JP2002515134A - 同調可能な増加／減少光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 少なくとも一つの選択された光チャネルすなわち搬送波の波長を、多重送信したチャネルすなわち互いに相違する波長の搬送波のセットに導入（増加）し、又は少なくとも一つの選択された光チャネルすなわち搬送波の波長から、多重送信したチャネルすなわち互いに相違する波長の搬送波のセットから抜き出す（減少）同調可能な増加／減少光学装置は、縦続して交互に接続した複数の方向性結合器及び複数の移相段を具え、各移相段は、段の二つの別個の光路間で所定の光路長差を規定する。同調は、ジュール効果加熱ストリップによって又は電界強度を変更するのに適切な信号を受信するのに適合した金属製の電界プレートによって前記移相段の一つの経路の屈折率を変更することによって実行する。前記複数の移相段の最初の二つの移相段は、予め確立された比で互いに相違する光路長の差を有し、同時に、それ以外の移相段は、同一の光路長差を有する。したがって、著しくフラットな交差応答特性を有し、フーリエ展開級数の必然的な切り捨てが原因のリップルのほとんどない装置を提供することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】 同調可能な増加／減少光学装置 発明の分野 本発明は、波長分割多重送信（ＷＤＭ）モードで動作する光通信システムに関 するものである。より詳しくは、本発明は、複数の互いに相違する波長のＷＤＭ チャネルから光搬送信号すなわち選択された波長のチャネルを導入し又は抜き出 す（増加／減少）フィルタとした用いることができる波長分割多重送信された光 信号用の受動４ポート光結合装置に関するものである。 光ファイバネットワークを通じて情報を伝送するに当たり、ネットワークシス テムの効率を増大させるために波長分割多重送信（ＷＤＭ）技術が用いられてい る。ＷＤＭ信号は、搬送波、すなわち、光ファイバ上で情報を伝送させることが できるチャネルと称される複数の互いに相違する波長の光信号からなる。 図１は、光ファイバを結合することができる入力ポートすなわちゲートに対す る増加／減少装置を有する光ファイバ伝送ネットワークのノードＮを示し、この 増加／減少装置は、ｎ個の光波長に体腔尾するｎ個の光チャネルを搬送し、これ ら波長は全て、従来の光ファイバが低減衰を示すことに対応する光スペクトルの 所定の「窓」に含まれ、その窓は、代表的にはいわゆるIII族窓及びエルビウム の増幅帯に含まれる。 各チャネルを、変調のデジタルモード又はアナログモードに雄牛で光の強度（ 振幅）に関して個別に変調させることができる。各チャネルを、交差チャネル干 渉を防止するために隣接する光チャネルからスペクトル的に十分離間させている 。 明らかに、十分な通信機能を実行するために光ファイバ伝送ネットワークの特 定の位置のＷＤＭ信号に、選択された光搬送波すなわちチャネルを容易に導入し 、及び／又は、選択された光搬送波すなわちチャネルをＷＤＭ信号から容易に引 き出すことができることは有用である。 典型的な例を表すと、ネットワークの所定のノードに関連した第１ユーザがネ ットワークの他のノードに関連した第２ユーザに情報を伝送する必要がある。要 求される増加／減少装置は、通常、選択された波長の信号を同時に又は個別に引 き出し／導入する二つの入力ポート及び二つの出力ポートを有する。 図１において、装置の入力ゲートｄから信号λｉが引き出され、それと同時に 装置のゲートｂを通じて信号λｉ^*が導入され、その結果、ｌ，．．．λｉ，． ．．ｎと仮定すると、出力ゲートｃには複数のｎ多重送信（ＷＤＭ）信号が存在 する。すなわち、考察するノードでは、チャネルλｉの引出し及びそれと同時に 行われるチャネルλｉ^*の追加は、所望の動作であると仮定される。 将来的な光ネットワークは、二つの相補的なすなわちインタレースされたアー キテクチャを統合すると予測される。一方のタイプは、光交差コネクト(Optical Cross-Connect)すなわちＯＸＣユニットから構成され、他のタイプは、増加／ 減少タイプの光マルチプレクサ（ＯＡＤＭ）の使用に基づくリング構造からなる 。さらに、ローカル光ネットワーク（光学的なＬＡＮ）に対する関心が増大して いる。ＷＤＭチャネルを搬送する光ファイバを通じて複数のノードに接続するロ ーカル光ネットワークのリング構造は、主に効率的な使用及び低コストの増加／ 減少フィルタに基づく。 チャネル増加及びチャネル減少機能を実行するのに適した好適なフィルタすな わち双方向選択結合器を実現する複数の形態が提案されている。 選択チャネル増加／減少機能を実現するこれら既知の形態は、通常、図２に示 すような所定の数の方向性結合器（ＡＤ）及び移相器（ＳＦ）を交互に縦続して 結合したものを使用することを意図する。 特に、方向性結合器は、所定の長さＩに対して所定の分離距離ｄ（図面的な理 由で図示しない）で互いに並列に延在する一対の導波路によって実現される。分 離距離ｄ及び長さＩを、一方のガイドから他方のガイドへの光エネルギーの伝達 を決定するように設計する。 移相器を、相違する長さの導波路の対によって簡単に実現することができ、こ れら導波路は、互いにエネルギーを交換し、装置の各出力ポートを通じた出力と して（各入力ポリシリコンーとを通じて入射した）二つの光信号の予め設定され た値の相対位相シフトを導入する。 結合器（ＡＤ）を、最適手順によって設計し、これらは通常互いに相違し、そ れに対して、移相器（ＳＦ）は、通常、フィルタの伝達関数の周期を決定すると いう観点から互いにほぼ等しく設計されている。 導入すべき信号λｉを、単一方向性結合器の有効長Ｉの和によって単一のもの とする。設計段において、単一方向性結合器のガイドされた波長同一長Ｉの和を 、選択した波長λｉに対するガイドされた波長同一結合長Ｌに等しくする。 単一移相段の動作をより理解しやすくするために、図３の装置の伝達機能を考 察する。 図３から明らかなように、伝達関数は、ＷＤＭ装置のもののように正弦的でな く、周波数に関して周期的な形態を示し、引き抜かれるべき波長の残りとともに ＷＤＭ信号の全ての波長を含むために十分な幅の応答特性の二つの連続的なピー ク間を分離するスペクトル間隔が存在する特徴がある。 すなわち、装置によって実行されたチャネル減少動作の対象でない全てのチャ ネルが、ほとんど減衰のない状態で装置の出力ゲートで利用でき、同時に、選択 されたチャネルが強く減衰されている（直線で示したバー応答特性）。同様な状 況が他の出力ゲート上に発生し（破線で示した交差応答特性）、それに対して、 抜き出されるべきチャネルが、ほとんど減衰のない形態で利用でき、同時に他の 全ての（選択されていない）チャネルが強く減衰される。 当該既知の装置は完全に対称であり、その結果、チャネルλｉ^*がゲートｂを 通じて導入され、このようなチャネルλｉが、チャネル減少動作によって減衰さ れていない他のチャネルｌ．．．ｎとともに出力ゲートｃ上に存在する。すなわ ち、交差機能において、抜き出すべき又は導入すべのチャネルは、ゲートａから ゲートｄまで通過し又はゲートｂからゲートｃまで通過し、同時に、バー機能に よって、他の全てのチャネルは、ゲートａからゲートｃまで通過し又はゲートｂ からゲートｄまで通過する。 