速度が可能
であり、逆に配合量が多くなるにつれて遅い供給速度が好ましい。 ドープナノ粉末に好ましい組成は、ドーパントレベルが0.1ppm〜20モル％のマ
トリックス材料であり、好ましい範囲は0.1〜500,000ppmである。実施態様にお
いては、2種以上のドーパントを同時に用いることが好ましい。 好ましいマトリックス粒径は、1〜500nmであり得る。更に好ましい範囲は1〜1
00nmであり、最も好ましい範囲は、特に量子閉じ込め特性が所望される場合には
1〜30nmである。
【００１９】 好ましいマトリックス材料は、アルミナ誘導体(例えば、δ-アルミナ、α-ア
ルミナ、β″-アルミナ、イットリウムアルミニウムガーネット、スピネル等)、
イットリウム酸化物、ケイ酸塩(例えば、フォルステライト、ムライト等)、酸化
亜鉛、酸化インジウム又は酸化スズ、又は酸化スズインジウムを含む希土類酸化
物、又はこれらの金属酸化物の混合物であり得る。特に好ましいマトリックス材
料は、δ-アルミナ、α-アルミナ、β″-アルミナ、イットリウム酸化物、又は
スピナルを含むFSPにより容易に形成するものである。ある場合には、これらの
マトリックスを、酸素含量が最少である系、例えば、(Y0.919Yb0.08Tm0.001)2S3 を含む、窒素、硫化物又はフッ化物を含むように酸化物マトリックスを変性する
材料を含むアンモニア又は硫化物又はフッ化物で前処理することが有益であるこ
とができる。 以前の努力は、高エネルギーの短い光学的パルスポンピングを用いた誘電体の
ミクロンサイズの酸化物粉末における『レーザペイント』作用を証明することで
あった。本発明者らは、ナノサイズのドープ誘電体粉末において『レーザペイン
ト』発光を証明するために電子ポンピングを用いた。本発明者らは、同じ部位で
始まり終わる回帰散乱軌道が始まると、レーザ作用、S. John & G. Pang,『多重
散乱媒質におけるレージングの理論』, Phys. Rev. A54, 3642-3652(1996)、及
び局在を促進する証拠を探索するために強散乱条件を調べた。D. Wiersma & A.
Lagendijk,『ゲインレーザ又はランダムレーザによる光拡散』, Phys. Rev. E54 , 4256-4265(1996)。
ルミナ、β″-アルミナ、イットリウムアルミニウムガーネット、スピネル等)、
イットリウム酸化物、ケイ酸塩(例えば、フォルステライト、ムライト等)、酸化
亜鉛、酸化インジウム又は酸化スズ、又は酸化スズインジウムを含む希土類酸化
物、又はこれらの金属酸化物の混合物であり得る。特に好ましいマトリックス材
料は、δ-アルミナ、α-アルミナ、β″-アルミナ、イットリウム酸化物、又は
スピナルを含むFSPにより容易に形成するものである。ある場合には、これらの
マトリックスを、酸素含量が最少である系、例えば、(Y0.919Yb0.08Tm0.001)2S3 を含む、窒素、硫化物又はフッ化物を含むように酸化物マトリックスを変性する
材料を含むアンモニア又は硫化物又はフッ化物で前処理することが有益であるこ
とができる。 以前の努力は、高エネルギーの短い光学的パルスポンピングを用いた誘電体の
ミクロンサイズの酸化物粉末における『レーザペイント』作用を証明することで
あった。本発明者らは、ナノサイズのドープ誘電体粉末において『レーザペイン
ト』発光を証明するために電子ポンピングを用いた。本発明者らは、同じ部位で
始まり終わる回帰散乱軌道が始まると、レーザ作用、S. John & G. Pang,『多重
散乱媒質におけるレージングの理論』, Phys. Rev. A54, 3642-3652(1996)、及
び局在を促進する証拠を探索するために強散乱条件を調べた。D. Wiersma & A.
Lagendijk,『ゲインレーザ又はランダムレーザによる光拡散』, Phys. Rev. E54 , 4256-4265(1996)。
【００２０】 徹底的な実験の結果として、連続波『ランダム』レーザ源が証明されている。
強散乱方式における紫外及び可視レーザ放射はいずれも低電流低電圧電子ビーム
によって励起した希土類乾燥ナノ粉末において証明されている。対照的に、粉末
におけるパルスレーザ作用の初期のレポートは、すべて拡散方式での希土類物質
における光励起実験V.M. Markushev, V.F. Zolin, & Ch. M. Briskina, Sov. J.
Qu. EI. 16, 281(1986); C. Gouedard, D. Husson, C. Sauteret, F. Auzel, &
A. Migus, J.O.S.A. B10, 2358-2363(1993); M.A. Noginov, N.E. Noginov, H.
J. Caulfield, P. Venkateswarlu, T. Thompson, M. Mahdi, & V. Ostroumov, J
.O.S.A. B13, 2024(1996)、又は遷移バンド幅以内の周波数選択性を示す半導体
粉末における光励起実験H. Cao, Y.G. Zhao, S.T. Ho, E.W. Seelig, Q.H. Wang
, & R.P.H. Chang, Phys. Rev. Lett. 82, 2278(1999)であった。しかしながら
、モード分布の遷移バンド幅と角の変化以内のレーザモードの所見は、レージン
グに関与する回帰散乱通路がサイズが波長の半分より小さいランダム媒質の領域
からのものである可能性を除外している。回帰散乱が(λ/2)3 未満の供給源体積
からレージングをフィードバックする場合、光学範囲の周波数選択性を生じるの
に必要とする光の構成的又は分解的干渉は起こり得ない。これより小さい有効レ
ーザ源体積の場合、誘導放出スペクトルは、全ゲインバンド幅を占有しなければ
ならず、視角に依存するはずがなく(散乱からの方向性ランダム化のために)、ス
ペックルを示すはずがなく、強い局在と真のランダムレーザ特性と一致している
。本発明に記載された蛍光体においては、これらすべての変わった特徴は、狭い
閾値、ゲイン尖鋭化、直線的出力又は上の状態から相対する遷移の消光のような
レーザ作用の慣用のインディケータと共に見出された。
強散乱方式における紫外及び可視レーザ放射はいずれも低電流低電圧電子ビーム
によって励起した希土類乾燥ナノ粉末において証明されている。対照的に、粉末
におけるパルスレーザ作用の初期のレポートは、すべて拡散方式での希土類物質
における光励起実験V.M. Markushev, V.F. Zolin, & Ch. M. Briskina, Sov. J.