位相シフト段のジオメトリを変更することによって、すなわち、位相シフト段 によって導入された伝播の相対的な遅延を変更することによって、装置の応答特 性を変更させることができる。装置の応答特性が周期的な形態の場合には、強く 減衰した二つの連続的な波長間の波長の間隔を広くし又は狭くすることができる 。実際には、この間隔を広くすることを所望する場合、移相段によって導入され た 相対的な遅延を減少させる必要かあり、それに対して、この遅延を増大させるこ とによって間隔を狭くする。 相対的な方向性結合器を有する移相段に関連する基本セルを意図する、装置を 構成する「セル」の数、すなわち、装置を構成する移相段（ＳＦ）の数は、装置 の減衰特性に直接影響を及ぼす。より正確には、装置によって発生した二つの強 く減衰した波長間の間隔の減衰は、選択性のある装置を構成するセルの数が増大 するに従ってより一様となる。 チャネル増加機能及びチャネル減少機能を実現するのに適切な選択性のある装 置の機能をより深く理解するために、１９９４年２月に刊行されたJournal of L ightwave Technology，Vol.12，No.2のM.Kuznetsovによる論文“Cascaded Coupl er Mach-Zehnder Channel Dropping Filters for Wavelength‐Division Multip lexed Optical Systems”を参照すればよい。例えば、ハイパフォーマンスの光 学的なＬＡＮを実現するための欧州開発プロジェクトの見通しから、利用できる 技術によって構成することができる増加／減少機能を実行するのに適切で、複数 のＷＤＭ波長から選択できる任意の波長に同調することができる比較的低コスト の光ファイバの開発は、考察される基本的な要求である。 説明したようなＣＯＢＮＥＴローカルネットワークを開発するに当たり、ネッ トワークの各ノードを具えるのに必要な増加／減少光ファイバの要求を次のよう に規定する。 １）増加／減少フィルタは、ＷＤＭ信号がリングを循環することによって何回も 通過損失を被るという観点から著しく低い通過損失（Ｌ_through）を示す必要が ある。パワーの束を、ＬＡＮの増加／減少フィルタの従属の非優先チャネルに対 して計算する必要がある。システムの分析は、−３２ｄＢｍの付近の受信側の代 表的な感度を仮定することによって、Ｌ_throughの許容しうる最大値は、（４ノ ードリングに対して）約５ｄＢであり、（８ノードリングに対して）約２．５Ｄ ｂである。 ２）選択したチャネルに増加／減少動作を課することによって導入損失Ｌ_add及 び抜き出し損失Ｌ_dropを一度だけ被るという観点から、これら損失のレベルは重 要ではなく、これらは容易にＬ_throughと同様な値を有することができる。 ３）システムによって管理されることができる通信チャネルの数は、代表的には ＷＤＭ波長の数より著しく大きくなる（例えば、３２通信チャネルを、リングの 各光ファイバ上で八つのＷＤＭ搬送波の波長を用いて管理することができる。） 。 これら多重送信された通信チャネルは、原理的には互いに相違するビットレー ト、互いに相違するフォーマット及びパワーレベルを有することができる。した がって、増加／減少フィルタの入力部のＷＤＭ交叉は混乱したものとなるおそれ がある。その結果、光学的なクロストークの減少がこれらシステムで特に重大な ものとなる。 レシーバの各々は、多数の相違するクロストークの寄与の影響を被り、これを 、同一の波長（同一波長）で分類することができ、干渉チャネル及び受信チャネ ルが同一の光学的な搬送波の波長を有する場合、他の全ての瞬時で互いに相違す る波長（相違波長）となる。増加／減少フィルタのクロストーク絶縁係数Ｘ_bar 及びＸ_crossに基づいて評価されたいわゆる「ローエンド」（ＬＥ)レシーバ及び いわゆる「ハイエンド」（ＨＥ）レシーバの信号／クロストーク比（ＳＣＲ）は 、抜き出された同一波長のチャネルに導入される高パワーチャネルによって発生 するような最も損害の大きい寄与が同一波長のクロストークに起因するおそれが あることを示す。 干渉チャネルのパワー間の差が大きくるとともにクロストーク現象が所定の伝 送システムに発生するおそれがある局の数が多くなるに従って、単一の増加／現 象フィルタでは明らかに許容しうるクロストークであるにもかかわらず、システ ムのＳＣＲ比が著しく低減するおそれがある。 したがって、著しく厳格な要求が増加／減少フィルタの設計仕様に課されて、 スペクトル応答が−２５ｄＢ未満の（同一波長クロストークに関連するＸ_bar係 数及び−２０ｄＢ未満のＸ_cross係数を保証すると仮定する。 ４）一方、これらローカル伝送システムのコストを考察すると、専用の波長安定 システムを使用することを断念せざるを得ない。したがって、各フィルタのいわ ゆるフリースペクトルレンジ(Free Spectral Range)、すなわち、ＦＳＲを非常 に正確にする必要があり、クロストーク絶縁係数Ｘ_bar及びＸ_crossは、比較的広 いスペクトル範囲（＞５０ＧＨｚ）に対して指定された範囲内のままである。 したがって、技術的な課題は、動作中に同調可能な増加／減少装置（フィルタ ）を形成することであり、すなわち、ＷＤＭ光チャネルのうちの任意のものの上 で装置を同調させて、各ノードに対してチャネルλｌ．．．λｎのうちの任意の ものを抜き出し／導入できるようにすることであり、これは、抜き出すべきλ１ 及び／又は導入すべきλｉ^*に対して選択したチャネルとなる。 従来技術の検討及び議論 原理的には、既知のマルチプレクス及びデマルチプレクス光ファイバは、選択 性及びパワー損失の観点からそれらのパフォーマンス（トリミング）の最適な調 整を許容するアーキテクチャを有するが、それらの形態は、ほとんど変更不可能 なままである。すなわち、各ポートに対する光ファイバの接続の所定の形態が一 度確立されると、所定のチャネルと光ファイバとの間の適合は、固定されたまま であり、すなわち、接続を変えることによってのみ変更される。 マルチプレクス及びデマルチプレクス光ファイバの応答特性のトリミング技術 は、ファイバ増幅器に関連すべき「利得等価」フィルタを実現する際に提案され 、このような技術は、１９９５年１１月に刊行されたElectronics Letters，9， Vol.31，No.23のY.P.Li，C.H.Henry，E.J.Laskowskiによる論文“Waveguide EDF A in equalization filter”に開示されている。 上記論文に記載された技術によれば、約３０ｎｍの通過帯域を有するフィルタ の構成は、理想的な方向性結合器及び理想的な移相器の変換マトリックスから開 始するフーリエ展開に基づく。縦続して交互に結合したｋ個の移相段及びｋ−１ 個の方向性結合器を用いてフィルタを実現すると仮定し、フーリエ展開の級数の 項の係数に基づいて単一の方向性結合器を規定することによって、切り捨てたフ ーリエ級数を実現する。所望のフィルタを形成するために、方向性結合器の有効 長及び移相段によって導入された遅延を最適化して、フィルタの最適な応答特性 で近似する切り捨てられた級数を得る。光学的なフィルタの形成プロセスの結果 を、既に説明した論文の図２に示す。理解できるように、交差応答特性は、大き なリップル、すなわち、フーリエ展開の級数の切り捨ての結果見えなくなるよう な減衰の顕著な変動を示す。 それに対して、コスト及びパワー損失を考慮すると、フィルタを実現するため に用いられるセルの総数、すなわち、移相段の総数の制限を受けるのは明らかで ある。 既知の光学的なフィルタは、これらフィルタを最終的に統合するトリミング装 置、すなわち、相対的な通過帯域の規定方法とともに、選択的な構成のままであ り、そのスペクトル応答特性をほぼ一定にする。 光学的なフィルタの柔軟性のこのような欠如を克服し、これらを増加／減少機 能に対して適切にするために、ＷＤＭ光信号の選択されたチャネルのフィルタを 同調することができる超音波光学フィルタが提案されている。このような解決は 、１９９０年８月に刊行されたJournal of Selected Areas in Communications ，vol.8，No.6の1015〜1025頁のK.W.Cheungによる論文“Acousto-optics Tunabl e Filters in Narrowband WDM Networks;System Issues and Network Applicati ons”に記載されている。 同調は超音波光学手段によって実行され、したがって、システムは、非常に正 確な同調可能な超音波源を必要とする。 課題の相違する解決が、１９９６年１月３０日に発行されたBernard Glanceに よる米国特許出願明細書大5,488,500号及び１９９６年２月に刊行されたIEEE Ph otonics Technology Lettersの同一著者の論文“Wavelength-Tunable Add/Drop Optical Filter”に記載されている。 このアプローチによれば、増加／減少動作に対する双方向性フィルタは、上記 文献の図４に図示されたアーキテクチャに基づくものであり、これは、 − 表記“１×Ｎの光学的なスイッチ”によって特定した光学的なスイッチの 第１アレイと、 − 抜き出されたチャネル（減少したチャネル）に対応する出力部を有する、 “Ｎ×Ｎ ＷＧＲ”によって特定した第１波長格子ルータ（ＷＧＲ）と、 − 導入されたチャネル（増加したチャネル）が供給される入力部を有する第 ２波長格子ルータ（ＷＧＲ）と、 − 光学的なスイッチの第２アレイとを具える。 このような技術を用いると、光学的なスイッチを、機械的な装置を用いることに よって実現する必要があり、したがって、光学的なスイッチの二つの必要なアレ イは比較的煩わしく、コストがかかる。さらに、二つの要求されるＷＧＲ装置の 各々はＷＤＭアレイとも見なされ、したがって、全体に亘るシステムが複雑にな ることを無視できない。 発明の目的 本発明の目的は、従来の装置に関連する上記課題及び制限のない同調可能な増 加／減少装置を実現することである。特別な目的は、既知の装置に比べて複雑で なくコストの低い装置を実現することである。 他の目的は、有限な個数の段として装置を設計する際にフーリエ展開の級数の 必然的な切り捨てが原因の「リップル」のほとんどない、非常にフラットな交差 応答特性を有する装置を提供することによって、増加／減少フィルタの設計及び 製造の重要度を減少させることである。 システムの設計要求は、このような受動的な光学装置がフリースペクトルレン ジ（ＦＳＲ）に対して十分広いＦＷＨＭを有し、代表的には１２．８ｎｍのＦＳ Ｒに対して少なくとも３〜５ｎｍのＦＷＨＭとし、同時に、設計パラメータの必 然的な製造展開を保証しやすくするということを必要とし、そうでない場合には 、等価共振結合器の同一波長クロストーク特性に非常に影響を及ぼす。本発明の 装置はこれらの重要な要求も満足する。 発明の要約 本発明の目的は、複数の方向性結合器を各々二つの相違する長さの光路によっ て実現される複数の移相段と交互に縦続して接続した波長分割多重送信（ＷＤＭ ）信号用の同調可能な増加／減少装置である。 本発明の装置は、各移相段の二つの光路の一つを構成する光媒体の屈折率を変 更し、縦続の移相段の各々によって導入された位相シフトの対応する変動を決定 する手段を有することを特徴とするものである。 有効な光路差のこのような変動は、光ネットワーク上を伝送されるＷＤＭ信号 の複数のチャネルから抜き出すべき（又は導入すべき）チャネルの選択した波長 上にそれを位置合わせする、装置の応答特性のシフトを決定する。 本発明の第１態様によれば、フィルタを熱光学効果によって同調可能にする。 本発明の他の態様によれば、電気光学効果によって同調可能にする。 したがって、本発明は、選択可能な値の装置の移相段の尾の置きのを通じて追 加の位相シフト値を導入し、所望のチャネル減少及びチャネル増加動作を実行す るのに関心のある波長にフィルタを同調する熱光学及び／又は電気光学効果を利 用することを意図する。 同調の制御を、同調回路の固有の安定特性に依存して開ループ又は閉ループモ ードで実現することができる。 本発明の同調可能なフィルタの各々は、例えば、製造プロセスの終了時にテス トされて、正確なバイアス値を各波長又はチャネル上のフィルタの正確な同調を 満足するために得ることができるバイアス特性を必ず確立する。 本発明の他の例によれば、本発明のフィルタの同調を、好適には光搬送信号の 変調信号を有する他の情報と同様に復調し及び検出することができる光学的なＷ ＤＭ信号を低周波数変調を専ら利用することによって、専用の制御ループを通じ て自動的に最適化することができる。低周波数変調信号を検出することによって 、最終的には、最適な同調状態を達成し及び維持するために同調素子に対して選 択したチャネルに関する公称バイアス（熱光学又は電気光学バイアス）を増大さ せ又は減少させるのに用いることができる直流信号にする。 本発明の装置を、同調素子を比較的簡単かつ正確に実現することができるいわ ゆる「ガラスオンシリコン」“glass-on-Silicon”技術によって容易に製造する ことかできる。熱光学同調システムの場合、最大同調遅延（すなわち、ＷＤＭ信 号の第１波長上で調整したスペクトル位置からこの第１波長からのスペクトル距 離だけ離間して調整した位置までフィルタの応答特性のピークをシフトするのに 必要な時間）を、１又は数マイクロ秒の目安とすることができる。このような同 調時間は、増加／減少装置に対するシステムの要求に十分適合する。 幾分短い同調時間も、熱光学効果の代わりに電気光学効果を利用することによ って達成することができる。このような他の例は、電気光学効果による同調制御 が実行される導波路すなわち部分に対して、例えば、ニオブ酸リチウム又は有機 重合体のような特別な材料を用いることを必要とする。 本発明の主要な対応及び特徴を、添付した請求の範囲に説明する。図面の簡単な説明 本発明を、以下の複数の重要な実施の形態の説明から更に容易に理解すること ができ、ここでは、単に図示のために設けたものであり、目的を性決するもので はない。