Qu. EI. 16, 281(1986); C. Gouedard, D. Husson, C. Sauteret, F. Auzel, &
A. Migus, J.O.S.A. B10, 2358-2363(1993); M.A. Noginov, N.E. Noginov, H.
J. Caulfield, P. Venkateswarlu, T. Thompson, M. Mahdi, & V. Ostroumov, J
.O.S.A. B13, 2024(1996)、又は遷移バンド幅以内の周波数選択性を示す半導体
粉末における光励起実験H. Cao, Y.G. Zhao, S.T. Ho, E.W. Seelig, Q.H. Wang
, & R.P.H. Chang, Phys. Rev. Lett. 82, 2278(1999)であった。しかしながら
、モード分布の遷移バンド幅と角の変化以内のレーザモードの所見は、レージン
グに関与する回帰散乱通路がサイズが波長の半分より小さいランダム媒質の領域
からのものである可能性を除外している。回帰散乱が(λ/2)3 未満の供給源体積
からレージングをフィードバックする場合、光学範囲の周波数選択性を生じるの
に必要とする光の構成的又は分解的干渉は起こり得ない。これより小さい有効レ
ーザ源体積の場合、誘導放出スペクトルは、全ゲインバンド幅を占有しなければ
ならず、視角に依存するはずがなく(散乱からの方向性ランダム化のために)、ス
ペックルを示すはずがなく、強い局在と真のランダムレーザ特性と一致している
。本発明に記載された蛍光体においては、これらすべての変わった特徴は、狭い
閾値、ゲイン尖鋭化、直線的出力又は上の状態から相対する遷移の消光のような
レーザ作用の慣用のインディケータと共に見出された。
【００２１】 まず、FSPによってドープ処理した、好ましくはランタニドドープ処理したナ
ノサイズ粉末、好ましくはアルミナ系粉末を合成する方法を開発することが必要
であった。FSP製造方法は、米国特許第5,958,361号に記載されており、酸化物ナ
ノ粉末の一般製造方法が記載されている。この明細書の記載は本願明細書に含ま
れるものとする。FSP法を、マトリックス酸化物のエタノール可溶性又はエタノ
ール安定性アルコキシド前駆体を用いること、及びドーパント原子を得るために
エタノール可溶性希土類塩を混合することにより変更した。更に、エタノール可
溶性金属カルボキシレート又は他の化合物もアルコキシドの変わりに使用し得る
。最後に、コスト、取扱いの難しさ、及び潜在的毒性と汚染の問題のために好ま
しくないが、マトリックス酸化物に対する種々の有機金属前駆体又は硝酸塩前駆
体が使用し得る。合成に用いられる方法は、限定することを意味しない一般例で
ある。 本発明のレージング粒子として用いるのに適するように、粒子は、1.5μmより
小さくなければならず、粒径が一般的には1nm未満から約150nmまで、更に好まし
くは1nm〜50nmの範囲でなければならず、1nm〜30nmの範囲が好ましい。金属酸化
物又は混合金属酸化物のほかに、各々の粒子は、平均で少なくとも1ドーパント
原子を含まなければならない。ドーパント原子の実際数は、粒子の大きさで変動
し、例えば、粒径が10nmの粒子当たり1又は2原子から100nm粒子においては104以
上のドーパント原子の範囲であることができる。粒子が大きくなるほど、たいて
いは更に多くのドーパント原子を含む。
ノサイズ粉末、好ましくはアルミナ系粉末を合成する方法を開発することが必要
であった。FSP製造方法は、米国特許第5,958,361号に記載されており、酸化物ナ
ノ粉末の一般製造方法が記載されている。この明細書の記載は本願明細書に含ま
れるものとする。FSP法を、マトリックス酸化物のエタノール可溶性又はエタノ
ール安定性アルコキシド前駆体を用いること、及びドーパント原子を得るために
エタノール可溶性希土類塩を混合することにより変更した。更に、エタノール可
溶性金属カルボキシレート又は他の化合物もアルコキシドの変わりに使用し得る
。最後に、コスト、取扱いの難しさ、及び潜在的毒性と汚染の問題のために好ま
しくないが、マトリックス酸化物に対する種々の有機金属前駆体又は硝酸塩前駆
体が使用し得る。合成に用いられる方法は、限定することを意味しない一般例で
ある。 本発明のレージング粒子として用いるのに適するように、粒子は、1.5μmより
小さくなければならず、粒径が一般的には1nm未満から約150nmまで、更に好まし
くは1nm〜50nmの範囲でなければならず、1nm〜30nmの範囲が好ましい。金属酸化
物又は混合金属酸化物のほかに、各々の粒子は、平均で少なくとも1ドーパント
原子を含まなければならない。ドーパント原子の実際数は、粒子の大きさで変動
し、例えば、粒径が10nmの粒子当たり1又は2原子から100nm粒子においては104以
上のドーパント原子の範囲であることができる。粒子が大きくなるほど、たいて
いは更に多くのドーパント原子を含む。
【００２２】 金属酸化物は、要求されるサイズとドーパント濃度の粒子へ処理され得る金属
酸化物である。最も好ましくは、金属酸化物は、火炎溶射熱分解又は同様のプロ
セスによって粒子を製造し得るもの、例えば、引火性溶媒に可溶性であり、燃焼
時に比較的純粋な酸化物を生成する前駆体から調製され得る金属酸化物である。
最も好ましくは、金属酸化物は、酸化アルミニウム又は酸化イットリウム、その
混合物より選ばれる。しかしながら、酸化ホウ素、二酸化チタン、酸化スズ、酸
化鉛、酸化インジウム、酸化イッテルビウム、二酸化シリコン、又は他の酸化物
又はその混合物のような酸化物が他の適切な候補物質である。一般に、酸化物は
、FSPの熱分解により製造される場合に結晶格子が十分に定義された粒子を製造
するものでなければならない。しかしながら、無定形又は混合無定形/結晶格子
が適していてもよい。 ドーパント原子は、粒子が適切なエネルギー導入に供される場合に誘導放出を
もたらすものである。好ましいドーパント原子は、遷移金属イオン、ランタニド
イオン又はアクチニド金属イオンである。Ce、Eu、Tm又はPrを含む希土類イオン
(RE)すべてが好ましい。他の例は、REが他の希土類イオンでもあり得るドーパン
ト原子の混合物、例えば、(Y0.919Yb0.08RE0.001)2O3である。Yb3+ からエネル
ギーを受け取ることが可能な低く位置する状態をもつGd3+ を除く(注: 逆にYb3+ はGd3+ の高く位置する6P7/2状態からエネルギーの受け取りを容易にするため
に中間状態をもたない)。3価のTm、Er、Ho、Sm、及びPrは、Ybとのコドーパント
として特に適切である。 本発明を一般的に記載してきたが、具体的に説明するためだけに示され特にこ
とわらない限り制限するためのものでない個々の実施例によって更に理解がされ
得る。
酸化物である。最も好ましくは、金属酸化物は、火炎溶射熱分解又は同様のプロ
セスによって粒子を製造し得るもの、例えば、引火性溶媒に可溶性であり、燃焼
時に比較的純粋な酸化物を生成する前駆体から調製され得る金属酸化物である。
最も好ましくは、金属酸化物は、酸化アルミニウム又は酸化イットリウム、その
混合物より選ばれる。しかしながら、酸化ホウ素、二酸化チタン、酸化スズ、酸
化鉛、酸化インジウム、酸化イッテルビウム、二酸化シリコン、又は他の酸化物
又はその混合物のような酸化物が他の適切な候補物質である。一般に、酸化物は
、FSPの熱分解により製造される場合に結晶格子が十分に定義された粒子を製造
するものでなければならない。しかしながら、無定形又は混合無定形/結晶格子
が適していてもよい。 ドーパント原子は、粒子が適切なエネルギー導入に供される場合に誘導放出を
もたらすものである。好ましいドーパント原子は、遷移金属イオン、ランタニド
イオン又はアクチニド金属イオンである。Ce、Eu、Tm又はPrを含む希土類イオン
(RE)すべてが好ましい。他の例は、REが他の希土類イオンでもあり得るドーパン
ト原子の混合物、例えば、(Y0.919Yb0.08RE0.001)2O3である。Yb3+ からエネル
ギーを受け取ることが可能な低く位置する状態をもつGd3+ を除く(注: 逆にYb3+ はGd3+ の高く位置する6P7/2状態からエネルギーの受け取りを容易にするため
に中間状態をもたない)。3価のTm、Er、Ho、Sm、及びPrは、Ybとのコドーパント
として特に適切である。 本発明を一般的に記載してきたが、具体的に説明するためだけに示され特にこ
とわらない限り制限するためのものでない個々の実施例によって更に理解がされ
得る。
【００２３】実施例 実施例1 2リットルの丸底フラスコ中で、199.9g(2.190モル)のAl(OH)3・0.72H2O、326.7
g(2.190モル)のトリエタノールアミン(TEA)及び1リットルのエチレングリコール
(EG)を絶えず撹拌(磁気)しながら混合する。反応液を〜200℃に加熱してEGと副
生成物の水を留去する。2時間後までに、反応液が透明になり、可溶性[Al(TEA)] 3 錯体の形成が完了したことを示した。次に、13.71g(0.343モル)のNaOHと2.84g(
0.068モル)のLiOH・H2Oを加え、反応液を1時間還流する。用いた金属モル比(Na:A
l:Li＝1.67:10.67:0.33)は、以前に求められた最適ドーピングレベルである。次