添付図面を参照すると、 図１は、既に説明したように、光ファイバ伝送ネットワークのノードＮを示す 。 図２は、既に説明したように、既知の増加／減少装置の一般的なアーキテクチ ャを示す。 図３は、既に説明したように、図２の装置の応答特性を示す。 図４は、既知のアーキテクチャによる同調可能な増加／減少装置を示す。 図５は、本発明による同調可能な光学的なフィルタの基本的な図を示す。 図６は、受信機のチャネルドロッパとしての本発明の装置の動作を線図的に示 す。 図７は、送信機のチャネルアッダとしての装置の動作を線図的に示す。 図８は、第１の実施の形態による本発明の装置の部分的な断面図である。 図９は、他の実施の形態による本発明の装置の部分的な断面図である。 図１０は、自動同調制御を行う本発明の装置の機能図である。 図１１は、本発明によって実現可能な共振結合馬本発明の原理に基づく一般的 な増加／減少装置の機能図である。 図１２は、本発明の同調可能な装置の単一セルの機能図である。 図１３は、本発明の５セル装置のレイアウトである。 図１４は、本発明の装置の交差応答特性を示す。 図１５は、装置の３ｄＢでの交差応答特性を示す。 図１６は、設計したバー特性と測定されたものとの間の比較を示す。 図１７は、設計した３ｄＢの交差特性と測定したものとの間の比較を示す。 図１８は、熱光学効果によって得られた波長軸に沿った応答特性のシフトを示 す。 図１９は、ループ中で機能的に接続した本発明の二つの同調可能な装置からな るモジュラ増加／減少装置「１対８」の線図的なレイアウトを示す。 図２０及び２１は、方向性結合器２：１を追加することによって図１９の「１ 対８」装置から得られる「２対８」モジュラ増加／減少装置の線図的なレイアウ トを示す。 好適な実施形態の説明 図５は、指向性カプラＡＤおよび位相シフト段ＳＦの交互の順序の縦列から成 る本発明の増加／減少装置を示す。 （電気的な並列回路における）同調素子Ｓを図５に示し、この素子Ｓは、好適 には熱光学効果によって、本増加／減少装置を抜き出すべき（λｉ）および導入 すべき（λｉ^*）選択されたチャネルに同調させる。 図８の参照による以下の説明においてより明らかになるように、前記同調素子 を、前記位相シフト段の幾何学的配置によってもたらされる伝播の遅延（位相シ フト）に加えて余分な遅延をもたらすために各々の位相シフト段ＳＦを実現する ２つの光学的支持物の一方の近傍に配置された複数のヒータまたは加熱ストリッ プで構成してもよい。 特に、このような余分な遅延すなわち位相シフトは、前記位相シフト段を形成 する２つの光学的支持物（経路）の一方を形成する媒質の屈折率を変更すること によって本装置を構成する各々の位相シフト段においてもたらされる。実際には 、光学ガラス導波路を加熱し、その屈折率を局所的に変更してもよい。代わりに 、前記光導波路を、例えばポリマまたはリチウム窒化物のような適切な材料で形 成することによって、前記反射率を、並べて置かれた電極を使用して前記導波路 の両端間に電場を局所的に印加することによって変更してもよい。位相シフト段 を形成する前記２つの光学的支持物（導波路）における光経路の差を変更するた めに、前記屈折率を導波路の一部において局所的に変更する。要するに、 ΔＬ_optical＝ΔＬ_geometric＊η_effective であり、ここでη_effectiveは前記光透過媒質の屈折率を表す。 すなわち、 ΔＬ_optical＝Ｌ₂＊η_eff2−Ｌ₁＊η_eff1 であり、ここでＬ₁およびＬ₂は各々前記位相シフト段のアーム１およびアーム２ の光学的支持物の長さであり、η_eff1およびη_eff2は各々の前記位相シフト段を 構成する２つの光学的支持物の媒質の有効屈折率を表す。 本発明では、前記媒質の有効屈折率の変更を、熱光学効果または電気光学効果 を利用することによって前記２つの光学的支持物（経路）の一方のみによって妨 げられると考えるとすることによって、本発明によれば、予め決められた値の余 分な遅延が前記各々の位相シフト段の２つの経路のうち一方の光経路のみにもた らされることは明らかである。 すなわち、本発明では、前記光経路の各々の長さ間の幾何学的差の効果に加え て、問題の形式の増加／減少装置に特有の、他の位相シフトが、前記位相シフト 段の２つの光経路の一方のみによって妨げられる前記媒質の有効屈折率を変更す ることによってもたらされる。 本発明の好適実施形態によれば、前記有効屈折率の変更を熱光学効果によって 行い、この目的のために、前記各々の位相シフト段を構成する２つの導波路の一 方にヒータまたは加熱ストリップを関係付ける。 これらのヒータを電圧または電流モードにおいて駆動してもよく、これらを、 並列または直列に、互いに、そして、制御電圧発生器または制御電流発生に、本 装置に「集積」された金属ストリップに結合してもよい適切な導線を介して電気 的に接続してもよい。 化学蒸着技術またはスパッタリングによって堆積し、マスキングおよびエッチ ングステップを経てパターン化してもよい、クロム、ニッケルクロム合金または 同等の金属材料のパターン化薄膜を、前記同調を実現するために満足に使用する ことができる。 集積されたヒータを、１０ないし１００μｍ程度の幅で、２−３ｍｍ程度の長 さで、数百ｎｍ程度の厚さの抵抗性金属のパターン化ストリップの形態における ものとしてもよい。 光ポートＰ₀を経て供給されるＷＤＭ信号によってチャネル減少器として機能 する図５の本発明の同調可能装置の機能を、選択された波長λ_iを中心とするそ の応答ピーク（共振ピーク）を示す図６において同調中状態において図式的に示 す。前記波長λ_iに対応する選択されたチャネルは、光ポートＰ₂において利用可 能であり、ＷＤＭ信号のすべての他の非選択チャネルは、本装置の光ポートＰ₁ において利用可能である。 本装置の光ポートＰ₀を経て供給されたＷＤＭ信号に波長λ_i ^*のチャネルを導 入するチャネル増加器としての、同じ装置の動作の２つの状態を図７に示す。本 装置の光ポートＰ₃を経て導入された信号λ_i ^*は、それ自体をポートＰ₀を経て導 入された複数のＷＤＭチャネルに加え、これらのすべてのチャネルを本装置の出 力ポートＰ₁において利用できる。 図８に示す好適実施形態によれば、本装置を、いわゆるガラスオンシリコン技 術に従って、または集積光学装置の同等の製造プロセスによって、集積された形 態において製造してもよい。本発明の増加／減少フィルタの同調可能性を、好適 には熱光学メカニズムによって実現する。 この好適実施形態によれば、（図８において電気的に直列に配置された）前記 同調そし、この図において「加熱ストリップ」と記入されて示された金属化膜の パターン化ストリップとしてもよく、これを、前記２つの光経路の一方の部分の 上に突き出た上部クラッド絶縁性材料の表面においてフォトリソグラフィ的に規 定してもよい。 金属製加熱ストリップのパターン化を、熱慣性効果を最小にするために、前記 縦続における種々の位相シフト段の直線アーム導波路部分の（または代わりに曲 線アーム部分の）幾何学的投影にほぼ対応するプロファイルを複製するようなこ ととしてもよい。 連続的な金属線を経て、温度をある値に上昇させるのに適切なレベルの電流を 、正確に制御されるようにしてもよい。 