に、反応液をN2下で蒸留し、まず副生成物の水、次に過剰のEGを残留物が粘稠す
ぎて撹拌できなくなるまで除去する。冷却時に、橙色/黄色ガラス状固形物をフ
ラスコから回収し、EtOHで希釈して1〜8wt％の残留セラミック溶液にする。この
溶液に0.975g(0.0022モル)〜0.222g(0.0005モル)の硝酸ツリウム5水和物を添加
した。ドープ溶液を火炎溶射熱分解により超微細酸化物に変換した。
g(2.190モル)のトリエタノールアミン(TEA)及び1リットルのエチレングリコール
(EG)を絶えず撹拌(磁気)しながら混合する。反応液を〜200℃に加熱してEGと副
生成物の水を留去する。2時間後までに、反応液が透明になり、可溶性[Al(TEA)] 3 錯体の形成が完了したことを示した。次に、13.71g(0.343モル)のNaOHと2.84g(
0.068モル)のLiOH・H2Oを加え、反応液を1時間還流する。用いた金属モル比(Na:A
l:Li＝1.67:10.67:0.33)は、以前に求められた最適ドーピングレベルである。次
に、反応液をN2下で蒸留し、まず副生成物の水、次に過剰のEGを残留物が粘稠す
ぎて撹拌できなくなるまで除去する。冷却時に、橙色/黄色ガラス状固形物をフ
ラスコから回収し、EtOHで希釈して1〜8wt％の残留セラミック溶液にする。この
溶液に0.975g(0.0022モル)〜0.222g(0.0005モル)の硝酸ツリウム5水和物を添加
した。ドープ溶液を火炎溶射熱分解により超微細酸化物に変換した。
【００２４】実施例2 アルミニウムトリ-sec-ブトキシド(Aldrich)を減圧蒸留で精製した。N2ドライ
ボックス中で、精製アルミニウムトリ-sec-ブトキシド、250g(1.015モル)を155g
(1.039モル)のトリエタノールアミンと250mlのイソプロパノールの撹拌混合液に
徐々に添加した。2時間以内にトリエタノールアミンがsec-ブタノールにかわり
、空気と水に安定なアルマトランを生じる。得られたsec-ブタノールとイソプロ
パノール中のアルマトランをエタノールで希釈して2wt％の残留セラミック溶液
を得た。この溶液に0.250g(0.0006モル)の硝酸セリウム6水和物又は0.250g(0.00
06モル)の硝酸ガドリニウム6水和物又は0.250g(0.0006モル)の硝酸ネオジミウム
6水和物又は0.250g(0.0006モル)の硝酸ホルミウム5水和物又は0.250g(0.0006モ
ル)の硝酸ユウロピウム5水和物又は0.250g(0.0006モル)の硝酸テルビウム5水和
物又は0.250g(0.0006モル)の硝酸ツリウム5水和物を添加した。これは、1000ppm
ドーパントレベルと同等である。ドープ溶液を火炎溶射熱分解により超微細酸化
物に変換した。Nd3+:δ-Al2O3(図1(b)の可視発光スペクトルと赤外発光スペクト
ルは、図2(b)及び図2(d)に示されるようにそれぞれ約20μAと60μAのレーザ閾値
を示している。
ボックス中で、精製アルミニウムトリ-sec-ブトキシド、250g(1.015モル)を155g
(1.039モル)のトリエタノールアミンと250mlのイソプロパノールの撹拌混合液に
徐々に添加した。2時間以内にトリエタノールアミンがsec-ブタノールにかわり
、空気と水に安定なアルマトランを生じる。得られたsec-ブタノールとイソプロ
パノール中のアルマトランをエタノールで希釈して2wt％の残留セラミック溶液
を得た。この溶液に0.250g(0.0006モル)の硝酸セリウム6水和物又は0.250g(0.00
06モル)の硝酸ガドリニウム6水和物又は0.250g(0.0006モル)の硝酸ネオジミウム
6水和物又は0.250g(0.0006モル)の硝酸ホルミウム5水和物又は0.250g(0.0006モ
ル)の硝酸ユウロピウム5水和物又は0.250g(0.0006モル)の硝酸テルビウム5水和
物又は0.250g(0.0006モル)の硝酸ツリウム5水和物を添加した。これは、1000ppm
ドーパントレベルと同等である。ドープ溶液を火炎溶射熱分解により超微細酸化
物に変換した。Nd3+:δ-Al2O3(図1(b)の可視発光スペクトルと赤外発光スペクト
ルは、図2(b)及び図2(d)に示されるようにそれぞれ約20μAと60μAのレーザ閾値
を示している。
【００２５】実施例3 δ-(又はβ″-)アルミナの粒子を金属有機前駆体の火炎溶射熱分解によって合
成し、1000±100ppmCe3+(又はPr3+)イオンのドーパントレベルを容易に達成した
。エタノール中アルマトラン、2wt％のAl2O3及び0.003％CeO2又はPrO2からなる
アルマトラン(N(CH2CH2O)3Al)前駆体を用い、50g/hrの速度で燃焼することによ
り粉末を製造したA.C. Sutorik, S.S. Neo, T. Hinklin, R. Baranwal, D.R. Tr
eadwell, R. Narayanan, & R.M. Laine, J. Am. Ceram. Soc. 81, 1477-1488(19
98); R.M. Laine, K. Waldner, C. Bickmore, D. Treadwell, 米国特許第5,614,
596号(Mar. 1997)。粒径と濃度を、BET S. Brunauer, P.H. Emmett, & E. Telle
r, J. Am. Chem. Soc. 60, 309(1938)表面積(Ce及びPrの場合79.5±1m2/g及び43
.2±0.2m2/g)及びｘ線ラインブロードニングを用いて測った。凝集していない単
結晶の粒子を透過型電子顕微鏡で確認した。ドーパント濃度は、Ceドーピングの
場合には20nm粒子当たり75ドーパントイオン及びPrの場合には40nm粒子当たり80
0ドーパントイオンに相当する。As成長粉末を電子ビームにより低電流と低電圧
で励起して発光スペクトルを記録し、l*(λ)、方向性ランダム化されるようにな
る前に電界が伝播する平均距離、を測定するために、いくつかの波長のコヒーレ
ント後方散乱実験を行った。そのようにするために、ゆるい粉末試料を、酸素を
含まない銅ホルダーに加工した浅いディスク形の溝へ押圧し、7×10-10 Torrの
圧力で作動する超高真空チャンバに入れた。1〜10keV範囲のエネルギーをもつ電
子を、試料上のφ＝2〜7mmの範囲の直径のスポットに軽く焦点を合わせた。1メ
ートルのチェルニー-ターナー分光計を用いてMgF2光端子対によってルミネセン
スを分析した。種々の電子ビーム電流と室温における図1のPr3+:β-Al2O3のスペ
クトルから赤、緑及び青の放出ラインが明らかであること、及びカソードルミネ
センスが裸眼には白がかった黄色であることがわかる。
成し、1000±100ppmCe3+(又はPr3+)イオンのドーパントレベルを容易に達成した
。エタノール中アルマトラン、2wt％のAl2O3及び0.003％CeO2又はPrO2からなる
アルマトラン(N(CH2CH2O)3Al)前駆体を用い、50g/hrの速度で燃焼することによ
り粉末を製造したA.C. Sutorik, S.S. Neo, T. Hinklin, R. Baranwal, D.R. Tr
eadwell, R. Narayanan, & R.M. Laine, J. Am. Ceram. Soc. 81, 1477-1488(19
98); R.M. Laine, K. Waldner, C. Bickmore, D. Treadwell, 米国特許第5,614,
596号(Mar. 1997)。粒径と濃度を、BET S. Brunauer, P.H. Emmett, & E. Telle
r, J. Am. Chem. Soc. 60, 309(1938)表面積(Ce及びPrの場合79.5±1m2/g及び43
.2±0.2m2/g)及びｘ線ラインブロードニングを用いて測った。凝集していない単
結晶の粒子を透過型電子顕微鏡で確認した。ドーパント濃度は、Ceドーピングの
場合には20nm粒子当たり75ドーパントイオン及びPrの場合には40nm粒子当たり80
0ドーパントイオンに相当する。As成長粉末を電子ビームにより低電流と低電圧
で励起して発光スペクトルを記録し、l*(λ)、方向性ランダム化されるようにな
る前に電界が伝播する平均距離、を測定するために、いくつかの波長のコヒーレ
ント後方散乱実験を行った。そのようにするために、ゆるい粉末試料を、酸素を
含まない銅ホルダーに加工した浅いディスク形の溝へ押圧し、7×10-10 Torrの
圧力で作動する超高真空チャンバに入れた。1〜10keV範囲のエネルギーをもつ電
子を、試料上のφ＝2〜7mmの範囲の直径のスポットに軽く焦点を合わせた。1メ
ートルのチェルニー-ターナー分光計を用いてMgF2光端子対によってルミネセン
スを分析した。種々の電子ビーム電流と室温における図1のPr3+:β-Al2O3のスペ
クトルから赤、緑及び青の放出ラインが明らかであること、及びカソードルミネ
センスが裸眼には白がかった黄色であることがわかる。
【００２６】実施例4 アルミニウムトリ-sec-ブトキシド(Aldrich)を減圧蒸留により精製した。N2ド
ライボックス中で、精製アルミニウムトリ-sec-ブトキシド、250g(1.015モル)を