熱光学効果の利用を基礎とする第１実施形態によれば、加熱ストリップのみを 使用する。別の実施形態によれば、ペルチェセルを、各々の加熱ストリップと並 べて、本装置の反対面に貼る。この代わりの実施形態によれば、より効果的な放 熱と本装置の同調時間との点における性能が改善される。 ペルチェセル（図示しない）を、本装置の前記ヒータを配置した面ど逆の面に 用いることによって、加熱すべき導波路の部分の付近における加熱ゾーンを、「 局所的な」放熱を保証し、前記ヒータから加熱すべきでない導波路の他の部分に 向かう好ましくない伝播を防ぐことによって、より正確に制限する。 前記同調が前記位相シフト段を形成する２つの光経路の一方のみにおける相殺 する遅延の導入を基礎とするという事実を思い出すことによって、前記加熱は、 前記２つの光導波路の一方のみを含まなければならない。 したかって前記ペルチェセルの使用は、熱バイアスの制御と、同調速度および 安定性の最適化とを容易にする。 各々の製造された装置は、所定の共振周波数に対応する動作温度を得ることが できる固有の熱特性を有するであろう。したがって、ジュール効果によって前記 導波路を所定の波長に対する前記フィルタの正確な同調温度に加熱するのに適し たバイアス電流を、容易に確立することができる。開ループモードにおいて、ま たは閉ループモードにおいて機能する、例えば直列における（または並列におけ る）前記種々の加熱素子を経て強制される電流の形態における前記バイアス信号 の簡単な調節システムを容易に実現することができ、これらのシステムは、何ら かの選択された波長に対する正確な同調温度の保持を保証することができる。こ れらの温度制御システムを、電子制御回路網の通常の知識を有するどのような技 術者にも知られているものとすることによって、これらの回路が取りうる多くの 形態の繰り返しの説明は、本発明の、そして、それを実施できる方法の完全な理 解のためには必要ないと考えられる。本発明の代わりの実施形態を図９に図式的 に示し、この実施形態は、双方の光経路、または少なくとも、その屈折率を前記 必要な余分な位相シフトを導入するために変更しなければならない方の光経路を 、適切なポリマまたはリチウム窒化物によって実現することを必要とする。 この代わりの実施形態によれば、前記同調素子をキャパシタとし、そのプレー トを加熱ストリップと同様にパターン化してもよい。前記キャパシタの反対側の プレートを好適にはすべての素子について共通にし、前記集積装置の背面または 底面において形成した連続的な金属化層によって構成する。 利用した前記メカニズムに係わりなく、本発明の同調可能フィルタは、自動同 調システムの実現化に適合する。 したがって、特別な低周波数変調をＷＤＭ信号の各々のチャネルまたはキャリ ヤ波長に、その情報キャリヤ信号による変調の他に与えることができ、またはよ り簡単に、低レベルかつ低周波数変調をＷＤＭ信号に前記フィルタ自体によって 与えてもよい。 受信機において検出されるように与えられた低周波数変調信号は、前記フィル タの前記選択されたチャネル（λ_i）における最適の同調を保持するために適切 な同調制御ループによって利用できる、復調され、検出された低周波数変調信号 のレベルのＤＣレベル表現を与えてもよい。 本発明の増加／減少フィルタの個々の条件に適合する何らかの既知の同調最適 化回路網を、本発明の同調可能フィルタの自動的な作動を実現するために使用し てもよい。 本発明の一実施形態による、有効な同調制御システムを含む同調可能増加／減 少フィルタの簡単なブロック図を図１０に示す。 この図に示す閉ループ同調制御システムは、いわゆる「ディザリング」技術に よるＷＤＭ信号における低レベル低周波数変調を行うために、前記同調可能フィ ルタ自体を利用する。 図示した実施形態によれば、交互に配置された位相シフト段ＭＺＩおよび指向 性カプラの連続によって表される前記同調可能フィルタを、この図において図式 的に示すように前記ＭＺＩ段の直線アーム導波路に並べておかれたヒータＳを流 れる特定の（すなわち既知の公称レベルの）電流を強制することによって、選択 されたチャネルλ_iに同調可能であるとする。 この実施形態によれば、前記フィルタの減少ポートを経て抜き出された選択さ れたチャネルλ_iを、前記チャネルの光出力の少量を得て、大部分（９５％）を 光受信機Ｏ＿Ｒｃの通常の光／電子変換回路網に向けるために、普通の分割器に よって５：９５に分割してもよい。最終的に変更された情報を、前記ＷＤＭ信号 に、同じチャネルλ_i ^*において、前記増加／減少フィルタの増加ポートを経て再 導入する。前記得られた少量（≦５％）を、この図においてその出力部において 第１フィルタＦ１を接続したホトダイオード記号によって図式化したように、電 気信号に変換する。 周期的かつ短い時間中、専用のバイアス発生器ＢＳによって発生された公称バ イアスＤＣ電流に、ノードＳＭにおいて、（前記バイアス発生器によって発生さ れたＤＣバイアス電流のレベルと比べて）わずかな量の単一周波電流を加え、こ の単一周波電流をディザ発生器Ｄ＿Ｇによって発生する。前記単一周波電流の周 波数を、一般的に２ｋＨｚ以下としてもよく、前記フィルタの種々のＭＺＩ位相 シフト段における導波路の直線部分における加熱装置の熱慣性特性の関数におい て選択してもよい。この周波数は、１００−２００Ｈｚと同じくらい低くても良 い。 前記ＤＣバイアス電流における単一周波電流の付加は、前記フィルタの動作点 の、前記フィルタが完全に同調すべき前記選択された波長（光チャネル）の近傍 における交互のシフトを生じる。この前記フィルタの動作点の（周波数の見地に おいて比較的小さい振幅の）低周波数交互シフトは、対応する低周波数振幅変調 を、前記フィルタを通過するＷＤＭ信号において引き起こす。このような低周波 数変調は、減少したチャネル（λ_i）においても存在するかもしれない。前記低 周波数変調が、前記光受信機回路網において（一般的にきわめてより高い周波数 の）前記情報搬送信号の復調および検出を著しくは妨げず、この低周波数変調単 一周波信号を、前記ディザ発生器によって発生された元の単一周波信号と（位相 差の点において）比較し、結果として生じるエラー（位相）信号を、この図に示 すように、好適にはパスバンドフィルタＦ２によってフィルタ処理し、適切に緩 衝して、加算ノードＳＭに供給する。このようなディザリング技術によれば、加 算ノードＳＭに前記ディザ発生器によって供給された元の単一周波数信号の位相 とユニットＣＦによって比較された再構成された単一周波数信号の位相は、他の フィルタＦ２および増幅器Ａによって、前記同調可能光フィルタの実際の動作点 と、したがって、ユニットＢＳによって発生されたバイアス電流を増加または減 少させ、前記光フィルタの共振ピークをより短い波長またはより長い波長にシフ トする最終的な必要性との情報表現を発生する。前記同調制御ループ回路（この 図においては示さず）を、前記選択されたチャネル用に同調ヒータＳに対する実 際のバイアス電流を適切に増加または減少することによって前記位相エラー信号 を無効にするようなものとしてもよい。 このディザリング形式の精密同調調節を周期的に実行し、同調を自動的に検査 および調節して、前記フィルタの前もって確立された同調状態の長期のドリフト を補償することができる。したがって、この精密同調干渉を周期的かつ短期間の ものとして、前記ＷＤＭ信号に特に与えられる低周波数変調を一時的にし、光ネ ットワークを流れる情報の伝送に著しく影響しないようにしてもよい。 本発明の同調可能フィルタの設計パラメータの規定 図１１において図式化した静的選択装置の３つの本質的な設計パラメータの規 定を、図１２に示すようにこの装置の各々のセルを位相シフト段ＳＦおよび指向 性カプラＡＤで構成したとし、したがってフィルタ全体をｋ＋１個の指向性光カ プラＡＤによって互いに接続されたｋ個の位相シフト段（代表的に、マッハ−ツ ェンダー原理またはＭＺＩ段を基礎とする干渉計）の回路で構成したとして行う 。 例えば電流モードにおいて駆動される長さｌ_mの加熱ストリップを使用するこ とによって生じさせられる、位相シフト段の２つの等しくないアームの直線部分 における熱光学効果による位相シフトを、行列式、に含めることができ、ここで、Θⁱをカップリング角とし、Φ＋φⁱを前記回路の 各々のＭＺＩ段ＳＦの等しくないアーム長による位相シフトとする。 Δ（Ｔ）は、図１２のヒータｌ_nによって制御される温度に応じた位相シフト 寄与を表す。 ｋ＝５個の段から成る装置に関して、ｋ＋１＝６個の指向性カプラが存在し、 したがって、以下の全体的な行列、 によって表すことができる伝達関数が決定する。Ｔ₁₁行列要素は「バー」伝達特 性（その光信号経路を図１１の機能的な図において点線で示す）に対応し、行列 要素Ｔ₁₂はクロス関数（その光信号経路を図１１の機能的な図において連続線で 示す）に対応する。 前記周波数伝達関数を、以下のフーリエ級数、 によって表すことができ、ここでωを相対的な光角振動数とする。 項ｅ^-jwfo-1を複素変数ｚ^-1に置き換えることによって、周波数応答は、ｚ面 における変数ｚの複素係数を有する多項式、 になる。 本発明の好適実施形態によれば、前記カプラの強度の古典的な漸減する分布を 使用する代わりに、共振外波長における不一致のクロストークの原因であるサイ ドローブを抑制するために、「“Cascaded Coupler Mach-Zehnder Channel Drop ping Filters for Wavelength‐Division Multiplexed Optical Systems”by M ．Kuznetsov，Journal of Lightwave Technology，Vol．12，No．2，February 1 994」において提案されているような、または、前記多項式のｆ_k係数（正の実数 の係数）のチェビコフ分布のような、所望の周波数応答を選択し、このような周 波数応答をフーリエ級数において表す。ｚ変換の面における付加を、前記静的フ ィルタを実現するために使用することを意図した前記ｋ個の段に対応する予め決 められた次数の多項式を用いることによって、前記予め選択された応答特性で動 作させる。 所定のＷＤＭチャネルのスペクトル位置が伝送システムの仕様によって固定さ れることから、前記ｚ変換の領域におけるｋ次の多項式を、前記チャネルのスペ クトル位置とほぼ一致する前記クロス伝達関数の個々のゼロを発生するために、 最適化してもよい。これは、減少した数（ｋ）のセル（またはＭＺＩ段）による 異なる波長のクロストークに関する条件を満たすことを可能にする。 本発明の選択静的装置のこの設計方法によれば、前記装置の少なくとも１つの 位相シフト段が他の位相シフト段の光経路と異なる光経路を有することが必要な のにも係わらず、意外にも、非常に平坦なクロス応答特性を達成でき、本発明の 装置を経て導入または抜き出さなければならないチャネルに対する最も厳しい同 一波長クロストーク仕様をも満たせることがわかっている。 本発明の増加／減少同調可能フィルタを具え、前記他の位相シフト段の光経路 とは異なる光経路を有する位相シフト段を、「増加」ポートとして規定されるポ ートから開始する前記位相シフト段の列の第１または第２のものにかかわりなく てもよい。無視しえないロスの存在において、本発明のフィルタを非対称構造と みなしてもよく、したがって、前記増加ポートを単一義に規定し、前記「減少」 ポートを同様に単一義に規定する。 前記列のすべての他の位相シフト段と異なる（第１または第２の）このような 位相シフト段の２つの光経路間の差を、前記他の位相シフト段の光経路の差より も大きくしても小さくしてもよく、前記フィルタのすべての他の位相シフト段に よってもたらされる位相シフト角よりもπだけ小さいまたは大きい位相シフト角 を生じるように本質的に双方向性としなければならない。 前記フィルタの１つまたは最初の２つのセル（位相シフト段）のこの条件は、 本質的にリップルがない顕著に平坦なパスバンド特性の保証において、手段とな る。 ｋ＋１個の指向性カプラ（ＡＤ）の特性を、前記フィルタの選択性を改善する ために、前記フーリエ展開級数の項の相対係数の関数において最適化する。先行 技術の方法におけるような漸減分布またはチェビコフ分布を用いたときに生じる ものとは異なるこのような最適化は、前記パスバンド特性のリップルの増加の見 地から、実質的に無視しうる結果を有する。 したかって、本発明の選択静的装置は、かなり減少した数の段を用いても、し たがって動かすパワーを最小にしても、同一波長クロストークの見地からも完全 に最適化される。 動作中、前記複素変数ｚの関数における多項式を得た後、パラメータθⁱおよ びφⁱを式（４）から引き出してもよい。 既知のパラメータθⁱおよびφⁱは、以下の条件、 を証明しなければならず、ここでｍを使用した位相シフト段ＳＦのマッハ−ツェ ンダー干渉計の次数とし、ｎ_gを群屈折率とし、ｃを真空中での高速とする。π による位相シフトを、所望のＦＭＨＴ／ＦＳＲ比に関し、抜き出さなければなら ないまたは抜き出しては成らないチャネルのバンドにおけるゼロの位置と、前記 サイドローブの選択レベルとに関する条件（５）を証明するために、前記セルの 列の間に有効な方法で導入しなければならない。δ_{phase angle}は、製造プロセ スの広がりおよび前記同調バイアス値における広がりのため、どんなに悪くても π／２の５％以下と考えてよい。 前記熱光学同調を、前記各々の位相シフト段ＳＦの直線アームの近傍に配置さ れた電気ヒータを駆動することにより、前記導波路の加熱部分の屈折率を局所的 に変化させることによって前記すべてのマッハ−ツェンダー段の異なる長さの２ つの経路間の同一増加相対遅延を加えるようにして行ってもよい。 このようなフィルタの周波数応答を、種々の位相シフト段ＳＦの導波路の直線 部分を加熱する温度を変化させることによって同調させる。シリコン酸化物（Ｓ ｉＯ₂）製の導波路に関して、このような動的に加えられる位相シフトを、以下 の式、 によって与える。シリカｎ_sio2の熱伝導率は１１．５μＫ^-1であり、ｌ_sを前記 金属製加熱ストリップの長さとする。例１ 共振光カプラの原理を基礎とする同調可能「４対１」増加／減少フィルタは、 本発明によって実現される。この装置の機能図を図１１において図式的に模写し 、干渉装置の各々の単一セルを図１２に示す。 