155g(1.039モル)のトリエタノールアミンと250mlのイソプロパノールの撹拌混合
液に徐々に添加した。2時間以内にトリエタノールアミンがsec-ブタノールにか
わり、空気と水に安定なアルマトランを生じる。得られたsec-ブタノールとイソ
プロパノール中のアルマトランをエタノールで希釈して2wt％の残留セラミック
溶液を得た。この溶液に、0.217g(0.0005モル)の硝酸セリウム6水和物と0.219g(
0.0005モル)の硝酸ネオジミウムを加えた。ドープ溶液を火炎溶射熱分解により
超微細酸化物に変換した。
ライボックス中で、精製アルミニウムトリ-sec-ブトキシド、250g(1.015モル)を
155g(1.039モル)のトリエタノールアミンと250mlのイソプロパノールの撹拌混合
液に徐々に添加した。2時間以内にトリエタノールアミンがsec-ブタノールにか
わり、空気と水に安定なアルマトランを生じる。得られたsec-ブタノールとイソ
プロパノール中のアルマトランをエタノールで希釈して2wt％の残留セラミック
溶液を得た。この溶液に、0.217g(0.0005モル)の硝酸セリウム6水和物と0.219g(
0.0005モル)の硝酸ネオジミウムを加えた。ドープ溶液を火炎溶射熱分解により
超微細酸化物に変換した。
【００２７】実施例5 sec-ブタノールとイソプロパノール中の実施例4のアルマトランをエタノール
で希釈して1wt％の残留セラミック溶液を得た。この溶液に0.217g(0.0005モル)
の硝酸セリウム6水和物と0.219g(0.0005モル)の硝酸ネオジミウム6水和物を加え
た。ドープ溶液を火炎溶射熱分解によって超微細酸化物に変換した。
で希釈して1wt％の残留セラミック溶液を得た。この溶液に0.217g(0.0005モル)
の硝酸セリウム6水和物と0.219g(0.0005モル)の硝酸ネオジミウム6水和物を加え
た。ドープ溶液を火炎溶射熱分解によって超微細酸化物に変換した。
【００２８】実施例6 sec-ブタノールとイソブタノール中の実施例4のアルマトランをエタノールで
希釈して8wt％の残留セラミック溶液を得た。この溶液に0.217g(0.0005モル)の
硝酸セリウム6水和物を添加した。ドープ溶液を火炎溶射熱分解により超微細酸
化物に変換した。本実験から一定サイズの粒子のドーピング度を次のように算出
した。 使用セリアドープδ-Al2O3のドーピング度 Al2O3の密度 3.98 g/cc 単位重量 101.96128 g/モル
希釈して8wt％の残留セラミック溶液を得た。この溶液に0.217g(0.0005モル)の
硝酸セリウム6水和物を添加した。ドープ溶液を火炎溶射熱分解により超微細酸
化物に変換した。本実験から一定サイズの粒子のドーピング度を次のように算出
した。 使用セリアドープδ-Al2O3のドーピング度 Al2O3の密度 3.98 g/cc 単位重量 101.96128 g/モル
【００２９】
【００３０】実施例7 2リットルのフラスコ中で25.00gの酢酸インジウムと1.87gの二酢酸ジブチルス
ズを1リットルのエタノールに溶解して2wt％の残留セラミック溶液を得た。この
溶液を火炎溶射熱分解により超微細酸化物に変換した。ドーパント原子を含まな
い微粉末は、レーザとして使えないと思われる。
ズを1リットルのエタノールに溶解して2wt％の残留セラミック溶液を得た。この
溶液を火炎溶射熱分解により超微細酸化物に変換した。ドーパント原子を含まな
い微粉末は、レーザとして使えないと思われる。
【００３１】実施例8 2リットルのフラスコ中25.00gの酢酸インジウムと1.87gの二酢酸ジブチルスズ
と0.023gのPr(NO3)36H2Oを1リットルのエタノールに溶解して2wt％の残留セラミ
ック溶液を得た。ドープ溶液を火炎溶射熱分解により超微細酸化物に変換した。
得られた粉末は、例えば、光、電子ビーム、電子流又は他の手段で適切に誘導し
た場合にレーザとして使えると思われる。
と0.023gのPr(NO3)36H2Oを1リットルのエタノールに溶解して2wt％の残留セラミ
ック溶液を得た。ドープ溶液を火炎溶射熱分解により超微細酸化物に変換した。
得られた粉末は、例えば、光、電子ビーム、電子流又は他の手段で適切に誘導し
た場合にレーザとして使えると思われる。
【００３２】実施例9 2リットルのフラスコ中0.1904モル(145.87g)の硝酸イットリウム水和物、0.01
77モル(15.912g)の硝酸イッテルビウム水和物及び0.0133モル(11.780g)の硝酸エ
ルビウム水和物を1250gのエタノールに溶解して4wt％のセラミック溶液をつくっ
た。次に、この溶液をFSP法で組成; (Y0.86Yb0.06Er0.08)2O3のナノオキシドセ
ラミックに変換した。この物質は、主として単斜晶をもつ立方相であった。粒径
は、典型的には20〜100nmの平均粒径であり、用いた溶液濃度に左右される。
77モル(15.912g)の硝酸イッテルビウム水和物及び0.0133モル(11.780g)の硝酸エ
ルビウム水和物を1250gのエタノールに溶解して4wt％のセラミック溶液をつくっ
た。次に、この溶液をFSP法で組成; (Y0.86Yb0.06Er0.08)2O3のナノオキシドセ
ラミックに変換した。この物質は、主として単斜晶をもつ立方相であった。粒径
は、典型的には20〜100nmの平均粒径であり、用いた溶液濃度に左右される。
【００３３】
【００３４】 実施例6で製造した粉末について次の分析を行った。 比表面積分析(SSA)を、吸着ガスとしてN2とマイクロメリティクスASAP2000収
着分析器(ノアクロス、ジョージア州)を用いて77kで行った。ガス抜き速度が＜5
μmHg/minになるまで試料を395℃で4時間脱ガスした。0.001〜0.20の相対圧と5
データ点によるBETマルチポイント法を用いてSSAを算出した。機器を配設したソ
フトウエアパッケージを用いて分析を行った。凝集していない球状粒子に対して
SSAから粒径を算出した。SSAと平均粒径を等しくする次の表に基づいて約27.4nm
の平均粒径に相当する表面積が55.0m2/gであることを求めた。
着分析器(ノアクロス、ジョージア州)を用いて77kで行った。ガス抜き速度が＜5
μmHg/minになるまで試料を395℃で4時間脱ガスした。0.001〜0.20の相対圧と5
データ点によるBETマルチポイント法を用いてSSAを算出した。機器を配設したソ
フトウエアパッケージを用いて分析を行った。凝集していない球状粒子に対して
SSAから粒径を算出した。SSAと平均粒径を等しくする次の表に基づいて約27.4nm
の平均粒径に相当する表面積が55.0m2/gであることを求めた。
【００３５】
【００３６】 XRDラインブロードニング. ドープδ-Al2O3粉末試料を、理学回転陽極ゴニオ
メータ(理学電気(株)、東京、日本)を用いた粉末X線回折により分析した。粉末
を無定形石英試料ホルダーへ充填し、ゴニオメータへ入れた。0.05°2θ増加分
及び40kVと100mAで動作するCuKα放射線を用いて2°2θ/minのスキャン速度で10
°〜60°2θのスキャンを測定した。ピーク位置をICDD標準ファイルと比較して
結晶相を同定した。ラインブロードニング分析については、0.005°2θ増加分及
び40kVと100mAで動作するCuKα放射線を用いて0.2°2θ/minのスキャン速度で33
°〜36°2θのスキャンを測定した。XRDパターンで他のピークから完全に分割さ
れることから34.6 2θが中心のδ-Al2O3ピークを選択した。このピークを、デバ
イ・シェラー微結晶サイズ算出の単結晶石英標準の26.54°2θと比較した。デバ
イ・シェラー基本式を用いて計算すると平均粒径は42.6nmであった。しかしなが
ら、スリットサイズ、動作電圧及び電流を明らかにしかつデバイ・シェラー式の
簡単にしていない形を用いている機器を配設したソフトウエアパッケージを用い
て分析を行った場合、平均粒径を計算すると27.7nmである。
メータ(理学電気(株)、東京、日本)を用いた粉末X線回折により分析した。粉末
を無定形石英試料ホルダーへ充填し、ゴニオメータへ入れた。0.05°2θ増加分
及び40kVと100mAで動作するCuKα放射線を用いて2°2θ/minのスキャン速度で10
°〜60°2θのスキャンを測定した。ピーク位置をICDD標準ファイルと比較して
結晶相を同定した。ラインブロードニング分析については、0.005°2θ増加分及
び40kVと100mAで動作するCuKα放射線を用いて0.2°2θ/minのスキャン速度で33
°〜36°2θのスキャンを測定した。XRDパターンで他のピークから完全に分割さ
れることから34.6 2θが中心のδ-Al2O3ピークを選択した。このピークを、デバ
イ・シェラー微結晶サイズ算出の単結晶石英標準の26.54°2θと比較した。デバ
イ・シェラー基本式を用いて計算すると平均粒径は42.6nmであった。しかしなが
ら、スリットサイズ、動作電圧及び電流を明らかにしかつデバイ・シェラー式の
簡単にしていない形を用いている機器を配設したソフトウエアパッケージを用い
て分析を行った場合、平均粒径を計算すると27.7nmである。
【００３７】誘導放出の評価 Er、Ce、Nd、Pr又はTuを含む種々のランタニド金属でドープ処理した種々の粉
末を調製した。処理FSPとして1000ppmのCe3+でドープ処理したn-δ-アルミナ、