この同調可能装置によって管理される４つの導波路の内、入力ポートＰ１を経 て存在するものを減少出力（クロスＰ４ポート）に向け、他の３つの導波路を通 過出力ポート（バーＰ２ポート）に向ける。同様に、局所送信機は、前記減少出 力ポート（クロスＰ４ポート）を向いたチャネルと同じキャリヤ波長を有する第 ２入力ポート（バーＰ３ポート）においてチャネルを加える。 本装置の全体的な配置を図１３に示す。 この装置を、燐をドープしたＳｉＯ₂製の１２μｍの厚さの下部クラッド層と 、８％の燐をドープしたＳｉＯ₂製の６．５×５．５μｍの寸法の導波路と、ボ ロンおよび燐をドープしたＳｉＯ₂製の１５μｍの厚さの上部クラッド層とによ るいわゆる「ガラスオンシリコン技術」において実現した。 これらの層のすべてを低圧において導入された気相からの化学堆積（ＬＰＣＶ Ｄ）によって堆積させ、各々の堆積された膜を１０００℃程度の温度において焼 きなまし、導波路のストレスを減少させ、損失を減少する。 ヒータｌ₁，ｌ₂．．．およびｌ_sを０．２５×１０ｐｍのパターン化クロムス トリップとし、電流分配バスを０．５×３００μｍのパターン化金ストリップの ものとし、電圧モードで駆動する（駆動モードを任意とし、前記同調可能フィル タを制御するために必要なシステム電圧および電圧を最適化するように選択して もよい）。 ｋ＝０，．．，５に対する複素Ｚ面におけるフーリエ展開級数（４）のｆ_k係 数を、所望の周波数応答をできるだけ近似するように計算する。位相シフタ（マ ッハ−ツェンダー干渉計またはＭＺＩ）の次数ｍをｍ＝１１９と選択した。 各々のマッハ−ツェンダー干渉計の２本のアーム間の異なる誘導波長光経路の 合計数として表される前記位相シフト段の次数ｍは、チャネル間の間隔が３．２ ｎｍの１２．８ｎｍの４チャネル装置の設計された自由スペクトル領域（ＦＳＲ ）に対応する。 このチップの実際の寸法は、８０×３ｎｍである。 本装置の５つのマッハーツェンダー段の光経路差ΔＬおよび相対位相シフト角 φを、 ΔＬ₁＝λｇ^*ｍ φ₁＝０ ΔL₂＝λｇ^*（ｍ＋π／２π） φ₂＝π ΔＬ₃＝ΔＬ₁ φ₃＝０ ΔＬ₄＝ΔＬ₁ φ₄＝０ ΔＬ₅＝ΔＬ₁ φ₅＝０ とし、λ_gは、関係λ_g＝λ_p／η_{eff( λP)}により設計波長λ_pに対応し、ここでη η_{eff( λP)}は、設計波長λ_pにおける前記導波路を形成する媒質の有効屈折率に 対応する。 一般的な結合技術による屈折率整合オイルを使用して、標準的な単峰ファイバ を経て結合され、関連する入力ポートに整列され、突き合わせ結合された同調可 能レーザおよび光を使用すると共に、パワーメータに対する結合ファイバを関係 する出力ポートに突き合わせ結合して測定を行う。マイクロプロセッサは、波長 走査を行い、相対パワースペクトルを得て、レーザを制御する。 各々の走査に関して合計３６１の捕捉点に対して５０ｐｎの増分により前記フ ィルタの自由スペクトル領域（ＦＳＲ）全体を走査することによって、試験を行 う。完全なクロス応答図を図１４に示し、３ｄＢクロス応答を図１５に示す。 認められるように、３．７６ｎｍの帯域幅（ＦＷＨＭ）が得られた。 本発明の集積装置位相シフト段を実現するために使用するものと同じ曲率半径 を有する１つのマッハ−ツェンダー段の基準標本において測定した導入損は、− １．８ｄＢ付近であると決定された。 ８ｃｍの直線導波路に対する対応する損は、１５５０ｎｍにおいて０．２５０ ｄＢと測定され、ファイバ対導波路の結合が主な損のメカニズムであることを示 した。 比較のために、測定した応答と設計の応答とを図１６および１７に示す。これ らの特徴は、顕著な重なりを示す。抜き出したチャネルにおけるクロストーク係 数（Ｘ_ber）は−１８ｄＢのものであり（図１６）、通過チャネルにおけるクロ ストーク係数（Ｘc_ross）は−１４ｄＢのものである。測定された４００ＧＨｚ のＦＷＭＨを図１７から読み取ることができ、これは設計値と良好に一致し、前 記損と結合長とを減少することによって合理的にさらに改善することができる。 熱光学メカニズムによる前記フィルタの同調可能性は、ＦＳＲ全体に関して証 明された。 図１８は、２Ｖ／ｎｍ程度の変動率によって得られる応答特性のシフトを示す 。例２ 第２のプロトタイプのフィルタを、例１において使用したのと同じ製造技術お よび同じ技術的パラメータを使用するが、以下の構造パラメータ、 ΔＬ₁＝λｇ^*（ｍ＋π／２π） φ₁＝π ΔＬ₂＝λｇ^*ｍ φ₂＝０ ΔＬ₃＝ΔＬ₂ φ₃＝０ ΔＬ₄＝ΔＬ₂ φ₄＝０ に対応するように、前記最初のマッハ−ツェンダー干渉計の相対的な寸法を逆に して実現した。 この第２プロトタイプの応答特性は、ＦＷＨＭの点において例１の応答特性に ほぼ重ねることができ、したがって、異なる位相シフトのＭＺＩ段の異なる位置 で同じＦＷＭＨを得る可能性を証明し、これは厳密な相互関係においてＦＷＨＭ ／ＦＳＲ比および二次ローブ（またはサイドローブ）レベルを最適化するように する必要がある。 本発明の重要な他の態様によれば、いくつかの同調可能装置をループ配置にお いて相互接続し、増加したチャネル数またはキャリヤ波長に対して増加／減少機 能を、導入損（Ｌ_through）を実際的に増加させることなく行うことができる。 図１９は、ループ配置において配置された２つの構造、すなわち、４つの位相 シフトマッハ−ツェンダー干渉計段ＳＦ１，ＳＦ２，．．．およびＳＦ４から成 る第１構造と、２つの位相シフトマッハ−ツェンダー干渉計段ＳＦ５およびＳＦ ６によって構成される「８対１」増加／減少装置の機能図を示し、ＡＤＩ，．． ．．ＡＤ８をモジュールの「８対１」フィルタを構成する個々の指向性カプラと する。 図１９に示すようなモジュール構造の利点は、通過チャネルが、前記第１構造 の４つのセルを経ての出力信号の通過に起因する損失に対応する導入損（Ｌ_{thro ugh} ）を受け、導入されたチャネルおよび抜き出されたチャネルのみが、前記第 １構造の４つのセルと、前記第１構造にループ結合した第２構造の２つのセルと を経ての通過に対応する損失を受けるという事実によって表される。 もちろん、バイアス電圧信号を前記同調制御システムの同調素子Ｓに印加する 電気バス１および２を、前記２つの構造に対して有利に共通にしてもよい。 本発明の増加／減少フィルタの周期的性質を利用し、前記フィルタの応答特性 の周期的な原因ピーク間のスペクトル間隔を適切に設計することによって、ＷＤ Ｍ信号のチャネル（キャリヤ波長）の選択可能な対を導入または抜き出すことが できる増加／減少光フィルタを設計することができる。 図２０および２１は、２つの異なる構造「４対１」および「２対１」を含む「 ８対１」増加／減少構造から得られる「８対２」増加／減少装置（６ポート装置 ）の基本的な図を示す。 この見本的な実施によれば、チャネルの選択可能な対（この例においてλ_i ^*お よびλ₅ ^*）を、共通２：１カプラを経て、前記同調可能フィルタ４対１構造の増 加ポートＰ８を経て、前記カプラの入力ポートＰ６およびＰ５においてこれらの ２つの光波長を用いることによって導入する。 チャネルλ₁およびλ₅の同様に選択された対は、前記第１の４対１構造の「減 少ポート」において存在し、個々のチャネルλ₁およびλ₅は、前記２対１構造の 出力ポートＰ４およびＰ３において存在する。前記４対１構造のポートＰ１を経 て供給される８つのチャネル（λ₁．．．λ₅．．．λ₈）のすべてを含むＷＤＭ 信号は、（λ₁ ^*，λ₂．．．λ₅ ^*．．．λ₈）として前記４対１構造の出力ポート Ｐ２において存在する。 チップの全体的な長さの相対的な抑制のため、集積した配置は簡単であり、こ れは、増加するチャネルまたはキャリヤ波長を処理できる同調可能増加／減少集 積装置を開発するための無視できない特徴である。 前記説明および図面は好適実施形態に属するという事実にも係わらず、本発明 を、これらの好適実施形態に限定されるとみなすべきではなく、専門家は時々彼 の設計要求に最も適合するものを選ぶために、異なる形態においても実施できる 。 すでに言及したように、可能な変形は、熱光学効果に加え著しい電気光学効果 に影響されやすい材料であるポリマまたはリチウム窒化物の導波路を使用するこ とによって、本発明の増加／減少フィルタを同調させるために、電気光学メカニ ズムを、それ自体か、熱光学メカニズムと協働して利用するものである。 ８対１増加／減少フィルタ、８対２増加／減少フィルタ、または、前記で開示 した８対１または８対２フィルタとは異なる特徴を有する増加／減少フィルタを 得るように、異なる数の基本的構造を１つに接続する複数のループ化または線形 構造を得ることもできる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＵＳ (72)発明者 ディ モラ ドメニコ イタリア国イ−20090 ブッチナスコ ビ ア ビジェバネセ ７／エーレ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．少なくとも一つの選択された光チャネルすなわち搬送波の波長を、多重送信 したチャネルすなわち互いに相違する波長の搬送波のセットに導入し、又は少 なくとも一つの選択された光チャネルすなわち搬送波の波長から、多重送信し たチャネルすなわち互いに相違する波長の搬送波のセットから抜き出すために 、波長分割多重送信（ＷＤＭ）信号を処理するのに適合した同調可能な増加減 少光学装置であって、縦続して交互に接続した複数の方向性結合器及び複数の 移相段を具え、各移相段は、この段の二つの別個の光路の間の所定の光路長差 を規定し、周期的な応答特性のピークが選択した波長上にあるとき、前記多重 送信されたチャネルの選択されていない全ての波長を含むのに十分な周期的な 応答特性の二つの隣接するピーク間のスペクトル分離を有する周期的な応答特 性を発生させる増加減少光学装置において、 前記移相段の各々の二つの別個の光路の一方を構成する光媒体は、温度及び 電界強度からなる群に属する物理的なパラメータに依存する屈折率を有し、前 記装置は、前記パラメータを制御自在に変動させるバイアス手段を有すること を特徴とする光学装置。 ２．前記多重送信されたＷＤＭ信号が入力されるポートの側から開始する前記複 数の移相段の最初の二つの移相段は、予め確立された比で互いに相違する光路 長の差を有し、それ以外の移相段は、前記最初の二つの段のものの差に等しい 光路長の差を有し、前記移相段間に交互に配置された前記方向性結合器は、π ／２に等しい和の分数にとして独立して設計した結合角を有することを特徴と する請求の範囲１記載の光学装置。 ３．縦続接続した個別の段の前記光路長差及び結合角は、前記装置の予め規定さ れた周波数伝達関数の前記装置の移相段の数に対応する予め規定された順序の フーリエ級数展開多項式から得られた結合角及び移相角に相当することを特徴 とする請求の範囲２記載の光学装置。 ４．前記複数の段の移相パラメータ及び結合角パラメータの得られた値によって 、選択したチャネルの搬送波の波長の付近の前記伝達関数を零にすることを特 徴 とする請求の範囲３記載の光学装置。 ５．統合した形態で実現し、前記物理的なパラメータを温度とし、前記手段は、 前記移相段の各々の光導波路の直進部の幾何学的な投影に一致して上側クラッ ド絶縁相の表面上に規定した抵抗性金属のストリップを加熱するジュール効果 を有することを特徴とする請求の範囲１記載の光学装置。 ６．前記物理的なパラメータを電界強度とし、前記手段は、前記手段は、前記移 相段の導波路の直進部の線形的な投影に一致する上側クラッド絶縁相の表面上 に規定した第１の金属製の電界プレートと、統合した装置の底面上の連続的な メタライゼーションの形態の第２の共通電界プレートとを具えることを特徴と する請求の範囲１記載の光学装置。 ７．各移相段の導波路の直進部の材料を、蛍光体をドープしたシリカガラスとし たことを特徴とする請求の範囲５記載の光学装置。 ８．前記導波路の直進部の材料を重合体としたことを特徴とする請求の範囲５又 は６記載の光学装置。 ９．前記移相段の各々の導波路の直進部の材料をニオブ酸リチウムとしたことを 特徴とする請求の範囲６記載の光学装置。 １０．前記抵抗性金属のストリップの加熱の各々を、電圧又は電流モードで行い 、それは、数ミリメートルの長さ、数十マイクロメートルの幅及び数十ナノメ ートルの目安の厚さを有することを特徴とする請求の範囲５，７又は８記載の 光学装置。 １１．前記導波路の加熱された部分の上側クラッド上に規定した加熱ストリップ の各々に対して並列にした、前記統合された装置の底面上に配置されたペルチ ェセルを具えることを特徴とする請求の範囲７記載の光学装置。 １２．前記金属ストリップの加熱を開ループモードで行うようにしたことを特徴 とする請求の範囲２記載の光学装置。 １３．前記ストリップの加熱を閉ループモードで行うようにしたことを特徴とす る請求の範囲２記載の光学装置。 １４．前記抵抗性金属材料を、クロム又はマイクロクロム(micro-chromiun)の合 金としたことを特徴とする請求の範囲５又は７記載の光学装置。 １５．前記パラメータを制御自在に変動させる前記手段の直流バイアス信号に正 弦的な寄与を重畳し、選択した波長に対する理想的な整合から応答ピークのオ フセットを表す誤差信号を発生させることによって前記ＷＤＭ信号上に低周波 数変調を行う変動手段を有することを特徴とする請求の範囲１記載の光学装置 。 １６．互いに相違する数の移相段及び方向性結合器を縦続して交互に接続し、互 いにループさせて４ポート結合装置にした二つの構造を有することを特徴とす る請求の範囲１から１５のうちのいずれかに記載の光学装置。 １７．第１の構造は四つの移相段及び五つの方向性結合器を有し、第２の構造は 二つの移相段及び三つの方向性結合器を有し、共同して１対８増加／減少フィ ルタを形成するようにしたことを特徴とする請求の範囲１６記載の光学装置。 １８．互いに相違する数の移相段及び方向性結合器を縦続して交互に接続するこ とによって構成した少なくとも三つの構造を有し、第１の構造は四つの移相段 及び五つの方向性結合器を有し、第２の構造は二つの移相段及び三つの方向性 結合器を有し、第３の構造は一つの結合器を有し、共同して２対８増加／減少 フィルタを形成するようにしたことを特徴とする請求の範囲１から１５のうち のいずれかに記載の光学装置。