φ＝30を図7に示す。ドーピングレベルは、千分の1に達し、アルミナ中のたいて
いのランタニド金属の溶解度が千分の1レベルであるという事実にもかかわらず
均一にドープ処理した粒子を製造した。XRD粉末パターンで求めたこれらの粒子
は、δ-アルミナであった。BET分析、実施例6で求めたこれらの粒子の平均粒径
は、〜30nmである。下記のレージング実験に用いられる典型的な粒径は、BET分
析とｘ線回折ラインブロードニング双方で確認した10〜30nmの範囲内である。ド
ーパント原子の総数は、約50〜500/粒子の範囲であり、ドーパント、マトリック
ス又は相対濃度に左右される。
末を調製した。処理FSPとして1000ppmのCe3+でドープ処理したn-δ-アルミナ、
φ＝30を図7に示す。ドーピングレベルは、千分の1に達し、アルミナ中のたいて
いのランタニド金属の溶解度が千分の1レベルであるという事実にもかかわらず
均一にドープ処理した粒子を製造した。XRD粉末パターンで求めたこれらの粒子
は、δ-アルミナであった。BET分析、実施例6で求めたこれらの粒子の平均粒径
は、〜30nmである。下記のレージング実験に用いられる典型的な粒径は、BET分
析とｘ線回折ラインブロードニング双方で確認した10〜30nmの範囲内である。ド
ーパント原子の総数は、約50〜500/粒子の範囲であり、ドーパント、マトリック
ス又は相対濃度に左右される。
【００３８】ドープ酸化物ナノ粉末からの電子励起ルミネセンス ドープ酸化物ナノ粒子における弱い電子励起は、室温で誘導放出を生じ、コヒ
ーレント後方散乱測定により、粒子が散乱の平均自由行程lと輸送の平均自由行
程l*双方の長さのスケールに損失のないことが確認される。実験の可視波長や紫
外波長(λ)でさえ、電磁局在を与えるのに十分な条件が存在する(l、l*＜＜λ)
。電子励起は、この方式で連続波、赤外、青色光及び紫外レーザ作用を容易に維
持し得る。 粉末の粒度分布は広く、正確な対数正規分布である。実験の一部については、
NdドーパントとCeドーパントを種々のNd/Ce比と平均径27mmの粒子当たり約240ド
ーパントイオンの濃度で試料に混入した。ゆるい粉末は、酸素を含まない銅ホル
ダーに加工した浅いディスク形の溝へ軽く押圧し、9×10-10Torrの圧力で動作す
る超高真空チャンバに入れた。0.5〜10keV範囲のエネルギーをもつ電子の操縦ビ
ームを、試料上のφ＝2〜7mmの直径のスポットに軽く焦点を合わせ、光端子対を
通るルミネセンスを250nmにブレーズされるホログラフィー格子を用いた1メート
ルのチェルニー-ターナー分光計により分析した。
ーレント後方散乱測定により、粒子が散乱の平均自由行程lと輸送の平均自由行
程l*双方の長さのスケールに損失のないことが確認される。実験の可視波長や紫
外波長(λ)でさえ、電磁局在を与えるのに十分な条件が存在する(l、l*＜＜λ)
。電子励起は、この方式で連続波、赤外、青色光及び紫外レーザ作用を容易に維
持し得る。 粉末の粒度分布は広く、正確な対数正規分布である。実験の一部については、
NdドーパントとCeドーパントを種々のNd/Ce比と平均径27mmの粒子当たり約240ド
ーパントイオンの濃度で試料に混入した。ゆるい粉末は、酸素を含まない銅ホル
ダーに加工した浅いディスク形の溝へ軽く押圧し、9×10-10Torrの圧力で動作す
る超高真空チャンバに入れた。0.5〜10keV範囲のエネルギーをもつ電子の操縦ビ
ームを、試料上のφ＝2〜7mmの直径のスポットに軽く焦点を合わせ、光端子対を
通るルミネセンスを250nmにブレーズされるホログラフィー格子を用いた1メート
ルのチェルニー-ターナー分光計により分析した。
【００３９】 Nd,Ce:Al2O3ナノ粒子における室温での電子ビーム電流に対する8keVの一連の
スペクトルを記録した(図1(b))。350〜450nmの希土類スペクトルすべての下にあ
る幅広いバックグラウンドは、ドープ処理されていないホストのスペクトルに似
て(図示されていない)、アルミナ中の固有の点欠損に由来することを示している
。1μA(下のトレース)の陰極ルミネセンスは、主ドーパントNd3+に対応する多く
の鋭いラインを示した。25,000cm-1(400nm)の目だったラインは、Nd3+の2F5/2-4 F7/2遷移に対応した。励起レベルが20mAより高くなるにつれて、2F5/2状態に由
来する3つの発光ライン(25,000、32,500及び34,500cm-1)は消光した。同時に、
同じ(2F5/2)上の状態に由来する27,000cm-1の第4遷移(2F5/2-4F3/2)は強度が急
速に成長した。同様の方法で、2P1/2-4I9/2遷移に対応する23,000cm-1のスペク
トルラインは20μAで消光し、そのとき同じ(2P1/2)状態に由来する第2様相(21,3
00cm-1の2P1/2-4I11/2)は電流の増加につれて急速に成長することが見られた。 励起電流が増えるにつれて図1(b)に証明されたNd3+ 発光の劇的なスペクトル
再分布は、光ゲインの発現と一致している。結果として、試料中のドーパント遷
移に対するレーザ作用を得る可能性が明らかである。これにより、開始試料中に
強いCe3+ 発光が見掛け上ないことと共に主としてCe3+ ドーピングをもつ粉末の
試験が促進された。
スペクトルを記録した(図1(b))。350〜450nmの希土類スペクトルすべての下にあ
る幅広いバックグラウンドは、ドープ処理されていないホストのスペクトルに似
て(図示されていない)、アルミナ中の固有の点欠損に由来することを示している
。1μA(下のトレース)の陰極ルミネセンスは、主ドーパントNd3+に対応する多く
の鋭いラインを示した。25,000cm-1(400nm)の目だったラインは、Nd3+の2F5/2-4 F7/2遷移に対応した。励起レベルが20mAより高くなるにつれて、2F5/2状態に由
来する3つの発光ライン(25,000、32,500及び34,500cm-1)は消光した。同時に、
同じ(2F5/2)上の状態に由来する27,000cm-1の第4遷移(2F5/2-4F3/2)は強度が急
速に成長した。同様の方法で、2P1/2-4I9/2遷移に対応する23,000cm-1のスペク
トルラインは20μAで消光し、そのとき同じ(2P1/2)状態に由来する第2様相(21,3
00cm-1の2P1/2-4I11/2)は電流の増加につれて急速に成長することが見られた。 励起電流が増えるにつれて図1(b)に証明されたNd3+ 発光の劇的なスペクトル
再分布は、光ゲインの発現と一致している。結果として、試料中のドーパント遷
移に対するレーザ作用を得る可能性が明らかである。これにより、開始試料中に
強いCe3+ 発光が見掛け上ないことと共に主としてCe3+ ドーピングをもつ粉末の
試験が促進された。
【００４０】 セリウムドーピングが高められた試料から記録されたスペクトルから、図1(c)
に示されるように、主としてCe3+ からの発光がわかった。この場合、28,000cm- 1 に中央のある広い様相のスペクトルになった。エネルギーが〜2.500cm-1以上に
小さな肩が見られ、フッ化物結晶の場合に約2,100cm-1であるCe3+ (4f)粉砕状態
の分割と一致している。D.J. Ehrlich, P.F. Moulton, & R.M. Osgood, Jr.,『3
25nmにおける固体Ce:YLF紫外レーザ』, Opt. Lett. 4, 184-186(1979)。多くの
材料においては、Ce3+の5d-4f相互構造遷移の短い波長(5d-2F5/2)成分が長い波
長の方5d-2F7/2より強度が大きい。D.J. Ehrlich, P.F. Moulton, & R.M. Osgoo
d, Jr.,『325nmにおける固体Ce:YLF紫外レーザ』, Opt. Lett. 4, 184-186(1979
); S. Mroczkowski & P. Doran,『Rb2NaYF6:Ce3+とCs2NaYF6:Ce3+の調製-青色-
緑色波長の可変波長レーザの展望』, J. Less-Common Metals 110, 258-265(185
); A.A. Kaminskii, S.A. Kochubei, K.N. Naumochkin, E.V. Pestryakov, V.I.
Trunov, & T.V. Uvarova,『BaY2F8におけるCe3+ イオンの5d-4f相互構造遷移に
よる紫外線の増幅』, Sov. J. Qu. Elect. 19, 340-342(1989); J.F. Pinto, G.
H. Rosenblatt, L. Esterwitz, V. Castillo & G.J. Quarles,『Ce3+:LiSrAlF6
における可変波長固体レーザ作用』, Electr. Lett. 30, 240-241(1994); C.D.
Marshall, J.A. Speth, S.A. Payne, W.F. Krupke, G.J. Quarles, V. Castillo
& B.H.T. Chai,『Ce3+ドープLiSrAlF6及びLiCaAlF6の紫外レーザ発光特性』, J
.O.S.A. B11, 2054-2065(1994); N. Sarukura, M.A. Dubinskii, Z. Liu, V.V.
Semashko, A.K. Naumov, S.L. Korableva, R.Y. Abdulsabirov, K. Edamatsu, Y
. Suzuki, T. Itoh, & Y. Segawa,『10-ns直接ポンピングによる幅広い可変波長
紫外超高速レーザ』, I.E.E.E. J. Select. Topics, Qu. El. 1, 792(1995); B.
Huttl, U. Troppenz, K.O. Velthaus, C.R. Ronda, & R.H. Mauch,『SrS:Ce3+
のルミネセンス特性』, J. Appl. Phys, 78, 7282(1995)。図1(c)の短い波長の
相対的に弱い肩は、4f粉砕状態イオン又は点欠損によるこの波長のかなりの共鳴
再吸収を示している。
に示されるように、主としてCe3+ からの発光がわかった。この場合、28,000cm- 1 に中央のある広い様相のスペクトルになった。エネルギーが〜2.500cm-1以上に
小さな肩が見られ、フッ化物結晶の場合に約2,100cm-1であるCe3+ (4f)粉砕状態
の分割と一致している。D.J. Ehrlich, P.F. Moulton, & R.M. Osgood, Jr.,『3
25nmにおける固体Ce:YLF紫外レーザ』, Opt. Lett. 4, 184-186(1979)。多くの
材料においては、Ce3+の5d-4f相互構造遷移の短い波長(5d-2F5/2)成分が長い波
長の方5d-2F7/2より強度が大きい。D.J. Ehrlich, P.F. Moulton, & R.M. Osgoo
d, Jr.,『325nmにおける固体Ce:YLF紫外レーザ』, Opt. Lett. 4, 184-186(1979
); S. Mroczkowski & P. Doran,『Rb2NaYF6:Ce3+とCs2NaYF6:Ce3+の調製-青色-
緑色波長の可変波長レーザの展望』, J. Less-Common Metals 110, 258-265(185
); A.A. Kaminskii, S.A. Kochubei, K.N. Naumochkin, E.V. Pestryakov, V.I.
Trunov, & T.V. Uvarova,『BaY2F8におけるCe3+ イオンの5d-4f相互構造遷移に
よる紫外線の増幅』, Sov. J. Qu. Elect. 19, 340-342(1989); J.F. Pinto, G.
H. Rosenblatt, L. Esterwitz, V. Castillo & G.J. Quarles,『Ce3+:LiSrAlF6
における可変波長固体レーザ作用』, Electr. Lett. 30, 240-241(1994); C.D.
Marshall, J.A. Speth, S.A. Payne, W.F. Krupke, G.J. Quarles, V. Castillo
& B.H.T. Chai,『Ce3+ドープLiSrAlF6及びLiCaAlF6の紫外レーザ発光特性』, J
.O.S.A. B11, 2054-2065(1994); N. Sarukura, M.A. Dubinskii, Z. Liu, V.V.
Semashko, A.K. Naumov, S.L. Korableva, R.Y. Abdulsabirov, K. Edamatsu, Y
. Suzuki, T. Itoh, & Y. Segawa,『10-ns直接ポンピングによる幅広い可変波長
紫外超高速レーザ』, I.E.E.E. J. Select. Topics, Qu. El. 1, 792(1995); B.
Huttl, U. Troppenz, K.O. Velthaus, C.R. Ronda, & R.H. Mauch,『SrS:Ce3+
のルミネセンス特性』, J. Appl. Phys, 78, 7282(1995)。図1(c)の短い波長の
相対的に弱い肩は、4f粉砕状態イオン又は点欠損によるこの波長のかなりの共鳴
再吸収を示している。
【００４１】 図1(c)のスペクトルは、Ce3+からの誘導放出の注目すべき証拠を示している。
Ce紫外発光のピーク(又は積分)強度が電子流に対してプロットされている場合、
室温において勾配の急激な変化が見られる。これは、発光スペクトルの30％尖鋭
化で達成される。図2(c)の挿入図のS字形のライン幅の変化は、この尖鋭化を示
しており、勾配の変化と同じ電流レベルで起きている。閾値とスペクトル尖鋭化
による誘導放出のこれらの所見によって、Ce3+の361nmの相互構造5d-4f遷移に対
する連続波紫外レーザ作用の強い証拠を得た。 次に、アルミナ粉末試料における散乱条件を簡単な操作検出装置を用いてコヒ
ーレント後方散乱実験において評価した。ステッパモータ制御翻訳プログラムを
用いて試料取付台の周りをピボットする平坦なプレートを走査した。この方法で
、プレートに取付けられた光電子倍増管とフィルタアセンブリを、正確な後方散
乱方向の周りに角度をつけて走査した。ゲインを示す遷移の一方を重ねるように
選択した488nmの波長のプローブ光を、小さなモノクロメータを用いてArイオン
レーザの出力から選定し、縮小回転鏡を用いて試料表面に平行にした後に送った
。回転鏡によって定められた散乱光の立体角に対応する検出アパーチャと翻訳プ
ログラムのステップサイズを選ぶことにより、正確な後方散乱近くの角の位置が
少しだけ鏡によってかくされた。結果を図3に示す。Ce3+については、363.8nmで
生成したフィルタ紫外Ar+レーザを用いた。Prドープ試料については、632.8nmの
He-Neレーザを用いた。
Ce紫外発光のピーク(又は積分)強度が電子流に対してプロットされている場合、
室温において勾配の急激な変化が見られる。これは、発光スペクトルの30％尖鋭
化で達成される。図2(c)の挿入図のS字形のライン幅の変化は、この尖鋭化を示
しており、勾配の変化と同じ電流レベルで起きている。閾値とスペクトル尖鋭化
による誘導放出のこれらの所見によって、Ce3+の361nmの相互構造5d-4f遷移に対
する連続波紫外レーザ作用の強い証拠を得た。 次に、アルミナ粉末試料における散乱条件を簡単な操作検出装置を用いてコヒ
ーレント後方散乱実験において評価した。ステッパモータ制御翻訳プログラムを
用いて試料取付台の周りをピボットする平坦なプレートを走査した。この方法で
、プレートに取付けられた光電子倍増管とフィルタアセンブリを、正確な後方散
乱方向の周りに角度をつけて走査した。ゲインを示す遷移の一方を重ねるように
選択した488nmの波長のプローブ光を、小さなモノクロメータを用いてArイオン
レーザの出力から選定し、縮小回転鏡を用いて試料表面に平行にした後に送った
。回転鏡によって定められた散乱光の立体角に対応する検出アパーチャと翻訳プ
ログラムのステップサイズを選ぶことにより、正確な後方散乱近くの角の位置が
少しだけ鏡によってかくされた。結果を図3に示す。Ce3+については、363.8nmで
生成したフィルタ紫外Ar+レーザを用いた。Prドープ試料については、632.8nmの
He-Neレーザを用いた。
【００４２】 データから、短い輸送平均自由行程l*をもつ小粒子に予想されるように、幅広
い後方散乱の円錐を示すことが明らかである。θ＝0近くのコヒーレント散乱が
寄与するだけの所見は、媒質がl*の長さのスケールに無損失であることを意味す
る。E. Akkermans, P.E. Wolf, R. Maynard, & G. Maret,『無秩序媒質による光
のコヒーレント後方散乱の理論的研究』, J. Phys.(Fr) 49, 77-98(1988)。これ
は、正味の光ゲインが有意な吸収の存在するときに好ましくない点でそれ自体に
重要である。しかしながら、更に、小さな角度の後方散乱円錐の分析から直接l* を求めることも可能である。内部反射を明らかにするために、J.X. Zhu, D.J. P
ine, & D.A. Weitz,『ランダム媒質における拡散光の内部反射』, Phys. Rev. A 44 , 3948-3959(1991)から＜I(0)I(q)＞/＜I＞2の式を用いて、図3(c)のデータに
適した少なくとも二乗からl*＝144±31nmの値が得られることを我々は得た。こ
のことにより、全波長範囲にわたってl*＜＜λを調べた場合に、我々の実験が極
端な散乱方式で行われたことが確認された。
い後方散乱の円錐を示すことが明らかである。θ＝0近くのコヒーレント散乱が
寄与するだけの所見は、媒質がl*の長さのスケールに無損失であることを意味す
る。E. Akkermans, P.E. Wolf, R. Maynard, & G. Maret,『無秩序媒質による光
のコヒーレント後方散乱の理論的研究』, J. Phys.(Fr) 49, 77-98(1988)。これ
は、正味の光ゲインが有意な吸収の存在するときに好ましくない点でそれ自体に
重要である。しかしながら、更に、小さな角度の後方散乱円錐の分析から直接l* を求めることも可能である。内部反射を明らかにするために、J.X. Zhu, D.J. P
ine, & D.A. Weitz,『ランダム媒質における拡散光の内部反射』, Phys. Rev. A 44 , 3948-3959(1991)から＜I(0)I(q)＞/＜I＞2の式を用いて、図3(c)のデータに
適した少なくとも二乗からl*＝144±31nmの値が得られることを我々は得た。こ
のことにより、全波長範囲にわたってl*＜＜λを調べた場合に、我々の実験が極
端な散乱方式で行われたことが確認された。
【００４３】 Nd3+ 系に戻ると、励起電流が増えるにつれて図1(b)で証明された劇的なスペ
クトル再分布が20μAより大きいNd3+ の2つの発光様相について誘導放出の発生
と一致している。25,000cm-1におけるNd3+ の2F5/2-4F7/2ライン及び2F5/2-4F15 /2 ラインと2F5/2-4F13/2ラインの最初の主なグループは電流がこの値より上がる
につれて突然消光するが、同じ初期状態に由来する強い2F5/2-4F3/2様相はこの
点で急速に成長した。これは、光ゲインが生じることによってのみ起こり得る。
誘導放出によって、最初に反転分布を受ける遷移によって同じ初期状態からいく
つかの放射減衰チャネルの消光が容易に説明される。同じ種類のスペクトル再分
布は、2P1/2状態に由来するラインについて見られ、低い状態に対するエネルギ
ーギャップが大きく、反転を促進する傾向がある。この場合、20μAより大きい
電流で2P1/2-4I9/2遷移が消光したときに2P1/2-4I11/2遷移の強度が突然成長し
た。 図4においては、図1(b)に示したものより完全なデータセットの電子流に対す
る469nmの発光ピーク強度がプロットされている。勾配の急激な変化が10μAで起
こり、この波長での誘導放出の閾値の存在が示されている。図2(d)のデータから
示されるように、非常に似た挙動が870nmで起こっている。スペクトルの様相が
多くの多重線-多重線遷移からなる複合ラインであるために、単一ラインに対す
るゲイン尖鋭化の直接の測定は、図1(b)のスペクトルにおけるコースゲイン強度
再分布所見を補足することが可能ではなかった。370nmの幅広い様相における発
光強度の依存性は、単調であり、閾値を示さなかった。
クトル再分布が20μAより大きいNd3+ の2つの発光様相について誘導放出の発生
と一致している。25,000cm-1におけるNd3+ の2F5/2-4F7/2ライン及び2F5/2-4F15 /2 ラインと2F5/2-4F13/2ラインの最初の主なグループは電流がこの値より上がる
につれて突然消光するが、同じ初期状態に由来する強い2F5/2-4F3/2様相はこの
点で急速に成長した。これは、光ゲインが生じることによってのみ起こり得る。
誘導放出によって、最初に反転分布を受ける遷移によって同じ初期状態からいく
つかの放射減衰チャネルの消光が容易に説明される。同じ種類のスペクトル再分
布は、2P1/2状態に由来するラインについて見られ、低い状態に対するエネルギ
ーギャップが大きく、反転を促進する傾向がある。この場合、20μAより大きい
電流で2P1/2-4I9/2遷移が消光したときに2P1/2-4I11/2遷移の強度が突然成長し
た。 図4においては、図1(b)に示したものより完全なデータセットの電子流に対す
る469nmの発光ピーク強度がプロットされている。勾配の急激な変化が10μAで起
こり、この波長での誘導放出の閾値の存在が示されている。図2(d)のデータから
示されるように、非常に似た挙動が870nmで起こっている。スペクトルの様相が
多くの多重線-多重線遷移からなる複合ラインであるために、単一ラインに対す
るゲイン尖鋭化の直接の測定は、図1(b)のスペクトルにおけるコースゲイン強度
再分布所見を補足することが可能ではなかった。370nmの幅広い様相における発
光強度の依存性は、単調であり、閾値を示さなかった。
【００４４】 要するに、誘導放出やレーザ作用は、適切な電子励起を与えかつ吸収ロスが無
視できる場合に希土類イオンでドープ処理した酸化物ナノ結晶において容易に起
こる。これらの物質は、室温におけるCe3+ 5d-4f相互構造遷移及び上記Nd3+ の
相互構造遷移に対して強い散乱方式での連続波紫外レーザ作用、青色光レーザ作
用及び赤外レーザ作用が可能である。他の単一波長や多重波長を与える条件で(
マトリックス、ドーピングイオンを変えることにより又はイオンの組合わせを加
えることにより又はイオンとマトリックスを組合わせることにより)放出が誘導
された。 488nmにおけるコヒーレント後方散乱結果から、光伝播が無損失であり、輸送
平均自由行程が波長より非常に少ないことが確認される。これに基づいて、ドー
プ誘電ナノ蛍光体は、紫外、可視又は赤外波長において広い視野にわたって均一
に発光する全系列の新規な明るい供給源の可能性を与える。可能な重要な応用と
しては、ナノリソグラフィ、大気汚染や毒ガスのセンサ、空中及び宇宙通信デバ
イス源、又は新規なディスプレイ材料が含まれる。『熱力学的濃度』という用語
は、熱力学的に安定な濃度限界を意味する。
視できる場合に希土類イオンでドープ処理した酸化物ナノ結晶において容易に起
こる。これらの物質は、室温におけるCe3+ 5d-4f相互構造遷移及び上記Nd3+ の
相互構造遷移に対して強い散乱方式での連続波紫外レーザ作用、青色光レーザ作
用及び赤外レーザ作用が可能である。他の単一波長や多重波長を与える条件で(
マトリックス、ドーピングイオンを変えることにより又はイオンの組合わせを加
えることにより又はイオンとマトリックスを組合わせることにより)放出が誘導
された。 488nmにおけるコヒーレント後方散乱結果から、光伝播が無損失であり、輸送
平均自由行程が波長より非常に少ないことが確認される。これに基づいて、ドー
プ誘電ナノ蛍光体は、紫外、可視又は赤外波長において広い視野にわたって均一
に発光する全系列の新規な明るい供給源の可能性を与える。可能な重要な応用と
しては、ナノリソグラフィ、大気汚染や毒ガスのセンサ、空中及び宇宙通信デバ
イス源、又は新規なディスプレイ材料が含まれる。『熱力学的濃度』という用語
は、熱力学的に安定な濃度限界を意味する。
【図１ａ】 種々の電流レベルにおいて真空中で電子ビームを照射したPr:β-Al2O3蛍光体
による発光強度と発光の周波数分布を示す図である。
による発光強度と発光の周波数分布を示す図である。
【図１ｂ】 種々の電流レベルにおいて真空中で電子ビームを照射したNd:δ-Al2O3蛍光体
による発光強度と発光の周波数分布を示す図である。
による発光強度と発光の周波数分布を示す図である。
【図１ｃ】 種々の電流レベルにおいて真空中で電子ビームを照射したCe:δ-Al2O3蛍光体
による発光強度と発光の周波数分布を示す図である。
による発光強度と発光の周波数分布を示す図である。
【図２ａ】 レーザ作用を示す、電子流が増すにつれて633nmにおけるPr:β-Al2O3による発
光出力の勾配が急激に高くなる閾値強度を示すグラフである。
光出力の勾配が急激に高くなる閾値強度を示すグラフである。
【図２ｂ】 レーザ作用を示す、電子流が増すにつれて467nmにおけるNd:δ-Al2O3による発
光出力の勾配が急激に高くなる閾値強度を示すグラフである。
光出力の勾配が急激に高くなる閾値強度を示すグラフである。
【図２ｃ】 レーザ作用を示す、電子流が増すにつれて467nmにおけるCe:δ-Al2O3による発
光出力の勾配が急激に高くなる閾値強度を示すグラフである。挿入図は、電子流
が増すにつれてCe:δ-d-Al2O3の発光ライン幅が小さくなることを示し、小幅の
ゲイン尖鋭化が起こることがわかる。
光出力の勾配が急激に高くなる閾値強度を示すグラフである。挿入図は、電子流
が増すにつれてCe:δ-d-Al2O3の発光ライン幅が小さくなることを示し、小幅の
ゲイン尖鋭化が起こることがわかる。
【図３ａ】 Pr:β-Al2O3によるコヒーレント後方散乱強度分布と正確な後方散乱方向に近
い角度を示すグラフである。
い角度を示すグラフである。
【図３ｂ】 Nd:δ-Al2O3によるコヒーレント後方散乱強度分布と正確な後方散乱方向に近
い角度を示すグラフである。
い角度を示すグラフである。
【図３ｃ】 Ce:δ-d-Al2O3によるコヒーレント後方散乱強度分布と正確な後方散乱方向に
近い角度を示すグラフである。
近い角度を示すグラフである。
【図４】 種々のビーム電圧レベルで照射したPr:β-Al2O3蛍光体粒子の室温における発
光強度と電子ビーム電流を示すグラフである。
光強度と電子ビーム電流を示すグラフである。
【図５】 エネルギーをもった電子がアルミナへ電子侵入するモンテカルロ誘導を示すグ
ラフである(CASINOルーチンによって算出)。
ラフである(CASINOルーチンによって算出)。
【図６】 強い局在が及ぶと思われる波長範囲を示すl*と波長のプロットである。強い局
在、つまり、レーザ作用は、l*がその波長よりかなり小さい波長で-つまり、黒
丸曲線が直線より下になるl*で起きるにちがいない。
在、つまり、レーザ作用は、l*がその波長よりかなり小さい波長で-つまり、黒
丸曲線が直線より下になるl*で起きるにちがいない。
【図７】 Ceドープδ-アルミナナノ粒子を示す走査電子マイクログラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/78 Ｃ０９Ｋ 11/78 11/80 ＣＰＢ 11/80 ＣＰＢ ＣＰＭ ＣＰＭ Ｈ０１Ｓ 3/16 Ｈ０１Ｓ 3/16 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ランド スティーブン シー アメリカ合衆国 ミシガン州 48105 ア ン アーバー ダインズ コート 3725 (72)発明者 ヒンクリン トーマス アメリカ合衆国 ミシガン州 48105 ア ン アーバー トラヴァー ロード 1408 (72)発明者 ウィリアムズ ガイ アール アメリカ合衆国 イリノイ州 60193 シ ャウムバーグ パイントリー レーン 402 ユニット ２−シー Ｆターム(参考） 4G042 DA01 DB09 DB10 DC03 DD04 DE09 DE14 4G072 AA25 BB05 BB13 GG03 MM01 RR01 TT01 4G076 AA02 AA18 AB13 BA35 BF07 CA04 DA11 DA30 4H001 CA02 CF01 XA05 XA08 XA13 XA14 XA22 XA30 XA39 XA49 XA50 XA70 XA82 XB11 XB21 YA00 YA58 YA59 YA60 YA62 YA63 YA67 YA68 YA69 YA70 YA89 5F072 AB20 AK10
Claims (30)
- 【請求項１】 平均粒径が150nm未満であり、1粒子当たり平均1以上の遷移
金属ドーパント原子又は希土類金属ドーパント原子を有する1種以上の金属酸化
物を含む金属ドープ超微細金属粒子であって、放射誘導放出及び/又はパルスレ
ーザ作用及び/又は連続波レーザ作用を示す、前記超微細粒子。 - 【請求項２】 該粒子が酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ケイ素
、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、アルカリ金属ケイ酸塩、アルカリ土類
金属ケイ酸塩、酸化ホウ素、二酸化チタン、酸化イッテルビウム、又は酸化鉛の
1種以上を含んでいる、請求項1記載の超微細粒子。 - 【請求項３】 前記粒子が他の族の金属酸化物を更に含んでいる、請求項1
又は2記載の超微細粒子。 - 【請求項４】 前記ドーパント原子が、前記金属酸化物又は混合金属酸化物
における前記ドーパントの熱力学的溶解度より大きい濃度で均一に存在する、請
求項1〜3のいずれか1項に記載の超微細粒子。 - 【請求項５】 1種以上の金属酸化物前駆体と少なくとも1種の可溶性遷移金
属化合物又は希土類化合物を含む溶液を火炎溶射熱分解することにより調製され
、前記溶液が引火性溶媒を更に含んでいる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の
粒子。 - 【請求項６】 前記引火性溶媒がアルカノールを含んでいる、請求項5記載
の粒子。 - 【請求項７】 前記金属酸化物前駆体がアルマトランを含んでいる、請求項
5記載の粒子。 - 【請求項８】 複数の粒子に集合した場合、強散乱方式で放射誘導放出を示
す、請求項1〜7のいずれか1項に記載の粒子。 - 【請求項９】 該平均粒径が1nm〜30nmである、請求項1〜8のいずれか1項に
記載の粒子。 - 【請求項１０】 平均粒径が1μm未満であり、遷移金属ドーパント原子又は
希土類金属ドーパント原子が金属酸化物中の前記ドーパントの熱力学的濃度より
高い濃度で存在している微細及び/又は超微細金属酸化物粒子。 - 【請求項１１】 前記粒子が有効な誘導エネルギー入力に曝露した際に少な
くとも1種のルミネセンス又は誘導放出を示す、請求項10記載の粒子。 - 【請求項１２】 該金属酸化物が無定形で存在する、請求項10又は11記載の
粒子。 - 【請求項１３】 該金属酸化物が結晶形で存在する、請求項10又は11記載の
粒子。 - 【請求項１４】 該金属酸化物が、4族金属酸化物、5族金属酸化物、13族金
属酸化物、1族アルミノケイ酸塩、2族アルミノケイ酸塩、ランタニド酸化物、ア
クチニド酸化物、又はその混合物である、請求項13記載の粒子。 - 【請求項１５】 1以上の遷移金属ドーパント原子又は希土類ドーパント原
子を有する金属酸化物ナノ粒子又は混合金属酸化物ナノ粒子の製造方法であって
、前記ナノ粒子がほとんど凝集していない形で製造され、 a) 金属酸化物前駆化合物を引火性有機溶媒に溶解する工程; b) 前記溶媒又はそれから調製された溶液へ1種以上の遷移金属ドーパント化合物
又は希土類ドーパント化合物を混入してドーパント含有金属酸化物前駆溶液を形
成する工程; c) 酸素を含む噴流中で前記ドーパント含有金属酸化物前駆溶液を火炎溶射熱分
解する工程; 及び d) 粒径が約1.5μm未満である、1種以上の遷移金属ドーパント原子及び/又は希
土類ドーパント原子でドープ処理したナノ粒子を回収する工程 を含んでいる、前記方法。 - 【請求項１６】 前記ドーパント原子が、前記ナノ粒子の前記金属酸化物マ
トリックス又は混合金属酸化物マトリックスにおける熱力学的溶解度より大きい
濃度で存在する、請求項15記載の方法。 - 【請求項１７】 前記ドーパント原子の少なくとも一部が、火炎溶射熱分解
以外の方法で調製された金属酸化物マトリックス中のドーパント原子としては正
常でない酸化状態で存在している、請求項15記載の方法。 - 【請求項１８】 前記金属酸化物前駆体が、金属アルコキシド、金属カルボ
キシレート、アルカノールアミンとの錯体、又はその混合物を含んでいる、請求
項15〜17のいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項１９】 該平均粒径が2nm〜50nmである、請求項15〜18のいずれか1
項に記載の方法。 - 【請求項２０】 請求項1〜14のいずれか1項に記載の、又は請求項15〜19記
載の方法で調製された、粒径が1nm〜150nmである複数のドープ固体粒子を誘導エ
ネルギーの有効量に曝露することにより固形分としての放出を誘導する方法。 - 【請求項２１】 前記誘導エネルギーが電子ビーム又は電子流を含んでいる
、請求項20記載の方法。 - 【請求項２２】 前記粒子が導電性粒子である、請求項20又は21記載の方法
。 - 【請求項２３】 発光の波長が平均粒径より大きい、請求項20記載の方法。
- 【請求項２４】 前記誘導エネルギーが電流を含んでいる、請求項20〜23記
載のいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項２５】 平均粒径が150nm未満であり、1粒子当たり平均で少なくと
も1の遷移金属ドーパント原子又は希土類金属ドーパント原子を含み、放射誘導
放出、又はレーザ作用を示し、請求項1〜14のいずれか1項に記載の又は請求項15
〜19のいずれか1項に記載の方法で調製された、1種以上の金属酸化物を含む複数
のドープ粒子に衝突する電子源を含む固体レージング装置。 - 【請求項２６】 ディスプレイ装置を含んでいる、請求項25記載の装置。
- 【請求項２７】 光源を含んでいる、請求項25記載の装置。
- 【請求項２８】 前記装置が白色光を放出する、請求項27記載の装置。
- 【請求項２９】 散乱長及び仮想空洞寸法が波長より短い固体微粒子レーザ
であって、前記微粒子レーザの粒子が少なくとも1種の金属酸化物を含み、平均
粒径が150nm未満であり、1粒子当たり平均で1以上の遷移金属ドーパント原子又
は希土類金属ドーパント原子を有し、エネルギー入力に供したときに放射誘導放
出、及び/又は連続波レーザ作用、及び/又はパルスレーザ作用を示し、請求項1
〜14のいずれか1項に記載の又は請求項14〜19のいずれか1項に記載の方法で調製
された粒子である、前記微粒子レーザ。 - 【請求項３０】 発光の波長より小さい平均散乱長と平均輸送自由行程を示
す、複数の遷移金属又は内部遷移金属ドープ金属酸化物粒子又は混合遷移金属酸
化物粒子を含む、固体微粒子発光体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11047998P | 1998-12-01 | 1998-12-01 | |
| US60/110,479 | 1998-12-01 | ||
| PCT/US1999/028270 WO2000038282A2 (en) | 1998-12-01 | 1999-11-30 | Ultrafine powders and their use as lasing media |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002533291A true JP2002533291A (ja) | 2002-10-08 |
Family
ID=22333236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000590259A Pending JP2002533291A (ja) | 1998-12-01 | 1999-11-30 | 超微粉末及びレージング媒質としてのその使用 |
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| AU (1) | AU3995700A (ja) |
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